CN1900363B - 清洗液及其用途 - Google Patents
清洗液及其用途 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1900363B CN1900363B CN200510027989.6A CN200510027989A CN1900363B CN 1900363 B CN1900363 B CN 1900363B CN 200510027989 A CN200510027989 A CN 200510027989A CN 1900363 B CN1900363 B CN 1900363B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning solution
- cleaning
- metal
- molecular weight
- balance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
- C11D3/0073—Anticorrosion compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/37—Polymers
- C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C11D3/3757—(Co)polymerised carboxylic acids, -anhydrides, -esters in solid and liquid compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/16—Metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种清洗液,其包括至少一种载体,其中还包括一种金属防腐抑制剂;本发明还公开了所述的清洗液在清洗金属衬底中的用途。与典型的清洗液相比,本发明提供的清洗液大大降低了金属材料的腐蚀程度,从而具有如下优点:(1)使得金属表面的缺陷率明显下降;(2)大大改善金属表面的平坦度;(3)提高产品质量,增加收益率,(4)提高清洗效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种清洗液及其用途,尤其涉及一种清洗集成电路晶片的清洗液。
背景技术
现有技术中典型的清洗液主要是去离子水、过氧化氢溶液和稀氨水等,这些清洗液主要用于清洗前序工艺中的残留液。该前序工艺比如是:1)化学机械抛光工艺,经过化学机械抛光后的金属表面会残留少量的抛光液;2)刻蚀去强光阻工艺,该工艺之后也会残留去强光阻液;3)沉积工艺以及其他工艺等等。其中的残留液被清洗干净后,但金属表面的腐蚀仍然存在。金属表面的腐蚀会影响金属表面平坦度,也使缺陷水平居高不下,从而降低产品良率和收益率。
一些清洗液已被公开,如美国专利US2004/0204329,US2003/0216270,US2004/0082180,US6147002,US6443814,US6719614,US6767409,US6482749等,其都是关于清洗液或清洗液的使用方法。如专利US6147002中的清洗液是关于一种酸性水溶液的清洗液,其还包括0.5~5重量%的含氟物质,该清洗液适合于清洗铜金属半导体晶片的集成电路元器件。但上述专利中的清洗液,或是含有毒性物质,对环境不友善;或是清洗效率不够高等缺陷;或是清洗使用范围窄,例如US6443814专利的清洗液只能够清洗含铜金属层的晶片。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述问题,提供一种清洗液。
一种清洗液,其包括至少一种载体,其还包括一种金属防腐抑制剂。
其中,所述的金属防腐抑制剂较佳地为多聚羧酸和/或其盐。
所述的多聚羧酸和/或其盐较佳地为聚丙烯酸类化合物和/或其盐。
所述的多聚羧酸较佳地为聚丙烯酸类化合物,或者为丙烯酸类化合物与苯乙烯的共聚化合物,或者为丙烯酸类化合物与顺丁烯二酸酐的共聚化合物,或者为丙烯酸类化合物与丙烯酸酯类的共聚化合物,它们分子量在2,000~1,000,000之间,较佳地在10000~500000之间。
所述的多聚羧酸和/或其盐优选式I化合物:
式I
其中,R1、R2独自地为氢原子或碳原子数小于3的烷基,R3为H、K、Na或NH4。
所述的聚丙烯酸类化合物和/或其盐更优选聚丙烯酸,其分子量优选为10,000~30,000。
本发明的清洗液还可以包括pH调节剂。
本发明的清洗液还较佳地包括含氮杂环化合物,以进一步提高清洗效果。
所述的含氮杂环化合物优选苯并三唑、吡唑和/或咪唑,更优选苯并三唑。
所述的载体较佳地为醇类和/或水,所述的醇类可以是丙三醇。
在本发明的清洗液中,该金属防腐抑制剂的质量浓度较佳地为0.0001~20%,该载体为余量。
本发明的另一目的是提供所述的清洗液在金属衬底中的用途,所述的金属衬底为铝、铜、钽、氮化钽、钛、氮化钛、银、金,优选铝。
本发明的积极进步效果在于:与典型的清洗液相比,本发明提供的清洗液大大降低了金属材料的腐蚀程度,从而具有如下优点:(1)使得金属表面的缺陷率明显下降;(2)大大改善金属表面的平坦度;(3)提高产品质量,增加收益率,(4)提高清洗效率。
附图说明
图1A为使用去离子水清洗液清洗后的金属表面的扫描电子显微镜(SEM)图;
图1B为使用本发明的清洗液清洗后的金属表面的SEM图;
图2A为使用去离子水清洗后的金属表面粗糙度的原子力显微镜(AFM)图;
图2B为使用本发明的清洗液清洗后的金属表面粗糙度的原子力显微镜图;
图3A为使用去离子水进行刷清洗后的金属铝表面的光学显微镜暗场图,图中的黑底为金属铝,白圆点为腐蚀;
图3B为使用本发明的清洗液进行刷清洗后的金属铝表面的光学显微镜暗场图。
具体实施方式
实施例1
将含有800ppm聚丙烯酸(分子量为30,000)和水为余量的清洗液(pH=5.3)清洗用化学机械抛光液抛光后的铝金属表面。(1)化学机械抛光液抛光铝金属的工艺为:下压力1psi、抛光盘的转速100rpm、抛光头转速105rpm、清洗液流速200ml/min、清洗时间1min;(2)然后再分别用去离子水及聚乙烯醇(PVA)滚刷和该清冼液及PVA滚刷对晶片上的铝金属表面进行刷洗1min,滚刷转速为100rpm;(3)再取出用去离子水及PVA滚刷刷洗1min。清洗结果见图1B。
结果显示,与使用去离子水清洗液清洗的晶片(如图1A)相比较,使用本发明的清洗液清洗后的金属表面(如图1B)的缺陷率明显下降,金属表面的平坦度得到改善。
实施例2
将含有600ppm聚丙烯酸(分子量为30,000)、500ppmBTA(苯丙三唑)和水为余量的清洗液(pH=4.3)清洗用化学机械抛光液抛光后的铝金属表面。(1)化学机械抛光液抛光铝金属的工艺为:下压力1psi、抛光盘的转速100rpm、抛光头转速105rpm、清洗液流速200ml/min、清洗时间1min;(2)然后再分别用去离子水及聚乙烯醇(PVA)滚刷和该清冼液及PVA滚刷对晶片上的铝金属表面进行刷洗1min,滚刷转速为100rpm;(3)再取出用去离子水及PVA滚刷刷洗1min。清洗结果见图2B。
结果显示,用去离子水作清洗液清洗的晶片(如图2A)表面的粗糙度为3.72A,而使用本发明的清洗液清洗后的金属表面(如图2B)的粗糙度为3.00A,金属表面点蚀明显下降,金属表面的粗糙度得到改善。
实施例3
将含有1200ppm聚丙烯酸(分子量为30,000),500ppmBTA和水为余量的清洗液(pH=4.4)清洗用化学机械抛光液抛光后的晶片上的铝金属表面。(1)化学机械抛光液抛光铝金属的工艺为:下压力1psi、抛光盘的转速100rpm、抛光头转速105rpm、清洗液流速200ml/min;(2)然后再分别用去离子水及PVA滚刷和该清冼液及PVA滚刷对晶片上的铝金属表面进行刷洗1min,滚刷转速为100rpm;(3)刷洗后静置于离子水中30min;(4)再取出用去离子水及PVA滚刷刷洗1min。
结果表明:在步骤(2)中使用了本发明的含有金属防腐抑制剂的清冼液可以有效的防止金属铝的腐蚀(见图3A),而使用去离子水清洗的金属铝上有大量的腐蚀(见图3B)。
实施例4
将含有1200ppm聚丙烯酸(分子量为10,000),500ppmBTA和水为余量的清洗液(pH=4.6)清洗化学机械抛光液抛光后的铝金属表面。(1)化学机械抛光液抛光铝金属的工艺为:下压力1psi、抛光盘的转速100rpm、抛光头转速105rpm、清洗液流速200ml/min、清洗时间1min;(2)然后再分别用去离子水及PVA滚刷和该清冼液及PVA滚刷对晶片上的铝金属表面进行刷洗1min,滚刷转速为100rpm;(3)再取出用去离子水及PVA滚刷刷洗1min。
实施例5
将含有25ppm聚丙烯酸(分子量为30,000),500ppmBTA和水为余量的清洗液(pH=3.0)清洗用化学机械抛光液抛光后的铝金属表面。(1)化学机械抛光液抛光铝金属的工艺为:下压力1psi、抛光盘的转速100rpm、抛光头转速105rpm、清洗液流速200ml/min、清洗时间1min(2)然后再分别用去离子水及PVA滚刷和该清冼液及PVA滚刷对晶片上的铝金属表面进行刷洗1min,滚刷转速为100rpm;(3)再取出用去离子水及PVA滚刷刷洗1min。
实施例6
将含有10ppm聚丙烯酸(分子量为10,000),500ppmBTA和水为余量的清洗液(pH=3.0)清洗化学机械抛光液抛光后的铜金属表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为:下压力1psi、抛光盘的转速100rpm、抛光头转速105rpm、清洗液流速200ml/min、清洗时间1min;(2)然后再分别用去离子水及PVA滚刷和该清冼液及PVA滚刷对晶片上的铜金属表面进行刷洗1min,滚刷转速为100rpm;(3)再取出用去离子水及PVA滚刷刷洗1min。
实施例7
将含有20%聚丙烯酸(分子量为10,000),500ppmBTA和水为余量的清洗液(pH=7.4)清洗化学机械抛光液抛光后的铜金属表面。(1)化学机械抛光液抛光铜金属的工艺为:下压力1psi、抛光盘的转速100rpm、抛光头转速105rpm、清洗液流速200ml/min、清洗时间1min;(2)然后再分别用去离子水及PVA滚刷和该清冼液及PVA滚刷对晶片上的铜金属表面进行刷洗1min,滚刷转速为100rpm;(3)再取出用去离子水及PVA滚刷刷洗1min。
Claims (3)
1.一种清洗液,其包括至少一种载体,还包括一种金属防腐抑制剂,其特征在于,所述的金属防腐抑制剂为多聚羧酸和/或其盐,并包含一种含氮杂环化合物,其中所述清洗液具体为以下配方的一种:
含有800ppm分子量为30,000的聚丙烯酸和水为余量的清洗液,其pH=5.3;
含有600ppm分子量为30,000的聚丙烯酸、500ppmBTA(苯丙三唑)和水为余量的清洗液,其pH=4.3;
含有1200ppm分子量为30,000的聚丙烯酸,500ppmBTA和水为余量的清洗液,其pH=4.4;
含有1200ppm分子量为10,000的聚丙烯酸,500ppmBTA和水为余量的清洗液,其pH=4.6;
含有25ppm分子量为30,000的聚丙烯酸,500ppmBTA和水为余量的清洗液,其pH=3.0;
含有10ppm分子量为10,000的聚丙烯酸,500ppmBTA和水为余量的清洗液,其pH=3.0。
2.根据权利要求1所述的清洗液,其特征在于还包括pH调节剂。
3.如权利要求1所述的清洗液在金属衬底中的用途,其特征在于所述的金属衬底为铝、铜、钽、钛、银或金。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200510027989.6A CN1900363B (zh) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 清洗液及其用途 |
| PCT/CN2006/001701 WO2007009364A1 (fr) | 2005-07-21 | 2006-07-17 | Solution detergente et son utilisation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200510027989.6A CN1900363B (zh) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 清洗液及其用途 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012105755386A Division CN103060831A (zh) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 清洗液及其用途 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1900363A CN1900363A (zh) | 2007-01-24 |
| CN1900363B true CN1900363B (zh) | 2016-01-13 |
Family
ID=37656342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200510027989.6A Expired - Lifetime CN1900363B (zh) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 清洗液及其用途 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1900363B (zh) |
| WO (1) | WO2007009364A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101290482A (zh) * | 2007-04-19 | 2008-10-22 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液 |
| CN101412950A (zh) * | 2007-10-19 | 2009-04-22 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种等离子刻蚀残留物清洗液 |
| CN101842747B (zh) * | 2007-11-02 | 2012-07-25 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种半导体晶圆金属基材腐蚀防护液及其使用方法 |
| CN101424887A (zh) * | 2007-11-02 | 2009-05-06 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种半导体晶圆金属基材腐蚀防护液及其使用方法 |
| CN101614971B (zh) * | 2008-06-27 | 2013-06-12 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种光刻胶清洗剂 |
| CN102296294B (zh) * | 2010-06-25 | 2016-01-20 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种金属腐蚀保护液及其应用 |
| CN103882444A (zh) * | 2012-12-19 | 2014-06-25 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种清洗液及其应用 |
| CN104894575A (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-09 | 南京科技职业学院 | 化工设备用脱脂剂 |
| GB202307012D0 (en) * | 2023-05-11 | 2023-06-28 | Innospec Ltd | Use, method and composition |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1086521A (zh) * | 1992-10-08 | 1994-05-11 | 罗姆和哈斯公司 | 链结合的聚合物组合物 |
| CN1221810A (zh) * | 1997-11-28 | 1999-07-07 | 日本电气株式会社 | 清洗衬底的方法和清洗液 |
| US6350560B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-02-26 | Shipley Company, L.L.C. | Rinse composition |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6297336B1 (en) * | 1998-07-02 | 2001-10-02 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Detergent builder, production process therefor, and poly(meth)acrylic acid (or salt) polymer and use thereof |
