DE102022206300A1 - Electronic device, method of assembling an electronic device and method of connecting an electronic device to a circuit board - Google Patents
Electronic device, method of assembling an electronic device and method of connecting an electronic device to a circuit board Download PDFInfo
- Publication number
- DE102022206300A1 DE102022206300A1 DE102022206300.7A DE102022206300A DE102022206300A1 DE 102022206300 A1 DE102022206300 A1 DE 102022206300A1 DE 102022206300 A DE102022206300 A DE 102022206300A DE 102022206300 A1 DE102022206300 A1 DE 102022206300A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electronic device
- substrate
- silver
- circuit board
- substrate surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 128
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 21
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 14
- MPTQRFCYZCXJFQ-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride dihydrate Chemical compound O.O.[Cl-].[Cl-].[Cu+2] MPTQRFCYZCXJFQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 11
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 13
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
- H05K2203/049—Wire bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Der vorliegende Ansatz betrifft eine elektronische Vorrichtung (100). Die elektronische Vorrichtung (100) weist ein Elektronik-Bauteil (105) und ein Substrat (110) auf. Das Elektronik-Bauteil (105) weist einen auf einer ersten Bauteilseite des Elektronik-Bauteils (105) angeordneten silbermetallisierten ersten Anschluss (120) und einen auf einer der ersten Bauteilseite gegenüberliegenden zweiten Bauteilseite des Elektronik-Bauteils (105) angeordneten silbermetallisierten zweiten Anschluss (125) auf. Das Substrat (110) ist über den ersten Anschluss (120) und/oder den zweiten Anschluss (125) mit dem Elektronik-Bauteil (105) verbunden oder verbindbar und weist auf einer ersten Substratoberfläche (600) zumindest eine erste silbermetallisierte Kupferbahn (130) auf und auf einer der ersten Substratoberfläche (600) gegenüberliegenden zweiten Substratoberfläche (800) zumindest eine zweite silbermetallisierte Kupferbahn (135) auf.The present approach relates to an electronic device (100). The electronic device (100) has an electronic component (105) and a substrate (110). The electronic component (105) has a silver-metallized first connection (120) arranged on a first component side of the electronic component (105) and a silver-metallized second connection (125 ) on. The substrate (110) is or can be connected to the electronic component (105) via the first connection (120) and/or the second connection (125) and has at least one first silver-metallized copper track (130) on a first substrate surface (600). at least one second silver-metallized copper track (135) on and on a second substrate surface (800) opposite the first substrate surface (600).
Description
Der vorliegende Ansatz bezieht sich auf eine elektronische Vorrichtung, ein Verfahren zum Montieren einer elektronischen Vorrichtung und ein Verfahren zum Verbinden einer elektronischen Vorrichtung mit einer Leiterplatte.The present approach relates to an electronic device, a method of assembling an electronic device, and a method of connecting an electronic device to a circuit board.
Gängige Gehäuse für elektronische Bauteile wie das TO-220- oder TO-247-Gehäuse sind einfach zu beschaffen, aber aufgrund der langen Leitungen extrem hochinduktiv, was die Schalteigenschaften verschlechtert. Darüber hinaus erlauben solche üblichen diskreten Gehäuse nicht viele verschiedene Montagemethoden.Common housings for electronic components such as the TO-220 or TO-247 housing are easy to obtain, but are extremely highly inductive due to the long lines, which impairs the switching properties. In addition, such conventional discrete packages do not allow for many different assembly methods.
Vor diesem Hintergrund schafft der vorliegende Ansatz eine verbesserte elektronische Vorrichtung, ein verbessertes Verfahren zum Montieren einer elektronischen Vorrichtung und ein Verfahren zum Verbinden einer verbesserten elektronischen Vorrichtung mit einer Leiterplatte gemäß den Hauptansprüchen. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung.Against this background, the present approach provides an improved electronic device, an improved method of assembling an electronic device and a method of connecting an improved electronic device to a circuit board according to the independent claims. Advantageous configurations result from the dependent claims and the following description.
Die mit dem vorgestellten Ansatz erreichbaren Vorteile bestehen darin, dass eine kostengünstige und für eine Vielzahl von Montagemöglichkeiten geeignete elektronische Vorrichtung geschaffen wird, mit der ein Elektronik-Bauteil schnell und einfach getestet werden kann. Ferner wird durch geschickte Wahl der Metallisierungen und des Substrataufbaus ein einfacher, vielseitiger Einsatz ermöglicht.The advantages that can be achieved with the approach presented are that an inexpensive electronic device that is suitable for a large number of mounting options is created, with which an electronic component can be tested quickly and easily. Furthermore, a simple, versatile use is made possible by skilful selection of the metallization and the substrate structure.
Eine elektronische Vorrichtung weist ein Elektronik-Bauteil und ein Substrat auf. Das Elektronik-Bauteil weist einen auf einer ersten Bauteilseite des Elektronik-Bauteils angeordneten silbermetallisierten ersten Anschluss und einen auf einer der ersten Bauteilseite gegenüberliegenden zweiten Bauteilseite des Elektronik-Bauteils angeordneten silbermetallisierten zweiten Anschluss auf. Das Substrat ist über den ersten Anschluss und/oder den zweiten Anschluss mit dem Elektronik-Bauteil verbunden oder verbindbar und weist auf einer ersten Substratoberfläche zumindest eine erste silbermetallisierte Kupferbahn auf und auf einer der ersten Substratoberfläche gegenüberliegenden zweiten Substratoberfläche zumindest eine zweite silbermetallisierte Kupferbahn auf.An electronic device includes an electronic component and a substrate. The electronic component has a silver-metallized first connection arranged on a first component side of the electronic component and a silver-metallized second connection arranged on a second component side of the electronic component opposite the first component side. The substrate is or can be connected to the electronic component via the first connection and/or the second connection and has at least one first silver-metallized copper track on a first substrate surface and at least one second silver-metallized copper track on a second substrate surface opposite the first substrate surface.
Bei der elektronischen Vorrichtung kann es sich um eine leistungselektronische Vorrichtung handeln und entsprechend bei dem Elektronik-Bauteil um ein Leistungselektronik-Bauteil, wie beispielsweise eine Diode. Die elektronische Vorrichtung kann auch als ein Gehäuse oder „Package“ bezeichnet werden. Das Leistungselektronik-Bauteil kann für das Steuern und Schalten hoher elektrischer Ströme und Spannungen ausgelegt sein, beispielsweise mehr als 1 Ampere und Spannungen von mehr als etwa 24 Volt. Die Obergrenze der Größe kann jeweils mehrere Tausend Ampere und Volt betragen. Die Diode kann Galliumoxid (Ga2O3), Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) aufweisen. Als den ersten Anschluss kann die Diode eine Anode aufweisen und als den zweiten Anschluss eine Kathode. Eine solche elektronische Vorrichtung kann dank der Silbermetallisierung auf mehreren/allen Komponenten eine breite Palette von Standardmontageverfahren wie (Silber-) Sintern, Löten und Drahtbonden, beispielsweise unter Verwendung eines Aluminium-, Gold- oder Silber-Drahts, ermöglichen.The electronic device can be a power electronic device and the electronic component can be a power electronic component, such as a diode. The electronic device may also be referred to as an enclosure or "package". The power electronics component can be designed for controlling and switching high electrical currents and voltages, for example more than 1 ampere and voltages in excess of about 24 volts. The upper limit of the size can be several thousand amperes and volts respectively. The diode may include gallium oxide (Ga 2 O 3 ), gallium nitride (GaN), or silicon carbide (SiC). The diode can have an anode as the first connection and a cathode as the second connection. Such an electronic device, thanks to the silver metallization on several/all components, can enable a wide range of standard assembly methods such as (silver) sintering, soldering and wire bonding, for example using an aluminium, gold or silver wire.
Das Substrat kann zumindest teilweise Keramik aufweisen. Das Substrat kann auch vollständig aus Keramik ausgeformt sein. Alternativ zu einem Keramiksubstrat kann das Substrat aber auch als eine gewöhnliche Leiterplatte, beispielsweise eine FR4-Leiterplatte bestehend aus Epoxidharz und/oder Glasfasergewebe, ausgeformt sein. Dieses Leiterplatten-Substrat kann für eine hocheffektive Wärmeübertragung Aluminiumnitrid aufweisen. Die Leiterplatte kann gegenüber einem Keramiksubstrat eine günstigere Variante sein.The substrate can at least partially include ceramic. The substrate can also be formed entirely of ceramic. As an alternative to a ceramic substrate, however, the substrate can also be in the form of a conventional printed circuit board, for example an FR4 printed circuit board consisting of epoxy resin and/or glass fiber fabric. This circuit board substrate may include aluminum nitride for highly efficient heat transfer. The printed circuit board can be a cheaper variant compared to a ceramic substrate.
Gemäß einer Ausführungsform kann das Substrat als ein DPC-Substrat ausgeformt sein. „DPC“ steht für engl. „Direct Plated Copper“ und ermöglicht vorteilhafterweise Durchkontaktierungen, auch kurz „Vias“ genannt, also vertikale elektrische Verbindungen, durch die Keramik.According to one embodiment, the substrate can be formed as a DPC substrate. “DPC” stands for English. "Direct Plated Copper" and advantageously enables through-plating, also called "vias" for short, i.e. vertical electrical connections, through the ceramic.
Es ist weiterhin von Vorteil, wenn die erste Kupferbahn und die zweite Kupferbahn gemäß einer Ausführungsform mittels zumindest einer Durchkontaktierung miteinander verbunden sind. Auf diese Weise kann bei einer Oberflächenmontagetechnik der elektronischen Vorrichtung auf einer Leiterplatte eine niederinduktive Verbindung zu der Leiterplatte hergestellt werden.It is also advantageous if, according to one embodiment, the first copper track and the second copper track are connected to one another by means of at least one via. In this way, a low-inductance connection to the circuit board can be produced in the case of a surface mounting technique of the electronic device on a circuit board.
Die erste Substratoberfläche kann zumindest eine Lötstoppschicht aufweisen. Eine solche Lötstoppschicht kann verhindern, dass Löt- oder Sinterpaste auf bestimmte Teile des Substrats fließt.The first substrate surface can have at least one solder stop layer. Such a solder stop layer can prevent solder or sintering paste from flowing onto certain parts of the substrate.
Gemäß einer Ausführungsform kann das Elektronik-Bauteil einen Kunststoffrahmen aufweisen. Der Kunststoffrahmen kann beispielsweise 3D-gedruckt sein. Das Elektronik-Bauteil kann unmittelbar von dem Kunststoffrahmen aufgenommen sein, wobei das Substrat nicht vom Kunststoffrahmen umgeben sein kann. Ein solcher Kunststoffrahmen kann zum Schutz des Elektronik-Bauteils um das Elektronik-Bauteil herum und/oder auf das Substrat geklebt sein. Zum weiteren Schutz kann ein Bereich in oder um den Kunststoffrahmen mit Silizium-Gel und/oder Öl oder einem anderen Medium gefüllt sein.According to one embodiment, the electronic component can have a plastic frame. The plastic frame can be 3D printed, for example. The electronic component can be accommodated directly by the plastic frame, in which case the substrate cannot be surrounded by the plastic frame. Such a plastic frame can be glued around the electronic component and/or onto the substrate to protect the electronic component. For further protection, a range be filled with silicon gel and/or oil or another medium in or around the plastic frame.
Der erste Anschluss oder zweite Anschluss kann mit der ersten silbermetallisierten Kupferbahn versintert oder verlötet sein. Dies schafft eine einfache Möglichkeit zur sicheren elektrischen Verbindung. Bei einem als Diode ausgeformten Elektronik-Bauteil kann so eine anodenseitige oder kathodenseitige Lötverbindung oder Sinterverbindung erzeugt sein.The first lead or second lead may be sintered or soldered to the first silver-plated copper trace. This creates an easy way to make a secure electrical connection. In the case of an electronic component in the form of a diode, a soldered connection or sintered connection can be produced on the anode side or cathode side.
Beispielsweise kann der erste Anschluss mittels einer Bonddraht-Verbindung oder Metallplatte mit der ersten silbermetallisierten Kupferbahn verbunden sein, wenn der zweite Anschluss mit der ersten silbermetallisierten Kupferbahn versintert oder verlötet ist, oder es kann der zweite Anschluss mittels einer Bonddraht-Verbindung oder Metallplatte mit der ersten silbermetallisierten Kupferbahn verbunden sein, wenn der erste Anschluss mit der ersten silbermetallisierten Kupferbahn versintert oder verlötet ist. Die Bonddraht-Verbindung kann durch sogenanntes „Drahtbonden“ mit beispielsweise einem Aluminium-, Gold- oder Silber-Draht hergestellt worden sein.For example, if the second terminal is sintered or soldered to the first silver-plated copper trace, the first terminal may be bonded to the first silver-plated copper trace by a wire bond or metal plate, or the second terminal may be bonded to the first silver-plated copper trace by a bond wire or metal plate silver-plated copper trace when the first terminal is sintered or soldered to the first silver-plated copper trace. The bonding wire connection can be made by so-called "wire bonding" with, for example, an aluminum, gold or silver wire.
Die erste Substratoberfläche und/oder zweite Substratoberfläche kann zumindest ein Lötpad aufweisen. Ein Lötpad auf der ersten Substratoberfläche kann für eine vertikale Montage der elektronischen Vorrichtung an einer Leiterplatte dienen. Ein Lötpad auf der zweiten Substratoberfläche kann bei einer horizontalen Montage der elektronischen Vorrichtung auf einer Leiterplatte eine sehr niederinduktive Verbindung zur Leiterplatte ermöglichen.The first substrate surface and/or second substrate surface can have at least one soldering pad. A solder pad on the first substrate surface can be used for vertical mounting of the electronic device on a printed circuit board. A soldering pad on the second substrate surface can enable a very low-inductance connection to the printed circuit board when the electronic device is mounted horizontally on a printed circuit board.
Gemäß einer Ausführungsform kann das Substrat zumindest eine Durchgangsöffnung aufweisen. Eine solche Durchgangsöffnung kann als Befestigungsloch für eine einfache Montage dienen.According to one embodiment, the substrate can have at least one through-opening. Such a through hole can serve as a mounting hole for easy assembly.
Die erste Substratoberfläche und/oder zweite Substratoberfläche kann zumindest ein Metallpad aufweisen. Das Metallpad kann auf der zweiten Substratoberfläche als ein Kühlpad dienen. Beispielsweise kann das Metallpad für den Anschluss an einen Kühlkörper bei einer vertikalen Montage verwendbar sein. Wenn das Substrat als eine gewöhnliche Leiterplatte ausgeformt ist, können zur besseren Wärmeübertragung Kupfer-Durchgangskontakte von oben nach unten auf dem Metallpad verwendet werden, wobei das Gehäuse/die elektronische Vorrichtung dann nicht mehr isolierend ist.The first substrate surface and/or second substrate surface can have at least one metal pad. The metal pad can serve as a cooling pad on the second substrate surface. For example, the metal pad can be used for connecting to a heat sink in the case of vertical mounting. If the substrate is formed as an ordinary printed circuit board, copper vias can be used from top to bottom of the metal pad for better heat transfer, in which case the housing/electronic device is then no longer insulative.
Ein Verfahren zum Montieren einer elektronischen Vorrichtung in einer der vorangehend beschriebenen Varianten weist einen Schritt des Sinterns oder Lötens auf, in dem der erste Anschluss oder zweite Anschluss des Elektronik-Bauteils an die erste silbermetallisierte Kupferbahn des Substrats gelötet oder gesintert wird, um die leistungselektronische Vorrichtung zu montieren.A method of assembling an electronic device in any of the variants described above comprises a step of sintering or soldering, in which the first terminal or second terminal of the electronic component is soldered or sintered to the first silver-metallized copper trace of the substrate to form the power electronic device to mount.
Dieses Verfahren kann beispielsweise in Software oder Hardware oder in einer Mischform aus Software und Hardware beispielsweise in einem Steuergerät implementiert sein.This method can be implemented, for example, in software or hardware or in a mixed form of software and hardware, for example in a control unit.
Ein Verfahren zum Verbinden einer elektronischen Vorrichtung in einer der vorangehend beschriebenen Varianten mit einer Leiterplatte weist einen Schritt des Befestigens auf, in dem die elektronische Vorrichtung an der Leiterplatte befestigt wird, wobei im Schritt des Befestigens die zweite Substratoberfläche mit der Leiterplatte kontaktiert wird oder das Substrat senkrecht bezüglich der Leiterplatte angeordnet wird, um die elektronische Vorrichtung mit der Leiterplatte zu verbinden.A method for connecting an electronic device in one of the variants described above to a circuit board has an attachment step in which the electronic device is attached to the circuit board, wherein in the attachment step the second substrate surface is contacted with the circuit board or the substrate is placed perpendicularly with respect to the circuit board to connect the electronic device to the circuit board.
Dieses Verfahren kann beispielsweise in Software oder Hardware oder in einer Mischform aus Software und Hardware beispielsweise in einem Steuergerät implementiert sein.This method can be implemented, for example, in software or hardware or in a mixed form of software and hardware, for example in a control unit.
Wenn im Schritt des Befestigens die zweite Substratoberfläche mit der Leiterplatte kontaktiert wird, kann so eine platzsparende horizontale Verbindung erzeugt werden. Wenn im Schritt des Befestigens das Substrat senkrecht bezüglich der Leiterplatte angeordnet wird, kann so eine vertikale Verbindung erzeugt werden, welche eine besonders gute Wärmeableitung ermöglicht.If the second substrate surface is contacted with the printed circuit board in the fastening step, a space-saving horizontal connection can be produced in this way. If the substrate is arranged perpendicularly with respect to the printed circuit board in the fastening step, a vertical connection can thus be produced which enables particularly good heat dissipation.
Der hier vorgestellte Ansatz schafft ferner eine Vorrichtung, die ausgebildet ist, um die Schritte einer Variante eines hier vorgestellten Verfahrens in entsprechenden Einrichtungen durchzuführen, anzusteuern bzw. umzusetzen. Auch durch diese Ausführungsvariante des Ansatzes in Form einer Vorrichtung kann die dem Ansatz zugrunde liegende Aufgabe schnell und effizient gelöst werden.The approach presented here also creates a device that is designed to carry out, control or implement the steps of a variant of a method presented here in corresponding devices. The task on which the approach is based can also be solved quickly and efficiently by this embodiment variant of the approach in the form of a device.
Eine Vorrichtung kann ein elektrisches Gerät sein, das elektrische Signale, beispielsweise Sensorsignale verarbeitet und in Abhängigkeit davon Steuersignale ausgibt. Die Vorrichtung kann eine oder mehrere geeignete Schnittstelle aufweisen, die hard- und/oder softwaremäßig ausgebildet sein können. Bei einer hardwaremäßigen Ausbildung können die Schnittstellen beispielsweise Teil einer integrierten Schaltung sein, in der Funktionen der Vorrichtung umgesetzt sind. Die Schnittstellen können auch eigene, integrierte Schaltkreise sein oder zumindest teilweise aus diskreten Bauelementen bestehen. Bei einer softwaremäßigen Ausbildung können die Schnittstellen Softwaremodule sein, die beispielsweise auf einem Mikrocontroller neben anderen Softwaremodulen vorhanden sind.A device can be an electrical device that processes electrical signals, for example sensor signals, and outputs control signals as a function thereof. The device can have one or more suitable interfaces, which can be designed in terms of hardware and/or software. In the case of a hardware design, the interfaces can be part of an integrated circuit, for example, in which the functions of the device are implemented. The interfaces can also be separate integrated circuits or at least partially consist of discrete components. In the case of a software design, the interfaces can be software modules which are present, for example, on a microcontroller alongside other software modules.
Von Vorteil ist auch ein Computerprogrammprodukt mit Programmcode, der auf einem maschinenlesbaren Träger wie einem Halbleiterspeicher, einem Festplattenspeicher oder einem optischen Speicher gespeichert sein kann und zur Durchführung des Verfahrens nach einer der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen verwendet wird, wenn das Programm auf einem Computer oder einer Vorrichtung ausgeführt wird.A computer program product with program code, which can be stored on a machine-readable medium such as a semiconductor memory, a hard disk memory or an optical memory and is used to carry out the method according to one of the embodiments described above, is also advantageous if the program is on a computer or a device is performed.
Ausführungsbeispiele des hier vorgestellten Ansatzes sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt:
-
1 einen Querschnitt einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
2 einen Querschnitt einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
3 einen Querschnitt einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
4 einen Querschnitt eines Elektronik-Bauteils einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
5 einen Querschnitt eines Substrats einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
6 eine schematische Aufsicht auf eine erste Substratoberfläche eines Substrats einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
7 eine perspektivische Ansicht einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
8 eine perspektivische Ansicht einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
9 einen Querschnitt einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
10 eine perspektivische Ansicht einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
11 eine perspektivische Ansicht einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
12 eine perspektivische Ansicht einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
13 eine Aufsicht auf eine elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
14 eine Aufsicht auf ein Substrat einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
15 eine Aufsicht auf ein Substrat einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel; -
16 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiel zum Montieren einer elektronischen Vorrichtung; und -
17 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiel zum Verbinden einer elektronischen Vorrichtung mit einer Leiterplatte.
-
1 a cross section of an electronic device according to an embodiment; -
2 a cross section of an electronic device according to an embodiment; -
3 a cross section of an electronic device according to an embodiment; -
4 a cross section of an electronic component of an electronic device according to an embodiment; -
5 a cross section of a substrate of an electronic device according to an embodiment; -
6 a schematic plan view of a first substrate surface of a substrate of an electronic device according to an embodiment; -
7 a perspective view of an electronic device according to an embodiment; -
8th a perspective view of an electronic device according to an embodiment; -
9 a cross section of an electronic device according to an embodiment; -
10 a perspective view of an electronic device according to an embodiment; -
11 a perspective view of an electronic device according to an embodiment; -
12 a perspective view of an electronic device according to an embodiment; -
13 a top view of an electronic device according to an embodiment; -
14 a plan view of a substrate of an electronic device according to an embodiment; -
15 a plan view of a substrate of an electronic device according to an embodiment; -
16 a flow chart of a method according to an embodiment for assembling an electronic device; and -
17 12 is a flow chart of a method according to an embodiment for connecting an electronic device to a printed circuit board.
In der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele des vorliegenden Ansatzes werden für die in den verschiedenen Figuren dargestellten und ähnlich wirkenden Elemente gleiche oder ähnliche Bezugszeichen verwendet, wobei auf eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente verzichtet wird.In the following description of preferred exemplary embodiments of the present approach, the same or similar reference symbols are used for the elements which are shown in the various figures and have a similar effect, with a repeated description of these elements being dispensed with.
Die elektronische Vorrichtung 100 weist ein Elektronik-Bauteil 105 und ein Substrat 110 auf. Das Elektronik-Bauteil 105 weist einen auf einer ersten Bauteilseite des Elektronik-Bauteils 105 angeordneten silbermetallisierten ersten Anschluss 120 und einen auf einer der ersten Bauteilseite gegenüberliegenden zweiten Bauteilseite des Elektronik-Bauteils 105 angeordneten silbermetallisierten zweiten Anschluss 125 auf. Das Substrat 110 ist über den ersten Anschluss 120 und/oder den zweiten Anschluss 125 mit dem Elektronik-Bauteil 105 verbunden oder verbindbar und weist auf einer ersten Substratoberfläche zumindest eine erste silbermetallisierte Kupferbahn 130 auf und auf einer der ersten Substratoberfläche gegenüberliegenden zweiten Substratoberfläche zumindest eine zweite silbermetallisierte Kupferbahn 135 auf.The
In dem hier in
Bei der elektronischen Vorrichtung 105 handelt es sich gemäß diesem Ausführungsbeispiel um eine leistungselektronische Vorrichtung und entsprechend bei dem Elektronik-Bauteil 105 um ein Leistungselektronik-Bauteil, wie beispielsweise eine Diode 140. Die Diode 140 weist gemäß unterschiedlichen Ausführungsbeispielen Galliumoxid (Ga2O3), Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) auf. Als den ersten Anschluss 120 weist die Diode 140 gemäß diesem Ausführungsbeispiel eine Kathode und als den zweiten Anschluss 125 eine Anode auf. Das Elektronik-Bauteil 105 wird im Folgenden auch kurz als „Chip“ bezeichnet.According to this exemplary embodiment, the
Das Substrat 110 weist gemäß diesem Ausführungsbeispiel zumindest teilweise Keramik 145 auf. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das Substrat 110 als ein Keramiksubstrat vollständig aus Keramik 145 ausgeformt. Gemäß einem alternativen Ausführungsbeispiel ist das Substrat 110 als eine gewöhnliche Leiterplatte, beispielsweise eine FR4-Leiterplatte bestehend aus Epoxidharz und/oder Glasfasergewebe, ausgeformt. In Form einer Leiterplatte weist das Substrat 110 für eine hocheffektive Wärmeübertragung gemäß einem Ausführungsbeispiel Aluminiumnitrid auf.According to this exemplary embodiment, the
Gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist das Substrat 110 ferner als ein DPC-Substrat ausgeformt.According to this embodiment, the
Der erste Anschluss 120 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel mit der ersten silbermetallisierten Kupferbahn 130 versintert oder verlötet, hier beispielhaft unter Verwendung eines Lotes 155 verlötet. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist so eine kathodenseitige Lötverbindung oder Sinterverbindung erzeugt.According to this exemplary embodiment, the
Der zweite Anschluss 125 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel mittels einer Bonddraht-Verbindung 150 oder alternativ mittels einer Metallplatte mit der ersten silbermetallisierten Kupferbahn 130 verbunden. Die Bonddraht-Verbindung 150 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel durch sogenanntes „Drahtbonden“ mit beispielsweise einem Aluminium-, Gold- oder Silber-Draht hergestellt.According to this exemplary embodiment, the
Die hier vorgestellte elektronische Vorrichtung 100 realisiert ein günstig herstellbares Gehäuse für Elektronik-Bauteile 105 in Form von leistungselektronischen Chips wobei vorteilhafterweise vielseitige Montageverfahren ermöglicht sind.The
Das Montageverfahren und die elektronische Vorrichtung 100 in Form einer Gehäusestruktur ermöglichen:
- - viele Freiheitsgrade beim Chip-Bonden
- - eine sehr geringe Streuinduktivität, die mit Standardmaterialien und kostengünstigen Methoden erreicht wird
- - many degrees of freedom in chip bonding
- - a very low leakage inductance, achieved with standard materials and inexpensive methods
In anderen Worten ermöglicht die elektronische Vorrichtung 100 eine einfache Montagemethode und realisiert ein kostengünstiges diskretes Gehäuse für Leistungselektronik-Chips.In other words, the
Zum Testen neuer leistungselektronischer Bauelemente wie Galliumoxid (Ga2O3), Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) in Form des Elektronik-Bauteils 105 realisiert die elektronische Vorrichtung 100 eine preiswerte und geeignete Einheit/Gehäuse. Geeignet bedeutet hier insbesondere, dass die elektronische Vorrichtung 100 folgende Eigenschaften aufweist:
- - geringe parasitäre Induktivität für schnelles Schalten: geringe Gehäuseinduktivität und geringe induktive Montage auf einer Leiterplatte, siehe die
11 und12 - - leicht zu handhaben
- - einfache Prozessschritte
- - effiziente Kühlung
- - großer Freiheitsgrad für unterschiedliche Bestückungsmethoden
- - low parasitic inductance for fast switching: low package inductance and low inductive assembly on a printed circuit board, see the
11 and12 - - easy to handle
- - simple process steps
- - efficient cooling
- - large degree of freedom for different assembly methods
Gängige Gehäuse wie das TO-220- oder TO-247-Gehäuse sind einfach zu beschaffen, aber aufgrund der langen Leitungen extrem hochinduktiv, was die Schalteigenschaften verschlechtert. Darüber hinaus erlauben solche üblichen diskreten Gehäuse nicht viele verschiedene Montagemethoden. Die TO-Reihe ist mittels einer Durchgangsbohrung montierbar, über eine niederinduktive Montage auf der Leiterplatte montierbar und die Streuinduktivität ist hoch, beispielsweise ∼10nH, und es ist keine Isolierung vorhanden.Common housings such as the TO-220 or TO-247 housing are easy to obtain, but are extremely highly inductive due to the long lines, which impairs the switching properties. In addition, such conventional discrete packages do not allow for many different assembly methods. The TO series is through-hole mountable, PCB mountable via low-inductance mount, and the leakage inductance is high, for example, ∼10nH, and there is no insulation.
Bei der elektronischen Vorrichtung 100 sind hingegen viele Montagemethoden wie Sintern, Löten oder Drahtbonden des Chips von beiden Seiten, beispielsweise über die Kathode und/oder Anode, ermöglicht. Bei der elektronischen Vorrichtung 100 ist vorteilhafterweise eine Oberflächenmontage ermöglicht, wobei die Streuinduktivität niedrig ist, beispielsweise ~1 nH, und eine Isolierung vorhanden ist, beispielsweise als direkte Befestigung an einem Kühlkörper für eine bessere Kühlung.On the other hand, the
Bei der elektronischen Vorrichtung 100 besteht eine Anoden- und Kathodenmetallisierung des Elektronik-Bauteils 105/Chips aus Silber (Ag) anstelle von beispielsweise einer Ni/Au-Metallisierung für die Kathode und einer Al-Metallisierung für die Anode. Als Basis wird für das Substrat 110 gemäß diesem Ausführungsbeispiel ein gewöhnliches Keramiksubstrat verwendet. Eine Silbermetallisierung ist für die Kupferbahnen 130, 135 auf beiden Seiten des Keramiksubstrats verwendet. Die Silbermetallisierung auf den Komponenten 120, 125, 130, 135 ermöglicht eine breite Palette von Standardmontageverfahren wie (Silber-)Sintern, Löten und Drahtbonden, insbesondere mit Al-, Au- und Ag-Draht.In the
Außerdem ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel ein DPC-Substrat (Direct Plated Copper) verwendet. Solche DPC-Substrate ermöglichen vertikale elektrische Kontakte, sogenannte „Vias“ durch die Keramik 145, siehe
Darüber hinaus verhindert gemäß einem Ausführungsbeispiel eine gemeinsame Lötstoppschicht auf den DPC-Substraten, dass Löt- oder Sinterpaste auf bestimmte Teile des Substrats 110 fließt, siehe beispielsweise
Die elektronische Vorrichtung 100 ermöglicht eine vereinfachte Montage und Handhabbarkeit im täglichen Gebrauch. Schließlich wird gemäß einem in
Gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist ferner der erste Anschluss 120 mittels der Bonddraht-Verbindung 150 mit der ersten silbermetallisierten Kupferbahn 130 verbunden.Furthermore, according to this exemplary embodiment, the
Gezeigt sind in
Gezeigt sind in
Die erste Substratoberfläche 600 weist gemäß diesem Ausführungsbeispiel zumindest ein Lötpad 700, hier zumindest zwei benachbart angeordnete Lötpads 700 an einem Rand des Substrats 110, auf. Das Lötpad 700 auf der ersten Substratoberfläche 600 dient einer in
Das Elektronik-Bauteil 105 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel umlaufend von der Lötstoppschicht 605 umgeben. Eine Breite B des Substrats 110 beträgt gemäß diesem Ausführungsbeispiel 10 Millimeter.According to this exemplary embodiment, the
Das Elektronik-Bauteil 105 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel über eine Mehrzahl, hier fünf, Bonddraht-Verbindungen 150, die auch als „Wire-Bond-Verbindungen“ bezeichnet werden können, mit der Silbermetallisierung 505 der ersten Kupferbahn kontaktiert. Gemäß einem alternativen Ausführungsbeispiel weist die elektronische Vorrichtung 100 anstelle der Bonddraht-Verbindungen 150 eine Metallplatte auf.According to this exemplary embodiment, the
Bei dem hier beispielhaft keramischen Substrat 110 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel Aluminiumnitrid, kurz „AlN“ für eine hocheffektive Wärmeübertragung verwendet.According to this exemplary embodiment, aluminum nitride, “AlN” for short, is used for highly effective heat transfer in the
Die zweite Substratoberfläche 800 weist gemäß diesem Ausführungsbeispiel zumindest ein weiteres Lötpad 805 auf. Das weitere Lötpad 805 auf der zweiten Substratoberfläche 800 ist ausgeformt, um bei einer in
Ferner weist die zweite Substratoberfläche 800 gemäß diesem Ausführungsbeispiel zumindest ein weiteres Metallpad 810 auf. Das weitere Metallpad 810 ist als ein Kühlpad verwendbar. Beispielsweise ist das weitere Metallpad 810 für den Anschluss an einen Kühlkörper bei der vertikalen Montage verwendbar.Furthermore, according to this exemplary embodiment, the
Wenn das Substrat 110 gemäß einem Ausführungsbeispiel als eine gewöhnliche Leiterplatte ausgeformt ist, sind gemäß einem Ausführungsbeispiel zur besseren Wärmeübertragung Kupfer-Durchgangskontakte von oben nach unten auf dem weiteren Metallpad 810 verwendet, wobei die elektronische Vorrichtung 100/das Gehäuse dann nicht mehr isolierend ist. Eine Länge L des Substrats 110 beträgt gemäß diesem Ausführungsbeispiel 16 Millimeter.According to one embodiment, when the
Gemäß diesem Ausführungsbeispiel erstrecken sich zwei weitere Lötpads 805 entlang zweier der Länge L folgenden einander gegenüberliegenden Ränder des Substrats 110. Eine Erstreckungslänge der weiteren Lötpads 805 entlang der Länge L beträgt gemäß diesem Ausführungsbeispiel mehr als 8 Millimeter. Das weitere Metallpad 810 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel zwischen den zwei weiteren Lötpads 805 angeordnet, und füllt hier beispielhaft eine gesamte Fläche zwischen den zwei weiteren Lötpads 805 aus.According to this exemplary embodiment, two
Selbstverständlich können die Länge des Substrats 110 und die Erstreckungslänge der weiteren Lötpads 805 an die jeweilige Ausführung angepasst werden.Of course, the length of the
Das Elektronik-Bauteil ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel mit der ersten silbermetallisierten Kupferbahn 130 kontaktiert, die mittels einer Durchkontaktierung 500 mit der zweiten silbermetallisierten Kupferbahn 135 verbunden ist. Eine auf der ersten Substratoberfläche angeordnete weitere erste silbermetallisierte Kupferbahn 900 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel nicht mit der ersten silbermetallisierten Kupferbahn 130 kontaktiert, jedoch über die Bonddraht-Verbindung 150 mit dem Elektronik-Bauteil 105 verbunden. Die weitere erste silbermetallisierte Kupferbahn 900 ist ferner mittels einer weiteren Durchkontaktierung 905 mit einer weiteren zweiten silbermetallisierten Kupferbahn 910 auf der zweiten Substratoberfläche verbunden. Die weitere zweite silbermetallisierte Kupferbahn 910 und die zweite silbermetallisierte Kupferbahn 135 sind gemäß diesem Ausführungsbeispiel nicht miteinander verbunden.According to this exemplary embodiment, the electronic component makes contact with the first silver-metallized
Der Kunststoffrahmen 1000 ist beispielsweise 3D-gedruckt. Das Elektronik-Bauteil ist gemäß einem Ausführungsbeispiel unmittelbar von dem Kunststoffrahmen 1000 aufgenommen, wobei das Substrat gemäß diesem Ausführungsbeispiel nicht vom Kunststoffrahmen 1000 umgeben ist. Der 3D-gedruckte Kunststoffrahmen 1000 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel zum Schutz des Elektronik-Bauteils/Chips um den Chip herum auf das Substrat geklebt. Zum weiteren Schutz ist gemäß einem Ausführungsbeispiel der Bereich mit Si-Gel, Öl usw. gefüllt.The
Ferner ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel anstelle des Keramiksubstrats eine ganz gewöhnliche Leiterplatte als Substrat verwendet, die hier als Leiterplatten-Substrat 1005 bezeichnet wird. Das macht die Produktion extrem kostengünstig. Da die Wärmeleitfähigkeit des Isoliermaterials des Leiterplatten-Substrats 1005, beispielsweise „FR4“, schlecht ist, werden gemäß einem Ausführungsbeispiel zur besseren Wärmeübertragung Kupfer-Durchgangskontakte von oben nach unten des in
Die elektronische Vorrichtung 100 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel horizontal mit einer Leiterplatte 1100 verbunden. Hierzu ist die zweite Substratoberfläche gemäß diesem Ausführungsbeispiel flächig mit der Leiterplatte 1100 kontaktiert. Eine solche horizontale Montage auf der Leiterplatte 1100 ermöglicht einen niederinduktiven Anschluss.The
Die elektronische Vorrichtung 100 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel vertikal mit einer Leiterplatte 1100 verbunden. Hierzu ist das Substrat gemäß diesem Ausführungsbeispiel senkrecht bezüglich der Leiterplatte 1100 angeordnet. Eine solche vertikale Montage auf der Leiterplatte 1100 ermöglicht eine effiziente Kühlung über einen Wärmeableiter 1200.The
Das Elektronik-Bauteil 105 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel in Form eines Diodenchips auf einer „PCB“-Version des Substrats/Gehäuses montiert. Eine Oberseite des Kunststoffrahmens 1000 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel offen.According to this exemplary embodiment, the
Gemäß diesem Ausführungsbeispiel weist die elektronische Vorrichtung 100 durchgehende Kupferkontakte 1400 in einem gesamten Bereich 1405 für eine bessere Wärmeübertragung auf.According to this embodiment, the
Gemäß diesem Ausführungsbeispiel weist die elektronische Vorrichtung 100 durchgehende Kupferkontakte 1400 in einem gesamten weiteren Bereich 1500 für eine bessere Wärmeübertragung auf.According to this embodiment, the
Das Verfahren 1600 weist einen Schritt 1605 des Sinterns oder Lötens auf, in dem der erste Anschluss oder zweite Anschluss des Elektronik-Bauteils an die erste silbermetallisierte Kupferbahn des Substrats gelötet oder gesintert wird, um die leistungselektronische Vorrichtung zu montieren. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel weist das Verfahren 1600 ferner vor dem Schritt 1605 des Sinterns oder Lötens einen Schritt 1610 des Bereitstellens auf, in dem das Substrat, das Elektronik-Bauteil und optional ein Lot bereitgestellt werden. In dem montierten Zustand ist die elektronische Vorrichtung in einem betriebsbereiten Zustand.The
Das Verfahren 1700 weist einen Schritt 1705 des Befestigens auf, in dem die elektronische Vorrichtung an der Leiterplatte befestigt wird, wobei im Schritt 1705 des Befestigens die zweite Substratoberfläche mit der Leiterplatte kontaktiert wird oder das Substrat senkrecht bezüglich der Leiterplatte angeordnet wird, um die elektronische Vorrichtung mit der Leiterplatte zu verbinden. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel weist das Verfahren 1700 ferner vor dem Schritt 1705 des Befestigens einen Schritt 1710 des Bereitstellens auf, in dem die elektronische Vorrichtung in einem montierten Zustand und die Leiterplatte bereitgestellt werden.The
Die beschriebenen und in den Figuren gezeigten Ausführungsbeispiele sind nur beispielhaft gewählt. Unterschiedliche Ausführungsbeispiele können vollständig oder in Bezug auf einzelne Merkmale miteinander kombiniert werden. Auch kann ein Ausführungsbeispiel durch Merkmale eines weiteren Ausführungsbeispiels ergänzt werden.The exemplary embodiments described and shown in the figures are only selected as examples. Different exemplary embodiments can be combined with one another completely or in relation to individual features. An exemplary embodiment can also be supplemented by features of a further exemplary embodiment.
Ferner können die hier vorgestellten Verfahrensschritte wiederholt sowie in einer anderen als in der beschriebenen Reihenfolge ausgeführt werden.Furthermore, the method steps presented here can be repeated and carried out in a different order than the one described.
Umfasst ein Ausführungsbeispiel eine „und/oder“-Verknüpfung zwischen einem ersten Merkmal und einem zweiten Merkmal, so ist dies so zu lesen, dass das Ausführungsbeispiel gemäß einer Ausführungsform sowohl das erste Merkmal als auch das zweite Merkmal und gemäß einer weiteren Ausführungsform entweder nur das erste Merkmal oder nur das zweite Merkmal aufweist.If an embodiment includes an "and/or" link between a first feature and a second feature, this should be read in such a way that the embodiment according to one embodiment includes both the first feature and the second feature and according to a further embodiment either only that having the first feature or only the second feature.
BezugszeichenlisteReference List
- 100100
- elektronische Vorrichtungelectronic device
- 105105
- Elektronik-Bauteilelectronic component
- 110110
- Substratsubstrate
- 120120
- erster Anschlussfirst connection
- 125125
- zweiter Anschlusssecond connection
- 130130
- erste silbermetallisierte Kupferbahnfirst silver metallized copper track
- 135135
- zweite silbermetallisierte Kupferbahnsecond silver metallized copper track
- 140140
- Diodediode
- 145145
- Keramikpottery
- 150150
- Bonddraht-Verbindungbond wire connection
- 155155
- Lot Lot
- 300300
- Metallplattemetal plate
- 305305
- weiteres Lot another lot
- 500500
- Durchkontaktierungvia
- 505505
- Silbermetallisierung silver metallization
- 600600
- erste Substratoberflächefirst substrate surface
- 605605
- Lötstoppschichtsolder mask layer
- 610610
- Metallpad metal pad
- 700700
- Lötpadsolder pad
- 705705
- Durchgangsöffnungpassage opening
- 800800
- zweite Substratoberflächesecond substrate surface
- 805805
- weiteres Lötpadanother solder pad
- 810810
- weiteres Metallpad another metal pad
- 900900
- weitere erste silbermetallisierte Kupferbahnanother first silver metallized copper track
- 905905
- weitere Durchkontaktierungfurther vias
- 910910
- weitere zweite silbermetallisierte Kupferbahn another second silver-metallized copper track
- 10001000
- Kunststoffrahmenplastic frame
- 10051005
- Leiterplatten-Substrat PCB substrate
- 11001100
- Leiterplatte circuit board
- 12001200
- Wärmeableiter heat sink
- 14001400
- durchgehende Kupferkontaktecontinuous copper contacts
- 14051405
- Bereich Area
- 15001500
- weiterer Bereich further area
- 16001600
- Verfahren zum Montieren einer elektronischen VorrichtungMethod of assembling an electronic device
- 16051605
- Schritt des Sinterns oder LötensSintering or brazing step
- 16101610
- Schritt des Bereitstellens step of providing
- 17001700
- Verfahren zum Verbinden einer elektronischen Vorrichtung mit einer LeiterplatteMethod of connecting an electronic device to a circuit board
- 17051705
- Schritt des Befestigensstep of fastening
- 17101710
- Schritt des Bereitstellensstep of providing
Claims (15)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102022206300.7A DE102022206300A1 (en) | 2022-06-23 | 2022-06-23 | Electronic device, method of assembling an electronic device and method of connecting an electronic device to a circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102022206300.7A DE102022206300A1 (en) | 2022-06-23 | 2022-06-23 | Electronic device, method of assembling an electronic device and method of connecting an electronic device to a circuit board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102022206300A1 true DE102022206300A1 (en) | 2023-07-06 |
Family
ID=86766368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102022206300.7A Ceased DE102022206300A1 (en) | 2022-06-23 | 2022-06-23 | Electronic device, method of assembling an electronic device and method of connecting an electronic device to a circuit board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102022206300A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102023203781A1 (en) * | 2023-04-25 | 2024-10-31 | Zf Friedrichshafen Ag | Semiconductor device, semiconductor apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69728812T2 (en) | 1996-03-22 | 2005-05-25 | MacDermid, Inc., Waterbury | Method for increasing the solderability of a surface |
| DE102006018275A1 (en) | 2006-04-20 | 2007-10-31 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Electronic device e.g. camera module, for use in a motor vehicle electronics, has padding layer adapted to thermal expansions of electronic component and printed circuit board with respect to layer`s thermal expansion-coefficient |
| DE10033352B4 (en) | 2000-07-08 | 2010-08-19 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing an electronic assembly and electronic assembly |
| DE102009029476A1 (en) | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Electronic device for switching currents and manufacturing method for the same |
| US20170339798A1 (en) | 2016-05-23 | 2017-11-23 | Delta Electronics, Inc. | Power module |
| DE102017200504A1 (en) | 2017-01-13 | 2018-07-19 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Electronic component and method for producing an electronic component |
| US20200119654A1 (en) | 2018-10-12 | 2020-04-16 | Electronics And Telecommunications Research Institute | High voltage bridge rectifier |
-
2022
- 2022-06-23 DE DE102022206300.7A patent/DE102022206300A1/en not_active Ceased
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69728812T2 (en) | 1996-03-22 | 2005-05-25 | MacDermid, Inc., Waterbury | Method for increasing the solderability of a surface |
| DE10033352B4 (en) | 2000-07-08 | 2010-08-19 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing an electronic assembly and electronic assembly |
| DE102006018275A1 (en) | 2006-04-20 | 2007-10-31 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Electronic device e.g. camera module, for use in a motor vehicle electronics, has padding layer adapted to thermal expansions of electronic component and printed circuit board with respect to layer`s thermal expansion-coefficient |
| DE102009029476A1 (en) | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Electronic device for switching currents and manufacturing method for the same |
| US20170339798A1 (en) | 2016-05-23 | 2017-11-23 | Delta Electronics, Inc. | Power module |
| DE102017200504A1 (en) | 2017-01-13 | 2018-07-19 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Electronic component and method for producing an electronic component |
| US20200119654A1 (en) | 2018-10-12 | 2020-04-16 | Electronics And Telecommunications Research Institute | High voltage bridge rectifier |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102023203781A1 (en) * | 2023-04-25 | 2024-10-31 | Zf Friedrichshafen Ag | Semiconductor device, semiconductor apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE10201781B4 (en) | High frequency power device and high frequency power module and method of making the same | |
| DE102012200329B4 (en) | Semiconductor arrangement with a heatspreader and method for producing a semiconductor device | |
| DE102007017831B4 (en) | Semiconductor module and a method for producing a semiconductor module | |
| DE10393437T5 (en) | Semiconductor device assembly | |
| EP1450404A2 (en) | Assembly in pressure contact with a power semiconductor module | |
| DE102004041088B4 (en) | Semiconductor component in flat conductor technology with a semiconductor chip and method for its production | |
| DE102012200863A1 (en) | Semiconductor device with base plate | |
| DE102007036841B4 (en) | Semiconductor device with semiconductor chip and method for its production | |
| DE212021000169U1 (en) | semiconductor device | |
| DE102018103979B4 (en) | Assembly comprising a carrier device with a chip and a component mounted through an opening, and method of manufacture and use | |
| DE102013219780A1 (en) | Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module | |
| DE102020105267A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| DE102022206300A1 (en) | Electronic device, method of assembling an electronic device and method of connecting an electronic device to a circuit board | |
| DE10023823A1 (en) | Multi-chip housing device has carrier supporting stacked chip components with lowermost chip component having contact coupled to terminal surface of carrier | |
| DE102017208973A1 (en) | ELECTRONIC ASSEMBLY FOR LIGHTING APPLICATIONS, LIGHTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC MODULE | |
| EP1946625A1 (en) | Electronic circuit arrangement and method for producing an electronic circuit arrangement | |
| EP3751602A1 (en) | Insulated metal substrate for a power electronic module | |
| DE19830158A1 (en) | Intermediate carrier substrate with high wiring density for electronic components | |
| DE102007002807B4 (en) | chip system | |
| DE102006023998B4 (en) | Electronic circuit arrangement and method for producing such | |
| DE102007044046B4 (en) | Method for internal contacting of a power semiconductor module | |
| DE102022130820A1 (en) | SEMICONDUCTOR HOUSING WITH METAL PINS STRUCTURED LEAD FRAME | |
| DE19924994A1 (en) | Sandwich-structured intelligent power module for building into appliances includes a printed circuit board for a logical unit with a recess fitted with a power substrate on a cooling plate connected by a wire bonding technique. | |
| DE102017211336A1 (en) | Power module with surface-mounted electrical contacting elements | |
| DE202020104187U1 (en) | Electrical component |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R012 | Request for examination validly filed | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R230 | Request for early publication | ||
| R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
| R003 | Refusal decision now final |