DE60009962T2

DE60009962T2 - Hohlleiter-streifenleiter-übergang

Info

Publication number: DE60009962T2
Application number: DE60009962T
Authority: DE
Inventors: Olli Salmela; Markku Koivisto; Mikko Saarikoski; Kalle Jokio; Nadir Ali ARSLAN; Esa Kemppinen; Vesa Korhonen; Teppo Miettinen
Original assignee: Nokia Oyj; Nokia Inc
Current assignee: Nokia Oyj; Nokia Inc
Priority date: 2000-10-18
Filing date: 2000-10-18
Publication date: 2004-09-02
Anticipated expiration: 2020-10-19
Also published as: EP1327283B1; CN1620738A; US6958662B1; CN1274056C; WO2002033782A1; DE60009962D1; ATE264550T1; AU2000277887A1; EP1327283A1

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Leiten elektromagnetischer wellen von einem Wellenleiter, insbesondere einem Mehrbandwellenleiter, zu einer Übertragungsleitung, insbesondere einer Mikrostreifenleitung, die an einem Ende des Wellenleiters angeordnet ist und Verbindungsmittel zur mechanischen Befestigung und zur Widerstandsanpassung zwischen dem Wellenleiter und der Übertragungsleitung umfasst.
Eine Schwierigkeit für Vorrichtungen dieser Art besteht darin, eine gute Übertragung der elektrischen Leistung im Wellenleiter für den Übergang auf die Übertragungsleitung sicherzustellen. Ein schlechter Übergang resultiert in großem Einfügungsverlust, was das Betriebsverhalten des gesamten Moduls, zum Beispiel eines Sende- /Empfangsmoduls, verschlechtern kann.
Eine Vorrichtung mit einem Aufbau gemäß dem Stand der Technik ist in 9 gezeigt. Abgebildet ist ein Wellenleiter 10 und eine Übertragungsleitung 20, insbesondere ein Mikrostreifenaufbau, die zusammengeschlossen sind, um den Übergang elektromagnetischer Wellen vom Wellenleiter 10 zur Übertragungsleitung 20 zu ermöglichen. Die Übertragungsleitung 20 umfasst einen Träger 22, der an einer Grundfläche 24 angebracht ist, um gute Übergangseigenschaften zu erzielen. Der Träger 22 der Übertragungsleitung besteht üblicherweise aus Niedrigtemperatur- oder Hochtemperatursinterkeramik (LTCC oder HTCC).
Die Widerstandsanpassung zwischen dem Wellenleiter 10 und der Übertragungsleitung 20 ist vervollständigt durch Bereitstellen einer Verbindung 26 im Übergangsbereich zwischen dem Wellenleiter 10 und der Übertragungsleitung 20. Zum Verbessern der Widerstandsanpassung ist des Weiteren eine separate Bramme 12 aus dielektrischem Material bereitgestellt, die innerhalb des Wellenleiters 10 befestigt ist. Die Bramme 12 ist zum Beispiel zwischen bearbeiteten Ansätzen 14 innerhalb des Wellenleiters 10 befestigt.
Diese Vorgehensweise zur Erreichung von Widerstandsanpassung nach dem Stand der Technik basiert auf einem komplizierten Aufbau, der nur in einem schwierigen und teuren Herstellungsverfahren verwirklicht werden kann. Des Weiteren werden relativ häufig so genannte Backshorts verwendet, das heißt, ein Metallstück ist hinter dem Mikrostreifen 20 gegenüber der Öffnung des Wellenleiters 10 befestigt, um Widerstandsanpassung zu erzielen. Das Anbringen des Backshort-Elementes erhöht die Komplexität des Aufbaus zusätzlich.
Der Artikel von Hyvoenen L. et al mit dem Titel "A Compact MMIC-compatible microstrip to waveguide transition", MTT-S International Microwave Symposium Digest, US, New York, IEEE, 17. Juni 1986, Seiten 875–878, und die Patentanmeldung EP-A-874415 offenbaren Übergänge zwischen Mikrostreifenleitungen und Wellenleitern, die eine dielektrische Schicht zwischen der Mikrostreifenleitung und dem Wellenleiter umfassen, wobei Widerstandsanpassung durch Abstimmung der Stärke der dielektrischen Zwischenschicht erzielt wird.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die bekannte Vorrichtung zum Leiten elektromagnetischer Wellen so zu verbessern, dass das Herstellungsverfahren einfacher und weniger teuer wird.
Diese Aufgabe ist durch den Gegenstand von Anspruch 1 gelöst.
Da die mechanische Befestigungsaufgabe und die Aufgabe des Anpassens des elektrischen Widerstands in ein einzelnes Bauteil integriert sind, ist das Herstellungsverfahren des Schichtaufbaus einfach und preiswert.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
Die Erfindung ist in den folgenden beiliegenden Figuren, die sich auf bevorzugte Ausführungsformen beziehen, ausführlich beschrieben, wobei:
1 eine erste Ausführungsform eines Aufbaus gemäß der vorliegenden Erfindung offenbart;
2 ein Schaubild ist, das die Übergangseigenschaften eines Übergangs von einem Wellenleiter zu einem Mikrostreifen gemäß der vorliegenden Erfindung abbildet;
3 ein Schaubild ist, welches das Verhältnis zwischen der Mittenfrequenz und der dielektrischen Stärke für optimale Widerstandsanpassung in einem Aufbau gemäß der vorliegenden Erfindung abbildet;
4 ein Schaubild ist, das die Übergangseigenschaften eines Übergangs von einem Wellenleiter zu einem Mikrostreifen oder zu einem Aufbau gemäß der vorliegenden Erfindung, in der die Stärke der Schichten im Aufbau verändert wird, abbildet;
5 eine zweite Ausführungsform des Aufbaus gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
6 ein Herstellungsverfahren für Schichten, die Kontaktlöcher umfassen, abbildet;
7 eine dritte Ausführungsform eines Aufbaus gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
8 eine Draufsicht des in 7 gezeigten Aufbaus ist; und
9 einen nach dem Stand der Technik bekannten Aufbau zum Leiten von Wellen zeigt.
1 zeigt einen Aufbau zum Leiten elektromagnetischer Wellen gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Der Aufbau umfasst einen Wellenleiter 10 und eine Übertragungsleitung 20, deren Trägerschicht 22 im rechten Winkel zur Längsachse des Wellenleiters 10 für den Übergang elektromagnetischer Wellen vom Wellenleiter 10 zur Übertragungsleitung 20 angeordnet ist. Zwei Schichten 30-1 und 30-2 sind als Verbindungsmittel bereitgestellt, wobei die Schichten 30-1 und 30-2 zwischen der Trägerschicht 22 der Übertragungsleitung 20 und dem Wellenleiter 10 angeordnet sind, wobei die dielektrische Stärke der Schichten 30-1, 30-2 in einer im Folgenden beschriebenen Weise eingestellt wird.
Jede der Schichten 30-1, 30-2 umfasst metallisierte Durchgangslöcher, genannt "Kontaktlöcher", die eine Art Führungslineal rund um den Bereich jeder der Schichten 30-1 beziehungsweise 30-2 bilden, durch welche die Wellen geleitet werden sollen. Kontaktlöcher verschiedener Schichten sind miteinander und mit einer metallisierten Schicht 24 an der Unterseite der Trägerschicht 22 der Übertragungsleitung 20 verbunden. Im Folgenden wird die Wirkung einer Veränderung der Stärke der Schichten 30-1 und 30-2 auf die Übergangseigenschaften des Aufbaus gemäß 1 unter Bezugnahme auf 2 bis 4 ausführlicher veranschaulicht.
2 bildet die elektrische Eigenschaft des Aufbaus gemäß 1 ab. 2 zeigt die Frequenzkurven des Übertragungsfaktors (s₁₂), des Reflexionskoeffizienten (s₁₁) gemessen von Anschluss 1 beziehungsweise des Reflexionskoeffizienten (s₂₂) gemessen von Anschluss 2. Insbesondere ist ersichtlich, dass bei einer Mittenfrequenz von 58 GHz und einer Stärke der dielektrischen Schicht von 250 Mikron die Eigenschaften relativ gut sind. Die Kurve s₁₁, die den Rückflussverlust des Aufbaus für verschiedene Frequenzen wiedergibt, zeigt, dass der Rückflussverlust bei der Mittenfrequenz von 58 GHz kleiner als 13,5 dB ist, während der Einfügungsverlust, dargestellt durch die Kurve s₁₂, 0,8 dB beträgt.
Des Weiteren reicht die Bandbreite von –1,5 dB von 55–64 GHz, was bedeutet, dass der Übergang nicht empfindlich gegen Toleranzen oder Schwankungen im Herstellungsverfahren ist.
3 veranschaulicht, dass die Mittenfrequenz des Durchlasses dieses Aufbaus gemäß 1 eine lineare Abhängigkeit von der dielektrischen Trägerstärke aufweist. Diese Abhängigkeit, die das Ergebnis einer Simulation nach der Methode finiter Elemente ist, bedeutet, dass man die Mittenfrequenz des Übergangs alleine durch Wahl einer geeigneten dielektrischen Stärke mühelos einstellen kann.
4 veranschaulicht die Einfügungsverluste für einen Übergang von einem Wellenleiter zu einem Mikrostreifen eines Aufbaus gemäß 1 für unterschiedliche Stärken der dielektrischen Schichten. Der durch den Parameter s₁₂ dargestellte Einfügungsverlust ist in 4 für eine dielektrische Stärke von 200 und 500 Mikron dargestellt. Die Mittenfrequenz der Bandbreite von –1,5 dB liegt im Falle einer dielektrischen Stärke von 200 Mikron bei 63 GHz, während für eine Schichtstärke von 500 Mikron die Mittenfrequenz bei 45 GHz liegt. In beiden Fällen beträgt die Bandbreite ungefähr 7,5 GHz.
Wie oben veranschaulicht, kann Widerstandsanpassung abgesehen vom Verändern der Stärke der Schichten des Weiteren beeinflusst und verbessert werden, indem Kontaktloch-Führungslineale in der/n dielektrischen Schichten) und/oder dem Träger angeordnet werden, um seitliche Abmessungen der Erweiterung des Wellenleiters zu definieren und somit unter anderem den Einfügungsverlust zu beeinflussen.
5 zeigt eine zweite Ausführungsform eines Aufbaus gemäß der vorliegenden Erfindung, in der drei Schichten, 30-1, 30-2, 30-3, zwischen dem Träger 22 der Übertragungsleitung 20 und dem Wellenleiter 10 Kontaktlöcher 40 umfassen. Relativ häufig genügt es, nur die Abmessungen der Schicht 30-1 direkt unter der Mikrostreifengrundfläche 24 zu optimieren und überall sonst im Träger die Abmessungen gleich der Querschnittsfläche des Metallwellenleiters 10 zu lassen. Im Allgemeinen ergibt sich, dass der Einfügungsverlust umso geringer ist, umso größer die Abmessungen des Wellenleitererweiterungsaufbaus im dielektrischen Träger der Schichten 30-1, 30-2, 30-3 und der Übertragungsleitung 20 sind.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist das bevorzugte Material für die dielektrischen Schichten LTCC oder HTCC Niedrigtemperatur- oder Hochtemperatursinterkeramik.
Das Verfahren zur Herstellung der Schichten, die Kontaktlöcher umfassen, ist in 6 abgebildet. In einem ersten Schritt S1 wird der Träger durch Mischen von Lösungsmitteln, Keramikpulver und Plastzement und Bilden von Trägerbändern erzeugt. Nach dem Trocknen und Abheben (Verfahrensschritt S2) und Zuschneiden auf die entsprechende Größe (Verfahrensschritt S3) werden Kontaktlöcher in den Träger gestanzt (Verfahrensschritt S4). Der Durchmesser der Kontaktlöcher beträgt gewöhnlich ungefähr 100 bis 200 μm. Nach dem Ausstanzen der Kontaktlöcher werden die Kontaktlöcher jeder einzelnen Schicht mit einer Leitermasse, zum Beispiel Silber, Kupfer oder Wolfram, gefüllt, siehe Verfahrensschritt Füllen der Kontaktlöcher S5. Dann werden mehrere Schichten zusammengefasst und gemeinsam gebrannt, wie als üblicher Herstellungsschritt aus der Sinterkeramiktechnologie bekannt. Diese letzten Verfahrensschritte sind ausführlicher in 6 dargestellt, worin nach dem Verfahrensschritt S5 Leiterplatten mit einem bestimmten Oberflächenmuster auf die Schicht gemäß Verfahrensschritt 6 projiziert werden, mehrere Schichten in Verfahrensschritt S7 miteinander verbunden werden, und danach der Schichtaufbau gemäß dem Verfahrensschritt S8 gebrannt wird. Zuletzt werden gemäß Verfahrensschritt S9 Lötanschlüsse am gebrannten Schichtaufbau angebracht.
7 zeigt eine dritte Ausführungsform eines Aufbaus zum Leiten elektromagnetischer Wellen gemäß der vorliegenden Erfindung. Sie entspricht im Wesentlichen dem Aufbau, der in 5 gezeigt ist, jedoch ist die Verwirklichung der Kontaktlöcher in den Schichten genauer gezeigt und der Aufbau umfasst zusätzlich die Schichten 30-4 bis 30-7.
Während in 5 alle Schichten 30-1–30-3 dieselbe Stärke aufweisen, wurde die Stärke von Schicht 30-2 in 7 verändert, um eine gute Widerstandsanpassung zu erzielen. Es wurde zum Beispiel herausgefunden, dass zum Erreichen einer guten Widerstandsanpassung bei einer bestimmten Frequenz von 60 GHz die geeignete Stärke der Schichten 30-1 und 30-4 bis 30–7 100 μm betragen sollte, während für die Stärke von Schicht 30-2 150 μm vorgeschlagen sind.
Die Kontaktlöcher in den dielektrischen Trägerschichten beeinflussen nicht nur die Widerstandsanpassung, sondern spielen auch eine wichtige Rolle für die mechanische Konstruktion des Aufbaus, da sie vorzugsweise die Grundflächen 24, 31, 32 der Übertragungsleitung 20 und verschiedener Schichten 30-1, 30-2 verbinden. Auf diese weise sorgen die Kontaktlöcher für die mechanische Stabilität des Aufbaus. Sind jedoch nur sehr wenige Schichten zwischen der Übertragungsleitung 20 und dem Wellenleiter 10 bereitgestellt, kann der entstehende Aufbau mechanisch immer noch zerbrechlich sein. Um das zu vermeiden, können dem Träger zusätzliche Schichten 30-4, ... 30-7 hinzugefügt werden. Diese zusätzlichen Schichten bilden vorzugsweise einen luftgefüllten Hohlraum 50, der auf die Öffnung des Wellenleiters 10 ausgerichtet ist, um die gewünschten elektrischen Eigenschaften des Aufbaus durch Ändern der dielektrischen Stärke und folglich der entstehenden Mittenfrequenz nicht zu verändern. Der Aufbau kann weiter verstärkt werden, indem eine Metallgrundplatte 37 verwendet wird, die einen Schlitz 4, der auf die Öffnung des Wellenleiters 10 ausgerichtet ist, aufweist.
Die Grundfläche 24 der Übertragungsleitung 20 sowie die Grundflächen 31, 32 und 37 der Schichten 30-1, 30-2 und 30-7 weisen die Schlitze 1–4 auf, um einen korrekten Übergang elektromagnetischer Wellen vom Wellenleiter 10 zur Übertragungsleitung 20 zu gewährleisten. Diese Schlitze können durch die Kontaktlochführungslineale 41, 42 der entsprechenden Schichten 30-1, 30-2 begrenzt sein. Der luftgefüllte Hohlraum 50 und der darauf abgestimmte Schlitz 4 in der Grundfläche 37 von Schicht 30-7 können jedoch entweder durch das dielektrische Trägermaterial selbst oder durch das Trägermaterial und Kontaktlöcher 44–47, die an jeder Seite des Hohlraums 50 angeordnet sind, begrenzt sein. Da die Entwurfsregeln relativ häufig verhindern, die Kontaktlöcher nahe bei Hohlraum 50 anzuordnen, ist eine bessere Lösung, die Kontaktlöcher 50 eine halbe Wellenlänge entfernt vom Rand des Hohlraums anzuordnen; zum Beispiel sind in 7 die Kontaktlöcher 44–47 in einem Abstand von 860 μm vom Hohlraumrand angeordnet. Der Abstand einer halben Wellenlänge der Kontaktlöcher von der Öffnung des Wellenleiters oder dem Hohlraumrand in dem Abschnitt des Aufbaus, der nahe bei Wellenleiter 10 liegt, wird vorzugsweise gewählt, da in diesem Abstand der Reflexionskoeffizient ρ = –1 beträgt, was bedeutet, dass eine solche Anordnung beinahe dieselbe Leistung ergibt, wie im Fall von vollständig metallisierten Hohlraumwänden (die Erfordernis einer halben Wellenlänge entsteht aus dem Umstand, dass stehende Wellen die Periodizität einer halben Wellenlänge aufweisen, was bedeutet, dass die Hohlraumwände erscheinen, als wiesen sie ein Nullpotential auf). Die vorgeschlagene Anordnung im Abstand einer halben Wellenlänge verhindert auch jegliche elektromagnetische Ableitung in den/aus dem Aufbau.
Die Kontaktlöcher verbessern offensichtlich den Übergang elektromagnetischer Wellen von einem Wellenleiter 10 zu einer Übertragungsleitung 20, sind jedoch nicht in jeder Schicht unbedingt erforderlich.
8 zeigt eine Draufsicht des Aufbaus gemäß 7, wobei Pfeil 60 die Richtung der Ansicht von 7 angibt. Bezugszeichen 20 zeigt die Übertragungsleitung, insbesondere einen Mikrostreifenaufbau, der eine Breite g = 110 μm aufweist. Die Übertragungsleitung 20 weist eine dielektrische Stärke von 100 μ auf (siehe 7) und erstreckt sich c = 130 μm über Schlitz 1 in der Mikrostreifengrundfläche 24. Im Beispiel gemäß 8 beträgt die vom Schlitz 1 in der Grundfläche 24 abgedeckte Fläche e × d, wobei e = 1840 μ und d = 920 μm.
Die Schlitze 2 und 3 sind durch die dicke gestrichelte Linie in 8 dargestellt und decken eine Fläche von h × a ab, wobei h = 1200 μ und a = 3760 μm. Die dicke gestrichelte Linie stellt auch die Kontaktlochführungslineale 41 und 42 dar, da diese Kontaktlochführungslineale so nahe wie möglich am Rand der entsprechenden Grundflächen 31 und 32 angeordnet werden sollten (siehe 7).
8 zeigt des Weiteren eine Draufsicht auf die Kontaktlöcher 44 von Schicht 30-4 (siehe 7). Es ist ersichtlich, dass diese Kontaktlochführungslineale 44 und die Kontaktlochführungslineale 45, 46, 47 der darunter liegenden Schichten 30-5, 30-6 und 30-7 in einem Abstand f angeordnet sind, wobei f = 860 μm vom Rand von Schlitz 3, der im Wesentlichen dem Rand des Lufthohlraums 50 entspricht; die Gründe für das Anordnen der Kontaktlöcher 44 – 47 in einem bestimmten Abstand vom Rand des Lufthohlraums 50 sind oben erklärt worden.
Schlitz 4 stellt die Querschnittsfläche a × b des Lufthohlraums in den Schichten 30-4 – 30-7 gemäß 7 dar. Im Beispiel von 8 ist a = 3760 μ und b = 1880 μ, wobei diese Fläche der Querschnittsfläche der Öffnung des Wellenleiters 10 entspricht und auf diese ausgerichtet ist.
Der Wellenleiter 10 kann durch Verwendung verschiedener mechanischer Verfahren an der benachbarten Schicht 30-7 befestigt sein: z. B. durch Löten oder sogar durch Verwenden von Lötkugeln, z. B. durch eine Lötverbindung der BGA (Ball-Grid-Array)-Art. Die Verwendung einer Lötkugelverbindung weist den Vorteil auf, dass selbst ausrichtende Wirkungen dieser Technologie verwendet werden können. Andererseits können bei Verwendung von Lötkugelverbindungen kleine Luftspalten in der Verbindung zwischen dem Wellenleiter 10 und der benachbarten Schicht auftreten, wobei diese sehr kleinen Luftspalten die elektrischen Eigenschaften des Aufbaus jedoch nicht wesentlich beeinflussen; folglich ist kein direkter Kontakt zwischen dem Wellenleiter 10 und dem Keramikmaterial der Schicht erforderlich.
Obwohl die Erfindung für die Verwendung von Mehrschichtkeramik beschrieben worden ist, kann das Trägermaterial der Übertragungsleitung 20 und der Schichten 30-i auch Schichtpressstoff sein. Die Übertragungsleitung kann ein Mikrostreifen, eine Schlitzleitung oder ein koplanarer Wellenleiter sein.

Claims

Vorrichtung zum Leiten elektromagnetischer Wellen von einem Wellenleiter (10) zu einer Übertragungsleitung (20), angeordnet an einem Ende des Wellenleiters (10), umfassend Verbindungsmittel (30-1,... 30-7) zum mechanischen Befestigen und zur Widerstandsanpassung zwischen dem Wellenleiter (10) und der Übertragungsleitung (20), wobei das Verbindungsmittel mindestens zwei dielektrische Schichten (30) umfasst, die mechanisch mit der Hauptfläche der Übertragungsleitung verbunden ist, und wobei mindestens zwei der dielektrischen Schichten eine Mehrzahl von elektrisch leitenden Kontaktlöchern umfassen, die ähnlich einem Zaun angeordnet sind und die seitlichen Abmessungen des Abschnitts der Schicht, der für den Übergang der Wellen wirksam ist, definieren, dadurch gekennzeichnet, dass sich die seitlichen Abmessungen mindestens einer der dielektrischen Schichten von den seitlichen Abmessungen der anderen dielektrischen Schichten so unterscheiden, dass optimierte Widerstandsanpassung für eine gegebene Mittenfrequenz der elektromagnetischen Wellen erzielt wird.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jede der dielektrischen Schichten eine vorgegebene Stärke aufweist, so dass die gesamte dielektrische Stärke des Sandwichaufbaus dielektrischer Schichten der Mittenfrequenz der elektromagnetischen wellen angepasst ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–2, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Stärke von mindestens einer der dielektrischen Schichten von der Stärke der anderen dielektrischen Schichten unterscheidet und dass die Stärke der betreffenden dielektrischen Schicht in einer Weise gegeben ist, dass optimierte Widerstandsanpassung für eine gegebene Mittenfrequenz der elektromagnetischen Wellen erzielt wird.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–3, dadurch gekennzeichnet, dass der Aufbau, der mindestens eine dielektrische Schicht umfasst, an einer Trägerschicht (22) der Übertragungsleitung (20), zum Beispiel durch Löten oder Schweißen, befestigt ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–4, dadurch gekennzeichnet, dass die Übertragungsleitung (20) in die Verbindungsmittel (30-1,..., 30-7) integriert ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–5, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktlöcher in den dielektrischen Schichten als eine Anzahl versetzt angeordneter Kontaktlöcher in verschiedenen dielektrischen Schichten (30) ausgebildet sind.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–6, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktlöcher verschiedener dielektrischer Schichten (30) aneinander angrenzend angeordnet sind.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–7, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktlöcher elektrisch mit Leiterplatten gemäß gegebenen Oberflächenmustern verbunden sind, wobei sich die Platten entlang mindestens einer Hauptfläche der Schicht erstrecken.
Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass Leiterplatten benachbarter dielektrischer Schichten elektrisch miteinander verbunden sind.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–9, dadurch gekennzeichnet, dass angrenzend an die Trägerschicht (22) der Übertragungsleitung eine Metallschicht im Sandwichaufbau der dielektrischen Schichten angeordnet ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–10, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine zusätzliche Schicht (30-4 bis 30-7) innerhalb der Verbindungsmittel bereitgestellt ist, wobei die zusätzliche Schicht einen luftgefüllten Hohlraum (50) einschließt.
Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlraum (50) auf eine Öffnung des Wellenleiters (10) ausgerichtet ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–12, dadurch gekennzeichnet, dass der Wellenleiters (10) durch eine Löt- oder Schweiß- oder Klebeverbindung an der an den Wellenleiter (10) angrenzenden dielektrischen Schicht befestigt ist.
Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass für die Lötverbindung Lötkugeln verwendet sind.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11–14, dadurch gekennzeichnet, dass die seitliche Abmessung des wie ein Führungslineal aufgebauten Kontaktlochs in der zusätzlichen Schicht im. Abstand einer halben Wellenlänge vom Hohlraum angeordnet ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–15, dadurch gekennzeichnet, dass die Übertragungsleitung eine Mikrostreifenleitung ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–15, dadurch gekennzeichnet, dass die Übertragungsleitung eine Schlitzleitung ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–15, dadurch gekennzeichnet, dass die Übertragungsleitung ein koplanarer Wellenleiter ist.