[go: up one dir, main page]

DE69733057T2 - Verfahren zur herstellung einer matrixanzeigevorrichtung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer matrixanzeigevorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE69733057T2
DE69733057T2 DE69733057T DE69733057T DE69733057T2 DE 69733057 T2 DE69733057 T2 DE 69733057T2 DE 69733057 T DE69733057 T DE 69733057T DE 69733057 T DE69733057 T DE 69733057T DE 69733057 T2 DE69733057 T2 DE 69733057T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optical material
electrode
liquid
height difference
display substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69733057T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69733057D1 (de
Inventor
Mutsumi Kimura
Hiroshi Kiguchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of DE69733057D1 publication Critical patent/DE69733057D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69733057T2 publication Critical patent/DE69733057T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133377—Cells with plural compartments or having plurality of liquid crystal microcells partitioned by walls, e.g. one microcell per pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1341—Filling or closing of cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/13613—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit the semiconductor element being formed on a first substrate and thereafter transferred to the final cell substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren einer Matrixanzeigevorrichtung und insbesondere die Herstellung einer Matrixanzeigevorrichtung mit einer Struktur, in der lumineszentes Material selektiv an vorbestimmten Positionen auf einem Anzeigesubstrat angeordnet wird, wobei das Material zumindest während des Auftrags flüssig ist, wobei das Material exakt an den vorbestimmten Positionen angeordnet werden kann.
  • HINTERGRUND DER TECHNIK
  • Matrixanzeigevorrichtungen, wie eine LCD- ("Liquid Crystal Display" – Flüssigkristallanzeige), eine EL- (Elektrolumineszenz-) Anzeigevorrichtung und dergleichen, werden häufig als unterschiedliche Anzeigevorrichtungen verwendet, die von geringem Geicht und dünn sind und eine hohe Bildqualität und hohe Definition aufweisen. Eine Matrixanzeigevorrichtung umfasst in einer Matrix gebildete Busleitungen, ein optisches Material (lumineszentes Material oder Lichtmodulationsmaterial) und nach Bedarf andere Komponenten.
  • In einer monochromatischen Matrixanzeigevorrichtung müssen Verdrahtungen und Elektroden in einer Matrix auf dem Anzeigesubstrat angeordnet sein, aber das optische Material kann gleichförmig über der gesamten Oberfläche des Anzeigesubstrats aufgetragen werden.
  • Wenn im Gegensatz dazu zum Beispiel eine sogenannte Matrixfarbanzeigevorrichtung unter Verwendung einer EL-Anzeigevorrichtung jener Art ausgeführt wird, die selbst Licht emittiert, ist es notwendig, drei Pixelelektroden anzuordnen, die den Primärfarben RGB von Licht für jedes Pixel entsprechen, und das optische Material entsprechend jeder der Primärfarben RGB für jede Pixelelektrode aufzutragen.
  • Das heißt, das optische Material muss selektiv an den vorbestimmten Positionen angeordnet werden.
  • Es besteht daher ein Bedarf an einer Entwicklung eines Verfahrens zur Strukturierung des optischen Materials. Geeignete Beispiele für effektive Strukturierungsverfahren beinhalten das Ätzen und Beschichten.
  • Das Ätzverfahren wird wie folgt ausgeführt.
  • Zunächst wird eine Schicht aus einem optischen Material über der gesamten Oberfläche des Anzeigesubstrats gebildet. Dann wird eine Resistschicht auf der optischen Materialschicht gebildet, durch eine Maske mit Licht bestrahlt und dann strukturiert. Dann wird die optische Materialschicht durch Ätzen in Übereinstimmung mit dem Resistmuster strukturiert.
  • In diesem Fall jedoch ist eine große Anzahl von Schritten erforderlich, und jedes Material und jede Vorrichtung, das/die verwendet wird, ist teuer, wodurch die Kosten steigen. Ebenso ist eine große Anzahl von Schritten erforderlich und jeder der Schritte ist kompliziert, wodurch der Durchsatz verschlechtert wird. Ferner haben einige optische Materialien, abhängig von den chemischen Eigenschaften, eine geringe Beständigkeit gegenüber dem Resist und einem Ätzmittel, und daher sind diese Schritte unmöglich.
  • Andererseits wird der Beschichtungsvorgang wie folgt ausgeführt.
  • Zunächst wird ein optisches Material in einem Lösemittel zur Bildung einer Lösung aufgelöst und die derart gebildete Lösung des optischen Materials wird selektiv an den vorbestimmten Positionen auf dem Anzeigesubstrat durch ein Tintenstrahlverfahren oder dergleichen aufgetragen. Falls erforderlich, wird dann das optische Material durch Erwärmen, Lichtbestrahlung oder dergleichen verfestigt. In diesem Fall ist eine geringe Anzahl von Schritten erforderlich, und jedes/jede der verwendeten Materialien und Vorrichtungen ist billig, wodurch die Kosten sinken. Ebenso ist eine geringe Anzahl von Schritten erforderlich und jeder der Schritte ist einfach, wodurch der Durchsatz verbessert wird. Ferner sind diese Schritte unabhängig von den chemischen Eigenschaften des verwendeten optischen Materials möglich, solange eine Lösung des optischen Materials gebildet werden kann.
  • Die Ausführung der Beschichtungsstrukturierungsmethode wird als einfach erachtet. Als Ergebnis eines Experiments haben die Erfinder jedoch festgestellt, dass beim Auftragen des optischen Materials durch das Tintenstrahlverfahren das optische Material mindestens mehrere zehn Male mit einem Lösemittel verdünnt werden muss, und die erhaltene Lösung daher eine hohe Fluidität aufweist, wodurch Schwierigkeiten entstehen, die Lösung an den Auftragspositionen zu halten, bis sie nach dem Auftrag vollständig verfestigt ist.
  • Mit anderen Worten, die Strukturierungspräzision verschlechtert sich aufgrund der Fluidität der Lösung des optischen Materials. Zum Beispiel fließt das optische Material, das in einem Pixel aufgetragen wurde, zu den benachbarten Pixeln und verschlechtert die optischen Eigenschaften der Pixel. Ebenso treten Schwankungen in den Beschichtungsflächen in den entsprechenden Pixeln auf, wodurch Schwankungen in der Beschichtungsdicke und somit in den optischen Eigenschaften des optischen Materials entstehen.
  • Obwohl dieses Problem deutlich bei einem optischen Material für EL-Anzeigevorrichtungen oder dergleichen, das während des Auftrags flüssig ist und dann verfestigt wird, markant auftritt, wird dieses Problem auch in Fällen beobachtet, in welchen ein Flüssigkristall, der sowohl während als auch nach dem Auftrag flüssig ist, selektiv auf das Anzeigesubstrat aufgetragen wird.
  • Die vorliegende Erfindung wurde angesichts des ungelösten Problems nach dem Stand der Technik entwickelt, und eine Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung einer Matrixanzeigevorrichtung, in dem ein elektrolumineszentes Material sicher an vorbestimmten Positionen angeordnet werden kann, während Eigenschaften, wie geringe Kosten, hoher Durchsatz und ein hohes Maß an Freiheit des Materials usw., beibehalten werden.
  • JP 06281917A, JP 07132288A, JP03192334A, US 5399390 und US 5274481 offenbaren alle die Verwendung eines Flüssigkristallmaterials, das mit Polymermaterial unterschiedlicher Farben dispergiert ist, um eine Anzeigevorrichtung zu bilden. Flüssigkristallmaterialien, die mit Polymermaterial unterschiedlicher Farben dispergiert sind, werden voneinander getrennt und zwischen zwei Substraten angeordnet.
  • JP 6308312A offenbart die Bildung von Farbfiltern mit einer gleichförmigen Filmoberfläche zur Verwendung in einer Anzeigevorrichtung.
  • DE 196 03 451 A offenbart ein Verfahren zur Bildung einer elektrolumineszenten Anzeigevorrichtung, in dem Streifen aus elektrolumineszentem Material gebildet werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Matrixanzeigevorrichtung bereitgestellt, mit einer ersten Elektrode, die von einem Anzeigesubstrat gehalten wird, einer zweiten Elektrode, die über der ersten Elektrode angeordnet ist, einem elektrolumineszenten, lichtemittierenden Element, das zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode gehalten wird, einer Abtastleitung, einer Signalleitung und einem Schaltelement zum Steuern der Zustände der ersten Elektrode, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:
    Bilden einer Höhendifferenz an einem peripheren Bereich um die erste Elektrode, so dass die Höhe des peripheren Bereichs um die erste Elektrode höher als jene der ersten Elektrode in Bezug auf das Anzeigesubstrat wird; und Aufbringen einer flüssigen Lösung, die ein optisches Material in einem Lösemittel umfasst, auf eine vorbestimmte Position, die der ersten Elektrode entspricht; und Verdampfen des Lösemittels zur Bildung des elektrolumineszenten, lichtemittierenden Elements.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Diagramm einer Schaltung, die einen Teil einer Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 2 ist eine vergrößerte Draufsicht, die die Ebenenstruktur eines Pixelbereichs zeigt.
  • 3 bis 5 sind Schnittansichten, die den Ablauf eines Herstellungsverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform zeigen.
  • 6 ist eine Schnittansicht, die eine modifizierte Ausführungsform der ersten Ausführungsform zeigt.
  • 7 ist eine Draufsicht und eine Schnittansicht, die eine zweite Ausführungsform zeigen.
  • 8 ist eine Schnittansicht, die einen Teil eines Herstellungsverfahrens gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt, die nicht Teil der vorliegenden Erfindung ist.
  • 9 ist eine Schnittansicht, die einen Teil eines Herstellungsverfahrens gemäß einer vierten Ausführungsform zeigt.
  • 10 ist eine Schnittansicht, die einen Teil eines Herstellungsverfahrens gemäß einer fünften Ausführungsform zeigt.
