ES2344004T3 - Procedimiento de fabricacion de una unidad de celula solar usando un sustrato provisional. - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 42
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- -1 floro Chemical compound 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001634 Copolyester Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAKAOZUIEHSPGA-UHFFFAOYSA-N [Se].[Se].[Cu] Chemical compound [Se].[Se].[Cu] ZAKAOZUIEHSPGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 235000015927 pasta Nutrition 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003208 poly(ethylene sulfide) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012763 reinforcing filler Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
Un proceso de fabricación de una unidad de célula solar provista con una parrilla de recogida de corriente, comprendiendo las etapas de a. proveer una lámina de sustrato temporal conductor atacable químicamente con un grosor de hasta 500 micras b. aplicar una capa de óxido conductor transparente (OCT) sobre el sustrato temporal c. aplicar una capa fotovoltaica sobre la capa OCT d. aplicar una capa de electrodo trasero e. aplicar un soporte permanente f. en cualquiera de las etapas precedentes proveer una capa protectora ante el ataque químico sobre el sustrato temporal en una matriz que, tras la eliminación de la porción de sustrato temporal que no está cubierta con capa protectora ante el ataque químico, dará lugar a la formación de una parrilla de recogida de corriente g. eliminar selectivamente el sustrato temporal donde no está cubierto con capa protectora ante el ataque químico, para formar una célula solar provista con una parrilla de recogida de corriente.
Description
Procedimiento de fabricación de una unidad de
célula solar usando un sustrato provisional.
La invención se refiere a un procedimiento de
fabricación de una unidad de célula solar usando un sustrato
provisional. La invención también se refiere a la unidad de célula
solar así obtenida.
Las unidades de células solares, también
conocidas como unidades fotovoltaicas o láminas fotovoltaicas,
comprenden generalmente un soporte y una capa fotovoltaica (FV)
compuesta de un material semiconductor provisto entre un electrodo
frontal que comprende un óxido conductor transparente (OCT) (en el
frente de la lámina) y un electrodo trasero (en la parte trasera de
la lámina). El electrodo frontal es transparente, permitiendo a la
luz incidente alcanzar el material semiconductor, donde la radiación
incidente se convierte en energía eléctrica. De esta forma, la luz
puede usarse para generar corriente eléctrica, lo que ofrece una
alternativa interesante a, por ejemplo, combustibles fósiles o
energía nuclear.
WO 98/13882 y WO 99/49483 describen un método
para fabricar una lámina fotovoltaica que comprende las etapas de
proveer un sustrato temporal, aplicar el óxido conductor
transparente, aplicar las capas fotovoltaicas, aplicar la capa de
electrodo trasero, aplicar el soporte, eliminar el sustrato
temporal, y, preferentemente, aplicar un revestimiento protector
transparente superior en el lado de la capa conductora transparente.
Este método permite la fabricación por contacto de una lámina o
dispositivo fotovoltaico, haciendo al mismo tiempo posible usar
cualquier material conductor transparente deseado y proceso de
deposición, sin poner en riesgo la acción generadora de corriente
de las capas FV. WO 01/78156 y WO 01/47020 describen variaciones de
este proceso.
En las publicaciones se indica que se prefiere
usar un sustrato metálico temporal porque tales materiales serán
generalmente capaces de resistir las más altas temperaturas durante
el procesamiento posterior, sufrir poco debido a la evaporación, y
pueden eliminarse de forma relativamente fácil usando técnicas
conocidas de ataque químico. Otra razón para elegir metal,
notablemente aluminio o cobre, es que la lámina FV contendría
eventualmente electrodos "laterales" (que forman un contacto
para conexión a cualquier aparato o red auxiliar (esto es, para
usar realmente la lámina FV como una fuente de energía). Al permitir
que parte del sustrato temporal permanezca en su lugar (por
ejemplo, como bordes laterales o bandas) estos contactos no
necesitan aplicarse separadamente. El documento
US-B-6,184,057 describe un método
para fabricar una célula solar que hace uso de un sustrato
temporal.
A fin de mejorar la recogida de corriente de la
unidad de célula solar, las unidades de células solares están con
frecuencia provistas con una parrilla de recogida de corriente. En
el caso de las unidades de lámina de célula solar la parrilla se
aplica sobre el electrodo frontal y/o, menos comúnmente, sobre el
electrodo trasero si el electrodo trasero está hecho de OCT
pobremente conductor comparativamente para obtener una unidad de
célula solar semi-transparente. La parrilla es una
matriz de líneas de un material conductor que se aplica de tal
manera que permite fácil recogida de la corriente generada en la
capa fotovoltaica y flujo a través del electrodo.
Se conocen en la técnica varias maneras de
aplicar parrillas. Se conoce, por ejemplo, la aplicación de una
parrilla mediante una técnica de impresión, usando generalmente una
pasta que contiene partículas de plata. La desventaja de usar este
tipo de pasta es que su conductividad es relativamente baja. Es
posible aumentar la conductividad mediante calentamiento de la
pasta, pero esto introduce una etapa adicional de proceso. También,
el calentamiento tiene generalmente un efecto perjudicial sobre las
propiedades de la unidad de célula solar, en particular sobre
aquéllas de capa fotovoltaica y capas opcionales de polímero,
mientras que la conductividad resultante de la parrilla aún deja
algo que desear.
