ES2536435T3 - Procedimiento de preparación de una composición de partículas mixtas que contiene elementos de las columnas 13 y 15 - Google Patents
Procedimiento de preparación de una composición de partículas mixtas que contiene elementos de las columnas 13 y 15 Download PDFInfo
- Publication number
- ES2536435T3 ES2536435T3 ES11799677.7T ES11799677T ES2536435T3 ES 2536435 T3 ES2536435 T3 ES 2536435T3 ES 11799677 T ES11799677 T ES 11799677T ES 2536435 T3 ES2536435 T3 ES 2536435T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- precursor
- chosen
- column
- reaction
- liquid solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 117
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 20
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 46
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 claims description 31
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 17
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims description 10
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 9
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 5
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims description 3
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims description 3
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 241001120493 Arene Species 0.000 claims description 2
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 claims description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GSNUFIFRDBKVIE-UHFFFAOYSA-N DMF Natural products CC1=CC=C(C)O1 GSNUFIFRDBKVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 claims description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical class OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical class OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000005365 aminothiol group Chemical group 0.000 claims description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004657 carbamic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 claims description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001913 cyanates Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 2
- 229940097362 cyclodextrins Drugs 0.000 claims description 2
- 150000008049 diazo compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229930182470 glycoside Natural products 0.000 claims description 2
- 150000002338 glycosides Chemical class 0.000 claims description 2
- ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N hexadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCS ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N hexylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCP(O)(O)=O GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 2
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 claims description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 2
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000002743 phosphorus functional group Chemical group 0.000 claims description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims description 2
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 claims description 2
- BVQJQTMSTANITJ-UHFFFAOYSA-N tetradecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O BVQJQTMSTANITJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003567 thiocyanates Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004764 thiosulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 claims description 2
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000012991 xanthate Substances 0.000 claims description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 2
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002262 Schiff base Substances 0.000 claims 1
- 150000004753 Schiff bases Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002540 isothiocyanates Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 14
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 10
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 7
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 6
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- FVUCJMMROXQUQR-UHFFFAOYSA-N hexadecan-2-amine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC(C)N FVUCJMMROXQUQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZRXBTFLOBMVHAY-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)gallanyl]-n-methylmethanamine Chemical compound [Ga+3].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C ZRXBTFLOBMVHAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVJORGWKNPGCDW-UHFFFAOYSA-N aminoboron Chemical compound N[B] TVJORGWKNPGCDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- CXQHBGCUHODCNP-UHFFFAOYSA-N indigane Chemical class [InH3] CXQHBGCUHODCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- SAWKFRBJGLMMES-UHFFFAOYSA-N methylphosphine Chemical compound PC SAWKFRBJGLMMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- ZXLNWYWHXZVAMF-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5-hexaethylazaborole Chemical compound C(C)C1(C(C(N=B1)(CC)CC)(CC)CC)CC ZXLNWYWHXZVAMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJORMZAJIWJXSW-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)(C)C1=C(C=CC=C1)[In]N Chemical compound C[Si](C)(C)C1=C(C=CC=C1)[In]N CJORMZAJIWJXSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100002917 Caenorhabditis elegans ash-2 gene Proteins 0.000 description 1
- QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N Dimethyl sulfide Chemical compound CSC QMMFVYPAHWMCMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005267 GaCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BELGZFLOEKOASN-UHFFFAOYSA-N P.[AlH3] Chemical class P.[AlH3] BELGZFLOEKOASN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000791876 Selene Species 0.000 description 1
- BPGDAMSIGCZZLK-UHFFFAOYSA-N acetyloxymethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCOC(C)=O BPGDAMSIGCZZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000010669 acid-base reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K aluminium tristearate Chemical compound [Al+3].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940063655 aluminum stearate Drugs 0.000 description 1
- PMTNABPGINFFGB-UHFFFAOYSA-N aluminum;trimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)(C)[Al]([Si](C)(C)C)[Si](C)(C)C PMTNABPGINFFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N ammonia nh3 Chemical compound N.N XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000074 antimony hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- WLQSSCFYCXIQDZ-UHFFFAOYSA-N arsanyl Chemical compound [AsH2] WLQSSCFYCXIQDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- SIPUZPBQZHNSDW-UHFFFAOYSA-N bis(2-methylpropyl)aluminum Chemical compound CC(C)C[Al]CC(C)C SIPUZPBQZHNSDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000072 bismuth hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- BPBOBPIKWGUSQG-UHFFFAOYSA-N bismuthane Chemical compound [BiH3] BPBOBPIKWGUSQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCQRPQCQMGVWIQ-UHFFFAOYSA-N boron;methylsulfanylmethane Chemical compound [B].CSC MCQRPQCQMGVWIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- GRVDJDISBSALJP-UHFFFAOYSA-N methyloxidanyl Chemical compound [O]C GRVDJDISBSALJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- KAQADGSKDGBNFN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylethanamine;triethylborane Chemical compound CCB(CC)CC.CCN(CC)CC KAQADGSKDGBNFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYNMRJHVKXIMHA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylmethanamine;trimethylindigane Chemical compound CN(C)C.C[In](C)C UYNMRJHVKXIMHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATKTZRIOBPKLRL-UHFFFAOYSA-N n-dimethylindiganyl-n-methylaniline Chemical compound C[In](C)N(C)C1=CC=CC=C1 ATKTZRIOBPKLRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBXNJMZWGSCKPW-UHFFFAOYSA-N octan-2-amine Chemical compound CCCCCCC(C)N HBXNJMZWGSCKPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHFDBBFDFZXHJQ-UHFFFAOYSA-N phenylarsane Chemical compound [AsH2]C1=CC=CC=C1 OHFDBBFDFZXHJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate Chemical compound CC(C)[O-] OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- OUULRIDHGPHMNQ-UHFFFAOYSA-N stibane Chemical compound [SbH3] OUULRIDHGPHMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- CPTTWDDSVZIXIO-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneboron Chemical class S=[B] CPTTWDDSVZIXIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSANLGASBHUYGD-UHFFFAOYSA-N sulfidophosphanium Chemical class S=[PH3] WSANLGASBHUYGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N tert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003475 thallium Chemical class 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)indigane Chemical compound [In+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N triethylborane Chemical compound CCB(CC)CC LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N trimethyl borate Chemical compound COB(OC)OC WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/0632—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
- C01B25/08—Other phosphides
- C01B25/082—Other phosphides of boron, aluminium, gallium or indium
- C01B25/087—Other phosphides of boron, aluminium, gallium or indium of gallium or indium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Procedimiento de preparación de una composición de partículas cristalinas mixtas que comprende al menos un elemento de la columna 13 y al menos un elemento de la columna 15 de la tabla de la clasificación periódica de los elementos químicos, en el que: - se elige al menos un precursor que comprende al menos un elemento E1 de la columna 13, - se elige al menos un precursor que comprende al menos un elemento E2 de la columna 15, - se realiza una solución líquida mediante solubilización en un medio disolvente no acuoso de al menos un primer precursor elegido entre los complejos de coordinación que comprenden al menos un elemento E1 de la columna 13, en presencia de al menos un compuesto, llamado ligando, no reductor con respecto a los precursores y elegido en el grupo formado por los compuestos que comprenden los grupos nitrogenados, carbonados, sililados, sulfurados, fosforados, oxigenados, borados, y elegido para favorecer la formación de nanopartículas monocristalinas mixtas, - se pone dicha solución líquida en contacto con al menos un segundo precursor elegido entre los hidruros de al menos un elemento E2 de la columna 15 y se somete dicha solución líquida a condiciones de reacción idóneas para permitir que se pongan en contacto los precursores y para que se genere una reacción de producción de partículas cristalinas mixtas, caracterizado por que se realiza la reacción a una temperatura inferior a 100 ºC.
Description
E11799677
07-05-2015
Procedimiento de preparación de una composición de partículas mixtas que contiene elementos de las columnas 13 y 15
5 Descripción
La invención se refiere a un procedimiento de preparación de una composición de partículas cristalinas concretamente de nanopartículas monocristalinas-llamadas mixtas, que comprende al menos un elemento de la columna 13 (grupo III) y al menos un elemento de la columna 15 (grupo V) de la tabla de la clasificación periódica de
10 los elementos químicos.
La obtención de unas partículas cristalinas mixtas de este tipo en condiciones económicas y compatibles con una explotación a escala industrial representa un desafío importante, teniendo en cuenta concretamente sus diversas aplicaciones, como por ejemplo en los receptores de TV por satélite, las fibras ópticas para las comunicaciones, los
15 lectores de CD, los lectores de códigos de barras, las pantallas planas y LED, las células fotovoltaicas…
A pesar de las intensas investigaciones en esta materia, todos los procedimientos que se conocen (cf. en particular Jennifer Chia-Jen Hsieh “Synthesis, characterization and biotemplated assembly of Indium nitride and indium gallium nitride”, Massachussetts Institute of Technology, 16 de julio de 2010; Micic O I et al “Synthesis, structure, and optical
20 properties of colloidal GaN quantum dots”, Applied Physics Letters, vol. 74, nº 4, 26 de julio de 1999 pp. 478-480; el documento de los Estados Unidos US2007/256629) requieren tratamientos a alta temperatura (siempre superior a 100 ºC).
Además de los procedimientos físicos a alta presión y alta temperatura, se ha propuesto una reacción de reducción
25 en solución (cf. concretamente el documento WO2006/099386) a partir de una sal precursora de un elemento del grupo III (GaCl3 en el ejemplo), de un precursor formado por un compuesto mono-, di-o trialquilo de un elemento del grupo V ((C2H5)3N en el ejemplo), o de un precursor formado por un quelato de un elemento del grupo III con un compuesto mono-, di-o trialquilo de un elemento del grupo V, en presencia de un agente reductor (KBH4 en el ejemplo, o de otro hidruro metálico) en un disolvente (acetonitrilo o trietilamina en el ejemplo). Para obtener
30 nanopartículas cristalinas es indispensable una temperatura al menos superior a 180 ºC (200 ºC en el ejemplo). La síntesis puede llevarse a cabo, eventualmente, en presencia de un agente encapsulante (TOPO en el ejemplo). Además, se requieren unas etapas subsiguientes de purificación y de extracción de las nanopartículas, concretamente para eliminar los subproductos como el KCl.
35 Ahora bien, los inventores han constatado ahora con sorpresa que es posible obtener directamente en una sola etapa no solo partículas cristalinas mixtas, sino también nanopartículas monocristalinas en suspensión coloidal, mediante una simple puesta en contacto de precursores en condiciones suaves de temperatura.
Por lo tanto, la invención tiene por objeto paliar los inconvenientes del estado de la técnica proponiendo un
40 procedimiento que permite obtener en una sola etapa una composición pura de partículas cristalinas mixtas de las columnas 13-15, concretamente una suspensión coloidal de unas partículas monocristalinas de este tipo. La invención tiene por objeto, en particular, proponer un procedimiento que puede llevarse a cabo a baja temperatura, concretamente a temperatura ambiente, y en ausencia de sales y de agentes reductores susceptibles de generar subproductos difíciles de eliminar.
45 Más adelante, se adopta la siguiente terminología:
-nanopartícula: cualquier partícula sea cual sea su forma, que presente al menos una anchura y un espesor ambos inferiores a 100 nm, típicamente comprendidos entre 1 nm y 20 nm;
50 -medio disolvente no acuoso: cualquier composición adecuada para formar una solución líquida cuando se coloca en contacto con al menos un compuesto, como un complejo de coordinación, siendo esta composición no acuosa en el sentido de que el agua no tiene la función de agente disolvente en esta composición, que puede comprender, no obstante, trazas de agua; puede presentarse en el estado inicialmente líquido o, al contrario, solo pasar al estado líquido después del contacto con el(los) compuesto(s) que se van a solubilizar; puede ser
55 simple, es decir formada por un solo compuesto o, al contrario, compleja y contener varios compuestos; en particular, puede contener no solo uno o varios compuesto(s) que tengan la función de agente disolvente, sino también cualquier otro compuesto no consumido por la reacción esencialmente neutro con respecto a la disolución del(de los) complejo(s) de coordinación(es) y que desempeña un papel o no en la reacción;
-complejo de coordinación de un elemento: cualquier compuesto del que la estructura consiste en al menos un 60 átomo de dicho elemento enlazado con al menos una molécula o ión (anión) complejante, mediante un enlace covalente, dativo, hidrógeno o electrostático; -aducto: especie química AB de la que cada entidad molecular se forma mediante combinación directa de dos entidades moleculares distintas A y B; -hidruro: compuesto que tiene al menos un enlace químico entre un átomo de un elemento de la tabla periódica y 65 un átomo de hidrógeno.
E11799677
07-05-2015
Por lo tanto, la invención se refiere a un procedimiento de preparación de una composición de partículas cristalinas mixtas que comprende al menos un elemento de la columna 13 y al menos un elemento de la columna 15 de la tabla de la clasificación periódica de los elementos químicos, en el que:
5 -se elige al menos un precursor que comprende al menos un elemento E1 de la columna 13, -se elige al menos un precursor que comprende al menos un elemento E2 de la columna 15, -se realiza una solución líquida mediante solubilización en un medio disolvente no acuoso de al menos un primer
precursor elegido entre los complejos de coordinación que comprenden al menos un elemento E1 de la columna 13, en presencia de al menos un compuesto, llamado ligando, no reductor con respecto a los precursores y
10 elegido en el grupo formado por los compuestos que comprenden los grupos nitrogenados, carbonados, sililados, sulfurados, fosforados, oxigenados, borados, y elegido para favorecer la formación de nanopartículas monocristalinas mixtas,
-se pone dicha solución líquida en contacto con al menos un segundo precursor elegido entre los hidruros de al menos un elemento E2 de la columna 15 y se somete dicha solución líquida a condiciones de reacción idóneas 15 para permitir que se pongan en contacto los precursores y para que se genere una reacción de producción de
partículas cristalinas mixtas,
caracterizado por que se realiza la reacción a una temperatura inferior a 100 ºC.
20 Un procedimiento según la invención permite obtener directamente, en una etapa, partículas cristalinas mixtas y puede llevarse a cabo en condiciones suaves de temperatura, concretamente a temperatura ambiente, sin reacción de reducción (sin modificación del grado de oxidación de los elementos E1 y E2 de los precursores de partida) y en ausencia de cualquier agente que tenga una función de reductor para la reacción de formación de las nanopartículas efectuada. De esta manera, ventajosamente y según la invención, se realiza la reacción de formación de las
25 nanopartículas en ausencia de agente que tenga una función de agente reductor para la reacción de formación de las nanopartículas.
A fecha de hoy, los inventores no tienen una explicación clara para este resultado sorprendente. Sin embargo, parecería que la descomposición exotérmica en solución del complejo de coordinación que forma el primer precursor
30 estaría encaminada a favorecer la síntesis, siendo esta última probablemente una reacción de tipo ácido-base, haciendo la función de ácido el hidruro que forma el segundo precursor y no teniendo ninguna función de reductor en la reacción (liberando probablemente este hidruro protones H+).
Nada impide, en un procedimiento según la invención, efectuar la reacción con un cierto tratamiento térmico y en
35 presencia de otros agentes susceptibles de favorecer la solubilización o la reacción. No obstante, según la invención, se realiza la reacción a una temperatura inferior a 100 ºC y en ausencia de agente reductor. En particular, se realiza dicha solución líquida en un medio disolvente no acuoso en ausencia de agente que tenga una función de agente reductor para la reacción de formación de las nanopartículas. La solubilización puede obtenerse añadiendo y mezclando al menos un primer precursor, y eventualmente al menos un ligando, en un disolvente no acuoso
40 (pudiendo este último estar formado él mismo por un ligando o una mezcla de ligandos). Debe señalarse que también es posible prever una etapa previa de síntesis in situ en el medio disolvente de al menos un primer precursor y/o de al menos un segundo precursor y/o de al menos un ligando.
Las otras condiciones de reacción que permiten la obtención de nanopartículas pueden variar. En particular, la
45 reacción puede llevarse a cabo tanto a presión atmosférica como bajo presión, pudiendo el valor de la presión influir en la temperatura. La concentración de cada precursor puede variar y solo determina esencialmente la cantidad de las nanopartículas obtenidas en el medio disolvente. La duración de la reacción depende directamente de la temperatura, de la presión, que influyen en la cinética. La cantidad de cada ligando influye en la calidad cristalina de las nanopartículas obtenidas y su estado de aglomeración.
50 Ventajosamente y según la invención, se realiza la reacción a una temperatura inferior o igual a 50 ºC, concretamente en agitación. En un modo de realización preferente y según la invención, se realiza la reacción a presión y temperatura ambientes, sin tratamiento térmico.
55 Para realizar dicha solución líquida, se elige cada primer precursor, en particular, en función de las partículas que se desee obtener. De esta manera, se puede utilizar un único primer precursor que comprende un único elemento E1 de la columna 13, o varios primeros precursores que comprenden cada uno un mismo elemento E1 de la columna 13, o un único primer precursor que comprende una pluralidad de elementos de la columna 13, o incluso varios primeros precursores que comprenden cada uno un elemento E1 de la columna 13, siendo distintos los diferentes
60 elementos de los diferentes precursores.
Cada primer precursor es un complejo de coordinación de al menos un elemento E1 de la columna 13. En particular, un complejo de coordinación puede estar formado por un compuesto de tipo organometálico, haciendo la función de metal en este compuesto un elemento E1 de la columna 13 (aunque no constituya un metal en el sentido propio del
65 término).
5
15
25
35
45
55
65 E11799677
07-05-2015
Ventajosamente y según la invención, se utiliza al menos un primer precursor -concretamente cada primer precursor, preferentemente un único primer precursor-elegido en el grupo de los complejos de coordinación que comprenden al menos un elemento E1 de la columna 13 y al menos un enlace E1-A1, donde A1 es un elemento elegido entre el carbono, el nitrógeno, el oxígeno, el hidrógeno, el fósforo, el silicio, el azufre y el selenio.
Ventajosamente y según la invención, se utiliza al menos un primer precursor -concretamente cada primer precursor, preferentemente un único primer precursor-elegido en el grupo de los compuestos complejos de coordinación que comprenden al menos un elemento de la columna 13 y al menos un grupo elegido entre: los amiduros; los amidinatos; los grupos carbonados -concretamente alquilos, arilos, ciclopentadienilos, alilos, olefinas, poliolefinas, alquinos-; los sililos; los grupos oxigenados -concretamente los carboxilatos, los carbonatos, los alcoholatos-; los hidruros; los grupos fosforados; los grupos sulfurados; los grupos selénicos; así como los aductos aminas, fosfinas, oxigenados, sulfurados y selénicos de los complejos de coordinación que comprenden al menos un elemento E1 de la columna 13.
Cuando E1 es el galio, se puede elegir ventajosamente un primer precursor entre los amiduros de galio, como el tris(dimetilamino)galio(III): [Ga(N(CH3)2)3]2; los derivados carbonados del galio como los alquilos galio, como el trimetilgalio: [Ga(CH3)3]; los sililos galio, como el tris(metilbis-terc-butil)sililo galio: [Ga(Si(CH3)(t(C4H9))2)3]; los carboxilato de galio, como el estearato de galio: [Ga(OCOC17H35)3]; los alcoholatos de galio, como el isopropóxido de galio: [Ga(OCH(CH3)2)3]; los hidruros de galio, como el hidruro del dimetil galio: [(CH3)2GaH]: los fosfino galio, como el bis-(bis-terbutilfosfino)trimetilfenil)galio: [Ga((CH3)3(C6H2))(Pt(C4H9)2)2]; los aductos fosfina de galio, como la trimetilgaliotrimetilfosfina: [(CH3)3P•Ga(CH3)3].
Cuando E1 es el aluminio, se puede elegir ventajosamente un primer precursor entre los amiduros del aluminio, como el bis(µ-dimetilamino)tetraquis(dimetilaminodialuminio) [Al2[µ-N(CH3)2]2[N(CH3)2]4]; los derivados carbonados del aluminio, como los alquilos de aluminio, como el trimetilaluminio: [Al(CH3)3], trietilaluminio: [Al(C2H5)3]; los sililos aluminio, como el tris(trimetilsilil)aluminio: [Al(Si(CH3)3)3]; los alcoholatos de aluminio, como el iso-propóxido de aluminio: [Al(OCH(CH3)2)3]; los carboxilatos de aluminio, como el estearato de aluminio: [Al(OCOC17H35)3]; los hidruros de aluminio, como el hidruro del diisobutilaluminio: [(C4H9)2AlH], el hidruro de litio aluminio: [LiAlH4]; los aductos fosfina de aluminio, como la trimetilaluminiotrimetilfosfina: [(CH3)3P•Al(CH3)3]; los aductos amina de aluminio, como el dimetilaminatrimetilaluminio: [(CH3)2NH•Al(CH3)3].
Cuando E1 es el indio, se puede elegir ventajosamente un primer precursor entre los amiduros de indio, como tris(trimetilsililfenil)amino indio: [In(N(Si(CH3)3)(C6H5))3], los derivados carbonados del indio, como los alquilos de indio, como el trimetilindio: [In(CH3)3], el trietilindio: [In(C2H5)3]; los amino indio, como dimetil(metilfenilamino)indio: [In(CH3)2(N(CH3)(C6H5))]; los amidinatos de indio, como tris-(N,N’-diciclohexilacetamidinato)indio: [In((C6H11)NC(CH3)-N(C6H11))3]; los alcoholatos de indio, como el isopropóxido de indio: [In(OCH(CH3)2)3]; los hidruros de indio, como el hidruro(bis(difenil)amidinato) de indio: [((C6H5)2N2CH)2InH]; los aductos amina de indio, como la trimetilamina trimetilindio: [(CH3)3N•In(CH3)3].
Cuando E1 es el boro, se puede elegir ventajosamente un primer precursor entre los aminoboranos, como el tris(dietilamino)borano: [((C2H5)2N)3B], el dietil(etilfenilamino)borano: [B(C2H5)2N ((C2H5)(C6H5))]; los derivados carbonados del boro, como los boranos, como el trietilborano: [B(C2H5)3]; las aminas de boranos, como la trietilamina-trietilborano: [(C2H5)3N•B(C2H5)3]; los borazoles, como el hexaetilborazol: [((C2H5)NB(C2H5))3]; los boratos, como el trimetilborato: [(CH3O)3B]; los borohidruros, como el borohidruro: [BH3], el dimetilborohidruro: [(CH3)2BH]; los sulfuros de boro, como el borano dimetilsufuro: [BH3•S(CH3)2]; los selenoxoboranos, como el ßdiketiminatoselenoxoborano: [(HC(C(CH3))2(N(2,6-(CH3)2C6H3))2)BSe].
Cuando E1 es el talio, se puede elegir ventajosamente un primer precursor entre los derivados carbonados del talio, concretamente los trialquiltalio, como trietiltalio: [Tl(C2H5)3]; los carboxilatos de talio, como el metildiacetato de talio: [CH3Tl(OCOCH3)2]; los aductos fosfinas de talio, como la trimetilfosfina-trimetiltalio:[(CH3)3Tl•P(CH3)3]; los aductos sulfuros de talio, como el dimetilsulfuro de trimetilatalio: [(CH3)3Tl•S(CH3)2]; los aductos aminas de talio, como la trimetilamina trifeniltalio: [(C6H5)3Tl•N(CH3)3]; los aductos oxigenados de talio, como el tripentafluorofeniloxibis(etano) de talio: [(C6F5)3Tl•O(C2H5)2]; los aductos nitrogenados de talio, como la trimetilamina-trifeniltalio: [(CH3)3N•Tl(C6H5)3].
Cuando deben incorporarse varios elementos E1 de la columna 13 en las partículas, se puede elegir ventajosamente ya sea varios primer precursores, ya sea un primer precursor entre los complejos de coordinación que contienen varios elementos E1, como por ejemplo el pentametilciclopentadienilaluminiotriterbutilgalio: [(C5(CH3)5H)Al→Ga(t(C4H9))3]; el pentametilciclopentadienilindiotriterbutilaluminio: [(C5(CH3)5H)In→Al(t(C4H9))3].
Además, en un procedimiento según la invención, se realiza dicha solución líquida a partir de un disolvente elegido para ser compatible concretamente con cada primer precursor y con cada segundo precursor. De esta manera, ventajosamente y según la invención, se utiliza un medio disolvente que comprende un disolvente orgánico elegido entre el THF, la DMF, el DMSO, el dietiléter, el metilterbutil éter, el diisopropil éter, el tolueno, el anisol, la acetona, el benceno, el tricloroetileno, el acetato de etilo, el heptano, el hexano, el pentano, el ciclohexano, el acetonitrilo, el cloroformo, el diclorometano, el dioxano, el xileno.
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65 E11799677
07-05-2015
Por otra parte, se elige también cada segundo precursor, en particular, en función de las partículas que se desee obtener. De esta manera, puede utilizarse un único segundo precursor que comprende un único elemento E2 de la columna 15, o varios segundos precursores que comprenden cada uno un mismo elemento E2 de la columna 15, o un único segundo precursor que comprende una pluralidad de elementos de la columna 15, o incluso varios segundos precursores que comprenden cada uno un elemento E2 de la columna 15, siendo distintos los diferentes elementos de los diferentes precursores.
Sea cual sea, cada segundo precursor es un hidruro, es decir un compuesto que comprende al menos un enlace E2-
H. Cualquier compuesto que pertenezca a la familia de los hidruros de al menos un elemento E2 de la columna 15 puede utilizarse a modo de segundo precursor. Estos hidruros pueden constar o no de otros átomos o grupos. Debe señalarse que en estos hidruros el elemento E2 de la columna 15 presenta un grado de oxidación negativo, que continúa invariable a lo lago de la reacción (en las partículas obtenidas). Por lo tanto, estos hidruros no pueden hacer la función de reductor en la reacción. De esta manera, ventajosamente y según la invención, se utiliza al menos un segundo precursor elegido en el grupo de los hidruros que comprenden al menos un elemento E2 de la columna 15, al menos un enlace E2-H y al menos un enlace E2-A2, donde A2 es un elemento elegido entre el carbono, el nitrógeno, el oxígeno, el hidrógeno, el fósforo y el silicio.
A modo de segundo precursor que puede utilizarse en un procedimiento según la invención, puede utilizarse ventajosamente también un hidruro, que puede calificarse como hidruro simple, compuesto exclusivamente por hidrógeno y por un elemento E2 de la columna 15. De esta manera, ventajosamente y según la invención, se utiliza al menos un segundo precursor elegido en el grupo de los hidruros simples de fórmula E2nHm, siendo E2 un elemento de la columna 15, siendo n y m números enteros no nulos.
Cuando E2 es el arsénico, puede utilizarse ventajosamente un segundo precursor elegido entre la arsina: AsH3 y la fenilarsina: AsH2(C6H5).
Cuando E2 es el antimonio, puede utilizarse ventajosamente un segundo precursor elegido entre la estibina: SbH3 y la 1-H-estibepina: C6H6SbH.
Cuando E2 es el bismuto, puede utilizarse ventajosamente la bismutina: BiH3 a modo de segundo precursor.
Cuando E2 es el fósforo, puede utilizarse ventajosamente un segundo precursor elegido entre las fosfinas, como la fosfina: PH3, la metilfosfina: CH3PH2, la terc-butilfosfina: t(C4H9)PH2 y todos sus derivados.
Cuando E2 es el nitrógeno, puede elegirse ventajosamente un primer precursor entre el amoniaco NH3.
Estos hidruros son a menudo gaseosos. De esta manera, ventajosamente y según la invención, se utiliza al menos un segundo precursor en el estado gaseoso.
Para poner un segundo precursor de este tipo en el estado gaseoso al contacto con dicha solución líquida, en una primera variante de acuerdo con la invención, se hace burbujear al menos un segundo precursor gaseoso en dicha solución líquida. Como variante o en combinación, ventajosamente y según la invención, se pone dicha solución líquida en una atmósfera gaseosa que contiene al menos un segundo precursor gaseoso. Según otra variante de acuerdo con la invención, se genera al menos un segundo precursor in situ en dicha solución líquida añadiendo a esta última unos precursores de este(os) segundo(s) precursor(es). Debe señalarse que al menos uno de dichos precursores puede(n) ser eventualmente reductor(es), pero no interviene(n) directamente en calidad de reductor(es) en la reacción de formación de las nanopartículas.
La invención permite, en particular, obtener nanopartículas monocristalinas mixtas. Para ello, ventajosamente y según la invención, se añade a dicha solución líquida al menos un compuesto, llamado ligando, no reductor con respecto a los precursores elegido en el grupo formado por los compuestos que comprenden los grupos nitrogenados, carbonados, sililados, sulfurados, fosforados, oxigenados, borados y elegido para favorecer la formación de nanopartículas monocristalinas mixtas. Ventajosamente y según la invención, un ligando de este tipo se elige para estabilizar dichas nanopartículas monocristalinas mixtas.
A modo de ejemplos, ventajosamente y según la invención, se utiliza al menos un ligando elegido en el grupo formado por las aminas, los óxidos de nitrógenos, los aminoalcoholes, los nitrilos (en particular ciano), los aminoácidos, las iminas (bases de Schiff), los compuestos diazo, los carbamatos, los amonios, los cianatos, los isocianatos, los siloxanos, los silanos, los silazanos, las ureas, los carbonilos, los hidróxilos, los epóxidos, las ciclodextrinas, glicósidos, los tioles, los aminotioles, los tiocianatos, los diisotiocianatos, los xantatos (ROC(S)SR’), las tioureas, los sulfitos, los tionilos, los tiosulfatos, los sulfatos, las fosfinas, los óxidos de fosfina, los sulfuros de fosfinas, los fosfonatos, los ácidos fosfónicos, los fosfinatos, los ácidos fosfínicos, los fosfatos, los carboxilatos, los ácidos carboxílicos, los carbenos, los alquinos, los alquenos, los arenos y los ácidos de Lewis, como los boranos y los aminoboranos.
E11799677
07-05-2015
Más particularmente, ventajosamente y según la invención, se utiliza al menos un ligando elegido en el grupo que comprende la hexadecilamina, la dodecilamina, la octilamina, la oleilamina, la etilendiamina, la piridina, el octanotiol, el dodecanotiol, el hexadecanotiol, la trioctilfosfina, el óxido de trioctilfosfina, el ácido octanoico, el ácido mirístico, el ácido esteárico, el ácido oleico, el ácido láurico, el ácido hexilfosfónico, el ácido tetradecilfosfónico, el 5 poli(etilenglicol) bis(3-propilamina) de fórmula H2NC3H6[-OCH2CH2]n-OC3H6NH2 y que tiene un masa molar de aproximadamente 1.500 g.mol-1, el poli(etilenglicol) bis(2-etilamina) de fórmula H2NC2H4[-OCH2CH2]n-OC2H4NH2 y que tiene una masa molar de aproximadamente de 3.000 g.mol-1 a 10.000 g.mol-1 , el α-(2-etilamina)metoxi(etilenglicol) de fórmula H3C[-OCH2CH2]n-OC2H4NH2 y que tiene una masa molar de aproximadamente 750 g.mol-1, el poli(etilenglicol)dioico de fórmula HOOC-CH2[-OCH2CH2]n-O-CH2-COOH y que tiene una masa molar de
10 aproximadamente 600 g.mol-1 , el metiléter-poli(etilenglicol)oico de fórmula H3C[-OCH2CH2]n-O-CH2-COOH y que tiene una masa molar de aproximadamente 3.000 g.mol-1 .
Ventajosamente y según la invención, se alimenta un reactor (que contiene dicha solución líquida que contiene cada primer precursor) con cada segundo precursor durante una duración que no exceda de 10 h, concretamente de
15 aproximadamente 1 h. Haciendo esto, cada segundo precursor se disuelve al menos parcialmente en la solución líquida. A continuación, se deja reaccionar el medio de reacción durante una duración comprendida entre 1 h y 30 días, concretamente de aproximadamente 8 días, para obtener partículas mixtas -concretamente nanopartículas en solución coloidal.
20 Las partículas se obtienen directamente en suspensión en el disolvente, concretamente en suspensión coloidal, y basta con evaporar la fase líquida, que es completamente volátil, para obtener una composición sólida directamente utilizable. Debe señalarse de este modo que los residuos del primer precursor y los ligandos pueden ser compuestos volátiles. En cualquier caso, es posible elegir cada primer precursor de manera que sea volátil. Puede elegirse, igualmente, cada ligando para que también sea volátil, si su presencia es perjudicial para la aplicación considerada
25 de la composición obtenida según la invención. Sin embargo, en este último caso, la estabilidad de la solución coloidal que contiene las partículas corre el riesgo de quedar afectada por ello.
Además, los compuestos que no son las partículas mixtas presentes en el medio de reacción al final de la reacción y, por lo tanto, en la composición obtenida (suspensión coloidal) son a menudo no reactivos y neutros con respecto a
30 las diferentes aplicaciones consideradas de una composición obtenida mediante un procedimiento según la invención. En particular, no son halógenos. Tienen, igualmente, como efecto estabilizar las partículas en suspensión coloidal. En consecuencia, la composición líquida obtenida (suspensión coloidal) puede utilizarse, igualmente, directamente en la mayoría de las aplicaciones.
35 La invención se refiere, igualmente, a un procedimiento caracterizado en combinación por todas o una parte de las características mencionadas anteriormente o a continuación.
Otros objetivos, características y ventajas de la invención se mostrarán tras la lectura de los ejemplos siguientes y de las figuras adjuntas que ilustran sus resultados y en las que: 40 -las figuras 1, 4, 6, 9, 11, 13 y 15 son espectros de absorción de composiciones obtenidas mediante un
procedimiento según los diferentes ejemplos de acuerdo con la invención, -las figuras 2, 5, 7, 10, 12, 14 son espectros de emisión de composiciones obtenidas en los ejemplos, -las figuras 3, 8, 16 son vistas al microscopio electrónico de composiciones obtenidas en los ejemplos.
45 Protocolo:
En un reactor químico, un primer precursor fuente de un elemento de la columna 13 (grupo III) se disuelve en un disolvente orgánico en atmósfera inerte a temperatura ambiente. En esta solución líquida se introduce un ligando. El 50 segundo precursor en forma de gas, fuente del elemento de la columna 15 (grupo V), se introduce en el reactor químico:
-ya sea haciéndolo burbujear en la solución líquida formada en el disolvente orgánico y que contiene el primer precursor y el ligando, en atmósfera inerte y a temperatura ambiente o con un ligero calentamiento a una 55 temperatura inferior o igual a 50 ºC, -ya sea colocando dicha solución líquida en atmósfera gaseosa del segundo precursor a temperatura ambiente o con un ligero calentamiento a una temperatura inferior o igual a 50 ºC, -ya sea haciéndolo burbujear en la solución líquida formada en el disolvente orgánico y que contiene el primer precursor y el ligando, en atmósfera inerte y a temperatura ambiente, a continuación, tras parada del burbujeo, 60 calentando dicha solución a una temperatura inferior o igual a 50 ºC,
-ya sea colocando dicha solución líquida en atmósfera gaseosa del segundo precursor a temperatura ambiente durante una primera duración, a continuación calentando dicha solución a una temperatura inferior o igual a 50 ºC durante una segunda duración subsiguiente.