  • BESTE AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG
  • In der Folge werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • (1) Erste Ausführungsform
  • 1 bis 5 sind Zeichnungen, die eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen. In dieser Ausführungsform werden eine Matrixanzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren für diese der vorliegenden Erfindung bei einer EL-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix angewandt. Insbesondere zeigen diese Zeichnungen eine Ausführungsform, in der ein lumineszentes Material als optisches Material aufgetragen wird, und Abtastleitungen, Signalleitungen und allgemeine Stromversorgungsleitungen als Verdrahtung dienen.
  • 1 ist eine Zeichnung einer Schaltung, die einen Teil einer Anzeigevorrichtung 1 in dieser Ausführungsform zeigt. Die Anzeigevorrichtung 1 umfasst eine Verdrahtung mit einer Vielzahl von Abtastleitungen 131, einer Vielzahl von Signalleitungen 132, die sich in die Richtung erstrecken, die die Abtastleitungen 131 kreuzt, und einer Vielzahl von allgemeinen Stromversorgungsleitungen 133, die sich parallel zu den Signalleitungen 132 erstrecken; und einen Pixelbereich 1A, der für jede der Schnittstellen der Ab tastleitungen 131 und der Signalleitungen 132 bereitgestellt ist.
  • Für die Signalleitungen 132 ist eine datenseitige Treiberschaltung 3, die ein Schieberegister, einen Pegelverschieber, eine Videoleitung und einen Analogschalter umfasst, bereitgestellt. Für die Abtastleitungen 131 ist eine abtastseitige Treiberschaltung 4 bereitgestellt, die ein Schieberegister und einen Pegelverschieber umfasst. In jedem Pixelbereich 1A ist Folgendes bereitgestellt: ein Schaltdünnfilmtransistor 142, in dem ein Abtastsignal durch eine Abtastleitung 131 zu einer Gate-Elektrode geleitet wird, ein Haltekondensator cap zum Halten eines Bildsignals, das von einer Signalleitung 132 durch den Schaltdünnfilmtransistor 142 zugeleitet wird, ein Stromdünnfilmtransistor 143, in dem das Bildsignal, das von dem Haltekondensator cap gehalten wird, einer Gate-Elektrode zugeleitet wird, eine Pixelelektrode 141, zu der ein Antriebsstrom von einer allgemeinen Stromversorgungsleitung 133 fließt, wenn eine elektrische Verbindung zu der allgemeinen Stromversorgungsleitung durch den Stromdünnfilmtransistor 143 hergestellt ist, und ein lichtemittierendes Element 140, das zwischen der Pixelelektrode 141 und einer Reflexionselektrode 154 gehalten wird.
  • Wenn in dieser Konfiguration der Schaltdünnfilmtransistor 142 durch Antreiben der Abtastleitungen 131 eingeschaltet wird, wird das Potenzial pf der Signalleitungen 132 vom Haltekondensator cap gehalten und der Ein/Aus-Zustand des Stromdünnfilmtransistors 143 wird in Übereinstimmung mit dem Zustand des Haltekondensators cap bestimmt. Dann fließt ein Strom von der allgemeinen Stromversorgungsleitung 133 durch den Kanal des Stromdünnfilmtransistors 143 zu der Pixelelektrode 141, und ein Strom fließt durch das lichtemittierende Element 140 zu der Reflexionselektrode 154, wodurch das lichtemittierende Element 140 Licht entsprechend der hindurchströmenden Strommenge emittiert.
  • Jeder der Pixelbereiche 1A hat eine planare Struktur, in der die Pixelelektrode 141 mit rechteckiger planarer Form so angeordnet ist, dass ihre vier Seiten von einer Signalleitung 132, einer allgemeinen Stromversorgungsleitung 133, einer Abtastleitung 131 und einer Abtastleitung für eine andere Pixelelektrode umgeben sind, wie in 2 dargestellt, die eine vergrößerte Draufsicht bei entfernter Reflexionselektrode und entferntem lichtemittierendem Element ist.
  • 3 bis 5 sind Schnittansichten, die der Reihe nach die Schritte zur Herstellung des Pixelbereichs 1A zeigen und einem Querschnitt entsprechen, der entlang der Linie A-A in 2 verläuft. Das Verfahren zur Herstellung des Pixelbereichs 1A wird unter Bezugnahme auf 3 bis 5 beschrieben.
  • Zunächst wird, wie in 3(a) dargestellt, auf einem transparenten Anzeigesubstrat 121 ein Basisschutzfilm (nicht dargestellt), der einen Siliziumoxidfilm mit einer Dicke von etwa 2000 bis 5000 Ångström umfasst, durch eine Plasma-CVD-Methode unter Verwendung von TEOS-(Tetraethoxysilan) und Sauerstoffgas als Rohmaterialgase nach Bedarf gebildet. Anschließend wird die Temperatur des Anzeigesubstrats 121 auf etwa 350°C eingestellt und auf der Oberfläche des Basisschutzfilms ein Halbleiterfilm 200, der einen amorphen Siliziumfilm mit einer Dicke von etwa 300 bis 700 Ångström (1 μm = 107 Å) umfasst, durch die Plasma-CVD-Methode gebildet. Der Halbleiterfilm 200, der einen amorphen Siliziumfilm umfasst, wird dann dem Kristallisierungsschritt durch Laserglühen oder Festphasenwachstum unterzogen, um den Halbleiterfilm 200 zu einem Polysiliziumfilm zu kristallisieren. Beim Laserglühen wird zum Beispiel ein Exzimerlaserlinienstrahl mit einer Längendimension von 400 mm und einer Ausgangsstärke von zum Beispiel 200 mJ/cm3 verwendet. Der Linienstrahl wird so geführt, dass ein Teil davon, der 90% der Laserstärken spitze in Richtung der kurzen Dimension entspricht, bei jedem der Bereiche angewandt wird.
  • Anschließend wird der Halbleiterfilm 200, wie in 3(b) dargestellt, zur Bildung eines inselförmigen Halbleiterfilms 210 strukturiert, und auf der Oberfläche des Halbleiterfilms 210 wird ein Gate-Isolierfilm 220, der einen Siliziumoxidfilm oder Nitridfilm mit einer Dicke von etwa 600 bis 1500 Ångström umfasst, durch die Plasma-CVD-Methode unter Verwendung von TEOS- (Tetraethoxysilan) und Sauerstoffgas als Rohmaterialgase gebildet. Obwohl der Halbleiterfilm 210 für den Kanalbereich und- für Source- und Drain-Bereiche des Stromdünnfilmtransistors 143 verwendet wird, wird auch ein anderer Halbleiterfilm zur Bildung des Kanalbereichs und der Source- und Drain-Bereiche des Schaltdünnfilmtransistors 142 in einer anderen Schnittansicht gebildet. Das heißt, in dem in 3 bis 5 dargestellten Herstellungsverfahren werden zwei Arten von Transistoren 142 und 143 gleichzeitig gebildet, aber beide Transistoren werden nach demselben Verfahren gebildet. Daher wird in der Folge in Bezug auf die Transistoren nur der Stromdünnfilmtransistor 143 beschrieben, und die Beschreibung des Schaltdünnfilmtransistors 142 wird unterlassen.
  • Wie in 3(c) dargestellt, wird anschließend ein leitender Film, der einen metallischen Film aus Aluminium, Tantal, Molybdän, Titan, Wolfram oder dergleichen umfasst, durch ein Sputterverfahren gebildet und dann strukturiert, um eine Gate-Elektrode 143A zu bilden.
  • In diesem Zustand wird eine hohe Konzentration von Phosphorionen implantiert, um Source- und Drain-Bereiche 143a und 143b in dem Siliziumdünnfilm 210 in Selbstausrichtung zu der Gate-Elektrode 143 zu bilden. Ein Abschnitt, in den keine Störstellen eingeführt werden, dient als Kanalbereich 143c.
  • Anschließend wird, wie in 3(d) dargestellt, ein Zwischenlagen-Isolierfilm 230 gebildet, Kontaktlöcher 232 und 234 gebildet, und dann werden Verbindungselektroden 236 und 238 in den Kontaktlöchern 232 beziehungsweise 239 versenkt.
  • Wie in 3(e) dargestellt, werden anschließend auf dem Zwischenlagen-Isolierfilm 230 eine Signalleitung 132, eine allgemeine Stromversorgungsleitung 133 und eine Abtastleitung (in 3 nicht dargestellt) gebildet. Jede der Signalleitungen 132, der allgemeinen Stromversorgungsleitungen 133 und der Abtastleitungen ist mit ausreichender Dicke gebildet, unabhängig von der erforderlichen Dicke als Verdrahtung. Insbesondere ist jede der Leitungen zu einer Dicke von etwa 1 bis 2 μm gebildet. Die Verbindungselektrode 238 und jede der Leitungen können in demselben Schritt gebildet werden. In diesem Fall ist die Verbindungselektrode 238 aus einem ITO-Film gebildet, der in der Folge beschrieben wird.
  • Dann wird ein Zwischenlagen-Isolierfilm 240 so gebildet, dass er die oberen Oberflächen der Leitungen bedeckt, ein Kontaktloch 242 wird an einer Position gebildet, die der Verbindungselektrode 236 entspricht, und ein ITO-Film wird so gebildet, dass er das Kontaktloch 242 füllt, wonach eine Strukturierung des ITO-Films zur Bildung einer Pixelelektrode 141 folgt, die elektrisch an den Source- und Drain-Bereich 143a an der vorbestimmten Position angeschlossen ist, die von der Signalleitung 132, der allgemeinen Stromversorgungsleitung 133 und der Abtastleitung umgeben ist.
  • In 3(e) entspricht der Abschnitt zwischen der Signalleitung 132 und der allgemeinen Stromversorgungsleitung 133 der vorbestimmten Position, wo das optische Material angeordnet ist. Ein Höhenunterschied 111 wird zwischen der vorbestimmten Position und ihrer Peripherie durch die Signal leitung 132 und die allgemeine Stromversorgungsleitung 133 gebildet. Insbesondere wird der Höhenunterschied 111 in konkaver Form gebildet, wobei die vorbestimmte Position tiefer liegt als ihre Peripherie.
  • Wie in 4(a) dargestellt, wird anschließend ein flüssiges (eine Lösung in einem Lösemittel) optisches Material (ein Vorläufer) 114A zur Bildung einer Löcherinjektionsschicht, die einer unteren Schicht des lichtemittierenden Elements 140 entspricht, durch ein Tintenstrahlkopfverfahren abgegeben, wobei die obere Seite des Anzeigesubstrats 121 nach oben gedreht ist, um das optische Material selektiv auf dem Bereich aufzutragen (auf der vorbestimmten Position), der von dem Höhenunterschied 111 umgeben ist. Da die einzelnen Punkte des Tintenstrahlverfahrens im Hauptgegenstand der vorliegenden Erfindung nicht enthalten sind, werden diese Punkte ausgelassen (hinsichtlich eines solchen Verfahrens wird zum Beispiel auf die Ungeprüften Japanischen Patentschriften Nr. 56-13184 und 2-167751 verwiesen).
  • Materialien zur Bildung der Löcherinjektionsschicht umfassen Polyphenylenvinylen, das aus Polytetrahydrothiophenylphenylen als Polymervorläufer erhalten wird, 1,1-Bis-(4-N,N-Ditolylaminophenyl)cyclohexan, Tris(8-hydroxychinolynol)aluminium und dergleichen.
  • Obwohl der flüssige Vorläufer 114A zu diesem Zeitpunkt eine hohe Fluidität besitzt und zur horizontalen Ausbreitung neigt, wird die Höhendifferenz 111 gebildet, die die Auftragsposition umgibt, wodurch verhindert wird, dass sich der flüssige Vorläufer 114A über die Höhendifferenz 111 hinaus zu der Außenseite der vorbestimmten Position ausbreitet, solange die Menge des flüssigen Vorläufers 114A, die in einem einzigen Auftrag aufgebracht wird, nicht übermäßig erhöht wird.
  • Wie in 4(b) dargestellt, wird anschließend das Lösemittel des flüssigen Vorläufers 114A durch Erwärmung oder Lichtbestrahlung verdampft, um eine dünne, massive Löcherinjektionsschicht 140a auf der Pixelelektrode 141 zu bilden. Abhängig von der Konzentration des flüssigen Vorläufers 114A wird nur eine dünne Löcherinjektionsschicht 140a gebildet. Wenn eine dickere Löcherinjektionsschicht 140a erforderlich ist, werden daher die in 4(a) und (b) dargestellten Schritte nach Bedarf wiederholt, um die Löcherinjektionsschicht 140A mit einer ausreichenden Dicke zu bilden, wie in 4(c) dargestellt ist.
  • Wie in 5(a) dargestellt, wird anschließend eine Flüssigkeit (eine Lösung in einem Lösemittel) eines optischen Materials (organischen fluoreszierenden Materials) 114B zur Bildung eines organischen Halbleiterfilms, der einer oberen Schicht des lichtemittierenden Elements 140 entspricht, durch das Tintenstrahlkopfverfahren abgegeben, wobei die obere Fläche des Anzeigesubstrats 121 nach oben gedreht ist, um das optische Material selektiv auf dem Bereich (auf der vorbestimmten Position) aufzutragen, der von dem Höhenunterschied 111 umgeben ist.
  • Zu organischen fluoreszierenden Materialien zählen Cyanopolyphenylenvinylen, Polyphenylenvinylen, Polyalkylphenylen, 2,3,6,7-Tetrahydro-11-oxo-1H,5H,11H(1)benzopyrano[6,7,8-ij]-chinolizin-10-carbonsäure, 1,1-Bis-(4-N,N-Ditolylaminophenyl)cyclohexan, 2-13',4'-Dihydroxyphenyl)-3,5,7-trihydroxy-1-benzopyryliumperchlorat, Tris(8-hydroxychinolynol)aluminium, 2,3,6,7-Tetrahydro-9-methyl-11-oxo-1H,5H,11H(1)benzopyrano[6,7,8-ij]-chinolizin, aromatische Diaminderivate (TDP), Oxydiazoldimere (OXD), Oxydiazolderivate (PBD), Distyrylarylenderivate (DSA), Chinolynolmetallkomplexe, Beryllium-benzochinolynolderivate (Bebq), Triphenylaminderivate (MTDATA), Distyrylderivate, Pyrazolindimere, Rubren, Chinacridon, Triazolderivate, Polyphenylen, Polyalkylfluoren, Polyalkylthiophen, Azomethin-Zinkkomplexe, Porphyrin-Zinkkomplexe, Benzoxazol-Zinkkomplexe, Phenanthroineuropiem-Komplexe, und dergleichen.
  • Obwohl das flüssige, organische, fluoreszierende Material 114B zu diesem Zeitpunkt hohe Fluidität besitzt und zur horizontalen Ausbreitung neigt, wird die Höhendifferenz 111 so gebildet, dass sie die Auftragsposition umgibt, wodurch verhindert wird, dass das flüssige, organische, fluoreszierende Material 114B sich über die Höhendifferenz 111 hinaus zu der Außenseite der vorbestimmten Position ausbreitet, solange die Menge des flüssigen, organischen, fluoreszierenden Materials 114B, die in einem einzigen Auftrag aufgebracht wird, nicht übermäßig erhöht wird.
  • Wie in 5(b) dargestellt, wird anschließend das Lösemittel des flüssigen, organischen, fluoreszierenden Materials 114B, durch Erwärmung oder Lichtbestrahlung verdampft, um einen massiven organischen Halbleiterfilm 140b auf der Löcherinjektionsschicht 140A zu bilden. Abhängig von der Konzentration des flüssigen, organischen, fluoreszierenden Materials 114B wird nur ein dünner organischer Halbleiterfilm 140b gebildet. Wenn eine dickere organische Halbleiterschicht 140b erforderlich ist, werden daher die in 5(a) und (b) dargestellten Schritte nach Bedarf wiederholt, um den organischen Halbleiterfilm 140B mit ausreichender Dicke zu bilden, wie in 5(c) dargestellt ist.
  • Die Löcherinjektionsschicht 140A und der organische Halbleiterfilm 140B bilden das lichtemittierende Element 140. Wie in 5(d) dargestellt, wird schließlich die Reflexionselektrode 154 über der gesamten Oberfläche des Anzeigesubstrats 121 oder in Streifen gebildet.
  • In dieser Ausführungsform werden Leitungen, wie die Signalleitung 132, die allgemeine Stromversorgungsleitung 133 und dergleichen so gebildet, dass sie die Bearbeitungsposition umgeben, wo das lichtemittierende Element 140 angeordnet ist, und werden mit einer Dicke gebildet, die größer als die normale Dicke ist, um die Höhendifferenz 111 zu bilden, und der flüssige Vorläufer 114A und das flüssige, organische, fluoreszierende Material 114B werden selektiv aufgetragen. Daher hat diese Ausführungsform den Vorteil, dass die Strukturierungspräzision des lichtemittierenden Elements 140 hoch ist.
  • Obwohl die Bildung der Höhendifferenz 111 bewirkt, dass die Reflexionselektrode 154 eine Oberfläche mit relativ großer Unebenheit hat, wird die Möglichkeit, eine Störung, wie eine Trennung oder dergleichen, zu verursachen, durch Erhöhung der Dicke der Reflexionselektrode 154 in einem bestimmten Maße deutlich verringert.
  • Da die Höhendifferenz 111 durch Verwendung der Leitungen, wie der Signalleitung 132, der allgemeinen Stromversorgungsleitung 133 und dergleichen gebildet wird, kommt kein neuer Schritt hinzu, und das Herstellungsverfahren wird nicht deutlich kompliziert.
  • Um mit Sicherheit zu verhindern, dass der flüssige Vorläufer 114A und das flüssige, organische, fluoreszierende Material 114B von der Innenseite der Höhendifferenz 111 nach außen fließen, wird folgendes Verhältnis vorzugsweise zwischen der Beschichtungsdicke da des flüssigen Vorläufers 114A und des flüssigen, organischen, fluoreszierenden Materials 114B und der Höhe ds der Höhendifferenz 111 hergestellt. da < dr (1)
  • Wenn das flüssige, organische, fluoreszierende Material 114B aufgetragen wird, ist die Löcherinjektionsschicht 140A bereit gebildet, und somit muss die Höhe dr der Höhendifferenz 111 als Wert betrachtet werden, der durch Subtraktion der Dicke der Löcherinjektionsschicht 140A von der anfänglichen Dicke erhalten wird.
  • Ist die Gleichung (1) erfüllt, wird auch das folgende Verhältnis wird zwischen der Antriebsspannung Vd, die zu dem organischen Halbleiterfilm 140B geleitet wird, der Gesamtdicke db des flüssigen, organischen, fluoreszierenden Materials 114B, der Konzentration r des flüssigen, organischen, fluoreszierenden Material 114B und der minimalen elektrischen Feldstärke Et (elektrischen Schwellenfeldstärke), bei der eine Änderung in optischen Eigenschaften des organischen Halbleiterfilms 140B eintritt, erstellt. Vd/(db·r) > Et (2)
  • In diesem Fall ist das Verhältnis zwischen der Beschichtungsdicke und der Antriebsspannung definiert, und es wird sichergestellt, dass der organische Halbleiterfilm 140B eine elektrooptische Wirkung zeigt.