Se conoce también en la técnica aplicar la
parrilla depositando metal fundido. Aunque esto resulta en una
parrilla con buena conductividad, la alta temperatura del metal
fundido normalmente afecta perjudicialmente a las propiedades de la
capa OCT, en particular a la capa fotovoltaica. También, se requiere
un número de etapas adicionales para preparar la superficie para
deposición de metales.
Recientes desarrollos afectan a la deposición a
relativamente bajas temperaturas de capas metálicas que pueden
solidificar espontáneamente tras su aplicación. En la actualidad,
sin embargo, estos métodos no rinden dispositivos fotovoltaicos de
calidad aceptable. WO 93/00711 describe la formación de una parrilla
de recogida de corriente por encima de la capa de material
conductor transparente fijando una lámina eléctricamente conductora
a ella por medio de un adhesivo conductor de electricidad. A
continuación, una porción de la lámina conductora se elimina
mediante una técnica de ataque químico. Un problema asociado con
este proceso reside en que el adhesivo conductor, que debería
también eliminarse en los lugares donde se ha eliminado la lámina
conductora. Esto puede, por ejemplo, hacerse por medio de un
disolvente, pero esto apareja el riesgo de que el disolvente también
disuelva el adhesivo que pega la parrilla de recogida de corriente
al electrodo frontal. Otro problema más asociado con este proceso
es la conductividad de la conexión entre la parrilla de recogida de
corriente y la capa OCT a través del adhesivo.
Un problema asociado con todas las anteriores
formas de aplicar una parrilla sobre una unidad de célula solar es
la adherencia de la parrilla a la superficie de la unidad de célula
solar, que está necesitada de mejora.
Hay por tanto necesidad de un proceso para
fabricar una unidad de célula solar que comprende una parrilla, en
la que la parrilla tiene una buena conductividad y una buena
adherencia a la capa OCT, y puede obtenerse por un proceso sencillo
y bien controlado que no ocasiona deterioro de las propiedades de la
lámina de célula solar, en particular de la capa OCT.
Se ha encontrado ahora que estos problemas
pueden ser resueltos fabricando la unidad de célula solar usando un
sustrato temporal, con parte del sustrato temporal conductor
manteniéndose como la parrilla de recogida de corriente, lo que a
efectos de la presente especificación incluye también las barras
colectoras.
La presente invención se refiere en
consecuencia; a un proceso para fabricar una unidad de célula solar
provista de una parrilla de recogida de corriente que comprende las
etapas de
- a.
- proveer una lámina de sustrato temporal conductor atacable químicamente con un grosor de hasta 500 micras
- b.
- aplicar una capa de óxido conductor transparente OCT sobre el sustrato temporal
- c.
- aplicar una capa fotovoltaica sobre la capa OCT
- d.
- aplicar una capa de electrodo trasero
- e.
- aplicar un soporte permanente
- f.
- en cualquiera de las etapas precedentes proveer una capa protectora ante el ataque químico sobre el sustrato temporal en una matriz que tras la eliminación de la porción de sustrato temporal que no está cubierta con capa protectora ante el ataque químico dará lugar a la formación de una parrilla de recogida de corriente
- g.
- eliminar selectivamente el sustrato temporal donde no está cubierto con la capa protectora ante el ataque químico, para formar una célula solar provista con una parrilla de recogida de corriente.
En el contexto de la presente especificación, el
término ataque químico se entiende que significa eliminación por
medios químicos, por ejemplo, disolución. Un sustrato atacable
químicamente es un sustrato que puede ser eliminado por medios
químicos; una capa protectora ante el ataque químico es un material
que puede resistir las condiciones aplicadas durante la eliminación
del sustrato temporal.
A causa de que en el proceso según la invención
la capa OCT es, en efecto, depositada sobre lo que después será la
parrilla de recogida de corriente, puede asegurarse que el contacto
óhmico entre el OCT y la parrilla de recogida de corriente será
bueno. Debido al hecho de que la capa OCT se crea sobre el sustrato
temporal, puede asegurarse que la adherencia entre la capa OCT y la
parrilla formada desde el sustrato temporal es buena. A causa de
que el sustrato temporal es un sustrato metálico, la conductividad
de la propia parrilla será buena también. Además, teniendo en
cuenta que el uso de un sustrato temporal siempre necesita su
eliminación, generalmente por medio de una etapa de ataque químico,
el proceso según la invención solamente añade una simple etapa, la
aplicación de la capa protectora ante el ataque químico, al proceso
conocido de WO 98/13882 o WO 99/4948. La aplicación de la capa
protectora ante el ataque químico puede incorporarse fácilmente en
el proceso de preparación de las anteriores referencias,
especialmente si se lleva a cabo por un proceso por contacto. Esta
integración hace posible colocar la parrilla de forma exacta y
reproducible, especialmente desde que la capa protectora ante el
ataque químico es un material que es fácil de aplicar, mucho más
fácil que, por ejemplo, bandas de metal fundido.
La capa protectora ante el ataque químico puede
consistir de cualquier material que pueda aplicarse al sustrato
temporal en la forma de la parrilla de recogida de corriente y que
protegerá al sustrato temporal de la acción del ataque químico. La
capa protectora ante el ataque químico puede ser temporal, es decir,
puede ser eliminada en una etapa posterior del proceso.
Alternativamente, la capa protectora ante el ataque químico puede
ser permanente. Se prefiere el uso de una capa protectora
permanente ante el ataque químico. Hay varias razones para esta
preferencia. En primer lugar, el uso de una capa protectora
permanente ante el ataque químico elimina la necesidad de una etapa
de eliminación de la capa. Además, la capa protectora ante el ataque
químico protegerá la parrilla de influencias externas y añadirá al
dieléctrico resistencia a la rotura del módulo encapsulado.
Una realización particularmente preferida del
proceso de la invención es una en la que la capa protectora ante el
ataque químico es una capa protectora permanente ante el ataque
químico cuyo color se ha seleccionado de forma que la parrilla de
recogida de corriente tenga un color que encaje con el de la parte
generadora de energía de la unidad de célula solar o contraste con
él.
La diferencia de color entre la parte generadora
de energía de la unidad de célula solar y una parrilla coloreada
puede expresarse mediante el dEab, que se define como sigue:
dEab = (dL^{2}
+ da^{2} +
db^{2})^{1/2}
en donde dL, da, y db son las
diferencias en brillo, color azul y color rojo, respectivamente,
entre las partes provistas con material coloreado y las partes
generadoras de energía de la unidad de célula solar. Los valores de
L, a y b pueden determinarse de acuerdo con el procedimiento CIELAB
usando una fuente de luz D65. Si el color de la parrilla debe
encajar con el de la unidad de célula solar, el dEab es generalmente
inferior a 5, preferentemente inferior a 2, más preferentemente,
inferior a alrededor de 0.3. En ese caso, se puede hablar del uso
de un color de camuflaje. Si el color de la parrilla se selecciona
para contrastar con el la parte generadora de energía de la unidad
de célula solar, el valor de dEab
está generalmente por encima de 10, preferentemente superior a 12, más preferentemente entre unos 20 y 100. Si se u-
sa más de un color, generalmente al menos uno de estos colores satisfará los requisitos anteriores para el valor dEab.
está generalmente por encima de 10, preferentemente superior a 12, más preferentemente entre unos 20 y 100. Si se u-
sa más de un color, generalmente al menos uno de estos colores satisfará los requisitos anteriores para el valor dEab.
El uso de una combinación de un color distintivo
y un color de camuflaje hace posible decorar la unidad de célula
solar con diseños coloreados sobre un fondo homogéneo. Ejemplos de
diseños contemplados son modelos, letras, figuras, bandas,
rectángulos y cuadrados. En esta realización, se provee generalmente
10-90% de la parrilla con un color distintivo,
mientras 90-10% de la parrilla se provee con un
color de camuflaje.
Se hace notar que se ha descrito en la técnica
proveer una capa de color sobre la parrilla de una unidad de célula
solar. Se hace referencia a EP 0 986 109 y la solicitud
internacional WO 02/21602. Sin embargo, estas referencias no
describen aplicar una capa de color como capa protectora ante el
ataque químico para obtener una parrilla de recogida de corriente
metálica coloreada de alta calidad por un sustrato temporal.
Incidentalmente, aunque menos preferido, está
dentro del alcance de la presente invención usar una capa protectora
temporal ante el ataque químico en la fabricación de la parrilla,
seguida de la eliminación de la capa protectora temporal ante el
ataque químico y proveer la parrilla con un material coloreado, por
ejemplo, como se ha descrito en la solicitud internacional Nº WO
02/21602.
La aplicación de la capa protectora ante el
ataque químico sobre el sustrato temporal puede hacerse en cualquier
etapa del proceso de acuerdo con la invención. Puede, por ejemplo,
aplicarse antes del comienzo del proceso, es decir, antes de la
aplicación del OCT sobre el otro lado del sustrato temporal. Puede
aplicarse en cualquier etapa intermedia, y puede aplicarse al final
del proceso, es decir, después de la aplicación del electrodo
trasero o, si es aplicable, del soporte permanente, y justo antes de
la eliminación del sustrato temporal por ataque químico. Se
prefiere la última opción, porque evita que la matriz protectora
ante el ataque sea dañada durante las partes anteriores del
proceso. También evita que la presencia de la zona protectora del
ataque en la parte "trasera" del sustrato temporal interfiera
con las otras etapas del proceso. E, la realización preferida por
contacto del proceso de la invención puede ocurrir ambas cosas si el
sustrato temporal provisto de una matriz en una capa protectora
ante el ataque químico es conducido sobre uno o más rodillos.
Puede ser que el sustrato temporal sea más
grueso que el deseado para que se forme la parrilla de recogida de
corriente. En ese caso, puede primero protegerse del ataque químico
parte del sustrato temporal, y luego aplicar la capa protectora
ante el ataque químico en la matriz de la parrilla de recogida de
corriente, y después eliminar la porción no protegida de la capa
protectora ante el ataque químico. Se prefiere, sin embargo, en tal
caso aplicar primero una capa protectora temporal ante el ataque
químico en la matriz de la parrilla de recogida de corriente,
seguido de una eliminación selectiva del sustrato temporal donde no
está protegido por una capa protectora ante el ataque químico.
Luego, la capa temporal protectora ante el ataque químico se
elimina y una etapa adicional de aplicación de la capa protectora
ante el ataque químico se realiza para reducir el espesor de la
parrilla de recogida de corriente.
En una realización preferente del proceso de la
invención, el sustrato temporal es flexible, se aplica un soporte
permanente flexible, y el proceso se lleva a cabo mediante un
proceso de contacto.
Una ventaja particular del proceso de la
invención es que se obtiene una parrilla con una forma de sección
atractiva. Más en particular, el proceso de la invención hace
posible preparar láminas de células solares provistas de una
parrilla en la que la relación entre la altura y la anchura de la
parrilla (determinada en la parte más ancha de la sección de la
parrilla) es al menos 0.1, preferiblemente al menos 0.2, más
preferiblemente al menos 0.3. La selección de una parrilla que en
comparación con parrillas de la técnica anterior es relativamente
alta en comparación con su anchura tiene la consecuencia de que,
debido a la pequeña anchura, el tamaño del área superficial
cubierto por la parrilla es relativamente bajo, lo que lleva a un
mayor rendimiento energético, mientras que la relativamente gran
altura asegura que las propiedades de conexión de corriente de la
parrilla siguen siendo buenas. Una parrilla con esta relación
altura/anchura no puede obtenerse por métodos convencionales como
pulverización metálica, etc.
Otra característica de la forma de la sección de
la parrilla obtenida por el proceso de la presente invención es que
la parrilla tiene su mayor anchura en la interfaz con la capa OCT y
luego se va reduciendo hasta su sección más pequeña en forma curva,
por ejemplo, como se muestra en la figura 1, en la que 1 se refiere
a la parrilla y 2 a la unidad de célula solar provista con la
parrilla. Esta forma tiene un número de ventajas específicas. En
primer lugar, esta forma lleva a la combinación de un área de
contacto relativamente alta entre la parrilla y el OCT, que conduce
a menos pérdidas por resistencia de contacto, lo que conduce a menor
efecto de sombra cerca de la parrilla. Además, la parrilla tiene
una resistencia aumentada a la delaminación a causa de que su
pendiente específica asegura una mejor dispersión de fuerza.
Finalmente, la forma en pendiente hace más fácil aplicar un
encapsulante sobre la unidad de célula solar sin inclusión de gas
próxima a la parrilla.
Para ser preciso debe notarse que la anchura
menos de la sección de la parrilla no se localiza necesariamente en
la parte más alta de la parrilla. Dado que la solución de ataque
puede tener una preferencia por la dirección oblicua, puede ser que
la anchura de la sección de la parrilla sea la menor en algún lugar
intermedio, como se muestra en la figura 2, en la que 1 se refiere
a la parrilla y 2 a la unidad de célula solar provista con la
parrilla. Sin embargo, se prefiere que la parrilla tenga su menor
anchura de sección en la parte superior de la parrilla. La relación
entre la anchura de la sección de la parrilla en su punto menor y la
anchura de la sección en la interfaz con el OCT está generalmente
entre 0,1:1 y 0,9:1, preferentemente entre 0,2:1 y 0,7:1, más
preferentemente entre 0,4 y 0,6:1.
Para el buen orden se hace notar que está dentro
del alcance de la presente invención fabricar parte de la parrilla
mediante un sustrato intermedio y aplicar otra parte de una forma
diferente. Por ejemplo, puede contemplarse que la parte más fina de
la parrilla se obtenga desde el sustrato temporal mientras la parte
más gruesa, por ejemplo, las barras de conexión, se aplique de
manera diferente, por ejemplo, por aplicación de cinta conductora.
Se prefiere que la unidad de célula solar obtenida por el proceso de
la invención tenga al menos 50% de su superficie de parrilla hecho
desde el sustrato temporal, más preferentemente al menos 70%, aún
más preferentemente al menos 90%, más preferentemente al menos
95%,
El sustrato temporal tiene que satisfacer un
número de condiciones. Tiene que ser suficientemente conductor para
ser capaz de servir como un material de base para una parrilla de
recogida de corriente. Tiene que ser suficientemente resistente al
calor para ser capaz de aguantar las condiciones imperantes durante
la fabricación de la unidad de célula solar, más particularmente
durante la deposición de la capa OCT y la PV. Tiene que ser
suficientemente fuerte para ser capaz de llevar la unidad de célula
solar durante su fabricación. Tiene que ser fácil de eliminar de la
capa OCT sin dañarla. El experto en la técnica será capaz de elegir
un adecuado sustrato temporal dentro de estas directrices.
El sustrato temporal empleado en el proceso de
la invención es preferiblemente una lámina de un metal o una
aleación metálica. Las principales razones para esto son que tales
láminas ofrecen buena conductividad, son generalmente capaces de
resistir altas temperaturas de proceso, tienen baja evaporación, y
son comparativamente fáciles de eliminar usando técnicas conocidas
de ataque químico. Otra razón para elegir una lámina metálica, más
particularmente aluminio o cobre, es que al final la unidad de
célula solar tiene que estar provista de electrodos de borde que
tienen que conectar la unidad de célula solar a un aparato o a la
red eléctrica. Las piezas restantes del sustrato temporal pueden
usarse a este fin, a resultas de lo cual no se necesita suministrar
separadamente los electrodos de borde.
Los metales adecuados incluyen acero, aluminio,
cobre, hierro, níquel, plata, zinc, molibdeno, cromo y aleaciones o
multi-capas de ellos. Por razones económicas entre
otras se prefiere usar Fe, Al, Cu o aleaciones de ellos. Por su
rendimiento (y teniendo en cuenta el asunto del coste) aluminio,
hierro y cobre son los más preferidos.
Se conocen soluciones de ataque químico y
técnicas para eliminar metales, y aunque difieren según el metal,
el experto en la materia será capaz de elegir las apropiadas. Las
soluciones preferidas incluyen ácidos (ácidos Lewis y Brønstedt).
