DE4204193A1

DE4204193A1 - Verfahren zur herstellung eines elektrolytkondensators

Info

Publication number: DE4204193A1
Application number: DE19924204193
Authority: DE
Inventors: Max Prof Dr Ing Schaldach; Armin Dr Bolz
Original assignee: VITA VALVE MEDIZINTECHNIK GmbH
Current assignee: Biotronik SE and Co KG
Priority date: 1992-02-10
Filing date: 1992-02-10
Publication date: 1993-08-12

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren der im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Art sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.

Die Kapazität C eines Plattenkondensators berechnet sich nach der Formel
C = ε · ε_o · A/d,
wobei mit ε_o die elektrische Feldkonstante, mit ε die Die lektrizitätszahl des Kondensators, mit A die wirksame Flä che der einander gegenüberstehenden Elektroden und mit d deren Abstand bezeichnet ist. Diese Formel gilt streng ge nommen nur für Plattenkondensatoren großer Ausdehnung, stellt aber auch für Wickelkondensatoren eine gute Nähe rung dar. Während die Mindestgröße von d in der Regel durch die Durchschlagsfestigkeit des Dielektrikums festge legt wird, kann über die anderen Größen im Rahmen der phy sikalischen Möglichkeiten frei verfügt werden.

Eine Kenngröße für den bei der Fertigung eines Kondensa tors erreichten technischen Standard stellt dabei die spe zifische Kapazität - also die auf das Bauteilvolumen bezo gene Kapazität - dar. Bei den Bestrebungen zur Miniaturi sierung ist es heute von besonderer Bedeutung, die Baugrö ße von Kondensatoren vorgegebener Kapazität (und Nennspan nung) möglichst noch weiter zu verkleinern.

Kondensatoren hoher Kapazität sind üblicherweise als Elek trolytkondensatoren ausgeführt. Hierbei wird auf eine den Pluspol bildende Folie, die aus Aluminium oder Tantal be steht, eine Oxidschicht elektrolytisch aufgebracht, wobei der Elektrolyt die Kathode bildet. Der Elektrolyt befindet sich bei Aluminiumkondensatoren in einem saugfähigen Pa pier, bei Tantalkondensatoren verwendet man gesintertes Tantalpulver und Mangandioxid. Hierbei wird zunächst ein Grundkörper aus Tantalpulver gesintert, anschließend oxi diert (formiert) und dann mit Mangandioxid abgedeckt.

Dabei dient das Mangandioxid als Elektrolyt und das Tan talpulver bildet die Anode.

Da durch die vorgebenen Materialien die Dielektrizitäts zahl ebenfalls vorgegeben ist, verbleibt als Möglichkeit zur Kapazitätserhöhung im wesentlichen nur die Vergröße rung der Fläche A. Eine unmittelbare Vergrößerung der Flä che des verwendeten Folienmaterials würde aber wiederum eine unerwünschte Vergrößerung des Bauelements mit sich bringen. Es ist jedoch bekannt, die spezifische Kapazität durch Aufrauhen der Folienoberfläche zu vergrößern. Bei Tantalkondensatoren dient das Sintern des Tantalpulvers ebenfalls der Oberflächenvergrößerung.

Hierbei ist aus der DE-OS 31 27 161 ein Verfahren zur Her stellung von Elektrodenfolien für Elektrolytkondensatoren bekannt, bei dem walzharte Aluminiumfolie nach einem Beiz prozeß in einer Ätzlösung elektrolytisch aufgerauht wird. Das Ätzbad enthält einen Elektrolyten mit einer Mischung aus unterschiedlichen Chlorid-Ionen, die als Lösungen wie Sälzsäure bzw. Aluminium-, Natrium-, Kalium-, Magnesium- oder Kalzium-Chlorid vorhanden sind. Die Ätzung wird bei einer Badtemperatur im Bereich von 60 bis 100°C unter Einwirkung von Gleichstrom mit geringer Welligkeit durch geführt.

Desweiteren ist aus der DE-OS 39 14 000 ein Verfahren zur Herstellung aufgerauhter Aluminiumfolien für Niedervolt- Elektrolytkondensatoren bekannt, das ebenfalls ein elek trolytisches Ätzbad benötigt. Bei im wesentlichen gleich artig zusammengesetzten Elektrolyten wird die Aluminiumfo lie im Gegensatz zu dem vorab genannten Verfahren in dem Ätzbad mit einem Impulsstrom behandelt.

Beide bekannten Verfahren weisen den Nachteil auf, daß die technologischen Verfahrensparameter, wie Badzusammenset zung, Badtemperatur, Verweildauer der Aluminiumfolie im Ätzbad und Welligkeit bzw. Frequenz des Stroms, von denen die Rauhtiefe und damit auch die gewünschte Kapazitätser höhung der aus diesen Folien gefertigten Kondensatoren in entscheidendem Maße abhängig ist, nur mit erheblichem Auf wand an meß- und regelungstechnischen Einrichtungen einge halten werden können. Hinzu kommt, daß die elektrolytisch aufgerauhten Kondensatorfolien nach Entnahme aus dem Ätz bad einem ebenfalls technologisch aufwendigen Spül- und Reingungsprozeß unterworfen werden müssen. Der wesentliche Nachteil der Ätz-Verfahren besteht jedoch darin, daß trotz der erheblichen technologischen Aufwendungen nur eine Oberflächenrauhigkeit der Kondensatorfolie erzielbar ist, die zu einer Kapazitätserhöhung von maximal 33% führt.

Ausgehend von den Mängeln des Standes der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der ein gangs genannten Gattung anzugeben, mit dem bei geringerem technologischen Aufwand zur Behandlung der Kondensatorfo lien oder -körpern ein erheblich höherer Grad der Oberflä chenvergrößerung im Vergleich zu den bekannten Atzverfah ren erreichbar ist. Außerdem soll eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens angegeben werden.

Diese Aufgabe wird mit den kennzeichnenden Merkmalen der Ansprüche 1 und 11 gelöst.

Die Erfindung schließt die Erkenntnis ein, daß es für die Vergrößerung der wirksamen Oberfläche von, als Konden satorelektroden dienenden Metallfolien im Vergleich zu den bekannten Ätzverfahren wesentlich effektiver ist, anstelle der Aufrauhung der Oberfläche der Kondensatorfolien oder -körpern auf diese Folien durch Anwendung der Sputter- Technolgie eine Schicht mit hoher Porosität aufzubringen. Entsprechendes gilt auch für eine zusätzliche Vergrößerung der Oberfläche von Sinterkörpern für Tantalkondensatoren. Eine derartige Beschichtung ermöglicht eine Vergrößerung der effektiven Oberfläche um mehrere Größenordnungen.

Zur Durchführung des Beschichtungsprozesses von Folien oder Körpern für die Herstellung von Elektrolytkonden satoren ist eine Gleichspannungs-Diodensputteranlage (Gleichspannungskathodenzerstäubung) besonders günstig, da sowohl die parallele Anordnung der Elektroden als auch die relativ geringe Distanz zwischen den Elektroden des Dio densystems für die Anordnung von Folienwerkstoffen (Elek trolyt-Kondensatoren) bzw. kleineren Anodenkörpern (Tan tal-Kondensatoren) zwischen denselben günstig sind. Die Elektroden befinden sich innerhalb eines, mit Inertgas ge füllten Rezipienten und sind an eine Hochspannungsanlage angeschlossen. Der zu beschichtende Körper (Substrat) führt ein positives, vorzugsweise Erd-Potential, wogegen die Sputterkathode (Target) mit dem negativen Ausgang der Hochspannungsanlage verbunden ist. Nach Anlegen der Hoch spannung an die Elektroden zündet die Entladung in Abhän gigkeit vom Innendruck des Rezipienten und dem Elektroden abstand, wobei zwischern den Elektroden ein ionisierungs fähiges Plasma entsteht. Die durch Ionenaufprall aus dem Target ausgelösten Metallatome diffundieren durch das Plasma und schlagen sich auf dem Substrat als Kondensat nieder. Die überwiegende Zahl der abgestäubten Teilchen sind elektrisch neutral und besitzen eine etwa fünffach höhere Energie als Teilchen, die aus thermischen Quellen verdampft werden können. Daraus resultiert eine höhere Haftfestigkeit von aufgestäubten gegenüber aufgedampften Schichten.

Nach einer anderen vorteilhaften Weiterbildung der Gleich spannungs-Diodensputteranlage ist es günstig, dem zwischen ihren Elektroden bestehenden elektrischen Feld ein magne tisches Feld zu überlagern. Dadurch kann bei Verringerung des Arbeitsdruckes im Rezipienten eine Vergrößerung des Stoßweges der im Plasmabereich beschleunigten Teilchen er reicht werden.

Im Gegensatz zu den bekannten Beschichtungsverfahren, bei denen einzelnen Werkstücke unterschiedlichster Konfigu ration beschichtet werden, befinden sich nach der bevor zugten Ausführungsform der Erfindung zwei, jeweils mit einem gesonderten elektrischen Antrieb ausgerüstete und folientragende Wickelkörper im gasbeaufschlagten Rezipien ten der Kathodenzerstäubungsanlage. Das Folienmaterial wird nach Zünden der Entladung im wesentlichen parallel zu den Elektroden und dabei senkrecht zur Richtung des zwi schen ihnen bestehenden elektrischen Feldes bewegt. Dabei wird das Folienmaterial von einem Wickel ab- und auf den anderen aufgewickelt. Die Transportgeschwindigkeit der erfindungsgemäß zu beschichtenden Aluminium- oder Tan talfolie wird in Abhängigkeit von der gewünschten Schicht dicke auf Basis der möglichen Aufstäuberate (0,66 µm/min für Aluminium, 0,69 µm/min für Tantal und 0,36 µm/min für Titan bei 10 kW Leistung) sowie der Länge des Sputterrau mes geeignet geregelt. Die wesentlichen Eigenschaften der durch Sputtern auftragbaren Metallschichten (insbesondere Schichtdicke und Oberflächenstruktur) werden im wesentli chen durch die Art der Inertgase im Rezipienten der Katho denzerstäubungsanlage, den dazugehörigen Innendruck, von dem Abstand zwischen Target und Substrat sowie von der Substrattemperatur im Bezug auf die Schmelztemperatur des Substrats bestimmt.

Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der Rezipient der Kathodenzerstäubungsanlage mit Argon bei einem Druck im Bereich 1 ≦ p ≦ 30 µbar gefüllt. Nach einer hinsichtlich der Verfahrenskosten günstigen Weiterbildung der Erfindung wird eine Schutzgas-Atmosphäre im Rezipien ten der Anlage durch ein Gemisch aus Argon und Stickstoff erzeugt. Das als Folie (für Elektrolyt-Kondensatoren) bzw. als Anodenkörper (für Tantalkondensatoren) ausgebildete Substrat besitzt beim Sputtern eine Temperatur T_o, die durch Kühlen im wesentlichen konstant beibehalten werden sollte, da sich das Substrat - bedingt durch die ther mische Aufheizung - während des Beschichtungsprozesses stark erwärmt. Das Temperaturverhältnis T von Substrattem peratur T_o und Schmelztemperatur T_m kann verfahrensgemäß in einem Bereich von T < 0,2 variiert werden. Günstig erscheint ein Bereich von 0,3 ≦ T ≦ 0,8, wobei höhere Werte von T zu einer Erhöhung der Schichtdichte pro Sput tervorgang bei gleichzeitigem Anstieg der Oberflächen rauhigkeit der aufgetragenen Schicht führen. Nach Erreichen eines Maximums der Rauhigkeit kann es bei einer Vergrößerung des Temperaturverhältinisses T wieder zu einem Abfall kommen. Der optimale Wert muß gegebenenfalls experimentell ermittelt werden. Für Folien oder Grund körper zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren wird als Target entweder Aluminium, Tantal oder Titan verwen det. Die höheren Substrattemperaturen sind zum Erzielen einer größeren Rauhigkeit der Beschichtung insoweit günstiger, da in diesem Temperaturbereich bei Ausbildung der Beschichtung im wesentlichen ein poröses Säulen wachstum vorherrscht.

Die Untersuchung der Oberflächenbeschaffenheit erfindungs gemäß beschichteter Folien mit einem Raster-Elektronen mikroskop ergab eine im wesentlichen blumenkohlähnliche Struktur der Beschichtung, die eine Zunahme der Oberfläche gegenüber dem unbeschichteten Zustand um mehrere Größen ordnungen zur Folge hat. Mit derart beschichteten Alumi nium- oder Tantalfolien sind auf vorteilhafte Weise Elektrolyt-Kondensatoren herstellbar, die bei gleicher Baugröße eine entsprechend erhöhte Kapazität besitzen.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Un teransprüchen gekennzeichnet bzw. werden nachstehend zusammen mit der Beschreibung der bevorzugten Ausführung der Erfindung anhand der Figuren näher dargestellt. Es zeigen:

Fig. 1 eine bevorzugte Ausführungsform der Gleichspan nungssputteranlage zur Beschichtung von Konden satorfolien in schematisierter Querschnitts darstellung,

Fig. 2 eine Weiterbildung der in Fig. 1 gezeigten Anlage in schematisierter Schnittdarstellung,

Fig. 3 eine andere günstige Weiterbildung der in Figur gezeigten Anlage,

Fig. 4 eine weitere Ausführungsform der in Fig. 1 dargestellten Anlage sowie

Fig. 5 ein durch ein Raster-Elektronenmikroskop auf genommenen Teilbereich einer beschichteten Folienfläche.

In Fig. 1 ist eine zur Beschichtung von Kondensatorfolien geeignete Gleichspannungs-Diodensputteranlage 1 im Quer schnitt in schematisierter Form dargestellt. Sie besteht im wesentlichen aus einem Rezipienten 2, der über eine Va kuumpumpe 8 evakuiert und anschließend über eine, durch ein Ventil 9 gesteuerte Leitung 10 mit einem Schutzgas, vorzugsweise Argon, beschickt wird. Im Inneren des Rezi pienten 2 befinden sich die mit Target 4 (Kathode) und Substrat 5 (Anode) bezeichneten Elektroden, die in einem Abstand von wenigen Zentimetern gegenüberliegend angeord net sind. Die Elektroden 4, 5 sind, entsprechend polari siert, an eine Hochspannungs-Erzeugungsanlage 3 ange schlossen.

Das Target 4 besteht aus Aluminium, Tantal oder Titan mit hohem Reinheitsgrad, wogegen das Substrat 5 aus der zu beschichtenden Aluminium- oder Tantalfolie, unter der zur mechanischen Stabilisierung ein Führungsblech 13 angeord net ist, gebildet wird. Da für gewünschte Schichtdicken mit definierter Porigkeit am Substrat eine bestimmte Tem peratur eingehalten werden muß, wird die beim Sputtern am Substrat entstehende, überschüssige Wärmemenge über das Führungsblech 13 an ein Kühlsystem 6 abgeführt. Elemente des gleichen Kühlsystems sind an der Oberseite des Targets 4 angeordnet und schützen dieses vor Überhitzung. Nach Anlegen der Hochspannung an die Elektroden 4, 5 wird zwischen diesen eine Entladung gezündet, wobei sich in dem Raum zwischen den Elektroden 4, 5 ein Plasma 11 ausbildet. Ionisierte Plasmateilchen werden durch das zwischen den Elektroden 4, 5 bestehende elektrische Feld zum Target 4 beschleunigt und lösen dort die Emission von Metallatomen aus, die sich mit hoher spezifischer Energie zum Substrat 5 bewegen und sich als Beschichtung niederschlagen. Das zu beschichtende Material ist auf einem Folienträger 7 abwickelbar angeordnet. Es wird von dort abgerollt, beschichtet und anschließend auf einen zweiten Folien träger aufgewickelt. Die Folienträger 7 werden jeweils durch ein, in seiner Drehzahl steuerbares Antriebsaggregat 12 in Drehbewegung versetzt, wobei die zu beschichtende Folie 5 unterhalb des Plasmas 11 quer Richtung des zwischen den Elektroden 4, 5 bestehenden elektrischen Feldes transportiert wird.

Die für ein sicheres Auf- und Abwickeln des Folienmate rials erforderlichen Leit- und Führungsrollen sind aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt. Gleiches gilt für Prozeßsteuerungs- und -überwachungssysteme, die eine vollautomatische Betriebsführung bei der Folienbe schichtung ermöglichen.

In den Fig. 2, 3 und 4 sind vorteilhafte Weiter bildungen der Sputteranlage 1 gemäß Fig. 1 in schemati sierter Form dargestellt. So ist für einen einfacheren Substrataufbau günstig, die zu beschichtende Folie direkt über das Kühlsystem 6 zu führen (Fig. 2). Die erforderli che Verbindung des Substrats 5 erfolgt über einen Schleif kontakt 14, der an einem der Folienträger 7 geeignet ange ordnet ist. Um die Beschleunigung der Ladungsträger des Plasmas 11 durch das elektrische Feld während des Sputter vorgang zu unterstützen, ist an der Rückseite des Targets 4 zusätzlich ein Magnetsystem 16 angeordnet (Fig. 3). Die Überlagerung des vorhandenen elektrischen Feldes mit einem magnetischen Feld führt durch schraubenförmige Ablenkung der bei den Stoßprozessen im Plasma 11 frei werdenden Elektronen zu einer wirksamen Verlängerung des Ionisie rungsweges, wodurch mehr Inertgasatome ionisiert werden können. Gleichzeitig wird erreicht, daß das Substrat 5 überwiegend von zerstäubten Werkstoff getroffen wird und dadurch nur relativ geringe Substrattemperaturen entste hen. Für die Durchführung des Beschichtungsprozesses durch Kathodenzerstäubung ist für die Reduzierung der Betriebs kosten weiterhin günstig, die im Rezipienten 2 notwendige Schutzgas-Atmosphäre durch ein Gemisch aus Argon und Stickstoff zu realisieren. Der Rezipient 2 besitzt deshalb eine zusätzliche, ventilgesteuerte Leitung 15, über welche ihm Stickstoff in definierter Menge zugeführt werden kann (Fig. 4). Es hat sich als günstig erwiesen, die Schutz gas-Atmosphäre zu gleichen Teilen aus Argon und Stickstoff herzustellen.

Bei nicht dargestellten Varianten der zuvor dargestellten Sputternanlagen ist als Spannungsversorgung ein Gleich spannungs- oder hochfrequente Wechselspannungsquelle vor gesehen. Eine andere vorteilhafte Ausführungsform besteht darin, daß die Sputteranlage als Triodenanlage ausgebildet ist, bei der die Biasspannung sehr niedrig gewählt und insbesondere Null ist.

Zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren, welche gesin terte Formkörper aus Tantal aufweisen, werden diese Form körper auf einem folienförmigen Transportmittel, welches an die Stelle der zuvor dargestellten Kondensatorfolie tritt, in kontinuierlichem Durchlauf durch die zuvor dar gestellte Vorrichtung geführt, wobei die Verweilzeit im Einwirkungsbereich so gewählt ist, daß die tröpfchenförmi gen Elemente mit einer entsprechenden durch Sputtern auf getragenen Schicht versehen werden.

In Fig. 5 ist die Abbildung eines, mittels Raster- Elektronenmikroskop aufgenommenen Ausschnittes einer durch Kathodenzerstäubung beschichteten Fläche darge stellt. Die Beschichtung weist eine blumenkohlähnliche Struktur auf. Diese läßt sich mit Hilfe einer fraktalen Struktur beschreiben, welche aus einer Vielzahl von Halb kugeln in einer Schichtlage besteht. In der nächsten Schichtlage werden den bereits vorhandenen Halbkugeln wei tere Halbkugeln bzw. Teile von Halbkugeln angelagert usw. In Abhängigkeit von der Beschichtungsdauer lassen sich die blumenkohlähnlichen Oberflächenstrukturen auf der, das Substrat bildenden Folie erzeugen, die für eine gewünschte Kapazitätserhöhung notwendig sind. Günstig sind dabei mehr als fünf Schichtlagen. Die gewünschte Schichtdicke kann in einem Beschichtungsvorgang aufgebracht werden.

In praktischen Untersuchungen ließen sich Schichten auf tragen, bei denen eine Vergrößerung ihrer aktiven Oberflä che um mehr als drei Größenordnungen feststellbar war. Diese Resultate übertreffen die mit den üblichen Ätzver fahren oder Sintermethoden erzielbaren Oberflächenrau higkeiten erheblich. Mit den durch Sputtern beschichteten Aluminium- oder Tantalfolien bzw. gepreßte Formkörper lassen sich Kondensatoren mit sehr hohen Kapazitäten bei extrem geringem Volumen der Bauelemente herstellen.

Die Erfindung beschränkt sich in ihrer Ausführung nicht auf das vorstehend angegebene bevorzugte Ausführungsbei spiel. Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten denkbar, welche von der dargestellten Lösung auch bei grundsätzlich anders gearteten Ausführungen Gebrauch macht.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensa tors, dadurch gekennzeichnet, daß die Kondensatorfolie bzw. der durch Formpressen hergestellte Anodenkörper vor der Weiterverarbeitung zu Kondensatoren, mit dem Ziel der Vergrößerung der wirksamen Folien- bzw. Körperoberfläche, einem Beschichtungsprozeß unterworfen wird, bei dem der Materialauftrag durch einen Sputtervorgang erfolgt.

2. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Substrat (5) eine Kondensatorfolie aus Aluminium oder Tantal bzw. ein, insbesondere durch Sintern erzeug ter, Formkörper aus Tantal verwendet wird.

3. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Target (4) hochreines Aluminium, Tantal oder Titan verwendet wird.

4. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, daß für den Beschichtungsprozeß eine Gleichspannungs-Sputteranlage (1) benutzt wird.

5. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators nach An spruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichspannungs-Sputteranlage (1) ein Diodensystem aufweist.

6. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators nach ei nem der vorangehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, daß der Sputterprozeß in einer Schutzgas-Atmosphäre bei einem Druck im Bereich von 1 ≦ p ≦ 30 µbar durchgeführt wird.

7. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators nach An spruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Schutzgas ein Gemisch aus Argon und Stickstoff verwendet wird.

8. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators nach An spruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzgasmischung im Verhältnis 1 : 1 vorgenommen wird.

9. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators nach ei nem der vorangehenden Ansprüche, dadurch ge kennzeichnet, daß das Temperaturverhältnis T von Substrattemperatur T_o und Schmelztemparatur des Substrats T_m in einem Bereich von 0,3 ≦ T ≦ 0,8 liegt.

10. Sputteranlage zur Beschichtung von Kondensatoren nach einem der vorangehenden Ansprüche, aufweisend

- einen Rezipienten (2),
- eine Hochspannungs-Erzeugungsanlage (3) und
- zwei, Hochspannung tragende Elektroden (4, 5), die sich in einem geringen Abstand innerhalb des Rezipienten gegenüberstehen,

dadurch gekennzeichnet, daß in dem Rezipienten (2) der Sputteranlage (1) bandför mige Träger (7) für eine Folie oder eine Anzahl von Kon densatorkörpern vorgesehen sind, wobei die Antriebsaggre gate (12) das zu beschichtende Folienmaterial (5) oder den die Kondensatorkörper aufweisenden Träger unterhalb der Plasmazone (11) im wesentlichen quer zu Richtung des zwischen den Elektroden vorhandenen elektrischen Feldes bewegen.

11. Sputteranlage nach Anspruch 10, dadurch ge kennzeichnet, daß die Antriebaggregate (12) in ihrer Drehzahl regelbar ausgebildet sind.

12. Sputteranlage nach Anspruch 11, dadurch ge kennzeichnet, daß die Hochspannungs-Erzeu gungsanlage zur (3) Spannungsversorgung des Substrats einen Schleifkontakt (14) aufweist, der an dem Folienträ ger (7) angeordnet ist.

13. Sputteranlage nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Spannungsversorgung ein Gleichspannungs- oder hochfrequen te Wechselspannungsquelle vorgesehen ist.

14. Sputteranlage nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß diese als Triodenanlage ausgebildet ist, bei der die Biasspan nung sehr niedrig gewählt und insbesondere Null ist.