DE19654717A1 - ZnO thin film electrode structure using a polycrystalline thin film layer densely packed with oxygen, and their manufacturing method - Google Patents
ZnO thin film electrode structure using a polycrystalline thin film layer densely packed with oxygen, and their manufacturing methodInfo
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Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine ZnO-Dünnfilmelek trodenstruktur, welche eine mit Sauerstoff dicht gepackte Polykristalloxiddünnfilmschicht verwendet, und deren Herstel lungsverfahren, und im besonderen, eine ZnO-Dünnfilmelektroden struktur, welche eine Sauerstoffanordnung einer mit Sauerstoff dicht gepackten Polykristalloxiddünnfilmschicht, die als ein Film auf dem Substrat aufgebildet ist, verwendet, und deren Her stellungsverfahren.The present invention relates to a ZnO thin film melee trode structure, which is a tightly packed with oxygen Polycrystalline oxide thin film layer used, and their manufacture method, and in particular, a ZnO thin film electrode structure which is an oxygen arrangement one with oxygen densely packed polycrystalline oxide thin film layer acting as a film is formed on the substrate used, and their fro placement procedure.
Da ein auf einem Glassubstrat abgelagerter ZnO-Dünnfilm aufgrund der regellosen Anordnung von Atomen, die das Sub stratmaterial bilden, eine geringe Kristallinität aufweist, wurde ein Verfahren, welches ein Saphir-Einkristallsubstrat oder ein SiC-Einkristallsubstrat verwendet, vorgeschlagen, um die Kristal linität des ZnO-Dünnfilms zu erhöhen. Wenn jedoch ein ZnO- Dünnfilm auf ein Einkristallsubstrat aufgebildet wird, ver schwindet die Transparenz des ZnO-Dünnfilms aufgrund der Trübung des Substrats. Darum können auf das Einkristallsubstrat gefertig te ZnO-Filme nicht als transparente Elektrode verwendet werden. There is a ZnO thin film deposited on a glass substrate due to the random arrangement of atoms that the sub Form stratmaterial, has a low crystallinity, was a method using a sapphire single crystal substrate or a SiC single crystal substrate used, suggested to the crystal increase the linearity of the ZnO thin film. However, if a ZnO Thin film is formed on a single crystal substrate, ver the transparency of the ZnO thin film shrinks due to the cloudiness of the substrate. Therefore can be finished on the single crystal substrate Te ZnO films cannot be used as transparent electrodes.
Aufgrund der Trübung des Substrats kann deshalb der auf das Einkristallsubstrat aufgebildete ZnO-Dünnfilm nicht als trans parente Elektrode von Vorrichtungen wie einem Flachplatten display, beispielsweise einem Flüssigkristalldisplay (LCD), oder einer Solarzelle, verwendet werden.Due to the turbidity of the substrate, the Single crystal substrate formed ZnO thin film not as trans Parent electrode of devices such as a flat plate display, for example a liquid crystal display (LCD), or a solar cell can be used.
Zur Lösung der oben genannten Probleme ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine ZnO-Dünnfilmelektrodenstruktur, welche eine mit Sauerstoff dicht gepackte Polykristalloxiddünn filmschicht verwendet, und deren Herstellungsverfahren zur Verfügung zu stellen.To solve the above problems is a task of present invention, a ZnO thin film electrode structure, which is a thinly packed polycrystalline oxide with oxygen film layer used, and their manufacturing process for To make available.
Zur Lösung der obigen Aufgabe wird eine ZnO-Dünnfilmelek trodenstruktur zur Verfügung gestellt, welche eine mit Sauerstoff dicht gepackte Polykristalloxiddünnfilmschicht verwendet, enthaltend: ein Substrat; eine Oxiddünnfilmschicht mit einer kubischen oder pseudo-kubischen Struktur, welche als Filmschicht auf das Substrat aufgebildet ist; und eine ZnO-Schicht, die auf die Oxiddünnfilmschicht aufgebildet ist.To solve the above problem, a ZnO thin film mel tode structure provided, which one with oxygen tightly packed polycrystalline oxide thin film layer used, containing: a substrate; an oxide thin film layer with a cubic or pseudo-cubic structure, which acts as a film layer is formed on the substrate; and a ZnO layer on top the oxide thin film layer is formed.
Vorzugsweise besteht in der vorliegenden Erfindung die Oxiddünnfilmschicht aus einem In₂O₃-Material mit einer kubischen Struktur oder Material mit einer kubischen oder pseudo-kubischen Struktur.Preferably, in the present invention Oxide thin film layer made of an In₂O₃ material with a cubic Structure or material with a cubic or pseudo-cubic Structure.
Zur Lösung der obigen Aufgabe wird ein Verfahren zur Herstellung einer ZnO-Dünnfilmelektrodenstruktur, welche einen Polykristalloxiddünnfilm verwendet, zur Verfügung gestellt, welches folgende Stufen umfaßt: Aufbildung eines Oxiddünnfilms mit einer kubischen oder pseudo-kubischen Struktur auf ein Substrat; und Bildung eines ZnO-Dünnfilms mit einer verbesserten Kristallinität, der auf den Polykristalloxiddünnfilm durch Kristallwachstum aufgebildet wird.To achieve the above object, a method for Production of a ZnO thin film electrode structure, which one Polycrystalline oxide thin film used, provided, which comprises the following stages: formation of an oxide thin film with a cubic or pseudo-cubic structure on one Substrate; and forming a ZnO thin film with an improved one Crystallinity due to the polycrystalline oxide thin film Crystal growth is formed.
Vorzugsweise wird in der vorliegenden Erfindung die Oxiddünnfilmschicht aus In₂O₃ gebildet.Preferably, in the present invention Oxide thin film layer formed from In₂O₃.
Die obige Aufgabe und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch die detaillierte Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform mit Bezug auf die angefügten Zeichnungen näher ersichtlich, wobei:The above object and advantages of the present invention are preferred by the detailed description of one Embodiment with reference to the accompanying drawings can be seen, whereby:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht ist, die schematisch eine
erfindungsgemäße Elektrodenstruktur zeigt, und
die Fig. 2 und 3 Verfahrensschemata zur Erläuterung eines
Herstellungsverfahrens der erfindungsgemäßen Elektrodenstruktur
darstellen. Fig. 1 is a cross-sectional view schematically showing an electrode structure of the invention, and
represent the Figs. 2 and 3 process diagrams for explaining a manufacturing method of the electrode structure according to the invention.
Gemäß Fig. 1 bezeichnen die Bezugsziffer 1 ein Substrat, die Bezugsziffer 2 eine Oxiddünnfilmschicht mit einer kubischen Struktur, enthaltend In₂O₃, oder einer pseudo-kubischen Struktur, welche als eine Pufferschicht fungiert, und die Bezugsziffer 3 eine ZnO-Dünnfilmschicht.Referring to FIG. 1 1, reference numeral a substrate, numeral 2 a Oxiddünnfilmschicht with a cubic structure containing In₂O₃, or a pseudo-cubic structure, which functions as a buffer layer, and numeral 3 is a ZnO thin film layer.
Der Sauerstoff in der ZnO-Schicht (0002) mit einer hexagona len Struktur befindet sich an der Spitze eines gleichmäßigen Dreiecks und der Abstand zu dem benachbarten Sauerstoff beträgt 0,3250 nm, gleich der Gitterkonstanten (aznO=0,3250) von ZnO; er besitzt die alternierende Ablagerungsstruktur ABAB. Das In₂O₃, welches die kubischen Bixbyit-Struktur besitzt und als eine Pufferschicht verwendet wird, ist eine Struktur, in der drei Schichten abwechselnd abgelagert sind, also ABCABC. Die Sauer stoffkonfiguration in jeder Schicht besitzt die gleiche Anord nung, und die mittlere Distanz zwischen den Sauerstoffmolekülen in der mit Sauerstoff dicht gepackten Schicht (111) beträgt 0,3353 nm. Da die Abweichung zwischen den Sauerstoffmolekülen in der Schicht (0002), die eine mit Sauerstoff dicht gepackte ZnO- Schicht ist, und der Schicht (111), die eine mit Sauerstoff dicht gepackte In₂O₃-Schicht ist, nur etwa 3% beträgt, kann der In₂O₃- Dünnfilm, der bevorzugte <111< Orientierung besitzt, eine Sauerstoffschicht liefern, die geeignet ist, eine bevorzugte starke <0001< Orientierung in dem ZnO-Dünnfilm zu fördern. Das geschieht, da die mit Sauerstoff dicht gepackte ZnO-Dünnfilm schicht durch die In₂O₃-Dünnfilmschicht beeinflußt wird. Demgemäß kann als ein Verfahren zur Erhöhung der Kristallinität des auf dem Glassubstrat abgelagerten ZnO-Dünnfilms nicht nur der Polykristall-In₂O₃-Dünnfilm, sondern auch die mit Sauerstoff dicht gepackte Struktur eines Oxiddünnfilms mit einer kubischen oder pseudo-kubischen Struktur, welcher die bevorzugte starke <111< Orientierung besitzt, verwendet werden.The oxygen in the ZnO layer (0002) with a hexagonal structure is at the top of a uniform triangle and the distance to the neighboring oxygen is 0.3250 nm, equal to the lattice constant (a znO = 0.3250) of ZnO; it has the alternating deposit structure ABAB. The In₂O₃, which has the cubic bixbyite structure and is used as a buffer layer, is a structure in which three layers are alternately deposited, i.e. ABCABC. The oxygen configuration in each layer has the same arrangement, and the mean distance between the oxygen molecules in the layer (111) densely packed with oxygen is 0.3353 nm. Since the deviation between the oxygen molecules in the layer (0002) is one ZnO layer densely packed with oxygen, and the layer (111), which is an In₂O₃ layer densely packed with oxygen, is only about 3%, the In₂O₃ thin film, which has preferred <111 <orientation, can provide an oxygen layer which is suitable to promote a preferred strong <0001 <orientation in the ZnO thin film. This happens because the ZnO thin film layer densely packed with oxygen is influenced by the In₂O₃ thin film layer. Accordingly, as a method for increasing the crystallinity of the ZnO thin film deposited on the glass substrate, not only the polycrystalline In₂O₃ thin film but also the oxygen densely packed structure of an oxide thin film having a cubic or pseudo-cubic structure, which is the preferred strong < 111 <has orientation, can be used.
Da außerdem der Polykristall-In₂O₃-Dünnfilm ein Material mit höherer Lichtdurchlässigkeit ist, treten kaum Probleme hinsicht lich der Lichtdurchlässigkeit auf, wenn der ZnO-Dünnfilm auf den Polykristiall-In₂O₃-Dünnfilm aufgebildet wird. Der auf dem Polxkristall-In₂O₃-Dünnfilm abgelagerte ZnO-Film kann somit als eine transparente Elektrode, beispielsweise einer Flachplatten displayvorrichtung, wie eines LCD, oder einer Solarenergiezelle, verwendet werden.Since also the polycrystal In₂O₃ thin film with a material higher light permeability, there are hardly any problems Lich the light transmission when the ZnO thin film on the Polycrystalline In₂O₃ thin film is formed. The one on the Polxkristall-In₂O₃ thin film deposited ZnO film can thus as a transparent electrode, for example a flat plate display device, such as an LCD, or a solar energy cell, be used.
Das Verfahren zur Erhöhung der Kristallinität eines ZnO- Dünnfilms gemäß der vorliegenden Erfindung, ist nützlich, wenn der ZnO-Dünnfilm epitaxial auf einem Substrat, wobei es sich um ein Einkristall oder um Glas handelt, wächst. Im allgemeinen entsteht das epitaxiale Wachstum aufgrund der Minimierung der Abweichungen zwischen den Gitterkonstanten eines Substrats und eines abgelagerten Dünnfilms. Jedoch ist ein Verfahren des Anwachsens eines Oxiddünnfilms unter Berücksichtigung der Distanz zwischen den Sauerstoffmolekülen und der Sauerstoffanordnung zwischen zwei Schichten bei der Herstellung eines ZnO-Dünnfilms als eine Pufferschicht zum Anwachsen eines GaN-Dünnfilms nützlich.The method for increasing the crystallinity of a ZnO Thin film according to the present invention is useful when the ZnO thin film epitaxially on a substrate, which is a single crystal or glass is growing. In general epitaxial growth arises due to the minimization of Deviations between the lattice constants of a substrate and of a deposited thin film. However, a method of Growth of an oxide thin film taking into account the distance between the oxygen molecules and the oxygen arrangement between two layers in the manufacture of a ZnO thin film as a buffer layer for growing a GaN thin film useful.
Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Her stellung eines ZnO-Dünnfilms mit der Eigenschaft des erhöhten Wachstums in bevorzugter <0001< Orientierung auf einem Glassub strat oder Einkristallsubstrat unter Verwendung der mit Sauer stoff dicht gepackten In₂O₃-Dünnfilmschicht zur Verfügung.The present invention provides a method of making position of a ZnO thin film with the property of increased Growth in preferred <0001 <orientation on a glass sub strat or single crystal substrate using that with acid tightly packed In₂O₃ thin film layer available.
Im folgenden wird das Herstellungsverfahren einer erfin dungsgemäßen Elektrodenstruktur beschrieben.In the following, the manufacturing process is invented described electrode structure.
Wie in Fig. 2 gezeigt, wird ein In₂O₃-Dünnfilm 2 mit der Eigenschaft einer bevorzugten starken <111< Orientierung auf ein Glassubstrat 1 durch ein Bedampfungsverfahren aufgesprüht.As shown in Fig. 2, an In₂O₃ thin film 2 with the property of a preferred strong <111 <orientation is sprayed onto a glass substrate 1 by an evaporation method.
Gemäß Fig. 3 wird ein ZnO-Dünnfilm 3 unter Verwendung eines Mischgases aus Argon und Sauerstoff auf den In₂O₃-Dünnfilm 2 aufgebildet.Referring to FIG. 3, a ZnO thin film 3 will be formed using a mixed gas of argon and oxygen to the In₂O₃ thin film 2.
In dem oben beschriebenen Herstellungsverfahren liefert eine mit Sauerstoff dicht gepackte Schicht (111) des In₂O₃-Dünnfilms 2 mit der Eigenschaft der bevorzugten starken <111< Orientierung eine korrekte Sauerstoffschicht, auf die die Schicht (0002) des ZnO-Dünnfilms 3 aufgebaut wird. Da der Abstandsunterschied zwischen den Sauerstoffmolekülen in der Schicht (111) aus Bixbyt- In₂O₃ und der Schicht (0002) aus Wurzeit-ZnO 3% beträgt, kann ein ZnO-Dünnfilm mit erhöhter Kristallinität und Wachstumseigen schaft in der bevorzugten <001< Orientierung auf ein Glassubstrat aufgebildet werden.In the manufacturing process described above, a layer (111) of the In₂O₃ thin film 2 which is tightly packed with oxygen and has the property of the preferred strong <111 <orientation provides a correct oxygen layer on which the layer (0002) of the ZnO thin film 3 is built. Since the distance difference between the oxygen molecules in the layer (111) from Bixbyt-In₂O₃ and the layer (0002) from Wurzeit-ZnO is 3%, a ZnO thin film with increased crystallinity and growth properties can be in the preferred <001 <orientation Glass substrate are formed.
Das bedeutet, ein Dünnfilm mit erhöhter Kristallinität und Wachstumseigenschaften der bevorzugten starken <001< Orientierung kann ohne Verlust der elektrischen und/oder optischen Eigen schaften des ZnO-Dünnfilms durch das Wachstum des ZnO-Dünnfilms auf einem Polykristall-In₂O₃-Dünnfilm, der auf einem Glassubstrat aufgebildet ist, hergestellt werden.That means a thin film with increased crystallinity and Growth characteristics of the preferred strong <001 <orientation can without loss of electrical and / or optical properties of the ZnO thin film due to the growth of the ZnO thin film on a polycrystalline In₂O₃ thin film on a glass substrate is formed to be manufactured.
Wie oben erwähnt, können die erfindungsgemäßen Elektroden strukturen bei einem Flachplattendisplay, einschließlich einem LCD, oder einer Solarzelle verwendet und Produkte erhöhter Qualität aufgrund der erhöhten Kristallinität des ZnO erhalten werden.As mentioned above, the electrodes according to the invention can structures on a flat panel display, including a LCD, or a solar cell used and products elevated Quality preserved due to the increased crystallinity of ZnO will.
Claims (4)
ein Substrat;
eine Oxiddünnfilmschicht mit einer kubischen oder pseudo kubischen Struktur, die auf dem Substrat aufgebildet ist; und
eine ZnO-Schicht, die auf der Oxiddünnfilmschicht aufgebil det ist.1. ZnO thin film electrode structure using a polycrystalline thin film layer densely packed with oxygen, containing:
a substrate;
an oxide thin film layer having a cubic or pseudo-cubic structure formed on the substrate; and
a ZnO layer formed on the oxide thin film layer.
Aufbildung eines Oxiddünnfilms mit einer kubischen oder pseudo-kubischen Struktur auf ein Substrat; und
Aufbildung eines ZnO-Dünnfilms auf den Oxiddünnfilm durch Kristallwachstum.3. A method for producing a ZnO thin film electrode structure using a polycrystalline oxide thin film layer densely packed with oxygen, with the steps:
Forming an oxide thin film having a cubic or pseudo-cubic structure on a substrate; and
Formation of a ZnO thin film on the oxide thin film by crystal growth.
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Families Citing this family (5)
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |