[go: up one dir, main page]

CN1670970A - 光电半导体元件 - Google Patents

光电半导体元件 Download PDF

Info

Publication number
CN1670970A
CN1670970A CNA2004100287205A CN200410028720A CN1670970A CN 1670970 A CN1670970 A CN 1670970A CN A2004100287205 A CNA2004100287205 A CN A2004100287205A CN 200410028720 A CN200410028720 A CN 200410028720A CN 1670970 A CN1670970 A CN 1670970A
Authority
CN
China
Prior art keywords
curved surface
optoelectronic semiconductor
lead frame
independent
annular curved
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100287205A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100338788C (zh
Inventor
苏宏元
翁仁群
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
By Tada Technology LLC
Original Assignee
Lite On Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lite On Technology Corp filed Critical Lite On Technology Corp
Priority to CNB2004100287205A priority Critical patent/CN100338788C/zh
Publication of CN1670970A publication Critical patent/CN1670970A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100338788C publication Critical patent/CN100338788C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及一种光电半导体元件，其包括多个导线架；多个独立芯片载体，这些独立芯片载体固定于这些导线架上；多个半导体芯片，固定于这些独立芯片载体上；第一导线架环状曲面，该环状曲面是用部分导线架以这些芯片为焦点所形成的；多个独立连接件，这些独立连接件是用部分导线架所形成的；及第二环状曲面，该环状曲面是将该第一导线架环状曲面由一封装体围绕、且以这些芯片为焦点所形成的。本发明的芯片载体为独立件，且为多层结构，其中间层为绝缘体，可以隔离芯片与导线架的导电性，将导电与传热途径分隔开来，从而当接合在金属散热器上时，不会有漏电危险。而且，本发明的连接件为多个独立件，可提供多个驱动电压不同的发光二极管串并联使用。

