DE975319C

DE975319C - Dry rectifier plate

Info

Publication number: DE975319C
Application number: DEA14661A
Authority: DE
Inventors: Algot Arvidsson
Original assignee: ASEA AB
Current assignee: ABB Norden Holding AB
Priority date: 1947-09-20
Filing date: 1948-09-20
Publication date: 1961-11-09

Description

(WiGBl. S. 175)(WiGBl. P. 175)

AUSGEGEBENAM 9. NOVEMBER 1961ISSUED NOVEMBER 9, 1961

A 14661 VIIIc j 21gA 14661 VIIIc j 21g

TrockengleichrichterplatteDry rectifier plate

Tag der Anmeldung: 7. Dezember 1951Registration date: December 7, 1951

Die Erfindung bezieht sich auf Trockengleichrichterplatten mit Zentralbefestigung, bei der die einzelnen zu einem Gleichrichter vereinigten Platten durch Abstandselektroden voneinander getrennt sind. Derartige Platten müssen mit einem ausreichenden Druck zusammengepreßt werden, um einen guten Kontakt zwischen der Gegenelektrode der Platte und der Abstandselektrode und zwischen dieser und der Grundplatte der nächsten Gleichrichterplatte zu erreichen. Dieser Druck darf andererseits weder die Halbleiterschicht noch die Gegenelektrode beschädigen, d. h. die Gleichrichterwirkung beeinträchtigen.The invention relates to dry rectifier plates with central mounting, in which the individual plates combined to form a rectifier are separated from one another by spacer electrodes. Such plates must be pressed together with sufficient pressure to produce a good Contact between the counter electrode of the plate and the spacer electrode and between this and the To reach the base plate of the next rectifier plate. On the other hand, neither the The semiconductor layer can still damage the counter electrode, d. H. impair the rectifier effect.

Nach einer bekannten Ausführung wird innerhalb der Druckfläche des Abstandskontaktes die Halbleiterschicht und die Gegenelektrode durch eine Isolierschicht voneinander getrennt, die eine Beeinträchtigung der Gleichrichterwirkung verhindert. Der Anpreßdruck muß hierbei von der wenig widerstandsfähigen Gegenelektrode aufgenommen werden. Diese besteht aber aus Legierungen, die unter der Ein- so wirkung des Anpreßdruckes zu Fließerscheinungen neigen. Es besteht so die Gefahr, daß der Kontakt zwischen Gegenelektrode und Abstandselektrode unterbrochen wird.According to a known embodiment, the semiconductor layer is within the pressure area of the spacer contact and the counter electrode is separated from each other by an insulating layer, which is a deterioration the rectifier effect prevented. The contact pressure must be of the less resistant Counter electrode are included. This, however, consists of alloys, which under the so effect of the contact pressure tend to flow phenomena. So there is a risk of contact is interrupted between the counter electrode and the spacer electrode.

Nach einer anderen bekannten Ausführungsform wird der vom Abstandskontakt ausgeübte Druck über eine Isolierschicht auf die Grundplatte übertragen. Zwischen dem Abstandskontakt und der Isolier-According to another known embodiment, the pressure exerted by the spacer contact is over transfer an insulating layer to the base plate. Between the spacer contact and the insulating

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schicht ist ein federnder Metallstreifen aus widerstandsfähigem Metall gelagert, der federnd auf der Gegenelektrode aufliegt und die Strombrücke zwischen dieser und dem Abstandskontakt bildet. Diese Ausführungsform ergibt aber einen unsicheren Kontakt, der durch Korrosion der Zunge oder durch eindringenden Lack völlig unterbrochen werden kann.layer is a resilient metal strip made of resistant metal, which is resilient on the Counter electrode rests and forms the current bridge between this and the spacer contact. This embodiment but results in an unsafe contact caused by corrosion of the tongue or penetration Paint can be completely interrupted.

Die Erfindung vermeidet jede Beeinträchtigung der Gleichrichterwirkung und schafft eine zuverlässige,The invention avoids any impairment of Rectifier effect and creates a reliable,

ίο ausreichende und leicht zu kontrollierende Strombrücke zwischen der Gegenelektrode und der Abstandselektrode. Die Erfindung geht von einer Trockengleichrichterplatte aus, die eine Abnahmeelektrode aus widerstandsfähigem Metall verwendet, die mit dem Abstandskontakt in unmittelbarer Berührung steht und von der Halbleiterschicht durch eine Isolierschicht getrennt ist. Erfindungsgemäß ist diese Trockengleichrichterplatte so ausgebildet, daß die Gegenelektrodenmetallschicht die Isolierschicht undίο sufficient and easily controllable current bridge between the counter electrode and the spacer electrode. The invention is based on a dry rectifier plate that has a pick-up electrode Resistant metal is used, which is in direct contact with the spacer contact and is separated from the semiconductor layer by an insulating layer. This is according to the invention Dry rectifier plate formed so that the counter electrode metal layer, the insulating layer and

ao die Abnahmeelektrode teilweise überdeckt und der nicht überdeckte freie Teil der Abnahmeelektrode als Auflagefläche für den Abstandskontakt dient. Man erhält so eine mechanisch nicht beanspruchte, große Kontaktfläche zwischen der Abnahmeelektrode und der Gegenelektrode, die gegen Korrosion und Eindringen von Lack völlig geschützt ist, und gleichzeitig eine gegen den Anpreßdruck völlig unempfindliche Gleichrichterplatte. Die Gegenelektrode kann aus den üblichen, metallisch wenig widerstandsfähigen Metallegierungen bestehen und vorzugsweise durch Spritzen hergestellt sein.ao partially covers the pickup electrode and the uncovered free part of the pickup electrode as Support surface is used for the spacing contact. This gives a large one that is not mechanically stressed Contact surface between the pick-up electrode and the counter-electrode, which protects against corrosion and penetration is completely protected by paint, and at the same time completely insensitive to the contact pressure Rectifier plate. The counter electrode can be made of the usual, metallically less resistant There are metal alloys and are preferably made by spraying.

Die Zeichnung zeigt eine Ausführungsform der Erfindung im Schnitt. In der Zeichnung bezeichnet 1 die Grundplatte, 2 die Halbleiter- bzw. Selenschicht, 3 eine den inneren Teil der Halbleiterschicht bedeckende Isolierschicht, beispielsweise aus Papier oder Kunstmasse, 4 eine als Abnahmeelektrode dienende Metallschicht, 5 die den größeren äußeren Teil des Halbleiters deckende Gegenelektrode und 6 den Abstandskontakt, der wegen der Deutlichkeit in einem gewissen Abstand von der Platte dargestellt wurde, der aber bei der Zusammensetzung einer Säule an der Abnahmeelektrode 4 unter verhältnismäßig hohem Druck anliegen soll.The drawing shows an embodiment of the invention in section. In the drawing, 1 denotes the base plate, 2 the semiconductor or selenium layer, 3 a covering the inner part of the semiconductor layer Insulating layer, for example made of paper or plastic, 4 one as a pick-up electrode serving metal layer, 5 the counter electrode covering the larger outer part of the semiconductor and 6 shows the spacing contact which, for the sake of clarity, is shown at a certain distance from the plate was, but in the composition of a column at the pickup electrode 4 below relatively should be high pressure.

Wie ersichtlich, sind es ausschließlich die Abnahmeelektrode 4 und die unterhalb derselben liegenden, elektrisch unwirksamen Teile, die beim Anpressen der Abstandselektrode unter Druck gesetzt werden, der wirksame Teil der Halbleiterschicht 2 und auch die Gegenelektrode 5 bleiben dagegen druckfrei. Gleichzeitig bildet die Platte als Ganzes eine unempfindliche Baueinheit. Man erhält weiter eine besonders gute leitende Verbindung zwischen der Gegenelektrode 5 und der Abnahmeelektrode 4, da diese von der Gegenelektrode überdeckt ist. Diese Ausführungsform gestattet die Verwendung einer aufgespritzten Gegenelektrode und die leichte Überwachung des Kontaktes an der Übergangsstelle.As can be seen, it is exclusively the pickup electrode 4 and the one below it, electrically ineffective parts that are put under pressure when the spacer electrode is pressed on, the effective part of the semiconductor layer 2 and also the counter electrode 5, on the other hand, remain free of pressure. Simultaneously the plate as a whole forms an insensitive structural unit. You also get a particularly good one conductive connection between the counter electrode 5 and the pickup electrode 4, as this is of the Counter electrode is covered. This embodiment allows the use of a sprayed-on counter electrode and easy monitoring of contact at the transition point.

Claims

PATENT CLAIM:

Dry rectifier plate with central attachment, consisting of base plate, semiconductor or selenium layer, counter electrode, pick-up electrode and spacer contact between the dry rectifier plates, in which the spacer contact rests on a metal layer as pick-up electrode, which has a greater mechanical strength than the counter electrode metal, and which is conductive with the counter electrode is connected and in which in the pressure area instead of the counterelectrode an insulating layer is attached over which the pickup electrode lies, characterized in that the counterelectrode metal layer (5) partially covers the insulating layer (3) and the pickup electrode (4) and the uncovered free one Part of the pick-up electrode (4) serves as a support surface for the spacer contact (6).

80 Publications considered:

German Patent No. 748 in; Austrian Patent No. 153,400; Swiss Patent No. 213 494; French Patent No. 864,102; British Patent Nos. 526 482, 555 615,

59 ^O2 43;

U.S. Patents Nos. 2,314,104, 2,345,122, 381 025;

Karl Mai er: "Trockengleichrichter", 1938, p. 212, 213

Older patents considered: German Patent No. 974 772.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings