DE1225765C2 - Elektrischer Kondensator mit spannungsabhaengiger Kapazitaet, bestehend aus einem Halbleiterkoerper - Google Patents
Elektrischer Kondensator mit spannungsabhaengiger Kapazitaet, bestehend aus einem HalbleiterkoerperInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 13
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 title claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 15
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims description 2
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000158147 Sator Species 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002101 lytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft einen elektrischen Konden- Voraussetzung gilt unabhängig davon, welchen Wert
sator mit spannungsabhängiger Kapazität, der aus die Kapazität C einnimmt, der sich bei dem Vereinem
Halbleiterkörper besteht und der insbesondere 6° Stärkungsvorgang einstellt. Lediglich die Ungleichung
zur parametrischen Verstärkung von Mikrowellen 1 1
dient. <β ω <s
Es ist allgemein bekannt, daß ein Schwingungskreis Rp-C R8- C
mit einem nichtlinearen Blindwiderstand, der beim muß erfüllt sein.
Anlegen einer ersten Schwingung großer Amplitude 65 .. I11. ... „
„ e α· c uu -UJ-PL- u Um „ „ klein zu halten, muß weiter voraus-
aut die Subharmonische dieser Schwingung abge- Rp-C
stimmt ist, eine subharmonische Schwingung erzeugt. gesetzt werden, daß Rv einen verhältnismäßig großen
Wird zur Steuerung der erzeugten Subharmonischen Widerstand darstellt. Dies ist dann gegeben, wenn der
pn-Übergang in Sperrichtung gepolt ist. Ein gebräuchlicher
Wert für den Widerstand Rp ist bei Germanium 105 bis 10eOhm und bei Silizium 107 bis 108 Ohm.
Damit' „ ■„ sehr groß wird, müssen C und R8
K8-C
sehr klein sein. Bekanntlich kann die Kapazität C auf ungefähr 1 pF gebracht werden und der Widerstand
Rs auf ungefähr 1 Ohm.
Bei diesen Bedingungen ergibt sich für ein
Kp · C
Wert von ungefähr 1 MHz bei Germanium, der auf 10 kHz bei Silizium absinkt. Hingegen erreicht der
1
Seite des Übergangs liegt, nämlich in dem Gebiet der
geringeren Leitfähigkeit, wird bekanntlich diesem Gebiet ein großer Querschnitt bis in die Nähe der
Ubergangszone zugeordnet. In diesem Fall ist der Widerstandes nicht umgekehrt proportional der
Sperrschichtfläche, sondern ist durch folgende Gleichung
bestimmt:
2nb
Wert für
-=- mehrere hundert GHz.
Die Rauschzahl ist dabei um so geringer, je kleiner der Widerstand Rs ist. Der eigentliche Verstärker
wird durch den Blindwiderstand des pn-Übergangs und die Rauschquelle durch den Ohmschen Widerstand
Rs gebildet.
Der maximale Verstärkungsfaktor eines parametrischen Verstärkers wird für das obere Seitenband
bei Mikrowellen durgh folgende Gleichung ausgedrückt:
/ι
Hierin ist J1 die Frequenz des zu verstärkenden Signals,
/2 die Frequenz des verstärkten Signals, (/2—/1) ist
die Frequenz des Hilfsgenerators, dessen Leistung zur Verstärkung des Signals der Frequenz J1 dient..
χ ist eine reduzierte Variable, die sich aus folgender
Gleichung ergibt:
mit μ = \lC™ax . Das heißt, μ ist gleich der Quadrat-
\ C min
wurzel aus dem Verhältnis der Extremwerte, die die variable Kapazität am pn-Übergang einnehmen kann.
Der errechnete, optimale Wert hierfür beträgt 1 + j/2 ;
fc = ■, η ^ stellt die Güteziffer des pn-Über-
Z π K8- Cmm
gangs dar, ausgedrückt als Grenzfrequenz. Die Kapazität Cmin ist die Kapazität des in Sperrichtung
gepolten pn-Übergangs bei einer Spannung, die etwas geringer ist als die Durchbruchspannung, d. h.
die maximal zulässige Sperrspannung.
Bei einem parametrischen Verstärker für das untere Seitenband ergibt sich ebenfalls, daß der pn-Übergang
Schwingungen um so höherer Frequenz verstärkt, je höher die Gütezahl/eist.
Die obenstehenden Ausführungen zeigen deutlich, daß die Verstärkungsei genschaften eines parametrischen
Verstärkers von dem Produkt aus Minimalkapazität Cmin und Serienwiderstand Rs und von dem Verhältnis
Maximalkapazität zu Minimalkapazität abhängen. Die Minimalkapazität CnHn ist nach S h ο c k 1 e y
gegeben durch folgende Formel:
C„„-„ =- Ka*-S-V:'l
Hiervon ist Vmax die in Sperrichtung angelegte
Spannung unter Abzug der Kontaktspannung, α der Gradient der Verteilung der Fremdatome im Bereich
des pn-Übergangs, S die Querschnittsfläche des pn-Übergangs und K eine Konstante.
Da der Widerstand R3 im wesentlichen auf einer Hierin ist ρ der spezifische Widerstand in Ohm des betrachteten Gebiets und b der Radius des pn-Ubergangs in Zentimeter, kreisförmig angenommen. Da ρ = π b%, ergibt sich für die Formel 3
Da der Widerstand R3 im wesentlichen auf einer Hierin ist ρ der spezifische Widerstand in Ohm des betrachteten Gebiets und b der Radius des pn-Ubergangs in Zentimeter, kreisförmig angenommen. Da ρ = π b%, ergibt sich für die Formel 3
Die Formeln 2 und 4 zeigen, daß die Kapazität Cm%n
proportional dem Querschnitt des pn-Übergangs ist, während der Widerstand Rs umgekehrt proportional
mit der Quadratwurzel des Querschnitts ansteigt. Das Produkt R8 · Cmin variiert mit der Quadratwurzel
des Querschnitts S, der damit also gering sein muß.
Um den Widerstand R8 zu verringern, könnte auch
der spezifische Widerstand ρ herabgesetzt werden, indem die Dotierung des Hälbleiterkörpers heraufgesetzt
wird; diese Maßnahme bedingt aber eine Verringerung der maximal zulässigen Sperrspannung
und hat zur Folge, daß der zu erreichende Wert der Minimalkapazität Cmin vergrößert wird.
Wenn geringe Werte für den spezifischen Widerstand
ρ und für den Querschnitt S erzielt werden sollen, dann muß also vermieden werden, daß bestimmte
Grenzwerte unterschritten werden, weil sonst die maximal zulässige Sperrspannung Vmax an
dem pn-Übergang zu gering für irgendeinen Anwendungszweck wird. ' ,
Die bisher erzielten besten Resultate wurden mit Siliziumdioden mit Diffusionsübergängen bei einem
Verteilungsgradienten der Fremdatome von 1023 bis 1024 Atomen/cm4 erhalten. Die Gütezahlen betragen
hierbei 60 bis 120 GHz und können je nachdem auch 200 GHz erreichen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht nun darin, den pn-Übergang eines Halbleiterkörpers, der als
Kondensator mit spannungsabhängiger Kapazität für parametrische Verstärker für Mikrowellen dient, so
zu gestalten, daß eine höhere Gütezahl bei einer . geringeren Rauschzahl gegenüber den bisher bekannten
pn-Ubergängen bei Halbleiterkörpern erzielt wird,
d. h., das Verhältnis Cmax : Cmin soll einen optimalen
Wert erreichen. Außerdem soll ein Herstellungsverfahren beschrieben werden, das es gestattet, die
Herstellungstoleranzen von solchen Halbleiterkörpern in befriedigenden Grenzen zu halten.
