[go: up one dir, main page]

EP3058594A1 - Procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque - Google Patents

Procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque

Info

Publication number
EP3058594A1
EP3058594A1 EP14793885.6A EP14793885A EP3058594A1 EP 3058594 A1 EP3058594 A1 EP 3058594A1 EP 14793885 A EP14793885 A EP 14793885A EP 3058594 A1 EP3058594 A1 EP 3058594A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
electrical contact
electrically insulating
insulating material
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP14793885.6A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Armand Bettinelli
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Publication of EP3058594A1 publication Critical patent/EP3058594A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/164—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells
    • H10F10/165—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells
    • H10F10/166—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells the Group IV-IV heterojunctions being heterojunctions of crystalline and amorphous materials, e.g. silicon heterojunction [SHJ] photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H10F77/247—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers comprising indium tin oxide [ITO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H10F77/251—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers comprising zinc oxide [ZnO]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a photovoltaic cell and to a photovoltaic cell thus obtained.
  • a photovoltaic cell may be formed by a multilayer stack, most often comprising semiconductor materials and for directly converting the received photons into an electrical signal.
  • Such a photovoltaic cell may, for example, be a homojunction or heterojunction photovoltaic cell. These cells are often made of silicon.
  • This metallization occurs towards the end of the photovoltaic cell production process and consists in depositing metal contacts on at least one of the faces of the cell, generally in the form of combs or grids. These metal contacts are intended to collect the current and to interconnect the cells together.
  • metal lines are generally deposited by screen printing.
  • the metal lines are, for example, silver-based.
  • This technique makes it possible to quickly make metal contacts.
  • it has a number of limitations such as, for example, a high resistivity of the electrical contact and a large width of the lines.
  • the width of the lines is generally of the order of 70 ⁇ at 120 ⁇ , which causes a significant shading rate on the face of the cell thus reducing its efficiency.
  • annealing is necessary to allow both the contact and the densification of the dough.
  • the anneals are carried out at high temperature, of the order of 800 ° C.
  • the contact takes place when the silver passes through the antireflection layer of the cell and comes into contact with the emitter region of said cell.
  • the anneals are carried out at a lower temperature, of the order of 200 ° C., because the amorphous layers present in the heterojunction cells have poor temperature stability. They partially recrystallize at temperatures above 200 ° C, thus losing their passivation properties. The contact is made directly in the case of heterojunction cells on the transparent conductive oxide layer.
  • the resistivity of a silver paste baked at high temperature is nearly twice as high as the resistivity of the silver and the resistivity of a densified silver paste at low temperature is four to five times greater than the resistivity of the silver volume.
  • the resistivity of the electrical contacts obtained with this technique is therefore much higher than that of the volume metal.
  • the method of making the electrical contacts therefore consists in finding a compromise between the quality of the electrical contacts, and in particular their electrical resistivity properties, and the quality of the amorphous layers, the quality of one being often to the detriment of the other. .
  • Photolithography Another technique used to form electrical contacts is photolithography associated with electrolytic growth.
  • Photolithography resulting from the techniques used in the field of microelectronics, allows for very narrow patterns, of the order of 10 ⁇ or 20 ⁇ , on photovoltaic cells at room temperature, thanks to the deposit of a photoresist. The shading is thus limited and the yields of the photovoltaic cells are improved.
  • this technique is long to implement and has a very high cost, which is not compatible with the production of photovoltaic cells.
  • a nickel underlayer is used to form a nickel silicide and thus allow a better grip of the electrolytic deposition.
  • the formation of nickel silicides generally leads to the appearance of micro-short circuits.
  • the industrial difficulty is therefore to make metal contacts, for photovoltaic cells, relatively narrow, low resistive, and having good adhesion to the support, with a relatively high production rate and, in the case of heterojunction cells, without crystallizing the amorphous layers.
  • the aim of the invention is to overcome the drawbacks of the prior art and, in particular, to propose a method for producing a photovoltaic cell making it possible to make electrical contacts, having a low resistivity, while preserving the layers in underlying semiconductor material.
  • FIG. 1 to 4 show, schematically and in section, different steps of making a photovoltaic cell, according to a first embodiment
  • FIG. 5 and 6 show, schematically and in section, a photovoltaic cell, according to a second embodiment and a third embodiment.
  • the method for producing a photovoltaic cell comprises the following successive steps: i) providing a substrate 1 comprising a photovoltaic junction p / n, successively covered by a first layer of electrically insulating material 2 and a second layer 3 of metallic material,
  • the substrate comprises a conductive transparent oxide layer 6 interposed between the photovoltaic junction p / n and the first layer of electrically insulating material 2. This is more particularly the case for cells with heterojunction.
  • the primer layer 4 formed in step ii), i.e. during the localized heat treatment by laser irradiation, is then electrically connected to the p / n junction via the transparent conductive oxide layer 6.
  • This conductive transparent oxide layer 6 makes it possible to have good lateral conductivity and to thermally protect the layers of semiconductor material forming the substrate during the formation of the primer layer 4. The heat input is thus generated. up to the transparent conductive oxide layer 6.
  • step ii) the laser beam is applied from a source (not shown in FIG. 1) disposed above the photovoltaic cell.
  • the laser beam is selectively applied where the primer layer 4 is to be formed (arrows F in Figure 1).
  • the use of a laser beam advantageously makes it possible to generate a homogeneous but controlled heat input, especially in space and time.
  • the laser irradiation is carried out under conditions (fluence, duration of the draw) such as heat input, created by the localized application of the laser beam at the level of the second layer 3 of metallic material, also called metal layer 3, is sufficiently high to locally fuse said metal layer 3 and cause at least one softening, or even melting, of the first layer of electrically insulating material 2, and possibly a portion of the transparent conductive oxide layer 6.
  • This step allows to form a primer layer 4 electrically conductive.
  • the laser irradiation is performed so as to cause softening rather than melting of the electrically insulating layer 2, thus limiting the reaction with the transparent conductive oxide layer 6.
  • the temperature of the heat treatment is advantageously greater than or equal to the temperature allowing the melting of the metal layer 3, and preferably greater than 900 ° C.
  • the primer layer 4 is advantageously formed by the electrically insulating material of the first layer 2 and by the metallic material of the second layer 3.
  • the material of the primer layer 4 is in the form of a vitreous compound, especially a softened glass, loaded with metal such as silver. It is for example the type of glasses that are formed during the cooking of silver pasta called "high temperature" used in screen printing. These pasta are composed a silver powder and a glass frit dispersed in an organic binder. By frit, is meant a crushed glass powder which upon baking softens or fuses to form a glassy compound in which the silver partially dissolves to form an Ag-doped SiO 2 glass.
  • the primer layer 4 made of vitreous material reacts partially chemically with the transparent conductive oxide 6 and / or mechanically, which makes it possible to make contact between the primer 4 and the oxide layer 6 and electrically connect the primer layer 4 with the p / n junction of the substrate 1.
  • the attachment of the primer layer 4 in the vitreous state with the transparent conductive oxide layer 6 is achieved by chemical means, effectively bonding the two layers together.
  • the material of the primer layer 4 is then a mixture of the materials of the metal layer 3, the insulating layer 2 and the conductive transparent oxide layer 6.
  • the vitreous material penetrates into the pores of the transparent conductive oxide layer 6 to the grain boundary, allowing a strong mechanical bonding of the coating layer.
  • the diffusion and / or the formation of the vitreous material, composed of the materials of the metal layer 3 and the insulating layer 2, cause the formation of a hole 9 passing through both the metal layer 3 and at least a portion of the layer insulating 2, as shown in Figure 2.
