ES2362407T3 - Dispositivo emisor de luz provisto de diodos emisores de luz. - Google Patents
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Abstract
Un dispositivo emisor de luz que comprende una pluralidad de diodos emisores de luz con base GaN (1) formados monolíticamente en una configuración bidimensional provista de un número par de filas sobre un sustrato aislante (10), en el que la pluralidad de diodos emisores de luz (1) forma dos grupos provistos de igual número de diodos emisores de luz (1), en el que dentro de cada uno de los dos grupos los diodos emisores de luz (1) están conectados eléctricamente en serie para formar una red de diodos emisores de luz y las dos redes de diodos emisores de luz están eléctricamente conectadas en paralelo entre dos electrodos (32) de modo que las dos redes de diodos emisores de luz presenten polaridad opuesta, caracterizado por que las dos redes de diodos emisores de luz están colocadas en una configuración bidimensional en zigzag situando los diodos emisores de luz (1) dentro de cada una de las dos redes de diodos emisores de luz en una línea curvada en zigzag de filas y situando alternativamente las dos redes de diodos emisores de luz de manera que las dos redes de diodos emisores de luz presenten filas formadas entre las filas de la otra red de diodos emisores de luz.
Description
Dispositivo emisor de luz provisto de diodos
emisores de luz.
La presente invención se refiere a un
dispositivo emisor de luz en el que se forma una pluralidad de
diodos emisores de luz sobre un sustrato.
Cuando se utiliza como indicador un medio emisor
de luz tal como un diodo emisor de luz (LED) o similar, las
condiciones típicas de uso son aproximadamente de 1 V a 4 V para la
tensión de mando y aproximadamente 20 mA para el control de
corriente. Con el reciente desarrollo de los LEDs de longitud de
onda corta que utilizan un semiconductor compuesto con base GaN y la
comercialización de fuentes luminosas sólidas de color integral,
color blanco, etc, se ha contemplado la aplicación de LEDs en el
campo de la iluminación. Cuando se utiliza un LED para iluminar,
pueden existir casos en los que el LED es usado en condiciones
diferentes de las anteriormente descritas de 1 V - 4 V de tensión de
mando y 20 mA de control de corriente. Como consecuencia de ello, se
han tomado medidas para permitir que una corriente mayor circule a
través de los LEDs y para incrementar el flujo de emisión lumínica.
Para conseguir una mayor circulación de corriente debe aumentarse un
área de una unión pn del LED con objeto de reducir la densidad de
corriente.
Cuando se utiliza el LED como fuente lumínica
para iluminar, es conveniente usar una fuente eléctrica AC y
permitir su utilización con una tensión de mando de 100 V o
superior. Además, si se desea el mismo flujo de emisión lumínica con
el suministro de la misma cantidad de energía, la pérdida de energía
de energía puede reducirse mediante la aplicación de un alto voltaje
manteniendo al mismo tiempo un valor de corriente bajo. En los LEDs
de la técnica conexa, sin embargo, no es siempre posible incrementar
la tensión de mando.
El documento JP2001307506 describe un
dispositivo emisor de luz que comprende una pluralidad de diodos
emisores de luz con base GaN formados monolíticamente con una
configuración bidimensional provista de un número par de filas sobre
un sustrato aislante, en el que la pluralidad de diodos emisores de
luz forma dos grupos compuestos por un mismo número de diodos
emisores de luz, en el que dentro de cada uno de los dos grupos los
diodos emisores de luz están conectados eléctricamente en serie para
formar una red de diodos emisores de luz y las dos redes de diodos
emisores de luz están conectadas eléctricamente en paralelo entre
dos electrodos de modo que las dos redes de diodos emisores de luz
presenten polaridades opuestas.
Un objeto de la presente invención es
proporcionar un dispositivo emisor de luz que pueda funcionar con
una elevada tensión de mando.
Según un aspecto de la presente invención se
realiza un dispositivo emisor de luz compuesto por una pluralidad de
diodos emisores de luz con base GaN formados monolíticamente en una
configuración bidimensional provista de un número par de filas sobre
un sustrato aislante, en el que la pluralidad de diodos emisores de
luz forma dos grupos compuestos por el mismo número de diodos
emisores de luz, en el que dentro de cada uno de los dos grupos los
diodos emisores de luz están conectados eléctricamente en serie para
formar una red de diodos emisores de luz y las dos redes de diodos
emisores de luz están conectadas eléctricamente en paralelo entre
dos electrodos de modo que las dos redes de diodos emisores de luz
presenten polaridades opuestas, donde las dos redes de diodos
emisores de luz están dispuestas en una configuración bidimensional
en zigzag mediante la disposición de los diodos emisores de luz
dentro de cada una de las dos redes de diodos emisores de luz en una
línea curva en zigzag de filas y la disposición alternada de las dos
redes de diodos emisores de luz de modo que las dos redes de diodos
emisores de luz presentan filas formadas entre las filas de la otra
red de diodos emisores de luz.
Según otro aspecto de la presente invención, es
preferible que, en el dispositivo emisor de luz, la pluralidad de
diodos emisores de luz estén conectados mediante líneas aéreas en
puente.
Según otro aspecto de la presente invención, es
preferible que, en el dispositivo emisor de luz, la pluralidad de
diodos emisores de luz estén separados eléctricamente a través de
zafiro, el cual se usa como sustrato.
Según otro aspecto de la presente invención, es
preferible que, en el dispositivo emisor de luz, cada uno de los
diodos emisores de luz y de los electrodos tengan una forma planar
aproximadamente cuadrada o triangular.
Según otro aspecto de la presente invención, es
preferible que, en el dispositivo emisor de luz, la forma general de
la pluralidad de diodos emisores de luz y de los electrodos sea
aproximadamente cuadrada.
Según otro aspecto de la presente invención, es
preferible que, en el dispositivo emisor de luz, los dos electrodos
sean electrodos para el suministro eléctrico de corriente
alterna.
Según otro aspecto de la presente invención, es
preferible que, en el dispositivo emisor de luz, los dos grupos de
redes de diodos emisores de luz dispongan de un electrodo tipo n en
común.
En la presente invención, una pluralidad de
diodos emisores de luz resultan formados monolíticamente, es decir,
se forman sobre el mismo sustrato, y están conectados en serie. Con
esta estructura, la presente invención permite una alta tensión de
mando. Mediante la conexión de una pluralidad de diodos emisores de
luz en una dirección, es factible una excitación por corriente
continua. Mediante la agrupación de la pluralidad de diodos emisores
de luz en dos grupos y la conexión de los dos grupos entre
electrodos de modo que los dos grupos de diodos emisores de luz
(redes de diodos emisores de luz) presenten polaridades opuestas
entre sí, es posible permitir además una excitación por corriente
alterna. El número de diodos en los grupos es el mismo.
Existen disponibles varios métodos para disponer
o colocar de manera bidimensional una pluralidad de diodos emisores
de luz, y es deseable un método que minimice el área ocupado en el
sustrato. Por ejemplo, disponiendo los dos grupos de redes de diodos
emisores de luz en una configuración en zigzag, es decir,
disponiendo una pluralidad de diodos emisores de luz en una línea
curva y disponiendo de forma alterna las redes de diodos emisores de
luz, el área de sustrato puede ser utilizado eficientemente y pueden
conectarse un gran número de diodos emisores de luz. Cuando las dos
redes de diodos emisores de luz están situadas de forma alterna,
puede producirse el cruce de parte de las líneas. Es posible evitar
de manera efectiva los cortocircuitos en la partes que se cruzan
conectando los diodos emisores de luz mediante líneas aéreas en
puente. Las formas de los diodos emisores de luz y de los electrodos
son ilimitadas. Dando forma planar a los diodos emisores de luz y a
los electrodos, por ejemplo, aproximadamente cuadrada, la forma
general resultante es aproximadamente cuadrada, lo cual permite el
uso de una estructura de montaje estándar. Es también posible
utilizar una forma diferente de la del cuadrado, por ejemplo, un
triángulo, para los diodos emisores de luz y los electrodos, para
crear una forma aproximadamente cuadrada como forma general mediante
la combinación de triángulos, y, en consecuencia, es posible
utilizar de igual modo una estructura de montaje estándar.
La Fig. 1 es un diagrama que muestra una
estructura básica de un diodo emisor de luz (LED).
La Fig. 2 es un diagrama de circuito equivalente
de un dispositivo emisor de luz.
La Fig. 3 es una vista en planta de dos
LEDs.
La Fig. 4 es una vista transversal a lo largo de
una línea IV-IV de la Fig. 3.
La Fig. 5 es otro diagrama de circuito
equivalente de un dispositivo emisor de luz.
La Fig. 6 es un diagrama explicativo de una
estructura en la que 40 LEDs se encuentran dispuestos en una
configuración bidimensional.
La Fig. 7 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 6.
La Fig. 8 es un diagrama explicativo de una
estructura en la que 6 LEDs se encuentran dispuestos en una
configuración bidimensional.
La Fig. 9 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 8.
La Fig. 10 es un diagrama explicativo de una
estructura en la que 14 LEDs se encuentran dispuestos en una
configuración bidimensional.
La Fig. 11 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 10.
La Fig. 12 es una diagrama explicativo de una
estructura en la que 6 LEDs se encuentran dispuestos en una
configuración bidimensional.
La Fig. 13 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 12.
La Fig. 14 es un diagrama explicativo de una
estructura en la que 16 LEDs se encuentran dispuestos en una
configuración bidimensional.
La Fig. 15 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 14.
La Fig. 16 es un diagrama explicativo de una
estructura, que no forma parte de la presente invención, que
comprende 2 LEDs.
La Fig. 17 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 16.
La Fig. 18 es un diagrama explicativo de una
estructura, que no forma parte de la presente invención, en la que 4
LEDs se encuentran dispuestos en una configuración
bidimensional.
La Fig. 19 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 18.
La Fig. 20 es una diagrama explicativo de una
estructura, que no forma parte de la presente invención, en la que 3
LEDs se encuentran dispuestos en una configuración
bidimensional.
La Fig. 21 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 20.
La Fig. 22 es un diagrama explicativo de una
estructura, que no forma parte de la presente invención, en la que 6
LEDs se encuentran dispuestos en una configuración
bidimensional.
La Fig. 23 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 22.
La Fig. 24 es un diagrama explicativo de una
estructura, que no forma parte de la presente invención, en la que 5
LEDs se encuentran dispuestos en una configuración
bidimensional.
La Fig. 25 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 24.
La Fig. 26 es una diagrama explicativo de otra
disposición bidimensional que no forma parte de la presente
invención.
La Fig. 27 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 26.
La Fig. 28 es un diagrama explicativo de otra
disposición bidimensional que no forma parte de la presente
invención.
La Fig. 29 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 28.
La Fig. 30 es un diagrama explicativo de otra
disposición bidimensional que no forma parte de la presente
invención.
La Fig. 31 es un diagrama de circuito de la
estructura mostrada en la Fig. 30.
Una realización práctica de preferencia de la
presente invención será descrita a continuación con referencia a los
dibujos.
La Fig. 1 muestra una estructura básica de un
LED 1, el cual es un diodo emisor de luz semiconductor compuesto con
base GaN de la presente realización práctica. El LED 1 posee una
estructura en la cual una capa GaN 12, una capa GaN de tipo n
impurificada con Si 14, una capa emisora de luz InGaN 16, una capa
AlGaN 18, y una capa GaN de tipo p 20 son secuencialmente
estratificadas sobre un sustrato 10, se forma un electrodo p 22 en
contacto con la capa GaN de tipo p 20, y se un forma electrodo n 24
en contacto con la capa GaN de tipo n 14.
El LED mostrado en la Fig. 1 está fabricado
mediante el siguiente proceso. Primeramente, se trata térmicamente
un sustrato c-plano de zafiro durante 10 minutos en
una atmósfera de hidrógeno a una temperatura de 1100ºC en un
dispositivo MOCVD. A continuación, la temperatura se rebaja a 500ºC
y se administra gas de silano y gas de amoniaco durante 100 segundos
para formar una capa SiN discontinua sobre el sustrato 10. Este
proceso se realiza a cabo a fin de reducir la densidad de
dislocación en el interior del dispositivo y la lámina SiN no es
mostrada en la Fig. 1. A continuación, el trimetil galio y el
amoniaco son administrados a la misma temperatura para cultivar una
capa GaN hasta un espesor de 20 mm. Se eleva la temperatura hasta
1050ºC y el trimetil galio y el amoniaco son de nuevo administrados
para cultivar una capa GaN sin impurificar (u-GaN)
12 y una capa GaN de tipo n impurificada con Si 14 hasta un espesor
de 2 \mum en cada una. A continuación, se reduce la temperatura
hasta aproximadamente 700ºC y se cultiva una capa InGaN emisora de
luz 16 hasta un espesor de 2 nm. Un objetivo es una composición x =
0.15, esto es, In_{0 \cdot 15}Ga_{0 \cdot 85}N. Una vez se ha
cultivado la capa emisora de luz 16, se eleva la temperatura hasta
1000ºC, se cultivan una capa de inyección de huecos AlGaN 18 y una
capa GaN de tipo p 20.
Una vez se ha cultivado la capa GaN de tipo p
20, la lasquita es retirada del dispositivo MOCVD y una capa Ni de
10 nm y capa Au de 10 nm son secuencialmente evaporadas al vacío
para formar dichas capas sobre la superficie de la capa cultivada.
Se aplica un tratamiento térmico en una atmósfera de gas nitrógeno
conteniendo un 5% de oxígeno a una temperatura de 520ºC de modo que
la película de metal se transforma en un electrodo transparente de
tipo p 22. Una vez se ha formado el electrodo transparente, se
aplica un fotoresistente sobre la totalidad de la superficie y se
aplica asimismo un proceso de mordido para formar un electrodo de
tipo n usando el fotoresistente como máscara. La profundidad del
mordido es de, por ejemplo, 600 nm. Se forman una capa Ti de 5 nm de
espesor y una capa Al de 5 nm de espesor sobre la capa GaN de tipo n
14 expuesta mediante el proceso de mordido y se aplica un
tratamiento térmico en una atmósfera de gas nitrógeno a una
temperatura de 450ºC durante 30 minutos para formar un electrodo de
tipo n 24. Finalmente, se cultiva un reverso del sustrato 10 hasta
un espesor de 100 \mum y se recortan y montan chips para obtener
el LED 1.
En la Fig. 1, se forma un LED con base GaN sobre
el sustrato 1, pero en la presente realización práctica, una
pluralidad de LEDs 1 son formados monolíticamente sobre el sustrato
10 en una red bidimensional y los LEDs son conectados para formar el
dispositivo emisor de luz (chip). En donde, "monolítico" indica
que todos los elementos están formados sobre un único sustrato.
La Fig. 2 es un diagrama que muestra un circuito
equivalente del dispositivo emisor de luz. En la Fig. 2, los diodos
emisores de luz en la red bidimensional están agrupados en dos
grupos con el mismo número de diodos emisores de luz (en la Fig. 2,
4 diodos emisores de luz. Los LEDs 1 en cada grupo están conectados
en serie y los dos grupos de redes de LEDs están conectados en
paralelo entre electrodos (electrodos excitadores) de modo que los
dos grupos presenten polaridades opuestas. De esto modo, conectando
la red de LEDs en serie, es posible excitar los LEDs a un gran
voltaje en el que se suma la tensión de mando de cada LED. Como las
redes de LEDs están conectadas en paralelo entre los electrodos de
modo que las redes de LEDs presenten polaridades opuestas, incluso
cuando se proporciona un suministro eléctrico por corriente alterna
como fuente eléctrica, una de las redes de LEDs siempre emite luz en
cada periodo de suministro eléctrico, lo cual permite una emisión
lumínica efectiva.
La Fig. 3 es una vista parcial en planta de una
pluralidad de LEDs formados monolíticamente sobre el sustrato 10. La
Fig. 4 es un diagrama que muestra una sección transversal
IV-IV de la Fig. 3. En la Fig. 3 un electrodo p 22 y
un electrodo n 24 aparecen formados sobre la superficie superior del
LED 1, tal como se muestra en la Fig. 1. El electrodo p 22 y el
electrodo n 24 de los LEDs adyacentes 1 aparecen conectados a través
de una línea aérea en puente 28 y una pluralidad de LEDs 1 aparecen
conectados en serie.
En la Fig. 4, Los LEDs 1 son mostrados de manera
simple con fines explicativos. Concretamente, únicamente se muestran
la capa n-GaN 14, la capa p-GaN 20,
el electrodo p 22, y el electrodo n 24. En aplicaciones reales la
capa emisora de luz InGaN 16 se encuentra también presente, tal como
se muestra en la Figura 1. La línea aérea en puente 28 realiza la
conexión desde el electrón p 22 al electrón n 24 por el aire. De
este modo, a diferencia del método consistente en aplicar un
película aislante sobre la superficie del diodo, formar electrodos
sobre la película aislante, y conectar eléctricamente el electrón p
22 y el electrón n 24, es posible evitar el problema de la
degradación de los LEDs 1 como consecuencia de la difusión térmica
de los elementos formativos del material aislante hasta la capa n y
la capa p a partir de una desconexión de línea o una película
aislante, puesto que deja de ser necesario situar los electrodos a
lo largo de la estría mordentadora. La línea aérea en puente 28 es
además utilizada para la conexión entre el LED 1 y el electrodo que
no es mostrado en la Fig. 4, además de para la conexión entre los
LEDs 1.
Además, tal como se muestra en la Fig. 4, los
LEDs 1 deben ser independientes y aislados electrónicamente unos de
otros. Con este fin, los LEDs 1 se encuentran separados sobre el
sustrato de zafiro 10. Como el zafiro es un material aislante, es
posible separar electrónicamente los LEDs 1. Mediante el uso del
sustrato de zafiro 10 como cuerpo resistivo para lograr una
separación eléctrica entre los LEDs, es posible separar
eléctricamente los LEDs de manera fácil y fiable.
Como en el diodo emisor de luz, es también
posible emplear un MIS en lugar del LED provisto de una unión
pn.
La Fig. 5 es un diagrama que muestra otro
circuito equivalente del dispositivo emisor de luz. En la Fig. 5, 20
LEDs 1 están conectados en serie para formar una red de LEDs y dos
de dichas redes de LEDs (un total de 40 LEDs) están conectadas a una
fuente eléctrica en paralelo. La tensión de mando del LED 1 está
fijada en 5 V, y por lo tanto, la tensión de mando de cada red de
LEDs es de 100 V. Las dos redes de LEDs están conectadas en paralelo
con la fuente eléctrica de modo que las redes de LEDs presenten
polaridades opuestas, similares a la Fig. 2. La luz es siempre
emitida procedente de una de las redes de LEDs, independientemente
de la polaridad de la fuente eléctrica.
La Fig. 6 muestra una estructura específica de
la red bidimensional y corresponde al diagrama de circuito
equivalente de la Fig. 2. En la Fig. 6, un total de 40 LEDs 1
aparecen formados sobre el sustrato de zafiro 10 agrupados en dos
grupos de 20 LEDs 1. Los grupos de LEDs 1 están conectados en serie
mediante puentes los aéreos 28 para así formar dos redes de LEDs.
Más concretamente, todos los LEDs 1 presentan una forma cuadrada del
mismo tamaño y forma. La primera red de LEDs comprende, desde la
línea superior hasta la línea inferior, una línea de 6 LEDs
dispuestos en línea recta, una línea de 7 LEDs dispuestos en línea
recta, y una línea de 7 LEDs dispuestos en línea recta. La primera
fila (6 LEDs) y la segunda fila (7 LEDs) están formadas orientadas
en direcciones opuestas y la segunda y tercera filas están formadas
orientadas en direcciones opuestas. La primera y segunda filas están
separadas entre sí y la segunda y la tercera filas están separadas
entre sí, ya que las filas de la otra red de LEDs están insertadas
de forma alterna, como se describirá posteriormente. El LED 1
situado más a la derecha de la primera fila y el LED 1 situado más a
la derecha de la segunda fila se encuentran conectados mediante una
línea aérea en puente 28 y el LED 1 situado más a la izquierda de la
segunda fila y el LED 1 situado más a la izquierda de la tercera
fila se encuentran conectados mediante una línea aérea en puente 28
a fin de estructurar una disposición en zigzag. El LED 1 situado más
a la izquierda de la primera fila está conectado a un electrodo
(zona terminal) 32 formado en la sección superior izquierda del
sustrato 10 mediante una línea aérea en puente 28 y el LED 1 situado
más a la derecha de la tercera fila está conectado con un electrodo
(zona terminal) 32 en la sección inferior derecha del sustrato 10
mediante una línea aérea de puente 28. Los dos electrodos (zonas
terminales) 32 presentan la misma forma cuadrada que los LEDs 1. La
segunda red de LEDs está formada de modo alterno en los espacios de
la primera red de LEDs. Más concretamente, en la segunda red de
LEDs, 7 LEDs, 7 LEDs, y 6 LEDs aparecen formados en líneas rectas de
arriba a abajo, la primera fila está formada entre la primera y la
segunda filas de la primera red de LEDs, la segunda fila está
formada entre la segunda y la tercera filas de la primera red de
LEDs, y la tercera fila está formada debajo de la tercera fila de la
primera red de LEDs. La primera y segunda filas de la segunda red de
LEDs están formadas orientadas en direcciones opuestas y la segunda
y tercera filas de la segunda red de LEDs están formadas orientadas
en direcciones opuestas. El LED 1 situado más a la derecha de la
primera fila está conectado con el LED 1 situado más a la derecha de
la segunda fila mediante una línea aérea en puente 28 y el LED 1
situado más a la izquierda de la segunda fila está conectado con el
LED 1 situado más a la izquierda de la tercera fila mediante una
línea aérea en puente 28 para estructurar una disposición en zigzag.
El LED situado más a la izquierda de la primera fila de la segunda
red de LEDs está conectado con el electrodo 32 formado en la sección
superior izquierda del sustrato 10 mediante una línea aérea en
puente 28 y el LED 1 situado más a la derecha de la tercera fila
está conectado con el electrodo 32 formado en la sección inferior
derecha del sustrato 10 mediante una línea aérea en puente 28. Las
polaridades de las redes de LEDs con respecto a los electrodos 32
son opuestas entre sí. La forma general del dispositivo emisor de
luz (chip) es rectangular. Es importante asimismo señalar que dos
electrodos 32 a los que se les proporciona corriente eléctrica están
formados en posiciones diagonalmente opuestas del rectángulo y
separados entre sí.
La Fig. 7 es un diagrama de circuito del
circuito mostrado en la Fig. 6. Puede distinguirse en la figura que
cada una de las redes de LEDs está conectada en serie al tiempo que
se curva en una configuración en zigzag y que las dos redes de LEDs
presentan las filas en forma de zigzag formadas entre las filas de
la otra red de LEDs. Mediante el empleo de este tipo de
configuración, muchos LEDs 1 pueden ser dispuestos sobre un sustrato
10 de reducido tamaño. Además, como se requieren únicamente dos
electrodos 32 para 40 LEDs, la eficiencia de uso en el sustrato 10
puede mejorarse aún más. Adicionalmente, cuando los LEDs 1 son
formados individualmente con objeto de separar los LEDs 1, la
lasquita debe ser cortada para su separación, pero en la presente
invención, la separación entre los LEDs 1 puede ser lograda a través
del mordido, lo cual permite una reducción de la distancia entre los
LEDs 1. Con esta configuración, es posible reducir más el tamaño del
sustrato de zafiro 10. La separación entre los LEDs 1 se logra
mediante el mordido y la retirada de regiones que no sean LEDs 1
hasta el punto en que se alcanza el sustrato 10 mediante el uso de
sustancias fotoendurecibles, el atacado reactivo por iones y el
atacado en húmedo. Como las redes de LEDs emiten alternativamente
luz, la eficiencia de emisión lumínica puede ser mejorada y la
característica de descarga térmica puede asimismo ser mejorada.
Además, cambiando el número de LEDs 1 conectados en serie, la
tensión de mando global también puede ser cambiada. Adicionalmente,
reduciendo el área del LED 1, es posible aumentar la tensión de
mando por LED. Cuando se conectan en serie 20 LEDs 1 y son excitados
con un suministro eléctrico disponible en comercios (100 V, 60 Hz),
puede obtenerse un poder de emisión de luz de aproximadamente 150
mW. El control de la corriente en este caso es de aproximadamente 20
mA.
Tal como queda claro a partir de la Fig. 7,
cuando dos redes de LEDs son dispuestas alternativamente en una
configuración en zigzag, se genera inevitablemente una sección de
cruce en la línea aérea en puente 28. Por ejemplo, cuando la primera
fila y la segunda fila de la segunda red de LEDs están conectadas,
dicha parte cruza la parte de línea a fin de conectar la primera
fila y la segunda fila de la primera red de LEDs. Sin embargo, la
línea aérea en puente 28 de la presente realización práctica no
queda adherida al sustrato 10 tal como se ha descrito anteriormente
y se extiende a través del aire, distanciada del sustrato 10. A
causa de esta estructura, los cortocircuitos debidos al contacto de
las líneas aéreas en puente 28 en la sección de cruce pueden
evitarse fácilmente. Ésta es una de las ventajas de utilizar la
línea aérea en puente 28. La línea aérea en puente 28 se forma, por
ejemplo, mediante los siguientes procesos. Se aplica un
fotoresistente sobre la totalidad de la superficie hasta alcanzar un
espesor de 2 \mum y se aplica un proceso de
post-cocido tras la abertura de un orificio con la
forma de la línea aérea en puente. Sobre esta estructura, se
evaporan una capa de Ti de 10 nm y una capa de Au de 10 nm en este
orden mediante evaporación al vacío. Se aplica de nuevo un
fotoresistente sobre la totalidad de la superficie hasta alcanzar un
espesor de 2 \mum y se abren orificios en las partes en las que
deben formarse las líneas aéreas en puente. A continuación,
utilizando Ti y Au como electrodos, se deposita Au sobre toda la
superficie de los electrodos hasta alcanzar un espesor de 3 - 5
\mum mediante recubrimiento iónico (galvanoplastia) en un
electrolito. A continuación, la muestra es sumergida en acetona, el
fotoresistente es disuelto y retirado mediante limpieza por
ultrasonidos, y la línea aérea en puente 28 es completada.
De este modo, mediante la colocación de la
pluralidad de LEDs 1 con una forma bidimensional de red, es posible
utilizar de manera efectiva el área del sustrato y se permite una
alta tensión de mando y, en concreto, la excitación usando el
suministro eléctrico disponible comercialmente. Se pueden utilizar
otras varias configuraciones como configuración de la red
bidimensional. En general, la forma bidimensional de red satisface
preferiblemente las siguientes condiciones:
- (1)
- la forma de las posiciones de los LEDs y de los electrodos es preferiblemente idéntica con objeto de permitir que una corriente uniforme discurra a través de los LEDs y obtener una emisión de luz uniforme;
- (2)
- los costados de los LEDs son preferiblemente líneas rectas con objeto de permitir el recorte de lasquitas para crear chips;
- (3)
- El LED preferiblemente presenta una forma planar similar a un cuadrado para usar un molde estándar y utilizar la reflexión desde la periferia a fin mejorar la eficiencia de la extracción lumínica;
- (4)
- un tamaño preferible de dos electrodos (zonas de soldadura) es aproximadamente 100 \mum en cuadrado y los dos electrodos están preferiblemente separados entre sí,
- y
- (5)
- el coeficiente de la línea y la zona terminal es preferiblemente mínimo para permitir un uso efectivo del área de la lasquita.
Estas condiciones no son obligatorias, y es
posible, por ejemplo, emplear una forma planar de triángulo como
forma del LED. Incluso cuando la forma del LED es un triángulo, la
forma general aproximadamente cuadrada puede obtenerse combinando
los triángulos. A continuación se describirán algunos ejemplos de
formas bidimensionales de red.
La Fig. 8 muestra una configuración
bidimensional de un total de 6 LEDs 1 u la Fig. 9 muestra un
diagrama de circuito de esta configuración. La configuración de la
Fig. 8 es básicamente idéntica a la de la Fig. 6. Se agrupan 6 LEDs
en dos grupos con el mismo número para formar redes de LEDs que
presentan 3 LEDs conectados en serie. La primera red de LEDs está
organizada en una configuración en zigzag, disponiendo la primera
fila de un LED y la segunda fila de dos LEDs. El LED de la primera
fila y el LED 1 situado más a la derecha de la segunda fila están
conectados en serie mediante una línea aérea en puente 28 y los dos
LEDs 1 de la segunda fila están conectados en serie mediante una
línea aérea en puente 28. Los electrodos (zonas marginales) 32 están
formados en una sección superior izquierda y una sección inferior
izquierda del sustrato 10. El LED 1 de la primera fila está
conectado al electrodo 32 en la sección superior izquierda mediante
una línea aérea en puente y el LED 1 situado más a la izquierda de
la segunda fila está conectado al electrodo 32 en la sección
inferior izquierda. La segunda red de LEDs está también organizada
con una configuración en zigzag y presenta dos LEDs 1 en la primera
fila y un LED 1 en la segunda fila. La primera fila de la segunda
red de LEDs está formada entre la primera fila y la segunda fila de
la primera red de LEDs y la segunda fila de la segunda red de LEDs
está formada debajo de la segunda fila de la primera red de LEDs. El
LED 1 situado más a la derecha de la primera fila está conectado en
serie al LED 1 de la segunda fila mediante una línea aérea en puente
28 y los dos LEDs 1 de la primera fila están conectados en serie a
través de una línea aérea en puente 28. El LED 1 situado más a la
izquierda de la primera fila está conectado al electrodo 32 en la
sección superior izquierda mediante una línea aérea en puente 28 y
el LED 1 de la segunda fila está conectado al electrodo 32 en la
sección inferior izquierda a través de una línea aérea en puente 28.
Como se puede observar en la Fig. 9, también en esta configuración,
dos redes de LEDs están conectadas entre los electrodos 32 en
paralelo, de modo que presenten polaridades opuestas. Así pues,
cuando se suministra una fuente eléctrica de corriente alterna, las
dos redes de LEDs emiten luz alternativamente.
La Fig. 10 muestra una configuración en la que
un total de 14 LEDs son dispuestos en una configuración en zigzag y
la Fig. 11 muestra un diagrama de circuito de esta configuración. Se
agrupan 14 LEDs en dos grupos y la red de LEDs presenta 7 LEDs
conectados en serie. Se organiza una primera red de LEDs en una
configuración en zigzag con la primera fila provista de 3 LEDs 1 y
la segunda fila provista de 4 LEDs 1. El LED situado más a la
izquierda de la primera fila y el LED 1 situado más a la izquierda
de la segunda fila están conectados en serie mediante una línea
aérea en puente 28, 3 LEDs de la primera fila están conectados en
serie a través de una línea aérea en puente 28, y 4 LEDs 1 de la
segunda fila están conectados en serie mediante líneas aérea en
puente 28. Los electrodos (zonas marginales) 32 están formados en
una sección superior derecha y una sección inferior derecha del
sustrato 10, el LED 1 situado más a la derecha de la primera fila
está conectado al electrodo 32 en la sección superior derecha a
través de una línea aérea en puente y el LED 1 situado más a la
derecha de la segunda fila está conectado al electrodo 32 en la
sección inferior derecha. Una segunda red de LEDs está asimismo
organizada en una configuración en zigzag con una primera fila
provista de de 4 LEDs 1 y una segunda fila provista de 3 LEDs 1. La
primera fila de la segunda red de LEDs está formada entre la primera
fila y la segunda fila de la primera red de LEDs y la segunda fila
de la segunda red de LEDs está formada debajo de la segunda fila de
la primera red de LEDs. El LED 1 situado más a la izquierda de la
primera fila está conectado en serie con el LED 1 situado más a la
izquierda de la segunda fila a través de una línea aérea en puente
28. 4 LEDs 1 de la primera fila están conectados en serie y 3 LEDs 1
de la segunda fila están conectados en serie. El LED 1 situado más a
la derecha de la primera fila está conectado al electrodo 32 de la
sección superior derecha mediante una línea aérea en puente 28 y el
LED 1 situado más a la derecha de la segunda fila está conectado al
electrodo 32 en la sección inferior derecha mediante una línea aérea
en puente 28. Como puede observarse en la Fig. 11, también en esta
configuración, las dos redes de LEDs están conectadas entre los
electrodos 32 en paralelo, de modo que presenten polaridades
opuestas. Por lo tanto, cuando se suministra una fuente eléctrica de
corriente alterna, las dos redes de LEDs emiten luz
alternativamente.
Son características comunes a las
configuraciones bidimensionales de las Figs. 6, 8 y 10 que los LEDs
1 presenten la misma forma aproximadamente cuadrada y el mismo
tamaño, los dos electrodos (zonas marginales) presentan también una
forma aproximadamente cuadrada y no están formados contiguos uno al
otro (están formados separados entre sí), la configuración es una
combinación de dos redes de LEDs, las dos redes de LEDs están
curvadas y se entrecruzan sobre el chip, las dos redes de LEDs están
conectadas entre electrodos de tal modo que presenten polaridades
opuestas, etc.
La Fig. 12 muestra una configuración en la que
los LEDs que presentan una forma planar de triángulo están
organizados en una configuración bidimensional y la Fig. 13 muestra
un diagrama de circuito de esta configuración. En la Fig. 12, un
total de 6 LEDs 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, y 1f están formados de manera
que presentan una forma planar de triángulo. Los LEDs 1a y 1e están
dispuestos enfrentados entre sí en un lado del triángulo de modo que
los dos LEDs forman un cuadrado aproximadamente y los LEDs 1b y 1f
están dispuestos enfrentados entre sí, de manera que los dos LEDs
forman un cuadrado aproximadamente. El LED 1d y un electrodo 32 se
enfrentan y están conectados entre sí y el LED 1c y un electrodo 32
se enfrentan y están conectados entre sí. De modo similar a los
LEDs, los dos electrodos 32 también presentan una forma planar de
triángulo y están situados de manera que forman aproximadamente un
cuadrado. Las caras opuestas de los LEDs forman un electrodo n 24,
es decir, dos LEDs opuestos comparten el electrodo n 24. Del mismo
modo, el LED y el electrodo 32 está conectados a través del
electrodo n. También en esta disposición, los 6 LEDs están agrupados
en dos grupos de manera similar a las disposiciones anteriormente
descritas. Una primera red de LEDs incluye los LEDs 1a, 1b, y 1c. Un
electrodo p 22 del LED 1a está conectado al electrodo 32 mediante
una línea aérea en puente 28 y un electrodo n 24 del LED 1a está
conectado a un electrodo p 22 del LED 1b mediante una línea aérea en
puente 28. Un electrodo n 24 del LED 1b está conectado a un
electrodo p 22 del LED 1c mediante una línea aérea en puente 28. Un
electrodo n 24 del LED 1c está conectado al electrodo 32. Una
segunda red de LEDs incluye los LEDs 1d, 1e, y 1f. El electrodo 32
está conectado a un electrodo p 22 del LED 1f mediante una línea
aérea en puente 28, un electrodo n 24 del LED 1f está conectado a
un electrodo p 22 del LED 1e a través de una línea aérea en puente
28, un electrodo n 24 del LED 1e está conectado a un electrodo p 22
del LED 1d mediante una línea aérea en puente 28, y un electrodo n
24 del LED 1d está conectado al electrodo 32.
En la Fig. 13 debe destacarse que el electrodo n
del LED 1a, que es una parte de la primera red de LEDs, está
conectado al electrodo n del LED 1e, que es una parte de la segunda
red de LEDs, y el electrodo n del LED 1b, que es una parte de la
primera red de LEDs está conectado al electrodo n del LED 1f, que es
una parte de la segunda red de LEDs. Al compartirse algunos de los
electrones n en las dos rede de LEDs, es posible reducir la cantidad
de cableado de circuito. Además, también en esta configuración las
dos redes de LEDs están conectadas entre los electrodos 32 en
paralelo, de modo que presenten polaridades opuestas. Los LEDs
poseen la misma forma y tamaño, y al colocar los LEDs que deben ser
enfrentados en un lado y dar forma de triángulo al electrodo 32, es
posible formar de modo denso los LEDs y los electrodos con objeto de
reducir el área necesaria del sustrato.
La Fig. 14 muestra otra configuración en la que
los LED con forma planar de triángulo están dispuestos en una
configuración bidimensional y la Fig. 15 muestra un diagrama de
circuito de esta configuración. En esta configuración, un total de
16 LEDs, los LEDs 1a - 1r están formados de modo bidimensional. Los
LEDs 1a y 1j, los LEDs 1b y 1k, los LEDs 1c y 1m, los LEDs 1d y 1n,
los LEDs 1e y 1p, los LEDs 1f y 1q, y los LEDs 1g y 1r se enfrentan
entre sí en un lado del triángulo. Un electrodo n 24 se forma en
común con los LEDs en el lado opuesto. El LED 1i y un electrodo 32
se enfrentan entre sí y el LED 1h y un electrodo 32 se enfrentan
entre sí. Una primera red de LEDs incluye los LEDs 1a, 1b, 1c, 1d,
1e, 1f, 1g, y 1h y una segunda red de LEDs incluye los LEDs 1r, 1q,
1p, 1n, 1m, 1k, 1j, y 1i. Un electrodo n 24 del LED 1b está
conectado a un electrodo p 22 del LED 1c mediante una línea aérea en
puente 28 y un electrodo 24 del LED 1e está conectado a un electrodo
p 22 del LED 1f mediante una línea aérea en puente 28. Un electrodo
n 24 del LED 1q está conectado a un electrodo p 22 del LED 1p
mediante una línea aérea en puente 28 y un electrodo n del LED 1m
está conectado a un electrodo p 22 del LED 1k mediante una línea
aérea en puente 28. También en la Fig. 14, se forma una parte que
cruza similar a la de la Fig. 12, pero pueden evitarse los
cortocircuitos mediante las líneas aéreas en puente 28. Además, en
esta configuración algunos de los electrodos n 24 y las dos redes de
LEDs están formadas como estructuras comunes a fin de reducir la
cantidad de cableados necesarios. Además, también en esta
configuración, las dos redes de LEDs están conectadas entre los
electrodos 32 en paralelo de modo que presenten polaridades opuestas
y el dispositivo pueda funcionar mediante corriente alterna. La Fig.
12 muestra un caso de 6 LEDs y la Fig. 14 muestra un caso de 16
LEDs. También pueden obtenerse disposiciones bidimensionales
similares con diferentes números de LEDs. Los presentes inventores
han creado un dispositivo emisor de luz en el que 38 LEDs son
dispuestos en una configuración bidimensional.
Se han descrito casos de funcionamiento mediante
corriente alterna, pero la estructura puede también funcionar
mediante corriente continua. En este caso, las redes de LEDs no se
conectan entre los electrodos para que presenten polaridades
opuestas, sino que la red de LEDs es conectada en sentido directo a
lo largo de la dirección de polaridad de la fuente eléctrica de
corriente continua. Mediante la conexión de una pluralidad de LEDs
en serie, es posible conseguir una elevada tensión de mando. A
continuación se describirán configuraciones para el funcionamiento
por corriente continua.
La Fig. 16 muestra una configuración que no
forma parte de la presente invención en la que dos LEDs están
conectados en serie y la Fig. 17 muestra un diagrama de circuito de
esta configuración. Todos los LEDs 1 presentan la forma planar de un
rectángulo y una línea aérea en puente 28 se conecta entre dos LEDs.
Un electrodo 32 es formado cerca de cada LED 1 y el electrodo 32 y
el LED 1 forman una región rectangular. En otras palabras, el
electrodo 32 ocupa una parte de la región rectangular y el LED 1 es
formado en la otra parte de la región rectangular.
La Fig. 18 muestra una configuración que no
forma parte de la presente invención en la que 4 LEDs están
dispuestos en una configuración bidimensional y la Fig. 19 muestra
un diagrama de circuito de esta configuración. En esta
configuración, cada uno de los LEDs 1 de la Fig. 16 se divide en dos
LEDs y los dos LEDs están conectados en paralelo. Esta configuración
puede también ser descrita como dos redes de LEDs cada uno de los
cuales se compone de dos LEDs conectados en paralelo en sentido
directo. Los LEDs 1a y 1b forman una red de LEDs y los LEDs 1c y 1d
forman otra red de LEDs. Los LEDs 1a y 1c comparten un electrodo p
22 y un electrodo n 24 y los LEDs 1b y 1d también comparten un
electrodo p 22 y un electrodo n 24. Con esta configuración existe la
ventaja de que la corriente es más uniforme en comparación con la
Fig. 16.
La Fig. 20 muestra un configuración que no forma
parte de la presente invención en la que tres LEDs están dispuestos
en una disposición bidimensional y la Fig. 21 muestra un diagrama de
circuito de esta configuración. Los LEDs 1a, 1b, y 1c no presentan
la misma forma y se forma un electrodo 32 en una parte del LED 1a.
Un electrodo n 24 del LED 1a está conectado a un electrodo p del LED
1b mediante una línea aérea en puente 28 que discurre sobre el LED
1b. A través de la concepción de la forma y la disposición de los
LEDs, incluso con 3 LEDs, la forma externa general del dispositivo
emisor de luz (chip) puede ser aproximadamente cuadrada.
La Fig. 22 muestra una configuración que no
forma parte de la presente invención en la que un total de 6 LEDs
están dispuestos en un configuración bidimensional y la Fig. 23
muestra un diagrama de circuito de esta configuración. Los LEDs 1a -
1f presentan la misma forma y tamaño y están conectados en serie.
Los LEDs 1a - 1c están dispuestos en línea recta y los LEDs 1d - 1f
están dispuestos en otra línea recta. Los LEDs 1c y 1d están
conectados mediante una línea aérea en puente 28. También en esta
configuración, es posible dar al chip una forma aproximadamente
cuadrada.
La Fig. 24 muestra una configuración que no
forma parte de la presente invención en la que un total de 5 LEDs
están dispuestos en una configuración bidimensional y la Fig. 25
muestra un diagrama de circuito de esta configuración. Los LEDs 1a -
1e presentan la misma forma (rectángulo) y tamaño. También en esta
configuración, la forma general puede ser aproximadamente
cuadrada.
Ha sido descrita una realización práctica
preferente de la presente invención. La presente invención no está
limitada a la realización práctica preferente, sino que se pueden
realizar varias modificaciones de la misma. En concreto, la
configuración en la que una pluralidad de diodos emisores de luz
(LEDs) son dispuestos en una configuración bidimensional puede ser
diferente de las configuraciones descritas anteriormente. En este
caso, es preferible compartir electrodos entre dispositivos emisores
de luz contiguos para reducir la cantidad de cableado, formar la
apariencia general cuadrada o rectangular, conectar una pluralidad
de grupos de redes de diodos emisores de luz entre electrodos en
paralelo, disponer la pluralidad de redes de diodos emisores de luz
en polaridades opuestas cuando funcionen por corriente alterna,
combinar la pluralidad de grupos de redes de diodos emisores de luz
curvando las redes de diodos emisores de luz en configuraciones en
zigzag, etc.
Las Figs. 26-31 muestran
configuraciones alternativas que no forman parte de la presente
invención. La Fig. 2 6 muestra una disposición bidimensional en un
ejemplo que emplea excitación por corriente alterna con un total de
40 LEDs. La Fig. 27 es un diagrama de circuito de esta
configuración. La configuración de la Fig. 26 difiere de la de la
Fig. 6 en que algunos de los dos grupos de redes de LEDs comparten
el electrodo n 24 (ver Fig. 5). Por ejemplo, un electrodo n 24 de un
segundo LED de la derecha de la primera fila de la primera red de
LEDs (mostrado en la figura mediante \alpha) es compartido como
electrodo n 24 del LED situado más a la derecha de la primera fila
de la segunda red de LEDs (mostrado en la figura mediante \beta).
Las líneas aéreas en puente 28 en los extremos de las redes de LEDs
(mostradas en la figura mediante \gamma) están formadas
normalmente sin cruzar.
La Fig. 28 muestra una disposición bidimensional
en una configuración que emplea excitación por corriente alterna y
un total de 14 LEDs. La Fig. 29 es un diagrama de circuito de esta
configuración. La configuración de la Fig. 28 difiere de la de la
Fig. 10 en que alguno de los dos grupos de redes de LEDs comparte el
electrodo n 24. Por ejemplo, un electrodo n 24 del LED situado más
al izquierda en una primera fila de una primera red de LEDs
(mostrado en la figura mediante \alpha) es compartido como
electrodo n 24 de un LED situado el segundo por la derecha en una
primera fila de una segunda red de LEDs (mostrado en la figura
mediante \beta). Normalmente se forman líneas aéreas en puente 28
en los extremos (mostradas en la figura mediante \gamma).
La Fig. 30 muestra una disposición bidimensional
en una configuración que emplea excitación por corriente alterna y
un total de 6 LEDs. La Fig. 31 es un diagrama de circuito de dicha
configuración. También en esta configuración, se forman normalmente
líneas aéreas en puente 28 en los extremos (parte \gamma). Puede
contemplarse que también en esta configuración sean compartidos un
electrodo n 24 en la primera red de LEDs y un electrodo n 24 de la
segunda red de LEDs.
Claims (8)
1. Un dispositivo emisor de luz que comprende
una pluralidad de diodos emisores de luz con base GaN (1) formados
monolíticamente en una configuración bidimensional provista de un
número par de filas sobre un sustrato aislante (10), en el que la
pluralidad de diodos emisores de luz (1) forma dos grupos provistos
de igual número de diodos emisores de luz (1), en el que dentro de
cada uno de los dos grupos los diodos emisores de luz (1) están
conectados eléctricamente en serie para formar una red de diodos
emisores de luz y las dos redes de diodos emisores de luz están
eléctricamente conectadas en paralelo entre dos electrodos (32) de
modo que las dos redes de diodos emisores de luz presenten polaridad
opuesta, caracterizado por que
las dos redes de diodos emisores de luz están
colocadas en una configuración bidimensional en zigzag situando los
diodos emisores de luz (1) dentro de cada una de las dos redes de
diodos emisores de luz en una línea curvada en zigzag de filas y
situando alternativamente las dos redes de diodos emisores de luz de
manera que las dos redes de diodos emisores de luz presenten filas
formadas entre las filas de la otra red de diodos emisores de
luz.
2. El dispositivo emisor de luz según la
reivindicación 1, en el que la pluralidad de diodos emisores de luz
(1) están conectados mediante líneas aéreas en puente (28).
3. El dispositivo emisor de luz según la
reivindicación 1, en el que la pluralidad de diodos emisores de luz
(1) están separados eléctricamente por zafiro, el cual es usado como
sustrato (10).
4. El dispositivo emisor de luz según la
reivindicación 1, en el que cada unos de los diodos emisores de luz
(1) y los electrodos (32) presentan una forma sustancialmente planar
cuadrada.
5. El dispositivo emisor de luz según la
reivindicación 1, en el que cada uno de los diodos emisores de luz
(1) y los electrodos (32) presentan una forma planar triangular.
6. El dispositivo emisor de luz según la
reivindicación 1, en el que una forma general de la pluralidad de
diodos emisores de luz (1) y de los electrodos (32) es
sustancialmente cuadrada.
7. El dispositivo emisor de luz según la
reivindicación 1, en el que los dos electrodos (32) son electrodos
de suministro eléctrico por corriente alterna.
8. El dispositivo emisor de luz según la
reivindicación 1, en el que al menos dos diodos de diferentes grupos
de redes de diodos emisores de luz presentan un electrodo común de
tipo n (24).
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|---|---|
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Families Citing this family (253)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697803B1 (ko) * | 2002-08-29 | 2007-03-20 | 시로 사카이 | 복수의 발광 소자를 갖는 발광 장치 |
| US6957899B2 (en) * | 2002-10-24 | 2005-10-25 | Hongxing Jiang | Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting |
| US7213942B2 (en) * | 2002-10-24 | 2007-05-08 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting |
| US7005679B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
| US7675075B2 (en) | 2003-08-28 | 2010-03-09 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
| US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
| TW200529464A (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-01 | Super Nova Optoelectronics Corp | Gallium nitride based light-emitting diode structure and manufacturing method thereof |
| EP2733744A1 (en) * | 2004-06-30 | 2014-05-21 | Seoul Viosys Co., Ltd | Light emitting element comprising a plurality of vertical-type LEDs connected in series on the same carrier substrate |
| TW200501464A (en) * | 2004-08-31 | 2005-01-01 | Ind Tech Res Inst | LED chip structure with AC loop |
| JP3802910B2 (ja) | 2004-09-13 | 2006-08-02 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
| KR101216938B1 (ko) | 2004-10-28 | 2012-12-31 | 서울반도체 주식회사 | 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를이용한 발광 장치 |
| US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| JP4995722B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2012-08-08 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置、照明モジュール、および照明装置 |
| KR101274041B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2013-06-12 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
| US7221044B2 (en) | 2005-01-21 | 2007-05-22 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter |
| US7525248B1 (en) | 2005-01-26 | 2009-04-28 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diode lamp |
| KR101138944B1 (ko) | 2005-01-26 | 2012-04-25 | 서울옵토디바이스주식회사 | 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및그것을 제조하는 방법 |
| US7535028B2 (en) * | 2005-02-03 | 2009-05-19 | Ac Led Lighting, L.Lc. | Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp |
| KR101121726B1 (ko) | 2005-02-03 | 2012-03-23 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
| KR101138946B1 (ko) * | 2005-02-04 | 2012-04-25 | 서울옵토디바이스주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는방법 |
| WO2006083065A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a plurality of light emitting cells and method of fabricating the same |
| DE102005009060A1 (de) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern |
| DE102005055997A1 (de) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Hieke, Bernhard | Homogene Lichtquelle |
| US8704241B2 (en) | 2005-05-13 | 2014-04-22 | Epistar Corporation | Light-emitting systems |
| TW200640045A (en) * | 2005-05-13 | 2006-11-16 | Ind Tech Res Inst | Alternating current light-emitting device |
| US7474681B2 (en) * | 2005-05-13 | 2009-01-06 | Industrial Technology Research Institute | Alternating current light-emitting device |
| US8272757B1 (en) | 2005-06-03 | 2012-09-25 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation |
| KR100691497B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2007-03-09 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| WO2006137711A1 (en) | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Seoul Opto-Device Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8896216B2 (en) | 2005-06-28 | 2014-11-25 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Illumination system |
| EP1905102B1 (en) | 2005-06-28 | 2018-08-29 | Seoul Viosys Co., Ltd | Light emitting device for ac power operation |
| KR100599012B1 (ko) | 2005-06-29 | 2006-07-12 | 서울옵토디바이스주식회사 | 열전도성 기판을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법 |
| KR100616415B1 (ko) * | 2005-08-08 | 2006-08-29 | 서울옵토디바이스주식회사 | 교류형 발광소자 |
| US8901575B2 (en) | 2005-08-09 | 2014-12-02 | Seoul Viosys Co., Ltd. | AC light emitting diode and method for fabricating the same |
| KR101156452B1 (ko) * | 2005-08-25 | 2012-06-13 | 서울옵토디바이스주식회사 | 다수의 셀이 결합된 발광 소자 |
| CN100413071C (zh) * | 2005-09-21 | 2008-08-20 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 使用交流电源的发光二极管灯及其制造方法 |
| KR101158071B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2012-06-22 | 서울옵토디바이스주식회사 | 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| EP1935038B1 (en) * | 2005-09-30 | 2017-07-26 | Seoul Viosys Co., Ltd | Light emitting device having vertically stacked light emitting diodes |
| KR100721454B1 (ko) | 2005-11-10 | 2007-05-23 | 서울옵토디바이스주식회사 | 광 결정 구조체를 갖는 교류용 발광소자 및 그것을제조하는 방법 |
| US7948770B2 (en) * | 2005-12-09 | 2011-05-24 | Industrial Technology Research Institute | AC—LED system in single chip with three metal contacts |
| KR101158073B1 (ko) * | 2005-12-13 | 2012-06-22 | 서울옵토디바이스주식회사 | 다수개의 발광 셀이 어레이된 발광 소자 |
| TWI331406B (en) * | 2005-12-14 | 2010-10-01 | Advanced Optoelectronic Tech | Single chip with multi-led |
| KR101055772B1 (ko) | 2005-12-15 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | 발광장치 |
| KR100652864B1 (ko) * | 2005-12-16 | 2006-12-04 | 서울옵토디바이스주식회사 | 개선된 투명전극 구조체를 갖는 교류용 발광 다이오드 |
| EP1969633B1 (en) | 2005-12-22 | 2018-08-29 | Cree, Inc. | Lighting device |
| JP4861437B2 (ja) | 2006-01-09 | 2012-01-25 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | Ito層を有する発光ダイオード及びその製造方法 |
| KR100659373B1 (ko) | 2006-02-09 | 2006-12-19 | 서울옵토디바이스주식회사 | 패터닝된 발광다이오드용 기판 및 그것을 채택하는 발광다이오드 |
| JP2007281081A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| US8969908B2 (en) | 2006-04-04 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Uniform emission LED package |
| US8998444B2 (en) * | 2006-04-18 | 2015-04-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
| US7821194B2 (en) | 2006-04-18 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
| US9335006B2 (en) | 2006-04-18 | 2016-05-10 | Cree, Inc. | Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED |
| CN101128075B (zh) * | 2006-08-18 | 2011-01-26 | 财团法人工业技术研究院 | 发光装置 |
| KR100765240B1 (ko) | 2006-09-30 | 2007-10-09 | 서울옵토디바이스주식회사 | 서로 다른 크기의 발광셀을 가지는 발광 다이오드 패키지및 이를 채용한 발광 소자 |
| US7714348B2 (en) * | 2006-10-06 | 2010-05-11 | Ac-Led Lighting, L.L.C. | AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism |
| US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
| US7897980B2 (en) * | 2006-11-09 | 2011-03-01 | Cree, Inc. | Expandable LED array interconnect |
| KR100898585B1 (ko) * | 2006-11-16 | 2009-05-20 | 서울반도체 주식회사 | 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100803162B1 (ko) | 2006-11-20 | 2008-02-14 | 서울옵토디바이스주식회사 | 교류용 발광소자 |
| WO2008062942A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device for ac operation |
| WO2008075797A1 (en) | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having isolating insulative layer for isolating light emitting cells from each other and method of fabricating the same |
| US8598775B2 (en) | 2006-12-26 | 2013-12-03 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device |
| WO2008091837A2 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Fault tolerant light emitters, systems incorporating fault tolerant light emitters and methods of fabricating fault tolerant light emitters |
| EP3848970A1 (en) | 2007-01-22 | 2021-07-14 | Cree, Inc. | Multiple light emitting diode emitter |
| US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US20080198572A1 (en) | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Medendorp Nicholas W | LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors |
| KR20110110867A (ko) | 2007-03-13 | 2011-10-07 | 서울옵토디바이스주식회사 | 교류용 발광 다이오드 |
| JP4753904B2 (ja) | 2007-03-15 | 2011-08-24 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| KR100974923B1 (ko) | 2007-03-19 | 2010-08-10 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
| JP4474441B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2010-06-02 | 株式会社沖データ | 発光パネル、表示装置及び光源装置 |
| US7863635B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-01-04 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials |
| KR100889956B1 (ko) * | 2007-09-27 | 2009-03-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 교류용 발광다이오드 |
| TWI369777B (en) * | 2007-10-04 | 2012-08-01 | Young Lighting Technology Corp | Surface light source of backlight module in a flat panel display |
| CN101409318B (zh) * | 2007-10-12 | 2010-06-09 | 台达电子工业股份有限公司 | 发光二极管芯片的制造方法 |
| KR100928259B1 (ko) | 2007-10-15 | 2009-11-24 | 엘지전자 주식회사 | 발광 장치 및 그 제조방법 |
| KR101423723B1 (ko) | 2007-10-29 | 2014-08-04 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
| RU2369942C1 (ru) * | 2008-02-21 | 2009-10-10 | Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд. | Светоизлучающий прибор на основе нитридного полупроводника |
| US8637883B2 (en) | 2008-03-19 | 2014-01-28 | Cree, Inc. | Low index spacer layer in LED devices |
| US8350461B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-01-08 | Cree, Inc. | Apparatus and methods for combining light emitters |
| CN101960205B (zh) | 2008-03-28 | 2012-07-25 | 夏普株式会社 | 背光源单元和液晶显示装置 |
| US8461613B2 (en) | 2008-05-27 | 2013-06-11 | Interlight Optotech Corporation | Light emitting device |
| KR101495071B1 (ko) * | 2008-06-24 | 2015-02-25 | 삼성전자 주식회사 | 서브 마운트 및 이를 이용한 발광 장치, 상기 서브마운트의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치의 제조 방법 |
| KR100956224B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2010-05-04 | 삼성엘이디 주식회사 | Led 구동회로 및 led 어레이 장치 |
| KR101025972B1 (ko) | 2008-06-30 | 2011-03-30 | 삼성엘이디 주식회사 | 교류 구동 발광 장치 |
| US8058669B2 (en) | 2008-08-28 | 2011-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light-emitting diode integration scheme |
| JP5123269B2 (ja) | 2008-09-30 | 2013-01-23 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 発光素子及びその製造方法 |
| WO2010044129A1 (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | 国立大学法人北海道大学 | 半導体発光素子アレー、およびその製造方法 |
| WO2010050694A2 (ko) * | 2008-10-29 | 2010-05-06 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR20100076083A (ko) | 2008-12-17 | 2010-07-06 | 서울반도체 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
| KR101017395B1 (ko) | 2008-12-24 | 2011-02-28 | 서울옵토디바이스주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
| KR101533817B1 (ko) | 2008-12-31 | 2015-07-09 | 서울바이오시스 주식회사 | 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
| KR101557362B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2015-10-08 | 서울바이오시스 주식회사 | 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
| KR20100095666A (ko) | 2009-02-12 | 2010-09-01 | 서울반도체 주식회사 | 고전압 구동용 발광 다이오드 칩 및 그것을 갖는 발광 다이오드 패키지 |
| US7967652B2 (en) | 2009-02-19 | 2011-06-28 | Cree, Inc. | Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices |
| US8333631B2 (en) * | 2009-02-19 | 2012-12-18 | Cree, Inc. | Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices |
| US7982409B2 (en) | 2009-02-26 | 2011-07-19 | Bridgelux, Inc. | Light sources utilizing segmented LEDs to compensate for manufacturing variations in the light output of individual segmented LEDs |
| JP5283539B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2013-09-04 | シャープ株式会社 | 発光装置、発光装置ユニット、および発光装置製造方法 |
| US8106403B2 (en) * | 2009-03-04 | 2012-01-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | III-nitride light emitting device incorporation boron |
| KR20100107165A (ko) * | 2009-03-25 | 2010-10-05 | 삼성전기주식회사 | Led 조명장치 |
| WO2010114250A2 (en) | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same |
| TWI470824B (zh) * | 2009-04-09 | 2015-01-21 | 廣鎵光電股份有限公司 | 電極結構及其發光元件 |
| US8921876B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-12-30 | Cree, Inc. | Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements |
| EP2445018B1 (en) * | 2009-06-15 | 2016-05-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device, light-emitting module, and illumination device |
| US8558249B1 (en) | 2009-06-30 | 2013-10-15 | Applied Lighting Solutions, LLC | Rectifier structures for AC LED systems |
| US7936135B2 (en) * | 2009-07-17 | 2011-05-03 | Bridgelux, Inc | Reconfigurable LED array and use in lighting system |
| US20110037054A1 (en) * | 2009-08-17 | 2011-02-17 | Chan-Long Shieh | Amoled with cascaded oled structures |
| US8324837B2 (en) * | 2009-08-18 | 2012-12-04 | Hung Lin | Parallel light-emitting circuit of parallel LED light-emitting device and circuit board thereof |
| US20110049468A1 (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Panasonic Corporation | Led and led display and illumination devices |
| US8354680B2 (en) * | 2009-09-15 | 2013-01-15 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | AC light emitting diode having full-wave light emitting cell and half-wave light emitting cell |
| RU2573640C2 (ru) * | 2009-09-17 | 2016-01-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Модуль источника света и светоизлучающее устройство |
| WO2011037877A1 (en) | 2009-09-25 | 2011-03-31 | Cree, Inc. | Lighting device with low glare and high light level uniformity |
| KR20110041401A (ko) * | 2009-10-15 | 2011-04-21 | 샤프 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| US8872214B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-10-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Rod-like light-emitting device, method of manufacturing rod-like light-emitting device, backlight, illuminating device, and display device |
| US9324691B2 (en) | 2009-10-20 | 2016-04-26 | Epistar Corporation | Optoelectronic device |
| US9435493B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
| DE102009051129A1 (de) * | 2009-10-28 | 2011-06-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| US8557616B2 (en) * | 2009-12-09 | 2013-10-15 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Method for manufacturing a monolithic LED micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology and display apparatus having the monolithic LED micro-display |
| US9236532B2 (en) | 2009-12-14 | 2016-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| US8511851B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | High CRI adjustable color temperature lighting devices |
| KR101106151B1 (ko) | 2009-12-31 | 2012-01-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
| CN103474446B (zh) * | 2010-01-15 | 2017-03-01 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管阵列结构及其制造方法 |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
| KR101601624B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2016-03-09 | 삼성전자주식회사 | 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치 |
| US9275979B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation |
| WO2011115361A2 (ko) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | 서울옵토디바이스주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 장치 |
| KR101649267B1 (ko) | 2010-04-30 | 2016-08-18 | 서울바이오시스 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 |
| RU2426200C1 (ru) * | 2010-03-15 | 2011-08-10 | Вячеслав Николаевич Козубов | Способ формирования и проверки светодиодных матриц |
| US8084775B2 (en) * | 2010-03-16 | 2011-12-27 | Bridgelux, Inc. | Light sources with serially connected LED segments including current blocking diodes |
| JP2011199221A (ja) | 2010-03-24 | 2011-10-06 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード |
| CN102214771A (zh) * | 2010-04-02 | 2011-10-12 | 菱生精密工业股份有限公司 | 导线架型式的预铸模成型多芯片承载模组 |
| CN102859726B (zh) | 2010-04-06 | 2015-09-16 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| JP5522462B2 (ja) | 2010-04-20 | 2014-06-18 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
| CN102270626B (zh) * | 2010-06-01 | 2013-12-25 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 多晶封装发光二极管 |
| US8684559B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | Solid state light source emitting warm light with high CRI |
| KR20130136906A (ko) | 2010-06-18 | 2013-12-13 | 글로 에이비 | 나노와이어 led 구조와 이를 제조하기 위한 방법 |
| TWI466284B (zh) * | 2010-07-02 | 2014-12-21 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件 |
| CN102340904B (zh) | 2010-07-14 | 2015-06-17 | 通用电气公司 | 发光二极管驱动装置及其驱动方法 |
| TWI557875B (zh) * | 2010-07-19 | 2016-11-11 | 晶元光電股份有限公司 | 多維度發光裝置 |
| TWI451596B (zh) * | 2010-07-20 | 2014-09-01 | Epistar Corp | 一種陣列式發光元件 |
| JP2012028749A (ja) | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
| KR101142539B1 (ko) * | 2010-08-18 | 2012-05-08 | 한국전기연구원 | 역방향 직렬접속된 발광셀 어레이가 구비된 교류용 발광다이오드 칩 구조 |
| CN101982883A (zh) * | 2010-09-01 | 2011-03-02 | 晶科电子(广州)有限公司 | 一种由倒装发光单元阵列组成的发光器件及其制造方法 |
| US9035329B2 (en) * | 2010-09-13 | 2015-05-19 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
| KR101142965B1 (ko) | 2010-09-24 | 2012-05-08 | 서울반도체 주식회사 | 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법 |
| TWI472058B (zh) * | 2010-10-13 | 2015-02-01 | 英特明光能股份有限公司 | 發光二極體裝置 |
| TWI420959B (zh) * | 2010-10-20 | 2013-12-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體模組 |
| TW201233944A (en) * | 2010-11-11 | 2012-08-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | A LED assembly |
| US8556469B2 (en) | 2010-12-06 | 2013-10-15 | Cree, Inc. | High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires |
| RU2446511C1 (ru) * | 2010-12-08 | 2012-03-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" (ООО НКТ) | Полупроводниковый прибор |
| KR20120070278A (ko) * | 2010-12-21 | 2012-06-29 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광모듈 및 발광모듈 제조방법 |
| US8921846B2 (en) * | 2011-01-07 | 2014-12-30 | Kaneka Corporation | Organic EL device and method for producing organic EL device |
| US9516713B2 (en) * | 2011-01-25 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8962443B2 (en) * | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| US9786811B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-10-10 | Cree, Inc. | Tilted emission LED array |
| KR101104767B1 (ko) * | 2011-02-09 | 2012-01-12 | (주)세미머티리얼즈 | 발광 장치 |
| US11251164B2 (en) | 2011-02-16 | 2022-02-15 | Creeled, Inc. | Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting |
| US9401692B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-07-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator having collar structure |
| US9490418B2 (en) | 2011-03-29 | 2016-11-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar and acoustic reflector with temperature compensating layer |
| US9490771B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-11-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising collar and frame |
| DE102011015821B4 (de) | 2011-04-01 | 2023-04-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| KR101216937B1 (ko) | 2011-04-07 | 2012-12-31 | 서울반도체 주식회사 | 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치 |
| US20120269520A1 (en) * | 2011-04-19 | 2012-10-25 | Hong Steve M | Lighting apparatuses and led modules for both illumation and optical communication |
| DE102011102032A1 (de) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleitermodul und Display mit einer Mehrzahl derartiger Module |
| US20120306390A1 (en) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Architecture for Supporting Modulized Full Operation Junction Ultra High Voltage (UHV) Light Emitting Diode (LED) Device |
| USD700584S1 (en) | 2011-07-06 | 2014-03-04 | Cree, Inc. | LED component |
| US10842016B2 (en) | 2011-07-06 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management |
| CN102255012B (zh) * | 2011-07-15 | 2013-03-20 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种高压直流发光二极管芯片制造方法及其结构 |
| RU2465683C1 (ru) * | 2011-08-09 | 2012-10-27 | Вячеслав Николаевич Козубов | Способ формирования светоизлучающих матриц |
| JP5403832B2 (ja) * | 2011-08-29 | 2014-01-29 | 星和電機株式会社 | 発光装置 |
| US20130175516A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-07-11 | The Procter & Gamble Company | Light emitting apparatus |
| KR101220426B1 (ko) | 2011-09-19 | 2013-02-05 | 서울옵토디바이스주식회사 | 복수의 발광 셀을 구비하는 발광 소자 |
| US8350251B1 (en) | 2011-09-26 | 2013-01-08 | Glo Ab | Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same |
| EP2763192B1 (en) * | 2011-09-30 | 2019-12-25 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Nitride semiconductor element and method for producing same |
| RU2474920C1 (ru) * | 2011-11-14 | 2013-02-10 | Вячеслав Николаевич Козубов | Способ формирования светоизлучающих матриц |
| TWI427760B (zh) * | 2011-11-17 | 2014-02-21 | 海立爾股份有限公司 | 高壓交流發光二極體結構 |
| US9144121B2 (en) | 2011-11-20 | 2015-09-22 | Jacobo Frias, SR. | Reconfigurable LED arrays and lighting fixtures |
| US20120087130A1 (en) * | 2011-11-20 | 2012-04-12 | Foxsemicon Integrated Technology, Inc. | Alternating current led illumination apparatus |
| GB2496851A (en) | 2011-11-21 | 2013-05-29 | Photonstar Led Ltd | Led light source with passive chromaticity tuning |
| CN104269424B (zh) * | 2011-11-23 | 2017-01-18 | 俞国宏 | 一种集成电阻的发光二极管芯片 |
| DE102012024599B4 (de) | 2011-12-20 | 2020-07-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung mit optisch transparenten und funktionalen Bauelementen |
| KR101634369B1 (ko) | 2011-12-27 | 2016-06-28 | 서울바이오시스 주식회사 | 복수개의 발광셀들을 갖는 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법 |
| CN103200728B (zh) | 2012-01-10 | 2015-02-04 | 四川新力光源股份有限公司 | 交流电直接恒流驱动的白光led发光装置 |
| EP2626901A1 (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-14 | Oki Data Corporation | Semiconductor light emitting apparatus, image displaying apparatus, mobile terminal, head-up display apparatus, image projector, head-mounted display apparatus, and image forming apparatus |
| KR101202175B1 (ko) | 2012-03-26 | 2012-11-15 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
| RU2492550C1 (ru) * | 2012-05-22 | 2013-09-10 | Вячеслав Николаевич Козубов | Способ формирования светоизлучающих матриц |
| JP5939055B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2016-06-22 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8974077B2 (en) | 2012-07-30 | 2015-03-10 | Ultravision Technologies, Llc | Heat sink for LED light source |
| US10388690B2 (en) | 2012-08-07 | 2019-08-20 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Wafer level light-emitting diode array |
| WO2014031655A1 (en) * | 2012-08-20 | 2014-02-27 | Frattalone John | Modular video and lighting displays |
| US9171826B2 (en) | 2012-09-04 | 2015-10-27 | Micron Technology, Inc. | High voltage solid-state transducers and solid-state transducer arrays having electrical cross-connections and associated systems and methods |
| CN109638032B (zh) * | 2012-09-07 | 2023-10-27 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管阵列 |
| US9076950B2 (en) | 2012-09-14 | 2015-07-07 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | High voltage LED with improved heat dissipation and light extraction |
| CN103681644B (zh) * | 2012-09-14 | 2016-08-17 | 晶元光电股份有限公司 | 具有改进的热耗散和光提取的高压led |
| JP6068073B2 (ja) * | 2012-09-18 | 2017-01-25 | スタンレー電気株式会社 | Ledアレイ |
| CN102903813B (zh) * | 2012-09-29 | 2014-04-02 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 | 集成图形阵列高压led器件的制备方法 |
| US9385684B2 (en) | 2012-10-23 | 2016-07-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator having guard ring |
| KR20140059985A (ko) * | 2012-11-09 | 2014-05-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| US8558254B1 (en) * | 2012-11-29 | 2013-10-15 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited | High reliability high voltage vertical LED arrays |
| CN104885236B (zh) | 2012-12-21 | 2017-12-19 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管 |
| KR102071035B1 (ko) | 2012-12-21 | 2020-01-29 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
| US9356212B2 (en) | 2012-12-21 | 2016-05-31 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabricating the same |
| US20150353684A1 (en) * | 2013-01-11 | 2015-12-10 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Highly soluble tris- (2, 3-epoxypropyl)- isocyanurate and method for producing same |
| CN103148381A (zh) * | 2013-01-24 | 2013-06-12 | 左洪波 | 一种led灯封装结构 |
| TW201431138A (zh) * | 2013-01-25 | 2014-08-01 | zhong-lin Wang | 免封裝製程且免電路板式發光二極體裝置及其製造方法 |
| JP6176032B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2017-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| RU2514055C1 (ru) * | 2013-02-05 | 2014-04-27 | Вячеслав Николаевич Козубов | Способ размещения и соединения светоизлучающих элементов в гирляндах, размещаемых в монолитных светоизлучающих матрицах |
| TWI610416B (zh) * | 2013-02-15 | 2018-01-01 | 首爾偉傲世有限公司 | 抗靜電放電的led晶片以及包含該led晶片的led封裝 |
| US20140231852A1 (en) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Led chip resistant to electrostatic discharge and led package including the same |
| KR102006389B1 (ko) | 2013-03-14 | 2019-08-02 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 및 발광 장치 |
| CN103256574B (zh) * | 2013-04-18 | 2015-02-04 | 李宪坤 | 一种led灯具智能布线方法及系统 |
| CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
| US9583689B2 (en) * | 2013-07-12 | 2017-02-28 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | LED package |
| TWI513068B (zh) * | 2013-07-12 | 2015-12-11 | Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd | 發光二極體結構、發光二極體結構的金屬支架、及承載座模組 |
| CN104282823A (zh) * | 2013-07-12 | 2015-01-14 | 光宝科技股份有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| DE102014011893B4 (de) | 2013-08-16 | 2020-10-01 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Leuchtdiode |
| CN104425539A (zh) * | 2013-09-05 | 2015-03-18 | 亚世达科技股份有限公司 | 发光二极管单元及发光装置 |
| US9117733B2 (en) * | 2013-10-18 | 2015-08-25 | Posco Led Company Ltd. | Light emitting module and lighting apparatus having the same |
| EP2881982B1 (en) * | 2013-12-05 | 2019-09-04 | IMEC vzw | Method for fabricating cmos compatible contact layers in semiconductor devices |
| KR102122359B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2020-06-12 | 삼성전자주식회사 | 발광장치 제조방법 |
| US9660064B2 (en) * | 2013-12-26 | 2017-05-23 | Intel Corporation | Low sheet resistance GaN channel on Si substrates using InAlN and AlGaN bi-layer capping stack |
| TWI614920B (zh) | 2014-05-19 | 2018-02-11 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
| US9577171B2 (en) * | 2014-06-03 | 2017-02-21 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device package having improved heat dissipation efficiency |
| TWI556478B (zh) * | 2014-06-30 | 2016-11-01 | 億光電子工業股份有限公司 | 發光二極體裝置 |
| CN107078096B (zh) * | 2014-09-22 | 2020-10-02 | 株式会社村田制作所 | 半导体装置 |
| KR102231646B1 (ko) | 2014-10-17 | 2021-03-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| AT516416B1 (de) * | 2014-10-21 | 2019-12-15 | Zkw Group Gmbh | Leiterplatte mit einer Mehrzahl von an der Leiterplatte in zumindest einer Gruppe angeordneter elektronischer Bauteile |
| KR101651923B1 (ko) | 2014-12-31 | 2016-08-29 | 최운용 | 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법 |
| CN110061027B (zh) * | 2015-02-13 | 2024-01-19 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光元件 |
| KR102268107B1 (ko) * | 2015-02-26 | 2021-06-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| CN104992938A (zh) * | 2015-07-20 | 2015-10-21 | 深圳市君和光电子有限公司 | 一种倒装集成led光源 |
| DE102015114010A1 (de) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelements |
| WO2017087116A1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-05-26 | Koninklijke Philips N.V. | Die bond pad design to enable different electrical configurations |
| KR101731058B1 (ko) | 2016-02-11 | 2017-05-11 | 서울바이오시스 주식회사 | 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법 |
| KR20160082491A (ko) | 2016-02-11 | 2016-07-08 | 최운용 | 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법 |
| KR101845907B1 (ko) * | 2016-02-26 | 2018-04-06 | 피에스아이 주식회사 | 초소형 led 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 |
| CN105789400B (zh) * | 2016-03-14 | 2018-08-14 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 一种并联结构的led芯片及其制造方法 |
| CN205944139U (zh) | 2016-03-30 | 2017-02-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块 |
| US20190237027A1 (en) * | 2016-05-04 | 2019-08-01 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Color temperature adjustment device and mthod of liquid crystal panel and liquid crystal panel |
| DE102016109951A1 (de) * | 2016-05-31 | 2017-11-30 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | Lichterzeugungsvorrichtung für eine Kopf-oben-Anzeige eines Kraftfahrzeugs |
| JP6447580B2 (ja) | 2016-06-15 | 2019-01-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN109936890B (zh) | 2017-12-18 | 2022-03-15 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
| KR102777054B1 (ko) * | 2019-07-04 | 2025-03-11 | 서울반도체 주식회사 | 직병렬 연결된 복수의 발광 다이오드 칩을 갖는 발광 모듈 |
| TWI830759B (zh) * | 2019-07-31 | 2024-02-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體元件及其製造方法 |
| JP7014973B2 (ja) | 2019-08-28 | 2022-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US11538849B2 (en) | 2020-05-28 | 2022-12-27 | X Display Company Technology Limited | Multi-LED structures with reduced circuitry |
| KR20220018122A (ko) * | 2020-08-05 | 2022-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 타일형 표시 장치 |
| KR102447407B1 (ko) | 2020-11-12 | 2022-09-27 | 주식회사 에스엘바이오닉스 | 반도체 발광소자 |
| CN115000261B (zh) * | 2020-11-16 | 2025-02-18 | 厦门三安光电有限公司 | Led芯片、led芯片封装模组和显示装置 |
| US20230007967A1 (en) * | 2021-07-12 | 2023-01-12 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode device |
| DE102021130804A1 (de) * | 2021-11-24 | 2023-05-25 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtfolie, anzeigelement und verfahren zum betreiben einer leuchtfolie |
Family Cites Families (99)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5829361Y2 (ja) * | 1976-09-13 | 1983-06-28 | シャープ株式会社 | 加熱調理装置のタ−ンテ−ブル |
| JPS54102886A (en) | 1978-01-31 | 1979-08-13 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Light emitting diode indicator |
| JPS556687A (en) | 1978-06-29 | 1980-01-18 | Handotai Kenkyu Shinkokai | Traffic use display |
| JPS5517180A (en) * | 1978-07-24 | 1980-02-06 | Handotai Kenkyu Shinkokai | Light emitting diode display |
| US4242281A (en) * | 1978-11-17 | 1980-12-30 | International Flavors & Fragrances Inc. | Process for preparing 6-hydroxy-2,6-dimethylheptanal and intermediates thereof |
| JPS60960B2 (ja) * | 1979-12-17 | 1985-01-11 | 松下電器産業株式会社 | 窒化ガリウム発光素子アレイの製造方法 |
| JPS5714058A (en) * | 1980-06-28 | 1982-01-25 | Ricoh Co Ltd | Printer |
| JPS59206873A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-22 | 株式会社東芝 | 発光表示装置 |
| US4589745A (en) | 1985-01-25 | 1986-05-20 | Polaroid Corporation | Geometric LED layout for line exposure |
| JPH0716001B2 (ja) | 1986-05-21 | 1995-02-22 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| JPH0783053B2 (ja) | 1987-06-19 | 1995-09-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US5187377A (en) * | 1988-07-15 | 1993-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | LED array for emitting light of multiple wavelengths |
| US4943539A (en) | 1989-05-09 | 1990-07-24 | Motorola, Inc. | Process for making a multilayer metallization structure |
| JPH03229426A (ja) | 1989-11-29 | 1991-10-11 | Texas Instr Inc <Ti> | 集積回路及びその製造方法 |
| JPH0423154A (ja) | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Hitachi Ltd | 端末制御方法 |
| JPH0423154U (es) | 1990-06-14 | 1992-02-26 | ||
| JP2759117B2 (ja) | 1990-11-28 | 1998-05-28 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光材料処理装置 |
| JPH04365382A (ja) | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその駆動方法 |
| JPH06104273A (ja) | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US5298853A (en) * | 1992-12-18 | 1994-03-29 | Lubos Ryba | Electrical apparatus for detecting relationships in three phase AC networks |
| US5376580A (en) * | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
| JPH0786691A (ja) | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Sony Corp | 発光装置 |
| US5463280A (en) * | 1994-03-03 | 1995-10-31 | National Service Industries, Inc. | Light emitting diode retrofit lamp |
| JPH07272849A (ja) | 1994-03-31 | 1995-10-20 | Nippondenso Co Ltd | 薄膜el表示器とその製造方法 |
| JPH0856018A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子、および半導体発光素子の製造方法 |
| US5693963A (en) * | 1994-09-19 | 1997-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compound semiconductor device with nitride |
| JPH08111562A (ja) | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | アレイ型半導体レーザ装置,及びその製造方法 |
| US5608234A (en) | 1994-11-14 | 1997-03-04 | The Whitaker Corporation | Semi-insulating edge emitting light emitting diode |
| US5936599A (en) * | 1995-01-27 | 1999-08-10 | Reymond; Welles | AC powered light emitting diode array circuits for use in traffic signal displays |
| US5585648A (en) * | 1995-02-03 | 1996-12-17 | Tischler; Michael A. | High brightness electroluminescent device, emitting in the green to ultraviolet spectrum, and method of making the same |
| JP3905935B2 (ja) * | 1995-09-01 | 2007-04-18 | 株式会社東芝 | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
| EP0852817A1 (en) | 1995-09-25 | 1998-07-15 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Surface light-emitting element and self-scanning type light-emitting device |
| US5583349A (en) | 1995-11-02 | 1996-12-10 | Motorola | Full color light emitting diode display |
| JPH09153644A (ja) | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物半導体表示装置 |
| JP2768343B2 (ja) * | 1996-02-14 | 1998-06-25 | 日本電気株式会社 | 窒化iii族化合物半導体の結晶成長方法 |
| KR100190080B1 (ko) * | 1996-08-20 | 1999-06-01 | 윤종용 | 반도체 메모리 장치의 메모리 셀 테스트용 고전압 감지 회로 |
| JPH10107316A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物半導体発光素子 |
| US5977612A (en) * | 1996-12-20 | 1999-11-02 | Xerox Corporation | Semiconductor devices constructed from crystallites |
| EP0921577A4 (en) | 1997-01-31 | 2007-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | LIGHT-EMITTING COMPONENT; SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| JPH10261818A (ja) | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Fujitsu Ltd | 発光半導体装置 |
| JP3934730B2 (ja) | 1997-03-28 | 2007-06-20 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| US5986324A (en) * | 1997-04-11 | 1999-11-16 | Raytheon Company | Heterojunction bipolar transistor |
| EP0881686A3 (en) | 1997-05-28 | 2000-04-19 | Oki Data Corporation | LED array and LED printer head |
| RU2142176C1 (ru) * | 1997-06-10 | 1999-11-27 | Карпович Нина Васильевна | Источник света |
| JP3505374B2 (ja) | 1997-11-14 | 2004-03-08 | 三洋電機株式会社 | 発光部品 |
| EP0926744B8 (en) * | 1997-12-15 | 2008-05-21 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC. | Light emitting device |
| US6412971B1 (en) | 1998-01-02 | 2002-07-02 | General Electric Company | Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method |
| US6081031A (en) | 1998-06-29 | 2000-06-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor package consisting of multiple conductive layers |
| JP4470237B2 (ja) | 1998-07-23 | 2010-06-02 | ソニー株式会社 | 発光素子,発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法 |
| JP2000068555A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 照明システム |
| US6461019B1 (en) * | 1998-08-28 | 2002-10-08 | Fiber Optic Designs, Inc. | Preferred embodiment to LED light string |
| JP3497741B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2004-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の駆動方法 |
| US6307218B1 (en) | 1998-11-20 | 2001-10-23 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Electrode structures for light emitting devices |
| JP2000182508A (ja) | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Sony Corp | 電界放出型カソード、電子放出装置、および電子放出装置の製造方法 |
| JP4296644B2 (ja) | 1999-01-29 | 2009-07-15 | 豊田合成株式会社 | 発光ダイオード |
| JP3702700B2 (ja) | 1999-03-31 | 2005-10-05 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 |
| JP2000311876A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Hitachi Ltd | 配線基板の製造方法および製造装置 |
| US6489637B1 (en) | 1999-06-09 | 2002-12-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hybrid integrated circuit device |
| US6639354B1 (en) * | 1999-07-23 | 2003-10-28 | Sony Corporation | Light emitting device, production method thereof, and light emitting apparatus and display unit using the same |
| CN1134849C (zh) * | 1999-09-20 | 2004-01-14 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管 |
| JP2001168388A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-06-22 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体チップ及びその製造方法ならびに窒化ガリウム系化合物半導体ウエハー |
| JP2001111109A (ja) | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP2001150718A (ja) | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Kyocera Corp | 発光素子アレイ |
| JP2001156381A (ja) | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Kyocera Corp | 光モジュール |
| JP3659098B2 (ja) | 1999-11-30 | 2005-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| US6410942B1 (en) | 1999-12-03 | 2002-06-25 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays |
| US6547246B2 (en) * | 1999-12-21 | 2003-04-15 | Prime Table Games Llc | Method and apparatus for playing elective wagering card game |
| JP2001177146A (ja) | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 三角形状の半導体素子及びその製法 |
| US6566808B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-05-20 | General Electric Company | Luminescent display and method of making |
| US6885035B2 (en) | 1999-12-22 | 2005-04-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Multi-chip semiconductor LED assembly |
| US6514782B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-02-04 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
| US6486499B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-11-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
| JP2001196634A (ja) | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 発光ダイオードモジュール |
| JP2001307506A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-11-02 | Hitachi Ltd | 白色発光装置および照明器具 |
| JP2001351789A (ja) | 2000-06-02 | 2001-12-21 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光ダイオード駆動装置 |
| JP2002016290A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Led光源装置 |
| JP2002026384A (ja) | 2000-07-05 | 2002-01-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 集積型窒化物半導体発光素子 |
| DE10038213A1 (de) | 2000-08-04 | 2002-03-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsquelle und Verfahren zur Herstellung einer Linsensform |
| DE10051159C2 (de) | 2000-10-16 | 2002-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle |
| JP2002208541A (ja) | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Shiro Sakai | 窒化物系半導体装置及びその製造方法 |
| US6891200B2 (en) | 2001-01-25 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units |
| US6791119B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
| US6547249B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-04-15 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates |
| DE10216008A1 (de) | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Toyoda Gosei Kk | LED-Lampe |
| US20020158261A1 (en) | 2001-04-25 | 2002-10-31 | Ming-Tang Lee | Light emitting diode layout structure |
| JP3811624B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2006-08-23 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
| EP1416219B1 (en) | 2001-08-09 | 2016-06-22 | Everlight Electronics Co., Ltd | Led illuminator and card type led illuminating light source |
| US6641294B2 (en) | 2002-03-22 | 2003-11-04 | Emteq, Inc. | Vehicle lighting assembly with stepped dimming |
| JP3822545B2 (ja) | 2002-04-12 | 2006-09-20 | 士郎 酒井 | 発光装置 |
| JP4195041B2 (ja) | 2002-04-12 | 2008-12-10 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 発光装置 |
| AU2003252359A1 (en) | 2002-08-01 | 2004-02-23 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing same and light-emitting apparatus using same |
| US7034470B2 (en) | 2002-08-07 | 2006-04-25 | Eastman Kodak Company | Serially connecting OLED devices for area illumination |
| KR100697803B1 (ko) | 2002-08-29 | 2007-03-20 | 시로 사카이 | 복수의 발광 소자를 갖는 발광 장치 |
| US7009199B2 (en) * | 2002-10-22 | 2006-03-07 | Cree, Inc. | Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current |
| US6957899B2 (en) | 2002-10-24 | 2005-10-25 | Hongxing Jiang | Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting |
| US20040109833A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-10 | Xiaozhong Tang | High efficacy, low irritation aluminum salts and related products |
| TW200501464A (en) * | 2004-08-31 | 2005-01-01 | Ind Tech Res Inst | LED chip structure with AC loop |
| JP4648780B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2011-03-09 | Hoya株式会社 | 電子内視鏡用撮像素子パッケージ |
| US8901575B2 (en) * | 2005-08-09 | 2014-12-02 | Seoul Viosys Co., Ltd. | AC light emitting diode and method for fabricating the same |
-
2003
- 2003-08-28 KR KR20057002667A patent/KR100697803B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-28 CN CNB2007101029609A patent/CN100570883C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-28 EP EP20090014620 patent/EP2157609A3/en not_active Withdrawn
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- 2003-08-28 EP EP20090014622 patent/EP2149906A3/en not_active Withdrawn
- 2003-08-28 CN CNB038206226A patent/CN100421266C/zh not_active Expired - Lifetime
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- 2003-08-28 EP EP09014623.4A patent/EP2154721B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-28 EP EP20090014621 patent/EP2149905A3/en not_active Withdrawn
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- 2003-08-29 TW TW92123908A patent/TWI280672B/zh not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-02-12 US US11/705,205 patent/US7956367B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-04-01 US US12/060,693 patent/US8129729B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2008-06-16 US US12/139,927 patent/US7897982B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2009
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