DE69413436T2 - Herstellungsverfahren eines Musters von einem elektrisch leitfähigen Polymer auf einer Substratoberfläche und Metallisierung eines solchen Musters - Google Patents
Herstellungsverfahren eines Musters von einem elektrisch leitfähigen Polymer auf einer Substratoberfläche und Metallisierung eines solchen MustersInfo
- Publication number
- DE69413436T2 DE69413436T2 DE69413436T DE69413436T DE69413436T2 DE 69413436 T2 DE69413436 T2 DE 69413436T2 DE 69413436 T DE69413436 T DE 69413436T DE 69413436 T DE69413436 T DE 69413436T DE 69413436 T2 DE69413436 T2 DE 69413436T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- pattern
- conductive polymer
- layer
- polymer
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 30
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 10
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical class [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(C#N)=C(C#N)C1=O HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-M 2-methylbenzenesulfonate Chemical compound CC1=CC=CC=C1S([O-])(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical class [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- -1 triphenylsulfonium hexafluoroantimonate Chemical group 0.000 description 2
- 229940005561 1,4-benzoquinone Drugs 0.000 description 1
- KXSFECAJUBPPFE-UHFFFAOYSA-N 2,2':5',2''-terthiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC(=CC=2)C=2SC=CC=2)=C1 KXSFECAJUBPPFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFKWIEFTBMACPZ-UHFFFAOYSA-N 3-dodecylthiophene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=1C=CSC=1 RFKWIEFTBMACPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021630 Antimony pentafluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017049 AsF5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017981 Cu(BF4)2 Inorganic materials 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical class [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N Dicyclohexylamine Chemical compound C1CCCCC1NC1CCCCC1 XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004039 HBF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I antimony pentafluoride Chemical compound F[Sb](F)(F)(F)F VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N arsenic pentafluoride Chemical compound F[As](F)(F)(F)F YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- BFGKITSFLPAWGI-UHFFFAOYSA-N chromium(3+) Chemical class [Cr+3] BFGKITSFLPAWGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N sulfur trioxide Chemical compound O=S(=O)=O AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
- C08G61/123—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
- C08G61/126—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one sulfur atom in the ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
- H01B1/124—Intrinsically conductive polymers
- H01B1/127—Intrinsically conductive polymers comprising five-membered aromatic rings in the main chain, e.g. polypyrroles, polythiophenes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
- H01B1/124—Intrinsically conductive polymers
- H01B1/128—Intrinsically conductive polymers comprising six-membered aromatic rings in the main chain, e.g. polyanilines, polyphenylenes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/188—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by direct electroplating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
- H05K2201/0329—Intrinsically conductive polymer [ICP]; Semiconductive polymer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Musters aus einem elektrisch leitenden Polymer auf einer Substratoberfläche, wobei eine Lösung, aus der das leitende Polymer gebildet wird, als Flüssigkeitsschicht auf der Substratoberfläche angebracht wird, wonach die Flüssigkeitsschicht getrocknet und danach mustermäßig belichtet und daraufhin unter Bildung des Musters aus elektrisch leitendem Polymer erhitzt wird.
- Organische Polymere sind im Allgemeinen elektrische Isolatoren und werden deswegen als Isolationsmaterial bei elektrischen und elektronischen Elementen verwendet. Es ist bekannt, daß wenn das Polymer ein polykonjugiertes Bindungssystem aufweist, bestehend aus einer Kette von Doppelbindungen, Dreifachbindungen, aromatischen oder hetero-aromatischen Ringen, das Polymer elektrisch leitend werden kann. Diese Leitfähigkeit wird als Eigenleitung bezeichnet. Beispiele derartiger Polymere sind Polyazetylen und Polypyrrol. Die Leitfähigkeit dieser Polymere ist im Allgemeinen gering, weil diese Polymere Halbleiter sind mit einem ziemlich großen Bandabstand von 1,5-4 eV. Die Leitfähigkeit läßt sich dadurch steigern, daß das Polymer beispielsweise (elektro)chemisch oxydiert wird als Dotierung bezeichnet, wobei p- Leiter gebildet werden. Geeignete Dotierungsmittel zum Erhalten der p-Leitfähigkeit sind beispielsweise I&sub2;, AsF&sub5;, SbF&sub5;, HBF&sub4;, Perchlorate, Sulfonate, SO&sub3; und FeCl&sub3;. Durch diese Dotierung entstehen positive Ladungsträger auf Polymerketten, wobei diese Ladungen durch negativ geladene Gegenionen ausgeglichen werden.
- Polymere sind im Allgemeinen preisgünstig und lassen sich außerdem mit einfachen Techniken, wie im Zerstäubungsverfahren, auf einem Substrat anbringen, wodurch leitende Polymere zum Gebrauch in leitenden und halbleitenden Strukturen in (integrierten) elektronischen Schaltungen, Printplatten, antistatischen Deckschichten und elektromagnetischen Schutzschichten interessant sind. Zur Verwirklich ung vollständiger organischer Elektronik ist die Verfügbarkeit von Verbindungsspuren auf Basis leitender Polymere eine Anforderung.
- Ein Verfahren zum Herstellen eines Musters aus einem elektrisch leitenden Polymer ist aus der Europäischen Patentanmeldung EP-A-399299 bekannt. Bei dem bekannten Verfahren wird ein Gemisch aus einem konjugierten Polymer, wie Polyanilin, einem strahlungsempfindlichen Oniumsalz und einem Lösungsmittel auf einer Substratoberfläche angebracht. Nach Erhitzung wird die Substratoberfläche mustermäßig mit beispielsweise UV-Licht bestrahlt und abermals erhitzt. Ein Beispiel eines Oniumsalzes ist beispielsweise Triphenylsulfoniumhexafluoroantimonat. Durch Bestrahlung erzeugt das Oniumsalz freie Säure, die das Polymer unter Bildung eines leitenden Polymers mit negativen Ionen als Gegenionen protoniert. Das bekannte Verfahren ist ein positiver Prozeß; die belichteten Teile der Polymerschicht werden elektrisch leitend, während die nicht-belichteten Teile nach wie vor elektrisch nicht-leitend sind. Die nicht-belichteten Teile werden durch Behandlung mit einem geeigneten Lösungsmittel entfernt.
- Ein Nachteil des bekannten Verfahrens ist, daß die spezifische Leitfähigkeit des gebildeten leitenden Polymers zu niedrig ist um als Verbindungsspuren in elektrischen Schaltungsanordnungen verwendet zu werden. Die erwähnten maximalen Leitfähigkeiten betragen 0,01-0,1 S/cm. Diese spezifische Leitfähigkeit ist ebenfalls zu niedrig um Polymerschichten zum Herstellen von Printplatten mit einer üblichen geringen Schichtdicke gewünschtenfalls galvanisch mit einer Metallschicht aus beispielsweise Kupfer anwachsen zu lassen.
- Es ist u. a. eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein einfaches Verfahren zu schaffen zum herstellen eines elektrisch leitenden Polymermusters, wobei dieses Verfahren ein negativer prozeß ist, wobei die spezifische Leitfähigkeit der leitenden Teile des Polymermusters über 0,1 S/cm beträgt und die spezifische Leitfähigkeit der übrigen ("nicht-leitenden") Teile des Polymermusters um mindestens einen Faktor 104 niedriger liegt und wobei das leitende Polymermuster auf galvanischem Weg mit einer Metallschicht verstärkt werden kann.
- Diese Aufgabe wird nach der Erfindung erfüllt durch ein Verfahren der eingangs beschriebenen Art, wobei dieses Verfahren das Kennzeichen aufweist, daß die Lösung zugleich ein Oxidationsmittel und eine Base aufweist und daß in den nichtbelichteten Teilen leitendes Polymer und in den belichteten Teilen nicht-leitendes Polymer gebildet wird. In diesem Zusammenhang wird unter nicht-leitendem Polymer ein Polymer verstanden, dessen speizifische Leitfähigkeit um mindestens einen Faktor 104 niedriger liegt als die spezifische Leitfähigkeit des leitenden Polymers. Durch das Vorhandensein eines Oxidationsmittels werden die spezifischen Leitfähigkeiten der gebildeten Polymere höher als ohne Verwendung eines Oxidationsmittels. Lösungen, die Monomere oder nicht-dotierte Oligomere oder Polymere enthalten und außerdem zur Dotierung verwendete typische Oxidationsmittel, wie Fe(III)-Salze, sind jedoch unstabil. Beim Mischen der genannten Bestandteile werden in der Lösung instantan dotierte Polymere gebildet, wodurch die Bildung eines leitenden Polymermusters auf einem Substrat unmöglich geworden ist. Überraschenderweise wurde gefunden, daß die Reaktionsgeschwindigkeit der Polymerisationsreaktion und/oder der Dotierungsreaktion durch Hinzufügung geringer Mengen einer Base zu der Lösung verringert wird. Je nach der Konzentration der Base kann die Reaktion bei Raumtemperatur völlig unterdrückt werden. Bei einer zweckmäßigen Basenkonzentration können Lösungen, in denen die Monomere, Oligomere oder Polymere und ein geeignetes Oxidationsmittel vorhanden sind, wenigstens bei Raumtemperatur während etwa 12 Stunden stabil sein; es findet keine Polymerisation statt. Mit diesen stabilen Lösungen lassen sich auf einem Substrat in beispielsweise einem Schleuderbedeckungsverfahren dünne Schichten anbringen. Nach Erhitzung der Schicht wird ein elektrisch leitendes Polymer gebildet. Wenn die schleuderbedeckte Schicht aus Monomeren oder Oligomeren vor der Erhitzung beispielsweise UV-Licht ausgesetzt wird, wird nach der Erhitzung überraschenderweise ein nicht-leitendes Polymer gebildet. Bei teilweiser Belichtung der schleuderbedeckten Schicht entsteht nach Erhitzung leitendes Polymer in den nicht-belichteten Gebieten und nicht-leitendes Polymer in den belichteten Gebieten (d. h. eine spezifische Leitfähigkeit um mindestens einen Faktor 104 niedriger) in den belichteten Gebieten. Mustermäßige Belichtung über beispielsweise eine Maske ergibt nach diesem Verfahren leitende Polymermuster in den nicht-belichteten Gebieten nebst Gebieten aus isolierendem Polymer in den belichteten Gebieten. Der auf diese Weise durchgeführte Prozeß ist dadurch ein negativer Prozeß: die belichteten Gebiete werden nicht-leitend. Zum Herstellen eines erfindungsgemäßen leitenden Polymer musters ist keine einzelne Photoresistschicht erforderlich, wie bei anderen bekannten Verfahren. Weil die leitenden und nicht-leitenden Gebiete der Polymerschicht in einer Ebene liegen ist für die weitere Abarbeitung beispielsweise einer elektronischen Schaltungsanordnung keine weitere Glättungsschicht erforderlich.
- Geeignete Monomere für das erfindungsgemäße Verfahren sind aromatische Verbindungen, wie Anilin und heterozyklische Verbindungen, wie beispielsweise Pyrrol, Furan und Thiophen. Die Monomere können zur Steigerung der Löslichkeit und zur Verbesserung der Verarbeitbarkeit beispielsweise durch Alkyl- oder Alkoxygruppen ersetzt sein. Ein Beispiel einer derartigen Verbindung ist beispielsweise 3- Dodecylthiophen. Geeignete Oligomere sind beispielsweise Terthiophen und α,α'- gekoppeltes Undecathiophen, substituiert mit vier Dodecyl-Nebenketten, in der Literatur bezeichnet als T&sub1;&sub2;d&sub4;(2, 5, 8, 11), d. h. 12 Thiophenringe (T&sub1;&sub2;) mit 4 Dedecyl-Seitenketten (d&sub4;) an den Ringen 2, 5, 8 und 11. Oligomere von Thiophen sind leichter dotierbar als Thiophen selber. Geeignete Polymere für das erfindungsgemäße Verfahren sind beispielsweise ggf. substituiertes Polyanilin und Polythiophen.
- Geeignete Oxidationsmittel für das erfindungsgemäße Verfahren sind beispielsweise lösliche Fe(III)-Salze, wie Tris(toluolsulfonat)Fe(III), Cu(II)-Salze, wie Cu(BF&sub4;)&sub2;, Ce(IV) und Cr(III)-Salze. Ein geeignetes organisches Oxidationsmittel ist beispielsweise 2,3-Dichloro-5,6-dizyanoparabenzochinon (DDQ). Die Wahl des Oxidationsmittels ist abhängig von dem Redoxpotential des verwendeten Monomers, Oligomers bzw. Polymers. Damit die Polymerisations/Dotierungsreaktion bei Raumtemperatur untedrückt werden kann, dürfen die Redoxpotentiale des Oxidationsmittels und des Monomers, Oligomers bzw. Polymers nicht weit auseinander liegen.
- Geeignete lösliche Basen für dieses Verfahren sind beispielsweise Imidazol, Dizyklohexylamin und 1,8-Diazabizyklo[5.4.0]undec-7-en (DBU).
- Eine geeignete Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens weist das Kennzeichen auf, daß als Monomer 3,4-Äthylendioxythiophen verwendet wird. Eine Lösung von 3,4-Äthylendioxythiophen (EDOT), einer geeigneten Menge Base und eines FE(III)-Salzes als Oxidationsmittel ist bei Raumtemperatur stabil. Im Schleuderbedeckungsverfahren kann eine Schicht dieser Lösung auf einem Substrat angebracht werden. Durch Erhitzung auf etwa 110ºC kommt die Polymerisationsreak tion auf Gang, wodurch in den nicht-belichteten Gebieten ein leitendes Polymer gebildet wird mit einer hohen spezifischen Leitfähigkeit von 300 S/cm und wodurch nicht-leitendes Polymer (spezifische Leitfähigkeit 10&supmin;³ S/cm) in den mit tiefem UV- Licht belichteten Gebieten gebildet wird. Nach Belichtung und Erhitzung der Schicht, wird die Schicht extrahiert mit beispielsweise Methanol oder 1-Butanol. Durch diese Extraktion wird das reduzierte Oxidationsmittel, beispielsweise das gebildete Fe(II)- Salz aus der Schicht entfernt.
- Die genannte Leitfähigkeit und die Leitfähigkeitsdifferenz belichteter und nichtbelichteter Gebiete um einen Faktor von mindestens 104 reichen zum Gebrauch als Verbindungsspuren und zur einfachen galvanischen Verstärkung mit einer Metallschicht. Schichten aus leitendem Poly-3,4-Äthylendioxythiophen sind stabil bei Belichtung mit UV-Licht (λ > 300 nm). Die Temperaturstabilität dieses leitenden Polymers ist um viele Male besser als andere bekannte leitende Polymere. Außerdem absorbiert dieses leitende Polymer kaum sichtbares Licht, wodurch dieses Polymer als transparenter Leiter geeignet ist. Die Äthylengruppe von EDOT kann mit den obengenannten Alkyl- oder Alkoxygruppen substituiert werden. Auch Oligomere von EDOT, ggf. substituiert, können bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendet werden, wie das Tetramer von EDOT-C&sub6;H&sub1;&sub3;.
- Die spezifische Leitfähigkeit des leitenden Polymermusters und die Leitfähigkeitsdifferenz zwischen belichteten und nicht-belichteten Gebieten um einen Faktor von mindestens 104 sind derart, daß dieses Muster in einem galvanischen Bad mit einer Matellschicht angewachsen werden kann. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich dadurch durchaus zum Herstellen von Metallspuren auf isolierenden Substratoberflächen, wie Prinplatten. Die anzubringende Metallschicht kann beispielsweise aus Silber, Kupfer, Nickel oder Chrom sein. Dazu können die handelsüblichen galvanischen Bäder einfacher Zusammensetzung benutzt werden. Dadurch wird die Verwendung stromloser Metallisierungsbäder umgangen. Stromlose Metallisierungsbäder weisen den Nachteil auf, daß teure Edelmetalle (oft Palladium) erforderlich sind zum Aktivieren der Substratoberfläche und daß die üblichen Metallisierungsbäder leicht unstabil werden. Außerdem werden oft giftige Reduktionsmittel in den Bädern verwendet, wie Formaldehyd. Ein weiterer Nachteil der handelsüblichen stromlosen Me thoden ist, daß die Aktivierung nicht selektiv ist, wodurch die abgelagerte einheitliche Metallschicht hinterher auf photolithographischem Weg und durch eine chemische Ätzbehandlung gemustert werden soll, was ein aufwendiges Verfahren ist. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können auf einfache Weise auf galvanischem Weg leitende Metallmuster aus beispielsweise Kupfe auf einem elektrisch isolierenden Substrat angebracht werden. Als Substrat können Kunststoffe, Glas, Quarz und Keramik verwendet werden.
- Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im Folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
- Fig. 1 die Strukturformel von 3,4-Äthylendioxythiophen (EDOT),
- Fig. 2 die Strukturformel des Tetramers von EDOT-C&sub6;H&sub1;&sub3;, und
- Fig. 3 die Formel von Imidazol.
- 0,35 mmol 3,4-Äthylendioxythiophen (EDOT, Lieferant Bayer AG, Formel siehe Fig. 1) werden mit einer Lösung von 0,81 mmol Tris(toluolsulfonat)- Fe(III) und 0,25 mmol Imidazol (Formel siehe Fig. 3) in 1,5 g 1-Butanol gemischt. Die erhaltene Lösung ist bei Raumtemperatur etwa 12 Stunden lang stabil. Nach Filtrierung durch ein 0,5 um Filter wird die Lösung im Schleuderbedeckungsverfahren auf einem Siliziumsubstrat angebracht. Die erhaltene Schicht wird 3 Minuten lang bei 50ºC getrocknet. Die getrocknete Schicht wird über eine Maske mustermäßig mit UV- Licht belichtet (λ < 300 nm) mit Hilfe einer Hg-Lampe und danach 1 Minute lang auf 110ºC erhitzt. Nach Abkühlung wird das gebildete Fe(II)-Salz aus der Schicht mit Hilfe von 1-Butanol extrahiert. Nach Extraktion beträgt die mittlere Schichtdicke 650 Å. Die nicht-belichteten Teile der Schicht bilden ein Spurenmuster mit einer Spurbreite bis 1 um und enthalten elektrisch leitende Poly-3,4-Äthylendioxythiophen mit einer spezifischen elektrischen Leitfähigkeit von 300 S/cm. Die belichteten Teile der Schicht enthalten ein nicht-leitendes Polymer mit einer spezifischen Leitfähigkeit von nur 10&supmin;²-10&supmin;&sup4; S/cm. Diese Ausführungsform des Verfahrens ist also ein negativer Prozeß.
- Das leitende sowie das nicht-leitende Polymer sind transparent für sichtbares Licht; diese Ausführungsform der Erfindung liefert also transparente Leiter. An Ort und Stelle dotiertes leitendes Polymer wird von Gebieten nicht-leitenden Polymers umgeben, wodurch weitere Glättungsschritte überflüssig sind. Die leitenden Muster sind in UV-Licht (λ > 300 nm) stabil und sind außerdem thermisch stabiler als die bisher bekannten leitenden Polymere. Nach 3 stundiger Erhitzung bei 100ºC ist die spezifische Leitfähigkeit 200 S/cm, während bei Erhitzung während derselben Zeit bei 150ºC die spezifische Leitfähigkeit nur bis auf 50 S/cm gesunken ist. Das leitende Polymer beispielsweise des Thiophen-oligomers T&sub1;&sub2; ist bereits nach 1 Minute Erhitzung auf 110ºC völlig ent-dotiert.
- Es wird eine Lösung zubereitet, bestehend aus 0,055 mmol des Tetramers von EDOT-C&sub6;H&sub1;&sub3; (Formel siehe Fig. 2), 0,037 mmol 1,4-Benzochinon, 0,163 mmol Ortho-Nitrobenzyltosylat in 1,5 g Tetrahydrofuran. Die Lösung wird im Schleuderverfahren auf einem Substrat angebracht und 1 Minute lang beio 90ºC getrocknet. Die Schicht wird mit einem UV-Licht (λ< 300 nm) mustermäßig belichtet. Nach 2 minutiger Erhitzung bei 140ºC beträgt die spezifische Leitfähigkeit der nicht-belichteten Gebiete 10 5/cm, während die belichteten Gebiete nach wie vor elektrisch isolierend sind (Widerstand > 10&sup9;; spezifische Leitfähigkeit 10&supmin;&sup5; 5/cm). Leitende Polymermuster mit einer Linienbreite von S um sind nach diesem Verfahren erzielbar.
- Es wird eine Lösung zubereitet, bestehend aus 0,35 mmol 3,4- Äthylendioxythiophen, 0,25 mmol Imidazol und 0,81 mmol Tris(toluolsulfonat)Fe(III) in 1,5 g 1-Butanol. Nach Filtrierung über ein 0,5 um Filter wird die Lösung im Schleuderverfahren auf einem geperlten PMMA (Polymethylmethacrylat) Substrat angebracht. Die erhaltene Schicht hat eine Dicke von etwa 1 um. Teile der Schicht werden mit einem Tief-UV-Licht (λ < 300 nm) belichtet. Danach wird die Schicht durch Erhitzung auf 110ºC während einer Minite zu 3,4-Äthylendioxythiophen polymerisiert. Nach Abkühlung wird die Schicht mit 1-Butanol extrahiert, wodurch die Schichtdicke auf 700-1000 Å abnimmt. Die nicht-belichteten Teile der Schicht haben einen Widerstand von 0,4 kOhm/. Die belichteten Teile der Schicht haben eine um mindestens 10&sup4; niedrigere Leitfähigkeit. Die Schicht wird danach bei Raumtemperatur in einem wässerigen Kupferbad, das 0,5 molares CuSO&sub4; und 0,5 molares H&sub2;SO&sub4; enthält, verkupfert. Die Stromdichte beträgt 0,1 A/cm. Kupfer wird nur auf den leitendenen (also nicht-belichteten) Teilen der Polymerschicht abgelagert. Die Haftung der Kupferschicht an der Polymerschicht ist ausgezeichnet.
- Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich in einer Polymerschicht leitende Polymermuster herstellen, wobei die spezifische Leitfähigkeit der leitenden Teile des Polymermusters mindestens 0,1 S/cm beträgt und außerdem ein Faktor 10&sup4; höher ist als die spezifische Leitfähigkeit der nicht-leitenden Teile. Nach der Erfindung kann auf galvanischem Weg das leitende Polymermuster unter Bildung eines entsprechenden Metallmusters mit einer Metallschicht versehen werden. Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich dadurch insbesondere zur additiven Herstellung von Metallmustern und bildet dadurch eine günstige alternative Form stromloser Metallisierung.
Claims (6)
1. Verfahren zum Herstellen eines Musters aus einem elektrisch leitenden
Polymer auf einer Substratoberfläche, wobei eine Lösung, aus der das leitende
Polymer gebildet wird, als Flüssigkeitsschicht auf der Substratoberfläche angebracht wird,
wonach die Flüssigkeitsschicht getrocknet und danach mustermäßig belichtet und
daraufhin unter Bildung des Musters aus elektrisch leitendem Polymer erhitzt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung zugleich ein Oxidationsmittel und eine Base
aufweist und daß in den nicht-belichteten Teilen leitendes Polymer und in den
belichteten Teilen nicht-leitendes Polymer gebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Poly-3,4-
Äthylendioxythiophen verwendet wird als das Polymer, das aus
3,4-Äthylendioxythiophenmonomeren in der Lösung hervorgeht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als
Oxidationsmittel ein Fe(III)-Salz verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß als
Base Imidazol verwendet wird.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß zum Anbringen einer Metallschicht auf dem leitenden
Polymermuster ein Metallisierungsbad verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß Kupfer,
Silber, Nickel oder Chrom als Metallschicht verwendet wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP93200665 | 1993-03-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69413436D1 DE69413436D1 (de) | 1998-10-29 |
| DE69413436T2 true DE69413436T2 (de) | 1999-05-20 |
Family
ID=8213682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69413436T Expired - Fee Related DE69413436T2 (de) | 1993-03-09 | 1994-03-02 | Herstellungsverfahren eines Musters von einem elektrisch leitfähigen Polymer auf einer Substratoberfläche und Metallisierung eines solchen Musters |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5447824A (de) |
| JP (1) | JP3530565B2 (de) |
| AT (1) | ATE171560T1 (de) |
| DE (1) | DE69413436T2 (de) |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5549851A (en) * | 1994-01-25 | 1996-08-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Conductive polymer composition |
| DE19507413A1 (de) * | 1994-05-06 | 1995-11-09 | Bayer Ag | Leitfähige Beschichtungen |
| US6022669A (en) * | 1995-05-02 | 2000-02-08 | Symetrix Corporation | Method of fabricating an integrated circuit using self-patterned thin films |
| DE19524132A1 (de) * | 1995-07-03 | 1997-01-09 | Bayer Ag | Kratzfeste leitfähige Beschichtungen |
| WO1997018944A1 (en) * | 1995-11-22 | 1997-05-29 | The Government Of The United States Of America, Represented By The Secretary Of The Navy | Patterned conducting polymer surfaces and process for preparing the same and devices containing the same |
| JP4509228B2 (ja) | 1997-08-22 | 2010-07-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機材料から成る電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| AU733522B2 (en) | 1998-01-28 | 2001-05-17 | Thin Film Electronics Asa | A method for generating electrical conducting and/or semiconducting structures in three dimensions, a method for erasing the same structures and an electric field generator/modulator for use with the method for generating |
| DE19841804A1 (de) * | 1998-09-12 | 2000-03-16 | Bayer Ag | Leiterbahnen aus Polyalkylendioxythiophen |
| WO2001020691A1 (en) | 1999-09-10 | 2001-03-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Conductive structure based on poly-3,4-alkenedioxythiophene (pedot) and polystyrenesulfonic acid (pss) |
| EP1085319B1 (de) * | 1999-09-13 | 2005-06-01 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Vorrichtung auf Basis von organischem Material zur Erfassung eines Probenanalyts |
| TW525402B (en) | 2001-01-18 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Process for producing a light emitting device |
| US6720198B2 (en) * | 2001-02-19 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| SG143946A1 (en) | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| DE10124631C1 (de) * | 2001-05-18 | 2002-11-21 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum direkten elektrolytischen Metallisieren von elektrisch nichtleiteitenden Substratoberflächen |
| JP2003046257A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Toppan Forms Co Ltd | 導電性高分子を用いた多層回路を備えたプリント配線紙 |
| US6649327B2 (en) * | 2001-10-25 | 2003-11-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of patterning electrically conductive polymers |
| US7695875B2 (en) * | 2002-02-05 | 2010-04-13 | Koninklijke Philips Electronics | Photo-sensitive composition |