  • the primer layer 4 is thus formed at the bottom of the hole 9, the side walls of the hole 9 being formed by the thickness of the insulating layer 2 and the unfused layer 3 before it is removed.
  • the hole 9 is advantageously in the form of a groove.
  • the electrical contact 5 formed on the primer layer 4 will then have the shape of a line.
  • the width of the groove, and thus of the hole, corresponds approximately to the size of the laser beam. For example, using a laser beam generating a focused spot of 15-20 ⁇ m, a primer layer 4 with a width of approximately 25 ⁇ will be produced.
  • the method comprises, after the step of forming the primer layer 4:
  • the metal layer 3 is removed by etching. Even more preferentially, it is removed by chemical etching.
  • the kinetics of etching of the material of the primer layer 4 is less than that of the metal layer 3, which allows a so-called selective etching.
  • This difference in etching kinetics is due to the presence of the vitreous phase in the material constituting the primer layer 4, the metal supplying the primer layer 4 the electrical conduction allowing in particular the subsequent formation of the metal contact by electrochemical deposition.
  • the material of the metal layer 3 is thus etched, while the primer layer 4 is not or only slightly etched. During etching, only the metal layer 3 will be removed, releasing the insulating layer 2.
  • step iv), ie the formation of the electrical contact 5 on the primer layer 4, is carried out by autocatalytic and / or electrolytic deposition.
  • the primer layer 4 has a resistivity such that it will be possible to deposit an electrical contact 5 by electrochemical deposition, or by self-catalytic deposition on the primer layer 4.
  • the primer layer 4 has a lower resistivity than the electrically insulating layer 2 and a higher resistivity than that of the metal layer 3.
  • the material forming the electrical contact 5 has a lower resistivity than the material forming the primer layer 4.
  • the resistivity of the primer layer 4 is of the order of 1 .10 " 4 ohm cm - 1 .10 "3 ohm. cm, and that of the electrical contact 5 formed is of the order of 1.10 "6 ohm cm.
  • the electrical contact 5 is deposited by electrochemical deposition (ECD for "electrochemical deposition” in English).
  • ECD electrochemical deposition
  • the primer layer 4 thus serves as an activation layer (also called “seed layer” in English), that is to say that the primer layer 4 serves as starting layer or germination for the formation of the electrical contact 5.
  • the electrical contact 5 may in particular be deposited by electrolytic or self-catalytic deposition ("electroless” in English). The self-catalytic deposition is then carried out wet without using electric current, it is based on the presence of a reducing agent in solution to reduce metal ions on the surface of the primer layer 4.
  • the chemical etching used to remove the metal layer 3 is selective and there is no significant attack of the electrically insulating oxide layer 2, which makes it possible to avoid parasitic deposits during the self-catalytic deposition.
  • the deposits may possibly be assisted by light (known under the name Anglo-Saxon light induced plating).
  • the electrical contacts 5 thus obtained are dense and have a resistivity close to that of the bulk metal ("bulk" in English). Advantageously, they are made at low temperature. The layers of the substrate are thus preserved. In the case of a heterojunction photovoltaic cell, the amorphous layers are not deteriorated.
  • Low temperature means a temperature below 100 ° C. For example, it is the order of 25 ° C for electrolytic copper deposition, 40 ° C for electrolytic silver deposition or 90 ° C for autocatalytic deposition.
  • the electrical contact 5 has, in a sectional view and along an axis perpendicular to the stack of the photovoltaic cell, a mushroom shape.
  • a mushroom shape is meant that the contact is substantially in the form of a rectangular base and a wider semi-spherical head.
  • the base of the contact 5 is disposed in the hole 9 of the electrically insulating layer 2.
  • the base of the electrical contact 5 fills the hole 9.
  • the base of the electrical contact 5 is in contact with the primer layer 4 forming the bottom of the hole 9 and the insulating layer 2 forming the edges of the hole 9.
  • the head of the electrical contact 5 covers the base of the electrical contact 5 and can cover partially the edges of the hole 9, that is to say that the contact 5 partially covers the electrically insulating layer 2, as shown in Figure 4.
  • the base of the electrical contact 5, that is to say the width of the primer layer 4 has a width less than 40 ⁇ , preferably less than 20 ⁇ .
  • the width of the head of the electrical contact 5 is called “width of the electrical contact", it corresponds to the width of the visible part of the electrical contact 5.
  • the electrical contact 5 has a width less than ⁇ , and preferably less than 35 ⁇ .
  • thickness of the electrical contact is meant the sum of the thicknesses of the base and the head of the electrical contact 5. Even narrower lines can be obtained by performing a laser irradiation through a mask. It is thus possible to obtain a high productivity by using a large laser.
  • the tracks 4 obtained may have widths of 10 ⁇ and electrical contacts 5 widths of 25 ⁇ .
  • the electrical contact 5 may be, for example, nickel, silver, copper, cobalt, tin or one of their alloys. According to a preferred embodiment, the electrical contact 5 is copper or silver, in order to have a higher conductivity. Advantageously, the use of copper rather than silver, for example, reduces the cost of developing the cell. photovoltaic.
  • the conductivity of copper (63.10 6 S. m- 1 ) is significantly better than that of silver (59.6 ⁇ 10 6 S. m- 1 ).
  • the presence of the primer layer 4 acts as a barrier layer between said electrical contact 5 and the silicon of the cell photovoltaic 1, that is to say that this layer prevents the diffusion of copper, which has a high propensity to diffuse during heat treatments even at low temperatures.
  • the primer layer 4 prevents the contamination of the silicon. It is because of this contamination that it is not common to use copper barrier without barrier in the metallization of photovoltaic cells.
  • the electrical contact 5 can be achieved by successive deposition of several metals, preferably selected from copper, silver and tin.
  • the metals forming the electrical contact are selected from copper, silver and tin.
  • the cumulative thickness of the metal films is less than 30 ⁇ , preferably less than 15 ⁇ . This thickness range makes it possible to obtain contacts having a low resistivity while being inexpensive in terms of raw material.
  • the electrical contact 5 is, for example, made by successive deposits of a silver film, a copper film and a tin film.
  • the films have, for example, respective thicknesses of 1 ⁇ , 6 ⁇ , 2 ⁇ for a total thickness of 9 ⁇ .
  • the copper film is interposed between the other metal films: it is positioned at the heart of the electrical contact 5.
  • the electrical contact 5 is, for example, in the form of a comb, that is to say in the form of parallel or substantially parallel lines.
  • the lines are connected together at one of their ends by an additional line, perpendicular to the other lines.
  • the electrical contact 5 can be composed of a single comb or several interdigitated combs.
  • the electrical contact 5 may, for example, be formed of parallel lines, with a width of between 20 ⁇ and ⁇ , preferably between 20 ⁇ and 45 ⁇ , with a thickness of between 5 ⁇ and 30 ⁇ and with a spacing space of between 1mm and 3mm.
  • the pattern of the primer layer 4 formed on the surface of the substrate is made according to the geometry of the desired electrical contact.
  • the metal layer 3 must be electrically conductive so as to form during the melting of said layer with the insulating layer 2 a third electrically conductive material.
  • the metal layer 3 is a non-transparent layer in order to absorb the laser radiation.
  • the metallic material of the layer 3 is based on silver. It can be silver and / or silver oxide. It can also be a silver alloy. Silver, even in an oxidized form, is an electrically conductive material. The oxidation of silver can occur during the melting step.
  • the thickness of the metal layer 3 is preferably greater than 10 nm, and even more preferably greater than 30 nm.
  • the thickness of the metal layer 3 is thus large enough to absorb the energy of the laser.
  • Deposition of the metal layer can be achieved by physical vapor deposition (or PVD for physical vapor deposition), which allows to obtain a layer adhering well on the lower layer and consume a minimum of metal.
  • the electrically insulating layer 2 is an inorganic layer, advantageously based on silicon oxide, for example SiO 2 or doped SiO 2, or it may be a multilayer SiN-SiO 2 or SiO 2 stack. / MgF 2 .
  • the metal layer 3 is based on silver and the electrically insulating layer 2 is based on SiO 2 .
  • the temperature necessary to obtain the primer layer 4 of the third material may be lowered by using a doped SiO 2 layer, for example by addition of Ca, B or P.
  • a doped SiO 2 layer for example by addition of Ca, B or P.
  • the electrically insulating layer 2 preferably has a thickness of less than 200 nm and preferably less than 50 nm, which makes it possible to facilitate the softening of said layer and to make it react in all its thickness with the metal.
  • the ratio between the thickness of the electrically conductive metal layer 3 and the thickness of the electrically insulating layer 2 is moreover advantageously greater than 10% and, preferably, greater than 30%.