Así en este caso de cobre se prefiere usar FeCl_{3}, ácido nítrico
o sulfúrico. Soluciones adecuadas para aluminio son, por ejemplo,
Na OH, KOH, y mezclas de ácido fosfórico y nítrico.
Si se usa cobre, opcionalmente preparado por
electrodeposición, como sustrato temporal, se prefiere proveer el
cobre, opcionalmente por electrodeposición, con una capa de barrera
de difusión no reductora, por ejemplo, una capa
anti-corrosión, más particularmente óxido de xinc.
Esto es porque el cobre puede tener tendencia a difundirse a través
de la capa OCT en la capa FV. Es también posible elegir un OCT capaz
de evitar dicha difusión, por ejemplo, SnO_{2} o ZnO. Las capas
anti-difusión pueden aplicarse mediante por ejemplo
electrodeposición, o por Deposición Física de Vapor (DFV) o
Deposición Química de Vapor (DQV). La capa
anti-difusión generalmente se elimina del OCT junto
con el sustrato temporal, pero se mantiene en la posición de la
parrilla. Obviamente, si una capa tal como una capa
anti-difusión y/o una capa intermedia existe entre
la capa OCT y la parrilla, sus propiedades deberían ser tales que
no interfiera con el transporte de corriente desde el OCT a la
parrilla. Así, cualquier capa intermedia entre la parrilla y el OCT
debería ser conductora.
Para una mejor eliminación, el sustrato temporal
es preferentemente tan delgado como sea posible. Por otra parte, se
requiere un cierto espesor para asegurar que la parrilla obtenida
del sustrato temporal puede recoger suficiente corriente. Además,
su espesor tiene que ser tal que pueda proveerse otras capas sobre
él y tiene que ser capaz de mantener esas capas juntas, pero esto
no requiere generalmente que su espesor sea mayor que 500 \mum
(0,5 mm). El espesor está preferentemente en la escala de 1 a 200
\mum (0,2 mm). Dependiendo del módulo de elasticidad, el espesor
mínimo para un gran número de materiales será 5 \mum. De acuerdo
con ello, se prefiere un espesor de 5-150 \mum,
más particularmente 10-150 \mum.
Incidentalmente, mediante adecuada selección de
la anchura de la capa protectora ante el ataque químico en
combinación con el espesor del sustrato temporal, puede regularse
las propiedades de de recogida de corriente de la parrilla.
Variando la anchura de la capa protectora ante el ataque químico
sobre la superficie de la unidad de célula solar, puede adaptarse
las propiedades de de recogida de corriente de la parrilla a la
cantidad de corriente generada en una localización específica.
Ejemplos de óxidos conductores transparentes
(OCT) adecuados son óxido de estaño e indio, óxido de zinc, óxido
de zinc impurificado con aluminio, floro, galio o boro, sulfuro de
cadmio, óxido de estaño y, más preferiblemente, SnO_{2}
impurificado con flúor. Se prefiere este último material de
electrodo transparente porque puede formar una superficie
cristalina deseada con una textura columnar difusora de luz cuando
se aplica a una temperatura superior a 400ºC, preferentemente en la
escala de 500 a 600ºC, o post-tratado a dicha
temperatura. Es precisamente en el caso de este material OCT que el
uso de un sustrato temporal capaz de resistir una temperatura así es
extremadamente atractivo. Además el material es resistente a la
mayoría de soluciones de ataque y tiene mejor resistencia a
productos químicos que el óxido de estaño e indio ampliamente usado.
También, es bastante menos costoso.
El OCT puede aplicarse mediante métodos
conocidos en la técnica, por ejemplo, mediante Deposición por Vapor
Químico Metálico-Orgánico (DVPMO), pirólisis de
rociado pulverización, Deposición por Vapor Químico a Presión
Atmosférica (DVQPA), PECVD, pirólisis de rociado, evaporación
(deposición de vapor físico), electrodeposición, deposición sin
corriente eléctrica, serigrafía, procesos sol-gel,
etc., o combinaciones de esos procesos. Se prefiere aplicar y
tratar posteriormente la capa OCT a una temperatura superior a
250ºC, preferentemente superior a 400ºC, más preferentemente entre
450ºC y 600ºC, de forma que puede obtenerse una capa OCT de la
composición, propiedades y/o textura deseadas.
Si así se desea, puede estar presente una capa
intermedia entre la capa OCT y la capa fotovoltaica. La capa
intermedia pretende proteger la capa OCT de las condiciones
imperantes durante la deposición de la capa FV. Se conocen en la
técnica capas intermedias adecuadas para las diversas capas FV. Para
telururo de cadmio puede mencionarse CdS, In(OH,S) y
Zn(OH,S). Si en la presente especificación se hace mención a
la deposición de la capa FV sobre el OCT, puede estar o no presente
una capa intermedia sobre dicho OCT.
Tras la aplicación de la capa OCT puede
aplicarse la capa FV de forma apropiada. Debería notarse aquí que
en la presente descripción el término "capa FV" o "capa
fotovoltaica" comprende el sistema total de capas necesitado
para absorber la luz y convertirla en electricidad. Se conocen
configuraciones apropiadas de capas, así como los métodos para
aplicarlas. Para el conocimiento general común en este campo debe
hacerse referencia a Yukinoro Kuwano "Photovoltaic Cells",
Ullmann's Encyclopedia, Vol. A20 (1992), 161 y "Solar
Technology", Ullmann's Encyclopedia, Vol. A24 (1993), 369.
