Einrichtung zur Überwachung von Stromrichteranlagen mit aus
Halbleiterelementen bestehenden elektrischen Ventilen
Die vorliegende
Erfindung bezieht sich auf eine Verbesserung von Strom-xichteranlagen
mit aus steuerbaren oder nichtsteuerbaren Halbleiter-
elementen bestehenden
elektrischen Ventilen und hat speziell die
Schaffung einer Überwachungseinrichtung
zum Gegenstand, damit an den
Halbleiterelementen keine unzulässigen
thermischen Beanspruchungen entstehen können.
Halbleiterelemente,
insbesondere solche auf der Basis *tnes einkristallinen Halbleiters aus oder
nach Art von Iilizium oder einer intermetallischen Verbindung, sind bereits
betriebsmässig
gewöhnlich mit hoher Stromdichte beansprucht, sodass
elektrische
Belastungsstösse, die sich an ihnen in entsprechenden
thermischen Überlastungen
zeigen, sehr leicht zu einer Zerstörung
des Halbleiterelementes führen.kdnnen,
wenn sie nicht betriebsmässig schnell und rechtzeitig sowie entsprechend
dem tatsächlichen thermi-
schen Verhalten des Halbleiterelementes, wie es
durch dessen Aufbau
vorgegeben ist, erfasst werden. Es JA im allgemeinen auch
durchaus -nicht ohne weiteres möglich, das tatsächliche thermische Verhalten
.
eines Halbleiterelementes bei Belastungsstössen dadurch zu erfassen,
dass.
nur die Temperatur an dem Gehäuse überwacht wird, weiches das
eigentliche
Halbleiterelement-einschliesst. Die Erfindung geht nun
aber von der Erkenntnis
aus,, dass eine solche erwünschte technisch
vollkommene
Überwachung von Halbleiterelementen hinsichtlich ihres
thermischen Verhaltens
bei den betriebsmässigen Beanspruchungen dann
erreicht werden"kann,_wenn
die .Überwachung an derjenigen Stelle statt-"indet, wo tatsächlich
am Halbleiterelement aufgrund der stromab-
zängig entwickelten Jouletschen
Wärme die höchste Temperatur auftritt.
Das sind aber bekanntermassen der
oder die pn-Übergänge des Halbleiter-
elementes.-Hufgrund dieser Überlegungen
könnte sich somit z.B. zunächst die Lösung
3rgeben, wonach das einzelne
Halbleiterelement an seinem pn-Übergang bzw.
Sem diesem behä`chbart
liegenden, Elektrodenkörper durch ein geeignetes
th#rmiachee
Organ überwacht wird. Sollte in diesem Sinne jedes der
Halbleit@reletn@nte
entsprechend ausgebildet werden, so würde das
einen wesentlichen
Aufwand bedeuten und ausserdem würde die Fertigung
jede: der Halbleiterelemente
mit Rücksicht auf das thermische Organ
an dem Halbleiter-System erfolgen müssen,
was zu Erschwernissen in der
Serienfertigung der Halbleiterelemente und zu
einer entsprechend
angepassten-Bauform zwingen würde.
Die Erfindung
geht zur-Vermeidung dieser Schwierigkeiten daher von der
Überlegung
aus" dann es zur Erzielung eines praktisch gleichartigen
Effektes
in der Überwachung einer Stromrichteranlage mit aus steuer-
baren
oder nichtateuerbaren-Halbleiterelementen bestehenden elektrische
Ventilerz
führen wird, wenn in Zuordnung zu allen oder mindestens Gruppe
von Halbleiterelementen
der Stromrichteranlage, die deren Verbraucher-
strom führen, nur gemeinsam
je ein zusätzliches Halbleiterelement
gleichartigen Aufbaues benutzt wird,
an denen als gleichartigen
thermischen Abbildern das Erwärmungsverhalten der
den Verbraucherstrom
führenden Halbleiterelemente überwacht wird und die
beirrt Auftreten
unzulässiger thermischer Belastungsfälle als. Ursache
von elektrischen
Überlastungen irgendwelche Schutzschaltungen oder auch bereits
diesen
vorausgehende Anzeigen oder: Signalgaben oder auch einen Schutzbetrieb'
herbeiführen.
Unter Schutzbetrieb soll dabei z.8. verstanden werden,
dass eine entsprechende
verstärkte künstliche oder zusätzliche
künstliche Kühlung herbeigeführt wird.
Dieses
jeweils als thermisches. Abbild benutzte zusätzliche,>t.gltichärtig .
M.,,.Means for monitoring of converter installations consisting of semiconductor elements electric valves The present invention relates xichteranlagen with consisting of controllable or non-controllable semiconductor elements electric valves to an improvement of power and has specifically the creation of a monitoring device to the object so that no inadmissible to the semiconductor elements, thermal stresses can arise. Semiconductor elements, in particular those based on monocrystalline semiconductors made of or in the manner of silicon or an intermetallic compound, are usually subject to high current density during operation , so that electrical load surges, which are manifested on them in corresponding thermal overloads, very easily lead to destruction of the semiconductor element, if they are not recorded quickly and in good time and in accordance with the actual thermal behavior of the semiconductor element, as specified by its structure. In general, YES , the actual thermal behavior is not readily possible. of a semiconductor element in the event of load surges in that only the temperature on the housing is monitored, which includes the actual semiconductor element. The invention is based on the knowledge that such a desired, technically perfect monitoring of semiconductor elements with regard to their thermal behavior under operational stresses can then be achieved "if the monitoring takes place at the point where the semiconductor element is actually located the highest temperature occurs due to the Jouletian heat developed downstream. These are however known to the one or more pn junctions of the semiconductor elementes.-Hufgrund these considerations could thus for example, first 3rgeben the solution, after which the individual semiconductor element behä`chbart at its pn junction or Sem this lying electrode body suitable by a th # rmiachee organ is monitored . If, in this sense, each of the semiconductor relays were to be designed accordingly, this would mean a considerable effort and, in addition, the production of each of the semiconductor elements would have to be carried out with regard to the thermal organ on the semiconductor system, which would make it difficult Series production of the semiconductor elements and a correspondingly adapted design would force. To avoid these difficulties, the invention is therefore based on the consideration "then it will lead to achieving a practically similar effect in the monitoring of a converter system with electrical valve ore consisting of controllable or non-controllable semiconductor elements , if assigned to all or at least a group of semiconductor elements of the converter system, which carry their consumer current, only one additional semiconductor element of the same type is used jointly, on which the heating behavior of the semiconductor elements carrying the consumer current is monitored as thermal images of the same type and the confused occurrence of impermissible thermal load cases as the cause of electrical overloading any protection circuits or already preceding them ads or:. signal gifts or a protection mode cause 'under protection mode is intended to be Z.8 understood that a corresponding. increased artificial or additional artificial cooling is brought about. This in each case as thermal. Image used additional,> daily valid. M. ,,.
aufgebaute elektrische Halbleiter-Element, braucht dabei nicht
mit
den durchaus gleichartigen Bedingungen betrieben zu-werden,
wie-es für diejenigen Halbleiterelemente der welche der Betriebsstrom.derVerbraucheranlage
fliesst. Es werden vielmehr. vorzugsweise erfindungsgemäss nur an diesem zuir Überwachung
dienenden
Halbleiterelement diejenigen gleichartigen Betriebsverhältnisse
geschaffen, die für alle die Halbleiterelemente bzw. derenentsprec hendE Gruppe
im wesentlichen_bestimmend für ihre betriebsmässige Erwärmung sind. Das sind aber
im wesentlichen nur diejenigen Ströme, die in Flussrichtung über die Halblelterelemente
ihren Weg nehmen, denn die : , in der Sperrphase der Halbleiterelemente über diese
fliessenden Ströme können nach den gewonnenen Erfahrungen für die Überwachung des
Erwärmungsverhaltens der Halbleiterelemente oftmals praktisch . vernachlässigt werden.
Es gehört daher weiter zum Wesen der Erfindung,. dass die zusätzlichen bzw. zur
Überwachung dienenden Halbleiterelemente nicht in Hauptstromkreisen der Stromrichteranordnung
sondern in besonderen Messkreisen angeordnet werden, die abhängig von der Stromführung
über diejenigen Halbleiterelemente, welche den Betriebsstrom der Stromrichteranla,ge
führen, nur über geeignete entsprechende Serienwandler oder über Nebenwiderstände
gespeist werden.' Hierdurch ist dann möglich, an diesen Überwachungs-Halbleiter-Elementen
gegenüber den Betriebsstrom-Iialbleiter-. Elementen mit einer nur relativ geringen
Sperrspannung zu arbeiten. Das bedeutet aber, dass diese Überwachungs.-Halbleiter-Blemente
stets nur mit relativ geringer Sperrspannung beansprucht werden. Das liegt aber
im Sinne der Erhaltung ihrer Betriebstüchtigkeit als Überwachungs einrichtung, denn
sie haben auf diese Weise eine gröseere Lebensdauer
Die Überwachung
der Stromrichteranlage mittels dieser zusätzlichen, lediiglich für Überwachungszwecke
als thermische Abbilder der den
Verbraucherstrom führenden Halbleiterelemente
dienenden Halbleiterelemente kann dabei auf verschiedenen Wegen erfolgen:
Der eine dieser benutzbaren Wege besteht darin, dass jedes der
zusätzlichen
Halbleiterelemente mit mindestens einem besonderen Thermofühler, z.8. einem
Thermoelement, an der thermisch kritischsten Stelle, also z.B.
möglichst nahe seinem pn-Übergang, ausgestattet
wird. Dieser
Thermofühler kann hierfür unmittelbar an der einlegierten Elektrode befestigt
werden, durch deren Einlegierungsvorgang der pn-Übergang in dem
Halbleiterkörper gebildet wird. Diese Befestigung kam soweit gehen, dann
der Thermofühler mit dieser einlegierten
Elektrode verlötet,
legiert oder verschweisst wird. Ein solches erfindungsgemäss benutztes zusätzliches
Halbleiterelement ist dann so aufgebaut, dass aus der Fassung, welche das
eigentliche Halbleiter-element einschliesst, nicht nur der bzw. diejenigen
Pole herausgeführt sind, welche dazu dienen, über--das Halbleiterelement,
z.B. els Diode, den
Strom zu führen, sondern es werden aus dieser
Fassung zusätzlich
noch c;e Anschlussleitungen herausgeführt, welche mit dem
bzw. den an dem Halbleiterelement vorgesehenen Thermofühlern elektrisch verbunden
sind.built-up electrical semiconductor element, does not need to be operated with the same kind of conditions as-is for those semiconductor elements which the operating current. of the consumer system flows. Rather, it will be. preferably according to the invention which are provided only at this zuir monitoring serving semiconductor element like those operating conditions for all the semiconductor elements or derenentsprec rising group wesentlichen_bestimmend for their operation even heating. However, these are essentially only those currents that take their way in the direction of flow over the half-parent elements, because the:, in the blocking phase of the semiconductor elements over these flowing currents, according to the experience gained, can often be practical for monitoring the heating behavior of the semiconductor elements. be ignored. It therefore belongs to the essence of the invention. that the additional semiconductor elements or those used for monitoring are not arranged in main circuits of the converter arrangement but in special measuring circuits which, depending on the current conduction via those semiconductor elements that carry the operating current of the converter system, are only fed via suitable corresponding series converters or via shunt resistors. ' This then makes it possible to use these monitoring semiconductor elements as opposed to the operating current Iialbleiter-. Elements to work with only a relatively low reverse voltage. However, this means that these monitoring semiconductor elements are only ever stressed with a relatively low reverse voltage. But that is in the sense of preserving their serviceability as a monitoring device, as they have in this way a gröseere life Monitoring the converter system by means of these additional lediiglich serving for monitoring purposes as thermal images of the load current leading semiconductor elements semiconductor elements can take place in several ways: One of these usable ways is that each of the additional semiconductor elements with at least one special thermal sensor, z.8. a thermocouple, is thus possible, provided on the thermally critical location, for example near its pn junction. For this purpose, this thermal sensor can be attached directly to the alloyed electrode, the alloying process of which forms the pn junction in the semiconductor body. This fastening came as far as the thermal sensor is soldered, alloyed or welded to this alloyed electrode. Such according to the invention-used additional semiconductor element is then constructed so that not only the or those poles are led out of the socket, which encloses the actual semiconductor element, which serve, over - the semiconductor element, for example els diode, the current to lead, but it still from this version additionally c; e led out wires, which with the or the provided on the semiconductor element thermocouples are electrically connected.
Es können dabei an sich geläufige Thermoelemente zur
Anwendung gelangen, wie sie z.8. in Form von Kupfer-Konstantan-Elementen
bekannt sind..
:in weiterer gemäss der Erfindung wählbarer Lösungsweg
besteht darin,
lass ein gleichartiges Halbleiterelement zur Überwachung
benutzt
rird, an welcheui die temperaturabhängige Änderung der
Lage einer
seiner Kennlinien überwacht und, wenn es sich dabei um eine
Kenn-
Linie in der Flussrichtung eines pn-Überganges handelt,
entweder
sie bei konstantem Strom durch die temperaturabhängige Verlagerung
der
Cennlinie auftretende Änderung der in Flussrichtung
an dem Halb-
_eiterelement liegenden Spannung oder beim Anlegen einer
konstanten
lpännung auftretende= Änderung des Stromes als Mass für
die Temperatur
)enutzt wird. Wird das Verhalten der Sperrkennlinie an einem
pn-
tbergsng eines solchen Überwachungshalbleiterelementes benutzt
als
'riterium, 'so wird die-temperaturabhängige
Verlagerung der Sperr-
:ennlinien in Richtung auf verschiedene Sperrströme bei
konstanter
;pannung oder in Richtung auf -verschiedene Sperrspannungen
bei kon-
;tantem Sperrstrom-ausgenutzt. Der konstante Strom bzw. die
konstante
Spannung brauchen gegebenenfalls nur Impulse gleichbleibender
Grösse
;u sein. _.
'ach dieser Lösung ist es also nicht erforderlich, ein Überwachungs-
Halbleiterelement in der Weise aufzubauen,,
dass in ihn ein entsprechender
'hermofühler eingebaut ist, sondern es wird eine mittelbare
Überwachung.
.urchgefUhrt, bei welcher das gleichartige Halbleiterelement.-in
seiner
rsprünglichen Form, die derjenigen der eigentlichen zu überwachenäe@i--,-
nd Betriebsstrom führenden Halbleiterelemente entspricht,
benutzt- -y'-`-'
erden kann. - Liegt.:- beispielsweise a ls Stromriehteranlage
eine- Steri% °-°
chaltung vor,. die in ihren einzelneei @häseriLitizngen
je- eine-"eiektr;ische
entilanordnung.enthält,.so kann jede dieser Ventilanordnungen
beispiels-
weise aus einer Mehrzahl-von parallelgeschalteten Halbleitergleichric
elementen oder einer Reihenschaltung von Halbleitergleichrichtereleme oder auch
einer T?e-ihen-Parallelschaltung von Halbleiteralei.ch-richter elementen.:bestehen.
Erfindungsgemäss wird dann dieser einzelnen Ventilanordnung zur ffberwa-chung des
Verhaltens ihrer Halbleiterelemen z.B. ein gemeinsames gleichartiges Halbleiterelement
zur Überwachung in einem= entsprechenden an die Hauptleitung angekoppelten Messkreis
zugeordnet. Liegt z.B..eine Stromrichteranordnung nach Art einer-Gleichrichterbrückenschaltung
vor, so kann. den Halbleiterelementen jedes Zweiges der Gleichrichterbrückenschaltung
je ein Uberwachungshalbleiterelement zugeordnet werden. Die erfindungsgemässe-Aufgabe
kann jedoch auch dadurch gelöst werden, dass ein solches Uberwachungs element in
einem an den Strang, d.h. die Wechselstromzuleitung zu der Brückenschaltung angekoppelten
Messkreis vorgesehen wird. In diesem Falle muss allerdings zweckmässig berücksichtigt
werden, dass in der Wechselstromzuleitung die Ströme verschiedener Richtung nacheinander
wirksam weräender, den Betriebsstrom führender Halbleiterelemente fliessen.«Es ist
also dann sinnvoll, für jede dieser Stromrichtungen je ein solches Überwachungshalbleiterelement
entsprechend der Polung im Messkreis vorzusehen, wobei also dann beide dieser Überwachungshalbleiterelemente
zueinander in einer Gegenparallelschaltung liegen. Zi;ig.;üäheren_Erläuterung der
Erfindung, wird nunmehr- auf die Ausführung: beispiele nach den. Figuren der Zeichnung
Bezug genommen, bei deren Erläuterung sich noch. weitere vorteilhafte in Verbindung
mit der grunc sätzllchen..Erfi,ndung.benutzbare Einzelmerkmale ergeben. werden.
.
In Fig. 1 bezeichnet 1 eine, den Verbraucherstrom führende
Ventil-
anordnung, die z.8. aus einer Mehrzahl von parallelgeschalteten
Halbleiterglechrichterelementen bestehen kann. Die Halbleitergleichriahterelemente
dieser Ventilanordnung sind also erfindungagsmäss zu überwachen:: Hierfür
ist an die Zuleitung 2 zu der Ventilanordnung ein Strowandler
3 angekoppelt, dir über seine Sekundärwicklung 3.a einen Überwachungskrem
speist, der einen_einstellbaren Widerstand 4 und das-Überwachungshalbleiterelement
5 enthält. Diesen
Überwachungshalbleiterelement # kann z.B.
einen Aufbau haben, wie er in Fig. 2 wiedergegeben
ist.
Bei diesem Überwaahungaharbleterelement ist das eigentliche
Halb-
leiterelement 58 am Boden einer Fassung 5b befestigt,
und an dem
zweiten Pol des Halbleiterelementes ist
ein biegsamer Leiter 5e, der
bis in den inneren Hohlraum 5d einer metallischen
Hülse von H@förmigem Querschnitt 5e reicht, durch Verlötung
befestigt, Von der äusseren Aussparung dieser Hülse 5e von H-förmigem
Querschnitt führt ein
biegsamer Anschlussleiter 5f weg. Diese Metallhülse
5e ist die innere
Hülse einer elektrisch isolierenden Durchführung,
deren Isolierkörper.
z.B: aus eingeschmolzenem Glas 5g besteht, und deren
äussere- metalli-
sche Fassung mit 5'h bezeichnet ist. Diese Fassung 5h ist
gasdicht mit de Fassung 5b verlötet. Zwischen dem Anschluss des biegsamen Leiters
5c bzw. unterhalb eines pfennenförmigen Körpers ist gleichzeitig noch
ein
Thermoelement 6 eingelötet, von welchem die Anschlussleitungen 7 isolier
durch den Glaskörper 59 mit Hilfe einer entsprechenden Einschmelzung
herausgeführt
sind. Die Anschlüsse dieses Thermoelementes 7 .sind zu
einer Messeinr-idttüng
8- geführt, welche beim Überschreiten des ent-
sprechenden
Temperaturwertes gemäss der Wirkungslinie 9, z.B. die
Öffnung den
Schalters 1o herbeiführt, sodass die Ventilanordnung 1 dann von dem
speisenden Netz abgeschaltet ist. Die Fia. 3 veranschaulicht
ein Ausführungsbeispiel für die Anwendung
der Erfindung, wobei
ein Überwachungshalbleiterelement benutzt ist, an welchen
die temperaturabhängige Verlagerung der Flusskennlinie überwacht
wird und die dabei auftretende Änderung der in Flussrichtung
an dem Halbleiterelement bestehenden Spannun g bei konstantem Strom
als
Mass für die zulässige bzw. unzulässige Temperatur an den zu überwachenden,
den Betriebsstrom führenden Halbleiterelementen benutzt
wird. Soweit
in dieser Figur wieder die gleichartigen Teile wie in Fig.
1 vorhanden sind, sind für diese unmittelbar die gleichen'Bezugszeichen
beibehalten worden. So enthält diese Anlage wieder die zu überwachende
Ventilanordnung 1 , die beispielsweise wieder aus mehreren parallelgeschalteten
Halbleiterelementen bestehen kann und den Stromwandler 3,
über welchen
der Übsrwachungamesakreia an die Hauptleitung 2, welche
den Verbraucherstrom
führt, angekoppelt ist. Das zur Überwachung dienende Halbleiterelement
ist in diesem Falle mit 11 bezeichnet. Der Überwachungskreis enthält in
diesem Fall noch ein zusätzliches
elektrisches Ventil 12, sowie
ein weiteres Ventil 13, wobei den Ventil 122 mit dem Vintil il
die gleiche Durehlasarichtung gemeinsam hat, während
den Ventil
@3 gegenparallel zu der Durchlassrichtung des Überwachungsventiles
11 geschaltet ist.
Eine solche Anordnung nach Fig.
3 arbeitet - wenn gleichzeitig hier=
für das Kennlinienschaubild
nach Fig. 4 in Betracht gezogen wird -in der nachfolgenden Weise,
bei der Annahme, dass in diesem Falle
die Einrichtung-14, in
welcher die Temperaturmessung stattfindet,-
eine Einrichtung enthält,
welche in-der Lage ist, einen konstanten
Ileichstrom über-das Überwachungsventil
11 in der Durchlassrichtung zu schicken. `
F
?liesst über die Zuleitung 2 und die Ventilanordnung 1 ein
Ström in
?lusarichtung, so fliesst im Messkreis .über das
Ventil 12, den Über-
#achungsventil 11 und den Widerstand 4 ein
entsprechender Strom, durch
ien das Überwachungsventil 11 entsprechend erwärmt wird.
Tritt nun
in der Leitung 2 ein Strom entgegengesetzter Polarität auf,
so wird
such im Sekundärkreis des Stromwandlers 3 eine diesem Strom
entsprechende
Spannung an dem als BUrde wirksam werdenden Ventil 12 auftreten,
indem
iiise über das Ventil 13 an den rechten Pol diesen Ventiles
12
;*langen kann. Während dieser Sperrhalbwelle wird gleichzeitig
aus der
s'inrichtung 14 ein konatadter Strom über das Überwachungsventil
11
;eachickt, so dann an den Anschlussleitungen dieses Ventilen
1-1 in der
ginrichtung 14 eine entsprechende Spannung in Flussrichtung
gemessen
rird.
lach der Fig. 4 werde angenommen, dass bei einer solchen
Messung
)eispielsweise--die Kennlinie 15 als Flusskennlinie für
die Stromführung
ies Überwaehungsventiles 11 in dessen Flussrichtung
massgebend- gewesen
rar. Es wird daher in der Einrichtung 14 bei dem
über das: Überwachungs-
;leichrichterelement_ _1l fliessenden konstanten Strom JDl
r der- vorzugs-
., ai l
weise so gewählt wird, dass_durch ihn noch keine merkliche
Joulersche
` Wärme--Entwicklung an .diesem Element stattfindet,. ein
Spannungsabfall
entsprechend dem Wert Ul.gemessen werden. Ist nun aber die
Ventilan-
ordnung l.durch.einen wesentlich. höheren Strom als
JD in Flussrichtur
. 1
beanaprua.#t gewesen,.so wird auch das -Überwachungselement
.11 sinngemäE
durch einen entsprechenden durch den Stromwandler.übersetzten
grösserE
Strom in Flussrichtung beansprucht werden sein. Hierdurch
arbeitet
aber das Überwachungselement 11 nicht mehr auf der Kennlinie
15,
sondern auf der,Kennlinie_16, die also einem höheren, am
Überwachungs-
gleiehrichterelement auftretenden
Wird
nungähr in der nachfolgenden _Sperrhalbwelle das Überwachungsb3lWtnt
an seinen Klemmen bei einer' Belieferung mit dem konstanten
Strom J Dl
gemessen, so wird sich nunmehr ein Messwert in
der Einrichtung 14
gemäas_dem Spannungswert U2 ergeben, der also
. wesentlich kleiner ist
als der vorher gemessene Spannungswert_Ul. Es, ist, aus
dieser Erläuteru
zu erkennen,, dass, sobald der an dem Halbleiterelement
in Flussrichtun
gemessene Spannungewert einen zulässigen unteren Grenzwert
überschreit
es somit.notwendig wird, .such die Ventilanordnung T
entsprechend zu
schützen. Bei Erreichen eines solchen Wertes wird dann
in der Einrieht4ng-14 eine entsprechende Hilfseinrichtung zum Ansprechen
kommen
und wieder gemäss der Wirkungslinie 9 z.B. eine Öffnung des
Schalters
herbeiführen, die Speisung der eigentlichen, den Hilfsstrom
führenden
Halbleitergleichrichterelemente in der Ventilanordnung l
unterbrochen wird.
In
Fig. 5 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel gezeigt, welches
entweder
dafür benutzt werden kann, Wieder eine Messung an den Flusskennlinien
bei verschiedenen Temperaturen im Sinne der Figur 3 bzw.
durchzuführen, oder dazu benutzt werden kann, eine Meseung an den.
Kennlinien
in Sperrichtung den Ventilen bei verschiedenen Temperaturendurchzuführen,
wobei dann- für die nähere Erläuterung gleichzeitig die
Kennlinienschar
nach Fig. 6 in Betracht zu ziehen ist. It can thereby get to be common thermocouples for use as Z.8. in the form of copper-constantan elements are known. : Another approach that can be selected according to the invention consists in
let a similar semiconductor element be used for monitoring
rird, to which the temperature-dependent change in the position of a
of its characteristic curves and, if it is a characteristic
Line acts in the flow direction of a pn junction, either
they at constant current due to the temperature-dependent displacement of the
The change in the characteristic curve in the flow direction at the half
_ conductor element lying voltage or when applying a constant
Elongation occurring = change in the current as a measure of the temperature
) is used. If the behavior of the blocking characteristic on a pn
tbergsng of such a monitoring semiconductor element used as
'riterium,' is how the-temperature-dependent shift of the blocking
: Characteristic curves in the direction of different reverse currents at constant
; voltage or in the direction of -different blocking voltages with con-
; tantem reverse current-exploited. The constant current or the constant
Voltage may only need pulses of constant size
; u be. _.
'After this solution, it is not necessary to have a monitoring
Build a semiconductor element in such a way that in it a corresponding
'Hermo sensor is built in, but there is indirect monitoring.
. Performed in which the semiconductor element of the same type.-in its
original form, that of the actual form to be monitored @ i -, -
nd corresponds to semiconductor elements carrying operating current, used- -y'-`- '
can earth. - Lies: - For example, a steri% ° - ° as a string system
circuit before. which in their individual i @ häseriLitizngen each one- "eic ; ische
valve arrangement, .so each of these valve arrangements can be exemplified
as elements of a plurality of parallel-Halbleitergleichric or a series connection of Halbleitergleichrichtereleme or a T? e-ihen-parallel connection of Halbleiteralei.ch-judge elementen.:bestehen. According to the invention, this individual valve arrangement for monitoring the behavior of its semiconductor elements is then assigned, for example, a common semiconductor element of the same type for monitoring in a corresponding measuring circuit coupled to the main line. If, for example, there is a converter arrangement in the manner of a rectifier bridge circuit, then. the semiconductor elements of each branch of the rectifier bridge circuit are each assigned a monitoring semiconductor element. The object according to the invention can, however, also be achieved in that such a monitoring element is provided in a measuring circuit coupled to the strand, ie the alternating current feed line to the bridge circuit. In this case, however, it has to be taken into account that the currents in different directions flow successively in the alternating current feeder so then both of these monitoring semiconductor elements are mutually opposite in parallel. Zi; ig.; Ü closer_Explanation of the invention, is now - on the execution: examples according to the. Figures of the drawing referenced, in the explanation of which is still. further advantageous individual features that can be used in conjunction with the green sätzllchen..Erfi, ndung. will. . In FIG. 1, 1 denotes a valve arrangement which conducts the consumer flow and which z.8. may consist of a plurality of semiconductor rectifier elements connected in parallel. The semiconductor rectifier elements of this valve arrangement are therefore to be monitored according to the invention : For this purpose, a current converter 3 is coupled to the supply line 2 to the valve arrangement, which feeds a monitoring cream via its secondary winding 3.a, which contains an adjustable resistor 4 and the monitoring semiconductor element 5. This monitoring semiconductor element # can have a structure as shown in FIG. 2 , for example. In this monitoring element , the actual semiconductor element 58 is attached to the bottom of a socket 5b , and a flexible conductor 5e is soldered to the second pole of the semiconductor element, which extends into the inner cavity 5d of a metallic sleeve of H @ shaped cross-section 5e attached, A flexible connection conductor 5f leads away from the outer recess of this sleeve 5e of H-shaped cross-section. This metal sleeve 5e is the inner sleeve of an electrically insulating bushing, its insulating body. For example: consists of melted glass 5g, and the outer metallic frame is denoted by 5'h. This socket 5h is soldered gas-tight to the socket 5b. At the same time, a thermocouple 6 is also soldered in between the connection of the flexible conductor 5c or below a pipe-shaped body , from which the connecting lines 7 are led out in an insulating manner through the glass body 59 with the aid of a corresponding seal. The terminals of this thermocouple 7 .are a Messeinr-idttüng out 8- which the opening causes the switch 1o when crossing of the corresponding temperature value in accordance with the line of action 9, for example, so that the valve assembly 1 is then disconnected from the power supply system. The Fia. 3 illustrates an exemplary embodiment for the application of the invention, a monitoring semiconductor element being used on which the temperature-dependent displacement of the flow characteristic is monitored and the resulting change in the voltage existing in the flow direction on the semiconductor element at a constant current as a measure for the permissible or impermissible Temperature on the semiconductor elements to be monitored and carrying the operating current is used. Insofar as the parts of the same type as in FIG. 1 are present in this figure , the same reference symbols have been retained for them. This system again contains the valve arrangement 1 to be monitored, which can again consist of several parallel-connected semiconductor elements, for example , and the current transformer 3, via which the monitoring mesakreia is coupled to the main line 2, which carries the consumer current. The semiconductor element used for monitoring is denoted by 11 in this case. In this case, the monitoring circuit also contains an additional electrical valve 12 and a further valve 13, valve 122 having the same directional laser direction in common with valve il , while valve @ 3 is connected counter-parallel to the flow direction of monitoring valve 11 . Such an arrangement according to FIG. 3 works - if at the same time = is taken into account here = for the characteristic curve diagram according to FIG. 4 - in the following manner, assuming that in this case the device 14 in which the temperature measurement takes place - contains a device which is able to send a constant direct current via the monitoring valve 11 in the forward direction. ` F.
? reads a flow via the supply line 2 and the valve arrangement 1
flow direction, so flows in the measuring circuit via the valve 12, the
#achungsventil 11 and the resistor 4 a corresponding current through
ien the monitoring valve 11 is heated accordingly. Now kick
in the line 2 a current of opposite polarity on, so will
look for a current corresponding to this current in the secondary circuit of the current transformer 3
Voltage at the valve 12, which becomes effective as a Burde, occurs by
iiise via the valve 13 to the right pole of this valve 12
; * can be long. During this blocking half-wave, the
The device 14 provides a constant flow via the monitoring valve 11
; eachickt, then on the connection lines of this valve 1-1 in the
Device 14 measured a corresponding voltage in the flow direction
rird.
4 it is assumed that with such a measurement
) For example - the characteristic 15 as a flow characteristic for the current conduction
This monitoring valve 11 was decisive in its flow direction
rar. It is therefore in the device 14 in the case of the: Monitoring
; leichrichterelement_ _1l flowing constant current JDl r der- preferred -
., ai l
is chosen wisely so that no noticeable Jouler is due to him
` Heat - development at .this element takes place. a voltage drop
measured according to the value Ul. But if the valve
order l. by. an essential. higher current than JD in river direction
. 1
beanaprua. # t, .so the monitoring element .11 is analogously
by a corresponding larger E translated by the current transformer
Electricity in the direction of flow must be claimed. This works
but the monitoring element 11 is no longer on the characteristic curve 15,
but on the, characteristic_16, which is a higher, on the monitoring
rectifier element occurring
Will
the monitoring b3lWtnt approximately in the subsequent blocking half-wave
at its terminals in the case of a supply of the constant current J Dl
measured, a measured value will now be found in device 14
according to the voltage value U2, i.e. the . is much smaller
than the previously measured voltage value_Ul. It is, from this explanation u
to recognize that as soon as the on the semiconductor element in the direction of flow
measured voltage value exceeds a permissible lower limit value
it is therefore necessary to protect the valve arrangement T accordingly. When such a value is reached, a corresponding auxiliary device in the device 14 will respond and again, according to the line of action 9, e.g. bring about an opening of the switch , the supply of the actual semiconductor rectifier elements in the valve arrangement 1 carrying the auxiliary current is interrupted. FIG. 5 shows a further exemplary embodiment which can either be used to carry out a measurement on the flow characteristics at different temperatures in the sense of FIG . Characteristics in the reverse direction the valves at different temperatures carried out simultaneously with then- is to be considered for the more detailed explanation of the characteristic curves according to FIG. 6.
Soweit in der 'Fig. 5 die gleichartigen.Schaltungselemente
vorhanden
sind wie in der Fig. 3 bzw. 1, sind für diese wieder
unmittelbar -die entsprechenden gleichartigen Bezeichnungen der Einfachhit
halber
beibehalten worden. Es bezeichnet also wieder 1
die Ventilanordnung,
die in mehreren parallelen Zweigen Gleichrichterelesente
zwischen ihren-Anachluseklemmen enthält. -.3 bezeichnet den an die Speiseleitung
2 zu
der Ventilanordnung angekoppelten Stromwandler, der Uber
seine Sekundär-
wicklung den Messkreis speist, in dem das Überwachungshalbleiterelement
11 angeordnet ist. 4 bezeichnet wieder einen Justierwiderstand,
17
zeichnet eine Messeinrichtung, an welche über zwei Leitungen
das Über-
fachungshalbleiterelement 11 angeschlossen ist. Indem
Mesäkre.is ist
`.'erner noch eine steuerbares Halbleiterstromtor 18 enthalten.
Die Mess-
einrichtung 17 kann in der Messperiode über das Überwachungshalbleiter'-
Ilement 11 einen konstanten Strom führen,
wenn beabsichtigt ist, mit
[er Einrichtung in gleichartiger Weise den Messvbrgeng an
den Fluss- -
ennlinien bei--verschiedenen Temperaturwerten durchzuführen,
wie
@n Hand der Fig. 3 erläutert worden ist. Soll dagegen mit
einer Messung
;emäss den Sperrkennlinien des Überwachungshalbleiterelementes
gearbeitet
werden, so muss von der Einrichtung 17 in der Sperrichtung an
das Überwachungshalbleiterelement 11 jeweils eine konstante Spannun g
angelegt werden, wodurch sich dann ein entsprechender, sich ändernder Strom
der Messeinrichtung als Mass für die Überwachung ergibt. Es ist
das auch ohne weiteres aus der Kennlirienschar nach Fig.-6
abzulesen,
in welcher verschiedene Kennlinien für den Sperrstrom
über der an dem
Halbleiterelement liegenden Sperrspannung in
einem doppelt logarithmischän Koordinatensystem eingetragen sind,
wobei für die verschiedenen Kurven dieser Kennlinienschar die an dem
Überwachungshalbleiterelement auftretende Temperatur Parameter ist.
Soll mit einer Einrichtung gemäss Fig. 5 gearbeitet werden unter Messung
der
.in der Flussrichtung an dem Überwachungselement 11 auftretenden
Spannung,
wobei also z.B. wie bereits angegeben in der Messperiode in
der Flussrichtung über das Halbleiterelement 1l ein entsprechender
konstanter
Strom gen-chickt wird, so arbeitet diese Anordnung in der
folgenden
Weise. As far as in the 'FIG. 5 the same type of circuit elements are present as in Fig. 3 or 1, are again immediately for these - the corresponding similar designations have been retained for the sake of simplicity. Thus, 1 again denotes the valve arrangement which contains rectifier elements in several parallel branches between its anachluse terminals. -.3 denotes the to the feed line 2 to the current transformer coupled to the valve arrangement, which via its secondary
winding feeds the measuring circuit in which the monitoring semiconductor element
11 is arranged. 4 again denotes an adjustment resistor, 17
draws a measuring device to which the over-
Fachungshalbleiterelement 11 is connected. By being Mesäkre.is
`.'ern also contain a controllable semiconductor current gate 18. The measuring
device 17 can be used in the measurement period via the monitoring semiconductor ' -
Ilement 11 carry a constant current if it is intended to
[he set up in a similar way the measurement vehicle to the river -
perform characteristic curves at - different temperature values, such as
@n hand of Fig. 3 has been explained. Should, however, with a measurement
; em according to the blocking characteristics of the monitoring semiconductor element worked
are, it must each have a constant Spannun g are applied by the device 17 in the reverse direction to the monitoring semiconductor element 11, which then results in a corresponding, varying current of the measuring device as a measure for monitoring. It is the read also readily apparent from the Kennlirienschar according to Fig.-6, in which different characteristic curves entered for the reverse current through the lying of the semiconductor element blocking voltage in a double logarithmischän coordinate system, wherein the occurring for the various curves of this family of characteristics at the monitoring semiconductor element Temperature parameter is. Are intended to work with a device according to FIG. 5 while measuring the voltage appearing .in the direction of flow on the monitoring element 11, wherein gen-chickt is thus, for example, as already indicated in the measurement period in the direction of flow through the semiconductor element 1l a corresponding constant current, this arrangement operates in the following manner.
Wird die Ventilanordnung 1 in der Flussrichtung vom Verbraucherstrom
durchflossen, so fliesst auch in dem Überwachungamesskreis ein entsprechender Strom
über das Überwachungselement 11, nachdem das Strom-tor 18 entsprechend gezündet
bzw. auf Durchlass gesteuert worden'ist. Wenn für des Ventil 1 die
Sperrhalbwelle auftritt, so wird zunächst bei der Annäherung des Stromes
über das Stromtor an den Wert Null_mit 8rreiehen des Abreißatromes
desselben dieses Stromtor in den Sperr-
tand übergehen. Bei dem Stromdurchgang
ist-das-Überwachungselement 11
entsprechend erwärmt worden: Wird
nunmehr ein konstanter Strom von der Einrichtung 17 über das .Element 11 geschickt,
so wird.
Figur
wieder, wie es bereits gemäß /3 in Verbindung mit Figur 4 erläu-
tert worden ist, an dem Halbleiterelement in dessen Flußrichtün, ein entsprechender
Spannungsabfall -gemessen werden, dessen Größe ein Maß für die-Temperatur an den
zu-überwachenden Halbleiter-' elementen des ventiles 1 ist. -Wird bei einer Anordnung
nach Figur 5 mit einer Ausnutzung der
Sperrkennlinien für die Temperaturmessung gearbeit,etrobei
in die-
sein Fall jeweils in der Meßperiode das Überwachungshalbleiter= Elemente U mit konstanter
Spannung,gespeist wird, so wird durch diese Spannung gleichzeitig das Stromtflr
in der positiven Sperrrichteng -beansprucht, ohne daß ein größerer- Strom seinen-Yieg
über dieses Stromtor nehmen kann.-Die an dem Überwachungshalbleiterelement 11 liegende
Sperrspannung hat einen: entsprechenden Sperrstrom über das Ventil zur Folge, der,
je nachdem, welche der Kennlinien der Kurvenlinienschar nach Figur 6 gerade dem
Temperaturwert entspricht, einen entsprechenden verschiedenen
konstanten Spannung U3 hat. Erreicht also unter Berücksichtigung y des Kennlinienschaubildes
nach Figur 6 die Temperatur an dem Überwachungselement 1£3 ale Abbild der Halbleiterelemente
im Ventil 1 einen entsprechend hohen v@#'ert, der einem entsprechend hohen Sperrstrom
entspricht, s o wird wieder in der Meßeinrichtung 1 7 eine entsprechende Einrichtung
zum Ansprechen kommen. und gemäß der Wirkungslinie 9 z.B. eine Öffnung des Schalters-
10 herbeiführen.
In dem allgemeinen Teil der Beschreibung war bereits
darauf hingewiesen worden, daß der Änmeldungsgegenstand sinngemäß auch dann anwendbar
ist, wenn in der betreffenden Stromrichteranlage eine-Prückenschaltung vorliegt.
Für eine sinngemäße Anwendung des Anmeldüngsgegenstandes in demjenigen Fall, wo
das zur Überwachung dienende HäbZeitergleichrichterelement. in einem Lteßkreis liegt,
der an einen Strang der Stromrichteranlage, d.h. an eine Speiseleitung zu
der Brückenschaltung angekoppelt ist, zeigen entsprew chende Ausführungsbeispiele
"die Figuren 7 bis 9 der Zeichnung. 19 bezeichnet in Figur 7.eine einphasige Gleichrichterbrückenschalturig,
deren Halbleiterelemente 20 bis 23 überwacht «erden sollen. In die eine der beiden
Speiseleitungen 24 bzw. 25 ist der Stromwandler 3 eingeschaltet, der über seine
Sekundärwicklung 3a wieder einen Meßkf-eis speist, in welchem der Justierwiderstand
und die beiden Überwachungshalbleiterelemente 26, 27 angeordnet sind, die, wie aus
der. Schaltung ersichtlich, gegenparallel zueinander geschaltet sind. Diese Halbleitergleichrichterelemente
können bei-
spielsweise wieder solche nach Art eines Elementes 5 gemäß
den
.x )
Figuren 1 b,w. 2 sein, welche mit einem entsprechenden Thermo-
*) Thermol'ühler bzw. element ausgeutattet sind. Das tt'berwachungselement 26 dient
dann dazu, diejenigen Halbleiterelemente der Gleichrichterbrückenschaltung 19 zu
überwachen, welche mit diesem Überwachungsventil gleichzeitig in der Plußrichtung
vom Verbraucherstrom durchflossen sind. Das sind die Ventile 20 und 23. Das Überwachungsventil
2'7 wird dann von einem proportionalen Strom durchflossen, wenn die Halbleiterelemente
22 und 21 den Verbraucherstrom führen. ?.ach dieser
Erläuterung
ist die Arbeitsweise der Anordnung nach Figur 7 ohneweiteres verständlich. Je eines
der Überwachungselemente 26 bzw. 27 überwacht jeweils ein Paar der Halbleitergleichrichterelemente
20 bis 23.If the consumer current flows through the valve arrangement 1 in the flow direction, a corresponding current also flows in the monitoring measuring circuit via the monitoring element 11 after the current gate 18 has been appropriately ignited or controlled for passage. If the blocking half-wave occurs for valve 1, then when the current via the current gate approaches the value Null_mit 8rreiehen the breakaway current of the same, this current gate goes into the blocking state. During the passage of current, the monitoring element 11 has been correspondingly heated: If a constant current is now sent from the device 17 via the element 11, then. figure
again, as already explained according to / 3 in connection with FIG.
has been tert, on the semiconductor element in its flow direction, a corresponding voltage drop -measured, the size of which is a measure of the temperature on the semiconductor element to be monitored of the valve 1 is. -Will in an arrangement according to Figure 5 with a utilization of the Blocking characteristics for the temperature measurement worked, etrobei in this-
its case in the measuring period the monitoring semiconductor = elements U is fed with constant voltage, then the current tflr in the positive blocking direction is simultaneously stressed by this voltage, without a larger current being able to take its course via this current gate The reverse voltage applied to the monitoring semiconductor element 11 results in a corresponding reverse current across the valve which, depending on which of the characteristics of the family of curves according to FIG. 6 corresponds to the temperature value, has a correspondingly different one constant voltage U3. If, taking into account y of the characteristic curve diagram according to FIG. 6, the temperature at the monitoring element 1 £ 3 ale image of the semiconductor elements in valve 1 reaches a correspondingly high v @ # 'ert, which corresponds to a correspondingly high reverse current, a Appropriate facility to respond. and according to the line of action 9 bring about, for example, an opening of the switch 10. In the general part of the description it has already been pointed out that the subject of the notification can also be used accordingly if there is a bridge circuit in the relevant converter system. For a corresponding application of the subject of the registration in the case where the Häb time rectifier element used for monitoring. is located in a Lteßkreis coupled to a strand of the converter system, that is coupled to a supply line to the bridge circuit, entsprew sponding embodiments show "Figures 7 to 9 of the drawing. 19 designates 7.A single-phase rectifier bridge circuit Obergurig in figure whose semiconductor elements 20 to 23 The current transformer 3 is switched on into one of the two feed lines 24 and 25, and via its secondary winding 3a it again feeds a measuring resistor in which the adjustment resistor and the two monitoring semiconductor elements 26, 27 are arranged, which, like can be seen from the circuit, are connected in opposite-parallel to one another. for example again those in the manner of an element 5 according to the
.x)
Figures 1 b, w. 2, which with a corresponding thermal
*) Thermal sensor or element are equipped. The monitoring element 26 then serves to monitor those semiconductor elements of the rectifier bridge circuit 19 which, with this monitoring valve, are simultaneously traversed by the consumer current in the positive direction. These are the valves 20 and 23. A proportional current flows through the monitoring valve 2'7 when the semiconductor elements 22 and 21 carry the consumer current. After this explanation, the mode of operation of the arrangement according to FIG. 7 is readily understandable. One of the monitoring elements 26 and 27 each monitors a pair of the semiconductor rectifier elements 20 to 23.
Die Figur 8 ist ein Ausführungsbeispiel dafür, däß in Verbindung
mit .einer Anordnung-nach Figur 7 nicht mit Überwachungselementen
gearbeitet werden -soll, die entsprechende@Thermoelemente-aufwei-
1 vI-lhermofühler bzw. sen, sondern daß von einer Messung Gebrauch gemacht werden
soll, bei welcher im Sinne der Figur 3 jeweils in der Meßperiodedder Durchlaßspannungeabfall-an
dem in der vorausgehenden Stromführungsperiode aufgeheizten Überwachungshalbleiterelement
gemessen werden soll.-Es ist also in diesem Falle in Figur 7 die den Anschl.ußklemmen
28 und 29 nach rechts folgende- Schaltung durch die Schaltung nach. Figur 8 zu ersetzen,
Es sind in diesem Falle wieder sinngemäß zwei Überwachungselemente im.Sinne von
1"1 nach Figur 3 zugeordnet, die mit 30 bzw. 31 bezeichnet sind, zwei Ventile im
Sinne von 12, die mit 32 und 33 bezeichnet sind, und zwei Ventile im.Sinne von 13
nach Figur 3, die mit 34 und 35 bezeichnet sind: Das Überwachungselement 30 würde
in einer solchen abgeänderten Schaltung nach Figur 7 wieder die Elemente 22 und
23 überwachen, das Überwachungselement 31 die Ventile 22 und 21.FIG. 8 is an exemplary embodiment for this in connection with an arrangement according to FIG. 7 not with monitoring elements
be worked -should, the corresponding @ thermocouples-aufwei-
1 vI-thermo sensor or sen, but that use should be made of a measurement in which, in the sense of FIG in FIG. 7 the circuit following the connection terminals 28 and 29 to the right by the circuit according to. 8. In this case, two monitoring elements in the sense of 1 "1 according to FIG. 3 are again assigned, which are labeled 30 and 31, respectively, and two valves in the sense of 12, which are labeled 32 and 33, and two valves in the sense of 13 according to FIG. 3, which are denoted by 34 and 35: in such a modified circuit according to FIG. 7, the monitoring element 30 would again monitor the elements 22 and 23, the monitoring element 31 the valves 22 and 21.
.Die Figur 9 zeigt die 'sinngemäße Anwendung einer 1'Ießschaltung;
nach Pigur 5. Diese Überwachungselemente sind in Figur 9, die wieder in der Schaltung
nach Figur 7 an die Klemmen 28 und 29 angeschlossen seih Würde, mit "36 bzw. 3`j
bezeichnet. Jeder der* Meßkreise enthält gleichzeitig wieder- nach Art des Stromtores
18 . der Figur 5 ein Stromtor 38 bzw. -39,
Die nach Figur 7,gemessenen
Werte werden einer entsprechenden MeB- und Auelüseeinrichtung 8#, die nach den Figuren
8 bzw. 9 gemessenen Spannungswerte in Plußrichtung bzw. Stromwerte in .Sperrichtung
nach Figur 8 bzw. 9_einer Einrichtung 141 bzw. 17' .zugeführt, die den Einrichtungen
14 bzw. 17 nach den Figuren 3 und 5 entsprechen. Zur Erzielung einer Eindeutigkeit
in der Überwachung der den Verbraucherstrom führenden Halbleiterelemente durch die
Überwachungahalbleiterelemente kann es sich als zweckmäßig erweisen, die letzteren
derart anzuordnen, daß sie den gleichartigen Kühl-'. bedingungen in der Anlage unterworfen
sind wie die zu überwachenden Halbleiterelemente. Das kann z.8., wenn eine künstliche
Kühlung der den Verbraucherstrom führenden Halbleiterelemente in einem besonderen
Kühlschacht benutzt wird, dadurch erfolgen, daß die den Verbraucherstrom führenden
Halbleiterelemente als auch die Über@rachungshalbleiterelemente in der gleichen
Strecke des Kühl-. Weges im Kühlschacht angeordnet werden. Es liegt jedoch
auch gegebenenfalls im Rahmen der Erfindung, die Übenwachungshalbleiterelemente
Kühlbedingungen zu unterwerfen, die von denjenigen abweichen, welchen die den Verbraucherstrom
führenden Halbleiterelemente ausgesetzt sind. Es läßt sich nämlich auf diese Weine
erreichen, daß die Empfindlichkeit, mit welcher die Überwachulgshalbleiterelemente
bei der Beanspruchung der den Verbraucherstrom führenden Elemente ansprechen, eine
relative Dosierung erfahren kann. Wird beispielsweise unterstellt, daß die den .
'erbraucherstrom führenden Halbleiterelemente und die diese
über-
,achenden Halbleiterelemente ein gleichartiges Güteverhalten
auf
eisen, und es wird ,jedoch das einer Gruppe von den Verbraucher-
trom- führenden lIalbleiterelementer. zugeordnete Überwachung.sele-
ient im V;ege eines Kühlkanals im Kühlmittelstrom in einer
;;trecke
ngeordnet, die derjenigen nachfolgt, in welcher die den Verbrau-
herstrom führenden Elemente angeordnet sind, so ist zu übersehen,
aß das Überwachungshalbleiterelement von einem bereits vorgewärm-
en Kühlmittel bespült wird. Es wird daher also früher eine
An-
eige bzw.Ageldung liefern, als wenn es zusammen mit den zu
über-
achenden, den Verbraucherstrom führenden Halbleiterelementen
in
er gleichen Strecke des' Kühlmittelweges angear dnet wäre.
Eine
hnliche Wirkung in umgekehrtem Sinne würde. sich dadurch erreichen
assen, daß ein zur Überwachung dienendes Halbleiterelement
in
iner ,trecke des Kühlmittelweges angeordnet wird, die vor derje-
igen liegt, in welcher die den Verbraucherstrom führenden Halb-
eiterelemente angeordnet sind, wobei in diesem Falle unterstellt
ird, daß die zu diesem Überwachungselement gehörigen Verbraucher-
tromelemente in einer Strecke angeordnet sind, die einer voraus-
ehenden Kühlmittelstrecke einer anderen Gruppe von den Verbraucher-
tram führenden Gleichrichterelementen nachfolgt.
liegt ferner im Rahmen der 7?rfindung, das jeweilige Überwaehungs-
ilbleiterelement für eine Anzahl von den Verbraucherstrom führen-
en llalbleiterelementen für einen vorbestimmten Gütewert eines
Drbestimmten Toleranzbereiches der Gütewerte--der den Verbraucher-'
trom führenden, zu-überwachenden. Halbleiterelemente zu bemessen.
Ausführlicher dargestellt bedeutet das, daß das Überwachungshalbleiterelement
beispielsweise derart ausgewählt wird, daß es einen geringeren Gütewert aufweist
als der mittlere Gütewertbereich, der.für die den Verbraucherstrom führenden Halbleiterelemente
unterstellt wird. Die Folge wird sein, daß das Übe rwachungshalbleiterelement eine
größere Erwärmung erfährt relativ zu derjenigen,,welche die einen höheren Gütewert
aufweisenden, den Verbraucherstrom.führenden Halbleiterelemente besitzen. Das Überwachungahalbleiterelement
wird also früher ansprechen, als es der Fall wäre, wenn die den Verbraucherstrom
führenden Halbleiterelemente in dem angenommenen Gütewertbereich@mit dem Gütewert@des
Überwachungshalbleiterelementes etwa übereinstimmen. r.Die Figure 9 shows the 'analogous use of a 1'Iess circuit; According to Pigur 5. These monitoring elements are designated in FIG. 9, which would again be connected to terminals 28 and 29 in the circuit according to FIG Current gates 18 of FIG. 5 a current gate 38 or -39, the values measured according to FIG 8 and 9, respectively, to a device 141 and 17 ', which correspond to the devices 14 and 17, respectively, according to Figures 3 and 5. To achieve clarity in the monitoring of the semiconductor elements carrying the load current by the monitoring semiconductor elements, it can prove to be expedient to arrange the latter in such a way that they are subject to the same cooling conditions in the system as the semiconductor elements to be monitored Liche cooling of the semiconductor elements carrying the consumer current is used in a special cooling shaft, in that the semiconductor elements carrying the consumer current as well as the monitoring semiconductor elements are in the same section of the cooling. Path are arranged in the cooling shaft. However, it may also be within the scope of the invention to subject the monitoring semiconductor elements to cooling conditions which differ from those to which the semiconductor elements carrying the consumer current are exposed. This is because it can be achieved with these wines that the sensitivity with which the monitoring semiconductor elements respond when the elements carrying the consumer current are stressed can experience a relative dosage. For example, it is assumed that the. '' semiconductor elements carrying consumer electricity and the over-
, paying attention to semiconductor elements have a similar quality behavior
iron, and it will, however, be that of a group of consumer
current-carrying conductor elements. assigned monitoring.sele-
ient in the V; ege of a cooling channel in the coolant flow in a ;; route
which follows the one in which the consumer
elements leading to the current are arranged, it can be overlooked
ate the monitoring semiconductor element from an already preheated
en coolant is flushed. There is therefore an earlier
deliver their own or compensation, as if it were together with the
careful, the consumer current leading semiconductor elements in
he same distance of the 'coolant path would be dnet. One
would have a similar effect in the opposite sense. achieve yourself through it
assen that a semiconductor element serving for monitoring in
iner, section of the coolant path is arranged, which is before each
igen lies in which the half-
pus elements are arranged, assumed in this case
ird that the consumers belonging to this monitoring element
flow elements are arranged in a path that a preceding
existing coolant line of a different group from the consumer
tram leading rectifier elements follows.
is also within the scope of the invention, the respective monitoring
conductor element for a number of the consumer
en llalleitelemente for a predetermined quality value of a
A certain tolerance range of the quality values - which the consumer '
trom leading, to-be-monitored. To dimension semiconductor elements.
In more detail, this means that the monitoring semiconductor element is selected, for example, in such a way that it has a lower quality value than the mean quality value range which is assumed for the semiconductor elements carrying the consumer current. The consequence will be that the monitoring semiconductor element experiences greater heating relative to that which has the semiconductor elements which carry the consumer current and which have a higher quality value. The monitoring semiconductor element will therefore respond earlier than would be the case if the semiconductor elements carrying the load current in the assumed quality value range @ roughly match the quality value @ of the monitoring semiconductor element. r