  • the electrically insulating layer 2 is made of SiO 2 and the metal layer 3 is silver.
  • the electrically insulating layer 2 is a 50nm thick SiO 2 layer and the metal layer is a 25nm silver layer. thickness, the ratio between the thickness of the metal layer 3 and the thickness of the electrically insulating layer 2 being 50%.
  • the material forming the transparent conductive oxide (TCO) layer 6 is an indium-based compound, for example indium tin oxide (ITO).
  • ITO indium tin oxide
  • the oxide layer can also be produced from several transparent conductive oxides.
  • the thickness of the transparent oxide layer 6 is less than 200 nm.
  • the thickness is advantageously between 10 nm and 100 nm and preferably between 20 nm and 100 nm.
  • the thickness of the transparent conductive oxide layer 6 is, for example, between 50 nm and 100 nm, which makes it possible to preserve at least a portion of the thickness of the transparent conductive oxide layer 6 during the formation of the primer layer 4 and thus protect the susbtrate 1.
  • the transparent conductive oxide layer 6 may be deposited by a plasma enhanced chemical vapor deposition technique or by physical vapor deposition.
  • the transparent conductive oxide layer 6 also has particular physicochemical characteristics making it possible to passivate the surface of the doped layer 8.
  • the presence of the transparent conductive oxide layer 6 also makes it possible to improve the optical properties of the cell. It prevents an excessive proportion of the luminous flux that reaches the surface of the cell is reflected, allowing to increase the current produced by the cell.
  • the layers forming the substrate are, for example, as shown in FIGS. 1 to 6:
  • a layer of highly doped semiconductor material 8 or in a type of inverse doping with that of layer 7 to make a p / n junction, in the case of a standard structure with a transmitter on the front face, or according to a type of doping identical to that of the layer 7, in the case of an inverted structure with emitter on the rear face, the second layer being disposed on the front face of the layer 7.
  • the entire transparent conductive oxide layer 6 can participate in the formation of the third material constituting the primer layer 4 without risk. short circuit in the cell.
  • the entire thickness of the transparent conductive oxide layer 6 does not participate in the formation of the third material constituting the primer layer 4. At least a portion of the thickness of the conductive transparent oxide layer 6 is not modified by the laser irradiation, which limits the diffusion of the third material forming the primer layer 4 in the substrate 1 thus limiting the risk of short circuit, particularly in the case of the front face of a heterojunction cell structure with standard transmitter, type of reverse doping.
  • the photovoltaic cell obtained according to the process previously described, comprises a substrate 1 provided with a photovoltaic junction p / n and at least one electrical contact 5.
  • the electrical contact 5 rests directly on a primer layer 4, in doped vitreous compound by a metal, formed through a layer of electrically insulating material 2, said primer layer 4 being electrically connected to the photovoltaic junction p / n.
  • the electrically conductive primer layer 4 is covered by the electrical contact 5 made of metallic material.
  • the electrical contact 5 has a width less than 50 ⁇ and preferably less than 35 ⁇ .
  • a transparent conductive oxide layer 6 is disposed between the substrate 1 and the layer of electrically insulating material 2 and the primer layer 4 is electrically connected to the p / n junction via the transparent conductive oxide layer 6.
  • the rear face of the substrate 1 is flat. This rear face may advantageously be covered with an electrode.
  • a photovoltaic cell may comprise in addition to the elements previously described:
  • the photovoltaic cell also comprises a metal layer 12, for example silver.
  • the electrical contacts 5 are made on a single face of the photovoltaic cell. When immersing the photovoltaic cell in the electrolytic bath, containing the metal to be deposited in a dissolved form, the rear face of the substrate 1 can be protected. Otherwise, a device for bringing the electrolyte into contact with a single face can be used.
  • the photovoltaic cell may also have a so-called bifacial structure.
  • the method described above is applied on both sides of the cell.
  • the localized laser beam irradiation is performed on both the front and the back side.
  • the photovoltaic cell is then fully immersed in the electrolyte to form at least one electrical contact on the front face and at least one electrical contact on the rear face.
  • the photovoltaic cell obtained then comprises, on the rear face of the substrate 1, the same stack as the front face, that is to say:
  • the method described above can be used to produce homojunction photovoltaic cells and heterojunction photovoltaic cells.
  • the layers of lightly doped semiconductor material 7 and heavily doped 8 of the substrate 1 are of crystalline semiconductor material.
  • the substrate does not comprise a transparent conductive oxide layer.
  • the layer of lightly doped semiconductor material 7 of the substrate 1 is made of crystalline semiconductor material, and the layer of highly doped semiconductor material 7 is of amorphous semiconductor material.
  • the semiconductor material used to make the homojunction and heterojunction cells is silicon.
  • the layers of semiconductor material 8, 10 and 13 are preferably a bilayer stack of intrinsically hydrogenated amorphous silicon and then doped. The thickness of the stack is between 5 nm and 25 nm.
  • These layers can be deposited by any type of methods used in the field.
  • the layers may be deposited for example by PECVD for "Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition" at a temperature below 300 ° C.
  • the layers of the substrate 1 could also be in one or more other semiconductor materials, such as germanium or a silicon-germanium alloy.
  • the surface of the substrate 1, and therefore the surface of the layer 8 may advantageously also have a texturing (not shown in the figures), for example in the form of a pyramid .
  • the insulating layer 2 can be removed by any suitable technique. According to another embodiment, said insulating layer 2 is not removed and will be part of the final cell. The insulating layer 2 is then chosen according to its optical properties. If the insulating layer 2 is left, it will be advantageously transparent to solar radiation so as not to reduce the efficiency of the cell.
  • the laser beam used for this process preferably has a wavelength between 248 nm and 1025 nm, and more particularly between 248 nm and 552 nm.
  • the use of lasers with a short duration of pulsation, in the range of nanoseconds or picoseconds, preferably in the range of between 15ps and 300ns, will make it possible to better control the energy transmitted to simply melt the metal, the power, that is to say, the fluence of the laser is preferably between 0.3 J / cm 2 and 3 J / cm 2 , preferably between 0.5 J / cm 2 and 1.5 J / cm 2 .
  • Various types of laser can be used: either lasers with small spots corresponding approximately to the width of the layer primer 4 to form, or lasers with large spots and inserting a mask between the beam and the substrate.
  • the primer layer 4 can be formed, without a mask, with a laser having a wavelength of 355 nm, a pulsation duration of the order of one picosecond and having a spot size of 20 ⁇ m. .
  • a power of 0.10W associated with a high speed scan, for example 1000mm / s, will make the primer layer 4 in the form of lines of about 28 ⁇ wide by merging the metal while remaining below the threshold of 'ablation.
  • a high frequency laser will be used which allows very short pulses, such as for example a nanosecond laser or preferably a picosecond laser, making it possible to correctly dose the thermal input and to limit the reaction with the transparent conductive oxide layer 6.
  • the temperature of the heat treatment is advantageously close to the temperature allowing the melting of the metal layer 3. It is advantageously lower at 1000 ° C, and even more preferably between 900 ° C and 1000 ° C.
  • This temperature range in the case of an Ag metal layer and an insulating layer of SiO 2 , allows the direct melting of the metal layer, only the softening of the insulating oxide layer and just a surface reaction.
  • transparent conductive oxide in the case of an Ag metal layer and an insulating layer of SiO 2 , allows the direct melting of the metal layer, only the softening of the insulating oxide layer and just a surface reaction.
  • transparent conductive oxide The reaction takes place, for example, over 10 nm to 20 nm in depth of the transparent conductive oxide layer.
  • Even narrower tracks 4 can be made using an eximer laser having a spot of more than 1 cm 2 associated with a mask.
  • an excimer laser 308nmm 150ns used with a fluence of 0.7J / cm2 through a mask with slots of 15 ⁇ , we will realize the primer layer 4 under form of primer layer segments 4 of about 20 ⁇ wide by fusing the metal while remaining below the ablation threshold.
  • the method for producing photovoltaic cells according to the invention makes it possible to obtain a low line resistance of the electrical contacts and, at the same time, makes it possible to retain the passivation properties of the amorphous layer.
  • this method has the advantage of being robust and easy to implement.
  • all the steps of the process are carried out at temperatures below 220 ° C.

