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DE10313692B4 - Method for surface and / or depth treatment of at least one semiconductor substrate and Tauchbadvorrichtung thereto - Google Patents

Method for surface and / or depth treatment of at least one semiconductor substrate and Tauchbadvorrichtung thereto Download PDF

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DE10313692B4
DE10313692B4 DE2003113692 DE10313692A DE10313692B4 DE 10313692 B4 DE10313692 B4 DE 10313692B4 DE 2003113692 DE2003113692 DE 2003113692 DE 10313692 A DE10313692 A DE 10313692A DE 10313692 B4 DE10313692 B4 DE 10313692B4
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Abstract

Verfahren zur Oberflächen- und/oder Tiefenbehandlung, wie zum Spülen, Ätzen, Polieren und Reinigen von zumindest einem Halbleitersubstrat (24), insbesondere von Siliziumwafern, mittels eines Tauchbads (20), bei dem das zu behandelnde Halbleitersubstrat/die zu behandelnden Halbleitersubstrate (24) in einem Prozessbecken (11) von einem Prozessmedium umströmt wird/werden, bei dem die Strömungsgeschwindigkeit des Prozessmediums entlang der Obefläche des umströmten Halbleitersubstrats/der umströmten Halbleitersubstrate (24) im Wesentlichen gleichmäßig gewählt wird, wobei der Halbleitersubstrat die Halbleitersubstrate (24) und/oder der Substrathalter (20) während der Durchführung einer Prozessierung wenigstens zeitweise längs einer in Strömungsrichtung (A) des Prozessmediums verlaufenden Achse (15) gedreht werden.method for surface and / or depth treatment, such as rinsing, etching, polishing and cleaning at least one semiconductor substrate (24), in particular silicon wafers, by means of an immersion bath (20), in which the semiconductor substrate to be treated / the to be treated semiconductor substrates (24) in a process tank (11) flows around a process medium in which the flow rate the process medium along the Obefläche of the flow around the semiconductor substrate / flowed around Semiconductor substrates (24) is selected to be substantially uniform, wherein the semiconductor substrate the semiconductor substrates (24) and / or the substrate holder (20) during the execution a processing at least temporarily along a direction of flow (A) of the process medium extending axis (15) are rotated.

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Oberflächen- und/oder Tiefenbehandlung, wie zum Spülen, Ätzen, Polieren und Reinigen von zumindest einem Halbleitersubstrat, insbesondere von Siliziumwafern, mittels eines Tauchbades, bei dem das zu behandelnde Halbleitersubstrat/die zu behandelnden Halbleitersubstrate in einem Prozessbecken von einem Prozessmedium umströmt wird/werden. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Tauchbadvorrichtung mit wenigstens einem Prozessbecken zur vorteilhaften Durchführung des Verfahrens.The The invention relates to a method for surface and / or depth treatment, such as Rinse, Etch, Polish and cleaning at least one semiconductor substrate, in particular of silicon wafers, by means of a dip bath, in which the treated Semiconductor substrate / the semiconductor substrates to be treated in one Process tank is / is flowed around by a process medium. The invention further relates to a Tauchbadvorrichtung with at least one Process tank for the advantageous implementation of the method.

Bei der Fertigung von integrierten Spaltkreisen, aber auch bei der Produktion von Mikro- und Nanosensoren, Mikro- und Nanoaktoren und sonstigen Mechaniken im Mikrometer- und Nanometerbereich ist es erforderlich, äußerst kleinräumige Strukturen mit hoher Dichte auf einem Substratmaterial auszubilden.at the production of integrated splitting circuits, but also in production of micro and nano sensors, micro and nanoactors and other mechanisms in the micrometer and nanometer range, it is necessary to extremely small-scale structures with form high density on a substrate material.

Für diesen Zweck sind im Stand der Technik unterschiedlichste Materialbearbeitungstechniken bekannt, wie z. B. Sputtern, Plasmabearbeitung, Elektronen- und Ionenstrahllithographie, Trockenätzen usw..For this Purpose are known in the art various material processing techniques, such as Sputtering, plasma processing, electron and ion beam lithography, dry etc..

In der kommerziellen Fertigung sind jedoch nasschemische Verfahren mit Abstand die bedeutendsten Prozessierungstechniken, da diese relativ schnell durchgeführt werden können, eine komplette Waferfläche gleichzeitig behandelt werden kann und mehrere Substrate gleichzeitig in einem Tauchbad prozessiert werden können. Dadurch lässt sich ein hoher Fertigungsdurchsatz realisieren, der auch entsprechende Kostenvorteile mit sich zieht.In commercial production, however, are wet-chemical processes by far the most important processing techniques, since these done relatively quickly can be a complete wafer surface can be treated simultaneously and multiple substrates simultaneously can be processed in a dipping bath. This can be done realize a high production throughput, which also corresponding Cost benefits with it.

Die Prozessierung, insbesondere das Ätzen von Substraten mittels nasschemischer Verfahren weist jedoch in der Praxis auch Probleme auf. So sind besondere Maßnahme zu ergreifen, um einen möglichst gleichmäßigen Ätzabtrag auf der gesamten Substratoberfläche zu gewährleisten. Nur dann können die systembedingten Grenzen nasschemischer Prozessierungsverfahren bezüglich der erreichbaren Strukturgrößen voll ausgeschöpft werden. Ohne einen gleichmäßigen Ätzabtrag kann es dagegen passieren, dass in bestimmten Bereichen der Substratoberfläche die Strukturen noch nicht voll ausgebildet sind (Unterätzen), während in anderen Bereichen der Substratoberfläche Substratbereiche, die eigentlich auf dem Halbleitersubstrat verbleiben sollen durch ein Anätzen von den Strukturseitenflächen aus entfernt werden (Überätzen). Beides führt zu defekten Bauteilen und somit zu einer steigenden Ausschussquote.The Processing, in particular the etching of Substrates by wet chemical method, however, in the Practice problems too. So, special action should be taken to one as possible uniform etching removal on the entire substrate surface to ensure. Only then can the system-related limits of wet-chemical processing methods in terms of of the achievable structure sizes exhausted become. Without a uniform etching removal On the other hand, it may happen that in certain areas of the substrate surface Structures are not fully formed (undercuts) while in other areas of the substrate surface substrate areas that actually to remain on the semiconductor substrate by an etching of the structural side surfaces be removed (over-etching). Both leads to defective components and thus to an increasing reject rate.

Um einen möglichst homogenen Materialabtrag zu gewährleisten, wurden in der Vergangenheit unterschiedliche Maßnahmen vorgeschlagen.Around one possible to ensure homogeneous material removal, Different measures have been proposed in the past.

So wurde erkannt, dass durch eine Relativbewegung zwischen Prozessmedium (z. B. beim Ätzen eine Säure oder eine Lauge) und Substratoberfläche ein schnellerer und gleichmäßigerer Materialabtrag gewährleistet werden kann. Dies rührt daher, dass das Prozessmedium aufgrund der Reaktion mit der benachbarten Substratoberfläche verbraucht wird, und daher stetig ausgetauscht werden muss.So it was recognized that by a relative movement between process medium (eg during etching an acid or a caustic) and substrate surface a faster and more uniform Material removal guaranteed can be. This is touching therefore, that the process medium due to the reaction with the adjacent substrate surface consumed, and therefore needs to be constantly replaced.

Zur Erzeugung dieser Relativbewegung kann entweder das Halbleitersubstrat im Prozessmedium bewegt werden, oder das Prozessmedium selbst bewegt werden, beispielsweise durch eine Umwälzpumpe. Durch den Verbrauch des Prozessmediums im Prozessbecken aufgrund der chemischen Reaktionen lässt jedoch die Wirkung des Prozessmediums mit der Zeit nach, so dass die Prozessierungszeiten je nach Alter des Prozessmediums entsprechend verlängert werden müssen.to Generation of this relative movement can be either the semiconductor substrate be moved in the process medium, or the process medium itself moves be, for example, by a circulation pump. By consumption of the process medium in the process tank due to the chemical reactions leaves, however the effect of the process medium with time, so that the processing times be extended according to the age of the process medium have to.

Da sich ein solches Anpassen der Prozessierungszeiten als problematisch für die Homogenität des Prozessergebnisses erwiesen hat, wurden in der Vergangenheit auch bereits Tauchbäder vorgeschlagen, bei denen das Prozessmedium durch eine Zuführung kontinuierlich ausgetauscht wird, so dass die Konzentration des Prozessmediums weitgehend konstant bleibt.There Such an adaptation of the processing times is problematic for the Homogeneity of the Process result has been proven in the past as well already dipping baths proposed in which the process medium through a feed continuously is exchanged, so that the concentration of the process medium remains largely constant.

Weiterhin wurde erkannt, dass die in Strömungsrichtung hinten liegenden Bereiche der Substratoberfläche weniger stark angeätzt werden, da die an diesen Bereichen vorbeiströmende Prozessflüssigkeit durch die weiter vorne liegenden Bereiche der Substratoberfläche bereits zum Teil verbraucht wurde. Um dieses Problem zu beheben, wurde eine Drehung der Substratscheiben vorgeschlagen, so dass jeder Teilbereich des Substrats während eines Ätzvorgangs bezüglich der Anströmungsrichtung mehrfach im vorderen bzw. im hinteren Bereich liegt.Farther it was recognized that the flow direction areas of the substrate surface that are lying behind are less strongly etched, because the process fluid flowing past these areas through the areas of the substrate surface which are located further ahead partly consumed. To correct this problem, one was Rotation of the substrate discs proposed so that each subarea of the substrate during an etching process in terms of the direction of flow several times in the front or in the rear area.

In der deutschen Offenlegungsschrift DE 100 50 636 A1 wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Gegenständen beschrieben. Dazu werden die zu behandelnden Gegenstände in ein Prozessbecken eingeführt. Als Prozessflüssigkeit wird in einer Schaum-Erzeugungseinheit ein reaktiver Schaum erzeugt, der sich, nachdem er durch eine Diffusorplatte hindurchgeströmt ist, an den zu behandelnden Halbleitersubstraten vorbei bewegt, wobei die Halbleitersubstrate in der durch die Siliziumscheibe gebildeten Ebene drehen.In the German Offenlegungsschrift DE 100 50 636 A1 A method and apparatus for surface treatment of articles is described. For this purpose, the objects to be treated are introduced into a process tank. As the process liquid, in a foam generation unit, a reactive foam is generated which, after having passed through a diffuser plate, moves past the semiconductor substrates to be treated, with the semiconductor substrates rotating in the plane formed by the silicon wafer.

In der deutschen Offenlegungsschrift DE 199 60 241 A1 wird eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten beschrieben, bei dem die in das Prozessbecken einströmende Prozessflüssigkeit zunächst einen Diffusor durchströmt. Um ein möglichst gleichmäßiges Strömungsprofil im Prozessbecken zu schaffen, kann der Abstand zwischen den zu behandelnden Substraten und dem Diffusor verändert werden.In the German Offenlegungsschrift DE 199 60 241 A1 An apparatus and method for treating substrates is described the process liquid flowing into the process tank first flows through a diffuser. In order to create the most uniform flow profile in the process tank, the distance between the substrates to be treated and the diffuser can be changed.

In der deutschen Patentschrift DE 196 55 219 C2 wird eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluidbehälter beschrieben, bei der auf der Unterseite des Fluidbehälters mehrere Einlassöffnungen, Sprühdosen und/oder Dif fusoren vorgesehen sind. Diese sind so angeordnet und ausgebildet, dass sich eine Strömung ausbildet, die weitgehend frei von toten Winkeln und Verwirbelungen des hochströmenden Behandlungsfluids ist.In the German patent DE 196 55 219 C2 a device for treating substrates in a fluid container is described in which a plurality of inlet openings, spray cans and / or dif fusors are provided on the underside of the fluid container. These are arranged and designed so that a flow is formed, which is largely free of dead angles and turbulence of the high-flow treatment fluid.

Trotz der vorgeschlagenen Verbesserungsmöglichkeiten kommt es bei den bislang bekannten Prozessierungsverfahren nach wie vor zu einer ungleichmäßigen Prozessierung der unterschiedlichen Substratoberflächenbereiche. Dies hat eine Begrenzung hinsichtlich der erreichbaren Strukturgrößen zur Folge. Besonders gravierend wirkt sich das Problem der unterschiedlichen Prozessgeschwindigkeiten bei der Fertigung von Mikro- und Nanomechaniken aus, da bei der Herstellung solcher Mechaniken dieser relativ dicke Schichten durch Ätzen abgetragen werden müssen.In spite of the suggested improvement possibilities it comes with the previously known processing method still one uneven processing the different substrate surface areas. This has one Limitation in terms of achievable structure sizes result. Particularly serious is the problem of the different Process speeds in the production of micro and nano-mechanics because in the production of such mechanisms this relatively thick Layers by etching must be removed.

In Kenntnis des Stands der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Prozessierung von Substraten, sowie eine zur Durchführung des Verfahrens geeignete Vorrichtung vorzuschlagen, mit dem eine besonders gleichmäßige Prozessierung des Substrats über die gesamte Substratoberfläche gewährleistet wird, und die gleichmäßige Prozessierung auch über eine größere Anzahl von Chargen hinweg reproduzierbar ist.In Knowledge of the prior art is the object of the invention underlying a process for the processing of substrates, as well one to carry the method to propose suitable device with which a particularly uniform processing of the substrate the entire substrate surface guaranteed will, and the uniform processing also over A larger number is reproducible from batch to batch.

Das Verfahren, bzw. die Vorrichtung gemäß der unabhängigen Ansprüche löst die gestellte Aufgabe.The Method, or the device according to the independent claims solves the asked Task.

Die Unteransprüche geben vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung an.The under claims indicate advantageous developments of the invention.

Zur Lösung die Aufgabe wird ein Verfahren zur Oberflächen- und/oder Tiefenbehandlung, wie zum Spülen, Ätzen, Polieren und Reinigen von zumindest einem Halbleitersubstrat, insbesondere von Siliziumwafern mittels eines Tauchbads dem das zu behandelnde Halbleitersubstrat/die zu behandelnden Halbleitersubstrate in einem Prozessbecken von einem Prozessmedium umströmt wird/werden, vorgeschlagen, bei dem die Strömungsgeschwindigkeit des Prozessmediums entlang der Oberfläche des umströmenden Halbleitersubstrats/der umströmten Halbleitersubstrate im Wesentlichen gleichmäßig gewählt wird. Der Erfinder hat erkannt, dass nicht allein ein stetiger Austausch des Prozessmediums erforderlich ist, sondern dass auch eine möglichst konstante Austauschgeschwindigkeit des Prozessmediums entlang der Substratoberflächen für eine möglichst gleichmäßige Prozessierung von Bedeutung ist. Demgegenüber haben sich die bislang bekannten Verfahren im Wesentlichen darauf beschränkt, einen möglichst raschen, fortwährenden Austausch des Prozessmediums durchzuführen. Zur Vergleichmäßigung der Strömung wird dabei vorgeschlagen, dass die Halbleitersubstrate und/oder der Substrathalter längs einer in Strömungsrichtung des Prozessmediums verlaufenden Achse gedreht werden.to solution the object is a method for surface and / or depth treatment, as for rinsing, etching, polishing and cleaning at least one semiconductor substrate, in particular of silicon wafers by means of a dip to which the treated Semiconductor substrate / the semiconductor substrates to be treated in one Process tank flows around a process medium, it is proposed in which the flow velocity of Process medium along the surface of the flowing around the semiconductor substrate / flow around semiconductor substrates is chosen substantially uniform. The inventor has realized that not just a constant exchange the process medium is required, but that as possible constant exchange rate of the process medium along the substrate surfaces for one preferably uniform processing is important. In contrast, have the previously known methods essentially on it limited, one possible fast, continuous Exchange the process medium. To even out the flow It is proposed that the semiconductor substrates and / or the substrate holder along one in the flow direction of the process medium axis are rotated.

Eine solche gleichmäßige Strömungsgeschwindigkeit des Pro zessmediums im Bereich der gesamten Substratoberfläche(n) lässt sich dadurch realisieren, dass die Strömungsgeschwindigkeit des Prozessmediums im Bereich des Substrats/der Substrate längs einer Querschnittsfläche durch das Prozessbecken im Bereich des Halbleitersubstrats/der Halbleitersubstrate im Wesentlichen gleichmäßig gewählt wird. Mit anderen Worten ist das Strömungsprofil des Prozessmediums längs des Querschnitts und zumindest in dem Bereich, in dem das Halbleitersubstrat/die Halbleitersubstrate angeordnet sind, hinsichtlich der Geschwindigkeit, als auch der Strömungsrichtung weitgehend konstant zu wählen.A such uniform flow rate of the process medium in the area of the entire substrate surface (s) can be thereby realize that the flow velocity of the process medium in the region of the substrate (s) along a cross-sectional area the process basin in the region of the semiconductor substrate / the semiconductor substrates is chosen substantially uniform. In other words, the flow profile of the process medium along of the cross section and at least in the region in which the semiconductor substrate / Semiconductor substrates are arranged, in terms of speed, as well as the flow direction largely constant to choose.

Vorteilhafterweise wird bei dem vorgeschlagenen Verfahren zumindest ein Halbleitersubstrat, vorzugsweise eine Mehrzahl von Halbleitersubstraten zumindest für die Durchführung der Prozessierung in wenigstens einem Substrathalter eingebracht. Der Substrathalter kann dabei vorzugsweise ungefähr so groß ge wählt werden, dass er den Bereich, in dem die Strömungsgeschwindigkeit des Prozessmediums im Wesentlichen homogen ist, weitestgehend abdeckt. Dann ist ein möglichst großer Durchsatz bei der Fertigung realisierbar. Vorzugsweise stehen die Oberflächennormalen der zu bearbeitenden Oberflächen im Wesentlichen senkrecht zur Strömungsrichtung.advantageously, In the proposed method, at least one semiconductor substrate, preferably a plurality of semiconductor substrates at least for the implementation of Processing introduced in at least one substrate holder. Of the Substrate holder can preferably be about as large ge chooses that he the area, in which the flow velocity the process medium is substantially homogeneous, largely covers. Then one is possible big throughput feasible during production. Preferably, the surface normals are the surfaces to be processed essentially perpendicular to the flow direction.

Um eine möglichst gleichmäßige Prozessierung nochmals zu fördern, werden die Halbleitersubstrate, der Substrathalter oder beide während der Durchführung einer Prozessierung wenigstens zeitweise zusätzlich gedreht. Die zusätzliche Drehrichtung verläuft dabei vorzugsweise längs einer quer zur Strömungsrichtung des Prozessmediums liegenden Achse. Wenn beispielsweise die Strömungsrichtung so gewählt ist, dass sie parallel Oberfläche der Substratscheiben verläuft, können die Halbleitersubstrate in einer senkrecht zur Strömungsrichtung verlaufenden Richtung (also in einer Richtung, die normal auf der Substratoberfläche steht) gedreht werden, während der Substrathalter um eine Achse gedreht wird, die parallel zur Strömungsrichtung verläuft.In order to further promote the most uniform possible processing, the semiconductor substrates, the substrate holder or both are additionally rotated at least temporarily during the execution of a processing. The additional direction of rotation preferably runs along an axis transverse to the flow direction of the process medium. For example, when the flow direction is set to be parallel to the surface of the substrate discs, the semiconductor substrates may be rotated in a direction perpendicular to the flow direction (that is, in a direction normal to the substrate surface) while the substrate holder is rotated about an axis becomes, which runs parallel to the flow direction.

Besonders vorzugsweise wird die Drehgeschwindigkeit des Substrathalters und das Strömungsgeschwindigkeitsprofil in der Querschnittsebene derart aufeinander angepasst, dass die resultierende Prozessmediumsgeschwindigkeit entlang der Substratoberfläche(n) im Wesentlichen konstant ist. Da die von der Drehachse des Substrathalters weiter außen liegenden Substrate während der Drehung des Substrathalters aufgrund dieser Drehbewegung einen größeren Weg als weiter in nenliegende Halbleitersubstrate zurücklegen, kommt es bei den äußeren Halbleitersubstraten zu einem erhöhten Austausch des Prozessmediums gegenüber den weiter innenliegenden Substratscheiben. Damit dennoch ein Überätzen dieser Halbleitersubstrate vermieden wird, kann das Strömungsgeschwindigkeitsprofil nach Art eines Rotationsparaboloiden gewählt werden, so dass die Summe aus der von der Strömung des Prozessmediums herrührenden Strömungsgeschwindigkeit relativ zur Substratoberfläche, sowie der aufgrund der Drehbewegung des Substrathalters hervorgerufenen Strömungsgeschwindigkeit in der vektoriellen Summe bei sämtlichen Substratoberflächenbereichen betragsmäßig im Wesentlichen konstant ist.Especially Preferably, the rotational speed of the substrate holder and the flow velocity profile in the cross-sectional plane adapted to each other so that the resulting process media velocity along the substrate surface (s) in the Is essentially constant. Because of the axis of rotation of the substrate holder further outside lying substrates during the rotation of the substrate holder due to this rotational movement a bigger way as further cover in nenliegende semiconductor substrates, it comes with the outer semiconductor substrates to an increased Replacement of the process medium with respect to the internal ones Substrate wafers. This nevertheless over-etching of these semiconductor substrates is avoided, the flow velocity profile after Type of a paraboloid of revolution are chosen so that the sum from the flow of the Process medium originating flow rate relative to the substrate surface, as well as caused due to the rotational movement of the substrate holder flow rate in the vectorial sum in all Substrate surface areas in terms of amount substantially is constant.

Besonders vorteilhaft ist es weiterhin, wenn die Strömung des Prozessmediums weitgehend turbulenzarm gewählt wird. Dies kann insbesondere durch entsprechend niedrige Strömungsgeschwindigkeiten sowie niedrig gewählte Drehgeschwindigkeiten der Substrate bzw. des Substrathalters sowie eine geeignete Zuführung des Prozessmediums in das Prozessbecken realisiert werden. Es können jedoch auch zusätzliche Maßnahmen getroffen werden, wie beispielsweise die Verwendung eines zähflüssigeren Prozessmediums.Especially It is also advantageous if the flow of the process medium largely chosen low turbulence becomes. This can in particular by correspondingly low flow rates as well as low chosen Rotational speeds of the substrates or the substrate holder and a suitable feeder of the process medium into the process tank. It can, however also additional activities be taken, such as the use of a viscous Process medium.

Vorzugsweise wird die Strömungsgeschwindigkeit des Prozessmediums im Prozessbecken im Bereich von 0,1 bis 50 mm/s, vorzugsweise im Bereich von 0,5 bis 5 mm/s, und besonders vorzugsweise im Bereich von 1 bis 3 mm/s liegend gewählt.Preferably becomes the flow velocity of the process medium in the process tank in the range of 0.1 to 50 mm / s, preferably in the range of 0.5 to 5 mm / s, and more preferably chosen in the range of 1 to 3 mm / s lying.

Die Drehgeschwindigkeit der Halbleitersubstrate, die Drehgeschwindigkeit des Substrathalters, bzw. beide Drehgeschwindigkeiten, werden vorteilhafterweise im Bereich von 0,1 bis 1 Umdrehung pro Minute, insbesondere bei 0,25 Umdrehungen pro Minute liegend gewählt. Durch eine geringe Drehgeschwindigkeit der Substrate selbst, kann insbesondere ein linsenartiger Ätzabtrag vermieden werden.The Rotational speed of the semiconductor substrates, the rotational speed of the substrate holder, or both rotational speeds, are advantageously in the range of 0.1 to 1 revolution per minute, especially at 0.25 revolutions per minute lying selected. By a low rotation speed the substrates themselves, in particular a lens-like Ätzabtrag be avoided.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Strömungsgeschwindigkeit des Prozessmediums im Prozessbecken in Abhängigkeit des durchzuführenden Prozesses, insbesondere in Abhängigkeit des Verlaufs eines Bearbeitungsprozesses verändert wird. Wenn beispielsweise das gleiche Tauchbad für zwei unterschiedliche Prozessschritte, bei denen jeweils unterschiedliche Ätztiefen erzielt werden müssen, eingesetzt wird, kann durch eine entsprechende Anpassung der Strömungsgeschwindigkeiten das jeweilige Ätzergebnis positiv beeinflusst werden. Insbesondere kann auch die Strömungsgeschwindigkeit im Verlauf eines Prozessierungsvorgangs geändert werden. So kann beispielsweise am Anfang eines Ätzvorgangs die Geschwindigkeit relativ hoch gewählt werden, und im Verlaufe des Ätzprozesses sukzessive verringert werden.Especially it is advantageous if the flow velocity the process medium in the process tank depending on the process to be carried out, especially depending the course of a machining process is changed. If, for example the same dip for two different process steps, each with different etch depths be achieved can, by adjusting the flow rates accordingly the respective etching result positively influenced. In particular, the flow velocity in Course of a processing operation to be changed. So, for example at the beginning of an etching process the speed can be chosen relatively high, and over time the etching process be gradually reduced.

Weiterhin hat es sich als vorteilhaft erwiesen, wenn das Strömungsgeschwindigkeitsprofil durch entsprechende Wahl der Querschnittsgeometrien, insbesondere in einem Prozessmediumzuführungsbereich durch in die Strömung eingebrachte Körper, oder durch beides angepasst wird. Durch eine beispielsweise trichterförmige Zufuhrdüse des Prozessmediums, bei der ein Körper in die Strömung eingebracht wird, der als Diffusor wirkt, kann das Strömungsgeschwindigkeitsprofil je nach Anforderung angepasst werden.Farther it has proved to be advantageous if the flow velocity profile by appropriate choice of cross-sectional geometries, in particular in a process medium delivery area through into the flow introduced body, or adapted by both. By a funnel-shaped feed nozzle of the process medium, for example, in the case of a body into the flow is introduced, which acts as a diffuser, the flow velocity profile be adapted as required.

Weiterhin wird eine Tauchbadvorrichtung zur Oberflächen- und/oder Tiefenbehandlung, wie zum Spülen, Ätzen, Polieren, Reinigen von zumindest einem Halbleitersubstrat, insbesondere von Siliziumwafern, mit wenigstens einem Prozessbecken vorgeschlagen, bei dem die Tauchbadvorrichtung zumindest eine geschwindigkeitshomogenisierende Prozessmediumzuführungsvorrichtung zur Durchführung des Prozessmediums aufweist, derart, dass die Tauchbadvorrichtung zumindest im Bereich des zu bearbeitenden Halbleitersubstrats in der Querschnittsebene des Prozessbeckens ein im Wesentlichen gleichmäßiges Strömungsgeschwindigkeitsprofil des Prozessmediums aufweist. Eine solche Tauchbadvorrichtung ist zur Durchführung des vorgeschlagenen Prozessierungsverfahrens besonders geeignet. Durch das gleichmäßige Strömungsgeschwindigkeitsprofil des Prozessmediums in der Tauchbadvor richtung im Bereich des Halbleitersubstrats/der Halbleitersubstrate kann eine besonders gleichmäßige Prozessierung des Halbleitersubstrats bzw. der Halbleitersubstrate gewährleistet werden. Zur Vergleichmäßigung der Strömung wird zumindest ein Substrathalter mit zumindest einer Bewegungseinrichtung zur Drehbewegung des Substrathalters und/oder der darin aufgenommenen Halbleitersubstrate längs einer in Strömungsrichtung des Prozessmediums verlaufenden Achse versehen.Farther is an immersion device for surface and / or depth treatment, such as rinsing, etching, polishing, Cleaning at least one semiconductor substrate, in particular of Silicon wafers, proposed with at least one process tank, wherein the Tauchbadvorrichtung at least one speed homogenizing Process fluid delivery device to carry out of the process medium, such that the Tauchbadvorrichtung at least in the region of the semiconductor substrate to be processed in the cross-sectional plane of the process tank a substantially uniform flow velocity profile having the process medium. Such a dipping device is to carry out the proposed processing method is particularly suitable. Due to the uniform flow velocity profile the process medium in the Tauchbadvor direction in the region of the semiconductor substrate / semiconductor substrates can be a particularly uniform processing of the semiconductor substrate or semiconductor substrates become. To even out the flow becomes at least one substrate holder with at least one movement device for the rotational movement of the substrate holder and / or the recorded therein Semiconductor substrates along one in the flow direction the axis of the process medium axis provided.

Vorteilhaft ist es, wenn sich bei zumindest einer geschwindigkeitshomogenisierenden Prozessmediumzuführungsvorrichtung deren Querschnittsfläche in Strömungsrichtung erweitert. Die geschwindigkeitshomogenisierende Prozessmediumzuführungsvorrichtung kann also im Wesentlichen trichterartig oder flaschenhalsartig ausgebildet werden. Durch diese Form kann die Ausbildung eines zumindest bereichsweise weitgehend homogenen Geschwindigkeitsprofils des Prozessmediums besonders einfach realisiert werden. Üblicherweise ist hierzu ein kleiner Öffnungswinkel besonders geeignet.It is advantageous if, in at least one velocity homogenizing process medium supply device, its cross-sectional area expands in the flow direction. The velocity homogenizing process medium supply device can thus essentially funnel be formed like a bottle neck or. With this form, the formation of an at least partially substantially homogeneous velocity profile of the process medium can be realized particularly easily. Usually, a small opening angle is particularly suitable for this purpose.

Vorteilhaft ist es dabei, wenn zumindest eine geschwindigkeitshomogenisierende Prozessmediumzuführungsvorrichtung integral an einer Prozessbeckenwand angeformt ist. Dadurch kann ein besonders einfacher und raumsparender Aufbau der Tauchbadvorrichtung realisiert werden. Auch Turbulenzen erzeugende Übergänge können so ggf. vermieden werden.Advantageous It is there if at least one speed homogenizing Process fluid delivery device is integrally formed on a process tank wall. This can a particularly simple and space-saving design of Tauchbadvorrichtung will be realized. Even turbulence generating transitions can be avoided if necessary.

Weiterhin kann es sich als vorteilhaft erweisen, wenn zumindest eine geschwindigkeitshomogenisierende Prozessmediumzuführungsvorrichtung eine Diffusoreinrichtung aufweisen. Auch eine solche Diffusoreinrichtung, welche ggf. mit einer trichterartigen Prozessmediumzuführungsvorrichtung kombiniert werden kann, kann die Ausbildung eines im Bereich der zu bearbeitenden Substrate im wesentlichen homogenen Strömungsprofils fördern. Farther it may prove advantageous if at least one velocity homogenizing Process medium supply device a Have diffuser device. Also such a diffuser device, which optionally with a funnel-like process medium supply device can be combined in the field of education to be processed substrates in substantially homogeneous flow profile promote.

Eine mögliche Ausbildung der Diffusoreinrichtung besteht darin, dass diese scheibenartig ausgebildet ist. Sie ist dann besonders einfach ausgebildet.A possible Formation of the diffuser device is that this disc-like is trained. It is then particularly simple.

Eine weitere Möglichkeit der Ausbildung der Diffusoreinrichtung besteht darin, dass diese als Strömungskörper aus gebildet ist. Hier ist beispielsweise an einen tropfenförmigen Körper oder an einen Kegel zu denken. Vorteilhafterweise ist der Körper so geformt, dass er keine unnötigen Turbulenzen in die Strömung einbringt.A another possibility the formation of the diffuser device is that these formed as a flow body is. Here, for example, to a teardrop-shaped body or to a cone think. Advantageously, the body is shaped so that it does not unnecessary Turbulence in the flow brings.

Weiterhin kann zumindest eine Diffusoreinrichtung Ausnehmungen, insbesondere symmetrisch um eine Mittelachse angeordnete Ausnehmungen aufweisen. Mit Hilfe solcher Ausnehmungen kann das sich ergebende Strömungsprofil nochmals geglättet werden. Die Symmetrie kann dabei kontinuierlich, wie beispielsweise in Form eines Rings, oder aber diskret ausgebildet sein, indem z. B. jeweils im Abstand von 30° ein Loch vorgesehen ist.Farther can at least one diffuser recesses, in particular have symmetrically arranged around a central axis recesses. With the help of such recesses, the resulting flow profile once again smoothed become. The symmetry can be continuous, such as in the form of a ring, or be formed discretely by z. B. each at a distance of 30 ° Hole is provided.

Ebenso kann es sich als vorteilhaft erweisen, wenn zumindest ein Prozessbecken im Querschnitt als ein vorzugsweise regelmäßiges n-Eck, vorzugsweise mit zumindest sechs, besonders vorzugsweise mit zumindest acht Ecken, oder als Ellipse, vorzugsweise als Kreis geformt ist. Auch dies kann sich vorteilhaft auf das Strömungsprofil auswirken. Auch werden damit „stille Ecken" vermieden, in denen sich Partikel ansammeln können.As well It may prove advantageous if at least one process tank in cross-section as a preferably regular n-corner, preferably with at least six, more preferably with at least eight corners, or as an ellipse, preferably shaped as a circle. This too can have an advantageous effect on the flow profile. Also be quiet with it Corners "avoided in which particles can accumulate.

Weiterhin kann es sich als vorteilhaft erweisen, wenn zumindest ein Prozessbecken, zumindest eine geschwindigkeitshomogenisierende Prozessmediumzuführungsvorrichtung oder zumindest eine Diffusoreinrichtung symmetrisch um eine Mittelachse ausgebildet sind. Auch eine Kombination dieser Merkmale ist möglich. Auch hier kann sich aufgrund der Symmetrie ein besonders günstiges Strömungsprofil ergeben, und die Ausbildung „stiller Ecken" vermieden werden.Farther it may prove advantageous if at least one process tank, at least one velocity homogenizing process medium supply device or at least one diffuser device formed symmetrically about a central axis are. A combination of these features is possible. Also Here, due to the symmetry, a particularly favorable flow profile and the training "quieter Corners "avoided become.

Sinnvoll ist es auch, wenn zumindest eine geschwindigkeitshomogenisierende Prozessmediumzuführungsvorrichtung als Turbulenzminderungseinrichtung ausgebildet ist, bzw. zumindest eine Turbulenzminderungseinrichtung aufweist. Durch die Reduzierung von Turbulenzen kann eine besonders gleich mäßige Prozessierung der Halbleitersubstrate nochmals gefördert werden.meaningful it is also, if at least one speed homogenizing Process fluid delivery device is designed as a turbulence reducing device, or at least having a turbulence reducing device. By the reduction of turbulences can be a particularly uniform processing of the semiconductor substrates again promoted become.

Vorzugsweise ist zumindest ein Substrathalter zur Aufnahme wenigstens eines Halbleitersubstrats, vorzugsweise zur Aufnahme mehrerer Halbleitersubstrate, vorgesehen. Ein solcher Substrathalter erleichtert das Handling des Halbleitersubstrats im Tauchbad. Durch eine entsprechende Ausbildung des Substrathalters wird das sich ergebende Geschwindigkeitsprofil des Prozessmediums nur wenig gestört, oder sogar positiv beeinflusst.Preferably is at least one substrate holder for receiving at least one semiconductor substrate, preferably for receiving a plurality of semiconductor substrates provided. Such a substrate holder facilitates the handling of the semiconductor substrate in the dipping bath. By an appropriate design of the substrate holder becomes the resulting velocity profile of the process medium little disturbed, or even positively influenced.

Ebenso kann es sich als vorteilhaft erweisen, wenn zumindest ein Substrathalter zumindest eine zusätzliche Bewegungseinrichtung zur Durchführung einer zusätzlichen Bewegung, insbesondere zur einer Drehbewegung des Substrathalters, der darin aufgenommenen Halbleitersubstrate, oder für beides aufweist. Dies kann eine besonders gleichmäßige Prozessierung der Halbleitersubstrate nochmals fördern. Insbesondere kann eine unterschiedliche Prozessierungsgeschwindigkeit im Bereich eines Strömungslees vermieden werden.As well It may prove advantageous if at least one substrate holder at least one extra Movement device for performing a additional Movement, in particular for a rotational movement of the substrate holder, the semiconductor substrates accommodated therein, or for both. This can be a particularly uniform processing promote the semiconductor substrates again. In particular, a different processing speed in the range of Strömungslees be avoided.

Um das gewünschte Strömungsprofil im Prozessbecken nicht negativ zu beeinflussen, kann zumindest ein Prozessbecken an seinem oberen Ende eine Überlaufeinrichtung, insbesondere eine Überlaufeinrichtung mit einer Abrisskante aufweisen. Dadurch kann die Ausbildung von Turbulenzen und „stillen Ecken" nochmals verringert werden.Around the wished flow profile in the process tank can not negatively influence, at least one Process tank at its upper end an overflow device, in particular an overflow device having a tear-off edge. This can be the training of Turbulence and "breastfeeding Corners "again be reduced.

Ein Ausführungsbeispiels der Erfindung wird anhand der Zeichnung näher erläutert; diese zeigt inOne embodiment the invention is explained in detail with reference to the drawing; this shows in

1: ein Tauchbad mit einem Substrathalter, in dem sich eine Anzahl zu prozessierender Substrate befindet, in schematischer Ansicht; 1 a dipping bath with a substrate holder containing a number of substrates to be processed, in a schematic view;

2: einen Substrathalter mit darin aufgenommenen Substraten in schematischer Ansicht; 2 a substrate holder with substrates received therein in a schematic view;

3a, 3b: Längsschnitte durch unterschiedlich geformte Prozessbecken; 3a . 3b : Longitudinal sections through differently shaped process tanks;

4a, 4b, 4c: Querschnitte durch unterschiedlich geformte Prozessbecken; 4a . 4b . 4c : Cross sections through differently shaped process tanks;

5a-5e: unterschiedlich ausgebildete Diffusoren im Mediumzulaufbereich im Querschnitt; 5a - 5e : differently shaped diffusers in the medium inlet area in cross section;

6: resultierende Strömungsprofile bei unterschiedlichen Geschwindigkeiten und mit unterschiedlichen Diffusoren und 6 : resulting flow profiles at different speeds and with different diffusers and

7: ein Tauchbad gemäß dem Stand der Technik. 7 : a dip according to the prior art.

In 1 ist eine mögliche Ausführungsform eines Tauchbads 10 dargestellt. Letzteres besteht aus einem Prozessbecken 11, an dessen Unterseite einstückig und integral ein Medienzulaufbereich 12 angeformt ist, der an seiner unteren, dem Prozessbecken 11 gegenüberliegenden Seite einen Schlauchanschluss 14 aufweist, an dem ein hier nicht dargestellter Schlauch angeschlossen werden kann, über den das Prozessmedium zugeführt wird. Wenn, wie vorliegend dargestellt, das Tauchbad 10 zur Durchführung eines Ätzvorgangs verwendet wird, wird als Prozessmedium üblicherweise eine Säure oder Lauge eingesetzt. Bei der Behandlung von Siliziumwafern hat sich Kalilauge als geeignet erwiesen. Zwischen dem Schlauchanschluss 14 und dem Prozessbecken 11 erweitert sich in einem Übergangsbereich 16 der Medienzulaufbereich 12. Der Übergangsbereich 16 ist im vorliegenden Beispiel flaschenhalsartig geformt, so dass keine Übergangskanten auftreten, an denen es ggf. zu Turbulenzen im Prozessmedium kommen könnte. Im Medienzuführungsbereich 12 ist weiterhin ein Strömungskörper 17 vorgesehen, der als Diffusor wirkt. Dies bewirkt, dass sich in dem Bereich, in dem sich der Waferhalter 20 bei der Durchführung eines Ätzvorgangs befindet, ein im Wesentlichen homogenes Strömungsprofil bildet.In 1 is a possible embodiment of a dip 10 shown. The latter consists of a process tank 11 , on its underside in one piece and integrally a media feed area 12 is molded on, at its lower, the process tank 11 opposite side a hose connection 14 has, to which a hose, not shown here, can be connected, via which the process medium is supplied. If, as shown here, the dip 10 is used to carry out an etching process, an acid or alkali is usually used as the process medium. In the treatment of silicon wafers, potassium hydroxide has proved suitable. Between the hose connection 14 and the process basin 11 expands in a transition area 16 the media intake area 12 , The transition area 16 In the present example, it is shaped like a bottle neck, so that no transition edges occur at which it could possibly lead to turbulence in the process medium. In the media feeder area 12 is still a flow body 17 provided, which acts as a diffuser. This causes in the area in which the wafer holder 20 when performing an etch, forms a substantially homogeneous airfoil.

Der Strömungskörper 17 ist vorliegend als laminarer Strömungskörper ausgebildet, d. h., er ist so geformt, dass er möglichst wenig Turbulenzen im Prozessmedium erzeugt. Der Strömungskörper 17 wird über eine Halterung 19 mit einer Behälterwand 18 des Tauchbads 10 befestigt. Vorliegend ist der Halter 19 im Bereich des Übergangsbereichs 16 an der Behälterwand 18 befestigt. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die Halterung 19 einarmig ausgeführt. Es können jedoch auch mehrere Haltearme verwendet werden. Vorzugsweise weisen die Haltearme 19 eine Formgebung auf, die dem vorbeiströmenden Prozessmedium eine möglichst geringe Stirnfläche bietet. Sie sind darüber hinaus so geformt, dass sie im Wesentlichen keine Turbulenzen im Prozessmedium induzieren.The flow body 17 is presently designed as a laminar flow body, ie, it is shaped so that it generates as little turbulence in the process medium. The flow body 17 is about a bracket 19 with a container wall 18 of the dipping bath 10 attached. In the present case is the holder 19 in the area of the transitional area 16 on the container wall 18 attached. In the present embodiment, the holder 19 one arm executed. However, it can also be used more holding arms. Preferably, the retaining arms 19 a shape that offers the smallest possible face to the passing process medium. They are also shaped so that they essentially do not induce turbulence in the process medium.

Prozessbecken 11, Medienzulaufbereich 12 und Strömungskörper 17 sind vorliegend radialsymmetrisch um eine Mittelachse M ausgebildet. Diese verläuft parallel zur Förderrichtung des Prozessmediums. An seinem oberen Ende weist das Prozessbecken 11 einen Überlaufrand 13 auf, über den überschüssiges Prozessmedium ablaufen kann, nachdem es, ausgehend vom Schlauchanschluss 14 in Richtung A durch das Tauchbad hindurchgeflossen ist. Das Prozessbecken ist bei der Durchführung eines Prozessierungsvorgangs vollständig mit dem Prozessmedium gefüllt.process Bath 11 , Media Inlet Area 12 and flow body 17 are present radially symmetrical about a central axis M formed. This runs parallel to the conveying direction of the process medium. At its upper end, the process basin 11 an overflow edge 13 on, can drain over the excess process fluid after it, starting from the hose connection 14 in the direction of A has passed through the dip. The process tank is completely filled with the process medium when carrying out a processing operation.

Um eine Anzahl an Siliziumwafern bzw. Halbleitersubstraten 24 zu prozessieren, werden diese in einen substrathalter 20 gesteckt. Dieser wird anschließend in das mit dem Prozessmedium vollständig gefüllte Tauchbad 10 abgesenkt. Die in 1 dargestellte Position entspricht der Position in der der Prozessierungsvorgang durchgeführt wird. Der Substrathalter 20 wird dabei über zwei Haltedrähte 22 an einer Halterung 26 befestigt. Die Halterung 26 kann um die Mittelachse M herum gedreht werden. Diese Drehung der Halterung 26 überträgt sich entsprechend auf den Substrathalter 20, der demzufolge eine Drehung in Pfeilrichtung B durchführt.To a number of silicon wafers or semiconductor substrates 24 To process these, they are put into a substrate holder 20 plugged. This is then immersed in the immersion bath completely filled with the process medium 10 lowered. In the 1 shown position corresponds to the position in which the processing operation is performed. The substrate holder 20 is doing about two holding wires 22 on a bracket 26 attached. The holder 26 can be rotated around the central axis M around. This rotation of the bracket 26 transfers accordingly to the substrate holder 20 Consequently, a rotation in the direction of arrow B performs.

Weiterhin weist der Substrathalter 20 ein Antriebsrad 30 auf, der mit einer von zwei Auflageachsen oder -stäben 32 fest verbunden ist. Das Antriebsrad 30 kann über einen Antriebsdraht 23 nach Art einer Transmission gedreht werden. Die Drehbewegung übertägt sich über die Auflageachsen 32 auf die Siliziumwafer bzw. Halbleitersubstrate 24, so dass diese eine Drehbewegung um die Drehachse 28 in Pfeilrichtung C ausführen. Durch die Drehung in Pfeilrichtung C wechseln die Randbereiche einer Siliziumwaferscheibe 24 zwischen einer dem Schlauchanschluss 14 zugewandten Luvposition und einer dem Schlauchanschluss 14 abgewandten Leeposition in Bezug auf die Strömungsrichtung A des Prozessmediums. Dadurch wird vermieden, dass aufgrund des Verbrauchs des Prozessmediums durch chemische Reaktionen mit den Siliziumwafern bzw. Halbleitersubstraten 24 eine Vorderseite (Luv) stärker als eine Rückseite (Lee) prozessiert wird. Die Geschwindigkeit der Drehung in Richtung C über die Querachse Q darf nicht zu groß gewählt werden, da es ansonsten zu einem linsenförmigen Ätzverhalten kommen würde. Dies rührt daher, dass die Randbereiche bei einer Drehung um die Querachse Q eine größere Wegstrecke als die Innenbereiche zurücklegen, und durch den daraus resultie renden verbesserten Austausch des Prozessmediums eine stärke Ätzwirkung gegeben ist.Furthermore, the substrate holder 20 a drive wheel 30 up with one of two support axes or rods 32 is firmly connected. The drive wheel 30 can via a drive wire 23 be rotated in the manner of a transmission. The rotary motion translates over the support axes 32 on the silicon wafer or semiconductor substrates 24 so that these turn around the axis of rotation 28 in the direction of arrow C. By rotation in the direction of arrow C, the edge regions of a silicon wafer disc change 24 between a hose connection 14 facing windward position and a hose connection 14 remote leep position with respect to the flow direction A of the process medium. This avoids that due to the consumption of the process medium by chemical reactions with the silicon wafers or semiconductor substrates 24 a front (windward) is processed more heavily than a back (lee). The speed of rotation in the direction C over the transverse axis Q must not be too large, since otherwise a lenticular etching behavior would occur. This is due to the fact that the edge regions cover a greater distance than the inner regions with a rotation about the transverse axis Q, and a strong etching effect is given by the resulting improved replacement of the process medium.

das gleiche gilt in analoger Weise für die Drehbewegung des Substrathalters 20 um die Mittelachse M in Pfeilrichtung B. Hier kommt es aufgrund der größeren Wegstrecke, die die außenliegenden Halbleitersubstrate 24 zurücklegen, zu einer verbesserten Ätzwirkung der außenliegenden Wafer im Verhältnis zu den innenliegenden Wafern. Dieser Effekt kann jedoch dadurch kompensiert werden, dass das Strömungsprofil im Bereich des Substrathalters 20 leicht parabelförmig gewählt wird, derart, dass die Strömungsgeschwindigkeit des Prozessmediums im Bereich der Mittelachse M geringfügig größer ist, als im Randbereich des Substrathalters 20. Durch eine geeignete, aufeinander angepasste Wahl des Geschwindigkeitsprofils sowie der Drehgeschwindigkeit des Substrathalters 20 in Richtung B kann erreicht werden, dass der Betrag der resultierenden Strömungsgeschwindigkeit an den Oberflächen der Halbleitersubstrate 24 unabhängig von deren Lage im Substrathalter 20 konstant gehalten werden kann.the same applies analogously to the rotational movement of the substrate holder 20 around the central axis M in the direction of arrow B. Here it comes because of the greater distance that the outboard Semiconductor substrates 24 to an improved etching effect of the outer wafers relative to the inner wafers. However, this effect can be compensated by the fact that the flow profile in the region of the substrate holder 20 is selected slightly parabolic, such that the flow rate of the process medium in the region of the central axis M is slightly larger than in the edge region of the substrate holder 20 , By a suitable, matched selection of the velocity profile and the rotational speed of the substrate holder 20 in the direction B can be achieved that the amount of the resulting flow velocity at the surfaces of the semiconductor substrates 24 regardless of their location in the substrate holder 20 can be kept constant.

In 2 zum besseren Verständnis der in 1 verwendete Substrathalter 20 in schematischer Ansicht dargestellt. Der Substrathalter 20 besteht auf zwei parallel zueinander verlaufenden Auflagestäben 32, die an der Vorder- und der Rückseite jeweils über einen Verbindungsbügel 34 miteinander verbunden sind. Am Verbindungsbügel 34 sind die Haltedrähte 22 befestigt, an denen der Waferhalter 20 in das Tauchbad 10 abgesenkt und darin gehalten wird. An einem der Auflagestäbe 32 befindet sich ein Antriebsrad 30, über das der entsprechende Auflagestab 32 mittels des in 1 dargestellten Antriebsrads 30 gedreht werden kann. Die Drehbewegung überträgt sich vom Auflagestab 32 mit entsprechender Untersetzung auf die einzelnen Halbleitersubstrate 24. Um die Halbleitersubstrate 24 gegen ein Herunterfallen zu sichern, können an den Seiten, vorliegend aus Übersichtlichkeitsgründen nicht dargestellte Seitenteile mit Führungsnuten vorgesehen werden.In 2 to better understand the in 1 used substrate holder 20 shown in a schematic view. The substrate holder 20 consists of two mutually parallel support rods 32 , which at the front and the back in each case over a connecting bracket 34 connected to each other. On the connection bracket 34 are the retaining wires 22 attached to which the wafer holder 20 in the dipping bath 10 lowered and held in it. At one of the support bars 32 there is a drive wheel 30 , over which the appropriate support staff 32 by means of the in 1 illustrated drive wheel 30 can be turned. The rotary motion is transmitted by the support rod 32 with appropriate reduction to the individual semiconductor substrates 24 , To the semiconductor substrates 24 to secure against falling, can be provided with guide grooves on the sides, in this case for reasons of clarity not shown side parts.

In 3 sind beispielhaft zwei unterschiedliche Prozessbecken 11 jeweils im Längsschnitt dargestellt. Die Mittelachse M verläuft jeweils in der Zeichenebene. In 3a ist der Übergangsbereich 16 zwischen Schlauchanschluss 14 und Prozessbecken 11 bei 36 trichterförmig ausgebildet. Es sind also zwei jeweils ringförmige Kanten vorhanden. Demgegenüber ist in 3b der Übergangsbereich 16 bei 38 flaschenhalsförmig gestaltet. Selbstverständlich sind auch andere Formgebungen denkbar. Üblicherweise ist die flaschenhalsartige Form 38 für höhere Durchflussgeschwindigkeiten des Prozessmediums geeignet, da diese Formgebung in geringerem Maße Wirbel verursacht. Bei geringen Durchflussgeschwindigkeiten und z. B. bei höher viskosen Prozessmedien ist dieser Effekt jedoch üblicherweise zu vernachlässigen, so dass die trichterartige Formgebung, die in der Herstellung üblicherweise einfacher ist, ohne nachteilige Effekte verwendet werden kann.In 3 are two different process tanks by way of example 11 each shown in longitudinal section. The central axis M runs in each case in the plane of the drawing. In 3a is the transition area 16 between hose connection 14 and process tanks 11 at 36 funnel-shaped. So there are two each annular edges present. In contrast, in 3b the transition area 16 at 38 bottle-neck shaped. Of course, other shapes are conceivable. Usually, the bottle neck-like shape 38 suitable for higher flow rates of the process medium, since this shaping causes less swirl. At low flow rates and z. For example, in higher viscosity process media, this effect is usually negligible, so that the funnel-like shape, which is usually easier to manufacture, can be used without adverse effects.

In 4 sind Querschnitte von unterschiedlichen möglichen Prozessbecken 11 dargestellt. So zeigt 4a einen kreisförmigen Querschnitt 40, 4b einen achteckigen Querschnitt 41 sowie 4c einen sechseckigen Querschnitt 42. Üblicherweise sind Prozessbecken 11 mit steigender Eckenanzahl aufwändiger in der Herstellung. Demgegenüber verhindert jedoch eine größere Eckenanzahl die Ausbildung von „stillen Ecken", in denen sich Partikel ansammeln und Turbulenzen entstehen könnten. Dieser Effekt zeigt sich insbesondere bei den bisher üblichen viereckigen Prozessbecken 11.In 4 are cross sections of different possible process tanks 11 shown. So shows 4a a circular cross-section 40 . 4b an octagonal cross-section 41 such as 4c a hexagonal cross-section 42 , Usually are process tanks 11 with increasing number of corners more complex in the production. By contrast, a larger number of corners prevents the formation of "silent corners" in which particles accumulate and turbulence may occur, an effect which is especially evident in the previously customary quadrangular process tanks 11 ,

5 zeigt beispielhaft unterschiedliche denkbare Diffusoren 46, 50, die im Medienzulaufbereich 12 eines Tauchbads 10 angeordnet werden können. In 5 ist jeweils nur ein Ausschnitt 44 des Medienzuführungsbereichs 12 dargestellt. Die Diffusoren 46, 50 sind jeweils rotationssymmetrisch um die Mittelachse M ausgebildet. 5 shows an example of different conceivable diffusers 46 . 50 in the media intake area 12 a dip 10 can be arranged. In 5 is only one section at a time 44 of the media feed area 12 shown. The diffusers 46 . 50 are each formed rotationally symmetrical about the central axis M.

In den 5a bis 5d ist ein jeweils scheibenartiger Diffusor 46 gezeigt.In the 5a to 5d is a respective disc-like diffuser 46 shown.

Dabei zeigt 5a einen scheibenartigen Diffusor 46 mit einer mittleren Scheibe 47 und einem Ring 48, wobei zwischen der Wand 45, dem Ring 48 sowie der Scheibe 47 jeweils eine Lücke verbleibt, durch die das Prozessmedium hindurchströmen kann.It shows 5a a disc-like diffuser 46 with a middle disc 47 and a ring 48 , being between the wall 45 , the ring 48 as well as the disc 47 one gap remains, through which the process medium can flow.

In 5b besteht der scheibenartige Diffusor 46 lediglich aus einem Ring 48. Zwischen Wand 45 und Ring 48 verbleibt eine Lücke, durch die das Prozessmedium hindurchströmen kann. Selbstverständlich kann das Prozessmedium auch durch das mittig angeordnete Loch des Rings 48 hindurchströmen.In 5b consists of the disc-like diffuser 46 only from a ring 48 , Between wall 45 and ring 48 there remains a gap through which the process medium can flow. Of course, the process medium can also through the center hole of the ring 48 flow through.

5c zeigt einen besonders einfach aufgebauten scheibenförmigen Diffusor, der lediglich aus einer einfachen Scheibe 47 besteht. Zwischen der Scheibe 47 und der Wand 45 befindet sich eine ringförmige Lücke, durch den das Prozessmedium hindurchströmen kann. 5c shows a particularly simple disc-shaped diffuser, which consists only of a simple disc 47 consists. Between the disc 47 and the wall 45 There is an annular gap through which the process medium can flow.

Der scheibenförmige Diffusor 46 in 5d entspricht in seinem Aufbau im Wesentlichen dem scheibenförmigen Diffusor 46 der 5a, jedoch ist beim scheibenförmigen Diffusor gemäß 5d zwischen dem Ring 48 und der Außenwand 45 kein Zwischenraum vorgesehen.The disc-shaped diffuser 46 in 5d In its construction corresponds essentially to the disc-shaped diffuser 46 of the 5a However, in the disk-shaped diffuser according to 5d between the ring 48 and the outer wall 45 no gap provided.

Selbstverständlich sind die Scheiben 47 und die Ringe 48 in den 5a bis 5d durch entsprechende Halterungen zu befestigen, die vorwiegend jedoch aus Übersichtlichkeitsgründen nicht dargestellt wurden.Of course, the discs are 47 and the rings 48 in the 5a to 5d to be secured by appropriate brackets, which were mainly not shown for reasons of clarity.

5e zeigt schließlich einen als Strömungskörper 50 ausgebildeten Diffusor, der ebenfalls das sich ausbildende Strömungsprofil beeinflusst. Der Strömungskörper 50 ist vorwiegend kegelförmig ausgebildet und ist über eine Halterung 19 mit der Wand 45 verbunden. 5e finally shows one as a flow body 50 trained diffuser, which also impressed the forming flow profile enced. The flow body 50 is predominantly cone-shaped and has a holder 19 with the wall 45 connected.

In 6 sind verschiedene Geschwindigkeitsprofile 52, 53, 54, 55 dargestellt, welche sich mit unterschiedlichen Diffusoren und bei unterschiedlichen mittleren Geschwindigkeiten v ergeben. Die Abszisse zeigt die Position x innerhalb des Prozessbeckens 11 an. x = 0 entspricht dabei einer Position an der linken Wand des Prozessbeckens, x = 1 einer Position am rechten Rand des Prozessbeckens und x = 0,5 einer Position in der Mitte des Prozessbeckens am Ort der Mittelachse M.In 6 are different speed profiles 52 . 53 . 54 . 55 shown, which arise with different diffusers and at different average velocities v. The abscissa shows the position x within the process pool 11 at. x = 0 corresponds to a position on the left wall of the process tank, x = 1 of a position on the right edge of the process tank and x = 0.5 of a position in the middle of the process tank at the location of the center axis M.

Längs der Ordinate ist die jeweilige Geschwindigkeit v(x) und in Abhängigkeit von der Position im Prozessbecken dargestellt. Die Geschwindigkeit ist dabei im Bereich der Substrate gemessen, wobei zur Durchführung der Messung die Substrathalterung entfernt wurde.Along the Ordinate is the respective velocity v (x) and in dependence represented by the position in the process tank. The speed is measured in the region of the substrates, wherein to carry out the Measurement the substrate holder was removed.

Die Kurven 52, 53 und 54 wurden bei einer mittleren Geschwindigkeit ν von 2 mm/s aufgenommen. Dabei zeigt die Kurve 52 die Situation ohne Diffusor, die punktierte Kurve 53 zeigt das Strömungsprofil beim Vorhandensein einer mittig angeordneten Scheibe (s. 5c) und die gestrichelte Kurve 54 das Geschwindigkeitsprofil bei Vorhandensein eines ringförmigen Diffusors (s. 5b). Wie man der 6 entnehmen kann, bewirken die Diffusoren ein abgeflachtes Geschwindigkeitsprofil, so dass eine weitgehend homogene Strömung im Bereich des Substrathalters erzielt werden kann. Der Substrathalter sollte dabei nur eine gewisse Breite des Beckens überspannen. In Bezug auf die gestrichelte Linie 54 (Diffusorring mit zentralem Loch) kann sich der Substrathalter beispielsweise zwischen x = 0,25 und x = 0,75 erstrecken, oder dass sich die Strömungsgeschwindigkeit in diesem Bereich wesentlich ändert.The curves 52 . 53 and 54 were recorded at a mean velocity ν of 2 mm / s. The curve shows 52 the situation without diffuser, the dotted curve 53 shows the flow profile in the presence of a centrally located disc (s. 5c ) and the dashed curve 54 the velocity profile in the presence of an annular diffuser (s. 5b ). How to get the 6 can remove, cause the diffusers a flattened velocity profile, so that a substantially homogeneous flow in the region of the substrate holder can be achieved. The substrate holder should only span a certain width of the pelvis. In terms of the dashed line 54 (Diffuser ring with central hole), the substrate holder, for example, between x = 0.25 and x = 0.75 extend, or that the flow rate changes significantly in this area.

Zu Vergleichszwecken ist in 6 weiterhin noch eine strichpunktierte Linie 55 eingezeichnet. Diese wurde mit dem gleichen Diffusor wie die gestrichelte Linie 54 aufgenommen, jedoch beträgt die mittlere Geschwindigkeit ν vorliegend 5 mm/s.For comparison purposes is in 6 still a dot-dash line 55 located. This was using the same diffuser as the dashed line 54 recorded, however, the mean velocity ν in the present case is 5 mm / s.

In 7 ist schließlich noch ein Tauchbecken 58 nach dem Stand der Technik gezeigt. In ein Prozessbecken 62, welches im Betrieb vollständig mit einem Prozessmedium gefüllt ist, wird ein Waferhalter 59 mit einer Anzahl von Wafern 60 gehängt. Zwar wird über einen Medienzuführschlauch 64 das Prozessmedium stetig erneuert, wobei das überschüssige Prozessmedium über einen Überlaufrand 67 abfließt. Da das Medium jedoch über eine einfache Düse 65 in das Prozessbecken 62 zugeführt wird, bildet sich kein homogenes Geschwindigkeitsprofil v(x) im Bereich des Waferhalters 59 aus, was zu dem beschriebenen ungleichförmigen Ätzverhalten führt.In 7 is finally a plunge pool 58 shown in the prior art. In a process tank 62 , which is completely filled with a process medium during operation, becomes a wafer holder 59 with a number of wafers 60 hanged. Although is via a media supply hose 64 the process medium constantly renewed, with the excess process medium via an overflow edge 67 flows. However, because the medium has a simple nozzle 65 into the process tank 62 is fed, no homogeneous velocity profile v (x) forms in the region of the wafer holder 59 resulting in the described non-uniform etching behavior.

Selbstverständlich kann die vorliegend beschriebene Erfindung für beliebige Halbleitersubstrate (z. B. Germanium, Galliumarsenid usw.) sowie für unterschiedliche Verfahrensprozesse verwendet werden.Of course you can the invention described herein for any semiconductor substrates (eg germanium, gallium arsenide, etc.) as well as for different process processes be used.

Claims (23)

Verfahren zur Oberflächen- und/oder Tiefenbehandlung, wie zum Spülen, Ätzen, Polieren und Reinigen von zumindest einem Halbleitersubstrat (24), insbesondere von Siliziumwafern, mittels eines Tauchbads (20), bei dem das zu behandelnde Halbleitersubstrat/die zu behandelnden Halbleitersubstrate (24) in einem Prozessbecken (11) von einem Prozessmedium umströmt wird/werden, bei dem die Strömungsgeschwindigkeit des Prozessmediums entlang der Obefläche des umströmten Halbleitersubstrats/der umströmten Halbleitersubstrate (24) im Wesentlichen gleichmäßig gewählt wird, wobei der Halbleitersubstrat die Halbleitersubstrate (24) und/oder der Substrathalter (20) während der Durchführung einer Prozessierung wenigstens zeitweise längs einer in Strömungsrichtung (A) des Prozessmediums verlaufenden Achse (15) gedreht werden.Method for surface and / or depth treatment, such as rinsing, etching, polishing and cleaning of at least one semiconductor substrate ( 24 ), in particular of silicon wafers, by means of an immersion bath ( 20 ), in which the semiconductor substrate to be treated / the semiconductor substrates to be treated ( 24 ) in a process tank ( 11 ) is flowed around by a process medium in which the flow velocity of the process medium along the surface of the flow around the semiconductor substrate / the flow around semiconductor substrates ( 24 ) is chosen substantially uniformly, wherein the semiconductor substrate, the semiconductor substrates ( 24 ) and / or the substrate holder ( 20 ) during the execution of a processing at least temporarily along an axis extending in the flow direction (A) of the process medium axis ( 15 ) to be turned around. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Strömungsgeschwindigkeit des Prozessmediums im Bereich des Halbleitersubstrats/der Halbleitersubstrate (24) längs einer Querschnittsfläche durch da Prozessbecken (11) im Bereich des Halbleitersubstrats/der Halbleitersubstrate (24) im Wesentlichen gleichmäßig gewählt wird.Method according to Claim 1, characterized in that the flow velocity of the process medium in the region of the semiconductor substrate (s) ( 24 ) along a cross-sectional area through the process tank ( 11 ) in the region of the semiconductor substrate (s) ( 24 ) is selected substantially uniformly. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Halbleitersubstrat (24), vorzugsweise eine Mehrzahl von Halbleitersubstraten (24) zumindest für die Durchführung der Prozessierung in wenigstens einen Substrathalter (20), eingebracht werden.Method according to claim 1 or 2, characterized in that at least one semiconductor substrate ( 24 ), preferably a plurality of semiconductor substrates ( 24 ) at least for performing the processing in at least one substrate holder ( 20 ) are introduced. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleitersubstrate (24) und/oder der Substrathalter (20) während der Durchführung einer Prozessierung wenigstens zeitweise längs einer quer zur Strömungsrichtung (A) des Prozessmediums liegenden Achse (28) gedreht werden.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor substrates ( 24 ) and / or the substrate holder ( 20 ) during the execution of a processing at least temporarily along an axis transverse to the flow direction (A) of the process medium axis ( 28 ) to be turned around. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Drehgeschwindigkeit (B) des Substrathalters (20) und das Strömungsgeschwindigkeitsprofil (52, 53, 54, 55) in der Querschnittsebene derart aufeinander angepasst werden, dass die resultierende Prozessmediumgeschwindigkeit entlang der Substratoberfläche(n) im Wesentlichen konstant ist.A method according to claim 9, characterized in that the rotational speed (B) of the substrate holder ( 20 ) and the flow velocity profile ( 52 . 53 . 54 . 55 ) in the cross-sectional plane are adapted to each other such that the resulting process medium velocity along the substrate surface (s) is substantially constant. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Strömung des Prozessmediums weitgehend turbulenzarm gewählt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the flow the process medium is selected largely turbulence. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Strömungsgeschwindigkeit des Prozessmediums im Prozessbecken (11) im Bereich von 0,1 bis 50 mm/s, vorzugsweise im Bereich von 0,5 bis 5 mm/s, besonders vorzugsweise im Bereich von 1 bis 3 mm/s liegend gewählt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the flow velocity of the process medium in the process tank ( 11 ) in the range of 0.1 to 50 mm / s, preferably in the range of 0.5 to 5 mm / s, particularly preferably in the range of 1 to 3 mm / s lying is selected. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, insbesondere nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Drehgeschwindigkeit (C; B) der Halbleitersubstrate (24) und/oder des Substrathalters (20) im Bereich von 0,1 bis 1 min-1, insbesondere bei 0,25 min-1 liegend gewählt wird.Method according to one of the preceding claims, in particular according to one of claims 4 to 7, characterized in that the rotational speed (C; B) of the semiconductor substrates ( 24 ) and / or the substrate holder ( 20 ) is selected in the range of 0.1 to 1 min -1 , in particular at 0.25 min -1 lying. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Strömungsgeschwindigkeit des Prozessmediums im Prozessbecken (11) in Abhängigkeit des durchzuführenden Prozesses, insbesondere in Abhängigkeit des Verlaufs eines Bearbeitungsprozesses verändert wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the flow velocity of the process medium in the process tank ( 11 ) is changed depending on the process to be performed, in particular depending on the course of a machining process. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Stömungsgeschwindigkeitsprofil (52, 53, 54, 55) durch entsprechende Wahl der Querschnittsgeometrien insbesondere in einem Prozessmediumzuführungsbereich (16) und/oder durch in die Strömung eingebrachte Körper (17, 46, 50) angepasst wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the flow velocity profile ( 52 . 53 . 54 . 55 ) by appropriate selection of the cross-sectional geometries, in particular in a process medium supply area ( 16 ) and / or by introduced into the flow body ( 17 . 46 . 50 ) is adjusted. Tauchbadvorrichtung zur Oberflächen- und/oder Tiefenbehandlung, wie zum Spülen, Ätzen, Polieren und Reinigen von zumindest einem Halbleitersubstrat (24), insbesondere von Siliziumwafern, mit wenigstens einem Prozessbecken (11), bei dem die Tauchbadvorrichtung (10) zumindest eine geschwindigkeitshomogenisierende Prozessmediumzuführungsvorrichtung (12) zur Zuführung des Prozessmediums aufweist, derart, dass die Tauchbadvorrichtung zumindest im Bereich des zu bearbeitenden Halbleitersubstrats (24) in der Querschnittsebene des Prozessbeckens (11) ein im Wesentlichen gleichmäßiges Strömungsgeschwindigkeitsprofil (52, 53, 54, 55) des Prozessmediums aufweist, wobei zumindest ein Substrathalter (20) zumindest eine Bewegungseinrichtung (30) zur Drehbewegung des Substrathalters (20) und/oder der/des darin aufgenommenen Halbleitersubstrats (24) längs einer in Strömungsrichtung (A) des Prozessmediums verlaufenden Achse (15) aufweist.Dipping bath apparatus for surface and / or depth treatment, such as rinsing, etching, polishing and cleaning of at least one semiconductor substrate ( 24 ), in particular of silicon wafers, with at least one process tank ( 11 ), in which the dipping device ( 10 ) at least one velocity homogenizing process medium supply device ( 12 ) for supplying the process medium, such that the immersion bath device is at least in the region of the semiconductor substrate to be processed ( 24 ) in the cross-sectional plane of the process tank ( 11 ) a substantially uniform flow velocity profile ( 52 . 53 . 54 . 55 ) of the process medium, wherein at least one substrate holder ( 20 ) at least one movement device ( 30 ) for the rotational movement of the substrate holder ( 20 ) and / or the semiconductor substrate ( 24 ) along an axis running in the flow direction (A) of the process medium ( 15 ) having. Tauchbadvorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass sich bei zumindest einer geschwindigkeitshomogenisierenden Prozessmediumzuführungsvorrichtung (12), deren Querschnittsfläche in Strömungsrichtung (A) erweitert.Dipping bath apparatus according to claim 11, characterized in that, in at least one velocity homogenizing process medium supply device ( 12 ), whose cross-sectional area in the flow direction (A) expands. Tauchbadvorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine geschwindigkeitshomogenisierende Prozessmediumzuführungsvorrichtung (12) im Wesentlichen trichterartig (36) oder flaschenhalsartig (38) ausgebildet ist.Dipping bath apparatus according to claim 11 or 12, characterized in that at least one velocity homogenizing process medium supply device ( 12 ) essentially funnel-like ( 36 ) or bottleneck-like ( 38 ) is trained. Tauchbadvorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine geschwindigkeitshomogenisierende Prozessmediumzuführungsvorrichtung (12) integral an einer Prozessbeckenwand (18) angeformt ist.Dipping bath apparatus according to one of claims 11 to 13, characterized in that at least one velocity homogenizing process medium supply device ( 12 ) integral to a process basin wall ( 18 ) is formed. Tauchbadvorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine geschwindigkeitshomogenisierende Prozessmediumzuführungsvorrichtung (12, 44) eine Diffusoreinrichtung (17, 46, 50) aufweist.Dipping bath apparatus according to one of claims 11 to 14, characterized in that at least one velocity-homogenizing process medium supply device ( 12 . 44 ) a diffuser device ( 17 . 46 . 50 ) having. Tauchbadvorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Diffusoreinrichtung (44) scheibenartig (47, 48) ausgebildet ist.Dipping bath apparatus according to claim 15, characterized in that at least one diffuser device ( 44 ) disc-like ( 47 . 48 ) is trained. Tauchbadvorrichtung nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Diffusoreinrichtung als Strömungskörper (17, 50) ausgebildet ist.Dipping bath apparatus according to claim 15 or 16, characterized in that at least one diffuser device as flow body ( 17 . 50 ) is trained. Tauchbadvorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Diffusoreinrichtung (46) Ausnehmungen, insbesondere symmetrisch um eine Mittelachse angeordnete Ausnehmungen aufweist.Dipping bath apparatus according to one of claims 15 to 17, characterized in that at least one diffuser device ( 46 ) Has recesses, in particular symmetrically arranged around a central axis recesses. Tauchbadvorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Prozessbecken (11) im Querschnitt als ein vorzugsweise regelmäßiges n-Eck, vorzugsweise mit zumindest sechs (42), besonders vorzugsweise mit zumindest acht Ecken (41), oder als Ellipse, vorzugsweise als Kreis (40) geformt ist.Dipping device according to one of claims 11 to 18, characterized in that at least one process tank ( 11 ) in cross section as a preferably regular n-gon, preferably with at least six ( 42 ), particularly preferably with at least eight corners ( 41 ), or as an ellipse, preferably as a circle ( 40 ) is shaped. Tauchbadvorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Prozessbecken (11) und/oder zumindest eine geschwindigkeitshomogenisierende Prozessmediumzuführungsvorrichtung (12) und/oder zumindest eine Diffusoreinrichtung (17) symmetrisch um eine Mittelachse (15) ausgebildet sind.Dipping device according to one of claims 11 to 19, characterized in that at least one process tank ( 11 ) and / or at least one velocity homogenizing process medium supply device ( 12 ) and / or at least one diffuser device ( 17 ) symmetrically about a central axis ( 15 ) are formed. Tauchbadvorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 20, insbesondere nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine geschwindigkeitshomogenisierende Prozessmediumzuführungsvorrichtung (12) als Turbulenzminderungseinrichtung ausgebildet ist und/oder zumindest eine Turbulenzminderungseinrichtung aufweist.Dipping bath apparatus according to one of claims 11 to 20, in particular according to one of claims 15 to 18, characterized in that at least one velocity homogenizing process medium supply device ( 12 ) as a door Bulk-reducing device is formed and / or has at least one turbulence reducing device. Tauchbadvorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Substrathalter (20) zumindest eine zusätzliche Bewegungseinrichtung (30) zur Durchführung einer zusätzlichen Drehbewegung ausgebildet ist.Dipping bath apparatus according to claim 11, characterized in that at least one substrate holder ( 20 ) at least one additional movement device ( 30 ) is designed to carry out an additional rotary movement. Tauchbadvorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Prozessbecken (11) an seinem oberen Ende eine Überlaufrandeinrichtung (13), insbesondere eine Überlaufrandeinrichtung mit einer Abrisskante aufweist.Dipping device according to one of claims 11 to 22, characterized in that at least one process tank ( 11 ) at its upper end an overflow edge device ( 13 ), in particular has an overflow edge device with a tear-off edge.
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