CN1618135A - 半导体膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明(图1)针对半导体膜及其制备方法。根据本发明的工艺，使半导体有机材料和多成分溶剂混合物相混合，并且混合物被淀积在接收材料上以提供连续高度有序的膜，该膜比在相同的处理条件下用单一溶剂/半导体材料混合物产生的膜具有更大的周期性。

Description

半导体膜及其制备方法

技术领域

本发明涉及半导体膜及其制备方法。更具体地，半导体有机材料与具有在所定义范围内的复合极性的多成分溶剂混合物相混合。半导体有机材料和多成分混合溶剂的混合物有效用于提供一种具有改善的迁移率的高度有序的半导体膜以及用于提供一种具有改善的导通/截止比率特性的器件。

背景技术

有机半导体材料的薄膜用于制造有机场效应晶体管(OFET)。OFET的性能通过例如迁移率的参数来测量并且部分取决于半导体膜的分子取向。像界面结构、分子排序的程度和薄膜的取向这样的因素影响膜特性。

半导体膜的排序又取决于怎样淀积薄膜。一般认为增加分子排序的总量，例如通过降低晶界电阻，或提高长距离分子排序，使例如电子或空穴的电荷载流子以更有效地移动。这样能增加膜的迁移率特性。

提供理想均匀性和厚度的廉价膜的淀积技术不必提供实际、有效的制造技术或提供表现必要所需的迁移率和用于薄膜晶体管的其它必要功能特征的半导体膜。例如，容许缓慢变干的溶剂铸膜当引入OFET时常常表现出相对高的迁移率。可惜，设想快速有效制造生产的一些淀积技术不容易使溶剂缓慢蒸发。例如，尽管旋涂法能产生相对均匀的薄湿膜，但溶剂常常相对快速地留下膜，通常导致低程度的分子排序。

需要昂贵的工艺来产生高度有序的有机半导体膜。在有机膜晶体管(OFET)中作为有源层的有机聚合物半导体膜的有效性取决于这种膜的性能以形成高度有序的自聚集(self-assembled)层。这些聚合物在普通溶剂中具有低溶解度，而落在溶剂极性的窄范围内的溶剂中溶解到有效的程度。这使用于OFET制造的处理窗变窄。此外，在膜形成期间，溶剂的快速损耗驱使工艺远离其热力平衡，结果产生劣质膜结构(例如，短的B-结合长度)。

过去，具有低极性的溶剂用于制备OFET中的有源层。这些溶剂由于它们的高汽压在膜形成工艺期间非常快速地蒸发。在膜形成工艺期间，在当溶剂开始蒸发的初期开始胶凝作用。如果溶剂在处理温度处具有非常高的汽压，那么通过出现在很早的处理阶段表面波度和链构造来判断最终的膜质量。这种结构具有非常短的B结合长度，从而降低迁移率并且影响OFET应用中这种膜的全部性能。

附图说明

图1示出了不同聚(3-己基噻吩-2，5-二基)膜(P3HT)【poly(3-hexylthiophene-2，5-diyl)】的UV-VIS光谱；膜1是氯仿中的P3HT；膜2是氯仿和甲苯中的P3HT；膜3是甲苯中的P3HT。该图表明使用二元溶剂体系形成的膜具有更局限的排序。

图2示例了从二元溶剂配方中形成的区规则的聚(3-己基噻吩-2，5-二基)OFET的测量输出特性。在标绘图中示出了外加栅极电压。该图表明所制造的OFET器件证明场效应性能随栅极电压而变化。

图3示例了从三元溶剂配方中形成的区规则的聚(3-己基噻吩-2，5-二基)OFET的测量输出特性。该图表明OFET证实了调幅。

具体实施方式

本发明针对半导体膜及其制备方法。本发明的方法提供一种使用标准应用技术能被淀积在接收衬底上的半导体有机材料/多成分混合溶剂，以提供一种具有增强半导体参数的半导体膜。涂敷到接收衬底上的半导体有机材料/多成分混合溶剂有效用于提供一种具有大约至少10^-3cm²/V-s的迁移率的高度有序的半导体膜以及有效用于提供一种具有大于大约1000的导通/截止比率的器件，如果在用一种溶剂的相同条件下涂敷这种材料，那么相对于相同的半导体材料，本发明的每个值都是更大的。