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)

Abstract

Procédé de réalisation dʼune cellule photovoltaïque comprenant les étapes successives suivantes : i) fournir un substrat (1) comprenant une jonction photovoltaïque p/n, recouvert successivement par une couche dʼoxyde transparent conducteur (6), une première couche en matériau électriquement isolant (2) et une seconde couche (3) en matériau métallique, ii) procéder à un traitement thermique localisé par irradiation laser dans des conditions permettant de faire réagir localement le matériau électriquement isolant et le matériau métallique pour former une couche dʼamorce (4), en composé vitreux chargé en métal, ladite couche dʼamorce (4) étant électriquement connectée à la jonction p/n par lʼintermédiaire de la couche dʼoxyde transparent conducteur (6), iii) procéder au retrait de la seconde couche (3) en matériau métallique, iv) procéder à la formation par dépôt électrochimique dʼun contact électrique (5) sur la couche dʼamorce (4).

Description

Procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque
Domaine technique de l'invention
L'invention est relative à un procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque ainsi qu'à une cellule photovoltaïque ainsi obtenue.
État de la technique
Une cellule photovoltaïque peut être formée par un empilement multicouche, comprenant le plus souvent des matériaux semi-conducteurs et permettant de convertir directement les photons reçus en un signal électrique.
Une telle cellule photovoltaïque peut, par exemple, être une cellule photovoltaïque à homojonction ou à hétérojonction. Ces cellules sont souvent en silicium.
Une des étapes intervenant lors de la réalisation de cellules photovoltaïques est l'étape de métallisation. Cette métallisation intervient vers la fin du procédé de réalisation des cellules photovoltaïques et elle consiste à déposer sur au moins une des faces de la cellule des contacts métalliques, généralement sous la forme de peignes ou de grilles. Ces contacts métalliques sont destinés à collecter le courant et à interconnecter les cellules entre elles.
Pour réaliser les contacts électriques, des lignes métalliques sont en général déposées par sérigraphie. Les lignes métalliques sont, par exemple, à base d'argent.
Cette technique permet de réaliser rapidement des contacts métalliques. Elle présente toutefois un certain nombre de limitations comme, par exemple, une résistivité élevée du contact électrique et une largeur importante des lignes. La largeur des lignes est, généralement, de l'ordre de 70 μιη à 120μιη, ce qui provoque un taux d'ombrage conséquent sur la face de la cellule diminuant ainsi son rendement. De plus, après le dépôt de la pâte d'argent sur la cellule photovoltaïque, un recuit est nécessaire pour permettre à la fois la prise de contact et la densification de la pâte.
Pour les cellules à homojonction, les recuits sont réalisés à haute température, de l'ordre de 800°C. La prise de contact a lieu lorsque l'argent traverse la couche antireflet de la cellule et vient en contact avec la région émettrice de ladite cellule.
Pour les cellules à hétérojonction, les recuits sont réalisés à plus basse température, de l'ordre de 200°C, car les couches amorphes, présentes dans les cellules à hétérojonction, ont une mauvaise tenue en température. Elles se recristallisent partiellement à des températures supérieures à 200°C, perdant ainsi leurs propriétés de passivation. La prise de contact se fait directement dans le cas des cellules à hétérojonction sur la couche d'oxyde conducteur transparent.
Or, la résistivité d'une pâte d'argent cuite à haute température est près de deux fois supérieure à la résistivité de l'argent volumique et la résistivité d'une pâte d'argent densifiée à basse température est quatre à cinq fois supérieure à la résistivité de l'argent volumique. La résistivité des contacts électriques obtenus avec cette technique est donc très supérieure à celle du métal volumique.
Une augmentation de la température du recuit permettrait de diminuer la résistivité des contacts métalliques mais cette augmentation entraînerait la cristallisation partielle des couches amorphes présentes dans les cellules à hétérojonction. Le procédé de réalisation des contacts électriques consiste donc à trouver un compromis entre la qualité des contacts électriques, et notamment leurs propriétés de résistivité électrique, et la qualité des couches amorphes, la qualité de l'une se faisant souvent au détriment de l'autre.
Une autre technique utilisée pour former des contacts électriques est la photolithographie associée à une croissance électrolytique. La photolithographie, issue des techniques utilisées dans le domaine de la microélectronique, permet de réaliser des motifs très étroits, de l'ordre de 10μιη ou 20 μιη, sur les cellules photovoltaïques à température ambiante, grâce au dépôt d'une résine photosensible. L'ombrage est ainsi limité et les rendements des cellules photovoltaïques sont améliorés. Cependant, cette technique est longue à mettre en œuvre et présente un coût très élevé, ce qui n'est pas compatible avec la production de cellules photovoltaïques.
Par ailleurs, le principal inconvénient des recharges galvaniques réside dans l'adhérence des dépôts sur le substrat.
Dans le cas des cellules à homojonction, une sous-couche de nickel est utilisée pour former un siliciure de nickel et ainsi permettre une meilleure accroche du dépôt électrolytique. Cependant, la formation des siliciures de nickel conduit généralement à l'apparition de micro-court-circuits.
Dans le cas de cellules à hétérojonction, l'adhésion des dépôts galvaniques sur la couche en oxyde transparent conducteur est toujours insuffisante.
La difficulté industrielle est donc de réaliser des contacts métalliques, pour les cellules photovoltaïques, relativement étroits, peu résistifs, et présentant une bonne adhérence sur le support, avec une cadence de production relativement élevée et, dans le cas des cellules à hétérojonction, sans cristalliser les couches amorphes. Objet de l'invention
L'invention a pour but de remédier aux inconvénients de l'art antérieur et, en particulier, de proposer un procédé d'élaboration d'une cellule photovoltaïque permettant de réaliser des contacts électriques, présentant une faible résistivité, tout en préservant les couches en matériau semi-conducteur sous-jacentes.
On tend vers cet objet par les revendications annexées.
Description sommaire des dessins
D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels :
- les figures 1 à 4 représentent, de manière schématique et en coupe, différentes étapes de réalisation d'une cellule photovoltaïque, selon un premier mode de réalisation,
- les figures 5 et 6 représentent, de manière schématique et en coupe, une cellule photovoltaïque, selon un deuxième mode et un troisième mode de réalisation.
Description d'un mode de réalisation préférentiel de l'invention
Le procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque comprend les étapes successives suivantes : i) fournir un substrat 1 comprenant une jonction photovoltaïque p/n, recouvert successivement par une première couche en matériau électriquement isolant 2 et une seconde couche 3 en matériau métallique,
ii) procéder à un traitement thermique localisé par irradiation laser dans des conditions permettant de faire réagir localement le matériau électriquement isolant et le matériau métallique pour former une couche d'amorce 4, en composé vitreux chargé en métal, ladite couche d'amorce 4 étant électriquement connectée à la jonction p/n,
iii) procéder au retrait de la seconde couche 3 en matériau métallique, iv) procéder à la formation par dépôt électrochimique d'un contact électrique 5 sur la couche d'amorce 4.
Selon un mode de réalisation préférentiel, le substrat comporte une couche d'oxyde transparent conducteur 6, interposée entre la jonction photovoltaïque p/n et la première couche en matériau électriquement isolant 2. C'est plus particulièrement le cas pour les cellules à hétérojonction.
La couche d'amorce 4 formée à l'étape ii), i.e. lors du traitement thermique localisé par irradiation laser, est alors électriquement connectée à la jonction p/n par l'intermédiaire de la couche d'oxyde transparent conducteur 6.
Cette couche en oxyde transparent conducteur 6 permet de disposer d'une bonne conductivité latérale et de protéger thermiquement les couches en matériau semi-conducteur formant le substrat lors de la formation de la couche d'amorce 4. L'apport de chaleur est ainsi généré jusqu'à la couche en oxyde transparent conducteur 6.
En étape ii), le faisceau laser est appliqué à partir d'une source (non représentée sur la figure 1 ) disposée au-dessus de la cellule photovoltaïque. Le faisceau laser est appliqué sélectivement à l'endroit où la couche d'amorce 4 doit être formée (flèches F sur la figure 1 ). L'utilisation d'un faisceau laser permet, avantageusement, de générer un apport de chaleur homogène mais contrôlé notamment dans l'espace et le temps.
L'irradiation laser est réalisée dans des conditions (fluence, durée du puise) telles que l'apport de chaleur, créé par l'application localisée du faisceau laser au niveau de la seconde couche 3 en matériau métallique, aussi appelée couche métallique 3, est suffisamment élevé pour faire fusionner localement ladite couche métallique 3 et provoquer au moins un ramollissement, voire la fusion, de la première couche en matériau électriquement isolant 2, et éventuellement d'une partie de la couche d'oxyde conducteur transparent 6. Cette étape permet de former une couche d'amorce 4 électriquement conductrice.