| SG130013A1 (en) * | 2002-07-25 | 2007-03-20 | Semiconductor Energy Lab | Method of fabricating light emitting device |
| US7118836B2 (en) * | 2002-08-22 | 2006-10-10 | Agfa Gevaert | Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration |
| US7026079B2 (en) * | 2002-08-22 | 2006-04-11 | Agfa Gevaert | Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration |
| AU2002333685A1 (en) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Agfa-Gevaert | Process for preparing a substantially transparent conductive layer |
| WO2004026002A1 (en) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and fabrication method of the same |
| DE10244197A1 (de) * | 2002-09-23 | 2004-04-08 | Infineon Technologies Ag | Zusammensetzung, die eine elektrisch leitfähige Lackschicht bildet und ein Verfahren zur Strukturierung eines Fotoresists unter Verwendung der Lackschicht |
| US8062734B2 (en) * | 2003-04-28 | 2011-11-22 | Eastman Kodak Company | Article comprising conductive conduit channels |
| DE10324533A1 (de) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | H.C. Starck Gmbh | Stabile Lösungen von organischen halbleitenden Verbindungen |
| FR2858222A1 (fr) * | 2003-07-16 | 2005-02-04 | Oreal | Composition comprenant un polymere conducteur et un agent oxydant,procede de deformation permanente la mettant en oeuvre |
| US7083885B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-08-01 | Eastman Kodak Company | Transparent invisible conductive grid |
| US7320813B2 (en) * | 2003-12-15 | 2008-01-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Synthesis of highly conducting and transparent thin polymer films |
| US7449758B2 (en) * | 2004-08-17 | 2008-11-11 | California Institute Of Technology | Polymeric piezoresistive sensors |
| JP2006185673A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Fujikura Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
| JP2006185675A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Fujikura Ltd | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| JP4583917B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2010-11-17 | 株式会社フジクラ | 電子デバイスの製造方法および透明導電回路基板の製造方法 |
| WO2006070801A1 (ja) | 2004-12-27 | 2006-07-06 | Fujikura Ltd. | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| JP2008532206A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-08-14 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 照射を使用するデバイスのパターニング |
| JP5241997B2 (ja) * | 2005-03-08 | 2013-07-17 | 信越ポリマー株式会社 | 導電性高分子溶液および導電性塗膜 |
| WO2006103605A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an electrophoretic display device and an electrophoretic display device |
| KR100608533B1 (ko) | 2005-05-13 | 2006-08-08 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 전기 전도성이 우수한 고분자 수지 및 그 제조방법 |
| ES2272172B1 (es) * | 2005-07-29 | 2008-04-01 | Consejo Superior Investig. Cientificas | Procedimiento para la obtencion de patrones en un sustrato organico conductor y material de naturaleza organica asi obtenido. |
| US7888427B2 (en) * | 2005-08-01 | 2011-02-15 | Plextronics, Inc. | Latent doping of conducting polymers |
| US20070085061A1 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Elder Delwin L | Conductivity enhancement of conductive polymers by solvent exposure |
| GB0523437D0 (en) | 2005-11-17 | 2005-12-28 | Imp College Innovations Ltd | A method of patterning a thin film |
| KR101465929B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2014-11-26 | 쯔루미소다 가부시끼가이샤 | 도전성 고분자용 에칭액 및 도전성 고분자를 패터닝하는 방법 |
| US8066840B2 (en) * | 2007-01-22 | 2011-11-29 | Solopower, Inc. | Finger pattern formation for thin film solar cells |
| CN101883811B (zh) * | 2007-12-07 | 2013-04-24 | 爱克发-格法特公司 | 对日光暴露的稳定性得到改进的层配置 |
| EP2224795A1 (de) * | 2009-02-26 | 2010-09-01 | ZYRUS Beteiligungsgesellschaft mbH & Co. Patente I KG | Verfahren zur Herstellung einer Metallstruktur auf einem Substrat |
| KR20130030494A (ko) * | 2011-09-19 | 2013-03-27 | 삼성전기주식회사 | 도금패턴 및 그 제조방법 |
| EP2602357A1 (de) | 2011-12-05 | 2013-06-12 | Atotech Deutschland GmbH | Neuartiges Haftmittel zur Metallisierung von Substratoberflächen |
| EP2644744A1 (de) | 2012-03-29 | 2013-10-02 | Atotech Deutschland GmbH | Verfahren zur Förderung der Haftung zwischen dielektrischen Substraten und Metallschichten |
| KR101294229B1 (ko) * | 2012-12-10 | 2013-08-07 | 와이엠티 주식회사 | 인쇄회로기판의 쓰루 홀 또는 비아 홀 내벽에 전도성폴리머층을 형성하는 방법 |
| US8709194B1 (en) * | 2013-02-25 | 2014-04-29 | Eastman Kodak Company | Assembling an electrode device |
| WO2015062068A1 (zh) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 深圳市海富莱电子有限公司 | 一种形成导电功能图案的图形化方法与应用 |
| DE102015103651B4 (de) * | 2015-03-12 | 2017-11-16 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zur Herstellung von elektrisch leitenden Strukturen und organische Leuchtdiode |
| WO2016148249A1 (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-22 | 国立大学法人東北大学 | 電極素子及び電極の生産方法、並びに、当該電極を用いる測定システムの作製 |
| WO2017092923A1 (en) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | Mycronic AB | Method and system for manufacturing a workpiece using a polymer layer |
| US20240254317A1 (en) * | 2021-05-31 | 2024-08-01 | Tayca Corporation | Dopant solution for conductive polymer, monomer liquid for producing conductive polymer, conductive composition and method for producing same, and electrolytic capacitor and method for producing same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306443A (en) * | 1989-03-27 | 1994-04-26 | Nippon Soda Co., Ltd. | Method for the preparation of conductive polymer film |
| US5198153A (en) * | 1989-05-26 | 1993-03-30 | International Business Machines Corporation | Electrically conductive polymeric |
-
1994
- 1994-03-02 DE DE69413436T patent/DE69413436T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-02 AT AT94200526T patent/ATE171560T1/de not_active IP Right Cessation
- 1994-03-07 JP JP03594994A patent/JP3530565B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-07 US US08/207,560 patent/US5447824A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3530565B2 (ja) | 2004-05-24 |
| JPH06318775A (ja) | 1994-11-15 |
| ATE171560T1 (de) | 1998-10-15 |
| DE69413436D1 (de) | 1998-10-29 |
| US5447824A (en) | 1995-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69413436T2 (de) | Herstellungsverfahren eines Musters von einem elektrisch leitfähigen Polymer auf einer Substratoberfläche und Metallisierung eines solchen Musters | |
| EP0615256B1 (de) | Herstellungsverfahren eines Musters von einem elektrisch leitfähigen Polymer auf einer Substratoberfläche und Metallisierung eines solchen Musters | |
| DE69418746T2 (de) | Methode zur Herstellung eines Verbundstoffes mit einer Metallschicht auf einer leitfähigen Polymerschicht | |
| DE3544957C2 (de) | ||
| DE69231779T2 (de) | Herstellungsverfahren von ohmschen Kontakten und photovoltaische Zelle mit ohmschem Kontakt | |
| EP0656025B1 (de) | Lösung zur beschichtung von nichtleitern mit leitfähigen polymeren und verfahren zu deren metallisierung | |
| DE19822075C2 (de) | Verfahren zur metallischen Beschichtung von Substraten | |
| DE2610470B2 (de) | Verfahren zur stromlosen abscheidung von kupferschichten | |
| EP0234432A2 (de) | Verfahren zum Beschichten von Kohlenstoff-Fasern | |
| DE3787937T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von metallisierten Bildern. | |
| DE69508014T2 (de) | Elektrisch leitfähige Polymerzusammensetzungen, Herstellungsverfahren und beschichtete Substrate | |
| EP0153683A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten | |
| EP0615257A2 (de) | Verbundstoff mit einer Metallschicht auf einer leitfähigen Polymerschicht und Methode zur Herstellung eines solchen Verbundstoffes | |
| EP0288807B1 (de) | Leitfähige Strukturen in Polymeren | |
| DD283580A5 (de) | Verfahren zur herstellung von durchkontaktierten ein- oder mehrlagigen leiterplatten und durchkontaktieren ein-oder mehrlagige leiterplatte | |
| DE69800174T2 (de) | Oxidative Lösung zur Synthese von wärmebeständigem leitfähigen Polymer und Verfahren zur Herstellung leitfähiges Polymer | |
| DE3939676C2 (de) | Metallisierung von Nichtleitern | |
| EP0348795A2 (de) | Verbundmaterialien aus einem Trägermaterial und elektrisch leitfähigen Polymerfilmen | |
| DE10234997C1 (de) | Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren mit Palladiumkontakten durch Verwendung von Phosphinen und metallhaltigen Phosphinen | |
| DE69025236T2 (de) | Derivate von Verbindungen, die eine mit einer aromatischen Gruppe konjugierter Carbonylgruppe enthalten und elektrophiles Herstellungsverfahren | |
| DE3877437T2 (de) | Verfahren zur herstellung von substraten fuer nachtraegliche stromlose metallisierung. | |
| DE102016208598B4 (de) | Platinkomplex, dessen Lösung und Verwendung | |
| DE2022109A1 (de) | Verfahren zur Metallisierung,insbesondere Oberflaechenmetallisierung von Kunststoff-Formkoerpern,so erhaltene metallisierte Kunststoff-Formkoerper und deren Verwendung | |
| EP0241728A1 (de) | Filme aus elektrisch leitfähigen Polymeren sowie mit diesen Filmen beschichtete Elektrodenmaterialen | |
| DE60216460T2 (de) | Material und verfahren zur herstellung einer elektroleitfähigen struktur |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |