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Technisches Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Antennenstruktur, die für
eine Vorrichtung für drahtlose Kommunikation, beispielsweise
ein Mobiltelefon, vorgesehen ist, sowie eine die Antennenstruktur
aufweisende Vorrichtung für drahtlose Kommunikation.
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Stand der Technik
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9 ist
eine schematische perspektivische Ansicht eines Beispiels einer
Antennenstruktur (siehe zum Beispiel Patentschrift 1). Die Antennenstruktur 40 weist
ein Antennenelement 41 auf. Das Antennenelement 41 ist
aus einem dielektrischen Träger 42 und einer einspeisenden
Strahlungselektrode 43 gebildet. Die einspeisende Strahlungselektrode 43 ist auf
dem dielektrischen Träger 42 gebildet und arbeitet
als Antenne. Die einspeisende Strahlungselektrode 43 weist
einen Schlitz S auf. Aufgrund des Schlitzes S weist die einspeisende
Strahlungselektrode 43 verglichen mit dem Fall, da kein
Schlitz S ausgebildet ist, eine lange elektrische Länge
(elektrische Länge) von einem einspeisenden Abschnitt Q,
der als ein Ende eines Strompfads der einspeisenden Strahlungselektrode 43 dient,
zu einem offenen Ende K, das als anderes Ende dient, auf. Durch
Verlängern der elektrischen Länge wird somit die
Größe der einspeisenden Strahlungselektrode 43 verringert,
während die einspeisende Strahlungselektrode 43 eine elektrische
Länge aufweisen kann, mit der die einspeisende Strahlungselektrode 43 bei
einem vorbestimmten Frequenzband drahtloser Kommunikation schwingt.
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Das
Antennenelement 41 ist zum Beispiel in einem Nichtmassebereich
Zp einer Leiterplatte 44 einer Vorrichtung für
drahtlose Kommunikation eingebaut. Die Leiterplatte 44 weist
einen Massebereich Zg, in dem eine Masseelektrode 45 ausgebildet
ist, und den Nichtmassebereich Zp, in dem keine Masseelektrode 45 ausgebildet
ist, auf. Das Antennenelement 41 ist an dem Nichtmassebereich
Zp angebracht. Wenn das Antennenelement 41 an einer vorbestimmten
Stelle in dem Nichtmassebereich Zp angebracht ist, ist der einspeisende
Abschnitt Q der einspeisenden Strahlungselektrode 43 durch
eine Einspeiseleitung 46, die an der Leiterplatte 44 vorgesehen
ist, mit einem Schaltkreis 47 für drahtlose Kommunikation
elektrisch verbunden.
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Wenn
bei der Antennenstruktur 40 zum Beispiel ein Signal für
drahtlose Übertragung von dem Schaltkreis 47 für
drahtlose Kommunikation zu der einspeisenden Strahlungselektrode 43 geliefert
wird, schwingt die einspeisende Strahlungselektrode 43 und
dann wird das Signal für drahtlose Übertragung drahtlos übertragen.
Wenn ferner ein Signal ankommt und die einspeisende Strahlungselektrode 43 schwingt,
um das Signal zu empfangen, wird das empfangene Signal von der einspeisenden
Strahlungselektrode 43 zu dem Schaltkreis 47 für
drahtlose Übertragung übertragen.
- [Patentschrift
1] Ungeprüfte japanische
Patentanmeldung Veröffentlichung Nr. 2006-203446 [Patentschrift 2]
Ungeprüfte japanische
Patentanmeldung Veröffentlichung Nr. 11-122024 [Patentschrift
3] Ungeprüfte japanische
Patentanmeldung Veröffentlichung Nr. 2003-78322
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Offenlegung der Erfindung
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Durch die Erfindung zu lösende
Probleme
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In
den letzten Jahren wird im Übrigen Miniaturisierung gefordert,
insbesondere bei einer Vorrichtung für drahtlose Kommunikation,
wie einem tragbaren mobilen Endgerät mit drahtloser Kommunikationsfunktion
(zum Beispiel einem Mobiltelefon). Aufgrund dieser Forderung ist
auch eine Miniaturisierung der Antennenstruktur erforderlich. Als
Reaktion auf diese Forderung muss zum Miniaturisieren des Antennenelements 41 auch
gezwungenermaßen die einspeisende Strahlungselektrode 43 miniaturisiert werden.
Wenn aber die einspeisende Strahlungselektrode 43 nur miniaturisiert
wird, wird die elektrische Länge ungenügend und
daher kann die Resonanzfrequenz der einspeisenden Strahlungselektrode 43 nicht
auf eine erwünschte Frequenz verringert werden. Dadurch
ist die einspeisende Strahlungselektrode 43 nicht in der
Lage, in einem vorbestimmten Frequenzband drahtloser Kommunikation
drahtlos zu kommunizieren. Somit ist es zum Miniaturisieren der einspeisenden
Strahlungselektrode 43 erforderlich, einige Maßnahmen
zum Verlängern der elektrischen Länge zu ergreifen.
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Als
Beispiel für die Maßnahmen wird beispielsweise
die Form der einspeisenden Strahlungselektrode 43 in einer
Mäanderform oder dergleichen ausgebildet, um die physikalische
Länge von dem einspeisenden Abschnitt Q zu dem offenen
Ende K zu verlängern, wodurch die elektrische Länge
verlängert wird. Wenn die vorstehenden Maßnahmen
ergriffen werden, wird die Form der einspeisenden Strahlungselektrode 43 komplex
und zudem wird die Pfadbreite der einspeisenden Strahlungselektrode 43 schmal.
Eine schmale Pfadbreite verursacht problematischerweise einen Anstieg
des Leitungsverlusts, und dadurch wird der Wirkungsgrad der Antenne
schlechter. Bei einer komplexen Form ergibt sich zudem ein Problem,
da es schwierig ist, die Resonanzfrequenz der einspeisenden Strahlungselektrode 43 anzupassen.
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Bei
der Konfiguration der Antennenstruktur 40 bestehen zudem
zusätzlich zu den Problemen in Verbindung mit Miniaturisierung
auch die folgenden Probleme. Das Antennenelement 41 ist
nämlich an der Leiterplatte 44 angebracht, daher
ist das Antennenelement 41 benachbart zu der Masseelektrode 45 angeordnet,
die für die Leiterplatte 44 unverzichtbar ist.
Dann wird das elektrische Feld der einspeisenden Strahlungselektrode 43 hin
zu der Masseelektrode 45 angezogen, was den Q-Wert erhöht.
Aus diesem Grund besteht ein Problem, da es schwierig ist, ein breites
Frequenzband für die drahtlose Kommunikation vorzusehen.
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Zudem
kann sich zum Beispiel eine Hand, die eine Vorrichtung für
drahtlose Kommunikation (zum Beispiel ein Mobiltelefon) hält,
oder eine bedienende Hand möglicherweise nahe der einspeisenden Strahlungselektrode 43 befinden.
Dann ist die Hand eine Masse, und daher pflegt sich eine Streukapazität
zwischen der einspeisenden Strahlungselektrode 43 und der
Hand zu bilden. Aufgrund der Streukapazität besteht ein
Problem, da die Antenneneigenschaft schwankt oder schlechter wird,
was die Zuverlässigkeit der drahtlosen Kommunikation beeinträchtigt.
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Mittel zum Lösen
der Probleme
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Die
Erfindung sieht die folgende Konfiguration als Maßnahmen
zum Lösen der vorstehenden Probleme vor. D. h. eine erfindungsgemäße
Antennenstruktur umfasst: ein Antennenelement, das so ausgebildet
ist, dass eine einspeisende Strahlungselektrode, die als Antenne
arbeitet, auf einem dielektrischen Träger vorgesehen ist;
und ein Substrat, das einen Massebereich, in dem eine Masseelektrode ausgebildet
ist, und einen Nichtmassebereich, in dem keine Masseelektrode ausgebildet,
aufweist, wobei das Antennenelement durch das Substrat so gelagert
ist, dass mindestens ein Abschnitt des Antennenelements in dem Nichtmassebereich
angeordnet ist, wobei die einspeisende Strahlungselektrode umfasst:
einen Zwischenpfad, der für elektrische Leitung mit einem
einspeisenden Abschnitt der einspeisenden Strahlungselektrode verbunden
ist und der so ausgebildet ist, dass er sich in einer Umfangsrichtung
an einer Seitenfläche des dielektrischen Trägers benachbart
zu dem Nichtmassebereich erstreckt; und einen Pfad an der Seite
des offenen Endes, der so ausgebildet ist, dass er sich entlang
eines Schleifenpfads erstreckt, der sich einmal von dem Ende des
Zwischenpfads in eine Richtung zum Trennen von dem Zwischenpfad
an einer Oberfläche des dielektrischen Trägers
erstreckt und dann hin zu dem Zwischenpfad zurückkehrt,
wobei ein offenes Ende des verlängerten distalen Endes
parallel zu und beabstandet von dem Zwischenpfad vorgesehen ist, wobei
der dielektrische Träger ein Komplex aus mehreren Trägerabschnitten
ist, die einen Trägerabschnitt mit einem in einem benachbarten
Bereich zwischen dem parallel angeordneten offenen Ende und dem
Zwischenpfad der der einspeisenden Strahlungselektrode ausgebildeten
Abschnitt umfasst, und wobei der Trägerabschnitt mit dem
in dem beabstandeten Bereich zwischen dem parallel angeordneten offenen
Ende und dem Zwischenpfad ausgebildeten Abschnitt aus einem dielektrischen
Material mit einer Dielektrizitätskonstante besteht, die
höher als Dielektrizitätskonstanten der anderen
Trägerabschnitte ist.
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Zudem
umfasst eine erfindungsgemäße Antennenstruktur:
ein Antennenelement, das so ausgebildet ist, dass eine einspeisende
Strahlungselektrode, die als Antenne arbeitet, auf einem dielektrischen Träger
vorgesehen ist; und ein Substrat, das einen Massebereich, in dem
eine Masseelektrode ausgebildet ist, und einen Nichtmassebereich,
in dem keine Masseelektrode ausgebildet, aufweist, wobei das Antennenelement
durch das Substrat so gelagert ist, dass mindestens ein Abschnitt
des Antennenelements in dem Nichtmassebereich angeordnet ist, wobei
die einspeisende Strahlungselektrode umfasst: einen Zwischenpfad,
der für elektrische Leitung mit einem einspeisenden Abschnitt
der einspeisenden Strahlungselektrode verbunden ist und der so ausgebildet
ist, dass er sich in einer Umfangsrichtung an einer Seitenfläche
des dielektrischen Trägers benachbart zu dem Nichtmassebereich
erstreckt; und einen Pfad an der Seite des offenen Endes, der so
ausgebildet ist, dass er sich entlang eines Schleifenpfads erstreckt,
der sich einmal von dem Ende des Zwischenpfads in eine Richtung
zum Trennen von dem Zwischenpfad an einer Oberfläche des
dielektrischen Trägers erstreckt und dann hin zu dem Zwischenpfad zurückkehrt,
wobei ein offenes Ende des verlängerten distalen Endes
parallel zu und beabstandet von dem Zwischenpfad vorgesehen ist,
und wobei ein dielektrisches Material mit einer Dielektrizitätskonstante,
die höher die des Trägerabschnitts ist, in dem
beabstandeten Bereich zwischen dem parallel angeordneten offenen
Ende und dem Zwischenpfad der einspeisenden Strahlungselektrode
ausgebildet ist.
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Ferner
umfasst eine erfindungsgemäße Vorrichtung für
drahtlose Kommunikation eine Antennenstruktur mit erfindungsgemäßer
gekennzeichneter Konfiguration.
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Vorteile
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Bei
der Erfindung ist das offene Ende der einspeisenden Strahlungselektrode
parallel zu und beabstandet von dem Zwischenpfad angeordnet, und
zwischen dem offenen Ende und dem Zwischenpfad ist eine Kapazität
ausgebildet. Das offene Ende ist ein Abschnitt mit dem stärksten
elektrischen Feld in der einspeisenden Strahlungselektrode. Somit
ist es durch Bilden der Kapazität zwischen dem offenen Ende
und dem Zwischenpfad möglich, die Kapazitätskomponente
der einspeisenden Strahlungselektrode effektiv zu vergrößern,
um dadurch die elektrische Länge zu verlängern.
Hierdurch kann die Erfindung die Resonanzfrequenz der einspeisenden Strahlungselektrode
stark verringern.
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Ferner
umfasst die Erfindung eine beliebige der folgenden Konfigurationen.
D. h. eine Ausgestaltung der Erfindung sieht eine Konfiguration
vor, dass ein dielektrischer Trägerabschnitt mit einem
in dem beabstandeten Bereich zwischen dem parallel angeordneten
offenen Ende und dem Zwischenpfad ausgebildeten Abschnitt aus einem
dielektrischen Material mit einer Dielektrizitätskonstante
besteht, die höher als die des anderen dielektrischen Trägerabschnitts
ist. Ferner sieht eine andere Ausgestaltung der Erfindung eine Konfiguration
vor, dass ein dielektrisches Material mit einer Dielektrizitätskonstante, die
höher als die des dielektrischen Trägers ist,
in dem beabstandeten Bereich ausgebildet ist. Bei diesen Konfigurationen
kann die Erfindung die Kapazität zwischen dem offenen Ende
und dem Zwischenpfad weiter vergrößern, um die
elektrische Länge zu verlängern, und daher ist
es möglich, die Resonanzfrequenz der einspeisenden Strahlungselektrode
zu verringern. Somit kann die Erfindung das Problem abschwächen,
dass die elektrische Länge ungenügend ist, und
daher ist es einfach, eine Miniaturisierung der einspeisenden Strahlungselektrode
zu fördern.
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Im Übrigen
weist bei der Erfindung die einspeisende Strahlungselektrode mehrere
Resonanzfrequenzen auf. Aus diesen mehreren Resonanzfrequenzen kann
dann durch Nutzen eines Grundmodus, der ein Resonanzbetrieb bei
einer Grundresonanzfrequenz ist, die die niedrigste Frequenz ist,
und eines höheren Modus, der ein Resonanzbetrieb bei einer
höheren Resonanzfrequenz ist, die höher als die
Grundresonanzfrequenz ist, eine drahtlose Kommunikation möglicherweise
mit einer einspeisenden Strahlungselektrode bei mehreren Frequenzen durchgeführt
werden.
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Zwischen
der höheren Resonanzfrequenz und der Grundresonanzfrequenz
ist die höhere Resonanzfrequenz im Wesentlichen ein integrales Mehrfaches
der Grundresonanzfrequenz. Wenn bei der vorstehenden Beziehung die
Grundresonanzfrequenz verringert wird, verringert sich auch die
höhere Resonanzfrequenz. Ferner wird die Resonanzfrequenz
der einspeisenden Strahlungselektrode im Allgemeinen durch Ändern
der Induktivitätskomponente der einspeisenden Strahlungselektrode
oder durch Ändern der Kapazitätskomponente angepasst,
und die Änderungsrate der höheren Resonanzfrequenz bezüglich
einer Änderung der Induktivitätskomponente der
einspeisenden Strahlungselektrode ist größer als
die Änderungsrate der Grundresonanzfrequenz.
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Zum
Eliminieren ungenügender elektrischer Länge aufgrund
von Miniaturisierung ergibt sich somit bei Anpassen der Resonanzfrequenz
durch Ändern der Induktivitätskomponente der einspeisenden Strahlungselektrode
das folgende Problem. Wenn nämlich die Grundresonanzfrequenz
durch Vergrößern der Induktivitätskomponente
der einspeisenden Strahlungselektrode auf eine Sollfrequenz gesenkt wird,
um die elektrische Länge zu verlängern, kommt es
zu einem Dachkapazitätsproblem. Das Dachkapazitätsproblem
bedeutet, dass die höhere Resonanzfrequenz übermäßig
jenseits des zulässigen Frequenzabweichungsbereichs sinkt.
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Durch
Vergrößern der Kapazität zwischen dem
offenen Ende und dem Zwischenpfad wird dagegen bei der Erfindung
die Kapazitätskomponente der einspeisenden Strahlungselektrode
vergrößert, und daher ist es möglich,
die Resonanzfrequenz leicht zu senken. D. h. die Erfindung kann
das Dachkapazitätsproblem durch Anpassen der Kapazitätskomponente
der einspeisenden Strahlungselektrode unterbinden, um dadurch die
Resonanzfrequenz anzupassen. Dies ist auch ein wichtiger Faktor,
mit dem die Erfindung zur Miniaturisierung der einspeisenden Strahlungselektrode
beiträgt.
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Bei
der Konfiguration der Erfindung ist es ferner einfach, die Dielektrizitätskonstante
des beabstandeten Bereichs zwischen dem parallel angeordneten offenen
Ende und dem Zwischenpfad anzupassen. Somit ist es einfach, die
Resonanzfrequenz der einspeisenden Strahlungselektrode durch Anpassen
der Kapazität zwischen dem offenen Ende und dem Zwischenpfad
anzupassen. Weiterhin kann die Erfindung die Resonanzfrequenz der
einspeisenden Strahlungselektrode durch Vergrößern
der Kapazität zwischen dem offenen Ende und dem Zwischenpfad
senken. Somit erfordert die Erfindung nicht das Ausbilden der einspeisenden
Strahlungselektrode in einer komplexen Form, beispielsweise einer
Mäanderform. D. h. die Erfindung erfordert nicht eine Verringerung
der Pfadbreite der einspeisenden Strahlungselektrode. Somit ist
es möglich, einen Leitungsverlust (Verlust) durch Mindern
der Konzentration elektrischen Stroms zu unterbinden, und daher
ist es möglich, den Wirkungsgrad der Antenne zu verbessern.
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Weiterhin
ist bei der Erfindung das eine Ende, an dem das elektrische Feld
in der einspeisenden Strahlungselektrode am stärksten ist,
an der Seitenfläche des dielektrischen Trägers
benachbart zu dem Nichtmassebereich weg von Massebereich (oder in einem
Bereich an einem Ende des dielektrischen Films benachbart zu dem
Nichtmassebereich weg von dem Massebereich) vorgesehen. Zudem bildet die
Erfindung eine Kapazität zwischen dem offenen Ende und
dem Zwischenpfad. Somit kann die Erfindung das elektrische Feld
stark verringern, das durch die Masseelektrode von der einspeisenden
Strahlungselektrode angezogen (erfasst) wird. Da der Q-Wert sinkt
und so das Frequenzband verbreitert, ist es somit bei der Erfindung
möglich, den Wirkungsgrad der Antenne zu verbessern.
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Weiterhin
weist die Erfindung eine Konfiguration auf, bei der das offene Ende,
an dem das elektrische Feld in der einspeisenden Strahlungselektrode am
stärksten ist, eine Kapazität mit dem Zwischenpfad
bildet. Selbst wenn somit zum Beispiel die Hand einer Person, die
die Vorrichtung für drahtlose Kommunikation bedient, sich
benachbart zu der einspeisenden Strahlungselektrode befindet, ist
es möglich, die Streukapazität zwischen der einspeisenden Strahlungselektrode
und der Hand auf ein geringeres Maß zu senken. Dadurch
kann die Erfindung Schwankungen und eine Verschlechterung der Antenneneigenschaften
aufgrund der Hand einer Person und dergleichen verhindern, und daher
ist es möglich, die Zuverlässigkeit der drahtlosen
Kommunikation zu verbessern.
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In
dem Fall, da weiterhin der dielektrische Träger zum Beispiel
aus Harz besteht, kann, wenn die einspeisende Strahlungselektrode
aus einer Leiterplatte gebildet ist, die einspeisende Strahlungselektrode
durch Umspritzen mit dem dielektrischen Träger integral
geformt werden. In diesem Fall ist es somit einfach, das Antennenelement
herzustellen, und es ist einfach möglich, die einspeisende
Strahlungselektrode mit dem dielektrischen Träger thermisch
zu verschweißen oder die einspeisende Strahlungselektrode
mit dem dielektrischen Träger zu verkleben.
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Wenn
im Übrigen die einspeisende Strahlungselektrode durch Plattieren
gebildet ist, muss der aus Harz bestehende dielektrische Träger
so ausgebildet sein, dass ein die einspeisende Strahlungselektrode
bildender Abschnitt aus einem Harz mit guter Plattierungshaftung
besteht. Somit ist es denkbar, dass der gesamte dielektrische Träger
aus einem Harz mit guter Plattierungshaftung besteht. Das Harz mit
einer guten Plattierungshaftung weist jedoch eine niedrige Dielektrizitätskonstante
auf, und daher ist es unmöglich, die Kapazität
zwischen dem offenen Ende der einspeisenden Strahlungselektrode
und dem Zwischenpfad zufrieden stellend anzuheben.
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In
einer Ausgestaltung der Erfindung, bei der dann die einspeisende
Strahlungselektrode durch Plattieren gebildet wird, besteht der
Oberflächenabschnitt des dielektrischen Trägers,
auf dem die einspeisende Strahlungselektrode ausgebildet ist, aus einem
Harz mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante (zum
Beispiel einer relativen Dielektrizitätskonstante von unter
6) und mit einer guten Plattierungshaftung, und der größte
Teil des übrigen dielektrischen Trägerabschnitts
besteht aus einem Harz mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
(zum Beispiel mit einer relativen Dielektrizitätskonstante
von über oder gleich 6) und mit einer schlechten Plattierungshaftung.
Durch kombiniertes Ausbilden des Harzes mit guter Plattierungshaftung
und des Harzes mit schlechter Plattierungshaftung ist es auf diese
Weise möglich, eine Konfiguration zu erhalten, bei der
ein dielektrisches Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante,
die die Kapazität zwischen dem offenen Ende und dem Zwischenpfad
anhebt, in dem beabstandeten Bereich zwischen dem offenen Ende und
dem Zwischenpfad ausgebildet ist.
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Bei
einer anderen Ausgestaltung der Erfindung besteht ferner der Oberflächenabschnitt
des dielektrischen Trägers, auf dem die einspeisende Strahlungselektrode
ausgebildet ist, aus einem Harz mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante
und guter Plattierungshaftung, der beabstandete Bereich zwischen
dem offenen Ende und dem Zwischenpfad besteht aus einem Harz mit
einer Dielektrizitätskonstante, die höher als
die des Harzes mit der niedrigen Dielektrizitätskonstante
und mit der guten Plattierungshaftung ist, und mit einer schlechten
Plattierungshaftung, und der Großteil des übrigen
dielektrischen Trägerabschnitts besteht aus einem Harz
mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante und einer
schlechten Plattierungshaftung. Diese Ausgestaltung ist so ausgelegt,
dass ein dielektrisches Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante,
das die Kapazität zwischen dem offenen Ende und dem Zwischenpfad steigert,
in dem beabstandeten Bereich zwischen dem offenen Ende und dem Zwischenpfad
ausgebildet ist. Bei dieser Konfiguration ist es möglich,
die einspeisende Strahlungselektrode auf dem aus Harz bestehenden
dielektrischen Träger durch Plattieren zu bilden. Bei dieser
Konfiguration ist es weiterhin möglich, ein dielektrisches
Material, das die Kapazität zwischen dem offenen Ende und
dem Zwischenpfad anheben kann, in dem beabstandeten Bereich zwischen
dem offenen Ende der einspeisenden Strahlungselektrode und dem Zwischenpfad
anzuordnen. Da weiterhin bei dieser Konfiguration der andere Abschnitt
aus einem Harz mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante
besteht, ist es möglich, das von einer Masse festgehaltene
elektrische Feld zu befreien.
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In
dem Fall, da weiterhin die nicht einspeisende Strahlungselektrode
auf dem dielektrischen Träger zusätzlich zu der
einspeisenden Strahlungselektrode ausgebildet ist, ist es möglich,
das Frequenzband der drahtlosen Kommunikation unter Verwendung von
Mehrfachschwingung der einspeisenden Strahlungselektrode und der
nicht einspeisenden Strahlungselektrode zu verbreitern, und daher
ist es möglich, die Antenneneigenschaft zu verbessern.
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Bei
einer Konfiguration, bei der ferner ein dielektrisches Material
mit einer Dielektrizitätskonstante, durch die der elektromagnetische
Kopplungszustand zwischen der einspeisenden Strahlungselektrode
und der nicht einspeisenden Strahlungselektrode angepasst wird,
in dem beabstandeten Bereich zwischen der einspeisenden Strahlungselektrode und
der nicht einspeisenden Strahlungselektrode in dem dielektrischen
Träger vorgesehen ist, werden die folgenden vorteilhaften
Wirkungen erhalten. D. h. bei der vorstehenden Konfiguration ist
es möglich, den elektromagnetischen Kopplungszustand zwischen
der einspeisenden Strahlungselektrode und der nicht einspeisenden
Strahlungselektrode einfach anzupassen, um es dadurch zu ermöglichen,
die Eingangsimpedanz des Antennenelements einfach anzupassen. Somit
ist es einfach, die Impedanz des Antennenelements mit der Impedanz
der Seite des Schaltkreises für die drahtlose Kommunikation,
die mit dem Antennenelement elektrisch verbunden ist, einfach abzustimmen,
und daher ist es einfach, den Wirkungsgrad der Antenne zu verbessern.
Somit kann die Erfindung mit der vorstehenden Konfiguration eine
weitere vorteilhafte Antenneneigenschaft verwirklichen.
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Weiterhin
sieht die Erfindung eine Konfiguration vor, bei der das Antennenelement
statt einer Befestigung an dem Substrat fest auf der Innenwandfläche
des Gehäuses gelagert ist, in dem das Substrat aufgenommen
und angeordnet ist, so dass es möglich ist, die Fläche
des Substrats zum Montieren von Komponenten zu vergrößern,
indem das Antennenelement nicht auf dem Substrat angeordnet wird.
Da ferner das Gehäuse verglichen mit dem Substrat mühelos
Einbauraum für das Antennenelement sicherstellt, ist es
möglich, die Beschränkungen der Größe des
Antennenelements zu mindern. Bei der Konfiguration, bei der die
einspeisende Strahlungselektrode auf dem dielektrischen Film ausgebildet
ist, ist es weiterhin möglich, die Dicke des Antennenelements zu
verringern.
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Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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1a ist
eine perspektivische Ansicht, die eine Antennenstruktur nach einer
ersten Ausführungsform veranschaulicht.
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1b ist
eine perspektivische Ansicht, die die Antennenstruktur nach der
ersten Ausführungsform von der Rückseite in 1a gesehen
veranschaulicht.
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1c ist
eine perspektivische Explosionsansicht, die die Antennenstruktur
nach der ersten Ausführungsform veranschaulicht.
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2 ist
eine Ansicht, die ein alternatives Beispiel der Antennenstruktur
nach der ersten Ausführungsform veranschaulicht.
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3a ist
eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform
eines dielektrischen Trägers, der eine Antennenstruktur
nach einer zweiten Ausführungsform bildet, von der Vorderseite
gesehen veranschaulicht.
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3b ist
eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform
des dielektrischen Trägers, der die Antennenstruktur nach
der zweiten Ausführungsform bildet, von der Rückseite
gesehen veranschaulicht.
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4a ist
eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform
eines dielektrischen Trägers, der eine Antennenstruktur
nach einer dritten Ausführungsform bildet, von der Vorderseite
gesehen veranschaulicht.
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4b ist
eine perspektivische Ansicht, die eine Ausführungsform
des dielektrischen Trägers, der die Antennenstruktur nach
der dritten Ausführungsform bildet, von der Rückseite
gesehen veranschaulicht.
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5a ist
eine perspektivische Ansicht einer Antennenstruktur nach einer vierten
Ausführungsform von der Vorderseite gesehen.
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5b ist
eine perspektivische Ansicht der Antennenstruktur nach der vierten
Ausführungsform von der Rückseite gesehen.
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6a ist
eine Ansicht einer Antennenstruktur von der unteren Seite gesehen
zum Veranschaulichen einer fünften Ausführungsform.
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6b ist
eine Ansicht, die ein Beispiel einer Konfiguration nach der fünften
Ausführungsform zeigt, bei der ein Antennenelement mit
einem Substrat verbunden ist.
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7a ist
eine perspektivische Ansicht, die eine sechste Ausführungsform
veranschaulicht.
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7b ist
eine Querschnittansicht, die die sechste Ausführungsform
veranschaulicht.
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8a ist
eine Ansicht, die eine andere Ausführungsform veranschaulicht.
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8b ist
eine Ansicht, die eine noch andere Ausführungsform veranschaulicht.
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9 ist
eine Ansicht, die ein Beispiel einer bestehenden Antennenstruktur
veranschaulicht.
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- 1
- Antennenstruktur
- 2
- Antennenelement
- 3
- Substrat
- 4
- Masseelektrode
- 5
- Schaltkreis
für drahtlose Kommunikation
- 6
- dielektrischer
Träger
- 7
- einspeisende
Strahlungselektrode
- 8
- dielektrisches
Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
- 11
- Zwischenpfad
- 12
- Pfad
an der Seite des offenen Endes
- 13,
30
- Lage
mit hoher Dielektrizitätskonstante
- 14
- Harz
mit einer hohen Dielektrizitätskonstante und schlechter
Plattierungshaftung
- 15
- Harz
mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante und guter
Plattierungshaftung
- 16
- Harz
mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante und schlechter
Plattierungshaftung
- 18
- nicht
einspeisende Strahlungselektrode
- 24
- dielektrisches
Material zum Anpassen eines elektromagnetischen Kopplungszustands
- 26
- Gehäuse
- 28
- dielektrischer
Film
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Beste Methoden zum Durchführen
der Erfindung
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Nachstehend
werden erfindungsgemäße Ausführungsformen
unter Bezug auf die Begleitzeichnungen beschrieben.
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1a zeigt
eine schematische perspektivische Ansicht einer Antennenstruktur
nach einer ersten Ausführungsform. 1b zeigt
eine schematische perspektivische Ansicht der Antennenstruktur von
der Rückseite von 1a gesehen. 1c ist eine
schematische Explosionsansicht der Antennenstruktur von 1a.
Die Antennenstruktur 1 der ersten Ausführungsform
ist aus einem Antennenelement 2 und einem Substrat 3 gebildet.
Das Substrat 3 ist eine Leiterplatte einer Vorrichtung
für drahtlose Kommunikation, beispielsweise eines Mobiltelefons.
Das Substrat 3 weist einen Massebereich Zg, in dem eine Masseelektrode 4 ausgebildet
ist, und einen Nichtmassebereich Zp, in dem keine Masseelektrode 4 ausgebildet
ist, auf. In der ersten Ausführungsform ist der Nichtmassebereich
Zp an einem Ende des Substrats 3 ausgebildet. Ferner ist
auf dem Substrat 3 ein Schaltkreis für drahtlose
Kommunikation (Hochfrequenzschaltkreis) 5 ausgebildet (siehe 1b).
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Das
Antennenelement 2 ist in dem Nichtmassebereich Zp des Substrats 3 montiert
(oberflächenmontiert). Das Antennenelement 2 umfasst
einen dielektrischen Träger 6 und eine einspeisende
Strahlungselektrode 7. Der dielektrische Träger 6 weist eine
recheckige Quaderform auf. Ein dielektrisches Material 8 mit
einer hohen Dielektrizitätskonstante ist an einem Oberflächenabschnitt
eines Bereichs A ausgebildet, der in 1c an
dem dielektrischen Träger 6 gezeigt ist. In der
ersten Ausführungsform ist der dielektrische Träger 6 mit
anderen Worten ein Komplex aus einem Trägerabschnitt, der
den Oberflächenabschnitt des Bereichs A bildet, und einem übrigen
Trägerabschnitt. Der Bereich A ist einem spezifischen Abschnitt
der einspeisenden Strahlungselektrode 7 zugeordnet, und
der spezifische Abschnitt wird später beschrieben.
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In
der ersten Ausführungsform ist das dielektrische Material,
das den dielektrischen Träger 6 bildet, ein Harz
mit einer relativen Dielektrizitätskonstante, die niedriger
als 6 ist. Ein Beispiel für das dielektrische
Material ist zum Beispiel ein LCP (flüssigkristallines
Polyesterharz) oder SPS (syndiotaktisches Polystyrolharz) in einer
Qualität mit einer relativen Dielektrizitätskonstante,
die niedriger als 6 ist. Zudem ist das dielektrische Material 8 mit
einer hohen Dielektrizitätskonstante, das auf dem Oberflächenabschnitt
des Bereichs A des dielektrischen Trägers 6 ausgebildet
ist, ein Verbundharz mit einer relativen Dielektrizitätskonstante,
die höher als oder gleich 6 ist. Ein Beispiel
für das dielektrische Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
ist zum Beispiel ein LCP oder ein SPS in einer Qualität
mit einer relativen Dielektrizitätskonstante, die höher
als oder gleich 6 ist, gemischt mit Keramikpulver. Das dielektrische
Material 8 mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
ist in dem Oberflächenabschnitt des dielektrischen Trägers 6 eingebettet.
Die Dicke des dielektrischen Materials 8 mit einer hohen
Dielektrizitätskonstante liegt zum Beispiel bei etwa 1
mm und ist dünner als die Größe des dielektrischen
Trägers 6.
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Die
einspeisende Strahlungselektrode 7 ist aus einer Leiterplatte
gebildet. Die einspeisende Strahlungselektrode 7 ist mit
der Oberfläche des dielektrischen Trägers 6 durch
eine Umspritztechnik, ein thermisches Schweißverfahren,
ein Klebeverfahren oder dergleichen integral verbunden. Die einspeisende
Strahlungselektrode 7 weist einen auf einer Vorderfläche 6f des
dielektrischen Trägers 6 ausgebildeten Abschnitt,
einen auf einer oberen Fläche 6t des dielektrischen
Trägers 6 ausgebildeten Abschnitt und einen sich
von dem auf der oberen Fläche 6t ausgebildeten
Abschnitt zu einer hinteren Fläche 6b erstreckenden
Abschnitt auf. Ein zu der hinteren Fläche 6b verlaufender
verlängerter distaler Endabschnitt der einspeisenden Strahlungselektrode 7 dient
als einspeisender Abschnitt Q, und der einspeisende Abschnitt Q
ist mit dem Schaltkreis 5 für drahtlose Kommunikation
elektrisch verbunden. Die einspeisende Strahlungselektrode 7 weist
einen Schlitz S zum Regeln eines Strompfads auf. Auf der Grundlage
des Strompfads ist die einspeisende Elektrode 7 in einen Pfad 10 an
der Seite des einspeisenden Abschnitts, einen Zwischenpfad 11 und
einen Pfad 12 an der Seite des offenen Endes unterteilt.
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Der
Pfad 10 an der Seite des einspeisenden Abschnitts ist ein
einspeisender Strahlungselektrodenabschnitt, der so ausgebildet
ist, dass er sich von dem einspeisenden Abschnitt Q durch die Rückfläche 6b und
die obere Fläche 6t des dielektrischen Trägers 6 zu
der Vorderfläche 6f erstreckt. Zu beachten ist,
dass die Vorderfläche 6f eine Seitenfläche
ist, die an der Seite benachbart zu dem Nichtmassebereich Zp und
weg von dem Massebereich Zg ausgebildet ist. Der Zwischenpfad 11 ist
ein einspeisender Strahlungselektrodenabschnitt, der so ausgebildet ist,
dass er sich von dem Ende des Pfads 10 an der Seite des
einspeisenden Abschnitts an der Vorderfläche 6f des
dielektrischen Trägers 6 in einer Umfangsrichtung
(mit anderen Worten in eine Richtung entlang der unteren Seite der
Vorderfläche 6f) erstreckt. Der Pfad 12 an
der Seite des offenen Endes ist ein einspeisender Strahlungselektrodenabschnitt,
der so ausgebildet ist, dass er sich entlang eines Schleifenpfads
erstreckt, der sich einmal von dem Ende des Zwischenpfads 11 in
eine Richtung erstreckt, um sich von dem Zwischenpfad 11 an
der Oberfläche des dielektrischen Trägers 6 zu
trennen, und dann hin zu dem Zwischenpfad 11 zurückkehrt.
Das verlängerte distale Ende dient als offenes Ende K der
einspeisenden Strahlungselektrode 7, und das offene Ende
K ist parallel zu und beabstandet von dem Zwischenpfad 11 vorgesehen.
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Der
vorstehend beschriebene Bereich A des dielektrischen Trägers 6 ist
ein beabstandeter Bereich zwischen dem parallel angeordneten offenen Ende
K und dem Zwischenpfad 11 der einspeisenden Strahlungselektrode 7.
Wie vorstehend beschrieben besteht der Bereich A aus dem dielektrischen
Material mit einer Dielektrizitätskonstante, die höher
als die des dielektrischen Trägerabschnitts mit Ausnahme des
Bereichs A ist. Somit kann die erste Ausführungsform die
zwischen dem offenen Ende K und dem Zwischenpfad 11 ausgebildete
Kapazität verglichen mit der Konfiguration, bei der der
Bereich A die gleiche Dielektrizitätskonstante wie der
andere dielektrische Trägerabschnitt aufweist, anheben.
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Zu
beachten ist, dass in der ersten Ausführungsform das dielektrische
Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante, das
in dem beabstandeten Bereich zwischen dem parallel angeordneten
offenen Ende K und dem Zwischenpfad 11 der einspeisenden Strahlungselektrode 7 ausgebildet
ist, in dem Oberflächenabschnitt des dielektrischen Trägers 6 eingebettet
ist, um einen Abschnitt des dielektrischen Trägers 6 (einen
Abschnitt, der den dielektrischen Träger 6 bildet)
auszubilden. An Stelle zum Beispiel des Ausbildens eines Abschnitts
des dielektrischen Trägers 6 kann das dielektrische
Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante wie folgt
konfiguriert sein. D. h. das dielektrische Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
kann ein lagenartiges Element (Lage hoher Dielektrizitätskonstante) 13 sein, wie
in einer Modellansicht von 2 gezeigt
ist. Die Lage 13 hoher Dielektrizitätskonstante
ist zum Beispiel durch Klebstoff mit der Oberfläche des
beabstandeten Bereichs zwischen dem parallel angeordneten offenen
Ende K und dem Zwischenpfad 11 der einspeisenden Strahlungselektrode 7 verbunden. Auch
in diesem Fall kann die Lage 13 hoher Dielektrizität
die Kapazität zwischen dem offenen Ende K der einspeisenden
Strahlungselektrode 7 und dem Zwischenpfad 11 anheben.
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In
der ersten Ausführungsform ist ferner die einspeisende
Strahlungselektrode 7 aus einer Leiterplatte gebildet.
Stattdessen kann die einspeisende Strahlungselektrode 7 zum
Beispiel aus einem Leiterfilm auf einem aus Harz bestehenden Film
gebildet sein, um eine Filmantenne zu bilden, und die Filmantenne
kann mit dem dielektrischen Träger 6 verklebt sein.
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Nachstehend
wird eine zweite Ausführungsform beschrieben. Zu beachten
ist, dass bei der Beschreibung der zweiten Ausführungsform ähnliche Bezugszeichen ähnliche
Komponenten wie in der ersten Ausführungsform bezeichnen,
und auf die sich überschneidende Beschreibung der gleichen
Komponenten wird verzichtet.
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In
der zweiten Ausführungsform ist die einspeisende Strahlungselektrode 7 durch
Plattieren gebildet. 3a zeigt schematisch einen Zustand
des dielektrischen Trägers 6 in der zweiten Ausführungsform
von der Vorderseite aus gesehen. 3b zeigt schematisch
einen Zustand des dielektrischen Trägers 6 von 3a von
der Rückseite gesehen. Wie in diesen Zeichnungen gezeigt
ist der dielektrische Träger 6 ein Komplex aus
einem Trägerabschnitt aus einem Harz 14 mit einer
hohen Dielektrizitätskonstante und schlechter Plattierungshaftung
und einem Trägerabschnitt aus einem Harz 15 mit
einer niedrigen Dielektrizitätskonstante und guter Plattierungshaftung.
Das Harz 15 mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante
und guter Plattierungshaftung bildet einen Oberflächenabschnitt
eines Bereichs, der eine einspeisende Strahlungselektrode bildet.
Das Harz 14 mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
und schlechter Plattierungshaftung bildet den größten
Teil des übrigen dielektrischen Trägerabschnitts.
Das Harz 14 mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
und schlechter Plattierungshaftung ist ein dielektrisches Material
mit zum Beispiel einer relativen Dielektrizitätskonstante,
die höher als oder gleich 6 ist und die an einem plattieren
Leiterfilm schlecht haftet. Das Harz mit schlechter Plattierungshaftung
kann zum Beispiel Polyester, Polyphenylensulfid, Polyetheretherketon,
Polyetherimid, Polysulfon, Polyethersulfon, SPS oder dergleichen
sein. Durch Zugeben von zum Beispiel Keramikpulver oder dergleichen
zum vorstehenden Harz zum Anheben der Dielektrizitätskonstante
ist es möglich, die relative Dielektrizitätskonstante
zum Beispiel auf 6 oder höher anzuheben. Ferner ist das
Harz 15 mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante
und einer guten Plattierungshaftung ein dielektrisches Material
mit zum Beispiel einer relativen Dielektrizitätskonstante
unter 6, das gut an einem plattierten Leiterfilm haftet. Das Harz
mit guter Plattierhaftung kann zum Beispiel ein Harz sein, das durch
Mischen des vorstehend beschriebenen Harzes mit schlechter Plattierungshaftung
mit einem Katalysator für stromlose Plattierung, um eine
Eigenschaft guter Plattierungshaftung zu haben, erhalten wird.
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Da
der dielektrische Träger 6 wie vorstehend beschrieben
ausgelegt ist, weist die zweite Ausführungsform das folgende
Merkmal auf. D. h. wenn der dielektrische Träger 6 zum
Plattieren in Flüssigkeit eingetaucht wird, wird nur auf
der Oberfläche eines Abschnitts des dielektrischen Trägers 6,
an dem das Harz 15 mit guter Plattierungshaftung ausgebildet
ist, ein plattierter Leiterfilm gebildet, um dadurch die einspeisende
Strahlungselektrode 7 zu bilden. Da hier der Bereich, in
dem der Schlitz S der einspeisenden Strahlungselektrode 7 gebildet
ist, aus dem Harz 14 mit schlechter Plattierungshaftung
gebildet ist, wird kein Leiterfilm gebildet und dadurch wird der
Schlitz S gebildet. Dann ist das Harz 14 mit schlechter
Plattierungshaftung ein dielektrisches Material mit einer hohen
Dielektrizitätskonstante, so dass die folgende Konfiguration,
die der ersten Ausführungsform ähnelt, auch in
der zweien Ausführungsform gebildet wird. D. h. das dielektrische
Material mit einer Dielektrizitätskonstante, die höher
als die des Harzes 14 mit guter Plattierungshaftung ist,
das an dem dielektrischen Trägerabschnitt positioniert
ist, an dem das offene Ende K und der Zwischenpfad 11 ausgebildet sind,
ist in dem beabstandeten Bereich zwischen dem parallel angeordneten
offenen Ende K und dem Zwischenpfad 11 der einspeisenden
Strahlungselektrode 7 angeordnet.
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Die übrige
Konfiguration bei der Antennenstruktur 1 der zweiten Ausführungsform ähnelt
der der ersten Ausführungsform.
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Nachstehend
wird eine dritte Ausführungsform beschrieben. Zu beachten
ist, dass bei der Beschreibung der dritten Ausführungsform ähnliche
Bezugszeichen ähnliche Komponenten wie in der ersten und
zweiten Ausführungsform bezeichnen, und auf die sich überschneidende
Beschreibung der gleichen Komponenten wird verzichtet.
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In
der dritten Ausführungsform ist die einspeisende Strahlungselektrode 7 durch
Plattieren gebildet. 4a zeigt ferner schematisch
einen Zustand des dielektrischen Trägers 6 in
der dritten Ausführungsform von der Vorderseite aus gesehen. 4b zeigt
schematisch einen Zustand des dielektrischen Trägers 6 von 4a von
der Rückseite gesehen. Wie in diesen Zeichnungen gezeigt
ist der dielektrische Träger 6 ein Komplex aus
einem Trägerabschnitt aus einem Harz 14 mit einer
hohen Dielektrizitätskonstante und schlechter Plattierungshaftung, einem
Trägerabschnitt aus einem Harz 15 mit einer niedrigen
Dielektrizitätskonstante und guter Plattierungshaftung
und einem Trägerabschnitt aus einem Harz 16 mit
einer niedrigen Dielektrizitätskonstante und schlechter
Plattierungshaftung. Zu beachten ist hier, dass hier das Harz mit
einer hohen Dielektrizitätskonstante zum Beispiel ein Harz
mit einer relativen Dielektrizitätskonstante ist, die höher
als oder gleich 6 ist, und das Harz mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante
zum Beispiel ein Harz mit einer relativen Dielektrizitätskonstante
von unter 6 ist. Das Harz 14 mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
und schlechter Plattierungshaftung bildet einen Oberflächenabschnitt
eines beabstandeten Bereichs zwischen dem parallel angeordneten
offenen Ende K und dem Zwischenpfad 11 der einspeisenden
Strahlungselektrode 7. Das Harz 15 mit einer niedrigen
Dielektrizitätskonstante und guter Plattierungshaftung bildet
einen Oberflächenabschnitt eines Bereichs, der eine einspeisende
Strahlungselektrode bildet. Das Harz 16 mit einer niedrigen
Dielektrizitätskonstante und schlechter Plattierungshaftung
bilden den Großteil des übrigen dielektrischen
Trägerabschnitts.
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In
der dritten Ausführungsform ist das Harz, das an dem Oberflächenabschnitt
des die einspeisende Strahlungselektrode ausbildenden Bereichs ausgebildet
ist, ein Harz mit guter Plattierungshaftung. Aus diesem Grund kann
die dritte Ausführungsform wie die zweite Ausführungsform
durch Plattieren problemlos die einspeisende Strahlungselektrode 7 in
dem die einspeisende Strahlungselektrode bildenden Bereich des dielektrischen
Trägers 6 ausbilden. Zu beachten ist in der dritten
Ausführungsform, dass das Harz 16 mit schlechter
Plattierungshaftung, das hauptsächlich den dielektrischen
Träger 6 bildet, ein dielektrisches Material mit
einer niedrigen Dielektrizitätskonstante ist. Wenn daher
in der dritten Ausführungsform das Harz 15 mit
guter Plattierungshaftung nur an dem Oberflächenabschnitt des
die einspeisende Strahlungselektrode bildenden Bereichs in dem Harz 16 mit
schlechter Plattierungshaftung gebildet wird, kommt es zu folgendem
Problem. D. h. das in dem beabstandeten Bereich zwischen dem parallel
angeordneten offenen Ende K und dem Zwischenpfad 11 der
einspeisenden Strahlungselektrode 7 ausgebildete dielektrische
Material ist das Harz 16 mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante
und schlechter Plattierungshaftung, welches das gleiche wie das
der anderen Bereiche ist, in denen der Schlitz S ausgebildet ist.
Zum Anheben der Dielektrizitätskonstante des beabstandeten
Bereichs zwischen dem parallel angeordneten offenen Ende K und dem
Zwischenpfad 11 der einspeisenden Strahlungselektrode 7 wird
dann wie vorstehend beschrieben in der dritten Ausführungsform
der Oberflächenabschnitt des dielektrischen Trägers
aus dem Harz 14 mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
und schlechter Plattierungshaftung gebildet. Somit steigt die Dielektrizitätskonstante
des beabstandeten Bereichs zwischen dem parallel angeordneten offenen Ende
K und dem Zwischenpfad 11, was dadurch das Anheben der
Kapazität ermöglicht.
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Die übrige
Konfiguration bei der Antennenstruktur 1 der dritten Ausführungsform ähnelt
der der ersten oder zweiten Ausführungsform.
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Nachstehend
wird eine vierte Ausführungsform beschrieben. Zu beachten
ist, dass bei der Beschreibung der vierten Ausführungsform ähnliche Bezugszeichen ähnliche
Komponenten wie in der ersten bis dritten Ausführungsform
bezeichnen, und auf die sich überschneidende Beschreibung
der gleichen Komponenten wird verzichtet.
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5a zeigt
eine schematische perspektivische Ansicht einer Antennenstruktur
nach der vierten Ausführungsform. 5b zeigt
eine schematische perspektivische Ansicht der Antennenstruktur von der
Rückseite von 5a gesehen. Die Antennenstruktur 1 der
vierten Ausführungsform umfasst zusätzlich zu
den Konfigurationen der ersten bis dritten Ausführungsform
eine nicht einspeisende Strahlungselektrode 18 an dem dielektrischen
Träger 6 des Antennenelements 2. Die
nicht einspeisende Strahlungselektrode 18 ist bei einem
Abstand D benachbart zu der einspeisenden Strahlungselektrode 7 angeordnet
und ist mit der einspeisenden Strahlungselektrode 7 elektromagnetisch
verbunden, um Mehrfachresonanz zu bewirken. Die nicht einspeisende
Strahlungselektrode 18 ist wie die einspeisende Strahlungselektrode 7 aus
einer Leiterplatte, einem Leiterfilm, der eine Filmantenne darstellt,
oder einem plattierten Leiterfilm gebildet. In der vierten Ausführungsform
weist die nicht einspeisende Strahlungselektrode 18 einen
Schlitz S auf, und der Strompfad der nicht einspeisenden Strahlungselektrode 18 bildet
eine Schleifenform. Zudem dient ein Ende der nicht einspeisenden
Strahlungselektroe 18 als Masseende G und das andere Ende
dient als offenes Ende K. Die nicht einspeisende Strahlungselektrode 18 weist
einen Pfad 20 an der Seite des Masseendes, einen Zwischenpfad 21 und
einen Pfad 22 an der Seite des offenen Endes auf.
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Der
Pfad 20 an der Seite des Masseendes ist ein nicht einspeisender
Strahlungselektrodenabschnitt, der so ausgebildet ist, dass er sich
von dem Masseende G durch die obere Fläche des dielektrischen
Trägers 6 hin zur Seitenfläche (Vorderfläche) des
dielektrischen Trägers 6 benachbart zu dem Nichtmassebereich
Zp und weg von dem Massebereich Zg erstreckt. Der Zwischenpfad 21 ist
ein nicht einspeisender Strahlungselektrodenabschnitt, der so ausgebildet
ist, dass er sich von dem Ende des Pfads 20 an der Seite
des Masseendes an der Vorderfläche des dielektrischen Trägers 6 in
einer Umfangsrichtung des dielektrischen Trägers 6 erstreckt.
Der Pfad 22 an der Seite des offenen Endes ist ein nicht
einspeisender Strahlungselektrodenabschnitt, der so ausgebildet
ist, dass er sich entlang eines Schleifenpfads erstreckt, der sich
von dem Ende des Zwischenpfads 21 in eine Richtung zum
Trennen von dem Zwischenpfad 21 an der Vorfläche
und oberen Fläche des dielektrischen Trägers 6 erstreckt
und dann hin zu dem Zwischenpfad 21 zurückkehrt.
Das verlängerte distale Ende des Pfads 22 an der
Seite des offenen Endes dient als offenes Ende K, und das offene
Ende K ist parallel zu und beabstandet von dem Zwischenpfad 21 vorgesehen.
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Der
dielektrische Träger 6, der die vierte Ausführungsform
darstellt, kann eine beliebige der Konfigurationen der dielektrischen
Träger 6 aufweisen, die jeweils in der ersten
bis dritten Ausführungsform beschrieben sind. Wenn zum
Beispiel die einspeisende Strahlungselektrode 7 aus einer
Leiterplatte gebildet ist, weist der dielektrische Träger 6 eine
Konfiguration ähnlich der ersten Ausführungsform
auf.
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Wenn
die einspeisende Strahlungselektrode 7 durch Plattieren
gebildet ist, weist der dielektrische Träger 6 eine
Konfiguration ähnlich der zweiten oder dritten Ausführungsform
auf. Bei dem dielektrischen Träger 6, der die
vierte Ausführungsform darstellt, ist wie in der ersten
bis dritten Ausführungsform beschrieben das dielektrische
Material (in 5a und 5b nicht
gezeigt, aber in 1a als dielektrische Material 8,
in 2 als Lage 13 mit hoher Dielektrizitätskonstante
und in 3a und 4a als
Harz 14 gezeigt) mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
in dem beabstandeten Bereich zwischen dem parallel angeordneten
offenen Ende K und dem Zwischenpfad 11 der einspeisenden
Strahlungselektrode 7 ausgebildet. Wenn ferner eine weiter
verbesserte Antenneneigenschaft erforderlich ist, wird in dem dielektrischen
Träger 6 ein dielektrisches Material mit einer hohen
Dielektrizitätskonstante in dem beabstandeten Bereich zwischen
dem parallel angeordneten offenen Ende K und dem Zwischenpfad 21 der
nicht einspeisenden Strahlungselektrode 18 ausgebildet.
Das dielektrische Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante,
das in dem beabstandeten Bereich zwischen dem parallel angeordneten
offenen Ende K und dem Zwischenpfad 21 ausgebildet ist,
kann das gleich wie oder unterschiedlich von dem dielektrischen
Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante sein,
das in dem beabstandeten Bereich zwischen dem parallel angeordneten
offenen Ende K und dem Zwischenpfad 11 der einspeisenden
Strahlungselektrode 7 ausgebildet ist.
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Bei
dem dielektrischen Träger 6 ist weiterhin ein
dielektrisches Material 24 in einem beabstandeten Bereich
D zwischen der einspeisenden Strahlungselektrode 7 und
der nicht einspeisenden Strahlungselektrode 18 ausgebildet.
Das dielektrische Material 24 weist eine Dielektrizitätskonstante
auf, durch die der elektromagnetische Kopplungszustand zwischen
der einspeisenden Strahlungselektrode 7 und der nicht einspeisenden
Strahlungselektrode 18 auf einen vorbestimmten Zustand
angepasst wird. Wenn der elektromagnetische Kopplungszustand zwischen der
einspeisenden Strahlungselektrode 7 und der nicht einspeisenden
Strahlungselektrode 18 geändert wird, verändert
sich die Eingangsimpedanz der einspeisenden Strahlungselektrode 7.
Somit wird die Dielektrizitätskonstante zwischen der einspeisenden Strahlungselektrode 7 und
der nicht einspeisenden Strahlungselektrode 18 so festgelegt,
dass der elektromagnetische Kopplungszustand zwischen der einspeisenden
Strahlungselektrode 7 und der nicht einspeisenden Strahlungselektrode 18 die
Impedanz des Antennenelements 2 (der einspeisenden Strahlungselektrode 7)
an die Impedanz des Schaltkreises 5 für drahtlose
Kommunikation anpasst. Gemäß dieser Einstellung
wird das dielektrische Material 24 ermittelt. Das dielektrische
Material 24 kann eine Dielektrizitätskonstante
aufweisen, die höher als die Dielektrizitätskonstante
ist, die den dielektrischen Träger 6 bildet, oder
kann eine Dielektrizitätskonstante aufweisen, die niedriger
als die Dielektrizitätskonstante ist, die den dielektrischen
Träger 6 bildet.
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Nachstehend
wird eine fünfte Ausführungsform beschrieben.
Zu beachten ist, dass bei der Beschreibung der fünften
Ausführungsform ähnliche Bezugszeichen ähnliche
Komponenten wie in der ersten bis vierten Ausführungsform
bezeichnen, und auf die sich überschneidende Beschreibung
der gleichen Komponenten wird verzichtet.
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6a zeigt
eine schematisch die Antennenstruktur 1 nach der fünften
Ausführungsform von der unteren Seite aus gesehen. In der
fünften Ausführungsform ist das Antennenelement 2 statt
fester Lagerung durch das Substrat 3 fest an einer Innenwandfläche
eines Gehäuses 26 gelagert, in dem das Substrat 3 aufgenommen
und zum Beispiel durch ein (nicht gezeigtes) Antennenlagerungselement
angeordnet ist. In der fünften Ausführungsform
ist das Antennenelement 2 an einem Abschnitt angeordnet,
der von einem Bereich beabstandet ist, in dem das Substrat 3 angeordnet
ist. Ferner besteht das Gehäuse 26 aus einem Isoliermaterial,
beispielsweise Harz, und das gesamte Gehäuse ist ein Nichtmassebereich.
Somit ist das gesamte Antennenelement 2 in dem Nichtmassebereich
angeordnet.
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6b zeigt
schematisch eine Ausführungsform einer Struktur, bei der
das Antennenelement 2 mit dem Substrat 3 elektrisch
verbunden ist. In dem in der Zeichnung gezeigten Beispiel sind verbindende
elastische Leiterstücke 27q und 27g jeweils
mit dem einspeisenden Abschnitt Q der einspeisenden Strahlungselektrode 7 des
Antennenelements 2 und dem Masseende G der nicht einspeisenden
Strahlungselektrode 18 des Antennenelements 2 elektrisch
verbunden. Wenn die elastischen Leiterstücke 27q und 27g jeweils
durch elastische Kraft auf die Oberfläche des Substrats 3 drücken
und diese kontaktieren, wird das elastische Leiterstück 27q mit dem
Schalkreis 5 für drahtlose Kommunikation des Substrats 3 elektrisch
verbunden, und das elastische Leiterstück 27g wird
mit der Masseelektrode 4 des Substrats mit Masse verbunden.
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Zu
beachten ist, dass die Struktur, in der das Antennenelement 2 mit
dem Substrat 3 elektrisch verbunden ist, nicht auf die
in 6b gezeigte Ausführungsform beschränkt
ist; es kann eine andere Verbindungsstruktur genutzt werden. Ferner
ist in dem in 6a gezeigten Beispiel der dielektrische Träger 6 des
Antennenelements 2 in einer Form mit einem Vorderflächen-Wandabschnitt 6f,
einem Wandabschnitt 6t der oberen Fläche, einem Wandabschnitt 6r der
rechten Endfläche und einem Wandabschnitt 61 der
linken Endfläche ausgebildet; stattdessen kann er in einer
anderen Form ausgebildet sein, beispielsweise einer rechteckigen
Quaderform. In dem in 6b gezeigten Beispiel sind weiterhin
die einspeisende Strahlungselektrode 7 und die nicht einspeisende
Strahlungselektrode 18 auf dem dielektrischen Träger 6 ausgebildet;
stattdessen kann wie in dem Fall der ersten bis dritten Ausführungsform
nur die einspeisende Strahlungselektrode 7 auf dem dielektrischen
Träger 6 ausgebildet sein.
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Die übrige
Konfiguration bei der Antennenstruktur 1 der fünften
Ausführungsform ähnelt der der ersten bis vierten
Ausführungsform. Das dielektrische Material (in 6a und 6b nicht
gezeigt, aber in 1a als dielektrische Material 8,
in 2 als Lage 13 mit hoher Dielektrizitätskonstante
und in 3a und 4a als
Harz 14 gezeigt) mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
ist in dem beabstandeten Bereich zwischen dem parallel angeordneten
offenen Ende K und dem Zwischenpfad 11 der einspeisenden
Strahlungselektrode 7 vorgesehen. Wenn ferner die nicht
einspeisende Strahlungselektrode 18 vorgesehen wird, kann
ein dielektrisches Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante
in einem beabstandeten Bereich zwischen dem parallel angeordneten
offenen Ende K und dem Zwischenpfad (in 6a und 6b nicht
gezeigt, aber in 5a als Zwischenpfad 21 gezeigt)
der nicht einspeisenden Strahlungselektrode 18 vorgesehen
sein.
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Nachstehend
wird eine sechste Ausführungsform beschrieben. Zu beachten
ist, dass bei der Beschreibung der sechsten Ausführungsform ähnliche
Bezugszeichen ähnliche Komponenten wie in der ersten bis
fünften Ausführungsform bezeichnen, und auf die
sich überschneidende Beschreibung der gleichen Komponenten
wird verzichtet.
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In
der sechsten Ausführungsform weist das Antennenelement 2 wie
in 7a gezeigt einen dielektrischen Film 28 statt
des dielektrischen Trägers 6 auf. Der dielektrische
Film 28 besteht aus einem dielektrischen Material mit einer
niedrigen Dielektrizitätskonstante (zum Beispiel mit einer
relativen Dielektrizitätskonstante von unter 6). Die einspeisende Strahlungselektrode 7 und
die nicht einspeisende Strahlungselektrode 18, die aus
Leiterfilmen gebildet sind, sind auf der Oberfläche des
dielektrischen Films 28 mittels zum Beispiel Sputtern,
Dampfabscheidung oder dergleichen ausgebildet. Zudem ist eine Lage 30 mit
hoher Dielektrizitätskonstante aus einem dielektrischen
Material mit einer Dielektrizitätskonstante, die höher
als die des dielektrischen Films 28 ist (zum Beispiel einer
relativen Dielektrizitätskonstante, die höher
als oder gleich 6 ist) auf der Seite der Rückfläche
des dielektrischen Films 28 vorgesehen. Die Lage 30 hoher
Dielektrizitätskonstante ist in dem beabstandeten Bereich
zwischen dem parallel angeordneten offenen Ende K und dem Zwischenpfad
(in 6a und 6b nicht
gezeigt, aber in 5a als Zwischenpfad 11 gezeigt)
der einspeisenden Strahlungselektrode 7 und falls erforderlich
in dem beabstandeten Bereich zwischen dem parallel angeordneten
offenen Ende K und dem Zwischenpfad 21 der nicht einspeisenden
Strahlungselektrode 18 vorgesehen. Zu beachten ist, dass
in dem in 7a gezeigten Beispiel die Lage 30 hoher
Dielektrizitätskonstante auf der Seite der Rückfläche
des dielektrischen Films 28 vorgesehen ist; stattdessen
kann die Lage 30 hoher Dielektrizität auf der
Oberfläche der einspeisenden Strahlungselektrode 7 oder
der nicht einspeisenden Strahlungselektrode 18 angeordnet werden,
die auf der Vorderflächenseite des dielektrischen Films 28 vorgesehen
ist.
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In
der sechsten Ausführungsform ist ein Harzfilm oder dergleichen
auf den Oberflächen der einspeisenden Strahlungselektrode 7 und
der nicht einspeisenden Strahlungselektrode 18 vorgesehen, um
die einspeisende Strahlungselektrode 7 und die nicht einspeisende
Strahlungselektrode 18 zu schützen. Wie in der
schematischen Querschnittansicht von 7b gezeigt
ist, ist der dielektrische Film 28 ferner mittels eines
Klebstoffs 31 oder dergleichen fest mit der Innenwandfläche
des Gehäuses 26 verbunden. Weiterhin ist die auf
dem dielektrischen Film 28 ausgebildete einspeisende Strahlungselektrode 7 mit
dem Schaltkreis 5 für drahtlose Kommunikation der
Leiterplatte 3 durch ein in 7a gezeigtes
Verbindungselement 32A elektrisch verbunden. Ferner ist
die auf dem dielektrischen Film 28 gebildete nicht einspeisende
Strahlungselektrode 18 mit der Masseelektrode 4 der
Leiterplatte 3 durch ein in 7a gezeigtes
Verbindungselement 32B elektrisch verbunden.
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Die übrige
Konfiguration bei der Antennenstruktur 1 der sechsten Ausführungsform ähnelt
der der ersten bis fünften Ausführungsform. Zu
beachten ist, dass in dem in 7a gezeigten
Beispiel die nicht einspeisende Strahlungselektrode 18 vorgesehen
ist; wenn die durch die Spezifikationen oder dergleichen erforderliche
Antenneneigenschaft zum Beispiel nur durch die einspeisende Strahlungselektrode 7 erhalten
werden kann, kann stattdessen auf die nicht einspeisende Strahlungselektrode 18 verzichtet
werden. Ferner ist der dielektrische Film 28, auf dem die
einspeisende Strahlungselektrode 7 und die nicht einspeisende
Strahlungselektrode 18 ausgebildet sind, durch das Gehäuse 26 fest
gelagert; stattdessen kann der dielektrische Film 28 mittels
zum Beispiel eines Lagerelements oder dergleichen durch das Substrat 3 fest
gelagert werden. Weiterhin ist der dielektrische Film 28 in
einer solchen Form ausgebildet, dass er entlang der Innenwandfläche
des Gehäuses 26 gebogen ist; stattdessen kann
der dielektrische Film 28 zum Beispiel in einer ebenen
Form ausgebildet sein, die abhängig von einem Ort der Anordnung nicht
gebogen ist.
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Nachstehend
wird eine siebte Ausführungsform beschrieben. Die siebte
Ausführungsform betrifft eine Vorrichtung für
drahtlose Kommunikation. Die Vorrichtung für drahtlose
Kommunikation der siebten Ausführungsform ist mit einer
der Antennenstrukturen 1 versehen, die in der ersten bis
sechsten Ausführungsform beschrieben sind. Ferner ist die Struktur
der Vorrichtung für drahtlose Kommunikation mit Ausnahme
der Antennenstruktur unterschiedlich. Hier kann die Konfiguration
der Vorrichtung für drahtlose Kommunikation mit Ausnahme
der Antennenstruktur jede Konfiguration annehmen, und auf die Beschreibung
derselben wird verzichtet.
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Zu
beachten ist, dass die Erfindung nicht auf die erste bis siebte
Ausführungsform beschränkt ist; es können
verschiedene Ausführungsformen eingesetzt werden. Zum Beispiel
ist in der ersten bis siebten Ausführungsform der gesamte
dielektrische Träger 6 bzw. der gesamte dielektrische
Film 28 in dem Nichtmassebereich Zp angeordnet; stattdessen
kann ein Abschnitt des dielektrischen Trägers 6 oder
des dielektrischen Films 28 in dem Massebereich Zg angeordnet
sein. Auch in diesem Fall sind der beabstandete Bereich zwischen
dem parallel angeordneten offenen Ende K und dem Zwischenpfad 11 der einspeisenden
Strahlungselektrode 7 und der beabstandete Bereich zwischen
dem parallel angeordneten offenen Ende K und dem Zwischenpfad 21 der nicht
einspeisenden Strahlungselektrode 18 auf der Seitenfläche
des dielektrischen Trägers 6 oder einem Abschnitt
des dielektrischen Films 28 in dem Nichtmassebereich Zp,
der weg von dem Massebereich Zg gesetzt ist, angeordnet und ausgebildet.
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Ferner
ist in dem in 6 oder 7 gezeigten
Beispiel der dielektrische Träger 6 oder der dielektrische
Film 28 außerhalb des Substrats 3 angeordnet;
stattdessen kann ein Abschnitt bzw. die Gesamtheit des dielektrischen
Trägers 6 oder des dielektrischen Films 28 auf
der Oberfläche des Substrats 3 angeordnet sein.
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Weiterhin
ist in der ersten bis siebten Ausführungsform der einspeisende
Abschnitt Q der einspeisenden Strahlungselektrode 7 an
dem unteren Abschnitt der Seitenfläche (Rückfläche) 6b – benachbart
zu dem Massebereich Zg – des dielektrischen Trägers 6 festgelegt.
Ferner ist der Pfad 10 an der Seite des einspeisenden Abschnitts
der einspeisenden Strahlungselektrode 7 so ausgebildet,
dass er sich in einem Pfad von dem einspeisenden Abschnitt Q durch
die obere Fläche 6t des dielektrischen Trägers 6 hin
zu der Seitenfläche 8 (Vorderfläche) 6f in dem
Nichtmassebereich Zp weg von dem Massebereich Zg erstreckt. Die
Position des einspeisenden Abschnitts Q ist aber nicht auf die Rückfläche 6b des dielektrischen
Trägers 6 beschränkt; stattdessen kann
die Position des einspeisenden Abschnitts Q zum Beispiel die untere
Fläche des dielektrischen Trägers 6 sein.
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Ferner
erstreckt sich in der ersten bis siebten Ausführungsform
der Pfad 10 an der Seite des einspeisenden Abschnitts von
dem einspeisenden Abschnitt Q durch die obere Fläche 6t des
dielektrischen Trägers 6 hin zu dem Zwischenpfad 11 an
der Vorderfläche 6f weg von dem Massebereich Zg.
Der sich erstreckende Pfad des Pfads 10 an der Seite des einspeisenden
Abschnitts ist nicht beschränkt; stattdessen kann zum Beispiel
der Pfad 10 an der Seite des einspeisenden Abschnitts so
ausgebildet sein, dass er sich von dem einspeisenden Abschnitt Q durch
die untere Fläche des dielektrischen Trägers 6 hin
zu dem Zwischenpfad 11 erstreckt, der auf der Vorderfläche 6f ausgebildet
ist. Wenn weiterhin der einspeisende Abschnitt Q an der unteren
Seite der Vorderfläche 6f des dielektrischen Trägers 6 vorgesehen
ist, kann auf den Pfad 10 an der Seite des einspeisenden
Abschnitts möglicherweise verzichtet werden. Ferner kann
der Pfad 10 an der Seite des einspeisenden Abschnitts möglicherweise äußerst kurz
sein.
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Weiterhin
ist in der ersten bis fünften Ausführungsform
der Pfad 12 an der Seite des offenen Endes der einspeisenden
Strahlungselektrode 7 über zwei Flächen,
d. h. der Vorderfläche 6f und der oberen Fläche 6t,
des dielektrischen Trägers 6 ausgebildet. Stattdessen
kann der Pfad 12 an der Seite des offenen Endes zum Beispiel
nur an der Vorderfläche 6f des dielektrischen
Trägers 6 ausgebildet sein, wie in 8a gezeigt
ist, oder kann über drei oder mehr Flächen aus
Vorderfläche 6f, oberer Fläche 6t,
Rückfläche 6b und rechter Endfläche
des dielektrischen Trägers 6 ausgebildet sein,
einschließlich der Vorderfläche 6f. Auch
in diesem Fall ist der Pfad 12 an der Seite des offenen
Endes so ausgebildet, dass er sich entlang eines Schleifenpfads
erstreckt, der sich von dem Ende des Zwischenpfads 11 in
eine Richtung erstreckt, um sich einmal von dem Zwischenpfad 11 an der
Oberfläche des dielektrischen Trägers 6 zu
trennen, und dann hin zu dem Zwischenpfad 11 zurückkehrt,
und das offene Ende K des verlängerten distalen Endes ist
parallel zu und beabstandet von dem Zwischenpfad 11 vorgesehen.
Zu beachten ist, dass das Gleiche für die nicht einspeisende
Strahlungselektrode 18 gilt.
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Weiterhin
ist der dielektrische Träger 6 nicht auf die in
der ersten bis fünften Ausführungsform beschriebenen
Konfigurationen beschränkt. Wie in 8b gezeigt
kann der dielektrische Träger 6 zum Beispiel ein
Komplex aus einem Trägerabschnitt 6F, der die
Vorderfläche 6f bildet und aus einem dielektrischen
Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstante (zum
Beispiel einer relativen Dielektrizitätskonstante von über
oder gleich 6) besteht, und einem Trägerabschnitt 6M,
der den übrigen Abschnitt des dielektrischen Trägers
bildet und aus einem dielektrischen Material mit einer niedrigen
Dielektrizitätskonstante (zum Beispiel einer relativen
Dielektrizitätskonstante von unter 6) besteht, sein.
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Weiterhin
ist in der vierten Ausführungsform das dielektrische Material 24 zum
Anpassen des elektromagnetischen Kopplungszustands zwischen der
einspeisenden Strahlungselektrode 7 und der nicht einspeisenden
Strahlungselektrode 18 in dem beabstandeten Bereich D zwischen
der einspeisenden Strahlungselektrode 7 und der nicht einspeisenden
Strahlungselektrode 18 ausgebildet. In manchen Fällen
muss ein solches dielektrisches Material 24 zum Anpassen
des elektromagnetischen Kopplungszustands aber nicht vorgesehen
werden. Dies ist der Fall, bei dem der elektromagnetische Kopplungszustand
zwischen der einspeisenden Strahlungselektrode 7 und der
nicht einspeisenden Strahlungselektrode 18 in einen vorbestimmten
Zustand versetzt ist.
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Gewerbliche Anwendbarkeit
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Die
erfindungsgemäße Antennenstruktur und die Vorrichtung
für drahtlose Kommunikation, die diese aufweist, können
die elektrische Länge der einspeisenden Strahlungselektrode
mit einer einfachen Konfiguration verlängern, und verwirklichen
problemlos eine Miniaturisierung. Ferner kann die Erfindung die
Zuverlässigkeit bei einem breiten Frequenzband und drahtlose
Kommunikation verbessern. Somit wird die erfindungsgemäße
Antennenstruktur und die Vorrichtung für drahtlose Kommunikation,
die diese aufweist, effektiv bei einer Vorrichtung für
drahtlose Kommunikation eingesetzt, die zum Beispiel miniaturisiert
werden soll und zum Kommunizieren in einem breiten Frequenzband,
beispielsweise einem Mobiltelefon, verwendet werden soll.
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Zusammenfassung
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Ein
Antennenelement 2 weist einen dielektrischen Träger 6 auf,
wobei mindestens ein Abschnitt davon in einem Nichtmassebereich
Zp eines Substrats 3 angeordnet ist. Eine einspeisende
Strahlungselektrode 7 weist einen Zwischenpfad 11 auf,
der mit einem einspeisenden Abschnitt Q verbunden ist und der so
ausgebildet ist, dass er sich in einer Umfangsrichtung des dielektrischen
Trägers 6 an einer Seitenfläche des dielektrischen
Trägers benachbart zu dem Nichtmassebereich Zp und weg
von einem Massebereich Zg erstreckt. Die einspeisende Strahlungselektrode 7 weist
einen Pfad 12 an der Seite des offenen Endes auf, der so
ausgebildet ist, dass er sich entlang eines Schleifenpfads von dem
Ende des Zwischenpfads 11 erstreckt, und ein offenes Ende
K des verlängerten distalen Endes ist parallel zu und beabstandet
von dem Zwischenpfad 11 angeordnet. Ein dielektrisches
Material 8 mit einer hohen Dielektrizitätskonstante,
das die Kapazität zwischen dem Zwischenpfad 11 und
dem offenen Ende K anhebt, ist in einem Bereich ausgebildet, der
den beabstandeten Bereich zwischen dem parallel angeordneten Zwischenpfad 11 und
dem offenen Ende K umfasst.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 2006-203446 [0004]
- - JP 11-122024 [0004]
- - JP 2003-78322 [0004]