DE3413001A1 - Katodenzerstaeubungsanlage mit nebeneinander angeordneten stationen - Google Patents
Katodenzerstaeubungsanlage mit nebeneinander angeordneten stationenInfo
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Description
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LEYBOLD-HERAEUS GmbH
Bonner Straße 504
Bonner Straße 504
D-5000 Köln - 51
Katodenzerstäubungsanlage mit nebeneinander
angeordneten Stationen "
Die Erfindung betrifft eine Katodenzerstäubungsanlage mit
mindestens zwei nebeneinander angeordneten Stationen, unter denen sich eine Chargierstation, eine Ätzstation
und eine Beschichtungsstation befinden, mit einer Vakuumkammer, mindestens einer Zerstäubungskatode und einem
zwischen den Stationen hin und her beweglichen Substratträger.
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Bei einer solchen Katodenzerstäubungsanlage kann dabei die Chargierstation mit der Ätzstation übereinstimmen,
so daß die Anlage insgesamt nur zwei Stationen besitzt.
Durch die DE-OS 29 32 483 ist eine Katodenzerstäubungsanlage mit drei Stationen bekannt, bei der eine entsprechende
Zahl von Substrathaltern auf einer Kreisscheibe angeordnet ist, die um eine konzentrische Achse
nach Art eines Karussells drehbar ist. Hierbei ist jedoch kein Kühlmittelkreislauf zu den einzelnen Substratträgern
vorgesehen, so daß die Einhaltung eines bestimmten Temperaturpegels während der einzelnen Behandlungsvorgänge
praktisch nicht möglich ist. Außerdem ist es bei derartigen Anlagen praktisch unmöglich,
eine Querkontamination zwischen den einzelnen Stationen zu unterbinden, weil die Anbringung von
Schleusenventilen zwischen den einzelnen Stationen aus konstruktiven Gründen nicht möglich ist. Es ist
also insbesondere nicht möglich, beispielsweise die Chargierstation zu öffnen und gleichzeitig die benachbarte
Beschichtungsstation in Betrieb zu halten.
Zum Stande der Technik gehören weiterhin Katodenzerstäubungsanlagen,
die aus sogenannten Moduleinheiten zusammengesetzt sind. Hierbei sind mehrere Stationen
durch jeweils eine eigene Vakuumkammer abgegrenzt, und eine Reihenanordnung derartiger Vakuumkammern ist
durch Schleusenventile untereinander sowie an beiden
Enden der Anlage gegenüber der Atmosphäre abgegrenzt. Hiermit ist ein quasi-kontinuierlicher Betrieb möglich,
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und auch eine Querkontamination wird durch die Schleusenventile verhindert. Die Substrate werden durch plattenförmige
Substratträger, die auf Rollen gelagert sind, mittels einer Linearbewegung durch sämtliche Stationen
hindurchbewegt. Hierbei ist es jedoch schwierig, die Substrate ausreichend zu kühlen, weil es beispielsweise
wegen der Schleusenventile nicht möglich ist, den fahrbaren Substratträger permanent an einen Kühlmittelkreislauf
angeschlossen zu halten. Man hat sich daher bei solchen Anlagen so beholfen, daß man den Substratträger
in den einzelnen Stationen auf stationären Klihlplatten
abgesetzt hat. Eine derartige Kühlung ist jedoch für bestimmte, wärmeempfindliche Produkte unzulänglich
und insbesondere praktisch nicht reproduzierbar.
'Zur Frage der Substratkühlung sei ausgeführt, daß man
Substrate, die innerhalb sehr enger Grenzen auf einer bestimmten Temperatur gehalten werden müssen, mittels
einer wärmeleitfähigen Masse auf den Substratträger aufkleben, so daß zwischen diesen beiden Teilen ein
guter Wärmeübergang gewährleistet ist. Durch das Auflegen eines fahrbaren Substratträgers auf stationäre
Kühlplatten, die ihrerseits mit einem Kühlmittelkreislauf versehen sind, entsteht in der Kette des Wärmetransports
jedoch ein sehr schwaches Glied, d.h. die Wärmeübergänge zwischen dem Substratträger und der Kühlplatte
sind wieder nicht reproduzierbar, und ein relativ hoher Temperaturgradient ist die Folge. Die Unterbrechung des
Wärmetransports durch einen mehr oder weniger engen Luft-
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spalt ist insbesondere dann kritisch, wenn zwei Behandlungsvorgänge
in benachbarten Stationen unmittelbar aufeinanderfolgen, die beide mit einer Wärmebelastung
der Substrate verbunden sind.