| JP2001185516A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Kao Corp | 研磨助剤 |
| TW575660B (en) * | 2001-09-07 | 2004-02-11 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | Nonflammable water-based cutting fluid composition and nonflammable water-based cutting fluid |
| CN1242039C (zh) * | 2003-09-29 | 2006-02-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体晶片的清洗液及清洗方法 |
-
2005
- 2005-07-21 CN CN200510027989.6A patent/CN1900363B/zh not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-07-17 WO PCT/CN2006/001701 patent/WO2007009364A1/zh not_active Ceased
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1086521A (zh) * | 1992-10-08 | 1994-05-11 | 罗姆和哈斯公司 | 链结合的聚合物组合物 |
| CN1221810A (zh) * | 1997-11-28 | 1999-07-07 | 日本电气株式会社 | 清洗衬底的方法和清洗液 |
| US6350560B1 (en) * | 2000-08-07 | 2002-02-26 | Shipley Company, L.L.C. | Rinse composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2007009364A1 (fr) | 2007-01-25 |
| CN1900363A (zh) | 2007-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI507521B (zh) | 銅鈍化之後段化學機械拋光清洗組成物及利用該組成物之方法 | |
| TWI726859B (zh) | 後化學機械拋光配方及使用之方法 | |
| US7678605B2 (en) | Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials | |
| US9920287B2 (en) | Cleaning composition and cleaning method | |
| TW200538544A (en) | Alkaline post-chemical mechanical planarization cleaning compositions | |
| WO2021210310A1 (ja) | 処理液、化学的機械的研磨方法、半導体基板の処理方法 | |
| CN104093824B (zh) | 包含具体含硫化合物和糖醇或多元羧酸的化学机械抛光后的清洗组合物 | |
| US9058976B2 (en) | Cleaning composition and process for cleaning semiconductor devices and/or tooling during manufacturing thereof | |
| TW202026413A (zh) | 用來移除表面殘餘物的清洗調配物及使用其之方法 | |
| CN108431931B (zh) | 用于化学机械抛光后清洁的组合物 | |
| JP4736445B2 (ja) | 半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法 | |
| WO2021005980A1 (ja) | 組成物、キット、基板の処理方法 | |
| CN1900146B (zh) | 化学机械抛光液 | |
| CN1900363B (zh) | 清洗液及其用途 | |
| WO2011060616A1 (zh) | 一种化学机械抛光液及其应用 | |
| WO2011069345A1 (zh) | 一种化学机械抛光浆料及其应用 | |
| CN102516879A (zh) | 一种抑制相变材料电化学腐蚀的抛光液 | |
| JP2003119494A (ja) | 洗浄組成物およびこれを用いた洗浄方法と洗浄装置 | |
| CN102560519B (zh) | 一种金属防腐清洗液 | |
| JP3402365B2 (ja) | 防食剤 | |
| CN101130876A (zh) | 用于半导体制程中的金属防腐蚀清洗液 | |
| WO2021210308A1 (ja) | 洗浄液、洗浄方法 | |
| US8067352B2 (en) | Aqueous cleaning composition for semiconductor copper processing | |
| JP2024018964A (ja) | 処理液、被対象物の処理方法、及び、半導体デバイスの製造方法 | |
| TWI394866B (zh) | 積體電路晶片清洗液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20160113 |