Selon un mode de réalisation préférentiel, l'irradiation laser est réalisée de manière à provoquer le ramollissement plutôt que la fusion de la couche électriquement isolante 2, limitant ainsi la réaction avec la couche d'oxyde conducteur transparent 6.
La température du traitement thermique, c'est-à-dire la température appliquée à la couche métallique 3 pendant l'application du faisceau laser, est, avantageusement, supérieure ou égale à la température permettant la fusion de la couche métallique 3, et, de préférence supérieure à 900°C.
Lors de l'irradiation laser, le matériau formant la couche d'amorce 4 se crée. La couche d'amorce 4 est, avantageusement, formée par le matériau électriquement isolant de la première couche 2 et par le matériau métallique de la seconde couche 3.
Le matériau de la couche d'amorce 4 est sous la forme d'un composé vitreux, notamment un verre ramolli, chargé en métal tel que l'argent. Il est par exemple du type des verres qui se forment lors de la cuisson des pâtes d'argent dites « haute température » utilisées en sérigraphie. Ces pâtes sont composées d'une poudre d'argent et d'une fritte de verre dispersées dans un liant organique. Par fritte, on entend une poudre de verre broyé qui lors de la cuisson se ramollit ou fusionne pour former un composé vitreux dans lequel se dissout en partie l'argent pour former un verre de SiO2 dopé Ag.
Après irradiation laser et lors du refroidissement, une couche fine de ce verre chargé, de quelques dizaines de nanomètres d'épaisseur, se forme à l'interface entre la première couche en matériau électriquement isolant 2 et la seconde couche 3 en matériau métallique. Des cristallites d'argent peuvent se former, favorisant le contact électrique. Cette couche permet d'améliorer l'adhérence des métallisations, i.e. des contacts électriques.
Avantageusement, et comme représenté sur les figures 2 à 6, la couche d'amorce 4 en matériau vitreux réagit chimiquement partiellement avec l'oxyde transparent conducteur 6 et/ou mécaniquement, ce qui permet de réaliser la prise de contact entre la couche d'amorce 4 et la couche d'oxyde 6 et de connecter électriquement la couche d'amorce 4 avec la jonction p/n du substrat 1 .
Selon un premier mode de réalisation, l'accrochage de la couche d'amorce 4 à l'état vitreux avec la couche en oxyde transparent conducteur 6 est réalisé par voie chimique, solidarisant efficacement les deux couches entre elles. Le matériau de la couche d'amorce 4 est alors un mélange des matériaux de la couche métallique 3, de la couche isolante 2 et de la couche en oxyde transparent conducteur 6.
Selon un autre mode de réalisation, lors de la fusion des couches isolante 2 et métallique 3, le matériau vitreux pénètre dans les pores de la couche en oxyde transparent conducteur 6 jusqu'au joint de grains, permettant un accrochage mécanique fort de la couche d'amorce 4 dans la couche d'oxyde 6. La diffusion et/ou la formation du matériau vitreux, composé des matériaux de la couche métallique 3 et de la couche isolante 2, entraînent la formation d'un trou 9 traversant à la fois la couche métallique 3 et au moins une partie de la couche isolante 2, comme représenté sur la figure 2.
La couche d'amorce 4 est ainsi formée au fond du trou 9, les parois latérales du trou 9 étant formées par l'épaisseur de la couche isolante 2 et de la couche 3 non fusionnée avant son retrait. Le trou 9 est, avantageusement, sous la forme d'une rainure. Le contact électrique 5 formé sur la couche d'amorce 4 aura alors la forme d'une ligne.
La largeur de la rainure, et donc du trou, correspond à peu près à la taille du faisceau laser. Par exemple, en utilisant un faisceau laser générant un spot focalisé de 15-20 ym, on réalisera une couche d'amorce 4 de largeur d'environ 25μηι.
Comme représenté sur les figures 2 à 4, le procédé comprend, après l'étape de formation de la couche d'amorce 4:
- le retrait de la couche métallique 3 n'ayant pas fusionné pour former la couche d'amorce 4,
- le dépôt d'un contact électrique 5 sur la couche d'amorce 4 électriquement conductrice.
Préférentiellement, la couche métallique 3 est retirée par gravure. Encore plus préférentiellement, elle est retirée par gravure chimique.
De manière avantageuse, la cinétique de gravure du matériau de la couche d'amorce 4 est inférieure à celle de la couche métallique 3, ce qui permet de réaliser une gravure dite sélective. Cette différence de cinétique de gravure est dûe à la présence de la phase vitreuse dans le matériau composant la couche d'amorce 4, le métal apportant à la couche d'amorce 4 la conduction électrique permettant notamment la formation ultérieure du contact métallique par dépôt électrochimique. Le matériau de la couche métallique 3 est ainsi gravé, alors que la couche d'amorce 4 n'est pas ou que légèrement gravée. Lors de la gravure, seule la couche métallique 3 sera retirée, libérant la couche isolante 2.
Comme représenté sur la figure 3, après le retrait de la couche métallique 3, la surface de la cellule est formée par la couche électriquement isolante 2 à travers laquelle est ménagée la couche d'amorce 4. Le contact électrique 5 est, ensuite, déposé sur la couche d'amorce 4. Préférentiellement, l'étape iv), i.e. la formation du contact électrique 5 sur la couche d'amorce 4, est réalisée par dépôt autocatalytique et/ou électrolytique.
La couche d'amorce 4 a une résistivité telle qu'il sera possible de déposer un contact électrique 5 par dépôt électrochimique, ou par dépôt auto-catalytique sur la couche d'amorce 4.
De par sa composition notamment, la couche d'amorce 4 a une résistivité inférieure à celle de la couche électriquement isolante 2 et une résistivité supérieure à celle de la couche métallique 3.
Préférentiellement, le matériau formant le contact électrique 5 a une résistivité inférieure à celle du matériau formant la couche d'amorce 4. A titre d'exemple, la résistivité de la couche d'amorce 4 est de l'ordre de 1 .10"4 ohm. cm - 1 .10"3 ohm. cm, et celle du contact électrique 5 formé est de l'ordre de 1.10"6 ohm. cm.
Le contact électrique 5 est déposé par dépôt électrochimique (ECD pour « electrochemical déposition » en anglais). La couche d'amorce 4 sert ainsi de couche d'activation (aussi appelée « seed layer » en anglais), c'est-à-dire que la couche d'amorce 4 sert de couche de départ ou de germination pour la formation du contact électrique 5. Le contact électrique 5 peut en particulier être déposé par dépôt électrolytique ou auto-catalytique (« electroless » en anglais). Le dépôt auto-catalytique est alors réalisé par voie humide sans utiliser de courant électrique, il est basé sur la présence d'un agent réducteur en solution pour réduire des ions métalliques sur la surface de la couche d'amorce 4.
Avantageusement, la gravure chimique utilisée pour retirer la couche métallique 3 est sélective et il n'y a pas d'attaque notable de la couche d'oxyde électriquement isolante 2, ce qui permet d'éviter des dépôts parasites lors du dépôt auto-catalytique. Les dépôts peuvent éventuellement être assistés par lumière (connu sous le nom anglo-saxon de light induced plating).
Les contacts électriques 5 ainsi obtenus sont denses et présentent une résistivité proche de celle du métal volumique (« bulk » en anglais). Avantageusement, ils sont réalisés à faible température. Les couches du substrat sont ainsi préservées. Dans le cas d'une cellule photovoltaïque à hétérojonction, les couches amorphes ne sont pas détériorées.
Par faible température, on entend une température inférieure à 100°C. Par exemple, il s'agit de l'ordre de 25°C pour un dépôt de cuivre électrolytique, de 40°C pour un dépôt d'argent électrolytique ou de 90°C pour un dépôt auto- catalytique.
Comme représenté sur les figures 4 à 6, le contact électrique 5, ainsi obtenu, présente, selon une vue en coupe et selon un axe perpendiculaire à l'empilement de la cellule photovoltaïque, une forme de champignon. Par une forme de champignon, on entend que le contact est sensiblement sous la forme d'une base rectangulaire et d'une tête semi-sphérique plus large.
La base du contact 5 est disposée dans le trou 9 de la couche électriquement isolante 2. Préférentiellement, la base du contact électrique 5 remplit le trou 9. La base du contact électrique 5 est en contact avec la couche d'amorce 4 formant le fond du trou 9 et la couche isolante 2 formant les bords du trou 9. La tête du contact électrique 5 recouvre la base du contact électrique 5 et peut recouvrir partiellement les bords du trou 9, c'est-à-dire que le contact 5 recouvre partiellement la couche électriquement isolante 2, comme représenté sur la figure 4.
Préférentiellement, la base du contact électrique 5, c'est-à-dire la largeur de la couche d'amorce 4, a une largeur inférieure à 40μιη, de préférence inférieure 20μιη. La largeur de la tête du contact électrique 5 est appelée « largeur du contact électrique », elle correspond à la largeur de la partie visible du contact électrique 5. Le contact électrique 5 a une largeur inférieure à δθμιη, et de préférence inférieure à 35μιη. Par exemple, pour une couche d'amorce 4 de 20μιη de largeur et pour un contact électrique 5 ayant une épaisseur de 7μιη, la largeur du contact électrique est de 35μιη. Par épaisseur du contact électrique on entend, la somme des épaisseurs de la base et de la tête du contact électrique 5. Des lignes encore plus étroites peuvent être obtenues en effectuant une irradiation laser à travers un masque. Il est ainsi possible d'obtenir une forte productivité en utilisant un laser de grande taille. Dans ce cas, les pistes 4 obtenues pourront avoir des largeurs de 10μιη et les contacts électriques 5 des largeurs de 25μιη.
