DE1671240A1

DE1671240A1 - Process for the production of, in particular, DC-resistant, ceramic carrier bodies for sheet resistors

Info

Publication number: DE1671240A1
Application number: DE19681671240
Authority: DE
Inventors: Hans-Joachim Dr Teuschler
Original assignee: ELEKTRONISCHE BAUELEMENTE VEB
Current assignee: ELEKTRONISCHE BAUELEMENTE VEB
Priority date: 1968-02-26
Filing date: 1968-02-26
Publication date: 1971-08-26

Description

Verfahren zur Herstellung von insbesondere gleichstrombeständigen» keramischen Trägerkörpern für Sohiehtwiderstände" Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von insbesondere gleichstrombeständigen Trägerkörpern aus vorzugsweise alkalioxidhaltigen kera@aischem Grundmaterial für Schichtwiderstände Die Weiterentwicklung der Elektronik, speziell der industriellen Elektronik und Datenverarbeitung, stellt - im Zusammenhang mit der Miniaturisierung - immer höhere Anforderungen an die Sohiehtwiäeratandabauelemente,, damit ein störungsfreier Betrieb über einen langen Zeitraum gewährleistet ist. Das verlangt von den keramischen Trägerkörpern eine gute Verträglichkeit zu dem jeweiligen Widerstands-Schichtsystem, $,B, optimale Abscheidungsbedingungen für pyrolytische Widerstandsschichten guter Schichthomogenität und weiterhin. daß die Trägerkörper einen guten Haftungskontrahenten für Widerstandsschichten verschiedener Arte eine hohe Temperaturwechselbeständigkeib und eine fehlerfreie Oberfläche aufweisen.Process for the production of, in particular, DC-resistant »ceramic support bodies for voltage resistors" The invention relates to a process for the production of, in particular, DC-resistant support bodies from preferably alkali-oxide-containing ceramic base material for sheet resistors Miniaturization - ever higher demands on the Sohichtwiäeratandabauelemente, so that a trouble-free operation is guaranteed over a long period of time. This requires good compatibility with the respective resistance layer system from the ceramic carrier bodies, $, B, optimal deposition conditions for pyrolytic resistance layers, good layer homogeneity and furthermore that the carrier body is a good adhesion counterpart for resistance layers of various types, has a high resistance to temperature changes and is free from defects Have surface.

Hinzu kommt, daB Schichtwiderstände der allgemeinen Produktlon 3n gleicher Weise für den Betrieb sowohl von Weohsel- als auch von Gleichstrom geeignet sein müssen* Bei Gleichstrombetrieb treten ganz besondere unerwünschte Nebenwirkungen auf, die zur Zerstörung der Widerstandssehiaht führen können./1/2/3-/5/6/ Sie werden auf den Gehalt von Alkalioxiden in dem Material, aus dem die Trägerkörper bestehen$ zurückgeführt. Und zwar nimmt man an: daß sich die gläohenelementeg die durch die bekannte Wendelurg der Widerstandeschioht voneinander getrennt sind, als Katode und Anode gegenübersteheng und daß eine Polarisationswanderung der leichtbeweglichen Alkaliionen zur Katode eintritt unter Bildung einer SIG2-reicher4a lnodi!/Durah den dabei auftretenden Ionenleitun$,smechan.smus wird die Widerstandsschicht immer weiter abgebaute bis schließlich der Totalausfall des Bauelementes eintritt. Da aber bereits Toleranzüberschreitungen von Schichtwiderständen die Funktionstüchtigkeit eines Gerätes beeinträchtigen können, wurden große Anstrengungen unternommen, dienen Gleichstromeffekt zu mildern. /1-3/3/ Als einzige Möglichkeit der Abhilfe ergab sich die Einführung von alkaliamen Sinterwerkstoffen für Sehiahtträgerkürperp indem je nach der geforderten Qualität der Widerstände hochwertige mineralische Rohstoffe für keriimische Trägerkörper eingesetzt wurden. Wegen der :um Teil unbefriedigenden natürlichen Reinheit mineralischer Roh- stoffe fanden auch synthetische Ausgangsmaterialien Anwendung.In addition, DAB sheet resistances of the general PRODUCTlON 3n same way must be capable of operating both Weohsel- and DC * In DC operation very special adverse effects occur, which can lead to the destruction of Widerstandssehiaht. / 1/2/3 / 5/6 / They are attributed to the content of alkali oxides in the material from which the carrier bodies are made . Namely, it is believed: that the gläohenelementeg which are separated by the known Wendelurg the Widerstandeschioht, gegenübersteheng as cathode and anode and in that a polarization migration of the highly mobile alkali ions to the cathode occurs to form a SIG2-reicher4a lnodi / Durah the Ionenleitun occurring! $, smechan.smus is the resistive film ever mined until finally the total failure of the device occurs. But as already exceeded tolerances of film resistors can impair the functioning of a device, great efforts were made to serve DC effect to soften. / 1-3 / 3 / The only possible remedy was the introduction of alkaline sintered materials for Sehiahtträgerkörperp by using high-quality mineral raw materials for ceramic carriers depending on the required quality of the resistors. Because of the partially unsatisfactory natural purity of mineral raw materials , synthetic raw materials were also used.

Alkaliarme Spesialkeraoiken erhöhen ganz erheblich die Materialkosten für Schichtwiderstände" ohne daß es möglich ist9 eine Alkalifreiheit von ausreichend hoher technischer Güte zu erzielen. Das gilt nicht nur für Alkalien, sondern auch für alle Stoffe, die eine Ionenleitung bei erhöhtes Betriebsbedingungen und unter dem Einfluß eines Gleichspannungsfeldes bewirken. Die Vorteile der Gleichstrombeständigkeit werden jedoch erkauft mit einer unzureichenden Haftfestigkeit der Widerstandsschichten auf alkalifreten Sinterwerkstoffen mit homogener Oberfläche. Dies gilt nicht .für die üblichen Hartporsellane, weil sie sich durch einen chemischen Pro$eß in der Form selektiv ätzen lassen daß zuerst die Glasphase und dann die S102.Modifikatioaen gelöst werden: wodurch eine (Nadel-) Mullit-Oberfläche geschaffen wird. Die mullitisierte Hartpro:ellanoberflächt bildet swar einen guten FIaftungsgrund, ist aber im** mit ionenleitfähigen Alkalien verbunden. Daraus ergibt sich das Problem, durch geeignete verfahrensmäßige Uittel sicherzustellen, daƒ Widerstands- schichten auf keraälechen Trägerkörpern, seien es solche aus alkalfhaltigen oder auch aus insbesondere wohlfeiles alkalifreien Werkstoffen, eine gute Haftung finden und von einer vorliegenden Ionenleitfähigkeit des Trägerkörpexwrerkstoffea unbeeinflußt bleiben Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß aufs flüchtigen metallorganischen Verbindungen xnter den thermischen Einfluß der lyroljae auf der Oberfläche ' der Trägerkörper eine Äbeoheidung der rolloxidisohen Form der Metalle bewirkt wird. Hierdurch entsteht auf der Oberfläche der Trägerkbrper eine für die später aufzubringende Wider- standsschicht günstige Zrieohensohioht! im folgenden _ Schutzschicht genannt, deren eigene Wtfeatigkeit auf der Oberfläche der keramischen Trägerkörper noch verbessert werden kann, wenn gleichzeitig mit der pyrolytisohen Absaheidung von Metalloxiden eine solche von Kohlenstoff erfolgt. Hierbei sind die. Pyrolysetemperaturen in der Höhe zu Falten, bei welcher die Simultanabscheidutg fron Kohlenstoff zusammen mit dem des gewählten Metallorides erfolgt, bei welcher jedoch der durch die Elektronenleitung des Kohlenstoffes bewirkte Widerstandswert der Schutzschicht ::oohoh-. Big gegenüber der nachfolgend aufzubringenden Uideratandeachioht bleibt. En ist unerhobloa, ob die Trägerkörper geätzt oder sonatwie oberfläohenliehandelt werden* Die erfindungsgemäße abscheidung erzeugt auf der Oberfläche der Trägerkörper eine praktisch ionenleitungsfreie Schutssei:icht, Kelche die Trägeroberflächen vollbtäi':dig und atörstellenfrei bedeckt. Oberflächenfehler des keramischen i:erkstoffes werden gemindert oder 'ganz beseitigt. Die Sahutzsohioht verhindert jede ungtinstige Beeinflussung der Wideretandasohioht durch den Alkaligehalt den Trägermaterials auch unter hohen Gleichapannünge- und Tempe»luroinwirkungen. Eine eTunnelleitfähigkeit" * ton 'onen dwlü gib Uhioht.findet bei, den Zur Anwendung kommenden Schicht-8ielon .vron oberhalb etwa 1 juir nicht statt. Auch Ionenströme in des. Vendelebenen der Widerstände können der W.iderßtainleschi.oht nichts anhaben. Alkali arms Spesialkeraoiken increase significantly the cost of materials for film resistors "without it possible to achieve freedom from alkali of sufficiently high technical quality ist9. This applies not only to alkalis, but also for all substances, the ionic conduction at higher operating conditions and under the influence of a DC field The advantages of direct current resistance , however, come at the price of insufficient adhesive strength of the resistance layers on alkali-free sintered materials with a homogeneous surface. This does not apply to the usual hard porcelain, because they can be selectively etched by a chemical process in the form that the glass phase first and then the S102.Modifications are solved: whereby a (needle) mullite surface is created. The mullitized hard profile surface forms a good adhesion base, but is associated with ion-conductive alkalis. This gives rise to the problem of being suitable e ensure procedural Uittel, daƒ resistive layers on keraälechen support bodies are finding it those of alkalfhaltigen or also of particular well Feiles alkali-free materials, good adhesion and are unaffected by a present ion conductivity of the Trägerkörpexwrerkstoffea This object is inventively achieved in that on volatile metalorganic compounds xnter the thermal influence on the surface 'of the support body a Äbeoheidung rolloxidisohen the form of the metals is effected the lyroljae. This creates a resistance layer that is favorable for the resistance layer to be applied later on the surface of the carrier body! hereinafter referred to as _ protective layer whose own Wtfeatigkeit can be improved on the surface of the ceramic support body when the same is done with the pyrolytisohen Absaheidung of metal oxides such carbon. Here are the. Pyrolysis temperatures at the level at which the simultaneous deposition of carbon takes place together with that of the selected metal chloride, but at which the resistance value of the protective layer caused by the electron conduction of the carbon :: oohoh-. Big compared to the subsequently applied Uideratandeachioht remains. It is unheard of whether the carrier bodies are etched or just as surface-treated * The deposition according to the invention produces a protective layer on the surface of the carrier body that is practically free of ionic conduction, and goblets cover the carrier surfaces fully and free of contaminants. Surface defects in the ceramic material are reduced or completely eliminated. The Sahutzsohioht prevents any unfavorable influence on the resistance by the alkali content of the carrier material even under high equal pressure and temperature. A eTunnelleitfähigkeit "* ton 'ones dwlü give Uhioht.findet in, the coming to application layer 8ielon .vron above about 1 juir not take place. Also ion currents in the. Vendelebenen the resistances of W.iderßtainleschi.oht can not harm.

Ers ist vorteilhaft, die Aufbringung der Schicht durch-die Pyrolyse von Alkylalkoxi- oder Alkoxiverbindungen von Elementaa der 2.9 3, und h. Gruppe des Periodensystems $u- bewirken: Unter der Zinwirknng hinreichend hoher Temperaturen lassen sich folgende thermische Spaltungen durahführeni aj @taII (0R)2 BaO + 2 R ö;xeI (O3)3 ----.@,: x0203 + 3 0R '. + 3 R a) xel (0R)" . x002 + 2 0R . ± 2 R d) ma tORj2 Q8)2 ite0 @. 4 R Bei dien Reaktionen sind beliebige organische Substi# .tuenten mit R'fbolisiert. Bei niederen.Temperaturen polymerisieren die organischen Radikale und kennen aus dem Reaktioäeraum abgeführt werden. It is advantageous to apply the layer by pyrolysis of alkylalkoxy or alkoxy compounds of elementaa of 2.9 3, and h. Group of the periodic table of effects: Under the influence of sufficiently high temperatures, the following thermal cleavages can be carried out aj @taII (0R) 2 BaO + 2 R ö; xeI (O3) 3 ----. @ ,: x0203 + 3 0R '. + 3 rows a) xel (0R) " . x002 + 2 0R . ± 2 R d) ma tORj2 Q8) 2 ite0 @. 4 rows In these reactions, any organic substituents are labeled with R '. At lower temperatures, the organic radicals polymerize and can be removed from the reaction space.

A,7.0 besonders zweckmäßig hat sich die Halbestcrreaktion nach d) erwiesen, wenn als x* IV das Element 4 .5.isiune eingesetzt wird. Die homologe Reihe der. alelierten. -Siliziumester enthält genau den atdchiametriz;:h notwendigex Sauerstoffgehalt, um das Silizium als Dioxid abscheiden zu können. Die schon erwähnte Simultanabacheidung von Kohlenstoff kann in allen Fällen auch aus den organischen Radikalen der Alkylalkoxi- oder Alkoxiverbindungen erfo]genv wenn Temperaturen angewendet werden, bei welchen eine solche Absoheidung stattfindet, Dmit die Beachiahtungssubstansen sich mittel -3 einen 2rUgergaaes oder durch -Vakuum in einen müy: 'I.z.@ir.hrkt$rpern gefüllten Reaktionsraum eintragen lassen, emi='.,ehlt es .sich, solchen den Vorzug zu geben, welche' bei P3umtemperttur fllleeig sind, Die Trägerkörper können sowohl kontinuierlich nach einem Durohlauf@rerfahren, als auch in Chargenverfahren mit der Schutnaahioht versehen werden, Ganz allgemein kUnnen die gleichen Beschiehtungeapparatureä eingesetzt werden, die auch für die pyrolytische Abscheidung von Glanskohlenstoff-»hichten geeignet und üblich sind. A, 7.0 the Halbestcrreaktion according to d) has proved particularly expedient when, as x * IV the element 4 is inserted .5.isiune. The homologous series of. ally. -Silicon ester contains exactly the atdchiametriz;: h necessaryx oxygen content in order to be able to separate the silicon as dioxide. The already mentioned Simultanabacheidung of carbon can in all cases also from the organic radicals of Alkylalkoxi- or Alkoxiverbindungen erfo] GenV when temperatures are employed, in which such a Absoheidung takes place Dmit Beachiahtungssubstansen the medium is a -3 2rUgergaaes or in a -Vacuum Muey: to register filled reaction chamber'Iz@ir.hrkt$rpern, emi = '., it EHLT .sich to give such a preference which' are fllleeig at P3umtemperttur, the support bodies may both @ rerfahren continuously for a Durohlauf as can also be provided with protection in batch processes. In general, the same coating apparatus can be used that are suitable and customary for the pyrolytic deposition of glucon carbon layers.

Dtit der Anwendung des Verfabrens verbindet eich eine Reihe von Vorteilen bei der-Herstellung von Schichtwiderständen. En leasen sich alkalihaltige Sinterwerkstoffe für Trägerkörper verwenden, die eich nach dem Aufbringen der ionenleitungsfrefen Schutzschicht zur Weiterverarbe:@tung au Widerständen eignen, welche als gleichströmreständig zu be$eiohnen sind. Die technischen Unzulänglichkeiten-natUrlieber Rohstoffe sind also ausgeschaltet, Für tie Aufbringung der Schutaschiaht ist ein nur geringer Aufwand erforderlich* Die exakt beherrschbare Beschichtungstechnologie gestaltet die keramischen Grenßfläohen fehlerfreier, als es nach dem' üarbrand dieser 'Merkstoffe der Fall ist. Die Wtfestigkeiten von Widerstandsschichten werden verbessert und lassen sich durch kohlenstoffhaltige Schutzschichten noch weiter steigern. Auch die Wirkungen der unterschied- lichen Wärmeausdehnungskoeffizienten werden wesent-@ lieh gemindert oder nans beseitigt. The application of the method combines a number of advantages in the manufacture of sheet resistors. S lease is alkaline sinter materials for support bodies use the verification after applying the protective layer to ionenleitungsfrefen Weiterverarbe: @tung au resistors are suitable which are as eiohnen gleichströmreständig to be $. The technical shortcomings and natural resources rather they are switched off, for application of the tie Schutaschiaht only a small effort is required * The precisely controllable coating technology designed to be fault-free ceramic Grenßfläohen than after the 'üarbrand this' shopping substances is the case. The strength of resistance layers is improved and can be further increased by carbon-containing protective layers. The effects of different thermal expansion coefficients are handy essential @ lent reduced or eliminated nans.

$in wesentlicher Vorteil des Verfahrens best=ht darin, daß für Schiohtwiderstande-Trägerkörper nunmehr auc bisher weniger oder gar nicht geeignet erschienene Werkstoffe Verwendung finden können, wie e. B. Quarzglaa,_ Magraesiumailikat-Sintezwerkstoffef Sinterkorund und grundsätzlich alle solohef welche sich nicht selektiv ätzen lassen und wegen unexwrünsobter katalytischer Effekte der verschiedenen' kexamisohen äomDonenten bei den Beachichtungsvorgängen selbst bisher keine technische rutsung erfahren konnten. Durch bis neue Schutssohioht werden diese Effekte homogenisiert" was auch für alle Arteä von Trägerwerh-toffen gilt. -An einem Ausführunaebeispiel soll das Verfahren näher -erläutert werden. -.A18 Produktionsmittel zur Herstellung ionenleltungsfreier Zwischenschichten auf alkalioxidhaltigen keramischen Trägerkörpern wird ein Durohlautbekohlungsofen gewählt, wie er zur Herstellung pyrolytisoher Glanzkohlenstoffsahichtwideratände Verwendung findet. -Die mit der Zwischenschicht zu versehenen Trägerkörper werden in üblicher Weise durch den Durchlaufafen geführt, nachdem der Iieiexnantel auf Temperaturen zwischen 700 und. 1 20&E, vorzugsweise 800 bis t 05&C, gebracht wurde. One of the main advantages of the method is that materials that have hitherto appeared to be less or not at all suitable can now also be used for the support bodies , such as e. B. Quarzglaa, _ Magraesiumailikat-Sintezwerkstoffef Sinterkorund and basically all solo yeast which can not be etched selectively and because of the unexpressed catalytic effects of the various' kexamisohen ÄomDonenten during the observation processes themselves could not experience any technical evaluation. . Due to new Schutssohioht these effects -An be homogenized "what is toffen Trägerwerh-for all Arteä from a Ausführunaebeispiel the process should more closely - are explained -.A18 production equipment for the production ionenleltungsfreier intermediate layers on alkali oxide ceramic carrier bodies elected a Durohlautbekohlungsofen how. it is used for producing pyrolytisoher Glanzkohlenstoffsahichtwideratände -. the with the intermediate layer to be provided carrier bodies are guided in the usual manner by the Durchlaufafen after the Iieiexnantel to temperatures from 700 to 1 20 e, is preferably from 800 to t 05 & C, brought..

Das Verfahren ist an eine genaue Binhaltynä der als opti- mal ermittelten Besohiehtungstemperaturen gebunden, eine Maßnähme, die mit modernen Bekohlungsöfen leicht zu rea- lisieren ist. Die von der aufzubringenden Schicht zu fordernden.pirsikalisohen Bigensehaften hängen in erster Linie von der-Beschichtungstemperatur ab. The process is bound to a precise Binhaltynä the Besohiehtungstemperaturen as optimally determined, a Maßnähme that is easy taping with modern Bekohlungsöfen to REA. The pirsikalisohen bigene adhesives to be demanded by the layer to be applied depend primarily on the coating temperature.

Als Bedohiohtungemittelg aua welchem nach der pyrolytisohen Spaltung die.Sohieht abgeschieden wird, wird Dimethyld3-äthoxisihita eingesetzt. Das Beschichtungsmittel wird in das Pyrolyaerohr nach dem"Vasehfla$chenpriazi:)" mit einem inertem ßas, a.B. Reinstiokstoff, eingetragen. Zur genauen Dosierung ist die das Besehichtungsmittel snt%altene Pipette durch einen Thermostaten tenperierbar ausgelegte Die Einregelun&der Beschiohtungsmittelkonzentration-kann somit in bekannter Weise durch die Stickstoffmenge, weiche durch die Pipette geführt wird, und durch die Temperatur des Besehichtungsmittels erfolgen, wobei durch d-in Tenperierung ein Einfluß auf den Partialdruok des Besohieh;unganittels in Stiekatoff ausgeübt wird. - Die Taktseiten, in welchen die TrUgerkörper durch die Pyrolysesone geftlhrt werdeng richten sich nach dem Durehmeaaer, da die Längen der Trägerkörper nicht :i n die ',farmekafitäten der Körpersäslen im Psrolyserohr eingehen. Diese liegen s.B. ftlr die Belastungsgrößen 0905 bis 2 W bei 100 bin 10 Stok.%min. Da die Taktseiten auch von den übrigen Pfroljeeparametern abhängeng sind hier je nach der verwendeten Technologie weite Variationen möglich.Dimethyld3-ethoxyshita is used as a detrimental agent which, after the pyrolytic cleavage, is deposited. The coating agent is introduced into the pyrolytic tube according to the "Vasehfla $ chenpriazi :)" with an inert gas, aB high-purity substance . For accurate dosing which is the Besehichtungsmittel snt% ALTENE pipette by a thermostat tenperierbar designed The Einregelun & the Beschiohtungsmittelkonzentration-can is thus conducted in a known manner by the amount of nitrogen soft through the pipette, or by the temperature of the Besehichtungsmittels, wherein by d-in Tenperierung an influence on the Partialdruok of Besohieh; unganittels is exerted in Stiekatoff. - The clock sides in which the carrier bodies are guided through the pyrolysis sones depend on the duration, since the lengths of the carrier bodies do not enter into the "farm properties" of the bodies in the psrolysis tube. These are sB for the load sizes 0905 to 2 W at 100 bin 10 Stok.% Min. Since the clock sides also depend on the other Pfrolje parameters , wide variations are possible here depending on the technology used.

Bei dem angeführten Beispiel erfolgt eine Si.multanabseheidung von kristallinem Zohlenstoff und amorphen 8'102f woraus sieh einq sehr festhaftende lonenleitun"",sfrei(, Schicht ergibt,--Die durch den Kohlenstoffgehalt beeingte Blektronenleitfähigkeit kann bei gleicher Schichtdicke Über mehrere Zehnerpotenzen durch die geeignete -lahl der F:schichtungabedingungen beeinflußt werden. Die glektronenleitfähigkeit der Zwisohenaohiohten werden ua oa. drei Zehnerpotenzen geringer gewählt ala die nachfolgend aufseiträgenen Wideratandasdhiohten. Durch den hohen (und nicht zur Ionenleitung führende*) SiO=-Gehalt ergeben sich-auch an den aufgeirachteä gohioht« keine Wirkungen" die sich auf die -.Ivaenleitfähigke:Lt.des koramisohen Materiale murückfUhren lassen. Die Ionealeitfähigkeit der keramischer Trägerkörper nimmt exponentiell ab und verläuft auch neuh -inem Urpolen der Gleichstromquelle nicht reversibel* Sollen Wideretandaachichten aua GGlanskohlenstoff auf die beaohiohteten 2rä,garkörper- aufgetragen werden" " dann ist es möglich! die Kohlenstoffeohioht sowohl mit de-i- gleichen Besehiehtungsapparatur in einem zweiten Arbeitsgang aufsutragea, als auch in einer erweiterten Beschichtungeapparatur ohne AbkUhlung-der Trägerkörper und durcb eine entsprechende Bekohlungagasftihrung die Gesamtbeschichtung au vollenden. %. In the given example, a Si.multanabseheidung carried crystalline Zohlenstoff and amorphous 8'102f resulting check onQ very adherent lonenleitun "" sfrei (yields layer - The beeingte by the carbon content Blektronenleitfähigkeit can over several orders of magnitude in the same layer thickness by the proper -lahl of F. affected schichtungabedingungen the the Zwisohenaohiohten glektronenleitfähigkeit will include oa three orders of magnitude ala selected lower the aufseiträgenen below Wideratandasdhiohten Due to the high (and not leading to the ion conduction *) SiO = content resulting too gohioht aufgeirachteä to the.. let koramisohen Lt.des materials murückfUhren the Ionealeitfähigkeit the ceramic support body decreases exponentially and also runs neuh -inem Urpolen the DC power source not reversible * If Wideretandaachichten ouch GGlanskohlenstoff the beaohiohteten 2rä, garkörper: "no effects" referring to the -.Ivaenleitfähigke. - ouch be fgetragen "" it is possible! the Kohlenstoffeohioht aufsutragea both de-i- Besehiehtungsapparatur same in a second operation, as well as in an extended Beschichtungeapparatur without AbkUhlung-the carrier body and a corresponding durcb Bekohlungagasftihrung the total coating accomplish au. %.

Claims

Pa t ent aneprü ahe: 1. A process for the preparation of, in particular DC-resistant support bodies aus'vorzugaweise altalioxidhaltIgen, teramieob "grundraterial for Schiohtwiderständeg as 0 urahgekenn z eichnet g that by pyrolysis of volatile organometallic compounds on the surface of the carrier body a Absaheidung the volloxidischen form of Itetalle is effected . 2. The method according to claim 1, geke n n ae iohnet you raw the simultaneous deposition of carbon. 3. The method according to claim 1 and 2! since d ge ii rch k hen z eiohne t. that the Tr @ ieerkkörper are previously exposed to a customary surface treatment. 4. The method according to claim 1 to 39 ge k enn % eio hn etdu raw the Psrol, Vae of Alkplalkozi- or Alkäziterbindungen ton elements of the 2nd, 3rd and 4th group of the periodic table. 5. The method of claim 1 to 41 marked in such eio hn etdur c "b Pyroljee of Verbiiidangen of Sili f Z stiuoi. 6. The method of claim 1 to 5, boiled e nn z eic hn etdur ch the application of Beach.chtungssubstanzen" the egg-id, which is liquid at room temperature. 7. Carrier for sheet resistors " produced by the process Cm. Claims 1 to 6.