65 E11799677
07-05-2015
Ejemplo 1: preparación de nanopartículas de GaAs:
La tabla 1 a continuación resume los reactivos utilizados y sus cantidades en este ejemplo. Tabla 1
- Primer precursor
- Ligando Segundo precursor
- Fórmula
- [Ga(N(CH3)2)3]2 Octilamina AsH3
- n
- 0,3 mmol 1,2 mmol Burbujeo
- Masa molar
- 403,9 129,25
- Masa total
- 120 mg 150 mg
15
Debe señalarse que en el primer precursor, Ga presenta un grado de oxidación igual a +3, y que en el segundo precursor, As presenta un grado de oxidación igual a -3, y que estos grados de oxidación siguen siendo los mismos en las partículas obtenidas. El disolvente es el THF. La reacción se lleva a cabo a temperatura ambiente. El segundo
20 precursor se introduce mediante burbujeo en la solución líquida.
La figura 1 da el espectro de absorción de la suspensión coloidal obtenida; la figura 2 da su espectro de emisión (longitud de onda de excitación 390 nm); la figura 3 es una vista microscópica en transmisión (TEM) que muestra, como los espectros, la presencia de nanopartículas monocristalinas de GaAs.
25
Ejemplo 2: preparación de nanopartículas de GaAs:
La tabla 2 a continuación resume los reactivos utilizados y sus cantidades en este ejemplo.
30
Tabla 2
- Primer precursor
- Ligando Segundo precursor
- Fórmula
- [Ga(N(CH3)2)3]2 Hexadecilamina AsH3
- n
- 0,3 mmol 1,2 mmol Burbujeo
- Masa molar
- 403,9 241,46
- Masa total
- 120 mg 289 mg
40
El disolvente es el THF. La reacción se lleva a cabo a temperatura ambiente. El segundo precursor se introduce mediante burbujeo en la solución líquida.
45 La figura 4 da el espectro de absorción de la suspensión coloidal obtenida; la figura 5 da su espectro de emisión (longitud de onda de excitación 390 nm); estos espectros demuestran la presencia de nanopartículas monocristalinas de GaAs.
50 Ejemplo 3: preparación de nanopartículas de GaP:
La tabla 3 a continuación resume los reactivos utilizados y sus cantidades en este ejemplo.
Tabla 3
55
- Primer precursor
- Ligando Segundo precursor
- Fórmula
- [Ga(N(CH3)2)3]2 Hexadecilamina PH3
- n
- 0,3 mmol 1,2 mmol Burbujeo
- Masa molar
- 403,9 241,46
- Masa total
- 120 mg 289 mg
E11799677
07-05-2015
El disolvente es el THF. La reacción se lleva a cabo a temperatura ambiente. El segundo precursor se introduce mediante burbujeo en la solución líquida.
5 La figura 6 da el espectro de absorción de la suspensión coloidal obtenida; la figura 7 da su espectro de emisión (longitud de onda de excitación 320 nm); la figura 8 es una vista microscópica en transmisión de alta resolución (HR-TEM) que muestra, como los espectros, la presencia de nanopartículas de GaP.
10 Ejemplo 4: preparación de nanopartículas de InAs:
La tabla 4 a continuación resume los reactivos utilizados y sus cantidades en este ejemplo.
Tabla 4
15
- Primer precursor
- Ligando Segundo precursor
- Fórmula
- In(CH3)3 Hexadecilamina AsH3
- n
- 1,12 mmol 1,12 mmol En atmósfera
- Masa molar
- 159,92 241,46
- Masa total
- 180 mg 270 mg
25
El disolvente es el éter. La reacción se lleva a cabo a temperatura ambiente. La solución líquida se pone en contacto con el segundo precursor en atmósfera gaseosa de este último en muy ligera sobrepresión.
30 La figura 9 da el espectro de absorción de la suspensión coloidal obtenida; la figura 10 da su espectro de emisión (longitud de onda de excitación 380 nm); estos espectros demuestran la presencia de nanopartículas de InAs.
Ejemplo 5: preparación de nanopartículas de InAs:
35 La tabla 5 a continuación resume los reactivos utilizados y sus cantidades en este ejemplo.
Tabla 5
40
45
- Primer precursor
- Ligando Segundo precursor
- Fórmula
- In(CH3)3 Hexadecilamina AsH3
- n
- 1,12 mmol 1,12 mmol Burbujeo
- Masa molar
- 159,92 241,46
- Masa total
- 180 mg 270 mg
- 50 55
- El disolvente es el THF. La reacción se lleva a cabo a temperatura ambiente. El segundo precursor se introduce mediante burbujeo en la solución líquida. La figura 11 da el espectro de absorción de la suspensión coloidal obtenida; la figura 12 da su espectro de emisión (longitud de onda de excitación 380 nm); estos espectros demuestran la presencia de nanopartículas de InAs. Ejemplo 6: preparación de nanopartículas de GaN: La tabla 6 a continuación resume los reactivos utilizados y sus cantidades en este ejemplo.
- 60
- 65
E11799677
07-05-2015
Tabla 6
- Primer precursor
- Ligando Segundo precursor
- Fórmula
- [Ga(N(CH3)2)3]2 Hexadecilamina NH3
- n
- 0,3 mmol 1,2 mmol Burbujeo
- Masa molar
- 403,9 241,46
- Masa total
- 120 mg 289 mg
10
El disolvente es el tolueno. La reacción se lleva a cabo a temperatura ambiente. El segundo precursor se introduce mediante burbujeo en la solución líquida.
15 La figura 13 da el espectro de absorción de la suspensión coloidal obtenida; la figura 14 da su espectro de emisión (longitud de onda de excitación 310 nm); estos espectros demuestran la presencia de nanopartículas de GaN.
Ejemplo 7: preparación de nanopartículas de GaN:
20 La tabla 7 a continuación resume los reactivos utilizados y sus cantidades en este ejemplo.
Tabla 7
25
30
- Primer precursor
- Ligando Segundo precursor
- Fórmula
- [Ga(N(CH3)2)3]2 Hexadecilamina NH3
- n
- 0,3 mmol 1,2 mmol Burbujeo
- Masa molar
- 403,9 241,46
- Masa total
- 120 mg 289 mg
- 35
- El disolvente es el THF. La reacción se lleva a cabo mediante burbujeo del segundo precursor a temperatura
- ambiente durante 1 hora, a continuación, tras una noche en reposo, calentamiento a 50 ºC sin burbujeo durante
- tres días.
- La figura 15 da el espectro de absorción de la suspensión coloidal obtenida; la figura 16 es una vista microscópica
- 40
- en transmisión (TEM) que muestra, como el espectro, la presencia de nanopartículas monocristalinas de GaN.
- 45
- 50
- 55
Claims (14)
- 5152535455565Reivindicaciones1. Procedimiento de preparación de una composición de partículas cristalinas mixtas que comprende al menos un elemento de la columna 13 y al menos un elemento de la columna 15 de la tabla de la clasificación periódica de los elementos químicos, en el que:-se elige al menos un precursor que comprende al menos un elemento E1 de la columna 13, -se elige al menos un precursor que comprende al menos un elemento E2 de la columna 15, -se realiza una solución líquida mediante solubilización en un medio disolvente no acuoso de al menos un primer precursor elegido entre los complejos de coordinación que comprenden al menos un elemento E1 de la columna 13, en presencia de al menos un compuesto, llamado ligando, no reductor con respecto a los precursores y elegido en el grupo formado por los compuestos que comprenden los grupos nitrogenados, carbonados, sililados, sulfurados, fosforados, oxigenados, borados, y elegido para favorecer la formación de nanopartículas monocristalinas mixtas, -se pone dicha solución líquida en contacto con al menos un segundo precursor elegido entre los hidruros de al menos un elemento E2 de la columna 15 y se somete dicha solución líquida a condiciones de reacción idóneas para permitir que se pongan en contacto los precursores y para que se genere una reacción de producción de partículas cristalinas mixtas,caracterizado por que se realiza la reacción a una temperatura inferior a 100 ºC.
-
- 2.
- Procedimiento según la reivindicación 1, caracterizado por que se realiza la reacción de formación de las nanopartículas en ausencia de agente que tenga una función de agente reductor para la reacción de formación de las nanopartículas.
-
- 3.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 o 2, caracterizado por que se realiza la reacción a una temperatura inferior o igual a 50 ºC.
-
- 4.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado por que se realiza la reacción a presión y temperatura ambientes, sin tratamiento térmico.
-
- 5.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 4, caracterizado por que se utiliza al menos un primer precursor elegido en el grupo de los complejos de coordinación que comprenden al menos un elemento E1 de la columna 13 y al menos un enlace E1-A1, donde A1 es un elemento elegido entre el carbono, el nitrógeno, el oxígeno, el hidrógeno, el fósforo, el silicio, el azufre y el selenio.
-
- 6.
- Procedimiento según la reivindicación 5, caracterizado por que se utiliza al menos un primer precursor elegido en el grupo de los complejos de coordinación que comprenden al menos un elemento E1 de la columna 13 y al menos un grupo elegido en el grupo que comprende los amiduros; los amidinatos; los grupos carbonados; los sililos; los grupos oxigenados; los hidruros; los grupos fosforados; los grupos sulfurados; los grupos selénicos; así como los aductos amina, fosfinas, oxigenados, sulfurados y selénicos de los complejos de coordinación que comprenden al menos un elemento E1 de la columna 13
-
- 7.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 6, caracterizado por que se utiliza al menos un segundo precursor en el estado gaseoso.
-
- 8.
- Procedimiento según la reivindicación 7, caracterizado por que se hace burbujear al menos un segundo precursor gaseoso en dicha solución líquida.
-
- 9.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 7 u 8, caracterizado por que se pone dicha solución líquida en una atmósfera gaseosa que contiene al menos un segundo precursor gaseoso.
-
- 10.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 9, caracterizado por que se utiliza al menos un segundo precursor elegido en el grupo de los hidruros que comprenden al menos un elemento E2 de la columna 15, al menos un enlace E2-H y al menos un enlace E2-A2, donde A2 es un elemento elegido entre el carbono, el nitrógeno, el oxígeno, el hidrógeno, el fósforo y el silicio.
-
- 11.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 10, caracterizado por que se utiliza al menos un segundo precursor elegido en el grupo de los hidruros simples de fórmula E2nHm, siendo E2 un elemento de la columna 15, siendo n y m números enteros no nulos.
-
- 12.
- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 11, caracterizado por que se añade al menos un ligando a dicha solución líquida.
-
- 13.
- Procedimiento según la reivindicación 12, caracterizado por que se utiliza al menos un ligando elegido en el grupo formado por las aminas, los óxidos de nitrógenos, los aminoalcoholes, los nitrilos (en particular ciano), los
10amino-ácidos, las iminas (bases de Schiff), los compuestos diazo, los carbamatos, los amonios, los cianatos, los isocianatos, los siloxanos, los silanos, los silazanos, las ureas, los carbonilos, los hidróxilos, los epóxidos, las ciclodextrinas, glicósidos, los tioles, los aminotioles, los tiocianatos, los isotiocianatos, los xantatos (R-OC(S)SR’), las tioureas, los sulfitos, los tionilos, los tiosulfatos, los sulfatos, las fosfinas, los óxidos de fosfina, los sulfuros de5 fosfinas, los fosfonatos, los ácidos fosfónicos, los fosfinatos, los ácidos fosfínicos, los fosfatos, los carboxilatos, los ácidos carboxílicos, los carbenos, los alquinos, los alquenos, los arenos y los ácidos de Lewis. - 14. Procedimiento según una de las reivindicaciones 12 o 13, caracterizado por que se utiliza al menos un ligando elegido en el grupo que comprende la hexadecilamina, la dodecilamina, la octilamina, la oleilamina, la etilendiamina, 10 piridina, el octanotiol, el dodecanotiol, el hexadecanotiol, la trioctilfosfina, el óxido de trioctilfosfina, el ácido octanoico, el ácido mirístico, el ácido esteárico, el ácido oleico, el ácido láurico, el ácido hexilfosfónico, el ácido tetradecilfosfónico, el poli(etilenglicol) bis(3-propilamina) de fórmula H2NC3H6[-OCH2CH2]n-OC3H6NH2 y que tiene un masa molar de aproximadamente 1.500 g.mol-1, el poli(etilenglicol) bis(2-etilamina) de fórmula H2NC2H4[-OCH2CH2]n-OC2H4NH2 y que tiene una masa molar de aproximadamente de 3.000 g.mol-1 a 10.000 g.mol-1, el α-(2-etilamina)15 metoxi(etilenglicol) de fórmula H3C[-OCH2CH2]n-OC2H4NH2 y que tiene una masa molar de aproximadamente 750 g.mol-1, el poli(etilenglicol)dioico de fórmula HOOC-CH2[-OCH2CH2]n-O-CH2-COOH y que tiene una masa molar de aproximadamente 600 g.mol-1 , el metiléter-poli(etilenglicol)oico de fórmula H3C[-OCH2CH2]n-O-CH2-COOH y que tiene una masa molar de aproximadamente 3.000 g.mol-1 .20 15. Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 14, caracterizado por que se utiliza un medio disolvente que comprende un disolvente orgánico elegido entre el THF, la DMF, el DMSO, el dietiléter, el metilterbutil éter, el diisopropil éter, el tolueno, el anisol, la acetona, el benceno, el tricloroetileno, el acetato de etilo, el heptano, el hexano, el pentano, el ciclohexano, el acetonitrilo, el cloroformo, el diclorometano, el dioxano, el xileno.2530354045505511
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1004927 | 2010-12-17 | ||
| FR1004927A FR2969137B1 (fr) | 2010-12-17 | 2010-12-17 | Procede de preparation d'une composition de particules mixtes contenant des elements des colonnes 13 et 15 |
| PCT/EP2011/072975 WO2012080425A1 (fr) | 2010-12-17 | 2011-12-15 | Procédé de préparation d'une composition de particules mixtes contenant des éléments des colonnes 13 et 15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2536435T3 true ES2536435T3 (es) | 2015-05-25 |
Family
ID=43982269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES11799677.7T Active ES2536435T3 (es) | 2010-12-17 | 2011-12-15 | Procedimiento de preparación de una composición de partículas mixtas que contiene elementos de las columnas 13 y 15 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9296042B2 (es) |
| EP (1) | EP2651828B1 (es) |
| JP (1) | JP5875598B2 (es) |
| ES (1) | ES2536435T3 (es) |
| FR (1) | FR2969137B1 (es) |
| WO (1) | WO2012080425A1 (es) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6561879B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2019-08-21 | 三菱マテリアル株式会社 | InAsコロイド粒子の製造方法 |
| EP3275839A1 (en) | 2016-07-27 | 2018-01-31 | Centre National De La Recherche Scientifique | Process for the preparation of nanoparticles |
| FR3057471B1 (fr) * | 2016-10-17 | 2018-12-07 | Centre National De La Recherche Scientifique | Nano-catalyseur triptyque et son utilisation pour la photo-catalyse |
| WO2018139446A1 (ja) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体ナノ粒子製造装置及び半導体ナノ粒子の製造方法 |
| CN110268035A (zh) * | 2017-01-25 | 2019-09-20 | 日立化成株式会社 | 半导体纳米粒子的制造方法 |
| JP7098555B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2022-07-11 | 株式会社アルバック | コアシェル型量子ドット分散液の製造方法及び量子ドット分散液の製造方法 |
| FR3102169B1 (fr) | 2019-10-18 | 2021-12-31 | Centre Nat Rech Scient | procédé de fabrication de motifs micro- et nanostructurés |
| JP7691221B2 (ja) * | 2020-09-30 | 2025-06-11 | スタンレー電気株式会社 | Iii族窒化物半導体ナノ粒子の製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4798701A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-17 | International Business Machines Corporation | Method of synthesizing amorphous group IIIA-group VA compounds |
| US6855202B2 (en) * | 2001-11-30 | 2005-02-15 | The Regents Of The University Of California | Shaped nanocrystal particles and methods for making the same |
| US7335345B2 (en) * | 2004-05-24 | 2008-02-26 | Drexel University | Synthesis of water soluble nanocrystalline quantum dots and uses thereof |
| JP4565153B2 (ja) | 2004-11-19 | 2010-10-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ナノ粒子の低温合成法 |
| WO2006099386A2 (en) | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Synthesis and use of colloidal iii-v nanoparticles |
| US7488384B2 (en) * | 2006-05-03 | 2009-02-10 | Ohio University | Direct pyrolysis route to GaN quantum dots |
| WO2008016154A1 (fr) | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Hoya Corporation | Méthode de production de microparticules et méthode de production d'organocarboxylate d'indium |
| US7935419B1 (en) * | 2008-02-07 | 2011-05-03 | Los Alamos National Security, Llc | Thick-shell nanocrystal quantum dots |
-
2010
- 2010-12-17 FR FR1004927A patent/FR2969137B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-12-15 JP JP2013543793A patent/JP5875598B2/ja active Active
- 2011-12-15 WO PCT/EP2011/072975 patent/WO2012080425A1/fr not_active Ceased
- 2011-12-15 ES ES11799677.7T patent/ES2536435T3/es active Active
- 2011-12-15 EP EP11799677.7A patent/EP2651828B1/fr active Active
- 2011-12-15 US US13/994,200 patent/US9296042B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9296042B2 (en) | 2016-03-29 |
| WO2012080425A1 (fr) | 2012-06-21 |
| EP2651828A1 (fr) | 2013-10-23 |
| FR2969137A1 (fr) | 2012-06-22 |
| JP5875598B2 (ja) | 2016-03-02 |
| FR2969137B1 (fr) | 2015-01-02 |
| EP2651828B1 (fr) | 2015-02-11 |
| US20130309160A1 (en) | 2013-11-21 |
| JP2014508086A (ja) | 2014-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2536435T3 (es) | Procedimiento de preparación de una composición de partículas mixtas que contiene elementos de las columnas 13 y 15 | |
| Malik et al. | Precursor chemistry for main group elements in semiconducting materials | |
| Hollingsworth et al. | Active nature of primary amines during thermal decomposition of nickel dithiocarbamates to nickel sulfide nanoparticles | |
| KR101884818B1 (ko) | 포스핀을 사용하여 제조한 양자점 | |
| Boadi et al. | Single source molecular precursor routes to lead chalcogenides | |
| US9938148B2 (en) | Method of synthesising nitride nanocrystals | |
| Abutbul et al. | ‘Beneficial impurities’ in colloidal synthesis of surfactant coated inorganic nanoparticles | |
| Timoshkin et al. | From charge transfer complexes to nanorods | |
| Parvizian et al. | Precursor chemistry of metal nitride nanocrystals | |
| Chen et al. | Spontaneous shape and phase control of colloidal ZnSe nanocrystals by tailoring Se precursor reactivity | |
| Müller et al. | Octaammine EuII and YbII azides and their thermal decompositions to the nitrides | |
| Gahlot et al. | Coinage Metal Complexes with Di‐tertiary‐butyl Sulfide as Precursors with Ultra‐Low Decomposition Temperature | |
| Thompson et al. | Tin (IV) chalcogenide complexes: Single source precursors for SnS, SnSe and SnTe nanoparticle synthesis | |
| O'Brient et al. | The single‐molecule approach to the deposition of compound semiconducting materials by MOCVD and related methods | |
| Sotnikov et al. | Kinetics of lanthanum oxide sulfurization in ammonium rhodanide vapor | |
| KR20190074182A (ko) | 금속 할로겐 페로브스카이트 나노입자 제조방법 및 금속 할로겐 페로브스카이트 나노입자 분산액 | |
| Garcia et al. | Structure and luminescence of nanocrystalline gallium nitride synthesized by a novel polymer pyrolysis route | |
| Koh et al. | Molecular valves for colloidal growth of nanocrystal quantum dots: effect of precursor decomposition and intermediate species | |
| Loghina et al. | Disubstituted thiourea as a suitable sulfur source in the gram-scale synthesis of yellow-and red-emitting CdTeS/Cd x Zn 1− x S core/shell quantum dots | |
| 장호근 | Molecular-level Understanding of the Synthesis of Iron-oxo and Cadmium-doped Silver Nanoclusters | |
| Howley | Novel phosphorus precursors to group III-V semiconductor nanoparticles | |
| Harris | Zinc acetate amine complexes: Single-source precursors to zinc oxide films and nanoparticles; the influence of amines on photocatalysis | |
| Mondal et al. | Synthesis of isotropic PbS nanoparticles from the single precursor, highly coordinative lead complex of S-methyl dithiocarbazate,[Pb {S= C (SCH3) NHNH2}(NO3) 2] | |
| Chen | A Solution-Liquid-Solid Approach to Colloidal Indium Nitride Nanoparticles from Simple Alkylamide Precursors and Investigation of Its Mechanism | |
| TW202432920A (zh) | Iii-v奈米晶體之可擴展合成 |