DE1064993B - Low-frequency final amplifier stage with transistor in common emitter circuit - Google Patents
Low-frequency final amplifier stage with transistor in common emitter circuitInfo
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- H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
- H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
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Description
Es ist bekannt, in einem Transistorverstärker mit geerdetem Emitter und gesteuerter Basis (sogenannte Emitterschaltung) die Vorspannung der Basis einem Spannungsteiler zu entnehmen, der an die Betriebsspannungsquelle angeschlossen ist. Der Spannungsteiler muß relativ niederohmig gewählt werden, weil der eine Widerstand des Spannungsteilers von dem stark temperaturabhängigen Basisstrom des Transistors durchflossen wird und dieser Strom die Basisvorspannung möglichst wenig verschieben darf. Diese Forderung muß besonders dann erfüllt werden, wenn die Verstärkerstufe nahezu mit der zulässigen Kollektor-Verlustleistung betrieben wird, denn dann besteht die Gefahr einer Überlastung des Transistors bei einer Verschiebung des Arbeitspunktes. Meist ist eine derart hoch belastete Stufe die Endstufe. In solchen Stufen muß also der Spannungsteiler besonders niederohmig sein.It is known that in a transistor amplifier with a grounded emitter and controlled base (so-called Emitter circuit) the bias voltage of the base can be taken from a voltage divider, which is connected to the operating voltage source connected. The voltage divider must be chosen to have a relatively low resistance, because the one resistance of the voltage divider of the strongly temperature-dependent base current of the transistor is flowed through and this current is allowed to shift the base bias as little as possible. These The requirement must be met especially when the amplifier stage is close to the permissible collector power loss is operated, because then there is the risk of overloading the transistor if the operating point is shifted. Mostly is such a heavily loaded stage is the final stage. The voltage divider must be special in such stages be low resistance.
Der niederohmige Spannungsteiler hat jedoch den Nachteil, daß die vorhergehende Verstärkerstufe durch ihn wechselstrommäßig stark belastet wird, unter Umständen so stark, daß die verbleibende Leistung nicht mehr zur Aussteuerung der Stufe ausreicht, in deren Eingang der Spannungsteiler liegt. Es wirken beide Teilwiderstände des Spannungsteilers belastend auf die Vorstufe, weil sie wechselstrommäßig parallel liegen.However, the low-resistance voltage divider has the disadvantage that the previous amplifier stage through it is heavily loaded in terms of alternating currents, under certain circumstances so much that the remaining power is no longer sufficient to control the stage in whose input the voltage divider is located. It work Both partial resistances of the voltage divider put a strain on the preliminary stage because they are alternating in parallel lie.
Der Spannungsteiler kann bekanntlich hochohmiger gemacht werden, wenn er einen Heißleiter enthält, der einer Verschiebung des Arbeitspunktes bei Änderungen des Basisstromes entgegenwirkt. Für die Anwendung dieser Schaltung ist es jedoch ungünstig, daß die Kennwerte der Transistoren in der Fabrikation stark voneinander abweichen. Man rechnet damit, daß sich die Basisströme der Transistoren wie 1:3 oder mehr zueinander verhalten. Deshalb könnte man einem Spannungsteiler mit Heißleiter bei der Fabrikation eines Verstärkers nicht einen bestimmten Wert geben, sondern müßte ihn entsprechend dem jeweils verwendeten Transistor bemessen.As is known, the voltage divider can be made higher impedance if it contains a thermistor which counteracts a shift in the operating point when the base current changes. For the application this circuit, however, it is unfavorable that the characteristics of the transistors in the fabrication differ greatly from each other. It is expected that the base currents of the transistors will be 1: 3 or behave more towards each other. Therefore you could use a voltage divider with NTC thermistor during manufacture of an amplifier does not give a certain value, but rather it should correspond to the one used in each case Transistor sized.
Die Erfindung, die sich auf die anfangs beschriebene Verstärkerstufe mit niederohmigem Spannungsteiler
bezieht, beseitigt diese Nachteile. Erfindungsgemäß wird ein Teil der Sekundärwicklung des Ausgangstransformators
zwischen das eine Ende des Spannungsteilers und die Betriebsspannungsquelle geschaltet
und so gepolt und bemessen, daß die durch den Spannungsteiler hervorgerufene wechselstrommäßige
Eingangsbelastung durch eine Mitkopplung ganz oder nahezu beseitigt ist. Der Spannungsteiler
kann nun ohne unzulässige Belastung der Vorstufe so niederohmig bemessen werden, daß verschieden
große Basisströme der einzelnen Transistoren keinen störenden Einfluß "auf den Arbeitspunkt haben. Um
Niederfrequenz-Endverstärkerstufe
mit Transistor in EmitterschaltungThe invention, which relates to the amplifier stage described at the beginning with a low-resistance voltage divider, eliminates these disadvantages. According to the invention, part of the secondary winding of the output transformer is connected between one end of the voltage divider and the operating voltage source and polarized and dimensioned so that the AC input load caused by the voltage divider is completely or almost completely eliminated by positive feedback. The voltage divider can now be dimensioned with such a low resistance, without undue loading of the preliminary stage, that base currents of the individual transistors of different sizes have no disruptive influence on the operating point
with transistor in emitter circuit
Anmelder:Applicant:
Telefunken G.m.b.H.,
Berlin NW 87, Sickingenstr. 71Telefunken GmbH,
Berlin NW 87, Sickingenstr. 71
Dipl.-Phys. Karl Sauer, Ulm/Donau,
ist als Erfinder genannt wordenDipl.-Phys. Karl Sauer, Ulm / Danube,
has been named as the inventor
eine durch die Mitkopplung etwa verursachte Einengung des Frequenzbereiches zu beseitigen, kann zusätzlich eine Gegenkopplung auf den Eingang einer vorhergehenden Stufe angewendet werden.Eliminating any narrowing of the frequency range caused by the positive feedback can also be used negative feedback can be applied to the input of a previous stage.
Es ist bekannt, daß sich, der Eingangswiderstand von Röhren- und Transistorverstärkern unter dem Einfluß einer positiven oder negativen Rückkopplung ändert. Es ist auch bekannt, eine positive und negative Rückkopplung miteinander zu kombinieren, um extrem große oder kleine Eingangswiderstände zu erhalten. Die Erfindung gibt demgegenüber eine ganz bestimmte Schaltung zu dem Zweck an, speziell den unerwünschten Einfluß des niederohmigen Spannungsteilers für die Basisvorspannung eines Transistors zu beseitigen. Eine ähnliche Schaltung in einem Transistorverstärker zum Zwecke der Gegenkopplung, nämlich mit umgekehrter Polung der Rückkopplungswicklung, ist an sich bekannt. Dort ist jedoch die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe nicht gestellt und auch nicht gelöst.It is known that the input resistance of tube and transistor amplifiers is below the Influence of positive or negative feedback changes. It is also known to be positive and negative Combine feedback together to get extremely large or small input resistances. In contrast, the invention specifies a very specific circuit for the purpose, especially the undesired one Influence of the low-resistance voltage divider for the base bias of a transistor remove. A similar circuit in a transistor amplifier for the purpose of negative feedback, namely with reverse polarity of the feedback winding is known per se. There, however, is the one The object on which the invention is based is not set and also not achieved.
Die Zeichnung zeigt Ausführungsbeispiele der Erfindung. The drawing shows exemplary embodiments of the invention.
Fig. 1 und 2 zeigen Beispiele für eine Mitkopplung allein, während in den1 and 2 show examples of positive feedback alone, while in the
Fig. 3 und 4 zusätzlich eine Gegenkopplung angewendet ist.3 and 4, a negative feedback is also used.
In allen Schaltungen ist als Beispiel die Widerstandskapazitätskopplung angegeben, jedoch ist auch eine galvanische Kopplung anwendbar.Resistive capacitance coupling is an example in all circuits indicated, but a galvanic coupling can also be used.
In Fig. 1 ist der Emitter des Transistors T1 über einen Widerstand Wz von z. B. 10 Ohm geerdet. Die Vorspannung der Basis wird durch einen Spannungsteiler festgelegt, der über die angezapfte Drossel D an der Betriebsspannungsquelle-ff liegt. Es ist z.B. W1 = 500 Ohm und W2 = 5 Kiloohm. Parallel zu der Drossel D liegt z. B. der Lautsprecher L. In dem oberen Teil der Drossel D wird eine WechselspannungIn Fig. 1, the emitter of the transistor T 1 is through a resistor W z of z. B. 10 ohms grounded. The bias of the base is determined by a voltage divider, which is connected to the operating voltage source-ff via the tapped choke D. For example, W 1 = 500 ohms and W 2 = 5 kilo ohms. In parallel with the throttle D is z. B. the loudspeaker L. In the upper part of the choke D is an alternating voltage
909 627/275909 627/275
Claims (2)
Deutsche Patentschriften Nr. 910 427, 914 863;
französische Patentschrift Nr. 1 111 777;
»Elektr. Nachrichtentechnik«, 1939, Heft 6, S. 155 bis 160;Considered publications:
German Patent Nos. 910 427, 914 863;
French Patent No. 1,111,777;
»Electr. Telecommunications ", 1939, No. 6, pp. 155 to 160;
»Elektronische Rundschau«, 1955, Nr. 1, S. 38 bis 40;
»Telefunken-Zeitung«, 1955, Juni-Heft, S. 95 ff.;"Funk", 1940, issue 4, p. 51;
"Electronic Rundschau", 1955, No. 1, pp. 38 to 40;
"Telefunken-Zeitung", 1955, June issue, p. 95 ff .;
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DET13133A DE1064993B (en) | 1957-01-19 | 1957-01-19 | Low-frequency final amplifier stage with transistor in common emitter circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DET13133A DE1064993B (en) | 1957-01-19 | 1957-01-19 | Low-frequency final amplifier stage with transistor in common emitter circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1064993B true DE1064993B (en) | 1959-09-10 |
Family
ID=7547237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DET13133A Pending DE1064993B (en) | 1957-01-19 | 1957-01-19 | Low-frequency final amplifier stage with transistor in common emitter circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1064993B (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE910427C (en) * | 1941-03-12 | 1954-05-03 | Siemens Ag | Amplifier with double feedback |
| DE914863C (en) * | 1941-03-12 | 1954-07-12 | Siemens Ag | Amplifier with multiple feedback |
| FR1111777A (en) * | 1954-09-28 | 1956-03-05 | Lignes Telegraph Telephon | Transistor amplifier with compensation for the effects of temperature variations |
-
1957
- 1957-01-19 DE DET13133A patent/DE1064993B/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE910427C (en) * | 1941-03-12 | 1954-05-03 | Siemens Ag | Amplifier with double feedback |
| DE914863C (en) * | 1941-03-12 | 1954-07-12 | Siemens Ag | Amplifier with multiple feedback |
| FR1111777A (en) * | 1954-09-28 | 1956-03-05 | Lignes Telegraph Telephon | Transistor amplifier with compensation for the effects of temperature variations |
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