DE1614834C2

DE1614834C2 - Method for producing a semiconductor arrangement

Info

Publication number: DE1614834C2
Application number: DE1614834A
Authority: DE
Inventors: Albert Clayton Dallas Tex. Baumann (V.St.A.)
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1966-07-01
Filing date: 1967-06-30
Publication date: 1973-12-13
Also published as: BR6790958D0; DE1614834B1; MY7300360A; GB1189904A; NL6709059A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei welchem die Anschlußdrähte in fester gegenseitiger Lage gehalten werden, das Halbleiterelement auf einem der Anschlußdrähte befestigt und mit den anderen Anschlußdrähten verbunden wird, und anschließend das Halbleiterelement eingekapselt wird.The invention relates to a method for producing a semiconductor device, in which the connecting wires are held in a fixed mutual position, the semiconductor element on one of the Connecting wires is attached and connected to the other connecting wires, and then the Semiconductor element is encapsulated.

Nach einem älteren Vorschlag besteht ein Verfahren dieser Art darin, daß eine ganze Reihe von eingekapselten Halbleiterbauelementen auf einem Transportband gefertigt werden, das aus den noch zusammenhängenden Anschlußdrähten der Halbleiterbauelemente besteht. Zu diesem Zweck werden die Anschlußdrähte in der erforderlichen Anzahl durch Bohrungen eines Formkörpers vorgeschoben, und in bestimmten Abständen wird jeweils ein Halbleiterbauelement auf einem der Anschlußdrähte befestigt und mit den anderen Anschlußdrähten verbunden. Diese Anordnung wird dann in einen Hohlraum des Formkörpers zurückgezogen, eingekapselt und dann so weit aus dem Formkörper herausgeschoben, daß das nächste Halbleiterbauelement in der gleichen Weise angebracht und eingekapselt werden kann. Dieses Verfahren ist auf Halbleiterbauelemente beschränkt, bei denen die Anschlußdrähie vollkommen gerade und parallel zueinander durch die ganze Einkapselung hindurch verlaufen können.According to an earlier proposal, one method of this type is that a whole series of encapsulated semiconductor components are manufactured on a conveyor belt that consists of the still contiguous connecting wires of the semiconductor components. Be for this purpose the required number of connecting wires is advanced through holes in a molded body, and at certain intervals a semiconductor component is attached to one of the connecting wires and connected to the other connecting wires. This arrangement is then placed in a cavity of the molding withdrawn, encapsulated and then pushed out of the molding so far, that the next semiconductor device is attached and encapsulated in the same way can. This method is limited to semiconductor components in which the lead wires can run completely straight and parallel to one another through the entire encapsulation.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs angegebenen Art zu schaffen, bei dem keine Einschränkungen hinsichtlich der Art und Form der Anschlußdrähte bestehen, und mit dem eine beliebige Anzahl von Halbleiteranordnungen gleichzeitig eingekapselt werden können.The invention is based on the object of creating a method of the type specified at the beginning, in which there are no restrictions on the type and shape of the connecting wires, and with any number of semiconductor devices can be encapsulated at the same time.

Nach der Erfindung wird dies dadurch erreicht, daß die Anschlußdrähte durch Reibung in einem Trägerblock derart festgehalten werden, daß das eine Ende jedes Anschlußdrahts freitragend von dem Trägerblock absteht, daß das Halbleiterelement mit den freitragenden Enden der Anschlußdrähte verbunden wird, und daß das Halbleiterelement in einer Form neben dem Trägerblock in ein Plastikmaterial eingeschlossen wird.According to the invention this is achieved in that the connecting wires by friction in one Support block are held so that one end of each lead cantilevered from the Support block protrudes that the semiconductor element is connected to the cantilevered ends of the connecting wires is, and that the semiconductor element in a mold next to the support block in a plastic material is included.

Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht das unmittelbare Verbinden von Halbleiteranordnungen mit den Anschlußdrähten ohne Verwendung von Zwischenträgern, wobei die Anschlußdrähte beliebig geformt sein können und nicht notwendigerweise in einer Ebene liegen müssen, und sofort anschließend das Einkapseln, ohne daß dazwischen ein Handhaben der Anordnung erforderlich ist. Insbesondere kann das Einkapseln durch Preßspritzen mit einem wärmehärtbaren Kunststoff erfolgen, wodurch Bauelemente mit großer mechanischer Festigkeit erhalten werden. Die Zahl der benötigten Verfahrensschritte ist gering, und das für die Einkapselung verwendete Kunststoffmaterial kann gut ausgenutzt werden. Das Verfahren eignet sich besonders gut für eine weitgehend automatisierte Massenfertigung.The method according to the invention enables semiconductor arrangements to be connected directly with the connecting wires without the use of intermediate carriers, the connecting wires as desired can be shaped and do not necessarily have to lie in one plane, and immediately afterwards encapsulation with no intervening handling of the assembly. In particular the encapsulation can be done by transfer molding with a thermosetting plastic, creating structural elements can be obtained with great mechanical strength. The number of procedural steps required is small, and the plastic material used for the encapsulation can be used well. The The method is particularly suitable for a largely automated mass production.

Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß jeder der Anschlußdrahte zur Bildung eines Federabschnitts teilweise verformt und so in dem Trägerblock angeordnet wird, daß dieser den Federabschnitt durch Reibung erfaßt und festhält.One embodiment of the method according to the invention is that each of the connecting wires partially deformed to form a spring section and thus arranged in the support block is that this grips and holds the spring portion by friction.

Eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß ein Trägerkörper aus einem elastischen Material verwendet wird, der an einer Seite mehrere Nuten aufweist, deren Tiefe größer als der halbe Durchmesser des darin aufzunehmenden Anschlußdrahtes ist, und deren Breite kleiner als der Durchmesser des Anschlußdrahtes ist und daß jeder Anschlußdraht in eine der Nuten so eingepreßt wird, daß er darin durch Reibung festgehalten wird und sein Ende freitragend· von dem Trägerblock absteht.Another embodiment of the method according to the invention consists in that a carrier body made of an elastic material is used, which has several grooves on one side, the Depth is greater than half the diameter of the connecting wire to be received therein, and their Width is smaller than the diameter of the connecting wire and that each connecting wire in one the groove is pressed in in such a way that it is held in place by friction and its end is cantilevered protrudes from the support block.

Das gleichzeitige Einkapseln einer größeren Anzahl von Halbleiteranordnungen wird nach einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens dadurch erreicht, daß mehrere Trägerblöcke, von denen jeder eine Anzahl von abstehenden Anschlußdrähten mit einem auf einem der freitragenden Enden montierten und elektrisch mit den anderen freitragenden Enden verbundenen Halbleiterplättchen aufweist, nebeneinander in zwei parallelen Reihen so angeordnet werden, daß die freitragenden Anschlußdrähte in jeder Reihe zur anderen Reihe hin gerichtet sind, und in zugehörige getrennte Formhohlräume ragen, die in zwei nebeneinanderliegenden Reihen angeordnet sind, und daß ein fließfähiger wärmehärtbarer Kunststoff aus einem einzigen Zufuhrkanal, der sich zwischen den beiden Reihen der Formhohlräume erstreckt, in jeden der Formhohlräume eingeführt wird.The simultaneous encapsulation of a larger number of semiconductor devices is advantageous Embodiment of the method according to the invention achieved in that several carrier blocks, each of which has a number of protruding connecting wires with one on one of the cantilevered ones Semiconductor dies assembled and electrically connected to the other cantilevered ends has to be arranged side by side in two parallel rows so that the self-supporting Lead wires in each row are directed toward the other row, and into associated separate mold cavities protrude, which are arranged in two adjacent rows, and that one flowable thermosetting plastic from a single feed channel that extends between the two rows of Extends mold cavities, is inserted into each of the mold cavities.

Dies wird dadurch erreicht, daß eine Vielzahl von Trägerblöcken Seite an Seite in zwei Reihen so ausgerichtet wird, daß sich die Zuleitungsdrähte jeweils auf die andere Reihe zu in zwei Reihen von Formausnehmungen erstrecken. Dann wird durch einen einzigen Kanal zwischen den beiden Reihen von Formausnehmungen und durch Zuleitungen in jede der Ausnehmungen Kunststoff gepreßt, so daß der Kunststoffabfall verringert wird.This is achieved by having a plurality of carrier blocks side by side in two rows so is aligned that the lead wires each to the other row to in two rows of Extend shape recesses. Then through a single channel between the two rows of molded recesses and through feed lines in each of the recesses plastic pressed so that plastic waste is reduced.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt. Darin zeigenAn embodiment of the invention is shown in the drawing. Show in it

Fig. 1 bis 6 perspektivische Ansichten einzelner Schritte des Herstellungsverfahrens nach der Erfindung, Fig. 1 to 6 perspective views of individual Steps of the manufacturing process according to the invention,

Fig. 7 eine perspektivische Ansicht eines nach dem Verfahren von Fig. 1 bis 6 hergestellten Transistors, 7 shows a perspective view of a transistor manufactured according to the method of FIGS. 1 to 6,

Fig. 8 bis 11 den Ansichten von Fig. 1 bis 6 ähnliche perspektivische Ansichten einer anderen /t Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens,Fig. 8 to 11 the views of Figs. 1 to 6 similar perspective views of another / t embodiment of the method according to the invention,

Fig. 12 eine perspektivische Ansicht eines nach dem Verfahren von Fig. 8 bis 11 hergestellten Transistors,Fig. 12 is a perspective view of an after transistor manufactured according to the method of FIGS. 8 to 11,

Fig. 13 eine Ansicht einer bevorzugten Ausführungsform des in dem Verfahren von Fig. 1 bis 6 verwendeten Trägerblocks,Figure 13 is a view of a preferred embodiment the carrier block used in the method of Figures 1 to 6,

Fig. 14 eine Seitenansicht des in Fig. 13 dargestellten TrägerblockSj ,FIG. 14 is a side view of the carrier block Sj shown in FIG. 13,

Fig. 15 eine Stirnansicht des in Fig. 13 dargestellten Trägerblocks,Fig. 15 is an end view of the support block shown in Fig. 13,

Fig. 16 eine Stirnansicht einer bevorzugten Ausführungsform des in dem Verfahren von Fig. 8 bis 11 verwendeten Trägerblocks,16 is an end view of a preferred embodiment the carrier block used in the method of Figures 8-11,

Fig. 17 eine Ansicht einer Stützplatte für mehrere der Trägerblöcke von Fig. 13 bis 15, wobei Teile zur Verdeutlichung der Konstruktion weggebrochen dargestellt sind,17 is a view of a support plate for several of the support blocks of Figures 13 to 15, with parts broken away to clarify the construction are shown

Fig. 18 eine Schnittansicht längs der Linie 18-18 von Fig. 17,Fig. 18 is a sectional view taken along line 18-18 of Fig. 17;

Fig. 19 eine Hinteransicht der in Fig. 17 dargestellten Stützplatte,19 is a rear view of that shown in FIG Support plate,

Fig. 20 eine Ansicht der unteren Hälfte einer mit mehreren Ausnehmungen versehenen Form, die ge-20 is a view of the lower half of a multi-recessed mold which is

maß der Erfindung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens aufgebaut ist,measure of the invention to carry out the invention Procedure is established,

Fig. 21 eine Ansicht eines durch die untere und die obere Hälfte der in Fig. 20 dargestellten Form geführten Schnittes,Fig. 21 is a view of a through the lower and the upper half of the shape shown in FIG guided cut,

Fig. 22 eine vergrößerte Schnittansicht einer einzelnen Ausnehmung der in Fig. 20 dargestellten Form, und22 is an enlarged sectional view of a single one Recess of the shape shown in Fig. 20, and

Fig. 23 bis 26 vereinfachte Ansichten einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens. 23 to 26 simplified views of a further one Embodiment of the method according to the invention.

Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist in Fig. 1 bis 6 dargestellt. Ein Trägerblock 10 hält drei Zuleitungsdrähte 12, 13 und 14 parallel zueinander so fest, daß die Enden der Züleitungsdrähte freitragend vom Trägerblock 10 abstehen. Der Trägerblock"10 ist aus einem elastischen Material hergestellt, und er ist mit parallelen Nuten 16,17 und 18 versehen, die die Zuleitungsdrähte 12, 13 und 14 in einem engen Paßsitz aufnehmen, so daß sie durch Reibung im Trägerblock festgehalten werden. Dies wird dadurch erzielt, daß die Breite der Nuten 16,17 und 18 kleiner als der Durchmesser der Zuleitungsdrähfe 12,13 und 14 gemacht wird und daß der Trägerblock 10 aus einem elastischen Material hergestellt wird. Die Nuten sind zumindest tiefer als der Radius der Zuleitungsdrähte; sie sind vorzugsweise beträchtlich tiefer.An embodiment of the method according to the invention is shown in FIGS. A Support block 10 holds three lead wires 12, 13 and 14 parallel to each other so firmly that the ends of the Supply wires protrude from the support block 10 in a self-supporting manner. The support block "10 is made of an elastic Material made, and it is provided with parallel grooves 16, 17 and 18, which receive the lead wires 12, 13 and 14 in a tight fit, so that they are held in place by friction in the support block. This is achieved in that the width of the grooves 16,17 and 18 is made smaller than the diameter of the lead wires 12,13 and 14 and that the support block 10 is made of a elastic material is made. The grooves are at least deeper than the radius of the lead wires; they are preferably considerably deeper.

Der Trägerblock 10 ist in typischer Weise aus einer körnigen Mischung aus 25 °/o Glas und 75 % Tetrafluoräthylen geformt, obwohl auch andere Materialien mit ähnlichen Eigenschaften verwendet werden können. Das glasfaserverstärkte Tetrafluoräthylen kann mit den nötigen Toleranzen geformt werden und es ist zwar genügend elastisch, daß die Zuleitungsdrähte in die Nuten hineingedrückt werden können, aber doch starr genug, daß es bei wiederholtem Gebrauch seine Form beibehält. Das glasfaserverstärkte Tetrafluoräthylen ist auch gegen die Temperaturen widerstandsfähig, die bei den Verfahrensschritten auftreten, wie noch beschrieben wird. ■The support block 10 is typically made of a granular mixture of 25% glass and 75% Tetrafluoroethylene, although other materials with similar properties are also used can be. The glass fiber reinforced tetrafluoroethylene can be molded with the necessary tolerances and it is elastic enough that the lead wires are pressed into the grooves can, but still rigid enough that it will retain its shape with repeated use. The fiberglass reinforced Tetrafluoroethylene is also resistant to the temperatures involved in the process steps occur as will be described below. ■

Die Zuleitungsdrähte 12,13 und 14, die gleichartig sein können, sind auf die für das fertige Bauelement benötigte Länge abgeschnitten. Die Zuleitungsdrähte 12 bis 14 werden dadurch in die zugehörigen Nuten 16 bis 18 eingeschoben, daß sie oben in die Nuten eingelegt und durch ein keilförmiges Werkzeug in die Nuten gedrückt werden, das sich im wesentlichen in der Länge der Drähte erstreckt und eine Spitze besitzt, die ebenfalls in die Nuten paßt. Wenn die Zuleitungsdrähte einmal in die Nuten gedruckt sind, dann werden sie dort sowohl gegen eine Drehung als auch gegen eine Längsbewegung in einem zur Durchführung der restlichen Verfahrensschritte ausreichenden Maß festgehalten. Drehbewegungen und insbesondere Längsbewegungen der Drähte können aber trotzdem bei Anwendung von Kraft erzielt werden.The lead wires 12, 13 and 14, which can be of the same type, are cut to the length required for the finished component. The lead wires 12 to 14 are pushed into the associated grooves 16 to 18 in that they are inserted into the grooves at the top and pressed into the grooves by a wedge-shaped tool which extends essentially the length of the wires and has a point which also fits into the grooves. Once the lead wires have been pressed into the grooves, they are held there against rotation as well as against longitudinal movement to an extent sufficient to carry out the remaining method steps. Rotational movements and, in particular, longitudinal movements of the wires can nevertheless be achieved with the application of force.

Nun werden die Zuleitungsdrähte 12 bis 14 in eine herkömmliche Presse eingeführt, die Formwerkzeuge besitzt, die die Enden 12 a, 13 α und 14 α der Zuleitungsdrähte so abflacht, wie in Fig. 2 im wesentlichen dargestellt ist. Während dieses Verfahrensschrittes werden die Enden der Drähte auch auf den richtigen Abstand von der Stirnfläche 10 α des Trä gerblocks 10 ausgerichtet, indem der Trägerblock 10 gegen einen Anschlag gestoßen wird, während die Enden der Zuleitungsdrähte gleichzeitig gegen einen geeignet angebrachten Anschlag gestoßen werden. Als nächstes werden die Zuleitungsdrähte auf einer Heizeinrichtung angebracht, und ein kleines, rechteckiges Stückchen einer Goldfolie 20 wird auf dem abgeflachten Ende 13 α des mittleren Zuleitungsdrahtes 13 angebracht. Die Goldfolie schmilzt dann und haftet an dem Zuleitungsdraht. Nun wird ein Halbleiterplättchen 22 auf die Goldfolie gelegt. DieNow, the lead wires are introduced 12 to 14 in a conventional press, having the forming tools, which is 13 α 14 and α of the lead wires so flattens as shown in Fig. 2 are substantially the ends 12 a. During this process step , the ends of the wires are also aligned to the correct distance from the end face 10 α of Trä gerblocks 10 by pushing the carrier block 10 against a stop, while the ends of the lead wires are pushed against a suitably attached stop at the same time. Next, the lead wires are attached to a heater, and a small, rectangular piece of gold foil 20 is attached to the flattened end 13 α of the central lead wire 13. The gold foil then melts and adheres to the lead wire. A semiconductor wafer 22 is now placed on the gold foil. the

ίο Zuleitungsdrähte werden dabei so erhitzt, daß sich das Plättchen durch das Gold an das abgeflachte Ende 13 α des mittleren Zuleitungsdrahtes anlegiert. Bei einem Transistor wird gewöhnlich der Kollektor durch diesen Vorgang mit dem Zuleitungsdraht verbunden. Ein Kontaktdraht 24 aus Gold mit kleinem Durchmesser wird dann mit dem verbreiterten Basiskontakt auf dem Halbleiterplättchen und dem abgeflachten Ende 14 a verbunden, während ein Kontaktdraht 26 mit dem verbreiterten Emitterkontakt undίο Lead wires are heated so that the platelets are alloyed by the gold on the flattened end 13 α of the middle lead wire. In the case of a transistor, this process usually connects the collector to the lead wire. A contact wire 24 made of gold with a small diameter is then connected to the widened base contact on the semiconductor die and the flattened end 14 a, while a contact wire 26 with the widened emitter contact and

2d dem abgeflachten Ende 12 α verbunden wird.2d is connected to the flattened end 12 α.

Die freitragenden Enden der Zuleitungsdrähte 12 bis 14 werden nun zusammen mit dem Halbleiterplättchen 22 und den Kontaktdrähten 24 und 26 in einer geeigneten Ausnehmung einer TransferformThe cantilevered ends of the lead wires 12 to 14 are now together with the semiconductor die 22 and the contact wires 24 and 26 in a suitable recess of a transfer mold

angebracht, wo die Enden der Zuleitungsdrähte 12 bis 14 in einem Kunststoffkörper 28 eingekapselt werden, wie in Fig. 6 dargestellt ist. Nachdem die Vorrichtung aus der Form herausgenommen ist, kann sie noch im Trägerblock 10 durch Anlegen von Tastköpfen an die Zuleitungsdrähte 12 bis 14 geprüft werden, da der Trägerblock 10 ein elektrischer Isolator ist. Die Vorrichtung kann dann dadurch leicht aus dem Trägerblock 10 entfernt werden, daß auf dem Kunststoff körper 28 eine Zugkraft ausgeübt wird, damit sich die Zuleitungsdrähte in Längsrichtung aus den Nuten 16 bis 18 herausbewegen. Das fertige Bauelement kann im wesentlichen so aussehen, wie in Fig. 7 dargestellt ist, obwohl das Kunststoffmaterial undurchsichtig und nicht wie in der Darstellung, durchsichtig ist.attached where the ends of the lead wires 12-14 encapsulated in a plastic body 28 as shown in FIG. After the device is removed from the mold, it can still be checked in the carrier block 10 by applying probes to the lead wires 12 to 14 since the support block 10 is an electrical insulator. The device can then easily be removed from the support block 10 that a tensile force is exerted on the plastic body 28, so that the lead wires move out of the grooves 16 to 18 in the longitudinal direction. The finished one Component can appear essentially as shown in FIG. 7, although the plastic material opaque and not, as in the illustration, is transparent.

Es ist zu erkennen, daß die Zuleitungsdrähte 12 bis 14 in keinem Verfahrensschritt zugeschnitten werden müssen, so daß kein Verlust an Drahtmaterial auftritt. Außerdem sind keine Zuleitungsdrähte vorhanden, die am Kunststoffkörper abgeschnitten und dann mit einem Isoliermaterial überzogen werden müssen. Die Zuleitungsdrähte sind wegen der abgeflachten Enden 12 α bis 14 α sicher in dem Kunststoffkörper verankert, so daß sie nicht gedreht oder aus dem Kunststoffkörper herausgezogen werden können. Darüber hinaus liegen die Enden ein beträchtliches Stück von der angrenzenden Endfläche des zur Abkapselung verwendeten Kunststoffs entfernt, so daß sie gegen die Umgebung gut isoliert und geschützt sind.It can be seen that the lead wires 12 to 14 do not have to be cut to size in any process step, so that there is no loss of wire material. In addition, there are no lead wires that have to be cut off on the plastic body and then coated with an insulating material. Because of the flattened ends 12 α to 14 α, the lead wires are securely anchored in the plastic body so that they cannot be rotated or pulled out of the plastic body. In addition, the ends are a considerable distance from the adjacent end face of the plastic used for encapsulation, so that they are well insulated and protected from the environment.

In F i g. 8 bis 11 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Transistors dargestellt, bei dem die Zuführungsdrähte längs eines Kreises angeordnet sind, wie es bei hermetisch abgedichteten Hüllen üblich ist, die aus einem Metallsockel und einem Metallbecher bestehen. Bei diesem Verfahren wird ein Trägerblock 30 verwendet, der Zuführungsdrähte 32 bis 34 parallel und freitragend in parallelen Nuten 36 und 38 trägt, wie es oben bereits beschrieben wurde. Der Trägerblock 30 kann aus dem gleichen Material geformt sein wie der Trägerblock 10. Die Zuleitungsdrähte 32 bis 34 werden dabei entsprechend der obigen Beschreibung in einem Reibungssitz in denIn Fig. 8 to 11 a method of manufacturing a transistor is shown in which the lead wires are arranged along a circle, as is customary in hermetically sealed enclosures which consist of a metal base and a metal can. In this method, a support block 30 is used which carries lead wires 32 to 34 in parallel and in a cantilevered manner in parallel grooves 36 and 38, as has already been described above. The carrier block 30 can be formed from the same material as the carrier block 10. The lead wires 32 to 34 are in accordance with the above description in a friction fit in the

5 " 65 "6

Nuten 36 bis 38 festgehalten. Der Boden der mitt- Nuten 16 bis 18 angebracht, die sich zwischen denGrooves 36 to 38 held. The bottom of the mitt grooves 16 to 18 attached, which extend between the

leren Nut 37 liegt hier jedoch ein beträchtliches beiden Stirnflächen 58 und 60 erstrecken, an denenLeren groove 37 is here, however, a considerable two end faces 58 and 60 extend on which

Stück über dem Boden der zwei äußeren Nuten 36 sie auch offen sind. Es sei bemerkt, daß die BödenPiece above the bottom of the two outer grooves 36 they are also open. It should be noted that the floors

und 38, so daß die an den Böden der Nuten ange- der Nuten in einer gemeinsamen Ebene ausgerichtetand 38, so that the grooves on the bottoms of the grooves are aligned in a common plane

brachten Zuleitungsdrähte an den gewünschten 5 sind. Auf jeder Seite der Haltenut 62 ist jeweils einebrought lead wires to the desired 5. There is one on each side of the retaining groove 62

Punkten im wesentlichen an den Eckpunkten eines von zwei Ausrichtnuten 64 in jeder Seitenfläche 56Points essentially at the corner points of one of two alignment grooves 64 in each side surface 56

rechtwinkligen, gleichschenkligen Dreiecks liegen. und 54 angebracht. Diese Ausrichtnuten 64 er-right-angled, isosceles triangle. and 54 attached. These alignment grooves 64

Die Zuleitungsdrähte 33 und 34 können gleich strecken sich dabei von der unteren Fläche 52 vorlang und anfangs exakt gerade sein, damit die zugsweise zu der oberen Fläche 50. Die Ausricht-Schwierigkeiten der Lagerhaltung verringert werden. 10 nuten 64 besitzen einen im allgemeinen halbkreis-Der Zuleitungsdraht 32 ist jedoch vorzugsweise ein förmigen Querschnitt, sie sind jedoch nicht ganz so wenig langer als die Zuleitungsdrähte 33 und 34. tief wie ein Halbkreis, damit die Trägerblöcke durch Wenn die Zuleitungsdrähte entsprechend der obigen einen zwischen zwei benachbarte Trägerblöcke ge-Bcschreibung in die Nuten eingeführt werden, dann drückten Ausrichtstift ein wenig voneinander gesteht das Ende des Zuleitungsdrahtes 32 weiter vor 15 trennt werden.The lead wires 33 and 34 can equally stretch from the lower surface 52 forwards and be exactly straight at the beginning so that the closest to the top surface 50. The alignment difficulties storage can be reduced. 10 grooves 64 have a generally semicircular der However, lead wire 32 is preferably shaped in cross section, but they are not quite so a little longer than the lead wires 33 and 34. deep as a semicircle, so that the carrier blocks through If the lead wires according to the above one between two adjacent carrier blocks-description to be inserted into the grooves, then squeezed the alignment pin a little confessing from each other the end of the lead wire 32 can be further cut before 15.

als die Enden der Zuleitungsdrähte33 und34. Dieses Wie aus Fig. 15 hervorgeht, sind die Nuten 16 weiter vorstehende Ende wird dann in einer Hori- bis 18 an ihren oberen Enden 16 a bis 18 a erweitert, zontalebene rechtwinkelig umgebogen, die im wesent- damit das Eindrücken der Zuleitungsdrähte 12 bis 14 liehen in Fig. 8 dargestellt ist. Die Enden der drei in die zugehörigen Nuten erleichtert wird. Die unte-Zuleitungsdrähte 32 bis 34 werden dann einer Presse 20 ren Abschnitte der Nuten 16 bis 18 besitzen vorzugsausgesetzt, die ein Formwerkzeug besitzt, das das weise parallele Seiten, die einen Abstand voneinan-Endc des mittleren Zuleitungsdrahtes 33 nach unten der besitzen, der ein wenig kleiner als der Durchin die gleiche Ebene wie die Zuleitungsdrähte 32. messer der Zuleitungsdrähtc 12 bis 14 ist, damit und 34 biegt und gleichzeitig die Enden 32« bis 34 a diese Zuleitungsdrähte in einem engen Reibungssitz als Vorbereitung für die Aufnahme eines Halbleiter- 25 in den Nuten gehalten werden,
plättchens und der sehr dünnen Kontaktdrähtc ab- Der bei dem Verfahren von Fig. 8 bis 11 verflacht. Jede weitere erwünschte Drahtanordnung oder wendete Trägerblock 30 kann die gleiche Draufsicht Drahtform ebenso wie eine andere Anzahl von Zu- und die gleiche Seitenansicht wie in Fig. 13 bzw. leitungsdrähten kann untergebracht werden, solange Fig. 14 besitzen, aber er besitzt eine Stirnansicht eine Formtrennlinie erzeugt werden kann. Unter 30 wie in Fig. 16. Es ist aus Fig. 16 zu erkennen, daß Verwendung einer Goldfolie wird nun ein Halbleiter- die mittlere Nut 37 höher liegt als die beiden äußeren plättchen 39 entsprechend der obigen Beschreibung Nuten 36 und 38, wie es bereits im Zusammenhang im das abgeflachte Ende32« anlegicrt, und ein Kon- mit dem Verfahren von Fig. 8 bis 11 beschrieben taktdraht 40 wird zwischen dem verbreiterten Basis- wurde.than the ends of the lead wires 33 and 34. This As can be seen from Fig. 15, the grooves 16 are further protruding end is then expanded in a horizontal to 18 at their upper ends 16 a to 18 a, zontal plane bent over at right angles, which essentially pushes in the lead wires 12 to 14 borrowed in Fig. 8 is shown. The ends of the three are eased into the associated grooves. The lower lead wires 32 to 34 are then a press 20 ren sections of the grooves 16 to 18 have preferably exposed, which has a forming tool that has parallel sides that are spaced from one another end of the middle lead wire 33 downward of the one little smaller than the through in the same plane as the lead wires 32. The lead wire 12 to 14 is so that and 34 bends and at the same time the ends 32 «to 34 a these lead wires in a tight friction fit in preparation for the inclusion of a semiconductor 25 in the grooves are held,
plate and the very thin Kontaktdrähtc flattened in the method of Fig. 8 to 11. Any other desired wire assembly or inverted support block 30 may have the same plan view wire shape as well as a different number of feed and side views as in Fig. 13 or lead wires may be accommodated as long as Fig. 14 has an end view of a mold parting line can be generated. Under 30 as in Fig. 16. It can be seen from Fig. 16 that the use of a gold foil is now a semiconductor - the middle groove 37 is higher than the two outer plates 39 according to the above description of grooves 36 and 38, as it has already been in connection with the flattened end 32 ', and a clock wire 40 described with the method of FIGS. 8 to 11 is between the widened base.

kontakt des Halbleiterplättchens und dem abgeflach- 35 In Fig. 17 bis,19 ist eine zum Halten von zwanzigcontact of the semiconductor die and the flattened 35 In Figs. 17 to 19 is one for holding twenty

ten Ende 33« angeschlossen, ebenso wie auch zwi- Trägerblöcken 10 bestimmte Stützplatte 80 darge-connected to the th end 33 ″, as well as supporting plate 80 specific between carrier blocks 10.

schen dem verbreiterten Emitterkontakt des Halb- stellt, die gemäß der Erfindung konstruiert ist. Diebetween the widened emitter contact of the half-point, which is constructed according to the invention. the

Ieiterplättchens und dem abgeflachten Ende 34« ein Stützplatte 80 besteht im wesentlichen aus einemThe conductor plate and the flattened end 34 'of a support plate 80 consists essentially of one

Kontaktdraht angebracht wird, wie in Fig. 10 im Längenstück eines Spritzgußteils 82 aus Aluminium,Contact wire is attached, as in Fig. 10 in the length of an injection-molded part 82 made of aluminum,

wesentlichen dargestellt ist. Die freitragenden Enden 40 das einen in Fig. 18 dargestellten Querschnitt besitzt,essential is shown. The cantilevered ends 40, which has a cross-section shown in FIG. 18,

der Zulcitungsdrähte 32 bis 34 werden dann in eine Das Spritzgußteil 82 besitzt eine Grundplatte 84 mitthe lead wires 32 to 34 are then in a The injection molded part 82 has a base plate 84 with

Transferform eingeschoben, wo das Halbleiterplätt- einer vorderen und einer hinteren Kante 87 bzw. 88Transfer mold inserted where the semiconductor wafer has a front and a rear edge 87 and 88, respectively

dien und die Kontaktdrähte 40 und 41 in einen sowie eine Oberplatte 90, die mit einem von derserve and the contact wires 40 and 41 in one and a top plate 90, which is connected to one of the

Kunststoffkörper 42 eingekapselt werden, wie in Grundplatte 84 aus dicht bei deren hinterer Kante 88Plastic body 42 are encapsulated, as in base plate 84 from close to its rear edge 88

Fig. 11 im wesentlichen dargestellt ist. Der Tran- 45 nach oben ragenden Steg 86 verbunden ist. DieFig. 11 is shown essentially. The transom 45 protruding web 86 is connected. the

sistor kann dann noch im Trägerblock 30 geprüft Oberplatte 90 ist mit einem nach vorn ragendenThe sistor can then still be checked in the carrier block 30. Top plate 90 has a protruding forward

werden. Ist dies vollendet, dann kann er durch eine Flansch 92 versehen, der sich über einen Abschnittwill. Once this is done, it can be provided with a flange 92 extending over a section

auf den Kunststoffkörper 42 ausgeübte Zugkraft so der Grundplatte 84 erstreckt. Außerdem besitzt dietensile force exerted on the plastic body 42 extends the base plate 84. In addition, the

aus dem Trägerblock 30 entfernt werden, daß sich Oberplatte 90 einen nach hinten ragenden Flanschremoved from the support block 30 so that top plate 90 has a rearwardly protruding flange

die Zuleitungsdrähte in Längsrichtung aus den Nuten 50 94, der auf der oberen und auf der unteren Flächethe lead wires in the longitudinal direction from the grooves 50 94 on the upper and lower surfaces

36 bis 38 bewegen. Der so entstandene Transistor mit Riffelungen 96 und 98 versehen sein kann, durch36 to 38 move. The transistor formed in this way can be provided with corrugations 96 and 98 through

ist in Fig. 12 dargestellt, obwohl der Kunststoff- die das Anfassen des Flansches mit den Fingernis shown in Fig. 12, although the plastic involves grasping the flange with your fingers

körper auch hier wieder undurchsichtig und nicht erleichtert wird,body is again opaque and not relieved,

durchsichtig ist, wie in der Zeichnung dargestellt ist. Die Grundplatte 84 ist mit einer in Längsrichtungis transparent as shown in the drawing. The base plate 84 has a longitudinal direction

Aus einer spezielleren Betrachtung der Erfindung 55 zu ihr verlaufenden Halterippe 100 versehen, die von geht hervor, daß jeder der Trägerblöcke 10 so her- der Haltenut 62 des Trägerblocks 10 und natürlich gestellt ist, wie in Fig. 13 bis 15 dargestellt ist. Der auch des Trägerblocks 30 aufgenommen werden Trägerblock 10 besitzt im allgemeinen eine recht- kann, der in Fig. 18 mit gestrichelten Linien darwinklige Form und er besitzt allgemein flache obere gestellt ist. Der Steg 86 ist genügend weit hinter der und untere Flächen 50 bzw. 52, allgemein flache C₀ Halterippe 100 angebracht, daß das Hinterende des Seitenflächen 54 und 56 sowie allgemein flache Stirn- Trägerblocks 10 nicht berührt, wird. Der nach vorn flächen 58 und 60. In der unteren Fläche 52 ist eine ragende Flansch 92 der Oberplatte erstreckt sich so quer zum Trägerblock 10 verlaufende Haltenut 62 über das Ende des Trägerblocks 10, daß dieser in angebracht. Der Trägerblock 10 ist dabei zu dieser seiner Stellung auf der Halterippe 100 gehalten wird. HalKMHit 62 vorzugsweise symmetrisch, damit die G₅ Durch die Anordnung aus der Halterippe 100, dem nützliche Lebensdauer des Blocks verlängert wird. Flansch 92 und dem Steg 86 kann der Trägcrblock In der oberen Fläche 50 sind die parallel zueinander 10 sehr frei gleiten und Flatterbeweguimen durchiiber die ganze Länge des Trägerblocks verlaufenden führen.From a more specific consideration of the invention 55 provided retaining rib 100 extending to it, which is evident from FIG. 4, that each of the carrier blocks 10 is positioned so near the retaining groove 62 of the carrier block 10 and of course, as shown in FIGS. 13 to 15. The carrier block 10 which can also be received by the carrier block 30 generally has a right-angled shape, which is shown in FIG. 18 with dashed lines, and it has a generally flat upper shape. The web 86 is positioned sufficiently behind the and lower surfaces 50 and 52, respectively, of the generally flat C ₀ retaining rib 100 that the rear end of the side surfaces 54 and 56 and generally flat end support blocks 10 is not touched. The forward surfaces 58 and 60. In the lower surface 52 is a protruding flange 92 of the top plate extends transversely to the support block 10 extending retaining groove 62 over the end of the support block 10 that this is attached in. The carrier block 10 is held in this position on the holding rib 100. HalKMHit 62 is preferably symmetrical, so that the G ₅ through the arrangement of the retaining rib 100, the useful life of the block is extended. The flange 92 and the web 86 can guide the carrier block in the upper surface 50, the parallel to each other 10 slide very freely and flutter movements running over the entire length of the carrier block.

Im Steg 86 ist eine Schwalbenschwanzführung 102 angebracht, die die vergrößerten Basisabschnitte 104 von zwei Blattfedern 106 in einem engen Sitz aufnehmen kann. Der restliche Teil der Blattfedern 106 ist genügend eng, daß er frei aus der Schwalbenschwanzführung 102 herausragen kann. Wie in Fig. 17 am besten zu erkennen ist, bilden die Enden der Blattfedern 106 Spitzen 108, die über die Vorderfläche des Stegs 86 hinausragen und auf die Hinterenden der Trägerblöcke 10 einwirken, so daß diese daran gehindert werden, aus den Enden der von der Halterippe 100, der Grundplatte 84 und dem Flansch 92 gebildeten Haltekammer zu gleiten. Die Basisabschnitte 104 werden durch die Stäbe 110 in den Schwalbenschwanzführungen gehalten. Wenn die Blattfeder 106 zurückgezogen wird, wie in Fig. 17 auf der linken Seite der Stützplattc 80 dargestellt ist, dann können die Trägerblöcke 10 in die Stützplatte eingeführt oder aus ihr herausgenommen werden.A dovetail guide 102 is mounted in the web 86, which can receive the enlarged base portions 104 of two leaf springs 106 in a tight fit. The remainder of the leaf springs 106 is sufficiently narrow that it can protrude freely from the dovetail guide 102. As best seen in Fig. 17, the ends of the leaf springs 106 form tips 108 which protrude above the front surface of the web 86 and act on the rear ends of the support blocks 10 so that they are prevented from coming out of the ends of the Retaining rib 100, the base plate 84 and the flange 92 formed holding chamber to slide. The base sections 104 are held in the dovetail guides by the rods 110. When the leaf spring 106 is withdrawn, as shown in FIG. 17 on the left-hand side of the support plate 80 , the carrier blocks 10 can be inserted into or removed from the support plate.

Wenn zwanzig Trägerblöcke zwischen den Spitzen 108 der zwei Blattfedern 106 auf der dargestellten Stützplatte angebracht sind, dann ist immer noch ein kleiner Abstand zwischen zwei benachbarten Trägerblöcken 10 vorhanden. Vor der Halterippe 100 sind durch die Grundplatte 84 in gleichen Abständen einundzwanzig Führungslöcher 112 gebohrt. Die Abstände sind so bemessen, daß sie mit den von den Ausrichtnuten 64 zwischen zwei benachbarten Trägerblöcken 10 gebildeten Bohrungen übereinstimmen. Wie bereits erwähnt wurde, ist jede der Ausrichtnuten 64 nicht ganz so tief wie ein voller Halbkreis. Sie besitzen aber den gleichen Krümmungsradius wie die Führungslöcher 112. An jeder Stelle, an der an den Enden der Zuleitungsdrähte 12 bis 14 Arbeitsvorgänge durchgeführt werden sollen, werden Ausrichtstifte 114 durch eines oder mehrere der Führungslöcher 112 und zwischen die benachbarten Paare von Trägerblöcken 10 geschoben. Wenn in jedes der Führungslöcher 112_? ein Ausrichtstift 114 eingeschoben ist, dann ist jeder der Trägerblöcke exakt eingestellt und jedes Spiel der Trägerblöcke ist im wesentlichen ausgeschlossen. Dadurch wird ermöglicht, daß an den nun an exakt vorbestimmten Stellen liegenden freitragenden Enden der Zuführungsdrähte 12 bis 14 Präzisionsarbeitsvorgänge durchgeführt werden können. Auch verschiedene Grade der Ausrichtung können dadurch erzielt werden, daß gewisse Ausrichtstiftc 114 weggelassen werden, wo eine geringe Bewegung der freitragenden Zuleitungsdrähte erwünscht ist.If twenty support blocks are attached between the tips 108 of the two leaf springs 106 on the illustrated support plate, then there is still a small distance between two adjacent support blocks 10 . In front of the retaining rib 100 , twenty-one guide holes 112 are drilled through the base plate 84 at equal intervals. The distances are dimensioned so that they correspond to the bores formed by the alignment grooves 64 between two adjacent carrier blocks 10. As mentioned earlier, each of the alignment grooves 64 is not quite as deep as a full semicircle. However, they have the same radius of curvature as the guide holes 112. At each point at which operations are to be carried out on the ends of the lead wires 12 to 14 , alignment pins 114 are pushed through one or more of the guide holes 112 and between the adjacent pairs of support blocks 10. When in each of the guide holes 112 _? an alignment pin 114 is inserted, then each of the carrier blocks is precisely adjusted and any play in the carrier blocks is essentially eliminated. This enables precision work processes to be carried out at the cantilevered ends of the feed wires 12 to 14, which are now located at precisely predetermined locations. Various degrees of alignment can also be achieved by omitting certain alignment pins 114 where little movement of the cantilever lead wires is desired.

Bei dem in Fig. 1 bis 5 dargestellten Verfahren wird die Stützplatte 80 üblicherweise auf einer Reihe von einundzwanzig Ausrichtstiften angebracht, so daß die Enden jedes Satzes von Zuleitungsdrähten in bezug auf den Ort exakt ausgerichtet und sehr ruhig gehalten werden. Bei der Durchführung des in F i g. 1 dargestellten Verfahrensschrittes werden üblicherweise alle Trägerblöcke 10 gleichzeitig mit den Zuleitungsdrähten durch die Verwendung eines einzigen Vakuumaufnehmerkopfes beschickt. Die Stützplatte wird nun unter Verwendung aller Ausrichtstifte in eine Presse eingeführt, wo alle Zuführungsdrähte gleichzeitig auf die Böden der zugehörigen Nuten 16 bis 18 gedrückt werden. Dann wird die Stützplatte 80 zu einer Presse weiterbewegt, bei der sie auf einer neuen Gruppe von Ausrichtstiften angebracht wird und bei der die abgeflachten Enden 12 a bis 14 α der Zuführunusdrähtc in allen zwanziü Trägerblöcken gleichzeitig geformt werden. Dann wird jeweils ein Quadrat aus Goldfolie von Hand auf den Zuführungsdrähten 13 angebracht. Bei diesem Verfahrensschritt ist im allgemeinen keine Ausrichtung erforderlich, obwohl die Zuführungsleitungcn auf eine geheizte Fläche gelegt werden, damit die Goldfolie schmilzt. Als nächstes wird die Stützplattc 80 auf einer Maschine angebracht, die einen Transportschlitten mit Ausrichtstiften für jedes derIn the method illustrated in Figures 1-5, the backing plate 80 is typically mounted on a series of twenty-one alignment pins so that the ends of each set of lead wires are precisely aligned with respect to location and kept very still. When performing the in F i g. In the process step shown in FIG. 1, all of the carrier blocks 10 are usually charged simultaneously with the lead wires through the use of a single vacuum pick-up head. The support plate is now introduced using all registration pins in a press where all the lead wires are pressed simultaneously on the bottoms of the corresponding grooves 16 to 18. Then, the support plate 80 is further moved to a press in which it is mounted on a new set of alignment pins, and wherein the flattened ends 12 a to 14 are the Zuführunusdrähtc α in all zwanziü carrier blocks formed simultaneously. Then a square of gold foil is attached to each lead wire 13 by hand. Alignment is generally not required in this process step, although the feed lines are placed on a heated surface to melt the gold foil. Next, the support plate 80 is mounted on a machine that has a carriage with alignment pins for each of the

ίο Führungslöcher 112 besitzt. Die Trägerblöcke werden hier nacheinander an einer Hcizstellc mit einem Mikroskop vorbeibewegt,· an der die Halbleitcrplättchen 22 nacheinander von Hand oder durch andere Einrichtungen auf die Goldquadrate gelegt und an die Zuführungsdrähte anlegiert werden. Nun wird die Stützplatte 80 auf den Transportschlitten einer Tröpfchenverbindungsmaschinc gelegt, die ebenfalls mit allen einundzwanzig Ausrichtstiften verschen sein kann. Hier werden die Trägerblöcke nacheinanderίο has guide holes 112 . The carrier blocks are moved here one after the other past a heating station with a microscope, on which the semiconductor wafers 22 are placed one after the other by hand or by other means on the gold squares and are alloyed to the lead wires. Now the support plate 80 is placed on the transport carriage of a droplet compounding machine, which can also be given away with all twenty-one alignment pins. Here are the carrier blocks one after the other

20' an der Verschweißstellc vorbeibewegt, so daß die Katzcnhaardrähte 24 und 26 an ihrer Stelle befestigt werden, die Stützplatten 80 und die zwanzig Trägerblöcke zu einer Transferform befördert, die nun beschrieben wird.20 'is moved past the welding station to secure the cat's hair wires 24 and 26 in place, conveying the support plates 80 and the twenty support blocks to a transfer mold which will now be described.

InFi g. 20 und 21 ist eine Transferformvorrichtung 120 zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt. Die Transferformvorrichtung besitzt eine untere Formhälfte 122 und eine obere Formhälfte 124. Die untere Formhälfte 122, die in Fig. 20 in der Draufsicht dargestellt ist, enthält die untere Hälfte eines einzelnen Zufuhrkanals 126, durch den über eine Zuleitung 132 einer Reihe von einzelnen Formausnchmungcn 128 auf einer Seite und über eine Zuleitung 134 einer Reihe von cinzclncn Formausnehmungen 130 auf der anderen Seite ein fließfähiger Kunststoff zugeführt wird. Die untere Formhälfte 122 besitzt Halteeinrichtungen, die zwei Stützplatten 80 α und 80 6 an der richtigen Stelle halten, so daß die Enden der von jedem der zwanzig Trägerblöcke 30 in der Stützplatte gehaltenen Zuleitungsdrähte 32 bis 34 über den Formausnchmungcn 128 bzw. 130 liegen. Die Vorderkanten jeder Stützplatte werden beispielsweise von einer Reihe von in den Körper der unteren Formhälftc geschraubten Ständern gehalten, die mit dünneren Ausrichtstiften 114 a und 114 6 versehen sind, die so angebracht sind, daß sie sich durch jedes vierte Führungsloch 112 der jeweiligen Stützplattcn 80 a und 80 6 erstrecken. Die hinteren Kanten der Stützplatten werden von Schraubenköpfen 136 und 138 gehalten, die am besten in Fig. 21 zu erkennen sind.InFi g. 20 and 21 show a transfer molding device 120 for carrying out the method according to the invention. The transfer molding apparatus includes a lower mold half 122 and an upper mold half 124. The lower mold half 122 which is shown in Fig. 20 in the plan view, the lower half contains a single supply channel 126 through which a lead 132 of a series of individual Formausnchmungcn 128 A flowable plastic is fed on one side and via a supply line 134 to a series of cylindrical mold recesses 130 on the other side. The lower mold half 122 has holding means α two support plates 80 and hold in place 80 6, so that the ends of the lead wires 30 held by each of the twenty carrier blocks in the support plate 32 are up to 34 via the Formausnchmungcn 128 and 130th The front edges of each support plate are held, for example, by a series of uprights screwed into the body of the lower mold halves, which are provided with thinner alignment pins 114 a and 114 6, which are attached so that they pass through every fourth guide hole 112 of the respective support plates 80 a and 80 6 extend. The rear edges of the support plates are held in place by screw heads 136 and 138 , best seen in FIG.

Die untere Formhälfte 122 besitzt Führungseinsätze 140 a und 140 6, die mit einer Reihe von V-förmigen Schlitzen zur Aufnahme und exakten Em stellung jedes der Zuführungsdrähte versehen sind, die von jedem der Trägerblöcke 30 aus in halbkreisförmige Schlitze in den Rändern von Dichtungseinsätzen 142 α und 142 6 ragen. Die Dichtungseinsätze 142 a und 142 6 passen so mit gleichartigen Dichtungseinsätzen 144 α und 144 6 in der oberen Formhälfte 124 zusammen, daß ein Dichtungsabschluß um jeden der Zuführungsdrähte und die Enden der Formausnehmungen gebildet werden. Es sei bemerkt, daß zwischen den Trägerplatten 30 noch ein wenig Spiel bleibt, wenn die Ausrichtstiftc 114« und 1146 nur in jedes vierte Führungsloch gesteckt werden, so daß die Zuführungsdrähte durch die V-förmigen Schlitze in den Führungseinsäl/.en 140 α und 140 6The lower mold half 122 has guide inserts 140 a and 140 6, which are provided with a series of V-shaped slots for receiving and exact Em position of each of the lead wires, which are from each of the support blocks 30 in semicircular slots in the edges of sealing inserts 142 α and 142 6 protrude. The sealing inserts 142 a and 142 6 fit together with similar sealing inserts 144 α and 144 6 in the upper mold half 124 that a seal is formed around each of the lead wires and the ends of the mold recesses. It should be noted that some play remains between the support plates 30 when the Ausrichtstiftc only be inserted in each fourth guide hole 114 'and 1146, so that the lead wires / .en by the V-shaped slots in the Führungseinsäl α 140 and 140 6th

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exakt in den richtigen Schlitzen der Dichtungseinsätze 142« und 142 ft angebracht werden können. Die Seitenwände der Formausnchmungen 128 und 130 werden von Einsätzen 146 a und 146 b gebildet, und die anderen Stirnwände der Formausnehmungen, die untere Hälfte des Zufuhrkanals 126 und die unteren Hälften der Zuleitungen 132 und 134 werden von einem Mitteleinsatz 150 gebildet. Die obere Formhälfte 124 besitzt ebenso mit den Führungseinsätzen 140«und 140/j zusammenpassende Führungseinsätze 152« und 152/;, mit den Dichtungseinsätzen 142« und 142/5 zusammenpassende, oben bereits erwähnte Dichuingseinsätze 144« und 144 6. Einsätze 154« und 154/?, die die oberen Hälften der Seitenwände der einzelnen Formausnehmungen 128 und 130 bilden, sowie einen Einsatz 156, der die oberen Hälften des Zufuhrkanals 126 und der Zuleitungen 132 und 134 bildet.can be fitted exactly in the correct slots of the sealing inserts 142 "and 142 ft. The side walls of the mold recesses 128 and 130 are formed by inserts 146 a and 146 b , and the other end walls of the mold recesses, the lower half of the feed channel 126 and the lower halves of the supply lines 132 and 134 are formed by a central insert 150. The upper mold half 124 also has guide inserts 152 "and 152 /; that match the guide inserts 140" and 140 / j, and the sealing inserts 144 "and 144" and 144 "and 144" 6 "and 154" and 154 that match the sealing inserts 142 "and 142/5 /? which form the upper halves of the side walls of the individual mold recesses 128 and 130, as well as an insert 156 which forms the upper halves of the supply channel 126 and the supply lines 132 and 134.

Durch die untere Formhälfte 122 erstrecken sich Stangen 158« und 158 b nach oben in die Formausnehmungen 128 bzw. 130 und in den Zufuhrkanal 126 erstreckt sich eine Stange 160; damit die geformten Teile aus der unteren Formhälfte gedruckt werden können. Ebenso erstrecken sich durch die obere Formhälfte 124 Stangen 162« und 162/; in die Formausnehmungen 128 bzw. 130 nach unten und eine Stange 164 erstreckt sich nach unten in den Zul'uhrkanal 126. damit die geformten Teile aus der oberen Formhälfte gedruckt werden können.Through the lower mold half 122 extending rods 158 'and 158 b upward into the mold cavities 128 and 130 and into the supply channel 126 extends a rod 160; so that the molded parts can be printed from the lower mold half. Rods 162 'and 162 /; into the mold recesses 128 and 130 downwards and a rod 164 extends downwards into the supply channel 126 so that the molded parts can be printed out of the upper mold half.

Das fließfähige Kunststoffmaterial wird so in jede der einzelnen Formausnehmungen eingeführt, wie im wesentlichen in Fig. 22 dargestellt ist. Die Zuleitung 134 liegt so unterhalb der Enden der Zuleitungsdrähte, und sie verläuft im wesentlichen parallel zu den Kontaktdrähten 40 und 41, so daß diese Kontaktdrähte infolge des mit relativ großer Geschwindigkeit einströmenden Kunststoffs nicht brechen. Beim Einkapseln der in Fig. 5 dargestellten Vorrichtung sind die Zuleitungen aus diesem Grund an den Seiten der einzelnen Ausnehmungen und nicht an den Enden angebracht, wie in Fig. 20 dargestellt ist, so daß der fließfähige Kunststoff immer noch parallel zu den sehr dünnen Kontaktdrähten 24 und 26 einströmt.The flowable plastic material is introduced into each of the individual mold recesses, as in is shown essentially in FIG. The lead 134 is thus below the ends of the lead wires, and it runs essentially parallel to the contact wires 40 and 41, so that these contact wires as a result of the relatively high speed Do not break the inflowing plastic. When encapsulating the device shown in FIG For this reason, the supply lines are on the sides of the individual recesses and not attached at the ends as shown in FIG is, so that the flowable plastic is still parallel to the very thin contact wires 24 and 26 flows in.

Beim Betrieb der Transferformvorrichtung 120 werden also zwei Stützplatten 80« und 80 b, die jeweils mit zwanzig Trägerblöcken 30 bestückt sind, von denen jeder einen Transistor in dem in Fig. 10 dargestellten Herstellungsstadium trägt, über die Ausrichtstifte 114 α und 114 b der unteren Formhälfte 122 geschoben. Durch die V-förmigen Schlitze in den Führungseinsätzen 140« und 140 6 wird jeder Zuleitungsdraht exakt in die zugehörige Nut in den Dichtungseinsätzen 142« und 142 b eingelegt. Die Formhälften sind kontinuierlich auf die benötigte Aushärtungstemperatur des Kunststoffs aufgeheizt. Nun wird ein heißer, hitzehärtbarer Kunststoff mit verhältnismäßig großer Geschwindigkeit in den Zufuhrkanal 126 unter Druck hineingepreßt. Der fließfähige Kunststoff strömt nun bis zum Ende des Zufuhrkanals 126 und füllt dann nacheinander die Formausnehmungen 128 und 130. Die Formausnehmungen sind in weniger als 15 Sekunden gefüllt. Sie können dann etwa 30 Sekunden backen, damit die Aushärtung des Kunststoffs sichergestellt wird. Die einzelnen Formausnehmungen 128 und 130, die Zuleitungen 132 und .134 sowie der Zufuhrkanal 126 sind nun mit gehärtetem Kunststoff gefüllt.In operation of the transfer molding apparatus 120 that is, two support plates 80 'and 80 b, which are each equipped with twenty carrier blocks 30, each of which carries a transistor in the example shown in Fig. 10 manufacturing stage, α over the alignment pins 114 and 114 b of the lower mold half 122 pushed. Through the V-shaped slots in the guide inserts 140 ″ and 140 6, each lead wire is inserted exactly into the associated groove in the sealing inserts 142 ″ and 142 b. The mold halves are continuously heated to the required curing temperature of the plastic. A hot, thermosetting plastic is now pressed into the supply channel 126 under pressure at a relatively high speed. The flowable plastic now flows to the end of the feed channel 126 and then fills the mold recesses 128 and 130 one after the other. The mold recesses are filled in less than 15 seconds. You can then bake for about 30 seconds to ensure that the plastic hardens. The individual recesses 128 and 130, the supply lines 132 and 134 and the supply channel 126 are now filled with hardened plastic.

Wenn die obere Formhälfte 124 angehoben wird, bleiben die Stangen 162«, 162 b und 164 an ihrer Stelle, so daß die geformten Teile aus der oberen Formhälfte gestoßen werden. Zusätzliche Hebestängen heben die Stützplatten und die darin enthaltenen Trägerblöcke gleichzeitig an, damit die Zuführungs-· drähte während des Ausstoßens aus den Formausnchnningen nicht verbogen werden. Nachdem die obere Formhälfte 124 freigegeben worden ist, stoßen dieWhen the upper mold half is raised 124, the rods 162 ', 162 b and 164 so that the molded parts are ejected from the upper mold half in its place, remain. Additional lifting rods raise the support plates and the carrier blocks contained therein at the same time so that the feed wires are not bent during the ejection from the mold cutouts. After the upper mold half 124 has been released, the butt

ίο Stangen 158«, 158/; und 160 die geformten Teile aus der unteren Formhälfte 122. Zu diesem Zeitpunkt können die einzelnen Transistoren leicht von den Zuleitungen 132 und 134 getrennt werden, ohne daß sie aus den Trägerblöcken herausgenommen werden müssen. Die einzelnen Transistoren können dabei vor dem Herausnehmen aus den Trägerblöcken elektrisch geprüft werden, wie oben bereits erwähnt wurde.ίο rods 158 «, 158 /; and 160 the molded parts of the lower mold half 122. At this point, the individual transistors can easily be removed from the Leads 132 and 134 can be separated without removing them from the support blocks have to. The individual transistors can be electrically operated before being removed from the carrier blocks as mentioned above.

Eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist in Fig. 23 bis 26 dargestellt.Another embodiment of the method according to the invention is shown in FIGS.

Bei diesem Verfahren werden die Zuleitungsdrähte 200 auf die richtige Länge abgeschnitten und an einem Ende so verformt, daß eine Arretierungsfeder entsteht. Das Ende kann beispielsweise durch die gleiche Schubbewegung, die die Drähte auf die gewünschte Länge abschneidet, so abgeflacht werden, daß eine Feder 202 mit ersten und zweiten Abschnitten 202« bzw. 202/; entsteht, die über den Durchmesser des Zuleitungsdrahtes 200 hinausragen, wie in Fig. 24 am besten zu erkennen ist. Drei dieser Zuleitungsdrähte werden dann durch Löcher 204 in einen Trägerblock 206 eingeschoben.In this method, the lead wires 200 are cut to the correct length and attached to a The end is deformed to create a locking spring. The end can for example by the same Thrust motion that cuts the wires to the desired length, flattened so that a Spring 202 with first and second sections 202 ″ and 202 /; arises over the diameter of the Lead wire 200 protrude, as can best be seen in FIG. 24. Three of these lead wires are then inserted through holes 204 in a carrier block 206.

Der Trägerblock 206 besitzt Nuten 208 und 210 auf den Ober- und Unterseiten, die zur Befestigung des Trägerblocks in einer Stützplatte verwendet werden können, die der Stützplatte 80 ähnlich ist. Bei einer solchen Stützplatte würde die hintere Stirnfläche 212 des Trägerblocks 206 jedoch offengelassen, damit die Zuführungsdrähte 200 von der hinteren Stirnfläche in Löcher 204 eingeschoben werden können.The support block 206 has grooves 208 and 210 on the top and bottom for attachment of the support block can be used in a backing plate that is similar to backing plate 80. at such a support plate would, however, leave the rear end face 212 of the support block 206 open, thereby the lead wires 200 can be inserted into holes 204 from the rear face.

In der hinteren Stirnfläche 212 ist eine Nut 214 angebracht, die die Löcher 204 überschneidet. Die Wände der Nut 214 Ana so dimensioniert, daß die Abschnitte 202 α und 202 b der Feder 202 an ihnen angreifen können, so daß der Zuleitungsdraht 200 durch Reibung in dem Loch durch den Trägerblock an seiner Stelle sicher gehalten wird und daß eine Drehung des Zuleitungsdrahtes verhindert wird.A groove 214 is made in the rear end face 212 and intersects the holes 204. The walls of the groove 214 Ana are dimensioned so that the sections 202 α and 202 b of the spring 202 can engage them, so that the lead wire 200 is held securely in place by friction in the hole through the support block and that a rotation of the lead wire is prevented.

Die Enden 200« der Zuleitungsdrähte 200 werden dann durch Abflachen. Anlegieren des Halbleiterplättchens an einen Draht, Verbinden der anderen Drähte mit dem Halbleiterplättchen und durch Einkapseln weiter verarbeitet, wie es bereits im Zusammenhang mit F i g. 1 bis 6 oder F i g. 8 bis 11 beschrieben wurde. Der feste Kunststoffkörper 216 kann dann gegen die Vorderfläche des Trägerblocks 206 zurückgeschoben werden, so daß die Feder 202 aus der Nut 214 geschoben wird, wie im wesentlichen in Fig. 26 dargestellt ist. Zum Herausnehmen des fertigen Transistors aus dem Trägerblock können die Federn 202 dann von den Zuleitungsdrähten 200 abgeschnitten werden. Ein Nachteil dieses Verfahrens ist es, daß ein kleiner Teil dieser Zuleitungsdrähte als Abfall auftritt. The ends 200 ″ of the lead wires 200 are then flattened. Alloying the semiconductor wafer to one wire, connecting the other wires to the die and encapsulating further processed, as already mentioned in connection with FIG. 1 to 6 or F i g. 8 to 11 would. The solid plastic body 216 can then be pushed back against the front surface of the support block 206 so that the spring 202 is pushed out of the groove 214, as substantially in FIG. 26 is shown. In order to remove the finished transistor from the carrier block, the springs 202 then cut from the lead wires 200. A disadvantage of this method is that a small part of these lead wires occurs as waste.

Aus der obigen genauen Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung geht hervor, daß ein verbessertes Verfahren zur Herstellung von kunststoffverkapselten Transistoren und anderer Halbleiterbauelemente zusammen mit einer Vorrich-From the above detailed description of the preferred embodiment of the invention it can be seen that that an improved method of making plastic encapsulated transistors and others Semiconductor components together with a device

tung zur Durchführung des Verfahrens und ein neuartiges Produkt beschrieben worden sind. Bei den bevorzugten Ausführungen des Verfahrens werden 100 ⁰Zo des Materials für die Zuleitungsdrähte verwendet. Außerdem wird ein weitaus höherer Prozentsatz des Kunststoffs, wie etwa 52 ⁰Zn im Vergleich zu 18 ⁰Zo, auf Grund der Tatsache ausgenutzt, daß nur ein einziger Zufuhrkanal 126 wenigstens zweimal so viele Formausnehmungen 128 und 130 mit Kunststoff beschickt. Die Zuleitungsdrähte sind nicht mehr an Laschen festgeschweißt und die überschüssigen Zuleitungsdrähte müssen nicht mehr an dem Kunststoffkörper abgeschnitten und mit einem Isoliermaterial beschichtet werden. Die einzelnen Trägerblöcke können wiederholt verwendet werden, und sie sind von Anfang ziemlich billig, da sie aus Kunststoff geformt werden können. Der fertige Transistor ist vorzüglich, weil die Enden der Zuleitungsdrähte nicht in der Nahe der Oberfläche des aus Kunststoff bestehenden Ein- , kapselungsmaterials liegen und da die Zuleitungsdrähte wahrend des gesamten Herstellungsprozesses durch die Trägerblöcke geschützt und daher exakt gerade sind.device for carrying out the process and a novel product have been described. In the preferred embodiments of the method, 100 ⁰ Zo of the material are used for the lead wires. In addition, a much higher percentage of the plastic, such as 52 ⁰ Zn compared to 18 ⁰ Zo, is used due to the fact that only a single feed channel 126 feeds at least twice as many mold recesses 128 and 130 with plastic. The lead wires are no longer welded to tabs and the excess lead wires no longer have to be cut off on the plastic body and coated with an insulating material. The individual support blocks can be used repeatedly and are quite cheap to start with because they can be molded from plastic. The finished transistor is excellent because the ends of the lead wires are not close to the surface of the plastic encapsulation material and because the lead wires are protected by the carrier blocks during the entire manufacturing process and are therefore exactly straight.

Obwohl die hier beschriebene Ausführungsform der Erfindung die Herstellung von Transistoren betrifft, ist doch zu erkennen, daß das Verfahren auch auf die Herstellung vieler anderer Arten von Halbleiterbauelementen mit einer kleineren oder größeren Anzahl von Zuleitungsdrähten angewendet werden kann. Bei der Verwendung einer größeren Anzahl von Zuleitungsdrähten können diese winkelförmig zueinander stehen, so daß sie an einem Mittelpunkt zusammenlaufen und eine oder mehrere der Bauelemente können an eine oder mehrere Zuleitungsdrähte und an die verschiedenen Zuleitungsdrähte angeschlossen werden. Dann können alle Bauelemente und Zuleitungsdrähte in einen gemeinsamen Kunststoffkörper eingekapselt werden.Although the embodiment of the invention described here relates to the manufacture of transistors, it can be seen that the process can also be applied to the manufacture of many other types of semiconductor components be used with a smaller or larger number of lead wires can. If a larger number of lead wires are used, these can be angled are to each other so that they converge at a center point and one or more of the components can be connected to one or more lead wires and to the various lead wires be connected. Then all components and lead wires can be in a common plastic body be encapsulated.

Claims

Claims: 40

1. A method for manufacturing a semiconductor device, in which the connecting wires in fixed mutual position are held, the semiconductor element on one of the connecting wires attached and connected to the other lead wires, and then the semiconductor element is encapsulated, characterized in that that the connecting wires are held by friction in a support block in such a way that one end of each connecting wire cantilevered from the support block protrudes that the semiconductor element with the cantilevered ends of the lead wires is connected and that the semiconductor element in a shape next to the Carrier block is enclosed in a plastic material.

2. The method according to claim 1, characterized in that the connecting wires are substantially be arranged in the same plane and that the protruding ends of the connecting wires be flattened.

3. The method according to claim 1, characterized in that the middle connecting wire is arranged above the outer connecting wires.

4. The method according to claim 3, characterized in that the end portion of one of the outer connecting wires is bent so that it is next to the middle connecting wire and the other outer connecting wire comes to rest, and that the semiconductor element on this end portion is attached.

5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the semiconductor element is encapsulated in a plastic material containing a thermosetting plastic, and that a transfer molding process is used.

6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that each of the connecting wires partially deformed to form a spring section and thus arranged in the support block is that this grips and holds the spring portion by friction.

7. The method according to claim 6, characterized in that to form the spring portion the end of each connecting wire opposite the cantilevered end is flattened, that each connecting wire advanced with the cantilevered end first through a bore in the support body is until the spring portion is captured by a correspondingly shaped end of the bore is, and that for removing the finished encapsulated assembly from the support block, the connecting wires pushed back a little through the bores, the spring sections of cut off the connecting wires and then pulling the connecting wires out of the holes will.

8. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that a carrier body made of an elastic material is used, which has several grooves on one side, the Depth is greater than half the diameter of the connecting wire to be received therein and its Width is smaller than the diameter of the connecting wire, and that each connecting wire in one the grooves is pressed in so that it is held therein by friction and its end cantilevered protrudes from the support block.

9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that a plurality of carrier blocks, each of which has a number of protruding leads with one mounted on one of the cantilevered ends and electrical having semiconductor wafers connected to the other cantilevered ends, side by side be arranged in two parallel rows so that the cantilevered connecting wires in of each row facing the other row and into associated separate mold cavities protrude, which are arranged in two adjacent rows, and that a flowable thermosetting Plastic from a single feed channel that extends between the two rows of Extends mold cavities, is inserted into each of the mold cavities.

1 sheet of drawings