[go: up one dir, main page]

ES2980711T3 - Una estructura multicapa transmisora de luz para dispositivos optoelectrónicos - Google Patents

Una estructura multicapa transmisora de luz para dispositivos optoelectrónicos Download PDF

Info

Publication number
ES2980711T3
ES2980711T3 ES21461526T ES21461526T ES2980711T3 ES 2980711 T3 ES2980711 T3 ES 2980711T3 ES 21461526 T ES21461526 T ES 21461526T ES 21461526 T ES21461526 T ES 21461526T ES 2980711 T3 ES2980711 T3 ES 2980711T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
layer
multilayer structure
structure according
oxide
barrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES21461526T
Other languages
English (en)
Inventor
Pierpaolo Spinelli
Mateusz Scigaj
Konrad Wojciechowski
Tanja Ivanovska
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Saule SA
Original Assignee
Saule SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saule SA filed Critical Saule SA
Application granted granted Critical
Publication of ES2980711T3 publication Critical patent/ES2980711T3/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/102—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising tin oxides, e.g. fluorine-doped SnO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/20—Metallic electrodes, e.g. using a stack of layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Estructura multicapa transmisora de luz para dispositivos optoelectrónicos (OP), que comprende: un sustrato (11); una estructura de electrodo (13); y una estructura de barrera (12) dispuesta entre el sustrato (11) y la estructura de electrodo (13). La estructura multicapa se puede preparar como una lámina deformable, por ejemplo, flexible, y se puede implementar en diversos dispositivos OP, como dispositivos fotovoltaicos orgánicos o de perovskita, o LED orgánicos. (Traducción automática con Google Translate, sin valor legal)

Description

DESCRIPCIÓN
Una estructura multicapa transmisora de luz para dispositivos optoelectrónicos
Campo técnico
La presente divulgación se refiere a una estructura multicapa de electrodo transmisor de luz para dispositivos optoelectrónicos (OP). La estructura multicapa se puede preparar como una lámina deformable, por ejemplo flexible, y se puede implementar en diversos dispositivos O<p>, tales como dispositivos PV orgánicos o de perovskita, u OLED, que actúan como uno de los electrodos, y preferiblemente un electrodo frontal, junto al material fotosensible del dispositivo OP.
Antecedentes
De la literatura de patentes se conocen estructuras multicapa delgadas, en forma de láminas para diversos dispositivos OP.
Una solicitud de patente internacional WO2018139945 describe una lámina optoelectrónica translúcida que consta de un sustrato de lámina de plástico, una capa conductora y una capa de barrera dispuesta entre la capa conductora y el sustrato de plástico. La barrera está hecha de un material seleccionado entre óxidos de silicio, óxidos de aluminio, óxidos de titanio, oxinitruros de silicio, nitruros de silicio, compuestos orgánicos de silicio, óxido de circonio, óxido de hafnio, óxidos de cromo y parileno, en donde la capa barrera puede ser una estructura monocapa o multicapa. La capa conductora comprende al menos dos subcapas: una capa de óxido (tal como AZO, IZO, FTO, ZTO, ITO, GZO, GIO, IO:H, CdO o TiOx), y una capa metálica que consta de al menos un metal seleccionado entre Al, Ti, Ni, Cr, Au, Mg, Ta, Ge, Ag, Cu, Zr, Pt y W. Debido a la presencia de la capa barrera dispuesta entre el sustrato de lámina de plástico y la capa conductora, la lámina presenta tasas de permeabilidad al vapor de agua (WVTR) que tienen un rango entre 10-3 y 10-6 g/m2 por día, así como propiedades de barrera estables, incluida una alta hidrofobicidad y resistencia a la radiación UV. La capa conductora de la lámina es una alternativa al ITO (óxido de indio y estaño) conductor único, más grueso.
Además, una solicitud de patente estadounidense US20140054578 describe un dispositivo electrónico multicapa que consta principalmente de una capa de polímero orgánico y un electrodo posicionado contra la capa de polímero. El electrodo está constituido por una fina capa metálica, una barrera a la humedad y a los gases denominada primera pila de barrera, un recubrimiento antirreflectante y una capa sobrebloqueadora hecha de metal oxidado o no oxidado. Esta capa sobrebloqueadora está destinada a proteger la fina capa metálica durante la deposición de una capa posterior bajo una atmósfera oxidante o de nitruración. La estructura multicapa del dispositivo electrónico puede implicar una arquitectura, por ejemplo, tal como ZnO/Ag/Ti/TiOx, de modo que una capa metálica (Ag) se una a otra capa metálica (Ti). Dentro de la arquitectura del dispositivo, la pila de barrera constituyente de las capas de electrodos alterna índices de refracción más bajos y más altos, proporcionando de esta manera un filtro de interferencia dentro de la estructura del electrodo. La pila de barrera participa así en el efecto antirreflectante de las finas capas metálicas del electrodo.
Una solicitud de patente EP2871681 describe un sustrato de contacto posterior para una célula fotovoltaica con un sustrato portador y un recubrimiento de electrodo. Una capa de electrodo del sustrato consiste en una película delgada metálica, con base en AI, con un grosor de 80 - 300 nm, una película de contacto óhmico, capaz de formar un contacto tras la sulfuración o selenización, por ejemplo, con base en Mo o W, y una barrera a la selenización del grosor de 20 a 50 nm, entre la capa metálica y la película de contacto óhmico. Sin embargo, este diseño no sugiere otra posibilidad de disposición de las respectivas capas. Además, dicha capa barrera puede controlar eficazmente sólo una migración de sodio.
Además, una solicitud de patente EP2720276 describe un sustrato de celda solar que comprende una barrera de difusión metálica multicapa que protege de la difusión de metales. La barrera de difusión metálica está hecha de los siguientes materiales: Cr, Ni, Ti y óxido metálico. Esta selección de materiales utilizados permite que la capa inhiba la difusión de impurezas: Na y Fe. Esta capa de barrera a la difusión está dispuesta, en el sustrato de la celda solar, entre el sustrato inferior y el electrodo inferior. Dicha arquitectura proporciona un efecto inhibidor de la difusión del sustrato; par. 0043: "(...) debido a la interferencia al formar las capas metálicas junto con las capas de óxido de manera que la capa de barrera de difusión multicapa funcione como una barrera para bloquear la difusión de impurezas tal como Na y Fe en la interfaz formada entre diferentes tipos de materiales (...)". En esta solución, la capa metálica se aplica directamente al sustrato y la capa de óxido metálico solo se dispone entre dos metales (dentro de la capa de barrera de difusión multicapa) para inhibir eficazmente la permeación de Na y Fe.
La transmitancia de luz constituye un factor importante para la funcionalidad de los dispositivos optoelectrónicos (OP) multicapa. Por lo tanto, los recubrimientos antirreflectantes altamente transparentes suelen estar involucrados dentro de la estructura multicapa del dispositivo OP con el fin de reducir las pérdidas por reflexión de Fresnel, aumentando así la cantidad de luz que puede pasar a través de la estructura de capas del dispositivo OP. Esto mejora la eficiencia del dispositivo. Los recubrimientos antirreflectantes se aplican normalmente a un sustrato transparente y se deposita un recubrimiento externo en el lado exterior del dispositivo. Los recubrimientos antirreflectantes pueden estar hechos, por ejemplo, de vidrio o plástico. Por tanto, el recubrimiento antirreflectante puede reducir eficazmente las pérdidas por reflexión de la superficie en un amplio rango de longitudes de onda de luz y ángulos de incidencia. Normalmente, los recubrimientos antirreflectantes tienen un diseño multicapa que implica una estructura de pila de capas de material alternas de índices de refracción alto y bajo. Además, también se puede obtener una reducción de las pérdidas por reflexión mediante la disposición adecuada de los materiales y sus grosores, dentro de la arquitectura del dispositivo OP.
Básicamente, el índice de refracción (n) se define como un número adimensional que describe la velocidad a la que viaja la luz a través del material. Se define como n = c/v, donde c es la velocidad de la luz en el vacío y v es la velocidad de fase de la luz en el medio (material) dado (considerado). Por ejemplo, se sabe que el dióxido de silicio (SO<2>) se utiliza para la producción de recubrimientos antirreflectantes debido a su bajo índice de refracción, buena durabilidad y resistencia ambiental.
Además, una publicación científica, " "High Refractive Index Polymer Coatings for Optoelectronics Applications" T. Flaim, et all, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, febrero de 2004 DOI: 10.1117/12.513363, describe recubrimientos poliméricos de alto índice de refracción para aplicaciones OP, tal como visualizadores de panel plano, sensores de generación de imágenes, circuitos fotónicos, y diodos emisores de luz. El material de recubrimiento polimérico tiene un índice de refracción en un rango de valores de 1.6 a 1.9 y se aplica a la porción emisorade luz o sensora de luz del dispositivo. Esto permite una transición gradual del alto índice de refracción<de la circuitería activa, dentro del dispositivo>O<p>,<al bajo índice de aire, de este modo, se permite que la luz se acople>dentro o fuera del dispositivo de manera más efectiva, aumentando la eficiencia del dispositivo y/o la calidad de la imagen. El recubrimiento está hecho de un material que es un híbrido orgánico-inorgánico, hecho de un precursor de polímero de dióxido de titanio y un polímero orgánico compatible.
Además, una solicitud de patente internacional WO2015/140090A1 describe el dispositivo fotónico en capas en forma de sustrato transparente que comprende un electrodo. El dispositivo consta de capas dispuestas en una pila, soporte, una capa de barrera, una capa de dispersión, una capa de alisado, una subcapa de barrera, una subcapa de cristalización, una capa de conducción metálica y una capa reguladora. La subcapa barrera, de acuerdo con WO2015/140090A1, protege las capas de electrodos contra productos químicos, y especialmente contra la contaminación por la migración de sustancias alcalinas provenientes del soporte de vidrio. Sin embargo, este documento no dice nada sobre los valores del índice de refracción de la subcapa de barrera y, además, no impone restricciones al respecto cuando se trata de elegir los materiales para la subcapa de barrera. Por el contrario, el documento WO2015/140090A1 presenta un amplio rango de materiales para la subcapa barrera, incluyendo óxido de titanio, óxido de circonio, óxido de aluminio, óxido de itrio, óxidos mixtos de zinc-estaño, zinc-aluminio, zinc-titanio, zinc-indio, estaño-indio, nitruro de silicio, oxinitruro de silicio, oxicarburo de silicio, oxicarbonitruro de silicio, nitruro de aluminio, oxinitruro de aluminio, nitruro mixto de aluminio-silicio y oxinitruro mixto de aluminio-silicio. El grosor de la subcapa reguladora puede variar de 20 a 200 n. Los parámetros anteriores solo pueden anticipar un rango muy amplio de valores de índice de refracción, que sin embargo no se mencionan en el documento WO2015/140090A1.
Como se desprende de las publicaciones antes citadas, las arquitecturas de estructuras multicapa para dispositivos OP se someten a un desarrollo constante que tiene como fin mejorar tanto la transmitancia de luz como las características de barrera de los dispositivos OP, mejorar su eficiencia y prolongar la vida útil de diversos dispositivos OP.
Por lo tanto, sería deseable seguir desarrollando estructuras multicapa transmisoras de luz con funcionalidad de electrodo, dedicadas a dispositivos OP, para mejorar aún más sus características de barrera, incluida una mejor transmisión de luz, limitación de la penetración de oxígeno y humedad en el interior de los dispositivos OP, y estabilidad química mejorada de los dispositivos OP que emplean dicha estructura multicapa dentro de sus diseños de células O<p>.<Sería además deseable desarrollar especialmente estructuras multicapa que presenten una deformabilidad>mejorada, especialmente flexibilidad, para ampliar el alcance de sus aplicaciones.
Resumen de la divulgación
Se divulga una estructura multicapa transmisora de luz para dispositivos optoelectrónicos (OP), que comprende un sustrato 11; una estructura 13 de electrodo; y una estructura 12 de barrera dispuesta entre el sustrato 11 y la estructura 13 de electrodo, la estructura 12 de barrera que comprende capas de barrera dispuestas en una pila de barrera, la pila de barrera que comprende una capa de respaldo A adyacente al sustrato 11, una capa reguladora C adyacente a la estructura 13 de electrodo, y una capa de bloqueo B dispuesta entre la capa de respaldo A y la capa reguladora C; la estructura 12 de electrodos que comprende capas de electrodos dispuestas en una pila de electrodos, la pila de electrodos que comprende una capa dieléctrica E y una capa metálica D dispuesta entre la capa reguladora C de la estructura 12 de barrera y la capa dieléctrica E; en donde la capa reguladora C comprende al menos un material seleccionado del grupo que consiste en TiOx, ZrO<2>, Nb<2>O<5>, TeO<2>y ZnS, en donde todos los materiales de la capa reguladora C tienen un valor de índice de refracción en el rango de 2.2 a 2.6, y en donde el grosor total de la capa reguladora C es de 10 a 60 nm; y en donde la capa metálica D comprende plata (Ag) y al menos un metal seleccionado del grupo que consiste en Al, Cu, Ti, Ge, Zn y Cr. Las capas (A) - (E) están directamente adyacentes entre sí.