根据本发明的工艺，用至少两种成分混合物的多成分溶剂混合物混合半导体有机材料以提供一种溶液或溶剂混合物中材料的扩散。在本发明的一个重要方案中，混合物是两种溶剂的混合物或是水和至少两种溶剂的混合物以及还可能有在混合物中可扩散的另一种成分。半导体有机材料和多成分溶剂混合物的混合物淀积在接收材料上以提供一种连续高度有序的膜，在相同处理条件下连续高度有序的膜具有比用单一溶剂/半导体材料混合物生产的膜更大的周期性。另人惊异地，在相同处理条件下，本发明的膜具有比使用上述的单一溶剂生产的膜更好的性能特征。对于在相同处理条件下淀积相同半导体有机材料为相同厚度而使用单一溶剂生产的膜，本发明的膜和含有本发明的膜的器件具有改进的迁移率和至少大约20％并且直到大约100,000％的导通/截止比率。

在本发明的一个重要方案中，半导体有机材料包括至少一种结合的低聚物、聚合物或共聚物，共聚物含有结合B的半族的部分或其它半导体不饱和有机材料。半导体有机材料与多成分溶剂混合物相混合，以与在相同处理条件下使用在相同总量的混合物中混合物的仅仅一种溶剂形成的半导体膜和器件相比，有效用于提供一种具有改进的迁移率和/或导通/截止比率的性能的半导体膜和器件，其中半导体有机材料和溶剂按重量对体积比。通常，半导体有机材料重量对多成分溶剂混合物体积比从大约0.025重量对体积百分比到大约60.0重量对体积百分比。有效用于本发明中的半导体有机材料的例子包括聚噻吩、低噻吩、烷基取代蒽并二噻吩、烷基取代萘并二噻吩、稠环四羧酸二酰亚胺、蒽2，3，6，7-四羧酸二酰亚胺、聚苯胺、聚(亚苯基-次亚乙烯基)、聚(噻吩基-次亚乙烯基)、并五苯、酞菁配位化合物及其混合物。

选择在多成分溶剂混合物中的溶剂以提供从大约0.1至大约1.0的有效复合极性(N_m)。具有在该范围内的复合极性的成分的混合物有效用于提供更加高度有序并且与用单一溶剂产生的膜相比具有更大的周期性的膜。有效用于本发明中的溶剂的例子包括、但不局限于：二甲苯、苯、甲苯、丙酮、2-丁酮、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、t-丁醇、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、水和四氢呋喃。

半导体有机材料和多成分溶剂混合物的混合物提供一种可以涂敷到接收材料上来形成半导体膜的半导体有机材料/多成分溶剂混合物。使用本领域所公知的方法，例如旋涂法、微接触印刷、偏置印刷、丝网印刷、橡皮版印刷、浸渍法、喷注法或散布法，使半导体有机材料/多成分溶剂混合物涂敷到接收材料上，例如刚性或柔性衬底。在淀积半导体有机材料/多成分溶剂混合物在接收衬底上之后，除去溶剂。在一个重要的方案中，本发明的工艺不需要特别的温度控制或温度变化的速率的控制。在本发明的该方案中，处理可以在大约10℃至大约100℃之间的温度进行并且仍提供最佳的膜特性。

在本发明的一个重要方案中，半导体有机材料是区规则聚合物。区规则聚合物是包括有效用于提供立体化学(steriochemical)刚度的聚合物中枢的替代物的聚合物，立体化学刚度防止该聚合物折叠或卷弯。区规则聚合物的例子包括聚合(3-烷基噻吩)和取代聚苯胺。

