[go: up one dir, main page]

DE1076175B - Bistable switch with a transistor, which has a flat body made of semiconducting material with one or more non-blocking and blocking electrodes - Google Patents

Bistable switch with a transistor, which has a flat body made of semiconducting material with one or more non-blocking and blocking electrodes

Info

Publication number
DE1076175B
DE1076175B DEI15160A DEI0015160A DE1076175B DE 1076175 B DE1076175 B DE 1076175B DE I15160 A DEI15160 A DE I15160A DE I0015160 A DEI0015160 A DE I0015160A DE 1076175 B DE1076175 B DE 1076175B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
collector
zone
input
circuit
collectors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEI15160A
Other languages
German (de)
Inventor
Richard Frederick Rutz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IBM Deutschland GmbH
Original Assignee
IBM Deutschland GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US458619A external-priority patent/US2889499A/en
Priority claimed from US509852A external-priority patent/US2992337A/en
Application filed by IBM Deutschland GmbH filed Critical IBM Deutschland GmbH
Publication of DE1076175B publication Critical patent/DE1076175B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/29—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator multistable
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/35—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar semiconductor devices with more than two PN junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H10D48/34—Bipolar devices
    • H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D88/00—Three-dimensional [3D] integrated devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

DEUTSCHESGERMAN

Die Stammanmeldung betrifft einen Transistor mit einem flachen Körper aus halbleitendem Material, z. B. aus Germanium oder Silizium, mit einer oder mehreren sperrfreien Elektroden und einer oder mehreren Spitzenelektroden, bei dem diese Elektroden auf der einen Oberfläche des Halbleiterkörpers angebracht sind, bei dem zwischen zwei von diesen Elektroden eine Potentialdifferenz parallel zu der Oberfläche angelegt ist und bei dem auf der anderen gesamten Oberfläche des Halbleiterkörpers eine flächenhafte Elektrode mit einer vorgelagerten Halbleiterschicht vom umgekehrten Leitungstyp solcher geringen Stärke angeordnet ist, daß diese Halbleiterschicht über ihrem gesamten Bereich ein einheitliches, von der Flächenelektrode aufgeprägtes Potential annimmt und dadurch den PN-Übergang in seiner Längenausdehnung aufteilt in einen Bereich mit einer Polung in Flußrichtung und in einen Bereich mit einer Polung in Sperrrichtung bezüglich einer Spitzenelektrode und zwischen beiden Bereichen des PN-Übergangs ein Äquipotentialpunkt entsteht. Bei diesem Transistor ist eine sperrfreie Zentralelektrade zwischen zwei sperrenden Spitzenelektroden eingeschlossen und diese drei Elektroden auf der einen Halbleiteroberfläche aufgesetzt bzw. vorgesehen. Für die beiden sperrenden Spitzenelektroden kann bei dem Transistor nach der Stammanmeldung auch ein vorgelegter flächenhafter Hook vorgesehen sein. Die beiden die Zentralelektrode einschließenden sperrenden Elektroden nehmen gegeneinander einen Abstand ein, der größer als die Diffusionslänge der Minoritätsträger bei mittlerer Lebensdauer im Halbleiterkörper ist, auf dem diese sperrenden Elektroden aufgebracht sind.The parent application relates to a transistor having a flat body of semiconducting material, e.g. B. made of germanium or silicon, with one or more barrier-free electrodes and one or more Tip electrodes, in which these electrodes are attached to one surface of the semiconductor body are, in which between two of these electrodes a potential difference is applied parallel to the surface and in the case of a planar electrode on the other entire surface of the semiconductor body arranged with an upstream semiconductor layer of the reverse conductivity type of such a small thickness is that this semiconductor layer is a uniform over its entire area, from the surface electrode assumes impressed potential and thereby divides the PN junction in its length expansion into an area with a polarity in the forward direction and in an area with a polarity in the reverse direction with respect to a tip electrode and an equipotential point between both regions of the PN junction arises. In this transistor there is a non-blocking central electrode between two blocking electrodes Including tip electrodes and these three electrodes placed on one semiconductor surface or provided. For the two blocking tip electrodes in the transistor according to the parent application a planar hook placed in front of it can also be provided. The two enclosing the central electrode Blocking electrodes are spaced apart from one another by a distance that is greater than the diffusion length of the minority carriers at medium life is in the semiconductor body on which these blocking electrodes are applied.

Ein solcher Transistor, der im einzelnen nachstehend nochmals an Hand der Fig. 1 und 5 A beschrieben ist, läßt sich gemäß der Erfindung vorteilhaft bistabil beschreiben. Er kann in verschiedenartigen Schaltungen, zu denen Trigger, Sperrschaltungen, Schwingungserzeuger und nicht umerregbare Schaltungen gehören, benutzt werden. Mit »nicht umerregbare Schaltungen« sind solche Schaltungen bezeichnet, die mehrere Eingangskreise aufweisen und ein Ausgangssignal nur dann liefern, wenn eine bekannte Kombination von Eingangszeichen an diese Schaltungs-Eingangskreise gelegt wird.Such a transistor, which is described in detail again below with reference to FIGS. 1 and 5A, can be described advantageously bistable according to the invention. It can be used in various circuits, which include triggers, blocking circuits, vibration generators and non-re-excitable circuits, to be used. "Non-de-energizing circuits" are those circuits that have multiple input circuits and only provide an output signal if a known combination of Input characters is applied to these circuit input circuits.

Die Erfindung sei nachstehend an Hand der Zeichnungen näher erläutert.The invention is explained in more detail below with reference to the drawings.

Fig. 1 zeigt schematisch einen bei der Erfindung benutzten Transistor;Fig. 1 shows schematically a transistor used in the invention;

Fig. 2 stellt das Schaltbild eines bistabilen Triggers mit eingebautem Transistor nach Fig. 1 dar;FIG. 2 shows the circuit diagram of a bistable trigger with a built-in transistor according to FIG. 1;

Fig. 3 und 4 zeigen Schaltbilder von Sperrschaltungen mit zwei stabilen Zuständen, in denen ein Transistor nach Fig. 1 verwendet ist;3 and 4 show circuit diagrams of blocking circuits with two stable states in which a transistor is used according to Figure 1;

Bistabiler Schalter mit einem Transistor,
der einen flachen Körper aus halbleitendem Material mit einer oder mehreren sperrfreien und sperrenden Elektroden aufweistBistable switch with one transistor,
which has a flat body made of semiconducting material with one or more non-blocking and blocking electrodes

Anmelder:Applicant:

IBM Deutschland
Internationale Büro-MaschinenIBM Germany
International office machines

Gesellschaft m.b.H.,
Sindelfingen (Württ), Tübinger Allee 49Gesellschaft mbH,
Sindelfingen (Württ), Tübinger Allee 49

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 20. Mai 1955Claimed priority:
V. St. v. America May 20, 1955

Richard Frederick Rutz, Fishtail, N. Y. (V. St. Α.),
ist als Erfinder genannt wordenRichard Frederick Rutz, Fishtail, NY (V. St. Α.),
has been named as the inventor

Fig. 5 ist das Schaltbild eines Triggers mit dem Transistor nach Fig. 1;Fig. 5 is a circuit diagram of a trigger using the transistor of Fig. 1;

Fig. 5 A stellt das Schaltbild einer abgeändertenFig. 5A shows the circuit diagram of a modified one

Ausführungsform des Transistors dar, der in der Schaltung nach Fig. 5 verwendet werden kann;
Fig. 6 zeigt das elektrische Schaltbild einer nicht umerregbaren Schaltung mit einem Transistor nach Fig. 1;An embodiment of the transistor which can be used in the circuit of FIG. 5;
FIG. 6 shows the electrical circuit diagram of a non-deenergizable circuit with a transistor according to FIG. 1;

Fig. 7 zeigt in Tabellenform die Schaltzustände der Ausgänge der Schaltung nach Fig. 6 bei verschiedenen Zeicheneingängen;FIG. 7 shows, in table form, the switching states of the outputs of the circuit according to FIG. 6 for different ones Character inputs;

Fig. 8 stellt das Schaltbild einer weiteren, nicht umerergbaren Schaltung mit einem Transistor nach Fig. 1 dar;FIG. 8 shows the circuit diagram of a further, non-reenergizable circuit with a transistor according to FIG. 1 dar;

Fig. 9 und 10 stellen in Tabellenform wie die Fig. 7 die verschiedenen Arbeitsweisen der Schaltung nach Fig. 8 dar;FIGS. 9 and 10 show, in tabular form, like FIG. 7, the various modes of operation of the circuit Fig. 8 shows;

Fig. 11 ist das elektrische Schaltbild eines Verstärkers mit einem Transistor nach Fig. 1, in dem nicht alle elektrischen Anschlüsse mit dem Transistor verwendet werden;Fig. 11 is the electrical diagram of an amplifier with a transistor of Fig. 1 in which not all electrical connections are used with the transistor;

Fig. 12 zeigt den Eingangs- und Ausgangsimpuls der Schaltung nach Fig. 11;Fig. 12 shows the input and output pulse of the circuit of Fig. 11;

Fig. 13 ist das Schaltbild eines Triggers mit einem TransistornachFig.il;Fig. 13 is a circuit diagram of a trigger with a transistor of Fig. 1;

909 757/332909 757/332

Fig. 14 und 15 stellen Schaltbilder von Schwingungserzeugern mit einem Transistor nach Fig. 11 dar. FIGS. 14 and 15 show circuit diagrams of oscillation generators with a transistor according to FIG. 11.

Der Transistor 1 nach Fig. 1 enthält einen Halbleiter mit einer Zone 2 vom N-Typ aus halbleitendem Material und eine Zone 3 vom P-Typ aus halbleitendem Material. Diese beiden Zonen sind durch eine Grenzschicht 4 voneinander getrennt. Die beiden Kollektoren 5 und 6 befinden sich an der Fläche der N-Zone2, die der Grenzschicht 4 gegenüberliegt. Die Kollektoren 5 und 6 sind durch den Abstand 7 voneinander getrennt, der größer als die Ausbreitungsstrecke oder Diffusionsstrecke der Minoritätsladungsträger bei mittlerer Lebensdauer in der N-Zone2 ist. Die Schichtstärke 12 der NT-Zone 2 zwischen der Oberfläche, an die die Kollektoren 5 und 6 angeschlossen sind, und der Trennschicht 4 soll höchstens gleich der Ausbreitungsstrecke sein.The transistor 1 of Fig. 1 contains a semiconductor with a zone 2 of the N-type of semiconducting Material and a zone 3 of the P-type of semiconducting material. These two zones are through one Boundary layer 4 separated from one another. The two collectors 5 and 6 are located on the surface of the N-Zone2, which is opposite the boundary layer 4. The collectors 5 and 6 are by the distance 7 from each other separated, which is greater than the propagation distance or diffusion distance of the minority charge carriers mean service life in N-Zone2. The layer thickness 12 of the NT zone 2 between the surface to which the collectors 5 and 6 are connected, and the separating layer 4 should at most be equal to the propagation distance.

Der spezifische Widerstand der N-Zone2 soll hinreichend größer als der der P-Zone 3 sein, damit eine wirksame Emission der Minoritätsladungsträger von der Trennschicht 4 aus sichergestellt ist.The specific resistance of the N-Zone2 should be sufficient be larger than that of the P-zone 3, so that an effective emission of the minority charge carriers of the separating layer 4 is ensured.

Zum Beispiel ist der spezifische Widerstand der N-Zone2 gleich dem zehnfachen spezifischen Widerstand der P-Zone 3. Ein solches Widerstandsverhältnis wird in den nunmehr beschriebenen Ausführungsbeispielen angenommen, wenn nicht eine andere Angabe gemacht wird. Insbesondere kann ein spezifischer Widerstand von 5 Ohm cm für die Zone 2 und ein spezifischer Widerstand von 0,5 Ohm cm für die Zone 3 gewählt werden.For example, the specific resistance of the N zone2 is equal to ten times the specific resistance of the P zone 3. Such a resistance ratio is assumed in the exemplary embodiments now described, unless otherwise specified is made. In particular, a specific resistance of 5 ohm cm for zone 2 and a specific resistance of 0.5 ohm cm for zone 3 can be selected.

Es sei schon jetzt hervorgehoben, daß die Reihenfolge der Typen der Halbleiterkörper vertauscht werden kann, d. h., die Zone 2 kann auch ein Halbleiter vom P-Typ und die Zone 3 ein Halbleiter von N-Typ sein. Bei einer solchen Vertauschung sind dieselben Beschränkungen in den Abmessungen und in den Widerstandsverhältnissen — wie oben beschrieben ist — zu berücksichtigen, d. h., die Ausbreitungsstrecke der Minoritätsladungsträger in der Zone 2 bestimmt immer die Beschränkungen hinsichtlich der Abmessungen, und die Zone 2 weist stets einen größeren spezifischen Widerstand als die Zone 3 auf.It should already be emphasized that the order of the types of semiconductor bodies is reversed can, d. That is, zone 2 can also be a P-type semiconductor and zone 3 can also be an N-type semiconductor be. With such an interchange, the same restrictions are imposed on the dimensions and in the Resistance ratios - as described above - must be taken into account, d. That is, the distance of propagation of the minority charge carriers in zone 2 is determined always the dimensional restrictions, and zone 2 always has one greater specific resistance than zone 3.

Die Kollektoren 5 und 6 können als elektrische Punktkontakte ausgebildet sein, oder sie können irgendeinen anderen Kollektoraufbau mit einer Stromverstärkung größer als 1 und bei einem N-Typ-Material vorzugsweise größer als 1 + 6 aufweisen, wobei 6 die Beweglichkeit des Elektronen- und des Löcherstromes in der Zone 2 bedeutet. Bei einem P-Typ-Material ist die Stromverstärkung vorzugsweise größer als 1 + Ub. The collectors 5 and 6 can be designed as electrical point contacts, or they can have any other collector structure with a current gain greater than 1 and, in the case of an N-type material, preferably greater than 1 + 6, where 6 is the mobility of the electron and hole currents in zone 2 means. For a P-type material, the current gain is preferably greater than 1 + Ub.

Ein ohmscher elektrischer Anschluß 8 befindet sich an der oberen Fläche der N-Zone 2 zwischen den Kollektoren 5 und 6; weitere ohmsche Anschlüsse 9 und 10 sind an derselben oberen Fläche der N-Zone 2, aber an gegenüberliegenden Enden vorgesehen. Ein plattenförmiger, ohmscher Anschluß 11 erstreckt sich fast über die ganze untere Fläche der P-Zone 3. Der spezifische Widerstand der Zone 3 ist klein genug, und diese Zone ist dünn genug, so daß mittels des Anschlusses 11 die P-Zone als eine Äquipotentialzone arbeitet.An ohmic electrical connection 8 is located on the upper surface of the N-zone 2 between the collectors 5 and 6; further ohmic terminals 9 and 10 are provided on the same upper surface of the N-zone 2 but at opposite ends. A plate-shaped, ohmic terminal 11 extends almost over the entire lower surface of the P-zone 3. The resistivity of the zone 3 is small enough and this zone is thin enough that the P-zone can be used as an equipotential zone by means of the terminal 11 is working.

In der Fig. 2 ist eine Schaltung mit zwei stabilen Zuständen dargestellt, die mit einem Transistor nach Fig. 1 als Trigger arbeitet. Diejenigen Schaltelemente in Fig. 2, welche denen in Fig. 1 entsprechen, sind mit denselben Bezugszeichen versehen und werden nunmehr nicht weiter beschrieben.In Fig. 2, a circuit is shown with two stable states that with a transistor Fig. 1 works as a trigger. Those switching elements in FIG. 2 which correspond to those in FIG. 1 are marked with are provided with the same reference numerals and will not be described further.

Der ohmsche Anschluß 9 ist geerdet. Der Anschluß 10 ist mit der Eingangsklemme 13 verbunden; die andere Eingangsklemme 14 ist ebenfalls geerdet. Der ohmsche Anschluß 8 ist über die Leitung 15 und den Widerstand 26 mit dem ohmschen Anschluß 11 verbunden. Der Kollektor 5 ist über die Leitung 16, den Belastungswiderstand 17 und die Speisebatterie 18 geerdet. Die iVusgangsklemmen 19 und 20 sind an den Kollektor 5 bzw. an Erde angeschlossen.The ohmic connection 9 is grounded. The connection 10 is connected to the input terminal 13; the other Input terminal 14 is also grounded. The ohmic connection 8 is via the line 15 and the Resistor 26 connected to ohmic terminal 11. The collector 5 is on the line 16, the Load resistor 17 and the feed battery 18 grounded. The output terminals 19 and 20 are connected to the Collector 5 or connected to earth.

Der Kollektor 6 ist über die Leitung 21, den Belastungswiderstand 22 und die Speisebatterie 23 geerdet. Die Ausgangsklemmen 24 und 25 sind an den Kollektor 6 bzw. an Erde angeschlossen.The collector 6 is grounded via the line 21, the load resistor 22 and the feed battery 23. The output terminals 24 and 25 are connected to the collector 6 and to earth, respectively.

Es sei zunächst der Spannungsabfall über die N-Zone 2 und die Vorspannung betrachtet, die durch diesen Spannungsabfall an verschiedenen Teilen der Trennschicht 4 entsteht. Die Spannungen der Kollektoren 5 und 6 können vernachlässigt werden, sofern sie diesen Spannungsabfall nicht beeinflussen können, da die Spannungsabfälle, die durch die Spannung der Batterien 18 und 23 erzeugt werden, meistenteils an den gegenvorgespannten Kollektoren konzentriert sind; sie üben eine ziemlich geringe Wirkung auf den Spannungsabfall innerhalb der Zone 2 aus, solange andere Spannungen zum Steuern des Spannungsabfalles vorhanden sind.Let us first consider the voltage drop across N-Zone 2 and the bias voltage caused by this voltage drop occurs at different parts of the separating layer 4. The voltages of the collectors 5 and 6 can be neglected as long as they cannot influence this voltage drop, since the voltage drops generated by the voltage of the batteries 18 and 23 are mostly due to the biased collectors are concentrated; they have fairly little effect on voltage drop off within zone 2 as long as other voltages are available to control the voltage drop are.

Der Anschluß 9 ist geerdet, während der Anschluß 10 mit der Eingangsklemme 13 verbunden ist, an die ein positives Zeichen 27 a oder ein negatives Zeichen 27 b angelegt ist.The terminal 9 is grounded, while the terminal 10 is connected to the input terminal 13, to which a positive sign 27 a or a negative sign 27 b is applied.

Es sei nun angenommen, daß ein positives Zeichen an der Eingangsklemme 13 liegt. Ein gleichmäßiger Spannungsabfall tritt dann über die N-Zone 2 auf, deren rechtes Ende positiv ist. Der mittlere Teil der N-Zone, der eine mittlere Spannung aufweist, ist über die Leitung 15 mit der P-Zone 3 verbunden, so daß die ganze P-Zone fast dieses mittlere Potential aufweist. Die rechte Hälfte der Trennschicht 4 ist dann gegenvorgespannt, da die P-Zone 3 ein geringeres positives Potential aufweist als das Potential über die Trennschicht 4 beträgt. Andererseits ist die linke Hälfte der Trennschicht positiv vorgespannt, da die N-Zone 2 über dieser Schicht ein geringeres positives Potential als die P-Zone 3 unter ihr aufweist. Die linke Hälfte der Trennschicht kann daher als ein Sender von Löcherstrom in die N-Zone 2 dienen. Dieser Löcherstrom wird am Kollektor 5 gesammelt, und ein großer Ausgangsstrom wird erzeugt, der an den Ausgangsklemmen 19 und 20 als Zeichen auftritt.It is now assumed that the input terminal 13 has a positive sign. A steady one The voltage drop then occurs across N-Zone 2, the right end of which is positive. The middle part of the N-zone, which has a medium voltage, is connected to the P-zone 3 via the line 15, so that the entire P-zone has almost this mean potential. The right half of the separating layer 4 is then counter-biased, since the P-zone 3 has a lower positive potential than the potential across the Separation layer 4 is. On the other hand, the left half of the separating layer is positively biased because the N zone 2 above this layer has a lower positive potential than P zone 3 below it. the The left half of the separating layer can therefore serve as a transmitter of hole current into the N-zone 2. This Hole current is collected at the collector 5, and a large output current is generated which is present at the output terminals 19 and 20 appear as characters.

Wenn der Strom über den Kollektor 5 einsetzt, kann der Spannungsabfall, der durch den Strom in der N-Zone 2 entsteht, die Vorspannung am linken Teil der Trennschicht 4 ansteigen lassen, wodurch der Löcherstrom anwächst. Der Widerstand 26 begrenzt den Löcherstrom wirksam und verhindert so das Aufschaukeln über einen bestimmten Wert; die Schaltgeschwindigkeit wird verbessert.When the current through the collector 5 starts, the voltage drop caused by the current in the N zone 2 arises, the bias on the left part of the separating layer 4 can increase, whereby the Hole current increases. The resistor 26 effectively limits the hole current and thus prevents it from rocking above a certain value; the switching speed is improved.

Wenn aus irgendeinem Grunde dieses Aufschaukeln in einem besonderen Fall nicht begrenzt werden soll, kann der Widerstand 26 fortgelassen werden.If for some reason this build-up is not to be limited in a particular case, the resistor 26 can be omitted.

Nachdem das positive Eingangszeichen 27 a abgeschaltet worden ist, Hegen die beiden Klemmen 9 und 10 an Erdpotential, und die Spannungsdifferenz an der Trennschicht 4 wird sehr gering. Wenn die Trennschicht 4 weiterhin Löcherstrom aussendet, ruft diese Emission einen Spannungsabfall am Widerstand 26 hervor, so daß die Zone 3 augenblicklich negativ gegenüber der Zone 2 wird; die Trennschicht 4 wird gegenvorgespannt und die Emission hört auf; der Transistor schaltet in den Aus-Zustand um.After the positive input character 27 a has been switched off, the two terminals 9 and Hegen 10 at ground potential, and the voltage difference across the separating layer 4 becomes very small. When the separation layer 4 continues to emit hole current, this emission causes a voltage drop across resistor 26 so that zone 3 is instantaneously negative with respect to zone 2; the separating layer 4 is counter-biased and the emission ceases; the transistor switches to the off state.

Es sei jetzt angenommen, daß ein negatives Zeichen 27 b an die Eingangsklemmen 13 und 14 gelegt wird.It is now assumed that a negative sign 27 b is applied to input terminals 13 and 14.

Die Arbeitsweise entspricht der, die soeben beschrieben worden ist, jedoch ist jetzt die rechte Hälfte der Trennschicht 4 vorgespannt, und die linke Hälfte ist gegenvorgespannt, so daß im wesentlichen ein Ausgangsstrom über den Kollektor 6 fließt und ein Ausgangszeichen an den Klemmen 24 und 25 auftritt. Die Schaltung nach Fig. 2 dient als Auswahlschaltung zwischen positiven und negativen Zeichen am Eingang. Wenn die Zeichen ihre Polarität ändern, ohne daß hierbei das Potential in der Zwischenzeit den Wert 0 annimmt, arbeitet die Schaltung als Sperrschaltung mit komplementären Ausgangsspannungen.The mode of operation corresponds to that which has just been described, but now the right half is the Separation layer 4 is biased and the left half is counter biased so that essentially an output current flows through the collector 6 and an output signal occurs at the terminals 24 and 25. the The circuit according to FIG. 2 serves as a selection circuit between positive and negative characters at the input. If the characters change their polarity without the potential having the value 0 in the meantime assumes, the circuit works as a blocking circuit with complementary output voltages.

Die Schaltung nach Fig. 3 stellt eine abgeänderte Schaltung der Fig. 2 dar, wobei einige unterschiedliche Eingangskreise vorgesehen sind. Die Schaltung kann entweder als Trigger oder als Sperrschaltung arbeiten. Die Schaltelemente in Fig. 3, welche denen in Fig. 2 entsprechen, sind mit denselben Bezugsziffern versehen und werden im folgenden im einzelnen nicht näher beschrieben.The circuit of FIG. 3 represents a modified circuit of FIG. 2, with some being different Input circles are provided. The circuit can work either as a trigger or as a blocking circuit. The switching elements in FIG. 3, which correspond to those in FIG correspond, are provided with the same reference numerals and are not detailed below described.

In Fig. 3 ist der ohmsche Anschluß 9 über die Sekundärwicklung 28 des Eingangstransformators 29 geerdet. Die Primärwicklung 30 des Eingangstransformators 29 führt zu den Eingangsklemmen 31 und 32, von denen eine geerdet ist.In FIG. 3, the ohmic connection 9 is via the secondary winding 28 of the input transformer 29 grounded. The primary winding 30 of the input transformer 29 leads to the input terminals 31 and 32, one of which is grounded.

Der ohmsche Anschluß 10 ist in gleicher Weise mit der Sekundärwicklung 32 des Eingangstransformators 34, der die Primärwicklung 35 aufweist, verbunden. Die eine Klemme jeder Wicklung 33 bzw. 35 ist geerdet. Die Primärwicklung 35 ist an die Eingangsklemmen 36 und 37 angeschlossen. The ohmic connection 10 is in the same way with the secondary winding 32 of the input transformer 34, which has the primary winding 35, connected. One terminal of each winding 33 or 35 is grounded. The primary winding 35 is connected to the input terminals 36 and 37.

In Fig. 3 können Eingangszeichen beider Polaritäten an jedes der beiden Eingangsklemmenpaare gelegt werden. Ein Ausgangsimpuls an den linken Ausgangsklemmen 19 und 20 kann durch einen positiven Eingangsimpuls an den Klemmen 36 und 37 oder durch einen negativen Eingangsimpuls an den Klemmen 31 und 32 entstehen. Der Ausgangsimpuls an den Klemmen 19 und 20 kann unterdrückt werden, und ein Ausgangsimpuls an den Klemmen 24 und 25 kann durch einen negativen Eingangsimpuls an den Klemmen 36 und 37 oder durch einen positiven Eingangsimpuls an den Klemmen 31 und 32 einsetzen.In Fig. 3, input characters of both polarities can be applied to each of the two pairs of input terminals will. An output pulse at the left output terminals 19 and 20 can be achieved by a positive input pulse at terminals 36 and 37 or by a negative input pulse occurs at terminals 31 and 32. The output pulse at the terminals 19 and 20 can be suppressed and an output pulse at terminals 24 and 25 can pass through a negative input pulse at terminals 36 and 37 or by a positive input pulse insert terminals 31 and 32.

Wenn die Schaltung durch Eingangs impulse abwechselnd mit entgegengesetzten Polaritäten an einem einzelnen Eingangsklemmenpaar gesteuert wird, arbeitet sie als Träger. Wenn sie jedoch durch Zeichen derselben Polarität betrieben wird, die abwechselnd an die beiden Eingangsklemmenpaare gelegt werden, arbeitet sie als Sperrschaltung.When the circuit through input pulses alternately with opposite polarities at one is controlled by a single pair of input terminals, it works as a carrier. However, if they are through signs the same polarity is operated, which are applied alternately to the two pairs of input terminals, it works as a blocking circuit.

Die Schaltung nach Fig. 4 stellt eine Schaltung mit zwei stabilen Zuständen dar, die im allgemeinen der Schaltung nach Fig. 3 gleicht, außer daß der Transistor 1 durch einen Transistor 38 ersetzt worden ist, der sich von dem Transistor 1 dadurch unterscheidet, daß der ohmsche Anschluß 8 durch einen Punktkontaktemitter ersetzt worden ist, der sich mitten zwischen den Kollektoren 5 und 6 befindet. Bei dieser abgeänderten Ausführungsform liegt die P-Zone 3 des Transistors an keinem festen Potential, d. h., sie weist keinen äußeren elektrischen Anschluß außer dem plattenförmigen, ohmschen Kontakt 11 auf. Die anderen Teile des Transistors und die anderen Schaltelemente der Schaltung entsprechen vollkommen denen in den vorhergehenden Figuren und sind mit denselben Bezugsziffern versehen.The circuit of FIG. 4 illustrates a two stable state circuit, generally similar to that of FIG The circuit of Fig. 3 is the same, except that the transistor 1 has been replaced by a transistor 38, which differs from the transistor 1 in that the ohmic connection 8 has a point contact emitter has been replaced, which is located in the middle between the collectors 5 and 6. In this modified one Embodiment, the P-zone 3 of the transistor is not at a fixed potential, i. i.e., she knows no external electrical connection except for the plate-shaped, ohmic contact 11. The others Parts of the transistor and the other switching elements of the circuit correspond exactly to those in the previous figures and are provided with the same reference numerals.

Die Arbeitsweise der Schaltung nach Fig. 4 entspricht der der Schaltung nach Fig. 3. Löcherstrom fließt von dem Emitter 39 und wird in der P-Zone 3 gesammelt und von dieser Zone wieder ausgesendet, um zu den Kollektoren 5 bzw. 6 zu gelangen, je nachdem, welcher der beiden Kollektoren durch die Spannungsverteilung, die zwischen den ohmschen Anschlüssen 9 und 10 besteht, begünstigt wird. Die gegenüber der nach Fig. 3 abgeänderte Ausführungsform nach Fig. 4 kann auch in der Schaltung nach Fig. 2 verwendet werden.The operation of the circuit according to FIG. 4 corresponds to that of the circuit according to FIG. 3. Hole current flows from the emitter 39 and is collected in the P-zone 3 and emitted again from this zone, to get to collectors 5 or 6, depending on which of the two collectors is due to the voltage distribution, which exists between the ohmic connections 9 and 10, is favored. The opposite the embodiment according to FIG. 4 modified according to FIG. 3 can also be used in the circuit according to FIG be used.

Die Schaltung nach Fig. 5 stellt einen Trigger mit dem Transistor 1 nach Fig. 1 dar. In Fig. 5 sind dieThe circuit of FIG. 5 represents a trigger with the transistor 1 of FIG. 1. In FIG

ίο Kollektoren 5 und 6 über die Belastungswiderstände 77 bzw. 78 mit dem negativen Pol der Speisebatterie 79 verbunden. Der Kollektor 6 liegt über den Kondensator 80 an dem ohmschen iUischluß 9. Der Kollektor 5 ist über den Kondensator 81 an den ohmschen An-Schluß 10 angeschlossen. Der plattenförmige ohmsche Anschluß 11 der P-Zone 3 ist über den Widerstand 82 und die Vorspannbatterie 83 geerdet. Der ohmsche Anschluß 11 ist über den Widerstand 84 mit der Eingangsklemme 85 verbunden. Die gegenüberliegende Eingangsklemme 86 ist geerdet. Die komplementären Ausgangsklemmen 87 und 88 führen zu den Kollektoren 5 bzw. 6. Eine dritte Ausgangsklemme 89 ist geerdet.ίο collectors 5 and 6 via the load resistances 77 or 78 connected to the negative pole of the supply battery 79. The collector 6 is across the capacitor 80 at the ohmic connection 9. The collector 5 is connected to the ohmic connection via the capacitor 81 10 connected. The plate-shaped ohmic connection 11 of the P-zone 3 is connected via the resistor 82 and the bias battery 83 grounded. The ohmic connection 11 is connected to the input terminal via the resistor 84 85 connected. The opposite input terminal 86 is grounded. The complementary Output terminals 87 and 88 lead to collectors 5 and 6, respectively. A third output terminal 89 is grounded.

Wie bereits bezüglich des Transistors 1 ausgeführt, weisen die Kreise der Kollektoren 5 und 6 nicht genau gleiche Scheinwiderstände auf, und ihre Lage ist hinsichtlich ihres Abstandes von dem ohmschen Anschluß 8 und von der Trennschicht 4 nicht genau die gleiche. Bei den vorher beschriebenen" Schaltungen beeinflussen die geringen Unterschiede betreffs der Kollektoren 5 und 6 die Arbeitsweise der Schaltungen nicht. Bei der jetzt zu betrachtenden Schaltung ist es wesentlich, daß solch geringe Differenzen vorhanden sind, so daß Löcherstrom von der Trennschicht 4, wenn alle anderen Zustände einander gleich sind, normal eher zu dem einen als zu dem anderen Kollektor zu fließen sucht. Solch eine Verschiedenheit der Kollektoren kann leicht absichtlich bei der Herstellung des Transistors durch mehrere verschiedene Hilfsmaßnahmen herbeigeführt werden, indem man z. B. den ohmschen Anschluß 8 näher zu dem einen Kollektor anbringt.As already stated with regard to the transistor 1, the circles of the collectors 5 and 6 do not point exactly same apparent resistances, and their position is with regard to their distance from the ohmic connection 8 and from the separating layer 4 are not exactly the same. Affect the "circuits" described above the small differences in terms of collectors 5 and 6, the operation of the circuits not. In the circuit now to be considered, it is essential that such small differences exist are, so that hole current from the separation layer 4 when all other states are equal to each other, normal seeks to flow to one collector rather than the other. Such a diversity of collectors can easily be done on purpose in the manufacture of the transistor through several different auxiliary measures be brought about by z. B. the ohmic terminal 8 closer to the one collector attaches.

Wenn zu Beginn kein Eingangszeichen an den Klemmen 85 und 86 liegt, ist die P-Zone 3 positiv durch die Batterie 83 vorgespannt, so daß die Trennschicht 4 vorgespannt ist und Löcherstrom zu emittieren sucht. Wie bereits ausgeführt worden ist, ist der eine von den beiden Kollektoren 5 und 6 bevorzugt; der Löcherstrom sucht zu diesem Kollektor zu fließen, wodurch ein Strom über dessen zugehörigen Widerstand fließt. Es sei nun zunächst angenommen, daß der Kollektor 5 bevorzugt ist und der Strom über den Widerstand 77 zur Batterie 79 fließt. Außer dem Löcherstrom von der Trennschicht 4 fließt noch außerdem im wesentlichen ein Elektronenstrom vom Kollektor 5 zur geerdeten Basis 8. Dieser Elektronenstrom erzeugt einen Spannungsabfall in der N-Zone 2, der noch weitere Löcherstromteile durch den Kollektor 5 anziehen läßt. Die Wirkung schaukelt sich auf, so daß der Kreis mit dem Kollektor 5 in den Ein-Zustand und der Kreis mit dem Kollektor 6 in den Aus-Zustand geschaltet wird.If there is no input character at terminals 85 and 86 at the beginning, P-Zone 3 is positive biased by the battery 83 so that the separator 4 is biased and emit hole current seeks. As has already been stated, one of the two collectors 5 and 6 is preferred; the hole current seeks to flow to this collector, creating a current through its associated resistor flows. It is now initially assumed that the collector 5 is preferred and the current through the Resistor 77 to battery 79 flows. In addition to the hole current from the separating layer 4, there is also flow essentially a stream of electrons from the collector 5 to the grounded base 8. This stream of electrons generates a voltage drop in the N-zone 2, which also causes further hole flow parts through the collector 5 attracts. The effect swings up, so that the circle with the collector 5 is in the on-state and the circuit with the collector 6 is switched to the off state.

An der Eingangsklemme 85 liegt eine Spannung, deren Wert sich zwischen der Spannung OVoIt bei keinem angelegten Zeichen und der Spannung des angelegten negativen Zeichens ändert, die groß genug ist, um die positive Vorspannung der Batterie 83 zu überwinden. Wenn das nächste Eingangszeichen empfangen wird, überwindet es die Vorspannung von der Batterie 85 und spannt die Trennschicht 4 entgegen-At the input terminal 85 there is a voltage whose value is between the voltage OVoIt no applied sign and the voltage of the applied negative sign changes that is large enough is to overcome the positive bias of the battery 83. When the next input character is received is, it overcomes the bias voltage from the battery 85 and tensions the separating layer 4 against

gesetzt vor, wodurch der Transistor in den Aus-Zustand geschaltet wird. Hierdurch hört der Strom über den Kollektor 5 auf zu fließen. Durch dieses Aufhören des Stromes über den Kollektor 5 wird ein negatives Zeichen über den Kondensator 81 zu dem ohmschen Anschluß 10 gegeben. Die Zeitkonstante der Überkreuz-Rückkopplungsverbindung, die den Kondensator 81 enthält, muß größer als die Dauer des Eingangsimpulses sein, so daß nach dem Aufhören des negativen Zeichens an der Eingangsklemme 85 das negative Zeichen an der Klemme 10 noch weiter besteht. Wenn infolgedessen die Spannung der Eingangsklemme 85 wieder den Wert 0 annimmt und der positive Pol der Batterie 83 die Trennschicht 4 wieder wirksam vorspannt, weisen der Bereich in der Nähe des Kollektors 6 und der ohmsche Anschluß 10 eine negativere Spannung als der Bereich in der Nähe des Kollektors 5 und des ohmschen Anschlusses 9 auf, so daß der Kollektor 6 die übliche Bevorzugung des Kollektors 5 überwindet und einen größeren Löcherstrom von der Trennschicht 4 anzieht. Wenn der Kreis mit dem Kollektor 6 beginnt leitend zu werden, schaukelt sich diese Wirkung auf, indem durch den Elektronenstrom vom Kollektor 6 zum ohmschen Anschluß 8 ein Spannungsabfall in der Zone 2 entsteht, durch den ein noch größerer Teil des Löcher stromes von der Zone 3 zum Kollektor 6 fließt. Der Kreis mit dem Kollektor 6 dem Widerstand 78 und der Ausgangsklemme 88 ist daher eingeschaltet, wenn das Eingangszeichen aufhört. Dieser Kreis bleibt eingeschaltet, bis das nächste Eingangszeichen empfangen wird, worauf er in den Aus-Zustand umgeschaltet wird. Beim Umschalten in den Aus-Zustand wird ein negativer Überkreuz-Rückkopplungsimpuls über den Kondensator 80 auf den ohmschen Anschluß gegeben. Wie vorher bleibt dieser Impuls aufrechterhalten, bis das folgende Zeichen einsetzt, wodurch dann der Löcherstrom stärker zum bevorzugten Kollektor 5 als zum Kollektor 6 fließt.set before, whereby the transistor is switched to the off state. This causes the current to stop the collector 5 to flow. This cessation of the current through the collector 5 becomes a negative one Character given via the capacitor 81 to the ohmic terminal 10. The time constant of the cross-feedback connection, which contains the capacitor 81 must be greater than the duration of the input pulse, so that after the cessation of the negative Sign at input terminal 85, the negative sign at terminal 10 still exists. if as a result, the voltage of the input terminal 85 assumes the value 0 again and the positive pole of the Battery 83 effectively biases the separating layer 4 again, have the area near the collector 6 and the ohmic terminal 10 have a more negative voltage than the area in the vicinity of the collector 5 and the ohmic connection 9, so that the collector 6 has the usual preference of the collector 5 overcomes and attracts a larger stream of holes from the separating layer 4. When the circle with the Collector 6 begins to become conductive, this effect builds up by the flow of electrons from the collector 6 to the ohmic terminal 8 a voltage drop in zone 2, through which an even larger part of the holes flow from zone 3 to the Collector 6 flows. The circuit with the collector 6, the resistor 78 and the output terminal 88 is therefore switched on when the input character stops. This circle stays on until the next input character is received, whereupon it is switched to the off state. When switching to the A negative cross-feedback pulse via capacitor 80 is switched to the ohmic off state Connection given. As before, this impulse is sustained until the following sign sets in, whereby the hole current then flows more strongly to the preferred collector 5 than to the collector 6.

Nach Vorstehendem arbeitet die Schaltung nach Fig. 5 als Trigger mit komplementären Ausgangsspannungen; sie wird zwischen ihren zwei stabilen Zuständen durch aufeinanderfolgende Eingangszeichen derselben Polarität hin- und hergeschaltet.In the foregoing, the circuit of Figure 5 operates as a trigger with complementary output voltages; it becomes between its two stable states by successive input characters of the same Polarity switched back and forth.

Die Fig. 5 A zeigt eine abgeänderte Ausführungsform des Transistoraufbaues, die anstatt des Transistors 1 mit der Schaltung nach Fig. 5 benutzt werden kann.Fig. 5A shows a modified embodiment of the transistor structure, which instead of the transistor 1 can be used with the circuit of FIG.

Der Transistor 87 der Fig. 5 A besteht ursprünglich aus einem Block 88 mit NPN-Schichtmaterial, dessen Umrisse gestrichelt angedeutet sind. Die obere Fläche des Transistors ist dann derart ausgespart, daß drei Aussparungen 89, 90 und 91 entstehen, die sich durch die oberen N- und P-Zonen bis zur N-Hauptzone 92 erstrecken. Die untere Seite der N-Zone 92 ist schräg abgeschnitten; in sie ist eine P-Zone 93 eingelassen. Wegen der Abschrägung liegt die P-Zone 93 nicht symmetrisch zu den beiden gegenüberliegenden P-Zonen 94 und 95. Jede der P-Zonen 94 und 95 mit ihrer zugehörigen N-Zone 96 bzw. 97 bildet einen vorspringenden P-N-Kollektor einer an sich bekannten Kollektorart mit hohem Stromverstärkungsfaktor, Durch die mangelnde Sj'mmetrie zwischen der P-Zone 93 und den beiden vorspringenden P-N-Kollektoren entsteht die Bevorzugung des einen Kollektors, die für die Arbeitsweise der Schaltung nach Fig. 5 wesentlich ist. Der plattenförmige ohmsche Kontakt 98 erstreckt sich über die Fläche der P-Zone 93 und übt die Funktion des ohmschen Anschlusses 11 nach Fig. 5 aus.The transistor 87 of Fig. 5A originally consists of a block 88 with NPN layer material, the Outlines are indicated by dashed lines. The top surface of the transistor is then recessed so that three Recesses 89, 90 and 91 arise, which extend through the upper N and P zones to the main N zone 92 extend. The lower side of the N-zone 92 is cut off at an angle; A P zone 93 is let into it. Because of the bevel, the P-zone 93 is not symmetrical to the two opposite ones P-zones 94 and 95. Each of the P-zones 94 and 95 with its associated N-zone 96 and 97, respectively, forms a protruding one P-N collector of a known type of collector with a high current gain factor, Due to the lack of symmetry between the P zone 93 and the two projecting P-N collectors the preference for one collector arises, which is essential for the operation of the circuit according to FIG is. The plate-shaped ohmic contact 98 extends over the surface of the P-zone 93 and performs the function of the ohmic connection 11 according to FIG. 5.

Die Schaltung nach Fig. 6 ist eine nicht umerregbare Schaltung, die von der bistabilen Sperrschaltung nach Fig. 3 ausgeht. Diese Schaltung weist mehrere Eingänge auf und erzeugt nur bei einer bestimmten Kombination von Eingangszeichen ein Ausgangszeichen. Die Schaltung nach Fig. 6 gleicht der nach Fig. 3, außer daß die Belastungswiderstände 17 und 22 der Fig. 3 durch die Belastungswiderstände 40 bzw. 41 ersetzt sind. Die relativen Werte dieser Belastungswiderstände sind derart gewählt, daß der Kollektor 5 oder 6, welcher von ihnen den größeren VerstärkungsfaktorThe circuit according to FIG. 6 is a non-deenergizable circuit which is derived from the bistable blocking circuit according to 3 starts out. This circuit has several inputs and only generates with a certain combination of input characters an output character. The circuit of Fig. 6 is similar to that of Fig. 3, except that the load resistors 17 and 22 of Fig. 3 are replaced by the load resistors 40 and 41, respectively are. The relative values of these load resistances are chosen so that the collector 5 or 6, which of them has the greater gain factor

ίο aufweist, gewöhnlich im Sättigungsgebiet arbeitet. Der normale Zustand der Ausgangsschaltung mit den Klemmen 19 und 20 ist der Aus-Zustand oder der Zustand, bei dem kein Zeichen erzeugt wird.ίο, usually works in the saturation area. Of the normal state of the output circuit with terminals 19 and 20 is the off state or the state in which no character is generated.

Die Eingangszeichen an den Klemmen 30 und 31 sind in die Tabelle der Fig. 7 als Bezugszeichen a, die Eingangszeichen an den Klemmen 36 und 37 als Bezugszeichen b, die Ausgangszeichen an den Klemmen 19 und 20 als Bezugszeichen c und die Ausganszeichen an den Klemmen 24 und 25 als Bezugszeichen d eingetragen. The input symbols at terminals 30 and 31 are in the table in FIG. 7 as reference symbols a, the input symbols at terminals 36 and 37 as reference symbols b, the output symbols at terminals 19 and 20 as reference symbols c and the output symbols at terminals 24 and 25 entered as reference symbol d .

Die Tabelle der Fig. 7 zeigt die verschiedenen Kombinationen der Eingangszeichen α und b und die sich ergebenden Kombinationen der Ausgangszeichen c und d. Man sieht somit, daß es nur zwei Kombinationen von Zeichen an den Eingangsklemmen cc- und b gibt, durch die die Ausgangszeichen von ihrem normalen Zustand mit dem Zeichen c und mit dem Zeichen d im Aus-Zustand umgeschaltet werden können. Diese besonderen Kombinationen von Eingangszeichen treten mit dem Zeichen α bei dessen binären 1-Wert (positive) und mit dem Zeichen b bei dessen binären O-Wert und umgekehrt auf.The table in FIG. 7 shows the various combinations of the input characters α and b and the resulting combinations of the output characters c and d. It can thus be seen that there are only two combinations of characters at the input terminals cc- and b , by means of which the output characters can be switched from their normal state with the character c and with the character d in the off state. These special combinations of input characters occur with the character α for its binary 1 value (positive) and with the character b for its binary 0 value and vice versa.

Einem binären 1-Eingangszeichen kann z. B. eine Spannung von 5 Volt, und einem binären 0-Eingangszeichen kann eine Eingangsspannung von OVoIt entsprechen. Wenn die Eingangszeichen den in der zweiten Zeile der Tabelle dargestellten Werten entsprechen, liegt der Anschluß 9 fast bei + 5 Volt, und der Anschluß 10 weist Erdpotential auf. Die linke Hälfte der Trennschicht 4 ist dann gegenvorgespannt, und der Kreis des Kollektors 5 ist ausgeschaltet. Wenn diese beiden Zeichenspannungen von diesem Wert zu dem entgegengesetzten Wert geändert werden, wie es in der Zeile 3 der Fig. 7 angegeben ist, dann bleibt der Kreis des Kollektors 5 im Ein-Zustand. Solange beide Eingangszeichen irgendeinen dieser beiden Werte, aber den gleichen Wert aufweisen, dann wirken sie gegeneinander und ändern nicht den üblichen Zustand der Ausgangszeichen.A binary 1 input character can e.g. B. a voltage of 5 volts, and a binary 0 input sign can correspond to an input voltage of OVoIt. If the input characters correspond to the values shown in the second line of the table, the terminal 9 is almost + 5 volts, and the terminal 10 is at ground potential. The left half of the The separating layer 4 is then counter-biased and the circuit of the collector 5 is switched off. If those both character voltages can be changed from this value to the opposite value, as shown in the line 3 of FIG. 7 is indicated, then the circle of the collector 5 remains in the on-state. As long as both Input characters have either of these two values but have the same value, then they take effect against each other and do not change the usual state of the output characters.

Man sieht also, daß die Schaltung nach Fig. 6 als nicht umerregbare Schaltung arbeitet, da nur eine der möglichen Kombinationen von Eingangsspannungen wirksam ist, um einen bestimmten Kollektorkreis von seinem normalen Ausgangszustand in seinen anderen Ausgangszustand umzuschalten. Diese Schaltung sucht diese eine besondere Kombination von Eingangszeichen von allen anderen möglichen Kombinationen aus.It can therefore be seen that the circuit of FIG. 6 operates as a non-deenergizable circuit, since only one of the possible combinations of input voltages is effective to a specific collector circuit of to switch from its normal initial state to its other initial state. This circuit is looking for this a particular combination of input characters from all other possible combinations the end.

Die Fig. 8 zeigt eine nicht umerregbare Schaltung, in der der gleiche Transistor 1 wie in der Schaltung nach Fig. 3 verwendet wird, der aber in einer etwas verschiedenen Art und Weise arbeitet. Die Eingangszeichen werden über einen Widerstand mit dem Transistor in der Schaltung nach Fig. 8 gekoppelt, anstatt daß sie unmittelbar wie in der Schaltung nach Fig. 6 eingeführt werden. Ferner ist die Trennschicht 4 dauernd vorgespannt. Die Schaltelemente der Fig. 8, die die gleichen wie die in den vorhergehenden Figuren sind, sind mit denselben Bezugsziffern versehen und werden nunmehr nicht mehr beschrieben. Es wird be-Fig. 8 shows a non-deenergizable circuit in which the same transistor 1 as in the circuit of Fig. 3 is used, but which operates in a slightly different manner. The input characters are coupled through a resistor to the transistor in the circuit of FIG. 8, rather than that they are introduced immediately as in the circuit of FIG. Furthermore, the separating layer 4 is permanent biased. The switching elements of Fig. 8 are the same as those in the previous figures are given the same reference numerals and are no longer described. It will be

9 109 10

merkt, daß die Belastungswiderstände 17 und 22 ein- das Eingangszeichen der Kreis des Kollektors 5 in den ander gleich sind und eher denen der Fig. 4 als den Aus-Zustand geschaltet werden, so daß beide Kollek-Widerständen 40 und 41 der Fig. 6 entsprechen, die torenkreise gleichzeitig im Aus-Zustand sind, ungleich sein können. Die Anordnung nach Fig. 9 oder die Anordnungnotices that the load resistors 17 and 22 are the input character of the circle of the collector 5 in the others are the same and are more likely to be switched to those of FIG. 4 than the off state, so that both collector resistors 40 and 41 of Fig. 6 correspond, the gate circles are simultaneously in the off state, can be unequal. The arrangement of Fig. 9 or the arrangement

Der ohmsche Anschluß 9 ist über den Widerstand 5 nach Fig. 10 kann als nichtumerregbare Schaltung be-101 mit der Eingangsklemme 102 verbunden; die an- nutzt werden. Die Anordnung nach Fig. 9 sollvorzugsdere Eingangsklemme 103 ist geerdet. Der Anschluß 9 weise benutzt werden, da sie komplementäre Ausgangsliegt ferner über den Widerstand 104 an Erde. Der spannungen liefert, von denen jede eine besondere ohmsche Anschluß 10 ist über den Widerstand 105 an Kombination von allen anderen möglichen Kombinadie Eingangsklemme 106 angeschlossen. Die andere io tionen von Eingangszeichen unterscheidet* Wenn die Klemme 107 dieses Eingangsklemmenpaares ist ge- Anordnung nach Fig. 10 verwendet wird, dann liefert erdet. Der Anschluß 10 ist ferner über den Widerstand nur das Ausgangszeichen an den Klemmen 24 und 25 108 an Erde gelegt. Der ohmsche Anschluß 11 ist über eine nicht umerregbare Ausgangsspannung, den Widerstand 109 und die Vorspannbatterie 110 mit Die Fig. 11 zeigt eine abgeänderte AusführungsformThe ohmic connection 9 is via the resistor 5 according to FIG. 10 can be used as a non-excitable circuit connected to input terminal 102; which are used. The arrangement of Figure 9 is intended to be preferred Input terminal 103 is grounded. The terminal 9 can be used wisely as it is complementary output furthermore via resistor 104 to earth. The tension delivers, each of which is a special one Ohmic connection 10 is via the resistor 105 to a combination of all other possible combinations Input terminal 106 connected. The other io tion of input characters distinguishes * If the Terminal 107 of this input terminal pair is used. The arrangement according to FIG. 10 is used, then supplies grounds. Terminal 10 is also only the output symbol at terminals 24 and 25 via the resistor 108 laid to earth. The ohmic connection 11 is via a non-de-energizing output voltage, the resistor 109 and the bias battery 110 with FIG. 11 shows a modified embodiment

Erde verbunden. Der ohmsche Anschluß 8 ist unmittel- 15 des Transistors. Der Transistor 42 enthält eine bar geerdet. N-Zone 43 und eine P-Zone 44, die durch die Grenz-Connected to earth. The ohmic connection 8 is directly 15 of the transistor. The transistor 42 includes one bar grounded. N zone 43 and a P zone 44, which is defined by the border

Wie in dem Fall der Schaltung nach Fig. 6 sei an- schicht 45 voneinander getrennt sind. Die Stärke der genommen, daß ein binäres 1-Eingangszeichen einer N-Zone 43 soll höchstens gleich der Ausbreitungs-Eingangsspannung von + 5 Volt und ein binäres strecke der Minoritätsladungsträger in dieser Zone bei O-Eingangszeichen einer Eingangsspannung von OVoIt 20 mittlerer Lebensdauer sein. Die beiden Kontakte 46 entsprechen. Wie in dem Fall der Schaltung nach und 47 sind elektrisch mit der oberen Fläche der Fig. 5 ist es wesentlich, daß der Transistor 1 derart N-Zone 43 gegenüber der Trennschicht 45 verbunden, gebaut ist, daß sein einer Kollektor gegenüber seinem Diese Kontakte müssen so beschaffen sein, daß jeder anderen bevorzugt ist. Der Transistor 87 in Fig. 5 A von ihnen, wenn er als Kollektor vorgespannt ist, eine kann daher an Stelle des Transistors 1 verwendet wer- 35 hohe Stromverstärkung liefert.As in the case of the circuit according to FIG. 6, layers 45 are separated from one another. The strength of the taken that a binary 1-input character of an N-zone 43 should be at most equal to the propagation input voltage of + 5 volts and a binary stretch of the minority charge carriers in this zone O input sign of an input voltage of OVoIt 20 medium life. The two contacts 46 correspond. As in the case of the circuit of Figs. And 47 are electrically connected to the top surface of the 5, it is essential that the transistor 1 is connected in such a way to the N-zone 43 opposite the separating layer 45, is built so that its a collector opposite its. These contacts must be such that each others are preferred. The transistor 87 in Fig. 5A of them, when biased as a collector, is one can therefore be used in place of the transistor 1, which provides a high current gain.

den. Somit leitet, da die Trennschicht 4 durch die Der Abstand zwischen diesen beiden Kontaktenthe. Thus, since the separating layer 4 conducts through the distance between these two contacts

Batterie 110 vorgespannt ist, wenn kein Eingangs- muß größer sein als die Äusbreitungsstrecke. Einer der zeichen an den beiden Eingangsklemmenpaaren 102, beiden Kontakte dient gewöhnlich als Emitter und der 103 bzw. 106, 107 liegt, der Kreis mit dem bevor- andere als Kollektor, wenn die Schaltung in Betrieb zugten Kollektor; ein Spannungsabfall in der N-Zone 2 30 ist. In der besonders dargestellten Schaltung ist der entsteht darauf, der wirksam die Anzahl der Löcher, Kontakt 46 immer der Emitter und liegt über den die den anderen Kollektor erreichen, vermindert. Widerstand 48 an Erde. Der Kontakt 46 ist fernerBattery 110 is biased when no input must be greater than the propagation distance. One of signs on the two pairs of input terminals 102, both contacts usually serve as the emitter and the 103 or 106, 107, the circuit with the other as a collector when the circuit is in operation added collector; a voltage drop in the N-Zone 2 30 is. In the particularly illustrated circuit is the arises on it, which effectively determines the number of holes, contact 46 always the emitter and lies above the reaching the other collector is reduced. Resistance 48 to earth. The contact 46 is also

Die Tabelle der Fig. 9 zeigt den Zustand des Tran- über den Kopplungskondensator 49 an die Eingangssistors 1 bei verschiedenen Kombinationen und Ein- klemme 50 angeschlossen. Die andere Eingangsklemme gangszeichen, wenn das Zeichen der Eingangsspannung 35 51 ist geerdet.The table in FIG. 9 shows the state of the tran- via the coupling capacitor 49 to the input transistor 1 with different combinations and one terminal 50 connected. The other input terminal gear sign when the sign of input voltage 35 51 is grounded.

einen kleinen Wert, z. B. 5 Volt, aufweist. Wenn kein Der Kollektor 47 ist über den Belastungswiderstanda small value, e.g. B. 5 volts. If none The collector 47 is over the load resistance

Eingangszeichen den beiden Eingangsklemmenpaaren 52 und die Speisebatterie 53 geerdet. Die Ausgangszugeführt wird (vgl. Zeile 1 der Fig. 9), wird der klemme 54 ist mit dem Kollektor 47 verbunden, und Kreis des Kollektors 5 leitend, und ein Ausgangs- die andere Ausgangsklemme 55 ist geerdet, zeichen tritt an den Klemmen 19 und 20 auf. Der 40 Ein ohmscher Basisänschluß 43 a ist ebenfalls Kreis des Kollektors 6 ist nicht leitend, und keine geerdet. Die Zone 44 besteht aus einem Material, das Ausgangsspannung erscheint an den Klemmen 24 und einen wesentlich geringeren spezifischen Widerstand 25. Wenn ein positives Zeichen jetzt (vgl. Zeile 2 nach als das Material der Zone'43 aufweist; es gleicht dies-Fig. 9) der Eingangsklemme 102 zugeführt wird, wird bezüglich der Zone 3 in Fig. 1. Ferner ist die Zone 44 hierdurch der Teil der Trennschicht 4 gegenüber dem 45 mit einem plattenförmigen ohmschen Kontakt 44 a Kollektor 5 in seiner Vorspannung umgekehrt, wo- versehen; sie ist so dünn, daß sie im wesentlichen als durch dieser Kollektorkreis nicht leitend wird, so daß Äquipotentialzone arbeitet.Input characters the two input terminal pairs 52 and the supply battery 53 grounded. The output supplied (see. Line 1 of Fig. 9), the terminal 54 is connected to the collector 47, and Circuit of collector 5 conductive, and one output terminal 55 is grounded, sign occurs at terminals 19 and 20. The 40 an ohmic base connection 43 a is also The circuit of the collector 6 is not conductive and none are grounded. The zone 44 consists of a material that Output voltage appears at terminals 24 and a significantly lower specific resistance 25. If a positive sign now (cf. line 2 after as the material of zone'43 shows; it resembles this-Fig. 9) is fed to the input terminal 102, is related to the zone 3 in FIG. 1. Furthermore, the zone 44 As a result, the part of the separating layer 4 opposite the 45 with a plate-shaped ohmic contact 44 a Collector 5 reversed in its bias, provided; it is so thin that it is essentially considered to be becomes non-conductive through this collector circuit, so that the equipotential zone works.

der von der Trennschicht 4 emittierte Löcherstrom Die Schaltung nach Fig. 11 stellt einen bistabilenthe hole current emitted by the separating layer 4. The circuit according to FIG. 11 represents a bistable

zum Kollektor 6 fließt und ein Zeichen an den Aus- Verstärker dar, der insbesondere für rechteckige gangsklemmen 24 und 25 erzeugt. 50 Eingangssignale — wie sie in Fig. 12 durch dasflows to the collector 6 and a sign to the out amplifier, in particular for rectangular output terminals 24 and 25 generated. 50 input signals - as shown in Fig. 12 by the

Die Kombination der Eingangszeichen in Zeile 3 Bezugszeichen 56 gekennzeichnet sind — verwendet der Fig. 9 stellt den normalen Zustand der Ausgangs- wird, wobei der positiven Halbwelle unmittelbar eine klemmen wieder her. Der Kreis des Kollektors 5 bleibt negative Halbwelle folgt.' Die an keiner festen Spanim Ein-Zustand; ein positives Eingangszeichen ah der nung liegende P-Zone 44 sucht eine Spannung anzu-Klemme 106 sucht, den Kreis des Kollektors 6 sogar 55 nehmen, die zwischen der des Emitters 46 und Erde stärker in dem Aus-Zustand zu halten. liegt. Die positive Halbwelle spannt die rechte HälfteThe combination of the input characters marked in line 3 reference characters 56 are used 9 represents the normal state of the output being, with the positive half-wave immediately being one jam again. The circle of the collector 5 remains negative half-wave follows. ' Those at no fixed spanim A condition; a positive input sign ah the voltage lying P-Zone 44 seeks a voltage to-Klemme 106 seeks to take the circle of the collector 6 even 55, the one between that of the emitter 46 and earth stronger in the off-state. lies. The positive half-wave spans the right half

Wenn die Eingangskreise sich in dem Zustand be- der Trennschicht 45 vor. Der Emitter 46 sendet dann finden, wie in der vierten Zeile der Fig. 9 angegeben die Minoritätsladungsträger zur linken Hälfte der ist, sind die beiden Eingangszeichen miteinander aus- Trennschicht 45 aus, von wo sie in die P-Zone gelangen geglichen, und die Zustände an den Ausgangsklemmen 60 und dann über die rechte Hälfte der Trennschicht 45 sind wieder derart, als wenn keine Eingangszeichen zum Kollektor 47 wieder ausgesendet werden. Wenn angelegt wären. die positive Halbwelle des Eingangszeichens nichtWhen the input circuits are in the state before the separation layer 45. The emitter 46 then transmits find, as indicated in the fourth line of FIG. 9, the minority charge carriers to the left half of the is, the two input characters are mutually off-separating layer 45, from where they get into the P-zone equalized, and the states at the output terminals 60 and then across the right half of the separation layer 45 are again as if no input characters to the collector 47 are sent out again. if would be created. the positive half-wave of the input character is not

Wenn ein Eingangszeichen von einer etwas größeren mehr anliegt und die Eingangsspannung negative Spannung benutzt wird, z. B. von 10 Volt, dann gilt Werte annimmt, wirkt der Emitter 46 augenblicklich die Tabelle nach Fig. 10 an Stelle der Tabelle nach 65 als Kollektor und sucht gemeinsam mit dem Kollektor Fig. 9. Die beiden Tabellen stimmen außer ihrer letzten 47 den Löcherstrom in der Nähe des Kollektors 47 Zeile überein, gemäß der den beiden Eingangsklein- unter Mitwirkung der dazwischen- und an keiner menpaaren Eingangszeichen zugeführt werden. Wenn festen Spannung liegenden P-Zone 44 zu unterdrücken, das Eingangszeichen hinreichend stark im Vergleich Durch plötzliches Beseitigen dieser Minoritätsladungszur Vorspannung der Batterie 10 ist, dann kann durch 7° träger aus der Nähe des Kollektors 47 hört das Aus-When an input character of a slightly larger one is present and the input voltage is negative Voltage is used, e.g. B. of 10 volts, then assumes values, the emitter 46 acts instantaneously the table according to FIG. 10 instead of the table after 65 as a collector and searches together with the collector Fig. 9. The two tables, apart from their last 47, correct the hole current in the vicinity of the collector 47 Line, according to the two input small with the participation of the in between and none pairs of input characters are supplied. If fixed voltage suppress lying P-Zone 44, the input character sufficiently strong in comparison by suddenly removing this minority charge Bias of the battery 10 is, then by 7 ° slower from the vicinity of the collector 47 hears the off

11 1211 12

gangszeichen schnell auf. Die Abfallzeit wird fast auf ebenfalls geerdet. Die Ausgangsklemme 54 ist mit der Null herabgesetzt. Das Ausgangszeichen 57 ist in Elektrode 121 verbunden, und die Klemme 55 ist Fig. 12 dargestellt. Diese Fig. 12 zeigt das Einsetzen geerdet. Die Schaltung nach Fig. 14 weist somit zwei und Abklingen der Eingangs- und Ausgangszeichen Ausgangsklemmenpaare 54, 55 und 60, 61 auf.
56 bzw. 57 in Abhängigkeit von der Zeit. 5 Die ohmschen Anschlüsse 62 und 63 sind an gegen-signs quickly. The fall time is almost grounded on as well. The output terminal 54 is reduced to zero. Output character 57 is connected in electrode 121 and terminal 55 is shown in FIG. This Figure 12 shows the insertion grounded. The circuit according to FIG. 14 thus has two output terminal pairs 54, 55 and 60, 61 and the input and output characters decay.
56 or 57 depending on the time. 5 The ohmic connections 62 and 63 are at opposite

Die Fig. 13 stellt eine Schwingschaltung mit einem überliegenden Seiten der N-Zone 117 angebracht. Die Transistor 42 dar, wie er in Verbindung mit der ohmschen Anschlüsse 64 und 65 befinden sich an Fig. 11 beschrieben ist. Zwischen den Elektroden 46 gegenüberliegenden Seiten der P-Zone 118. Die Ein- und 47 liegt ein Resonanzkreis mit der Induktions- gangsklemme 66 ist mit Erde und ferner mit den sich spule 122 und einem parallel dazu liegenden Konden- io schräg gegenüberliegenden ohmschen Anschlüssen 62 sator 111. Der Belastungskreis mit dem Widerstand und 65 verbunden. Die andere Eingangsklemme 67 ist 112 und der Batterie 113 ist in Serie zwischen den über den Kopplungskondensator 68 an die beiden Mittelabgriff der Spule 122 und den ohmschen An- anderen sich schräg gegenüberliegenden ohmschen Anschluß 43 α geschaltet. Die Ausgangsklemmen 114 und Schlüsse 63 und 64 angeschlossen.
115 sind mit der Mittelanzapfung bzw. dem Anschluß 15 Wenn kein Zeichen an den Eingangsklemmen 66 43 a verbunden. und 67 liegt, ist die linke Hälfte der Trennschicht 119Fig. 13 illustrates an oscillation circuit with an overlying side of the N-zone 117 attached. The transistor 42 is as it is described in connection with the ohmic connections 64 and 65 in FIG. Between the electrodes 46 opposite sides of the P-zone 118. The input and 47 is a resonant circuit with the induction input terminal 66 is connected to earth and furthermore with the coil 122 and a capacitor lying parallel to it diagonally opposite ohmic connections 62 111. The load circuit connected to the resistor and 65. The other input terminal 67 is 112 and the battery 113 is connected in series between the ohmic connection 43 α, which is connected to the two center tap of the coil 122 via the coupling capacitor 68, and the ohmic connection 43 α which is located at an angle opposite one another. The output terminals 114 and leads 63 and 64 are connected.
115 are connected to the center tap or connection 15 if no character is connected to the input terminals 66 43 a. and 67 is the left half of the release liner 119

Die Arbeitsweise der Schaltung nach Fig. 13 ist gegenvorgespannt, da das linke Ende der N-Zone 117 leicht verständlich. Wenn der Resonanzkreis in seiner geerdet ist und das linke Ende der P-Zone 118 mit Eigenschwingung schwingt, dienen die Elektroden 46 dem rechten Ende der N-Zone 117 verbunden ist, die bzw. 47 abwechselnd als Emitter und als Kollektor. 20 durch die Speisebatterie 53 negativ vorgespannt ist. Die P-Zone 44 nimmt keine feste Spannung an, die Aus den gleichen Gründen ist die rechte Hälfte der Spannungswerte schwanken zwischen den positiven Trennschicht 119 vorgespannt und dient als Emitter und negativen maximalen Spannungswerten der KoI- der Minoritätsladungsträger für die Elektrode 121, lektoren 46 und 47. Während einer Halbzeit ist die welche als Kollektor arbeitet, so daß ein hoher Strom eine Hälfte der Trennschicht positiv vorgespannt, und 25 über den Kollektor 121 fließt und fast kein Strom die andere Hälfte ist negativ vorgespannt. Während über die Elektrode 120 fließt.The operation of the circuit of FIG. 13 is counter-biased, since the left end of the N-zone 117 easy to understand. When the resonance circuit is grounded in its and the left end of the P-zone 118 with Self-oscillation oscillates, the electrodes 46 serve the right end of the N-zone 117, which is connected or 47 alternately as emitter and collector. 20 is negatively biased by the feed battery 53. The P-zone 44 does not take on a fixed voltage, which for the same reasons is the right half of the Voltage values fluctuate between the positive separation layer 119 biased and serves as an emitter and negative maximum voltage values of the minority charge carriers for electrode 121, lectors 46 and 47. During half the time which is working as a collector, so that a high current one half of the separation layer is positively biased, and 25 flows across the collector 121 and almost no current the other half is negatively biased. While flowing over the electrode 120.

die positiv vorgespannte Hälfte Löcherstrom zu der Ein positives Zeichen an den Eingangsklemmen 66the positively biased half hole current to the A positive sign on input terminals 66

einen der beiden Elektroden 46 bzw. 47 aussendet, und 67 kehrt die oben beschriebenen Spannungsver- und zwar zu der, die als Kollektor arbeitet, arbeitet hältnisse um, da die linke Hälfte der Trennschicht 119 die negativ vorgespannte Hälfte als Kollektor für den 30 positiv vorgespannt und ihre rechte Hälfte negativ Löcherstrom, der von dem einen der beiden Kollek- vorgespannt werden. Wenn das positive Zeichen auftoren ausgesendet wird, der zu dieser Zeit als Emitter hört, werden die vorher genannten Zustände wiedertätig ist. hergestellt. Dies kann auch durch ein negatives Zeichen Die Fig. 14 stellt einen Trigger mit einem etwas erreicht werden, das an die Klemmen 66 und 67 gelegt unterschiedlich aufgebauten Transistor 116 dar. Dieser 35 wird.emits one of the two electrodes 46 and 47, and 67 reverses the voltage distortion described above namely to the one that works as a collector works ratios, since the left half of the separating layer 119 the negatively biased half as a collector for the 30 positively biased and its right half negative Hole current that is biased by one of the two collectors. When the positive sign opens up is sent out, which is listening as an emitter at this time, the aforementioned states are active again is. manufactured. This can also be achieved by a negative sign differently constructed transistor 116. This 35 is.

Transistor enthält eine N-Zone 117, die von einer Die bistabile Schaltung nach Fig. 14 arbeitet daherThe transistor contains an N-zone 117, which is controlled by a. The bistable circuit according to FIG. 14 therefore operates

P-Zone 118 durch die Grenzschicht 119 getrennt ist. als ein Trigger, der zwischen einem üblichen bistabilen Die beiden Elektroden 120 und 121 liefern eine hohe Zustand, wenn das Eingangszeichen Null oder negativ Stromverstärkung, wenn diese als Kollektoren vorge- ist, und dem anderen stabilen Zustand, wenn ein spannt sind. Sie stehen in elektrischer Verbindung mit 40 positives Zeichen zugeführt wird, hin- und hergeschalder Oberfläche der Zone 117, die der Trennschicht 119 tet wird. Die Schaltung nach Fig. 15 stellt ein abgegegenüberliegt. Wie betreffs der Transistoren vorher ändertes Ausführungsbeispiel nach Fig. 14 dar. das ausgeführt worden ist, ist die Stärke der N-Zone 117 als Schwingungserzeuger dadurch arbeiten kann, daß im wesentlichen nicht größer als die Ausbreitungs- ein abgestimmter Schwingungskreis mit einer Indukstrecke der Minoritätsladungsträger in dieser Zone bei 45 tionsspule 68 und einem parallel dazu geschalteten mittlerer Lebensdauer. Der Transistor 116 unter- Kondensator 69 zwischen den Kollektoren 120 und 121 scheidet sich von den vorhergehenden Transistoren und ein weiterer abgestimmter Schwingungskreis mit indessen dadurch, daß der spezifische Widerstand der der Spule 70 und ihrem parallel liegenden Kondensator P-Zone 118 wesentlich höher als der bei den vorher 71 an Stelle der Eingangsklemmen vorgesehen sind, erwähnten Transistorenausführungsformen ist. Der 50 Die Arbeitsweise der Schaltung entspricht der nach spezifische Widerstand der Zone 118 ist wesentlich Fig. 14 mit der Ausnahme, daß der Schwingungskreis geringer als der der Zone 117; er beträgt z. B. an- sich selbst erregt, ohne daß Eingangszeichen zugeführt nähernd die Hälfte des spezifischen Widerstandes der werden.P-zone 118 is separated by the boundary layer 119. As a trigger between a usual bistable The two electrodes 120 and 121 deliver a high state if the input character is zero or negative current gain if this is in front of the collector, and the other stable state if one is voltage. They are in electrical connection with 40 positive characters being supplied, the surface of the zone 117, which is the separating layer 119, switched back and forth. The circuit of Fig. 15 represents an opposite. As with respect to the transistors previously modified embodiment according to FIG. 14, which has been explained, the strength of the N-zone 117 can work as an oscillation generator in that a tuned oscillation circuit with an inductance path of the minority charge carriers is essentially no greater than the propagation this zone at 45 tion coil 68 and an average service life connected in parallel. The transistor 116 under capacitor 69 between the collectors 120 and 121 differs from the previous transistors and a further tuned resonant circuit with, however, in that the resistivity of the coil 70 and its parallel capacitor P-zone 118 is significantly higher than that of the transistor embodiments previously mentioned 71 are provided in place of the input terminals. The mode of operation of the circuit corresponds to the specific resistance of zone 118 is essentially FIG. 14 with the exception that the oscillating circuit is smaller than that of zone 117; it amounts to z. B. to itself excited without input characters being supplied to almost half of the specific resistance of the.

Zone 117 Wie bereits in Verbindung mit Fig. 1 ausgeführtZone 117 As already stated in connection with FIG. 1

Da jedoch in dem Transistor 116 ein wesentlicher 55 worden ist, kann in einem der hier genannten Transi-Spannungsabfall über die P-Zone 118 erreicht werden stören die Reihenfolge der Typen der Halbleitersoll, ist ein Material mit wesentlich höherem Spezi- materialien umgekehrt werden, d. h., die Zonen, an die fischem Widerstand gewählt worden. Hierdurch wird die Kollektoren angeschlossen sind, können von dem das Emittervermögen der Trennschicht 119 herab- P-Typ und die anderen von dem N-Typ sein. Bei gesetzt, und es muß ein Krompromiß zwischen den 60 einer solchen Umkehrung sind dieselben Beschränbeiden gewünschten Endzielen gewählt werden, um kungen hinsichtlich der Abmessungen und der spezieinen hohen Spannungsabfall über die Zone 118 und fischen Widerstände zu beachten. Die Ausbreitungsein Emittiervermögen für die Trennschicht 119 zu strecke der Minoritätsladungsträger bei mittlerer erreichen. Lebensdauer in der Zone, an die die Kollektoren angeln Fig. 14 ist der Transistor 116 in eine bistabile 65 schlossen sind, bestimmt immer die Beschränkung Schaltung, insbesondere in eine Triggerschaltung ein- betreffs der Abmessungen für den Kollektorabstand geschaltet. Die Elektrode 120 ist über den Belastungs- und für die Stärke dieser Schicht. Die Zone, an die die widerstand 58 und die Speisebatterie 59 geerdet. Die Kollektoren angeschlossen sind, muß immer einen Ausgangsklemme 60 ist an die Elektrode 120 ange- größeren spezifischen Widerstand als die andere Zone schlossen, und die andere Ausgangsklemme 61 ist 70 aufweisen.However, since there has been a substantial 55 in transistor 116, one of the transi voltage drops mentioned here can occur can be reached via the P-Zone 118 disturb the order of the types of semiconductors, is a material with significantly higher specialty materials, it is reversed, d. i.e., the zones to which fishing resistance. This will allow the collectors to be connected by the the emitter capability of the separation layer 119 may be P-type and the others may be N-type. at set, and there must be a compromise between the 60 such a reversal are the same limitations both desired end goals can be chosen in order to consider dimensions and specieinen Note the high voltage drop across zone 118 and fishing resistances. The spreading Emitting capacity for the separating layer 119 to stretch the minority charge carriers at medium reach. Lifetime in the zone to which the collectors fish Fig. 14, the transistor 116 is closed in a bistable 65, always determines the limitation Circuit, in particular in a trigger circuit as regards the dimensions for the collector spacing switched. The electrode 120 is about the stress and thickness of this layer. The zone to which the resistor 58 and the feed battery 59 grounded. The collectors must always be connected Output terminal 60 has a higher specific resistance than the other zone at electrode 120 closed, and the other output terminal 61 is 70.

Claims (19)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Bistabiler Schalter mit einem Transistor, der einen flachen Körper aus halbleitendem Material mit einer oder mit mehreren sperrfreien und einer oder mehreren sperrenden Elektroden aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Zeichenausgangskreis mit wenigstens einem Kollektor verbunden ist, und daß das den Spannungsabfall steuernde Schaltelement einen Zeicheneingangskreis (10, 13, 14) enthält, der zwischen Zeichen- und kein Zeichenzustand umschaltbar ist und in einem der beiden Zustände einen wesentlichen Strom der Minoritätsladungsträger von dem Trennschichtteil zu dem einen Kollektor hervorrufen und in dem anderen Zustand die Vorspannung des Trenn-Schichtteiles umkehren läßt, und daß in diesem anderen Zustand der Strom der Minoritätsladungsträger zu dem einen Kollektor unterbunden wird.1. Bistable switch with a transistor that has a flat body made of semiconducting material with one or more non-blocking electrodes and one or more blocking electrodes, characterized in that a character output circuit is connected to at least one collector is, and that the switching element controlling the voltage drop is a character input circuit (10, 13, 14), which can be switched between character and no character status and in one of the in both states a substantial stream of minority charge carriers from the separating layer part to cause one collector and in the other state the bias of the separating layer part can reverse, and that in this other state the current of the minority charge carriers to which a collector is blocked. 2. Bistabiler Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwei komplementäre Ausgangskreise mit den beiden Kollektoren verbunden sind und daß durch Zeicheneingangskreise die Spannung über die Trennschichtteile gegenüber den beiden Kollektoren steuerbar ist.2. Bistable switch according to claim 1, characterized in that two complementary output circuits are connected to the two collectors and that by character input circles the Voltage across the separating layer parts relative to the two collectors can be controlled. 3. Bistabiler Schalter nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Ende der einen Zone (2) geerdet ist und daß ihr anderes Ende mit dem Eingangszeichenkreis (10, 13, 14) verbunden ist.3. Bistable switch according to claims 1 and 2, characterized in that one end one zone (2) is grounded and that its other end is connected to the input character circle (10, 13, 14) connected is. 4. Bistabiler Schalter nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Zeicheneingangskreis eine Überkreuz-Rückkopplungsschaltung (80, 81) enthält, durch die jeder Kollektor mit dem entgegengesetzten Ende der ersten Zone (2) verbunden ist (Fig. 5).4. Bistable switch according to one of claims 1 and 2, characterized in that the character input circuit includes a cross feedback circuit (80, 81) through which each collector connected to the opposite end of the first zone (2) (Fig. 5). 5. Bistabiler Schalter nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Zeicheneingangskreise vorgesehen sind, die an entgegengesetzte Enden der ersten Zone (2) angeschlossen sind, von denen jeder einen Eingangstransformator (29,34) mit einer Primär- und einer Sekundärwicklung aufweist, und daß das eine Ende jeder Sekundärwicklung geerdet ist, während das andere Ende dieser Wicklungen mit je einem Ende der ersten Zone (2) verbunden ist (Fig. 3).5. Bistable switch according to one of claims 1 and 2, characterized in that two Character input circuits are provided which are connected to opposite ends of the first zone (2) are, each of which has an input transformer (29,34) with a primary and a Having secondary winding, and that one end of each secondary winding is grounded while the other end of these windings is connected to one end of the first zone (2) each (Fig. 3). 6. Bistabiler Schalter nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein ohmscher Anschluß (8) an der ersten Zone (2) mitten zwischen den beiden Kollektoren (5, 6) vorgesehen ist und daß die dünne zweite Zone (3) niederohmig über ihre ganze Fläche an einen plattenförmigen Kontakt (H) angeschlossen ist, der mit dem ohmschen Anschluß (8) leitend verbunden ist.6. bistable switch according to claim 5, characterized in that an ohmic connection (8) to the first zone (2) is provided in the middle between the two collectors (5, 6) and that the thin second zone (3) with low resistance over its entire surface to a plate-shaped contact (H) is connected, which is conductively connected to the ohmic connection (8). 7. Bistabiler Schalter nach den Ansprüchen 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Zone (3) nur mit dem plattenförmigen Kontakt (11) und der Trennschicht (4) in elektrischer Verbindung steht und daß ein Punktkontaktemitter (8) mitten zwischen den beiden Kollektoren (5, 6) an die erste Zone (2) angeschlossen ist.7. bistable switch according to claims 5 and 6, characterized in that the second Zone (3) only with the plate-shaped contact (11) and the separating layer (4) in electrical connection and that a point contact emitter (8) in the middle between the two collectors (5, 6) connected to the first zone (2). 8. Bistabiler Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das eine Ende (9) der ersten Zone (2) geerdet ist und daß das andere Ende (10) dieser Zone mit dem Eingangskreis (13, 14) verbunden ist, dem Eingangszeichen von entgegengesetzten Polaritäten zugeführt werden (Fig. 2).8. Bistable switch according to one of claims 1 to 3, characterized in that the one end (9) of the first zone (2) is grounded and that the other end (10) of this zone with the Input circuit (13, 14) is connected, the input character of opposite polarities are supplied (Fig. 2). 9. Bistabiler Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß über die Eingangsklemmen (13, 14) durch Eingangszeichen der Spannungsabfall über beide Zonen (2, 3) gesteuert wird und die Polarität und Größe der Vorspannung an der Trennschicht gegenüber dem entsprechenden Kollektor festgelegt ist und daß die eine Eingangsklemme (13) mit dem einen Ende (10) der ersten Zone (2) und die andere Eingangsklemme (14) mit ihrem anderen Ende (9) verbunden sind.9. Bistable switch according to one of claims 1 to 3, characterized in that over the input terminals (13, 14) by input characters of the voltage drop across both zones (2, 3) is controlled and the polarity and magnitude of the bias on the separation layer opposite the corresponding collector is set and that the one input terminal (13) with the one End (10) of the first zone (2) and the other input terminal (14) with its other end (9) are connected. 10. Bistabiler Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Resonanzkreis (111, 122) zwischen den beiden Kollektoren (5, 6) liegt, der derart bemessen ist, daß die bistabile Schaltung zwischen den beiden stabilen Zuständen hin- und hergeschaltet wird (Fig. 13).10. Bistable switch according to one of claims 1 to 3, characterized in that a Resonance circuit (111, 122) is located between the two collectors (5, 6), which is dimensioned such that the bistable circuit is switched back and forth between the two stable states (FIG. 13). 11. Bistabiler Schalter nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Resonanzkreis (70, 71) in dem den Spannungsabfall steuernden Schaltkreis vorgesehen ist (Fig. 15).11. Bistable switch according to claim 10, characterized in that a second resonance circuit (70, 71) is provided in the voltage drop controlling circuit (Fig. 15). 12. Bistabiler Schalter nach einem der Ansprüche 1, 2 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß zum Steuern des Spannungsabfalles die Kollektoren (5,6) und elektrische, mit den beiden Kollektoren verbundene Spannungsquellen (18,23) dienen (Fig. 3).12. Bistable switch according to one of claims 1, 2 and 10, characterized in that to control the voltage drop the collectors (5,6) and electrical, with the two collectors connected voltage sources (18,23) are used (Fig. 3). 13. Bistabiler Schalter nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangskreis mit dem einen Kollektor (46) und der Ausgangskreis mit dem anderen Kollektor (47) verbunden sind und daß der eine Kollektor als Emitter während des Eingangszeichens dient und am Ende des Eingangszeichens als Kollektor im Wettstreit mit dem anderen Kollektor steht, wodurch die Abklingzeit des Ausgangszeichens herabgesetzt wird (Fig. 11).13. Bistable switch according to claim 12, characterized in that the input circuit with one collector (46) and the output circuit are connected to the other collector (47) and that one collector serves as an emitter during the input character and at the end of the input character as a collector competes with the other collector, which reduces the cooldown time of the output character is decreased (Fig. 11). 14. Bistabiler Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Trennschicht (4) vorgespannt ist und daß diese Vorspannung durch das Eingangszeichen über wenigstens einen Teil der Trennschicht aufgehoben wird und die Emission der Minoritätsladungsträger hierdurch aufhört.14. Bistable switch according to one of claims 1 to 4, characterized in that the Separation layer (4) is biased and that this bias by the input character over at least part of the separating layer is canceled and the emission of the minority charge carriers this stops. 15. Bistabiler Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß mit jedem Kollektor ein Belastungswiderstand verbunden ist und komplementäre Ausgangskreise an die Kollektoren angeschlossen sind, daß ferner ein Überkreuz-Rückkopplungs-S cheinwiderstand zwischen jedem Kollektor und dem gegenüberliegenden Ende der ersten Zone liegt und ein ohmscher Anschluß zwischen Erde und einer Stelle dieser Zone zwischen den beiden Kollektoren vorgesehen ist und daß durch das Zusammenarbeiten der Kollektoren und der Überkreuz-Rückkopplungs-Scheinwiderstände ein derartiger Spannungsabfall in der ersten Zone entsteht, daß zeitweilig nur ein Kollektorkreis leitend ist, daß außerdem ein niederohmiger Kontakt mit fast der ganzen Fläche der zweiten Zone in Einwirkung steht, die so dünn ist, daß in ihr fast die gleiche Spannung herrscht, daß weiterhin eine Vorspannquelle mit dem niederohmigen Kontakt verbunden ist, die die Trennschicht so hoch vorspannt, daß Minoritätsladungsträger von dieser zu den Kollektoren ausgesendet werden, und daß schließlich über einen Eingangskreis dem niederohmigen Kontakt Eingangszeichen zugeführt sind, durch die die Vorspannung zeitweilig aufgehoben wird und der Minoritätsladungsträgerstrom von der Trennschicht aufhört zu fließen (Fig. 5).15. Bistable switch according to one of claims 1 to 14, characterized in that with a load resistor is connected to each collector and complementary output circuits to it the collectors are connected that further a cross-feedback S chine resistance between each collector and the opposite end of the first zone and an ohmic connection is provided between earth and a point in this zone between the two collectors and that by the cooperation of the collectors and the cross-feedback impedances such a voltage drop occurs in the first zone that temporarily only one collector circuit What is conductive is that there is also a low-resistance contact with almost the entire surface of the second zone is in action, which is so thin that there is almost the same tension in it that Furthermore, a bias source is connected to the low-resistance contact, which forms the separating layer biased so high that minority charge carriers are sent out from them to the collectors and that finally the low-resistance contact input signal via an input circuit are supplied, through which the bias is temporarily canceled and the minority charge carrier current from the separating layer ceases to flow (Fig. 5). 16. Bistabiler Schalter nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeitkonstante des16. Bistable switch according to claim 15, characterized in that the time constant of the Überkreuz-Rückkopplungskreises größer als die Dauer des Eingangszeichens ist und daß die Spannung an der ersten Zone in dem Sinne abfällt, daß die Minoritätsladungsträger von dem Kollektor angezogen werden, der während der vorangegangenen Periode ohne Zeichen nicht leitend war.Cross-feedback loop is greater than the duration of the input character and that the voltage at the first zone drops in the sense that the minority charge carriers from the collector which was non-conductive during the previous period with no sign. 17. Bistabiler Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die komplementäre Zeichen liefernden Ausgangskreise mit den beiden Kollektoren verbunden sind und ίο einer der beiden Kollektoren derart vorgespannt ist, daß der Kreis dieses Kollektors sich im Ein-Zustand befindet, daß ferner ein Paar von Zeicheneingangskreisen an sich gegenüberliegenden Enden der ersten Zone den Spannungsabfall über diese Zone steuert und die Polarität und die Größe der Vorspannung an den Teilen der Trennschicht gegenüber den Kollektoren festlegt und daß weiterhin die Zeichen an dem Paar von Zeicheneingangskreisen nur bei einer bestimmten Kombi-17. Bistable switch according to one of claims 1 to 16, characterized in that the output circuits supplying complementary characters are connected to the two collectors and ίο one of the two collectors is biased in such a way that the circuit of this collector is in the on-state is that a pair of character input circles is also found at opposite ends of the first zone controls the voltage drop across this zone and the polarity and size of the Pre-tension on the parts of the separating layer against the collectors and that continue to use the characters on the pair of character input circles only for a certain combination nation von Eingangszeichen zum Umschalten des einen Kollektorkreises in seinen Aus-Zustand wirksam sind (Fig. 8).nation of input characters for switching one collector circuit to its off state are effective (Fig. 8). 18. Bistabiler Schalter nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannungsquelle, die den einen Kollektorkreis in seinen Ein-Zustand hält, einen Belastungswiderstand enthält, der in diesem Kollektorkreis liegt und einen wesentlich niedrigeren Wert- als der Belastungswiderstand aufweist, der an den anderen Kollektor angeschlossen ist.18. Bistable switch according to claim 17, characterized in that the bias source, which holds the one collector circuit in its on-state, contains a load resistor, which in this collector circuit and a significantly lower value than the load resistance which is connected to the other collector. 19. Bistabiler Schalter nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannungsquelle, die den einen Kollektorkreis in seinem Ein-Zustand hält, die Trennschicht derart vorspannt, daß von dieser zu den Kollektoren Minoritätsladungsträger ausgesendet werden, und daß in dem Transistor Vorkehrungen getroffen sind, durch die das Aussenden der Minoritätsladungsträger von der Trennschicht zu dem einen Kollektor begünstigt wird.19. Bistable switch according to claim 17, characterized in that the bias source, which holds the one collector circuit in its on-state, the separating layer biases so that of these are emitted to the collectors minority charge carriers, and that in the transistor Precautions are taken to ensure that the minority charge carriers are emitted from the separating layer to which one collector is favored. Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings 90Ϊ 757/332 2.6090Ϊ 757/332 2.60
DEI15160A 1954-09-27 1956-05-05 Bistable switch with a transistor, which has a flat body made of semiconducting material with one or more non-blocking and blocking electrodes Pending DE1076175B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US458619A US2889499A (en) 1954-09-27 1954-09-27 Bistable semiconductor device
US509852A US2992337A (en) 1955-05-20 1955-05-20 Multiple collector transistors and circuits therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1076175B true DE1076175B (en) 1960-02-25

Family

ID=27039067

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI10681A Pending DE1035776B (en) 1954-09-27 1955-09-21 Transistor with a flat semiconductor body and several non-blocking and blocking electrodes
DEI11649A Pending DE1055692B (en) 1954-09-27 1956-05-05 Transistor with a flat body made of semiconducting material with several non-blocking and blocking electrodes
DEI15160A Pending DE1076175B (en) 1954-09-27 1956-05-05 Bistable switch with a transistor, which has a flat body made of semiconducting material with one or more non-blocking and blocking electrodes

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI10681A Pending DE1035776B (en) 1954-09-27 1955-09-21 Transistor with a flat semiconductor body and several non-blocking and blocking electrodes
DEI11649A Pending DE1055692B (en) 1954-09-27 1956-05-05 Transistor with a flat body made of semiconducting material with several non-blocking and blocking electrodes

Country Status (5)

Country Link
BE (1) BE541575A (en)
CH (1) CH339292A (en)
DE (3) DE1035776B (en)
FR (2) FR1152077A (en)
GB (1) GB831535A (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3002100A (en) * 1954-09-27 1961-09-26 Ibm Transistor circuit element
NL207368A (en) * 1955-05-25
FR1210880A (en) * 1958-08-29 1960-03-11 Improvements to field-effect transistors
NL242895A (en) * 1958-09-02
US2967793A (en) * 1959-02-24 1961-01-10 Westinghouse Electric Corp Semiconductor devices with bi-polar injection characteristics
DE1292253B (en) * 1959-09-26 1969-04-10 Telefunken Patent Semiconductor device
DE1156508B (en) * 1959-09-30 1963-10-31 Siemens Ag Controllable and switching four-layer semiconductor component
NL261720A (en) * 1960-03-04
DE1196794C2 (en) * 1960-03-26 1966-04-07 Telefunken Patent Semiconductor component with a disk-shaped semiconductor body, in particular transistor, and method for manufacturing
DE1161356B (en) * 1960-06-03 1964-01-16 Rudolf Rost Dr Ing Switching and oscillating unipolar transistor and oscillator circuit with such a transistor
CN112305407B (en) * 2020-10-21 2024-06-11 上海华力集成电路制造有限公司 Method for locating failure position and reason of test structure

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE490958A (en) * 1948-09-24
BE519804A (en) * 1952-05-09

Also Published As

Publication number Publication date
BE541575A (en)
FR1167594A (en) 1958-11-26
CH339292A (en) 1959-06-30
DE1055692B (en) 1959-04-23
DE1035776B (en) 1958-08-07
FR1152077A (en) 1958-02-11
GB831535A (en) 1960-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3407975C2 (en) Normally switched off, gate-controlled, electrical circuit arrangement with a small switch-on resistance
DE1028617B (en) Bistable multivibrator with at least one transistor
DE1018460B (en) Electric tilting arrangement with crystal triodes
DE1024119B (en) Bistable memory device with a semiconducting body
DE1096410B (en) Circuit arrangement for generating electrical pulses using semiconductor arrangements designed as double base diodes (unijunction transistors)
DE1076175B (en) Bistable switch with a transistor, which has a flat body made of semiconducting material with one or more non-blocking and blocking electrodes
DE1589707B2 (en) Temperature compensated Z diode arrangement
DE2840704C3 (en) Amplifier circuit with field effect and bipolar transistors
DE1021965B (en) Bistable transistor tube tilting circuit
DE2558489C3 (en)
DE2515457B2 (en) Differential amplifier
DE2631474C3 (en) Semiconductor switching device
DE1166340B (en) Semiconductor arrangement made of crystalline material doped with activators and with two-ohmic contact electrodes
DE1029872B (en) Externally controlled transistor flip-flop with short release time
DE1035779B (en) Switching transistor with at least two collector electrodes
DE2233612B2 (en) Output stage for a test signal generator
DE1131269B (en) Bistable toggle switch
DE1039564B (en) Bistable transistor circuit with transistors that have the properties of grid-controlled gas discharge tubes
DE1141335B (en) Pulse counter using a capacitor
DE1638010C3 (en) Solid-state circuit for reference amplifiers
DE1201402B (en) Switching device with a feedback transistor and a diode
DE2526309A1 (en) SYMMETRICAL ARRANGEMENT FOR THE FORMATION OF A CONTROLLABLE AC RESISTOR
DE2728945A1 (en) SEMI-CONDUCTOR SWITCH UNIT
AT201113B (en) transistor
DE1589707C3 (en) Temperature-compensated Zener diode arrangement