DE3546325C2 - Magnetisches Aufzeichnungsmedium - Google Patents
Magnetisches AufzeichnungsmediumInfo
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 34
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 16
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 11
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 4
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005745 Ge—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008458 Si—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N [P].[Co].[Ni] Chemical compound [P].[Co].[Ni] IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910002064 alloy oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- ZQKXQUJXLSSJCH-UHFFFAOYSA-N melamine cyanurate Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1.O=C1NC(=O)NC(=O)N1 ZQKXQUJXLSSJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
- G11B5/7262—Inorganic protective coating
- G11B5/7264—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
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- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
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- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
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- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
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Description
Die Erfindung betrifft ein magnetisches Aufzeichnungsmedium
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
Ein solches Aufzeichnungsmedium ist aus der DE 31 17 931 A1
bekannt.
Als Schutzfilm für das Aufzeichnungsmedium wurden bereits
die verschiedensten Stoffe verwendet, zu denen Metalle, wie z. B.
Osmium, Ruthenium, Iridium, Mangan und Wolfram, Oxide, wie z. B.
Siliziumoxid, Titanoxid, Tantaloxid und Hafniumoxid, verschie
dene Nitride, Karbide, Bor, Kohlenstoff, Legierungen von Koh
lenstoff mit Bor, Polykieselsäure sowie Kohlenstoff in Diamant
struktur zählen.
Unter diesen Stoffen erfreut sich Kohlenstoff aufgrund
seiner hervorragenden Schmiereigenschaften großer Beliebtheit.
Der Schutzfilm aus Kohlenstoff zeigt jedoch eine relativ hohe
Durchlässigkeit für H2O und O2. Die Schutzwirkung des Films, die
dem magnetischen Film auch eine verbesserte Beständigkeit gegen
Korrosion und Umweltbedingungen verleihen soll, zeigt damit
gewisse Mängel.
Die aus anderen Stoffen als Kohlenstoff hergestellten
Schutzfilme haben im Vergleich zu dem Kohlenstoff-Schutzfilm
eine mehr oder weniger erhöhte Beständigkeit gegen Korrosion
und Umweltbedingungen, ihre Schmiereigenschaften sind jedoch
deutlich schlechter.
Das aus der obengenannten DE 31 17 931 A1 bekannte magne
tische Aufzeichnungsmedium besteht aus einem scheibenförmigen
Substrat aus einer Aluminiumlegierung oder dergleichen, auf dem
nacheinander eine harte Zwischenschicht, eine magnetische
Schicht aus einer Kobalt-Nickel-Phosphor-Legierung als die
eigentliche Aufzeichnungsschicht und eine Schutzschicht aus
gebildet sind. Die Schutzschicht besteht aus einem Halbmetall
oxidfilm etwa aus Polysilikat, einem Metalloxidfilm mit Oxiden
etwa von Si, Ge oder Cr und/oder einem Metallfilm sowie einem
dünnen Schmiermittelfilm aus einem festen Schmiermittel, etwa
Fluorkohlenstoff oder Graphit.
Die Dicke des Schmiermittelfilmes beträgt dabei 0,1 nm bis
einige Nanometer, während die Dicke des Halbmetalloxidfilmes
oder Metalloxidfilmes 100 nm bis 150 nm beträgt.
Zur Erzeugung des Schmiermittelfilmes wird das feste
Schmiermittel unter Druck auf der Oberfläche des Aufzeichnungs
trägers verrieben, das heißt es wird ein festes, pulverförmiges
Fluorkohlenstoff-Schmiermittel über den Halbmetalloxidfilm ver
teilt und ein mit demselben Fluorkohlenstoffpulver besprühtes
Poliertuch unter einem Druck p dagegen gerieben.
Mit einer solchen Vorgehensweise kann jedoch nicht sicher
gestellt werden, daß das Schmiermittel auch gleichmäßig über die
Oberfläche der Magnetplatte verteilt ist. Insbesondere kann die
Schmiermittelschicht Lücken aufweisen, in denen dann der Auf
zeichnungskopf über die Magnetplatte kratzt und diese zerstört.
Auch ist bei dieser Vorgehensweise nicht ausgeschlossen, daß die
Bindung der Schmiermittelschicht an die Unterlage zumindest
stellenweise nicht ausreichend ist, was zur Folge hat, daß dort
die Schmiermittelschicht vom Aufzeichnungskopf weggeschoben
wird.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein magne
tisches Aufzeichnungsmedium mit einem Schutzfilm anzugeben, der
bei hoher Beständigkeit gegen Korrosion und Umweltbedingungen
hervorragende Schmiereigenschaften aufweist.
Diese Aufgabe wird, ausgehend von dem eingangs genannten
Stand der Technik, erfindungsgemäß mit den im Patentanspruch 1
angegebenen Merkmalen gelöst.
Demgegenüber wird gemäß der eingangs genannten Druckschrift
der Schmiermittelfilm nicht durch Sputtern, sondern durch
Verreiben hergestellt, außerdem ist Si nur als Polysilikat und
Ge nur als Oxid vorgesehen und als Schmiermittel kein amorpher
Kohlenstoff.
Die Unteransprüche beinhalten vorteilhafte Ausgestaltungen
des Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 1.
Aus der EP 00 26 496 A1 ist es zwar bekannt, eine gesput
terte Kohlenstoffschicht als Schmiermittelfilm auf einer Metall
schicht aufzubringen, jedoch besteht diese Metallschicht aus
Titan, das lediglich als Zwischenschicht zwischen der magneti
schen Schicht und dem Schmiermittelfilm zur Haftverbesserung
dient. Darüber hinaus besteht der Schmiermittelfilm hier aus
kristallinem Kohlenstoff mit einer Dicke von mehr als 100 nm,
der sich in seinen Eigenschaften von amorphem Kohlenstoff we
sentlich unterscheidet.
Die Vorteile des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmediums
gehen aus der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungs
beispiele hervor, die unter Bezugnahme auf die anliegenden
Zeichnungen erfolgt. In den Zeichnungen zeigen
Fig. 1 die Kennlinie eines für die Prüfung der CSS-Bestän
digkeit in Beispielen und Vergleichsuntersuchungen verwendeten
Antriebs; und die
Fig. 2 und 3 Darstellungen der Meßergebnisse bei den Bei
spielen und den Vergleichsuntersuchungen.
Bei eingehenden Untersuchungen eines bei einem magnetischen
Aufzeichnungsmedium auf dem magnetischen Film auszubildenden
Schutzfilmes fanden die Erfinder heraus, daß ein Schutzfilm her
vorragenden Werte für die Korrosionsbeständigkeit und die Be
ständigkeit gegen Umweltbedingungen sowie für die Schmiereigen
schaften aufweist, der aus einer ersten Schicht, die zumindest
einen aus der Gruppe Cr2O3, Si und Ge gewählten Stoff ent
hält, und aus einer zweiten Schicht aus amorphem Kohlenstoff
(C) oder Graphit mit amorphem Kohlenstoff aufgebaut ist, die
auf die erste Schicht aufgebracht ist.
Das Substrat wird aus Aluminium, einer
Aluminiumlegierung, die nicht mehr als 7 Gew.-%, vorzugsweise
3 bis 4 Gew.-%, Magnesium enthält, einer Zink enthaltenden
Aluminiumlegierung oder einer Titanlegierung hergestellt. Unter
den verfügbaren Materialien erweist sich die Aluminiumlegierung
als besonders geeignet, da sie leicht, billig und einfach zu
verarbeiten ist. In den letzten Jahren fanden aus Keramiken
hergestellte Substrate steigende Aufmerksamkeit. Für die vor
liegende Erfindung sind derartige Keramiksubstrate, beispiels
weise aus ZrO2 oder Al2O3, und selbst Glassubstrate verwend
bar.
Die Oberfläche des zu verwendenden Substrats wird bei
spielsweise durch mechanisches oder chemisches Schleifen
flach und glatt bearbeitet. Auf dem Substrat wird eine feste
Unterschicht, beispielsweise aus Alumite oder einer Ni-P-Le
gierung, gebildet, um eine Deformation der Scheibenoberfläche
aufgrund des Aufsetzens des Magnetkopfes zu vermeiden. (Diese
Unterschicht ist nicht immer erforderlich, wenn das Substrat
aus einem keramischen Stoff hergestellt ist.)
Ist das Substrat aus Aluminium oder einer Aluminiumle
gierung hergestellt, wird seine Oberfläche anodisch oxidiert,
um eine Alumiteschicht aufwachsen zu lassen, die als eine
untere Beschichtungsschicht dienen soll. Obwohl die Dicke
dieser Alumiteschicht nicht besonders eingeschränkt ist, liegt
sie im allgemeinen in einem Bereich von einigen Mikrometer
bis einigen zehn Mikrometer, und zwar z. B. bei etwa 10
Mikrometer. Die Oberfläche der Unterschicht aus Alumite oder
Ni-P sollte geschliffen werden, um die Ausbildung des magne
tischen Films darauf vorzubereiten. Die Oberflächenrauhig
keit sollte vorzugsweise nicht über 0,02 µ (Oberflächen
rauhigkeit Ra) liegen. Die Oberfläche kann mechanisch-chemisch
unter Verwendung eines Kolloid-Silikapulvers poliert werden.
Auf der Unterlageschicht wird der magnetische Filme ausge
bildet. Der magnetische Film kann aus einer Legierung oder
Metalloxid hergestellt werden. Beispiele für eine vorteil
haft zu verwendende Legierung sind Co-Ni, Co-Ni-Pt, Co-Ni-P,
Co-Pt, Co-Cr, Co-Cr-Pt und Co-Ni-Cr. In diesen Legierungen
kann Fe für einen Teil des Co oder Ni substituiert werden.
In der Co-Ni-Legierung kann zumindest ein aus der Gruppe
Ti, Cr, Hf, Ru und Pt gewählter Stoff eingebaut werden, um
einen Teil des Co zu substituieren. Ein typisches Beispiel
für einen Oxid-Magnetfilm ist ein aus γ-Fe2O3 hergestellter
magnetischer Film.
Der oben beschriebene magnetische Film kann nach einem
der herkömmlichen Sputterverfahren ausgebildet werden, bei
spielsweise mit einem Beschichtungsverfahren aus der Dampf
phase oder aus der Flüssigphase wie es in der
japanischen Patentoffenlegungsschrift SHO 56 (1981)-41524 dargestellt
ist.
Vorzugsweise enthalten die magnetischen Filme aus Co-Ni,-
Co-Ni-Pt und Co-Ni-P Ni in einer Konzentration im Bereich
von 5 bis 40 Atom-%, vorzugsweise von 10 bis 30 Atom-%.
In den zusätzlich zu Co und Ni Pt enthaltenden Legierungen
sollte der Pt-Gehalt nicht über 12 Atom-%, vorzugsweise 10
Atom-%, hinausgehen. In den zusätzlich zu Co und Ni P enthal
tenden Legierungen sollte der P-Gehalt 12 Atom-% nicht über
steigen. In dem magnetischen Co-Pt-Film sollte der Pt-Gehalt
nicht über 12 Atom-%, vorzugsweise nicht über 10 Atom-% liegen.
In dem Co-Cr-Film sind 5 bis 20 Atom-%, vorzugsweise
5 bis 7 Atom-%, Cr enthalten. In den Co-Cr-Pt-Filmen sind
5 bis 20 Atom-%, vorzugsweise 5 bis 7 Atom-%, Cr und 1 bis
10 Atom-%, vorzugsweise 5 bis 9 Atom-% Pt enthalten. In den
Co-Ni-Cr-Filmen sind 10 bis 35 Atom-% Ni und 3 bis 15 Atom-%
Cr, vorzugsweise 15 bis 25 Atom-% Ni und 3 bis 10 Atom-% Cr
enthalten.
Der magnetische Film sollte eine Dicke im Bereich von
30 bis 300 nm, vorzugsweise von 50 bis 150 nm haben. Ist die
Dicke kleiner als 30 nm, hat der magnetische Film
keine stabilen Eigenschaften.
Liegt die Dicke über 300 nm, dauert die Bildung des
magnetischen Films sehr lange, und die Herstellungskosten
sind hoch.
Auf dem magnetischen Film ist ein Schutzfilm ausgebildet,
der aus einer ersten Schicht, die aus zumindest einem Stoff
aus der Gruppe Cr2O3, Si und Ge hergestellt ist, und einer
zweiten Schicht aus amorphem Kohlenstoff oder Graphit mit
amorphem Kohlenstoff aufgebaut ist, die auf der Oberfläche
der ersten Schicht abgeschieden ist. Die erste Schicht kann
im einzelnen aus einem der folgenden sieben Stoffe gebildet
sein: (1) Nur Si, (2) nur Ge, (3) nur Cr2O3, (4) Si-Ge,
(5) Si-Cr2O31 (6) Ge-Cr2O3 und (7) Si-Ge-Cr2O3.
Die Stoffe Si, Ge und Cr2O3 übertreffen den oben genannten
amorphen Kohlenstoff bezüglich der Korrosions- und Umwelt
beständigkeit. Die Elemente Si und Ge zeigen ziemlich zufrie
denstellende Schmiereigenschaften. Cr2O3 ist fest und geeignet,
die CSS-Beständigkeit des Schutzfilms zu steigern.
Die zweite Schicht aus amorphem Kohlenstoff oder Graphit
mit amorphem Kohlenstoff hat hervorragende Schmiereigenschaf
ten. Insbesondere besitzt eine Schicht aus amorphem Kohlen
stoff oder Graphit mit amorphem Kohlenstoff mit einem spezi
fischen Widerstand im Bereich von 10-2 bis 1022 Ω·cm eine
hohe Schmierfähigkeit und eine hohe Abriebfestigkeit. Ist
bei zufriedenstellenden Schmiereigenschaften der spezifische
Widerstand kleiner als 10-3 Ω·cm, ist der Verschleiß stark
und die CSS-Beständigkeit nicht hinreichend. Übersteigt der
spezifische Widerstand 104 Ω·cm, nimmt der amorphe Kohlen
stoff ein Gefüge ähnlich der Diamantstruktur an und zeigt
keine ausreichenden Schmiereigenschaften.
Wenn die Dicke des Schutzfilms (die Gesamtdicke der
ersten und zweiten Schicht) 100 nm übersteigt, wird die für
die Bildung des Schutzfilms erforderliche Zeit übermäßig lang,
und gleichzeitig nimmt der Abstand zwischen dem Magnetkopf
und dem Magnetfilm zu und die elektromagnetischen Umwandlungs
eigenschaften der Platte werden verschlechtert. Wenn die Dicke
übermäßig klein ist, kann der Schutzfilm naturgemäß seine
Funktionen nicht erfüllen. Die Dicke dieses Films sollte
daher vorzugsweise im Bereich zwischen 30 und 100 nm liegen.
Die erste Schicht sollte eine Dicke etwa zwischen
10 und 30 nm aufweisen. Ist diese Dicke kleiner als 10 nm,
ist die Wirksamkeit der ersten Schicht für die Verbesserung
der Korrosions- und Witterungsbeständigkeit nicht ausreichend.
Liegt sie über 30 nm, wird es bei ausreichender Korrosions-
und Witterungsbeständigkeit notwendig, die Dicke der zweiten
Schicht (Schicht aus amorphem Kohlenstoff oder amorphen
Kohlenstoff enthaltendem Graphit) entsprechend zu verringern,
da aus den oben beschriebenen Gründen die gesamte Dicke des
Schutzfilms nicht über 100 liegen soll.
Die zweite Schicht sollte eine Dicke etwa zwischen 20
und 70 nm aufweisen. Ist diese Dicke kleiner als 20 nm, ist
die Wirksamkeit der zweiten Schicht für die Verbesserung der
Schmiereigenschaften nicht ausreichend. Übersteigt sie 70 nm,
entsteht wieder die Notwendigkeit, die Dicke der ersten Schicht
zu beschränken. Auf den Schutzfilm kann noch ein Schmier
mittel aufgebracht werden, das aus einem
organischen Stoff, wie z. B. Perfluoralkylpolyether, Mono
stearin-Briacontinol-Trymethoxisilan oder Melamin-Cyanurat,
hergestellt ist.
Die auf dem magnetischen Film ausbildete, Cr2O3, Si und
Ge enthaltende erste Schicht hat eine hervorragende Korrosions-
und Umweltbeständigkeit. Die zweite Schicht aus amorphem
Kohlenstoff oder amorphen Kohlenstoff enthaltendem Graphit
hat hervorragende Schmiereigenschaften.
Der in das magnetische Aufzeichnungsmedium einbezogene
Schutzfilm vereinigt die Vorteile der ersten und zweiten
Schicht. Da der erfindungsgemäße Schutzfilm des magnetischen
Aufzeichnungsmediums eine hervorragende Korrosions- und
Umweltbeständigkeit aufweist, ermöglicht er einen
weitgehenden Schutz des magnetischen Films und eine hervor
ragende Haltbarkeit des magnetischen Aufzeichnungsmediums.
Daneben zeigt dieser Schutzfilm eine extrem hohe Schmier
fähigkeit und eine hervorragende praktische Brauchbarkeit.
Der magnetische Film und der Schutzfilm können durch
die Sputtertechnik ausgebildet werden. Für dieses Sputter
verfahren wird im allgemeinen eine herkömmliche Sputter
vorrichtung verwendet, die ein Gehäuse mit einem Target und
einem Platte für die Montage einer Probe, einen Heizer für
die Erhitzung des Innern des Gehäuses, eine Vakuumpumpe
für die Evakuierung des Gehäuseinneren sowie einen Gaszylinder
aufweist, der mit diesem Gehäuse verbunden ist. Das in dieser
Vorrichtung zu verwendende Target ist vorteilhaft aus einer
Legierung hergestellt, die der Legierungszusammensetzung des
zu bildenden Films entspricht oder ähnlich ist.
Das Sputtern wird vorzugsweise in einer Atmosphäre aus
verdünntem Gas oder Argon (Ar)-Gas durchgeführt. Der Druck
dieser Atmosphäre sollte im Bereich zwischen 0,133 bis 13,3 Pa,
vorzugsweise im Bereich zwischen 0,66 und 6,6 Pa als
Gesamtdruck liegen. Der Behälter, in dem das Sputtern durch
geführt wird, sollte vor der Bildung der oben genannten
Atmosphäre für das Sputtern auf ein Vakuum nicht über
1,33×10-3Pa (10-5 Torr) evakuiert werden.
In Vorbereitung auf das Sputtern kann das Substrat er
hitzt oder auf Raumtemperatur gehalten werden. Wird das
Substrat erhitzt, sollte die erhöhte Temperatur des Substrats
nicht über 250°C, vorzugsweise nicht über 220°C liegen. Die
Sputterzeit läßt sich bestimmen, indem die Dicke des zu
bildenden Films durch die Durchschnittsgeschwindigkeit der
Filmformierung geteilt wird.
Die Sputtervorrichtung ist vorzugsweise so ausgelegt,
daß verschiedene Bedingungen eingestellt werden können, wie
z. B. die Temperatur, die Atmosphäre und der Atmosphärendruck.
Beispiele für bekannte und erfindungsgemäß anwendbare Sputter
vorrichtungen sind eine Hochfrequenzmagnetron-Sputtervorrich
tung, eine Kreismagnetron-Sputtervorrichtung, eine Planar
magnetron-Sputtervorrichtung, eine Magnetron-Sputtervorrich
tung mit zylindrischer Elektrode, eine Ionenstrahl-Sputter
vorrichtung, eine Hochfrequenz-Sputtervorrichtung und eine
Gleichstrom-Bipolarsputtervorrichtung.
Zwischen das Substrat und den magnetischen Film kann
zusätzlich zu der Unterlageschicht eine Zwischenschicht ein
gefügt werden, die geeignet ist, die Haftfestigkeit des magne
tischen Films zu erhöhen. Für die Einfügung zwischen die ge
nannten Schichten eignet sich vorzugsweise eine etwa 5 bis
50 nm dicke Schicht aus Cr, V oder Mn.
Die Erfindung läßt sich auf scheibenförmige magnetische
Aufzeichnungsmedien anwenden, deren Durchmesser zwischen 2,5 und 5 cm (1 bis
2 Zoll) und 25,4 cm (10 Zoll) oder mehr liegt.
Die Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf
konkrete Beispiele im einzelnen beschrieben. Die beschriebenen
Beispiele wurden unter Verwendung einer Magnetron-
Hochfrequenzsputtervorrichtung hergestellt. Selbstverständlich
läßt sich die Erfindung mit ähnlicher Wirksamkeit beispiels
weise auch unter Verwendung einer Ionenstrahl-Sputtervor
richtung umsetzen.
Die Oberfläche eines Substrats aus einer 4% Magnesium
enthaltenden Aluminiumlegierung (130 mm Durchmesser, 40 mm
Innendurchmesser und 1,9 mm Dicke) wurde plan und glatt
gedreht. Anschließend wurde auf dem bearbeiteten Substrat
mit der stromlosen Plattiertechnik eine Ni-P-Schicht in
einer Dicke von 25 µm gebildet. Eine Seite der Ni-P-Schicht
wurde in einer Dicke von etwa 2 µm abgeschliffen, regellos
geritzt, um 0,05 bis 0,1 µm tiefe Einschnitte zu erhalten
(Gefügebehandlung) und einem Endschliff auf Spiegelglätte
unterzogen.
Anschließend wurde unter Verwendung einer Planarmagnetron-
Hochfrequenzsputtervorrichtung eine Unterlageschicht aus
Cr in einer Dicke von 300 nm abgeschieden und unmittelbar
anschließend darauf ein Co-Ni-Film unter folgenden Bedingun
gen gebildet:
| Anfangsevakuierung | |
| 2,66 × 10-4 Pa (2 × 10-6 Torr) | |
| Sputteratmosphäre | Ar |
| Druck der Sputteratmosphäre | 1,6 Pa (12 m · Torr) |
| Elektrische Versorgungsleistung | 1 KW |
| Target-Zusammensetzung | 20 Atom-% Ni (Rest Co) |
| Elektrodenabstand | 108 mm |
| Dicke des magnetischen Films | 50 nm |
| Geschwindigkeit der Filmformierung | 20 nm/min |
| Substrattemperatur | 200°C |
Durch Sputtern wurde ein Schutzfilm aus Si in einer Dicke
von 20 nm unter Verfolgung des oben beschriebenen Verfahrens
gebildet, mit der Ausnahme, daß das Target aus Si mit einer
Reinheit von 99,99% war. Auf diesem Schutzfilm
wurde zur Vervollständigung des magnetischen Aufzeichnungs
mediums eine C-Schicht gebildet. Dieses magnetische Auf
zeichnungsmedium wurde auf seine CSS-Beständigkeit unter
sucht. Bei der Untersuchung der CSS-Beständigkeit wurde eine
mit einem Schutzfilm versehene Probe mit 13,3 cm (5 1/4 Zoll) Durch
messer auf einem entsprechenden Plattenantrieb montiert. Bei
der Untersuchung wurde ein Mn-Zn-Winchesterkopf verwendet,
wobei das Spiel des Kopfes in einem Zwischenraum-Umfangsteil
R = 50 cm auf 0,45 µm festgelegt war (bei einem Wert von
3600 U/min). Der CSS-Zyklus entsprach der Darstellung in
Figur 1.
Die CSS-Beständigkeit wurde nach Beendigung an dem
Punkt beurteilt, an dem der Verlust des Wiedergabeausgangs
signals bezogen auf den Anfangswert 10% betrug, oder bei
einer Zunahme der Fehleranzahl gerade um eins.
Die Untersuchungsergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
Ein magnetisches Aufzeichnungsmedium wurde entsprechend
dem Verfahren von Beispiel 1 hergestellt, bis auf die Aus
nahme, daß das Material der ersten Schicht des Schutzfilms
und die Dicke der ersten und zweiten Schicht entsprechend
Tabelle 1 verändert wurden.
Die Ergebnisse der Untersuchung der CSS-Beständigkeit
sind in Tabelle 1 gezeigt.
Mit dem Verfahrens nach Beispiel 1 wurden
magnetische Aufzeichnungsmedien hergestellt, bis auf die Aus
nahme, daß unabhängig SiO2, Osmium, Siliziumnitrid, Silizium
carbid und Kohlenstoff mit Diamantstruktur als Materialien
für die Schutzfilme verwendet wurden. Diese magnetischen
Aufzeichnungsmedien wurden auf ihre CSS-Beständigkeit unter
sucht.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt.
Tabelle 1 ist zu entnehmen, daß die Schutzfilme der er
findungsgemäßen magnetischen Aufzeichnungsmedien hohe Schmier
eigenschafts-Kennwerte zeigen.
Daneben wurden Proben vorbereitet, bei denen die Schutz
filme jeweils aus Osmium, Siliziumnitrid, Siliziumcarbid und
Kohlenstoff mit Diamantstruktur mit einer festen Dicke von
40 nm hergestellt waren. Bei der Untersuchung der CSS-Be
ständigkeit zeigte sich, daß diese gleichbleibend nicht über
10 K hinausging. Selbst bei Aufbringen eines Fluorkohlenstoff-
Schmierstoffes in einer Dicke von etwa 10 nm auf die Schutz
filme war die CSS-Beständigkeit gleichbleibend geringer als
20 K. Da im allgemeinen eine CSS-Beständigkeit über 10 K oder
20 K erforderlich ist, erfüllten diese Schutzfilme die Zu
lässigkeitsvoraussetzungen bezüglich der CSS-Beständigkeit
nicht.
Unter Anwendung des Verfahrens nach Beispiel 1 wurden
magnetische Aufzeichnungsmedien hergestellt, mit der Aus
nahme, daß die Gesamtdicke des Schutzfilms im Bereich von
30 bis 100 nm verändert wurde, wobei das Dickenverhältnis
der ersten und zweiten Schicht auf 1 : 2 festgelegt war. Diese
magnetischen Aufzeichnungsmedien wurden auf ihre CSS-Eigen
schaften untersucht. Die Ergebnisse sind in Figur 2 gezeigt.
Entsprechend dem Verfahren der Vergleichsuntersuchung
1 wurden magnetische Aufzeichnungsmedien hergestellt, wobei
Schutzfilme aus Kohlenstoff mit Diamantstruktur Anwendung
fanden, deren Dicke zwischen 30 und 100 nm verändert wurde.
Diese Aufzeichnungsmedien wurden auf ihre CSS-Beständigkeit
untersucht. Die Ergebnisse sind in Figur 2 gezeigt.
Aus Figur 2 ist ersichtlich, daß die erfindungsgemäßen
magnetischen Aufzeichnungsmedien eine hervorragende CSS-Be
ständigkeit aufweisen. Die Ergebnisse zeigen naturgemäß, daß
sich die CSS-Beständigkeit proportional zum Anstieg der Film
dicke verbessert.
Einige der magnetischen Aufzeichnungsmedien nach den
vorhergehenden Beispielen und Vergleichsuntersuchungen,
wie sie in Tabelle 1 gezeigt sind, wurden weiterhin auf ihre
Korrosions- und Umweltbeständigkeit untersucht.
Diese Untersuchung wurde nach einem Verfahren durchge
führt, bei dem eine Probe für eine Woche in reines Wasser
mit einem spezifischen Widerstand von 3 MΩ·cm (25°C) einge
taucht und der Verlust (ΔBr) der Sättigungs-Magnetflußdichte
(Br) gemessen wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 darge
stellt.
Figur 3 zeigt eine grafische Darstellung der Ergebnisse
von Untersuchungen der Korrosions- und Umweltbeständigkeit,
die ähnlicherweise an Proben nach dem Beispiel 3 und der Ver
gleichsuntersuchung 2 durchgeführt wurden.
Tabelle 2 und Fig. 3 ist zu entnehmen, daß die erfin
dungsgemäßen magnetischen Aufzeichnungsmedien eine hervor
ragende Korrosions- und Umweltbeständigkeit aufweisen.
Claims (4)
1. Magnetisches Aufzeichnungsmedium, mit einem scheibenförmigen
Substrat, einem magnetischen Film auf dem Substrat und einem
Schutzfilm auf dem magnetischen Film, wobei der Schutzfilm aus
einer durch Sputtern aufgebrachten ersten Schicht, die zumindest
Cr2O3, Si und/oder Ge enthält, und aus einer durch Sputtern auf
der ersten Schicht aufgebrachten zweiten Schicht aus amorphem
Kohlenstoff oder amorphen Kohlenstoff enthaltendem Graphit auf
gebaut ist, und wobei die Gesamtdicke des Schutzfilmes 100 nm
nicht übersteigt.
2. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die
erste Schicht des Schutzfilmes eine Dicke im Bereich von 10 bis
30 nm und die zweite Schicht des Schutzfilmes eine Dicke im Be
reich von 20 bis 70 nm hat.
3. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die
zweite Schicht aus amorphem Kohlenstoff oder amorphen Kohlen
stoff enthaltendem Graphit mit einem spezifischen Widerstand im
Bereich von 10-2 bis 102 Ωcm hergestellt ist.
4. Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei auf
den Schutzfilm ein Schmierstoff aufgebracht ist.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |