[go: up one dir, main page]

DE1913676A1 - Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem stroemenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem stroemenden dotierenden Gas - Google Patents

Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem stroemenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem stroemenden dotierenden Gas

Info

Publication number
DE1913676A1
DE1913676A1 DE19691913676 DE1913676A DE1913676A1 DE 1913676 A1 DE1913676 A1 DE 1913676A1 DE 19691913676 DE19691913676 DE 19691913676 DE 1913676 A DE1913676 A DE 1913676A DE 1913676 A1 DE1913676 A1 DE 1913676A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
doping
gas
crystals
flowing
reaction gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19691913676
Other languages
English (en)
Inventor
Folkmann Dipl-Ing Eduard
Pammer Dr Erich
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE19691913676 priority Critical patent/DE1913676A1/de
Priority to NL7000581A priority patent/NL7000581A/xx
Priority to US14437A priority patent/US3658585A/en
Priority to FR7009074A priority patent/FR2041080B1/fr
Priority to GB02656/70A priority patent/GB1269431A/en
Priority to CH393470A priority patent/CH543596A/de
Priority to JP45022319A priority patent/JPS4823708B1/ja
Publication of DE1913676A1 publication Critical patent/DE1913676A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S118/00—Coating apparatus
    • Y10S118/90—Semiconductor vapor doping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/935—Gas flow control

