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Die Erfindung betrifft eine Gleichspannungswandlerschaltung
mit einer Induktivität,
zwei steuerbaren Schaltern und einer Steuerschaltung, die so ausgebildet
ist, daß sie
die Schalter so steuern kann, daß die Gleichspannungswandlerschaltung
in zwei sich permanent abwechselnden Betriebsphasen arbeiten kann,
wobei die Schalter in der Gleichspannungswandlerschaltung so angeordnet
sind, daß dann,
wenn die Steuerschaltung in der ersten Betriebsphase den ersten
Schalter schließt
und den zweiten Schalter öffnet,
ein Energiefluß vom
Eingang der Gleichspannungswandlerschaltung zur Induktivität erfolgt,
und dann, wenn die Steuerschaltung in der zweiten Betriebsphase
den ersten Schalter öffnet und
den zweiten Schalter schließt,
ein Energiefluß von
der Induktivität
zum Ausgang der Gleichspannungswandlerschaltung erfolgt. Die Erfindung
betrifft darüber
hinaus auch ein Verfahren zur Gleichspannungswandlung.
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Gleichspannungswandlerschaltungen
werden in vielen elektronischen Geräten eingesetzt. Ihre Aufgabe
ist es, eine oder mehrere Gleichspannungen aus einer Eingangsspannung,
die beispielsweise von einer Batterie bereitgestellt wird, zu erzeugen,
an eine am Ausgang der Gleichspannungswandlerschaltung angebrachte
Last anzulegen und diese mit dem benötigten Laststrom zu versorgen.
Um unterschiedliche Spannungswerte und Polaritäten der benötigten Ausgangsspannungen zu
erzeugen, werden unterschiedliche Ausführungen von Gleichspannungswandlerschaltungen
verwendet, die die Eingangsspannung in eine höhere, niedrigere oder invertierte
Ausgangsspannung wandeln können.
Wichtige Entwurfskriterien der Gleichspannungswandlerschaltungen
sind ein hoher Wirkungsgrad über
einen weiten Bereich des Laststroms und ein einfacher Aufbau.
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Eine Grundschaltung einer Gleichspannungswandlerschaltung
vom Typ eines Aufwärts-Wandlers,
der eine Eingangsspannung in eine betragsmäßig höhere Ausgangsspannung umsetzt, wird
z.B. in dem Lehrbuch „Halbleiterschaltungstechnik" von U. Tietze und
Ch. Schenk, 12. Auflage, Springer-Verlag, 2001, auf den Seiten 948-949
beschrieben. Diese Gleichspannungswandlerschaltung umfaßt eine
Induktivität,
deren einer Anschluß mit dem
Eingang der Gleichspannungswandlerschaltung verbunden ist und deren
anderer Anschluß über einen
ersten steuerbaren Schalter mit Masse verbindbar ist und mit der
Anode einer Diode verbunden ist, deren Kathode mit dem Ausgang der
Gleichspannungswandlerschaltung verbunden ist.
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In der Offenlegungsschrift
DE 19940419 A1 wird
in
2 eine Schaltung
gezeigt, bei der die Diode durch einen zweiten steuerbaren Schalter
ersetzt ist, um die durch die Diode auftretenden Energieverluste
zu beseitigen.
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Die Gleichspannungswandlerschaltung
benötigt
zur Steuerung der beiden Schalter eine Steuerschaltung, die mit
den beiden Schaltern verbunden ist. Die Steuerschaltung erzeugt
die Steuersignale der Schalter und dient darüber hinaus zur Regelung der
Ausgangspannung. Eine solche Steuerschaltung wird beispielsweise
in dem oben zitierten Lehrbuch von U. Tietze und Ch. Schenk auf
Seite 946 beschrieben.
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Die Regelung der Ausgangsspannung
erfolgt hier über
die Periodendauer der Schaltsignale für die beiden Schalter. Diese
werden dabei mittels einer Impulsbreitenmodulatorschaltung so gesteuert, daß die Gleichspannungswandlerschaltung
in zwei sich permanent abwechselnden Betriebsphasen arbeiten kann.
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Während
der ersten Betriebsphase ist der erste Schalter geschlossen und
der zweite Schalter geöffnet.
Damit kann Energie von einer am Eingang angeordneten Spannungsquelle
zur Induktivität
fließen.
Wenn nun in der zweiten Betriebsphase der erste Schalter geöffnet und
der zweite Schalter geschlossen ist, fließt Energie von der Induktivität zu einer
am Ausgang der Gleichspannungswandlerschaltung angebrachten Last.
Während
der beiden Betriebsphasen stellt sich ein stetig ansteigender und wieder
abfallender Strom durch die Induktivität ein.
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Mit abnehmendem Laststrom muß der resultierende
Gesamtstrom, der durch die Induktivität fließt, immer weiter abnehmen,
so daß während der zweiten
Betriebsphase der Strom durch die Induktivität bis auf Null oder auch unter
Null abfallen kann. Dieser Modus des unterbrochenen Stromflusses
ist jedoch mit einem relativ schlechten Wirkungsgrad verbunden,
da sich durch das beim ständigen
Schalten auftretende Umladen der Schalter-Gatekapazitäten ein
Leistungsverlust ergibt. Deshalb kann die Gleichspannungswandlerschaltung
auch in einem Ruhemodus arbeiten, in dem keine Energie zu oder von
der Induktivität
fließt.
In diesem Ruhemodus, der auch als Skip-Modus (engl.: to skip = überspringen) bezeichnet
wird, sind beide Schalter geöffnet.
Falls die Ausgangsspannung unter einen vorherbestimmten Wert absinkt,
muß der
Ruhemodus wieder verlassen werden und das permanent abwechselnde
Speichern von Energie in der Induktivität und Abgeben von in der Induktivität gespeicherter
Energie beginnt erneut. Das Verlassen des Ruhemodus wird üblicherweise
durch einen am Ausgang der Gleichspannungswandlerschaltung angebrachten
Komparator erfaßt,
der den Spannungspegel der Ausgangsspannung überwacht und mit einer Referenzspannung vergleicht.
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Eine Bedingung für das Eintreten in den Ruhemodus
ist folglich durch einen stromlosen Zustand der Induktivität gegeben.
Die Stromrichtung in der Induktivität während der Phase t4 entscheidet über das Eintreten
in den Ruhemodus. Üblicherweise
wird der Strom durch die Induktivität bei Gleichspannungswandlerschaltungen
nach dem Stand der Technik durch einen Operationsverstärker gemessen,
wie es beispielsweise in der
2 der Druckschrift
DE 19940419 A1 gezeigt
ist. Der Operationsverstärker ist
mit seinem invertierenden Eingang mit dem einen Anschluß des zweiten
Schalters und mit seinem nichtinvertierenden Eingang mit dem anderen
Anschluß des
zweiten Schalters verbunden. Der ohmsche Widerstand des zweiten
Schalters im eingeschalteten Zustand führt in Abhängigkeit des Laststroms zu
einem Spannungsabfall, der mit dem Operationsverstärker nachgewiesen
werden kann.
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Die Auswertung dieser analogen Signale
ist jedoch mit einigen Problemen verbunden. Da bei den meisten Ausführungsformen
von Gleichspannungswandlerschaltungen der ohmsche Widerstand des zweiten
Schalters im eingeschalteten Zustand sehr niedrig ist, muß ein entsprechend
kleiner Spannungsabfall detektiert werden. Wenn beispielsweise der
Schalter in Form eines MOSFETs ausgeführt ist, beträgt der Widerstand
oftmals nur einige zehntel Ohm. Somit muß der Operationsverstärker mit
einer hohen Verstärkung
arbeiten. Zusätzlich
erschwert die Offset-Spannung des Operationsverstärkers das
genaue Festlegen der Schaltschwelle. Mögliche Streuungen der Kenngrößen der
beteiligten Bauteile des Operationsverstärkers müssen ebenfalls berücksichtigt
werden. Ein sicheres Umschalten ist somit nur mit einem großem Schaltungsaufwand
zu erzielen und erfordert oftmals einen zeitaufwendigen individuellen Abgleich
der Gleichspannungswandlerschaltungen.
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Der Erfindung liegt daher die Aufgabe
zugrunde, eine Gleichspannungswandlerschaltung zu schaffen, die
ein sicheres Umschalten zwischen dem Betriebsmodus und dem Ruhemodus
der Schaltung ermöglicht.
Die Gleichspannungswandlerschaltung soll darüber hinaus einfach aufgebaut
sein und kostengünstig
herzustellen sein. Ferner soll durch die Erfindung ein besonders
einfaches Verfahren zur Gleichspannungswandlung geschaffen werden.
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Diese Aufgabe wird bei der eingangsgenannten
Gleichspannungswandlerschaltung erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß vor der
Umschaltung von einer Betriebsphase in die andere Betriebsphase
jeweils aus Sicherheitsgründen
eine Zwischenphase eingefügt
wird, bei der beide Schalter der Gleichspannungswandlerschaltung
kurzzeitig geöffnet
sind, und die Gleich spannungswandlerschaltung darüber hinaus
ein Ruhemoduserfassungsmittel umfaßt, das so ausgebildet ist,
daß es
die Spannung an dem Anschluß der
Induktivität,
der mit dem zweiten Schalter verbunden ist, während der Zwischenphasen erfassen
kann und aus der zeitlichen Entwicklung der Werte der erfaßten Spannung
bestimmen kann, ob die Gleichspannungswandlerschaltung in einen
Ruhemodus geschaltet werden soll, bei dem der erste und der zweite
steuerbare Schalter permanent geöffnet
sind.
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Mit der neuen erfindungsgemäßen Gleichspannungswandlerschaltung
ist ein wesentlich sichereres Umschalten vom Betriebsmodus in den
Ruhemodus möglich,
was dadurch erzielt wird, daß das Auftreten
eines Spannungssprungs an einem internen Schaltungsknotenpunkt ausgewertet
wird, was z.B. mittels einer digitalen Schaltung erfolgen kann. Die
in bisherigen Gleichspannungswandlerschaltungen verwendeten analogen
Schaltungsblöcke
können
entfallen, so daß bei
der erfindungsgemäßen Gleichspannungswandlerschaltung
kein aufwendiger Abgleich mehr nötig
ist. Die erfindungsgemäße Gleichspannungswandlerschaltung
ist einfach aufgebaut und läßt sich
somit kostengünstig
herstellen.
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Die erfindungsgemäße Aufgabe wird auch durch
ein erfindungsgemäßes Verfahren
zur Gleichspannungswandlung mittels eines Gleichspannungswandlers,
der eine Induktivität
aufweist, gelöst,
wobei das Verfahren eine erste Betriebsphase, bei der Energie in
der Induktivität
gespeichert wird, und eine zweite Betriebsphase aufweist, bei der
die in der Induktivität
gespeicherte Energie abgegeben und verwendet wird, um eine gewandelte
Spannung zu erzeugen, wobei zwischen den Betriebsphasen aus Sicherheitsgründen eine
Zwischenphase eingeschaltet wird, bei der kein Energiefluß zu der
Induktivität
erfolgt, und während
der Betriebsphasen und der Zwischenphasen die Spannung an dem Anschluß der Induktivität, über den
die gespeicherte Energie abgegeben wird, überwacht wird und aus der zeitlichen Entwicklung
der Werte der überwachten
Spannung bestimmt wird, ob der Gleichspannungswandler in einen Ruhemodus,
bei dem kein Energiefluß zu
oder von der Induktivität
erfolgt, geschaltet wird.
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Vorteilhafte Weiterbildungen der
Erfindung sind in den Unteransprüchen
gekennzeichnet.
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Die Erfindung wird nun anhand der
Zeichnung beispielshalber erläutert.
In der Zeichnung zeigen:
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1 einen
Schaltplan einer ersten Ausführungsform
einer erfindungsgemäßen Gleichspannungswandlerschaltung;
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2a–2d mehrere Graphen, in denen
der zeitliche Verlauf der Gatespannungen, die an die bei einer Schaltung
gemäß 1 verwendeten Schaltern
angelegt werden, sowie der zeitliche Verlauf der an einem bestimmten
Schaltungspunkt der Schaltung auftretenden Spannung aufgetragen
sind; und
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3 einen
Schaltplan eines Ruhemoduserfassungsmittels, das bei einer weiteren
Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Gleichspannungswandlerschaltung
verwendet wird.
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In der 1 ist
eine Ausführungsform
einer erfindungsgemäßen Gleichspannungswandlerschaltung
vom Typ eines Aufwärts-Wandlers
gezeigt, die eine Induktivität 10,
einen ersten Schalter 12, einen zweiten Schalter 14,
eine Steuerschaltung 16 und ein Ruhemoduserfassungsmittel 18 umfaßt. Die
Schalter werden bei dieser Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Gleichspannungswandlerschaltung
durch MOS-FETs gebildet. Der erste Schalter 12 ist ein NMOS-FET,
der zweite Schalter 14 ein PMOS-FET. Um die Leistungsverluste
der Schalter gering zu halten, werden die MOSFETs üblicherweise
mit einer großen
Drain-Source-Kanalbreite ausgeführt,
so daß sie
im eingeschalteten Zustand einen niedrigen Durchlaßwiderstand
aufweisen. Alternativ können die
beiden Schalter z.B. auch durch bipolare Transistoren gebildet werden.
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Die Induktivität 10 ist so angeordnet,
daß ihr einer
Anschluß mit
dem Anschluß für die Eingangsspannung
VE der Gleichspannungswandlerschaltung verbunden
ist und ihr anderer Anschluß mit
dem Drainanschluß des
NMOS-FETs
12 und mit dem Sourceanschluß des PMOS-FETs 14.
Der Sourceanschluß des
NMOS-FETs 12 ist darüber
hinaus mit einem festen Bezugspotential GND verbunden, das beispielsweise
aus dem Massepotential bestehen kann. Der Drainanschluß des PMOS-FETs 14 ist
mit dem Anschluß für die Ausgangsspannung
VA der Gleichspannungswandlerschaltung verbunden.
Die Gateanschlüsse
des NMOS-FETs 12 und des PMOS-FETs 14 sind jeweils
mit einer Steuerschaltung 16 verbunden.
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Die Steuerschaltung 16 erzeugt
an ihren Ausgängen
GATE-N bzw. GATE-P die Gatespannungen VGATE-N bzw.
VGATE-P. Der Drainanschluß und der Sourceanschluß des PMOS-FETs 14 sind
darüber
hinaus mit einem Ruhemoduserfassungsmittel 18 verbunden.
Der Ausgang des Ruhemoduserfassungsmittels 18 ist über die
Leitung 20 mit der Steuerschaltung 16 verbunden.
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Die Steuerschaltung 16 ist
so ausgebildet, daß sie
die Steuerung der beiden als Schalter wirkenden MOS-FETs übernehmen
kann und beispielsweise mittels einer Impulsbreitenmodulation für die Regelung
der Ausgangsspannung VA sorgen kann. Da der
genaue Aufbau der Steuerschaltung 16 nicht Bestandteil
dieser Erfindung ist, werden im folgenden nur ihre wichtigsten Funktionsmerkmale
beschrieben. Eine Schaltung zur Impulsbreitenmodulation, die diese
Steuersignale erzeugen kann, wird beispielsweise in dem oben zitierten
Lehrbuch von Tietze und Schenk auf Seite 949 beschrieben. Diese Schaltung
läßt sich
auf einfache Weise so abändern, daß sie als
Teilschaltung der erfindungsgemäßen Gleichspannungswandlerschaltung
eingesetzt werden kann.
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Im folgenden wird die Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Gleichspannungswandlerschaltung
für den
Fall beschrieben, daß ihre
Eingangsspannung VE gegenüber einem
Bezugspotential GND einen positiven Wert aufweist. Dem Fachmann ist
jedoch bekannt, wie er erfindungsgemäße Gleichspannungswandlerschaltungen
entwerfen kann, die auch bei invertierten Potentialverhältnissen arbeiten können, beispielsweise
indem Transistoren eines ersten Leitungstyps durch Transistoren
eines zweiten Leitungstyps ersetzt werden.
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In der 2a und 2b sind der Verlauf der
Gatespannungen VGATE-N bzw. VGATE-P gezeigt. Zum
sicheren Ausschalten des PMOS-FETs 14 muß die Gatespannung
VGATE-P einen Spannungswert annehmen, der
im wesentlichen der Ausgangsspannung VA entspricht.
Dies läßt sich
am einfachsten dadurch erreichen, daß die Teile der Steuerschaltung 16,
die die Gatespannungen erzeugen, mit der Ausgangsspannung VA betrieben werden.
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Die Steuerschaltung 16 ist
so ausgebildet, daß die
Gleichspannungswandlerschaltung in zwei Betriebsphasen arbeiten
kann. Diese beiden Betriebsphasen wechseln sich permanent ab.
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Der NMOS-FET 12 wird dabei
in der ersten Betriebsphase während
einer Zeitspanne t1 leitend geschaltet, der PMOS-FET 14 wird
in der zweiten Betriebsphase für
eine Zeitspanne t3 eingeschaltet. Zwischen diesen beiden Betriebsphasen
befinden sich aus Sicherheitsgründen
sogenannte Zwischenphasen, in denen beide Schalter für eine bestimmte Zeitspanne
t2 bzw. t4 geöffnet
sind. Diese Zwischenphasen werden eingeführt, um zu verhindern, daß aufgrund
unterschiedlicher Schaltzeiten des NMOS-FETs 12 und des
PMOS-FETs 14 kurzfristig beide
Transistoren eingeschaltet wären,
was zu einem Kurzschluß zwischen
der Ausgangsspannung VA und dem Massepotential
GND führen
würde.
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Das permanent abwechselnde Ausführen dieser
beiden Betriebsphasen findet nur dann statt, wenn ein bestimmter
minimaler Strom am Ausgang der Gleichspannungswandlerschaltung fließt. In diesem
Fall fließt
durch die Induktivität 10 ein
kontinuierlich ansteigender und wieder abfallender Strom.
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Mit abnehmenden Laststrom muß der resultierende
Gesamtstrom, der durch die Induktivität fließt, immer weiter abnehmen,
so daß während der zweiten
Betriebsphase der Strom durch die Induktivität bis auf Null abfallen kann,
oder auch unter Null. In diesem Fall ist die Induktivität 10 während der
zweiten Betriebsphase stromlos. Die Gleichspannungswandlerschaltung
wird dann in einen Ruhemodus geschaltet, in dem sowohl der NMOS-FET 12 als
auch der PMOS-FET 14 sperren, so daß kein Energiefluß zu und
von der Induktivität 10 mehr
auftritt. Das Eintreten dieses stromlosen Zustands der Induktivität 10 kann
mittels des Ruhemoduserfassungsmittels 20 erkannt werden,
wie im folgenden erläutert
wird.
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In der 1 ist
ein Schaltungspunkt SW eingezeichnet, der durch den Sourceanschluß des PMOS-FETs 14,
den Drainanschluß des NMOS-FETs 12 und
den einen Anschluß der
Induktivität 10 gebildet
ist. Der Verlauf der Spannung VSW am Schaltungspunkt
SW ist in 2c für den Fall dargestellt,
daß während beider
Betriebsphasen der Strom Iind durch die
Induktivität 10 kontinuierlich
fließt.
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Während
der Zeitspanne t1, wenn sich also die Gleichspannungswandlerschaltung
in der ersten Betriebsphase befindet, fließt ein Strom vom Anschluß der Eingangsspannung
VE durch die Induktivität 10 zum Bezugspotential GND.
Die Induktivität 10 wandelt
in diesem Betriebsmodus die elektrische Energie in magnetische Energie
um und speichert sie. Somit findet während der Zeitspanne t1 ein
Energiefluß vom
Eingang der Gleichspannungswandlerschaltung zur Induktivität 10 statt.
Der Schaltungspunkt SW liegt im wesentlichen auf demselben Potential
wie das Bezugspotential GND. In dieser ersten Betriebsphase steigt
der Strom durch die Induktivität 10 linear
mit der Zeit an, so daß sich
aufgrund des größer werdenden
Spannungsabfalls über
dem endlichen Durchgangswiderstand des NMOS-FETs 12 ein
leicht ansteigender Spannungswert VSW am Schaltungspunkt
SW ergibt.
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Während
der ersten Zwischenphase, also innerhalb der Zeitspanne t2, sperren
beide Transistoren. Da in der Induktivität Energie gespeichert ist, wird
der Schaltungspunkt SW spannungsmäßig solange ansteigen, bis
die Spannung am Sourceanschluß des
PMOS-FETs 14 um die Schwellenspannung des PMOS-FETs 14 höher ist
als die Gatespannung VGATE-P des PMOS-FETs 14.
Der PMOS-FET
14 ist dann wieder im leitenden Zustand und
die Spannung VSW bleibt nahezu konstant.
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In der zweiten Betriebsphase ist
der NMOS-FET 12 gesperrt und der PMOS-FET 14 leitend geschaltet.
Während
der Zeitspanne t3 erfolgt somit ein Energiefluß zum Ausgang der Gleichspannungswandlerschaltung,
da die gespeicherte magnetische Energie der Induktivität 10 wieder
in einen elektrischen Strom zurückgeführt wird.
Die Induktivität 10 dient
als Energiequelle und die Ausgangsspannung VA ist
gegenüber
der Eingangsspannung VE um die Spannung
der Induktivität 10 erhöht, da die
Induktivität 10 mit
der Eingangspannungsquelle in Reihe geschaltet ist. Die Spannung
VSW bleibt nahezu konstant und aufgrund
des endlichen Durchlaßwiderstands
des PMOS-FETs 14 ergibt sich ein leicht abfallender Spannungsverlauf,
wie in 2c gezeigt ist.
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Während
der zweiten Zwischenphase, also innerhalb der Zeitspanne t4, sperren
wiederum beide Transistoren. Da durch die Induktivität 10 weiterhin Strom
fließt,
wird der Schaltungspunkt SW spannungsmäßig wie im oben beschriebenen
ersten Zwischenmodus ansteigen. Wenn die Spannung am Sourceanschluß des PMOS-FETs
14 um die Schwellenspannung des PMOS-FETs 14 höher als
die Gatespannung VGATE-P am PMOS-FET 14 ist,
befindet sich der PMOS-FET 14 dann wieder im leitenden
Zustand und die Spannung VSW bleibt für die Zeitspanne
t4 konstant.
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Dies ist die bekannte Wirkungsweise
eines Aufwärts-Wandlers.
Durch einen Kondensator mit einem großen Kapazitätswert, der zwischen dem Anschluß der Ausgangsspannung
VA und dem Bezugspotential GND angebracht
ist und in den Figuren nicht dargestellt ist, ist eine weitere Stabilisierung
der Ausgangsspannung VA möglich. Die
Ausgangsspannung VA kann dabei auf einen
Wert eingestellt werden, der sich bei festem Strombedarf am Ausgang der
Gleichspannungswandlerschaltung direkt aus dem Verhältnis der
Zeitspannen t1 und t3 ergibt.
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Insgesamt ergibt sich somit am Schaltungspunkt
SW ein Spannungsverlauf, der während
der beiden Betriebsphasen der Ausgangsspannung VA bzw.
dem Bezugspotential GND folgt und in den Zwischenphasen jeweils
einen charakteristischen Spannungssprung ΔV aufweist, dessen Betrag der
um die Schwellenspannung des PMOS-FETs 14 erhöhten Ausgangsspannung
VA entspricht.
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In 2d ist
der Verlauf der Spannung VSW am Schaltungspunkt
SW für
den Fall dargestellt, daß der
Ausgang der Gleichspannungswandlerschaltung mit einem sehr kleinen
oder gänzlich
verschwindenden Strom versorgt werden soll. Die Zeitspannen t1 und
t3 sollen dabei von der Steuerschaltung 16 so festgelegt
sein, daß der
Strom Iind durch die Induktivität 10 während der
zweiten Betriebsphase Null wird oder auch unter Null absinkt.
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Während
der ersten Betriebsphase liegt der Schaltungspunkt SW wiederum im
wesentlichen auf demselben Potential wie das Bezugspotential GND. Der
Strom durch die Induktivität 10 wächst linear während der
Zeitspanne t1 an und es ergibt sich, wie im oben betrachteten Fall,
ein leicht ansteigender Spannungswert VSW am
Schaltungspunkt SW.
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In der ersten Zwischenphase während der Zeitspanne
t2 sperren die beiden Transistoren. Da in der Induktivität wiederum
Energie gespeichert ist, wird der Schaltungspunkt SW spannungsmäßig solange
ansteigen, bis die Spannung am Sourceanschluß des PMOS-FETs 14 um
die Schwellenspannung des PMOS-FETs 14 höher ist
als die Gatespannung VGATE-P am PMOS-FET 14.
Der PMOS-FET 14 ist dann wieder im leitenden Zustand und
die Spannung VSW bleibt nahezu konstant.
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In der zweiten Betriebsphase ist
für die
Zeitdauer t3 der PMOS-FET 14 leitend geschaltet und die
in der Induktivität 10 gespeicherte
Energie fließt vollständig zu
der am Ausgang der Gleichspannungswandlerschaltung angeordneten
Last. Die Spannung VSW bleibt wiederum nahezu
konstant, wie in 2d gezeigt
ist.
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Während
der zweiten Zwischenphase, also innerhalb der Zeitspanne t4, sperren
wiederum beide Transistoren. Da durch die Induktivität 10 jedoch
kein Strom oder ein negativer Strom fließt, wird der Schaltungspunkt
SW im Gegensatz zum oben betrachteten Fall spannungsmäßig nicht
ansteigen.
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Insgesamt ergibt sich somit ein Spannungsverlauf
am Schaltungspunkt SW, der während
der beiden Betriebsphasen der Ausgangsspannung VA bzw.
dem Bezugspotential GND folgt und in der ersten Zwischenphase einen
charakteristischen Spannungssprung ΔV aufweist, der der um die Schwellenspannung
des PMOS-FETs 14 erhöhten
Ausgangsspannung VA entspricht. In der zweiten
Zwischenphase tritt jedoch kein Spannungssprung ΔV auf, was in der 2d zu erkennen ist.
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Das Ruhemoduserfassungsmittel 18 kann dieses
Verhalten der Spannung VSW am Schaltungspunkt
SW auswerten, so daß für den Fall,
daß die
Induktivität 10 stromlos
ist, die Gleichspannungswandlerschaltung in einen Ruhemodus geschaltet
wird.
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In 3 ist
eine Ausführungsform
eines Ruhemoduserfassungsmittels gezeigt, das so ausgebildet ist,
daß es
das oben beschrieben Verhalten der Spannung VSW am
Schaltungspunkt SW auswerten kann. Dazu ist der Schaltungspunkt
SW mit dem Sourceanschluß eines
weiteren PMOS-FETs 22 verbunden, dessen Gateanschluß mit dem
Anschluß der Ausgangsspannung
VA verbunden ist. Der PMOS-FET 22 ist
so ausgeführt,
daß seine
Schwellenspannung niedriger ist als die Schwellenspannung des PMOS-FETs 14.
Man könnte
alternativ hierzu auch die Gatespannung des PMOS-FETs 22 niedriger
wählen
als die des PMOS-FETs 14.
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Der Drainanschluß des PMOS-FETs 22 ist mit
dem einen Anschluß eines
Widerstands R1, dem Drainanschluß eines weiteren NMOS-FETs 24 und dem
Eingang I1 eines Speicherelementes 26 verbunden. Das Speicherelement 26 wird
in dieser einfachen Ausführungsform
durch ein flankengetriggertes Flip-Flop 26 gebildet, andere
mögliche
Realisierungen sind für
einen Fachmann jedoch offensichtlich. Der Takteingang des flankengetriggerten
Flip-Flops 26 ist mit dem Steuersignal CLK verbunden und
der Ausgang O1 des flankengetriggerten Flip- Flops 26 ist mit der Steuerleitung 30 verbunden, über die
der Steuerschaltung 16 das Eintreten in den Ruhemodus signalisiert
werden kann.
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Der Sourceanschluß des NMOS-FETs 24 und
der andere Anschluß des
Widerstands R1 sind mit einem festen Bezugspotential, das beispielsweise
Masse sein kann, verbunden. Der Gateanschluß des NMOS-FETs 24 ist
mit einem Steuersignal CLR verbunden, das, wie das Steuersignal
CLK auch, von den Gatespannungen VGATE-P bzw.
VGATE-
N ableitbar ist.
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Wenn nun während der Dauer einer Zwischenphase
ein Spannungssprung ΔV
am Schaltungspunkt SW auftritt, liegt der Sourceanschluß des PMOS-FETs 22 auf
einem Potential, das um die Schwellenspannung des PMOS-FETs 14 höher ist als
die Ausgangsspannung VA. Da die Schwellenspannung
des PMOS-FETs 22 niedriger ist als die des PMOS-FETs 14,
schaltet der PMOS-FETs 22 in einen leitenden Zustand und
der Eingang I1 des flankengetriggerten Flip-Flops 26 verschiebt
sich von Masse auf ein hohes Spannungspotential. Dies entspricht
einem Übergang
von einer logischen Null auf eine logische Eins. Zum Zeitpunkt des
Endes der zweiten Zwischenphase kann dieser Zustand mit dem flankengetriggerten
Flip-Flop 26 gespeichert werden. Dazu wird das Flip-Flop 26 mit
der steigenden Flanke des Steuersignals CLK getriggert. Für dieses
Steuersignal CLK kann beispielsweise die Gatespannung VGATE-
N verwendet werden, da dieses Signal das
Ende der zweiten Zwischenphase markiert.
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Falls während der zweiten Zwischenphase kein
Spannungssprung ΔV
am Schaltungspunkt SW auftritt, bleibt der Eingang des Flip-Flops 26 auf
einer logischen Null. Dieser Zustand wird ebenfalls am Ende der
zweiten Zwischenphase durch das Flip-Flop 26 gespeichert.
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In der ersten Zwischenphase ist der PMOS-FETs 14 in
einem leitenden zustand. Durch die parasitären Kapazitäten am Eingang I1 des Flip-Flops 26 wird
dieser Zustand gespeichert. Die Entladung der parasitären Kapazitäten könnte über den
Widerstand R1 erfolgen. Beim Ruhemoduserfassungsmittel 18 nach 3 wird zum Löschen der
logischen Eins der NMOS-FET 24 verwendet. Das Gatesignal
CLR des NMOS-FETs 24 wird beispielsweise von einem Signal
abgeleitet, das dann aktiv ist, wenn der PMOS-FET 14 eingeschaltet
ist. Dadurch kann der Wert des Widerstandes R1 sehr groß sein, da
die Entladung der parasitären
Kapazität
nicht mehr über
diesen Widerstand R1 erfolgt.
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Das Ruhemoduserfassungsmittel kann
somit auf sehr einfache Weise mittels einer digitalen Schaltung
realisiert werden. Über
die Leitung 30, die mit dem Ausgang des Flip-Flops 24 verbunden
ist, wird das Eintreten des Ruhemodus an die Steuerschaltung 16 weitergeleitet.
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Bei steigendem Laststrom muß der Ruhemodus
wieder verlassen werden. Dazu kann am Ausgang der Gleichspannungswandlerschaltung
beispielsweise ein Komparator und eine mit einem Eingang des Komparators
verbundene Referenzspannungsquelle angebracht sein, womit die Spannung am
Ausgang der Gleichspannungswandlerschaltung im Ruhemodus erfaßt werden
kann. Aus dem Wert der Spannung am Ausgang der Gleichspannungswandlerschaltung
kann bestimmt werden, ob der Ruhemodus wieder verlassen werden soll.
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Während
des Ruhemodus können
bis auf den Komparator und die Referenzspannungsquelle alle Komponenten
der Gleichspannungswandlerschaltung abgeschaltet werden, wobei sichergestellt sein
muß, daß die Schalter 12 und 14 geöffnet bleiben.
Durch das Abschalten dieser Schaltungsteile nimmt der Stromverbrauch
der erfindungsgemäßen Gleichspannungswandlerschaltung
ab, so daß sich insgesamt
ein sehr hoher Wirkungsgrad ergibt.
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Vorangehend wurde eine Ausführungsform einer
erfindungsgemäßen Gleichspannungswandlerschaltung
beschrieben, die in Form eines Aufwärts-Wandlers ausgeführt ist.
Dies sollte jedoch nicht als Beschränkung auf diesen Fall angesehen werden,
da es für
den Fachmann aus dieser Beschreibung zu ersehen ist, wie er erfindungsgemäße Gleichspannungswandlerschaltungen
entwerfen kann, die z.B. die Funktion eines Abwärts-Wandlers, Inverter-Wandlers
oder SEPIC-Wandlers (SEPIC = single-ended primary inductance converter,
Eintakt-Wandler
mit Primärspule)
ausführen.
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Bei der erfindungsgemäßen Gleichspannungswandlerschaltung
erfolgt die Erfassung der Stromrichtung in der Spule während der
Phase 14 mit einer digitalen Schaltung, die zuverlässig das
Eintreten in den Ruhemodus signalisiert. Es sind insbesondere keine
analogen Komponenten vorhanden, wie beispielsweise bei Gleichspannungswandlerschaltungen
nach dem Stand der Technik. Damit entfallen die damit verbundenen
aufwendigen Schaltungsmaßnahmen.