Pueden usarse varios materiales semiconductores
de película fina para fabricar las capas FV. Son ejemplos, silicio
amorfo (a-Si:H), silicio microcristalino, carburo de
silicio amorfo policristalino (a-SiC), y un SiC:H,
silicio-germanio amorfo (a-SiGe), y
un a-SiGe:H. Además, la capa FV en la unidad de
célula solar de acuerdo con la invención puede comprender ClS
(diselenuro cobre indio), telururo de cadmio (CdTe), ClGSS
(Cu(In,Ga)(Se,S)), Cu(In,Ga)Se_{2},
ZnSe/ClS, ZnO/ClS, y/o Mo/ClS/CdS/ZnO, y células solares
sensibilizadas al color.
La capa FV es preferiblemente una capa de
silicio amorfo cuando el OCT comprende un óxido de estaño
impurificado con flúor. En ese caso la capa FV comprenderá
generalmente un conjunto, o una pluralidad de conjuntos, de capas
de silicio amorfo p-impurificadas, intrínsecas y
n-impurificadas, estando las capas
p-impurificadas situadas en el lado que recibe la
luz incidente.
En la realización
a-Si-H la capa FV comprenderá al
menos una capa de silicio amorfo p-impurificada, una
capa de silicio amorfo intrínseca (Si-i) y una capa
de silicio amorfo n-impurificada. Puede ser que se
aplique sobre el primer conjunto de capas
p-i-n una segunda y adicionales
capas p-i-n. También, puede
aplicarse consecutivamente una pluralidad de capas repetitivas
p-i-n ("pinpinpin" o
"pinpinpinpin"). Al apilar una pluralidad de capas
p-i-n, el voltaje por célula se
eleva y la estabilidad del sistema se mejora. Disminuye la
degradación inducida por la luz, el llamado efecto
Staebler-Wronski. Además, la respuesta espectral
puede optimizarse eligiendo materiales de diferentes intervalos de
banda en las diversas capas, principalmente las capas -i, y
particularmente dentro de las capas -i. El espesor total de la capa
FV, más particularmente de todas las capas a-Si
juntas, será generalmente del orden de 100 a 2000 nm, más
típicamente de unos 200 a 600 nm, y preferiblemente unos 300 a 500
nm.
El electrodo trasero en la lámina de célula
solar de película delgada según la invención sirve preferentemente
como reflector y como electrodo. Generalmente, el electrodo trasero
tendrá un espesor de unos 50 a 500 nm, y puede comprender cualquier
material adecuado que tenga propiedades de reflexión de la luz,
preferiblemente aluminio, plata o una combinación de capas de
ambos, y que haga buen contacto óhmico con la capa semiconductora
subyacente. Preferentemente, es posible aplicar las capas de metal a
una temperatura comparativamente baja, menos de 250ºC, por medio
de, por ejemplo, electrodeposición, deposición de vapor físico
(in vacuo), opulverización. En el caso de plata, se prefiere
aplicar primero una capa promotora de adhesión. TiO_{2}, TiN, ZnO,
y óxido de cromo son ejemplos de materiales adecuados para una capa
promotora de adhesión y tienen la ventaja de poseer también
propiedades reflectantes cuando se aplican en espesor adecuado, por
ejemplo, de 50-100 nm. El electrodo trasero
requerido puede ser transparente u opaco.
Aunque no es esencial para el proceso según la
invención, como norma se prefiere proveer la unidad de célula solar
con un soporte permanente. Porque, de otra manera la unidad será tan
delgada que su fragilidad hace difícil su manipulación. Cuando se
emplea, el soporte permanente se aplica sobre el electrodo
trasero.
Materiales adecuados de la capa de soporte
incluyen películas de polímeros comercialmente disponibles, tales
como tereftalato de polietileno, poli(dicarboxilato de
etileno 2,6-naftaleno), policarbonato, cloruro de
polivinilo, PVDF, PVDC, PPS, PES, PEEK, PEI o películas de polímero
que tenga muy buenas propiedades tal como aramida o películas de
poliimida, pero también, por ejemplo, láminas metálicas sobre las
que puede aplicarse una capa superficial aislante (dieléctrico), o
composiciones de plástico y fibras de refuerzo y rellenos. Se
prefieren las películas "coextruidas" poliméricas provistas
con una capa adhesiva termoplástico que tiene un punto de
reblandecimiento inferior al del propio sustrato. Si así se desea,
la película coextruida puede ser provista de una capa
anti-difusión de, por ejemplo, poliéster (PET),
copoliester o aluminio. El espesor del soporte preferentemente es
50 \mum a 10 mm. Escalas preferidas son 75 \mum a 3 mm y 100
\mum a 300 \mum. La rigidez a flexión del portador, definida
dentro del contexto de esta descripción como el producto del módulo
de elasticidad E en N/mm^{2} y el espesor t al cubo en mm (E x
t^{3}), es preferiblemente mayor que 16x10^{-2} Nmm y
generalmente será inferior a 15x10^{6} Nmm.
El soporte puede comprender una estructura según
se requiera para su uso final. Así el sustrato puede comprender
azulejos, placas y elementos de tejado, elementos de fachada, techos
de coches y caravanas, etc. En general, sin embargo, se da
preferencia a que el portador sea flexible. En ese caso se obtiene
un rollo de lámina de célula solar que está listo para usarse y
donde láminas de la potencia y voltaje deseados pueden cortarse del
rollo. Estas pueden incorporarse en elementos (híbridos) de tejado o
ser aplicadas sobre azulejos, láminas de tejado, techos de coches y
caravanas, etc., según se desee.
Si así se desea, puede proveerse una capa
superior o revestimiento superficial sobre el lado OCT de la célula
solar para proteger el OCT de influencias exteriores. Generalmente,
la capa superficial será una lámina de polímero (con cavidades si
se desea) o una película de polímero. La capa superficial se
requiere para tener una alta transmisión y por ejemplo comprende
los siguientes materiales: polímeros (per)fluorados,
policarbonato, poli(metilmetacrilato), PET, PEN o cualquier
revestimiento claro disponible, tal como los usados en la industria
del automóvil. Si así se desea, puede proveerse una capa adicional
anti-reflectante o anti-incrustante.
Alternativamente, si así se desea, toda la célula solar puede estar
incorporada en tal encapsulante.
La capa protectora ante el ataque químico puede
ser de cualquier material que pueda ser aplicado al sustrato
temporal en la forma de parrilla de recogida de corriente y el cual
protegerá al sustrato temporal de la acción del ataque químico. El
experto en la técnica puede elegir el material adecuado por ensayos
de rutina. Capas adecuadas protectoras ante el ataque químico
incluyen poliuretanos y poliimidas termoplásticos y termoestables,
polímeros termoestables tales como EP, UP, VE, Sl,
resinas(epoxi), y acrilatos, y polímeros termoplásticos
tales como PVC, Pl, fluorpolímeros, etc. La capa protectora ante el
ataque químico incluye generalmente aditivos tales como
fotoiniciadores y otros endurecedores, rellenos, plastificantes,
etc. La capa protectora ante el ataque químico puede ser temporal,
es decir, puede ser eliminada en una etapa posterior del proceso.
Alternativamente, y preferiblemente, la capa protectora ante el
ataque químico puede ser permanente.
La capa protectora ante el ataque químico se
aplica adecuadamente por vaporización o impresión/escritura.
Preferiblemente, la capa protectora ante el ataque químico se aplica
mediante un proceso de impresión conocido como tal. Procesos de
impresión adecuados incluyen impresión serigráfica, rotoserigrafía,
procesos de chorro de tinta, huecograbado flex, extrusión directa,
etc. El color de la capa protectora ante el ataque químico puede
regularse por la incorporación de pigmentos o tintes adecuados
conocidos por el experto en la técnica. Especialmente para capas
protectoras permanentes ante el ataque químico, la presencia de
pigmentos y estabilizadores UV pueden preferirse.
\vskip1.000000\baselineskip
Este listado de referencias citadas por el
solicitante tiene como único fin la conveniencia del lector. No
forma parte del documento de la Patente Europea. Aunque se ha puesto
gran cuidado en la compilación de las referencias, no pueden
excluirse errores u omisiones y la OEP rechaza cualquier
responsabilidad en este sentido.
- \bullet WO 9813882 A
- \bullet WO 9300711 A
- \bullet WO 9949483 A
- \bullet WO 994948 A
- \bullet WO 0178156 A
- \bullet EP 0986109 A
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Claims (5)
1. Un proceso de fabricación de una unidad de
célula solar provista con una parrilla de recogida de corriente,
comprendiendo las etapas de
- a.
- proveer una lámina de sustrato temporal conductor atacable químicamente con un grosor de hasta 500 micras
- b.
- aplicar una capa de óxido conductor transparente (OCT) sobre el sustrato temporal
- c.
- aplicar una capa fotovoltaica sobre la capa OCT
- d.
- aplicar una capa de electrodo trasero
- e.
- aplicar un soporte permanente
- f.
- en cualquiera de las etapas precedentes proveer una capa protectora ante el ataque químico sobre el sustrato temporal en una matriz que, tras la eliminación de la porción de sustrato temporal que no está cubierta con capa protectora ante el ataque químico, dará lugar a la formación de una parrilla de recogida de corriente
- g.
- eliminar selectivamente el sustrato temporal donde no está cubierto con capa protectora ante el ataque químico, para formar una célula solar provista con una parrilla de recogida de corriente.
2. El proceso de la reivindicación 1, en el que
la matriz que forma una parrilla de recogida de corriente es
provista después de la aplicación del electrodo trasero y, donde sea
aplicable, al soporte permanente.
3. El proceso de la reivindicación 1 o 2, en el
que la capa protectora ante el ataque químico es una capa protectora
ante el ataque químico permanente.
4. El proceso de la reivindicación 1 o 2, en el
que la capa permanente protectora ante el ataque químico se provee
con un color para distinguir la parrilla de la unidad de célula
solar y/o para camuflar la parrilla sobre la unidad de célula
solar.
5. El proceso de una cualquiera de las
reivindicaciones precedentes en el que el sustrato temporal es
flexible, en el que se aplica un soporte permanente flexible, y en
el que el proceso se lleva a cabo mediante un proceso de
contacto.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP02075893 | 2002-03-05 | ||
| EP02075893 | 2002-03-05 | ||
| US36584102P | 2002-03-20 | 2002-03-20 | |
| US365841P | 2002-03-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2344004T3 true ES2344004T3 (es) | 2010-08-16 |
Family
ID=35986291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES03706601T Expired - Lifetime ES2344004T3 (es) | 2002-03-05 | 2003-03-03 | Procedimiento de fabricacion de una unidad de celula solar usando un sustrato provisional. |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1481427B1 (es) |
| JP (1) | JP4368685B2 (es) |
| KR (1) | KR100981538B1 (es) |
| CN (1) | CN100487925C (es) |
| AT (1) | ATE438930T1 (es) |
| AU (1) | AU2003208696B2 (es) |
| BR (1) | BRPI0308218A2 (es) |
| CA (1) | CA2478109A1 (es) |
| EA (1) | EA006755B1 (es) |
| ES (1) | ES2344004T3 (es) |
| MX (1) | MXPA04008557A (es) |
| PT (1) | PT1481427E (es) |
| SI (1) | SI1481427T1 (es) |
| WO (1) | WO2003075351A2 (es) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004050158B3 (de) | 2004-10-15 | 2006-04-06 | Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg | Transparente Scheibe mit einer beheizbaren Beschichtung |
| JP2008520463A (ja) | 2004-11-19 | 2008-06-19 | アクゾ ノーベル ナムローゼ フェンノートシャップ | 可撓性の、機械的に補償された透明積層物質を調製する方法 |
| DE102006002636B4 (de) * | 2006-01-19 | 2009-10-22 | Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg | Tansparente Scheibe mit einem beheizbaren Schichtsystem |
| GB0615651D0 (en) * | 2006-08-07 | 2006-09-13 | Sun Chemical Bv | A process for manufacturing solar cells |
| EP2093804A1 (en) | 2008-02-19 | 2009-08-26 | Helianthos B.V. | Solar cell system with encapsulant |
| DE102008018147A1 (de) | 2008-04-10 | 2009-10-15 | Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg | Transparente Scheibe mit einer beheizbaren Beschichtung und niederohmigen leitenden Strukturen |
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| DE202008017877U1 (de) | 2008-07-17 | 2010-10-21 | Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg | Transparente Scheibe mit einer beheizbaren Beschichtung und niederohmigen leitenden Strukturen |
| FR2939239B1 (fr) * | 2008-12-03 | 2010-12-31 | Ecole Polytech | Module photovoltaique comprenant une electrode transparente conductrice d'epaisseur variable et procedes de fabrication d'un tel module |
| KR101206250B1 (ko) | 2009-10-13 | 2012-11-28 | 주식회사 엘지화학 | 식각 마스크 패턴 형성용 페이스트 및 이의 스크린 인쇄법을 이용한 실리콘 태양전지의 제조방법 |
| RU2477905C1 (ru) * | 2011-09-15 | 2013-03-20 | Виктор Анатольевич Капитанов | Тонкопленочный кремниевый фотоэлектрический преобразователь |
| EP2701204B1 (en) | 2012-08-24 | 2021-02-24 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell module |
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| JPWO2019054240A1 (ja) * | 2017-09-15 | 2020-10-15 | 出光興産株式会社 | 光電変換モジュール及び光電変換モジュールを製造する方法 |
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Family Cites Families (9)
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| CA2267076C (en) * | 1996-09-26 | 2005-01-25 | Akzo Nobel Nv | Method of manufacturing a photovoltaic foil |
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| JP4090168B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2008-05-28 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
| NL1013900C2 (nl) * | 1999-12-21 | 2001-06-25 | Akzo Nobel Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van een zonnecelfolie met in serie geschakelde zonnecellen. |
-
2003
- 2003-03-03 KR KR1020047013834A patent/KR100981538B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-03 WO PCT/EP2003/002218 patent/WO2003075351A2/en not_active Ceased
- 2003-03-03 PT PT03706601T patent/PT1481427E/pt unknown
- 2003-03-03 MX MXPA04008557A patent/MXPA04008557A/es active IP Right Grant
- 2003-03-03 JP JP2003573704A patent/JP4368685B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-03 AU AU2003208696A patent/AU2003208696B2/en not_active Ceased
- 2003-03-03 CA CA002478109A patent/CA2478109A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-03 EA EA200401154A patent/EA006755B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2003-03-03 AT AT03706601T patent/ATE438930T1/de active
- 2003-03-03 CN CNB038046644A patent/CN100487925C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-03 SI SI200331662T patent/SI1481427T1/sl unknown
- 2003-03-03 BR BRPI0308218A patent/BRPI0308218A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2003-03-03 EP EP03706601A patent/EP1481427B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-03 ES ES03706601T patent/ES2344004T3/es not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003075351A3 (en) | 2003-12-24 |
| EA200401154A1 (ru) | 2005-06-30 |
| AU2003208696A1 (en) | 2003-09-16 |
| SI1481427T1 (sl) | 2009-12-31 |
| CN1639880A (zh) | 2005-07-13 |
| EP1481427A2 (en) | 2004-12-01 |
| CA2478109A1 (en) | 2003-09-12 |
| EA006755B1 (ru) | 2006-04-28 |
| EP1481427B1 (en) | 2009-08-05 |
| AU2003208696B2 (en) | 2009-03-26 |
| WO2003075351A2 (en) | 2003-09-12 |
| ATE438930T1 (de) | 2009-08-15 |
| BRPI0308218A2 (pt) | 2016-06-21 |
| PT1481427E (pt) | 2009-10-19 |
| JP2005519473A (ja) | 2005-06-30 |
| JP4368685B2 (ja) | 2009-11-18 |
| KR20040104482A (ko) | 2004-12-10 |
| MXPA04008557A (es) | 2004-12-06 |
| KR100981538B1 (ko) | 2010-09-10 |
| CN100487925C (zh) | 2009-05-13 |
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