EA031118B1 - Установка для планаризации подложек сверхпроводящих лент и способ планаризации подложек - Google Patents
Установка для планаризации подложек сверхпроводящих лент и способ планаризации подложек Download PDFInfo
- Publication number
- EA031118B1 EA031118B1 EA201600424A EA201600424A EA031118B1 EA 031118 B1 EA031118 B1 EA 031118B1 EA 201600424 A EA201600424 A EA 201600424A EA 201600424 A EA201600424 A EA 201600424A EA 031118 B1 EA031118 B1 EA 031118B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- tape
- temperature
- solution
- oxide coating
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 52
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012224 working solution Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 40
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 32
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 24
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 7
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AIQRTHPXPDTMBQ-UHFFFAOYSA-K yttrium(3+);triacetate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Y+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O AIQRTHPXPDTMBQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(2,4-dioxopentan-3-yl)alumanyl]pentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C(C)=O)[Al](C(C(C)=O)C(C)=O)C(C(C)=O)C(C)=O XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 229940097364 magnesium acetate tetrahydrate Drugs 0.000 claims description 4
- XKPKPGCRSHFTKM-UHFFFAOYSA-L magnesium;diacetate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O XKPKPGCRSHFTKM-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- LMHHRCOWPQNFTF-UHFFFAOYSA-N s-propan-2-yl azepane-1-carbothioate Chemical compound CC(C)SC(=O)N1CCCCCC1 LMHHRCOWPQNFTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 5
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 4
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000270295 Serpentes Species 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- NFSAPTWLWWYADB-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-phenylethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)C(CN)C1=CC=CC=C1 NFSAPTWLWWYADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов второго поколения и может быть использовано в промышленном производстве длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих проводников (ВТСП) для создания токопроводящих кабелей, токоограничителей, обмоток мощных электромагнитов, электродвигателей и т.д. Установка для непрерывной планаризации ленты-подложки для сверхпроводящих материалов второго поколения включает установленные один за другим узлы для нанесения аморфного оксидного покрытия, где каждый узел содержит последовательно расположенные рабочую ячейку, низкотемпературную и высокотемпературную печи и два поворотных ролика, один из которых установлен в рабочей ячейке, а второй - на входе в высокотемпературную печь; резервуар для хранения рабочего раствора; систему циркуляции раствора, связанную с упомянутым резервуаром и рабочими ячейками упомянутых узлов; систему подачи кислородсодержащего газа в высокотемпературную печь и натяжной вал, где упомянутые узлы для нанесения оксидных покрытий размещены относительно натяжного вала с обеспечением перемещения ленты от узла к узлу по трехмерной спирали. Также раскрывается способ планаризации подложек. Изобретение позволит повысить производительность процесса планаризации за счет сокращения необходимого числа циклов нанесения оксидного аморфного покрытия до достижения заданных значений шероховатости поверхности, улучшить качество ленты-подложки за счет уменьшения механической нагрузки на ленту и снижения уровня загрязнения оксидного аморфного покрытия остаточным углеродом.
Description
Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов второго поколения и может быть использовано в промышленном производстве длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих проводников (ВТСП) для создания токопроводящих кабелей, токоограничителей, обмоток мощных электромагнитов, электродвигателей и т.д. Установка для непрерывной планаризации ленты-подложки для сверхпроводящих материалов второго поколения включает установленные один за другим узлы для нанесения аморфного оксидного покрытия, где каждый узел содержит последовательно расположенные рабочую ячейку, низкотемпературную и высокотемпературную печи и два поворотных ролика, один из которых установлен в рабочей ячейке, а второй - на входе в высокотемпературную печь; резервуар для хранения рабочего раствора; систему циркуляции раствора, связанную с упомянутым резервуаром и рабочими ячейками упомянутых узлов; систему подачи кислородсодержащего газа в высокотемпературную печь и натяжной вал, где упомянутые узлы для нанесения оксидных покрытий размещены относительно натяжного вала с обеспечением перемещения ленты от узла к узлу по трехмерной спирали. Также раскрывается способ планаризации подложек. Изобретение позволит повысить производительность процесса планаризации за счет сокращения необходимого числа циклов нанесения оксидного аморфного покрытия до достижения заданных значений шероховатости поверхности, улучшить качество ленты-подложки за счет уменьшения механической нагрузки на ленту и снижения уровня загрязнения оксидного аморфного покрытия остаточным углеродом.
Область техники, к которой относится изобретение
Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов второго поколения и может быть использовано в промышленном производстве длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих проводников (ВТСП) для создания токопроводящих кабелей, токограничителей, обмоток мощных электромагнитов, электродвигателей и т.д.
Предшествующий уровень техники
ВТСП-ленты второго поколения представляют собой многослойные гетероструктуры на гибких металлических лентах-подложках.
ВТСП-ленты второго поколения состоят из подложки, на одну (лицевую) сторону которой нанесены последовательно буферные слои, слой сверхпроводника и слой серебра.
Особенно перспективно использование в качестве сверхпроводящего слоя в подобных многослойных структурах таких химических соединений, как RBa2Cu3O- (RBCO, где R - редкоземельный элемент).
В настоящее время распространение получили металлические ленты-подложки двух типов. Подложки первого типа - текстурированные RABiTS (Rolling-Assisted Biaxially Textured Substrate) с кубической текстурой, полученной путем прокатки, которую наследуют последующие буферные слои, обеспечивая биаксиальную текстуру слоя сверхпроводника.
В подложках второго типа металлическая лента не обладает значимой текстурой и используется лишь как носитель. Биаксиальная кубическая текстура создается в последующих буферных слоях, например, осаждением слоя MgO под действием вспомогательного ионного пучка (Ion Beam Assisted Deposition - IBAD) с последующей передачей текстуры другим буферным слоям и слою сверхпроводника. В настоящий момент наилучшая текстура слоя ВТСП достигается на подложках второго типа.
В технологии IBAD текстура растущей пленки определяется углом между ионным пучком и поверхностью пленки. Это определяет основное требование к подложке в IBAD технологии - низкая шероховатость поверхности подложки (менее 1.0 нм на площади 5x5 мкм2). Кроме того, необходимы химическая инертность подложки к последующим слоям, близость коэффициентов теплового расширения между подложкой и буферными слоями, механическая прочность и термическая устойчивость подложки.
Для снижения шероховатости поверхности подложки применяют ее механическое или электрохимическое полирование, травление, например плазменное травление, а также другие процессы сглаживания поверхности подложки, получившие общее название планаризация.
К таким процессам относится т.н. растворная планаризация подложки, заключающаяся в нанесении на подложку металл-органического раствора-прекурсора (предшественника) с его последующим отжигом до образования оксидного покрытия, частицы которого заполняют дефекты поверхности лентыподложки и таким образом сглаживают поверхность до заданных значений шероховатости.
Технология растворной планаризации подложки-ленты осаждением из раствора (Solution-Deposition Planarization (SDP)) была раскрыта в международной заявке WO2012005977.
Технология сглаживания поверхности подложки путем получения на подложке слоя оксида иттрия предусматривает два этапа. На первом этапе синтезируют первый иттрий содержащий раствор-прекурсор на основе разнолигандного комплекса ацетата иттрия с диэтаноламином в метиловом спирте, затем наносят раствор-прекурсор на неровную поверхность подложки, осуществляют сушку покрытия (пленки прекурсора) для испарения растворителя и последующий отжиг для превращения пленки прекурсора в оксид иттрия. Эти операции повторяют для получения многослойного покрытия оксида иттрия на подложке (происходит увеличение толщины оксидного покрытия и значительное сглаживание поверхности). Затем осуществляют второй этап, на котором также синтезируют иттрий содержащий раствор-прекурсор, но с меньшей концентрацией, чем у первого раствора. Раствор наносят на предшествующие слои оксида иттрия, осуществляют сушку и последующий отжиг для испарения растворителя и превращения пленки прекурсора в оксид иттрия.
Эти операции повторяют до достижения значений шероховатости поверхности менее 1.0 нм на площади 5x5 мкм2.
Данная технология осуществляется на установке для планаризации, которая раскрыта в публикации http://www.pvdproducts.com/coated-conductor/solution-deposition-planarization.
Установка для планаризации состоит из серии звеньев, включающих рабочую ячейку, вертикальную трубчатую печь и систему поворотных роликов. Звенья установлены последовательно друг за другом по направлению движения ленты (змейка). В каждом звене есть только одна трубчатая печь, в которой осуществляется и испарение растворителя, и отжиг пленки прекурсора до образования оксидного покрытия. Установка также снабжена лентопротяжным механизмом, резервуаром для рабочего раствора и средствами для его фильтрования и подачи в рабочие ячейки.
К недостаткам вышеприведенной установки, а также технологии можно отнести следующее.
Известная установка предполагает расположение поворотных роликов, по которым передвигается лента в одной плоскости в виде змейки. Такое расположение приводит к тому, что в каждом втором поворотном ролике лента обращается лицевой стороной к ролику, что может привести к появлению механических повреждений на поверхности получаемого оксидного покрытия.
- 1 031118
Натяг ленты в известной установке осуществляется одним натяжным валом в конце движения ленты, что требует создания большого натяжного усилия и может привести к возникновению больших упругих деформаций ленты и растрескиванию сглаживающего оксидного слоя.
Что касается других недостатков известной технологии, то для синтеза раствора-прекурсора в роли растворителя используется метиловый спирт, обладающий низкой вязкостью, что определяет проведение большого количества циклов нанесения (до 40) для достижения требуемых значений шероховатости поверхности.
Кроме того, недостатком всех растворных методов получения оксидных покрытий является загрязнение их остаточным углеродом. Для выжигания углерода обычно используют высокотемпературный отжиг при температурах свыше 700°C, однако в случае получения аморфных сглаживающих слоев такой отжиг неприменим, т.к. приводит к кристаллизации оксидной пленки и росту шероховатости.
Раскрытие изобретения
Задачей изобретения является устранение всех присущих известной технологии планаризации недостатков, а именно: сокращение необходимого числа циклов нанесения оксидного аморфного покрытия до достижения заданных значений шероховатости поверхности, улучшение качества ленты-подложки за счет уменьшения механической нагрузки на ленту и снижения уровня загрязнения оксидного аморфного покрытия остаточным углеродом.
Поставленная задача решается установкой для непрерывной планаризации ленты-подложки для сверхпроводящих материалов второго поколения, которая включает:
установленные один за одним узлы для нанесения оксидного аморфного покрытия, где каждый узел содержит последовательно расположенные рабочую ячейку, низкотемпературную и высокотемпературную печи и два поворотных ролика, один из которых установлен в рабочей ячейке, а второй - на входе в высокотемпературную печь;
резервуар для хранения рабочего раствора;
систему циркуляции раствора, связанную с упомянутым резервуаром и рабочими ячейками упомянутых блоков;
систему подачи кислородсодержащего газа в высокотемпературную печь и натяжной вал, где упомянутые узлы для нанесения оксидных покрытий размещены относительно натяжного вала с обеспечением перемещения ленты от узла к узлу по трехмерной спирали.
В частных воплощениях изобретения поставленная задача решается тем, что установка дополнительно содержит подающую и принимающую катушки.
В других воплощениях изобретения упомянутые узлы для нанесения оксидного аморфного покрытия, натяжной вал и подающая и принимающая катушки смонтированы на единой металлической раме.
Целесообразно, чтобы в установке натяжной вал и поворотные ролики были выполнены с направляющими канавками.
Желательно также, чтобы рабочие ячейки и резервуар были снабжены средствами для термостатирования.
В наилучших воплощениях изобретения низкотемпературная печь каждого узла представляет собой трубку из нержавеющей стали, причем трубки всех узлов обмотаны общим нагревательным проводом и вертикально размещены в общем металлическом кожухе.
Соответственно высокотемпературная печь каждого узла представляет собой трубку из нержавеющей стали, обмотанную отдельным нагревательным проводом, причем трубки всех узлов горизонтально размещены в общем металлическом кожухе.
Система циркуляции раствора в установке может включать по меньшей мере один насос, по меньшей мере один проточный фильтр и трубки, обеспечивающие перемещение раствора при его циркуляции.
В наилучшем воплощении изобретения система подачи кислородсодержащего газа включает воздушный компрессор и озонатор, связанные между собой системой трубок.
Поставленная задача также решается способом непрерывной планаризации ленты-подложки для сверхпроводящих материалов второго поколения, в соответствии с которым производится нанесение оксидного покрытия на упомянутую ленту-подложку путем последовательного осуществления следующих стадий:
(A) перемещения упомянутой ленты через рабочую ячейку с раствором-прекурсором, содержащим металл-органическое соединение и приемлемый растворитель с получением пленки упомянутого раствора-прекурсора на поверхностях ленты;
(Б) перемещения упомянутой ленты с пленкой раствора-прекурсора через низкотемпературную печь с температурой внутри печи, обеспечивающей удаление растворителя из упомянутой пленки на поверхностях ленты с получением слоя гелеобразной пленки, содержащей металл-органические соединения;
(B) перемещения упомянутой ленты через высокотемпературную печь с кислородсодержащей атмосферой и температурой внутри печи, обеспечивающими синтез оксидного покрытия из упомянутого слоя гелеобразной пленки, содержащей металл-органические соединения,
- 2 031118 где перемещение ленты-подложки осуществляют при помощи натяжного вала и поворотных роликов с взаимодействием одной стороны ленты с упомянутыми валом и роликами, а стадии (А), (Б) и (В) повторяют до снижения шероховатости ленты в соответствии с заданными значениями.
В частных воплощения изобретения способ предусматривает повтор стадий (А), (Б) и (В) до снижения шероховатости до величины, не превышающей 1.0 нм на площади 5x5 мкм2.
В других воплощениях изобретения между стадиями (А) и (Б) осуществляют выдержку на воздухе.
Возможно также осуществление охлаждения на воздухе до температуры окружающей среды между стадиями (Б) и (В), а также охлаждение на воздухе до температуры окружающей среды между стадиями (В) и (А), при этом перемещение ленты на стадии (Б) проводят при температуре, не превышающей 150°C.
В качестве кислородсодержащей атмосферы на стадии (В) используют озонсодержащую атмосферу.
В этом случае перемещение ленты на стадии (В) в наиболее желательных воплощениях изобретения проводят при температуре, не превышающей 700°C.
В качестве раствора металл-органического прекурсора на стадии (А) может быть использован раствор, включающий по меньшей мере одно металл-органическое соединение, выбранное из группы, включающей тетрагидрат ацетата иттрия, ацетилацетонат алюминия и изопропилат алюминия с концентрацией от 0.08 до 0.4 моль/л и приемлемый растворитель.
Раствор на стадии (А) может дополнительно содержать ацетилацетонат и/или тетрагидрат ацетата магния.
Кроме того, раствор металл-органического прекурсора на стадии (А) может дополнительно содержать по меньшей мере один амин, выбранный из группы, включающей диэтилентриамин и моноэтаноламин, где общая концентрация металл-органического соединения и амина не превышает 0,4 моль/л.
В качестве приемлемого растворителя упомянутый раствор на стадии (А) может содержать изопропиловый спирт и/или уксусную кислоту.
Краткое описание чертежей
Сущность изобретения поясняется следующими чертежами.
На фиг. 1 приведена общая схема установки для планаризации - вид фронтальный и вид слева.
На фиг. 2 приведена схема перемещения ленты подложки в процессе планаризации.
На фиг 3 приведена схема системы циркуляции раствора.
На фиг. 4 приведена схема низкотемпературной печи
Позиции на чертежах означают следующее:
1. рабочая ячейка;
2. низкотемпературная печь;
3. высокотемпературная печь;
4. поворотный ролик;
5. поворотный ролик;
6. натяжной вал;
7. лента-подложка;
8. подающая катушка;
9. принимающая катушка;
10. металлическая рама;
11. перистальтический насос;
12. трубки для подачи раствора прекурсора;
13. трубки для забора отработанного раствора из ячеек;
14. резервуар для хранения рабочего раствора;
15. контейнер с водяной рубашкой;
16. трубка печи;
17. кожух печи.
Установка для непрерывной планаризации предназначена для осаждения оксидного слоя и позволяет получать гладкие оксидные покрытия на длинномерных металлических лентах-подложках. Процесс осаждения представляет собой многократное повторение последовательных этапов протягивания ленты через ванну с раствором прекурсора, низкотемпературную печь для испарения растворителя и высокотемпературную печь для синтеза оксидного покрытия. На фиг. 1 приведена общая схема установки.
Как следует из фиг 1 и 2, установка состоит из нескольких узлов для нанесения оксидного покрытия, каждый из которых содержит последовательно установленные рабочую ячейку (1), низкотемпературную печь (2) и высокотемпературную печь (3).
Кроме того, каждый узел включает поворотные ролики (4, 5). Поворотный ролик (4) установлен непосредственно в рабочей ячейке (1), а поворотный ролик (5) на входе в высокотемпературную печь (3).
Установка также включает натяжной вал (6), функцией которого является создание натяжного усилия для преодоления силы трения в осях поворотных роликов (4) и (5).
Узлы для нанесения оксидного покрытия ориентированы относительно натяжного вала таким образом, что перемещение ленты (7) от узла к узлу осуществляется по трехмерной спирали.
- 3 031118
Под трехмерной спиралью в данной ситуации понимается винтообразная кривая, витки которой огибают условную ось (в отличие от двухмерной, где витки огибают условную точку).
Понятие кривая в математике трактуется как след, оставленный движущейся точкой или телом. Математическое понятие кривой охватывает как плавно изгибающуюся линию, так и фигуры, составленные из отрезков прямых, например треугольник или квадрат.
На фиг. 2 наглядно показано, каким образом осуществляется перемещение ленты от узла к узлу с образованием трехмерной спирали. Как следует из фиг. 1 и данного рисунка, это расположение достигается, например, тем, что низкотемпературная печь (2) расположена вертикально, а высокотемпературная печь (3) - горизонтально.
Такое размещение компонентов установки обеспечивает контакт ленты с роликами (4, 5) и валом (6) только обратной стороной ленты на протяжении всего процесса.
Установка также опционально может содержать подающую катушку (8), на которой размещена непланаризованная лента, и принимающую катушку (9), на которую наматывается планаризованная до нужной степени шероховатости лента с оксидным покрытием.
Основные узлы установки, такие как натяжной вал (6) с шаговым двигателем(не показан), натяжные асинхронные моторы (не показаны), подъемный столик с рабочей ячейкой (1), подающая катушка (8) и приемная катушка (9), поворотные ролики (4, 5), печи (2, 3), целесообразно смонтировать на единой металлической раме (10) для экономии пространства.
Система циркуляции раствора приведена на фиг. 3. Она состоит из перистальтического насоса (11), проточных фильтров (не показаны ) и трубок для подачи раствора прекурсора (12) в рабочие ячейки и забора раствора из ячеек (13).
Система циркуляции связана с резервуаром для хранения рабочего раствора (14) и рабочими ячейками (1).
Рабочие ячейки (1) могут быть размещены в общем контейнере с водяной рубашкой (15), которая выполняет термостатирующие функции. Аналогичная водяная рубашка также может быть смонтирована на резервуаре для хранения рабочего раствора (14).
Термостатирование рабочего раствора позволяет использовать растворы-прекурсоры, вязкость которых существенно зависит от температуры. Система подачи кислородсодержащего газа (не показана) установлена перед высокотемпературной печью и представляет собой систему, состоящую из воздушного компрессора и озонатора, соединенных друг с другом транспортными линиями (трубками). Воздушный компрессор нагнетает поток воздуха в озонатор, который его обогащает озоном, далее поток по трубкам попадает в высокотемпературную печь (в каждую трубку подается самостоятельный поток) В качестве печей (2, 3) могут быть использованы, например, стандартные протяжные печи, установленные вместе с роликами (4, 5) и валом (6) таким образом, чтобы достигалось условие перемещения ленты по трехмерной спирали с касанием только одной стороной о ролики и вал. Однако в наилучших воплощениях изобретения использованы печи, у которых нагревательные элементы выполнены из трубок из нержавеющей стали, обмотанных нагревательным проводом, причем трубочки размещены в общем кожухе.
Наглядное представление о такой печи можно получить из схемы, приведенной на фиг. 4.
На фиг. 4 приведена низкотемпературная печь (2), предназначенная для сушки ленты с нанесенным на нее раствором прекурсора для удаления растворителя, содержащая множество трубок (16), обмотанных общим нагревательным шнуром (не показан). Все трубки выстроены параллельно друг другу и помещены в общий кожух (17).
Высокотемпературная печь (3) предназначена для синтеза из прекурсора оксидного покрытия, проводимого путем отжига ленты с нанесенным на нее прекурсором и имеет конструкцию, аналогичную низкотемпературной печи, но только в ней каждая трубка обмотана нагревательным проводом.
Как уже указывалось, целесообразно, чтобы низкотемпературная печь была установлена вертикально, а высокотемпературная - горизонтально. Такое размещение дополнительно улучшает качество ленты за счет следующего: вертикально установленная печь (2) обеспечивает постепенный градиентный нагрев ленты без перегрева и позволяет наиболее полно удалить растворитель. Высокотемпературная печь (3) горизонтальна для исключения существенного градиента и позволяет избежать локального перегрева ленты, который неизбежен в вертикальной высокотемпературной печи.
Изобретение осуществляется следующим образом
Включают установку, натяжной вал (6) начинает вращаться и запускает с подающей катушки (8) перемещение ленты-подложки (7) в рабочую ячейку (1) с раствором прекурсора (стадия А). В качестве раствора прекурсора могут быть использованы растворы металл-органических соединений и приемлемый для этих соединений растворитель.
В процессе прохождения через рабочую ячейку (1) лента (7) одной стороной контактирует с поворотным роликом (4).