Description

光电半导体元件
技术领域
本发明涉及一种光电半导体元件，特别是应用于发光二极管的光电半导体元件。
背景技术
发光二极管是目前用途最广的光电半导体元件，其用途范围包含家电产品、医药仪器、交通标志、及其它需发光的仪器。目前许多开发发光二极管的厂商，都在努力改进发光二极管内部的元件，使得该发光二极管具备较突出的功能或发光效果。
如台湾专利号103269所示的光电半导体元件，其揭示一种辐射式发射和/或接收的半导体元件，其中有一可发射和/或接收辐射的半导体芯片固定在导线架形成的芯片载体上。其中一槽的内表面设计成一反射体，以辐射和/或接收光线，且芯片载体是导电与传热的共用途径。此外，半导体芯片和至少一部分芯片载体区域由封装所环绕。
请参阅图1，为公知的光电半导体元件的平面图，也是上述台湾专利的平面图。该元件包括一半导体芯片1；一槽4；多个凸出外部连接区11，及多个相对边凸出外部连接区12。
上述台湾专利具有下列缺点：
1.其导线架所形成的芯片载体，是导电与传热具有相同的途径，当芯片载体接合在金属散热器上时，会有漏电危险。
2.其连接件为单一件，再加上其芯片载体，仅能提供驱动电压相同的发光二极管并联使用。
发明内容
本发明提供一种光电半导体元件，包括多个导线架；多个独立芯片载体，这些独立芯片载体固定于这些导线架上；多个半导体芯片，固定于这些独立芯片载体上；第一导线架环状曲面，该环状曲面是用部分导线架以这些芯片为焦点所形成的；多个独立连接件，这些独立连接件是用部分导线架所形成的；及第二环状曲面，该环状曲面是将该第一导线架环状曲面由一封装体围绕、且以这些芯片为焦点所形成的。
根据上述构想，所述的独立芯片载体为多层结构。
根据上述构想，所述的独立芯片载体的上表层为导体，且形成电路回路以导通这些半导体芯片。
根据上述构想，所述的独立芯片载体的中间层为绝缘体，用以隔离该半导体芯片与这些导线架。
根据上述构想，所述的独立芯片载体的下表层可为导体或绝缘体。
根据上述构想，所述的第一导线架环状曲面的曲面表面涂布可增强反射的材料。
根据上述构想，所述的第一导线架环状曲面可为一抛物曲面或一椭圆曲面。
根据上述构想，所述的独立连接件，其部分位于该封装体内，作为这些半导体芯片的电性接点，另一部分突出该封装体，用以连接外部电路。
根据上述构想，所述的第二环状曲面的曲面表面可由高反射的材料构成或涂布可增强反射的材料。
根据上述构想，所述的第二环状曲面可为一抛物曲面或一椭圆曲面。
根据上述构想，所述的第二环状曲面的曲面为一光滑面。
根据上述构想，所述的元件还包括一光线可穿透的窗口，该窗口是由该第一环状曲面与该第二环状曲面连接所形成的。
根据上述构想，所述的窗口内置有这些半导体芯片与这些独立芯片载体。
根据上述构想，所述的窗口可盖上一透明的光学元件。
根据上述构想，所述的光学元件可为一凸面镜、一平面镜或凹面镜。
本发明相比现有技术具有如下优点：
本发明的芯片载体为独立件，且为多层结构，其中间层为绝缘体，可以隔离芯片与导线架的导电性，将导电与传热途径分隔开来，从而当接合在金属散热器上时，不会有漏电危险。而且，本发明的连接件为多个独立件，可提供多个驱动电压不相同的发光二极管串并联使用。
附图说明
图1为公知的光电半导体元件的平面图；
图2为本发明的光电半导体元件的平面图；及
图3为图2的线3-3所示的剖面图。
其中，附图标记说明如下：
1半导体芯片               4槽
6半导体芯片               8独立芯片载体
10第一导线架环状曲面      11凸出外部连接区
12相对边凸出外部连接区    14独立连接件
16封装体                  18第二环状曲面
20窗口                    22光学元件
具体实施方式
为了进一步阐明本发明为达到既定目的所采取的技术、手段及所获的功效，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，本发明的目的、特征与特点，可由此得到深入且具体的说明，然而附图及实施例仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
为了详述本发明的最佳实施例，请同时参阅图2及图3，图2为本发明的光电半导体元件的平面图，而图3为图2的线3-3所示的剖面图。本发明的光电半导体元件包括多个半导体芯片6，固定于独立芯片载体上；多个独立芯片载体8，这些独立芯片载体固定于导线架上，这些独立芯片载体为多层结构：其中该独立芯片载体的上表层为导体，且形成电路回路以导通这些半导体芯片；该独立芯片载体的中间层为绝缘体(未示出)，用以隔离该半导体芯片与这些导线架；其中该独立芯片载体的下表层可为导体或绝缘体。
第一导线架环状曲面10，该环状曲面是用部分导线架以这些芯片为焦点所形成的，该第一导线架环状曲面的曲面表面涂布可增强反射的材料，其中该第一导线架环状曲面可为一抛物曲面或一椭圆曲面；多个独立连接件14，这些独立连接件是用部分导线架所形成的，其部分位于该封装体内，作为这些半导体芯片的电性接点，另一部分突出该封装体，用以连接外部电路。
第二环状曲面18，该环状曲面是将该第一导线架环状曲面由一封装体16所围绕、且以这些芯片为焦点所形成的。其中该第二导线架环状曲面的曲面表面可由高反射的材料构成或涂布可增强反射的材料，该第二环状曲面可为一抛物曲面或一椭圆曲面，该第二环状曲面的曲面为一光滑面；一光线可穿透的窗口20，该窗口是由该第一环状曲面与该第二环状曲面连接所形成的，其中该窗口内置有这些半导体芯片与这些独立芯片载体；一透明的光学元件22，该光学元件可盖上该光线可穿透的窗口，其中该光学元件可为一凸面镜、一平面镜或凹面镜。
本发明的芯片载体为独立件，且为多层结构，其中间层为绝缘体，可以隔离芯片与导线架的导电性，将导电与传热途径分隔开来，从而当接合在金属散热器上时，不会有漏电危险。
并且本发明的连接件为多个独立件，可提供多个驱动电压不相同的发光二极管串并联使用。
对于本发明中的反射面是由多曲面合成的，曲面可为抛物曲面或椭圆曲面，且以发光二极管芯片为其焦点，可以有效地将光线反射至正面方向。
上述揭示的附图及说明，仅为本发明的实施例而已，本领域技术人员可依据上述的说明做其它种种改变，而这些改变仍属于本发明的发明精神及专利保护范围中。

Claims (15)

1.一种光电半导体元件，其中包括：
多个导线架；
多个独立芯片载体，这些独立芯片载体固定于这些导线架上；
多个半导体芯片，固定于这些独立芯片载体上；
第一导线架环状曲面，该环状曲面是用部分导线架以这些芯片为焦点所形成的；
多个独立连接件，这些独立连接件是用部分导线架所形成的；及
第二环状曲面，该环状曲面是将该第一导线架环状曲面由一封装体所围绕、且以这些芯片为焦点所形成的。
2.如权利要求1所述的光电半导体元件，其特征在于，这些独立芯片载体为多层结构。
3.如权利要求2所述的光电半导体元件，其特征在于，该独立芯片载体的上表层为导体，且形成电路回路以导通这些半导体芯片。
4.如权利要求2所述的光电半导体元件，其特征在于，该独立芯片载体的中间层为绝缘体，用以隔离该半导体芯片与这些导线架。
5.如权利要求2所述的光电半导体元件，其特征在于，该独立芯片载体的下表层可为导体或绝缘体。
6.如权利要求1所述的光电半导体元件，其特征在于，该第一导线架环状曲面的曲面表面涂布可增强反射的材料。
7.如权利要求6所述的光电半导体元件，其特征在于，该第一导线架环状曲面可为一抛物曲面或一椭圆曲面。
8.如权利要求1所述的光电半导体元件，其特征在于，这些独立连接件，其部分位于该封装体内，作为这些半导体芯片的电性接点，另一部分突出该封装体，用以连接外部电路。
9.如权利要求1所述的光电半导体元件，其特征在于，该第二环状曲面的曲面表面可由高反射的材料构成或涂布可增强反射的材料。
10.如权利要求9所述的光电半导体元件，其特征在于，该第二环状曲面可为一抛物曲面或一椭圆曲面。
11.如权利要求10所述的光电半导体元件，其特征在于，该第二环状曲面的曲面为一光滑面。
12.如权利要求1所述的光电半导体元件，其特征在于，还包括一光线可穿透的窗口，该窗口是由该第一环状曲面与该第二环状曲面连接所形成的。
13.如权利要求12所述的光电半导体元件，其特征在于，该窗口内置有这些半导体芯片与这些独立芯片载体。
14.如权利要求12所述的光电半导体元件，其特征在于，该窗口可盖上一透明的光学元件。
15.如权利要求14所述的光电半导体元件，其特征在于，该光学元件可为一凸面镜、一平面镜或凹面镜。
CNB2004100287205A 2004-03-15 2004-03-15 光电半导体元件 Expired - Fee Related CN100338788C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2004100287205A CN100338788C (zh) 2004-03-15 2004-03-15 光电半导体元件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2004100287205A CN100338788C (zh) 2004-03-15 2004-03-15 光电半导体元件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1670970A true CN1670970A (zh) 2005-09-21
CN100338788C CN100338788C (zh) 2007-09-19

Family

ID=35042104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100287205A Expired - Fee Related CN100338788C (zh) 2004-03-15 2004-03-15 光电半导体元件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100338788C (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100530623C (zh) * 2006-06-20 2009-08-19 亿光电子工业股份有限公司 一种光电元件的导线架料材结构
US7843043B2 (en) 2006-05-04 2010-11-30 Everlight Electronics Co., Ltd. Structure of a lead-frame matrix of photoelectron devices
CN101584053B (zh) * 2006-12-21 2011-01-26 皇家飞利浦电子股份有限公司 载体和基于这种载体的光学半导体器件
CN102214587A (zh) * 2010-04-08 2011-10-12 盈胜科技股份有限公司 制作多层式阵列型发光二极管的方法
CN102214645A (zh) * 2010-04-08 2011-10-12 盈胜科技股份有限公司 多层式阵列型发光二极管
WO2011123984A1 (zh) * 2010-04-08 2011-10-13 盈胜科技股份有限公司 多层式阵列型发光二极管装置
WO2011123985A1 (zh) * 2010-04-08 2011-10-13 盈胜科技股份有限公司 制作多层发光二极管阵列的方法
CN111063621A (zh) * 2019-12-30 2020-04-24 济南海马机械设计有限公司 一种光电探测器及其制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251747A (ja) * 1992-03-06 1993-09-28 Takiron Co Ltd 発光表示体及びその製造方法
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
CN1206749C (zh) * 2002-01-21 2005-06-15 诠兴开发科技股份有限公司 一种高功率的发光二极管封装方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7843043B2 (en) 2006-05-04 2010-11-30 Everlight Electronics Co., Ltd. Structure of a lead-frame matrix of photoelectron devices
CN100530623C (zh) * 2006-06-20 2009-08-19 亿光电子工业股份有限公司 一种光电元件的导线架料材结构
CN101584053B (zh) * 2006-12-21 2011-01-26 皇家飞利浦电子股份有限公司 载体和基于这种载体的光学半导体器件
TWI469392B (zh) * 2006-12-21 2015-01-11 皇家飛利浦電子股份有限公司 載體及基於此載體之光學半導體裝置
CN102214587A (zh) * 2010-04-08 2011-10-12 盈胜科技股份有限公司 制作多层式阵列型发光二极管的方法
CN102214645A (zh) * 2010-04-08 2011-10-12 盈胜科技股份有限公司 多层式阵列型发光二极管
WO2011123984A1 (zh) * 2010-04-08 2011-10-13 盈胜科技股份有限公司 多层式阵列型发光二极管装置
WO2011123985A1 (zh) * 2010-04-08 2011-10-13 盈胜科技股份有限公司 制作多层发光二极管阵列的方法
CN102214587B (zh) * 2010-04-08 2012-10-17 盈胜科技股份有限公司 制作多层式阵列型发光二极管的方法
CN102214645B (zh) * 2010-04-08 2013-01-09 盈胜科技股份有限公司 多层式阵列型发光二极管
CN111063621A (zh) * 2019-12-30 2020-04-24 济南海马机械设计有限公司 一种光电探测器及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN100338788C (zh) 2007-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101413503B1 (ko) 와이어 없는 방식으로 접촉되는 광전자 소자
CN1679168A (zh) 表面安装电源的发光晶粒封装
US8193012B2 (en) LED module fabrication method
CN1848469A (zh) 具有增强热耗散的小型发光器件封装和制造该封装的方法
KR20120094526A (ko) Ｌｅｄ 광 모듈
US8178890B2 (en) Light emitting diode package structure
KR102075561B1 (ko) 발광 소자, 발광 모듈 및 조명 시스템
CN209896099U (zh) 发光元件封装件以及光照射装置
CN100338788C (zh) 光电半导体元件
KR101946912B1 (ko) 광원모듈 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20150093493A (ko) 발광소자
KR101976547B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
US8692274B2 (en) Light emitting diode package structure
CN100530714C (zh) 具有无线接触的光电子器件
CN1179422C (zh) 封装光电元件及其封装方法
KR102110477B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명시스템
CN1905220A (zh) 发光二极管封装结构
KR101946910B1 (ko) 발광 소자, 발광 모듈 및 조명 시스템
KR20140028794A (ko) 발광소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20140128633A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
JP3900595B2 (ja) 光電装置
TWI227935B (en) Opto-electronic semiconductor components
TWI282184B (en) Optoelectronic component with a wireless contacting
KR101896691B1 (ko) 발광 소자 및 조명 시스템
KR20150080838A (ko) 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: YOUDATA TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: GUANGBAO SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20130523

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130523

Address after: Delaware

Patentee after: By Tada technology limited liability company

Address before: Taipei City, Taiwan, China

Patentee before: Lite-On Technology Corporation

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070919

Termination date: 20160315

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee