DE1639069A1 - Halbleiterelement - Google Patents
HalbleiterelementInfo
- Publication number
- DE1639069A1 DE1639069A1 DE19681639069 DE1639069A DE1639069A1 DE 1639069 A1 DE1639069 A1 DE 1639069A1 DE 19681639069 DE19681639069 DE 19681639069 DE 1639069 A DE1639069 A DE 1639069A DE 1639069 A1 DE1639069 A1 DE 1639069A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transition
- area
- additional
- element according
- rectangle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 41
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/124—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of semiconductor bodies or of junctions between the regions
- H10D62/126—Top-view geometrical layouts of the regions or the junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/102—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H10D62/103—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse-biased devices
- H10D62/105—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse-biased devices by having particular doping profiles, shapes or arrangements of PN junctions; by having supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H10D62/106—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse-biased devices by having particular doping profiles, shapes or arrangements of PN junctions; by having supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] having supplementary regions doped oppositely to or in rectifying contact with regions of the semiconductor bodies, e.g. guard rings with PN or Schottky junctions
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
DR. E. WIEGAND DIPUNG. W. NIEMANN '^ * " ü " "
DR. M. KOHLER DIPUNG. C GERNHARDT
telefon: 395314 2000 HAMBURG 50, 22. Januar 1968
W.23042/67 12/Ne
Westinghouse Brake and Signal Company Limited,
London (England) . ^
Halbleiterelement. .
Die Erfindung bezieht sich auf Halb!eiterelemente.
-Durch die Erfindung ist ein Halbleiterelement geschaffen
mit einem ersten Bereich eines Leitfähigkeitstyps und
einem zweiten Bereich entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps,
wobei die Bereiche zwischen sich einen ersten pn übergang schaffen, der auf dem Umfang in einer Fläche des Eleroen- I
tes endigt. Ein solches Halbleiterelement ist gemäß der Erfindung gekennzeichnet durch einen zusätzlichen Bereich
des einen Leitfähigkeitstyps,'der mit dem zweiten Bereich
einen Sehutzübergang schafft undvon dem ersten Übergang
in einem solchen Abstand liegt, da߄im Betrieb die Sperrschicht
oder Verarmungsschicht in dem zweiten Bereich, der den ersten Übergang erreicht, in die Sperrschicht in
BADORlQfNAL
dem zweiten Bereich übergeht, der den Schutzübergang erreicht,
wobei der zusätzliche Bereich sich, nur teilweise rund um den ersten Übergang erstreckt und relativ zu dem
ersten-Übergang nahe einem Teil von diesem angeordnet
ist, an welchem bei Nichtvorhandensein des Schutzüberganges das Element im Betrieb dem Flächendurchsenlag bzw.
Flächendurchbruch am meisten ausgesetzt ist.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl solcher zusätzlicher
Bereiche vorgesehen ist, die sich zusammen nicht vollständig um den ersten Übergang erstrecken und relativ
zu dem ersten Übergang denjenigen Teilen von diesem benachbart angeordnet sind, die dem Plächendurchbruch am
meisten ausgesetzt sind. ','-.-■'-■
Dort, wo der erste Übergang Teile aufweist, die im
Vergleich zu dem übrigen Teil des ersten Überganges einen
kleinen Krümmungsradius aufweisen, kann ein solcher zusätzlicher Bereich jedem ersten Übergang benachbart angeordnet werden. Der oder jeder zusätzliche Bereich kann
durch eine Mehrzahl von diskreten Zonen des einen Leitfähigkeitstyps
dargestellt sein.
Der Anschlußumfang des ersten Überganges kann ein
Rechteck an der genannten Fläche bilden und in diesem FaIi
kann an jeder Ecke der Fläche ein solcher zusätzlicher
Bereich vorgesehen sein. In diesem Fall kann jeder zusätzliche
Bereich zwei Arme haben, von denen sich einer ledig-
009826/0670- ^
lieh "teilweise. entlang" jeder der beiden Seiten des die
betreffende Ecke bildenden Rechtecks erstreckt,
. Der Anschlußumfang des ersten Überganges kann an der
genannten Fläche Kreuzgestalt bilden. Bei einer solchen
Ausführung können vier zusätzliche Bereiche vorgesehen sein, von denen einer innerhalb jedes Paares der Arme
des Kreuzes angeordnet ist. In diesem Fall können die vier, zusätzlichen Bereiche jeweils mit dem zweiten Be
reich, einen Schutzübergang schaffen, der auf dem Umfang Λ
in einem Rechteck an der genannten Fläche endigt.
■ : Stattdessen kann der Anschlußumfang des ersten Überganges
an der genannten Fläche eine Gestalt eines Rechtecks bilden* dessen Ecken abgeschrägt sind. Auch in diesem
Fall" können vier zusätzliche Bereiche vorgesehen sein,
von denen je einer an jeder abgeschrägten Ecke des Rechtecks angeordnet ist und jeder der vier zusätzlichen Bereiche kann am Umfang an der genannten Fläche in einem
Dreieck endigen.
Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung kann i
der erste Übergang am Umfang an der genannten Fläche in
einem Kreis endigen und die zusätzlichen Bereiche können
dann jeweils bogenförmigausgebildet und um den kreisförmigen'
Anschlußumfang des ,ersten Überganges zentriert sein.
Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend an Hand der Zeichnung beispielsweise erläutert.
Fig. 1 ist eine schematische Draufsicht ener üblichen
Ö0982$/0676
,„ JBAP^PRIGINAL
Halbleiterausführung und der Form des Verarmungsbereiches, der dem Halbleiter gewöhn- ·
lieh zugeordnet ist. ■ Fig. 2 bis 5 sind der Fig. 1 ähnliche Ansichten von
Ausführungsbeispielen gemäß der genannten er-' : sten Ausführungsform der Erfindung.
Fig. 6 ist eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels
gemäß der genannten zweiten Ausführungsform der Erfindung. . .
Die Ausführung gemäß Fig. 1 umfaßt ein Element 1 in
Form einer Scheibe od.dgl. aus halbleitendem Material eines
Leitfähigkeitstypsy beispielsweise des η Typs, und es
weist einen rechteckigen Bereich 2 mit ρ Leitfähigkeit auf, der -in einer Hauptfläche des Elementes 1 im wesentlichen
rechteckig gebildet ist. Das Material des.Elemen- "-tes
1 hat einen höheren spezifischen Widerstand als das Material des Bereiches 2. :.. ;
• Es kann gezeigt werden, daßder Verarmungsbereich,
der gewöhn!ich dem zwischen dem Element 1 und dem Bereich
2 bestimmten Übergang zugeordnet,ist, in der Elementenfläehe
eine Gestalt darbietet, wie sie durch die unterbrochene
Linie J dargestellt ist. Das-besondere Merkmal
dieser Gestalt, die in der Praxis unerwünscht ist, besteht
darin, daß sie.'dem; Rechteckübergang nicht gleichmäßig
folgt, sondern ihn stattdessen an den Ecken schneidet. Der Verarmungsbereich könnte rundherum vollständig
009826/0676
■■'.-''J: ji- ν,-* -BAD ORIGINAL
geschützt durch Verwendung eines ringförmigen Schützüberganges ausgedehnt bzw. erstreckt werden,'jedoch ist es
nachteilig, so zu verfahren, um einfach die Eckenteile
solcher Bereiche zu verlängern, wenn die übrigen Teile
solcher Bereiche sonst zufriedenstellend sind. Der Grund
hierfür besteht darin, daß die Gesamtlänge des Übergangsumfanges
relativ zu dem nützlichen Umfang beträchtlich vergrößert wird, was von der gleichfalls beträchtlichen
Gefahr begleitet ist, daß ein Übergang durch einen Sprung *
oder Riß in der Materialstruktur des Elementes hindurchgeht,
und daß sich wahrscheinlich eine Verschmutzung des
Ubergängsumfanges außerhalb des Elementes ergibt.
In Fig.' 2 ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung
gemäß der ersten Ausfuhrungsform dargestellt, dureh-welche
die oben genannte Schwierigkeit, die' bei der Ausführung gemäß Fig. 1 vorhanden ist, verringert ist. Dies
wird bewirkt durch Verwendung zusätzlicher Bereiche- \
rechteckiger Form mit h Leitfähigkeit, von denen jeweils
einer jeder Ecke des Bereiches 2 benachbart angeordnet ist, '
und die dazu dienen, Schutzübergänge zu schaffen, welche
den normalen Verarmungsbereich wahlweise verlängern.
Diese Ausfuhrungsform der Erfindung ist selbstverständlich
nicht auf das Beispiel gemäß Fig. 2 beschränkt
und die zusätzlichen Bereiche können verschiedene Gestalten annehmen, nicht? nur in Zuordnung zu entsprechenden
Änderungen der Form des betreffenden ersten Überganges,
009828/0676
1839069
sondern auch relativ zu einer gegebenen Form für den letzteren.
Die Form bzw. Gestalt des ersten Überganges kann gegenüber der Gestalt, die sonst verwendet werden würde,
geändert werden, und zwar zur Anpassung bzw. Aufnahme vorteilhafter
zusätzlicher Bereiche.
In Fig. 3- ist ein anderes Beispiel dargestellt, bei
welchem der ursprüngliche rechteckige Bereich 2 zu Kreuzform
5 abgewandelt ist, um zusätzliche rechteckige Bereiehe
β aufzunehmen. Gemäß Fig. 4 hat der erste Bereich 7
' allgemein Rechteckform, weist jedoch abgeschrägte Ecken auf, um zusätzliche dreieckförmige Bereiche 8 aufzunehmen.
In Fig. 5 ist ein Beispiel dargestellt, bei welchem
eine Mehrzahl kreisförmiger zusätzlicher Bereiche9 verwendet
wird, die in einer Folge rund um jede Ecke <Xes
rechteckigen Bereiches 2 angeordnet sind.
Bei der zweiten Ausführungsform der Erfindung wird
das Konzept der Bereiche 9 gemäß Fig. 5 insofern erweitert,
daß eine Folge zusätzlicher Bereiche 10 dort verwendet wird, wo ein einzelner solcher Bereich, der zu einemlängeren
Übergangsumfang beiträgt, verwendet werden könnte. Das Konzept eines segmentartigen Schutzüberganges kann
dort angewendet werden, wo es erwünscht ist, einen normalen Verarmungsbereich gleichmäßig um seinen Umfang zu ver-_- j
längern, wie es beispielsweise bei einem kreisförmigen ersten Übergang der Fall sein kann. In Fig. 6 ist ein
Beispiel dargestellt, bei welchem ein segmentartiger ring-
000826/0676
BAD ORIGiNAi.
förmiger Schutzübergang auf diese Weise durch Schaffung
zusätzlicher Bereiche 10 verwendet wird.
Es ist zu verstehen, daß bei der Erfindung geeignete
Herstellungstechniken und andere geeignete Merkmale verwendet werden können, die zuvor in Verbindung mit ringförmigen
Schutzübergängen vorgeschlagen worden sind. Weiterhin kann die Erfindung in Zuordnung zu ringförmigen Schutz-Übergängen
verwendet werden, wo es erwünscht ist, einen Verarmungsbereich vollständig rundherum, jedoch auf ungleichmäßige
Weise, zu verlängern bzw. zu.erstrecken. Hinsichtlich
ringförmiger Schutzüljergänge wird auf die schwebende
britische,Patentanmeldung Nr. 3>
791/66 verwiesen.
009026/0676
Claims (1)
- - 8 - - ■■:-■■■■■■ ' -Pat entansprüche . ■-·,"-.1.1 Halbleiterelement mit einem ersten Bereich einesLeitfähigkeitstyps und einem zweiterT Bereich entgegengesetzten Leitfähigkeit styps > wo:bei die Bereiche zwischen sich einen ersten pn Übergang schaffen, der auf dem Umfang in einer Fläche des Elementes endigt, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein zusätzlicher·Bereich des einen Leitfähigkeitstyps vorgesehen ist, der mit dem zweiten Bereich einen Schutzübergang schiafft und von dem ersten übergang in einem solchen Abstand liegt; daß im Betrieb die Verarmungsschicht, in dem zweiten Bereich, der den ersten Übergang erreicht, in die Verarmungssehicht in dem zweiten Bereich übergeht, der den Schutzübergang erreicht, und der zusätzliche Bereich sich teilweise rund um den ersten übergang erstreckt und relativ zu dem ersten Übergang nahe-einem Teil von diesem angeordnet ist, an dem bei Nichtvorhandensein des Schutzübergänges das Element im Betrieb dem Plächendurchbrmch am meisten"ausgesetzt ist.2. Halbleiterelement nach Anspruch1, dadurch gekennzeichne t> daß eine Mehrzahl soldier zusätzlicher Bereiche vorgesehen ist, die sich zusammen nicht vollstäriäig um den ersten übergang erstrecken und relativ zu dem ersten Übergang denjenigen Teilen von ihm benachbart angeordnet sind, die dem •Plächendurchbruch; am meisten ausgesetzt sind, 5· Element nach· Anspruch 2, dadurch gekennezeichnetj0 0SO 26/^iS" : o' BAD ORIGINALdaß der erste Übergang Teile aufweist, die gegenüber dem übrigen Teil des ersten Überganges kleinen Krümmungsradius haben und ein zusätzlicher Bereich nahe Jedem Teil des ersten Überganges angeordnet ist.4. Element nach Anspruch J5* dadurch gekennzeichnet, daß der oder jeder zusätzliche Bereich durch eine Mehrzahl von diskreten Zonen des einen Leitfähigkeitstyps gebildet ist.5· Element nach Anspruch 5 oder 4, dadurch gekennzeich- ^ net, daß der Anschlußumfang des ersten Überganges an der " Fläche des Elementes ein Rechteck bildet und an jeder Ecke des Rechtecks ein zusätzlicher Bereich (4) vorgesehen ist (Fig. 2).6. Element nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß jeder zusätzliche Bereich zwei Arme aufweist, deren jeder sich teilweise entlang der beiden Seiten des die betreffende Ecke bildenden Rechtecks erstreckt,7. Element nach Anspruch >, dadurch gekennzeichnet,daß der Anschlußumfang des ersten Überganges an der Fläche % des Elementes Kreuzform (5) aufweist. -8. Element nach Anspruch I3 dadurch gekennzeichnet, daß vier zusätzliche Bereiche (6) vorgesehen sind, von · denen einer in jedem.· Paar der Arme des Kreuzes (5) ange- " ordnet ist. .-".-.·9· Element nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der zusätzlichen vier Bereiche mit dem zweitenBADOBIÖtNÄLBereich einen Sehutzübergäng bildet, der auf dem Umfang in einem Rechteck auf der Fläche des Elementes endigt.10. Element nach Anspruch» 5* dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußumfang des ersten Überganges an der Fläche des Elementes ein Rechteck (7) mit abgeschrägten Ecken bildet.11. Element nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß vier zusätzliche Bereiche (8) vorgesehen sind, von . denen einer an jeder abgeschrägten Ecke des Rechtecks angeordnet ist.12. Element nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die vier zusätzlichen Bereiche jeweils mit dem zweiten Bereich einen Schutzübergang schaffen, der auf dem Umfang in einem Dreieck auf der Fläche des Elementes endig-t.IjJ. Element nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Übergang auf der Fläche des Elementes in. einem Kreis endigt und die zusätzlichen Bereiche (IQ) jeweils bogenförmig gebildet und um den kreisförmigen Anschlußumfang des ersten Überganges zentriert sind.ÖÖ98 2S/067 6BAD ORIGINAL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB3879/67A GB1140822A (en) | 1967-01-26 | 1967-01-26 | Semi-conductor elements |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1639069A1 true DE1639069A1 (de) | 1970-06-25 |
Family
ID=9766611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19681639069 Pending DE1639069A1 (de) | 1967-01-26 | 1968-01-24 | Halbleiterelement |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3538398A (de) |
| DE (1) | DE1639069A1 (de) |
| FR (1) | FR1550640A (de) |
| GB (1) | GB1140822A (de) |
| NL (1) | NL6801128A (de) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631898B2 (de) * | 1974-01-11 | 1981-07-24 | ||
| JPS5478092A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-21 | Hitachi Ltd | Lateral semiconductor device |
| DE3063943D1 (en) * | 1979-03-22 | 1983-08-04 | Tokyo Shibaura Electric Co | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| DE3012185A1 (de) * | 1980-03-28 | 1981-10-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Feldeffekttransistor |
| US5229642A (en) * | 1980-09-01 | 1993-07-20 | Hitachi, Ltd. | Resin molded type semiconductor device having a conductor film |
| US5371411A (en) * | 1980-09-01 | 1994-12-06 | Hitachi, Ltd. | Resin molded type semiconductor device having a conductor film |
| JPS5745259A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Hitachi Ltd | Resin sealing type semiconductor device |
| US5552639A (en) * | 1980-09-01 | 1996-09-03 | Hitachi, Ltd. | Resin molded type semiconductor device having a conductor film |
| JPS57201062A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-09 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS5939066A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-03 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路 |
| NL8204105A (nl) * | 1982-10-25 | 1984-05-16 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting. |
| GB2165090A (en) * | 1984-09-26 | 1986-04-03 | Philips Electronic Associated | Improving the field distribution in high voltage semiconductor devices |
| JP2701502B2 (ja) * | 1990-01-25 | 1998-01-21 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
| DE19818296C1 (de) * | 1998-04-23 | 1999-08-26 | Siemens Ag | Hochspannungs-Randabschluß für ein Halbleiterbauelement |
| KR100751100B1 (ko) | 1999-09-16 | 2007-08-22 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 반도체 디바이스 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1294558B (de) * | 1961-06-07 | 1969-05-08 | Westinghouse Electric Corp | Hochspannungsgleichrichter und Verfahren zum Herstellen |
| NL297002A (de) * | 1962-08-23 | 1900-01-01 | ||
| US3271640A (en) * | 1962-10-11 | 1966-09-06 | Fairchild Camera Instr Co | Semiconductor tetrode |
| US3338758A (en) * | 1964-12-31 | 1967-08-29 | Fairchild Camera Instr Co | Surface gradient protected high breakdown junctions |
| US3394037A (en) * | 1965-05-28 | 1968-07-23 | Motorola Inc | Method of making a semiconductor device by masking and diffusion |
| US3391287A (en) * | 1965-07-30 | 1968-07-02 | Westinghouse Electric Corp | Guard junctions for p-nu junction semiconductor devices |
-
1967
- 1967-01-26 GB GB3879/67A patent/GB1140822A/en not_active Expired
- 1967-12-04 US US687662A patent/US3538398A/en not_active Expired - Lifetime
- 1967-12-29 FR FR1550640D patent/FR1550640A/fr not_active Expired
-
1968
- 1968-01-24 DE DE19681639069 patent/DE1639069A1/de active Pending
- 1968-01-25 NL NL6801128A patent/NL6801128A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6801128A (de) | 1968-07-29 |
| US3538398A (en) | 1970-11-03 |
| GB1140822A (en) | 1969-01-22 |
| FR1550640A (de) | 1968-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1639069A1 (de) | Halbleiterelement | |
| DE69523266T2 (de) | Verfahren zur Verminderung der Spannung in Abzweigungen in einem Hochdruckströmungskanalsystem, und dadurch gebildete Abzweigung | |
| DE2810615A1 (de) | Kunststoffschraubenaugenring | |
| DE2926987B1 (de) | Siebmaschinen-Siebdeck | |
| DE1652913A1 (de) | Schleifschneidvorrichtung | |
| DE2016283A1 (de) | Turb inens chaufelabdec kung | |
| DE1785038A1 (de) | Unterhose mit feuchtigkeitsdichten Zwickel | |
| DE2747668A1 (de) | Thyristor-bauelement | |
| DE1539636B1 (de) | Als Thyristor ausgebildetes Halbleiterbauelement mt profilierter Randzone | |
| DE1614827C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Transistors | |
| DE8517810U1 (de) | Faltteil zum Bilden einer Abschirmung für Trinkgefäße | |
| DE29802791U1 (de) | Trägerscheibe für eine Sichtschleifscheibe | |
| DE1251440C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE1807839A1 (de) | Fadengeberhebel fuer Naehmaschinen | |
| DE3017584C2 (de) | Thyristor | |
| DE2543040A1 (de) | Flaschenkasten | |
| DE2720053A1 (de) | Elektromagnetischer schrittmotor | |
| DE2732360A1 (de) | Hochspannungs-thyristor | |
| DE2520134A1 (de) | Thyristor | |
| DE2457106A1 (de) | Thyristor | |
| DE592941C (de) | Blitzableiter | |
| DE1564648A1 (de) | Mesa-Transistor | |
| DE2146524A1 (de) | Schaltbare Halbleitervorrichtung | |
| DE3000804A1 (de) | Thyristor mit kurzgeschlossenem emitter fuer kurze stromflussdauer | |
| DE3938832C2 (de) |