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DE2052323A1 - Supraleitender Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Supraleitender Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung

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DE2052323A1
DE2052323A1 DE19702052323 DE2052323A DE2052323A1 DE 2052323 A1 DE2052323 A1 DE 2052323A1 DE 19702052323 DE19702052323 DE 19702052323 DE 2052323 A DE2052323 A DE 2052323A DE 2052323 A1 DE2052323 A1 DE 2052323A1
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DE
Germany
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niobium
tin
base material
superconducting
elements
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DE19702052323
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English (en)
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Brian Wilfred Newbury Berk shire Howlett (Großbritannien)
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UK Atomic Energy Authority
Original Assignee
UK Atomic Energy Authority
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by UK Atomic Energy Authority filed Critical UK Atomic Energy Authority
Publication of DE2052323A1 publication Critical patent/DE2052323A1/de
Publication of DE2052323B2 publication Critical patent/DE2052323B2/de
Ceased legal-status Critical Current

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Description

PATENTANWALT WtIm. |«7I) Μ»»
DIPL-ING. ERICH SCHUBERT
Pocbdwdkonfe Afc«.; Nt*»oi«watt Dipl-In* SCHUKHT, » Si·«·*, B*«w ***· 2» DwHidi· fcmk AO,
r«Hodi325 Filialwi »i«g«i m. Obra (WiW.)
70 118 Kü/h. 23. Oktober 1970
United Kingdom Atomic Energy Authority, 11, Obarles II Street, London, S.W.1, B η g 1 a η d
Pur diese Anmeldung wird die Priorität aus der britischen Patentanmeldung Nr· 52623/69 vom 27· Oktober 1969 beansprucht.
Supraleitender Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
"Background" der Erfindung
Die Erfindung bezieht sich auf supraleitende Bauteile baw. Elemente sowie auf Verfahren zur Herstellung derselben·
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Mit einem supraleitenden Bauteil oder Element ist ein Bauteil gemeint» der eine Supraleitfähigkeit zeigt, wenn seine Temperatur bi· unterhalb seiner kritisohen temperatur herabgesetzt wird. Materialien bzw· Werkstoffe* von besonderem Interesse sind auf dieeea Gebiet jene, die vergleichsweise hohe kritisch· Temperaturen und vergleiahsweiöe hohe kritische Magnetfelder haben. Solche Werkstoff6 oder Materialien sind Binary erbindungen, wie beispielsweise Efiobstannid Nb5Sn, und neuerdings sind τοπ besonderem Interesse Ternfcrverbindungen, wie beispielweise das Siob-Alumlnium-Geriaaniuin Nb5(Al0 göeQ ^) t
Die Herstellung solcher Verbindungen in die form der supraleitenden Bauteile, die eioh au» Wickeln von Magnetspulen eignen, wird durch ihre Sprödheit ersohwert. So besteht beispielsweise eine zur Zeit verwendete Teohnik der Herstellung eines Bandes aus Nb,Sn darin, daß* das Zinn auf ein vorgeformtes Band aus Niob niedergeschlagen und dann auf 9250C bis 1050°ö erhitzt wird, bei welcher Temperatur daa Zinn flüssig ist und mit dem Hiob reagiert, um Nb,Sn zu bilden. Sin Alternativverfahren besteht darin, auf ein Substrat bzw. einen Träger ein Gemisch, ia entsprechenden Proportionen, aus Halogeniden bzw. Haloidsalzen von Mob und Zinn zu koreduzieren.
Zusammenfassung der Erfindung
Durch die Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Bauteile oder Elementes geschaffen, bei welchem «in zusammengesetztes Material gebildet wird, welches im wesentlichen aus eines Trägermaterial und zumindest einem Element aus der Gruppe ι Aluminium, Gallium, Indium, Silizium,
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Ζ0'52323
Germanium und Zinn besteht, und das zusammengesetzte Material mit einem Grundmaterial in Kontakt gebracht wird, welches im wesentlichen aus Niob oder Vanadium besteht, und wobei eine Wärmebehandlung durchgeführt wird, derart, daß eine Festzustandsreaktion zwischen dem Niob öder Vanadium und dem oder den Elementen aus der genannten Gruppe stattfindet, um damit eine supraleitende Verbindung zu bilden, wobei das Trägermaterial ein solches ist, welches im wesentlichen mit dem Grundmaterial unter der Wärmebehandlung nicht reagiert.
Es ist ferner wichtig, zu beobachten, daß die Auswahl des Trägermaterials in Relation zum ausgewählten Element oder zu den ausgewählten Elementen der vorgenannten Gruppe und die Konzentration des oder der Elemente im Trägermaterial der Beschränkung unterworfen sind, daß keine unerwünschte Verbindung in Jenem 'feilstück des ternären oder quaterären Gleichgewichtsdiagramms stabil ist, welches bei der Re-aktion zwischen dem Niob oder Vanadium und dem zusammengesetzten Material eine Rolle spielt.
Es versteht sich, daß die Bezugnahme auf das zusammengesetzte Material, welches im wesentlichen aus einem Trägermaterial und zumindest einem Element aus der genannten Gruppe i besteht, auch die Verwendung des oder der Elemente entweder rein oder mit annehmbaren Verunreinigungen bzw. Einschlüssen oder mit einem Zusatz oder Streckmittel einschließen soll, welches nicht in unannehmbarer Weise die Reaktion zwischen dem Niob oder Vanadium mit dem Element zur Bildung der supraleitenden Verbindung beeinträchtigt.
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In ähnlicher Weise soll mit der Bezugnahme auf das Grundmaterial, welches im wesentlichen aus Niob oder Vanadium besteht, gesagt werden, daß auch die Verwendung von Niob oder Vanadium entweder pur oder mit annehmbaren Verunreinigungen oder Einschlüssen oder mit einem Zusatz oder Streckmittel eingeschlossen ist, welches nicht in unannehmbarer Weise die Reaktion zwischen dem Niob oder Vanadium mit dem Element aus der vorgenannten Gruppe zur Bildung der supraleitenden Verbindung beeinträchtigt.
Es ist daran gedacht, daß Zusätze unter bestimmten Umständen erwünscht sein können. Beispielsweise können bis zu 25 Gew. ia Tantal im Niob enthalten sein und die mechanischen Eigenschaften des Niobs bedeutend verbessern, ohne daß die Supraleiteigenschaften der durch das vorgenannte Verfahren gebildeten Verbindung ernsthaft beeinträchtigt werden.
Vorzugsweise besteht das zusammengesetzte Material bei der WarmebehandlungBtemperatur aus einer festen Lösung des oder der Elemente aus der genannten Gruppe im Träger. Das Trägermetall besteht vorzugsweise im wesentlichen aus Kupfer, Silber oder Gold.
Erfindungsgemäß sind die Reaktionsbedingungen so, daß eine zwischenmetallische Verbindung zwisohen dem Niob- oder Vanadium-Grundmaterial und dem Element oder den Elementen :> gebildet wird, wobei die Verbindung eine Kristallstruktur aufweist, die mit A15 bezeichnet wird, wie beispielsweise Nb,Sn.
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ORIGINAL INSPECTED
Bei einem Verfahren gemäß der Erfindung wird das Grundmaterial zusammen und in Kontakt mit dem Trägermaterial mechanisch behandelt, beispielsweise durch Walzen, Ziehen, Drücken, Strangpressen oder Schmieden oder durch eine Kombination dieser Behandlungen, um die gewünschte Form und allgemeinen Abmessungen des endgültigen supraleitenden Bauteils zu bilden, bevor die Wärmebehandlung durchgeführt wird, unter welcher das Grundmaterial mit dem oder den Elementen aus der genannten Gruppe reagiert.
Die Erfindung betrifft auch einen supraleitenden Bauteil, der durch das vorgenannte Verfahren hergestellt worden ist.
Die Erfindung schließt ferner einen supraleitenden Bauteil ein, der im wesentlichen aus einem Mob- oder Vanadium-Grundmaterial in Kontakt mit einem zusammengesetzten Material besteht, welches im wesentlichen aus einem 'trägermaterial und zumindest einem Element aus der Gruppe; Aluminium, Gallium, Indium, Silizium, Germanium und Zinn besteht, wobei zumindest ein 'feil des Grundmaterials mit dem oder den Elementen der eine supraleitende Verbindung bildenden Gruppe kombiniert ist.
Besondere Verfahren zur Herstellung von supraleitenden i Bauteilen oder Elementen sowie besondere Konstruktionen von supraleitenden Bauteilen oder Elementen nach der Erfindung werden nunmehr anhand der sie beispielsweise wiedergebenden Zeichnung beschrieben, und zwar zeigen die
Mgn. 1 und 2 schematische Querschnitte durch jeweils eine erste und eine zweite Ausführungsform von supraleitendem Bauteil, während die
Pi1-^n. 3,4 und*> sohematische Teillängsschnitte durch eine dritte Ausführungsform eines supraleitenden Bauteile in verschiedenen Herstellungsetufen wiedergeben.
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Bei dem in Pig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein Kern aus Niob 11 mit einer Kupfer-Zinn-Bronze 12 überzogen, d.h. einer festen Lösung von Zinn in Kupfer. Der überzogene Kern wird dann in die gewünsohte Endform des supraleitenden Bauteile durch eine mechanische Formungstechnik gebracht.· Beispielsweise kann ein verlängerter Draht durch Ziehen oder duroh Strangpressen durch eine Matrize hindurch gebildet werden.
Der geformte bzw. gebildete Bauteil wird dann wärmebehandelt, wobei das Niob mit dem Zinn im Kupfer reagiert und eine Verbundsohicht des Supraleiters Nb,Sn an der Zwischenfläche zwischen dem Niob und dem Bronzeüberzug bildet.
Bei dem in Pig, 2 dargestellten Ausführungsbeispiel wird ein Rohling bzw. Knüppel aus Kupfer-Zinn-Bronze 13 mit einer Vielzahl von Löchern gebohrt, in welche Stäbe 14 aus Niob eingeführt werden« Der Rohling wird dann gezogen oder stranggepreßt, um ein verlängertes Kabel zu bilden, welches eine Kupfer-Zinn-Bronze-Matrix aufweist, die eine Vielzahl von Niobfäden trägt. Durch Wärmebehandlung, wie beim Ausführungsbeispiel nach Pig. 1, werden Nb,Sn-Verbindungsschichten an allen Zwiaohenflachen zwischen den Niobfäden und dem Matrixmaterial erzeugt. Auf diese Weise wird ein Kabel mit einer Vielzahl von Nb,Sn-Supraleiterfäden durch ein einfaches mechanisches Pormungs-und Wärmebehandlungsverfahren gebildet.
In der Praxis hat sich herausgestellt, daß bei genügend kleinem Padendurchmeeser des Niob die Wärmebehandlung ohne weiteres fortgesetzt werden kann, um eine vollständige Reaktion zwischen dem Niob und den» Zinn sicherzustellen, d.h. ein Einzelphasen-Nb,Sn mit sich daraus ergebenden guten Supraleitfähigkeiten zu erzielen. Niobfadendurohmeeser in der Größenordnung von 5-10
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_ 7 —
Mikron sind dazu angemessen. Größere Durchmesser können akzeptabel sein, würden aber eine ziemlich langwierige Wärmebehandlung erfordern.
Die mit Bezug auf die Fign. 1 und 2 beschriebenen Herstellungsverfahren haben die folgenden wesentlichen vorteilhaften Merkmale:
Die Kupfer-Zinn-Bronze kann mit mechanischen Eigenschaften hergestellt werden, die jenen von Niob näher kommen als Zinn allein. Durch Einbringen des Zinns in Kupfer, bei einer entsprechenden Konzentration, bleibt die Zinn-Kupfer-Bronze bei der Reaktions-Wärmebehandlungstemperatur fest. Auf diese Weise erfolgt die Reaktion als eine Festzustandsreaktion. Diese beiden Faktoren zusammen machen die Bildung der gewünschten Endabmessung und-form des supraleitenden Bauteils durch einen einfachen mechanischen Formungsvorgang möglich, der gleichzeitig allen Einzelheiten bzw. Komponenten zuteil wird, welche in die Fertigung gehen.
Die Festzustandsreaktion ist besser kontrollierbar als eine Reaktion zwischen Niob und flüssigem Zinn und führt zu einer mehr erwünschten feinkörnigen Stxktur der FfcuSn-Schicht.
Ein weiteres bemerkenswertes Merkmal der oben beschriebenen Technik wurde beobachtet. Für die Bildung von Nb,Sn wurden in herkömmlicher Weise 'Temperaturen zwischen 9250C und 1050 C verwendet. Bei niedrigeren Temperaturen erfolgt eine übermäßige Bildung von unerwünschten Verbindungen Nb,-Sn5 oder FbSn2* Der kontrollierende Effekt der Festzustandsreaktion bei den oben beschriebenen Verfahren scheint jedoch die Wirkung zu haben, die Bildung dieser unerwünschten Verbindungen NbgSn,- und NbSn2 zu verhindern, selbst wenn eine Reaktionstemperatur von bedeutend weniger als 9250G verwendet wird. Versuche haben gezeigt, daß eine Reaktionstemperatur von 70O0C verwendet werden kann, und sie haben angedeutet, daß selbet noch niedrigere Temperaturen
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möglicherweise akzeptabel sein könne. Bs ist festgestellt worden, daß die ßeaktionetemperatur und die endgültige bzw. absolute kitische Temperatur sowie die Supraleitstrom-Führungskapazität der supraleitenden Verbindung in Beziehung zueinander stehen. Je niedriger die Reaktionstemperatur innerhalb der Grenzen zum Sicherstellen einer Reaktion mit einer annehmbaren Geschwindigkeit ist, um so höher liegen die kritische Temperatur und die Supraleitstrom-Pührungskapazität. Diese Faktoren werden durch die nachfolgende Tabelle I veranschaulicht, welche außerdem die Verbesserung der Reaktionsgeschwindigkeit mit der Zunahme der Konzentration des Zinns in der anfänglichen Kupferzinn-Bronze zeigt.
Tabelle I
Itomarer Prozent
satz des Sn in
ler anfänglichen
)u/Sn-Bronze
Reaktions
zeit
(Stunden)
Reaktions-
Jemperatur
Schicht
stärke
des ge
bildeten
Nb,Sn in
MiKron
Kritische Supra
leitfähigkeits-
temperatur des
groduktes in
2
It
η
N
tt
10
H
It
Il
η
940
900
800
750
700
2.2
1.4
0.7
0.6
0.4
14.3
15.7
17.2
18.4
4
It
10
ti
900
840
5.8
3.5
6
η
10
Il
825
800
6.0
4.0
18.7
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Dies ist ein besonders bedeutendes Merkmal, weij sine Grenze bezüglich der Konzentration von Zinn innerhalb de a Kupfers und somit eine Grenze bezüglich der Länge vo:\ Hb^Snt welche gebildet werden kann, durch die Bedingung auferlegt wird, daß die Bronze bei der Reaktionstemperatur nicht schmelzen darf. Bs sei darauf hingewiesen, daß, je höher die Konzentration des Zinn im Kupfer ist, desto niedriger die Temperatur sein wird, bei welcher das Schmelzen beginnt. Genauer ausgedrückt ist die obere Temperatur für die Reaktion auf den Zustand des ivupferZinn-Systems begrenzt. In wünschenswerter V/eise sollte die Konzentration des Zinns ausreichend sein, um mit dem gesamten vorhandenen Niob zu reagieren. Eine weitere Beschränkung hinsichtlich der Konzentration des Zinns ist dadurch bedingt, daß ( Fb^Sn in dem ternären Gleichgewichtsdiagramm, welches bei der Reaktion zwischen dem Mob und der Bronze eine Rolle spielt, stabil sein sollte, die anderen, unerwünschten, Mob-Zinn-Verbindungen aber instabil sein sollten. In der Praxis treten im allgemeinen Fabrikationsschwierigkeiten bei dem Versuch auf, die Zinnkonzentration zu erhöhen, bevor diese Beschränkung wirk-r sam wird.
Ein weiterer Vorteil der beschriebenen Verfahren besteht darin, daß man bei Verwendung von Kupfer-Zinn-Bronse mit einem einfachen Fabrikationsschritt eine Matrix eines normalen leiters in Kontakt mit einem Supraleiter sicherstellt. Eine derartigs Konfiguration ist insbesondere erwünscht für das Kontrollieren bzw. Steuern des Flußspingens /flux jumping/ in Supraleitenden Spulen. Es ist jedoch daran gedacht, daß die Reduktion der normalen Leitfähigkeit des Kupfers durch das Vorhandensein kleiner Mengen Zinn, welche in dem Kupfer nach der Reaktion verbleiben, eo sein kann, daß eine zusätzliche Schicht aus reinem Kupfer nach der Bildung des Nb,Sn zugefügt werden muß. Dies kann beispielsweise durch Verkabelung des Leiters mit reinem Kupfer, durch Kupferplattierung des Leiters nach der Wärmebehandlung oder durch Abflachen des Leiters vor der Wärmebehandlung und Auflöten von reinem Kupfer nach der Wärmebehandlung erzielt werden.
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Die Figuren 3, 4 und 5 veranschaulichen drei Schritte in einem alternativen Herstellungsverfahren, welches bei diesem Ausführungsbeispiel für die Herstellung eines band- oder streifenförmigen supraleitenden Bauteils angewandt wird.
Nach Fig. 3 wird ein Band oder Streifen aus Niob 15 zunächst mit einer Schicht Zinn 16, 17 auf jeder Seite überzogen. Die Zinnschichten werden dann mit Kupferschichten 18, 19 überzogen. Dieser Sandwichaufbau wird dann erhitzt.
Bei Erhitzung reagiert das Zinn zunächst mit dem Kupfer, was dieses leichter bei niedrigen Temperaturen tut, als es dies mit dem Niob tut. Auf diese Weise werden Schichten 21, 22 (Fig. 4) aus Kupfer-Zinn-Bronze auf dem Niobstreifen 15 gebildet.
Sobald die Temperatur weiter erhöht wird, ist die Situation genau die gleich?wie die des Ausführungsbeispiels, welches mit Bezug auf die Fig. 1 und 2 beschrieben wurde. Sine Festzustandsreaktion erfolgt zwischen dem Niob und dem Zinn in der Kupfer-Zinn-Bronze. Fig. 5 zeigt die Bildung von Nb^Sn-Schichten 23f 24 an den Zwischenflächen zwischen dem Niob und der Bronze.
Dieses Verfahren hat nicht den oben erwähnten Vorteil der einfachen mechanischen Herstellung aller anteiligen Stoffe in die endgültige Abmessung und Form des gewünschten supraleitenden Bauteile. Dieses Verfahren hat aber den Vorteil einer feinkörnigen Nb,Sn-Formierung und einer niedrigeren zulässigen Reaktionstemperatur, da die Nb,Sn-Bildung als Festzustandsreaktion erfolgt.
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Zur Vereinfachung der Beschreibung wurden die Verfahren und die gebildeten supraleitenden Bauteile für das Nb^Sn-System beschrieben. Die gleichen G-rundüberlegungen gelten jedoch auch für die Bildung anderer Verbindungen mit der A15-Kristallstruktur, d.h. für Verbindungen der allgemeinen Formel A,B, wobei A Niob oder Vanadium aufweist und B eines oder mehrere der Elemente Aluminium, Gallium, Indium, Silizium, Germanium und Zinn aufweist. "Wenn zwei der Elemente in dieser Liste für "B" ausgewählt werden und somit eine ternäre Verbindung bilden, so zeigen Voruntersuchungen, daß verbesserte Ergebnisse erzielt werden können, wenn das eine der Elemente aus der Gruppe Aluminium, Gallium und Indium und das andere Element aus der Gruppe Silizium, Germanium und Zinn ausgewählt wird.
Es ist wesentlich, daß das Trägermaterial ein solches ist, welches leicht eine feste Lösung mit dem B-Element bildet, aber im wesentlichen mit Niob oder Vanadium unlöslich ist. Wie oben erläutert, ist es auch bei der Auswahl des Trägermaterials in Bezug auf das B-Element oder die B-Elemente wesentlich, daß man das Gleichgewichtssystem bei der Reaktionstemperatur beachtet. Kupfer ist ein äußerst geeignetes Material als Träger bei der iib^Sn-Herstellung, wie beschrieben, Kupfer kann aber für Nb,Al unzufriedenstellend sein, wenn ein Silber- oder Gold-Trägermaterial in Betracht zu ziehen ist.
Wenn auch, wie oben erwähnt, die grundsätzlichen Überlegungen, wie sie für das Verfahren zur Bildung des Nb^Sn-Systems beschrieben wurden, auch für die Bildung der anderen erwähnten Α·2B-Verbindungen gelten, so sei doch darauf hingewiesen, daß die unterschied!ionen Phasendiagramm-Charak-teristiken der anderen oysteme etwas andere Bedingungen mit sich bringen, welche durch die Wärmebehandlung erfüllt werden müssen, und auch andere Bedingungen hinsichtlich des erlaubten Pegels des B-Elementes im
«AD 109820/139 1
Trägermaterial auferlegen. In dieser Hinsicht haftet eine sogar größere Bedeutung dem oben erwähnten Faktor an, nämlich dem Kontrolleffekt des Erzielens einer ^'estzustandsereaktion zwischen dem "B"-Element oder den "B"-Elementen und dem "A11-Element. So ist die große unerwünschte NbpAl-Phase des Niob-Aluminium-Systems bis zu etwa 18700C stabil. Die Probleme des Kontrollierens unerwünschter Reaktionen bei dieser Temperatur sind äußerst ernst zu nehmen, und dies macht beachtliche Schwierigkeiten bei der Herstellung der ternären Verbindung Nb5 (AIq 3Ge0 p)> wobei die ternäre Verbindung zur Zeit die höchste bekannte kritische Temperatur hat. Der oben beschriebene Kontrolleffekt der Pestzustandsreaktion ermöglicht erwartungsgemäß die Bildung der gewünschten Phase in den Systemen, welche Aluminium oder Silizium einschließen, bei bedeutend niedrigeren Temperaturen, z.B. möglicherweise bei 7000C oder 8000C.
Die Erfindung ist nicht auf Einzelheiten der vorangehenden Beispiele beschränkt. Beispielsweise sind Ziehen und Strangpressen als mechanische Formungsverfahren erwähnt. Walzen, Drücken oder Schmieden können alternativ oder zusätzlich angewandt werden, wo dies angemessen ist.
Die Erfindung betrifft auch Abänderungen der im beiliegenden Patentanspruch 1 umrissenen Ausführungsform und bezieht sich vor allem auch auf sämtliche Erfindungsmerkmale, die im einzelnen — oder in Kombination — in der gesamten Beschreibung und Zeichnung offenbart sind.
Patentansprüche
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Claims (1)

  1. - 13 -^■■^ Patentansprüche
    V 1 .^erfahren zum Herstellen eines supraleitenden Bauteile bzw. Elementes, dadurch gekennzeichnet, daß ein zusammengesetztes Material (12; 13» 21,22) gebildet wird, welches im wesentlichen aus einem Trägermaterial und zumindest einem Element aus der Gruppe: Aluminium, Gallium, Indium, Silizium, Germanium und Zinn besteht, und daß das zusammengesetzte Material (12; 13; 21,22) mit einem Grundmaterial (11;H|15) in Kontakt gebracht wird, welches im wesentlichen aus Niob oder Vanadium besteht, und wärmebehandelt wird, derart, daß eine Festzustandsreaktion zwischen dem Niob oder Vanadium und dem oder den Elementen aus der genannten Gruppe stattfindet, um eine supraleitende Verbindung (23» 24) damit zu bilden, wobei das Trägermaterial ein solches ist, welches im wesentlichen mit dem Grundmaterial (11; 14» 15) unter der Wärmebehandlung nicht reagiert.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zusammengesetzte Material (12;13» 21,11) bei Wärmebehandlungstemperatur eine feste Lösung des oder der Elemente aus der genannten Gruppe im Trägermaterial aufweist.
    3· Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionsbedingungen so sind, daß eine zwischenmetallische Verbindung (23t24) zwischen dem Niob- oder Vanadium-Grundmaterial (11; 14; 15) und dem oder den Elementen gebildet wird, wobei diese Verbindung eine mit A15 bezeichnete Kristallstruktur aufweist.
    109820/1391
    2052523
    -u-
    4o Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägermaterial im wesentlichen aus Kupfer, Silber oder Gold besteht.
    5β Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Grundmaterial (11; 14; 15) zusammen und in Kontakt mit dem Trägermaterial mechanisch behandelt wird, um die gewünschte Form und gewünschten Abmessungen des endgültigen supraleitenden Bauteils zu bilden, bevor die Wärmebehandlung durchgeführt wird, unter welcher das Grundmaterial (11; 14;15) mit dem oder den Elementen der genannten Gruppe reagiert·
    6p Supraleitender Bauteil, dadurch gekennzeichnet, daß er im wesentlichen aus einem Niob- oder Vanadium-Grundmaterial (11; 14; 15) in Kontakt mit einem zusammengesetzten Material (12; 13; 21,22) besteht, welches sich im wesentlichen aus einem Trägermaterial und aus zumindest einem Element aus der Gruppe: Aluminium, Gallium, Indium, Silizium, Germanium und Zinn zusammensetzt, wobei zumindest ein Teil des Grundmaterials, (11; 14; 15) mit dem oder den Elementen der eine supraleitende Verbindung bildenden Gruppe kombiniert ist.
    7 ο Supraleitender Bauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Niob- oder Vanadium-Grundmaterial (14) die Form einer Vielzahl von feinen Fäden (14) in einer Matrix (13), welche das zusammengesetzte Material aufweist, hat.
    8. Supraleitender Bauteil nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß er die Niob-Zinn-Verbindung Nb^Sn in einer Matrix aus Kupfer mit einer kleinen Menge Von nicht-reagiertem Zinn in Kupfer aufweist.
    109820/1391
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