DE2237177A1 - HOLOGRAM - Google Patents
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Description
Canon Kabushiki Kaisha, Tokyc/JapanCanon Kabushiki Kaisha, Tokyo / Japan
"HOLOGRAMM"'"HOLOGRAM"'
Die vorliegende Erfindung besieht $A©ts auf ©In Hologramm mit · einem Interfereozmusfeer. . .. The present invention concerns $ A © ts on © In hologram with an Interfereozmusfeer. . ..
Es steht zu erwarten,-dass Ättfzeielixiimgselsaent© satt Interferenzen, d.h. Hologramm© für etie Baten^erarteitimg^ für optische Messungen raid Bildwiedo^gabe aS| isahf1 weiten Masse verwendet wird. In der Vergangenheit trardeo15dabei vo^scMedenste photoeapfindliclae Materialien uat@rsia@hfc5 das einzig praktische photoempfindlielie Material scli©ixst Jedoch die Platte mit hohem AufISsuiigsverhältnis,, tmtei» ¥«rw@ndimg einer Silber-Salzesiulsion ?,u seia» Ändere_ photoempfisiöilehe Materialien wei- -sen eine Phctowi-derstandscharakteristik auf^ Jedoofe ist das erzielbare Auflösung-sveriiältMis, die Isapfindliefdceif lind dieIt is to be expected -that Ättfzeielixiimgselsaent © full of interference, ie hologram © for etie requests ^ erarteitimg ^ for optical measurements raid image reproduction as | isahf 1 is widely used. In the past trardeo 15 was the most photo-sensitive materials uat @ rsia @ hfc 5 the only practical photosensitive material, however, the plate with a high exposure ratio, was it possible to use a silver salt emulsion ? Photo-sensitive materials have a phctowi-resistance characteristic ^ However, the achievable resolution is veriiältMis, the Isapfindlefdceif and the
Streuwirksamkeit relativ gering, so dass derartige Materialien bisher praktisch nicht verwendet worden sind. Andere photoempfindliche Materialien sind dichromatische Gelatine und thermoplastische Folien, jedoch sind die Eigenschaften dieser Materialien denen von dor Silber-Salz-Emulsion und der Photo-Widerstandsmaterialien unterlegen. Andere Materialien, beispielsweise einem Liehtzerstörungseffekt unterliegende Dielektrika,einen veränderlichen Curie-Punkt aufweisende ferromagnetische Materialien und anodisiertcf? Silizium v/erden bis zum heutigen Tag praktische nicht verwendet.Scattering effectiveness relatively low, so that such materials have not yet been used in practice. Other photosensitive materials are dichromatic gelatin and thermoplastic films, however, the properties are of these materials those of the silver-salt emulsion and inferior to the photo-resistive materials. Other materials, for example dielectrics subject to a light destruction effect, a variable Curie point comprising ferromagnetic materials and anodized cf? silicon v / ground practically not used to this day.
Mit einer Silber-Salz-Emulsion versehene Platten, , v;elche wegen ihrem hohen Auflösungsverhältnis die einzig praktischen photoempfindlichen Elemente für Hologramme darstellen, können nach Entwicklung und Fixierung einer Bleichbehandlung ausgesetzt werden und als Phasenholograirme verwendet werden. Hologranime können nämlich in Phasen- und Amplituden-Hologramme klassifiziert werden. Bei Phasenhologrammen wird die aufzuzeichnende Information in Form einer Differenz der optischen Weglänge aufgezeichnet, so dass das Hologramm gegenüber dem menschlichen Auge als gleichmässig transparent erscheint, während das Amplitudenhologramm die Information in Form der Differenz der optischen Dichte aufzeichnet. Theoretisch kann berechnet werden, dass die Brechungswirksamkeit bei einem Amplltudenhologramm maximal "J.2 fi beträgt, während bei einem Phacenhologramm dieser Viert theoretisch 100 $ betragen kann. Die praktisch verwendeten HoIo-With a silver salt emulsion provided plates, v; hich because of their high dissolution ratio, the only practical photosensitive elements for holograms represent, may be subjected to development and fixing to a bleaching treatment and used as Phasenholograirme. This is because holograms can be classified into phase and amplitude holograms. In the case of phase holograms, the information to be recorded is recorded in the form of a difference in the optical path length, so that the hologram appears to be uniformly transparent to the human eye, while the amplitude hologram records the information in the form of the difference in optical density. Theoretically it can be calculated that the refractive efficiency for an amplitude hologram is a maximum of "J.2 fi , while for a phacene hologram this fourth can theoretically be $ 100. The practically used HoIo-
gramme sind somit durchwegs Phasenhologramme. Sobald eine Silber-Salz-Emulsion zur Erzielung eines Phasenhologramms verwendet wird, ist eine Bleichbehandlung nach dem Entwickeln und Fixieren notwendig.grams are therefore all phase holograms. As soon as a Silver salt emulsion used to achieve a phase hologram is a bleaching treatment after developing and fixation necessary.
Es zejgt,sich jedoch, dass die Blelchbehandlung sehr kompliziert ist und mit dem Entwickeln und Fixieren eng ver-It turns out, however, that treatment of blood is very difficult and is closely related to developing and fixing
3 O 9 8 O 8 /O3 O 9 8 O 8 / O
knüpft ist. Falls die Bleichbehandlung automatisch durchgeführt wird, treten bei dem Endprodukt grosse Fluktu-ationen und irregelmMssige Bleichstellen auf. Der Entwicklungs-, Fixierungsund Bleichvorgang werden dabei nass durchgeführt, wobei diese einzelnen Schritte nicht leicht durchgeführt werden können. Dabei kann nachteiliger VJeise eine Schrumpfung der Emulsionsschicht auftreten. Durch diese Schrumpfung der Emulsionsschicht ergibt sich eine Verzerrung des Hologrammmusters, wodurch die aufgezeichnete Information verloren wird. Selbst wenn diese Schrumpfung sehr gleichmässig erfolgt, so ist sie trotzdem nicht wünschenswert, was wiederum zur Folge hat, dass gebleichte Silber-Salz-Emulsionen nur in beschränktem Masse verwendet v/erden können, wobei gerade bei optischen Messungen und Farbhologrammen Schwierigkeiten auftreten» Bei optischen Messungen wird nämlich die Genauigkeit dadurch verringert, während bei Farbhologrammen·eine nicht gewünschte Farbverschiebung auftritt.is linked. In case the bleaching treatment is carried out automatically large fluctuations and irregular bleaching spots occur in the end product. The development, fixation and Bleaching processes are carried out wet, and these individual steps are not easily carried out can. Shrinkage can be disadvantageous the emulsion layer occur. This shrinkage of the emulsion layer results in a distortion of the hologram pattern, thereby losing the recorded information. Even if this shrinkage occurs very evenly, so it is still not desirable, which in turn results has shown that bleached silver-salt emulsions can only be used to a limited extent, especially in the case of optical Measurements and color holograms difficulties arise »With optical measurements the accuracy is reduced by while with color holograms · an undesired color shift occurs.
V/eitere Nachteile sind die folgenden:Other disadvantages are the following:
1. Die ^mechanische Festigkeit der Emulsionsschicht ist nicht genügend gross und die Dauerhaftigkeit nicht ausreichend falls eine Berührung mit anderen Elementen notwendig erscheint. 1. The mechanical strength of the emulsion layer is not sufficiently large and the durability insufficient if contact with other elements appears necessary.
2. Eine Vervielfachung von Hologrammen kann nur schwel11 durchgeführt wer.den. 2. A multiplication of holograms can only smoldering wer.den carried out. 11
3. Da.die Emulsionsschicht wenigstens eine Dicke von 5 /U aufweist, 1st die erzielbare Packungsdichte nicht sehr gross.3. Since the emulsion layer has a thickness of at least 5 / U the achievable packing density is not very high.
4. Das Verfahren zur Herstellung des photoempfindlichen Elementes ist kompliziert und teuer.4. The method of manufacturing the photosensitive member is complicated and expensive.
800/0124800/0124
BAD ORlGjNAt,BAD ORlGjNAt,
5. Die Empfindlichkeit, die Streuwirksamkeit und das Auflösungsverhältnis sind nicht zufriedensteilend.5. The sensitivity, the scattering efficiency and the dissolution ratio are not satisfactory.
6. Das während der Bleichbehandlung aus dem Silber gebildete Silberjodin ist nicht stabil, so dass, insbesondere durch Photolyse ein Alterimgsprozess stattfindet.6. The silver iodine formed from the silver during the bleaching treatment is not stable, so that, in particular an alteration process takes place through photolysis.
7. Die Emulsionsschicht ist nicht immer gleichmässig.7. The emulsion layer is not always uniform.
8. Aufgrund von Trübungen bei dem Entwickeln ergibt sich ein gewisses Rauschen, so dass das Signal-Rausch-Verhältnis, insbesondere für optische Messungen von hoher Genauigkeit, nicht ausreichend ist.8. Due to haze in developing, results some noise, so the signal-to-noise ratio, especially for optical measurements of high Accuracy, is not enough.
Demzufolge ist das Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Hologramm zu schaffen, das diese oben genannten Nachteile nicht aufweist und das insbesondere zur Herstellung von Kopien geeignet ist.Accordingly, the aim of the present invention is to provide a hologram which has these disadvantages mentioned above does not have and which is particularly suitable for making copies.
Erfindungsgemäss v/ird dies dadurch erreicht, dass" es aus einem flislonsberelch eines photoempfindlichen Elementes gebildet ist, das aus einem, einen Photoleiter enthaltenden photoempfindlichen Emfpänger und einem photoempfindlichen Verstärker besteht, der bei Bestrahlung in den Photoleiter diffundiert, wobei diese beiden Elemente in folgender Weise angeordnet sein können: According to the invention, this is achieved in that "it consists of a flislonsberelch of a photosensitive element is formed, which consists of a photosensitive receiver containing a photoconductor and a photosensitive amplifier, which diffuses into the photoconductor when irradiated, whereby these two elements can be arranged in the following way:
a) die beiden Elemente sind in Form von übereinander angeordneten Schichten angeordnet,a) the two elements are in the form of one above the other arranged layers,
b) das eine Element ist in Form einer Schicht vorgesehen, während das andere Element in Form einer Dispersion Innerhalb des ersten Elementes vorhanden ist,b) one element is provided in the form of a layer, while the other element is present in the form of a dispersion within the first element,
3(19808/08243 (19808/0824
c) das eine Element ist in Form einer Schicht vorgesehen, während das andere Element mit der Oberfläche der zuerst genannten Schicht in Berührung gelangt, sobald eine Bestrahlung stattfindet.c) one element is provided in the form of a layer, while the other element comes into contact with the surface of the first-mentioned layer as soon as one Irradiation takes place.
Die Erfindung soll nunmehr anhand von Ausführtmgsbeispielen näher erläutert und besehrieben werden^ wobei auf die beigefügte Zeichnung Bezug genommen ist .The invention will now be based on exemplary embodiments will be explained and described in more detail ^ with reference to the attached Drawing is referred to.
Es zeigen;Show it;
Fig. 1 bis 6 photoerapfindliehe Elemente zur Erzeugung eines Hologramms gemäss der vorliegenden Erfindung^Fig. 1 to 6 photoerapfindliehe elements for generating a hologram according to the present invention ^
Pig. 7 eine schematische Ansicht des optischen Systems für die Herstellung der HologrammejPig. 7 is a schematic view of the optical system for the production of the hologramsj
Fig. 8 eine Ausführiaigsform des photoempfindlichen Elementes gemäss dez3 vorliegenden Erfindung; 8 shows an embodiment of the photosensitive element according to dec 3 of the present invention;
Fig«, 9 eine Darstellung des Belichtungsschrittes für die Herstellung eines Xnterferenzmustersj9 shows the exposure step for manufacture an interference pattern j
Fig. 10 Ms 13 sehematische Ansichten von Relief-Interferrograramen; 10 and 13 are schematic views of relief interference patterns;
Fig. 14 eine Darstellung des Beiiehtimgsschrittes für die Herstellung eines Interferenzmusterss14 is a representation of the adding step for the Creation of an interference pattern
Fig„ 15 bis 19 schematische Ansichten von Relief-Interferrograinrnen; 15 to 19 are schematic views of relief interferrogenic channels;
Fig. 20 .eine schematische Darstellung des Belichtungsschrittes für die Herstellung eines Interferenzmuste-rs;20 is a schematic representation of the exposure step for the production of an interference pattern;
- β- β
OS80©/0®-2.4
BAD ORIGINAL OS80 © / 0®-2.4
BATH ORIGINAL
Pig. 21 ein Relief-MusterPig. 21 a relief pattern
Fig. 22 eine schematische Ansicht des Belichtuncsschrittes für die Herstellung eines Interferenzmusterc;22 is a schematic view of the exposure step for making an interference patternc;
Fig. 25 und 2k schematische Ansichten von ReIief-Interferrogr aminen;FIGS. 25 and 2k are schematic views of ReIief interferrogramines;
Fig. 25 eine scheir.atische Ansicht des Belichtungsschrittes für die Herstellung eines Interferenzmusters;Fig. 25 is a schematic view of the exposure step for the production of an interference pattern;
Fig. 26 eine schematische Ansicht eines Rellef-Interferrogrammes; 26 is a schematic view of a Rellef interferrogram;
Fig. 27 eine graphische Darstellung der Abhängigkeit des Jodingehaltes von der Verschiebung des Absorbtionsendes; 27 shows a graphic representation of the dependency of the iodine content on the displacement of the absorption end;
Fig. 28 eine vergrö'sserte schematische Schnitt ansicht eines reproduzierten Elementes mit einem R-eliefmusterj28 is an enlarged schematic sectional view of a reproduced element with an R-relief pattern j
Fig. 29 eine schematische Darstellung eines optischen Systems zur Regenerierung einer Bildinformation untor Vervrendung eines reproduzierten Hologrammes;29 shows a schematic representation of an optical system for regenerating image information before use a reproduced hologram;
Fig. 30 eine Kurvendarstellung der Abhängigkeit des Ubertragungsfaktors von der V/ellenläuee mit der Belichtungszeit als Parameter;30 shows a graph showing the dependency of the transmission factor von der V / ellenläuee with the exposure time as Parameter;
Fig. 31 eine schematische Darstellung eines optischen für die Durchführung einer Realzeitholographie;31 shows a schematic representation of an optical for performing real-time holography;
Fig. 32 "eine photographische Darstellung eines Interferenz rauster s, undFig. 32 "is a photographic representation of an interference rauster s, and
- 7 -309303/082/,- 7 -309303 / 082 /,
>,>!-,< ^K) QA& BAD ORIGINAL>,>! -, <^ K) QA & BAD ORIGINAL
Pig· 33 eine schematische Darstellung eines optischen Systems für ein Furier-Ubertragungsholograrnm.Pig · 33 is a schematic representation of an optical system for a Furier transmission hologram.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird ein photοempfindliches Element verwendet, das aus einem, mit einem Photolei-' ter versehenen, photoempfindlichen Empfänger und einem photoempfindlichen Verstärker besteht, welche unter aktinischer · Strahlung eine gegenseitige Diffusion mit dem Photoleiter durchführt, wodurch sich eine Differenz der optischen Dichte des Brechungsindexes oder des Reflektionsfaktors bzw. Kombinationen dieser Parameter zwischen dem diffundierten Teil und dem nicht diffundierten Teil ergibt. Der photoempfindliche Empfänger steht dabei in Berührung mit dem photoempfindlichen Verstärker. Das photoempfindliche Element wird durch toherente, aktinische Strahlung bestrahlt, Vielehe eine Bildinformation in Form eines Interferenzmusters enthält, welches der Bildinformation entspricht. Dieses Interferenzmuster wird durch die Differenz der optischen Dichte des Brechungsindexes des Reflektionsfaktors oder Kombination dieser Parameter zwischen dem belichteten Teil und dem nicht belichteten Teil erreicht, wodurch sich ein Hologramm ergibt.In the context of the present invention, a photosensitive Element used, which is provided with a photoconductor, photosensitive receiver and a photosensitive Amplifier consists, which under actinic · radiation a mutual diffusion with the photoconductor performs, whereby there is a difference in the optical density of the refractive index or the reflection factor or combinations this parameter results between the diffused part and the undiffused part. The photosensitive one The receiver is in contact with the photosensitive amplifier. The photosensitive element is through toherent, actinic radiation irradiates, polygamy an image information in the form of an interference pattern which corresponds to the image information. This interference pattern will by the difference in the optical density of the refractive index of the reflection factor or combination of these parameters between the exposed part and the unexposed part reached, resulting in a hologram.
Durch die aktlnische Strahlung ergibt sich in dem phötoempfiudlichen Empfänger eine ^gegenseitige Diffusion bzvr. gegenseitige Reaktion zwischen dem photoempfindlichen Empfänger und dem photoempfendlichen Verstärker. Der photoempfindliche Verstärker bewirkt in Verbindimg mit dem photoempfindlichen Empfänger eine Sensitlyierung dec photoempfindlichen Elementes in verschiedener Weise. Der photoempfindliche Verstärker steht dabei in Berührung mj t dem photoempfindlichen Empfänger und erhält einen Teil der aktlnischon Strahlungsenergie, so dass der photοempfindliche Verstärker bei der Belichtung eine erhebliche Bedeutung aufweist. Die cegenseitige Diffusion innerhalb des photoernpf-ind— liehen Elementen durch die aktinische Strahlung ist innerhalb •dos yjhotoernpfindl i chen Empfängers und des photoeinp final ichenThe actual radiation results in the photo-sensitive Recipients a ^ mutual diffusion or mutual reaction between the photosensitive receiver and the photosensitive Amplifier. The photosensitive amplifier, in conjunction with the photosensitive receiver, effects a Sensitization of the photosensitive element in different Way. The photosensitive amplifier is in contact with the photosensitive receiver and receives a part the aktlnischon radiant energy, so that the photosensitive Amplifier has a significant role in exposure. The mutual diffusion within the photoref-ind— borrowed elements by actinic radiation is within • The photo sensitive recipient and the photo input final
309308/0824 - ß - 309308/0824 - ß -
Verstärkers sowohl in physikalischer wie auch chemischer Hinsicht unterschiedlich. Der einer Diffusion ausgesetzte Teil dient dabei zur Ausbildung des Interferenzmusters eines Hologramms. Der Unterschied der optischen Dichte des Brechungeindexes und des Reflektionsfaktors zwischen dem, einer Diffusion ausgesetzten,Teil und dem ursprünglichen photoempfindlichen Material kann für die Ausbildung des Hologrnnrnes direkt verwendet werden. Bei der Herstellung eines Relief-Interferrogrammes kann dieser Unterschied für dac Hologramm unabhängig von Unterschieden der physikalischen Eigenschaften verwendet werden.Amplifier both physically and chemically different. The part exposed to diffusion serves to form the interference pattern of a hologram. The difference in the optical density of the refractive index and the reflection factor between that of a diffusion exposed, part and the original photosensitive Material can be used for the formation of the holographic number directly be used. When creating a relief interferrogram this difference can be used for dac hologram regardless of differences in physical properties will.
Der photoempfindliche Empfänger enthält einen Photoleiter. Entsprechende-Photoleiter sind dabei Chalkogenglas, organisches Glas oder organische Kristalle, mit einer Photoleitfähigkeit, wobei die Glasübergangstemperatur nicht höher als ungefähr 400°C ist. Keine Übergangstemperatur aufweisende Kristalle mit Metallverbindungen, beispielsweise PbIp können im Rahmen der vorliegenden Erfindung ebenfalls verwendet werden, solange die.verwendeten Materialien gegenüber den Metall enthaltenden Kristalbn eine gegenseitige* Diffusion aufweisen. The photosensitive receiver contains a photoconductor. Corresponding photoconductors are chalcogen glass, organic Glass or organic crystals, with a photoconductivity, the glass transition temperature being not higher than is about 400 ° C. Crystals having no transition temperature with metal compounds, for example PbIp, can can also be used in the context of the present invention as long as the materials used compared to the Metal-containing crystals have a mutual * diffusion.
Chalkogenglas ist ein amorphes Matei'ial mit wenigstens einen Element der Schwefelgruppe (S, Se, Te) als Hauptkomponente. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung können r.omit folgende Chalkogenglase. verwendet v/erden:Chalcogen glass is an amorphous material with at least one Element of the sulfur group (S, Se, Te) as the main component. In the context of the present invention, the following can be used Chalcogen glasses. uses v / earth:
einfache Glassorten, beispielsv;eise Se oder S Glac; binäre ChalkogenglasGortcn, beispielsweise As-S, As-Te, As-Se, S-Si, Se-S, Se-Te, Sb-Se, Sb-Te, Bi-Se, Di-S, Ge-S, Bi-Te und ähnliche Systeme; ternüre Chalkogenglase, beispielsweise Ac-S-To, As-Se-Te,, Sb-Ar-S, Ar-S-So, An-S-Gc, S-Se-Go, Ac-Se-Go und Hhnliche Systeme; quarternary Chalkogengl a:;e, beispielsweise As-S-Se-Te, As-S-Se-Gc und ähnliche Systeme.simple types of glass, for example Se or S Glac; binary Chalcogen glass Gortcn, for example As-S, As-Te, As-Se, S-Si, Se-S, Se-Te, Sb-Se, Sb-Te, Bi-Se, Di-S, Ge-S, Bi-Te and the like Systems; ternure chalcogen glasses, for example Ac-S-To, As-Se-Te ,, Sb-Ar-S, Ar-S-So, An-S-Gc, S-Se-Go, Ac-Se-Go, and the like Systems; quarternary chalcogengl a:; e, for example As-S-Se-Te, As-S-Se-Gc and similar systems.
309808/0824309808/0824
BADBATH
Andere verwendbare Chalkogenglassorten sind Mischungen der oben genannten Chalkogenglassysteme, wobei eine oder mehrere der folgenden Elemente zugefügt werden können: Halogene, Thalium, Kupfer, Silber, Cadmium, Blei, Alkalimetalle, beispielsweise Na, K oder ähnliche, Alkalierdmetalle, beispielsweise Ca, Sr und ähnliehe, Elemente der Gruppe IVb des periodischen Systems, beispielsweise Si, Ge Und ähnliche, seltene Erden der Lanthanumart, beispielsweise Elemente wie Eu, Sm und ähnliche, seltene Erden der aktinischen Art, beispielsweise U und ähnliche. Glasähnliche Materialien sind Materialien mjt einer Glasübergangstemperatur, wobei diese Materialien beispielsweise ein Krystellitmaterial enthalten können.Other types of chalcogen glasses that can be used are mixtures of the above called chalcogen glass systems, one or more of the following Elements can be added: halogens, thalium, copper, silver, cadmium, lead, alkali metals, e.g. Na, K or similar alkaline earth metals, for example Ca, Sr and similar, elements of group IVb of the periodic table, e.g. Si, Ge and similar, rare earths of the lanthanum species, for example elements such as Eu, Sm and similar actinic rare earths such as U and the like. Glass-like materials are materials with a glass transition temperature, which materials can contain, for example, a crystallite material.
Eine Photoleitfähigkeit aufweisende organische Materialien können Vinylcarbazon halogenisierte's Poly-l»vinylcarbaaolaminopolyphenyl N,N,Nr,N{ -tetrabenzyl-p-phenylenediamin, 4-4°-bis-dimethyl- -aminobenzophenol, diphenylrnethan Farbkörper mit einer Leukobasis,Triphenylmethan Parbkörper mit einer Leukobasis Poly Vinyl Anthrathen Poly-2-vinyl Dibenzol-thiophen und Hhnliche Materialien sein. Photoleit.fähige organische Materialien werden im allgemeinen zusammen mit Sensitivierern vem-jendet. Als Sensitivierer können Farbstoffsensit!vierer und elektronenaktive Verbindungen erwähnt werden.Organic materials exhibiting photoconductivity can be vinyl carbazone halogenated poly-vinylcarbaaolaminopolyphenyl N, N, N r , N { -tetrabenzyl-p-phenylenediamine, 4-4 ° -bis-dimethyl- aminobenzophenol, diphenyl methane, leuco-based color bodies, triphenylmethane parbene diamine be a leuco-based poly vinyl anthrathene poly-2-vinyl dibenzene-thiophene and similar materials. Photoconductive organic materials are generally used together with sensitizers. Dye-sensitive and electron-active compounds can be mentioned as sensitizers.
Beispiele von derartigen Parbstoffsensitivierern sind folgende:Examples of such paraffin sensitizers are as follows:
1. DlcarbazylRiethan oder Tricarbazyln\ethan,mit der folgenden Formel1. DlcarbazylRiethan or Tricarbazyln \ ethane, with the following formula
- 10- 10
309 803/0824309 803/0824
wobei R, ein Acryl, beispielsweise Phenyl, halopiensubstitu.-iertes Phenyl, Nitrophenyl, Dlalkylaminophenyl, Alkoxyphenyl, Carbazolreste, substituierte Carbazolreste und 'ähnliches sein können, Rp und R, sind entweder gleich oder unclßich", Viasserstoff und/oder C1-Cg Alkyle; Rj. und Rr sind entweder gleich oder ungleich Wasserstoff C1-Cj, Alkyle, C,-Cj, "Alkoxy, Halo Nitro und/oder Dialkylamino Bestandteile und X" ist ein Anion.where R, an acrylic, for example phenyl, halogen-substituted phenyl, nitrophenyl, di-alkylaminophenyl, alkoxyphenyl, carbazole radicals, substituted carbazole radicals and the like, Rp and R, are either the same or different ", hydrogen and / or C 1 -Cg Alkyls; Rj. And R r are either identical or different from hydrogen, C 1 -Cj, alkyls, C 1 -Cj, "alkoxy, halo nitro and / or dialkylamino constituents and X" is an anion.
2. Cyaninfarbstoff mit der folgenden Formel2. Cyanine dye having the following formula
CHx CH, \ / 3 CH x CH, \ / 3
X -X -
wobei X eine Nitrogruppe oder ein 1-2 Halogen ist, R ist ein Alkyl und nicht höher als C-, ?; A ist ein Stoff wie -(CH-CH)-CH= wobei η ein? ganze Zahl zwischen 0 und 2 ist, -CH=C-CH-where X is a nitro group or a 1-2 halogen, R is an alkyl and not higher than C- ,? ; A is a substance like - (CH-CH) -CH = where η is a? is an integer between 0 and 2, -CH = C-CH-
J.J.
bzw.respectively.
-CH=CH-C=CH-CH=-CH = CH-C = CH-CH =
wobei R' ein niedrices Allyl von C.-Cj, ist, und B ein Anionwhere R 'is a lower allyl of C.-Cj, and B is an anion
ist.is.
- 11 -- 11 -
309808/0824309808/0824
j5. Dialkylaminostyryl Farbkörper der Formelj5. Dialkylaminostyryl pigment of the formula
(OH-CII)(OH-CII)
R-* Rr? Ri-rR- * Rr? Ri-r
I3 Λ/ 'I 3 Λ / '
wobei A ein Stoff wie -N-, -0-, -S-, -Se-, -C- or -CH=CH-,where A is a substance like -N-, -0-, -S-, -Se-, -C- or -CH = CH-,
Wasserstoff oder ein niedriges Alkyl und R einIs hydrogen or lower alkyl and R is
wobeiwhereby
Wasserstoff oder ein niedriges Alkyl ist; B und C sind gleich oder ungleich Methin," substituiertes Menthin oder Stickstoff, falls Kohlenstoff, Wasserstoff oder ein AkylIs hydrogen or lower alkyl; B and C are identical or different to methine, "substituted menthine or" Nitrogen, if carbon, hydrogen or an alkyl
an dem B und C angehängt ist,·to which B and C are appended,
undand
sind gleich oderare the same or
verschieden Wasserstoff, Halogen, beisplelsvreise Cl, Br und I, NO2, COOR^, wobei Rg ein niedrigeres Alkyl ist; R1 und Rp zusammen können einen Benzolring bilden, falls jedoch B und C Kohlenstoff ist, dann ist R1=R2=H und ein Benzolring mit R. und R2 ausgeschlossen; R, ist ein Alkyl von nicht höher als C,?; Γκ und Rr sind gleich oder ungleich niedrige Alkyle von nicht mehr als C1^X ist ein Anion und η ist eine ganze Zahl von 1 oder 2.different hydrogen, halogen, for example Cl, Br and I, NO 2 , COOR ^, where Rg is a lower alkyl; R 1 and Rp together can form a benzene ring, but if B and C is carbon, then R 1 = R 2 = H and a benzene ring with R and R 2 is excluded; R, is an alkyl of not higher than C ,? ; Γκ and R r are equal or different lower alkyls of not more than C 1 ^ X is an anion and η is an integer of 1 or 2.
K. Brilliant-Blau", Viktoria-Blau B, Methyl-Violett, Kristall-Violett, RhodaniiD B, Rhodamin Extra und ähnliche Stoffe. K. Brilliant Blue ", Victoria Blue B, Methyl Violet, Crystal Violet, RhodaniiD B, Rhodamine Extra and similar substances.
Als elektronen^ktive Verbindungen ceien 2,4,7-trinitrofluorenon, 2,4-,5,7-tetranitrofluorenon, 2-chlorantrachinon, Halogenide, beispielsweise Tetrabronimethan, Chlortribrommethan, Jodoform, Hexabromothan und ähnliche Stoffe erwähnt. Als kristallinesAs electron ^ active compounds are 2,4,7-trinitrofluorenone, 2,4-, 5,7-tetranitrofluorenone, 2-chlorantraquinone, halides, for example tetrabronimethane, chlorotribromomethane, iodoform, Hexabromothane and similar substances mentioned. As crystalline
309808/08? A - I;> ~309808/08? A - I;> ~
BAD ORIGINALBATH ORIGINAL
Material mit keiner Glasübergangstemperatur seien Oxide, Halogenide, Sulfide, Selenide, Arsenide, Telluride und intermetallische Verbindungen von Cu, Zn, Cd, Hg, Ga, In, Tl, Pb, Sn, Sb und Bi erwähnt. Beispiele derartiger Materialien sind CuI, PbI0, PbCl2, CdCl2, CuCl, SbI3, PbS, CdS, ZnS, PbSe,. CdTe, GaAs, InAs, ZnO und InSb erwähnt.Materials with no glass transition temperature are oxides, halides, sulfides, selenides, arsenides, tellurides and intermetallic compounds of Cu, Zn, Cd, Hg, Ga, In, Tl, Pb, Sn, Sb and Bi. Examples of such materials are CuI, PbI 0 , PbCl 2 , CdCl 2 , CuCl, SbI 3 , PbS, CdS, ZnS, PbSe ,. CdTe, GaAs, InAs, ZnO and InSb mentioned.
Der photoempfindliche Verstärker ist ein Material das mit dem photoempfindlichen Empfänger reagiert und in denselben eindiffur.diert. Entsprechende photoernpfindliche Verstärkermaterialien sind metallische feste Materialien, Verbindungen welche bei der Zersetzung metallische Materialien bilden, flüssige Materialien oder fein ver-tellte Materialien innerhalb einer Flüssigkeit, sowie gasförmige Materialien. Beispiele von metallischen Materialien sind Metalle wie Ag, Zn, Cd. Mn, Ga, Ni, Cr. Cu, In, Bi,Sn und Tl, sowie Legierungen mit den oben erwähnten Metallen und verschiedene Materialien, welche diese Metalle bzw. Metallionen bei Zersetzung bilden. Ferner können in dem Zusammenhang Halbleitermaterialien wie Sl oder Ge, ferner intermetallische Verbindungen wie Ga-As und In-Sb, HaIogenelernente, Halogenionen, Semimetalle der Gruppe V des periodischen Systems beispielsweise As, Sb und ähnliche, Chalkogenelemente wie S, Se und Te erwähnt v/erden.The photosensitive amplifier is a material that works with the photosensitive receiver reacts and diffuses into the same. Corresponding photo-sensitive amplifier materials are metallic solid materials, compounds which During decomposition, metallic materials form, liquid materials or finely adjusted materials within a Liquid, as well as gaseous materials. Examples of metallic Materials are metals such as Ag, Zn, Cd. Mn, Ga, Ni, Cr. Cu, In, Bi, Sn and Tl, as well as alloys with those mentioned above Metals and various materials which these metals or metal ions form when they decompose. Furthermore, in the context of semiconductor materials such as Sl or Ge, also intermetallic compounds such as Ga-As and In-Sb, halogen elements, Halogen ions, semimetals of group V of the periodic Systems for example As, Sb and similar, chalcogen elements such as S, Se and Te are mentioned.
Besonders wirksame photoempfindlicho Verstarkerriaterialien sind Ag, Cu oder Legierungen mit wenigstens einer dieser Komponenten. Bei Legierungen sind solche \ >r?.uziehen, welche einen niedrigen Schmelzpunkt aufweisen. In dienern Zusammenhang seien folgende Legierungen erwähnt:Particularly effective photosensitive enhancer materials are Ag, Cu or alloys with at least one of these components. In the case of alloys, those are to be removed have a low melting point. The following alloys should be mentioned in this context:
Ag-Bi (Bi nicht weniger als 80^)Ag-Bi (Bi not less than 80 ^)
Ag-Cd (Cd nicht weniger als 95$)Ag-Cd (Cd not less than $ 95)
Ag-Ga (Ga" nicht weniger als 55 ^)Ag-Ga (Ga "not less than 55 ^)
"Ag-Hg (Hg 90-9.^')"Ag-Hg (Hg 90-9. ^ ')
-- 1 309008/08 2 4- 1 309008/08 2 4
Ag-In (in nicht weniger als 70$)Ag-In (in no less than $ 70)
Ag-Li (Li nicht weniger als 9$)Ag-Li (Li not less than $ 9)
Ag-Pb (Pb nicht weniger als 93$)Ag-Pb (Pb not less than $ 93)
Ag-Te (Te 62-86$)Ag-Te (Te 62-86 $)
Ag-Tl (Tl nicht weniger als 92$)Ag-Tl (Tl not less than $ 92)
Cu-Ga (Ga nicht weniger als 87$)Cu-Ga (Ga not less than $ 87)
Cu-Hg (Hg nicht weniger als 95$)Cu-Hg (Hg not less than $ 95)
Cu-In (in nicht weniger' als 95$)Cu-In (in no less than $ 95)
Cu-Sn (Sn nicht weniger als 93$)Cu-Sn (Sn not less than $ 93)
Cu-Te (Te 78-86$)Cu-Te (Te 78-86 $)
Eine Ausführungsfora des photoempfindlichen Elementes gemäss der vorliegenden Erfindung weist zwei Elemente auf, die in Form von übereinander angeordneten Schichten vorhanden sind. Diese Ausführungsform ist in den Figuren 1 und 2 dargestellt.An embodiment of the photosensitive element according to of the present invention has two elements which are in the form of superposed layers. This embodiment is shown in FIGS.
Fig. 1 zeigt ein photoempfindliches Element, welches an einem Träger 2, einer auf dem Träger 2 angeordneten photoempfindlichen Empfängerschicht 1 und einer auf der photoempfindlichen Emjfängerschicht 1 aufgebrachten photoempfindlichen Verstärkerschicht 3 besteht. Bei der in Fig. 2 dargestellten Ausführungsforra besteht das photoempfindliche Element aus einem Träger 2, einer auf dem Träger 2 angeordneten photoempfindlichen Verstärkerschicht 3 und einer auf der photoempfindlichen Verstärkerschicht 3 aufgebrachten photoempfindlichen Empfängerschicht 1.1 shows a photosensitive element which consists of a carrier 2, a photosensitive receiver layer 1 arranged on the carrier 2 and a photosensitive intensifier layer 3 applied to the photosensitive receiver layer 1. In the embodiment shown in FIG. 2, the photosensitive element consists of a carrier 2, a photosensitive intensifying layer 3 arranged on the carrier 2 and a photosensitive receiving layer 1 applied to the photosensitive intensifying layer 3.
Bei dgn in den Fig. 3 und h dargestellten Ausführungsformen besteht das photοempfindliche Element aus einem Träger auf welchem die beiden photoerapfindlichen Elemente angebracht sind. Bei der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform ist eine Träger schicht 2 vorgesehen, auf welcher eine photoempfindliche Empfängerschicht 1 aufgebracht ist. Innerhalb die'ser photoempfindliehen Empfängerschicht 1 sind kleine Teilchen 3 eines photoeinpflndlichen Verstärkers angeordnet. Bei der in Fig. 4 dargestellten Ausführungsform weist das photoempfindliche ElementIn DGN in Figs. 3 and illustrated embodiments h photοempfindliche the element consists of a carrier on which the two elements are mounted photoerapfindlichen. In the embodiment shown in Fig. 3, a carrier layer 2 is provided on which a photosensitive receiver layer 1 is applied. Small particles 3 of a photo-sensitive amplifier are arranged within this photosensitive receiver layer 1. In the embodiment shown in FIG. 4, the photosensitive element
309808/0824309808/0824
- lh -- lh -
BAD ORrGlNAL .BAD ORrGlNAL.
hingegen eine Trägerschicht 2 auf, auf welcher eine Schicht ; eines photoempfindlichan Verstärkers 3 aufgebracht ist. Innerhalb dieser Schicht eines photoempfindlichen Verstärkers 3 sind in feinverteilter Form Teilchen des photoempfindlichen Empfängers 1 angeordnet.on the other hand, a carrier layer 2 on which a layer ; a photosensitive to amplifier 3 is applied. Particles of the photosensitive receiver 1 are arranged in finely divided form within this layer of a photosensitive intensifier 3.
Bei einer weiteren Ausführungsform des photoempfindlichen Elements ist das eine photoempfindliche Element in Form cJner Schicht vorgesehen, während das andere Element mit der Oberfläche dieser Schicht in Berührung gelangt, sobald eine Belichtung mit dem Interferenzmuster stattfindet. Diese Ausführungsform 1st in den Fig. 5 und 6 gezeigt..Fig. 5 zeigt ein photoempfindliches Element, welches aus einem Träger 2 und einer Schicht einen photoempfindlichon Empfängers 1 besteht. Der photoempfindliche Verstärker ist nicht gezeigt, jedoch wird derselbe in gasförmiger oder flüssiger Form bzw. in Form einer dünnen Schicht miVder Schicht 1 bei der Belichtung oder kurz danach in Berührung gebracht, so dass eich das gewünschte Interferenzmuster ergibt. Fig. 6 zeigt ein photoempfindliches Element, welches aus einem Träger 2 und einer Schicht eines photoenpfindlichen Verstärkers J> besteht. Der photoempfindliche Empfänger ist nicht gezeigt, Jedooh wird derselbe in Form einer. Gases oder einer Flüssigkeit bzw. einer dünnen Schicht,bei der oder kurz nach der Belichtung in Berührung mit der Schicht 3 gebracht, no dass sie ebenfalls das gewünschte Interferenzrr.ustor ergibt.In a further embodiment of the photosensitive element, one photosensitive element is provided in the form of a layer, while the other element comes into contact with the surface of this layer as soon as an exposure with the interference pattern takes place. This embodiment is shown in Figs. 5 shows a photosensitive element which consists of a carrier 2 and a layer of a photosensitive receiver 1. The photosensitive amplifier is not shown, but it is brought into contact in gaseous or liquid form or in the form of a thin layer with layer 1 during exposure or shortly afterwards, so that the desired interference pattern is obtained. 6 shows a photosensitive element which consists of a carrier 2 and a layer of a photosensitive amplifier J> . The photosensitive receiver is not shown, Jedooh will be the same in the form of a. Gas or a liquid or a thin layer, brought into contact with the layer 3 during or shortly after the exposure, so that it also gives the desired interference rr.ustor.
Im Hinblick auf die in den Fig. 1 bis & dargestellten Ausfilhrungsformen sei erwähnt, dacc die Dicken -Tor beiden Schich ten gewöhnlich zwischen 10 η αχ und einem 1 mm vorzugsweise zwischen 10 m λι und 30 M liegen, die Dicke kann jedoch ebonfalle grosser als die oben angegebenen V/orte se:in. Di0 in den Fig. 1 bis 6 dargestellten Ausführungsfor^en könnenWith regard to the embodiments shown in FIGS. 1 to &, it should be mentioned that the thicknesses of the two layers are usually between 10 η αχ and 1 mm, preferably between 10 m λι and 30 M , but the thickness can be greater than ebon trap the locations given above: in. Di 0 ^ s can in FIGS. 1 to 6 shown Ausführungsfor
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309808/0824 BAD'" ■!^^'°"·'309808/0824 BAD '"■ ! ^^'°" · '
ebenfalls ohne Träger verwendet werden, damit sich das gewünschte Interferenzmuster ergibt. In diesem Fall ist die Dicke des · photoempfindliehen Empfängers bzw. des photoempfindlichen Verstärkers nicht kleiner.als lOyU, damit sich die notwendige Festigkeit der Schicht ergibt. Bei den in Fig. 1 und 2 dargestellten Ausführungsformen liegt die Dicke der· Schicht des photoempfindlichen Empfängers vorzugsweise zwischen 30 m/u und 3/Uj während die Dicke des photoempfindlichen Verstärkers im Hinblick auf das Auflösungsvermögen zwischen 10 mM und 0.2 /u liegt.can also be used without a carrier, so that the desired interference pattern results. In this case the thickness of the photosensitive receiver or of the photosensitive amplifier is not less than 10 yU, so that the necessary strength of the layer results. In the embodiments shown in FIGS. 1 and 2, the thickness of the layer of the photosensitive receiver is preferably between 30 m / u and 3 / u, while the thickness of the photosensitive amplifier is between 10 mM and 0.2 / u with regard to the resolution.
Als Träger kann im Rahmen der vorliegenden Erfindung Glas, keramische Stoffe, Kristalle, Metalle,. Halbleiter, Harze, organische Filme, Papier, Gewebe und zusammengesetztes Material verwendet werden. Jede Schicht des photoempfindlichen Empfängers und des photoempfindlichen Verstärkers kann in konventioneller -Weise, beispielsweise durch Dampfbeschichtmig im Vakuum durch Aufsprühen, durch Schmelzbeschichtung oder ähnliche Verfahren hergestellt werden. Bei dicken Schichten kann die Herstellung ebenfalls durch Abschneiden , Polieren oder ähnliches erfolgen. Die Schicht des photoempfindiichen Empfängers mit darin dispersiert angeordneten Teilchen eines photoempfindlichen Verstärkers gemäss Fig* 3 kann da-, durch hergestellt werden, dass ein photoeir.pfindlicher Empfänger mit Teilchen eines photoempfindiichen Verstärkers in Form einer Schicht; auf dem Träger aufgeschmolzen wird, oder dass ein dünner Film oder Teilchen eines photoempfindlichen Empfängers gloj chm-isGic auf den Träger aufgebracht* wird, worauf der photoGfiipfindliche Empfänger zum Schmelzen ίςβ^αοί^ wird. Bei einem derartigen photοempfindlichon Element beträgt der Anteil den photoempfindlJenen Verstärkers in etwa 0.01 bis 5 Gew.-^ dos photoempfindlichen Empfängern» ·-In the context of the present invention, glass, ceramic materials, crystals, metals ,. Semiconductors, resins, organic films, paper, fabrics, and composite materials be used. Every layer of photosensitive Receiver and the photosensitive amplifier can be in conventional way, for example by steam coating in a vacuum by spraying, by melt coating or similar processes can be produced. With thick layers can also be made by cutting, polishing or the like. The layer of photosensitive Receiver with particles of a photosensitive amplifier according to FIG. 3 arranged dispersed therein can there- be made by that a photoeir.sensitive recipient with particles of a photosensitive enhancer in the form of a layer; is melted on the carrier, or that a thin one Film or particles of a photosensitive receiver glojchm-isGic is applied to the support *, whereupon the photo-sensitive Receiver for melting ίςβ ^ αοί ^ becomes. at such a photosensitive element is the proportion the photosensitive amplifier in about 0.01 to 5 Weight .- ^ dos photosensitive receivers »· -
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O 9 8 C a / O 8 2 /, BAD OBKO 9 8 C a / O 8 2 /, BAD OBK
Eine Schicht eines photoempfindlichen Verstärkers mit Teilchen eines photoempfindlichen EmpfMngers gemäss Pig. 4 kann derart hergestellt werden, dass ein photoenipfindlicher Verstärker mit Teilchen eines photoempfindlichen Empfängers auf dem Träger in Form einer Schicht zum Schmelzen gebracht wird, oder dass ein dünner Film oder Teilchen"eines photoempfindlichen Verstärkers auf Teilchen des photoempfindlichen Empfängers gelegt werden, welche gleichmässig auf dem Träger aufgelegt worden sind, worauf der photoempfind1.!ehe Verstärker zum Schmelzen gebracht wird. Bei einer derartigen AusfUhrungsform beträgt der Anteil den photoempfindlichen Verstärkers vorzugsweise 1 bin xO Gew.-# des photoempfEndlichen Empfängers. Als photoempfindlicher Verstärker wird dabei vorzugsweise ein Metall mit niedrigem Schmelzpunkt verwendet. Die folgende Tabelle gibt in Form eines Beispiels derartige Metalle mit niedrigem Schmelzpunkt an.A layer of a photosensitive amplifier with particles of a photosensitive receiver according to Pig. 4 can be produced in such a way that a photosensitive amplifier with particles of a photosensitive receiver is melted on the support in the form of a layer, or that a thin film or particles "of a photosensitive amplifier are placed on particles of the photosensitive receiver which are uniformly on the carriers have been placed, the photoempfind 1 followed.! before is brought amplifier to melt. In such an embodiment the proportion of the photosensitive amplifier preferably 1 bin xO wt .- # of the photoreceiver finite receiver. As a photo sensitive amplifier is preferably doing a metal with a low The following table gives, by way of example, such low melting point metals.
Legierungszusammensetzung Schmelzpunkt ( C.)Alloy Composition Melting Point (C.)
Bi (44.7) Pb (22.6) Sn (8.J) Cd (5O) In (19.1) 46.7Bi (44.7) Pb (22.6) Sn (8.J) Cd (5O) In (19.1) 46.7
Bi (35.6) Pb (49.1) Hg ( 15.5) 106Bi (35.6) Pb (49.1) Hg (15.5) 106
Bi (50.0) Fb (26.7) Sn (13-3) Cd (10.O) 70Bi (50.0) Fb (26.7) Sn (13-3) Cd (10.O) 70
In (40) Ga (6o) * 60In (40) Ga (6o) * 60
Bi (48.0) Pb ( 28.5) Sn (14.5) Sb (Q.0) 227Bi (48.0) Pb (28.5) Sn (14.5) Sb (Q.0) 227
Bi (56.0) Sn (40.0) 2n (4.0) lOOBi (56.0) Sn (40.0) 2n (4.0) 100
Bi (53.9) Pb (42.U) Sb ( 4.0) I58Bi (53.9) Pb (42.U) Sb (4.0) I58
Sn (73-5) Cd (24.5) Zn (2.0 ' 16?Sn (73-5) Cd (24.5) Zn (2.0 '16?
Sn (71.0) Zn (9.0) 199Sn (71.0) Zn (9.0) 199
- 17 309&Q8/0S24 - 17 309 & Q8 / 0S24
Sn (98.O) Mn (2.0) 200Sn (98.O) Mn (2.0) 200
Sn (96.5) Ag 0.5) 221Sn (96.5) Ag 0.5) 221
Pb (87.5) Sb (12.5) 247Pb (87.5) Sb (12.5) 247
Pb (82.5) Cd (17.5) 248Pb (82.5) Cd (17.5) 248
Ag (20) Bi (80) . 390Ag (20) Bi (80). 390
Ag (5 ) Cd (95) . * 1IOOAg (5) Cd (95). * 1 100
Ag (37) Ca .(β?) ■ 375Ag (37) Ca. (Β?) ■ 375
Ag (5) Hg (95) . 330Ag (5) Hg (95). 330
Ag (30) In (70)- ·.Ag (30) In (70) - ·.
Ag (91) Li (9)Ag (91) Li (9)
Ag (7) Pb (93) 2IOOAg (7) Pb (93) 2 100
Ag (29.4) Te (70.6) . 351Ag (29.4) Te (70.6). 351
Ag (1.5)'Te (98.5) ■ .291Ag (1.5) 'Te (98.5) ■ .291
Cu (13) Ga (87) 400Cu (13) Ga (87) 400
Cu (2) Hg (98)- 200Cu (2) Hg (98) - 200
Cu (5) ϊώ (95) . . 4ooCu (5) ϊώ (95). . 4oo
Cu (7) Sn (93) 400Cu (7) Sn (93) 400
Cu (16) Te (84) 340Cu (16) Te (84) 340
Ge (5) Sn (95) 400Ge (5) Sn (95) 400
Mg (2.-2) Pb (97.8) * 258Mg (2.-2) Pb (97.8) * 258
Mg (2) Sn (98) . 200Mg (2) Sn (98). 200
Ni (1) Sn.(99) 400Ni (1) Sn. (99) 400
Teilchen eines photoasnpfindlichen Empfängers und eines photoempfindlichen Verstärkers können durch Versprühung von geschmolzenem Material durch Zerstossan beispielsweise in einer Vibrationsmühle^ einer Ballmühle oder einem Mörser s oder durch chemische Niederschlagung hergestellt werden»Particles of a photoasnpfindlichen receiver and a photo sensitive amplifier may be sprayed molten material through Zerstossan example, in a vibration mill ^ a ball mill or a mortar s or produced by chemical deposition "
Im Hinblick auf das photoempfindliche Element gemäss Figo kann der flüssige photoempfindliche Verstärker in geschmolzener Form aufgebracht werden» In diesem Fall werden zweck-With regard to the photosensitive element according to FIG the liquid photosensitive enhancer can be melted in Shape are applied »In this case, purposeful
mässigerweise Metallegierungen mit einem niedrigen Schmelzpunkt entsprechend der Tabelle verwendet. Es können jedoch ebenfalls gasförmige photoempfindliche Verstärker zur Beaufschlagung der photoempfindlichen Empfängerschicht verwendet werden, wobei in diesem Fall eine Dampfbeaufschlagung im Vakuum gleichzeitig mit der Belichtung erfolgt.moderate metal alloys with a low melting point used according to the table. However, gaseous photosensitive amplifiers can also be used for exposure of the photosensitive receiver layer can be used, in which case steam is applied takes place in a vacuum at the same time as the exposure.
Im Hinblick auf die in Fig. 6 dargestellte Ausfiihrungsform sei erwähnt, dass der flüssige bzw. gasförmige photoempfindliche Empfänger in gleicher Woine aufgebracht vjerden kann, wie der flüssige oder gasförmige photoempfindliche Verstärker, wie bej der in Fig. 5 dargestellten Ausführungsform.With regard to the embodiment shown in FIG it should be mentioned that the liquid or gaseous photosensitive receiver can be applied in the same week, like the liquid or gaseous photosensitive amplifier, as in the embodiment shown in FIG.
Die in den Fig. 1 bis 6 dargestellten photoenpfindlichen Elemente sind typische Aueführungsformen zur Erzeugung von Jnterferen^mustem. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung können jedoch ebenfalls andere Ausführungnformcn von photoempfindiichen Elementen verwendet v/erden. Beispielsweise kann ein photoempfindliches Element aus einer Schicht eines photoempfindiichen Empfängers, einer Schicht eines photoempfindlichen Verstärkers und einer Schicht eines photoenipfindlichon Empfängers bestehen, wobei diese Ausführungsform dadurch gebildet wird, dass bei der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsf-rm auf der Schicht des photoempfindiichen Verstärkers 5 eine weitere photoempfindliche Empfängerschicht angeordnet ist. Ferner kann ein photoempfindliches Element dadurch hergestellt werden, dass eine photoempfindliehe Empfängerschicht, eine photoeiapfindli·» ehe Verstärkersohlcht eine photoempfindliche Empfängerschicht und eine photoempfindliche Verstärkerschicht aufeinander angeordnet werden, in dem auf der in Fig. 1 dargestellten photoempfindiichen Verstärkerschioht eine photoempfindliche Empfängerschioht und eine photoempfindliche Verstärkerschicht aufgebracht worden. Ein photoempfindliches Element kann ferner aus einer photoempfindiichen Verstärker-The photosensitive elements shown in FIGS. 1 to 6 are typical embodiments for production by Interferen ^ mustem. Within the scope of the present invention however, other embodiments of photosensitive elements are used. For example a photosensitive element can be composed of a layer of a photosensitive receiver, a layer of a photosensitive amplifier and a layer of a photoenipfindlichon Receiver exist, this embodiment being formed in that in the case of the in Fig. 1 embodiment shown on the layer of photosensitive Amplifier 5 a further photosensitive receiver layer is arranged. Furthermore, a photosensitive Element are produced in that a photosensitive receiver layer, a photoeiapfindli · » before the amplifier base is not a photosensitive receiver layer and a photosensitive intensifying layer are superposed on each other in the manner shown in FIG photosensitive intensifier layer, a photosensitive receiver layer and a photosensitive intensifier layer been applied. A photosensitive element can also consist of a photosensitive amplifier
309308/0 824 ~19~309308/0 824 ~ 19 ~
BADOFtIBADOFtI
schicht, einer photoempfindlichen Empfängerschicht und einer photoempfindlichen Verstärkerschicht bestehen, welche dadurch hergestellt werden, dass auf der photoempfindlichen Empfängerschicht 1 von Fig. 2 eine photoempfindliche Verstärkerschicht aufgebracht wird. Schliesslich kann ein photoempfindliches Element aus einer photoempfindlichen Verstärkers chi ch tr, einer photoempfindlichen Empfänger«chient, einer photoempfindlichen Verstärkerschicht und einer photoempfindlichen Empfängerschicht bestehen, indem auf der photoempfindlichen Empfängerschioht 1 von Fig. 2 eine photoempfindliche Verstärkerschicht und darauf eine photoempfindliche Empfängerschicht aufgebracht werden. .layer, a photosensitive receiving layer and a Photosensitive reinforcement layer are made, which is produced thereby that will be on the photosensitive receiving layer 1 of FIG. 2, a photosensitive intensifier layer is applied will. Finally, a photosensitive element can consist of a photosensitive amplifier chi ch tr, a photosensitive Receiver «chient, a photosensitive intensifying layer and a photosensitive receiving layer insist by placing on the photosensitive receiver 1 of Fig. 2, a photosensitive enhancement layer and thereon a photosensitive receiver layer can be applied. .
Die photoempfindlichen Elemente von Fig. 1 und 2 können ferner abgewandelt werden, jndem eine photoeinpfindliche Empfängerschicht und eine photoenipfindliche Verstärk er schicht unter Ausbildung eines Reliefinterferogramms aufgebracht werden, so dass sich ein photoempfindliches Element komplizierterer Konstruktur ergibt.The photosensitive elements of FIGS. 1 and 2 can also can be modified by a photo-sensitive receiver layer and a photo-sensitive reinforcement layer be applied with the formation of a relief interferogram, so that a photosensitive element is more complicated Construc- ture results.
Bei der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform kann eine photoempflgidliche Empfängers chi cht -und/oder eine photoempfindliche Verstärkerschicht auf der dispergierte Partikel· eines photoempfindlichen Verstärkers 3 enthaltenden photoempfindlichen Empfängerschicht 1 aufgebrächt bzw. zwischen der photoempfindlichen Schicht 1 und dem Träger 2 angeordnet vrerdsn. Bei der in Fig. 4 dargestellten Ausführung form kann in ahn-Iieher Weise wie in Fig. 3 eine photoempfindliche Empfängersohl cht und/oder eine photoenipfindliche Verstärkercohicht auf dcr-photocmpflndlichen'Verntärkerschicht 1 oder zwischen der photoempfindlichen Verstärkerschicht 1 und dem Träger 2 angeordnet werden.In the embodiment shown in FIG. 3, a photo-sensitive receiver can be and / or a photo-sensitive Reinforcement layer on the dispersed particles a photosensitive amplifier 3 containing photosensitive receiver layer 1 applied or between the Photosensitive layer 1 and the carrier 2 arranged vrerdsn. In the embodiment shown in Fig. 4 form can be in ahn-Iieher Way as in Fig. 3 a photosensitive receiver sole cht and / or a photo-sensitive amplifier layer on the photo-sensitive intensifier layer 1 or between the photosensitive enhancement layer 1 and the support 2 to be ordered.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung können photοempfindlicheIn the context of the present invention, photosensitive
309808/0824 ~?o-309808/0824 ~? O-
Elemente gemäss Fig. 1 und 6 verwendet werden, welche zusätzlich eine oder mehrere Elemente aufweisen. Vom kommerziellen Standpunkt ist jedoch eine einfache Konstruktion des photoempfindlichen Elementes vorzuziehen.Elements according to FIGS. 1 and 6 are used, which in addition have one or more elements. From the commercial However, a simple construction of the photosensitive member is preferable from the standpoint.
Verschiedene Verfahren zur Herstellung von HolOgrammen gemäss der vorliegenden Erfindung sollen nunmehr beschrieben werden.Various methods for producing holograms according to of the present invention will now be described.
Gemäss Fig. 7 besteht das, ein Hologramm bildende optische System aus ein-rem Laser 5> einem den Laserstrahl verbreiternden invertierten Teleskop 6, einem Strahlenteiler 7, einer Informationsquelle 8, einem photoempfindlichen Element 9, einem Referenzstrahl 10 und einem von der "Xnfor-inationsquelle 8 abgehenden Lichtstrahl 11. Pas Intorferenzbild des Referenzstrahles 10 und des Lichtstrahls 11 wird als Hologramm aufgezeichnet. Die Regeneration erfolgt durch Zusammenführung des Lichtstrahls 11 und Beleuchtung mit dem Referenzstrahl 10 wordurch die Wellenfront des Lichtstrahls Il regeneriert wird.According to FIG. 7, the optical system forming a hologram consists of a laser 5> an inverted telescope 6 which widens the laser beam, a beam splitter 7, an information source 8, a photosensitive element 9, a reference beam 10 and one of the "Xnfor- Ination source 8 outgoing light beam 11. The interference image of the reference beam 10 and the light beam 11 is recorded as a hologram.
Die vorliegende Erfindung kenn im Prinzip durch den BelichtungBVorgang allein durchgeführt werden. Die Wirksamkeit der. Hologramms wird Jedoch am besten dadurch erreicht, dass eine zusätzliche Behandlung durchgeführt wird, damit dio Anwendbarkelt des Hologramms praktischer und in weitem Bereich durch· .geführt werden kann.The present invention is basically known by the exposureB process be done alone. The effectiveness of the. However, holograms are best achieved by having a additional treatment is carried out to make it applicable of the hologram more practical and in a wide range through .can be performed.
* Ein Hologramm kann reproduziert werden indem eineiriiorente oktinische Strahlung mit einer Bildimformation auf oin photo empfindliches Element zum Auffallen gebracht wird, so dass sich an dom photoempfindlichen Element ein Interferem.mustcr entsprechend der Bildinfomiation orgibt. Dabei wird die Differenz der -optischen Dichte dec; Brochunr;Dindexes und des Refloktionsfalrtors oder der Kombination dieser Parameter bei Auf-* A hologram can be reproduced using an original octinic radiation with an image image on oin photo sensitive element is made to attract attention, so that at the photosensitive element an interferem.mustcr according to the picture information. This is the difference the optical density dec; Brochunr; Dindexes and the Refloktionsfalrtors or the combination of these parameters when
- Pl -- Pl -
309808/GSi *,309808 / GSi *,
UJ. l' ;v -rr, r * UJ. l '; v -rr, r *
treten von Diffusionsphanomonen ausgenutzt, worauf chemisch oder mechanisch der verbleibende photoempfindliche Empfänger oder der photoempfindliche Verstärker oder beide entfernt werden. Ein Interferograrnm kann erzeugt werden, indem ein Interferenzmuster auf einen photoempfindlichen Element erzeugt wird, worauf mechanisch oder chemisch die belichteten öden nicht belichteten Teile des photoempfindlichen Empfängers oder Verstärkers oder beide entfernt werden, so dass sich ein Relief-Interferrogramm in Form eine Hologramms ergibt.occur by diffusion phenomena, whereupon chemically or mechanically the remaining photosensitive receiver or remove the photosensitive amplifier or both. An interferogram can be generated using an interference pattern is generated on a photosensitive element, whereupon mechanically or chemically the exposed areas are not exposed Parts of the photosensitive receiver or amplifier, or both, are removed, creating a relief interferrogram results in the form of a hologram.
Das dadurch gebildete Relief-Interferrogramm kann als Originalhologramm verwendet v/erden," ein Transfermaterial kann mit dem Originalmuster in enge Berührung gebracht werden, so dass sich eine Reproduktion des Hologramms ergibt.The relief interferrogram thus formed can be used as an original hologram used v / earth, "a transfer material can be used with the original pattern are brought into close contact, so that a reproduction of the hologram results.
Das Reliefmuster kann erzeugt werden, indem in Richtung der Dicke des Elementes teils oder ganz die Schicht entfernt wird.The relief pattern can be created by moving in the direction of the Thickness of the element partially or completely the layer is removed.
Das Interferenzmuster wird gewöhnlich in dem photoempfindlichen Empfänger gebildet, das Diffu3ionsphänomen beginnt an der Trennfläche zwischen dem photoempfindlichen Empfänger und dem photoempfindlichen Verstärker. Die Diffusion tritt dabei sowohl in dem photoempfindlichen Empfänger als auch . in dem photoempfindlichen Verstärker auf und zwar je nach der Intensität der aktlnlschen Strahlung. Demzufolge bilden sich Diffusionsbereiche zwischen diesen beiden Schichten. Das in beiden dieser Schichten oder der photoempfindlichen Verstärkerschicht gebildete Interferen^muster kann als Hologramm verwendet werden. In diesem Fall muss der photoempfindliche Verstärker eine Fectkörperschicht sein und sehr transpar-ent sein. Zusätzlich 1st es notwendig, ein Element hoher mechanischer Festigkeit zu verwenden. ·The interference pattern is usually formed in the photosensitive receiver, and the diffusion phenomenon begins the interface between the photosensitive receiver and the photosensitive amplifier. The diffusion occurs both in the photosensitive receiver as well. in the photosensitive amplifier depending on the intensity of the actual radiation. As a result, diffusion areas are formed between these two layers. The interference pattern formed in both of these layers or in the photosensitive intensifying layer can be used as a hologram be used. In this case, the photosensitive Amplifier be a perfect body layer and be very transparent. In addition, it is necessary to have an element to use high mechanical strength. ·
Daß auf d'em photoempfindlichen Verstärker gebildete Inter-That inter-
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309808/0824 BAD309808/0824 BATH
ferenzmueter kann in oin Reliefmuster umgewandelt werden, indem die belichteten oder unbelichteten Teile entfernt werden. Die Verfahren und Vorrichtungen zur Aufzeichnung eines Hologramms auf einem photoempfindlichen Empfänger können ebenfalls für dia Aufnahme eines Hologramms auf einem photoempfindlichen Verstärker verwendet v.'erden.ferenzmueter can be converted into a relief pattern, by removing the exposed or unexposed parts. The methods and apparatus for recording a Holograms on a photosensitive receiver can also used for recording a hologram on a photosensitive amplifier v.'erden.
Die Herstellung von Hologrammen unter Verwendung von pho-' toempfind] ichen Elementen gemäss Fig. 1 bis 6 soll Jim folgenden nunmehr beschrieben werden:The production of holograms using photo-sensitive elements according to FIGS. 1 to 6 is intended to follow will now be described:
Fig, 8 bis 13 zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines Hologramms unter Verwendung der Vorrichtung gemäsrs Fig. 7> wobei jedoch die Informationsquelle 8 von 1'.Lg. 7 durch ein Originalmuster T gemäss Fig. 9 ersetzt v.'ordon ist, welches mit transparenten Bereichen B und schwarzen Beitichen Λ versehen ist. Fig. 8 zeigt das Element zu Beginn des Verfahrens. Fig. 9 zeigt den Zustand in welchem das Element dem HoIogrammustor ausgesetzt wird, wobei eine Diffusion zwischen der phofcoempflndlichen Verstärkerschicht und der photoempfindllohen Empfängerschicht in dem belichteten Bereich stattfindet, wobei sich ein Diffusionsbereich 12 bildet. Gemäss Fig. 10 wird der nicht belichtete photoempfindliche Verstärker daran ansch-1 lescend entfernt. Gemäss Fig. 11 wird ebenfalls der photoempfindliche Empfänger in dem nichtbelihteten Bereich entfernt. Gemäss Fig. 12. wird die freigelegte Oberfläche des Trägers im Bereich der nichtbelichteten Eoreiche einer Ätzbehandlung ausgesetzt. Sch-liesslich wird gemäss Flg. ebenfalls der di ff und:-orte Teil 12 entfernt. Falls der photoempfindliche Verstärker dick ist oder die Grosse der aktlnischen Bestrahlung etwa gleich mit der Dicke des photoempfindlichen Verstärkers klein 1st, dann wird der Diffusionabereich nicht über die ganze Dicke der photoeinpfindlichen Kmpfängerschicht und dor photoeinpfindlichen Verstärkerschicht durchgeführt, so dass im Bereich der Oberfläche des belichteten Teils ein photoempf indl icher Verstärker übrigbleibt, vjelcher nicht an der Diffu-FIG, 8 to 13 show a method of producing a hologram using the apparatus gemäsrs Fig. 7> however, the source of information 8 of 1'.Lg. 7 is replaced by an original pattern T according to FIG. 9 v.'ordon, which is provided with transparent areas B and black patches Λ. Fig. 8 shows the element at the beginning of the process. 9 shows the state in which the element is exposed to the HoIogrammustor, with diffusion taking place between the photo-sensitive intensifying layer and the photosensitive receiving layer in the exposed area, with a diffusion area 12 being formed. According to FIG. 10, the unexposed photosensitive amplifier is then removed by reading. According to FIG. 11, the photosensitive receiver is also removed in the non-illuminated area. According to FIG. 12, the exposed surface of the carrier is exposed to an etching treatment in the area of the unexposed oak. Finally, according to Flg. also the di ff and: locations part 12 removed. If the photosensitive amplifier is thick or the size of the actual radiation is about the same as the thickness of the photosensitive amplifier is small, then the diffusion area is not carried out over the entire thickness of the photosensitive receiver layer and the photosensitive intensifier layer, so that in the area of the surface of the exposed part a photo-sensitive amplifier remains, not because of the diffusion
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sion teilgenommen hat. In diesem Fall wird der im belichteten > BereLoh verbliebene photoempfindliche Verstärker entfernt sobald der photoempfindliche Verstärker in dem nicht belichteten Bereich zur Erzielung des Zustandes gemäss Fig. 10 entfernt wird. Die Entfernung des verbleibenden photoempfindlichen Verstärkers wird dabei gleichzeitig mit der Entfernung des photoempfindlichen Verstärkers der nichtbelichteten Bereiche durchgeführt«sion has participated. In this case, the one in the exposed> Any remaining photosensitive amplifier will be removed as soon as possible the photosensitive intensifier in the unexposed area is removed to achieve the state according to FIG. 10. The removal of the remaining photosensitive amplifier is carried out simultaneously with the removal of the photosensitive amplifier of the unexposed areas «
Die in den Fig. 9 bis 13 gebildeten Muster bilden Interferenzmuster die als Hologramme verwendet werden können. Falls das in der Fig. 9 dargestellt Muster als Hologramm verwendet wird* wird ein photoempfindliches Element verwendet., welches eire dünne und irn wesentlichen transparente phqtoempfindlicne Verstärker-Schicht und eine niedrige Empfindlichkeit aufweist, während eine etarke Hologrammbelichtung auf das photoempfindlicho Eiern ent aufgebracht wird, während ein schwacher Lichtstrahl zur Regeneration verwendet wird.The patterns formed in FIGS. 9 to 13 form interference patterns that can be used as holograms. If the pattern shown in Fig. 9 is used as a hologram * a photosensitive element is used, which is thin and in a substantially transparent photo-sensitive enhancer layer and has low sensitivity while having a strong hologram exposure on the photosensitive eggs ent is applied while a weak beam of light is used for regeneration.
Die in den Fig. 10 bis 13 dargestellten Anordnungen ergeben Hologrammemit einem grösseren Farbenkontrast, bzw. einem festen Hologramm.The arrangements shown in FIGS. 10 to 13 result Holograms with a greater color contrast or a fixed hologram.
Das in Fig. 10 dargestellte Muster wird gewöhnlich dadurch, hergestellt, dass das phoboempfindl:! ehe Element mit einer Saurelosung behandelt wird. Photoempfindliche Verstärker aus Metall können aufgelöst und durch Sauren entfernt werden. Ein amphoterisches Metall, beispielsweise Zixik, kann durch eine Alkalilösung'entfernt werden. Auf der änderen Seite wird der Diffusionsbereich nicht durch eine gewöhnliche Säurebehandlung entfernt. Das in Fig. 11 dargestellte Muster kann dadurch hergestellt werden, dass der in Fig. 10 dargestellte photoempfind-Iiehe Etnpfanger mit einem Lösungsmittel behandelt wird, das den photoempfindlichen Empfänger auflöst. Sobiilu der photoempfindliche Empfänger ein Chalkogcniglas ist, wird zur Auflösung und Entfermmg gewöhnlich eine Akalilösung verwendet. Falls Jedoch der photoompfindlicho Empfänger ein organischerThe pattern shown in Fig. 10 is usually made by made that the phobosensitive :! before element with an acid solution is treated. Metal photosensitive amplifiers can be dissolved and removed by acid. A amphoteric metal, for example Zixik, can be replaced by a Alkali solution 'can be removed. On the other hand, the Diffusion area not removed by ordinary acid treatment. The pattern shown in Fig. 11 can thereby be produced that the photosensitive Iiehe shown in Fig. 10 Etnpfanger is treated with a solvent that dissolves the photosensitive receiver. Sobiilu the photosensitive The receiver is a chalcocine glass, becomes the dissolution and Removal usually uses an alkali solution. However, if the photoompfindlicho receiver is an organic one
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Photoleiter ist, wird in der Regel zur Auflösung ein organisches Lösungsmittel verwendet. Falls der photοempfindliche Empfänger sohliesslich ein Photoleiter aus einer Matallvorbindung ist, wird zur Auflösung gewöhnlich eine Säurelönung verwendet.Photoconductor is usually used to dissolve an organic one Solvent used. If the photosensitive Receiver ultimately a photoconductor from a metal pre-binding is usually an acid solution to dissolve used.
D'r Diffusionsbereich .wird in einer gewöhnlichen Säure eircr Alkalilösung oder einem organischen Lösungsmittel gewöhn-lieh nicht aufgelöst, pan in Fig. 12 dargestellte Muster wird dadurch hergestellt, dass das in der Fig. 11 dargestellte Element mit einem Lösungsmittel behandelt wird, durch welches der Träger angegriffen wird. Falls beispielsweise der Träger ein Metall ist, wird eine Säure cder ein Alkali verwendet, falls jedoch der Träger ein Glas ist, wird Wassorstofffluorid verwendet. Falls der Träger schliesslich ein Harz ist, kann ein organischen Lösungsmittel verwendet werden.The diffusion area is created in an ordinary acid Alkali solution or an organic solvent usually borrowed not resolved, pan shown in Fig. 12 pattern is thereby produced that the element shown in FIG. 11 is treated with a solvent by which the wearer is attacked. For example, if the carrier is a metal, an acid or an alkali is used, however, if the support is a glass, it becomes hydrogen fluoride used. Finally, if the carrier is a resin, an organic solvent can be used.
Bei d&m in den Fig. 10 bis IJ beschriebenen Verfahren wird ein positives Muster im Vergleich zu dem ursprünglichen Muster hergestellt, indem die nichtbelichteten Teile von Fig. 9 entfernt v/erden. Es ist jedoch ebenfalls möglich, ein negatives Muster zu erhalten, indem die Diffuctonoboreiche entfernt werden, wobei die geringe mechanische Festigkeit- der Diffusionabereiche ausgenützt wird. Das negative Muster ist ein Muster bei welcher, der photoeinpfIndliehe Empfänger 1 und der photoempfindliche Verstärker 2 bei den Flg. 1-Ί bis IC ausgetauscht werden. Die Entfernung des Diffusionsbereiches fUr die Ausbildung eines negativen Mustern wird durchgeführt, indem das in Fig. 9 dargestellte Element in Wasser oder einem organischen Lösungsmittel, beispielsweise Alkohol oder Tuluen ausgesetzt wird, wobei zusätzlich mechanische 'ibrationon in das Lösungsmittel odor auf daß Kiement aufgebracht werden. Es kann jedoch ebenfalls ein Klebstreifen auf die OberflücheAt d & m in Figs. 10 through IJ, the method described a positive pattern compared to the original pattern made by removing the unexposed parts of Fig. 9 is removed from ground. However, it is also possible to obtain a negative pattern by using the Diffuctonobo oak can be removed, the low mechanical strength of the diffusion areas being used. The negative pattern is a Pattern in which, the photo-receiving receiver 1 and the photosensitive amplifier 2 at the Flg. 1-Ί exchanged to IC will. The removal of the diffusion area for the formation of a negative pattern is carried out, by the element shown in Fig. 9 in water or a organic solvents, for example alcohol or Tuluen, is exposed, with additional mechanical 'ibrationon in the solvent or on that Kiement are applied. However, there can also be an adhesive tape on the surface
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des Elemetes aufgebracht werden, welcher dann abgezogen wird, wobei die Diffusionübereiche mit entfernt werden. Es sei jedoch erwähnt, dass bei Verfahren zur Herstellung eines negativen Musters durch mechanische ntfernung der Diffucionsteile das Auflösungsverhältnis des Negativ-Musters niedriger ist als das von positiven Mustern gemäss Fig. 10 bis 13.of the element are applied, which is then removed, wherein the diffusion areas are also removed. However, it is mentions that in processes for the production of a negative pattern by mechanical removal of the diffusion parts the The resolution ratio of the negative pattern is lower than that of positive patterns according to FIGS. 10 to 13.
Fig. 14 bis 18 zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines Hologramms unter Verwendung eire s photoempfindlichen Elementes von Fig. 2, Die photoempfindliche Verstärkerschicht wird auf dem Träger aufgebracht, worauf auf der photoempfindlichen Verstärkerschicht eine photoempfindliche Empfängerschicht aufgebracht wird. Die mechanische Pesteigkeit der Diffusionsbeieiche bei einem derartigen photoempfindlichen Element ist niedrig er als die Diffusionsbereiche, bei den in Fig. 1 und 8 dargestellten Äusführungsformen. Insbesondere ist in dem vorliegenden Fall die Haftfähigkeit gegenüber dem Träger relativ gering. Unter Ausnutzung dieser Tatsache kann der Diffusionsbereich von Fig. 14 durch dasselbe Verfahren, ähnlich wie in Fig. 9* entfernt werden. Die Entfernung der Diffu3lonsbereiche gemäss Fig. 14, kann mit Hilfe von verdünnter Alkalilösung oder Säurelösung erreicht werden. In diesem Fall dringen die verdünnten Alkali- oder Säurebestandteile zwischen den Diffusionsbereich und den photoempfindlichen Empfänger, den photoempfindlichen Verstärker und den Träger^ wodurch die Diffusionsbereiche aus dem photoempfindlichen Element herausgeschnitten werden.. Falls der photoempfindliche Empfänger Chalkogenglas ist, entfernt wässrige Alkalilösung nicht nur die Diffusionsbereiche sondern auch den photoempfindlichen Empfänger. Die Entfernung der Dlffusionsbereiche erfolgt jedoch schneller als die der photoempfindlichen Empfänger. Auf diese Weise ergibt sich das in Fig. Vj gezeigte Muster. Wenn die photoempfindliche Empfängerschi cht im Vergleich zu der im Rahmen der Fig. lA aufgebrachten Strahlung zu schwach 1st, dann bildet die photoem-14 to 18 show a method of making a hologram using the photosensitive element of FIG. 2. The photosensitive enhancer layer is applied to the support, and a photosensitive receiver layer is applied to the photosensitive intensifier layer. The mechanical strength of the diffusion areas in such a photosensitive element is lower than the diffusion areas in the embodiments shown in FIGS. In particular, in the present case the adhesion to the carrier is relatively low. Taking advantage of this fact, the diffusion region of Fig. 14 can be removed by the same method similar to Fig. 9 *. The removal of the diffusion areas according to FIG. 14 can be achieved with the aid of a dilute alkali solution or an acid solution. In this case, the diluted alkali or acid components penetrate between the diffusion area and the photosensitive receiver, the photosensitive amplifier and the support ^ whereby the diffusion areas are cut out of the photosensitive element .. If the photosensitive receiver is chalcogen glass, aqueous alkali solution not only removes the diffusion areas but also the photosensitive receiver. The removal of the diffusion areas is faster than that of the photosensitive receiver. In this way, the pattern shown in Fig. Vj results. If the photosensitive receiver layer is too weak compared to the radiation applied in the context of FIG. 1A, then the photoem-
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pfindliche Empfängerschicht und die photoempfindliche Verstärkernchieht nicht einen DIffusionsbereich sondern ein Teil dieser photoernpfindliclien Empfänger und photoempfindlichen Verstärker wird in den Diffusionsvorgang nicht einbezogen. In diesem Fall wird der Diffusionsbereich nach Entfernung der photoenipfendlichen Empfängerschicht in dem belichteten Bereich entfernt. Die Entfernung kann dabei gleichzeitig mJt dem Diffusionabereich unter Verwendung einer verdünnten Alkalilösung erfolgen. Das in Fig. 15 dargestellte Huster kann in ein anderes Muster umgewandelt werden. Gemä&r, Fig. Io v/ird der photoempfindliche Empfänger entfernt, während goinäns Fig. 17 ein Ktzvorgang des belichteten Trägers von Fig. 15 durchgeführt wird. GemäGS Flg. 18 wird die freiliegende Oberfläche des Elements von Fig. 16 gefilzt. Das in Fig. 19 dargestellte Element wird dadurch hergestellt, dass der photoeinpfindliche Verstärker 3 von Fig. 18 entfernt wird.sensitive receiver layer and photosensitive amplifiers not a diffusion area but a part this photo-sensitive receiver and photo-sensitive amplifier is not involved in the diffusion process. In in this case, the diffusion area after removal of the photoenipfendlichen receiver layer in the exposed area removed. The distance can be at the same time as the diffusion area using a dilute alkali solution. The cough shown in Fig. 15 can be in another Pattern to be converted. According to Fig. Io v / ird the photosensitive Receiver removed while goinäns Fig. 17 a The etching process of the exposed substrate of FIG. 15 was carried out will. According to Flg. 18 becomes the exposed surface of the Element of Fig. 16 felted. The element shown in FIG. 19 is made by removing the photosensitive amplifier 3 shown in FIG.
Die Entfernung des pbotoempfindlichen Empfängers,des photoempfindlichen Verstärkers und das Ätzen des Trägers v/ird unter Verwendung der in Fig. 10 bis 13 beschriebenen Verfahren durchgeführt. Jedes der in Fig. 14 bis 19 dargestellten Elemente kann als Hologramm verv/endet werden. Die in Fig. 16, 10 und 19 dargestellten Elemente können als unveränderliche Hologramme verwendet werden. Die in den Fig. 15 und 17 dargestellten Muster können hingegen als Hologramme verwendet werden, indem eine Bestrahlung durchgeführt wird, wodurch die vorspringenden Teile .des Musters in Diffusionsberoiche umgewandelt werden. The removal of the photo-sensitive receiver, the photosensitive one The amplifier and the etching of the substrate are carried out using the methods described in FIGS. 10-13 carried out. Each of the elements shown in FIGS. 14-19 can be used as a hologram. The in Figs. 16, 10 14 and 19 can be used as immutable holograms. Those shown in Figs On the other hand, patterns can be used as holograms by carrying out irradiation, whereby the protruding Parts of the pattern are converted into diffusion areas.
Fig. 20 und 21 zeigen ein Verfahren unter Verwendung eines photoempfindlichen Elements gemäss Fig. 3· Dfts in Flg. 21 dargestellte Muster wird erzeugt, indem die niohtbeliohteten Teile des Elements von Fig. 19 entfernt werden. Die Entfernung der nichtbelirh-20 and 21 show a method using a photosensitive element according to FIG. 3 · D ft s in FIG. The pattern shown in FIG. 21 is produced by removing the non-illuminated parts of the element of FIG. The removal of the
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teten Bereiche wird durch ein Lösungsmittel erreicht, welches die photoempfindljchen Empfänger auflöst. Der dispergierte photοempfindliche Verstärker 3 wird dabei gleichzeitig entfernt.. Die Entfernung des photoempfindlichen Empfängers kann durch dasselbe Verfahren wie bei Fig. 11 erfolgen. Das Muster von Fig. 21 kann in die in Fig. 12 und 1IJ dargestellten Muster umgewandelt werden. Die in Fig. 20 und 21 dargestellten Muster können ebenfalls als Hologramme verwendet werden. Das in Fig. 21 dargestellte Muster ergibt ein unveränderliches Hologramm. · -A solvent that dissolves the photosensitive receiver is used to reach the dead area. The dispersed photosensitive amplifier 3 is removed at the same time. The photosensitive receiver can be removed using the same method as in FIG. 11. The pattern of Fig. 21 can be converted to the in Fig. 12 and patterns shown 1 IJ. The patterns shown in Figs. 20 and 21 can also be used as holograms. The pattern shown in Fig. 21 gives an invariable hologram. -
Die Ausbildung eines Hologramms unter Verwendung eines photoempfindlichen Elements gemäss Fig. 4 kann auf ähnliche V/eise wie in Fig. 20 und 21 durchgeführt werden. Da der Diffusionsbereich des phatoempfindlichen Elementes gemäss Fig. 4 insbesondere im Hinblick, auf seine mechanische Festigkeit sehr schwach ist, können diese Diffusionsbereiche nach dem in Fig. 15 beschriebenen Verfahren entfernt werden, so dass sich ein positives Muster gemäss Fig. 6 im Vergleich zum ursprünglichen Muster ergibt.The formation of a hologram using a photosensitive Elements according to FIG. 4 can be carried out in a manner similar to that in FIGS. 20 and 21. Since the diffusion area of the phato-sensitive element according to FIG. 4 in particular in view of its mechanical strength is very weak, these diffusion areas can after the in 15 are removed, so that a positive pattern according to FIG. 6 compared to the original Pattern results.
Das durch ein photoempfindliches Element gemäss Fig. 4 gebildete Muster kann denen von Flg. 20, 21 und 16 entsprechen, -wobei jedes dieser Muster als Hologramm verwendet werden kann. Falls der Träger dieser Muster in der in Fig. 12, 1J>, 18 und 19 dargestellten Weise geätzt wird, ergeben sich Hologramme anderer Muster.The pattern formed by a photosensitive element according to FIG. 4 can be that of FIG. 20, 21 and 16, each of these patterns can be used as a hologram. If the support of these patterns is etched in the manner shown in FIGS. 12, 1J>, 18 and 19, holograms of other patterns result.
Fig. 20 bis 24 zeigen., ejn entsprechendes Verfahren zur Herstellung eines Musters unter Verwendung eines photoompfindlichen Element« gemäss Fig·5". Gemäss Fig. 22 wird ein photoempfindlicher Verstärker 5 in gasförmiger Form in Berührung mit der Oberfläche des photoempfindlichen Empfängers 1 des20 to 24 show a corresponding method of manufacture of a pattern using a photosensitive Element "according to FIG. 5". According to FIG. 22, a photosensitive one becomes Amplifier 5 in gaseous form in contact with the surface of the photosensitive receiver 1 of the
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photoempfindlichen Elements von Fig. 5 gebracht, worauf eine aktinische Bestrahlung durch ein Original auf das photoempfindliche Element vorgenommen wird. Es bilden sich somit Diffußionsbereiche durch Diffusion des photoewpfindlichen Verstärkers in den photoenipfindlichen Empfänger an der freiliegenden Oberfläche auf. An den unbelichteten Teilen ergi*bt sich eine photoempfindliche Verstärkerschicht '5, weil die photoempfindlichen Verstärkertröpfchen nicht diffundieren sondern nur zum Niederschlag gebracht werden. Durch Entfernung der photoempfinUlichcn Verstärkerschicht 5 in den nichtbelichteten Bereichen 2j5 wird dann ein fixiertes Muster gemäss Fig. 2j5 gebildet. Durch anschliessende Entfernung des phoijoemp.findlichen Empfängers ergibt sich ein Muster gemäss Fig. 24. Die Entfernung des photoempindlichen Empfängers und des photoempfindlichen Verstärkers kann durch dasselbe Verfahren wie bei dem Muster von Fig. 10 und 11 vorgenommen werden. Die in den Fig. 22 bis 2k dargestellten Muster können ebenfali als Hologramme verwendet werden. Die in Fig. 2*> und 2k dargestellten Elemente können dabei als fixierte Hologramme dienen. Das in Fig. 2k dargestellte Muster kann in das in Fig. 12 und Ij5 dargestellte Muster umgewandelt werden. Das in Fig. 22 dargestellte Muster kann in eine Serie von Mustern gemäss Fig. 16, und 19 umgewandelt werden, indem das Verfahren zur Herstellung des Musters gemäss Fig. 15 und eine Entfernung der Diffusionsbereiche unter Ausbildung eines positiven Musters verwendet werden.photosensitive member of Fig. 5, followed by actinic irradiation through an original onto the photosensitive member. Diffusion areas are thus formed by diffusion of the photosensitive amplifier into the photosensitive receiver on the exposed surface. Ergi in the unexposed parts * bt a photosensitive layer amplifier '5 because the photosensitive amplifier droplets do not diffuse but only brought to precipitation. By removing the photosensitive intensifier layer 5 in the unexposed areas 2j5, a fixed pattern according to FIG. 2j5 is then formed. Subsequent removal of the phoijoemp.findlichen receiver results in a pattern according to FIG. 24. The removal of the photosensitive receiver and the photosensitive amplifier can be carried out by the same method as with the pattern of FIGS. The patterns shown in FIGS. 22 to 2k can also be used as holograms. The elements shown in FIGS. 2 *> and 2k can serve as fixed holograms. The pattern shown in FIG. 2k can be converted into the pattern shown in FIGS. 12 and 15. The pattern shown in Fig. 22 can be converted into a series of patterns as shown in Figs. 16 and 19 by using the method of making the pattern of Fig. 15 and removing the diffusion areas to form a positive pattern.
Fig. 25 und 26 neigen Verfahrer, zur Herstellung eines Musters unter Verwendung eiras photoempfindlichen Elements gemäss Fig. 6. Gemäss Fip;. 25 wird ein photoempflndlioher Empfänger 1 in gasförmiger Form mit der photoonipflndlichen Verstärkerochicht 3 des photoempfindlichen Elements von Fig. 6 in Berührung gebracht, worauf eine aktiniBche Bestrahlung vorgenommen wird, unter welcher sich Diffusionsbereiche bilden, indem der photo-Figs. 25 and 26 incline processors to produce a pattern using eiras photosensitive element according to Fig. 6. According to Fip; 25 is a photo sensitive receiver 1 in gaseous form with the photoonipfluxional amplifier layer 3 of the photosensitive element of Fig. 6 brought into contact, whereupon an actinic irradiation is carried out, under which diffusion areas are formed by the photo-
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empfindliche Empfänger in den photoempfindlichen Verstärker in den belichteten Bereichen eindiffundiert, während in den nichtbelichteten Bereichen eine photoempfindliche Empfängerschicht 1 durch Niederschlag gebildet wird. Die dadurch gebildeten Diffusionsbereiche v/eisen eine geringe mechanische Festigkeit auf. Das in Fig. 26 dargestellte Muster kann dadurch erhalten werden, indem das, in Verbindung mit Fig. beschriebene Verfahren verwendet wird. Die in Fig. 25 und 26 dargestellten Muster können als Hologramme -verwendet werden. Das in Fig. 26 dargestellte Muster kann in ein Muster umgewandelt werden, in welchem die vorspringenden Teile des Musters in Diffusionsboreiche umgewandelt werden, wobei das sich ergebende Muster ebenfalls als Hologramm verwendet werden kann. Das in Fig, 26 dargestellte Muster kann in Muster gemäss Fig. 16, 18 und 19 umgewandelt werden. Bei den in Fig. 9, 14,22 und 25 dargestellten Ausführungsformen kann die Belichtung ebenfalls von der Seite des Trägers her vorgenommen werden. In dem vorgegangenen wurden Verfahren zur Herstellung von Hologrammen erläutert. Die verwendeten Verfahren stellen jedoch nur einen Teil aller möglichen Verfahren dar, so dass die vorliegende Erfindung nicht auf die beschriebenen Verfahren beschränkt sein soll.Sensitive receiver diffused into the photosensitive amplifier in the exposed areas, while a photosensitive receiver layer 1 is formed by precipitation in the non-exposed areas. The diffusion regions formed in this way have a low mechanical strength. The pattern shown in FIG. 26 can be obtained by using the method described in connection with FIG. The patterns shown in Figs. 25 and 26 can be used as holograms. The pattern shown in Fig. 26 can be converted into a pattern in which the protruding parts of the pattern are converted into diffusion regions, and the resulting pattern can also be used as a hologram. The pattern shown in FIG. 26 can be converted into patterns according to FIGS. 16, 18 and 19. In the embodiments shown in FIGS. 9, 14, 22 and 25, the exposure can also be carried out from the side of the carrier. In the foregoing, methods for producing holograms were explained. However, the methods used represent only a part of all possible methods, so that the present invention is not intended to be restricted to the methods described.
Als Säure- oder Alkalilösung für die_Herstellung des Mu- · ßters kann im Rahmen der vorliegenden Erfindung Säure- oder Alkalilösung verwendet werden. Derartige Säuren sind beispielsweise Salzsäure, Salpetersäure, Schwefelsäure, Fluorsäure und ähnliche, Chrom-Säure-Mischung (K2Cr-207-H2S0ii), Stickstoffnitrat, Stickstoffpersulfat, Eisen-III-chlorid^Elsen-III nitrat, rotcBPrussiat-kalium-Brorn Gemisch« Entsprechende Alkalilösungen sind wässrige oder alkoholische Hydroxide von Natrium, Kalium, Kalcium oder Barium, wässriges Ammoniak und ähnliches. Die hergestellten Muster können fernerhin noch behanüelt werden falls dies gewünscht sein sollte. Falls der Träger elektrisch leitfähig ist und der photoempfindliche Verstärker Metall ist dann kann das Element beschichtet werden^ so dass sich eine Reliefschicht auf dem Träger ergibt. Die Ausbildung einer derartigenIn the context of the present invention, acid or alkali solution can be used as the acid or alkali solution for the production of the pattern. Such acids are, for example, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, fluoric acid and the like, a chromic acid mixture (K2Cr-207-H2S0 i i), nitrogen nitrate, nitrogen persulphate, iron-III-chloride ^ Elsen-III nitrate, red prussiate-potassium-bromine mixture «Corresponding alkali solutions are aqueous or alcoholic hydroxides of sodium, potassium, calcium or barium, aqueous ammonia and the like. The samples produced can also be treated if desired. If the carrier is electrically conductive and the photosensitive amplifier is metal, then the element can be coated so that a relief layer is produced on the carrier. The formation of such a
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Metallschicht beruht auf einem Phänomen, das Metall In Chalkogenglas diffundiert, wodurch sich ein Diffusioncbereich ergibt, in welchem der Widerstand ungefähr 10^ Ohm/cm beträgt. Das Aufbringen der zusätzlichen Schicht auf den Diffusionsbereich erfolgt während dem Zeitraum, während dem die , einen hohen Widerstand aufweisende,Schicht in dem nicht-belichtoten Dereich graduell in der Plattierflüssigkeit aufgelöst wird.Metal layer is based on a phenomenon called metal in chalcogen glass diffuses, resulting in a diffusion area, in which the resistance is about 10 ^ ohm / cm. Applying the additional layer to the diffusion area occurs during the period during which the high resistance layer is in the non-exposed It is gradually dissolved in the plating liquid will.
Bezüglich des FixierVorgangs sei erwähnt, dass, falls das Muster gemäss B'lg. 9 und 22 eine photoempfindliche Schicht aus Metall, beispielsweise Silber oder Kupfer, oder eine Legierung aus Kupfer oder Silber auf v/eist, dieses Metall bzw. Legierung in die Jodid- bzw. Bromidform umgevrandelt wird, wodurch sich transparente und inaktive Substanzen bilden. Die dabei auftretenden chemischen Reaktionen sind wie folgt:Regarding the fixing process, it should be mentioned that if the Sample according to B'lg. 9 and 22 a photosensitive layer made of metal, for example silver or copper, or an alloy of copper or silver on v / eist, this metal or alloy converted into the iodide or bromide form as a result of which transparent and inactive substances are formed. The chemical reactions that occur are like follows:
2Ag + I2 > 2AgI2Ag + I 2 > 2AgI
Falls der photoempfi.'ndliche Verstärker eine Metallschicht ist, kann dieselbe durch Amalgation mit Quecksilber entfernt werden. Falls die photoempfindliche Ernpfängerschicht. ein Chaikogenglas ist und falls dieses Chalkogenglan ein Halogen enthält, ergibt sich ein Muster, in welchem eine Veränderung der Lichtdurchlässigkeit in dem belichteten Bereich vernachlässigbar klein ist, so dass dieses Master insbesondere alß Phasenhologramrn geeignet ist. Das Muster wird in den Diffusionsbereichen in Abhängigkeit des DurchlHsslgkeitsfaktors beobachtet. Jener Teil in welchem die photcenpfindliche Verstärkerschicht durch Strahlungsenergie in das Chalkogenglas eindiffundiert, ergibt einen verringerten Durchlässigkeitsfaktor. Die Messung des'spektralen Durchlässigkeitsfaktors zeigt, dass das Absorbtionsende in Richtung grösserer Wellenlänge verschoben wird. EinIf the photo-sensitive amplifier has a metal layer it can be removed by amalgation with mercury will. If the photosensitive receiver layer. is a chaikogen glass and if this is a chalcogen glass Contains halogen, a pattern results in which there is a change in light transmittance in the exposed area is negligibly small, so that this master is particularly suitable as a phase hologram. The pattern is in the diffusion areas depending on the permeability factor observed. That part in which the photo-sensitive amplifier layer is generated by radiant energy Diffused into the chalcogen glass results in a reduced permeability factor. The measurement of the spectral Permeability factor shows that the absorption end is shifted in the direction of greater wavelength. A
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derartiges Muster wird gebildet, indem eine Veränderung der optischen Dichte bzw. eine Abnahme oder Zunahme des reflektierten Lichtes aufgrund eines Unterschiedes der Absorbtion stattfindet. Die Information wird dabei in Form eines sichtbaren Bildes aufgezeichnet. Falls dasselbe als Hologramm verwendet wird, ergibt sieh ein Amplitudenhologramm, welches jedoch nicht sehr wünschenswert ist.Such a pattern is formed by a change in the optical density or a decrease or increase in the reflected Light takes place due to a difference in absorption. The information is in the form of a visible Image recorded. In case the same is used as a hologram will result in an amplitude hologram, which, however, is not very desirable.
Es konnte jedoch festgecteilt werden, dass, falls ein Halogen dom Chalkogenglas zugefügt wird, das Absorbtionsende nicht verschoben wird, selbst wenn der photoempfindliche Verstärker durch aktinische Strahlung zum Diffundieren gebracht wird« Der Durchlässigkeitsfaktor wird dabei nicht wesentlich verändert, jedoch wird der Brechungsindex beeinflusst, so dass sich ein Phasenhologramm ergibt. Eine wesentliche Bleichung wird durch die Reaktion des Metalles und dem Halogen erreicht. Wenn ein Halogen zugefügt wird, ist ebenfalls die Empfindlichkeit des photoempfindlichen Elementes in vorteilhafter Weise vergröösert.However, it could be determined that if a halogen dom chalcogen glass is added, the absorption end is not shifted even if the photosensitive amplifier is made to diffuse by actinic radiation « The transmission factor is not significantly changed, but the refractive index is influenced so that results in a phase hologram. Substantial bleaching is achieved by the reaction of the metal and the halogen. When a halogen is added, the sensitivity of the photosensitive member is also advantageous enlarged.
Als Halogen kann vorzugsweise Jod und Brom verwendet werden. Jedoch können ebenfalls Chlor und-Fluor in diesem Zusammen-· hang benützt werden. In der folgenden Beschreibung wird die vorliegende Erfindung in Verbindung mit Jod in Form eines Beispieles beschrieben.Iodine and bromine can preferably be used as halogen. However, chlorine and fluorine can also be used in this combination slope can be used. In the following description, the present invention in connection with iodine by way of example described.
Die Menge von zuzusetzendem Jod wird durch Erfahrungen begrenzt. Falls die Jodmengo zu gross ist, wird der Schmelzpunkt und der Glanübergangspunkt erheblich verringert, sodass bereits bei Raumtemperatur eine Erweichung bzw. Kristallisation des Glases in nachteiliger Weise stattfindet.. Gleich-The amount of iodine to be added is limited by experience. If the iodine mengo is too big, the melting point will be and the glan transition point is significantly reduced, so a disadvantageous softening or crystallization of the glass takes place even at room temperature.
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zeitig wird die mechanische Festigkeit reduziert. Die maxim ale Menge von zuzusetzendem Jod hängt von der Zusammensetzung des Chalkogenglases ab. Es erscheint wünschenswert, den Jodgehalt auf derartige Wsrte zu beschränken, dass die Glasübergangstemperatur höher als 50 C liegt. Die diesem Wert entsprechende Jodmenge liegt bei weniger als 80 Gew-$, vorzugsweise weniger als 60 Gew.-^. Wenn die Jodinenge weniger als 0.01 % ist, dann wird die Verschiebung des Absorbtionsendes relativ gross, was ebenfalls nicht wünschenswert ist. Besonders geeignete Hörigen von Jod betragen dabei|mehr als 0.1 %. Sobald Jod dem As2S-, zugesetzt wird, ergibt sich ein Chalkogenglas, welches ein Silberatom pro lOCO Atoniß Chalkogenglas enthält, wobei das Verhältnis der Absorbtionsversohiebung (Δ Λ. ) und der Jodgehalt in Fig. 27 und der folgenden Tabelle angegeben ist.the mechanical strength is reduced early on. The maximum amount of iodine to be added depends on the composition of the chalcogen glass. It appears to be desirable to limit the iodine content to such values that the glass transition temperature is higher than 50.degree. The amount of iodine corresponding to this value is less than 80% by weight, preferably less than 60% by weight. If the amount of iodine is less than 0.01 % , the displacement of the absorption end becomes relatively large, which is also undesirable. Particularly suitable subordinates of iodine are more than 0.1 %. As soon as iodine is added to As 2 S-, a chalcogen glass is obtained which contains one silver atom per 10O atom of chalcogen glass, the ratio of the absorption shift (Δ Λ.) And the iodine content being given in FIG. 27 and the following table.
Gewichtsprozent von zugesetztem Jod {%) Weight percent of added iodine {%)
So wie sich das anhand von Fig. 27 ergibt, bewirkt ein Zusatz geringer Mengen von Jod eine erhebliche Veränderung von Λ λ. . As can be seen from FIG. 27, the addition of small amounts of iodine causes a considerable change in Λ λ. .
Aus dem vorangegangenen ergibt sich, dass der Zusatz eines Ha-1 ogens in dao Chalkogenglas sehr wiris*.cam ist. DieGer wünschenswerte Effekt kann ebenfalls bei einen·: photoempfindlichen Element gemäss Fig. 1 bit; 6 verwendet werden.From the foregoing it follows that the addition of a Ha-1 ogen in dao chalcogen glass is very wiris * .cam. DieGer desirable Effect can also be achieved with a ·: photosensitive element according to FIG. 1 bit; 6 can be used.
30Θ808/0 824 BADORIÖINAI.30Θ808 / 0824 BADORIÖINAI.
Pig. 28 zeigt ein Element 14 mit einem Reliefmuster, welches von einem Reliefmuster gemäss Flg. 6 bis 26 hergestellt worden ist.Pig. 28 shows an element 14 with a relief pattern which is derived from a relief pattern according to FIG. 6 to 26 has been produced.
Fig. 29 zeigt ein optisches System zur Regeneration einer Bildinformation von 'einem reproduzierten Hologramm gemäss Fig. 28. Der von einem Laser 5 ausgestrahlte Lichtstrahl wird durch ein invertiertes Teleskop 6 vergrössert und belichtet ein Element mit einem Reliefmuster 14 als Referenzstrahl. Ein primäres Brediungslicht 15* d.h., das eine Wellenform erzeugende Licht zeigt eine gute Brechungswirksamkeit, v/eil das Element 14 ein ausgezeichnetes Phasenhologramm darstellt. Die Aufzeichnung und Regeneration eines Hologramms kann gleichzeitig durchgeführt werden. Es ist demzufolge möglich, dass'das Licht, gegenüber welchem das photoeinpflndliche Element empfindlich ist, d.h., ein koherenter Lichtstrahl mit einer Wellenlänge entsprechenc dem spektralen Empfindlichkeitsbereich des photoempfindlichen Elements auf ein Hologramm projeziert wird, während gleichzeitig eine Regeneration des Hologramms unter Verwendung eines Lichts mit einer Wellenlänge ausserhalb der spektralen Em*- pfindlichkeit als Referenzstrahl verwendet wird. In diesem Fall wird als koherentes Licht vorzugsvo.se Argonlicht mit 4.880 R und als Referenzlichtstrahl ein Helium-Neonlicht mit einer Wellenlänge von 6.328 J? verwendet.29 shows an optical system for regenerating image information from a reproduced hologram according to FIG. 28. The light beam emitted by a laser 5 is enlarged by an inverted telescope 6 and exposes an element with a relief pattern 14 as a reference beam. A primary source light 15 * that is, the waveform generating light exhibits good diffraction efficiency because the element 14 is an excellent phase hologram. The recording and regeneration of a hologram can be carried out at the same time. It is therefore possible that the light to which the photosensitive element is sensitive, that is, a coherent light beam with a wavelength corresponding to the spectral sensitivity range of the photosensitive element is projected onto a hologram, while at the same time a regeneration of the hologram using a light with a wavelength outside the spectral sensitivity is used as a reference beam. In this case, argon light with 4,880 R is preferred as coherent light and a helium-neon light with a wavelength of 6,328 J as reference light beam. used.
Ein Hologramm mit einem Relief-Interferrogramm bewirkt, dass ein Phasenkontrast,ein nicht linearer Kontrast in Bezug auf die Strahlungsintensität ist, so dass das -Fraktions-Licht höherer Ordnung mit hoher Wirksamkeit regeneriert werden kann» Bei der Regeneration kann ferner der dem Interferenzabstand entsprec hende Abstand in dem Interferenzmuster sehr stark reduziert werden, so dass eine sehr genaue Messung möglich ist.A hologram with a relief interferrogram causes a phase contrast, a non-linear contrast in relation to the radiation intensity, so that the fraction light is higher Order can be regenerated with high efficiency The remaining distance in the interference pattern is very much reduced so that a very precise measurement is possible.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung erscheint es sehr vor-In the context of the present invention, it appears to be very
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teilhaft, ein Hologramm mit einem Interferenzmuster zu verwenden, das durch Verwendung verschiedener photoempfindlicher Platten als Original-muster gebildet wird, wobei das Originalmuster auf eine photoempfindliche Platte projeziert wird, welche im Rahmen der vorliegenden Erfindung 2ur Reproduktion des Interferenzrnusters verwendet wird. In dienern F"all ist das Original->mucter bereits ein Intcrfei-onzmuster in Form eines Hologramms, so dass es nicht notwendig ist, dass das Bosi~rahlungslicht für das ursprüngliche Muster koherenters Licht ist. Demzufolge kann sichtbares Licht odor ultraviolettes Licht in sehr zufriedenstellender Weise verwendet werden. Das Original-muster kann natürlich ein Muster sein, welches in dom belichteten Teil gemäes Flg. 1 bis 6 vorhanden ist. In die.ο com Zusammenhang erscheint es sehr zweckmässig, dass, wenn das Interferenzmuster auf einer photographischen Platte mit einer Silber-Salz-Beschichtung als ursprüngliches Muster aufgebracht wird, während zur Reproduktion des Interferenzmusters ein photoempfindliches Element geinäss dor vorliegenden Erfindung verwendet wird.advantageous to use a hologram with an interference pattern, which is formed by using various photosensitive plates as the original pattern, the original pattern is projected onto a photosensitive plate, which in the context of the present invention 2 for the reproduction of the Interference pattern is used. In your case that is Original-> mucter already has an Intcrfei-onzmuster in the form of a Holograms, so that it is not necessary that the Bosi ~ radiation light for the original pattern coherent light is. Accordingly, visible light or ultraviolet light can be used very satisfactorily. The original pattern can of course be a pattern which in the dome exposed part according to Flg. 1 to 6 is present. In die.ο com Context, it seems very useful that, if the Interference pattern applied to a photographic plate with a silver-salt coating as the original pattern is turned on while reproducing the interference pattern Photosensitive member according to the present invention is used.
Wenn beispielsweise bei den in Fig. 9, 14, 20, 22 und 25 dargestellten Ausführungsformen das Original-muster P ein Interferenzmuster eines Hdosramms auf einer Silber-Salz- ■ Platte ist, wobei das Licht- und Schatten-Interferenzmuster vor dem Bleichvorgang auftritt, dann wird das ursprüngliche Interferenzmuster auf einem photoempfindlichen Eleirent erzeugt, indem eine Belichtung bei gewöhnlichem Licht vorgenommen wird. Das reproduzierte Muster kann entsprechend den Ausführungsformen von Fig. 9 bis 26 in verschiedene Reliefmuster gebracht v/erden.For example, if the in Figs. 9, 14, 20, 22 and 25 illustrated embodiments the original pattern P a Interference pattern of a Hdosramm on a silver-salt ■ Plate is with the light and shadow interference pattern appear before the bleaching process, then it becomes the original Interference patterns generated on a photosensitive element by exposure to ordinary light will. The reproduced pattern can be in various relief patterns in accordance with the embodiments of FIGS. 9 to 26 brought v / earth.
Ea erscheint sehr zweckmässig, ein bereits gebildetes Interferenzmuster auf einem photoempfindlichon Element als Hologramm zu reproduzieren und zwar aus folgenden Gründen:Ea appears to be very useful, an interference pattern that has already been formed reproduced on a photosensitive element as a hologram for the following reasons:
- 25 -309808/0824- 25 -309808/0824
a) Das reproduzierte Muster weist einen phasenverstärkenden Effekt auf.a) The reproduced pattern has a phase-enhancing effect Effect on.
b) Das reproduzierte Muster ist im Hinblick auf die mechanische Festigkeit als auch die Dauerhaftigkeit einem Bleichrauster einer Silber-Salz-Schicht überlegen. ·b) The pattern reproduced is mechanical in terms of Strength as well as the durability of a whitening rust superior to a silver-salt layer. ·
c) Ein Reliefmuster kann durch ein Druckverfahren eines Originalreliefmusters unter Verwendung eines Harzfilmco reproduziert werden.c) A relief pattern can be reproduced by a printing method of an original relief pattern using a resin film co will.
d) Ein LJcht- und Schatten-Interferenzinuster auf einer sehr empfindlichen Silber-Salz-Platte kann auf einem photoempfindlichen Element zur Erzielung eines Hologramms reproduziert werden, ohne dass dabei ein Blelchvorgang notwendig wäre.d) A light and shadow interference pattern on one very sensitive silver salt plate can be on a photosensitive Element to achieve a hologram can be reproduced without the need for a blelch process were.
Durch Verwendung eines photoempfindlichen Elements mit einem weiten dynamischen Bereich in Bezug auf spektrale photoempfindliche Charakteristik, kann ein Fourier-Transformations-Hologramm aufgezeichnet und regeneriert v/erden, demzufolge ein Hologramm hoher Dichte sich ergibt.By using a photosensitive member with a wide dynamic range in terms of spectral photosensitive Characteristic, can be a Fourier transform hologram recorded and regenerated, resulting in a high density hologram.
Die Vorteile der vorliegenden Erfindung können somit wie folgt zusammengefasst werden:The advantages of the present invention can thus as can be summarized as follows:
Die Empfindlichkeit des photoempfindlichen Elements kann sehr stark erhöht werden, wobei die Empfindlichkeit wenigstens gleich bzw. höher als die einer Silber-Salz-Platte -mit hohem Auflösungsvermögen gemacht werden kann. Demzufolge kann die Belichtungszeit verkürzt worden, so dass der nachteilige Einfluss von Vibrationen vermieden wird. Demzufolge können Hologramme erzeugt werden, ohne dass dabei gronce BettenThe sensitivity of the photosensitive element can be very high can be greatly increased, the sensitivity at least equal to or higher than that of a silver-salt plate -with high Resolving power can be made. As a result, the exposure time can be shortened, so that the disadvantageous The influence of vibrations is avoided. As a result, holograms can be generated without creating large beds
303fl03/Q824 ÖAD ORIGINAL303fl03 / Q824 ÖAD ORIGINAL
für die Aufstellung der Vorrichtung zur Vermeidung von Vibrationen verwendet werden.for setting up the device to avoid Vibrations are used.
Die Bohandlunyszeit bis zur Entwicklung kann so kiu^z gemacht werden, dass eine Regeneration in Real ze j thologrcphic mü glich ist. Dieser Punkt ist insbesondere im Fall der Verwendung einer Holographie für Genaue Meitnungen vrichtig. Diese Ze.it zwischen der Produktion eines Hc.üo.;;ramms bis zur Regeneration desselben betrügt· wenigstens eine Stunde einschliesslich Entwicklung, Fixierung, Wasserwaschung, Blelchung und erneuter V/asr.erwaschung, wobei zwz'Jizl ich ein besonderer Behandlungsraum notwendig 1st. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung kann die Entwicklung mit Hilfe des Projekt ion:;] i elites durchgeführt v/erden, so dass cine Realzeitholographie möglich ist. Die Behandlungsschritte wie Fixierung und Ätzung benötigen nur Teile von Minuten. Die Brechun g ε wirksam!·; ei t vrii d durch den fixierten Zustand oder die Atzung verbessert, die nicht lineare photoempfindliche Charakteristik ermöglicht im wesentlichen eine Realzeitregeneration. Die einzelnen Verfahrensßchritte sind εο einfach, dass ein beliebiger Raun verwendet werden kann. Das ganze Verfahren kann dabei in einer. Präs I ε ions« messvorrichtung durchgeführt werden.The Bohandlunyszeit up to the development can be made so short that a regeneration in real zej thologrcphic is possible. This point is particularly true in the case of using holography for accurate measurement. This same Ze.it between the production of a Hc.üo. ;; ramming until regeneration · cheating at least one hour, including development, fixing, water washing, and re Blelchung V / asr.erwaschung wherein zwz'Jizl I 1st a special treatment space necessary . Within the scope of the present invention, the development can be carried out with the aid of the ion :;] i elites project, so that real-time holography is possible. The treatment steps such as fixation and etching only take parts of minutes. The refraction g ε effective! ·; ei t vrii d improved by the fixed state or the etching, the non-linear photosensitive characteristic essentially enables real-time regeneration. The individual process steps are εο simple that any space can be used. The whole process can be done in one. Pres I εions «measuring device can be carried out.
Ein Schrumpfen der photoenipfindllchen Schicht des photoempfindli.chon Elements tritt nicht auf. Demzufolge sind optische Messungen mit Farbho]ographic und genaue Regenerationen feiner Bilder oftie SchwierigkeitenA shrinking of the photoenipinicular layer of the photosensitivity Elements does not occur. As a result, optical measurements with Farbho] ographic and accurate regenerations fine pictures often have difficulties
Es ist ferner möglich, das durch Ätzung erzeugte Reljcfmuister eines Holocrarmielements gemüss der vorliegenden Erfindung auf einen Plaetikkorper z\i übertragen, demzufolge Holo gramme ε ehr wirksam und mit niedrigen Kosten h.orr;estellt wer den können. Im Rahmen der vorliegender» Erfindung kann auf diIt is also possible that Reljcfmuister generated by etching such a Holocrarmielements gemüss of the present invention to a Plaetikkorper \ i transmitted, consequently Holo programs ε ore h.orr effectively and at low cost; estellt who can. In the context of the present »invention, di
3 O S R C C ' O 8 :> i3 OSRC C ' O 8:> i
rektem VJege ein Hauptreproduktionselement hergestellt werden, welches im Hinblick auf seine Reproduktionseigenschaften wesentlich besser als bisher bekannte Vorrichtungen ist. Gemäss dem bisherigen Stand dor Technik wi.'d auf einer Silber~£5alz~Platte ein Hologramm ausgebildet, daraufhin das Hologramm auf einen PhotowiderRtand übertragen, arinchliessond ein Relief must er auf dem Photowider.^t and aufgebracht, worauf schliesslich die Widerstai dsschlcht mit einer Metallschicht-beschichtet wird, damit d.ie Druckvorlage die genügende Festigkeit aufweist.rectem VJege a main reproduction element can be produced, which in terms of its reproductive properties is much better than previously known devices. According to the previous one The state of the art includes a hologram on a silver plate formed, thereupon the hologram on a photoresistor transferred, arinchliessond a relief he must on the photowider. ^ t and applied, whereupon the resistance finally drops is coated with a metal layer so that d.ie The artwork has sufficient strength.
Da das photoerr.pfincUiehö Element Im Kahr.ien der V03?li egenden Erfindung einen weiten dynamischen Bereich aufweist, in welchem ReziprokLdenzgesetae anwendbar sind, können somit Hologramme vom Licht eines Körpers erzeugt werden, der einen hohen Kontrast aufweist. Ferner können Fourier-Transformations-Hologramme hergestellt werden, bei welchen eine LJ chtkonzentratlon von einem sehr klelnfläch-»igen Körper erfolgt. Demzufolge besteht die Möglichkeit, eine Aufzeichnung mit hoher DichteSince the photoerr.pfincUiehö element in the Kahr.ien der V03? Li legends Invention has a wide dynamic range, in which reciprocal actions can be applied, can thus holograms generated by the light of a body that has a high contrast. Furthermore, Fourier transform holograms are produced, in which a LJ chtzentratlon takes place from a very small body. As a result there is a possibility of high density recording
vorzunehmen. Deis Hologramm gemäss der vorliegenden Erfindung kann zur Datenverarbeitung als Speicherelement hoher Dichte verwendet werden.to undertake. The hologram according to the present invention can be used as a high density storage element for data processing.
In dem folgenden sollen Beispiele gegeben werden, welche Anwendungsbereiche der vorliegenden Erfindung zeigen:In the following, examples are given which areas of application of the present invention show:
Eine Schicht aus Chalkogen^las ASpSv mit einem Jodgehalt von 25 fo vmrde durch Dampf beschichtung mit einer Dicke von 500 m,-u auf einer 1 mm dicken weissen Glasplatte aufgebracht. Anschliessend daran wurde durch Dampfbeschichtung Ag mit einer Dicke vonA layer of chalcogen ^ las ASpS v with an iodine content of 25 fo vmrde applied by steam coating with a thickness of 500 m, -u on a 1 mm thick white glass plate. Subsequently, Ag with a thickness of
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30 m/U auf die Chalkogenglasßihicht aufgebracht. Das dadurch hergestellte Element wurde von der S Liberseite her mit einer Hochdruck-Queeksilberlampe von PJjO Watt und einem Abstand von 25 cm sehr stark bestrahlt.30 m / rev is applied to the chalcogen glass layer. The element produced in this way was very strongly irradiated from the south side with a high-pressure queek silver lamp from PJjO Watt at a distance of 25 cm.
Bei der Bestrahlung tritt zwischen dor Chalko^anglasachieht und der Silberschicht el;i Piffirsionsvorgan^ auf, boi welchem die Silberschicht in die Chalko^enKlar'.schieht e.lniif fundiert, so dass die metallische Farbe verschwindet. Dio Llchtdurohlässigkett des Elements verbessert sich mit xus.'itr.l icher Belichtungszeit, wobei, die spektrale Abhängigkeit in Pig. ''O dargestellt ist. DJ e&e Fif1;, zeifit die spektrale Durchlässigkeit zu verschiedenen Zeitpunkten der Belichtung. Es erscheint somit einleuchtend, dass die Silberschicht nach einer Belichtung von ungefähr j50 Minuten praktisch vollkommen verschwunden ist, weil die spektrale Durchlässigkeit in diesem Fall im wesentlichen der spektralen Durchlässigkeit Re ent spricht, bei welcher keinäSilberschicht aufdiffundiert worden ist. Falls ein derartiges Element als Phasenholograrnm verwendet wird, sollte die auf dar Oberfläche verbleibende Metallschicht entfernt werden. Die Entfernung der Metallschicht auf der Oberfläche erscheint notwendig, um eine graduelle Belichtung eines hochempfindlichen photoempfindlichen Materials unter natürliohem Licht zu verhindern. Zur Entfernung der Metallschicht ist ein Oxidationsbad insbesondere ein Säurebad geeignet. Beispiele von derartigen Säuren sind Gemische von Schwefel- und Chromsäure,Salpetersäure, Ammoniumnitratlb'sung, Elsen-III-nitrat, AmiTioniumpersulfat und ähnliche. *During the irradiation, between the chalcoco glass look and the silver layer, a peaching process occurs, in which the silver layer is deposited in the chalcoceal clear, so that the metallic color disappears. The light-permeable chain of the element improves with xus.'itr.l icher exposure time, whereby, the spectral dependence in Pig. &Quot; O is shown. DJ e & e Fif 1 ;, shows the spectral transmittance at different times of exposure. It thus appears plausible that the silver layer has practically completely disappeared after an exposure of about 50 minutes, because the spectral transmittance in this case essentially corresponds to the spectral transmittance Re, at which no silver layer has been diffused. If such an element is used as a phase hologram, the metal layer remaining on the surface should be removed. The removal of the metal layer on the surface appears necessary in order to prevent gradual exposure of a highly sensitive photosensitive material to natural light. An oxidation bath, in particular an acid bath, is suitable for removing the metal layer. Examples of such acids are mixtures of sulfuric and chromic acid, nitric acid, ammonium nitrate solution, Elsen-III-nitrate, ammonium persulfate and the like. *
Eine Chalkogenglasschicht Aa0Se 'Pe1 K mit einem Jodgehalt vonA chalcogen glass layer Aa 0 Se 'Pe 1 K with an iodine content of
- 39 -309808/0 824- 39 - 309808/0 824
20 fä wurde durch Kurz verdampfung mit einer Dicke von JOO m/U auf einer Glasplatte aufgebracht, daraufhin wurde eine semitransparente Silberschicht mit einer Dicke von 50 m λι aufgebracht. Ein Four-ier-Trancformations-Hologramm wurde durchgeführt, indem dieses Element in die Focal ebene einer Linse gebracht wurde, welche eine Focallänge von 100 mm aufwies. Durch diese Linse wurde der Strahl eines Argon-Ion-Lasers mit 150 mW scum Durchfall gebracht. Die 'belichtete Fläche . auf .der Oberfläche des Elements betrug etwa20 fä was applied by brief evaporation with a thickness of 100 m / rev on a glass plate, then a semitransparent silver layer with a thickness of 50 m λι was applied. A Fourier transformation hologram was carried out by bringing this element into the focal plane of a lens which had a focal length of 100 mm. The beam of an argon-ion laser with 150 mW scum diarrhea was brought through this lens. The 'exposed area. on .the surface of the element was about
2
1 cm , während die Belichtung nach ungefähr 1/10 Sekunde vollendet war.2
1 cm, while the exposure was completed in about 1/10 of a second.
Daraufhin vmrde die verbleibende Silberschicht' entfernt und das Hologramm regeneriert. Dabei wurde gefunden, dass das Bild mit einer DifTraktionswirksamkeit von ungefähr 1K) $ regeneriert werden konnte.The remaining silver layer is then removed and the hologram is regenerated. It was found that the image could be regenerated with a DifTraktionswirksamkeit of about 1 K) $.
Beispiel J> _Example J> _
Ein geschmolzenes Chalkogenglas aus As0S-, mit einem Brom-A molten chalcogen glass made of As 0 S-, with a bromine
d j> d j>
gehalt Br von JO Gew.- % vmrde durch Zufügen von AsBr-, und S erhalten, wobei sich AKpS, bildete. Das Schmelzen erfolgte bei einer ArgonatraosphHre unter 55O0O und einem atmosphärischenBr content of JO % by weight was obtained by adding AsBr-, and S, with AKpS, being formed. Melting took place in an argon atmosphere below 55O 0 O and an atmospheric one
k während drei Stunden. Das geschmolzene Element vurde auf einer Basisplatte mit einer Dicke von ungefähr 5 /U aufgebracht. Die Temperatur des geschmolzenen Elements betrug bei der Beschichtung etwa 100°C, wobei »jedoch der flüssige Zustand aufrechterhalten blieb. Die dadurch hergestellte Platte erhielt ihre Photoempfindlichkeit, indem sie sehr stark abgekühlt wurde, worauf eine Dampfbeschichtung einer dünnon Kupfercchicht vorgenommen wurdo. Dieses Element ergab als rhasenholotfrarmn genauno £ute Resul tale wie bei den Beispielen 1 und '?.. k for three hours. The molten element was placed on a base plate with a thickness of approximately 5 / U. The temperature of the molten element during the coating was about 100 ° C, but the liquid state was maintained. The plate produced in this way obtained its photosensitivity by cooling it very strongly, after which a thin layer of copper was vapor-coated. As a rhasenholotfrarmn, this element gave exactly the same results as in Examples 1 and '? ..
3 0 9 C< 0 8 /0 a 7. K 3 0 9 C <0 8/0 a 7th C.
ASj(Se^Te2, wurde durch Dampf be schichtung:! t einer Dicke von etwa 0.5 M auf einer sehr flachen Glasplatte aufgebracht, worauf eine Silberschicht mit einer Dicke von 20 m Ai aufgebracht wurde. Das so gebildete Element wurde zur Durchführung einer Realzeitholographie verwendet, so wie dies in Fig. j51 dargestellt ist. Die Glosse und. Menge einer Deformation des Elements 16 durch Beaufschlagung einer äusseren Kraft 17 wurde dabei festgestellt. Das dabei gebildete Interferenzmuster ist in Pig. 32 dargestellt.ASj (Se ^ Te 2 , was applied by vapor deposition:! T to a thickness of about 0.5 m on a very flat glass plate, after which a silver layer with a thickness of 20 m Ai was deposited. The element thus formed was used to carry out real-time holography The gloss and the amount of deformation of the element 16 by the application of an external force 17 were determined, and the interference pattern formed is shown in FIG.
Das optische System von Fig. 3I besteht aus einem Argon-Laser 5 mit einer Wellenlänge von 4.880 A und einer Ausgangsleistung von 500 mW, einer Blende 18, einem Strahlvergrösserer 6, einem flachen Reflexionsspiegel 19, der zu messenden und untersuchenden Oberfläche 20, einem Strahlenteiler 7, einem bereits erwähnten photoempfindlichen Element 9, einem Helium Ne Laser 21, einem Primär-Diffraktionslichtstrahl 22, einer,das Interferenzmuster photographierenden Kamera 24, Interferenzfilter 23, 23' für 6.328 ft, einem primären Diffrakt-Ionslichtstrahl 22', einer Blende 30, sowie einem photoelektronischen Vervielfacher 33· Der photoelektronische Vervielfacher 33 wird zur Messung der Intensität des Diffraktionslichtes verwendet, um die Regenerationswirksamkeit anzuzeigen. Die Blende 18 schliesst sich, wenn die Regenerationswirksamkeit ihren Maximalwert aufweist. Der Laser 21 dient zur Feststellung einer optimalen Belichtung. Sobald die Belichtung vor der Deformation der Körperoberfläche 20 beinahe ausreichend wird, wird eine äussere Kraft 17 angebracht, um die Oberfläche 20 zu deformieren. Zu diesem Zeltpunkt verringert sich das Licht das Lasers 5 während das Licht das Lasers 21 abgeschaltet wird, um das Interforen::-The optical system of FIG. 3I consists of an argon laser 5 with a wavelength of 4,880 A and an output power of 500 mW, a diaphragm 18, a beam enlarger 6, a flat reflection mirror 19, the surface 20 to be measured and examined, a beam splitter 7, an already mentioned photosensitive element 9, a helium Ne laser 21, a primary diffraction light beam 22, a camera 24 photographing the interference pattern, interference filters 23, 23 'for 6,328 ft, a primary diffraction ion light beam 22', a diaphragm 30, and a photoelectronic multiplier 33. The photoelectronic multiplier 33 is used to measure the intensity of diffraction light to indicate the regeneration efficiency. The shutter 18 closes when the regeneration effectiveness has reached its maximum value. The laser 21 is used to determine an optimal exposure. As soon as the exposure before the deformation of the body surface 20 becomes almost sufficient, an external force 17 is applied in order to deform the surface 20. At this point, the light from laser 5 is reduced while the light from laser 21 is switched off in order to create the interface: -
3 iJ 9808/0824 BAD3 iJ 9808/0824 BAD
muster entsprechend der Deformation zu beobachten. Das sich ergebende Interferensmuster ist in Fig. J52 dargestellt.pattern according to the deformation to be observed. The resulting interference pattern is shown in Fig. J52.
Das oben erwähnte Hologrammelement wurde in einer 1 $igen Wässrigen Lösung von Fe (NO^)7 für 5 Sekunden gewaschen, wodurch die Silberschicht entfernt wurde und eine Fixierung stattfand. Daraufhin wurde ansteife des He-Ne Lasers ein Argon-Laser verwendet, so dass eine wirksame und leicht durchzuführende Regeneration während einer langen Zeit-periode. durchgeführt werden konnte. Das Element wurde mit einer 0.5 H wässrigen Lösung von NaOH geätzt, wodurch sich ein Reliefmuster in einer nichtlinearen Beziehung mit der Lichtintensität des Hologramm-Musters ergab. Die Ätzung erfolgte in diesem Fall in Anpassung an die nichtlineare Entwicklung.The above-mentioned hologram element was washed in a 1% aqueous solution of Fe (NO ^) 7 for 5 seconds, whereby the silver layer was removed and fixation took place. Then an argon laser was used in the He-Ne laser, so that regeneration was efficient and easy to carry out over a long period of time. could be carried out. The element was etched with a 0.5 H aqueous solution of NaOH, resulting in a relief pattern in a non-linear relationship with the light intensity of the hologram pattern. In this case, the etching took place in adaptation to the non-linear development.
Das dadurch gebildete Phasenholograram zeigt eJn Diffraktionslicht höherer Ordnung, falls ein Phasenamplitudenverfahren unter Verwendung oiner Interferenz zwischen den Streuwellen höherer Ordnung durchgeführt wird, dann ergibt sich ein Interferenzmuster dessen Interferenzabstand λ/ίο entspricht, eo das» eine Deformation von Λ./100 sehr leicht gemessen werden konnte. A- entspricht dabei der Wellenlänge. Palis eine Silber-Salz-Emulsion verwendet wird, tritt eine Schrumpfung der Emulsionsschicht von ungefähr 2 Ai auf, so dass das Phasenamplitudenverfahren auf einen Wert von iX/100 beschränkt ist. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung können jedoch durch geringfügige Änderungen Werte von A- /100 bis X/1000 oder noch geringer gemessen werden.The phase hologram thus formed shows a higher-order diffraction light, if a phase amplitude method is carried out using interference between the higher-order scattered waves, then an interference pattern results whose interference distance λ / ίο corresponds, so that a deformation of Λ. / 100 is measured very easily could be. A- corresponds to the wavelength. If a silver-salt emulsion is used, a shrinkage of the emulsion layer of approximately 2 Ai occurs, so that the phase amplitude method is limited to a value of iX / 100. In the context of the present invention, however, values of A- / 100 to X / 1000 or even lower can be measured by making slight changes.
Fig. 33 zeigt ein optisches System zur Erzeugung eines Fourier-Transformations-Hologramms. Das optische System besteht ausFig. 33 shows an optical system for generating a Fourier transform hologram. The optical system consists of
- 42 -- 42 -
309808/0824309808/0824
BADBATH
einem Argon-Laser 5, einem Strahlenteiler 7, einem Reflektionsspiegel 19, einer Objektivlinse eines Mikros-kops 25, einer Lochblende 26, einer Collimatorlinse 27, einem transparenten positiven Mikrofilm 28, einer Linse 29, einer Maske 30, einem gemäss der vorliegenden Erfindung gebauten photoegipfindlichen Element 31, sowie einer Feineinstellung 32. Die Forcallängen der Linsen weisen dabei die Vierte F und F1 auf. Das auf dem transparenten positiven Mikrofilm vorhandene Bild entspricht einer Seite einer Zeitschrift.an argon laser 5, a beam splitter 7, a reflection mirror 19, an objective lens of a microscope 25, a pinhole 26, a collimator lens 27, a transparent positive microfilm 28, a lens 29, a mask 30, one constructed according to the present invention photoegipfindlichen element 31, as well as a fine adjustment 32. The force lengths of the lenses have the fourth F and F 1 . The image on the transparent positive microfilm corresponds to a page of a magazine.
Bei der Durchführung der Fourier-Transformations-Holographie in Verbindung mit einem derartigen transparenten Bild, ergibt sich eine sehr schwache Streustrahlung während das direkt auf das photoempfindliche Element auffallende Licht sehr stark ist. Demzufolge ist es relativ schwierig, ein Hologramm herzustellen, es sei denn der dynamische Bereich des photoempfindlichen Elements ist genügend breit. Demzufolge sind 3ilber-Salz-Emtilsionen in diesem Fall nicht verwendbar, jedoch können im Rahmen der vorliegenden Erfindung für diesen Anwondungsfall Hologramme erzeugt werden, bei welchen eine hohe Informationsdichte vorhanden ist.When performing Fourier transform holography in connection with such a transparent image, there is a very weak scattered radiation during the light incident directly on the photosensitive element is very strong. As a result, it is relatively difficult to get one Unless the dynamic range of the photosensitive element is sufficiently wide. As a result silver-salt emtilsions are not in this case usable, but can within the scope of the present invention holograms are generated for this application, in which there is a high information density.
Das photoompfindliche Element bestand aus einer flachen Glasplatte aus AScS71Te.* mit einer Dicke von 1 M und einer Kupferschicht von ungefähr 2K) m ax. Eine Fixierung wurde durchgeführt, indem eine ?. #ige wässrige Lesung von Amrnoniunpersulfat während 10 Sekunden auf das Hologramm zum Einwirken gebracht wurde.The photo-sensitive element consisted of a flat glass plate made of AScS 71 Te. * With a thickness of 1 M and a copper layer of approximately 2 K) max. A fixation was performed by placing a ?. # aqueous aqueous reading of ammonium persulfate was caused to act on the hologram for 10 seconds.
Auf einen Triacetatfilm wurde eine Schicht einer vonA layer of one of
309808/0924 BAD ORtGfNAL309808/0924 BAD ORtGfNAL
As0Se7TeGen κ durch Verdampfung aufgebracht. Daraufhin wurde eine dünne Silberschicht aufgebracht. Das Element wurde be-1 ichtet fixiert und"ähnlich wie-bei Beispiel 4 geätzt, so dass sich ein Hologramm ^mit Reliefmuster ergab. Daraufhin'wurde ein thermoplastischer Film, beispielsweise Polystyren oder Vinylpolyrneren mit einer Temperatur von 100 -* 1500C auf das Reliefmuster aufgedrückt, indem diese beiden Elemente zwi-As 0 Se 7 TeGe n κ applied by evaporation. A thin layer of silver was then applied. The element was be-1 fixed ichtet and "like-in etched Example 4, so a hologram ^ Daraufhin'wurde that resulted with relief pattern, a thermoplastic film, for example polystyrene or Vinylpolyrneren with a temperature of 100 -. * 150 0 C. the relief pattern is imprinted by placing these two elements between
,W al ζ en
sehen erwärmten/hindurchgedrückt wurden. Dadurch wurde das
Reliefmuster auf das thermoplastische Material übertragen.
Die erzielte Reproduktion des Hologramms wurde zur Erzeugung eines Bildes mit guten Resultaten verwendet., W al en
see heated / pushed through. This transferred the relief pattern to the thermoplastic material. The obtained reproduction of the hologram was used to produce an image with good results.
Das Verfahren von Beispiel 6 wurde wiederholt, mit der Ausnahme., dass eine Kupferfolie an den Polyesterfilrn anstelle des Triacetatfilms geheftet wurde. Ferner wurde ein bei niedrigen Temperaturen schmelzendes Chalkogenglas As0SeJ-Te-. c mit einem Jodgehalt von 20 Gew.-JS auf der Kupferschicht durch Schmelzen aufgebracht. Nach der Belichtung wurde die Chalkogenglasschicht von der Kupferschicht entfernt^ wodurch sich ein Reliefrnuster entsprechend dem Belichtungsmuster auf der' Kupferfolie ergab. Das dadurch gebildete Reliefrauster wurde auf einen Transparentfilm übertragen, so daos in ähnlicher Weiße wie- in Beicplel 6 ein Hologramm reproduziert werden konnte.The procedure of Example 6 was repeated except that a copper foil was adhered to the polyester film in place of the triacetate film. Furthermore, a chalcogen glass melting at low temperatures, As 0 SeJ-Te-. c with an iodine content of 20 percent by weight applied to the copper layer by melting. After the exposure, the chalcogen glass layer was removed from the copper layer, resulting in a relief pattern corresponding to the exposure pattern on the copper foil. The relief pattern thus formed was transferred to a transparent film so that a hologram could be reproduced in a similar whiteness as in example 6.
Eine Chalkogenglacschicht ASpSe^-Ge^ und eine Metallschicht mit einer Legierung Cuv>g qaS£0 j_ wurde verwendet. Das dadurchA Chalkogenglacschicht ASpSe ^ -Ge ^ and a metal layer with an alloy Cu v> gq a S £ 0 j_ was used. That by it
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gebildete Element wurde einem Hologramm-Muster ausgesetzt, währenddessen eine Erhitzung durch eine Infrarotlampe von der Seite her erfolgte. Wenn das Element auf ungefähr 80°C erwärmt wurde, verringerte sich die notwendige Belichtungs-formed element was exposed to a hologram pattern, during which time heating by an infrared lamp of the side took place. When the element was heated to approximately 80 ° C, the necessary exposure
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energie auf etwa 1/10 d.h. von ungefähr 10 auf lO erg/cm . Das somit hergestellte Element hatte eine geringe Empfindlichkeit, jedoch war die mechanische Festigkeit sehr gross.energy to about 1/10, i.e. from about 10 to 10 erg / cm. The element thus produced was poor in sensitivity, but the mechanical strength was very large.
Eine dünne Schicht eines Poly-9-vinylcarbazol mit einer Dicke von einigen Ai wurde auf einer Glasplatte aufgebracht. Diese Schicht wurde mit Carbazolylmethan Farbstoff sensitiviert, eo dass die Schicht auf sichtbares Llcht empfindlich wurde. Eine äusserst dünne Silberschicht von ungefähr 10 nyu wurde daraufhin auf die Poly-9-vinylcarbazolschicht aufgebracht. Nach der Belichtung wurde eine Entwicklung durchgeführt, wobei die Silberschicht als Nucleus für die physikalische Entwicklung verwendet wurde. Die Silberschicht wurde dabei geniigend gestärkt, während der belichtete Bereich mit Benzen zur Ausfüllung eines Reliefmusters geätzt wuTue. Die Silberschicht wurde daraufhin entfernt, eo datis sioft ein gutes Phaeehnolo- g?amn ergab. *A thin layer of a poly-9-vinylcarbazole a few Ai thick was applied to a glass plate. This layer was sensitized with carbazolylmethane dye so that the layer became sensitive to visible light. An extremely thin layer of silver, approximately 10 nyu, was then applied to the poly-9-vinylcarbazole layer. After exposure, development was carried out using the silver layer as a nucleus for physical development. The silver layer was sufficiently strengthened, while the exposed area was etched with benzene to fill in a relief pattern. The silver layer was then removed, eo datis sioft g good Phaeehnolo-? Amn revealed. *
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Eine Schicht von PbI2 wurde durch Dampfbeaufschlagung auf einer Glasplatte aufgebracht, worauf eine Schicht einer Legierung aus Af(50) und ln(70) auf der beschichteten Platte aufgebracht wurde. Die in Klammern angegebenen Werte entspre-A layer of PbI 2 was applied to a glass plate by the application of steam, after which a layer of an alloy of Af (50) and In (70) was applied to the coated plate. The values given in brackets correspond to
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chen den Gewichtsprozenten. Durch Verwendung eines derartigen Elements konnte ein Hologramm geschaffen werden, welches eine hohe Auflösungskraft aufwies und das bezüglich seiner Regeneration gute Resultate zuliess.the weight percent. By using such a Elements, a hologram could be created which had a high resolving power and that with regard to it Regeneration allowed good results.
Ein Element wurde durch Aufbringen einer Chalkogenglasschicht ASpTe7S, auf einer Glasplatte hergestellt, worauf eine Silberschicht auf die Chalkogenschicht aufgebracht wurde, anschliessend erfolgte eine Belichtung mit einer Energie von 10 erg/cm . Das Element konnte bei einer Belichtungszeit von 1/100 Sekunden durch einen Argon-Laser belichtet werden, so dass ein gutes Hologramm erhalten werden konnte, selbst wenn ein stossabsorbierendes Bett nicht verwendet wird.An element was produced by applying a chalcogen glass layer ASpTe 7 S on a glass plate, whereupon a silver layer was applied to the chalcogen layer, followed by exposure with an energy of 10 erg / cm. The element could be exposed to an argon laser at an exposure time of 1/100 second, so that a good hologram could be obtained even if a shock absorbing bed was not used.
Eine AgSc-Ten ,- Schicht mit dispergiertem Ag wurde aus einem Block mit Hilfe eines Drahtschneiders herausgeschnitten und auf eine Dicke von ungefähr 100 m/U abgeschliffen. Anschlieosend wurde eine geringfügige Ätzung mit einer schwachen Alkalilösung durchgeführt. Dös somit hergestellte Element wurde einem Licht von 4.880 A ausgesetzt, während die Regenerierung unter einem Licht von 6.328 A erfolgte. Der Winkel zwischen dem Licht des Körpers und der Referenzquelle während der Beliohtung wurde auf 30° eingestellt, was ungefähr 1000 Linien pro Millimeter der Trägerfrequenz entspricht. Die Hologrammbelichtung wurde 20 mal durchgeführt, indem das Element jemals um J5° geneigt wurde. Jedes.belichtete Muster wurde damn genauAn AgSc-Te n , layer with dispersed Ag was cut out from a block with the aid of a wire cutter and ground to a thickness of about 100 m / rev. Subsequently, a slight etching with a weak alkali solution was carried out. The element thus produced was exposed to a light of 4,880 A, while the regeneration took place under a light of 6,328 A. The angle between the light from the body and the reference source during exposure was set to 30 °, which corresponds to approximately 1000 lines per millimeter of the carrier frequency. The hologram exposure was carried out 20 times by tilting the element every J5 °. Every exposed sample was then accurate
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getrennt zum Zeitpunkt der Regeneration. Das photoempElndliche Element gemäss der vorliegenden Erfindung kann demzufolge für dreidimensionale Belichtung verwendet werden, so dass sieh eine sehr grosse Speicherkapazität ergibt. Demzufolge können Photospeicher mit hoher Kapazität hergestellt^werden.separated at the time of regeneration. The photoempElndliche Element according to the present invention can therefore be used for three-dimensional exposure, so that see results in a very large storage capacity. As a result, high capacity photo memories can be manufactured.
Eine Schicht von AsJSt. wurde durch Vakuumaufdampfen mit einer Dicke von 200 m ax auf einer Glasplatte aufgebracht. Das Vakuum betrug dabei 5 x 10* während die Temperatur der Glasplatte auf 1500C gehalten wurde. Anschljessend daran v/urde Silber auf die ASpS-, Schicht durch Vakuumaufdampfen mit einer Diokc von 20 ni/U aufgebracht. Nach der Hologramm-■beliohtung wurden die verbleibenden Metallteile durch eine Chromsäuremischung (HpSO2,+K2Cr2O1,)- entfernt, während die Schicht von A32S^ ln den niChtbelichteten Bereichen durch eine alkoholische Lösung von 0.5 N Natriumhydroxid entfernt wurde. Das Holograriimmuster v/urde auf dem belichteten Teil der Glasplatte hergestellt. Anschliessend daran wurde das Muster in eine starke SKurewiderstandsfähige Schicht umgewandelt und die Glasplatte durch Hydrofluorsäure geätzt. Die gegenüber starken Säuren widerstandsfähige Schicht wurde entfernt, indem dieselbe während eines längeren Zeltraums in die Chromsäuremischung gelegt wurde, dadurch entstand eine, mit Relief versehene,'Glasplatte. Diese mit Relief versehene Glasplatte stellte ein beinahe komplettes Phasenhologramm dar, und zeigte eine Deffr-aktionswirksamkeit bis zu ungefähr 50 $>. Das Hologramm ist mechanisch stark dauerhaft und chemisch widerstandsfähig.A shift from AsJSt. was applied by vacuum evaporation to a thickness of 200 m ax on a glass plate. The vacuum was 5 × 10 * while the temperature of the glass plate was kept at 150 ° C. Subsequently, silver was applied to the ASpS layer by vacuum vapor deposition with a diameter of 20 ni / rev. After the hologram the remaining metal parts by a chromic acid mixture were ■ beliohtung (HpSO 2 + K 2 Cr 2 O 1,) - removed while the layer of A3 2 S ^ ln n i C htbelichteten areas by an alcoholic solution of 0.5 N sodium hydroxide was removed. The holographic pattern was produced on the exposed part of the glass plate. The pattern was then converted into a strong curvature of the stable layer and the glass plate was etched using hydrofluoric acid. The layer resistant to strong acids was removed by placing it in the chromic acid mixture for a long period of time, thereby creating a glass plate with a relief. This relief glass plate represented an almost complete phase hologram, and showed a deffr action efficiency of up to about 50% . The hologram is mechanically very durable and chemically resistant.
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Eine Platte hohen Auflösungsvermögens mit einer Silber-Salz-Emulsion 6^9F (von Kodak) wurde gemäss dem bekannten Verfahren einem Hologramm-Muster ausgesetzt und unter Ausbil-•dung eines Amplitudenhologramms entwickelt. Das gebildete Hologramm wurde in Be'rührung mit einem photoempfindliehen Element gebracht, welches aus einer Glasplatte, einer Chalkogenschicht von As30Se45Ge10S15 mit einer Dlck:e A plate of high resolution with a silver salt emulsion 6 ^ 9F (from Kodak) was exposed to a hologram pattern according to the known method and developed to form an amplitude hologram. The hologram formed was brought into contact with a photosensitive element, which consists of a glass plate, a chalcogen layer of As 30 Se 45 Ge 10 S 15 with a thickness: e
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von 500 m/U und einer Silberschicht von 20 m/U bestand.of 500 m / rev and a silver layer of 20 m / rev.
Anschliessend wurde eine Belichtung mit dem Licht einer Xenonlampe durchgeführt, um ein Holgramm-Muster zu drucken.'This was followed by exposure to the light of a xenon lamp done to print a hologram pattern. '
5 6 Die Belichtungsmenge betrug dabei zwischen 10 und 10 !,upesee, wobei praktische identische Resultate erzielt wurden. Im Falle eines Phaserjhologramms durch Bleich-ung einer Silber-Salz-Emulsion träten keine Irregularitäten auf sondern es ergab sich ein stabiles und sehr reproduzierbares Resultat. Das gedruckte Element wurde in einer wässrigen Lösung von Eieen-III-chlorid eingetaucht, Wodurch die Silberschicht entfernt mirde. Das sich ergebende Hologramm hatte eine höhere Oberfiächenstär&e und Dauerhaft!gkeit als ein Hologramm ein«r Silber^-Salz-lSraulsion. Das so hergestellte Element wurde mit einer OO N alkoholischen Lösung von NaOH geätzt, wodurch die nichtbelichteten Teile entfernt wurden. Demzufolge entstand ein Reliefmuster. Dieses Reliefrauster konnte als Drtfiskvorlage-Hologramm verwendet5 6 The amount of exposure was between 10 and 10 !, upesee, achieving practically identical results became. In the case of a phaser hologram by bleaching With a silver-salt emulsion, no irregularities occurred, but rather a stable and very reproducible one Result. The printed element was immersed in an aqueous solution of Eieen III chloride, whereby the Silver layer removes me. The resulting hologram had a higher surface strength and durability than a hologram, a silver, salt, and emulsion. The one made in this way Item was made with an OO N alcoholic solution etched by NaOH, which removes the unexposed parts became. As a result, a relief pattern was created. This relief pattern could be used as a Drtfiskvorlage hologram
ο werden, indem eine Erwärmung auf 100 C vorgenommen wurde, worauf ein warmer Polystyrenfilm mit Hilfe einer Walze dagegengedrückt wurde. Dabei wurde das Reliefmuster auf den Polystyrenfilm übertragen. Auf diese V/eise konnte eine sehr hoho Anzahl von Hologrammen reproduziert werden.ο by heating to 100 C, whereupon a warm polystyrene film is pressed against it with the help of a roller became. The relief pattern was transferred to the polystyrene film. In this way one could be very A large number of holograms can be reproduced.
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.^--VjJy^XVC4AS^ - ^ VjJy XVC 4 AS.
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BAD ORfGINAU 309808/0824
BAD ORfGINAU
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