Le contact électrique 5 peut être par exemple en nickel, en argent, en cuivre, en cobalt, en étain ou un de leurs alliages. Selon un mode de réalisation préférentiel, le contact électrique 5 est en cuivre ou en argent, afin d'avoir une conductivité plus élevée. Avantageusement, l'utilisation du cuivre plutôt que de l'argent, par exemple, permet de diminuer les coûts d'élaboration de la cellule photovoltaïque. La conductivité du cuivre (63.106 S. m"1) est sensiblement meilleure que celle de l'argent (59,6.106 S. m"1).
Dans le cas de l'utilisation d'un contact électrique 5 en cuivre et d'une cellule photovoltaïque en silicium, la présence de la couche d'amorce 4 joue le rôle de couche barrière entre ledit contact électrique 5 et le silicium de la cellule photovoltaïque 1 , c'est-à-dire que cette couche empêche la diffusion du cuivre, qui a une forte propension à diffuser lors des traitements thermiques même à basse température. La couche d'amorce 4 permet d'éviter la contamination du silicium. C'est à cause de cette contamination qu'il n'est pas courant d'utiliser sans barrière du cuivre dans la métallisation de cellule photovoltaïque.
Selon un mode de réalisation particulier, le contact électrique 5 peut être réalisé par dépôt successif de plusieurs métaux, avantageusement choisis parmi le cuivre, l'argent et l'étain. Les métaux formant le contact électrique 5 sont choisis parmi le cuivre, l'argent et l'étain. L'épaisseur cumulée des films métalliques est inférieure à 30μιη, préférentiellement inférieure à 15μιη. Cette gamme d'épaisseur permet d'obtenir des contacts 5 présentant une faible résistivité tout en étant peu coûteux en matière première.
Le contact électrique 5 est, par exemple, réalisé par dépôts successifs d'un film d'argent, d'un film de cuivre puis d'un film d'étain. Les films ont, par exemple, des épaisseurs respectives de 1μιη, 6μιη, 2μιη soit une épaisseur totale de 9μιη.
Préférentiellement, le film en cuivre est intercalé entre les autres films métalliques : il est positionné au cœur du contact électrique 5.
Le contact électrique 5 est, par exemple, sous la forme d'un peigne, c'est-à-dire sous forme de lignes parallèles ou sensiblement parallèles. Les lignes sont connectées entre elles à une de leurs extrémités par une ligne supplémentaire, perpendiculaire aux autres lignes. Le contact électrique 5 peut être composé d'un seul peigne ou de plusieurs peignes interdigités.
Le contact électrique 5 peut, par exemple, être formé de lignes parallèles, d'une largeur comprise entre 20μιη et ΊΟμνη, de préférence entre 20μιη et 45μιη, d'une épaisseur comprise entre 5μιη et 30μιη et avec un espace interligne compris entre 1 mm et 3mm.
Par ailleurs, le motif de la couche d'amorce 4 formé à la surface du substrat est réalisé en fonction de la géométrie du contact électrique 5 souhaitée.
Les différents matériaux utilisés pour réaliser les cellules photovoltaïques précédemment décrites seront choisis par l'homme du métier. En particulier, la couche métallique 3 doit être électriquement conductrice afin de former lors de la fusion de ladite couche avec la couche isolante 2 un troisième matériau électriquement conducteur. Préférentiellement, la couche métallique 3 est une couche non transparente afin de pouvoir absorber le rayonnement laser. Préférentiellement, le matériau métallique de la couche 3 est à base d'argent. Il peut être en argent et/ou en oxyde d'argent. Il peut également s'agir d'un alliage d'argent. L'argent, même sous une forme oxydée, est un matériau conducteur électriquement. L'oxydation de l'argent peut survenir lors de l'étape de fusion. L'épaisseur de la couche métallique 3 est, préférentiellement, supérieure à 10nm, et encore plus préférentiellement supérieure à 30nm. L'épaisseur de la couche métallique 3 est ainsi suffisamment grande pour absorber l'énergie du laser. Le dépôt de la couche métallique peut être réalisé par dépôt physique en phase vapeur (ou PVD pour physical vapor déposition), ce qui permet d'obtenir une couche adhérant bien sur la couche inférieure et de consommer un minimum de métal. La couche électriquement isolante 2 est une couche inorganique, avantageusement à base d'oxyde de silicium, par exemple en SiO2 ou en SiO2 dopé ou bien il peut s'agir d'un empilement multi-couches SiN-SiO2 ou SiO2/MgF2.
Préférentiellement, la couche métallique 3 est à base d'argent et la couche électriquement isolante 2 est à base de SiO2. En particulier, la température nécessaire à l'obtention de la couche d'amorce 4 en troisième matériau pourra être abaissée en utilisant une couche de SiO2 dopée, par exemple par addition de Ca, de B ou de P. On utilisera, préférentiellement, un élément compatible avec le type de dopage utilisé dans la couche en matériau semi-conducteur situé sur la même face de la cellule photovoltaïque.
La couche électriquement isolante 2 a de préférence une épaisseur inférieure à 200nm et, de préférence, inférieure à 50nm, ce qui permet de faciliter le ramollissement de ladite couche et la faire réagir dans toute son épaisseur avec le métal.
Le rapport entre l'épaisseur de la couche métallique 3 électriquement conductrice et l'épaisseur de la couche électriquement isolante 2 est de plus avantageusement supérieur à 10% et, de préférence, supérieur à 30%.
Préférentiellement, la couche électriquement isolante 2 est en SiO2 et la couche métallique 3 est en argent.
Par exemple, la couche électriquement isolante 2 est une couche en SiO2 de 50nm d'épaisseur et la couche métallique est une couche d'argent de 25nm d'épaisseur, le rapport entre l'épaisseur de la couche métallique 3 et l'épaisseur de la couche électriquement isolante 2 étant de 50%.
Préférentiellement, le matériau formant la couche d'oxyde transparent conducteur 6 (ou TCO pour « transparent conductive oxide » en anglais) est un composé à base d'indium, par exemple de l'oxyde d'indium et d'étain (ou ITO pour indium-tin oxide en anglais), de l'oxyde d'indium, de l'oxyde d'indium et de tungstène ou un composé à base de zinc, par exemple de l'oxyde de zinc éventuellement dopé au bore ZnO(B). Selon un autre mode de réalisation non représenté, la couche d'oxyde peut aussi être élaborée à partir de plusieurs oxydes transparents conducteurs.
L'épaisseur de la couche d'oxyde transparent 6 est inférieure à 200nm. L'épaisseur est, avantageusement, comprise entre 10nm et 100nm et, de préférence, entre 20nm et 100nm. L'épaisseur de la couche d'oxyde transparent conducteur 6 est, par exemple, comprise entre 50nm et 100nm, ce qui permet de préserver au moins une partie de l'épaisseur de la couche d'oxyde transparent conducteur 6 lors de la formation de la couche d'amorce 4 et donc de protéger le susbtrat 1 .
La couche d'oxyde transparent conducteur 6 peut être déposée par une technique de dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma ou par dépôt physique en phase vapeur. La couche d'oxyde transparent conducteur 6 possède également des caractéristiques physico-chimiques particulières permettant de passiver la surface de la couche dopée 8. Avantageusement, la présence de la couche d'oxyde transparent conducteur 6 permet aussi d'améliorer les propriétés optiques de la cellule. Elle permet d'éviter qu'une proportion trop importante du flux lumineux qui atteint la surface de la cellule ne soit réfléchie, permettant d'augmenter le courant produit par la cellule. Les couches formant le substrat sont, par exemple, comme représentées sur les figures 1 à 6 :
- une couche en matériau semi-conducteur faiblement dopé 7 selon un type prédéterminé n ou p, muni d'une face avant et d'une face arrière,
- une couche en matériau semi-conducteur fortement dopé 8, soit selon un type de dopage inverse à celui de la couche 7 pour réaliser une jonction p/n, dans le cas d'une structure standard avec émetteur en face avant, soit selon un type de dopage identique à celui de la couche 7, dans le cas d'une structure inversée avec émetteur en face arrière, la deuxième couche étant disposée sur la face avant de la couche 7.
Dans le cas de la face avant d'une structure de cellule hétérojonction à émetteur inversé, de type de dopages identiques, toute la couche d'oxyde conducteur transparent 6 peut participer à la formation du troisième matériau constituant la couche d'amorce 4 sans risque de court-circuit dans la cellule.
Par contre dans le cas de la face avant d'une structure de cellule hétérojonction à émetteur standard, de type de dopages inverses, toute l'épaisseur de la couche d'oxyde conducteur transparent 6 ne participe pas à la formation du troisième matériau constituant la couche d'amorce 4. Au moins une partie de l'épaisseur de la couche d'oxyde transparent conducteur 6 n'est pas modifiée par l'irradiation laser, ce qui permet de limiter la diffusion du troisième matériau formant la couche d'amorce 4 dans le substrat 1 limitant ainsi les risques de court-circuit, notamment dans le cas de la face avant d'une structure de cellule hétérojonction à émetteur standard, de type de dopages inverses.
Par au moins une partie de l'épaisseur de la couche d'oxyde transparent conducteur 6, on entend la partie de l'épaisseur directement en contact avec le substrat 1 et, plus particulièrement, la couche 8 en matériau semi-conducteur fortement dopé. La cellule photovoltaïque, obtenue selon le procédé précédemment décrit, comprend un substrat 1 muni d'une jonction photovoltaïque p/n et au moins un contact électrique 5. Le contact électrique 5 repose directement sur une couche d'amorce 4, en composé vitreux dopé par un métal, ménagée à travers une couche en matériau électriquement isolant 2, ladite couche d'amorce 4 étant connectée électriquement à la jonction photovoltaïque p/n. La couche d'amorce 4 électriquement conductrice est recouverte par le contact électrique 5 en matériau métallique. Le contact électrique 5 a une largeur inférieure à 50μιη et, de préférence, inférieure à 35μιη.
Selon un mode de réalisation préférentiel, une couche d'oxyde transparent conducteur 6 est disposée entre le substrat 1 et la couche en matériau électriquement isolant 2 et la couche d'amorce 4 est électriquement connectée à la jonction p/n par l'intermédiaire de la couche d'oxyde transparent conducteur 6. Sur les figures 1 à 4, la face arrière du substrat 1 est plane. Cette face arrière peut, avantageusement, être recouverte d'une électrode.
Elle peut, cependant, dans d'autres cas, être texturée et/ou recouverte d'un empilement multicouche. A titre d'exemple et comme représenté sur la figure 5, une cellule photovoltaïque peut comporter en plus des éléments précédemment décrits :
- une couche 10 en matériau semi-conducteur dopé selon le type de dopage inverse à celui de la couche 8 placée en face avant, ladite couche 10 étant déposée sur la face arrière du substrat 1 , par exemple, en silicium amorphe dopée,
- une couche en oxyde transparent conducteur 1 1 déposée sur la troisième couche 10, par exemple en ITO ou en ZnO. La cellule photovoltaïque comporte également une couche métallique 12, par exemple en argent. Sur les figures 1 à 5, les contacts électriques 5 sont réalisés sur une seule face de la cellule photovoltaïque. Lors de l'immersion de la cellule photovoltaïque dans le bain électrolytique, contenant le métal à déposer sous une forme dissoute, la face arrière du substrat 1 peut être protégée. Autrement, un dispositif permettant de mettre l'électrolyte en contact avec une seule face peut être utilisé.
Selon un autre mode de réalisation, la cellule photovoltaïque peut aussi avoir une structure dite bifaciale. Le procédé décrit précédemment est appliqué sur les deux faces de la cellule. L'irradiation par faisceau laser localisée est réalisée à la fois sur la face avant et sur la face arrière. La cellule photovoltaïque est alors entièrement immergée dans l'électrolyte pour former au moins un contact électrique en face avant et au moins un contact électrique en face arrière.
Comme représenté sur la figure 6, la cellule photovoltaïque obtenue comporte alors, en face arrière du substrat 1 , le même empilement que la face avant, c'est-à-dire :
- une couche en matériau semi-conducteur 13 dopé selon le type de dopage inverse à celui de la couche 8 placée en face avant,
- une couche en oxyde transparent conducteur 14,
- une couche électriquement isolante 15, ladite couche électriquement isolante 15 comportant localement un trou,
- une couche d'amorce 16 électriquement conductrice, en composé vitreux chargé en métal, ladite couche d'amorce 16 étant formée d'un mélange du matériau de la couche isolante 15 et d'un métal, ladite piste étant électriquement connectée à la jonction p/n du substrat 1 via la couche d'oxyde transparent conducteur 14, un contact électrique 17 déposé sur ladite couche d'amorce 16.
Le procédé décrit précédemment peut être utilisé pour réaliser des cellules photovoltaïques à homojonction et des cellules photovoltaïques à hétérojonction.
Dans le cas d'une cellule photovoltaïque à homojonction, les couches en matériau semi-conducteur faiblement dopé 7 et fortement dopé 8 du substrat 1 sont en matériau semi-conducteur cristallin. Par contre, le substrat ne comporte pas de couche en oxyde transparent conducteur.
Dans le cas d'une cellule photovoltaïque à hétérojonction, la couche en matériau semi-conducteur faiblement dopé 7 du substrat 1 est en matériau semi-conducteur cristallin, et couche en matériau semi-conducteur fortement dopé 7 est en matériau semi-conducteur amorphe.
Préférentiellement, le matériau semi-conducteur utilisé pour réaliser les cellules à homojonction et à hétérojonction est du silicium. Les couches en matériau semi-conducteur 8, 10 et 13 sont préférentiellement un empilement bicouche de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque puis dopé. L'épaisseur de l'empilement est comprise entre 5nm et 25nm.
Ces couches peuvent être déposées par tout type de méthodes utilisées dans le domaine. Les couches peuvent être déposées par exemple par PECVD pour « Plasma-Enhanced Chemical Vapor Déposition » en anglais) à une température inférieure à 300°C.
Les couches du substrat 1 pourraient aussi être en un ou plusieurs autres matériaux semi-conducteurs, tels que le germanium ou un alliage silicium- germanium. Pour éviter une trop grande réflexion de la lumière incidente, la surface du substrat 1 , et, donc, la surface de la couche 8 peut, avantageusement, présenter en plus une texturation (non représentée sur les figures), par exemple en forme de pyramide.
Selon un mode de réalisation particulier, après le dépôt du contact électrique 5, la couche isolante 2 peut être retirée par toute technique adaptée. Selon un autre mode de réalisation, ladite couche isolante 2 n'est pas retirée et fera partie de la cellule finale. La couche isolante 2 est alors choisie en fonction de ses propriétés optiques. Si la couche isolante 2 est laissée, celle-ci sera avantageusement transparente au rayonnement solaire afin de ne pas diminuer le rendement de la cellule. Une couche de SiO2 d'indice optique n=1 .4 (k proche de 0) présente des propriétés optiques idéales, car intermédiaire entre l'indice de l'air et celui de la couche d'ITO (n=2) sur laquelle elle peut être déposée dans le cas des structures hétérojonctions. Dans le cas des structures de cellules homojonction, une couche de SiO2 voire un bicouche SiN-SiO2 peuvent aussi être intéressants.
Le faisceau laser utilisé pour ce procédé a, de préférence, une longueur d'onde comprise entre 248nm et 1025nm, et plus particulièrement entre 248nm et 552 nm. Avantageusement, l'utilisation de lasers à faible durée de pulsation, dans la gamme des nanosecondes ou des picosecondes, de préférence dans la gamme comprise entre 15ps et 300ns permettra de mieux contrôler l'énergie transmise pour faire juste fusionner le métal, La puissance, c'est-à-dire la fluence du laser est de préférence comprise entre 0.3 J/cm2 et 3 J/cm2, de préférence entre 0.5 J/cm2 et 1.5 J/cm2. Divers types de laser peuvent être utilisés : soit des lasers avec des spots de petite taille correspondant approximativement à la largeur de la couche d'amorce 4 à former, soit des lasers avec des spots de grande taille et en insérant un masque entre le faisceau et le substrat.
A titre d'exemple, la couche d'amorce 4 peut être formée, sans masque, avec un laser ayant une longueur d'onde de 355nm, une durée de pulsation de l'ordre de la picoseconde et ayant une taille de spot de 20μιη. Une puissance de 0.10W associée à un balayage à grande vitesse, par exemple 1000mm/s, permettra de réaliser la couche d'amorce 4 sous forme de lignes d'environ 28μιη de large en fusionnant le métal tout en restant en dessous du seuil d'ablation.
Préférentiellement on utilisera un laser à haute fréquence permettant des puises très courts, comme par exemple un laser nanoseconde ou de préférence un laser picoseconde, permettant de bien doser l'apport thermique et de limiter la réaction avec la couche d'oxyde transparent conducteur 6.
La température du traitement thermique, c'est-à-dire la température appliquée à la couche métallique 3 pendant l'application du faisceau laser, est, avantageusement, proche de la température permettant la fusion de la couche métallique 3. Elle est avantageusement inférieure à 1000°C, et encore plus avantageusement comprise entre 900°C et 1000°C. Cette gamme de température, dans le cas d'une couche métallique en Ag et d'une couche isolante en SiO2, permet la fusion directe de la couche métallique, seulement le ramollissement de la couche d'oxyde isolante et juste une réaction en surface de l'oxyde transparent conducteur. La réaction a lieu, par exemple, sur 10nm à 20 nm en profondeur de la couche d'oxyde transparent conducteur.
On pourra réaliser des pistes 4 encore plus étroites en utilisant un laser eximer disposant d'un spot de plus d'1cm2 associé à un masque. Avec un laser excimer 308nmm, 150ns utilisé avec une fluence de 0.7J/cm2 à travers un masque disposant de fentes de 15μιη, on réalisera la couche d'amorce 4 sous forme de segments de couche d'amorce 4 d'environ 20 μιη de large en fusionnant le métal tout en restant en dessous du seuil d'ablation.
Le procédé de réalisation de cellules photovoltaïques selon l'invention permet d'obtenir une faible résistance de ligne des contacts électriques et, en même temps, permet de conserver les propriétés de passivation de la couche amorphe. De plus, ce procédé présente l'avantage d'être robuste et facile à mettre en œuvre. Avantageusement, toutes les étapes du procédé sont réalisées à des températures inférieures à 220°C.

Claims

Revendications
1. Procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque comprenant les étapes successives suivantes :
i) fournir un substrat (1 ) comprenant une jonction photovoltaïque p/n, recouvert successivement par une couche d'oxyde transparent conducteur (6), une première couche en matériau électriquement isolant (2) et une seconde couche (3) en matériau métallique,
ii) procéder à un traitement thermique localisé par irradiation laser dans des conditions permettant de faire réagir localement le matériau électriquement isolant et le matériau métallique pour former une couche d'amorce (4), en composé vitreux chargé en métal, ladite couche d'amorce (4) étant électriquement connectée à la jonction p/n par l'intermédiaire de la couche d'oxyde transparent conducteur (6),
iii) procéder au retrait de la seconde couche (3) en matériau métallique, iv) procéder à la formation par dépôt électrochimique d'un contact électrique (5) sur la couche d'amorce (4).
2. Procédé selon la revendication 1 , caractérisé en ce que l'étape iv) est réalisée par dépôt autocatalytique et/ou électrolytique.
3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le contact électrique (5) a une largeur inférieure à 50μιη et, de préférence, inférieure à 35μιη.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le contact électrique (5) est en cuivre.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'étape iv) est réalisée par dépôt successif de plusieurs métaux, avantageusement choisis parmi le cuivre, l'argent et l'étain.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'oxyde transparent conducteur est un composé à base d'indium, par exemple de l'oxyde d'indium et d'étain, de l'oxyde d'indium, de l'oxyde d'indium et de tungstène ou un composé à base de zinc, par exemple de l'oxyde de zinc éventuellement dopé au bore.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le matériau métallique est à base d'argent.
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le matériau électriquement isolant est à base d'oxyde de silicium.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le rapport entre l'épaisseur de la seconde couche (3) en matériau métallique et l'épaisseur de la première couche en matériau électriquement isolant (2) est supérieur à 10% et, de préférence, supérieur à 30%.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la première couche en matériau électriquement isolant (2) a une épaisseur inférieure à 200nm et, de préférence, inférieure à 50nm.
11. Cellule photovoltaïque comprenant un substrat (1 ) muni d'une jonction photovoltaïque p/n et au moins un contact électrique (5),
caractérisée en ce que le contact électrique (5) repose directement sur une couche d'amorce (4), en composé vitreux dopé par un métal, ménagée à travers une couche en matériau électriquement isolant (2), ladite couche d'amorce (4) étant connectée électriquement à la jonction photovoltaïque p/n, et en ce qu'une couche d'oxyde transparent conducteur (6) est disposée entre le substrat (1 ) et la couche en matériau électriquement isolant (2), la couche d'amorce (4) étant électriquement connectée à la jonction p/n par l'intermédiaire de la couche d'oxyde transparent conducteur (6).
12. Cellule selon la revendication 1 1 , caractérisée en ce que le contact électrique (5) a une largeur inférieure à 50μιη et, de préférence, inférieure à 35μιη.
EP14793885.6A 2013-10-15 2014-10-14 Procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque Withdrawn EP3058594A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1302390A FR3011982B1 (fr) 2013-10-15 2013-10-15 Procede de realisation d'une cellule photovoltaique
PCT/FR2014/052614 WO2015055943A1 (fr) 2013-10-15 2014-10-14 Procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP3058594A1 true EP3058594A1 (fr) 2016-08-24

Family

ID=49876700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP14793885.6A Withdrawn EP3058594A1 (fr) 2013-10-15 2014-10-14 Procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160247960A1 (fr)
EP (1) EP3058594A1 (fr)
CN (1) CN105637649A (fr)
FR (1) FR3011982B1 (fr)
WO (1) WO2015055943A1 (fr)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6609324B2 (ja) * 2015-12-24 2019-11-20 株式会社カネカ 光電変換装置の製造方法
DE102016106563A1 (de) * 2016-04-11 2017-10-12 Meyer Burger (Germany) Ag Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle, mit dem Verfahren hergestellte Solarzelle und Substratträger
KR101909142B1 (ko) * 2016-10-25 2018-10-17 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널
FR3060854B1 (fr) * 2016-12-16 2021-05-14 Armor Procede de fabrication d'un module photovoltaique et module photovoltaique ainsi obtenu
KR101831533B1 (ko) 2016-12-22 2018-02-22 성균관대학교산학협력단 투명 전도막 상에 전극을 형성하는 방법 및 실리콘 이종접합 태양전지에 전극을 형성하는 방법
WO2019167530A1 (fr) * 2018-02-27 2019-09-06 京セラ株式会社 Élément de photopile et son procédé de production
CN108666265B (zh) * 2018-04-17 2021-01-15 Tcl华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管基板及其制备方法
FR3082356B1 (fr) * 2018-06-11 2020-06-19 Armor Procede de fabrication d'un module photovoltaique et module photovoltaique ainsi obtenu
WO2020109696A1 (fr) * 2018-11-29 2020-06-04 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Cellule solaire photovoltaique presentant des fonctions de stockage d'information et d'affichage
CN112151398B (zh) * 2019-06-26 2023-12-15 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种芯片封装方法
EP3790058A1 (fr) * 2019-09-03 2021-03-10 Silbat Energy Storage Solutions, S.L. Cellule thermo-photovoltaïque et son procédé de fabrication
CN110854216B (zh) * 2019-10-30 2021-10-01 上海润势科技有限公司 改善hit电池电极接触电阻和电导率的方法、电极制作方法
CN112100821B (zh) * 2020-08-26 2022-03-22 西北工业大学 光伏电池的稳健性优化设计方法
DE102021000956A1 (de) * 2021-02-23 2022-08-25 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur Metallisierung eines Bauelements sowie auf diese Weise hergestellte Bauelemente
CN113066897B (zh) * 2021-03-18 2022-02-22 西南石油大学 一种异质结太阳电池铜电极的无掩膜制备方法
CN115240898B (zh) * 2022-08-01 2024-11-26 四川东树新材料有限公司 一种用于异质结电池的导电银浆及其制备方法
CN116525690A (zh) * 2023-03-23 2023-08-01 通威太阳能（成都）有限公司 一种太阳电池及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006040352B3 (de) * 2006-08-29 2007-10-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Aufbringen von elektrischen Kontakten auf halbleitende Substrate, halbleitendes Substrat und Verwendung des Verfahrens
TW201005963A (en) * 2008-07-17 2010-02-01 Big Sun Energy Technology Inc Solar cell with high photon utilization and method of manufacturing the same
TWI366919B (en) * 2008-09-19 2012-06-21 Gintech Energy Corp Structure of solar cell and its production method
FR2947953A1 (fr) * 2009-11-23 2011-01-14 Commissariat Energie Atomique Cellule photovoltaique amelioree et procede de realisation
US20120142140A1 (en) * 2010-12-02 2012-06-07 Applied Nanotech Holdings, Inc. Nanoparticle inks for solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
CN105637649A (zh) 2016-06-01
FR3011982B1 (fr) 2017-05-12
WO2015055943A1 (fr) 2015-04-23
FR3011982A1 (fr) 2015-04-17
US20160247960A1 (en) 2016-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3058594A1 (fr) Procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque
JP6447926B2 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
EP2286458A2 (fr) Cellule photovoltaïque et substrat de cellule photovoltaïque
EP2834857B1 (fr) Procede de fabrication d'une cellule photovoltaique a contacts interdigites en face arriere
US20150017747A1 (en) Method for forming a solar cell with a selective emitter
JP2015513230A (ja) 光起電力による薄膜ソーラモジュールならびに該薄膜ソーラモジュールの製造方法
JP2015035624A (ja) 太陽電池内の機能膜の局所的レーザ転化による局所的金属接触子
EP2266140A1 (fr) Substrat en verre portant une electrode
JP2012526372A (ja) 半導体基板のコンタクト形成方法
WO2013105031A2 (fr) Procede pour realiser un module photovoltaïque avec deux etapes de gravure p2 et p3 et module photovoltaïque correspondant
EP2545753A1 (fr) Procede de traitement d'un contact metallique realise sur un substrat
WO2016198797A1 (fr) Module photovoltaique et procede d'interconnexion de cellules photovoltaiques pour fabriquer un tel module
FR2932610A1 (fr) Cellule photovoltaique et substrat de cellule photovoltaique
WO2013150423A1 (fr) Procédé pour réaliser un module photovoltaïque avec une étape de gravure p3 et une éventuelle étape p1.
WO2013153293A1 (fr) Procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque à hétérojonction
FR3084203A1 (fr) Procede industriel d'ablation laser de couches minces en une etape pour la realisation de modules photovoltaïques semi-transparents
WO2010001014A2 (fr) Cellule photovoltaïque et substrat de cellule photovoltaïque
FR2983346A1 (fr) Procede de prevention d'une panne electrique dans un empilement de couches semi-conductrices, cellule photovoltaïque a concentration a substrat mince, et assemblage de cellule solaire
EP2801118B1 (fr) Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque
FR3021808A1 (fr) Procede ameliore de realisation d'une cellule solaire dotee de regions d'oxyde transparent de conductivite modifiee
FR2964252A1 (fr) Procede de realisation d'une structure a emetteur selectif
EP3069386B1 (fr) Substrat de contact arrière pour cellule photovoltaïque
FR2989224A1 (fr) Procede pour realiser un module photovoltaique avec une etape de gravure p3 et une eventuelle etape p2.
WO2016075236A1 (fr) Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaique
FR2971627A1 (fr) Procédé de réalisation d'une structure a émetteur sélectif

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20160420

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: BA ME

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20180501