CN203349834U - 正交消除装置及mems系统 - Google Patents
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Abstract
在某些示例中，一种正交消除装置可包括：驱动电荷放大器，其被配置成耦合到MEMS设备的检测质量块，并且提供振荡运动信息；第一传感电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供所述MEMS设备的第一移动的第一传感信息；第一可编程放大器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供经放大的振荡运动信息；第一加法器，其被配置成使用所述第一传感信息和所述经放大的振荡运动信息来消除所述第一传感信息的正交误差，以提供经正交校正的第一传感信息；移相器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供载波信息；以及第一乘法器，其被配置成使用所述经正交校正的第一传感信息和所述载波信息提供经解调的第一传感信息。
Description
技术领域
本申请讨论了微机电系统（MEMS，micro-electromechanical system），更具体地，讨论了用于MEMS设备的正交消除（quadrature cancellation）。
背景技术
微机电系统（MEMS）包括执行电气功能和机械功能的小型机械设备，这些小型机械设备是使用与用于制造集成电路的技术相似的光刻技术进行制造的。一些MEMS设备是可以检测运动的传感器（例如，加速计）或检测角速率的传感器（例如，陀螺仪）。电容性MEMS陀螺仪响应于角速率的改变而经历电容的改变。
实用新型内容
除了其他方面以外，本申请还讨论了用于对来自微机电系统（MEMS）设备（例如，MEMS陀螺仪）的传感信息进行正交消除的装置和方法。在某些示例中，一种正交消除装置可包括：驱动电荷放大器，其被配置成耦合到MEMS设备的检测质量块（proof mass），并且提供振荡运动信息；第一传感电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供所述MEMS设备的第一移动的第一传感信息；第一可编程放大器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供经放大的振荡运动信息；第一加法器，其被配置成使用所述第一传感信息和所述经放大的振荡运动信息来消除所述第一传感信息的正交误差，以提供经正交校正的第一传感信息；移相器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供载波信息；以及第一乘法器，其被配置成使用所述经正交校正的第一传感信息和所述载波信息来提供经解调的第一传感信息。
一种MEMS系统，包括：
MEMS陀螺仪，其具有检测质量块；
正交消除电路，其被配置成提供所述MEMS陀螺仪的移动信息，所述正交消除包括：
驱动电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供振荡运动信息；
第一传感电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供所述MEMS设备的第一移动的第一传感信息；
第一可编程放大器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供经放大的振荡运动信息；
第一加法器，其被配置成使用所述第一传感信息和所述经放大的振荡运动信息来消除所述第一传感信息的正交误差，以提供经正交校正的第一传感信息；
移相器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供载波信息；以及
第一乘法器，其被配置成使用所述经正交校正的第一传感信息和所述载波信息来提供经解调的第一传感信息。
这部分旨在提供对本专利申请的主题的概述。这部分并非旨在提供本实用新型的排他性的或详尽的说明。本文包括了详细的描述，以提供关于本专利申请的进一步信息。
附图说明
在附图中（这些附图不一定是按照比例绘制的），相同的数字能够描述不同视图中的类似部件。具有不同字母后缀的相同数字能够表示类似部件的不同示例。附图通过示例而非限制的方式概括地示例了本申请中讨论的各个实施例。
图1概括地示出了一示例的MEMS设备100，该MEMS设备100被配置成提供无源的正交误差消除和载波解调；
图2概括地示出了一示例的MEMS设备200，该MEMS设备200被配置 成提供差分且无源的正交误差消除和载波解调。
具体实施方式
除了其他方面以外，本发明人还已经认识到了用于消除在所检测到的微机电系统（MEMS）陀螺仪轴旋转信号（例如，x轴旋转信号，等等）中的正交误差、根据所检测到的MEMS振荡信号产生解调载波、并且对该MEMS陀螺仪轴旋转信号进行解调的装置和方法。本文中所公开的这些装置和方法可提高MEMS陀螺仪的性能，降低功率消耗，并且在某些示例中，相对于现有的MEMS设备，这些装置和方法可减小硅面积。
在一示例中，延迟匹配的电荷放大器（delay-matched charge amplifier）可被用于MEMS振荡信号和相应的轴旋转信号，并且经放大的MEMS振荡信号然后可被用来消除在相应的所述轴旋转信号中的正交误差。由于电荷放大器通常在工艺、电压或温度（PVT，process，voltage，or temperature）的变化上相互跟踪，因此在该实例中，所述延迟匹配的电荷放大器可提高MEMS陀螺仪在操作条件范围内的性能。
在一示例中，用于正交误差消除的可编程无源放大器和加法器可被集成来提供无源的正交误差消除和载波解调。在某些示例中，为了更高的性能，可以对放大器的增益（α1）和加法器进行PVT补偿。此外，放大器、加法器或其他器件中的无源部件可以使得与PVT改变有关的信号失真和增益/相位变化最小化。在某些示例中，放大器和加法器可以被合并到简单的开关矩阵中，从而减小设备中的总体硅面积。
在一示例中，无源乘法器可以在设备中的后置放大器部分（例如，包括基带缓冲器）之前执行解调。在进入设备中的后置放大器部分之前消除正交误差可以降低动态范围要求，并且继而降低基带放大器或者一个或多个其他后置放大器部件的功率消耗。进一步地，在进入设备中的后置放大器部分之前消除正交误差可以降低设备中的移相器的精度要求。
进一步地，在某些示例中，本文中所公开的装置和方法可包括可选择的0/90 度移相器，该可选择的0/90度移相器可以极大地简化设备的生产测试。在一示例中，可以在测试过程中将移相器设置为0度，并且可以调节放大器的增益（α1）直到基带放大器的均方根（RMS，root mean squared）值被最小化为止，从而在移相器被设到90度时确保准确的正交消除。
除了其他方面以外，本文中所公开的装置和方法还可以提高MEMS陀螺仪在零速率驱动下的性能，提高MEMS陀螺仪灵敏度的线性度（例如，使用无源的正交误差消除和速率信号解调），降低对基带放大器的线性度和功率消耗的要求（例如，通过在解调/基带放大之前消除正交误差），并且降低对0/90度移相器的相移精度要求，从而简化设备的生产。
图1概括地示出了一示例的MEMS设备100，该MEMS设备100被配置成提供无源的正交误差消除和载波解调。为了简化，仅针对所接收到的x轴旋转信号对操作进行描述。然而，针对一个或多个其他MEMS陀螺仪轴而言，可以使用相似的部件和方法。
在一示例中，MEMS设备100可包括第一电荷放大器（AMP1），该第一电荷放大器（AMP1）被配置成将所接收到的MEMS振荡信号（正交误差信号）进行放大。第二电荷放大器（AMPX）可被配置成将所接收到的MEMS x轴旋转信号进行放大，该MEMS x轴旋转信号也可以包括潜在的正交误差信号。
在一示例中，可编程的增益路径（α1）和加法器可被用来消除x轴旋转信号中的正交误差。在一示例中，相似的部件和方法可被用来消除一个或多个其他轴中的正交误差。
在一示例中，0/90度移相器和比较器可被用来产生针对x轴旋转信号的解调信号，并且乘法器可被用来对该x轴旋转信号进行解调。
图2概括地示出了一示例的MEMS设备200，该MEMS设备200被配置成提供差分且无源的正交误差消除和载波解调。为了简化，仅针对所接收到的x轴旋转信号对操作进行描述。然而，针对一个或多个其他MEMS陀螺仪轴而言，可以使用相似的部件和方法。
在一示例中，电阻器（Rq、Rin、Rfb）可以通过基带放大器（AMP）来限 定增益路径（α1）和增益。在某些示例中，求和/正交消除可以在去往基带放大器的输入节点（虚拟接地）处实现，并且乘法运算可以使用简单的开关来实现。
在其他示例中，一个或多个其他部件可被用来实施增益路径（α1）、求和/正交消除、或乘法运算，例如电容器电荷求和与转换，等等。
额外的说明和示例
在示例1中，一种正交消除装置可包括：驱动电荷放大器，其被配置成耦合到MEMS设备的检测质量块（proof mass），并且提供振荡运动信息；第一传感电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供所述MEMS设备的第一移动的第一传感信息；第一可编程放大器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供经放大的振荡运动信息；第一加法器，其被配置成使用所述第一传感信息和所述经放大的振荡运动信息来消除所述第一传感信息的正交误差，以提供经正交校正的第一传感信息；移相器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供载波信息；以及第一乘法器，其被配置成使用所述经正交校正的第一传感信息和所述载波信息来提供经解调的第一传感信息。
在示例2中，示例1的装置可选择地包括第一基带缓冲器，所述第一基带缓冲器被配置成接收所述经解调的第一传感信息，并且提供经缓冲的第一传感信息。
在示例3中，示例1-2中的任何一个或多个示例的第一开关矩阵可选择地包括所述第一加法器和所述第一乘法器。
在示例4中，示例1-3中的任何一个或多个示例的驱动电荷放大器和第一传感电荷放大器可选择地包括延迟匹配的放大器。
在示例5中，示例1-4中的任何一个或多个示例的移相器可选择地可编程为在第一状态下提供约90度的相移，并且在第二校准状态下提供约零度的相移。
在示例6中，示例1-5中的任何一个或多个示例的装置可选择地包括：第二传感电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供所述MEMS设备的第二移动的第二传感信息；第二可编程放大器，其被配置成接收所述振 荡运动信息，并且提供经放大的振荡运动信息；第二加法器，其被配置成使用所述第二传感信息和所述经放大的振荡运动信息来消除所述第二传感信息的正交误差，以提供经正交校正的第二传感信息；以及第二乘法器，其被配置成使用所述经正交校正的第二传感信息和所述载波信息来提供经解调的第二传感信息。
在示例7中，示例1-6中的任何一个或多个示例的装置可选择地包括第二基带缓冲器，所述第二基带缓冲器被配置成接收所述经解调的第二传感信息，并且提供经缓冲的第二传感信息。
在示例8中，示例1-7中的任何一个或多个示例的第二矩阵开关可选择地包括所述第二加法器和所述第二乘法器。
在示例9中，示例1-8中的任何一个或多个示例的驱动电荷放大器和第二传感电荷放大器可选择地包括延迟匹配的放大器。
在示例10中，一种用于消除MEMS设备信号的正交误差的方法可包括：使用耦合到MEMS设备的检测质量块的驱动电荷放大器来提供振荡运动信息；使用耦合到所述检测质量块的第一传感电荷放大器来提供第一传感信息，所述第一传感信息对应于所述MEMS设备的第一移动；使用第一可编程放大器和所述振荡运动信息来提供经放大的振荡运动信息；使用第一加法器和所述经放大的振荡运动信息来消除所述第一传感信息的第一正交误差，以提供经正交校正的第一传感信息；使用移相器来将所述振荡运动信息的相位进行偏移，以提供载波信息；以及使用第一乘法器、所述经正交校正的第一传感信息和所述载波信息来对所述经正交校正的第一传感信息进行解调，以提供经解调的第一传感信息。
在示例11中，示例1-10中的任何一个或多个示例的方法可选择地包括使用第一基带缓冲器来对所述经解调的第一传感信息进行缓冲，以提供经缓冲的第一传感信息。
在示例12中，示例1-11中的任何一个或多个示例的使用第一加法器来消除所述第一传感信息的第一正交误差和使用第一乘法器来对所述经正交校正的 第一传感信息进行解调可选择地包括使用第一开关矩阵，所述第一开关矩阵包括有所述第一加法器和所述第一乘法器。
在示例13中，示例1-12中的任何一个或多个示例的使用耦合到MEMS设备的检测质量块的驱动电荷放大器来提供振荡运动信息和使用耦合到所述检测质量块的第一传感电荷放大器来提供第一传感信息可选择地包括使用驱动电荷放大器和第一传感电荷放大器，所述驱动电荷放大器与所述第一传感电荷放大器是彼此延迟匹配的。
在示例14中，示例1-13中的任何一个或多个示例的使用移相器来将所述振荡运动信息的相位进行偏移以提供载波信息可选择地包括：使用所述移相器的第一状态来将所述振荡运动信息的相位偏移90度以提供所述载波信息。
在示例15中，示例1-14中的任何一个或多个示例的方法可选择地包括使用所述移相器的第二状态来将所述振荡运动信息的相位偏移零度，以对所述第一可编程放大器的增益进行校准。
在示例16中，一种微机电系统（MEMS）可包括：MEMS陀螺仪，其具有检测质量块；以及正交消除电路，其被配置成提供所述MEMS陀螺仪的移动信息。所述正交消除可包括：驱动电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供振荡运动信息；第一传感电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供所述MEMS设备的第一移动的第一传感信息；第一可编程放大器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供经放大的振荡运动信息；第一加法器，其被配置成使用所述第一传感信息和所述经放大的振荡运动信息来消除所述第一传感信息的正交误差，以提供经正交校正的第一传感信息；移相器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供载波信息；以及第一乘法器，其被配置成使用所述经正交校正的第一传感信息和所述载波信息来提供经解调的第一传感信息。
在示例17中，示例1-16中的任何一个或多个示例的系统可选择地包括第一基带缓冲器，所述第一基带缓冲器被配置成接收所述经解调的第一传感信息，并且提供经缓冲的第一传感信息，其中，所述移动信息包括所述经缓冲的第一 传感信息。
在示例18中，示例1-17中的任何一个或多个示例的正交消除电路可选择地包括第二传感电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供所述MEMS设备的第二移动的第二传感信息；第二可编程放大器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供经放大的振荡运动信息；第二加法器，其被配置成使用所述第二传感信息和所述经放大的振荡运动信息来消除所述第二传感信息的正交误差，以提供经正交校正的第二传感信息；第二乘法器，其被配置成使用所述经正交校正的第二传感信息和所述载波信息来提供经解调的第二传感信息；以及第二基带缓冲器，其被配置成接收所述经解调的第二传感信息，并且提供经缓冲的第二传感信息，其中，所述移动信息包括所述经缓冲的第二传感信息，并且其中，所述第一移动和所述第二移动彼此不平行。
在示例19中，示例1-18中的任何一个或多个示例的第一开关矩阵可选择地包括所述第一加法器和所述第一乘法器。
在示例20中，示例1-19中的任何一个或多个示例的驱动电荷放大器和第一传感电荷放大器可选择地包括延迟匹配的放大器。
示例21可包括示例1至21中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合，或者可以可选地与示例1至21中的任何一个或多个示例的任何部分或任何部分的组合相结合，以包括以下主题，该主题可包括：用于执行示例1-21的功能中的任何一个或多个功能的装置；或者包括机器可读介质，该机器可读介质包括有当被机器执行时，使得该机器执行示例1-21的功能中的任何一个或多个功能的指令。
上述详细说明书参照了附图，附图也是所述详细说明书的一部分。附图以举例说明的方式显示了可应用本实用新型的具体实施例。这些实施例在本实用新型中被称作“示例”。这些示例可包括除了所示或所描述的元件以外的元件。然而，本发明人还设想到了其中仅提供所示或所描述的那些元件的示例。此外，本发明人还设想到了针对本文所示的或所描述的具体示例（或其一个或多个方面），或针对本文所示的或所描述的其他示例（或其一个或多个方面），使用所 示或所描述的那些元件的任意组合或排列的示例（或其一个或多个方面）。
本文所涉及的所有出版物、专利及专利文件全部作为本文的参考内容，尽管它们是分别加以参考的。如果本文与参考文件之间存在用途差异，则将参考文件的用途视作本文的用途的补充；若两者之间存在不可调和的差异，则以本文的用途为准。
在本文中，与专利文件中通常使用的一样，术语“一”或“某一”表示包括一个或多个，这与使用“至少一个”或“一个或多个”的其他例子没有关系。在本文中，除非另外指明，否则使用术语“或”指无排他性的或者，使得“A或B”包括：“A但不是B”、“B但不是A”以及“A和B”。在所附权利要求中，术语“包含”和“在其中”等同于各个术语“包括”和“其中”的通俗英语。同样，在所附权利要求中，术语“包含”和“包括”是开放性的，即，系统、设备、物品或步骤包括除了权利要求中这种术语之后所列出的那些部件以外的部件的，依然视为落在该条权利要求的范围之内。而且，在所附的权利要求中，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅仅用作标签，并非对对象有数量要求。
本文所述的方法示例至少部分可以是机器或计算机执行的。一些示例可包括计算机可读介质或机器可读介质，计算机可读介质或机器可读介质被编码有可操作为将电子装置配置成执行如上述示例中所述方法的指令。这些方法的实现可包括代码，例如微代码，汇编语言代码，高级语言代码等。这种代码可包括用于执行各种方法的计算机可读指令。所述代码可构成计算机程序产品的一部分。此外，所述代码可例如在执行期间或其他时间被有形地存储在一个或多个易失或非易失性有形计算机可读介质上。这些有形计算机可读介质的示例包括但不限于硬盘、移动磁盘、移动光盘（例如，压缩光盘和数字视频光盘）、磁带、存储卡或棒、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）等。
上述说明的作用在于解说而非限制。例如，上述示例（或示例的一个或多个方面）可相互结合使用。本领域普通技术人员可以在理解上面的描述的基础上使用其他实施例。提供来摘要，以允许读者快速确定本技术公开的性质。提交本摘要时要理解的是该摘要不用于解释或限制权利要求的范围或意义。同样， 在上面的具体实施方式中，各种特征可以组合在一起以将本公开合理化。这不应理解成未要求的公开特征对任何权利要求来说是必不可少的。相反，创造性的的主题所在的特征可少于特定公开的实施例的所有特征。因此，所附的权利要求据此并入具体实施方式中，每个权利要求均作为一个单独的实施例，并且可设想到这些实施例可以在各种组合或排列中彼此结合。应参看所附的权利要求，以及这些权利要求所享有的等同物的所有范围，来确定本实用新型的范围。
Claims (14)
1.一种正交消除装置，其特征在于，包括：
驱动电荷放大器，其被配置成耦合到微机电系统MEMS设备的检测质量块，并且提供振荡运动信息；
第一传感电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供所述MEMS设备的第一移动的第一传感信息；
第一可编程放大器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供经放大的振荡运动信息；
第一加法器，其被配置成使用所述第一传感信息和所述经放大的振荡运动信息来消除所述第一传感信息的正交误差，以提供经正交校正的第一传感信息；
移相器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供载波信息；以及
第一乘法器，其被配置成使用所述经正交校正的第一传感信息和所述载波信息来提供经解调的第一传感信息。
2.根据权利要求1所述的装置，包括第一基带缓冲器，所述第一基带缓冲器被配置成接收所述经解调的第一传感信息，并且提供经缓冲的第一传感信息。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一加法器和所述第一乘法器包含在第一开关矩阵中。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述驱动电荷放大器和所述第一传感电荷放大器包括延迟匹配的放大器。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述移相器可编程为在第一状态下提供90度的相移，并且在第二校准状态下提供零度的相移。
6.根据权利要求1所述的装置，包括：
第二传感电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供所述MEMS设备的第二移动的第二传感信息；
第二可编程放大器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供经放大的振荡运动信息；
第二加法器，其被配置成使用所述第二传感信息和所述经放大的振荡运动信息来消除所述第二传感信息的正交误差，以提供经正交校正的第二传感信息；以及
第二乘法器，其被配置成使用所述经正交校正的第二传感信息和所述载波信息来提供经解调的第二传感信息。
7.根据权利要求6所述的装置，包括第二基带缓冲器，所述第二基带缓冲器被配置成接收所述经解调的第二传感信息，并且提供经缓冲的第二传感信息。
8.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第二加法器和所述第二乘法器包含在第二开关矩阵中。
9.根据权利要求6所述的装置，其中，所述驱动电荷放大器和所述第二传感电荷放大器包括延迟匹配的放大器。
10.一种MEMS系统，其特征在于，包括：
MEMS陀螺仪，其具有检测质量块；
正交消除电路，其被配置成提供所述MEMS陀螺仪的移动信息，所述正交消除包括：
驱动电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供振荡运动信息；
第一传感电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供所述MEMS设备的第一移动的第一传感信息；
第一可编程放大器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供经放大的振荡运动信息；
第一加法器，其被配置成使用所述第一传感信息和所述经放大的振荡运动信息来消除所述第一传感信息的正交误差，以提供经正交校正的第一传感信息；
移相器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供载波信息；以及
第一乘法器，其被配置成使用所述经正交校正的第一传感信息和所述 载波信息来提供经解调的第一传感信息。
11.根据权利要求10所述的系统，包括第一基带缓冲器，所述第一基带缓冲器被配置成接收所述经解调的第一传感信息，并且提供经缓冲的第一传感信息，其中，所述移动信息包括所述经缓冲的第一传感信息。
12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述正交消除电路包括：
第二传感电荷放大器，其被配置成耦合到所述检测质量块，并且提供所述MEMS设备的第二移动的第二传感信息；
第二可编程放大器，其被配置成接收所述振荡运动信息，并且提供经放大的振荡运动信息；
第二加法器，其被配置成使用所述第二传感信息和所述经放大的振荡运动信息来消除所述第二传感信息的正交误差，以提供经正交校正的第二传感信息；
第二乘法器，其被配置成使用所述经正交校正的第二传感信息和所述载波信息来提供经解调的第二传感信息；以及
第二基带缓冲器，其被配置成接收所述经解调的第二传感信息，并且提供经缓冲的第二传感信息，其中，所述移动信息包括所述经缓冲的第二传感信息，并且其中，所述第一移动和所述第二移动彼此不平行。
13.根据权利要求10所述的系统，其中，所述第一加法器和所述第一乘法器包含在第一开关矩阵中。
14.根据权利要求10所述的系统，其中，所述驱动电荷放大器和所述第一传感电荷放大器包括延迟匹配的放大器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261623423P | 2012-04-12 | 2012-04-12 | |
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| CN2013201862923U Withdrawn - After Issue CN203349834U (zh) | 2012-04-12 | 2013-04-12 | 正交消除装置及mems系统 |
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|---|---|
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103376102A (zh) * | 2012-04-12 | 2013-10-30 | 快捷半导体(苏州)有限公司 | Mems正交消除和信号解调 |
| US9246018B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-01-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive |
| US9278846B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-03-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor |
| US9278845B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-03-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure |
| US9352961B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-05-31 | Fairchild Semiconductor Corporation | Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices |
| US9444404B2 (en) | 2012-04-05 | 2016-09-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device front-end charge amplifier |
| US9488693B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-11-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors |
| US9618361B2 (en) | 2012-04-05 | 2017-04-11 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive |
| US9644963B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-05-09 | Fairchild Semiconductor Corporation | Apparatus and methods for PLL-based gyroscope gain control, quadrature cancellation and demodulation |
| US9802814B2 (en) | 2012-09-12 | 2017-10-31 | Fairchild Semiconductor Corporation | Through silicon via including multi-material fill |
| US9856132B2 (en) | 2010-09-18 | 2018-01-02 | Fairchild Semiconductor Corporation | Sealed packaging for microelectromechanical systems |
| US10060757B2 (en) | 2012-04-05 | 2018-08-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device quadrature shift cancellation |
| US10065851B2 (en) | 2010-09-20 | 2018-09-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8739626B2 (en) | 2009-08-04 | 2014-06-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined inertial sensor devices |
| EP2616389B1 (en) | 2010-09-18 | 2017-04-05 | Fairchild Semiconductor Corporation | Multi-die mems package |
| EP2619130A4 (en) | 2010-09-20 | 2014-12-10 | Fairchild Semiconductor | SILICONE CONTINUITY WITH REDUCED CROSS-CAPACITY |
| EP2527788A1 (en) | 2011-05-26 | 2012-11-28 | Maxim Integrated Products, Inc. | Quadrature error compensation |
| US9062972B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-06-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis accelerometer electrode structure |
| US8978475B2 (en) | 2012-02-01 | 2015-03-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS proof mass with split z-axis portions |
| US9069006B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-06-30 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors |
| KR101999745B1 (ko) | 2012-04-12 | 2019-10-01 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | 미세 전자 기계 시스템 구동기 |
| KR101548863B1 (ko) * | 2014-03-11 | 2015-08-31 | 삼성전기주식회사 | 자이로 센서의 구동장치 및 그 제어방법 |
| CN104613949B (zh) * | 2015-03-06 | 2017-10-24 | 北京芯动联科微电子技术有限公司 | 陀螺仪系统及用于其的正交耦合和电耦合的补偿装置 |
| JP2017156313A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 角速度検出回路、角速度検出装置、電子機器及び移動体 |
| US10365104B2 (en) * | 2016-05-11 | 2019-07-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Digital controller for a MEMS gyroscope |
| US10514259B2 (en) | 2016-08-31 | 2019-12-24 | Analog Devices, Inc. | Quad proof mass MEMS gyroscope with outer couplers and related methods |
| US10415968B2 (en) | 2016-12-19 | 2019-09-17 | Analog Devices, Inc. | Synchronized mass gyroscope |
| US10697774B2 (en) | 2016-12-19 | 2020-06-30 | Analog Devices, Inc. | Balanced runners synchronizing motion of masses in micromachined devices |
| US10627235B2 (en) | 2016-12-19 | 2020-04-21 | Analog Devices, Inc. | Flexural couplers for microelectromechanical systems (MEMS) devices |
| IT201700031177A1 (it) | 2017-03-21 | 2018-09-21 | St Microelectronics Srl | Demodulatore compensato per segnali modulati in fase e quadratura, giroscopio mems includente il medesimo e metodo di demodulazione |
| IT201700031167A1 (it) * | 2017-03-21 | 2018-09-21 | St Microelectronics Srl | Demodulatore per segnali modulati in fase e quadratura, giroscopio mems includente il medesimo e metodo di demodulazione |
| US10948294B2 (en) | 2018-04-05 | 2021-03-16 | Analog Devices, Inc. | MEMS gyroscopes with in-line springs and related systems and methods |
| JP7024566B2 (ja) * | 2018-04-06 | 2022-02-24 | 株式会社デンソー | 振動型ジャイロスコープ |
| US11112269B2 (en) | 2018-07-09 | 2021-09-07 | Analog Devices, Inc. | Methods and systems for self-testing MEMS inertial sensors |
| US11125579B2 (en) * | 2019-03-29 | 2021-09-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Calibration system, and sensor system including the same |
| US11125560B2 (en) * | 2019-07-30 | 2021-09-21 | Invensense, Inc. | Robust method for tuning of gyroscope demodulation phase |
| EP3879229B1 (en) * | 2020-03-09 | 2023-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mems gyroscope sensitivity compensation |
| US11193771B1 (en) | 2020-06-05 | 2021-12-07 | Analog Devices, Inc. | 3-axis gyroscope with rotational vibration rejection |
| US11692825B2 (en) | 2020-06-08 | 2023-07-04 | Analog Devices, Inc. | Drive and sense stress relief apparatus |
| EP4162281A4 (en) | 2020-06-08 | 2025-04-23 | Analog Devices, Inc. | MEMS STRESS REDUCTION GYROSCOPE |
| US11698257B2 (en) | 2020-08-24 | 2023-07-11 | Analog Devices, Inc. | Isotropic attenuated motion gyroscope |
| US11680798B2 (en) * | 2020-08-24 | 2023-06-20 | Invensense, Inc. | Digital demodulator and complex compensator for MEMS gyroscope |
Family Cites Families (333)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3231729A (en) | 1961-03-31 | 1966-01-25 | Systems Inc Comp | Dynamic storage analog computer |
| US4511848A (en) * | 1983-06-15 | 1985-04-16 | Watson Industries, Inc. | Synchronous AM demodulator with quadrature signal cancellation |
| US5354695A (en) | 1992-04-08 | 1994-10-11 | Leedy Glenn J | Membrane dielectric isolation IC fabrication |
| US4896156A (en) | 1988-10-03 | 1990-01-23 | General Electric Company | Switched-capacitance coupling networks for differential-input amplifiers, not requiring balanced input signals |
| TW520072U (en) | 1991-07-08 | 2003-02-01 | Samsung Electronics Co Ltd | A semiconductor device having a multi-layer metal contact |
| DE4142101A1 (de) | 1991-11-28 | 1993-06-03 | Lueder Ernst Prof Dr Ing | Druckmessanordnung mit hoher linearitaet |
| DE69206770T2 (de) | 1991-12-19 | 1996-07-11 | Motorola Inc | Dreiachsiger Beschleunigungsmesser |
| US5491604A (en) | 1992-12-11 | 1996-02-13 | The Regents Of The University Of California | Q-controlled microresonators and tunable electronic filters using such resonators |
| FR2700003B1 (fr) | 1992-12-28 | 1995-02-10 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication d'un capteur de pression utilisant la technologie silicium sur isolant et capteur obtenu. |
| WO1995003534A1 (de) | 1993-07-24 | 1995-02-02 | Endress + Hauser Gmbh + Co. | Kapazitive drucksensoren mit hoher linearität |
| US5426970A (en) | 1993-08-02 | 1995-06-27 | New Sd, Inc. | Rotation rate sensor with built in test circuit |
| US5703292A (en) * | 1994-03-28 | 1997-12-30 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Sensor having an off-frequency drive scheme and a sense bias generator utilizing tuned circuits |
| US5481914A (en) | 1994-03-28 | 1996-01-09 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Electronics for coriolis force and other sensors |
| US5765046A (en) | 1994-08-31 | 1998-06-09 | Nikon Corporation | Piezoelectric vibration angular velocity meter and camera using the same |
| JPH0989927A (ja) | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Zexel Corp | 多軸加速度センサ |
| JPH08184443A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | Murata Mfg Co Ltd | 振動ジャイロ |
| SE9500729L (sv) | 1995-02-27 | 1996-08-28 | Gert Andersson | Anordning för mätning av vinkelhastighet i enkristallint material samt förfarande för framställning av sådan |
| US5656778A (en) | 1995-04-24 | 1997-08-12 | Kearfott Guidance And Navigation Corporation | Micromachined acceleration and coriolis sensor |
| US5659195A (en) | 1995-06-08 | 1997-08-19 | The Regents Of The University Of California | CMOS integrated microsensor with a precision measurement circuit |
| US5760465A (en) | 1996-02-01 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Electronic package with strain relief means |
| JP3125675B2 (ja) | 1996-03-29 | 2001-01-22 | 三菱電機株式会社 | 容量型センサインターフェース回路 |
| JPH09318649A (ja) | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Texas Instr Japan Ltd | 複合センサ |
| US5992233A (en) * | 1996-05-31 | 1999-11-30 | The Regents Of The University Of California | Micromachined Z-axis vibratory rate gyroscope |
| JPH10239347A (ja) | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 運動センサ |
| EP0871213A3 (en) | 1997-03-27 | 1999-03-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing vias having variable sidewall profile |
| JP3050161B2 (ja) | 1997-04-18 | 2000-06-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN1206110A (zh) | 1997-07-14 | 1999-01-27 | 利顿系统有限公司 | 惯性传感器的信号处理系统 |
| US6480178B1 (en) | 1997-08-05 | 2002-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Amplifier circuit and liquid-crystal display unit using the same |
| JP3753209B2 (ja) | 1997-08-27 | 2006-03-08 | アイシン精機株式会社 | 角速度センサ |
| JPH11352143A (ja) | 1998-04-06 | 1999-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ |
| US6253612B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-07-03 | Integrated Micro Instruments, Inc. | Generation of mechanical oscillation applicable to vibratory rate gyroscopes |
| JP3882972B2 (ja) | 1998-06-18 | 2007-02-21 | アイシン精機株式会社 | 角速度センサ |
| JP3882973B2 (ja) | 1998-06-22 | 2007-02-21 | アイシン精機株式会社 | 角速度センサ |
| JP2000046560A (ja) | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Aisin Seiki Co Ltd | 角速度センサ |
| US6236096B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-05-22 | National Science Council Of Republic Of China | Structure of a three-electrode capacitive pressure sensor |
| US6351996B1 (en) | 1998-11-12 | 2002-03-05 | Maxim Integrated Products, Inc. | Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors |
| JP3363862B2 (ja) | 1999-01-22 | 2003-01-08 | キヤノン株式会社 | ジャイロ、それを備えたカメラ、レンズ及び自動車 |
| DE19910415B4 (de) | 1999-03-10 | 2010-12-09 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Abstimmen eines ersten Oszillators mit einem zweiten Oszillator |
| DE60041472D1 (de) | 1999-05-28 | 2009-03-19 | Alps Electric Co Ltd | Anregungsvorrichtung eines piezoelektrischen Vibrators |
| US7051590B1 (en) * | 1999-06-15 | 2006-05-30 | Analog Devices Imi, Inc. | Structure for attenuation or cancellation of quadrature error |
| US6516651B1 (en) | 1999-07-22 | 2003-02-11 | Analog Devices, Inc. | Coriolis effect transducer |
| US6522762B1 (en) | 1999-09-07 | 2003-02-18 | Microtronic A/S | Silicon-based sensor system |
| US6230566B1 (en) | 1999-10-01 | 2001-05-15 | The Regents Of The University Of California | Micromachined low frequency rocking accelerometer with capacitive pickoff |
| US6301965B1 (en) | 1999-12-14 | 2001-10-16 | Sandia Corporation | Microelectromechanical accelerometer with resonance-cancelling control circuit including an idle state |
| IT1314296B1 (it) | 1999-12-21 | 2002-12-09 | St Microelectronics Srl | Struttura resistiva integrata su un substrato semiconduttore |
| US6629448B1 (en) | 2000-02-25 | 2003-10-07 | Seagate Technology Llc | In-situ testing of a MEMS accelerometer in a disc storage system |
| US6370937B2 (en) * | 2000-03-17 | 2002-04-16 | Microsensors, Inc. | Method of canceling quadrature error in an angular rate sensor |
| JP4729801B2 (ja) | 2000-03-17 | 2011-07-20 | アイシン精機株式会社 | 振動子駆動装置及び振動子駆動装置を備えた角速度センサ |
| US6390905B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-05-21 | Speedfam-Ipec Corporation | Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers |
| AU2001253093A1 (en) | 2000-04-04 | 2001-10-15 | Rosemount Aerospace Inc. | Three axis accelerometer |
| US6366468B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-04-02 | Hewlett-Packard Company | Self-aligned common carrier |
| US6214644B1 (en) | 2000-06-30 | 2001-04-10 | Amkor Technology, Inc. | Flip-chip micromachine package fabrication method |
| US6988408B2 (en) | 2000-07-13 | 2006-01-24 | Dong-Il Cho | Surface/bulk micromachined single-crystalline silicon micro-gyroscope |
| US7523537B1 (en) | 2000-07-13 | 2009-04-28 | Custom Sensors & Technologies, Inc. | Method of manufacturing a tuning fork with reduced quadrature errror and symmetrical mass balancing |
| WO2002012116A2 (en) | 2000-08-03 | 2002-02-14 | Analog Devices, Inc. | Bonded wafer optical mems process |
| US6553835B1 (en) | 2000-09-15 | 2003-04-29 | Bei Technologies, Inc. | Inertial rate sensor and method with improved clocking |
| US6501282B1 (en) | 2000-09-29 | 2002-12-31 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Highly sensitive capacitance comparison circuit |
| US7166910B2 (en) | 2000-11-28 | 2007-01-23 | Knowles Electronics Llc | Miniature silicon condenser microphone |
| DE10059775C2 (de) | 2000-12-01 | 2003-11-27 | Hahn Schickard Ges | Verfahren und Vorrichtung zur Verarbeitung von analogen Ausgangssignalen von kapazitiven Sensoren |
| FR2819064B1 (fr) | 2000-12-29 | 2003-04-04 | St Microelectronics Sa | Regulateur de tension a stabilite amelioree |
| WO2002087083A1 (en) * | 2001-04-18 | 2002-10-31 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Digital method and system for determining the instantaneous phase and amplitude of a vibratory accelerometer and other sensors |
| SG106612A1 (en) | 2001-05-29 | 2004-10-29 | Sony Electronics Singapore Pte | A force sensing device |
| US6504385B2 (en) | 2001-05-31 | 2003-01-07 | Hewlett-Pakcard Company | Three-axis motion sensor |
| US6513380B2 (en) | 2001-06-19 | 2003-02-04 | Microsensors, Inc. | MEMS sensor with single central anchor and motion-limiting connection geometry |
| US6683692B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-01-27 | Honeywell International | Dither system for motion sensors |
| US20030033850A1 (en) | 2001-08-09 | 2003-02-20 | Challoner A. Dorian | Cloverleaf microgyroscope with electrostatic alignment and tuning |
| US6937479B2 (en) | 2001-08-21 | 2005-08-30 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Sensor isolation system |
| US6598475B2 (en) | 2001-09-20 | 2003-07-29 | Honeywell International Inc. | Micromechanical inertial sensor having increased pickoff resonance damping |
| EP2327959B1 (en) | 2002-02-06 | 2012-09-12 | Analog Devices, Inc. | Micromachined gyroscope |
| US6714070B1 (en) | 2002-02-07 | 2004-03-30 | Bei Technologies, Inc. | Differential charge amplifier with built-in testing for rotation rate sensor |
| US6785117B2 (en) | 2002-03-15 | 2004-08-31 | Denso Corporation | Capacitive device |
| US6725719B2 (en) | 2002-04-17 | 2004-04-27 | Milli Sensor Systems And Actuators, Inc. | MEMS-integrated inertial measurement units on a common substrate |
| US6854315B2 (en) * | 2002-04-22 | 2005-02-15 | Northrop Grumman Corporation | Quadrature compensation technique for vibrating gyroscopes |
| US7217588B2 (en) | 2005-01-05 | 2007-05-15 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Integrated MEMS packaging |
| US6701786B2 (en) | 2002-04-29 | 2004-03-09 | L-3 Communications Corporation | Closed loop analog gyro rate sensor |
| CN1659810B (zh) | 2002-04-29 | 2012-04-25 | 三星电子株式会社 | 直接连接信号传送系统 |
| US6992399B2 (en) | 2002-05-24 | 2006-01-31 | Northrop Grumman Corporation | Die connected with integrated circuit component for electrical signal passing therebetween |
| US6915215B2 (en) | 2002-06-25 | 2005-07-05 | The Boeing Company | Integrated low power digital gyro control electronics |
| US6781231B2 (en) | 2002-09-10 | 2004-08-24 | Knowles Electronics Llc | Microelectromechanical system package with environmental and interference shield |
| US6737742B2 (en) | 2002-09-11 | 2004-05-18 | International Business Machines Corporation | Stacked package for integrated circuits |
| US7477529B2 (en) | 2002-11-01 | 2009-01-13 | Honeywell International Inc. | High-voltage power supply |
| JP2006519111A (ja) | 2003-02-11 | 2006-08-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| US20040231420A1 (en) | 2003-02-24 | 2004-11-25 | Huikai Xie | Integrated monolithic tri-axial micromachined accelerometer |
| JP4336946B2 (ja) | 2003-03-20 | 2009-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | 回転角速度の測定方法および装置 |
| US7119511B2 (en) | 2003-04-11 | 2006-10-10 | International Business Machines Corporation | Servo system for a two-dimensional micro-electromechanical system (MEMS)-based scanner and method therefor |
| DE10317159B4 (de) * | 2003-04-14 | 2007-10-11 | Litef Gmbh | Verfahren zur Kompensation eines Nullpunktfehlers in einem Corioliskreisel |
| US6848304B2 (en) | 2003-04-28 | 2005-02-01 | Analog Devices, Inc. | Six degree-of-freedom micro-machined multi-sensor |
| US7005193B2 (en) | 2003-04-29 | 2006-02-28 | Motorola, Inc. | Method of adding mass to MEMS structures |
| JP4123044B2 (ja) | 2003-05-13 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | マイクロマシンおよびその製造方法 |
| JP2005024310A (ja) | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Kyocera Kinseki Corp | 慣性センサ |
| US6845670B1 (en) | 2003-07-08 | 2005-01-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Single proof mass, 3 axis MEMS transducer |
| GB0322236D0 (en) | 2003-09-23 | 2003-10-22 | Qinetiq Ltd | Resonant magnetometer device |
| JP2005123591A (ja) | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及びこれを実装した電子機器 |
| JP4433747B2 (ja) | 2003-09-29 | 2010-03-17 | 株式会社村田製作所 | 角速度検出装置 |
| JP4645013B2 (ja) | 2003-10-03 | 2011-03-09 | パナソニック株式会社 | 加速度センサ及びそれを用いた複合センサ |
| EP1692457A4 (en) | 2003-12-11 | 2007-09-26 | Proteus Biomedical Inc | IMPLANT PRESSURE SENSORS |
| DE10360962B4 (de) * | 2003-12-23 | 2007-05-31 | Litef Gmbh | Verfahren zur Quadraturbias-Kompensation in einem Corioliskreisel sowie dafür geeigneter Corioliskreisel |
| US7173402B2 (en) | 2004-02-25 | 2007-02-06 | O2 Micro, Inc. | Low dropout voltage regulator |
| EP1720794A2 (en) | 2004-03-01 | 2006-11-15 | Tessera, Inc. | Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips |
| US6912082B1 (en) | 2004-03-11 | 2005-06-28 | Palo Alto Research Center Incorporated | Integrated driver electronics for MEMS device using high voltage thin film transistors |
| JP3875240B2 (ja) | 2004-03-31 | 2007-01-31 | 株式会社東芝 | 電子部品の製造方法 |
| TWI255341B (en) | 2004-06-10 | 2006-05-21 | Chung Shan Inst Of Science | Miniature accelerator |
| JP4412477B2 (ja) | 2004-06-11 | 2010-02-10 | 株式会社デンソー | 振動型角速度センサ |
| CN100368772C (zh) | 2004-06-29 | 2008-02-13 | 东南大学 | 电容式微陀螺敏感信号的双路谐波提取方法及提取装置 |
| CN100368773C (zh) | 2004-06-29 | 2008-02-13 | 东南大学 | 电容式微陀螺敏感信号的单路谐波提取方法及提取装置 |
| US7301212B1 (en) | 2004-07-30 | 2007-11-27 | National Semiconductor Corporation | MEMS microphone |
| EP1624285B1 (en) | 2004-08-03 | 2014-07-23 | STMicroelectronics Srl | Resonant micro-electro-mechanical system and gyroscope |
| US7266349B2 (en) | 2004-08-06 | 2007-09-04 | Broadcom Corporation | Multi-mode crystal oscillator |
| US7929714B2 (en) | 2004-08-11 | 2011-04-19 | Qualcomm Incorporated | Integrated audio codec with silicon audio transducer |
| US7421898B2 (en) | 2004-08-16 | 2008-09-09 | The Regents Of The University Of California | Torsional nonresonant z-axis micromachined gyroscope with non-resonant actuation to measure the angular rotation of an object |
| US7170187B2 (en) | 2004-08-31 | 2007-01-30 | International Business Machines Corporation | Low stress conductive polymer bump |
| CN101044684B (zh) | 2004-09-17 | 2012-11-14 | 美国亚德诺半导体公司 | 使用斩波稳定的多位连续时间前端∑-△adc |
| JP4353087B2 (ja) | 2004-12-01 | 2009-10-28 | 株式会社デンソー | 回転振動型角速度センサ |
| JP4969822B2 (ja) | 2004-12-06 | 2012-07-04 | 株式会社デンソー | センサ装置 |
| US7358151B2 (en) | 2004-12-21 | 2008-04-15 | Sony Corporation | Microelectromechanical system microphone fabrication including signal processing circuitry on common substrate |
| US20060169041A1 (en) | 2005-02-02 | 2006-08-03 | Madni Asad M | Combined gyroscope and 2-axis accelerometer |
| DE102005008512B4 (de) | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
| US20060207327A1 (en) | 2005-03-16 | 2006-09-21 | Zarabadi Seyed R | Linear accelerometer |
| US7442570B2 (en) | 2005-03-18 | 2008-10-28 | Invensence Inc. | Method of fabrication of a AL/GE bonding in a wafer packaging environment and a product produced therefrom |
| US7231824B2 (en) | 2005-03-22 | 2007-06-19 | Honeywell International Inc. | Use of electrodes to cancel lift effects in inertial sensors |
| US7213458B2 (en) * | 2005-03-22 | 2007-05-08 | Honeywell International Inc. | Quadrature reduction in MEMS gyro devices using quad steering voltages |
| JP4453587B2 (ja) | 2005-03-24 | 2010-04-21 | 株式会社デンソー | 加速度センサ |
| EP1715580B1 (en) | 2005-03-31 | 2018-11-28 | STMicroelectronics Srl | Device for controlling the resonance frequency of a MEMS resonator |
| US20070071268A1 (en) | 2005-08-16 | 2007-03-29 | Analog Devices, Inc. | Packaged microphone with electrically coupled lid |
| US7885423B2 (en) | 2005-04-25 | 2011-02-08 | Analog Devices, Inc. | Support apparatus for microphone diaphragm |
| US7449355B2 (en) | 2005-04-27 | 2008-11-11 | Robert Bosch Gmbh | Anti-stiction technique for electromechanical systems and electromechanical device employing same |
| US8008105B2 (en) | 2005-05-18 | 2011-08-30 | Kolo Technologies, Inc. | Methods for fabricating micro-electro-mechanical devices |
| JP4761076B2 (ja) | 2005-05-24 | 2011-08-31 | 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 | ジャイロスコープ |
| WO2006130828A2 (en) | 2005-06-02 | 2006-12-07 | Georgia Tech Research Corporation | System and method for sensing capacitance change of a capacitive sensor |
| CN101213461B (zh) | 2005-06-03 | 2013-01-02 | 辛纳普蒂克斯公司 | 使用sigma-delta测量技术检测电容的方法和系统 |
| US7240552B2 (en) | 2005-06-06 | 2007-07-10 | Bei Technologies, Inc. | Torsional rate sensor with momentum balance and mode decoupling |
| JP2007024864A (ja) | 2005-06-16 | 2007-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | 振動ジャイロ |
| FI119299B (fi) | 2005-06-17 | 2008-09-30 | Vti Technologies Oy | Menetelmä kapasitiivisen kiihtyvyysanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen kiihtyvyysanturi |
| CN101558552B (zh) | 2005-06-17 | 2017-05-31 | 科隆科技公司 | 具有绝缘延伸部的微机电换能器 |
| US7202552B2 (en) | 2005-07-15 | 2007-04-10 | Silicon Matrix Pte. Ltd. | MEMS package using flexible substrates, and method thereof |
| JP4740678B2 (ja) | 2005-07-27 | 2011-08-03 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
| US7565839B2 (en) * | 2005-08-08 | 2009-07-28 | Northrop Grumman Guidance And Electronics Company, Inc. | Bias and quadrature reduction in class II coriolis vibratory gyros |
| CN101238060A (zh) | 2005-08-11 | 2008-08-06 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 制造包括硅mems传声器的微电子封装的方法 |
| US20070220973A1 (en) | 2005-08-12 | 2007-09-27 | Cenk Acar | Multi-axis micromachined accelerometer and rate sensor |
| US7284430B2 (en) | 2005-08-15 | 2007-10-23 | The Regents Of The University Of California | Robust micromachined gyroscopes with two degrees of freedom sense-mode oscillator |
| US20070040231A1 (en) | 2005-08-16 | 2007-02-22 | Harney Kieran P | Partially etched leadframe packages having different top and bottom topologies |
| US7932182B2 (en) | 2005-08-19 | 2011-04-26 | Honeywell International Inc. | Creating novel structures using deep trenching of oriented silicon substrates |
| US8130979B2 (en) | 2005-08-23 | 2012-03-06 | Analog Devices, Inc. | Noise mitigating microphone system and method |
| US7622782B2 (en) | 2005-08-24 | 2009-11-24 | General Electric Company | Pressure sensors and methods of making the same |
| KR20080051180A (ko) * | 2005-09-23 | 2008-06-10 | 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 칩 안테나 상 ㎜-파 완전 집적 위상 어레이 수신기 및송신기 |
| US8027143B2 (en) | 2005-10-14 | 2011-09-27 | Epcos Ag | MEMS tunable device |
| US7714577B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-05-11 | Tursiop Technologies Llc | Method and apparatus for high-gain magnetic resonance imaging |
| US7679364B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-03-16 | Tursiop Technologies Llc | Method and apparatus for high-gain magnetic resonance imaging |
| JP2007114078A (ja) | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Sony Corp | Ｍｅｍｓセンサの駆動装置およびその駆動方法、並びにｍｅｍｓを用いたアクティブセンサ |
| US7258011B2 (en) | 2005-11-21 | 2007-08-21 | Invensense Inc. | Multiple axis accelerometer |
| US20070114643A1 (en) | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Honeywell International Inc. | Mems flip-chip packaging |
| US7518493B2 (en) | 2005-12-01 | 2009-04-14 | Lv Sensors, Inc. | Integrated tire pressure sensor system |
| US7539003B2 (en) | 2005-12-01 | 2009-05-26 | Lv Sensors, Inc. | Capacitive micro-electro-mechanical sensors with single crystal silicon electrodes |
| EP1793497B1 (en) | 2005-12-02 | 2011-04-27 | STMicroelectronics Srl | Device and method for reading a capacitive sensor, in particular of a micro-electromechanical type |
| US8113050B2 (en) | 2006-01-25 | 2012-02-14 | The Regents Of The University Of California | Robust six degree-of-freedom micromachined gyroscope with anti-phase drive scheme and method of operation of the same |
| US7290435B2 (en) * | 2006-02-06 | 2007-11-06 | Invensense Inc. | Method and apparatus for electronic cancellation of quadrature error |
| GB2435544B (en) | 2006-02-24 | 2008-11-19 | Oligon Ltd | Mems device |
| US7436054B2 (en) | 2006-03-03 | 2008-10-14 | Silicon Matrix, Pte. Ltd. | MEMS microphone with a stacked PCB package and method of producing the same |
| CN100451547C (zh) | 2006-03-09 | 2009-01-14 | 上海交通大学 | 双定子电磁悬浮转子微转动陀螺 |
| US7589390B2 (en) | 2006-03-10 | 2009-09-15 | Teledyne Technologies, Incorporated | Shielded through-via |
| EP1832841B1 (en) | 2006-03-10 | 2015-12-30 | STMicroelectronics Srl | Microelectromechanical integrated sensor structure with rotary driving motion |
| DE112007000637T5 (de) | 2006-03-13 | 2009-01-02 | Yishay Sensors Ltd. | 2-achsiges Resonatorgyroskop |
| FR2898683B1 (fr) | 2006-03-14 | 2008-05-23 | Commissariat Energie Atomique | Accelerometre triaxial a membrane |
| GB0605576D0 (en) | 2006-03-20 | 2006-04-26 | Oligon Ltd | MEMS device |
| JP2007292499A (ja) | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Sony Corp | モーションセンサ及びその製造方法 |
| US7726188B2 (en) | 2006-04-24 | 2010-06-01 | Millisensor Systems + Actuators | Scale factor measurement for mems gyroscopes and accelerometers |
| US7561277B2 (en) | 2006-05-19 | 2009-07-14 | New Jersey Institute Of Technology | MEMS fiber optic microphone |
| JP4310325B2 (ja) | 2006-05-24 | 2009-08-05 | 日立金属株式会社 | 角速度センサ |
| US7444869B2 (en) | 2006-06-29 | 2008-11-04 | Honeywell International Inc. | Force rebalancing and parametric amplification of MEMS inertial sensors |
| US7454967B2 (en) | 2006-07-10 | 2008-11-25 | Lv Sensors, Inc. | Signal conditioning methods and circuits for a capacitive sensing integrated tire pressure sensor |
| US7538705B2 (en) | 2006-07-25 | 2009-05-26 | Microchip Technology Incorporated | Offset cancellation and reduced source induced 1/f noise of voltage reference by using bit stream from over-sampling analog-to-digital converter |
| TWI301823B (en) | 2006-08-29 | 2008-10-11 | Ind Tech Res Inst | Package structure and packaging method of mems microphone |
| JP5294228B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-09-18 | シチズンホールディングス株式会社 | 物理量センサ |
| WO2008042015A2 (en) | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Medtronic, Inc. | Capacitive interface circuit for low power sensor system |
| KR100831405B1 (ko) | 2006-10-02 | 2008-05-21 | (주) 파이오닉스 | 웨이퍼 본딩 패키징 방법 |
| US7675162B2 (en) | 2006-10-03 | 2010-03-09 | Innovative Micro Technology | Interconnect structure using through wafer vias and method of fabrication |
| US20080083958A1 (en) | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Wen-Chieh Wei | Micro-electromechanical system package |
| DE102006048381A1 (de) | 2006-10-12 | 2008-04-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Sensor zur Erfassung von Beschleunigungen |
| US7461552B2 (en) | 2006-10-23 | 2008-12-09 | Custom Sensors & Technologies, Inc. | Dual axis rate sensor |
| US7982570B2 (en) | 2006-11-07 | 2011-07-19 | General Electric Company | High performance low volume inductor and method of making same |
| CN1948906B (zh) | 2006-11-10 | 2011-03-23 | 北京大学 | 一种电容式全解耦水平轴微机械陀螺 |
| EP2053413B1 (en) | 2006-11-14 | 2013-05-22 | Panasonic Corporation | Sensor |
| US8026771B2 (en) | 2006-11-27 | 2011-09-27 | Seiko Epson Corporation | Driver device, physical quantity measuring device, and electronic instrument |
| TWI315295B (en) | 2006-12-29 | 2009-10-01 | Advanced Semiconductor Eng | Mems microphone module and method thereof |
| US7550828B2 (en) | 2007-01-03 | 2009-06-23 | Stats Chippac, Inc. | Leadframe package for MEMS microphone assembly |
| US8250921B2 (en) | 2007-07-06 | 2012-08-28 | Invensense, Inc. | Integrated motion processing unit (MPU) with MEMS inertial sensing and embedded digital electronics |
| US8047075B2 (en) | 2007-06-21 | 2011-11-01 | Invensense, Inc. | Vertically integrated 3-axis MEMS accelerometer with electronics |
| WO2008087578A2 (en) | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Nxp B.V. | A system-in-package with through substrate via holes |
| JP4924370B2 (ja) | 2007-01-26 | 2012-04-25 | パナソニック株式会社 | Σδ型ａｄ変換器およびそれを用いた角速度センサ |
| CN101239697B (zh) | 2007-02-06 | 2013-02-13 | 万长风 | 垂直集成微电子机械结构、实现方法及其系统 |
| US7859113B2 (en) | 2007-02-27 | 2010-12-28 | International Business Machines Corporation | Structure including via having refractory metal collar at copper wire and dielectric layer liner-less interface and related method |
| US7950281B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-05-31 | Infineon Technologies Ag | Sensor and method for sensing linear acceleration and angular velocity |
| US7544531B1 (en) | 2007-03-13 | 2009-06-09 | Sitime Inc. | Ground strap for suppressing stiction during MEMS fabrication |
| JP2008256438A (ja) | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Sony Corp | 慣性センサ及び電気・電子機器 |
| US20080251866A1 (en) | 2007-04-10 | 2008-10-16 | Honeywell International Inc. | Low-stress hermetic die attach |
| CN101038299A (zh) | 2007-04-21 | 2007-09-19 | 中北大学 | 基于单质量块的单轴集成惯性测量器件 |
| US8006557B2 (en) | 2007-05-16 | 2011-08-30 | Intellisense Software Corporation | Multi-axis sensor |
| CN100526800C (zh) | 2007-05-31 | 2009-08-12 | 上海交通大学 | 挠性静电补偿式线圈加矩流体微陀螺仪 |
| CN101316462B (zh) | 2007-06-01 | 2012-11-28 | 财团法人工业技术研究院 | 微机电系统麦克风封装体及其封装组件 |
| US8049326B2 (en) | 2007-06-07 | 2011-11-01 | The Regents Of The University Of Michigan | Environment-resistant module, micropackage and methods of manufacturing same |
| CN101067555B (zh) | 2007-06-08 | 2010-11-10 | 北京航空航天大学 | 力平衡式谐振微机械陀螺 |
| US7817331B2 (en) | 2007-06-21 | 2010-10-19 | Jds Uniphase Corporation | MEMS device with an angular vertical comb actuator |
| US8061201B2 (en) | 2007-07-13 | 2011-11-22 | Georgia Tech Research Corporation | Readout method and electronic bandwidth control for a silicon in-plane tuning fork gyroscope |
| DE102007035806B4 (de) | 2007-07-31 | 2011-03-17 | Sensordynamics Ag | Mikromechanischer Drehratensensor |
| TWI333933B (en) | 2007-08-17 | 2010-12-01 | Advanced Semiconductor Eng | Microelectromechanical-system package and method for manufacturing the same |
| US20090175477A1 (en) | 2007-08-20 | 2009-07-09 | Yamaha Corporation | Vibration transducer |
| JP5045616B2 (ja) | 2007-08-30 | 2012-10-10 | 株式会社デンソー | 容量式物理量検出装置 |
| US8042394B2 (en) | 2007-09-11 | 2011-10-25 | Stmicroelectronics S.R.L. | High sensitivity microelectromechanical sensor with rotary driving motion |
| US7786738B2 (en) | 2007-09-19 | 2010-08-31 | Robert Bosch Gmbh | Cancelling low frequency errors in MEMS systems |
| US7800282B2 (en) | 2007-09-19 | 2010-09-21 | Integrated Device Technology, Inc. | Single-resonator dual-frequency lateral-extension mode piezoelectric oscillators, and operating methods thereof |
| GB0720412D0 (en) | 2007-10-18 | 2007-11-28 | Melexis Nv | Combined mems accelerometer and gyroscope |
| US7677099B2 (en) | 2007-11-05 | 2010-03-16 | Invensense Inc. | Integrated microelectromechanical systems (MEMS) vibrating mass Z-axis rate sensor |
| JP5487546B2 (ja) | 2008-02-18 | 2014-05-07 | パナソニック株式会社 | 角速度センサ |
| JP4508230B2 (ja) | 2007-11-21 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 慣性センサ及びその検出装置 |
| CN101459866B (zh) | 2007-12-14 | 2016-02-03 | 财团法人工业技术研究院 | 微机电麦克风模块与制作方法 |
| US7830003B2 (en) | 2007-12-27 | 2010-11-09 | Honeywell International, Inc. | Mechanical isolation for MEMS devices |
| CN101217263B (zh) | 2008-01-17 | 2010-12-15 | 埃派克森微电子有限公司 | 放大器直流失调电压的补偿方法与装置 |
| US20090183570A1 (en) | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Custom Sensors & Technologies, Inc. | Micromachined cross-differential dual-axis accelerometer |
| US20090194829A1 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Shine Chung | MEMS Packaging Including Integrated Circuit Dies |
| JP2009186213A (ja) | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Denso Corp | ジャイロセンサユニット |
| JP5365173B2 (ja) | 2008-02-29 | 2013-12-11 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量測定装置および電子機器 |
| CN101270988B (zh) | 2008-03-14 | 2011-11-30 | 江苏英特神斯科技有限公司 | 多轴惯性传感器及测量多轴平动和转动加速度的方法 |
| US7984648B2 (en) | 2008-04-10 | 2011-07-26 | Honeywell International Inc. | Systems and methods for acceleration and rotational determination from an in-plane and out-of-plane MEMS device |
| DE102008002748A1 (de) | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Sensordynamics Ag | Mikro-Gyroskop |
| TW201004857A (en) | 2008-07-23 | 2010-02-01 | Ind Tech Res Inst | A packaging structure and method for integration of microelectronics and MEMS devices by 3D stacking |
| JP2010025898A (ja) | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Yamaha Corp | Ｍｅｍｓセンサ |
| DE102008040855B4 (de) | 2008-07-30 | 2022-05-25 | Robert Bosch Gmbh | Dreiachsiger Beschleunigungssensor |
| CN101638211A (zh) | 2008-08-01 | 2010-02-03 | 财团法人工业技术研究院 | 整合型立体堆叠封装结构及其制造方法 |
| US8450817B2 (en) | 2008-08-14 | 2013-05-28 | Knowles Electronics Llc | Microelectromechanical system package with strain relief bridge |
| US8193596B2 (en) | 2008-09-03 | 2012-06-05 | Solid State System Co., Ltd. | Micro-electro-mechanical systems (MEMS) package |
| TWI374268B (en) | 2008-09-05 | 2012-10-11 | Ind Tech Res Inst | Multi-axis capacitive accelerometer |
| CN101666813B (zh) | 2008-09-05 | 2011-12-21 | 财团法人工业技术研究院 | 电容式多轴加速度计 |
| US7851925B2 (en) | 2008-09-19 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Wafer level packaged MEMS integrated circuit |
| JP2010078500A (ja) | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 慣性センサ |
| US8499629B2 (en) | 2008-10-10 | 2013-08-06 | Honeywell International Inc. | Mounting system for torsional suspension of a MEMS device |
| JP5517553B2 (ja) * | 2008-10-14 | 2014-06-11 | ワトソン インダストリーズ，インコーポレイティド | 直角位相制御方法及びその方法を備えた振動構造ジャイロスコープ |
| US7859352B2 (en) | 2008-10-15 | 2010-12-28 | Honeywell International Inc. | Systems and methods to overcome DC offsets in amplifiers used to start resonant micro-electro mechanical systems |
| WO2010044741A1 (en) | 2008-10-15 | 2010-04-22 | ÅAC Microtec AB | Method for making via interconnection |
| US7965067B2 (en) | 2008-10-31 | 2011-06-21 | Texas Instruments Incorporated | Dynamic compensation for a pre-regulated charge pump |
| WO2010051560A1 (en) | 2008-11-03 | 2010-05-06 | Georgia Tech Research Corporation | Vibratory gyroscope utilizing a frequency-based measurement and providing a frequency output |
| JP2010118556A (ja) | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| TW201020548A (en) | 2008-11-18 | 2010-06-01 | Ind Tech Res Inst | Multi-axis capacitive accelerometer |
| US8205498B2 (en) | 2008-11-18 | 2012-06-26 | Industrial Technology Research Institute | Multi-axis capacitive accelerometer |
| DE102008044053B4 (de) * | 2008-11-25 | 2022-07-14 | Robert Bosch Gmbh | Quadraturkompensation für einen Drehratensensor |
| IT1391972B1 (it) | 2008-11-26 | 2012-02-02 | St Microelectronics Rousset | Giroscopio microelettromeccanico con movimento di azionamento rotatorio e migliorate caratteristiche elettriche |
| GB2466785B (en) | 2008-12-30 | 2011-06-08 | Wolfson Microelectronics Plc | Apparatus and method for testing a capacitive transducer and/or associated electronic circuitry |
| US7817075B2 (en) | 2009-02-03 | 2010-10-19 | Windtop Technology Corp. | Apparatus for converting MEMS inductive capacitance |
| JP2010185714A (ja) | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Panasonic Corp | 物理量センサシステム、物理量センサ装置 |
| JP2010190766A (ja) | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Seiko Epson Corp | 発振駆動装置、物理量測定装置及び電子機器 |
| TWI391663B (zh) | 2009-02-25 | 2013-04-01 | Nat Univ Tsing Hua | 加速度計 |
| US7775119B1 (en) | 2009-03-03 | 2010-08-17 | S3C, Inc. | Media-compatible electrically isolated pressure sensor for high temperature applications |
| US8256290B2 (en) | 2009-03-17 | 2012-09-04 | Minyao Mao | Tri-axis angular rate sensor |
| CN101858928B (zh) | 2009-04-10 | 2012-09-05 | 利顺精密科技股份有限公司 | 微电机系统电容式三轴加速度器 |
| US8156805B2 (en) | 2009-04-15 | 2012-04-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | MEMS inertial sensor with frequency control and method |
| EP2252077B1 (en) | 2009-05-11 | 2012-07-11 | STMicroelectronics Srl | Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof |
| US8151641B2 (en) | 2009-05-21 | 2012-04-10 | Analog Devices, Inc. | Mode-matching apparatus and method for micromachined inertial sensors |
| CN101561275B (zh) | 2009-05-27 | 2012-01-04 | 上海交通大学 | 利用电磁和电荷弛豫工作的悬浮转子微陀螺 |
| IT1394898B1 (it) | 2009-06-03 | 2012-07-20 | St Microelectronics Rousset | Giroscopio microelettromeccanico con attuazione a controllo di posizione e metodo per il controllo di un giroscopio microelettromeccanico |
| IT1394627B1 (it) | 2009-06-05 | 2012-07-05 | St Microelectronics Rousset | Filtro passabanda a condensatori commutati di tipo tempo-discreto, in particolare per la cancellazione dell'offset e di rumore a bassa frequenza di stadi a condensatori commutati |
| US8661871B2 (en) | 2009-07-31 | 2014-03-04 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method for testing a microelectromechanical device, microelectromechanical device |
| WO2011016859A2 (en) | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Cenk Acar | Micromachined inertial sensor devices |
| US8739626B2 (en) | 2009-08-04 | 2014-06-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined inertial sensor devices |
| US8266961B2 (en) | 2009-08-04 | 2012-09-18 | Analog Devices, Inc. | Inertial sensors with reduced sensitivity to quadrature errors and micromachining inaccuracies |
| CN101634662B (zh) | 2009-08-07 | 2011-01-26 | 北京大学 | 微加速度计及其制备方法 |
| US8456173B2 (en) | 2009-09-30 | 2013-06-04 | Tektronix, Inc. | Signal acquisition system having probe cable termination in a signal processing instrument |
| US8549915B2 (en) | 2009-10-23 | 2013-10-08 | The Regents Of The University Of California | Micromachined gyroscopes with 2-DOF sense modes allowing interchangeable robust and precision operation |
| US8421168B2 (en) | 2009-11-17 | 2013-04-16 | Fairchild Semiconductor Corporation | Microelectromechanical systems microphone packaging systems |
| JP2011112455A (ja) | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Seiko Epson Corp | Ｍｅｍｓセンサー及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP5115618B2 (ja) | 2009-12-17 | 2013-01-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| EP2336717B1 (en) | 2009-12-21 | 2012-09-19 | STMicroelectronics Srl | Microelectromechanical device having an oscillating mass, and method for controlling a microelectromechanical device having an oscillating mass |
| US8578775B2 (en) | 2010-02-08 | 2013-11-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Generation, injection and use of pilot tones for gyro system characterization |
| US8004354B1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Automatic level control |
| GB201003539D0 (en) | 2010-03-03 | 2010-04-21 | Silicon Sensing Systems Ltd | Sensor |
| US9377483B2 (en) | 2010-03-17 | 2016-06-28 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Method for the decoupled control of the quadrature and the resonance frequency of a micro-mechanical gyroscope |
| US20110234312A1 (en) | 2010-03-24 | 2011-09-29 | Texas Instruments Incorporated | Amplifier with improved stability |
| CN101813480B (zh) | 2010-04-20 | 2012-02-15 | 浙江大学 | 一种具有电调谐功能的微机械梳状栅电容陀螺 |
| US8584522B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-11-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Micromachined piezoelectric x-axis gyroscope |
| GB201008195D0 (en) * | 2010-05-17 | 2010-06-30 | Silicon Sensing Systems Ltd | Sensor |
| US8378756B2 (en) | 2010-05-18 | 2013-02-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Drive loop for MEMS oscillator |
| CN201688848U (zh) | 2010-05-28 | 2010-12-29 | 南京理工大学 | 双质量振动式硅微机械陀螺仪接口电路 |
| JP2011259293A (ja) | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Alps Electric Co Ltd | デジタルフィルタ |
| KR101171522B1 (ko) * | 2010-06-24 | 2012-08-06 | 삼성전기주식회사 | 자이로 센서 회로 |
| CN101916754B (zh) | 2010-06-29 | 2012-08-29 | 香港应用科技研究院有限公司 | 通孔和通孔形成方法以及通孔填充方法 |
| KR101218991B1 (ko) * | 2010-08-06 | 2013-01-07 | 삼성전기주식회사 | 자이로 센서 구동 장치 |
| US8476970B2 (en) | 2010-09-14 | 2013-07-02 | Ahmed Mokhtar | Interface for MEMS inertial sensors |
| WO2012037501A2 (en) | 2010-09-18 | 2012-03-22 | Cenk Acar | Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices |
| EP2616389B1 (en) | 2010-09-18 | 2017-04-05 | Fairchild Semiconductor Corporation | Multi-die mems package |
| EP2616771B8 (en) | 2010-09-18 | 2018-12-19 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor |
| US9156673B2 (en) | 2010-09-18 | 2015-10-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Packaging to reduce stress on microelectromechanical systems |
| US9278845B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-03-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure |
| KR101352827B1 (ko) | 2010-09-18 | 2014-01-17 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | 단일 프루프 매스를 가진 미세기계화 3축 가속도계 |
| EP2619130A4 (en) | 2010-09-20 | 2014-12-10 | Fairchild Semiconductor | SILICONE CONTINUITY WITH REDUCED CROSS-CAPACITY |
| US20130247668A1 (en) | 2010-09-20 | 2013-09-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | Inertial sensor mode tuning circuit |
| WO2012040211A2 (en) | 2010-09-20 | 2012-03-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor |
| US9003882B1 (en) | 2010-11-03 | 2015-04-14 | Georgia Tech Research Corporation | Vibratory tuning fork based six-degrees of freedom inertial measurement MEMS device |
| US9171964B2 (en) | 2010-11-23 | 2015-10-27 | Honeywell International Inc. | Systems and methods for a three-layer chip-scale MEMS device |
| CN102156201B (zh) | 2010-11-30 | 2013-01-30 | 电子科技大学 | 一种基于soi工艺及微组装技术的三轴电容式微加速度计 |
| CN105021178B (zh) | 2010-12-07 | 2018-11-23 | 佐治亚科技研究公司 | 模式匹配型单一质量块双轴陀螺仪 |
| CN102109345B (zh) | 2010-12-13 | 2012-12-12 | 谢元平 | 微机械陀螺数字信号处理方法与装置 |
| EP2466257A1 (en) | 2010-12-15 | 2012-06-20 | SensoNor Technologies AS | Method for matching the natural frequencies of the drive and sense oscillators in a vibrating coriolis gyroscope |
| US8569861B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-10-29 | Analog Devices, Inc. | Vertically integrated systems |
| EP2527788A1 (en) * | 2011-05-26 | 2012-11-28 | Maxim Integrated Products, Inc. | Quadrature error compensation |
| US9540230B2 (en) | 2011-06-27 | 2017-01-10 | Invensense, Inc. | Methods for CMOS-MEMS integrated devices with multiple sealed cavities maintained at various pressures |
| US8824706B2 (en) | 2011-08-30 | 2014-09-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Piezoelectric microphone fabricated on glass |
| CN102337541A (zh) | 2011-09-23 | 2012-02-01 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种制作锥形穿硅通孔时采用的刻蚀方法 |
| KR20130037462A (ko) | 2011-10-06 | 2013-04-16 | 주식회사 포스코 | 몰드 보호 유닛 및 이를 구비하는 연속 주조 장치 |
| US8991247B2 (en) | 2011-10-21 | 2015-03-31 | The Regents Of The University Of California | High range digital angular rate sensor based on frequency modulation |
| US8884710B2 (en) | 2011-10-25 | 2014-11-11 | Invensense, Inc. | Gyroscope with phase and duty-cycle locked loop |
| CN102364671B (zh) | 2011-11-03 | 2013-07-24 | 中国科学院微电子研究所 | 制造硅通孔的方法 |
| US10390733B2 (en) | 2011-11-07 | 2019-08-27 | Lifelens Technologies, Llc | Metabolic and cardiopulmonary monitor |
| US9062972B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-06-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis accelerometer electrode structure |
| CN104272062B (zh) | 2012-02-01 | 2016-05-18 | 快捷半导体公司 | 微机电系统(mems)多轴陀螺仪z轴电极结构 |
| US8978475B2 (en) | 2012-02-01 | 2015-03-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS proof mass with split z-axis portions |
| US8754694B2 (en) | 2012-04-03 | 2014-06-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Accurate ninety-degree phase shifter |
| CN203301454U (zh) | 2012-04-03 | 2013-11-20 | 快捷半导体(苏州)有限公司 | 电子电路 |
| KR102034604B1 (ko) | 2012-04-04 | 2019-10-21 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | Ａｓｉｃ 집적 캐패시터를 구비한 미소 기전 시스템 가속도계의 자가 테스트 |
| US8742964B2 (en) | 2012-04-04 | 2014-06-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Noise reduction method with chopping for a merged MEMS accelerometer sensor |
| KR102045784B1 (ko) | 2012-04-04 | 2019-11-18 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | 병합된 미세 전자기계 가속도계 센서에 대한 초핑을 이용하는 노이즈 감소 방법 |
| US9488693B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-11-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors |
| KR20130113386A (ko) | 2012-04-05 | 2013-10-15 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | Ａｓｉｃ 집적 캐패시터를 구비한 미소 기전 시스템 자이로스코프의 자가 테스트 |
| EP2648334B1 (en) | 2012-04-05 | 2020-06-10 | Fairchild Semiconductor Corporation | Mems device front-end charge amplifier |
| EP2647955B8 (en) | 2012-04-05 | 2018-12-19 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device quadrature phase shift cancellation |
| US9069006B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-06-30 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors |
| EP2647952B1 (en) | 2012-04-05 | 2017-11-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Mems device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive |
| KR101999745B1 (ko) | 2012-04-12 | 2019-10-01 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | 미세 전자 기계 시스템 구동기 |
| US9625272B2 (en) | 2012-04-12 | 2017-04-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS quadrature cancellation and signal demodulation |
| DE102013014881B4 (de) | 2012-09-12 | 2023-05-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Verbesserte Silizium-Durchkontaktierung mit einer Füllung aus mehreren Materialien |
| CN104919275B (zh) * | 2012-12-12 | 2018-01-26 | 加利福尼亚大学董事会 | 频率读出陀螺仪 |
| ITTO20130013A1 (it) * | 2013-01-09 | 2014-07-10 | St Microelectronics Srl | Giroscopio microelettromeccanico con compensazione di componenti di segnale di quadratura e metodo di controllo di un giroscopio microelettromeccanico |
| US9644963B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-05-09 | Fairchild Semiconductor Corporation | Apparatus and methods for PLL-based gyroscope gain control, quadrature cancellation and demodulation |
| KR101462772B1 (ko) * | 2013-04-12 | 2014-11-20 | 삼성전기주식회사 | 직각 위상 에러 제거수단을 갖는 자가발진 회로 및 그를 이용한 직각 위상 에러 제거방법 |
| US9360319B2 (en) | 2013-09-05 | 2016-06-07 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multiple sense axis MEMS gyroscope having a single drive mode |
| US9404747B2 (en) | 2013-10-30 | 2016-08-02 | Stmicroelectroncs S.R.L. | Microelectromechanical gyroscope with compensation of quadrature error drift |
-
2013
- 2013-04-11 US US13/860,780 patent/US9625272B2/en active Active
- 2013-04-12 CN CN2013201862923U patent/CN203349834U/zh not_active Withdrawn - After Issue
- 2013-04-12 EP EP13001918.5A patent/EP2650643B1/en active Active
- 2013-04-12 CN CN201310128046.7A patent/CN103376102B/zh active Active
- 2013-04-12 KR KR1020130040643A patent/KR102030506B1/ko active Active
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9856132B2 (en) | 2010-09-18 | 2018-01-02 | Fairchild Semiconductor Corporation | Sealed packaging for microelectromechanical systems |
| US10050155B2 (en) | 2010-09-18 | 2018-08-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive |
| US9278846B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-03-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor |
| US9278845B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-03-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure |
| US9352961B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-05-31 | Fairchild Semiconductor Corporation | Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices |
| US9246018B2 (en) | 2010-09-18 | 2016-01-26 | Fairchild Semiconductor Corporation | Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive |
| US10065851B2 (en) | 2010-09-20 | 2018-09-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor |
| US9488693B2 (en) | 2012-04-04 | 2016-11-08 | Fairchild Semiconductor Corporation | Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors |
| US9444404B2 (en) | 2012-04-05 | 2016-09-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device front-end charge amplifier |
| US9618361B2 (en) | 2012-04-05 | 2017-04-11 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive |
| US10060757B2 (en) | 2012-04-05 | 2018-08-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS device quadrature shift cancellation |
| US9625272B2 (en) | 2012-04-12 | 2017-04-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS quadrature cancellation and signal demodulation |
| CN103376102A (zh) * | 2012-04-12 | 2013-10-30 | 快捷半导体(苏州)有限公司 | Mems正交消除和信号解调 |
| CN103376102B (zh) * | 2012-04-12 | 2016-02-03 | 快捷半导体(苏州)有限公司 | 消除mems设备信号的正交误差的方法、装置和系统 |
| US9802814B2 (en) | 2012-09-12 | 2017-10-31 | Fairchild Semiconductor Corporation | Through silicon via including multi-material fill |
| US9644963B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-05-09 | Fairchild Semiconductor Corporation | Apparatus and methods for PLL-based gyroscope gain control, quadrature cancellation and demodulation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9625272B2 (en) | 2017-04-18 |
| CN103376102A (zh) | 2013-10-30 |
| EP2650643B1 (en) | 2019-12-11 |
| KR102030506B1 (ko) | 2019-10-10 |
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Granted publication date: 20131218 Effective date of abandoning: 20160203 |
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| AV01 | Patent right actively abandoned |
Granted publication date: 20131218 Effective date of abandoning: 20160203 |
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| C25 | Abandonment of patent right or utility model to avoid double patenting |