Eine Wärmebelastung der Substrate ist insbesondere bei sogenannten Plasmaprozessen unvermeidbar, die die
Grundlage eines Katodenzerstäubungsvorganges sowie eines Plasma-Ätzvorganges sind. Dabei ist die Wärmebelastung
bei sogenannten Diodensystemen wegen der längeren Prozeßdauer größer, als bei sogenannten
Magnetron-Katoden, bei denen die Plasmaentladung auf einen engen Bereich der Katoden- bzw. Targetoberflache
begrenzt ist. Allein durch die wesentlich kürzere Beschichtungsdauer bei Magnetronkatoden, bei denen die
Zerstäubungsrate um den Faktor 10 bis 30 größer ist, entsteht eine geringere Wärmebelastung. Für zahlreiche
Prozesse, bei denen es auf eine hohe Schichtgleichförmigkeit ankommt, sind jedoch Magnetronkatoden wegen
des örtlich begrenzten Zerstäubungsvorganges nicht oder nur unter komplizierten Betriebsbedingungen brauchbar,
so daß für diese Fälle nach wie vor die sogenannte Dioden-Zerstäubung angewandt wird. Ein Dioden-Prozeß
liegt auch beim sogenannten Plasma-Ätzen vor, bei denen der Substrattrager mit den Substraten gegenüber der
Vakuumkammer isoliert und mit einem Hochfrequenzgenerator verbunden ist. In diesem Fall kehrt sich die Zerstäubungsrichtung
um, und das von den Substraten durch den Ätzprozeß abzutragende Material wandert in Richtung
auf eine Auffängerplatte in der Ätzstation. Auch dieser
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Vorgang ist mit einer starken Wärmebelastung der Substrate verbunden, da die Plasmaentladung in diesem
Falle unmittelbar auf die Substratoberfläche einwirkt.
Grundsätzlich ist zwar auch das Ätzen unter Magnetfeldeinwirkung
möglich, jedoch überwiegen hierbei in der Praxis aus Gleichförmigkeitsgründen die sogenannten
Diodenprozesse.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Katodenzerstäubungsanlage der eingangs beschriebenen
Gattung dahingehend zu verbessern, daß die Substrate auf ihrem Weg durch die einzelnen Stationen ständig
und unter reproduzierbaren Bedingungen gekühlt werden können.
Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei der eingangs beschriebenen Katodenzerstäubungsanlage erfindungsgemäß
dadurch, daß der Substratträger mittels eines Auslegers exzentrisch an einer durch die Vakuumkammer
hindurchgeführten Drehlagerung befestigt ist und daß durch die Drehlagerung hindurch ein Kühlmittelkreislauf
bis in die Substratträger geführt ist.
Durch die erfindungsgemäße Maßnahme wird die bei derartigen Katodenzerstäubungsanlagen übliche Linearbewegung
des Substratträgers durch eine Schwenkbewegung auf einer Kreisbahn um die Drehlagerung ersetzt, und
die Drehlagerung kann zur standigen Verbindung des Substratträgers mit der Kühlmittelquelle verwendet werden.
Es ist in diesem Falle möglich, den Substratträger nicht nur in sämtlichen Stationen, sondern auch auf seinem
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Transportweg von der einen zu anderen Station ständig gekühlt zu halten und hierbei den innigen Wärmekontakt
der Substrate mit dem Substratträger und dem Kühlmittelkreislauf aufrechtzuerhalten, beispielsweise durch
Verkleben mittels einer wärmeleitfähigen Masse.
Es ist damit gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung besonders vorteilhaft, wenn der Substratträger gegenüber der Vakuumkammer isoliert gelagert
und an einen Hochfrequenzgenerator angeschlossen ist.
In einem solchen Fall läß.t sich in besonders einfacher
Weise die Chargierstation als Stzstation verwenden. Durch Beaufschlagung des Substratträgers mit Hochfrequenz
und durch das Oberflächenverhältnis des Substratträgers
zu den gegenüberliegenden Wandflächen der Chargierstation werden diese Wandflächen wirkungsmäßig
zur Anode, und die Substrate lassen sich durch den dabei auftretenden Plasmaprozeß ätzen. Insbesondere der Chargierdeckel kann dabei die Anodenfunktion übernehmen und als
Aufhänger für das abgeätzte Material dienen. Zu diesem Zweck wird der Chargierdeckel bevorzugt mit einer auswechselbaren
Platte versehen.
Es ist wiederum besonders vorteilhaft, wenn die Vakuumkammer quaderförmig ausgebildet ist und in ihrer oberen
Kammerwand zwei kreisförmige Ausnehmungen aufweist, von denen die eine durch die Zerstäubungskatode und die
andere durch den bereits beschriebenen Chargierdeckel verschließbar ist und wenn die Achse der Drehlagerung
in einer zwischen den Ausnehmungen verlaufenden senkrechten SymmetHeebene liegt.
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Eine solche Maßnahme erlaubt bei einem seitlichen Ausschwenken des Chargierdeckels eine leichte Beschickung
des Substratträgers in der Chargierstation von oben. Anlagenteile sind auch in der Beschichtungsstation nach
einer Demontage der Zerstäubungskatode leicht zugäng-1 ich.
Durch den Erfindungsgegenstand ist es auch in besonders einfacher Weise möglich, die Dauerkühlung
der Substrate auch dann aufrechtzuerhalten, wenn die einzelnen Stationen durch ein Ventil voneinander trennbar
sind.
Dies geschieht gemäß einer wiederum weiteren Ausgestaltung der Erfindung dadurch, daß zwischen den beiden
Stationen eine Trennwand mit einem Ventilsitz und einem ersten Ventilverschluß angeordnet ist und wenn
der Ausleger einen zweiten Ventilverschluß aufweist,
der beim Einschwenken des Substratträgers in die Beschichtungsstation
auf dem Ventilstiz zur Auflage bringbar ist.
In diesem Fall hat der Substratträger zusätzlich eine Ventilfunktion, wobei natürlich vorausgesetzt wird, daß
der erste Ventilverschluß in eine Position bewegt wird, daß er den zweiten Ventilverschluß nicht behindert. Der
Kühlmittelkreislauf läßt sich hierbei ununterbrochen
aufrechterhalten, und eine Querkontamination zwischen
den einzelnen Behandlungstationen ist absolut ausgeschlossen.
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Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Erfindungsgegen·
Standes ergeben sich aus den übrigen Unteransprüchen.
Zwei Ausführungsbeispiele des Erfindungsgegenstandes
werden nachfolgend anhand der Figuren 1 bis 5 näher erläutert.
Es zeigen:
Figur 1
Figur 1
Figur 2
Figur 3
Figuren 4
und 5
und 5
eine perspektivische Ansicht einer Katodenzerstäubungsanlage
mit zwei Stationen bei ausgeschwenktem Chargierdeckel und ausgeschwenkter Zerstäubungskatode,
einen Teilschnitt durch den Gegenstand van Figur 1, jedoch bei eingeschwenktem Chargierdeckel
und eingeschwenkter Zerstäubungskatode während des Beschichtungsvorganges, bei
dem sich der Substratträger unterhalb der Zerstäubungskatode befindet,
eine perspektivische Darstellung einer Variante des Gegenstandes nach Figur 1, bei
der die beiden Stationen durch eine Trennwand mit einem Ventil gegeneinander absperrbar
sind, und
Draufsichten auf den Gegenstand nach Figur mit den beiden möglichen Endstellungen von
Substratträger und Ventilverschluß.
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In Figur 1 ist eine Katodenzerstäubungsanlage 1 mit zwei nebeneinander liegenden Stationen 2 und 3 dargestellt,
von denen die Station 2 gleichzeitig Chargierstation und Ätzstation ist, während die Station 3
eine Beschichtungsstation darstellt. Diese Stationen sind Teil einer quaderförmigen Vakuumkammer 4, deren
obere Kammerwand 5 zwei kreisförmige Ausnehmungen 6 und 7 aufweist. Die eine ist durch einen Chargierdeckel
8 verschließbar, der mittels eines Hubantriebes 9 und eines Drehantriebes 10 über einen
Hebelarm 11 seitlich ausschwenkbar ist.
Die andere kreisförmige Ausnehmung 7 ist durch eine Zerstäubungskatode 12 verschließbar, die zusammen mit
ihrem Impedanz-Anpassungsnetzwerk 13 auf einem Dichtflansch 14 angeordnet ist, der um eine exzentrische
Achse 15 schwenkbar ist.
Zwischen den Ausnehmungen 6 und 7 kann man sich in Bezug
auf diese Ausnehmungen eine senkrechte Symmetrieebene denken, die in etwa durch die Traverse 16 ver-
läuft, die zur Versteifung der oberen Kammerwand 5 dient. In dieser Symmetrieebene ist die senkrechte
Achse einer Drehlagerung 17 angeordnet, die isoliert durch die untere Kammerwand 18 der Vakuumkammer 4 hindurchgeführt
ist. Das untere Ende der Drehlagerung ist hier nicht sichtbar; es befindet sich in einem Gehäuse 19,
in dem ein weiteres Impedanzanpassungsnetzwerk untergebracht ist.
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An der Drehlagerung 17 ist ein radialer Ausleger befestigt, der mit einem Substratträger 21 verbunden
ist. Der Substratträger 21 befindet sich im dargestellten Fall koaxial unterhalb der Ausnehmung 6, so
daß die einzelnen aufgelegten Substrate 22 sichtbar sind. Wird der Chargierdeckel 8 nunmehr durch eine
Schwenkung entgegen dem Uhrzeigersinn über die Ausnehmung 6 geschwenkt und bis zur Herstellung einer
vakuumdichten Verbindung abgesenkt, so kann in der Station 2 ein Ätzvorgang durchgeführt werden, für
den der an die Drehlagerung 17 angeschlossene Hochfrequenzgenerator
die erforderliche Energie liefert.
Nach diesem Ätzvorgang läßt sich der Substratträger mittels der Drehlagerung 17 im Uhrzeigersinne so
weit verschwenken, daß er unter der Ausnehmung 7 und koaxial hierzu zu liegen kommt. Bei eingeschwenkter
Zerstäubungskatode 12 ist in dieser Position ein Beschichtungsvorgang der Substrate 22 möglich.
Im vorliegenden Fall ist in der Ausnehmung 7 noch eine Kreisscheibe 23 sichtbar, die als Vorzerstäubungsplatte
dient. Auf diese Kreisscheibe lassen sich zu Beginn des Beschichtungsvorganges die Verunreinigungen von
der Oberfläche der Zerstäubungskatode 12 niederschlagen. Um anschliessend den Weg für den Substratträger
21 freizugeben, ist die Kreisscheibe 23 an einem Hubantrieb 24 befestigt, mit dem die Kreisscheibe
soweit abgesenkt werden kann, daß der Substratträger knapp oberhalb über die Kreisscheibe bewegt werden kann.
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In Figur 2 sind gleiche Teile wie in Figur 1 mit gleichen Bezugszeichen versehen. Es ist in Verbindung
mit Figur 1 zu erkennen, daß der Substratträger 21 als im wesentlichen zylindrischer Hohlkörper
ausgeführt ist, in dem an seiner Oberseite eine mit Kühlkanälen 25 versehene Auflageplatte 26
eingesetzt ist. Diese Auflageplatte besitzt eine
Anzahl nicht näher bezeichneter kreisscheibenförmiger Ausnehmungen, die für eine Positionierung
der Substrate 22 in einer Lage gemäß Figur 1 vorgesehen sind. Von den Kühlkanälen 25 führt ein Kühlmittelkreislauf
27, der hier nur durch eine doppe! abgewinkelte Leitung symbolisiert ist, aber natürlich
aus zwei Leitungen für den Hin- und Rückfluß besteht, entweder zu einem Wärmetauscher oder zu einem Abfluß.
Unter "Kühlmittelkreislauf" wird jegliche Führung eines flüssigen Kühlmittels durch den Substratträger 21 verstanden.
Es ist erkennbar, daß der Kühlmittelkreislauf 27
durch die Drehlagerung 17 hindurchgeführt ist. Ferner ist zu erkennen, daß die Kreisscheibe 23 in einer
gegenüber Figur 1 abgesenkten Position dargestellt ist, so daß zwischen ihr und der Ausnehmung 7
ausreichend Platz für das Einschwenken des Substratträgers 21 ist. Die Zerstäubungskatode 12 besitzt
auf ihrer Unterseite eine gleichfalls nicht näher bezeichnete Targetplatte aus dem zu zerstäubenden
Beschichtungswerkstoff, und zwar ist die Oberfläche
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dieser Targetplatte parallel zur Auflageplatte 26
ausgerichtet. Auch die Zerstäubungskatode 12 ist an einen Kühlmittelkreislauf 28 angeschlossen,
von dem nur ein Leitungszweig dargestellt ist.
In den Figuren 1 und 2 ist noch ein Saugstutzen 29 für die Evakuierung des Systems sowie ein Traggestell
30 gezeigt.
Figur 3 zeigt eine gegenüber den Figuren 1 und 2 modifizierte Katodenzerstäubungsanlage 31 mit gleichfalls
zwei Stationen 2 und 3 mit gleicher Funktion wie in Figur 1. Der Chargierdeckel 8 und die Zerstäubungskatode
12 sind nur sehr schematisch dargestellt. Im vorliegenden Fall ist für die Verbindung
des Substratträgers 21 mit der Drehlagerung 17 und für die Hindurchführung des Kühlmittelkreislaufs
ein anders geformter Ausleger 32 vorhanden, der in einer waagrechten Ebene abgewinkelt ausgebildet
ist (Figuren 4 und 5). Zwischen den beiden Stationen und 3 befindet sich eine Trennwand 33 mit einem ersten
Venti!Verschluß 34, der durch eine quadratische Platte
gebildet wird. Dieser Ventilverschluß wirkt mit einem
Ventilsitz 35 -^zusammen, dessen Umriß in etwa dem Umriß
des Ventilverschlusses 34 entspricht. Ein mit dem
ersten Ventil Verschluß 34 kongruenter zweiter Ventil-Verschluß 36 ist in einer solchen räumlichen Lage
an dem abgewinkelten Ausleger 32 befestigt, daß er beim Einschwenken des Substratträgers 21 aus der
Station 2 (Figur 4) in die Station 3 (Figur 5) auf dem Ventilsitz 35 vakuumdicht zur Auflage kommt. Dadurch
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- 15 -
ist jede Querkontamination zwischen den Stationen 2 und 3 ausgeschlossen.
Es ist erkennbar, daß der abgewinkelte Ausleger 32 den zweiten Ventilverschluß 36 durchdringt. Infolgedessen
wird auch der nicht näher bezeichnete Kühlmittelkreislauf
durch den zweiten Ventilverschluß
hindurchgeführt, so daß der Kühlmittelkreislauf sowohl in der Station 2 als auch in der Station 3
sowie beim Transport zwischen den beiden Stationen aufrechterhalten werden kann. Die Transportbewegung
ist durch die beiden Kreisbögen in den Figuren 4 und 5 symbolisiert.
Als wärmeleitfähigen Massen kommen z.B. niedrigschmelzende Metalle (Gallium; SMP = 28,6 0C) oder
Legierungen (Indium/Gallium; SMP = 15,9 0C) in
Frage, aber auch organische Pasten, die mit gut wärmeleitfähigen MetallpulVern (Silber oder
Aluminium) versetzt sind.
- Leerseite -
Claims (7)
1. Katodenzerstäubungsanlage mit mindestens zwei nebeneinander angeordneten Stationen, unter
denen sich eine Chargierstation, eine Ätzstation und eine Beschichtungsstation befinden, mit
einer Vakuumkammer, mindestens einer Zerstäubungskatode und einem zwischen den Stationen hin und
her beweglichen Substratträger, dadurch gekennzeichnet,
daß der Substratträger (21) mittels eines Auslegers (20, 32) exzentrisch an einer
durch die Vakuumkammer (4) hindurchgeführten Drehlagerung (17) befestigt ist und daß durch die Drehlagerung
hindurch ein Kühlmittelkreislauf (27) bis in den Substratträger geführt ist.
2. Katodenzerstäubungsanlage nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daB der Substratträger (21)
als im wesentlichen zylindrischer Hohlkörper ausgeführt
ist, in den an seiner Oberseite eine mit Kühlkanälen (25) versehene Auflageplatte (26) eingesetzt
ist.
3. Katodenzerstäubungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Substratträger (21)
gegenüber der Vakuumkammer isoliert gelagert und an einen Hochfrequenzgenerator angeschlossen
ist.
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4. Katodenzerstäubungsanlage nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Vakuumkammer (4) quaderr förmig ausgebildet ist und in ihrer oberen Kammerwand
(5) zwei kreisförmige Ausnehmungen (6, 7) aufweist, von denen die eine durch die Zerstäubungskatode (12) und die andere durch ein-en Chargierdeckel
(8) verschließbar ist, und daß die Achse der Drehlagerung (17) in einer zwischen den Ausnehmungen
(6, 7) verlaufenden, senkrechten Symmetrieebene liegt.
5. Katodenzerstäubungsanlage nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß unter der Ausnehmung (7) für
die Zerstäubungskatode (12) eine heb- und senkbare Kreisscheibe (23) als Vorzerstäubungsplatte angeordnet
ist.
6. Katodenzerstäubungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den beiden Stationen (2, 3)
eine Trennwand (33) mit einem Ventilsitz (35) und einem ersten Ventilverschluß (34) angeordnet ist
und daß der Ausleger (32) einen zweiten Ventilverschluß (36) aufweist, der beim Einschwenken des
Substratträgers (2t) in die Beschichtungsstation (3)
auf dem Ventilsitz (35) zur Auflage bringbar ist.
7. Katodenzerstäubungsanlage nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausleger (32) in einer waagrechten
Ebene abgewinkelt ausgebildet ist.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843413001 DE3413001A1 (de) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | Katodenzerstaeubungsanlage mit nebeneinander angeordneten stationen |
| US06/716,854 US4595483A (en) | 1984-04-06 | 1985-03-28 | Cathode sputtering apparatus with adjacently arranged stations |
| FR8504972A FR2562560B1 (fr) | 1984-04-06 | 1985-04-02 | Installation de pulverisation cathodique a postes juxtaposes |
| GB08508836A GB2156862B (en) | 1984-04-06 | 1985-04-04 | Cathode sputtering unit |
| JP60071289A JPS60230980A (ja) | 1984-04-06 | 1985-04-05 | 陰極スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| DE19843413001 DE3413001A1 (de) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | Katodenzerstaeubungsanlage mit nebeneinander angeordneten stationen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3413001A1 true DE3413001A1 (de) | 1985-10-17 |
| DE3413001C2 DE3413001C2 (de) | 1991-08-29 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4595483A (de) |
| JP (1) | JPS60230980A (de) |
| DE (1) | DE3413001A1 (de) |
| FR (1) | FR2562560B1 (de) |
| GB (1) | GB2156862B (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4938858A (en) * | 1989-04-14 | 1990-07-03 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode sputtering system |
| US4943363A (en) * | 1989-04-14 | 1990-07-24 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode sputtering system |
| US4984531A (en) * | 1989-04-14 | 1991-01-15 | Leybold Aktiengesellschaft | Device for accepting and holding a workpiece in vacuum coating apparatus |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4701251A (en) * | 1986-02-03 | 1987-10-20 | Bvt Limited | Apparatus for sputter coating discs |
| US5019233A (en) * | 1988-10-31 | 1991-05-28 | Eaton Corporation | Sputtering system |
| JP3466607B2 (ja) * | 1989-09-13 | 2003-11-17 | ソニー株式会社 | スパッタリング装置 |
| US5322606A (en) * | 1991-12-26 | 1994-06-21 | Xerox Corporation | Use of rotary solenoid as a shutter actuator on a rotating arm |
| US5482607A (en) * | 1992-09-21 | 1996-01-09 | Nissin Electric Co., Ltd. | Film forming apparatus |
| DE4312014A1 (de) * | 1993-04-13 | 1994-10-20 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten und/oder Ätzen von Substraten in einer Vakuumkammer |
| JP2006509999A (ja) * | 2002-08-02 | 2006-03-23 | イー エイ フィシオネ インストルメンツ インコーポレーテッド | 顕微鏡の試料調製方法及び装置 |
| EP3091561B1 (de) * | 2015-05-06 | 2019-09-04 | safematic GmbH | Sputtereinheit |
| AT519107B1 (de) | 2017-01-23 | 2018-04-15 | Miba Gleitlager Austria Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtgleitlagerelementes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2609115A1 (de) * | 1975-03-10 | 1976-09-23 | Signetics Corp | Vakuum-zerstaeubvorrichtung und -verfahren |
| DE2932483A1 (de) * | 1979-08-10 | 1981-04-02 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Testglashalter mit einer drehbaren platine und mehreren ausnehmungen fuer testglaeser |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5130764B2 (de) * | 1971-11-02 | 1976-09-02 | ||
| DE2330710A1 (de) * | 1973-06-16 | 1975-01-09 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Vakuumaufdampfvorrichtung mit mehreren kammern |
| JPS53124968A (en) * | 1977-04-08 | 1978-10-31 | Hitachi Ltd | Continuous vapor deposition apparatus |
| DE2932438C3 (de) * | 1979-08-10 | 1982-03-11 | Aeg-Elotherm Gmbh, 5630 Remscheid | Halbschaleninduktor zur induktiven Oberflächenerwärmung von wellenförmig ausgebildeten Werkstücken |
| JPS5643158U (de) * | 1979-09-11 | 1981-04-20 | ||
| JPS5730341A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-18 | Anelva Corp | Substrate processing device |
| US4433951A (en) * | 1981-02-13 | 1984-02-28 | Lam Research Corporation | Modular loadlock |
| US4450062A (en) * | 1981-12-22 | 1984-05-22 | Raytheon Company | Sputtering apparatus and methods |
| US4444643A (en) * | 1982-09-03 | 1984-04-24 | Gartek Systems, Inc. | Planar magnetron sputtering device |
| JPH0666298B2 (ja) * | 1983-02-03 | 1994-08-24 | 日電アネルバ株式会社 | ドライエッチング装置 |
| DE3306870A1 (de) * | 1983-02-26 | 1984-08-30 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zum herstellen von schichten mit rotationssymmetrischem dickenprofil durch katodenzerstaeubung |
| US4500407A (en) * | 1983-07-19 | 1985-02-19 | Varian Associates, Inc. | Disk or wafer handling and coating system |
| US4547247A (en) * | 1984-03-09 | 1985-10-15 | Tegal Corporation | Plasma reactor chuck assembly |
| US4548699A (en) * | 1984-05-17 | 1985-10-22 | Varian Associates, Inc. | Transfer plate rotation system |
-
1984
- 1984-04-06 DE DE19843413001 patent/DE3413001A1/de active Granted
-
1985
- 1985-03-28 US US06/716,854 patent/US4595483A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-04-02 FR FR8504972A patent/FR2562560B1/fr not_active Expired
- 1985-04-04 GB GB08508836A patent/GB2156862B/en not_active Expired
- 1985-04-05 JP JP60071289A patent/JPS60230980A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2609115A1 (de) * | 1975-03-10 | 1976-09-23 | Signetics Corp | Vakuum-zerstaeubvorrichtung und -verfahren |
| DE2932483A1 (de) * | 1979-08-10 | 1981-04-02 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Testglashalter mit einer drehbaren platine und mehreren ausnehmungen fuer testglaeser |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| US- MCR-Prosp. 4/74 * |
| US-Z: Solid State Technology, April 83, H.4, S. 79/80 * |
| US-Z: Solid State Technology, Dez. 83, Bd.16, H.12, S.100-103 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4938858A (en) * | 1989-04-14 | 1990-07-03 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode sputtering system |
| US4943363A (en) * | 1989-04-14 | 1990-07-24 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode sputtering system |
| DE3912297A1 (de) * | 1989-04-14 | 1990-10-18 | Leybold Ag | Katodenzerstaeubungsanlage |
| DE3912295A1 (de) * | 1989-04-14 | 1990-10-18 | Leybold Ag | Katodenzerstaeubungsanlage |
| US4984531A (en) * | 1989-04-14 | 1991-01-15 | Leybold Aktiengesellschaft | Device for accepting and holding a workpiece in vacuum coating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4595483A (en) | 1986-06-17 |
| FR2562560B1 (fr) | 1989-07-28 |
| GB2156862A (en) | 1985-10-16 |
| JPS60230980A (ja) | 1985-11-16 |
| DE3413001C2 (de) | 1991-08-29 |
| GB8508836D0 (en) | 1985-05-09 |
| GB2156862B (en) | 1986-10-22 |
| FR2562560A1 (fr) | 1985-10-11 |
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