DE2058640A1 - Signal window for electron tubes - Google Patents
Signal window for electron tubesInfo
- Publication number
- DE2058640A1 DE2058640A1 DE19702058640 DE2058640A DE2058640A1 DE 2058640 A1 DE2058640 A1 DE 2058640A1 DE 19702058640 DE19702058640 DE 19702058640 DE 2058640 A DE2058640 A DE 2058640A DE 2058640 A1 DE2058640 A1 DE 2058640A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon carbide
- signal window
- substrate
- layer
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 2
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940007424 antimony trisulfide Drugs 0.000 description 1
- NVWBARWTDVQPJD-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);trisulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Sb+3].[Sb+3] NVWBARWTDVQPJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 willemite Chemical class 0.000 description 1
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/233—Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/18—Luminescent screens
- H01J29/24—Supports for luminescent material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
I- 4439 PHN. 4439.I- 4439 PHN. 4439 .
27.Nov.1970Nov 27, 1970
dJo / ¥JM.dJo / ¥ JM.
Signalfenster für Elektronenröhren.Signal window for electron tubes.
Die Erfindung betrifft ein Signalfenster für Elektr onenröhüen-, insbesondere Elektronenstrahlröhren. Es sind dabei an erster Stelle Bildaufnahmeröhren des Vidikon-Typs und Oszillographenröhren gemeint; das Signalfenster lässt im ersteren Falle das eintreffende Licht" und im zweiten Falle das austretende Licht durch.The invention relates to a signal window for electr cathode ray tubes, in particular cathode ray tubes. There are in the first place meant image pickup tubes of the vidicon type and oscilloscope tubes; leaves the signal window in the first case the incoming light "and in the second case the emerging light through.
Die Fenster solcher Röhren bestehen aus einer für Licht durchlässige Unterlage, auf der eine zur Bildaufzeichnung dienende Schicht eines strahlungsempfindlichen Stoffes angebracht? ist. Die für Licht durchlässige Unterlage ist mindestens auf der Oberfläche des strahlungsempfindlichen Stoffes elektrisch leitend, so dass sie zur Abfuhr elektrischer Ladung und als Elektrode benutzt werden kann«The windows of such tubes consist of a light-permeable base, on which one is used for image recording serving layer of a radiation-sensitive substance attached? is. The underlay that is transparent to light is at least on the surface of the radiation-sensitive substance electrically conductive, so that they can dissipate electrical Charge and can be used as an electrode «
109826/0998109826/0998
PHN. 4439.PHN. 4439.
Unter "strahlungsempfindlichem Stoff" soll hier ein Stoff verstanden werden, der unter der Wirkung elektromagnetischer oder korpuskularer Strahlung reversible Änderungen der elektrischen Eigenschaften wie die Leitfähigkeit oder die Dielektrizitätskonstante oder der Lichtausstrahlung aufweist. Der Ausdruck umfasst daher sowohl photo-leitende sowie leuchtende Stoffe.Under "radiation-sensitive substance" is meant here a substance can be understood that under the action of electromagnetic or corpuscular radiation changes reversible the electrical properties such as conductivity or the dielectric constant or the light emission. The term therefore includes both photo-conductive as well as luminous fabrics.
Für Licht durchlässige, elektrisch leitende Oberflächen können bekanntlich durch Aufdampfung von Metall insbesondere Edelmetall auf eine Unterlage erhalten werden. Ein Nachteil ist jedoch, dass dünne Metallschichten nicht über das ganze Spektrum eine gleichmässige Lichtübertragung aufweisen. Es sind z.B. dünne Goldschichten blau bis grün gefärbt .For light-permeable, electrically conductive surfaces, as is known, by vapor deposition of metal in particular Precious metal can be obtained on a support. One disadvantage, however, is that thin layers of metal do not have show even light transmission across the entire spectrum. For example, thin gold layers are colored blue to green .
Erheblich besser in dieser Hinsicht sind die bekannten, farblosen, elektrisch leitenden Schichten von Zinnoxyd und Indiumoxyd. Für die vorliegenden Zwecke haben diese Oxydschichten auch eine ausreichende chemische Widerstandsfähigkeit. Es hat sich jedoch ergeben, dass in Berührung mit den Metallverbindungen, aus denen strahlungsempfindliche Schichten häufig bestehen, z.B. photoleitende Verbindungen wie Bleioxyd und Antimontrisulfid und lumineszierende Verbindungen wie Willemit, die chemische Trägheit der leitenden Schichten z.B. von Zinnoxyd und Indiumoxyd zu wünschen überlässt-r The well-known, colorless, electrically conductive layers of tin oxide are considerably better in this regard and indium oxide. For the present purposes, these oxide layers also have sufficient chemical resistance. It has been found, however, that in contact with the metal compounds that make up radiation-sensitive Layers often exist, e.g. photoconductive compounds such as lead oxide and antimony trisulfide and luminescent compounds like willemite, the chemical inertness of the conductive layers, e.g. of tin oxide and indium oxide, leaves something to be desired - r
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Signalfenster für eine Elektronenröhre zu schaffen, das·!diesen NachteilIt is the object of the invention to provide a signal window for an electron tube which has this disadvantage
109826/0998109826/0998
PHN. 4439.PHN. 4439.
nicht aufweist.does not have.
Nach, der Erfindung wird die Lösung der Aufgabe mittels Siliciumcarbiden erreicht, die bereits im Zusammenhang mit der besonderen chemischen Trägheit für verschiedene Verwendungen in der Technik sich als nützlich erwiesen haben. Bekanntlich kann Siliciumcarbid durch Aufnahme von Donatoren und/oder Akzeptoren unter Aufrechterhaltung der Lichtdurchlässigkeit die erforderliche elektrische Leitfähigkeit erlangen. According to the invention, the object is achieved by means of silicon carbides, which are already related with particular chemical inertness have proven useful for various uses in the art. It is known that silicon carbide can be absorbed by donors and / or acceptors while maintaining light transmission achieve the required electrical conductivity.
Die Erfindung betrifft ein Signalfenster für eine Elektronenröhre, insbesondere eine Bildaufnahmeröhre des Vidikon-Typs, welches Fenster aus einer für Licht durchlässigen Unterlage besteht, die auf einer Seite mit einer zur Bildaufzeichnung dienenden Schicht eines für Strahlung empfindlichen Stoffes überzogen und die mindestens auf der Oberfläche mit der strahlungsempfindlichen Schicht elektrisch leitend und dadurch gekennzeichnet ist, dass die Unterlage mindestens auf der erwähnten Seite aus konpaktem Siliciumcarbid mit einem Gehalt an Donatoren und/oder Akzeptoren besteht.The invention relates to a signal window for a Electron tube, in particular an image pickup tube of the vidicon type, which window of a light permeable Underlay consists of a radiation-sensitive layer on one side with a layer serving for image recording Coated substance and electrically conductive at least on the surface with the radiation-sensitive layer and is characterized in that the substrate is made of compact silicon carbide at least on the mentioned side a content of donors and / or acceptors.
Die Signalfenster nach der Erfindung können eine Unterlage aufweisen, die vollständig· aus kompaktem Siliciumcarbid besteht und mindestens auf einer Oberfläche elektrisch leitend ist.The signal window according to the invention can be a Have a base that is completely made of compact silicon carbide and is electrically conductive on at least one surface.
Körper aus kompaktem Siliciumcarbid sind bekanntlich durch Sublimation, durch Gasphasenreaktionen wie Pyrolyse eines Methylchiorsilans in Anwesenheit von Wasserstoff und durch Umwandlung von Graphit-, Silicium- oder Quarz-Compact silicon carbide bodies are known by sublimation, by gas phase reactions such as pyrolysis of a methylchlorosilane in the presence of hydrogen and by converting graphite, silicon or quartz
109826/0998109826/0998
PHN. 4439.PHN. 4439.
körpern vollständig oder oberflächlich durch Reaktion mit Silicium bzw. Kohlenstoff oder Verbindungen desselben in Siliciumcarbid zu erhalten. 'body completely or superficially through reaction with To obtain silicon or carbon or compounds thereof in silicon carbide. '
Es werden Unterlagen aus Quarz mit einer kompakten Schicht aus Siliciumcarbid bevorzugt, da Quarzkörper der erforderlichen Abmessungen zur Verfugung stehen und sich bequem oberflächlich in Siliciumcarbid umwandeln lassen.Quartz substrates with a compact layer of silicon carbide are preferred, since quartz bodies have the required Dimensions are available and can easily be superficially converted into silicon carbide.
Die elektrische Leitfähigkeit mindestens der Oberfläche des Siliciumcarbids kann wie geasgt durch Einbau von Donatoren und/oder Akzeptoren erzielt werden. Vorzugsweise werden zu diesem Zweck Zusatzstoffe gewählt, die höchstens eine geringe Verfärbung des Siliciumcarbids hervorrufen, so dass der Lichtdurchgang über das ganze Spektrum möglichst ungehindert stattfinden kann. Der Einbau der Zusatzstoffe kann während der Formung oder der Ablagerung des Siliciumcarbids in der Gasphase oder auch durch Diffusion erfolgen.The electrical conductivity of at least the surface of silicon carbide can be achieved, as agreed, by incorporating donors and / or acceptors. Preferably if additives are selected for this purpose which cause at most a slight discoloration of the silicon carbide, see above that the passage of light over the entire spectrum can take place as unhindered as possible. The incorporation of additives can take place during the formation or the deposition of the silicon carbide in the gas phase or also by diffusion.
Die Fenster nach der Erfindung lassen sich fürThe windows according to the invention can be used for
den Zusammenbau der Elektronenröhren mittels Ubergangsgläser ■ an weiteren Teilen festschmelzen. Bei Fenstersubstraten, die vollständig aus Siliciumcarbid bestehen, können zu diesem j Melt the assembly of the electron tubes to other parts using transition glasses. In the case of window substrates which consist entirely of silicon carbide, j
Zweck Borosilicatgläser benutzt werden. Zum Festschmelzen VPurpose borosilicate glasses are used. For melting v
von Substraten aus einem Quarzkörper, der oberflächlich in ;of substrates made of a quartz body, which is superficially in;
Siliciumcarbid umgewandelt ist, kommen die üblichen, zum Festschmelzen von Quarz an Glas zur Verfügung stehenden Zwi- )Silicon carbide is converted, the usual come to Fusing quartz to glass available intermediate)
j schengläser in Betracht. Iglasses into consideration. I.
Das elektrisch leitende Siliciumcarbid der Fenster ,The electrically conductive silicon carbide of the windows,
j kann durch Aufschmelzen von Metallen wie Legierungen von Gold \ j can be achieved by melting metals such as alloys of gold \
109826/0998 I109826/0998 I.
V· PHN. 4439.V · PHN. 4439.
i ■i ■
■;! und Tafttal, von Nickel und Molybdän und von Platin und Zinn örtlich mit elektrischen Kontakten versehen werden.■ ;! and Taft Valley, of nickel and molybdenum, and of platinum and tin locally provided with electrical contacts.
Die Erfindung wird für ein Ausführungsbeispiel nachstehend an Hand beiliegender Zeichnung näher erläutert. Die Figur des Zeichnung zeigt beispielsweise schematisch einen Längsschnitt eine Bildaufnahmeröhre des Vidikon-Typs die mit einem Signalfenster nach der Erfindung versehen ist.The invention is explained in more detail below for an exemplary embodiment with reference to the accompanying drawing. The figure of the drawing shows, for example, schematically a longitudinal section of an image pickup tube of the vidicon type which is provided with a signal window according to the invention.
I Die dargestellte Bildaufnahmeröhre hat einen ent- ^I The image pick-up tube shown has a devi- ^
Λ -Λ -
' lüfteten, langgestreckten, zylindrischen Kolben 1 aus Glas, ; der an einem Ende durch das Substrat 2 eines Signalfensters ( und am anderen Ende durch den Glasfuss 3 abgeschlossen ist.'' lifted, elongated, cylindrical flask 1 made of glass, ; that at one end through the substrate 2 of a signal window (and terminated at the other end by the glass base 3.
i In diesem Glasfuss 3» von dem ein zentraler Teil durch ein \ zugeschmolzenes Entlüftungsrohrchen 4 gebildet wird, sind i This glass stem 3 "of which a central part is formed by a \, fused Entlüftungsrohrchen 4,
■■{ metallene Durchführungsstifte 5 angebracht, die in dem Kolben ■■ { metal grommet 5 mounted in the piston
V mit verschiedenen Teilen des Elektrodensystems 6 elektrischV with different parts of the electrode system 6 electrically
■,*" verbunden sind.■, * "are connected.
' Das Elektrodensystem 6 enthält eine durch einen M 'The electrode system 6 contains an M through a
ο Glühfaden 7 zu erhitzende,,thermische Kathode 8, einen Weh-ο filament 7 to be heated, thermal cathode 8, a
■■■> neltzylinder 9 und eine perforierte Anode 10, die elektrisch■■■> neltylinder 9 and a perforated anode 10, the electrically
I mit einer zylindrischen Elektrode 11 verbunden ist. Die Elek- I is connected to a cylindrical electrode 11. The elec-
^ trode 11 ist auf der Fensterseite mit einer gazeförmigen^ trode 11 is on the window side with a gauze-shaped
.: Elektrode 12 versehen.. : Electrode 12 provided.
j Das Signalfenster besteht aus einem durchsichtigenj The signal window consists of a transparent one
Substrat 2 aus Siliciumcarbid oder Quarz, das auf der der Elektrode 11 zugewandten Seite mit einer durchsichtigen Sig-Substrate 2 made of silicon carbide or quartz, which is on the Electrode 11 facing side with a transparent sign
:':> nalelektrode 13 versehen ist, die ausc-iiner komptakten Schicht : ':> Nalelectrode 13 is provided, which consists of a compact layer
; elektrisch leitenden Siliciumcarbids besteht. Der Körper mit; electrically conductive silicon carbide. The body with
10 9 8 2 67i099T~""'"'"' '' ü 10 9 8 2 67i099T ~ ""'"'"''' ü
PHN. - 6 -PHN. - 6 -
dem Substrat 2 mit der Elektrode 13 ist, wie vorstehend gesagt, nötigenfalls mittels eines oder mehrerer Zwischenglase in dem zylindrischen Kolben 1 eingeschmolzen. Die Signalelektrode 13 ist mit einem nach aussen geführten Stromleiter 1^ versehen.the substrate 2 with the electrode 13 is, as mentioned above, if necessary by means of one or more intermediate glasses melted in the cylindrical piston 1. The signal electrode 13 is connected to an outward conductor 1 ^ Mistake.
Auf der Signalelektrode 13 iet durch Aufdampfung in einer Sauerstoff und Wasserdampf enthaltenden Gasatmos-™ phäre eine etwa 15 bis 20 /um dicke photoleitende Schicht aus Bleimonoxyd (PbO) angebracht.It is deposited on the signal electrode 13 by vapor deposition in a gas atmosphere containing oxygen and water vapor, an approximately 15 to 20 μm thick photoconductive layer made of lead monoxide (PbO) attached.
Die Schicht 15, welche die Auftreffplatte 15 inThe layer 15, which the target 15 in
der Röhre bildet, kann auf der der Anode 10 zugewandten Oberfläche durch einen von der Kathode 8 abgehenden Elektronenstrahl 16 abgetastet werden. Mittels der üblichen, die Röhre umgebenden Ablenk- und Fokussierungsspulen 17 wird der Elektronenstrahl 16 auf die Auftreffplatte 15 fokussiert und zur Abtastung bewegt.the tube forms, on the surface facing the anode 10 can be scanned by an electron beam 16 emanating from the cathode 8. By means of the usual, the tube surrounding deflection and focusing coils 17 is the electron beam 16 focused on the target 15 and moved for scanning.
^t Mittels eines schematisch durch eine einfache Linse^ t means of a schematic through a simple lens
18 dargestellten, optischen Systems wird im Betrieb der Röhre ein in elektrische Signale umzuwandelndes Bild auf die Auftreffplatte 15 projiziert. Die elektrischen Signale werden, wie üblich, beim Abtasten der Auftreffplatte 15 durch den Elektronenstrahl 16, über einem Signalwiderstand 19 im Stromleiter 14 erhalten, über welchen Signalwiderstand die Signalelektrode 13 eine in bezug auf die Kathode 8 positive Vorspannung von 20 bis 6o V erhält.18, an image to be converted into electrical signals is applied to the target plate during operation of the tube 15 projected. The electrical signals are, as usual, when the target 15 is scanned by the Electron beam 16, via a signal resistor 19 in the conductor 14 received the signal resistance over which the signal electrode 13 receives a positive bias voltage of 20 to 60 volts with respect to the cathode 8.
Nachstehend werden noch einige Beispiele von Substraten für Signalfenster nach der Erfindung und der Herstel-Some examples of substrates for signal windows according to the invention and the manufacturing
109826/0998109826/0998
2058G402058G40
PHN. 4439. - 7 -PHN. 4439. - 7 -
lungsweise angegeben.
Beispiel ί. indicated.
Example ί.
Reines Siliciumcarbid, das durch Pyrolyse eines Methylehlorsilans erhalten war, wurde in einer Graphitlehre eine Stunde lang in Argon mit weniger als 1 ppm Stickstoff auf 2200° C zu einem zylindrischen Körper mit einem Aussendurchmesser von 70 mm, einem Innendurchmesser von 4θ mm und einer Höhe von 100 mm gesintert. % Pure silicon carbide, which was obtained by pyrolysis of a methylehlorsilane, was in a graphite gauge for one hour in argon with less than 1 ppm nitrogen at 2200 ° C. to form a cylindrical body with an outside diameter of 70 mm, an inside diameter of 40 mm and a height of 100 mm sintered. %
Der Zylinder wurde darauf fünf Stunden lang auf 2500° C in einem Graphitziegel in Helium mit weniger als 0,1 ppm Stickstoff erhitzt, wobei dafür gesorgt wurde, dass der Temperaturgradient längs der Ziegelwand sowohl axial als auch radial gering war.The cylinder was then left on for five hours Heated 2500 ° C in a graphite crucible in helium with less than 0.1 ppm nitrogen, making sure that the temperature gradient along the brick wall was small both axially and radially.
Auf der Innenwand des Zylinders wuchsen grosse, klare, plattenförmige Kristalle reinen Siliciumcarbids.Large, clear, plate-shaped crystals of pure silicon carbide grew on the inner wall of the cylinder.
Kristalle von 10x10x1 mm3 wurden auf einerCrystals of 10x10x1 mm 3 were on a
Oberfläche durch Diffusion von Aluminium mit einer dünnen, ^Surface by diffusion of aluminum with a thin, ^
durchsichtigen Schicht mit einem spezifischen Widerstand von 0,5 0hm.cm versehen.transparent layer with a specific resistance of 0.5 Ohm. cm.
Aus den Kristallen wurden Scheiben gebildet, die durch Aufschmelzen von Goldstreifen mit 5 Ί° Tantal auf der elektrisch leitenden Oberfläche mit Kontakten versehen wurden.Disks were formed from the crystals, which were provided with contacts by fusing gold strips with 5 ° tantalum on the electrically conductive surface.
Die- Scheiben wurden in Rohren aus Borosilicatglas eingeschmolzen, wobei die Goldlegierungskontakte durch die Röhrenwand geführt wurden.The discs were fused into tubes made of borosilicate glass, with the gold alloy contacts through the Tube wall were performed.
' Beispiel II. ' Example II.
In einem Graphitziegel mit einem plattenförmigenIn a graphite brick with a plate-shaped
10982 6/099 810982 6/099 8
PHN. 4439. - 8 -PHN. 4439. - 8th -
Deckel mit einem Durchmesser von 70 mm auch aus Graphit wurde reines Siliciumcarbidpulver in einer Argonatmosphäre mit 0,01 io Stickstoff auf 26OO° C erhitzt. Bei einer Temperatur des Deckels von 24OO° C sublimierte darauf eine dichte, hellgrüne Schicht aus Siliciumcarbid, die in fünf Stunden zu einer Dicke von 4 mm anwuchs. Nach dem Abbrennen des Graphits in einer Sauerstoffatmosphäre wurden durch Schleifen und Sägen Scheiben gebildet, die als leitendes Substrat für Signalfenster verwendbar sind. Der spezifische Widerstand der durch eine Stickstoffdotierung leitfähigen Substrate betrug 1 Ohm.cm.Cover with a diameter of 70 mm and made of graphite pure silicon carbide powder was heated in an argon atmosphere with 0.01 io nitrogen to 26OO ° C. At a temperature of the lid of 240 ° C., a dense, light green layer of silicon carbide sublimed on it and grew to a thickness of 4 mm in five hours. After the graphite had been burned off in an oxygen atmosphere, disks were formed by grinding and sawing, which can be used as a conductive substrate for signal windows. The specific resistance of the substrates, which were conductive by nitrogen doping, was 1 ohm.cm.
Die Scheiben wurden durch Aufschmelzen von Streifen aus einer Legierung von Nickel mit 10 ^ Molybdän mit Kontakten versehen und in einer Röhre aus Borosilicatglas eingeschmolzen, wobei die Kontakte nach aussen geführt wurden. Beispiel III.The disks were provided with contacts by melting strips made of an alloy of nickel with 10 ^ molybdenum and melted in a tube made of borosilicate glass, the contacts being led to the outside. Example III .
Eine Graphitplatte mit einem Durchmesser von 4o mm wurde auf 1550° C in einem Wasserstoffstrom von 10 Liter/Minute mit 1 Volumenprozent Methylchlorsilan erhitzt. Innerhalb einer Stunde lagerte sich auf der Platte eine Schicht gelbigen, durchsichtigen, reinen Siliciumcarbids mit einer Dicke von 1 mm ab. Infolge des im Gasstrom vorhandenen Stickstoffs, der zum Teil in das Siliciumcarbid aufgenommen wurde, war dieses elektrisch leitfähig. Der spezifische Widerstand war 200 0hm. cm.A graphite plate with a diameter of 40 mm was raised to 1550 ° C in a hydrogen flow of 10 liters / minute heated with 1 volume percent methylchlorosilane. Within an hour a layer of yellowish, clear, pure silicon carbide with a thickness of 1 mm. As a result of the nitrogen present in the gas stream, the was partially absorbed into the silicon carbide, this was electrically conductive. The specific resistance was 200 ohms. cm.
Nach dem Wegbrennen der Graphitplatte in einer Sauerstoffatmosphäre bei 1000° C und nach dem Schleifen und After burning away the graphite plate in an oxygen atmosphere at 1000 ° C and after grinding and
1 0 9 8 2 6 / P c: 0 81 0 9 8 2 6 / P c: 0 8
PHN. 4439.PHN. 4439.
_ Q —_ Q -
Polieren wurde eine Scheibe mit einem Durchmesser von kO mm und einer Dicke von 0,7 mm erhalten, die als Fenstersubstrat verwendbar ist und auf die in den Beispielen I und II dargestellte Weise weiter verarbeitet werden kann. Beispiel IV. After polishing, a disk with a diameter of kO mm and a thickness of 0.7 mm was obtained, which can be used as a window substrate and can be further processed in the manner shown in Examples I and II. Example IV.
Eine Quarzscheibe mit einem Durchmesser von 20 mm und einer Dicke von 3 nun wurde auf einer Seite mit einer dünnen Schicht einer Kohlenstoffsuspension bedeckt. ■A quartz disk with a diameter of 20 mm and a thickness of 3 now was made on one side with a thin Layer of a carbon suspension covered. ■
Nach dem Trocknen wurde acht Stunden lang aufAfter drying, it was on for eight hours
1100° C in einer Wasserstoffatmosphäre erhitzt. Infolgedessen wurde das Quarz oberflächlich ein Siliciumcarbid umgewandelt. Darauf wurde noch zwei Stunden lang in Sauerstoff mit 1 Volumenprozent Stckstoff erhitzt. Infolgedessen wurden die zurückgebliebenen Kohlenreste weggebrannt und durch das Vorhandensein des Stickstoffs in der Sauerstoffatmosphäre wurde eine elektrisch leitfähige Oberfläche erhalten.1100 ° C heated in a hydrogen atmosphere. Consequently the quartz was superficially transformed into a silicon carbide. This was followed by heating for two hours in oxygen with 1 percent by volume of nitrogen. As a result, the The remaining carbon remains burned away and due to the presence of nitrogen in the oxygen atmosphere an electrically conductive surface was obtained.
Auf diesem Fenstersubstrat wurden auf die in den ^ vorhergehenden Beispielen angegebene Weise Kontakte angebracht. Zum Einschmelzen in Glas wurden in diesem Falle die üblichen Zwischengläser verwendet.On this window substrate were on the in the ^ previous examples indicated manner contacts attached. In this case, the usual intermediate glasses are used.
. Auf den Fenstersubstraten wurden strahlungsempfindliehe Schichten angebracht. Wenn Signalfenster für Bildauf— nahmeröhren des Vidikon-Typs hergestellt werden sollen, wird eine photoleitende Schicht, insbesondere eine aufgedampfte Bleimonoxydschicht angebracht. Zur Herstellung von Oszillographenröhren werden die üblichen Schichten aus Leuchtstoffen z.B. Willemit angebracht.. The window substrates became sensitive to radiation Layers attached. If signal window for image capture Vidicon-type acquisition tubes are to be produced, a photoconductive layer, in particular a vapor-deposited one Lead monoxide layer attached. The usual layers of phosphors are used to manufacture oscilloscope tubes e.g. Willemit attached.
10 9 8 2 6/0 99810 9 8 2 6/0 998
Claims (5)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL6919053A NL6919053A (en) | 1969-12-19 | 1969-12-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2058640A1 true DE2058640A1 (en) | 1971-06-24 |
Family
ID=19808670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19702058640 Pending DE2058640A1 (en) | 1969-12-19 | 1970-11-28 | Signal window for electron tubes |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3721848A (en) |
| DE (1) | DE2058640A1 (en) |
| FR (1) | FR2073859A5 (en) |
| GB (1) | GB1277568A (en) |
| NL (1) | NL6919053A (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1380813A (en) * | 1972-10-03 | 1975-01-15 | English Electric Valve Co Ltd | Semiconductor devices |
| JPS522277B2 (en) * | 1974-07-10 | 1977-01-20 | ||
| US5102012A (en) * | 1990-08-31 | 1992-04-07 | Dayco Products, Inc. | Fuel dispensing system having a flexible hose with a static dissipater and a fuel leak detector |
| US5289949A (en) | 1992-06-22 | 1994-03-01 | Chesebrough-Pond's Usa Co., Division Of Conopco, Inc. | Multi-cavity dispensing refill cartridge |
| US6350397B1 (en) | 1999-03-10 | 2002-02-26 | Aspen Research Corporation | Optical member with layer having a coating geometry and composition that enhance cleaning properties |
| US20130074358A1 (en) * | 2011-09-24 | 2013-03-28 | Quantum Technology Holdings Limited | Heated body with high heat transfer rate material and its use |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2544755A (en) * | 1948-01-29 | 1951-03-13 | Bell Telephone Labor Inc | Electron camera tube |
| BE508471A (en) * | 1951-01-17 | |||
| NL290119A (en) * | 1963-03-12 | |||
| US3310700A (en) * | 1964-05-28 | 1967-03-21 | Rca Corp | Photoconductive device incorporating stabilizing layers on the face of the selenium layer |
| US3505551A (en) * | 1966-10-24 | 1970-04-07 | Gen Electrodynamics Corp | Photoconductive layer having reduced resistivity portions in pattern form |
| US3577285A (en) * | 1968-03-28 | 1971-05-04 | Ibm | Method for epitaxially growing silicon carbide onto a crystalline substrate |
| US3600645A (en) * | 1969-06-11 | 1971-08-17 | Westinghouse Electric Corp | Silicon carbide semiconductor device |
-
1969
- 1969-12-19 NL NL6919053A patent/NL6919053A/xx unknown
-
1970
- 1970-11-18 US US00090493A patent/US3721848A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-11-28 DE DE19702058640 patent/DE2058640A1/en active Pending
- 1970-12-16 FR FR7045392A patent/FR2073859A5/fr not_active Expired
- 1970-12-16 GB GB59705/70A patent/GB1277568A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3721848A (en) | 1973-03-20 |
| GB1277568A (en) | 1972-06-14 |
| NL6919053A (en) | 1971-06-22 |
| FR2073859A5 (en) | 1971-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE821092C (en) | Photosensitive element | |
| DE1564544A1 (en) | Photoelectric device and method for producing a photo layer therefor | |
| DE897850C (en) | Image storage tubes | |
| DE1489147B2 (en) | ||
| DE2058640A1 (en) | Signal window for electron tubes | |
| DE965706C (en) | Electric discharge tubes for amplifying X-ray images | |
| DE909378C (en) | Photoelectron or secondary electron emitting surface | |
| DE1564521B1 (en) | Storage electrode for a television pickup tube | |
| DE966028C (en) | Photoconductive electrode | |
| DE919309C (en) | Photoconductive screen for cathode ray tubes | |
| DE1489148C3 (en) | Infrared radiation-sensitive collecting screen for an image signal or image converter tube | |
| DE1299311B (en) | Storage electrode for Vidicon image pick-up tubes | |
| DE2302377A1 (en) | PICTURE TUBE | |
| DE3342707A1 (en) | IMAGE RECEIVER | |
| DE1462101B1 (en) | METHOD OF MANUFACTURING A PHOTOCONDUCTIVE IMAGE ELECTRODE FOR IMAGE RECORDING TUBES | |
| DE2350527A1 (en) | CHARGE STORAGE TARGET ELECTRODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | |
| DE2351254B2 (en) | Method of manufacturing a multi-diode storage disk for an image pickup tube | |
| DE1177197B (en) | Storage disk for a television pickup tube and method for making the same | |
| DE715038C (en) | Braunsche tube with post-acceleration | |
| DE1614753A1 (en) | Photoelectric conductors | |
| DE680108C (en) | Photoelectric device | |
| AT143970B (en) | Method of making an electron emitting electrode. | |
| DE2458174C3 (en) | Photosensitive device | |
| DE2053902C (en) | A method for producing a photoconductive material sensitive in the ultraviolet ray region | |
| DE954071C (en) | TV transmitter tubes with electron-optical image amplification |