Die Aufgabe wird durch einen elektrischen Kondensator mit spannungsabhängiger Kapazizätt gelöst,
6ü welcher aus einem Halbleiterkörper besteht, der in
seinem Innern einen flächenförmigen pn-Übergang sowie einen Verteilungsgradienten der Fremdatome
zwischen den beiden Elektroden über den pn-Ubergang aufweist und der eine mit dem pn-Übergang in
Verbindung stehende Zone besitzt, deren zum pn-Übergang parallel liegende Querschnittsfläche sich
stetig mit dem Abstand vom pn-Übergang ändert, wobei erfindungsgemäß der Verteilungsgradient der
Fremdatome in der Nachbarschaft des pn-Überganges 10ie bis 1021 Fremdatome je Kubikzentimeter
und je Zentimeter beträgt und die Zone mit stetiger Querschnittsänderung kegelförmig gestaltet ist und der
Winkel Θ zwischen der Ebene des pn-Übergangs und dem Kegelmantel zwischen 1 und 10° beträgt
sowie der pn-Übergang innerhalb der kegelförmigen Zone liegt.
Das Herstellungsverfahren eines solchen erfindungsgemäßen elektrischen Kondensators besteht darin,
daß der Halbleiterkörper aus einem Monokristall geschnitten wird, der durch Ziehen bei einer dem
gewünschten Verteilungsgradienten der Fremdatome der Übergangsschicht entsprechenden Geschwindigkeit
gewonnen wird, und daß dieser Halbleiterkörper anschließend in ein elektrolytisches Bad bei umgekehrter
Spannung gebracht wird, um im η-Bereich des Halbleiters in unmittelbarer Nachbarschaft des pn-Übergangs
eine Einschnürung zu bilden dergestalt, daß der Halbleiter zum p-Bereich hin zu einem sehr
stumpfen, den pn-Übergang umfassenden Kegel geformt wird und der pn-Übergang die gewünschte
Flächenausdehnung erhält.
Die Erfindung wird nachstehend für ein Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnungen näher as
erläutert. Es zeigt
F i g. 1 einen Halbleiterkörper gemäß der Erfindung,
F i g. 2 die Ladungsträgerverteilung zu beiden Seiten des pn-Übergangs,
F i g. 3 eine graphische Darstellung, bei der die Kapazität C in Abhängigkeit von der angelegten
Spannung für verschiedene Halbleiterkörper dargestellt ist.
In der F i g. 1 ist das η-Gebiet mit 1 bezeichnet und das p-Gebiet mit 3. Der pn-Übergang ist mit 2 bezeichnet.
Mit 4 und 5 sind von pn-Übergang unabhängige Kontakte bezeichnet.
An das p-Gebiet 3 schließt sich ein sehr flacher Kegelstumpf oder Konus an, der eine Einschnürung
im η-Gebiet aufweist. Der pn-Übergang befindet sich nicht an der Stelle des minimalen Querschnitts,
sondern in der kegelförmigen Zone, und zwar dort, wo die Querschnittsänderung am größten ist. Auf
diese Weise wird eine große Kapazitätsänderung in Abhängigkeit von der angelegten Spannung erzielt,
so daß der Kapazitätswert schneller als proportional mit dem reziproken Wert der Kubikwurzel der
Spannung ansteigt. Wenn ein pn-Ubergang eines bekannten Halbleiters unter der Wirkung einer angelegten
Spannung Kais Kondensator betrachtet wird, dessen Beläge die Gebiete entgegengesetzter Ladung
auf der einen und der anderen Seite des Übergangs sind, dann ergibt sich bekanntlich, daß sich die
Kapazität umgekehrt proportional mit der Kubikwurzel der Spannung V ändert, wobei angenommen
werden kann, daß die Oberfläche dieser Beläge konstant bleibt, während der Abstand der Beläge
obenstehendem Gesetz folgt.
Wenn der pn-Ubergang, wie in F i g. 1 und 2 dargestellt, sich in der kegelförmigen Zone des
Halbleiterkörper befindet, deren Erzeugende einen Winkel
<~) mit der Ebene des pn-Übergangs bildet, der sehr klein ist, dann bewirkt eine Vergrößerung der
Spannung V eine Verringerung der Oberfläche des Kondensatorbelages, je größer der Abstand der Beläge
wird, während die Oberfläche des anderen Kondcnsatorbelagcs
gleichzeitig leicht ansteigt. Bei dem Halbleiterkörper nach der Erfindung ergibt sich
demnach eine Verringerung der Oberfläche des Kondensatorbelages, wenn der Abstand zwischen
seinen Belägen vergrößert wird, und zwar proportional mit der Kubikwurzel, womit demnach eine Kapazitätsverringerung verbunden ist, die schneller als die durch
das Gesetz V 5 gegebene ist. Diese anwachsende
Nichtlinearität der Kapazitätsänderung in Abhängigkeit von der angelegten Spannung geht deutlich aus
dem Vergleich der Kurven 1 und 2 der Fig. 3 hervor,
die empirisch ermittelt wurden.
Die Kurve 1 entspricht einem pn-Übergang, der in einem Halbleiterkörper gemäß der Erfindung angeordnet
ist, wobei ein Verteilungsgradient der Fremdatome von 1020 Atomen/cm4, ein kreisförmiger
Querschnitt des pn-Ubergangs mit einem Durchmesser von 100 μ vorgesehen ist, der so in dem kegelförmigen
Teil des Halbleiterkörpers angeordnet ist, wie es in F i g. 1 und 2 dargestellt ist. Der Winkel Θ
beträgt dabei einige Grad. Auf diese Weise erreicht der Faktor
μ =
fast den theoretischen Optimalwert 1 -\- ]/2.
Die Kurve 2 entspricht einem pn-Übergang bei gleichem Verteilungsgradienten und gleichem Querschnitt,
wobei aber der pn-Übergang in dem engsten Teil der Einschnürung angeordnet ist, d. h. in einem
zylindrischen Profil, dessen Erzeugende mit der Ebene des pn-Übergangs einen Winkel von 90° bildet.
Die Kurve 3 ist zum Vergleich aufgetragen, und zwar mit dem gleichen Maßstab wie die Kurven 1
und 2. Sie zeigt die Kapazitätsänderung in Abhängigkeit von der angelegten Spannung bei einer »Mesadiode«
aus Silizium, deren Verteilungsgradient 1023 bis 1024 Atome/cm4 beträgt und wobei der pn-Übergang
in einem nahezu zylindrischen Profil untergrebacht ist.
Bei dem Halbleiterkörper gemäß der Erfindung ergibt sich außerdem noch der Vorteil, daß der Widerstand
Rg des pn-Übergangs leicht abnimmt, wenn die
angelegte Spannung ansteigt. Der Widerstand Rs wird
im wesentlichen durch das p-Gebiet gebildet, d. h. durch das Gebiet, wo sich der größere Kondensatorbelag
befindet, dessen Oberfläche, wie leicht einzusehen ist, mit zunehmender Spannung V anwächst, so
daß der Widerstand R8 zwangläufig kleiner wird. Mit dem oben beschriebenen elektrischen Kondensator
kann also ein parametrischer Verstärker mit maximalem Gewinn und geringster Rauschzahl aufgebaut
werden.
Das Herstellungsverfahren für einen derartigen elektrischen Kondensator mit nichtlinearer Kapazität
gemäß der Erfindung ist folgendes:
Eine halbleitende Substanz, vorzugsweise Germanium, wird zur Herstellung eines Monokristalls
verwendet, der zwei Gebiete, nämlich ein n-Gebiet und ein p-Gebiet, besitzt. Vorausgesetzt, daß der
Übergang in Richtung von ρ nach η vollzogen wird, sind die Herstellungsschritte folgende:
1. In das Germaniumbad wird ein gewisser Anteil von Fremdatomen des Akzeptortyps wie Indium
oder Gallium eingeführt, um ein Halblcitergebiet des Typs ρ mit bestimmtem spezifischem Widerstand
zu erhallen.
7 8
2. Ziehen eines Monokristalls im p-Bereich mit bestimmten Querschnitts zu erhalten, die in einer kegeleiner
bestimmten Länge. förmigen Zone mit optimalem Spitzenwinkel an-
3. Beim fortgesetzten Ziehen, des Monokristalls geordnet ist.
wird, eventuell in steigendem Maße, der be- Abschließend sollen nachstehend die wichtigsten
stimmte Anteil von Donatorfremdatomen wie 5 Abmsssungjn, die Hsrsteüungsangibsn und die
Antimon oder Arsen hinzugefügt, um das Band Charakteristiken einss pn-Hilbleiters gsmiß der
vom Typ ρ zum Typ η übergehen zu lassen, so Erfindung ang^gsb^n wsrdan, dir zur paramstrischen
daß ein bestimmter spezifischer Widerstand im Verstärkung bsi Mikrowellen verwandet werden kann.
η-Gebiet erzielt wird.
,,τ? . . - ry. , , ., . . „ , . ίο Dimensionen eines Halbleiterstäbchens:
4. Fortsetzen des Ziehens des Monoknstalls bis
zum Erreichen einer bestimmten Länge des Länge des η-Gebiets 2 mm
η-Bereichs. Länge des p-Gebiets 1 mm
5. Aufteilen des Monokristalls in mehrere zylindri- Durchmesser des ^
sehe paraUelepipedische Stäbchen geringer Ab- 15 KhmlTef der Pin
μ
messungen mittels einer Säge oder einer Ultra- uurcnmesser der bin-
schallanlage, wobei jedes dieser Stäbchen einen »hnurung etwa 70 bis 80 μ
pn-Übsrgang enthält. Die Länge dieser Stäbchen Neigungswinkel etwa 1 b,s 10°
SX Gr£ornga5rnm,QUerSChnitt * . Herstellungsangaben:
6. Anlöten der sperrschichtfreien Kontakte 4 und 5 Material des Halbleiters.. Germanium
an diese Stäbchen. Spezifischer Widerstand
_' iv. . ,' ' , des P-Gebietes 0,01 Ohm/cm
7. Überziehen der sperrschichtfreien Kontakte 4 Spezifischer Widerstand
und 5 mit einem Schutzlack. Die Stäbchen 25 im n-Gebiet ...'.... 0,002 Ohm/cm
werden in ein elektrolytisches Bad gebracht, Verteilungsgradient der
um sie anschließend einer selektiven elektro- Fremdatome 1020 Atome/cm4
lytischen Behandlung zu unterziehen. Das Ver- Ziehgeschwindigkeit ..... 200 mm/Std
fahren besteht darin, daß der in Sperrichtung vor- Elektrolytische Behandlung 5 bis 10 mA während
gespannte Halbleiter mit seinem Übsrgangs- 30 2 bis 3 Stunden
widerstand durch den Elektrolyten überbrückt 2 bis 4 mA während
ist, wodurch die verschiedenen Stellen des Halb- ungefähr 1 Stunde
leiterkörpers mehr oder weniger, je nach den Spezifischer Widerstand
Arbeitsbedingungen, angegriffen werden, bei des Elektrolyten ·. größer als 1000 Ohm
denen die Leitfähigkeit des Elektrolyts eine 35
besondere Rolle spielt. Charakteristiken des Halbleiters gemäß der Erfindung:
Widerstand in der Durch-
. Durch geeignete Wahl des Elektrolyten, der Zeit laßrichtung [Rs] 0,6 Ohm
des Einwirkens der Elektrolyse und der Stromstärke Minimale Kapazität [Cm(n] 0,25 pF
ist es auf diese Weise möglich, einen pn-Übsrgang 40 Güteziffer [/c] 1000 GHz.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
309 620/436
Claims (4)
1. Elektrischer Kondensator mit spannungs- und wird parametrischer Verstärker genannt,
abhängiger Kapazität, bestehend aus einem Halb- 5 Halbleiter als nichtlineare Blindwiderstände oder leiterkörper, der in seinem Innern einen flächen- bei genügend hohen Frequenzen als Schwingungsförmigen pn-Übergang sowie einen Verteilungs- kreise mit nichtlinearer Kapazität zu verwenden, ist gradienten der Fremdatome zwischen den beiden ebenfalls bekannt. Die Ubergangsschicht eines pn-Halb-Elektroden über den pn-Übergang aufweist und leiters stellt nämlich eine variable Kapazität in Abder eine mit dem pn-Übergang in Verbindung io hängigkeit von der angelegten Sperrspannung dar. stehende Zone besitzt, deren zum pn-Übergang Es ist bekannt, einen Halbleiterkörper mit variaparallel liegende Querschnittsfläche sich stetig mit bier Kapazität derart auszubilden, daß sich seine, dem Abstand vom pn-Übergang ändert, d a d u r ch zum pn-übergang parallele Querschnittsflache sprunggekennzeichnet, daß der Verteilungs- haft mit dem Abstand vom pn-übergang ändert (östergradient der Fremdatome in der Nachbarschaft 15 reichische Patentschrift 180 958).
abhängiger Kapazität, bestehend aus einem Halb- 5 Halbleiter als nichtlineare Blindwiderstände oder leiterkörper, der in seinem Innern einen flächen- bei genügend hohen Frequenzen als Schwingungsförmigen pn-Übergang sowie einen Verteilungs- kreise mit nichtlinearer Kapazität zu verwenden, ist gradienten der Fremdatome zwischen den beiden ebenfalls bekannt. Die Ubergangsschicht eines pn-Halb-Elektroden über den pn-Übergang aufweist und leiters stellt nämlich eine variable Kapazität in Abder eine mit dem pn-Übergang in Verbindung io hängigkeit von der angelegten Sperrspannung dar. stehende Zone besitzt, deren zum pn-Übergang Es ist bekannt, einen Halbleiterkörper mit variaparallel liegende Querschnittsfläche sich stetig mit bier Kapazität derart auszubilden, daß sich seine, dem Abstand vom pn-Übergang ändert, d a d u r ch zum pn-übergang parallele Querschnittsflache sprunggekennzeichnet, daß der Verteilungs- haft mit dem Abstand vom pn-übergang ändert (östergradient der Fremdatome in der Nachbarschaft 15 reichische Patentschrift 180 958).
des pn-Ubergangs 1019 bis 1021 Fremdatome je Es ist ferner bekannt, einen Halbleiterkörper mit
Kubikzentimeter und je Zentimeter beträgt, daß pn-übergang derart zu ätzen, daß er in der Umge-■
die Zone mit stetiger Querschnittsänderung kegel- bung des pn-Übergangs eingeschnürt wird und die
förmig gestaltet ist und der Winkel Θ zwischen Form eines Pyramidenstumpfes annimmt (deutsche
der Ebene des pn-Übergangs und dem Kegelmantel 20 Auslcgeschrift 1 029 483).
zwischen 1 und 10° beträgt und daß der pn-Über- Entsprechend einem älteren, nicht zum Stand der
gang innerhalb der kegelförmigen Zone liegt. Technik gehörenden Vorschlag kann die Kapazitäts-
2. Elektrischer Kondensator nach Anspruch 1, änderung eines pn-Überganges in Abhängigkeit von
dadurch gekennzeichnet, daß sich an den kegel- der angelegten Vorspannung vergrößert werden, införmigen
Teil des Halbleiterkörpers in Richtung 25 dem der zwischen dem Übergang und einer der Enddes
Stromes ein weiterer Teil anschließt, dessen elektroden gelegenen Zone des Halbleiters eiri konti-Querschnittsfläche
stetig zunimmt. nuierlich oder stufenweise sich vermindernder Quer-
3. Verfahren zum Herstellen eines elektrischen schnitt gegeben wird (deutsches Patent 1 075 745).
Kondensators nach mindestens einem der An- In allen genannten Fällen sind die Halbleiterkörper
Sprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß 3O mit einem Verteilungsgradienten der Fremdatome
der Halbleiterkörper aus einem Monokristall über den pn-übergang versehen.
geschnitten wird, der durch Ziehen bei einer dem Während man bisher bei der Herstellung derartiger
gewünschten Verteilungsgradienten der Fremd- Halbleiter die größten Schwierigkeiten hatte, Halbatome
des pn-Übergangs entsprechenden Ge- leiterbauelemente mit gleichbleibenden, genau vorschwindigkeit
gewonnen wird, und daß er an- 35 geschriebenen Charakteristiken zu erhalten, was
schließend in ein elektrolytisches Bad bei um- bekanntlich die unerläßliche Voraussetzung für Halbgekehrter Spannung gebracht wird, um im η-Be- leiterkörper ist, die bei der parametrischen Verreich
des Halbleiters in unmittelbarer Nachbar- Stärkung von Mikrowellen Verwendung finden sollen,
schaft des pn-Ubergangs eine Einschnürung zu jst es mit der Lehre der vorliegenden Erfindung erstbilden
dergestalt, daß der Halbleiter zum p-Bereich 40 mais möglich, auf einfachste Weise diese hohen
hin zu einem sehr stumpfen, den pn-Übergang Genauigkeitsgrade zu erzielen, und zwar in erster
umfassenden Kegel geformt wird und der pn-Über- Linie dadurch, daß der Halbleiterkörper mit einem
gang die gewünschte Flächenausdehnung erhält. bestimmten Verteilungsgradienten der Fremdatome
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch ge- zwischen beiden Endflächen über den pn-Übergang
kennzeichnet, daß während des Ziehens des Halb- 45 uncj mjt einer bestimmten Formgebung im Bereich
leiter-Monokristalls der Schmelze die gewünschten des pn-Übergangs versehen wird.
Verunreinigungen mit einer zur Erzielung des ge- oas Ersatzschaltbild eines derartigen Halbleiterwünschten Verteilungsgradienten der Fremdatome körpers zeigt eine variable nichtlineare Kapazität C, im Bereich des pn-Übergangs erforderlichen Ge- der ein Widerstand R1, parallel geschaltet ist, wobei schwindigkeit zugesetzt werden. 50 die Kombination (C, Rv) in Serie mit einem Widerstand Rs liegt. Für die Verwendung als parametrischer Verstärker, der auf sehr hohe Frequenzen anspricht, muß dann vorausgesetzt werden, daß sich die Sperr-
Verunreinigungen mit einer zur Erzielung des ge- oas Ersatzschaltbild eines derartigen Halbleiterwünschten Verteilungsgradienten der Fremdatome körpers zeigt eine variable nichtlineare Kapazität C, im Bereich des pn-Übergangs erforderlichen Ge- der ein Widerstand R1, parallel geschaltet ist, wobei schwindigkeit zugesetzt werden. 50 die Kombination (C, Rv) in Serie mit einem Widerstand Rs liegt. Für die Verwendung als parametrischer Verstärker, der auf sehr hohe Frequenzen anspricht, muß dann vorausgesetzt werden, daß sich die Sperr-
_ schicht für die Betriebsfrequenz ω als reiner Blind-
55 widerstand verhält, d. h. daß die Impedanz des nichtlinearen Kondensators etwa „ beträgt. Diese
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1225765X | 1959-03-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1225765B DE1225765B (de) | 1966-09-29 |
| DE1225765C2 true DE1225765C2 (de) | 1973-05-17 |
Family
ID=9677415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1960B0056973 Expired DE1225765C2 (de) | 1959-03-11 | 1960-03-08 | Elektrischer Kondensator mit spannungsabhaengiger Kapazitaet, bestehend aus einem Halbleiterkoerper |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1225765C2 (de) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT180958B (de) * | 1951-02-16 | 1955-02-10 | Western Electric Co | Elektrische Schaltung mit einem Halbleiterelement |
| DE1029483B (de) * | 1954-01-28 | 1958-05-08 | Marconi Wireless Telegraph Co | Verfahren zur Herstellung von npn- oder pnp-Transistoren |
| DE1075745B (de) * | 1958-07-02 | 1960-02-18 | Siemens 6- Haiske Aktiengesellschaft-Berlin und München | Halbleiteranordnung mit einem pn-Übergang, insbesondere zur Verwendung als spannungsabhängige Kapazität |
-
1960
- 1960-03-08 DE DE1960B0056973 patent/DE1225765C2/de not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT180958B (de) * | 1951-02-16 | 1955-02-10 | Western Electric Co | Elektrische Schaltung mit einem Halbleiterelement |
| DE1029483B (de) * | 1954-01-28 | 1958-05-08 | Marconi Wireless Telegraph Co | Verfahren zur Herstellung von npn- oder pnp-Transistoren |
| DE1075745B (de) * | 1958-07-02 | 1960-02-18 | Siemens 6- Haiske Aktiengesellschaft-Berlin und München | Halbleiteranordnung mit einem pn-Übergang, insbesondere zur Verwendung als spannungsabhängige Kapazität |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1225765B (de) | 1966-09-29 |
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