  • Zur Sicherstellung der Flachheit der Höhendifferenz 111 und des lichtemittierenden Elements 140 und der Gleichförmigkeit in Änderungen in den optischen Eigenschaften des organischen Halbleiterfilms 140B und zur Vermeidung eines Kurzschlusses kann andererseits das folgende Verhältnis zwischen der Dicke df des lichtemittierenden Elements 140 zum Zeitpunkt der Vollendung und der Höhe dr der Höhendifferenz 111 erstellt werden: df = dr (3)
  • Wenn die Gleichung (3) erfüllt ist und die folgende Gleichung (4) erfüllt ist, ist zusätzlich das Verhältnis zwischen der Dicke des lichtemittierenden Elements 140 zum Zeitpunkt der Vollendung und der Antriebsspannung definiert, und es ist sichergestellt, dass das organische fluoreszierende Material eine elektroopische Wirkung zeigt. Vd/df > Et (4)
  • In diesem Fall jedoch ist die Dicke df die Dicke des organischen Halbleiterfilms 140B zum Zeitpunkt der Vollendung und nicht die Dicke des gesamten lichtemittierenden Elements 140.
  • Das optische Material, das die obere Schicht der lichtemittierenden Schicht 140 bildet, ist nicht auf das organische fluoreszierende Material 114B beschränkt, und es kann ein anorganisches fluoreszierendes Material verwendet werden.
  • Jeder der Transistoren 142 und 143 als Schaltelemente besteht vorzugsweise aus polykristallinem Silizium, das durch einen Niedertemperaturprozess bei 600°C oder weniger gebildet wird, wodurch geringe Kosten unter Verwendung eines Glassubstrates und eine hohe Leistung aufgrund einer hohen Mobilität erreicht werden. Die Schaltelemente können aus amorphem Silizium oder polykristallinem Silizium hergestellt werden, gebildet durch einen Hochtemperaturprozess bei 600°C oder mehr.
  • Neben dem Schaltdünnfilmtransistor 142 und dem Stromdünnfilmtransistor 143 kann ein weiterer Transistor bereitgestellt sein, oder es kann ein System eines Antriebs durch nur einen Transistor verwendet werden.
  • Die Höhendifferenz 111 kann durch Verwendung der ersten Busleitungen in einer passiven Matrixanzeigevorrichtung, der Abtastleitungen 131 in einer aktiven Matrixanzeigevorrichtung, oder der Lichtabschirmschicht gebildet werden.
  • In dem lichtemittierenden Element 140 kann die Löcherinjektionsschicht 190A fehlen, obwohl die Effizienz der Lichtemission (Rate der Löcherinjektion) leicht abnimmt. Als Alternative wird eine Elektroneninjektionsschicht zwischen dem organischen Halbleiterfilm 140B und der Reflexionselektrode 159 anstelle der Löcherinjektionsschicht 140A gebildet, oder es kann sowohl die Löcherinjektionsschicht als auch die Elektroneninjektionsschicht gebildet werden.
  • Obwohl in dieser Ausführungsform das gesamte lichtemittierende Element 140 selektiv in Hinsicht auf eine Farbanzeige angeordnet ist, kann zum Beispiel in einer monochromen Anzeigevorrichtung 1 der organische Halbleiterfilm 190B gleichförmig über der gesamten Oberfläche des Anzeigesubstrats 121 gebildet werden, wie in 6 dargestellt. Selbst in diesem Fall jedoch muss die Löcherinjektionsschicht 140A selektiv an jeder der vorbestimmten Positionen angeordnet sein, um eine Kreuzkopplung zu vermeiden, und daher ist es sehr effektiv, das optische Material unter Verwendung der Höhendifferenz 111 aufzutragen.
  • (2) Zweite Ausführungsform
  • 7 ist eine Zeichnung, die eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, in der eine Matrixanzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren für diese gemäß der vorliegenden Erfindung bei einer passiven Matrixanzeigevorrichtung unter Verwendung einer EL-Anzeigevorrichtung angewandt wird.
  • 7(a) ist eine Draufsicht, die die Anordnung einer Vielzahl von ersten Busleitungen 300 und einer Vielzahl von zweiten Busleitungen 310 zeigt, die senkrecht zu den ersten Busleitungen 300 angeordnet sind, und 7(b) ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B in 7(a). Dieselben Komponenten wie in der ersten Ausführungsform sind mit denselben Bezugszeichen versehen und deren Beschreibung wird unterlassen. Da Einzelheiten des Herstellungsverfahrens auch dieselben wie in der ersten Ausführungsform sind, ist das Verfahren weder in den Zeichnungen dargestellt noch beschrieben.
  • Das heißt, in dieser Ausführungsform ist ein Isolierfilm 320 aus zum Beispiel SiO2 so angeordnet, dass er die vorbestimmte Position umgibt, wo das lichtemittierende Element 140 angeordnet ist, um die Höhendifferenz 111 zwischen der vorbestimmten Position und ihrer Peripherie zu bilden.
  • Wie die erste Ausführungsform kann diese Struktur verhindern, dass der flüssige Vorläufer 114A und das flüssige, organische, fluoreszierende Material 114B während des selektiven Auftrags aus der Peripherie auslaufen, und hat den Vorteil, eine Hochpräzisionsstrukturierung zu erreichen.
  • (3) Dritte Ausführungsform (nicht Teil der vorliegenden Erfindung)
  • 8 ist eine Zeichnung, die eine dritte Ausführungsform zeigt, die nicht Teil der vorliegenden Erfindung ist, in der, wie in der ersten Ausführungsform, eine Matrixanzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren für diese gemäß der vorliegenden Erfindung bei einer EL-Anzeigevorrichtung vom aktiven Matrixtyp angewandt werden. Insbesondere wird die Höhendifferenz 111 durch Verwendung der Pixelelektrode 141 gebildet, wodurch eine Hochpräzisionsstrukturierung möglich wird. Dieselben Komponenten wie in den oben genannten Ausführungsformen sind mit denselben Bezugszeichen versehen. 8 ist eine Schnittansicht, die einen Zwischenschritt des Herstellungsverfahrens zeigt, und die Schritte vor und nach diesem Schritt sind weder dargestellt noch beschrieben, da sie im Wesentlichen dieselben wie in der ersten Ausführungsform sind.
  • Das heißt, in dieser Ausführungsform wird die Pixelelektrode 141 mit einer Dicke gebildet, die größer als eine normale Dicke ist, um die Höhendifferenz 111 zwischen der Pixelelektrode 141 und ihrer Peripherie zu bilden. Mit anderen Worten, in dieser Ausführungsform wird die Höhendifferenz in einer konvexen Form gebildet, wobei die Pixelelektrode 141, die später mit dem optischen Material beschichtet wird, höher als ihre Peripherie ist.
  • Wie in der ersten Ausführungsform wird zur Bildung der Löcherinjektionsschicht, die der unteren Schicht des lichtemittierenden Elements 140 entspricht, das flüssige (eine Lösung in einem Lösemittel) optische Material (der Vorläufer) 114A abgegeben, um das optische Material auf der oberen Oberfläche der Pixelelektrode 141 aufzutragen.
  • Anders als in der ersten Ausführungsform jedoch wird der flüssige Vorläufer 114A auf das Anzeigesubstrat aufgetragen, während das Anzeigesubstrat umgedreht ist, d. h., in einem Zustand, in dem die obere Oberfläche der Pixelelektrode 141, die mit dem Vorläufer 114A beschichtet wird, nach unten gedreht ist.
  • Dadurch bleibt der flüssige Vorläufer 114A durch die Schwerkraft und Oberflächenspannung auf der oberen Oberfläche der Pixelelektrode und breitet sich nicht zu ihrer Peripherie aus. Daher kann der flüssige Vorläufer 114A durch Erwärmung oder Lichtbestrahlung verfestigt werden, um dieselbe dünne Löcherinjektionsschicht zu bilden, wie in 4(b) dargestellt, und dieser Schritt wird wiederholt, um die Löcherinjektionsschicht zu bilden. Der organische Halbleiterfilm kann auch durch dasselbe Verfahren gebildet werden.
  • Auf diese Weise wird in dieser Ausführungsform das flüssige optische Material durch Verwendung der Höhendifferenz 111, die in konvexer Form gebildet ist, aufgetragen, wodurch die Strukturierungspräzision des lichtemittierenden Elements verbessert wird.
  • Die Menge des flüssigen optischen Materials, die auf der oberen Oberfläche der Pixelelektrode 141 verbleibt, kann durch Nutzung der Trägheitskraft, wie der Zentrifugalkraft oder dergleichen, eingestellt werden.
  • (4) Vierte Ausführungsform
  • 9 ist eine Zeichnung, die eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, in der, wie in der ersten Ausführungsform, eine Matrixanzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren für diese gemäß der vorliegenden Erfindung bei einer EL-Anzeigevorrichtung vom aktiven Matrixtyp angewandt werden. Dieselben Komponenten wie in den oben genannten Ausführungsformen sind mit denselben Bezugszeichen versehen. 9 ist eine Schnittansicht, die einen Zwischenschritt des Herstellungsverfahrens zeigt, und die Schritte vor und nach diesem Schritt sind weder dargestellt noch beschrieben, da sie im Wesentlichen dieselben wie in der ersten Ausführungsform sind.
  • Das heißt, in dieser Ausführungsform wird zunächst die Reflexionselektrode 154 auf dem Anzeigesubstrat 121 gebildet und dann wird der Isolierfilm 320 auf der Reflexionselektrode 154 so gebildet, dass er die vorbestimmte Position umgibt, wo das lichtemittierende Element 140 später angeordnet wird, und somit die Höhendifferenz 111 in konkaver Form bildet, wobei die vorbestimmte Position tiefer als ihre Peripherie liegt.
  • Wie in der ersten Ausführungsform wird dann das flüssige optische Material durch das Tintenstrahlverfahren selektiv in dem Bereich aufgetragen, der von der Höhendifferenz 111 umgeben ist, um das lichtemittierende Element 140 zu bilden.
  • Andererseits werden Abtastleitungen 131, Signalleitungen 132, Pixelelektroden 141, Schaltdünnfilmtransistoren 142, Stromdünnfilmtransistoren 143 und ein Isolierfilm 240 auf einem Ablösesubstrat 122 durch eine Ablöseschicht 152 gebildet.
  • Schließlich wird die Struktur, die von der Ablöseschicht 152 auf dem Ablösesubstrat 122 abgezogen wurde, auf das Anzeigesubstrat 121 übertragen.