При выходе из рабочей ячейки лента некоторое время перемещается на воздухе до нагревательной печи (2). В процессе выдержки на воздухе раствор стекает с ленты под действием силы тяжести в соответствии с уравнением Ландау-Левича, что положительно сказывается на равномерности распределения слоя раствора прекурсора по поверхности ленты. Затем осуществляется стадия (Б), в соответствии с ко
- 4 031118 торой лента перемещается в нагревательную печь (2), размещенную вертикально.
В печи (2), нагретой до температуры кипения растворителя, растворитель испаряется и на выходе из печи получается лента с нанесенным на нее прекурсором в виде пленки геля. Как правило, температура печи при этом не превышает 150°C.
Лента (7) через поворотный ролик (5) далее перемещается в высокотемпературную печь (3). Лента контактирует с роликом (5) той же стороной, что и с роликом (4). При контакте лента охлаждается до комнатной температуры. В печи (3) (стадия В) устанавливают такую температуру, чтобы был возможен, с одной стороны, синтез оксидной пленки из прекурсора, но при этом температура, с другой стороны, должна обеспечить получение аморфного покрытия, а не кристаллического. Температура печи (3) зависит от того, какие металл-органические соединения мы используем и подбирается индивидуально для каждого соединения, но в самом общем случае желательно, чтобы температура не превышала 700°C.
В процессе синтеза в печь подается кислородсодержащий газ. Г аз вводится для снижения риска загрязнения оксидного покрытия остаточным углеродом.
Лучшие результаты по уменьшению остаточного углерода достигаются в том случае, когда в печь вводится озонсодержащий газ. Для повышения качества поверхности поток газа направляется вдоль движущейся ленты.
По завершении стадии (В) лента (7) с синтезированным на ней слоем оксидного аморфного сглаживающего покрытия толщиной 20-100 нм (в зависимости от типа прекурсора и скорости протягивания ленты) выходит из печи (3) и через натяжной вал (6), с которым лента контактирует той же стороной, что и с роликами (4) и (5), направляется в рабочую ячейку (1) следующего блока для нанесения нового слоя оксидного покрытия на предшествующий.
Процесс продолжается циклично. Как правило, для получения качественного покрытия с уровнем шероховатости, не превышающим 1.0 нм на площади 5x5 мкм2, достаточно 8-10 циклов.
Хотелось бы отметить, что предложенные установка и технология менее требовательны к составу прекурсора, чем известные.
Так, для нанесения покрытия могут использоваться и более вязкие растворы для нанесения прекурсора, чем в известной технологии, а для достижения уровня шероховатости, не превышающего 1.0 нм на площади 5x5 мкм2, требуется всего 8-10 циклов, что значительно увеличивает производительность установки.
Наилучшими свойствами обладают растворы, содержащие по меньшей мере одно металлорганическое соединение, выбранное из группы тетрагидрат ацетата иттрия, ацетилацетонат алюминия и изопропилат алюминия с концентрацией от 0.08 до 0.4 моль/л, и приемлемый растворитель.
Данные металл-органические прекурсоры обладают необходимой вязкостью, адгезионными характеристиками, требуемым термическим поведением, образуют сплошные пленки прекурсора на поверхности ленты и разлагаются до оксида без кристаллизации.
Концентрации раствора выбраны исходя из того, что при более низких концентрациях потребуется большее количество циклов нанесения для достижения требуемых значений шероховатости (из-за более низкой вязкости раствор сильнее стекает с поверхности ленты, как следствие, толщина меньше). В случае же более концентрированных МОП наблюдается растрескивание оксидного покрытия и его отслаивание от поверхности ленты.
Данные растворы могут дополнительно содержать ацетилацетонат и/или тетрагидрат ацетата магния, которые усиливают свойства ранее описанных металл-органических соединений. Кроме того, они могут дополнительно содержать также по меньшей мере один амин, выбранный из группы, включающей диэтилентриамин и моноэтаноламин. Выбранные аминосоединения оказывают влияние на растворимость металл-органических соединений, вязкость и адгезионные характеристики растворов МОП, а также способствуют снижению температуры разложения МОП.
А использование для этих металл-органических соединений изопропилового спирта или уксусной кислоты в роли растворителя обусловлено их нетоксичностью, пожаробезопасностью и требованиями растворимости, вязкости и адгезионными характеристиками МОП, а также желаемым небольшим числом циклов нанесения.
Примеры осуществления изобретения
Пример 1.
Тетрагидрат ацетата иттрия растворяли в изопропиловом спирте в присутствии диэтилентриамина, мольное соотношение реагентов [Y3+]:[DETA]= от 1:1 до 1:3. Концентрация раствора составляла 0.2 моль/л. Раствор заливали в рабочие ячейки.
Планаризации подвергали ленту-подложку, выполненную из сплава Хастеллой С276 (Hastelloy C276), толщиной 20 мкм, шириной 12 мм и среднеквадратичной шероховатостью Sq=25.7±0.1 нм на площади 5x5 мкм2.
Цикл обработки включал нанесение пленки прекурсора окунанием, низкотемпературный отжиг для удаления растворителя, проводимый при температуре печи 100°C, и высокотемпературный отжиг для синтеза оксидного аморфного покрытия, проводимый при температуре печи 500°C. Скорость перемеще
- 5 031118 ния ленты составляла 0,005 м/с. Цикл повторяли 10 раз.
В итоге получали аморфное оксидное покрытие со среднеквадратичной шероховатостью Sq=1.0±0.2 нм на площади 5x5 мкм2.
Пример 1'.
Тетрагидрат ацетата иттрия растворяли в изопропиловом спирте в присутствии диэтилентриамина, мольное соотношение реагентов [Y3+]:[DETA]= от 1:1 до 1:3.
Концентрация раствора составляла 0.2 и 0.08 моль/л.
Раствор заливали в рабочие ячейки (в первые пять ячеек раствор с концентрацией 0,2моль/л, в последующие пять - с концентрацией 0.08 моль/л) Планаризации подвергали ленту-подложку, выполненную из сплава Хастеллой С276 (Hastelloy C276), толщиной 20 мкм, шириной 12 мм и среднеквадратичной шероховатостью Sq = 25.7±0.1 нм на площади 5x5 мкм2.
Цикл обработки включал нанесение пленки прекурсора окунанием, низкотемпературный отжиг для удаления растворителя, проводимый при температуре печи 100°C, и высокотемпературный отжиг для синтеза оксидного аморфного покрытия, проводимый при температуре печи 500°C. Скорость перемещения ленты составляла 0,005 м/с. Цикл повторяли 10 раз.
В итоге получали аморфное оксидное покрытие со среднеквадратичной шероховатостью Sq=0.9±0.3 нм на площади 5x5 мкм2. Содержание остаточного углерода (по данным РСМА) в пленках <1 ат.%, в то время как в пленке, полученной в примере 1 или без использования озона - 3 ат.% и более.
Пример 1.
Тетрагидрат ацетата иттрия растворяли в изопропиловом спирте в присутствии диэтилентриамина, мольное соотношение реагентов [Y3+]:[DETA]= от 1:1 до 1:3.
Концентрация раствора составляла 0.2 моль/л.
Раствор заливали в рабочие ячейки.
Планаризации подвергали ленту-подложку, выполненную из сплава Хастеллой С276 (Hastelloy C276), толщиной 110 мкм, шириной 12 мм и среднеквадратичной шероховатостью Sq=4.1±0.6 нм на площади 5x5 мкм2.
Цикл обработки включал нанесение пленки прекурсора окунанием, низкотемпературный отжиг для удаления растворителя, проводимый при температуре печи 100°C, и высокотемпературный отжиг для синтеза оксидного аморфного покрытия, проводимый при температуре печи 500°C. Скорость перемещения ленты составляла 0,005 м/с. Цикл повторяли 1 раз.
В итоге получали аморфное оксидное покрытие со среднеквадратичной шероховатостью Sq=0.8±0.3 нм на площади 5x5 мкм2.
Пример 2.
Свежесинтезированный изопропилат алюминия растворяли в изопропиловом спирте в присутствии моноэтаноламина и уксусной кислоты. Мольное соотношение реагентов [Al3+]:[MEA]:[HAcet]= варьировали от 1:1:1 до 1:5:15. Концентрация раствора при нанесении покрытия составляла 0,2 моль/л.
Далее проводили циклы обработки в соответствии с примером 1. Температура низкотемпературного отжига составляла 100°C, высокотемпературного отжига - 550°C Получали аморфное оксидное покрытие с шероховатостью 1.1±0.2нм на площади 5x5 мкм2.
Пример 2'.
Свежесинтезированный изопропилат алюминия растворяли в изопропиловом спирте в присутствии моноэтаноламина и уксусной кислоты. Мольное соотношение реагентов [Al3+]:[MEA]:[HAcet]= варьировали от 1:1:1 до 1:5:15. Концентрация раствора при нанесении покрытия составляла 0,1 моль/л.
Далее проводили циклы обработки в соответствии с примером 1. Температура низкотемпературного отжига составляла 100°C, высокотемпературного отжига - 550°C Получали аморфное оксидное покрытие с шероховатостью 0.9±0.5 нм на площади 5x5 мкм2.
Пример 3.
Сублимированный ацетилацетонат алюминия растворяют в уксусной кислоте в присутствии диэтилентриамина. Мольное соотношение реагентов [Al3+]:[DETA]= варьируется от 1:1 до 1:10. Концентрация раствора при нанесении покрытия составляла 0.2 моль/л.
Далее проводили циклы обработки в соответствии с примером 1. Температура низкотемпературного отжига составляла 100°C, высокотемпературного отжига - 550°C. Получали аморфное оксидное покрытие с шероховатостью 1.0±0.3 нм на площади 5x5 мкм2.
Пример 4.
Свежесинтезированный изопропилат алюминия и тетрагидрат ацетата магния растворяют в изопропиловом спирте в присутствии моноэтаноламина и уксусной кислоты. Мольное соотношение металлов [Al3+]:[Mg2+]=1:2, а мольное соотношение реагентов [Al3++Mg2+]:[MEA]:[HAcet]= варьируется от 1:1:1 до 1:5:15. Концентрация раствора при нанесении покрытия составляла 0.1 моль/л.
Далее проводили циклы обработки в соответствии с примером 1. Температура низкотемпературного отжига составляла 100°C, высокотемпературного отжига - 600°C Получали аморфное оксидное покрытие с шероховатостью 1.0±0.3 нм на площади 5x5 мкм2.
- 6 031118
Пример 5.
Сублимированные ацетилацетонаты алюминия и магния растворяют в уксусной кислоте в присутствии диэтилентриамина. Мольное соотношение металлов [Al3+]:[Mg2+]=2:1, мольное соотношение реагентов [Al3++Mg2+]:[DETA]= варьируется от 1:1:1 до 1:5:15. Концентрация раствора при нанесении покрытия составляла 0.2 моль/л.
Далее проводили циклы обработки в соответствии с примером 1. Температура низкотемпературного отжига составляла 100°C, высокотемпературного отжига - 600°C Получали аморфное оксидное покрытие с шероховатостью 1.0±0.3 нм на площади 5x5 мкм2.
Как следует из представленных данных, при использовании изобретения достигается получение ленты-подложки с очень низкой шероховатостью, где производительность заявленной технологии превышает производительность известной за счет сокращения числа циклов нанесения оксидного покрытия.
Полученное покрытие однородно и не имеет дефектов на лицевой стороне поскольку соприкосновение ленты с роликами и валом происходит все время по одной и той же (обратной) стороной ленты.
Натяг ленты при использовании изобретения осуществляется единым натяжным валом, в то время как в известной установке при схожем числе циклов нанесения (N) для создания натяжного усилия необходимо преодолеть силы трения в осях роликов, число которых определяется как 3N.
В предложенной установке разделены зоны сушки и отжига прекурсора, что снимает ограничения по выбору растворителя и позволяет использовать растворы на основе изопропилового спирта.
Все вышеперечисленное демонстрирует несомненные преимущества предложенного изобретения по сравнению с предшествующим уровнем техники.
Claims (21)
- ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ1. Установка для непрерывной планаризации ленты-подложки для сверхпроводящих материалов второго поколения, характеризующаяся тем, что она содержит установленные один за другим узлы для нанесения аморфного оксидного покрытия, где каждый узел содержит последовательно расположенные рабочую ячейку, низкотемпературную и высокотемпературную печи и два поворотных ролика, один из которых установлен в рабочей ячейке, а второй - на входе в высокотемпературную печь;резервуар для хранения рабочего раствора;систему циркуляции раствора, связанную с упомянутым резервуаром и рабочими ячейками упомянутых узлов;систему подачи кислородсодержащего газа в высокотемпературную печь и натяжной вал, где упомянутые узлы для нанесения оксидных покрытий размещены относительно натяжного вала так, что движущаяся через установку лента образует трехмерную спираль.
- 2. Установка по п.1, характеризующаяся тем, что дополнительно содержит подающую и принимающую катушки.
- 3. Установка по п.2, характеризующаяся тем, что упомянутые узлы для нанесения оксидного аморфного покрытия, натяжной вал и подающая и принимающая катушки смонтированы на единой металлической раме.
- 4. Установка по п.1, характеризующаяся тем, что натяжной вал и поворотные ролики выполнены с направляющими канавками.
- 5. Установка по п.1, характеризующаяся тем, что рабочие ячейки и резервуар снабжены средствами для термостатирования.
- 6. Установка по п.1, характеризующаяся тем, что низкотемпературная печь каждого узла представляет собой трубку из нержавеющей стали, причем трубки всех узлов обмотаны общим нагревательным проводом и вертикально размещены в общем металлическом кожухе.
- 7. Установка по п.1, характеризующаяся тем, что высокотемпературная печь каждого узла представляет собой трубку из нержавеющей стали, обмотанную отдельным нагревательным проводом, причем трубки всех узлов горизонтально размещены в общем металлическом кожухе.
- 8. Установка по п.1, характеризующаяся тем, что система циркуляции раствора включает по меньшей мере один насос, по меньшей мере один проточный фильтр и трубки, обеспечивающие перемещение раствора при его циркуляции.
- 9. Установка по п.1, характеризующаяся тем, что система подачи кислородсодержащего газа включает воздушный компрессор и озонатор, связанные между собой системой трубок.
- 10. Способ непрерывной планаризации ленты-подложки для сверхпроводящих материалов второго поколения, характеризующийся тем, что включает нанесение оксидного покрытия на упомянутую лентуподложку путем последовательного осуществления следующих стадий:(A) перемещение упомянутой ленты через рабочую ячейку с раствором прекурсора, содержащим металл-органическое соединение и приемлемый растворитель, с получением пленки упомянутого раствора прекурсора на поверхностях ленты;- 7 031118 (Б) перемещение упомянутой ленты с пленкой раствора прекурсора через низкотемпературную печь с температурой внутри печи, обеспечивающей удаление растворителя из упомянутой пленки на поверхностях ленты с получением слоя гелеобразной пленки, содержащей металл-органические соединения;(B) перемещение упомянутой ленты через высокотемпературную печь с кислородсодержащей атмосферой и температурой внутри печи, обеспечивающими синтез оксидного покрытия из упомянутого слоя гелеобразной пленки, содержащей металл-органические соединения, где перемещение ленты-подложки осуществляют при помощи натяжного вала и поворотных роликов с взаимодействием одной стороны ленты с упомянутыми валом и роликами, а стадии (А), (Б) и (В) повторяют до снижения шероховатости ленты в соответствии с заданными значениями.
- 11. Способ по п.10, характеризующийся тем, что стадии (А), (Б) и (В) повторяют до снижения шероховатости до величины, не превышающей 1.0 нм на площади 5x5 мкм2.
- 12. Способ по п.10, характеризующийся тем, что между стадиями (А) и (Б) осуществляют выдержку на воздухе.
- 13. Способ по п.10, характеризующийся тем, что между стадиями (Б) и (В) осуществляют охлаждение на воздухе до температуры окружающей среды.
- 14. Способ по п.10, характеризующийся тем, что между стадиями (В) и (А) осуществляют охлаждение на воздухе до температуры окружающей среды.
- 15. Способ по п.10, характеризующийся тем, что перемещение ленты на стадии (Б) проводят при температуре, не превышающей 150°C.
- 16. Способ по п.10, характеризующийся тем, что в качестве кислородсодержащей атмосферы на стадии (В) используют озонсодержащую атмосферу.
- 17. Способ по п.10, характеризующийся тем, что перемещение ленты на стадии (В) осуществляют при температуре, не превышающей 700°C.
- 18. Способ по п.10, характеризующийся тем, что в качестве раствора металл-органического прекурсора на стадии (А) используют раствор, включающий по меньшей мере одно металл-органическое соединение, выбранное из группы, включающей тетрагидрат ацетата иттрия, ацетилацетонат алюминия и изопропилат алюминия с концентрацией от 0.08 до 0.4 моль/л, и приемлемый растворитель.
- 19. Способ по п.18, характеризующийся тем, что на стадии (А) используют раствор, дополнительно содержащий ацетилацетонат и/или тетрагидрат ацетата магния.
- 20. Способ по п.18, характеризующийся тем, что в качестве раствора металл-органического прекурсора на стадии (А) используют раствор, дополнительно содержащий по меньшей мере один амин, выбранный из группы, включающей диэтилентриамин и моноэтаноламин, где общая концентрация металлорганического соединения и амина не превышает 0,4 моль/л.
- 21. Способ по п.18, характеризующийся тем, что в качестве приемлемого растворителя упомянутый раствор на стадии (А) содержит изопропиловый спирт и/или уксусную кислоту.- 8 031118Фиг. 1Фиг. 2- 9 031118Фиг. 3Фиг. 4
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA201600424A EA031118B1 (ru) | 2016-05-10 | 2016-05-10 | Установка для планаризации подложек сверхпроводящих лент и способ планаризации подложек |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA201600424A EA031118B1 (ru) | 2016-05-10 | 2016-05-10 | Установка для планаризации подложек сверхпроводящих лент и способ планаризации подложек |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201600424A1 EA201600424A1 (ru) | 2017-11-30 |
| EA031118B1 true EA031118B1 (ru) | 2018-11-30 |
Family
ID=60421445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201600424A EA031118B1 (ru) | 2016-05-10 | 2016-05-10 | Установка для планаризации подложек сверхпроводящих лент и способ планаризации подложек |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| EA (1) | EA031118B1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050220986A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-06 | Superpower, Inc. | Superconductor fabrication processes |
| US20060073979A1 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-06 | American Superconductor Corp. | Architecture for high temperature superconductor wire |
| US20070116860A1 (en) * | 2003-06-23 | 2007-05-24 | Superpower, Inc. | High throughput continuous pulsed laser deposition process and apparatus |
| US7247340B2 (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-24 | Superpower, Inc. | Method of making a superconducting conductor |
-
2016
- 2016-05-10 EA EA201600424A patent/EA031118B1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070116860A1 (en) * | 2003-06-23 | 2007-05-24 | Superpower, Inc. | High throughput continuous pulsed laser deposition process and apparatus |
| US20050220986A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-06 | Superpower, Inc. | Superconductor fabrication processes |
| US20060073979A1 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-06 | American Superconductor Corp. | Architecture for high temperature superconductor wire |
| US7247340B2 (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-24 | Superpower, Inc. | Method of making a superconducting conductor |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Chris Sheehan et al., Solution Deposition Planarization of Long-Length Flexible Substrates AIMCAL Fall Technical Conference, October 17-20, 2010 * |
| Харченко А.В. Тонкие пленки LaZrOи LaHfO: Получение из растворов, свойства и применение. Автореферат на соискание ученой степени кандидата химических наук. М., 2013 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EA201600424A1 (ru) | 2017-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2031606B1 (en) | Superconducting thin film material and method for producing the same | |
| CN100502073C (zh) | 前体溶液及其使用方法 | |
| US6440211B1 (en) | Method of depositing buffer layers on biaxially textured metal substrates | |
| CA2546839C (en) | High-throughput ex-situ method for rare-earth-barium-copper-oxide (rebco) film growth | |
| CN1993497B (zh) | 用于制造高织构的带形高温超导体的方法 | |
| JP2006228754A (ja) | 超電導体の作製方法及び反応装置 | |
| CN102884594A (zh) | 形成陶瓷线的方法、形成陶瓷线的系统、以及采用其的超导体线 | |
| WO2005001947A2 (en) | Methods of and reactors for making superconductors | |
| US8642511B2 (en) | Method for depositing oxide thin films on textured and curved metal surfaces | |
| CN110453189B (zh) | 基于离位技术生长rebco超导膜的连续装置 | |
| CN107408619B (zh) | 用于制备高温超导体线材的方法 | |
| CN100372140C (zh) | 一种大面积均匀薄膜或长超导导线的制备方法及其装置 | |
| JP4876044B2 (ja) | 酸化物超電導線材の熱処理装置及びその製造方法 | |
| JP4411265B2 (ja) | 希土類系テープ状酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| JP2011528316A (ja) | 希土類金属−Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ薄膜の製造のための組成物及び方法 | |
| JP4891505B2 (ja) | 多層体を作製するための方法及び組成物 | |
| JP5415696B2 (ja) | 機能が向上された厚膜超伝導フィルム | |
| CN105386014A (zh) | 一种涂层导体rebco超导层的生长方法 | |
| EA031118B1 (ru) | Установка для планаризации подложек сверхпроводящих лент и способ планаризации подложек | |
| KR100741726B1 (ko) | 습식화학공정을 이용한 초전도 선재 제조 장치 및 그 방법 | |
| JP2007188755A (ja) | 酸化物超電導線材の熱処理装置。 | |
| US20060073978A1 (en) | Method and apparatus for making continuous films of a single crystal material | |
| CN102683572A (zh) | 一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法 | |
| JP2009231233A (ja) | ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導テープ線材の製造方法及びそれに用いるプラズマ処理装置 | |
| JP5663230B2 (ja) | 酸化物超電導線材およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ KG TJ TM |