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitenclern bzw. isolierendem Material aus einem strömenden Reaktions gas auf erhitzte Halbleiterkristalle bnw. sum Dotieren solcher Kristalle aus einem strömenden dotierenden Gas
Die Erfindung besieht sich auf ein Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem strömenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzv/. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem strömenden dotierenden Gas, bei dem durchwegs konstante oder nur stufenweise geänderte Betriebsbedingungen angewendet werden.
Bei der Abscheidung epitaktischer Halbleiterschichten auf einkristallinen Halbleiterscheiben oder bad. der pyrolytischen Abscheidung von Siliciumoxid- und/oder Siliciumnitridschichten aus der Gasphase auf solchen Kristallen ist ea schwierig, gleichmäßige Schichtstärken, insbesondere bei gleichzeitiger Beschichtung einer größeren Anzahl von Halbleiterscheiben, zu erreichen. Es tritt nämlich Erschöpfung des Reaktionsgases an aktiven Substanzen auf, dem man bisher durch Erzeugung einer turbulonten Strömung des Reaktionsgases und der hieraus resultierenden Durehnischung von verbrauchtem mit neuem Gas Rechnung zu tragen versuchte. Dann benötigt man aber Prallkörper oder bewegte Rührflügel oder bewegte Gaszui'ührungsdüsen. Alle derartigen Mittel bedingen zusätzliche, insbesondere bewegte Körper im Reaktionsgefüß, mit doncn da;; Reaktion?"-gas in besonders intensive Berührung gelangt. Dies bedeutet eine erhöhte Verunreinigungsgefahr der abgeschiedenen Schichten und eine Vermehrung von Möglichkeiten au unerwünschten Abscheidungen im Reaktionsgofaß.
9/493/994 Stg/Schm
009839/180 4
BAD OBfGINAL
Es ist Aufgabe der ^rfindnng. lie durcl^ Verarmung des Reaktionsgases an aktiven KoEiponaircen bedingte Ungleichheit der Abscheidung mit möglichst einfachen Mitteln au verhindern,
Aus diesem Grund ist das erfinäungsgeraäße Verfahren dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche Arbeitsphasen mit konstant gehaltenen Betriebsbedingungen derai't durchgeführt werden, daß das Reaktionsgas während dex" Hälfte der jeweils dafür erforderlichen Zeit von der einen Seite, während der anderen Hälfte von der entgegengesetzten Seite über die zu behandelnden Halbleiterkristalle etwa W tangential geführt wird.
Das Verfahren kann auch derart verfeinert werden, daß der Betrieb mit mehrmals wechselnder Strömungsrichtung während der einzelnen der oben definierten Arbeitsphasen erfolgt. Im übrigen wird darauf aufmerksam gemacht, daß der Begriff "konstant gehaltene Betriebsparametex^" im strengen Sinn aufzufassen ist und sich daher auf die Konstanthaltung aller das erzielte Ergebnis beeinflussende Betriebsparameter bezieht. Hier sind vor allem Temperaturverhältnisse, Lage der zu behandelnden Scheiben im Reaktionsgefäß und die Zusammensetzung und Geschwindigkeit" des Reaktionsgases zu nennen.
Die technische Durchführung der einzelnen, der Abscheidung von anorganischen Schichten aus Halbleiterober flächen bzw, zum Dotieren von Halbleiterkristallen aus der Gasphase dienende Maßnahmen sind an sich bekannt und brauchen auch hier nicht näher beschrieben zu "werden, Pur die Durchführung der Erfindung ist es lediglich notwendig, daß dor betreffende Prosaß entweder während der ganzen aufzuwendenden Seitdaüor nit konstant gehaltenen Betriebsbedingungen erfolgt odor daß sich der Prozeß aus einzelnen Schritten suaarasiensatst, die mit konstant gehaltenen, aber voneinander alsv/eö-chenden Bedingungen durchge-
'" "' 009839/1804
9/493/994 Stg/Sclitt: 0OBq- mi
■ - 3 -
führt; "'ST^ue^ '!?iVr ·ίΐθ Ένϊΐ.^Λ'ΐτ^ ist nun "'""rg-oelic.Ti-. faS .leder silt konstanten 'Bedingungen durchgeführte Schritt mit wechselnder Strömungsrichtung des Realrtion8ga.ses durchgeführt v/ird, nie sie oben beschrieben ist. Im allgemeinen genügt dabei, wenn während der ersten Hälfte- der für jeden dieser Schritte erforderlichen Zeitperioden das Reakticnsgas von der einen Richtung, während der zweiten HLLIfte τοπ der entgegengesetzten Richtung geführt v/ird. !Doch ist es, wie oben bereits erwähnt, mitunter zweckmäßig, die Ströinungsrichtung während einzelner Phasen mehrmals wechseln zu lassen. Dabei muß jedoch darauf geachtet v/erden, daß die Gesamtzeiten, mit denen das G-as von den verschiedenen Richtungen über die zu behandelnden Halbleiterscheiben geführt v/ird, sowohl während jeder einzelnen Artoeitnstufe als auch für das gesarate Yerfahren einander gloicli sind -
Zur Durchführung genügt die in der Zeichnung dargestellte Apparatur. Zu behandelnde Halbleiter scheiben'] wer den durch Kontakt rait einer induktiv beheizten Heizplatte 2 aus elektrisch leitenden, thermisch und chemisch hochbeständigem Material auf die erforderliche Behandlungstemperatur erhitzt. Beispielsweise besteht die Heizplatte aus einem Graphitkörper, der an seiner Oberfläche lückenlos mit reinem SiC oder reinem Silicium überzogen ist. Die Heizplatte 2 mit den zu behandelnden Halbleiterscheiben int im Inneren eines aus Quarz bestehenden' Reaktionsrohres angeordnet. Dieses Rohr ist an jedem seiner Enden mit einem Gaszufüliruiigsrolir 4 bzw. 5 verseilen. Außerdem ist das Bohr am Ort des Heizers 2 von einer Induktionsspule 6 konzentrisch umgeben. PUr die Gaszufuhr ist ein sieh gabelndes Rolar 7 vorgesehen, dessen Gabelseitenüber je einen Gashahn H-, bzw. Hp zu je einer ßaszuführung 4 bzw. 5 zum Reaktionsrohr führen. Diese Gassufünrungein sind im Reaktionsrohr so angebracht, daß aus innen strömendes Gas in Gegenrichtung etwa tangential über die zu behandelnden
PA 9/493/994 Stg/Scim 08S839/ 1304 - 4 -
BAD ORIGINAL
Halbleiterscheiben 1 strömt. Im Beispielsfalle sind die beiden Zuführungen an den Enden des Reaktionsrohres 3 angebracht.
Jede der beiden GasZuführungen 4 und 5 ist nicht nur mit der gemeinsamen Gaszuführung 7, sondern auch über je ein weiteres Rohr nebst zugehörigem Gashahn H^ bzw. EL mit einem Absug verbunden. Es wird deshalb verständlich, daß man mit dieser Anordnung das Reaktionsgas alternativ sowohl in Richtung von der Zuleitung 4 zur Zuleitung 5 (die dann als Ableitung dient) als auch umgekehrt führen kann. I.lan braucht hierzu wahlweise nur von den jeder der beiden Zuführungen 4 bzw. 5 zugeordneten Paaren von Gashähnen " jeweils einen offen und den anderen geschlossen zu halten, derart, daßrbeim einen Hahnpaar I1H-,, H,, bzw. Hp5 H.) der zum Abzug? beim anderen der zur gemeinsamen Gaszufuhr 7 offen ist.
2 Patentansprüche
1 Figur
PA 9/493/994 Stg/Schm 0 0 9 8 3 9/1804

Claims (2)

P a_t e_n_t_a_n_s_p_r ü c h e
1. Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem strömenden
Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem strömenden dotierenden Gas, bei dem durchwegs konstante oder nur stufenweise geänderte Betriebsbedingungen angewendet v/erden, dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche Arbeitsphasen mit konstant gehaltenen Betriebsbedingungen derart durchgeführt v/erden, daß das Beaktionsgas während der Hälfte der jeweils^Jiierzu erforderlichen Zeit von der einen Seite, während der anderen Plälfte von der entgegengesetzten Seite über die' zu behandelnden Halbleiterkristalle etwa tangential geführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Betrieb während der einzelnen Phasen konstanter
Betriebsbedingungen mit mehrmals wechselnder Strömungsrichtung erfolgt.
BAD
ΡΛ 9/493/994 Stg/Schm 009839/1804
Leerseite
DE19691913676 1969-03-18 1969-03-18 Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem stroemenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem stroemenden dotierenden Gas Pending DE1913676A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691913676 DE1913676A1 (de) 1969-03-18 1969-03-18 Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem stroemenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem stroemenden dotierenden Gas
NL7000581A NL7000581A (de) 1969-03-18 1970-01-15
US14437A US3658585A (en) 1969-03-18 1970-02-26 Method of precipitating layers of semiconducting or insulating material from a flowing reaction gas or from a flowing dopant gas upon heated semiconductor crystals
FR7009074A FR2041080B1 (de) 1969-03-18 1970-03-13
GB02656/70A GB1269431A (en) 1969-03-18 1970-03-17 Improvements in or relating to methods for depositing material upon heated semiconductor crystals
CH393470A CH543596A (de) 1969-03-18 1970-03-17 Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem strömenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem strömenden dotierenden Gas
JP45022319A JPS4823708B1 (de) 1969-03-18 1970-03-18

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691913676 DE1913676A1 (de) 1969-03-18 1969-03-18 Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem stroemenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem stroemenden dotierenden Gas

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1913676A1 true DE1913676A1 (de) 1970-09-24

Family

ID=5728496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691913676 Pending DE1913676A1 (de) 1969-03-18 1969-03-18 Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem stroemenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem stroemenden dotierenden Gas

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3658585A (de)
JP (1) JPS4823708B1 (de)
CH (1) CH543596A (de)
DE (1) DE1913676A1 (de)
FR (1) FR2041080B1 (de)
GB (1) GB1269431A (de)
NL (1) NL7000581A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0757117A1 (de) * 1995-08-01 1997-02-05 MEMC Electronic Materials, Inc. Verfahren und Vorrichtung zur Materialabscheidung auf einer Halbleiterscheibe
DE102005056320A1 (de) * 2005-11-25 2007-06-06 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3950479A (en) * 1969-04-02 1976-04-13 Siemens Aktiengesellschaft Method of producing hollow semiconductor bodies
US3858548A (en) * 1972-08-16 1975-01-07 Corning Glass Works Vapor transport film deposition apparatus
US5338389A (en) * 1990-01-19 1994-08-16 Research Development Corporation Of Japan Method of epitaxially growing compound crystal and doping method therein
EP1014455B1 (de) 1997-07-25 2006-07-12 Nichia Corporation Halbleitervorrichtung aus einer nitridverbindung
DE19743922C1 (de) * 1997-10-04 1999-04-15 Verschleis Schutz Technik Dr I Verfahren zur CVD-Oberflächenbeschichtung und CVD-Reaktorsystem
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
WO2000052796A1 (en) * 1999-03-04 2000-09-08 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser element
EP1094128B1 (de) * 1999-10-22 2005-12-28 INPRO Innovationsgesellschaft für fortgeschrittene Produktionssysteme in der Fahrzeugindustrie mbH Verfahren zur Innenbeschichtung von Hohlkörpern
WO2002075021A1 (de) * 2001-03-17 2002-09-26 Gfe Metalle Und Materialien Gmbh Plasmabeschichtungsverfahren und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
US6719848B2 (en) * 2001-08-16 2004-04-13 First Solar, Llc Chemical vapor deposition system
KR100456470B1 (ko) * 2002-04-19 2004-11-10 주식회사 비아트론 반도체 막의 저온 열처리 장치
CN1904128A (zh) * 2005-07-29 2007-01-31 深圳富泰宏精密工业有限公司 真空室进气调节装置及调节方法
US7927656B2 (en) * 2006-08-31 2011-04-19 General Electric Company Method and apparatus for controlling diffusion coating of internal passages
TWI362769B (en) * 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
US8845809B2 (en) 2008-10-09 2014-09-30 Silevo, Inc. Scalable, high-throughput, multi-chamber epitaxial reactor for silicon deposition
US8652259B2 (en) * 2008-10-09 2014-02-18 Silevo, Inc. Scalable, high-throughput, multi-chamber epitaxial reactor for silicon deposition
US8298629B2 (en) 2009-02-25 2012-10-30 Crystal Solar Incorporated High throughput multi-wafer epitaxial reactor
US8673081B2 (en) * 2009-02-25 2014-03-18 Crystal Solar, Inc. High throughput multi-wafer epitaxial reactor
US9441295B2 (en) 2010-05-14 2016-09-13 Solarcity Corporation Multi-channel gas-delivery system
US9240513B2 (en) 2010-05-14 2016-01-19 Solarcity Corporation Dynamic support system for quartz process chamber
CN107022789B (zh) 2011-05-27 2021-03-12 斯瓦高斯技术股份有限公司 在外延反应器中的硅衬底上外延沉积硅晶片的方法
MX359183B (es) 2015-02-17 2018-09-17 Solarcity Corp Metodo y sistema para mejorar rendimiento de fabricacion de celda solar.
US9972740B2 (en) 2015-06-07 2018-05-15 Tesla, Inc. Chemical vapor deposition tool and process for fabrication of photovoltaic structures
US9748434B1 (en) 2016-05-24 2017-08-29 Tesla, Inc. Systems, method and apparatus for curing conductive paste
US9954136B2 (en) 2016-08-03 2018-04-24 Tesla, Inc. Cassette optimized for an inline annealing system
US10115856B2 (en) 2016-10-31 2018-10-30 Tesla, Inc. System and method for curing conductive paste using induction heating

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1244733B (de) * 1963-11-05 1967-07-20 Siemens Ag Vorrichtung zum Aufwachsen einkristalliner Halbleitermaterialschichten auf einkristallinen Grundkoerpern
FR1524507A (fr) * 1966-05-11 1968-05-10 Ass Elect Ind Traitement des lamelles semi-conductrices par passage d'un agent gazeux

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0757117A1 (de) * 1995-08-01 1997-02-05 MEMC Electronic Materials, Inc. Verfahren und Vorrichtung zur Materialabscheidung auf einer Halbleiterscheibe
DE102005056320A1 (de) * 2005-11-25 2007-06-06 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan

Also Published As

Publication number Publication date
US3658585A (en) 1972-04-25
GB1269431A (en) 1972-04-06
CH543596A (de) 1973-10-31
JPS4823708B1 (de) 1973-07-16
NL7000581A (de) 1970-09-22
FR2041080A1 (de) 1971-01-29
FR2041080B1 (de) 1974-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1913676A1 (de) Verfahren zum Abscheiden von Schichten aus halbleitendem bzw. isolierendem Material aus einem stroemenden Reaktionsgas auf erhitzte Halbleiterkristalle bzw. zum Dotieren solcher Kristalle aus einem stroemenden dotierenden Gas
DE1949767C3 (de) Vorrichtung zum Herstellen gleichmäßig dicker Schichten
DE2110289C3 (de) Verfahren zum Niederschlagen von Halbleitermaterial und Vorrichtung zu seiner Durchführung
DE19901749A1 (de) Chemisch-mechanische Polierauflage
DE2049229A1 (de) Einrichtung fur das epitaktische Aufwachsen einer Halbleiterschicht
DE19900805A1 (de) Area Polishing
DE1769520A1 (de) Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material aus der Gasphase,insbesondere fuer Halbleiterzwecke
DE2117933A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Hohlkörpern aus Halbleitermaterial von beliebiger Länge
WO2000038220A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten
DE1222169B (de) Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben in einem Gas
DE1642975A1 (de) Behandlungseinrichtung mit beweglichem Bett aus koernigem Feststoff
DE3620223A1 (de) Einrichtung zum herstellen einer halbleitervorrichtung
DE953899C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abstreifen von feinverteilten Katalysatoren
DE2114062C3 (de) Verfahren zum Abscheiden von Kohlenstoff und Teer aus einem Spaltgasprodukt
WO2003058686A2 (de) Vorrichtung und verfahren zum behandeln von scheibenförmigen substraten
DE1542385B2 (de) Verteiler für ein Emulsions-Behandlungsgerät
DE112005001470T5 (de) Abscheidungsvorrichtung zum Erzeugen eines gleichmäßigen Dielektrikums mit niedriger Dielektrizitätskonstante
DE3003663A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur reduzierung des durch umlaufende gefaesstraeger auftretenden waermeverlustes
CH629034A5 (de) Vorrichtung zum herstellen mehrschichtiger halbleiterelemente mittels fluessigphasen-epitaxie.
EP1119031A2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE2054538A1 (de) Vorrichtung zum Abscheiden von Schichten aus Halbleitermaterial
DE2529484C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Silicium auf einem Substrat
DE416316C (de) Verfahren zum Betrieb von Speisewasser-Vorwaermern
DE2248633C3 (de) Vorrichtung zur Durchführung katalytischer Reaktionen mit festem, fluidisiertem Katalysator
DE1667771A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Draehten und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens