DE1160831B - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Titannitrid - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von TitannitridInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 32
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 19
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 13
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 4
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 3
- YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K titanium(iii) chloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)Cl YONPGGFAJWQGJC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 9
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- JTJMJGYZQZDUJJ-UHFFFAOYSA-N phencyclidine Chemical class C1CCCCN1C1(C=2C=CC=CC=2)CCCCC1 JTJMJGYZQZDUJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCANCZRRZBHLEN-UHFFFAOYSA-N [N].O Chemical class [N].O YCANCZRRZBHLEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010285 flame spraying Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000012063 pure reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000010517 secondary reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- -1 titanium amide Chemical class 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/076—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with titanium or zirconium or hafnium
- C01B21/0763—Preparation from titanium, zirconium or hafnium halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. KL: COIb
Deutsche Kl.: 12 i-21/06
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
K 46551IV a / 12 i
21. April 1962
9. Januar 1964
21. April 1962
9. Januar 1964
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Titannitrid aus Titantetrachlorid
in der Gasphase sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Es ist bekannt, Titannitrid herzustellen, indem man pulverisiertes, metallisches Titan bei hohen
Temperaturen — unter anderem unter Verwendung eines elektrischen Lichtbogens — mit Stickstoff umsetzt.
Bei diesem Verfahren, das von dem sehr teuren Titanpulver als Ausgangsmaterial ausgeht, fällt das
Nitrid als relativ grobes Pulver an. Um nun das sehr teure Ausgangsmaterial durch ein billigeres zu ersetzen
und um ein feinkörnigeres Endprodukt zu erhalten, wurde auch versucht, aus dem in manchen
Schrottarten enthaltenen Titan das Nitrid dadurch herzustellen, daß man den Titananteil zunächst in
das Hydrid überführte und dieses, nach Pulverisierung, mit Stickstoff bei hohen Temperaturen in das
Nitrid umwandelte. Beim anschließenden Auslaugen mit Königswasser gingen alle anderen Bestandteile
außer Titannitrid in Lösung. Die durch Verwendung des Titanschrotts erzielten Einsparungen wurden jedoch
dabei durch die erforderlichen zusätzlichen Verfahrensschritte zum Teil wieder aufgehoben.
Es ist weiterhin bekannt, Titannitrid durch Umsetzung von Titantetrachlorid mit Ammoniak herzustellen,
indem man entweder aus Titantetrachlorid mit Ammoniak in der Gasphase oder in flüssigem
Ammoniak Titanamid gewinnt und dieses dann bei hohen Temperaturen auf dem Wege über das Imid
zum Nitrid umsetzt. Diese Arbeitsweise weist verschiedene Nachteile auf. So stellen beispielsweise die
Amide voluminöse Produkte dar, die beim Austrei- · ben des in der Amid- bzw. Imidbindung enthaltenen
Ammoniaks einerseits leicht verstäuben, andererseits bei den gegen Ende der Reaktion erforderlichen
hohen Temperaturen zusammensintern und daher anschließend wieder pulverisiert werden müssen.
Werden Titantetrachlorid und Ammoniak von vornherein bei hohen Temperaturen miteinander umgesetzt,
so wirken entstehender Chlorwasserstoff und im Falle eines Überschusses von Ammoniak entstehendes
Ammonchlorid korrosiv auf die heißen Wände des Reaktionsraumes ein. Alle diese genannten
Verfahren haben außerdem den Nachteil, daß der Reinheitsgrad des erhaltenen Titannitrids durch
Reaktion mit den Gefäßmaterialien während des Glühprozesses beeinträchtigt wird.
Es wurde nun gefunden, daß man in einfacher Weise Titannitrid aus Titantetrachlorid herstellen
kann, indem man das gasförmige Titantetrachlorid Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung
von Titannitrid
von Titannitrid
Anmelder:
Knapsack-Griesheim Aktiengesellschaft,
Knapsack bei Köm
Knapsack bei Köm
Als Erfinder benannt:
Dr. Gero Heymer, Knapsack bei Köln,
Dr. Heinz Harnisch, Lövenich bei Köln
mit in einem elektrischen Lichtbogen auf Temperaturen von über 1000° C, vorzugsweise über 2500° C,
erhitztem Ammoniak oder reinem Wasserstoff in einer Mischzone rasch und innig vermischt, die
Wände der Mischzone auf Temperaturen von etwa 136 bis etwa 500° C, vorzugsweise auf etwa 200° C,
hält und bei Verwendung von reinem Wasserstoff, diesen in einem 1,2- bis 20fachen, vorzugsweise 2,5-bis
15fachen Überschuß einsetzt, bezogen auf die zur Reduktion des Titantetrachlorids zum Titantrichlorid
erforderliche theoretische Menge. In letzterem Falle wird dem im wesentlichen Titantrichlorid
enthaltenden, noch mindestens 1000° C, vorzugsweise 1500° C, heißen Reaktionsgemisch in der genannten
Mischzone noch Ammoniak ebenfalls rasch und innig zugemischt, und in allen Fällen werden die
Reaktionsprodukte anschließend gekühlt, aufgefangen und das Titannitrid daraus isoliert.
Die Reaktion erfolgt über bisher nicht einwandfrei ermittelte Zwischenstufen nach den Summengleichungen:
3 TiCl4 + 4 NH3
3TiN+ 12 HCl + V2N2 (1)
TiCl4 +V2H,
-► TiCl3 + HCl
TiCl3 + NH3
TiCl3 + NH3
->■ TiN + 3 HQ
TiCl4+ NH8+ V2H2
TiCl4+ NH8+ V2H2
-> TiN+ 4 HCl
(2)
Das Erhitzen des Ammoniaks, Wasserstoffs oder Stickstoff-Wasserstoff-Gemisches wird in einem elektrischen
Lichtbogen durchgeführt, da ein indirektes Erhitzen auf Temperaturen von 1000° C und dar-
309 778/3Oi
3 4
über, ζ. B. in einem Wärmeaustauscher, wegen der kommende Reaktionsgemiscli immer eine saubere
dafür erforderlichen längeren Zeit, im Falle des Am- Fläche vorfindet.
moniaks zu einer weitgehenden Zersetzung führen Die Abkühlung muß vorteilhafterweise unter Aus-
und bei Verwendung eines Stickstoff-Wasserstoff- Schluß der Außenatmosphäre stattfinden, da das
Gemisches, wegen der Durchlässigkeit der Gefäß- 5 heiße Reaktionsgemisch auch schon mit Spuren von
wände für Wasserstoff, erhebliche Schwierigkeiten Sauerstoff oder Wasserdampf reagieren würde. Auch
bereiten würde. Erhitzt man das Ammoniak bzw. die Ausgangsstoffe müssen frei von Sauerstoff,
Stickstoff-Wasserstoff-Gemisch im elektrischen Licht- Wasserdampf und anderen Verunreinigungen sein,
bogen, so wird in der Regel eine so hohe Temperatur wenn man ein reines Reaktionsprodukt erhalten will,
erzeugt, daß zumindest ein Teil des Ammoniaks bzw. io Wird die Abkühltemperatur zu tief gehalten, so ab-Stickstoff-Wasserstoff-Gemisches
in Form von Radi- sorbieren die abgeschiedenen Reaktionsprodukte kalen bzw. atomarem Stickstoff und Wasserstoff vor- nicht umgesetztes TiCl4. Es ist also vorteilhaft, die
liegt. Hierfür lassen sich Lichtbogenanordnungen Temperatur so hoch zu halten, daß eine solche Abverwenden,
wie sie bereits für derartige Fälle bekannt sorption weitgehend vermieden wird. So genügt es,
sind. 15 das Kühlmittel, beispielsweise das Wasser, mit wel-
Zur Erzielung einer guten Ausbeute und für die chem die bewegte Fläche gekühlt wird, auf Tempe-Entstehung
eines gut kristallisierten Produktes ist es raturen von 50 bis 300-C. vorzugsweise 50 bis
vorteilhaft, das Titantetrachlorid in der Gasphase 100° C, zu halten, um ein weitgehend TiCl4-freies
mit den heißen, den Lichtbogen mit hoher Ge- Endprodukt zu erzielen.
schwindigkeit verlassenden Reaktionskomponenten 20 Auf diese Weise kann die Wärmeenergie der
möglichst rasch, vorzugsweise innerhalb 1ZiO bis heißen Reaktionskomponenten in Form von heißem
Viooo Sekunde, zu vermischen. Wasser oder Dampf wiedergewonnen werden.
Um zu vermeiden, daß zum einen das entstehende Weiterhin ist es erforderlich, das Ammoniak bzw.
Titannitrid durch Reaktion mit den Gefäßmaterialien Stickstoff-Wasserstoff-Gemisch über die sich aus
verunreinigt wird und zum anderen die Wände des 25 der Reaktionsgleichung ergebende stöchiometrische
Reaktionsraumes durch entstehenden Chlorwasser- Menge hinaus im Überschuß anzuwenden. Bei
stoff angegriffen werden, ist es erforderlich, die unseren Versuchen hat sich ein 0,2- bis lOfacher,
Wände der Vermischungsvorrichtung auf Tempera- vorzugsweise 1- bis 3facher Überschuß an Ammoturen
unterhalb etwa 500° C, vorzugsweise auf etwa niak bzw. Stickstoff-Wasserstoff-Gemisch als vorteil-200°
C, zu halten. 30 haft erwiesen.
Dies alles kann dadurch erreicht werden, daß man Das Molverhältnis in diesem Stickstoff-Wasser-
das im Lichtbogen erhitzte Ammoniak bzw. Stick- stoff-Gemisch soll dabei zweckmäßigerweise 1:4
stoff-Wasserstoff-Gemisch durch einen Kanal mit betragen, doch kann auch mit von diesem Molbeispielsweise
kreisförmigem Querschnitt strömen verhältnis abweichenden Gemischen, beispielsweise
läßt und gasförmiges TiCl4 durch einen in diesem 35 solchen mit einem Molverhältnis von Stickstoff zu
Kanal befindlichen Ringschlitz annähernd senkrecht Wasserstoff wie 1:6 bis 3:1. gearbeitet werden,
zu dem Kanal zuführt. Dann ist allerdings zu beachten, daß bei einem klei-
Dabei ist es vorteilhaft, die Strömungsgeschwindig- neren Molverhältnis der Stickstoff über die für eine
keit der den Lichtbogen verlassenden Gase durch vollständige Umsetzung zu Titannitrid erforderliche
entsprechende Dimensionierung des Austrittskanals 40 Menge hinaus im 0.2- bis lOfachan, vorzugsweise 1-so
zu wählen, daß sich diese Gase bei der Ver- bis 3fachen Überschuß vorhanden sein muß.
mischung mit dem TiCl4 wenigstens noch teilweise Entsprechend muß bei einem größeren MoI-
mischung mit dem TiCl4 wenigstens noch teilweise Entsprechend muß bei einem größeren MoI-
im atomaren bzw. im Radikalzustand befinden, also verhältnis der Überschuß des Wasserstoffs das 0,2-nodi
nicht zu Molekülen rekombiniert oder sich bis lOfache- vorzugsweise 1- bis 3fache der zur voll-—
wie z. B. Ammoniak — zu weit weniger wirk- 45 ständigen Bindung des Chlors erforderlichen Menge
samen Gasmolekülen zersetzt haben, was bei Strö- betragen.
mungsgeschwindigkeiten oberhalb etwa 200 m/sec Die Raum- und Zeitausbeute ist größer als 1 kg
der Fall ist. Titannitrid/l h, und das Reaktionsprodukt fällt in
Es ist ferner vorteilhaft, das TiCl4 unter einem Form eines feinteiligen kristallinen Pulvers an. Die
gewissen Druck zu verdampfen, so daß der TiCl4- 5° Reaktionsprodukte werden am besten in einem Be-Dampf
mit einer verhältnismäßig hohen Geschwin- halter unter Inertgas aufgefangen. Die abströmenden
digkeit dem vorerhitzten Ammoniak bzw. Stickstoff- Gase enthalten noch feinteilige Reaktionsprodukte
Wasserstoff-Gemisch zugeführt wird. Es ist jedoch im Schwebezustand und gegebenenfalls nicht umauch
möglich, das TiCl4 tangential in einen von gesetztes TiCl4. Erstere werden durch eine Trockenheißem Ammoniak bzw. Stickstoff-Wasserstoff-Ge- 55 gasreinigung aus dem Abgas entfernt. Bei Anwesenmisch
durchströmten Kanal mit beispielsweise kreis- heit von TiCl4 ist es wiederum erforderlich, die
förmigem Querschnitt einzuführen. Auf jeden Fall Wände der Staubentfernungsapparatur auf so hohen
ist es wichtig, die beiden Reaktionspartuer möglichst Temperaturen zu halten, daß eine Kondensation des
rasch — z. B. innerhalb weniger zehntel bis tausend- TiCl4 verhindert wird. Diese Temperaturen sind vom
stel Sekunden — miteinander zu vermischen. 60 in der Apparatur herrschenden Partialdruck des
Anschließend kann das heiße Reaktionsgemisch TiCl4 abhängig und sollen etwa 5 bis 100° C oberauf
eine bewegte, gekühlte Fläche geleitet und an halb des den jeweiligen Betriebsbedingungen entdieser
abgekühlt v/erden, um unerwünschte Sekun- sprechenden Taupunktes des TiCl4 liegen. Die Staubdärreaktionen
zu vermeiden. Diese bewegte, gekühlte abscheidung kann beispielsweise durch Cyklone,
Fläche wird zweckmäßigerweise durch eine Reini- 65 Prallabscheider oder Beruhigungsgefäße erfolgen,
gungsvorrichtung, z. B. ein feststehendes Messer oder Im Falle eines Arnmoniaküberschusses ist es
gungsvorrichtung, z. B. ein feststehendes Messer oder Im Falle eines Arnmoniaküberschusses ist es
eine Bürste, von dem als lockerem Belag abgeschie- außerdem vorteilhaft, den Strom des Reaktionsdenen
Reaktionsprodukt gereinigt, so daß das an- gases bei der Abkühlung und der Trockengas-
reinigung auf so hohe Temperaturen zu halten, daß noch kein Ammonchlorid auskondensiert. Diese
Temperaturen richten sich nach dem jeweiligen Partialdruck des Ammonchlorids und betragen vorzugsweise
250 bis 350° C.
Je nach den in den staubfreien Abgasen enthaltenen Komponenten werden daraus nach bekannten
Verfahren nicht umgesetztes TiCl4 und Chlorwasserstoff oder Ammonchlorid abgetrennt. Das
TiCl4 kann anschließend dem Prozeß wieder zugeführt werden. Das verbleibende Stickstoff-Wasserstoff-Gemisch
kann bei entsprechenden Verfahrensbedingungen erneut eingesetzt oder anderweitig verwendet
werden.
Eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß man in einem
elektrischen Lichtbogen hocherhitzten Wasserstoff mit Titantetrachlorid zu Titantrichlorid reagieren
läßt und sofort anschließend dem noch heißen Reaktionsgemisch Ammoniak zuführt, so daß sich
gemäß obiger Summengleichung (2) in der Gasphase die Umsetzung zu Titannitrid vollziehen kann.
Dabei verfährt man zweckmäßigerweise so, daß man in dem Lichtbogen Wasserstoff so hoch erhitzt,
daß er sich zumindest zum Teil im atomaren Zustand befindet, und ihn dann durch einen Kanal mit beispielsweise
kreisförmigem Querschnitt strömen läßt, in dem er sich mit TiCl4, das unter Druck durch
einen Ringschlitz zugeführt wird, vermischt und dieses zu TiCl3 umsetzt. In Abänderung der oben beschriebenen
Apparatur ist bei dieser Ausführungsform ein zweiter Ringschlitz in einem solchen
Abstand vom ersten Ringschlitz angebracht, daß dem heißen, vorzugsweise noch gasförmiges TiCl3 enthaltenden
Reaktionsgemisch, durch den zweiten Ringschlitz gasförmiges Ammoniak zugemischt werden
kann, solange das Reaktionsgemisch noch Temperaturen von mindestens 1000° C, vorzugsweise
mehr als 1500° C, aufweist.
Der Vorteil dieser Arbeitsweise besteht darin, daß bei diesem Verfahren das Ammoniak nicht durch
den Lichtbogen geschickt zu werden braucht, so daß es nicht schon vor der eigentlichen Reaktion teilweise
thermisch zersetzt werden kann.
In diesem Falle kann man auch so verfahren, daß man das heiße Reaktionsgemisch nur sehr allmählich
abkühlt, ohne daß dabei unerwünschte Sekundärreaktionen auftreten können.
Die Abscheidung der festen Reaktionskomponenten sowie das Aufarbeiten des Abgases erfolgt
analog der oben beschriebenen Verfahrensweise.
Die unter dem Gehäuse der Kühlvorrichtung aufgefangenen und die durch Trockengasreinigung aus
dem Abgas entfernten Feststoffe werden zur Isolierung des gebildeten TiN unter Inertgas in Wasser
bzw. verdünnte HCl eingetragen. Dabei lösen sich eventuell gebildete Nebenprodukte, wie z. B. TiCl3,
auf. Das Titannitrid wird anschließend durch Filtration von der Lösung getrennt.
Das auf diese Weise erhaltene TiN zeichnet sich durch einen hohen Reinheitsgrad und eine praktisch
stöchiometrische Zusammensetzung aus.
Es lassen sich nach den erfindungsgemäßen Verfahren Produkte gewinnen, die zu über 99% aus
Titan und Stickstoff bestehen. Die Abweichung von der stöchiometrischen Zusammensetzung TiN ist nicht
größer als 0,7 Atomprozent. Das Produkt ist röntgenkristallm, kristallisiert in der kubischen ό-Phase des
Systems Titan-Stickstoff und besitzt eine Gitterkonstante von a = 4,25 bis 4,26 Ä.
Das so hergestellte TiN fällt in äußerst feiner Verteilung an. Diese Eigenschaft ist besonders dann
wichtig, wenn aus dem TiN Formkörper durch Pressen und anschließendes Sintern hergestellt werden
sollen oder das Pulver zum Plasma-Flammenspritzen verwendet wird.
Die Farbe schwankt je nach Teilchengröße zwischen schwarz und messingfarben.
In den Zeichnungen sind Vorrichtungen zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
schematisch im Schnitt dargestellt, und zwar zeigt
F i g. 1 die Seitenansicht einer Vorrichtung, bei welcher die Abkühlung der Reaktionsprodukte beispielsweise
an einer bewegten und gekühlten Fläche erfolgt, welche die Form eines Zylinders besitzt, im
Schnitt nach Linie I-I der F i g. 2,
F i g. 2 die Vorrichtung im Schnitt nach Linie H-II der Fig. 1,
F i g. 3 eine Vorrichtung, bei welcher die bewegte und gekühlte Fläche beispielsweise die Form eines
Kegels besitzt im Längsschnitt,
F i g. 4 Lichtbogen und Mischdüse, wie sie verwendet werden können, wenn das TiCl4 mit Hilfe
von Wasserstoff zunächst zu TiCl3 reduziert und erst anschließend mit Ammoniak zu Titannitrid umgesetzt
wird.
Das Verfahren der Erfindung besteht im einzelnen darin, daß, wie beispielsweise in den F i g. 1 und 2
ausgeführt ist, das bei 13 in den Brenner eingeführte Ammoniak bzw. Stickstoff-Wasserstoff-Gemisch beim
Durchtritt durch den zwischen Kathode 4 und Anode 5 brennenden Lichtbogen vorerhitzt wird. In
Kanal 20 der Mischdüse 6 wird dann dem vorerhitzten, teilweise in Radikale bzw. Atome aufgespaltenen
Ausgangsprodukt gasförmiges Titantetrachlorid zugemischt, das durch die Leitung 14 und
beispielsweise den Ringschlitz 21 eingeführt wird. Brenner und Mischdüse 6 sitzen in einer Ausnehmung
des Gehäusedeckels 3. Die Reaktionsprodukte sowie nicht umgesetzte Ausgangsstoffe treffen auf die
bewegte, gekühlte Walze 1. Gegen das dem Brenner am nächsten befindliche Segment der Walze 1 wird
durch ein mit Löchern versehenes Rohr 7, das sich in der Walzenachse befindet, von innen ein Kühlmittel
8, von etwa 50 bis 350° C, z. B. Wasser oder öl, gespritzt. Die untere Hälfte der Walze 1 ist mit
dem vom oberen Teil kommenden Kühlmittel angefüllt. Der Überschuß verläßt die Walze 1 durch einen
offenen Zylinder bei 9. Die Kühlwalze 1 wird von einem Gehäuse 2 umgeben, das ein mit Zulaufstutzen
11 und Ablaufstutzen 12 versehener Kühlmantel 10 umschließt. Die an der Oberfläche der
Walze 1 und an der Innenwand des Gehäuses 2 haftenden festen Reaktionsprodukte werden durch ein
am Gehäuse befestigtes Messer 17 und ein drehbar gelagertes Messer 16 entfernt. Das bewegliche Messer
16 kann durch eine Kurbel 15 oder einen an ihrer Stelle befindlichen anderen mechanischen Antrieb
betätigt werden. Die Reaktionsprodukte fallen in ein Auffanggefäß 19. Die Abgase verlassen die Apparatur
durch die Leitung 18, um durch weitere Abscheidungsapparate, z. B. Cyklone, Prallabscheider,
geführt zu werden. Die Abkühlung der Reaktionsprodukte kann auch in anderer, allgemein üblicher
Weise stattfinden und muß nicht zwingend an einer gekühlten, bewegten Fläche erfolgen.
Eine weitere Ausführungsform des Verfahrens ist durch die in der F i g. 3 dargestellte Apparatur wiedergegeben.
Hier erfolgt das Abkühlen und die Abscheidung der Reaktionsprodukte an einem rotierenden
Kegel. Die sonstigen Apparateteile sind den in F i g. 1 angegebenen analog und bedürfen keiner besonderen
Erklärung.
Sofern das TiCl4 zunächst mit Hilfe von Wasserstoff
zu TiCl3 reduziert und erst dann mit Ammoniak zu Titannitrid umgesetzt werden soll, verfährt man
zweckmäßigerweise so, daß man gemäß Fig. 4 bei 13 Wasserstoff in den Brenner einleitet, ihn in dem
zwischen Kathode 4 und Anode 5 brennenden Lichtbogen auf Temperaturen von über 1000° C, vorzugsweise
über 2500° C, vorerhitzt, durch den Kanal 20 strömen läßt, wo er mit dem bei 14 zugeleiteten und
durch eine Öffnung, beispielsweise den Ringschlitz 21, geleiteten TiCl4 rasch und innig vermischt wird
und daher letzteres zu TiCL reduziert.
Dabei wird der Wasserstoff in einem Überschuß, der das 1,2- bis 20fache, vorzugsweise 2,5- bis
15fache, der theoretischen Menge beträgt, angewendet. Dem dabei entstehenden noch heißen Reaktionsgemisch wird dann das durch 22 zugeleitete und
durch eine Öffnung, beispielsweise einen Ringschlitz 23, dem Kanal 20 zuströmende gasförmige Ammoniak
ebenfalls rasch und innig zugemischt.
Zu beachten ist hierbei, daß die Eintrittsöffnungen der TiCl4- und NH3-Zuführung in den Kanal in
einem solchen Abstand von einander angebracht sind, daß das durch Reaktion des TiCl4 mit dem
Wasserstoff entstehende heiße Reaktionsgemisch noch Temperaturen von mindestens 1000° C, vorzugsweise
mehr als 1500° C, aufweist, wenn es mit dem NH3 vermischt wird, wobei die Abkühlung des
heißen Reaktionsproduktes sowohl mittels der bewegten und gekühlten Fläche als auch sehr allmählich,
beispielsweise mit Hilfe eines Verweilrohres, durchgeführt werden kann.
Die Weiterverarbeitung des daraus sich ergebenden Reaktionsproduktes erfolgt dann analog der
oben beschriebenen Weise.
3 kg Titantetrachlorid wurden mit einer durchschnittlichen Geschwindigkeit von 6 kg/h verdampft
und unter einem Druck von 1,3 Atmosphären durch einen Ringschlitz in einen Kanal von kreisförmigem
Querschnitt gepreßt, in dem sie mit 1,1 Nm3 im Lichtbogen erhitzten Ammoniaks vermischt und gemaß
der summarischen Reaktionsgleichung
3 TiCl4 + 4NH3 — 3 TiN + 12HC1 + 1Z2N2 (1)
zur Reaktion gebracht wurden. Dies entspricht gemäß Gleichung (1) dem l,3fachen Überschuß an
Ammoniak. Die Strömungsgeschwindigkeit des Ammoniaks betrug 2,2Nm3/h. Die Temperatur der
Mischvorrichtung wurde durch einen Ölumlauf auf 190° C gehalten. Die dem Lichtbogen zur Erhitzung
des Ammoniaks zugeführte Energie betrug 10,8 kWh (150 Amp., 145V).
Es fielen 930 g eines feinpulverigen Reaktionsproduktes an. 87,0°/o des darin enthaltenen Titans lagen
in Form von TiN vor. Nach dem Auswaschen betrug der TiN-Gehalt 99.6%. Das TiCl4 wurde somit zu
63,8% zu TiN umgesetzt. Aus dem Abgas konnten 26,5% des eingesetzten TiCl4 zurückgewonnen
werden.
5 kg Titantetrachlorid wurden mit einer durchschnittlichen Geschwindigkeit von 5 kg/h verdampft
und unter einem Druck von 1,3 Atmosphären durch einen Ringschlitz in einen Kanal von kreisförmigem
Querschnitt gepreßt, in dem es mit einem Gemisch aus Nm3 Stickstoff und 3 Nm3 Wasserstoff, das im
Lichtbogen so hoch erhitzt war, daß die Gase sich zum Teil im atomaren Zustand befanden, vermischt
und zur Reaktion gebracht wurde.
Für eine vollständige Umsetzung des TiCl4 zu TiN
und HCl entspricht diese Gasmenge einem 2,4fachen Überschuß an Stickstoff und einem l,5fachen Überschuß
an Wasserstoff. Die Strömungsgeschwindigkeit des Gemisches betrug 4 Nm3/h. Die dem Lichtbogen
zur Erhitzung der Gasmischung zugeführte Energie betrug 30 kWh (180 Amp., 165 V).
Es fielen 1,820 kg eines feinpulverigen Reaktionsproduktes an. 67,4Vo des darin enthaltenen Titans
lagen in Form von TiN vor. Nach dem Auswaschen dagegen betrug der TiN-Gehalt 99,7%. Der Umsatz
belief sich somit auf 47,8% des eingesetzten TiCl4. Aus dem Abgas wurden 28,9% des eingesetzten
TiCl4 zurückgewonnen.
3,5 kg Titantetrachlorid wurden mit einer durchschnittlichen Geschwindigkeit von 7 kg/h verdampft
und unter einem Druck von 1,2 Atmosphären durch einen Ringschlitz in einen Kanal von kreisförmigem
Querschnitt gepreßt, in dem es mit 1,9 Nm3 im Lichtbogen erhitzten Wasserstoffs (Strömungsgeschwindigkeit
3,8 Nm3Zh) vermischt und gemäß der Reaktionsgleichung
TiCl4 + '/2H2 ->
TiCl3 + HCl (3)
zur Reaktion gebracht wurde. In das noch heiße Reaktionsgemisch wurden unmittelbar danach durch
einen zweiten Ringschlitz 1,2 Nm3 gasförmiges Ammoniak mit einer Geschwindigkeit von 2,4Nm3/h
eingedüst, die nach der Reaktionsgleichung
TiCl3 + NH3 -* TiN + 3 HCl
(2)
mit dem intermediär gebildeten TiCIy umgesetzt wurden.
Die Wasserstoff menge entspricht gemäß Gleichung (3) einem 8.7fachen, die Ammoniakmenge
nach Gleichung (2) einem l,9fachen Überschuß. Die dem Lichtbogen zur Erhitzung des Wasserstoffs zugeführte
Energie betrug 10,3 kWh (145 Amp., 140 V). Es fielen 1,46 kg eines feinpulverigen Reaktionsproduktes an, aus dem sich 1,165 kg reinen Titannitrids
isolieren ließen, während der lösliche Rest der Substanz aus Amiden bzw. Amidochloriden des drei-
und vierwertigen Titans bestand.
Die Gesamtausbeute an TiN, bezogen auf das eingesetzte Titantetrachlorid, betrug also 91,4% der
Theorie.
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung von Titannitrid aus Titantetrachlorid in der Gasphase, dadurch
gekennzeichnet, daß man das gasförmige
Titantetrachlorid mit in einem elektrischen Lichtbogen auf Temperaturen von über 1000° C, vorzugsweise
über 2500° C, erhitztem Ammoniak bzw. Stickstoff-Wasserstoff-Gemisch oder mit
entsprechend hocherhitztem, in einem 1,2- bis 20fachen. vorzugsweise 2.5- bis 15fachen Über-
schuß vorliegenden Wasserstoff in einer Mischzone, deren Wände auf einer Temperatur von
etwa 136 bis etwa 500° C3 vorzugsweise auf etwa 200° C, gehalten werden, rasch und innig
vermischt, wobei man bei Verwendung von Was- S serstoff dem noch mindestens 1000° C, vorzugsweise
1500° C5 heißen und im wesentlichen Titantrichlorid enthaltenden Reaktionsgemisch
in der genannten Mischzone noch Ammoniak ebenfalls rasch und innig zumischt, und daß man
anschließend die Reaktionsprodukte kühlt, auffängt und daraus Titannitrid isoliert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die rasche und innige Vermischung
der Reaktionskomponenten innerhalb einer zehntel bis tausendstel Sekunde erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Strömungsgeschwindigkeit
der den Lichtbogen verlassenden Abgase oberhalb etwa 200 m/sec gehalten wird, ao
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Ammoniak bzw. Stickstoff-Wasserstoff-Gemisch
in einem 0,2- bis lOfachen, vorzugsweise 1- bis 3fachen Überschuß angewendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Stickstoff-Wasserstoff-Gemisch
ein Molverhältnis zwischen etwa 1:6 und 3 :1, insbesondere von etwa 1:4, vorliegt.
6. Vorrichtung zur Durchfährung des Verfahrens nach Anspruch 1 bis 5, gekennzeichnet
durch eine über einer Ausnehmung des Deckels (3) von einem geschlossenen, mit einem die Zulaufstutzen
(11) und den Ablaufstutzen (12) tragenden Kühlmantel (10) sowie mit einer Abgasleitung
(18) versehenen Gehäuse (2), angeordnete Lichtbogenanordnung — bestehend aus
Kathode (4), Anode (5) und Gaszuleitung (13) — mit einer Mischdüse (6) — die ihrerseits mit
einer Zuleitung (14) und deren Ringschlitz (21) mit Austrittsöffnung in den Kanal (20) versehen
ist —, wobei im Gehäuse (2) eine Kühlfläche (1) in Form eines rotierenden Hohlzylinders angebracht
ist, in dessen Innenraum ein mit Löchern oder Düsen versehenes Zuleitungsrohr (T) für
Kühlmittel eingeführt ist, welches durch ein Rohr (9) wieder abfließen kann, und wobei ein
mit dem Gehäuse (2) festverbundenes Messer (17) sowie ein drehbares Messer (16) im Gehäuse
(2) angebracht sind.
7. Vorrichtung gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlfläche (1) die Form
eines Kegels besitzt, dessen Spitze dem Verdüsungsstrahl zugewandt ist.
8. Vorrichtung gemäß Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Mischdüse (6)
mit einer zweiten Zuführung (22) und deren Ringschlitz (23) mit Austrittsöffnung in den
Kanal (20) versehen ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
309 778/304 12.63 © Bundesdruckerei Berlin
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