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DE102008017152A1 - Verfahren zum Herstellen einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung zwischen einer Leiterplatte und einem Kontaktpartner sowie Verbundsystem - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung zwischen einer Leiterplatte und einem Kontaktpartner sowie Verbundsystem Download PDF

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DE102008017152A1
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Florian Schels
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung zwischen einer Leiterplatten-Kontaktstelle (5), einer Leiterplatte (1) und einer korrespondierenden Kontaktstelle eines Kontaktpartners (10), wobei die Leiterplatten-Kontaktstelle (5) auf einer ersten Hauptseite (20) der Leiterplatte (1) ausgebildet ist. Die Verbindung wird durch Laserschweißen hergestellt. Der Laser ist auf einer zweiten, der ersten Hauptseite (20) gegenüberliegenden Hauptseite (21) der Leiterplatte (1) angeordnet. Der Laser trifft durch eine Aussparung (6) in der Leiterplatte (1) barrierefrei auf die Leiterplatten-Kontaktstelle (5) und die Kontaktstelle des Kontaktpartners (10) auf.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung zwischen einer Leiterplatten-Kontaktstelle einer Leiterplatte und einer korrespondierenden Kontaktstelle eines Kontaktpartners. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verbundsystem eines mit einer Leiterplatte verbundenen Kontaktpartners.
  • Die Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen einer Leiterplatten-Kontaktstelle einer Leiterplatte und einer korrespondierenden Kontaktstelle eines Kontaktpartners wird derzeit unter Verwendung eines Leitklebers, einer Lötverbindung (insbesondere unter Verwendung eines Reflow-Lötverfahrens) oder einer sog. Pressfit-Verbindung realisiert. Es wurden auch bereits Versuche gemacht, dünne Leiterplatten mit einer Dicke bis zum maximal 360 μm und einer darauf aufgebrachten galvanischen Schicht mit dem Kontaktpartner unter Verwendung eines Lasers zu verschweißen. Dabei durchdringt der Laserstrahl die Schichtanordnung aus Epoxydharz und Glasfaser-Gewebe der Leiterplatte, um die Energie in eine galvanisch aufgebrachte leitende Schicht der Leiterplatte und eine korrespondierende Metallschicht des Kontaktpartners einzubringen, um die Verschweißung zu realisieren.
  • Problematisch hierbei ist, dass durch den Schweißvorgang ein Abbrand des Epoxydharzes und des Glasfaser-Gewebes der Leiterplatte auftritt, welche zu einer Verunreinigung der Schweißstelle mit Ruß und Schlacke führt. Die Herstellung einer prinzipiell zufriedenstellenden elektrischen Verbindung ist durch dieses Verfahren zwar möglich. Allerdings ist eine Beurteilung der Schweißverbindung ohne Zerstörung der Schweißung nicht durchführbar. Eine optische Kontrolle, wie diese bei einem Laserschweißprozess einer flexiblen Leiterplatte, einer sog. Flexfolie zum Einsatz kommt, ist deshalb nicht möglich. Da andere Prozesskontrollen für den Schweißprozess von Leiterplatten nicht bekannt sind, wird von einer Verschweißung einer Leiterplatte mit einem Kontaktpartner bislang abgesehen.
  • Schweißverbindungen zählen zu den unlösbaren Verbindungen, welche eine hohe Zuverlässigkeit über ihre gesamte Lebensdauer aufweisen. Es besteht deshalb grundsätzlich der Wunsch, eine Schweißverbindung auch bei der Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen einer Leiterplatte und einem Kontaktpartner nutzen zu können.
  • Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung zwischen einer Leiterplatte und einem Kontaktpartner anzugeben, welches die Nutzung von Schweißverfahren und eine Überprüfung der Qualität der Schweißverbindung ermöglicht. Es ist ferner Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verbundsystem anzugeben, bei dem eine elektrische Verbindung nachprüfbarer Qualität zwischen einer Leiterplatte und einem Kontaktpartner durch eine Schweißung hergestellt ist.
  • Diese Aufgaben werden durch die Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind jeweils in den abhängigen Patentansprüchen wiedergegeben.
  • Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung zwischen einer Leiterplatten-Kontaktstelle einer Leiterplatte und einer korrespondierenden Kontaktstelle eines Kontaktpartners, wobei die Leiterplatten-Kontaktstelle auf einer ersten Hauptseite der Leiterplatte ausgebildet ist. Es versteht sich, dass die Kontaktstelle des Kontaktpartners und die Leiterplatten-Kontaktstelle jeweils eine Metallisierung zur Herstellung der elektrischen Verbindung aufweisen. Erfindungsgemäß wird die Verbindung durch Laserschweißen hergestellt. Dabei ist der Laser auf einer zweiten, der ersten Hauptseite gegenüberlie genden Hauptseite der Leiterplatte angeordnet und trifft durch eine Aussparung in der Leiterplatte barrierefrei auf die Leiterplatten-Kontaktstelle und die Kontaktstelle des Kontaktpartners.
  • Durch das Vorsehen der Aussparung in der Leiterplatte im Bereich der Leiterplatten-Kontaktstelle kann der Laserstrahl während der Verschweißung, ohne Epoxydharz und Glasfaser-Gewebe der Leiterplatte zu durchdringen, auf das zu verschweißende metallische Material der Leiterplatten-Kontaktstelle und der Kontaktstelle des Kontaktpartners auftreffen. Hierdurch wird die Schweißstelle nicht durch Ruß und Schlacke von nicht-metallischem Material verunreinigt. Hierdurch steigt zum einen die Qualität der Schweißverbindung. Zum anderen lässt sich durch die Aussparung hindurch eine optische Prozesskontrolle der vorgenommenen Verschweißung vornehmen. Hierdurch kann ein Laser-Schweißprozess auch im Rahmen der Herstellung von Leiterplatten oder Leiterplatten-Halbzeugen in Serie eingesetzt werden. Darüber hinaus weist das erfindungsgemäße Verfahren den Vorteil auf, dass dieses unabhängig von der Dicke der Leiterplatte durchgeführt werden kann. Da lediglich die metallischen Materialien der Leiterplatten-Kontaktstelle und der Kontaktstelle des Kontaktpartners durch den Laser aufgeschmolzen werden müssen, kann die Verschweißung mit einem geringeren Energieeintrag erfolgen.
  • In einer zweckmäßigen Ausgestaltung wird eine Wandung der Aussparung mit einer leitenden Schicht definierter Dicke ausgekleidet. Durch das Auskleiden der Aussparung mit einer leitenden Schicht steht für die Schweißverbindung ein größeres Materialreservoir zur Verfügung. Somit kann die Verschweißung durch eine definierte Dicke der leitenden Schicht in der Aussparung optimiert werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausgestaltung ist die Leiterplatten-Kontaktstelle Teil einer Leiterzugstruktur, welche zumindest auf der ersten Hauptseite der Leiterplatte aufgebracht ist, wobei zumindest auf die Leiterplatten-Kontaktstelle der Lei terzugstruktur eine weitere leitende Schicht definierter Dicke aufgebracht wird. Durch die Schichtdicke der weiteren leitenden Struktur kann die Verschweißung, wie bereits erläutert, optimiert werden.
  • Insbesondere erfolgt das Auskleiden der Wandung mit der leitenden Schicht und/oder das Aufbringen der weiteren leitenden Schicht durch ein galvanisches Verfahren. Um im Bereich der Verschweißung eine gewünschte Schichtdicke der leitenden Schicht in der Aussparung oder auf der Leiterzugstruktur der Leiterplatten-Kontaktstelle auszubilden, kann eine mehrfache Abfolge von galvanischer Aufmetallisierung und selektivem Entfernen der Aufmetallisierung erfolgen. Hierdurch kann die Schichtdicke an bestimmten Stellen des Werkstückverbunds gezielt eingestellt werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausgestaltung erfolgt die Verbindung der Leiterplatten-Kontaktstelle und der Kontaktstelle des Kontaktpartners punktuell oder zumindest abschnittsweise kontinuierlich. Auf welche Weise die Verbindung vorgenommen wird, hängt beispielsweise von dem eingesetzten Laser bzw. der Steuerung des Lasers ab.
  • Es ist weiterhin vorteilhaft, wenn der Kontaktpartner mit seiner Kontaktstelle vor dem Laserschweißen, insbesondere mit einem Nullspalt, an die Leiterplatten-Kontaktstelle gepresst wird. Hierdurch wird beim Aufschmelzen der Metallisierungen im Grenzbereich zwischen der Leiterplatten-Kontaktstelle und der Kontaktstelle des Kontaktpartners eine Verbindung der beiden Metallisierungen sichergestellt.
  • In einer ersten Variante wird der Laserstrahl bei der Verschweißung der Leiterplatten-Kontaktstelle und der Kontaktstelle des Kontaktpartners derart geführt, dass dieser einen Winkel größer als 0° relativ zu der Wandung der Aussparung einnimmt, so dass keine Energie in die Wandung der Aussparung eingebracht wird. Bei dieser Variante wird der Laserstrahl relativ zu der Wandung der Aussparung schräg geführt, so dass lediglich Metall in der Ebene der ersten Hauptseite der Leiterplatte mit einer entsprechenden Metallisierung des Kontaktpartners verschmolzen wird.
  • Im Gegensatz dazu kann gemäß einer weiteren Ausgestaltung vorgesehen sein, dass der Laserstrahl bei der Verschweißung der Leiterplatten-Kontaktstelle und der Kontaktstelle des Kontaktpartners derart geführt wird, dass dieser in etwa parallel zu der Wandung der Aussparung verläuft, wobei der Laserstrahl zumindest abschnittsweise Energie in die leitende Schicht der Wandung einbringt. Diese Variante weist den Vorteil auf, dass das Material der leitenden Schicht der Wandung der Aussparung für die Schweißverbindung genutzt werden kann.
  • Als Kontaktpartner für die Verschweißung kommt insbesondere ein Stanzgitter (Leadframe), ein Pin oder ein Pad eines Bauelements in Betracht. Als Kontaktpartner ist gemäß einer weiteren Ausgestaltung auch ein weiterer mit einer Leiterzugstruktur versehener Schaltungsträger vorgesehen, der optional eine als Durchkontaktierung ausgebildete Kontaktstelle aufweist. Die Verschweißung zweier Leiterplatten miteinander ermöglicht damit eine bessere Nutzenauslastung bei komplexen Leiterplattengeometrien. Die Erfindung ermöglicht es nämlich, die im Ergebnis erwünschte Leiterplattengeometrie auf zwei oder mehrere Teil-Leiterplatten aufzuteilen und diese mit dem erfindungsgemäßen Verfahren miteinander zu verbinden. Dadurch kann die in einem Nutzen zur Verfügung stehende Fläche wesentlich besser genutzt werden, wodurch die Herstellung im Ergebnis kostengünstiger realisierbar ist.
  • Bei der Verbindung zweier Leiterplatten miteinander ist es zweckmäßig, wenn der Durchmesser der mit einer metallischen Schicht ausgekleideten Durchkontaktierung des weiteren Schaltungsträgers kleiner oder gleich dem Durchmesser der Aussparung der Leiterplatte ist. Hierdurch können die zwei miteinander zu verbindenden Leiterplatten mit geringerer Genauigkeit zueinander positioniert werden, ohne dass die Gefahr besteht, dass die Laser-Schweißverbindung aufgrund zu geringer Menge an aufzuschmelzendem Metall beeinträchtigt wird. Darüber hinaus kann durch die unterschiedlichen Durchmesser der Aussparung und der Durchkontaktierung eine einfachere Prozesssteuerung des Lasers erfolgen. Ferner ist die Menge des für die Verschweißung benötigten Materials auf einfache Weise einstellbar.
  • Der Durchmesser sowie die Geometrie der Aussparung können prinzipiell beliebig gewählt werden und sind im Wesentlichen von dem zur Verfügung stehenden Equipment des Lasers abhängig. Außerdem ist der Durchmesser der Aussparung auch abhängig vom zur Verfügung stehenden optischen Beurteilungssystem für die Qualität der Schweißverbindung. Insbesondere weist die Aussparung einen Durchmesser der 2-fachen Dicke der Leiterplatte auf.
  • Von der Erfindung ist ferner ein Verbundsystem umfasst. Dieses enthält eine Leiterplatte mit einer Leiterplattenkontaktstelle, die auf einer ersten Hauptseite der Leiterplatte ausgebildet ist und eine Aussparung in der Leiterplatte umfasst. Das Verbundsystem umfasst ferner einen Kontaktpartner mit einer zu der Leiterplatten-Kontaktstelle korrespondierenden Kontaktstelle, wobei die Leiterplatten-Kontaktstelle und die Kontaktstelle des Kontaktpartners auf der ersten Hauptseite der Leiterplatte von einer zweiten, der ersten Hauptseite gegenüberliegenden Hauptseite der Leiterplatte durch die Aussparung durch einen Laser miteinander verschweißt sind.
  • Das erfindungsgemäße Verbundsystem weist die gleichen Vorteile auf, wie sie vorstehend in Verbindung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erläutert wurden. Insbesondere zeichnet sich ein erfindungsgemäßes Verbundsystem dadurch aus, dass die Schweißstelle frei von Verunreinigungen, wie z. B. Ruß oder Schlacke ist, da der Laserstrahl direkt durch die Aussparung auf die zu schweißende Stelle auftreffen kann, ohne vorher ein Trägermaterial, wie z. B. Epoxydharz und Glasfaser, aufschmelzen zu müssen.
  • In einer zweckmäßigen Ausgestaltung ist eine Wandung der Aussparung mit einer leitenden Schicht definierter Dicke ausgekleidet. Die Aussparung mit der leitenden Schicht auf der Wandung der Aussparung stellt eine Durchkontaktierung dar.
  • Gemäß einer weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung ist die Leiterplatten-Kontaktstelle Teil einer Leiterzugstruktur zumindest auf der ersten Hauptseite der Leiterplatte, wobei zumindest auf die Leiterplatten-Kontaktstelle der Leiterzugstruktur eine weitere leitende Schicht definierter Dicke aufgebracht ist. Das Aufbringen der leitenden Schicht auf die Wandung der Aussparung sowie auf die Leiterzugstruktur kann in einem Herstellungsschritt durch ein galvanisches Herstellungsverfahren erfolgen.
  • Insbesondere ist der Kontaktpartner ein Stanzgitter (Leadframe) oder ein Pin oder ein Pad eines Bauelements. Alternativ kann als Kontaktpartner ein weiterer mit einer Leiterzugstruktur versehener Schaltungsträger vorgesehen sein, der optional eine als Durchkontaktierung ausgebildete Kontaktstelle aufweist. In diesem Fall ist es zweckmäßig, wenn der Durchmesser der mit einer metallischen Schicht ausgekleideten Durchkontaktierung des weiteren Schaltungsträgers kleiner oder gleich dem Durchmesser der Aussparung der Leiterplatte ist.
  • Die Aussparung weist einen Durchmesser von insbesondere der 2-fachen Dicke der Leiterplatte auf, wobei der Durchmesser der Aussparung allgemein an den für die Verschweißung verwendeten Laser und das für die Beurteilung der Schweißverbindung verwendete System angepasst ist. Die Aussparung muss nicht zwingenderweise in Form einer kreisrunden Bohrung vorliegend. Stattdessen kann die Bohrung prinzipiell jede beliebige Gestalt aufweisen.
  • Die Erfindung wird nachfolgend näher anhand der Figuren erläutert. Es zeigen:
  • 1A bis 1C aufeinander folgende Herstellungsschritte zur Erzeugung eines erfindungsgemäßen Verbundsystems gemäß einer erster Ausführungsvariante in einer Querschnittsdarstellung,
  • 2 ein erfindungsgemäßes Verbundsystem gemäß einer zweiten Ausführungsvariante in einer Querschnittsdarstellung, wobei zwei Leiterplatten miteinander verschweißt sind,
  • 3 einen vergrößerten Ausschnitt eines erfindungsgemäß herzustellenden Verbundsystems, bei dem eine erste Laserstrahlführung gezeigt ist, und
  • 4 einen vergrößerten Ausschnitt eines erfindungsgemäß herzustellenden Verbundsystems, bei dem eine zweite Laserstrahlführung gezeigt ist.
  • In den 1A bis 1C ist das der Erfindung zu Grunde liegende Vorgehen bei der Herstellung einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung zwischen einer Leiterplatte und einer Kontaktstelle eines Kontaktpartners dargestellt. 1A zeigt eine beispielhaft auf ihrer ersten und zweiten Hauptseite 20, 21 metallisierte Leiterplatte 1. In bekannter Weise umfasst die Leiterplatte 1 eine Trägerschicht 2. Die Trägerschicht ist üblicherweise aus einem mit Epoxydharz umhüllten Glasfaser-Gewebe gebildet. Auf der ersten Hauptseite 20 ist eine Metallschicht 4, auf der zweiten Hauptseite 21 eine Metallschicht 3 auf die Trägerschicht 2 aufgebracht. Sowohl die Metallschicht 3 als auch die Metallschicht 4 bilden eine Leiterzugstruktur aus. Im Bereich einer auszubildenden Leiterplatten-Kontaktstelle 5 weist die Leiterplatte 1 eine Aussparung 6 auf, welche beispielsweise durch Stanzen oder Bohren eingebracht sein kann. Eine Leiterplatte weist üblicherweise eine Vielzahl an solchen Aussparungen auf, welche beispielsweise als Durchkontaktierungen ausgebildet sind, um auf der ersten und der zweiten Hauptseite 20, 21 angeordnete Bauelemente elektrisch miteinander zu verbinden. In entsprechender Weise und zusammen mit den gegebenenfalls vorhandenen Durchkontaktierungen erfolgt eine Auskleidung der Aussparung 6 mit einer leitenden Schicht 9. Diese Auskleidung erfolgt üblicherweise durch ein galvanisches Herstellungsverfahren, bei dem ebenfalls auf die Metallschichten 3, 4 eine weitere leitende Schicht 7, 8 aufgebracht wird. Die nach dem Schritt der galvanischen Aufmetallisierung, d. h. der Ausbildung der leitenden Schichten 7, 8, 9, ausgebildete Leiterplatte 1 ist in 1B dargestellt.
  • Das Aufbringen der leitenden Schicht 9 in der Aussparung 6 sowie der weiteren leitenden Schichten 7, 8 auf den Metallschichten 3, 4 ist lediglich optional. Insbesondere kann die weitere leitende Schicht 7, 8 ausschließlich selektiv auf der Metallschicht 4 der ersten Hauptseite 20 der Leiterplatte 1 im Bereich der Kontaktstelle 5 vorgesehen sein. An welchen Stellen und mit welchen Dicken die leitende Schicht 9 bzw. die weiteren leitenden Schichten 7, 8 vorgesehen sind, liegt im Ermessen eines Fachmannes.
  • 1C zeigt einen Kontaktpartner 10, welcher für den Schweißvorgang mit einem Nullspalt an die erste Hauptseite 20 im Bereich der Leiterplatten-Kontaktstelle 5 angeordnet ist. Der Kontaktpartner 10 ist im Ausführungsbeispiel ein Bauelement, welches eine Kontaktstelle 16 umfasst, die in etwa bündig mit der an die Leiterplatte 1 ragenden Seite des Bauelements abschließt. Die Kontaktfläche 16 ist durch eine Metallisierung gebildet. Der Durchmesser bzw. die Abmaße der Kontaktstelle 16 sind etwas größer als der Durchmesser der Aussparung 6 bemessen. Der Kontaktpartner 10 wird mit seiner Kontaktstelle 16 derart an die Leiterplatte 1 gepresst, so dass die Kontaktstelle 16 an jeder Stelle der Leiterplatten-Kontaktstelle 5 etwas über deren Ränder hinausragt.
  • Von der zweiten Hauptseite 21 der Leiterplatte 1 her wird ein Laserstrahl 11 durch die Aussparung 6 hindurch an den Grenz bereich zwischen der Kontaktstelle 16 und der Metallisierung der Leiterplatten-Kontaktstelle 5 geführt. Die Metallisierung der Leiterplatten-Kontaktstelle 5 ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel durch die leitende Schicht der Aussparung 6 und die weitere leitende Schicht 8 auf der Metallschicht 4 gebildet. Der Laserstrahl 11 kann damit auf die zu verschweißende Verbindungsstelle 12 oder Abschnitte treffen, ohne dass er vorher das Trägermaterial der Trägerschicht 2 durchdringen und aufschmelzen muss.
  • Die Steuerung des Laserstrahls 11 kann derart ausgeführt sein, dass nur ein oder mehrere Punkte der aneinandergrenzenden Metallisierungen der Leiterplatten-Kontaktstelle 5 und der Kontaktstelle 16 des Kontaktpartners 10 miteinander verschweißt werden. Es kann jedoch auch eine umlaufende ringförmige Schweißnaht erzeugt werden, so dass sämtliche aneinander grenzenden Abschnitte miteinander verschweißt sind.
  • Die Größe bzw. der Durchmesser der Aussparung 6 kann prinzipiell frei gewählt werden und ist zweckmäßigerweise an den für die Verschweißung verwendeten Laser angepasst. Die Dicken der leitenden Schicht 9 sowie der weiteren leitenden Schicht 8 können im Bereich der Verbindungsstelle 12 durch die im Zusammenhang mit 1B erwähnte Galvanisierung in beliebiger Weise variiert werden. Mit großen Schichtdicken der Schichten 8, 9 wird mehr Metallmaterial für den Schweißprozess zur Verfügung gestellt, wodurch eine breitere Kontaktzone erhalten wird.
  • Das vorgeschlagene Verbindungsverfahren ermöglicht das Entweichen von Ausgasungen, welche während des Schweißprozesses entstehen, durch die Aussparung 6 nach oben, d. h. in Richtung der zweiten Hauptseite 21. Nach dem Schweißprozess kann die Schweiß- oder Verbindungsstelle 12 optisch bewertet werden, da diese über die Aussparung 6 frei zugänglich ist. Ferner bedecken wenig bis keine Verunreinigungen die Schweißstelle.
  • In 1C ist als Kontaktpartner 10 ein Bauelement mit einer als Kontaktpad ausgebildeten Kontaktstelle 16 dargestellt. Stattdessen könnte als Kontaktpartner auch ein Stanzgitter (Leadframe) mit der Kontaktstelle 5 der Leiterplatte 1 verschweißt werden. Als Kontaktpartner kann ferner eine weitere Leiterplatte verwendet werden, wie dies exemplarisch in 2 dargestellt ist.
  • Die weitere Leiterplatte umfasst eine Trägerschicht 13, auf welche beidseitig eine strukturierte Metallschicht 14, 15 aufgebracht ist. Ebenso sind die Metallschichten 14, 15 sowie die Wandung einer Aussparung 17 der weiteren Leiterplatte mit einer Galvanikschicht (leitende Schichten 19, 19) bedeckt. Der Durchmesser der Aussparung 17 der weiteren Leiterplatte ist etwas geringer als der Durchmesser der Aussparung 6 der Leiterplatte 1. Hierdurch wird einerseits die relative Anordnung der Leiterplatten 1, 10 zueinander erleichtert, da diese mit einer gewissen Toleranz erfolgen kann. Andererseits wird die ausreichende Bereitstellung von Material für den Schweißprozess erleichtert. Die Materialmenge im Schweißbereich, welcher durch die mit 12 gekennzeichnete Verbindungsstelle repräsentiert ist, kann durch die Dicken der Metallisierungen in der Aussparung 6 sowie in bzw. um die Aussparung 17 herum gesteuert werden.
  • In einer vom Ausführungsbeispiel der 2 abweichenden Ausgestaltung braucht bei der weiteren Leiterplatte 10 auch keine Aussparung 17 vorgesehen sein. Es ist ausreichend, wenn die weitere Leiterplatte 10 im Bereich der Leiterplatten-Kontaktstelle 5 der Leiterplatte 1 mit einer Metallisierung versehen ist, die der Aussparung 6 der Leiterplatte 1 zugewandt ist.
  • In einer weiteren alternativen Ausgestaltung ist es ferner nicht notwendig, die in der weiteren Leiterplatte 10 vorgesehene Aussparung 17 im Bereich ihrer Wandung mit einer leitenden Schicht auszukleiden, da diese bei der gezeigten Variante unterschiedlicher Aussparungs-Durchmesser keinen Beitrag für die Verschweißung liefert.
  • 3 zeigt in einer Querschnittsdarstellung einen vergrößerten Ausschnitt der zwischen der Leiterplatte 1 und dem Kontaktpartner 10 herzustellenden Verschweißung. Hierbei wird der Laserstrahl 11 bei der Verschweißung der Leiterplatten-Kontaktstelle 5 und der Kontaktstelle des Kontaktpartners 10 derart geführt, dass dieser in etwa parallel zu der Wandung der Aussparung 6 verläuft, wobei der Laserstrahl zumindest abschnittsweise Energie in die leitende Schicht 9 der Wandung der Aussparung 6 einbringt. Hierdurch schmilzt Material der leitenden Schicht 9 über die gesamte Höhe der Aussparung 6 auf und verflüssigt sich, so dass eine große Materialmenge im Bereich der Verbindungsstelle 12 zur Verbindung mit dem Kontaktpartner 10 zur Verfügung steht.
  • Im Gegensatz dazu zeigt 4 eine Situation, bei der der Laserstrahl bei der Verschweißung der Leiterplatten-Kontaktstelle 5 und der Kontaktstelle des Kontaktpartners 10 derart geführt wird, dass dieser einen Winkel größer als 0° relativ zu der Wandung der Aussparung 6 einnimmt, so dass keine Energie in die Wandung der Aussparung 6 eingebracht wird. Stattdessen liegt der Fokuspunkt des Laserstrahls 11 im Grenzbereich der leitenden Schicht 9 und der Kontaktstelle des Kontaktpartners 10. Wie ohne Weiteres zu erkennen ist, wird dazu der Laserstrahl 11 schräg in die Aussparung 6 geleitet. Mit einer geeigneten Steuerung des Laserstrahls 11 können nun ein einzelner Punkt, mehrere Punkte oder ein geschlossener Ring geschweißt werden.
  • Anstatt den Laserstrahl zu steuern, ist auch denkbar, den Laser stationär zu betreiben und einen Werkzeugträger, welcher den Verbund aus Leiterplatte 1 und Kontaktpartner 10 hält, entsprechend der gewünschten Schweißgeometrie zu bewegen. Aus der beschriebenen Vorgehensweise wird ersichtlich, dass gegebenenfalls die leitende Schicht 9 in der Aussparung 6 entbehrlich ist, sofern die Metallschicht 4 in Verbindung mit der leitenden Schicht 8 im Bereich der Aussparung 6 eine ausreichende Dicke aufweist und im Fokuspunkt des Laserstrahls 11 liegt.
  • Der Vorteil des erfindungsgemäßen Vorgehens besteht darin, dass der Laserstrahl direkten, d. h. barrierefreien Zugriff auf die zu schweißende Stelle hat, ohne dass ein Trägermaterial der Leiterplatte durchdrungen werden muss. Hierdurch entstehen keine oder nur geringe Schweißrückstände, so dass eine genaue Prozesskontrolle möglich ist. Das vorgetragene Verfahren kann unabhängig von der Dicke der Leiterplatte und des damit zu verbindenden Schweißpartners ausgeführt werden. Die Schweißstelle lässt sich durch unterschiedliche Dicken der Metallisierungen der Leiterplatte und des Kontaktpartners optimieren. Da lediglich die Metallisierungen im Bereich der Schweißstelle aufgeschmolzen werden müssen, ist weniger Energieeintrag notwendig.

Claims (18)

  1. Verfahren zum Herstellen einer elektrischen und/oder mechanischen Verbindung zwischen einer Leiterplatten-Kontaktstelle (5) einer Leiterplatte (1) und einer korrespondierenden Kontaktstelle eines Kontaktpartners (10), wobei die Leiterplatten-Kontaktstelle (5) auf einer ersten Hauptseite (20) der Leiterplatte (1) ausgebildet ist, bei dem – die Verbindung durch Laserschweißen hergestellt wird, – der Laser auf einer zweiten, der ersten Hauptseite (20) gegenüberliegenden Hauptseite (21) der Leiterplatte (1) angeordnet ist, und – der Laser durch eine Aussparung (6) in der Leiterplatte (1) barrierefrei auf die Leiterplatten-Kontaktstelle (5) und die Kontaktstelle des Kontaktpartners (10) auftrifft.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem eine Wandung der Aussparung (6) mit einer leitenden Schicht (9) definierter Dicke ausgekleidet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Leiterplatten-Kontaktstelle (5) Teil einer Leiterzugstruktur zumindest auf der ersten Hauptseite (20) der Leiterplatte (1) ist, wobei zumindest auf die Leiterplatten-Kontaktstelle (5) der Leiterzugstruktur eine weitere leitende Schicht (8) definierter Dicke aufgebracht wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, bei dem das Auskleiden der Wandung mit der leitenden Schicht (9) und/oder das Aufbringen der weiteren leitenden Schicht (7, 8) durch ein galvanisches Verfahren erfolgt.
  5. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Verbindung der Leiterplatten-Kontaktstelle (5) und der Kontaktstelle des Kontaktpartners (10) punktuell oder zumindest abschnittsweise kontinuierlich erfolgt.
  6. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der Kontaktpartner (10) mit seiner Kontaktstelle vor dem Laserschweißen, insbesondere mit einem Nullspalt, an die Leiterplatten-Kontaktstelle (5) gepresst wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Laserstrahl bei der Verschweißung der Leiterplatten-Kontaktstelle (5) und der Kontaktstelle des Kontaktpartners (10) derart geführt wird, dass dieser einen Winkel größer als 0° relativ zu der Wandung der Aussparung (6) einnimmt, so dass keine Energie in die Wandung der Aussparung (6) eingebracht wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 6, bei dem der Laserstrahl bei der Verschweißung der Leiterplatten-Kontaktstelle (5) und der Kontaktstelle des Kontaktpartners (10) derart geführt wird, dass dieser in etwa parallel zu der Wandung der Aussparung (6) verläuft, wobei der Laserstrahl zumindest abschnittsweise Energie in die leitende Schicht der Wandung einbringt.
  9. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem als Kontaktpartner (10) ein Stanzgitter (Leadframe), ein Pin, ein Pad eines Bauelements vorgesehen ist.
  10. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem als Kontaktpartner (10) ein weiterer mit einer Leiterzugstruktur versehener Schaltungsträger vorgesehen ist, der optional eine als Durchkontaktierung ausgebildete Kontaktstelle aufweist.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der Durchmesser der mit einer metallischen Schicht ausgekleideten Durchkontaktierung des weiteren Schaltungsträgers kleiner oder gleich dem Durchmesser der Aussparung (6) der Leiterplatte (1) ist.
  12. Verbundsystem, umfassend – eine Leiterplatte (1) mit einer Leiterplatten-Kontaktstelle (5), die auf einer ersten Hauptseite (20) der Leiterplatte (1) ausgebildet ist und eine Aussparung (6) in der Leiterplatte (1) umfasst, – einen Kontaktpartner (10) mit einer zu der Leiterplatten-Kontaktstelle (5) korrespondierenden Kontaktstelle, – wobei die Leiterplatten-Kontaktstelle (5) und die Kontaktstelle des Kontaktpartners (10) auf der ersten Hauptseite (20) der Leiterplatte (1) von einer zweiten, der ersten Hauptseite (20) gegenüberliegenden Hauptseite der Leiterplatte (1) durch die Aussparung (6) durch einen Laser miteinander verschweißt sind.
  13. Verbundsystem nach Anspruch 11, bei dem eine Wandung der Aussparung (6) mit einer leitenden Schicht definierter Dicke ausgekleidet ist.
  14. Verbundsystem nach Anspruch 12 oder 13, bei dem die Leiterplatten-Kontaktstelle (5) Teil einer Leiterzugstruktur zumindest auf der ersten Hauptseite (20) der Leiterplatte (1) ist, wobei zumindest auf die Leiterplatten-Kontaktstelle (5) der Leiterzugstruktur eine weitere leitende Schicht definierter Dicke aufgebracht ist.
  15. Verbundsystem nach einem der Ansprüche 12 bis 14, bei dem der Kontaktpartner (10) ein Stanzgitter (Leadframe) oder ein Pin oder ein Pad eines Bauelements ist.
  16. Verbundsystem nach einem der Ansprüche 12 bis 15, bei dem als Kontaktpartner (10) ein weiterer mit einer Leiterzugstruktur versehener Schaltungsträger vorgesehen ist, der optional eine als Durchkontaktierung ausgebildete Kontaktstelle aufweist.
  17. Verbundsystem nach Anspruch 16, bei dem der Durchmesser der mit einer metallischen Schicht ausgekleideten Durchkontaktierung des weiteren Schaltungsträgers kleiner oder gleich dem Durchmesser der Aussparung (6) der Leiterplatte (1) ist.
  18. Verbundsystem nach einem der Ansprüche 12 bis 17, bei dem die Aussparung (6) einen Durchmesser der 2-fachen Dicke der Leiterplatte (1) aufweist.
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