定义

“迁移率”是当膜受到电场时、膜中平均载流子漂移速度的估计值。

“导通/截止”比率表示当求晶体管对源-漏电流为“导通”时对晶体管为“截止”时的源-漏电流的比值的时候所计算的值。

“半导体有机材料”表示当淀积在衬底上、并提供超过大约10^-3cm²/V-s的迁移率以及有效用于提供具有大于大约1000的导通/截止比率的器件的有机材料。

“扩散”表示组成成分必须包括液体和在能用光散射探测到的液体中的颗粒。

针对半导体有机材料/溶剂混合物的“已溶解”表示已溶解的材料在液体中不以颗粒的形式存在，其中大于单分子的颗粒通过光散射是可探测的。

“可溶性的”表示能部分或完全溶解在液体中的液体或固体。

“接收材料”或“衬底”表示、但不局限于：形成导体、电介质或有源层的任何材料。

“B-结合”表示在分子中枢上方的电子的移位，例如，由交互C-C和C＝C构成的体系表明广泛的B-结合。

半导体有机材料

有效用于本发明的半导体有机材料的例子包括聚噻吩，例如聚(3-烷基噻吩)、聚(3-己基噻吩)、聚(3-十二烷基噻吩)、聚(3-烷基噻吩-2，5-二基)，例如六噻吩的低噻吩、例如2，8-双六蒽并二噻吩和2，8-双八乙酸蒽并二噻吩的烷基取代蒽并二噻吩、例如2，8-双六萘并二噻吩和2，8-双八乙酸萘并二噻吩的烷基取代萘并二噻吩、例如萘-1，4，5，8-四羧酸二酰亚胺和蒽2，3，6，7-四羧酸二酰亚胺的稠环四羧酸二酰亚胺、聚苯胺、聚(亚苯基-次亚乙烯基)、聚(噻吩基-次亚乙烯基)、并五苯、酞菁配位化合物，其中配位的离子可以是但不局限于铂(Pt)、铜(Cu)、锌(Zn)、镍(Ni)、锡(Sn)、铁(Fe)、或氢(H₂)。如此处所使用的，烷基指C₁至C₄烷基并且烷氧基指C₁至C₄烷氧基。

在本发明的一个方案中，通过在一定量中接融烷基和/或烷氧基支链可以修改半导体有机材料，有效用于增强半导体有机材料在溶剂混合物中的均匀分布。均匀分布或已均匀分布的表示半导体有机材料是溶液或悬漂液，其中材料几乎溶解于溶剂的混合物中，或半导体有机材料在溶剂的混合物中形成悬浮物。本领域的技术人员能够验明化学修改路径，例如，使烷基或烷氧基链接融到能够使半导体有机材料均匀分散在载体中的半导体有机材料上。

溶剂和其它成分

在一组给定的处理条件下，以相关的溶剂和成分极性以及汽压为基础用公式表达本发明的多成分溶剂混合物。根据本发明，基于下列条件可以选择溶剂和其它成分：

$\underset{i=1}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}{N}_i{\mathrm{\χ}}_i=N_m---0.1\#N_m\#1.0$

其中N_i和χ_i分别是第i种成分的相关溶剂极性和摩尔分数。用于N_m的值的范围取决于半导体有机材料的化学结构。溶剂和其它成分的选择还取决于对于给定制造工艺和处理条件所需的汽压和流变性质。

在本发明的一个重要方案中，多成分溶剂混合物可以是至少两种有机溶剂的混合物。可选择地，多成分溶剂混合物可以包括至少一种有机溶剂和/或水的混合物以及如下所述的无机混合物。

下面列出有效用于本发明中的溶剂的一些例子。

溶剂	相对溶剂极性
		二甲苯	0.074
苯	0.111
		甲苯	0.099
丙酮	0.355
		2-丁酮	0.327
甲醇	0.762
		乙醇	0.654
1-丙醇	0.617
		2-丙醇	0.546
1-丁醇	0.602
		t-丁醇	0.389
亚甲基氯化物(二氯甲烷)	0.309
		氯仿	0.295
四氯化碳	0.052
		四氢呋喃	0.207

可以用作多成分溶剂混合物中的成分的无机混合物的一些例子包括氯化钠、硝酸钠、水、硼酸钾、硼酸钠、氟硅酸钠、氟硅酸镁、氟硅酸铵、次氯酸钙、碳化钙。

用于形成有机半导体膜的工艺

通过涂敷由均匀分散在溶剂混合物中的半导体有机材料构成的溶液到接收结构上来形成一层有机半导体材料的膜(有时简称为有源半导体层)。均匀分散半导体材料以最小化用于膜不连续性的可能是非常重要的。使用本领域中公知的常规溶液处理技术，例如旋涂法、微接触印刷、偏置印刷、丝网印刷、橡皮版印刷、浸渍法、喷注法或散布法，以淀积将要产生小于大约100微米厚的已处理膜的一定体积的溶液。选择厚度，以便产生不具有带隙或孔的均匀膜。在淀积溶液之后，使溶液受到以一定速率除去溶剂混合物的处理，有效用于提供具有产生最佳半导体特性(例如高迁移率)的结构的膜。该结构能够受到随后的热操作规程以提高膜体结构特性。基于半导体有机材料/溶剂混合物来确定热操作规程。

膜体结构

通过本发明的方法形成的淀积膜具有能够使载流子(电子或空穴)不受阻碍的移动的长距离结构排序和周期性。淀积膜具有超过大约10^-3cm²/V-s的迁移率并且有效用于提供具有大于大约1000的导通/截止比率的器件。在本发明的一个方案中，淀积膜和器件包括具有改进迁移率和超过在相同处理条件用单一溶剂生产的膜大约20％以上的导通/截止比率的膜，在另一个方案中具有大约50％的改进，在另一个方案中是大约80％的改进，在另一个方案中是大约100％的改进，并且在另一个方案中是大约100,000％的改进。

淀积半导体有机膜必须物理接触至少两个间隔远离的接触点，并且必须跨越该间距的全部长度以产生用于载流子移动穿通一部分半导体膜的路径。膜应基本上无消极影响半导体材料的迁移特性的带隙或孔。

下列例子示例了用于执行本发明的方法，并应明白下列例子是用于示例附加权利要求所限定的本发明的范围，而不局限于此。

实例

例1：二元溶剂体系

由0.5毫克区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)构成的二元混合物(1∶5)在40-65℃的温度下溶解于3毫升氯仿中。用15毫升甲苯稀释所产生的溶液并且冷却到25℃的温度。用于该体系的_m为0.125。发现该溶液是稳定的并且在处理期间不沉淀任何溶解物。当通过溶剂蒸发使用该溶液形成半导体膜时，蒸发速率要使其能够形成聚集、连续的膜而没有任何缺陷。当与由单一溶剂体系(氯仿)中形成的膜相比时，发现由n种成分溶剂体系形成的膜具有更好的电特性。

在图1中，膜2显示出具有表明膜中改进的局部排序的明显电子振动细微结构(谷肩在600nm附近)的～10nm的红移。图2是使用本发明的膜所制作的器件的I-V曲线。当与用单一溶剂体系制造的器件相比时，器件迁移率为更加高的数量级排序的～0.013cm²/V-s。

例2：三元溶剂体系

使用氯仿、四氢呋喃(THF)和并二甲苯的三元溶剂1∶1∶4混合物来溶解聚(3-己基噻吩-2，5-二基)以形成溶液。用于该三元溶剂体系的N_m为0.126。当与用单一溶剂体系形成的膜相比时，发现该膜具有更好的局部排序。图3中示出使用该体系得到的I-V特性。当与由单一溶剂体系形成的晶体管相比，饱和时段起始于较低的栅极电压。

本领域技术人员经过本发明上述详细的介绍的思考，预计产生众多的修改和变化。因此，要把这样的修改和变化包含在下述权利要求的范围内。

Claims (49)

1.一种用于产生半导体膜的工艺，所述工艺包括：

使半导体有机材料和多成分溶剂混合物相混合；以及

涂敷所述半导体有机材料/多成分溶剂混合物到接收材料上以形成半导体膜，

所述半导体膜比仅用多成分溶剂混合物中的一种溶剂产生的半导体膜具有更高的迁移率，所述半导体膜有效用于提供一种器件，该器件比含有用多成分溶剂混合物中的仅仅一种溶剂产生的半导体膜的器件具有更高的导通/截止比率。

2.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体膜具有至少大约10^-3cm²/V-s的迁移率并且器件具有大于大约1000的导通/截止比率。

3.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，按照从大约0.025重量对体积百分比至大约60重量对体积百分比，使半导体有机材料与多成分溶剂混合物相混合。

4.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物具有从大约0.1至大约1.0的有效复合极性。

5.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，从由聚噻吩、低噻吩、烷基取代蒽并二噻吩、烷基取代萘并二噻吩、稠环四羧酸二酰亚胺、蒽2，3，6，7-四羧酸二酰亚胺、聚苯胺、聚(亚苯基-次亚乙烯基)、聚(噻吩基-次亚乙烯基)、并五苯、酞菁配位化合物及其混合物构成的组中选择所述半导体有机材料。

6.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由二甲苯、苯、甲苯、丙酮、2-丁酮、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、t-丁醇、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、水、四氢呋喃及其混合物构成的组中选择的溶剂。

7.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿和甲苯。

8.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿、四氢呋喃和二甲苯。

9.根据权利要求1所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由氯化钠、硝酸钠、硼酸钾、硼酸钠、氟硅酸钠、次氯酸钙、碳化钙及其混合物构成的组中选择的成分。

10.一种用于产生半导体膜的工艺，所述工艺包括：

使半导体有机材料和多成分溶剂混合物相混合；以及

涂敷所述半导体有机材料/多成分溶剂混合物到接收材料上以形成半导体膜，

所述半导体膜具有至少大约10^-3cm²/V-s的迁移率并且所述半导体膜有效用于提供具有大于大约1000的导通/截止比率的器件。

11.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，按照从大约0.025重量对体积百分比至大约60重量对体积百分比，使半导体有机材料与多成分溶剂混合物相混合。

12.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物具有从大约0.1至大约1.0的有效复合极性。

13.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，从由聚噻吩、低噻吩、烷基取代蒽并二噻吩、烷基取代萘并二噻吩、稠环四羧酸二酰亚胺、蒽2，3，6，7-四羧酸二酰亚胺、聚苯胺、聚(亚苯基-次亚乙烯基)、聚(噻吩基-次亚乙烯基)、并五苯、酞菁配位化合物及其混合物构成的组中选择所述半导体有机材料。

14.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由二甲苯、苯、甲苯、丙酮、2-丁酮、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、t-丁醇、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、水、四氢呋喃及其混合物构成的组中选择的溶剂。

15.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿和甲苯。

16.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿、四氢呋喃和二甲苯。

17.根据权利要求10所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由氯化钠、硝酸钠、硼酸钾、硼酸钠、氟硅酸钠、次氯酸钙、碳化钙及其混合物构成的组中选择的成分。

18.一种用于产生半导体膜的工艺，所述工艺包括：

使半导体有机材料和具有从大约0.1至大约1.0的复合极性的多成分溶剂混合物相混合以形成半导体有机材料/多成分溶剂混合物；以及

涂敷所述半导体有机材料/多成分溶剂混合物到接收材料上以形成半导体膜。

19.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料/溶剂混合物包括从大约0.025重量对体积百分比至大约60重量对体积百分比的半导体有机材料与多成分溶剂混合物。

20.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体膜具有至少大约10^-3cm²/V-s的迁移率并且所述半导体膜有效用于提供具有大于大约1000的导通/截止比率的器件。

21.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，从由聚噻吩、低噻吩、烷基取代蒽并二噻吩、烷基取代萘并二噻吩、稠环四羧酸二酰亚胺、蒽2，3，6，7-四羧酸二酰亚胺、聚苯胺、聚(亚苯基-次亚乙烯基)、聚(噻吩基-次亚乙烯基)、并五苯、酞菁配位化合物及其混合物构成的组中选择所述半导体有机材料。

22.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由二甲苯、苯、甲苯、丙酮、2-丁酮、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、t-丁醇、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、水、四氢呋喃及其混合物构成的组中选择的溶剂。

23.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿和甲苯。

24.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿、四氢呋喃和二甲苯。

25.根据权利要求18所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由氯化钠、硝酸钠、硼酸钾、硼酸钠、氟硅酸钠、次氯酸钙、碳化钙及其混合物构成的组中选择的成分。

26.一种用于产生半导体膜的工艺，所述工艺包括：

混合从大约0.025重量对体积百分比至大约60重量对体积百分比的半导体有机材料与具有从大约0.1至大约1.0的复合有效极性的多成分溶剂混合物；以及

涂敷所述半导体有机材料/多成分溶剂混合物到接收材料上以形成半导体膜，

所述半导体膜具有至少大约10^-3cm²/V-s的迁移率并且所述半导体膜有效用于提供具有大于大约1000的导通/截止比率的器件。

27.根据权利要求26所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，从由聚噻吩、低噻吩、烷基取代蒽并二噻吩、烷基取代萘并二噻吩、稠环四羧酸二酰亚胺、蒽2，3，6，7-四羧酸二酰亚胺、聚苯胺、聚(亚苯基-次亚乙烯基)、聚(噻吩基-次亚乙烯基)、并五苯、酞菁配位化合物及其混合物构成的组中选择所述半导体有机材料。

28.根据权利要求26所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由二甲苯、苯、甲苯、丙酮、2-丁酮、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、t-丁醇、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、水、四氢呋喃及其混合物构成的组中选择的溶剂。

29.根据权利要求26所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿和甲苯。

30.根据权利要求26所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿、四氢呋喃和二甲苯。

31.根据权利要求26所述的用于产生半导体膜的工艺，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由氯化钠、硝酸钠、硼酸钾、硼酸钠、氟硅酸钠、次氯酸钙、碳化钙及其混合物构成的组中选择的成分。

32.一种半导体有机材料/多成分溶剂混合物，包括：半导体有机材料和多成分溶剂混合物，所述半导体有机材料和多成分溶剂混合物有效用于提供具有至少大约10^-3cm²/V-s的迁移率的半导体膜并且有效用于提供具有大于大约1000的导通/截止比率的器件。

33.根据权利要求32所述的混合物，其中，按照从大约0.025重量对体积百分比至大约60重量对体积百分比，使半导体有机材料与多成分溶剂混合物相混合。

34.根据权利要求32所述的混合物，其中，所述多成分溶剂混合物具有从大约0.1至大约1.0的有效复合极性。

35.根据权利要求32所述的混合物，其中，从由聚噻吩、低噻吩、烷基取代蒽并二噻吩、烷基取代萘并二噻吩、稠环四羧酸二酰亚胺、蒽2，3，6，7-四羧酸二酰亚胺、聚苯胺、聚(亚苯基-次亚乙烯基)、聚(噻吩基-次亚乙烯基)、并五苯、酞菁配位化合物及其混合物构成的组中选择所述半导体有机材料。

36.根据权利要求32所述的混合物，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由二甲苯、苯、甲苯、丙酮、2-丁酮、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、t-丁醇、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、水、四氢呋喃及其混合物构成的组中选择的溶剂。

37.根据权利要求32所述的混合物，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿和甲苯。

38.根据权利要求32所述的混合物，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿、四氢呋喃和二甲苯。

39.根据权利要求32所述的混合物，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由氯化钠、硝酸钠、硼酸钾、硼酸钠、氟硅酸钠、次氯酸钙、碳化钙及其混合物构成的组中选择的成分。

40、一种半导体膜，具有至少大约10^-3cm²/V-s的迁移率并且有效用于提供具有大于大约1000的导通/截止比率的器件，通过如下工艺形成所述半导体膜：

使半导体有机材料和多成分溶剂混合物相混合；以及

涂敷所述半导体有机材料/多成分溶剂混合物到接收材料上以形成半导体膜，所述半导体膜比在相同处理条件下由一种溶剂形成的相同半导体材料的膜具有至少大20％的迁移率，所述半导体膜有效用于提供一种器件，该器件比含有在相同处理条件下由一种溶剂形成的相同半导体材料的膜的器件具有高大约20％的导通/截止比率。

41.根据权利要求40所述的半导体膜，其中，按照从大约0.025重量对体积百分比至大约60重量对体积百分比，使半导体有机材料与多成分溶剂混合物相混合。

42.根据权利要求40所述的半导体膜，其中，所述多成分溶剂混合物具有从大约0.1至大约1.0的有效复合极性。

43.根据权利要求40所述的半导体膜，其中，从由聚噻吩、低噻吩、烷基取代蒽并二噻吩、烷基取代萘并二噻吩、稠环四羧酸二酰亚胺、蒽2，3，6，7-四羧酸二酰亚胺、聚苯胺、聚(亚苯基-次亚乙烯基)、聚(噻吩基-次亚乙烯基)、并五苯、酞菁配位化合物、及其混合物构成的组中选择所述半导体有机材料。

44.根据权利要求40所述的半导体膜，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由二甲苯、苯、甲苯、丙酮、2-丁酮、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、t-丁醇、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、水、四氢呋喃及其混合物构成的组中选择的溶剂。

45.根据权利要求40所述的半导体膜，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿和甲苯。

46.根据权利要求40所述的半导体膜，其中，所述半导体有机材料是区规则聚(3-己基噻吩-2，5-二基)，所述多成分溶剂混合物包括氯仿、四氢呋喃和二甲苯。

47.根据权利要求40所述的半导体膜，其中，所述多成分溶剂混合物包括从由氯化钠、硝酸钠、硼酸钾、硼酸钠、氟硅酸钠、次氯酸钙、碳化钙及其混合物构成的组中选择的成分。

48.一种半导体膜，包括半导体有机材料，所述半导体膜具有至少大约10^-3cm²/V-s的迁移率，所述半导体膜比在相同处理条件下由一种溶剂形成的相同半导体材料的膜具有至少大20％的迁移率。

49.根据权利要求48所述的半导体膜，其中，从由聚噻吩、低噻吩、烷基取代蒽并二噻吩、烷基取代萘并二噻吩、稠环四羧酸二酰亚胺、蒽2，3，6，7-四羧酸二酰亚胺、聚苯胺、聚(亚苯基-次亚乙烯基)、聚(噻吩基-次亚乙烯基)、并五苯、酞菁配位化合物及其混合物构成的组中选择所述半导体有机材料。

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