Preferiblemente, la capa metálica D tiene un grosor total de 4 a 13 nm.
Preferiblemente, la capa dieléctrica E comprende al menos un óxido conductor transparente (TCO) seleccionado del grupo que consiste en óxido de indio (In<2>O<3>), óxido de estaño (SnO<2>), óxido de zinc (ZnO), óxido de vanadio (V<2>O<5>), óxido de molibdeno (MoO<3>), óxido de tungsteno (WO<3>), óxido de estaño e indio (ITO), óxido de indio y zinc (IZO), óxido de aluminio y zinc (AZO) y óxido de indio, galio y zinc (IGZO).
Preferiblemente, la capa dieléctrica E tiene un grosor total de 20 a 80 nm.
Preferiblemente, la capa de bloqueo B comprende al menos un óxido metálico seleccionado del grupo que consiste en AlOx, SnOx, ZnOx, HfOx, AlyTizO, AlyZrzO y AlyZnzO, en donde todos los materiales de la capa de bloqueo B tienen un valor de índice de refracción en el rango de 1.5 a 2.1.
Preferiblemente, la capa de bloqueo B tiene un grosor total de 10 a 100 nm.
Preferiblemente, la capa de respaldo A comprende al menos un óxido metálico seleccionado del grupo que consiste en TiOx, SnOx, ZrOx, HfOx, AlyTizO y AlyZrzO.
Preferiblemente, la capa de respaldo A tiene un grosor total de 2 a 20 nm.
Preferiblemente, todos los materiales de la capa de respaldo A tienen un valor de índice de refracción (n) en el rango de 1.6 a 2.6.
Preferiblemente, la capa reguladora C comprende principalmente TiOx, en donde todos los materiales de la capa reguladora C tienen un valor de índice de refracción (n) en el rango de 2.4 a 2.5.
Preferiblemente, la capa reguladora C tiene un grosor total de 20 a 50 nm.
Preferiblemente, la capa de bloqueo B comprende principalmente AlOx, en donde todos los materiales de la capa de bloqueo B tienen un valor de índice de refracción en el rango de 1.6 a 2.0.
Preferiblemente, la capa metálica D comprende Ag y Cu en una cantidad de 90 en % de Ag y 10 en % de Cu.
Preferiblemente, el sustrato está hecho de una lámina deformable que comprende al menos un material seleccionado del grupo que consiste en tereftalato de polietileno (PET), polietileno naftaleno (PEN), polietileno (PE), polipropileno (PP), polietersulfona (PES), poliimida (PI), poliestireno (PS), etileno/tetrafluoroetileno (ETFE) y parileno.
Breve descripción de los dibujos
El objeto de la presente divulgación se muestra mediante realizaciones de ejemplo en un dibujo, en donde:
la figura 1 muestra esquemáticamente una estructura multicapa para dispositivos optoelectrónicos de acuerdo con la presente divulgación;
la figura 2 muestra datos experimentales de transmisión de luz de la estructura multicapa de acuerdo con la realización 1 de la presente divulgación;
Las figuras 3 - 4 muestran simulaciones de transmisión de luz de la estructura multicapa de acuerdo con la realización 2 y la realización 3 de la presente divulgación.
La estructura multicapa de acuerdo con la presente divulgación se puede presentar como una lámina deformable, por ejemplo flexible, fototransmisora (transparente o translúcida), que comprende una estructura de electrodos, que puede estar dispuesta preferiblemente como electrodo frontal, ya sea como cátodo o ánodo, en diversos diseños de dispositivos OP, por ejemplo, con perovskita o con región fotosensible orgánica (por ejemplo, OLED), dependiendo de las necesidades especiales.
La estructura multicapa comprende un sustrato, una estructura de electrodo y una estructura de barrera dispuesta entre el sustrato y la estructura de electrodo. Este diseño, y además una arquitectura desarrollada de dichas dos estructuras (el electrodo y la barrera), así como las propiedades seleccionadas de los materiales utilizados en estas estructuras, proporcionan en conjunto características mejoradas de la estructura multicapa, incluidas propiedades de barrera ultraalta, estabilidad química y térmica mejorada, alta flexibilidad, mayor transmisión de luz de toda la pila y baja resistencia laminar del electrodo. Entre otras cosas, la estructura multicapa presenta propiedades de barrera mejoradas, tasa de transmisión de vapor de agua (WVTR) 1*10'6 - 1x10'3 g/m2 por día a 38°C/90%RH (humedad relativa), mayor flexibilidad, no se observan cambios en las propiedades de barrera de la estructura multicapa al doblarla con un radio incluso tan bajo como 0.5 cm (en donde cuanto mayor es el radio de curvatura, menor es la curvatura). Además, la estructura multicapa desarrollada presenta una transmisión de luz mejorada de la estructura de barrera junto con la estructura del electrodo a más del 80% de AVT (transmisión visible promedio) y una baja resistencia laminar, por debajo de 20 ohmios/sq.
Las ventajas anteriores son el efecto del cierto orden desarrollado y los materiales seleccionados para las capas de la estructura multicapa, así como el grosor de las capas específicas y, por lo tanto, los valores de índice de refracción (n) seleccionados de los materiales para las capas, que en conjunto pueden considerarse como identificación de ciertos subrangos, para al menos dos, y más preferiblemente dos, tres o todas las capas dispuestas en la estructura multicapa. De acuerdo con la presente divulgación, esta combinación especial de selección de materiales y disposición de capas, en la pila, proporciona funcionalidades nuevas y superiores y, por lo tanto, una mejora en las características generales de la estructura multicapa.
Por lo tanto, un aspecto de la presente divulgación es una selección especial de los materiales para la estructura multicapa para dispositivos OP teniendo en cuenta diversas propiedades de los materiales utilizados.
De acuerdo con la presente divulgación, una estructura multicapa para dispositivos optoelectrónicos, como se muestra esquemáticamente en la figura 1, comprende un sustrato 11, preferiblemente deformable, por ejemplo, un sustrato 11 flexible. El sustrato puede estar hecho de diversos materiales transparentes o translúcidos, y preferiblemente aquellos que proporcionan deformabilidad al sustrato 11. Por ejemplo, el sustrato puede comprender una lámina o tal vez estar hecho sustancialmente en su totalidad de una lámina, opcionalmente con un recubrimiento de imprimación proporcionado sobre la superficie de la lámina. Los ejemplos preferidos, no limitantes, de materiales plásticos que son adecuados para usarse para el sustrato 11 son tereftalato de polietileno (PET), polietileno naftaleno (PEN), polietileno (PE), polipropileno (PP), polietersulfona (PES), poliimida (PI), poliestireno (PS), etileno/tetrafluoroetileno (ETFE) y parileno, o mezclas de los mismos. El grosor del sustrato 11 depende de las necesidades. Por ejemplo, el sustrato puede tener un grosor de 25 a 300 micrómetros.
La estructura multicapa comprende además una estructura 13 de electrodo que comprende una pila de capas de electrodos: D, E, dispuestas una encima de la otra, y una estructura 12 de barrera que comprende una pila de capas de barrera A, B, C, dispuestas una encima de la otra. La estructura 12 de barrera está dispuesta entre el sustrato 11 y la estructura 13 de electrodo. Cada capa (D, E) de la estructura 13 de electrodo así como cada capa (A, B, C) de la estructura 12 de barrera, puede ser de estructura monocapa o multicapa. Así, la capa de estructura multicapa puede comprender al menos dos subcapas, una encima de la otra. De acuerdo con la presente divulgación, cualquiera de las capas A, B, C, D, E de la estructura multicapa puede comprender dichas subcapas.
Para preparar la estructura multicapa, las capas de barrera A, B, C y las capas de electrodos D, E de las respectivas estructuras 12, 13 pueden depositarse secuencialmente sobre el sustrato 11, uno encima del otro, utilizando diversas técnicas de deposición. Por ejemplo, cada una de las capas: A, B, C, se puede depositar mediante la técnica ALD (deposición de capa atómica), o MLD (deposición de capas moleculares), mientras que cada una de las capas D y E puede depositarse usando pulverización catódica con magnetrón, evaporación térmica, deposición química de vapor o deposición con láser pulsado, o técnica similar. Lo mismo se aplica a las subcapas si están presentes dentro de cualquiera de las capas, A, B, C, D, E.
La estructura 12 de barrera comprende capas sustancialmente hechas de óxidos metálicos (o sulfuros, tales como ZnS en la capa C), en donde la estructura 12 de barrera comprende una capa de respaldo A, adyacente al sustrato 11, para separar las capas restantes B - E del sustrato. La capa de respaldo A está hecha de al menos un óxido metálico, preferiblemente seleccionado del grupo que consiste en TiOx, SnOx, ZrOx, HfOx, u óxidos metálicos complejos que contienen la combinación de al menos uno de los átomos metálicos seleccionados del grupo que consiste en Ti, Sn, Zr y Hf y otro átomo metálico tal como, por ejemplo, Al o Zn, los ejemplos no limitantes de los óxidos metálicos complejos son AlyTizO y AlyZrzO, donde y puede ser de 0.25 a 1 (0.25 < y < 1 ), y z puede ser de 0.01 a 0.9 (0.01 < z < 0.9), en donde el material preferido para la capa de respaldo A es TiOx, debido a su buena durabilidad y resistencia ambiental. Preferiblemente, la capa de respaldo A tiene un grosor de 2 a 20 nm. Preferiblemente, la capa de respaldo A tiene un índice de refracción (n) de 1.6 a 2.6 (1.6 < n < 2.6), y más preferiblemente cada una de las subcapas de la capa A - si está presente, tiene un valor de índice de refracción de dicho rango. Sin embargo, el valor del índice de refracción de la capa de respaldo A tiene una importancia menos crítica para la transmisión óptica de la estructura multicapa.
El grosor y el material seleccionado para la capa de respaldo A proporcionan la estabilidad química deseada de la estructura multicapa, incluyendo una hidrólisis reducida de la estructura multicapa procedente del aire húmedo. De este modo, en la arquitectura desarrollada de la estructura multicapa, la capa de respaldo A actúa como una capa reguladora de abajo para la siguiente capa: B. La capa de respaldo A puede estar hecha de al menos un óxido, o más de un óxido metálico, por ejemplo, TiOx y/o SnOx. La capa de respaldo A se puede depositar directamente sobre el sustrato 11, o se puede depositar sobre un recubrimiento de imprimación del sustrato 11.
La estructura de barrera comprende además una capa reguladora C y una capa de bloqueo B, estando dispuesta la capa de bloqueo B entre la capa reguladora C y la capa de respaldo A.
La capa de bloqueo B puede estar hecha de al menos uno, y más preferiblemente de dos óxidos metálicos seleccionados del grupo que consiste en SnOx, AlOx, ZnOx, y HfOx, opcionalmente con una adición de alucona, u óxidos metálicos complejos que contienen al menos uno de los átomos metálicos seleccionados del grupo que consiste en Sn, Al, Zn y Hf y otro átomo metálico tal como Ti, Zr, dentro de la estructura del óxido metálico, los ejemplos no limitantes de óxidos complejos son AlyTizO, AlyZrzO, y AlyZnzO, donde y puede ser de 0.25 a 1 (0.25 < y < 1 ), y z puede ser de 0.01 a 0.9 (0.01 < z < 0.9). Lo más preferiblemente, la capa de bloqueo B comprende AlOx como un óxido metálico, y SnOx o ZnOx o HfOx, como el otro óxido metálico.
Preferiblemente, la capa de bloqueo B tiene un grosor total de 10 a 100 nm. Preferiblemente, la capa de bloqueo B tiene un índice de refracción (n) entre 1.5 y 2.1 (1.5 < n < 2.1), y lo más preferiblemente, la capa de bloqueo B tiene un valor de índice de refracción cercano al índice de refracción de AlOx, 1.6 < n < 1.8, y más preferiblemente n = 1.7. En el ejemplo en el que la capa de bloqueo B está hecha de AlOx, el índice de refracción de esta capa puede ser n = 1.7.
Los materiales seleccionados para la capa de bloqueo B y su grosor juntos proporcionan una función de barrera eficaz de la capa B. Debido a la presencia de la capa de bloqueo B y su disposición dentro de la estructura multicapa, dicha estructura multicapa exhibe propiedades de barrera mejoradas, incluyendo baja permeabilidad al vapor de agua, como tasa de transmisión de vapor de agua (WVTR) 1x10-6 - 1x10-3 g/m2 por día a 38°C/90%RH, y tasa de transmisión de oxígeno (OTR) inferior a 1*10-2 cm3/m2.día. Además, el material seleccionado de la capa de bloqueo B proporciona un valor de índice de refracción (n) adecuado entre 1.5 y 2.1, y preferiblemente n = 1.7, lo que contribuye a una transmisión de luz mejorada a través de la estructura multicapa.
La capa reguladora C está formada por un compuesto del grupo formado por TiOx, ZrO<2>, Nb<2>O<5>, TeO<2>y ZnS. Lo más preferiblemente, la capa reguladora C comprende TiOx, o puede estar hecha completamente de TiOx, ya que el TiOx presente en la capa reguladora C proporciona una resistencia química mejorada de la estructura multicapa, y por lo tanto, protección para la estructura 13 de electrodo contenida en el mismo, contribuyendo simultáneamente al alto valor de índice de refracción requerido por la presente divulgación (como se describe a continuación), con el grosor deseado de la capa reguladora C.
La capa reguladora C tiene un grosor total de 10 a 60, y preferiblemente de 20 a 50 nm. La capa reguladora C tiene un índice de refracción (n) en el rango de 2.2 a 2.6, y más preferiblemente la capa reguladora C tiene un índice de refracción n = 2.45. Un valor de índice de refracción tan alto de la capa reguladora C, que está dispuesta entre la estructura 13 de electrodo y la capa de bloqueo B, proporciona una minimización de las pérdidas por reflexión en la interfaz de la estructura de electrodo (D, E). Las características mencionadas anteriormente, junto con el diseño seleccionado de la estructura del electrodo (metal-dieléctrico), proporcionan estabilidad y rendimiento mejorados de la estructura del electrodo 13 que comprende las capas D y E, respectivamente.
La pila de barrera desarrollada de la estructura 12 de barrera comprende las capas A, B y C, cada una hecha de al menos un óxido (o sulfuro) metálico. Además, la capa reguladora C, dispuesta próxima a la estructura 13 de electrodo, se selecciona para que tenga un índice de refracción alto 2.2 < n < 2.6, y preferiblemente n = 2.45. Estos juntos proporcionan una transición de luz mejorada a través de la estructura multicapa, donde la capa C (capa de óxido metálico y/o sulfuro metálico) está en contacto con una capa metálica: D.
Además, la buena estabilidad química conseguida, debido a la arquitectura anterior, permite grabar con láser la estructura multicapa en las capas D y E de la estructura de electrodo 12. Por lo tanto, la estructura multicapa puede modelarse con láser para obtener una arquitectura celular de diseño, cuando la estructura multicapa se va a emplear en el dispositivo OP. Por lo tanto, la arquitectura desarrollada de la estructura multicapa proporciona su comportamiento de modelado mejorado, sin dañar los materiales subyacentes, es decir, las capas C, B y A. Por lo tanto, el modelado realizado no perjudica las propiedades de barrera de la estructura 12 de barrera. Preferiblemente, la capa B se selecciona además para que tenga un índice de refracción alto, 1.5 < n < 2.1, y más preferiblemente n = 1.7. Esto, en combinación con el valor del índice de refracción de la capa C, mejora aún más la transición luminosa de la estructura multicapa, al tiempo que garantiza buenas propiedades de barrera, con un grosor sustancialmente bajo de la capa B, de hasta 100 nm.
La estructura 13 de electrodo comprende las capas de electrodo (E, D), la capa dieléctrica E y la capa metálica D entre la capa dieléctrica E y la capa reguladora C de alto índice de refracción. La capa metálica D comprende dos o más de dos metales. La capa metálica D puede estar en forma de aleación metálica, por ejemplo, aleación bimetálica.
La capa metálica D de la estructura 13 de electrodo comprende preferiblemente plata (Ag) y uno o más de un metal, seleccionado del grupo que consiste en Al, Cu, Ti, Ge, Zn y Cr. Preferiblemente la capa metálica D es bimetálica. El grosor total de la capa metálica D es de 4 a 13 nm. Por ejemplo, la capa D puede consistir en una aleación de Cu/Ag de Cu = 10 en % y Ag = 90 en %. Esta capa: D puede realizarse directamente sobre la capa C mediante pulverización catódica, y más preferiblemente mediante pulverización catódica conjunta donde se utilizan dos metales separados, Ag y Cu. Mediante la pulverización catódica conjunta es posible fabricar capas metálicas con un grosor tan bajo como 4 nm, lo que proporciona una muy buena conductividad con Rsh <20 Ohm/sq. Opcionalmente, se puede utilizar pulverización catódica conjunta de un único objetivo de aleación de Ag/Cu.
Preferiblemente, la capa dieléctrica E de la estructura del electrodo está hecha de uno o más de un TCO (óxido conductor transparente), seleccionado preferiblemente del grupo formado por óxido de indio (In<2>O<3>), óxido de estaño (SnO<2>), óxido de zinc (ZnO), óxido de vanadio (V<2>O<5>), óxido de molibdeno (MoOs), óxido de tungsteno (WO<3>), u óxidos metálicos complejos que contienen al menos uno de los átomos metálicos seleccionados del grupo que consiste en In, Sn, Zn, V, Mo y W, mencionados anteriormente y otro metal dopante, dentro de la estructura del óxido complejo, tal como, por ejemplo, óxido de estaño, indio (ITO), óxido de indio y zinc (IZO), óxido de aluminio y zinc (AZO) y óxido de indio, galio y zinc (IGZO) u óxidos metálicos complejos similares. El grosor de la capa dieléctrica E es de 20 - 80 nm. Preferiblemente, la capa dieléctrica E tiene un valor de índice de refracción alto entre 1.8 y 2.2 (1.8 < n < 2.2). El grosor de la capa dieléctrica E, que se encuentra dentro del rango anterior, se puede seleccionar para optimizar la transmisión de luz deseada, preferiblemente máxima, de la estructura multicapa, en la región VIS o NIR, dependiendo de la aplicación respectiva de la estructura multicapa. Así, la capa TCO (E), en combinación con la estructura de barrera inferior 12, proporciona un efecto de recubrimiento antirreflectante de la capa dieléctrica E. Además, la capa E protege contra la oxidación de la capa metálica D. Además, la capa E es adecuada para formar un contacto sobre la misma, para combinar la estructura multicapa con, por ejemplo, un material sensible a la luz, y a continuación con otro electrodo, para formar un dispositivo OP, por ejemplo, una celda solar, por ejemplo, de perovskita u orgánica, u OLED, etc.
El apilamiento de capas desarrollado dentro de la estructura multicapa, que se engancha a las capas: C, y preferiblemente también B; y E, proporciona el efecto antirreflectante a la fina capa metálica D de la estructura del electrodo. Más detalladamente, en la estructura multicapa desarrollada, la capa E actúa como parte de la estructura del electrodo y como recubrimiento antirreflectante de la capa D, desde un lado de la estructura multicapa, mientras que la capa C, preferiblemente junto con la capa B, actúa como recubrimiento antirreflectante para la capa D - del otro lado. Simultáneamente, las capas B y C proporcionan las propiedades de barrera, como se mencionó anteriormente. De este modo, la combinación selectiva de capas implementadas en la estructura multicapa proporciona una reducción de las pérdidas por reflexión, por lo que funciona integralmente como un sistema antirreflectante.
Mencionados en este documento, los óxidos metálicos de fórmula general MeOx, tales como SnOx, TiOx, ZnOx, HfOx, en cualquiera de las capas o respectivas subcapas de la estructura multicapa, de acuerdo con la presente divulgación, puede ser de estructura estequiométrica y/o no estequiométrica, y x puede ser de 1 a 2 (1 < x < 2). Esto se debe a los diversos estados de oxidación de los metales en los respectivos óxidos metálicos, que pueden obtenerse durante la preparación de la capa de material deseada. Por ejemplo, para el SnOx, el material comprende SnO<2>; sin embargo, en la práctica, normalmente el estaño no se oxida completamente a Sn(IV), por lo que el material SnOx comprende SnO<2>y son, y cuál es la cantidad exacta de fase SnO<2>y fase SnO depende de las condiciones exactas de deposición. Lo mismo se aplica a otros óxidos metálicos, expresados en este documento como MeOx. Por ejemplo, la fórmula exacta del material SnOx puede ser SnOi.8. Los ejemplos no limitantes de materiales expresados en este documento como MeOx, son TiO<2>, SnO<2>, SnOi.8, ZrO<2>, HfO<2>, ZnO, AhO<3>.
Además, la disposición de la estructura de electrodo que comprende la capa metálica D y la capa de TCO E proporciona la arquitectura de electrodo dieléctrico metálico en la estructura multicapa de acuerdo con la presente invención. Esto proporciona una flexibilidad superior sobre las estructuras dieléctricas-metal-dieléctricas conocidas, mientras que la capa E hecha de material dieléctrico proporciona un efecto antirreflectante a la capa metálica D.
Los materiales para las respectivas capas B, C y E se seleccionan debido a sus valores de índices de refracción, por ejemplo, AlOx tiene n = 1.7, SnOx tiene n = 1.9, ZnOx tiene n = 2.0, TiOx tiene n = 2.45, ITO tiene n = 2.0, ZrO2 tiene n = 2.2, que son valores de n típicos para los materiales utilizados en las siguientes realizaciones de la presente divulgación.
En una realización preferida de la presente divulgación, la estructura multicapa puede comprender, un sustrato plástico y la siguiente pila de capas
• la capa A comprende TiOx, y más preferiblemente está hecha de TiOx, un grosor total de la capa A es de 2 a 20 nm y un valor de índice de refracción de 2.45;
• la capa B comprende AlOx y otro óxido metálico que tiene un valor de índice de refracción cercano al de AlOx, es decir, n= 1.7; el grosortotal de la capa B es de 10 -100 nm; la capa B puede ser de estructura monocapa o multicapa;
• la capa C comprende TiOx y tiene un índice de refracción de 2.45, o la capa C puede comprender otro óxido metálico que proporcione un valor de índice de refracción de 2.2 a 2.6; un grosor total de la capa C es de 20 a 50 nm,
• las capas D y E juntas proporcionan una estructura de electrodo dieléctrico metálico (dieléctrico M), donde la capa D está hecha de dos metales, uno de los cuales es Ag, un grosor total de la capa D es de 4 a 13 nm; y la capa dieléctrica E está hecha de TCO; de modo que la estructura del electrodo, incluidas las capas D y E, pueda tener un patrón, y preferiblemente, un patrón con láser o un patrón químico.
Como ya se ha mencionado, debido a los subintervalos específicamente seleccionados de determinados parámetros, incluidos el material seleccionado utilizado, los grosores y los valores del índice de reflexión de las respectivas capas - al menos la capa C, y más preferiblemente la capa B y/o la capa E junto con la implementación de la estructura de electrodo dieléctrico M, la estructura multicapa desarrollada exhibe una estabilidad química mejorada, una mejor adhesión de las capas (A - D) dentro de la pila, así como una adhesión de las capas A - E al sustrato. Además, la estructura multicapa se puede realizar como una estructura sustancialmente más delgada: toda la pila de capas A-D puede tener menos de 250 nm de grosor, y la pila de capas A-C puede tener menos de 100 nm de grosor, y más preferiblemente menos de 60 nm de grosor. Esto proporciona además una mayor flexibilidad de la estructura multicapa, lo que se refleja en la ausencia de pérdidas de funcionalidad tras la prueba de flexión con al menos 1000 ciclos y un radio de flexión de hasta 0.5 cm. Además, los materiales seleccionados para la capa C, y preferiblemente también para la capa B y la capa E - teniendo cada una un valor de índice de refracción relativamente alto, minimiza suficientemente las pérdidas por reflexión en la interfaz de la barrera (A-C) y la estructura del electrodo (D-E) - lo que constituye otro efecto técnico proporcionado por la presente divulgación. Esto afecta positivamente a la luz incidente, que entra o es emitida por el sustrato transparente/translúcido o a través de la región de electrodos del dispositivo OP. Por lo tanto, el dispositivo OP con la estructura multicapa implementada en él puede mostrar una eficiencia mejorada.
Además, de acuerdo con la presente divulgación, la capa de bloqueo B, preferiblemente hecha de AlOx, está efectivamente intercalada y, por lo tanto, encapsulada con otras capas de óxido (o sulfuro) metálico (por ejemplo, ZnS para la capa C) y, por lo tanto, las otras capas A, C y E tienen aún funcionalidades adicionales, como se mencionó anteriormente. Esto proporciona una vida útil prolongada para los dispositivos OP que emplean la estructura multicapa de acuerdo con la presente divulgación.
Cabe señalar además que los efectos mencionados anteriormente se proporcionan sin ningún aditivo orgánico dentro de la estructura multicapa. Por tanto, de acuerdo con la presente divulgación, no se requieren capas orgánicas y/o aditivos entre y/o dentro de las capas (A - E), y el único material orgánico dentro de la estructura multicapa puede ser un sustrato 11 polimérico. Por tanto, la arquitectura multicapa desarrollada puede prepararse de forma sustancialmente sencilla y rentable.
Realización 1
El sustrato es una lámina de PET que se limpió mediante sonicación en IPA (alcohol isopropílico al 70%) y luego se secó con una pistola de nitrógeno. A continuación, se depositaron posteriormente las capas: A, B, C mediante técnica ALD a 100°C, sin romper el vacío entre cada deposición de capas. Todas las capas se optimizaron para que fueran lo más densas posible, para mejorar adicionalmente las buenas propiedades de barrera a la permeación y la estabilidad química. Las capas se formaron en forma de pila sobre el sustrato. La composición detallada de cada capa es la siguiente:
• la estructura de barrera: capa A: TiOx (5 nm de grosor); capa B: subcapa AlOx (20 nm de grosor)/subcapa ZnOx (10 nm de grosor), subcapa AlOx (20 nm de grosor); capa C: TiOx (32 nm de grosor).
A continuación, en la región del electrodo: se depositaron capas: D+E, cada capa se depositó mediante pulverización catódica con magnetrón. La composición detallada de cada capa es la siguiente:
• la estructura del electrodo: capa D: Cu/Ag (Cu: 10 % at; Ag: 90% at) capa de pulverización catódica conjunta (7 nm de grosor). La pulverización catódica conjunta se realizó con 2 objetivos metálicos separados (Ag y Cu) con diferente potencia; capa E: capa de ITO (40 nm de grosor) de un objetivo de ITO.
La estructura multicapa obtenida tenía la forma de una lámina transparente flexible con la disposición de las siguientes capas: PET/TiOx(5nm)/AlOx(20nm)/ZnOx(10nm)/AlOx(20nm)/TiOx(32nm)/CuAg(7nm)/ITO(40 nm).
A continuación se probó la estructura multicapa obtenida para evaluar sus características de transmisión, tanto en el rango espectral visible (VIS) como en el infrarrojo (IR). Los resultados obtenidos se recogen en el diagrama de la figura 2, que muestra la transmisión de la lámina (la estructura multicapa) con su estructura completa, medida en una muestra de 10 x<1 0>cm2 (en el centro y en las esquinas). Como se desprende del diagrama de la figura 2, la transmisión visible promedio en el centro es del 82% y en las esquinas del 80.4-81.6%. Por lo tanto, se podría lograr una transmisión excelente por encima del 80% en un área grande.
Otros parámetros de la lámina obtenida son los siguientes: resistencia laminar: 13.5 ohmios/sq (el ITO típico con transmisión similar tiene Rsh por encima de 20 ohmios/sq); WVTR de la pila de barrera: ~10'6 g/m2/día; OTR de la pila de barrera: <: <5*10-4 cc/m2/día (OTR estaba por debajo del límite de detección).
Realización 2
La estructura multicapa en forma de lámina flexible transparente se preparó en las mismas condiciones que en la realización 1. La lámina obtenida tenía la siguiente arquitectura:
Sustrato: PET
Capa A: SnOx, 5 nm de grosor, fabricada por ALD
Capa B: AlOx, 50 nm de grosor, fabricada por ALD
Capa C: TiOx, 32 nm de grosor, fabricada por ALD
Región D: Cu/Ag (10/90% atómico), 7 nm de grosor, obtenido mediante pulverización catódica
Región E: ITO, 40 nm de grosor, fabricado mediante pulverización catódica
Para la arquitectura anterior, se ha realizado una simulación por ordenador para evaluar su transmisión óptica. Los datos obtenidos se muestran en el diagrama de la figura 3. Como puede verse, la transmisión óptica de la lámina obtenida está muy por encima del 80%, en el rango espectral visible de 400-800 nm.
Realización 3
La estructura multicapa en forma de lámina flexible transparente se preparó en las mismas condiciones que en la realización 1. La lámina obtenida tenía la siguiente arquitectura:
Sustrato: PET
Capas A: TiOx, 5 nm de grosor, fabricada por ALD
Capa B: subcapa AlOx (10 nm de grosor)/ subcapa ZnOx (10 nm de grosor)/ subcapa AlOx (10 nm de grosor)/ subcapa ZnOx (10 nm de grosor)/ subcapa AlOx (10 nm de grosor), todas hechas por ALD
Capa C: ZrOx, 35 nm de grosor, fabricada por ALD
Capa D: Cu/Ag (10/90% atómico), 7 nm de grosor, realizada mediante pulverización catódica
Capa E: ITO, de 40 nm de grosor, realizada mediante pulverización catódica.
La pila de capas obtenida tiene una forma de lámina transparente flexible que produjo una transmisión óptica muy por encima de >80% en el rango espectral visible de 400-800 nm, como se muestra en la simulación de la figura 4.

Claims (14)

REIVINDICACIONES
1. Una estructura multicapa transmisora de luz para un dispositivo optoelectrónico (OP), que comprende:
un sustrato (11);
una estructura (13) de electrodo; y
una estructura (12) de barrera dispuesta entre el sustrato (11) y la estructura (13) de electrodo, la estructura (12) de barrera que comprende capas de barrera dispuestas en una pila de barrera, la pila de barrera que comprende una capa de respaldo (A) adyacente al sustrato (11), una capa reguladora (C) adyacente a la estructura del electrodo (13), y una capa de bloqueo (B) dispuesta entre la capa de respaldo (A) y la capa reguladora (C);
la estructura (12) de electrodos que comprende capas de electrodos dispuestas en una pila de electrodos, la pila de electrodos que comprende una capa dieléctrica (E), y una capa metálica (D) dispuesta entre la capa reguladora (C) de la estructura (12) de barrera y la capa dieléctrica (E); en donde
la capa reguladora (C) comprende al menos un material seleccionado del grupo que consiste en TiOx, ZrO<2>, Nb<2>O<5>, TeO<2>y ZnS, en donde todos los materiales de la capa reguladora (C) tienen un valor de índice de refracción en el rango de 2.2 a 2.6;
y
en donde la capa metálica (D) comprende plata (Ag) y al menos un metal seleccionado del grupo que consiste en Al, Cu, Ti, Ge, Zn y Cr,
caracterizado porque
un grosor total de la capa reguladora (C) es de 10 a 60 nm y porque
las capas (A) - (E) están directamente adyacentes entre sí.
2. La estructura multicapa de acuerdo con la reivindicación 1, en donde la capa metálica (D) tiene un grosor total de 4 a 13 nm.
3. La estructura multicapa de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en donde la capa dieléctrica (E) comprende al menos un óxido conductor transparente (TCO) seleccionado del grupo formado por óxido de indio (In<2>O<3>), óxido de estaño (SnO<2>), óxido de zinc (ZnO), óxido de vanadio (V<2>O<5>), óxido de molibdeno (MoOs), óxido de tungsteno (WO<3>), óxido de indio y estaño (ITO), óxido de indio y zinc (IZO), óxido de aluminio y zinc (AZO) y óxido de indio, galio y zinc (IGZO).
4. La estructura multicapa de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores en donde la capa dieléctrica (E) tiene un grosor total de 20 a 80 nm.
5. La estructura multicapa de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en donde la capa de bloqueo (B) comprende al menos un óxido metálico seleccionado del grupo formado por AlOx, SnOx, ZnOx, HfOx, AlyTizO, AlyZrzO y AlyZnzO, en donde todos los materiales de la capa de bloqueo (B) tienen un valor de índice de refracción en el rango de 1.5 a 2.1.
6. La estructura multicapa de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en donde la capa de bloqueo (B) tiene un grosor total de 10 a 100 nm.
7. La estructura multicapa de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en donde la capa de respaldo (A) comprende al menos un óxido metálico seleccionado del grupo formado por TiOx, SnOx, ZrOx, HfOx, AlyTizO y AlyZrzO.
8. La estructura multicapa de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en donde la capa de respaldo (A) tiene un grosor total de 2 a 20 nm.
9. La estructura multicapa de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en donde todos los materiales de la capa de respaldo (A) tienen un valor de índice de refracción (n) en el rango de 1.6 a 2.6.
10. La estructura multicapa de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en donde la capa reguladora (C) comprende principalmente TiOx, en donde todos los materiales de la capa reguladora (C) tienen un valor de índice de refracción (n) en el rango de 2.4 a 2.5.
11. La estructura multicapa de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en donde la capa reguladora (C) tiene un grosor total de 20 a 50 nm.
12. La estructura multicapa de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en donde la capa de bloqueo (B) comprende principalmente AlOx, en donde todos los materiales de la capa de bloqueo (B) tienen un valor de índice de refracción en el rango de 1.6 a 2.0.
13. La estructura multicapa de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en donde la capa metálica (D) comprende Ag y Cu en una cantidad de 90 en % de Ag y 10 en % de Cu.
14. La estructura multicapa de acuerdo con cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en donde el sustrato está hecho de una lámina deformable que comprende al menos un material seleccionado del grupo que consiste en tereftalato de polietileno (PET), polietileno naftaleno (PEN), polietileno (PE), polipropileno (PP), polietersulfona (PES), poliimida (PI), poliestireno (PS), etileno/tetrafluoroetileno (ETFE) y parileno.
ES21461526T 2021-03-23 2021-03-23 Una estructura multicapa transmisora de luz para dispositivos optoelectrónicos Active ES2980711T3 (es)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP21461526.2A EP4064378B1 (en) 2021-03-23 2021-03-23 A light-transmissive multilayer structure for optoelectronic devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2980711T3 true ES2980711T3 (es) 2024-10-02

Family

ID=75203248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES21461526T Active ES2980711T3 (es) 2021-03-23 2021-03-23 Una estructura multicapa transmisora de luz para dispositivos optoelectrónicos

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20240172472A1 (es)
EP (1) EP4064378B1 (es)
JP (1) JP2024512522A (es)
KR (1) KR20240004309A (es)
CN (1) CN117296469B (es)
ES (1) ES2980711T3 (es)
PL (1) PL4064378T3 (es)
WO (1) WO2022200357A1 (es)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103210498A (zh) * 2010-08-13 2013-07-17 第一太阳能有限公司 光伏装置
FR2973946B1 (fr) 2011-04-08 2013-03-22 Saint Gobain Dispositif électronique a couches
EP2720276A4 (en) 2011-06-10 2014-12-24 Posco SOLAR CELL SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD AND SOLAR CELL THEREFOR
EP2871681A1 (en) 2013-11-07 2015-05-13 Saint-Gobain Glass France Back contact substrate for a photovoltaic cell or module
EP3120397A1 (en) * 2014-03-17 2017-01-25 AGC Glass Europe Transparent substrate for photonic devices
CN105226118B (zh) * 2014-06-05 2017-04-12 中物院成都科学技术发展中心 柔性太阳能电池及其制备方法
PL233211B1 (pl) * 2017-01-25 2019-09-30 Saule Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia Folia optoelektroniczna oraz sposób wytwarzania folii optoelektronicznej
WO2021006567A1 (ko) * 2019-07-05 2021-01-14 동우화인켐 주식회사 투명 전극 구조체 및 이를 포함하는 전기 소자

Also Published As

Publication number Publication date
CN117296469A (zh) 2023-12-26
WO2022200357A1 (en) 2022-09-29
PL4064378T3 (pl) 2024-06-24
CN117296469B (zh) 2025-05-23
EP4064378A1 (en) 2022-09-28
EP4064378C0 (en) 2024-03-06
KR20240004309A (ko) 2024-01-11
US20240172472A1 (en) 2024-05-23
EP4064378B1 (en) 2024-03-06
JP2024512522A (ja) 2024-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101654663B1 (ko) 전자소자와 그 제조방법, 표시장치, 및 센서
JP5320746B2 (ja) 薄膜トランジスタ
ES2975275T3 (es) Lámina optoelectrónica y método de fabricación de lámina optoelectrónica
JP5886937B2 (ja) 影響を受けやすい素子を封入するための多層構成要素
JP2014514703A (ja) 影響を受けやすい素子を封入するための多層構成要素
WO2011019629A2 (en) Conducting film or electrode with improved optical and electrical performance for display and lighting devices and solar cells
CN106935633A (zh) 显示面板和显示面板的制造方法
US20170331069A1 (en) Nano-Film Transfer and Visibly Transparent Organic and Perovskite Solar Cells and LEDs with a Nano-Film Layer
KR20160014577A (ko) 도전 필름 및 도전 필름을 갖는 전자 디바이스
KR20150143010A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR102534082B1 (ko) 표시 기판, 표시장치 및 터치패널
KR101713461B1 (ko) 산화물 반도체 소자, 산화물 반도체 소자의 제조 방법, 표시 장치 및 이미지 센서
ES2980711T3 (es) Una estructura multicapa transmisora de luz para dispositivos optoelectrónicos
CN108878683B (zh) 一种金属氧化物叠层场效应电极
US9761840B2 (en) Organic light-emitting diode
KR101317276B1 (ko) 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법
JP2006190923A (ja) 薄膜トランジスタ
KR102756389B1 (ko) 포토 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치
US20220123244A1 (en) Transparent electrode structure and electrical device including the same
KR20140090876A (ko) 다층 구조의 투명 전극
KR20160020834A (ko) 배리어 필름 구조체 및 이를 구비하는 유기전자소자
CN114041212A (zh) 透明电极结构和包括该透明电极结构的电气装置
KR101689852B1 (ko) 그리드 패턴 구조를 포함하는 다층 투명전극
JP2003234483A (ja) 太陽電池モジュール
US20230025098A1 (en) Transparent electrode, method for producing the same, and electronic device using transparent electrode