DE2852395A1

DE2852395A1 - Elektrodenbelegungsschichten fuer fluessigkristallzellen

Info

Publication number: DE2852395A1
Application number: DE19782852395
Authority: DE
Inventors: Walter Dr Schmidt
Original assignee: BBC BROWN BOVERI and CIE; BBC Brown Boveri AG Switzerland
Current assignee: BBC BROWN BOVERI and CIE; BBC Brown Boveri AG Switzerland
Priority date: 1978-11-17
Filing date: 1978-12-04
Publication date: 1980-06-04
Also published as: CH636453A5

Description

Elektrodenbelegungsschichten für Flüssigkristallzellen
Die Erfindung betrifft eine Flüssigkristallzelle nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren zu deren Herstellung.
Eine Flüssigkristallzelle besteht bekanntermassen aus zwei in einem Abstand von 3 bis 50 um zueinander parallel angeordneter Platten, insbesondere Glasplatten, auf deren zueinanderweisenden Flächen durchsichtige leitfähige Elektrodenschichten so aufgebracht sind, dass durch Anlegen einer elektrischen Spannung, gezielt an einzelnen Bereichen ein elektrisches Feld angelegt werden kann. Wird der zwischen den Platten erzeugte Zellenraum mit einer elektrooptisch aktiven, flüssigkristallinen Substanz, einem sogenannten Flüssigkristall gefüllt, so kann durch An- und Abschalten des oben genannten elektrischen Feldes eine Aenderung der optischen Eigenschaften der Flüssigkristallsubstanz im Bereich des elektrischen Feldes erzeugt werden, was zur optischen Darstellung einer Information ausgenutzt werden kann. Weitere Einzelheiten über Flüssigkristall-Zellen in sindAdem Buch "Nonemissive Electrooptic Displays" edited by A. R. Kmetz u. F. K. von Willisen, Plenum Press, N. Y.
1976, beschrieben.
Wie auch aus dem genannten Buch hervorgeht, bestehen die zur Erzeugung des elektrischen Feldes notwendigen, elektrisch leitfähigen Elektrodenschichten aus dünnen Schichten oxidischer Halbleiter wie Ion203, SnO2, ZnO, CdO oder Mischungen von diesen. Alle diese Schichtmaterialien weisen einen relativ hohen Brechungsindex auf, woraus nach den bekannten Reflexionsgesetzen nach Fresnel, siehe dazu etwa Physik, ein Lehrbuch zum Gebrauch neben Vorlesungen, von Christian Gerthsen, 9. Auflage, 1966, Seiten 338 ff., ein hohes Reflexionsvermögen resultiert. Da auf den zur Herstellung von Flüssigkristall-Anzeigenelementen verwendeten Glasplatten neben mit Elektrodenschichten belegten Bereichen auch solche ohne Elektrodenschichten vorkommen, führt dies zu einer störenden Sichtbarkeit der Elektroden in einer fertigen Zelle, was sich auf die optische Qualität der Flüssigkristallzelle negativ auswirkt.
Das Problem der Elektrodensichtbarkeit wird noch dadurch verstärkt, dass zur Vermeidung elektrochemischer Zersetzungsvorgängen an den Elektroden, diese meist mit einer elektrisch isolierenden Schutzschicht überdeckt werden, deren optische Konstanten, das sind Brechungsindex und Schichtdicke aus technologischen Gründen nicht beliebig verändert werden können. So besteht die z.B. aus der DE-OS 2 533 705 und der DE-OS 2 246 250 bekannte Schutzschicht in den allermeisten Fällen aus Silizium-Oxid, das nach den bekannten Verfahren wie Aufdampfen oder durch chemische Abscheidung aus gasförmigen organischen Verbindungen des Siliziums, auf die Plattenfläche aufgebracht wird. Silizium-Oxid weist jedoch einen Brechungsindex von 1.45 auf, was dazu führt, dass SiO2-Schutzschichten, unter den bei den üblichen Flüssigkristallanzeigen gegebenen Bedingungen, die Sichtbarkeit der Elektroden noch verstärken, was aus den allgemeinen Regeln der Interferenzoptik an dünnen Schichten auch theoretisch abgeleitet werden kann.
Ein weiterer Nachteil der erwähnten Silizium-Oxid-Schichten liegt darin begründet, dass sie wegen ihrer extremen chemischen Resistenz nicht oder nur mehr sehr schwer - unter Verwendung von Flusssäure - geätzt werden können und somit Kontaktflächen auf den Elektroden, die keine elektrisch isolierende Schutzschicht auSweisen dürfen, bereits vor dem Aufbringen der Schutzschicht durch Maskierung so abgedeckt werden müssen, dass auf ihnen keine isolierende Schutzschicht abgeschieden wird.
Bei der Herstellung von Flüssigkristall-Zellen sowohl nach dem Prinzip der verdrillten nematischen Zelle wie auch bei den meisten anderen bisher bekannten Typen von Flüssigkristallanzeigen müssen zudem die Moleküle des Flüssigkristalls an den Plattenoberflächen in bestimmten Richtungen ausgerichtet werden. Diese Molekülorientierung kann durch Bedampfen der Plattenflächen unter schrägem Winkel oder aber auch durch Reiben oder Bürsten der Plattenflächen erzielt werden. Zur Erzielung hochwertiger Anzeige-Eigenschaften ist es aus bestimmten1 z.B. aus den DE-OS 2 539 951, DE-PS 2 331 437, DE-OS 2 554 417 oder aus der DE-AS 2 538 331 allgemein bekannten Gründen, wie etwa ein niedrigerer Anstellwinkel der Flüssigkristallmoleküle, erforderlich, dass die Platten gerieben werden müssen. Silizium-Oxid-Schutzschichten sind aber wegen ihrer Härte sehr schwer durch Reiben oder Bürsten oberflächlich so zu strukturieren, dass Flüssigkristall-Moleküle eine gute Orientierung zeigen.
Dies stellt einen weiteren Nachteil der bekannten Silizium-Oxid-Schichten dar.
Berechnungen zeigen, dass für die heute bekannten flüssigkristallinen Substanzen und den üblicherweise verwendeten Elektrodenleitschichten die Elektrodenbelegungsschichten einen Brechungsindex zwischen 1.5 und 2.2 aufweisen sollten, wobei die Dicke der Belegungsschicht aus praktischen Gründen im Bereich zwischen 500 und 2000 A liegen muss.
Schichten mit diesen optischen Konstanten sind zwar prin- zipiell durch die bekannten Verfahren des Aufdampfens und der Abscheidung aus der Gasphase organischer Metallverbindungen herstellbar, doch sind diese Herstellungsverfahren für Materialien mit von reinem Silizium-Oxid abweichender Zusammensetzung technologisch extrem aufwendig und für eine Produktion von Flüssigkristallzellen ökonomisch nicht tragbar.
Es ist daher Aufgabe der-vorliegenden Erfindung, eine Flüssigkristall-Zelle anzugeben, deren anorganische, elektrisch isolierende Elektroden-Belegungsschicht bei gleichzeitiger Wahrung der Schutzfunktion eine Sichtbarkeit der Elektroden vermeidet oder zumindest stark reduziertlsowie ein Verfahren zur Herstellung solcher Flüssigkristallzellen unter Umgehung der bekannten komplizierten Herstellungsverfahren, wie Aufdampfen oder Abscheidung aus gasförmigen, organischen Metallverbindungen.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Die erfindungsgemässen Belegungsschichten können bei hervorragender elektrochemischer Schutzwirkung optische Konstanten, d.h. Brechungsindizes und Dicken in einem weiten Grössenbereich aufweisen.
Erfindungsgemäss kann bei Flüssigkristallzellen auf Grund der oben genannten Fresnel'schen Formeln der Interferenz an dünnen Schichten für beliebige Kombinationen von Glas und Glasdicke, Elektrodenmaterial und Elektrodenschichtdicke und Flüssigkristallsubstanz und Flüssigkristallschutzdicke eine optisch optimal angepasste Elektrodenbelegungsschicht angegeben werden. Diese erfindungsgemässen Belegungsschichten zeichnen sich dann durch eine minimale Reflexion bzw. maximale Transmission des Lichts in allen Wellenlängenbereichen des sichtbaren Spektrums innerhalb der Flüssigkristallzelle aus. Diese Berechnungen können für reale Zellen mit Hilfe von Computern ausgeführt werden.
Ein weiterer Vorteil einer erfindungsgemässen Elektrodenbelegungsschicht ist der ausserordentlich geringe Unterschied zwischen der Transmission bzw. Reflexion auf und neben den Elektrodenbereichen. Eine erfindungsgemäss optisch gut angepasste Belegungsschicht zeigt sowohl auf als auch neben den Elektrodenschichten eine gleich hohe Transmission bzw. gleich geringe Reflexion, wodurch eine Sichtbarkeit der Elektroden praktisch vermieden wird.
Im folgenden wird nun die Erfindung unter anderem mit Bezugnahme auf Fig. 1 ausführlich beschrieben.
Hierzu wird in der Fig. 1 eine vereinfachte Darstellung einer Flüssigkristallzelle 14 im Schnitt gezeigt. Die Flüssigkristallzelle 14 weist Beispiele von Belegungsschichten 5, 6, 7, 8 auf, welche nach dem noch zu beschreibenden Verfahren gemäss der vorliegenden Erfindung aufzubringen sind. Die Flüssigkristallzelle 14 besteht aus zwei Platten 1 und 2, welche meistens aus Glas gefertigt sind.
Auf den zueinanderweisenden Flächen 11, 12 dieser Platten 1, 2 befinden sich in einzelne Bereiche unterteilte Elektroden 3, 4, welche aus dünnen Schichten eines durchsichtigen, elektrisch leitenden Material wie etwa Zinnoxid, bestehen.
Mittels der Spannungsquelle 13, im allgemeinen eine Wechselspannungsquelle, kann an einzelne Bereiche der Elektrodenschichten 3, 4 eine Spannung angelegt werden. Der Flüssigkristall 10, welcher sich in dem durch den Verbindungssteg 9 oder durch eine sonstig geeignete Verschlussmasse hermetisch verschlossenen Raum zwischen den beiden Platten 1, 2 befindet, wird durch das zwischen einzelnen Bereichen der Elektroden 3, 4 aufgebaute Feld zwischen den angesteuerten Bereichen in seinen optischen Eigenschaften verändert und dient dadurch dem Anzeigen einer Information.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zu Grunde, dass das Reflexionsvermögen der Elektroden 3, 4 in der Flüssigkristallzelle 14 durch eine oder mehrere elektrisch isolierende Belegungsschichten 5, 6, 7, 8 mit abgestimmter Dicke und abgestimmten Brechungsindex minimalisiert werden kann. Der Brechungsindex einer solchen erfindungsgemässen Belegungsschicht 5,- 6, 7, 8 liegt je nach dem Brechungsindex des verwendeten Glases und des Flüssigkristalls 10 im Bereich zwischen 1.5 und 2.2 bei Schichtdicken von 500 bis ca. 2000 i. Da, wie eingangs erwähnt, Belegungsschichten 5, 6, 7, 8 mit beliebig einstellbarem Brechungsindex durch einen Aufdampfprozess oder durch einen Abscheidungsprozess aus der Gasphase nicht oder nur äusserst schwer hergestellt werden können, wird gemäss der vorliegenden Erfindung als Verfahren das Aufbringen von dünnen flüssigen Filmen thermisch zersetzlicher Verbindungen verschiedene-r Elemente auf die Platten 1, 2 sowie darauffolgendes thermisches Zersetzen dieser Verbindungen zu den Oxiden bzw.
Hydroxiden vorgeschlagen. Die dünnen Flüssigkeitsfilme können sowohl nach dem Verfahren des Aufschleuderns einer Flüssigkeit als auch nach dem Verfahren des Tauchens oder Besprühens erzeugt werden. Nach dem Aufbringen wird der Flüssigkeitsfilm in jedem Falle getrocknet und in einem thermischen Prozess chemisch zersetzt, so dass als Endprodukt eine anorganische Belegungsschicht 5, 6, 7, 8 aus Oxiden und/oder Hydroxiden derjenigen Elemente, deren ther- misch zersetzlichen Verbindungen in dem zuvor aufgebrachten Flüssigkeitsfilm vorhanden waren, auf der zu beschichtenden Platte 1, 2 erzeugt wird. Die Zersetzungstemperatur ist abhängig von den gewählten Elementverbindungen und dem Erweichungspunkt der zu beschichtenden Platten 1, 2. Bei Verwendung von Natrium-Silikat-Glas als zu beschichtenden Material müssen die Zersetzungstemperaturen unter 520 0C liegen.
Der Brechungsindex der so erzeugten Belegungsschichten 5, 6, 7, 8 ist durch den Brechungsindex des Oxids bzw. Hydroxids bzw. der Oxidmischung und/oder Hydroxidmischung gegeben. Die Belegungsschichtdicke kann unter anderem durch die Konzentration der zuvor auf die Platten 1, 2 aufzubringenden Flüssigkeit eingestellt werden. Durch Zusätze kann man die Benetzung dieser Flüssigkeit auf den Platten 1, 2, aber auch die mechanischen und elektrochemischen Eigenschaften der Belegungsschichten gezielt verändern.
Im allgemeinsten Fall setzen sich die zu verwendenden Flüssigkeiten wie folgt zusammen: - Lösung einer oder mehrerer thermisch zersetzlichen Verbindungen von Elementen, deren Oxide und/oder Hydroxide bzw Oxid- und/oder Hydroxidmischung bzw. Oxidverbindung und/oder Hydroxidverbindung einen Brechungsindex von 1.5 bis 2.2 aufweisen.
- Verdünner zum Einstellen der Feststoffkonzentration - Netzmittel zur Verbesserung der Benetzung - Additive zur Verhinderung von Kristallisationsvorgängen während des Trocknens des Lösungsfilmes auf den Platten 1,2 - Additive zur Beeinflussung des Mikroschichtgefüges der Belegungsschicht 5, 6, 7, 8 zur Erzielung bestimmter Schichteigenschaften.
Je nach Anwendungsfall kann der Anteil der verschiedenen Komponenten in grossen Bereichen variieren, insbesondere können auch Belegungsschichten 5, 6, 7, 8 nur eines oder auch mehr als zwei Elemente hergestellt werden. Ausserdem kann vielfach auf den Zusatz von Additiven verzichtet werden, wenn z.B. die Lösung auf den Platten 1, 2 selbst schon gute Benetzungseigenschaften zeigt, keine Kristallisationsneigung aufweist und das mit der Lösung erzeugte Schichtgefüge nicht verändert zu werden braucht.
Wie beschrieben, enthält die in der Form eines gleichmässigen Filmes auf den Platten 1, 2 aufzubringende Lösung thermisch zersetzliche Verbindungen von Elemente. Da jede chemische Verbindung bei einer genügend hohen Temperatur zersetzt werden kann, wird unter dem Begriff "thermisch zersetzlich" gemäss der vorliegenden Erfindung verstanden, dass sich die Verbindungen im festen oder flüssigen Zustand zersetzen und die Zersetzungstemperaturen auf das verwendete Plattenmaterial abgestimmt sein müssen. Da für Flüssigkristall-Zellen 14 meist Gläser 1, 2 mit einem Erweichungspunkt von ca. 5000C - 8000C verwendet werden, müssen die Verbindungen bis zu dieser Maximaltemperatur thermisch dissoziieren.
Es kommen deshalb als Verbindungstypen insbesondere in Betracht: Nitrate, Chloride, Azetate und metallorganische Verbindungen wie Oxalate, Citrate, Stearate und Alkoxy-Verbindungen.
Als Elemente, deren Oxide farblos sind und einen relativ niedrigen Brechungsindex aufweisen, sind zu nennen: Berilium (Be), Magnesium (Mg), Kalzium (Ca), Bor (B), Aluminium (Al), Silizium (Si).
Elemente, deren Oxide farblos oder nur leicht gefärbt sind und einen höheren Brechungsindex aufweisen, sind: Antimon (Sb), Strontium (Sr), Barium (Ba), Yttrium (Y), Titan (Ti), Zirkon (Zr), Blei (Pb), Hafnium (Hf), Gallium (Ga), Indium (In), Cadmium (Cd), Zink (Zn), Zinn (Sn), Lanthan (57) sowie alle seltenen Erden von der Ordnungszahl 58 bis 71 sowie Thorium (Th) und Uran (U).
Als Lösungsmittel können praktisch alle Flüssigkeiten verwendet werden, in denen sich die Elementverbindungen in genügender Konzentration lösen. Diese können sein: Wasser, Alkohole, Ester und andere organische Lösungsmittel.
Als Verdünner kann vorteilhafterweise ein entsprechendes Lösungsmittel eingesetzt werden.
Als Additiv zur Verbesserung der Benetzungseigenschaften auf der Plattenoberfläche 11, 12 kommen sogenannte Netzmittel, aber auch Alkohole in Betracht.
Bei manchen Lösungen, insbesondere bei wässrigen Lösungen von Nitraten, oder weniger bei Azetaten, können während des Verdunstens der Lösungsmittel Kristallisationsphänomene in der Schleuderschicht beobachtet werden. Durch Zugabe von höheren Alkoholen, wie Glyzerin oder Aethylenglycol, zur Lösung können solche Kristallbildungen unterdrückt werden.
Als Additive zur Beeinflussung der Belegungsschichteigenschaften können alle jene Stoffe bezeichnet werden, die während der Bildung der Belegungsschicht deren Struktur auf atomarer bzw. molekularer Ebene verändern, ohne dass sie in der fertigen Belegungsschicht 5, 6, 7, 8 noch vorhanden sind oder in Form eines Oxids vorliegen. So kann z.B. durch Zugabe kleinster Mengen von Ammoniumverbindungen eine Belegungsschicht 5, 6, 7, 8 mikroporös hergestellt werden, wodurch die elektrochemischen Eigenschaften sehr positiv verändert werden können.
Im folgenden werden nun zwei praktische Ausführungsbeispiele der Erfindung angegeben.
1. Beispiel: Plattenmaterial: Natrium-Silikat-Glas Elektrodenmaterial: In2 O3/SnO2 Lösung für den zuvor aufzubringenden Film auf den Platten 1,2: 50 g Magnesiumazetat-Hydrat in 100 ml Wasser 1 : 1 verdünnt mit Aethanol Zugabe von 20 VolS Glyzerin Zugabe von 0.1 Vol% Netzmittel Schleudern: 3000 U/Min. 10 Sekunden Erhitzen: 4000-5000C einige Sekunden bis Minuten Die so erzielbare Belegungsschicht 5, 6, 7, 8 aus Mg(OH)2 bzw. MgO weist bei einer Dicke von ca. 1000 A einen Brechungskoeffizienten von ca. 1.5 - 1.6 auf und stellt auch eine exzellente elektrochemische Schutzschicht dar. Diese Belegungsschicht ist brauchbar zur optischen Entspiegelung von Zellen mit Flüssigkristall-Substanzen 10, die einen niedrigen Brechungsindex aufweisen.
2. Beispiel: Plattenmaterial: Natrium-Silikat-Glas Elektrodenmaterial: In203/SnO2 Lösung für den zuvor aufzubringenden Film auf den Platten 1,2: 42 g Gadolinium-Nitrat-Hydrat in Methanol (100 ml) 1 : 1 verdünnt mit Aethanol und 8 ml hydrolisierter Tetraethoxysilan Schleudern: 10 Sekunden bei 3000 U/Min.
Erhitzen: Kurze Zeit bei 300 bis 500°C..
Die erzielbare Belegungsschicht 5, 6, 7, 8 aus Gadolinium-Silikat (Gd2SiO5) hat eine Dicke von ca. 800 bis 1000 einen Brechungsindex von 1.7 - 1.8 und ist sowohl strukturell als auch elektrisch äusserst dicht. Die elektrische Durchlässigkeit kann stufenlos durch Zugabe kleinster Mengen von Glyzerin verändert werden.
Die so hergestellte Belegungsschicht 5, 6, 7, 8 ist zur optischen Entspiegelung von Flüssigkristall-Zellen 14 mit Flüssigkristall-Substanzen 10 mit relativ hohem Brechungsindex bestens geeignet und erfüllt auch alle positiven Eigenschaften einer optimalen Schutzschicht.
Da das beschriebene Verfahren sehr einfach ist und nur wenig Zeitaufwand benötigt - so kann eine fertige Belegungsschicht 5, 6, 7, 8 in weniger als einer Minute erzeugt werden -, ist es durchaus möglich, mehrere Belegungsschichten 5, 6, 7, 8 gleicher oder verschiedener Zusammensetzung nacheinander auf die Platten 1, 2 aufzubringen, was bei der Optimierung der Entspiegelung der Zellen 14 von Vorteil sein kann.
Ausserdem ist es möglich, speziell auf gewisse Probleme hin optimierte Belegungsschichten 5, 6, 7, 8 zu kombinieren.

Claims

Patentansprüche 1. Flüssigkristallzelle, bestehend aus zwei planparallelen Platten, zwischen denen sich ein mit Hilfe eines elektrischen Feldes optisch beeinflussbarer Flüssigkristall befindet und auf deren zueinanderweisenden Flächen sich mit anorganischen Schichten bedeckte Elektrodenschichten befinden, dadurch gekennzeichnet, dass als anorganische Schichten Belegungsschichten (5, 6, 7, 8).vorgesehen sind, die bei einer Wellenlänge von 590 nm einen Brechungskoeffizienten im Bereich von 1.5 bis 2.2 sowie Schichtdicken zwischen 500 OA und 2000 A aufweisen.
2. Flüssigkristallzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Belegungsschichten (5, 6, 7, 8) aus einem Oxid und/oder Hydroxid eines Elementes oder Oxidgemisches und/oder Hydroxidgemisches oder Oxid- und/oder Hydroxidverbindung mehrerer Elemente aus der Gruppe Be, Mg, Ca, B, Al, Sc, Sr, Ba, Y, Zr, Hf, Zn, Cd, Ga, In, Sn, La, Th, U, und alle Elemente von der Ordnungszahl 58 bis 71 bestehen.
3. Flüssigkristallzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Belegungsschichten (5,6,7,8) aus Mischungen von Oxiden und/oder Verbindungen des Silikattyps der Zusammensetzung Sir2+ xR bestehen, wobei R alle Oxide der Elemente des Anspruchs 2 zusätzlich Titan symbolisiert und x im Bereich von 0.01 bis 100 liegt.
4. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die die Elekvrodenschichten (3, 4) tragenden Platten (1, 2) vollständig oder teilweise mit einem dünnen Flüssig- keitsfilm einer Lösungsflüssigkeit benetzt werden, die in gelöster Form thermisch zersetzliche Verbindungen von einem oder mehrerer Elemente enthält, und dass anschliessend die Zersetzung der sich auf den Platten (1, 2) befindlichen Verbindung oder Verbindungen zum Oxid und/oder Hydroxid bzw. Oxid- und/oder Hydroxidgemisch bzw. Oxid- und/oder Hydroxidverbindung zwecks Bildung der Belegungsschichten (5, 6, 7, 8) durch Erhitzen bewirkt wird.
5. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallzelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Flüssigkeitsfilm'mit dem die Platten (1, 2) benetzt werden, nach dem Verfahren des Aufschleuderns der Lösungsflüssigkeit aufgebracht wird.
6. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallzelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Flüssigkeitsfilm, mit dem die Platten (1, 2) benetzt werden, durch Eintauchen der Platten (1, 2) in die Lösungsflüssigkeit aufgebracht wird.
7. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallzelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Flüssigkeitsfilm, mit dem die Platten (1, 2) benetzt werden, durch gleichmässiges Besprühen der Platten (1, 2) mit der Lösungsflüssigkeit aufgebracht wird.
8. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallzelle nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Zersetzung der sich auf den Platten (1, 2) befindlichen Verbindung oder Verbindungen zum Oxid und/oder Hydroxid bzw. Oxid- und/oder Hydroxidgemisch bzw. Oxid- und/oder Hydroxidverbindung mit Temperaturen zwischen 200 und 8000C bewirkt wird.
9. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallzelle nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass durch Zumischen von Amoniumverbindungen und/ oder höheren Alkoholen in die zuvor auf die Platten (1, 2) aufzubringende Flüssigkeit mikroporöse Belegungsschichten (5, 6, 7, 8) erzeugt werden.
10. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallzelle nach einem der Ansprüche 4 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Belegungsschichten (5, 6, 7, 8) nacheinander auf die Elektrodenschichten (3, 4) der Platten (1, 2) aufgebracht werden, wobei die Summe der Belegungsschichten (5; 6, 7, 8) die optische Entspiegelung gewährleistet, die zuoberst liegende Belegungsschicht (7,8) speziell im Hinblick auf einen guten Schutz vor elektrochemischen Angriffund/oder auf eine gute Orientierbarkeit, insbesondere durch Reiben,und/oder auf eine leichte Aetzbarkeit aufgebracht ist.