  • In dieser Ausführungsform wird das flüssige optische Material unter Verwendung der Höhendifferenz 111 aufgetragen, wodurch eine Strukturierung mit hoher Präzision möglich wird.
  • Ferner ist in dieser Ausführungsform möglich, eine Beschädigung des Basismaterials, wie des lichtemittierenden Elements 140, in folgenden Schritten, oder eine Beschädigung der Abtastleitungen 131, der Signalleitungen 132, der Pixelelektroden 141, der Schaltdünnfilmtransistoren 142, der Stromdünnfilmtransistoren 143 oder des Isolierfilms 240 aufgrund des Auftrags des optischen Materials zu verringern.
  • Obwohl in dieser Ausführungsform eine aktive Matrixanzeigevorrichtung beschrieben ist, kann eine passive Matrixanzeigevorrichtung verwendet werden.
  • (5) Fünfte Ausführungsform
  • 10 ist eine Zeichnung, die eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, in der, wie in der ersten Ausführungsform, eine Matrixanzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren für diese gemäß der vorliegenden Erfindung bei einer EL-Anzeigevorrichtung vom aktiven Matrixtyp angewandt werden. Dieselben Komponenten wie in den oben genannten Ausführungsformen sind mit denselben Bezugszeichen versehen. 10 ist eine Schnittansicht, die einen Zwischenschritt des Herstellungsverfahrens zeigt, und die Schritte vor und nach diesem Schritt sind, weder dargestellt noch beschrieben, da sie im Wesentlichen dieselben wie in der ersten Ausführungsform sind.
  • Das heißt, in dieser Ausführungsform wird die Höhendifferenz 111 in konkaver Form durch Verwendung des Zwischenlagen-Isolierfilms 240 gebildet, um denselben Vorgang und dieselbe Wirkung wie in der ersten Ausführungsform zu erhalten.
  • Da die Höhendifferenz 111 durch Verwendung des Zwischenlagen-Isolierfilms 240 gebildet wird, wird auch kein neuer Schritt hinzugefügt, und somit wird das Herstellungsverfahren nicht deutlich kompliziert.
  • Die Höhendifferenz 111 kann durch Bilden eines Materials auf dem Ablösesubstrat durch die Ablöseschicht und anschließendes Übertragen der Struktur, die von der Ablöseschicht auf dem Ablösesubstrat abgelöst wurde, auf das Anzeigesubstrat gebildet werden.
  • Obwohl in jeder der oben genannten Ausführungsformen ein organisches oder anorganisches EL-Material als optisches Material verwendet wird, ist das optische Material nicht auf diese Materialien beschränkt, und kann ein Flüssigkristall sein.
  • INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
  • Da, wie zuvor beschrieben, in der vorliegenden Erfindung ein flüssiges optisches Material unter Verwendung einer Höhendifferenz aufgetragen wird, entsteht die Wirkung einer Verbesserung der Strukturierungspräzision des optischen Materials.

Claims (12)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Matrixanzeigevorrichtung (1) mit einer ersten Elektrode (141), die von einem Anzeigesubstrat (121) gehalten wird, einer zweiten Elektrode (154), die über der ersten Elektrode angeordnet ist, einem elektrolumineszenten, lichtemittierenden Element (140), das zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode gehalten wird, einer Abtastleitung, einer Signalleitung und einem Schaltelement zum Steuern der Zustände der ersten Elektrode, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Bilden einer Höhendifferenz (111) an einem peripheren Bereich (131, 132) um die erste Elektrode, so dass die Höhe des peripheren Bereichs um die erste Elektrode höher als jene der ersten Elektrode in Bezug auf das Anzeigesubstrat wird; und Aufbringen einer flüssigen Lösung, die ein optisches Material (114A, 114B) in einem Lösemittel umfasst, auf eine vorbestimmte Position, die der ersten Elektrode entspricht; und Verdampfen des Lösemittels zur Bildung des elektrolumineszenten, lichtemittierenden Elements.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, des Weiteren umfassend: Bilden einer Verdrahtung einschließlich der Abtastleitung, der Signalleitung und des Schaltelements zum Steuern der Zustände der ersten Elektrode entsprechend einem Signal, das durch die Verdrahtung zugeleitet wird, über einem Ablösesubstrat durch eine Ablöseschicht; und Übertragen einer Struktur, die die Verdrahtung und das Schaltelement enthält, von dem Ablösesubstrat auf das Anzeigesubstrat.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Höhendifferenz in einer konkaven Form unter Verwendung der Abtastleitung und der Signalleitung gebildet wird, wobei die vorbestimmte Position tiefer als deren Peripherie liegt; und in dem Schritt zum Aufbringen des flüssigen optischen Materials das optische Material auf der vorbestimmten Position aufgebracht wird, wobei die Oberfläche des Anzeigesubstrats, auf die das flüssige optische Material aufgebracht wird, nach oben gedreht ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 3, des Weiteren umfassend den Schritt zum Bilden eines Zwischenlagen-Isolierfilms; wobei die Höhendifferenz in einer konkaven Form unter Verwendung des Zwischenlagen-Isolierfilms (240) über der Abtastleitung gebildet wird, wobei die vorbestimmte Position tiefer als deren Peripherie liegt; und in dem Schritt zum Aufbringen des flüssigen optischen Materials das optische Material auf der vorbestimmten Position aufgebracht wird, wobei die Oberfläche des Anzeigesubstrats, auf die das flüssige optische Material aufgebracht wird, nach oben gedreht ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Höhendifferenz auf einem Ablösesubstrat durch eine Ablöseschicht in dem Schritt zur Bildung der Höhendifferenz gebildet wird, und dann die Struktur, die von der Ablöseschicht auf dem Ablösesubstrat abgelöst wird, auf das Anzeigesubstrat übertragen wird.
  6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Höhe dr der Höhendifferenz die folgende Gleichung (1) erfüllt: da < dr (1)wobei: da: Dicke einer einzelnen Aufbringung des flüssigen optischen Materials.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die folgende Gleichung (2) erfüllt ist: Vd/(db·r) > ET (2)wobei: Vd: Antriebsspannung, die an das optische Material angelegt wird; db: Gesamtdicke des aufgebrachten, flüssigen, optischen Materials; r: Konzentration des flüssigen optischen Materials; Et: Minimale elektrische Feldstärke (elektrische Schwellenfeldstärke), bei der eine Änderung in den optischen Eigenschaften des flüssigen optischen Materials eintritt.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die folgende Gleichung (3) erfüllt ist: df = dr (3)wobei: df: Dicke des optischen Materials zum Zeitpunkt der Vollendung.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die folgende Gleichung (4) erfüllt ist: Vd/df > Et (4)wobei: Vd: Antriebsspannung, die an das optische Material angelegt wird; Et: Minimale elektrische Feldstärke (elektrische Schwellenfeldstärke), bei der eine Änderung in den optischen Eigenschaften des flüssigen optischen Materials eintritt.
  10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das optische Material ein organisches oder anorganisches fluoreszierendes Material ist.
  11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Schaltelemente Silizium, polykristallines Silizium, das durch einen Hochtemperaturprozess bei 600°C oder mehr gebildet wird, oder polykristallines Silizium, das durch einen Niedertemperaturprozess bei 600°C oder weniger gebildet wird, umfassen.
  12. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das flüssige optische Material durch ein Tintenstrahlverfahren aufgebracht wird.
DE69733057T 1996-09-19 1997-09-18 Verfahren zur herstellung einer matrixanzeigevorrichtung Expired - Lifetime DE69733057T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24808796 1996-09-19
JP24808796 1996-09-19
PCT/JP1997/003297 WO1998012689A1 (en) 1996-09-19 1997-09-18 Matrix type display device and method of production thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69733057D1 DE69733057D1 (de) 2005-05-25
DE69733057T2 true DE69733057T2 (de) 2005-09-29

Family

ID=17173021

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69733057T Expired - Lifetime DE69733057T2 (de) 1996-09-19 1997-09-18 Verfahren zur herstellung einer matrixanzeigevorrichtung
DE69735022T Expired - Lifetime DE69735022T2 (de) 1996-09-19 1997-09-18 Verfahren zur Herstellung einer Matrixanzeigevorrichtung
DE69735023T Expired - Lifetime DE69735023T2 (de) 1996-09-19 1997-09-18 Verfahren zur Herstellung einer Matrixanzeigevorrichtung

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69735022T Expired - Lifetime DE69735022T2 (de) 1996-09-19 1997-09-18 Verfahren zur Herstellung einer Matrixanzeigevorrichtung
DE69735023T Expired - Lifetime DE69735023T2 (de) 1996-09-19 1997-09-18 Verfahren zur Herstellung einer Matrixanzeigevorrichtung

Country Status (8)

Country Link
US (3) US20060210704A1 (de)
EP (4) EP0862156B1 (de)
JP (2) JP3786427B2 (de)
KR (4) KR100572238B1 (de)
CN (5) CN100485904C (de)
DE (3) DE69733057T2 (de)
TW (1) TW438992B (de)
WO (1) WO1998012689A1 (de)

Families Citing this family (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100485904C (zh) 1996-09-19 2009-05-06 精工爱普生株式会社 矩阵式显示元件及其制造方法
JP3520396B2 (ja) 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
CN100517424C (zh) * 1997-08-21 2009-07-22 精工爱普生株式会社 显示装置
JP3729196B2 (ja) * 1997-08-21 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP3803342B2 (ja) * 1997-08-21 2006-08-02 セイコーエプソン株式会社 有機半導体膜の形成方法、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
JP3690406B2 (ja) * 1997-08-21 2005-08-31 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP3803355B2 (ja) * 1997-08-21 2006-08-02 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP3729195B2 (ja) * 1997-08-21 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法
CN100530759C (zh) * 1998-03-17 2009-08-19 精工爱普生株式会社 薄膜构图的衬底及其表面处理
US20030148024A1 (en) * 2001-10-05 2003-08-07 Kodas Toivo T. Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features
JP4258860B2 (ja) * 1998-09-04 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 光伝達手段を備えた装置
US6221438B1 (en) * 1998-11-03 2001-04-24 Sarnoff Corporation Patterned deposition of a material
JP3900724B2 (ja) * 1999-01-11 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ表示装置
US6576926B1 (en) * 1999-02-23 2003-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP4524810B2 (ja) * 1999-04-12 2010-08-18 カシオ計算機株式会社 有機ｅｌ装置
JP2000323276A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子およびインク組成物
JP4515349B2 (ja) * 1999-06-04 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置
JP4515469B2 (ja) * 1999-06-04 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の作製方法
JP4094437B2 (ja) * 1999-06-04 2008-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の作製方法
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
JP2001052864A (ja) * 1999-06-04 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
TW512543B (en) 1999-06-28 2002-12-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
JP2001085162A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Sharp Corp 有機発光素子及びその製造方法
JP2001110575A (ja) 1999-10-04 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4780826B2 (ja) * 1999-10-12 2011-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の作製方法
TW468283B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
TW471011B (en) 1999-10-13 2002-01-01 Semiconductor Energy Lab Thin film forming apparatus
JP2001126867A (ja) * 1999-10-26 2001-05-11 Seiko Epson Corp 表示装置の製造方法
US6580094B1 (en) * 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
CN1187846C (zh) * 1999-11-29 2005-02-02 皇家菲利浦电子有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
TW465122B (en) 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
JP4533489B2 (ja) * 2000-01-28 2010-09-01 大日本印刷株式会社 画像表示媒体およびその製造方法
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TW495808B (en) 2000-02-04 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus
JP2001230077A (ja) * 2000-02-18 2001-08-24 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
TW525305B (en) 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
JP4831873B2 (ja) * 2000-02-22 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 自発光装置及びその作製方法
KR20010085420A (ko) * 2000-02-23 2001-09-07 기타지마 요시토시 전계발광소자와 그 제조방법
JP4601842B2 (ja) * 2000-02-28 2010-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成方法
JP4637391B2 (ja) * 2000-03-27 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP4618918B2 (ja) * 2000-03-27 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 自発光装置の作製方法
JP4637390B2 (ja) * 2000-03-27 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TW521226B (en) * 2000-03-27 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US6852994B2 (en) 2000-03-31 2005-02-08 Seiko Epson Corporation Organic EL device and method of manufacturing organic EL device
JP4048687B2 (ja) * 2000-04-07 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法
KR100649722B1 (ko) 2000-04-21 2006-11-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로루미네센스 표시소자의 패터닝장치 및 이를이용한 패터닝방법
US6356031B1 (en) * 2000-05-03 2002-03-12 Time Warner Entertainment Co, Lp Electroluminescent plastic devices with an integral thin film solar cell
JP4713010B2 (ja) * 2000-05-08 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP4860052B2 (ja) * 2000-05-12 2012-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2002083689A (ja) * 2000-06-29 2002-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2002015866A (ja) * 2000-06-30 2002-01-18 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ表示体の製造方法
JP3943900B2 (ja) * 2000-11-09 2007-07-11 株式会社東芝 自己発光型表示装置
US6980272B1 (en) 2000-11-21 2005-12-27 Sarnoff Corporation Electrode structure which supports self alignment of liquid deposition of materials
JP3628997B2 (ja) * 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
CN1921136B (zh) * 2000-11-27 2012-05-09 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置及其制造方法
SG143946A1 (en) 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2002373781A (ja) * 2001-03-29 2002-12-26 Hitachi Ltd 有機ｅｌ表示体、及びカラーフィルターの製造装置
JP3599047B2 (ja) 2001-06-25 2004-12-08 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタおよびその製造方法、カラーフィルタ用液滴材料着弾精度試験基板、液滴材料着弾精度の測定方法、電気光学装置、ならびに電子機器
JP4766218B2 (ja) * 2001-07-09 2011-09-07 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌアレイ露光ヘッドとその作製方法及びそれを用いた画像形成装置
US6845016B2 (en) * 2001-09-13 2005-01-18 Seiko Epson Corporation Electronic device and method of manufacturing the same, and electronic instrument
JP3705264B2 (ja) 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
US7109653B2 (en) 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
CN101673508B (zh) 2002-01-18 2013-01-09 株式会社半导体能源研究所 发光器件
EP1474835A1 (de) * 2002-02-01 2004-11-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Strukturiertes polmersubstrat für ink-jet druck einer oled-matrix
KR20040081783A (ko) * 2002-02-12 2004-09-22 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP3951750B2 (ja) * 2002-03-07 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 物質充填方法、膜形成方法、デバイスおよびデバイスの製造方法
GB0216055D0 (en) * 2002-03-20 2002-08-21 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices and their manufacture
US7208760B2 (en) * 2002-03-20 2007-04-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices, and their manufacture
GB0216053D0 (en) * 2002-03-20 2002-08-21 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices and their manufacture
GB0216057D0 (en) * 2002-03-20 2002-08-21 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix display devices and their manufacture
US7358529B2 (en) * 2002-03-20 2008-04-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix display devices, and their manufacture
GB0216058D0 (en) * 2002-03-20 2002-08-21 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminscent display devices and their manufacture
JP4053040B2 (ja) 2002-04-26 2008-02-27 三洋電機株式会社 表示装置
US7242441B2 (en) * 2002-06-10 2007-07-10 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing electro-optical device, and electro-optical device and electronic device manufactured with this manufacturing method
US6858464B2 (en) 2002-06-19 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing light emitting device
JP2004055159A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ表示装置
WO2004026002A1 (en) * 2002-09-11 2004-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and fabrication method of the same
JP2004127933A (ja) * 2002-09-11 2004-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP3719431B2 (ja) 2002-09-25 2005-11-24 セイコーエプソン株式会社 光学部品およびその製造方法、表示装置および撮像素子
CN100544533C (zh) 2002-11-11 2009-09-23 株式会社半导体能源研究所 发光装置的制造方法
KR100521272B1 (ko) 2002-12-20 2005-10-12 삼성에스디아이 주식회사 휘도가 개선된 유기전계 발광표시장치
JP4151420B2 (ja) * 2003-01-23 2008-09-17 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法
JP4251080B2 (ja) 2003-04-15 2009-04-08 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、電子装置の製造方法、膜形成装置及び電子装置、電子機器
JP3823981B2 (ja) * 2003-05-12 2006-09-20 セイコーエプソン株式会社 パターンと配線パターン形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法
JP4239873B2 (ja) 2003-05-19 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4389480B2 (ja) 2003-05-28 2009-12-24 セイコーエプソン株式会社 振動子の支持機構及び振動子ユニット
DE10324880B4 (de) * 2003-05-30 2007-04-05 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von OLEDs
US20070024800A1 (en) * 2003-06-04 2007-02-01 Tadahiro Ohmi Substrate and process for producing the same
JP4507513B2 (ja) * 2003-06-20 2010-07-21 コニカミノルタエムジー株式会社 有機薄膜トランジスタの製造方法
US7917941B2 (en) 2003-09-22 2011-03-29 International Business Machines Corporation System and method for providing physical web security using IP addresses
JP4686967B2 (ja) * 2003-10-14 2011-05-25 セイコーエプソン株式会社 光素子の製造方法
GB0325747D0 (en) * 2003-11-05 2003-12-10 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix display device and method of producing the same
JP3915806B2 (ja) 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
WO2005055332A1 (en) * 2003-12-03 2005-06-16 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Display with reflective isolating separator layer
US7586171B2 (en) * 2004-04-14 2009-09-08 Yong Cao Organic electronic device comprising conductive members and processes for forming and using the organic electronic device
JP2006081985A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Seiko Epson Corp パターン形成方法、電子機器の製造方法、および基体の製造方法
JP4151652B2 (ja) * 2005-01-11 2008-09-17 セイコーエプソン株式会社 識別コード描画方法
JP4876415B2 (ja) * 2005-03-29 2012-02-15 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、デバイスの製造方法
JP4752303B2 (ja) * 2005-03-29 2011-08-17 セイコーエプソン株式会社 Ｅｌ装置の製造方法、ｅｌ装置、電子機器
KR101124502B1 (ko) * 2005-05-18 2012-03-15 삼성전자주식회사 컬러필터 및 그 제조방법
EP1775780A1 (de) * 2005-10-14 2007-04-18 STMicroelectronics S.r.l. Organische elektrolumineszente Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
KR100707601B1 (ko) * 2005-10-18 2007-04-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
US8138075B1 (en) 2006-02-06 2012-03-20 Eberlein Dietmar C Systems and methods for the manufacture of flat panel devices
US7731377B2 (en) * 2006-03-21 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Backlight device and display device
KR100770267B1 (ko) * 2006-05-04 2007-10-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자
DE102006052029B4 (de) * 2006-09-22 2020-01-09 Osram Oled Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung
US8884322B2 (en) 2006-09-22 2014-11-11 Osram Opto Semiconductor Gmbh Light-emitting device
JP2008078011A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
JP5343330B2 (ja) * 2007-06-28 2013-11-13 住友化学株式会社 薄膜形成方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、半導体素子の製造方法及び光学素子の製造方法
EP2629590A1 (de) * 2008-06-17 2013-08-21 Hitachi Ltd. Organische lichtemittierende Vorrichtung
JP2010010235A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Hitachi Ltd 有機発光表示装置
JP5212405B2 (ja) * 2010-03-04 2013-06-19 カシオ計算機株式会社 ディスプレイパネル
KR101805923B1 (ko) * 2011-08-04 2017-12-08 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 일체형 표시장치
US9589852B2 (en) * 2013-07-22 2017-03-07 Cree, Inc. Electrostatic phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
CN104238217B (zh) * 2014-09-05 2017-03-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种抗色偏显示面板
CN104299968B (zh) * 2014-09-22 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制造方法、显示基板和显示装置
JP6528517B2 (ja) 2015-04-06 2019-06-12 三菱電機株式会社 配向膜の塗布方法
CN105789484B (zh) * 2016-03-09 2018-05-15 纳晶科技股份有限公司 发光器件及其制作方法
CN106601779A (zh) * 2016-12-29 2017-04-26 深圳市华星光电技术有限公司 Oled基板及其制作方法
CN108630829B (zh) * 2017-03-17 2019-11-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
KR102525822B1 (ko) 2017-07-06 2023-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 소자 및 그 제조 방법
KR102486552B1 (ko) 2018-01-15 2023-01-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN114953744B (zh) * 2018-03-22 2023-08-04 柯尼卡美能达株式会社 喷墨头及其制造方法
US11264437B2 (en) 2018-05-14 2022-03-01 Samsung Display Co., Ltd. Display devices
KR102659865B1 (ko) * 2019-03-29 2024-04-24 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법
CN110632796B (zh) * 2019-09-27 2022-06-28 京东方科技集团股份有限公司 一种背板、背光模组、显示装置及背板的制备方法

Family Cites Families (132)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3792308A (en) * 1970-06-08 1974-02-12 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Electrophoretic display device of the luminescent type
US3792309A (en) * 1972-08-30 1974-02-12 Multi Electric Mfg Inc Strobe light intensity control
US3863332A (en) * 1973-06-28 1975-02-04 Hughes Aircraft Co Method of fabricating back panel for liquid crystal display
US3956032A (en) * 1974-09-24 1976-05-11 The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration Process for fabricating SiC semiconductor devices
US4042854A (en) * 1975-11-21 1977-08-16 Westinghouse Electric Corporation Flat panel display device with integral thin film transistor control system
US4007462A (en) * 1975-12-24 1977-02-08 Recognition Equipment Incorporated Light absorption printing process
DE2815485A1 (de) 1978-04-10 1979-10-18 Messer Griesheim Gmbh Verfahren und vorrichtung zum verzinken von draht
US4499149A (en) * 1980-12-15 1985-02-12 M&T Chemicals Inc. Siloxane-containing polymers
US4569305A (en) * 1981-10-09 1986-02-11 Ferco S.R.L. Apparatus to provide the application of glue on preselected zones of printed circuit boards
JPS5975205A (ja) * 1982-10-25 1984-04-27 Seiko Epson Corp カラ−フイルタの製造方法
US4792817A (en) * 1983-08-29 1988-12-20 Diagraph Corporation Ink jet printing systems
US4683146A (en) * 1984-04-16 1987-07-28 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing deposition films
US4687352A (en) * 1984-12-29 1987-08-18 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Printer with an image reader
EP0218117A3 (de) 1985-10-11 1989-11-23 Allied Corporation Polycyclosilazanpolymere und ihre Verwendung als dielektrische Filme in integrierten Schaltkreisen
US4891110A (en) * 1986-11-10 1990-01-02 Zenith Electronics Corporation Cataphoretic process for screening color cathode ray tubes
JPS63186216A (ja) * 1987-01-28 1988-08-01 Nec Corp アクテイブマトリツクス液晶表示器
JPH01140188A (ja) * 1987-11-26 1989-06-01 Komatsu Ltd 薄膜ｅｌ表示パネル
JP2653099B2 (ja) * 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
US5132248A (en) * 1988-05-31 1992-07-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Direct write with microelectronic circuit fabrication
US5200051A (en) * 1988-11-14 1993-04-06 I-Stat Corporation Wholly microfabricated biosensors and process for the manufacture and use thereof
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5705302A (en) * 1989-04-28 1998-01-06 Seiko Epson Corporation Color filter for liquid crystal display device and method for producing the color filter
US5246782A (en) * 1990-12-10 1993-09-21 The Dow Chemical Company Laminates of polymers having perfluorocyclobutane rings and polymers containing perfluorocyclobutane rings
JPH0333824A (ja) * 1989-06-30 1991-02-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 液晶材料の製膜方法
JP2807510B2 (ja) * 1989-11-29 1998-10-08 大日本印刷株式会社 転写シート及び液晶表示素子の製造方法
US5066512A (en) * 1989-12-08 1991-11-19 International Business Machines Corporation Electrostatic deposition of lcd color filters
JPH03192334A (ja) * 1989-12-22 1991-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネル
EP0443861B2 (de) * 1990-02-23 2008-05-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Organisch elektrolumineszente Vorrichtung
JP3069139B2 (ja) * 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
US5326692B1 (en) * 1992-05-13 1996-04-30 Molecular Probes Inc Fluorescent microparticles with controllable enhanced stokes shift
US5041190A (en) * 1990-05-16 1991-08-20 Xerox Corporation Method of fabricating channel plates and ink jet printheads containing channel plates
JP2911552B2 (ja) * 1990-06-18 1999-06-23 パイオニア株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2717454B2 (ja) * 1990-07-16 1998-02-18 日本石油株式会社 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
US5202261A (en) * 1990-07-19 1993-04-13 Miles Inc. Conductive sensors and their use in diagnostic assays
US5250439A (en) * 1990-07-19 1993-10-05 Miles Inc. Use of conductive sensors in diagnostic assays
GB9018698D0 (en) * 1990-08-24 1990-10-10 Lynxvale Ltd Semiconductive copolymers for use in electroluminescent devices
JPH04123007A (ja) * 1990-09-14 1992-04-23 Toray Ind Inc カラーフィルタ製造方法
US5477352A (en) * 1990-10-31 1995-12-19 Sharp Kaushiki Kaisha Liquid crystal display device with liquid crystal dispersed or impregnated in a perfluoro-type polymer of perfluoroalkyl acrylate or methacrylate
US5347154A (en) * 1990-11-15 1994-09-13 Seiko Instruments Inc. Light valve device using semiconductive composite substrate
US5206749A (en) * 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
JP2923074B2 (ja) * 1991-04-11 1999-07-26 トヨタ自動車株式会社 歯車のラップ仕上げ方法
WO1992022922A2 (en) * 1991-06-12 1992-12-23 Case Western Reserve University Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers
KR930005559B1 (ko) * 1991-06-14 1993-06-23 삼성전관 주식회사 평판 디스플레이 장치
KR940000143B1 (ko) * 1991-06-25 1994-01-07 재단법인 한국전자통신연구소 대형 박막 트랜지스터(TFT) 액정 디스플레이 패널(LCD panel)의 제조방법
US5214350A (en) * 1991-09-11 1993-05-25 Zenith Electronics Identification of image displays and their component parts
US5276380A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JP2823725B2 (ja) * 1992-01-18 1998-11-11 シャープ株式会社 カラー薄膜ｅｌパネル
US5517037A (en) 1992-03-25 1996-05-14 Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. Polysilicon thin film with a particulate product of SiOx
JP2781492B2 (ja) * 1992-04-01 1998-07-30 シャープ株式会社 カラー・エレクトロ・ルミネッセンス・ディスプレイ装置
DE4212501C1 (en) 1992-04-14 1993-08-05 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De Deposition of silicon nitride polymer layer on substrate - using linear or cyclic silazane in gas, giving good quality and high coating ratio
US5439519A (en) * 1992-04-28 1995-08-08 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Solution applying apparatus
EP0905544B1 (de) * 1992-06-01 2003-05-21 LG.Philips LCD Co., Ltd. Herstellungverfahren einer Flüssigkristallanzeige
JP2964780B2 (ja) * 1992-06-10 1999-10-18 富士ゼロックス株式会社 配向性多層強誘電体薄膜およびその作製方法
US5997122A (en) * 1992-06-30 1999-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Ink jet recording apparatus capable of performing liquid droplet diameter random variable recording and ink jet recording method using ink for liquid droplet random variable recording
GB9215929D0 (en) * 1992-07-27 1992-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
US5510066A (en) * 1992-08-14 1996-04-23 Guild Associates, Inc. Method for free-formation of a free-standing, three-dimensional body
US5652067A (en) * 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
EP0659282B1 (de) * 1992-09-11 1998-11-25 Kopin Corporation Farbfiltersystem fuer anzeigetafeln
JP3033067B2 (ja) * 1992-10-05 2000-04-17 富士ゼロックス株式会社 多層強誘電体導膜の製造方法
JP2577111Y2 (ja) * 1992-11-17 1998-07-23 日本エー・エム・ピー株式会社 テンプレート
KR100294194B1 (ko) * 1993-02-05 2001-09-17 김순택 액정표시소자
JPH06281917A (ja) * 1993-03-29 1994-10-07 Dainippon Printing Co Ltd 高分子分散型液晶表示装置及びその製造方法
JP3098651B2 (ja) * 1993-03-31 2000-10-16 松下電器産業株式会社 高分子電気デバイス
JP2991270B2 (ja) * 1993-04-26 1999-12-20 キヤノン株式会社 カラーフィルターの製造方法
JP3724592B2 (ja) * 1993-07-26 2005-12-07 ハイニックス セミコンダクター アメリカ インコーポレイテッド 半導体基板の平坦化方法
JP2790163B2 (ja) * 1993-07-29 1998-08-27 富士通株式会社 シリコン酸化膜の形成方法、半導体装置の製造方法及びフラットディスプレイ装置の製造方法
JP2814049B2 (ja) * 1993-08-27 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP3534445B2 (ja) * 1993-09-09 2004-06-07 隆一 山本 ポリチオフェンを用いたｅｌ素子
US5410806A (en) * 1993-09-15 1995-05-02 Lsi Logic Corporation Method for fabricating conductive epoxy grid array semiconductors packages
US5340619A (en) * 1993-10-18 1994-08-23 Brewer Science, Inc. Method of manufacturing a color filter array
JPH07134288A (ja) * 1993-11-10 1995-05-23 Dainippon Printing Co Ltd 液晶光学素子及びその製造方法
TW417034B (en) * 1993-11-24 2001-01-01 Canon Kk Color filter, method for manufacturing it, and liquid crystal panel
JP2860869B2 (ja) 1993-12-02 1999-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP3017912B2 (ja) * 1993-12-13 2000-03-13 シャープ株式会社 液晶表示装置用電極基板及び液晶表示装置
US5536603A (en) 1993-12-21 1996-07-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Phase shift mask and method of fabricating the same
JP2952143B2 (ja) * 1993-12-21 1999-09-20 キヤノン株式会社 カラーフィルタの製造方法
JP3463362B2 (ja) * 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
US5399390A (en) * 1994-01-27 1995-03-21 Motorola, Inc. Liquid crystal display with polymeric substrate
DE69523351T2 (de) * 1994-01-28 2002-05-02 Canon K.K., Tokio/Tokyo Farbfilter, Verfahren zu seiner Herstellung, und Flüssigkristalltafel
JP3813217B2 (ja) * 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
AUPM483294A0 (en) * 1994-03-31 1994-04-28 Chulalongkorn University Amorphous semiconductor thin film light emitting diode
MY114271A (en) * 1994-05-12 2002-09-30 Casio Computer Co Ltd Reflection type color liquid crystal display device
JP3246189B2 (ja) * 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
JPH0836169A (ja) * 1994-07-25 1996-02-06 Sharp Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP3517975B2 (ja) * 1994-08-12 2004-04-12 ソニー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US5935331A (en) * 1994-09-09 1999-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for forming films
US5665857A (en) * 1994-09-12 1997-09-09 Motorola Conjugated polymer with built-in fluorescent centers and method of manufacture
JPH08122768A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Sony Corp 表示装置
JP3431700B2 (ja) * 1994-11-14 2003-07-28 理想科学工業株式会社 孔版印刷用原紙の製版方法及び製版装置
US5550066A (en) * 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5929464A (en) * 1995-01-20 1999-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix electro-optical device
US5610932A (en) * 1995-01-25 1997-03-11 Physical Sciences, Inc. Solid state dye laser host
JP3684603B2 (ja) * 1995-01-26 2005-08-17 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
US5804917A (en) * 1995-01-31 1998-09-08 Futaba Denshi Kogyo K.K. Organic electroluminescent display device and method for manufacturing same
JP3208638B2 (ja) * 1995-01-31 2001-09-17 双葉電子工業株式会社 有機エレクトロルミネセント表示装置およびその製造方法
TW334474B (en) * 1995-02-01 1998-06-21 Sumitomo Kagaku Kk Method for making a polymeric fluorescent substrate and organic electrolumninescent element
US5909081A (en) * 1995-02-06 1999-06-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Multi-color light emission apparatus with organic electroluminescent device
JP3364081B2 (ja) * 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5663573A (en) * 1995-03-17 1997-09-02 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
US5771562A (en) * 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
KR100303134B1 (ko) * 1995-05-09 2002-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자및그제조방법.
JPH08325564A (ja) * 1995-06-05 1996-12-10 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
TW477905B (en) * 1995-06-14 2002-03-01 Hitachi Ltd Liquid crystal display device formed of high resistance black matrix with wide view angle
JP3124722B2 (ja) 1995-07-31 2001-01-15 キヤノン株式会社 カラーフィルタの製造方法及び製造装置及びカラーフィルタの区画された領域間の混色の低減方法及びカラーフィルタの区画された領域へのインク付与位置の精度向上方法及びカラーフィルタの区画された領域の着色ムラ低減方法
US5593788A (en) * 1996-04-25 1997-01-14 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high operational stability
US5652019A (en) * 1995-10-10 1997-07-29 Rockwell International Corporation Method for producing resistive gradients on substrates and articles produced thereby
JPH09123513A (ja) * 1995-11-06 1997-05-13 Fuji Xerox Co Ltd 導電性高分子薄膜及びその製造方法、導電性高分子薄 膜の駆動方法並びに画像形成方法及び画像形成装置
US5830272A (en) * 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
US6195142B1 (en) * 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
WO1997033323A1 (en) * 1996-03-04 1997-09-12 Uniax Corporation Polyfluorenes as materials for photoluminescence and electroluminescence
KR100479000B1 (ko) * 1996-05-15 2005-08-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막디바이스,액정패널및전자기기및박막디바이스의제조방법
US5779799A (en) * 1996-06-21 1998-07-14 Micron Technology, Inc. Substrate coating apparatus
US5824374A (en) * 1996-07-22 1998-10-20 Optical Coating Laboratory, Inc. In-situ laser patterning of thin film layers during sequential depositing
US6104311A (en) * 1996-08-26 2000-08-15 Addison Technologies Information storage and identification tag
CN100485904C (zh) 1996-09-19 2009-05-06 精工爱普生株式会社 矩阵式显示元件及其制造方法
US5874200A (en) * 1996-10-15 1999-02-23 Daewoo Electronics Co., Ltd. Method for forming a pattern preventing water mark formation
WO1998024273A1 (en) * 1996-11-27 1998-06-04 Tdk Corporation Organic el element and method of producing the same
US6013982A (en) * 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
GB9701680D0 (en) * 1997-01-28 1997-03-19 Cambridge Display Tech Ltd Viscosity modification of precursor solutions
US5972419A (en) * 1997-06-13 1999-10-26 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display and method for making the same
GB9718516D0 (en) * 1997-09-01 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Methods of Increasing the Efficiency of Organic Electroluminescent Devices
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
KR100640671B1 (ko) * 1998-02-18 2006-11-02 세이코 엡슨 가부시키가이샤 분포 반사형 다층막 미러의 제조방법
JP3646510B2 (ja) * 1998-03-18 2005-05-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ
US6137221A (en) * 1998-07-08 2000-10-24 Agilent Technologies, Inc. Organic electroluminescent device with full color characteristics
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
TW490997B (en) * 2000-03-31 2002-06-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing organic EL element, and organic EL element
JP3815269B2 (ja) * 2000-07-07 2006-08-30 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
WO2002018513A1 (en) 2000-08-30 2002-03-07 Cambridge Display Technology Limited A formulation for depositing a conjugated polymer layer
EP1386358A1 (de) * 2001-04-26 2004-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organische elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
DE69733057D1 (de) 2005-05-25
CN1173315C (zh) 2004-10-27
US8580333B2 (en) 2013-11-12
EP1365276B1 (de) 2005-12-28
JP3786427B2 (ja) 2006-06-14
US8431182B2 (en) 2013-04-30
EP0862156A4 (de) 2000-09-27
CN100485904C (zh) 2009-05-06
KR20050008842A (ko) 2005-01-21
EP1365276A3 (de) 2004-01-21
DE69735023D1 (de) 2006-02-02
JP2008210808A (ja) 2008-09-11
CN1882206A (zh) 2006-12-20
KR100477153B1 (ko) 2005-08-01
KR100525642B1 (ko) 2005-11-02
EP1367431A3 (de) 2004-01-21
EP0862156A1 (de) 1998-09-02
CN1480913A (zh) 2004-03-10
CN1516528A (zh) 2004-07-28
DE69735022T2 (de) 2006-08-10
KR100524284B1 (ko) 2005-10-28
CN1901159A (zh) 2007-01-24
KR100572238B1 (ko) 2006-04-24
KR20050008841A (ko) 2005-01-21
TW438992B (en) 2001-06-07
EP0862156B1 (de) 2005-04-20
CN100481560C (zh) 2009-04-22
KR20050010961A (ko) 2005-01-28
EP1365443A3 (de) 2004-11-17
HK1017120A1 (en) 1999-11-12
DE69735022D1 (de) 2006-02-02
US20100173450A1 (en) 2010-07-08
DE69735023T2 (de) 2006-08-17
EP1367431B1 (de) 2005-12-28
EP1365443A2 (de) 2003-11-26
KR19990067364A (ko) 1999-08-16
WO1998012689A1 (en) 1998-03-26
US20090053396A1 (en) 2009-02-26
EP1367431A2 (de) 2003-12-03
CN1205096A (zh) 1999-01-13
EP1365276A2 (de) 2003-11-26
CN100403355C (zh) 2008-07-16
US20060210704A1 (en) 2006-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69733057T2 (de) Verfahren zur herstellung einer matrixanzeigevorrichtung
DE69829357T2 (de) Anzeigevorrichtung mit aktiver matrix
DE69925216T2 (de) Aktivmatrix-lichtemittierende vorrichtung und herstellungsverfahren
DE10150432B4 (de) Arraysubstrat für eine Flüssigkristallanzeige und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102017125633B4 (de) Transparentes OLED-Feld und Anzeigevorrichtung
DE10361010B4 (de) Organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE19811624B4 (de) Aktives Paneel für eine LCD und Herstellungsverfahren für ein aktives Paneel einer LCD
DE3587536T2 (de) Flüssigkristall-anzeigeelement und verfahren zu dessen herstellung.
DE102016111982B4 (de) Organische Leuchtdiodenanzeigevorrichtung
DE69907451T2 (de) Hinterbeleuchtete lcd anzeige
DE10357472B4 (de) Organisches Doppeltafel-Elektrolumineszenzdisplay und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10360870B4 (de) Aktivmatrix-OELD und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005063623B3 (de) Aktivmatrix-Bauteil mit organischen Leuchtdioden sowie Herstellverfahren für ein solches
DE102011053276B4 (de) Organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung
DE102018131674B4 (de) Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung und Verfahren ihrer Herstellung
DE69829458T2 (de) Anzeigevorrichtung mit aktiver matrix
DE102013105972B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung
DE10360884B4 (de) Oganische Doppeltafel-Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren für diesselbe
DE4112078C2 (de) Anzeigevorrichtung
DE102009044334B4 (de) Doppeltafel-OELDs sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE102018129783A1 (de) Elektrolumineszierende Anzeigevorrichtung
DE102020133833B4 (de) Anzeigevorrichtung
DE102004031704B4 (de) Organische Elektrolumineszenzvorrichung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102008062482B4 (de) Dünnschichttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102014116438B4 (de) Organische Leuchtdiodenanzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition