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DE4128780A1 - Vorrichtung und verfahren zum bilden einer feinstruktur - Google Patents

Vorrichtung und verfahren zum bilden einer feinstruktur

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Publication number
DE4128780A1
DE4128780A1 DE4128780A DE4128780A DE4128780A1 DE 4128780 A1 DE4128780 A1 DE 4128780A1 DE 4128780 A DE4128780 A DE 4128780A DE 4128780 A DE4128780 A DE 4128780A DE 4128780 A1 DE4128780 A1 DE 4128780A1
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DE
Germany
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fine structure
vacuum chamber
sample
layer
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4128780A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Yoneda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE4128780A1 publication Critical patent/DE4128780A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur, insbesondere auf einem Substrat oder einer auf dem Substrat gebildeten Dünnschicht.
Fig. 5 ist ein schematischer Querschnitt einer konventionel­ len Vorrichtung zum Bilden einer Feinstruktur, z. B. einer Plasmaätzvorrichtung. Dabei ist ein Halbleitersubstrat 2, auf dem eine Feinstruktur gebildet wird, in einer Vakuumkammer 1 angeordnet. Das Halbleitersubstrat 2 trägt auf seiner Ober­ fläche beispielsweise eine polykristalline Siliciumdünn­ schicht und auf dieser eine Fotoresiststruktur, die als ätz­ beständige Maske dient. In der Vakuumkammer 1 liegt das Halb­ leitersubstrat 2 auf einem Probenträger 4, der gleichzeitig als Elektrode dient und an eine Hochfrequenz-Stromquelle 3 angeschlossen ist, um HF-Energie zuzuführen (nachstehend ein­ fach als "Elektrode 4" bezeichnet). Dem Halbleitersubstrat 2 gegenüberstehend ist eine Elektrode 6 angeordnet, in der Gas­ düsen 5 vorgesehen sind, aus denen ein Ätzgas, das ein reak­ tives Gas wie beispielsweise Chlorgas ist, gleichmäßig auf das Halbleitersubstrat 2 gerichtet wird. Die Vakuumkammer 1 hat einen Evakuierungsstutzen 7, durch die sie evakuiert wird, und einen Gaszuführstutzen 8, durch den das reaktive Ätzgas in die Vakuumkammer 1 eingeleitet wird.
Die so ausgelegte konventionelle Vorrichtung zum Bilden von Feinstrukturen wird wie folgt betrieben. Zuerst wird ein Ätz­ gas durch den Gaszuführstutzen 8 in das Innere der Vakuumkam­ mer 1 und durch die Gasdüsen geleitet, während die Vakuumkam­ mer 1 mit Hilfe einer Evakuierungseinrichtung (nicht gezeigt) durch den Evakuierungsstutzen 7 evakuiert wird. Dann wird von der HF-Stromversorgung 3 zwischen der Elektrode 4 und der ihr gegenüberstehenden Elektrode 6 eine HF-Spannung angelegt zur Erzeugung einer Glimmentladung. Dadurch wird das in die Va­ kuumkammer 1 eingeleitete Ätzgas aktiviert und bildet ein Plasma, so daß aktive neutrale Moleküle, neutrale Atome und Ionen erzeugt werden. Das Ätzen des Halbleitersubstrats 2 läuft aufgrund der Anwesenheit dieser Moleküle, Atome und Ionen ab, so daß eine Feinstruktur gebildet wird.
Das oben erläuterte konventionelle Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur weist die folgenden Nachteile auf:
1) Gleichmäßigkeit der Ätzrate
Da bei den konventionellen Verfahren eine räumliche Vertei­ lung des aktivierten Halogengases oder der Halogenionen er­ folgt, tritt bei der Bildung einer Feinstruktur auf einer Probe mit großem Durchmesser eine Verteilung der Ätzrate in der gleichen Ebene auf. Eine Verminderung der Ätzrate macht eine große Ätzkammer erforderlich.
2) Ätzselektivität in bezug auf eine Grundschicht
Bei den konventionellen Verfahren wird ein Ätzmittel wie etwa geladene Teilchen in beschleunigtem Zustand auf die Probe ab­ gestrahlt. Infolgedessen wird die zu ätzende Oberfläche be­ schädigt, und es kann keine ausreichende Selektivität in be­ zug auf die als Ätzschutz dienende Schicht erreicht werden.
3) Verringerung der Ätzrate einer Feinstruktur infolge des Mikrobeladungs-Effekts
Da bei den konventionellen Verfahren die Richteigenschaft des Ätzmittels unbefriedigend ist, wird die in einen Zwischenraum einer Feinstruktur zuzuführende Ätzmittelmenge verringert, wodurch die Ätzrate abnimmt. Außerdem hängt der Grad der Haf­ tung eines Reaktionsprodukts an der Seitenwand einer beim Ät­ zen gebildeten Struktur von der Strukturgröße ab. Es muß also die Abhängigkeit des anisotropen Ätzprofils von der Struktur­ größe berücksichtigt werden.
4) Die oben beschriebenen Probleme der konventionellen Ver­ fahren führen zu einer Verschlechterung der Eigenschaften der durch die Feinstruktur gebildeten aktiven Bauelemente
Die Erfindung ist auf die Beseitigung der vorgenannten Pro­ bleme der konventionellen Verfahren zum Bilden von Feinstruk­ turen gerichtet, und Aufgabe der Erfindung ist die Bereit­ stellung einer Vorrichtung und eines Verfahrens zum Bilden von Feinstrukturen, wobei eine ausgezeichnete Feinstruktur gebildet werden kann, ohne daß der Ätzdruck und die Ätzrate verringert werden.
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe gelöst durch eine Vor­ richtung zum Bilden einer Feinstruktur, die folgendes auf­ weist: eine Vakuumkammer; eine Einrichtung zum Zuführen eines reaktiven Gases in die Vakuumkammer; eine Plasmaerzeugungs­ einrichtung, die in der Vakuumkammer ein Plasma des reaktiven Gases erzeugt; einen in der Vakuumkammer angeordneten und als Elektrode dienenden Probenträger zur Aufnahme einer Probe, wobei der Probenträger mit der Plasmaerzeugungseinrichtung verbunden ist; eine an der Rückseite des Probenträgers vorge­ sehene Einrichtung zur Erzeugung einer elastischen Welle; und eine Einrichtung zum Evakuieren des Inneren der Vakuumkammer.
Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung wird eine Vorrich­ tung zum Bilden einer Feinstruktur angegeben, die folgendes aufweist: eine Vakuumkammer; eine Einrichtung zum Zuführen eines reaktiven Gases in die Vakuumkammer; eine Plasmaerzeu­ gungseinrichtung, die in der Vakuumkammer ein Plasma des reaktiven Gases erzeugt; einen in der Vakuumkammer angeordne­ ten und als Elektrode dienenden Probenträger zur Aufnahme ei­ ner Probe, wobei der Probenträger mit der Plasmaerzeugungs­ einrichtung verbunden ist; eine dem Probenträger gegenüber­ stehende Gegenelektrode; eine an der Rückseite der Gegenelek­ trode vorgesehene Einrichtung zur Erzeugung einer elastischen Welle; und eine Einrichtung zum Evakuieren des Inneren der Vakuumkammer.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur angegeben, das folgende Schritte aufweist: Anordnen einer Probe, in der eine Fein­ struktur gebildet wird, auf einem Probenträger, der als Elek­ trode dient und in einer Vakuumkammer angeordnet ist; Eva­ kuieren der Vakuumkammer auf ein vorbestimmtes Vakuum; Zufüh­ ren eines reaktiven Gases in die Vakuumkammer; Erzeugen eines Plasmas des reaktiven Gases in der Vakuumkammer durch den Probenträger und eine Plasmaerzeugungseinrichtung; und Durch­ führen der Bildung einer Feinstruktur unter gleichzeitigem Anlegen einer elastischen Welle an die Probe durch eine an der Rückseite des Probenträgers bzw. der Gegenelektrode ange­ ordnete Einrichtung zur Erzeugung einer elastischen Welle.
Die Erfindung wird nachstehend, auch hinsichtlich weiterer Merkmale und Vorteile, anhand der Beschreibung von Ausfüh­ rungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in:
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt eines ersten Aus­ führungsbeispiels der Plasmaätzvorrichtung nach der Erfindung;
Fig. 2 eine seitliche Querschnittsansicht eines Halblei­ tersubstrats, an dem mit der Vorrichtung nach Fig. 1 ein Ätzvorgang durchgeführt wurde;
Fig. 3 einen seitlichen Querschnitt eines Halbleitersub­ strats, an dem mit der Vorrichtung nach Fig. 5 ein Ätzvorgang durchgeführt wurde; und
Fig. 4 einen schematischen Querschnitt eines weiteren Aus­ führungsbeispiels der Plasmaätzvorrichtung nach der Erfindung; und
Fig. 5 einen schematischen Querschnitt einer konventionel­ len Plasmaätzvorrichtung.
Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur auf einem Substrat unter Anwendung einer HF-Welle, einer Mikrowelle, von Licht­ energie und eines Energiestrahls sind bereits bekannt. Ein Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur unter Anwendung einer elastischen Welle ist jedoch nicht bekannt. Die Erfindung be­ trifft die Bildung einer Feinstruktur unter Anwendung einer elastischen Welle.
Die Vorrichtung und das Verfahren zum Bilden einer Feinstruk­ tur machen sich die folgenden Auswirkungen der elastischen Welle auf einen Körper zunutze.
1) Erwärmen eines Körpers durch die elastische Welle
Im allgemeinen tritt die elastische Welle im Verlauf ihrer Ausbreitung in Wechselwirkung mit einem Medium und wird da­ durch abgeschwächt. Der durch die Abschwächung bedingte Ener­ gieverlust der Welle wird in Wärmeenergie umgewandelt, so daß das Medium erwärmt und seine Temperatur erhöht wird. Bei gleichem Schwächungskoeffizienten gilt, daß durch die Schwächung der Welle umso mehr Energie pro Volumeneinheit verlorengeht, je größer die Amplitude der Welle ist. Insbe­ sondere bei Vorhandensein eines Resonanzkörpers wird in die­ sem Körper eine stehende Welle erzeugt, deren Amplitude hin­ reichend groß ist, so daß ein großer lokaler Energieverlust auftritt. Dies ermöglicht eine lokale Erwärmung.
Das Erwärmen eines zu bearbeitenden Werkstücks verbessert die Bildung der Feinstruktur in der nachstehend beschriebenen Weise. Im allgemeinen wird (1) aufgrund der Beschleunigung einer thermischen Reaktion die Geschwindigkeit erhöht, mit der eine Feinstruktur gebildet wird. (2) Die Ätzselektivität wird aufgrund eines durch die lokale Erwärmung bewirkten Un­ terschieds in der chemischen Reaktion verbessert. (3) Der Eintritt von Ätzmittel tief in das Innere einer Feinstruktur wird dadurch erleichtert und verbessert somit die Eigenschaf­ ten der Feinstruktur.
2) Verlagern eines Körpers durch die elastische Welle
Eine elastische Welle wird von einem Medium ausgebreitet, wo­ bei verlagerte Teilchen des Mediums auf angrenzende Teilchen ein Moment übertragen und selbst in ihre Ausgangslage zurück­ gebracht werden. Daher ist das Vorhandensein der elastischen Welle gleichbedeutend mit dem Vorhandensein einer Verlagerung eines Körpers. Wenn eine elastische Welle in einem Körper er­ zeugt wird, der zum Ätzvorgang beiträgt, wird der Bereich der Oberfläche des Körpers, der im Vergleich mit der Wellenform klein ist, periodisch in einer Richtung verlagert, die zu der Oberfläche senkrecht oder tangential verläuft, was von der Ausbreitungsrichtung der Welle und dem Winkel zwischen einem veränderlichen Vektor und einem Wellenkörpervektor abhängt.
Eine solche Verlagerung verbessert die Charakteristiken der Feinstrukturbildung in der nachstehend beschriebenen Weise. Wenn die Geschwindigkeit, mit der der Bereich durch die ela­ stische Welle verlagert wird, gegenüber der Geschwindigkeit von auftreffenden Teilchen hoch ist, erhöht sich die relative Geschwindigkeit der auftreffenden Teilchen, wodurch ihr Mo­ ment erhöht wird. Infolgedessen (1) nimmt die Geschwindigkeit zu, mit der die Feinstruktur gebildet wird. (2) Die zu bil­ dende Struktur wird infolge der verbesserten Richteigenschaf­ ten der auftreffenden Teilchen verbessert. (3) Die Feinstruk­ turbildung wird durch das leichtere Eindringen eines Ätzmit­ tels in das Innere einer Feinstruktur verbessert. (4) Das Wegätzen eines Bereichs an einer Schulter, die eine große ab­ solute Dicke hat, wird verbessert. (5) Das Ablösen eines Reaktionsprodukts wird aufgrund der durch die elastische Welle bewirkten Schwingungen beschleunigt.
3) Kondensation eines Körpers durch die elastische Welle
Da nur die feinen Teilchen von der elastischen Welle verla­ gert werden und somit deren Aufeinandertreffen verstärkt wird, werden die Agglomeration und Dissoziation eines Ätzmit­ tels in dem Plasma beschleunigt. Dadurch werden die Charakte­ ristiken der Feinstrukturbildung in der nachstehend beschrie­ benen Weise verbessert. (1) Die Geschwindigkeit, mit der eine Feinstruktur gebildet wird, erhöht sich infolge einer Zunahme der Ätzmitteldichte. (2) Da die Art des Ätzmittels wegen der durch die normale Entladung nicht bewirkten Dissoziation ge­ ändert werden kann, wird eine selektive Feinstrukturbildung ermöglicht.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 3 wird nun ein Ausfüh­ rungsbeispiel erläutert. Fig. 1 ist eine schematische Dar­ stellung eines ersten Ausführungsbeispiels der Vorrichtung zur Bildung einer Feinstruktur, z. B. einer Plasmaätzvorrich­ tung. Dabei sind mit 1 bis 8 die Teile bezeichnet, die den jeweiligen Teilen der konventionellen Vorrichtung von Fig. 5 entsprechen. Das erste Ausführungsbeispiel verwendet als Ein­ richtung 9 zur Erzeugung einer elastischen Welle einen Ultra­ schallwellenerzeuger, der eine elastische Welle von 10 kHz oder höherer Frequenz, d. h. eine Welle mit einem sogenannten Ultraschallwellenbereich erzeugt. Das heißt also, daß der Ul­ traschallwellenerzeuger, der ein piezoelektrischer, ein elek­ trostriktiver oder ein magnetostriktiver Schwinger sein kann, mit der Rückseite des Probenträgers 4 physisch verbunden ist.
Fig. 2 ist ein Querschnitt eines Halbleitersubstrats, der er­ halten wird, wenn eine auf dem Halbleitersubstrat gebildete polykristalline Siliciumschicht mit der Plasmaätzvorrichtung von Fig. 1 geätzt wird. In Fig. 2 ist auf einem Substrat 10 des Halbleitersubstrats 2 eine Siliciumoxidschicht 11 gebil­ det, und auf dieser ist eine zu bearbeitende polykristalline Siliciumschicht 12 gebildet. Auf der polykristallinen Sili­ ciumschicht 12 ist eine strukturierte Fotoresistschicht 13 als ätzbeständige Maske mit einem fotolithografischen Verfah­ ren gebildet. Fig. 3 ist der Fig. 2 ähnlich und zeigt den Querschnitt des Halbleitersubstrats 2, das mit der konventio­ nellen Vorrichtung gemäß Fig. 5 zum Bilden einer Feinstruk­ tur, die keine Einrichtung zur Erzeugung einer elastischen Welle hat, erhalten wird.
Bei dem Verfahren zur Bildung einer Feinstruktur unter Anwen­ dung der oben beschriebenen Vorrichtung wird zuerst das Halb­ leitersubstrat 2 auf die Elektrode 4 gelegt. Dann wird ein Ätzgas, das ein reaktives Gas ist, aus den Gasdüsen 5 in die Vakuumkammer eingeleitet, während diese durch den Evakuie­ rungsstutzen 7 evakuiert wird. Eine HF-Spannung wird zwischen der Elektrode 4 und der Elektrode 6 von der HF-Stromversor­ gung 3 angelegt, so daß eine Glimmentladung erzeugt wird. In­ folgedessen wird das in die Vakuumkammer 1 eingeleitete Ätz­ gas aktiviert und bildet ein Plasma unter Erzeugung von akti­ ven neutralen Molekülen, neutralen Atomen und Ionen. Das Ät­ zen des Halbleitersubstrats 2 läuft aufgrund der Anwesenheit dieser Moleküle, Atome und Ionen ab, und somit wird eine Feinstruktur gebildet.
Zu diesem Zeitpunkt wird von dem Ultraschallgenerator 9 eine Ultraschallwelle erzeugt und an die Elektrode 4, auf der sich das Halbleitersubstrat 2 befindet, angelegt, so daß das Halb­ leitersubstrat 2 durch die Ultraschallwelle angeregt wird.
Infolgedessen haben die Ionen oder dergleichen, die zum Auf­ treffen auf die Oberfläche des Halbleitersubstrats 2 gebracht werden, eine größere Bewegungsenergie als diejenigen, die auf die Oberfläche auftreffen, die nicht von der Ultraschallwelle in Schwingungen versetzt ist, und zwar infolge der oben be­ schriebenen Funktionen der elastischen Welle wie Erwärmen, Verlagern und Kondensieren eines Körpers, und treten somit in die Feinstruktur ein, wie Fig. 2 zeigt. Daher kann die Fein­ strukturbildung auf dem Halbleitersubstrat 2 ohne Verringe­ rung des Ätzdrucks und der Ätzrate verbessert werden, wodurch die Bildung von sehr guten Feinstrukturen ermöglicht wird. Im Fall von Fig. 3 dagegen, bei dem kein Ultraschallwellengene­ rator vorgesehen ist, können auch bei einer Verringerung des Ätzdrucks zum Zweck der Verlängerung der mittleren Lebens­ dauer von aktiven Ionen und beim Einsatz von Ionen mit sehr guten Richteigenschaften zum Ätzen die Ionen nicht ausrei­ chend tief in die Feinstruktur eintreten, so daß keine sehr gute Feinstruktur gebildet werden kann.
Bei dem obigen Ausführungsbeispiel ist die Einrichtung 9 zur Erzeugung der elastischen Welle an der Rückseite der als Pro­ benträger dienenden Elektrode 4 vorgesehen. Eine Einrichtung 14 zur Erzeugung einer elastischen Welle kann aber auch an der Rückseite der Elektrode 6 vorgesehen sein, wie Fig. 4 zeigt.
Das beschriebene Ausführungsbeispiel verwendet als Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur ein Plasmaätzverfahren. Die Er­ findung ist aber auch anwendbar bei Ätzverfahren mit reakti­ ven Ionen, Ätzverfahren mit magnetfeldunterstützten reaktiven Ionen, Elektronenzyklotron-Plasmaätzverfahren, Neutralstrahl- Ätzverfahren, Ätzverfahren mit Lichtanregung, lichtunter­ stützten Ätzverfahren oder dem physikalischen Ionenätzverfah­ ren.
Die Siliciumoxidschicht 11 wird als die Schicht benützt, in der eine Feinstruktur gebildet wird. Eine Siliciumnitrid­ oder Siliciumoxynitridschicht kann aber ebenfalls verwendet werden. Anstelle der polykristallinen Siliciumschicht 12 kann eine einkristalline Siliciumschicht verwendet werden.
Die Schicht, in der eine Feinstruktur gebildet wird, kann hergestellt sein aus Wolfram, Tantal, Molybdän, Zirkonium, Titan, Hafnium, Chrom, Platin, Eisen, Zink, Zinn, einem Sili­ cid, einem Nitrid oder einem Carbid von jedem dieser Stoffe; aus Aluminium, Kupfer, Gold, Silber oder einer Legierung, die im wesentlichen aus irgendeinem dieser Metalle besteht; oder aus einem organischen Polymer wie einem Novolakharz oder Po­ lyimid.
Die Schicht, in der eine Feinstruktur gebildet wird, kann ein ferroelektrisches Material wie PZT (Blei, Zink, Zinn), ein Supraleiter einschließlich eines Oxidsupraleiters oder ein ferromagnetisches Material sein.
Bei dem obigen Ausführungsbeispiel wird als zu bearbeitende Probe, d. h. als ein Körper, die auf dem Halbleitersubstrat 2 gebildete Dünnschicht verwendet, wobei es sich um die Her­ stellung von integrierten Halbleiterschaltungen handelt. Die Erfindung ist aber auch bei einem Magnetband- oder einem Ma­ gnetplatten-Substrat einsetzbar, die in Magnetspeicheranord­ nungen eingesetzt werden und auf denen Speicherelemente zu bilden sind, ferner bei einem Substrat für eine Bildplatte oder dergleichen zum Einsatz in einem optischen Speicher, wo­ bei Speicherelemente zu bilden sind, ferner bei geformten Me­ tallkörpern, einer auf der Oberfläche des geformten Metall­ körpers gebildeten Dünnschicht, einem Maschinenbauteil wie etwa einem Bolzen oder einem Bearbeitungswerkzeug.
Wie aus der vorstehenden Beschreibung ersichtlich ist, wird bei der Vorrichtung und dem Verfahren zur Bildung von Fein­ strukturen die Bildung von ausgezeichneten Feinstrukturen ohne Verringerung des Ätzdrucks und der Ätzrate ermöglicht, weil die Feinstrukturen gebildet werden, während eine elasti­ sche Welle an die Elektrode, die die Probe trägt, angelegt wird. Ferner kann eine Struktur hoher Güte bei ausgezeichne­ ten Charakteristiken der Strukturbildung erhalten werden.

Claims (29)

1. Vorrichtung zum Bilden einer Feinstruktur, gekennzeichnet durch
  • - eine Vakuumkammer (1);
  • - eine Gaszufuhreinrichtung (8) zum Einleiten eines reak­ tiven Gases in die Vakuumkammer;
  • - eine Plasmaerzeugungseinrichtung (3), die ein Plasma des reaktiven Gases in der Vakuumkammer (1) erzeugt;
  • - einen als Elektrode dienenden Probenträger (4), der in der Vakuumkammer (1) zum Auflegen einer Probe (2) ange­ ordnet und mit der Plasmaerzeugungseinrichtung (3) ge­ koppelt ist;
  • - eine an der Rückseite des Probenträgers (4) vorgesehene Einrichtung (9) zum Erzeugen einer elastischen Welle; und
  • - eine Einrichtung (7) zum Evakuieren des Inneren der Va­ kuumkammer.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Gegenelektrode (6), die in der Vakuumkammer (1) dem Probenträger (4) gegenüberstehend angeordnet ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein Halbleitersubstrat (2) ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein Magnetband ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe eine Magnetplatte ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe eine Bildplatte ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein geformter Metallkörper ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein Maschinenelement ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe ein Substrat und eine Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, umfaßt.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, ausgewählt ist aus der eine Siliciumoxidschicht, eine Si­ liciumnitridschicht und eine Siliciumoxynitridschicht um­ fassenden Gruppe.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, eine polykristalline oder einkristalline Siliciumschicht ist.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, aus Wolfram, Tantal, Molybdän, Zirkonium, Titan, Hafnium, Chrom, Platin, Eisen, Zink, Zinn, einem Silicid oder ei­ nem Nitrid oder einem Carbid von jedem dieser Materialien besteht.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, aus Aluminium, Kupfer, Gold, Silber oder einer Legierung, die hauptsächlich aus einem dieser Metalle besteht, ge­ bildet ist.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, aus einem organischen Polymer wie einem Novolakharz oder Polyimid besteht.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, aus einem ferroelektrischen Material wie PZT (Blei, Zink, Zinn) besteht.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, aus einem Supraleiter einschließlich eines Oxidsupralei­ ters besteht.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht, in der eine Feinstruktur zu bilden ist, aus einem ferromagnetischen Material besteht.
18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-17, dadurch gekennzeichnet, daß eine elastische Welle eine Ultraschallwelle einer Frequenz von 10 kHz oder höherer Frequenz ist.
19. Vorrichtung zum Bilden einer Feinstruktur, gekennzeichnet durch
  • - eine Vakuumkammer (1);
  • - eine Gaszufuhreinrichtung (8) zum Einleiten eines reak­ tiven Gases in die Vakuumkammer;
  • - eine Plasmaerzeugungseinrichtung (3), die ein Plasma des reaktiven Gases in der Vakuumkammer (1) erzeugt;
  • - einen als Elektrode dienenden Probenträger (4), der in der Vakuumkammer (1) zum Auflegen einer Probe (2) ange­ ordnet und mit der Plasmaerzeugungseinrichtung (3) ge­ koppelt ist;
  • - eine Gegenelektrode (6), die dem Probenträger (4) ge­ genüberstehend vorgesehen ist;
  • - eine an der Rückseite der Gegenelektrode (6) vorgese­ hene Einrichtung (14) zum Erzeugen einer elastischen Welle; und
  • - eine Einrichtung (7) zum Evakuieren des Inneren der Va­ kuumkammer.
20. Verfahren zum Bilden einer Feinstruktur, gekennzeichnet durch die folgenden Verfahrensschritte:
  • - Anordnen einer Probe, auf der eine Feinstruktur gebil­ det ist, auf einem als eine Elektrode in einer Vakuum­ kammer dienenden Probenträger;
  • - Evakuieren des Inneren der Vakuumkammer auf einen vor­ bestimmten Unterdruck;
  • - Einleiten -eines reaktiven Gases in die Vakuumkammer;
  • - Erzeugen eines Plasmas des reaktiven Gases in der Va­ kuumkammer mittels des Probenträgers und einer Plas­ maerzeugungseinrichtung; und
  • - Durchführen einer Feinstrukturbildung unter gleichzei­ tigem Anlegen einer elastischen Welle an die Probe von einer an der Rückseite des Probenträgers und/oder einer Gegenelektrode angeordneten Einrichtung zur Erzeugung einer elastischen Welle.
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die elastische Welle eine Ultraschallwelle einer Fre­ quenz von 10 kHz oder höherer Frequenz ist.
22. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein Plas­ maätzverfahren ist.
23. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein reakti­ ves Ionenätzverfahren ist.
24. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein magnet­ feldunterstütztes reaktives Ionenätzverfahren ist.
25. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein Elek­ tronenzyklotron-Plasmaätzverfahren ist.
26. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein Neu­ tralstrahl-Ätzverfahren ist.
27. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein Licht­ anregungs-Ätzverfahren ist.
28. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein licht­ unterstütztes Ätzverfahren ist.
29. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren zum Bilden der Feinstruktur ein physi­ kalisches Ionenätzverfahren ist.
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