CN120871557A - 一种确定光刻工艺窗口的方法 - Google Patents

Abstract

一种确定光刻工艺窗口的方法，该方法包括：获取光刻版图和光刻工艺信息，基于所述光刻版图和所述光刻工艺信息建立光学模型；基于所述光学模型对所述光刻版图中预设的标准监测图形进行仿真，以得到最佳曝光参数；基于所述最佳曝光参数和所述光学模型，对所述光刻版图中的多个候选图形进行仿真，得到所述多个候选图形的仿真工艺窗口；基于所述仿真工艺窗口确定所述多个候选图形中的工艺热点图形；基于所述标准监测图形和所述工艺热点图形进行线上量测，以得到所述标准监测图形和所述工艺热点图形的共同工艺窗口。本发明通过光刻模型仿真减少线上量测的工作量，并提高工艺窗口监测的准确性。

Description

一种确定光刻工艺窗口的方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种确定光刻工艺窗口的方法。

背景技术

随着半导体制造工艺进入7nm、5nm及更先进节点，光刻工艺的稳定性成为决定芯片良率和成本的关键因素。工艺窗口（Process Window，PW）是衡量光刻工艺稳定性的核心指标，是指一组曝光参数范围（如曝光能量和焦距的组合），在该范围内光刻胶图形能够满足设计要求（如关键尺寸CD、形貌、套刻精度等）。工艺窗口的边界由工艺容忍度决定，窗口越大，工艺稳定性越高。

目前，行业内的常规做法是使用密集图形（Dense Feature）和孤立图形（IsolatedFeature）作为代表性结构来监控工艺窗口。然而，实际芯片版图包含大量复杂的一维、二维图形（如线端、拐角、接触孔等），其周围环境复杂度高，这些图形的工艺窗口往往远小于标准的密集或孤立图形。现有监测方法无法有效覆盖这些真正的薄弱点，导致无法准确评估整个芯片的共同工艺窗口，存在良率风险。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对目前存在的问题，本发明实施例一方面提供一种确定光刻工艺窗口的方法，包括：

获取光刻版图和光刻工艺信息，基于所述光刻版图和所述光刻工艺信息建立光学模型；

基于所述光学模型对所述光刻版图中预设的标准监测图形进行仿真，以得到最佳曝光参数；

基于所述最佳曝光参数和所述光学模型，对所述光刻版图中的多个候选图形进行仿真，得到所述多个候选图形的仿真工艺窗口；

基于所述仿真工艺窗口，在所述多个候选图形中筛选出工艺热点图形；

基于所述标准监测图形和所述工艺热点图形进行线上量测，以得到所述标准监测图形和所述工艺热点图形的共同工艺窗口。

在一个实施例中，所述基于所述仿真工艺窗口，在所述多个候选图形中筛选出工艺热点图形，包括：

将所述仿真工艺窗口小于预设要求的候选图形确定为所述工艺热点图形。

在一个实施例中，所述基于所述仿真工艺窗口，在所述多个候选图形中筛选出工艺热点图形，包括：

将所述仿真工艺窗口最小的至少一个候选图形确定为所述工艺热点图形。

在一个实施例中，所述基于所述仿真工艺窗口，在所述多个候选图形中筛选出工艺热点图形，包括：

将导致所述共同工艺窗口的缩减比例大于预设缩减比例的候选图形确定为所述工艺热点图形。

在一个实施例中，所述标准监测图形包括密集图形和/或孤立图形。

在一个实施例中，所述基于所述光刻版图和所述光刻工艺信息建立光学模型，包括：

基于所述光刻版图中的锚点和所述光刻工艺信息建立所述光学模型，所述锚点至少包括密集图形。

在一个实施例中，所述最佳曝光参数包括最佳曝光焦距和最佳曝光能量。

在一个实施例中，所述基于所述最佳曝光参数和所述光学模型，对所述光刻版图中的多个候选图形进行仿真，得到所述多个候选图形的仿真工艺窗口，包括：

以所述最佳曝光焦距为中心，基于第一预设偏移量和第一预设偏移步长确定曝光焦距范围，以及以所述最佳曝光能量为中心，基于第二预设偏移量和第二预设偏移步长确定曝光能量范围；

基于所述曝光焦距范围和所述曝光能量范围对所述多个候选图形进行仿真，得到每个候选图形在不同曝光焦距和不同曝光能量下的仿真关键尺寸；

若所述仿真关键尺寸小于预设关键尺寸，则将该仿真关键尺寸所对应的曝光焦距和曝光能量确定为合格工艺参数；

基于所述合格工艺参数确定所述仿真工艺窗口。

在一个实施例中，所述候选图形包括一维图形和/或二维图形。

在一个实施例中，在确定所述共同工艺窗口之后，所述方法还包括：

判断所述共同工艺窗口是否满足工艺要求；

若所述共同工艺窗口满足所述工艺要求，则基于所述共同工艺窗口执行光刻工艺；

若所述共同工艺窗口不满足所述工艺要求，则优化所述光刻版图和/或所述光刻工艺信息。

根据本发明所提供的确定光刻工艺窗口的方法，通过光学模型对多个候选图形进行仿真，找出工艺热点图形，并基于工艺热点图形与常规的标准监测图形一同进行线上量测，一方面通过光学模型仿真能够大大减少线上实际量测的工作量，提高量测机台的利用效率，增加用于验证的图形数量，另一方面综合考虑工艺热点图形来确定共同工艺窗口能够提高工艺窗口的准确性，避免出现图形监测不充分而影响线上工艺的问题。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1示出了目前用于确定光刻工艺窗口的密集图形和孤立图形的示意图；

图2示出了本发明一个具体实施方式的确定光刻工艺窗口的方法的示意性流程图；

图3示出了本发明一个实施例的用于确定光刻工艺窗口的密集图形、孤立图形和其他工艺热点图形的示意图；

图4A-图4D示出了本发明一实施例的不同候选图形对应的光刻工艺窗口的示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、 第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

目前行业内通常采用线上量测的方式确定工艺窗口，具体地，光刻部门在芯片生产线上，基于焦距-能量矩阵（Focus-Energy Matrix，FEM）试验晶圆进行曝光处理，将如图1所示的密集图形（Dense Feature）和孤立图形（Isolated Feature）加入量测点，并通过量测机台收集FEM量测数据。通过分析密集图形和孤立图形的FEM量测数据可以得到它们的共同工艺窗口。然而，实际芯片版图包含大量复杂的一维、二维图形（如线端、拐角、接触孔等），其周围环境复杂度高，这些图形的工艺窗口往往远小于标准的密集或孤立图形。现有监测方法无法有效覆盖这些真正的薄弱点，导致无法准确评估整个芯片的共同工艺窗口，存在良率风险。

鉴于前述技术问题的存在，本发明实施例提出一种确定光刻工艺窗口的方法，如图2所示，其主要包括以下步骤：

步骤S201，获取光刻版图和光刻工艺信息，基于所述光刻版图和所述光刻工艺信息建立光学模型；

步骤S202，基于所述光学模型对所述光刻版图中预设的标准监测图形进行仿真，以得到最佳曝光参数；

步骤S203，基于所述最佳曝光参数和所述光学模型，对所述光刻版图中的多个候选图形进行仿真，得到所述多个候选图形的仿真工艺窗口；

步骤S204，基于所述仿真工艺窗口，在所述多个候选图形中筛选出工艺热点图形；

步骤S205，基于所述标准监测图形和所述工艺热点图形进行线上量测，以得到所述标准监测图形和所述工艺热点图形的共同工艺窗口。

具体地，在步骤S201，可以基于光刻版图中预设的锚点图形和光刻工艺信息建立光学模型。示例性地，锚点图形为一组预先设计并分布于版图特定位置的测试结构，其至少包括对曝光能量和光学邻近效应敏感的密集图形；示例性地，锚点图形还包括对焦距变化敏感的孤立图形。光刻工艺信息至少包括光刻设备参数（如波长、数值孔径、照明模式及其相干因子等）和光刻胶参数（如光刻胶厚度、折射率、显影液特性等）。基于光刻工艺信息和锚点图形，可以构建光学模型，该光学模型用于计算光波经掩模衍射、投影物镜传输并最终在光刻胶层内形成的光强分布。

在建立光学模型的过程中，可以将锚点图形的设计数据输入光学模型进行仿真，得到其关键尺寸的仿真值。通过比对仿真值与对应的关键尺寸实测数据，采用回归优化算法自动调整光学模型中的待定参数（例如，光源的有效形状、透镜的像差系数、光刻胶的阈值电压等），直至仿真值与实测数据之间的误差最小化，从而完成对光学模型的校准。

需要说明的是，以上建立光学模型的方法仅作为示例，本发明实施例可以采用任何合适的算法或软件进行建模，使得光学模型能够在一定程度上还原实际的光刻工艺所带来的结果（即曝光图形轮廓和关键尺寸），节省线上量测所需的时间和成本。

在步骤S202，基于光学模型对光刻版图中预设的标准监测图形进行仿真，以得到最佳曝光参数。其中，最佳曝光参数包括最佳曝光焦距和最佳曝光能量。

示例性地，如图3所示，标准监测图形包括密集图形（Dense Line）和/或孤立图形（Isolated Line）。密集图形的线条间距（Pitch）小，线条与间隙宽度几乎相等，其对曝光能量高敏感，能量微小变化会导致线条宽度的显著变化；孤立图形则对曝光能量相对不敏感。反之，密集图形对曝光焦距相对不敏感，而孤立图形对曝光焦距高敏感，一旦偏离最佳焦点，线条宽度会急剧变化。因此，可以根据密集图形仿真出最佳曝光能量，根据孤立图形仿真出最佳曝光焦距。

示例性地，在仿真过程中，可以设定曝光能量和曝光焦距的扫描范围及步长，形成一个二维的工艺参数空间。随后，将标准监测图形的设计数据输入光学模型，遍历工艺参数空间中的每一个组合进行仿真，计算并记录在每个工艺条件下，标准监测图形的关键尺寸仿真值。最后，基于所有工艺条件下的仿真结果，寻找使得标准监测图形的关键尺寸仿真值同时最接近其各自设计目标值的曝光能量和曝光焦距，将该组参数确定为最佳曝光能量和最佳曝光焦距。该最佳曝光能量和最佳曝光焦距将作为后续仿真的中心基准点。

步骤S203，基于最佳曝光参数和光学模型，对光刻版图中的多个候选图形进行仿真，得到多个候选图形的仿真工艺窗口。

其中，光刻版图中的多个候选图形可以是各种一维图形或二维图形。多个候选图形也可以是其中结构复杂、环境特殊、或尺寸微小的图形。例如，对于一维图形来说，可能由于宽度接近光刻工艺分辨率极限而对曝光能量的微小变化极其敏感，从而容易出现线条断裂或桥接。对于二维图形来说，在线端、边角、桥点或通孔阵列等位置处也容易出现桥接、畸变等问题。可以根据初步分析或经验筛选出多个可能存在薄弱点的候选图形，以得到候选图形列表，列表中可能包含数十个甚至上百个候选图形。

基于光学模型可以对上述候选图形进行仿真，以确定其中满足预设标准的工艺热点图形。具体地，可以在此前对标准监测图形进行仿真得到的最佳曝光参数的基础上，对除了标准监测图形以外的多个候选图形进行仿真。基于光学模型，无需实际线上测试即可模拟出在不同曝光参数下不同候选图形会如何成像，节约大量成本和时间。

示例性地，在仿真过程中，首先确定曝光参数范围，其中，以之前通过标准监测图形确定的最佳曝光焦距F₀为中心，基于第一预设偏移量和第一预设偏移步长确定曝光焦距范围，以及以最佳曝光能量E₀为中心，基于第二预设偏移量和第二预设偏移步长确定曝光能量范围。例如，曝光焦距（F）范围从F₀-50nm到F₀+50nm，以10nm为步长；曝光能量（E）范围从E₀-10%到E₀+10%，以2%为步长。；

接着，基于上述曝光参数范围对候选图形列表中的多个候选图形进行仿真，以确定不同的曝光参数范围下每个候选图形的仿真关键尺寸（CD），若仿真关键尺寸小于预设关键尺寸，则将该仿真关键尺寸所对应的曝光焦距和曝光能量确定为合格工艺参数，基于合格工艺参数确定仿真工艺窗口。示例性地，在对候选图形进行仿真时，可以对光刻版图中包含候选图形的及其邻近环境的区域进行仿真，从而保证仿真准确性。

对于每一个候选图形，可以遍历曝光参数范围中的每个曝光参数组合（E, F），并基于光学模型计算在当前曝光参数组合下光强在光刻胶层中的分布，根据光强分布模拟出最终的光刻胶轮廓，测量并记录与当前曝光参数组合对应的仿真关键尺寸（CD）。基于曝光参数和对应的仿真关键尺寸可以得到每个候选图像对应的仿真工艺窗口。

参见图4A-图4D，其中示出了密集图形、孤立图形和两种不同的候选图形对应的仿真结果图。其中，X方向代表仿真DOF（Depth of Focus，焦距深度），指的是在线宽允许的变化范围内，焦距的最大可变化范围。Y方向代表仿真EL（Exposure Latitude，曝光容忍度），指的是在线宽允许的变化范围内, 曝光能量的最大可变化范围，以百分比表示。图中椭圆形区域代表关键尺寸小于预设阈值时对应的DOF和EL，椭圆形的面积为工艺窗口的大小。

步骤S204，基于仿真工艺窗口，在多个候选图形中筛选出工艺热点图形。其中，工艺热点图形是指光刻过程中容易出现误差或缺陷的图形。

在基于仿真结果从多个候选图形中确定工艺热点图形时，本发明实施例可以采用以下一种或多种判定准则进行综合判断：

第一判定准则为：将多个候选图形中，仿真工艺窗口最小的一个或多个候选图形确定为工艺热点图形。其中，工艺窗口是指所允许的曝光能量和曝光焦距的变化范围，可以根据曲线面积衡量其大小，即将工艺窗口的面积最小的候选图形确定为工艺热点图形。工艺窗口的大小也可以单指工艺窗口对应的曝光能量的大小或曝光焦距的大小，例如可以将工艺窗口对应的曝光能量最小或曝光焦距最小的候选图形确定为工艺热点图形。该准则致力于找出在所有仿真图形中的绝对薄弱点。

第二判定准则为：将多个候选图形中，仿真工艺窗口小于预设要求的至少一个候选图形确定为工艺热点图形。其中，预设阈值是预先根据工艺能力和设计要求设定的。该准则允许根据实际工艺水平设定统一的阈值，筛选出所有不达标的候选图形。

第三判定准则为：即使某一候选图形自身的工艺窗口大于预设要求，但若该候选图形会导致共同工艺窗口的缩减比例大于预设缩减比例，则也将该候选图形确定为工艺热点图形。

判断候选图形是否会导致工艺窗口大幅度缩减可以有多种方式。例如，可以计算标准监测图形的第一工艺窗口面积；计算将每一候选图形与标准监测图形的共同工艺窗口的第二工艺窗口面积；将导致第二工艺窗口面积相对于第一工艺窗口面积的缩减比例大于第一预设比例阈值的候选图形确定为工艺热点图形。

或者，计算所有候选图形和标准监测图形的共同工艺窗口的第三工艺窗口面积；分别计算去除每个候选图形后的共同工艺窗口的第四工艺窗口面积；若去除某个候选图形后共同工艺窗口的第四工艺窗口面积相对于第三工艺窗口面积的增加比例大于第二预设比例阈值，则说明该候选图形导致共同工艺窗口显著减小，而去除该候选图形后共同工艺窗口限制增大，因此将该候选图形确定为工艺热点图形。

或者，也可以确定每个候选图形的最佳曝光参数，若某一候选图形的最佳曝光参数与基于标准监测图形确定的最佳曝光参数之间的差值大于预设阈值，则将该候选图形确定为工艺热点图形。

参照图4A-图4D，其中图4D所示的线端对线端（LE2LE）图形的EL最小，是所有候选图形中光刻窗口最薄弱的点，影响所有图形的共同工艺窗口，因此将该候选图形加入到线上PRS（process release standard，工艺释放标准）中，实现对光刻工艺窗口薄弱点的监控。

在确定工艺热点图形后，在步骤S205，基于标准监测图形和工艺热点图形进行线上量测，收集标准监测图形和工艺热点图形在多个曝光参数下的关键尺寸数据，基于关键尺寸数据确定标准监测图形与工艺热点图形的共同工艺窗口。如图3所示，本发明实施例在常规的密集图形和孤立图形的基础上增加了工艺热点图形共同进行线上量测。

其中，线上量测是指在芯片生产线上，通过系统性的实验和自动测量，来测量光刻工艺在曝光参数波动下仍能稳定成像的边界范围。

示例性地，在进行线上测试时，首先制备焦距-能量矩阵（Focus-Energy Matrix，FEM）试验晶圆。在该FEM试验晶圆上，通过光刻机台的精确控制，使不同芯片单元暴露于一系列不同的曝光焦距和曝光能量的工艺条件下，从而形成覆盖不同曝光参数组合的物理实验样本。接着，使用关键尺寸扫描电子显微镜（CD-SEM）或其他高精度量测设备对FEM试验晶圆进行自动化量测，采集并记录所有监测图形（即每一个标准监测图形和每一个工艺热点图形）在不同工艺条件下的关键尺寸（CD）数据。最终，获得所有监测图形在所有工艺条件下的关键尺寸数据集。

接着，基于所收集的关键尺寸数据集，分别绘制每一个标准监测图形和每一个工艺热点图形的关键尺寸随曝光焦距和曝光能量变化的响应曲线。根据产品的关键尺寸工艺要求（例如，CD值必须在目标值的±10%范围内），判断每个监测图形在哪些工艺条件下成像合格，以得到每个监测图形各自的工艺窗口。最后，将标准监测图形与所有工艺热点图形的合格工艺窗口进行叠加求交集，得到共同工艺窗口。共同工艺窗口是保证监测图形均成像合格的曝光焦距和曝光能量范围。

示例性地，在得到共同工艺窗口之后，还可以评估共同工艺窗口是否满足预设的工艺要求，例如判断其是否具有合适的面积与范围。若其大于预设的工艺要求，则判定当前光刻工艺条件可行，可进入量产阶段，基于共同工艺窗口执行光刻工艺；若其过小或不存在，则表明存在工艺风险，需根据数据反馈对光刻版图和/或光刻工艺信息进行优化。

至此，完成了根据本发明一实施例的确定光刻工艺窗口的方法实施的步骤，可以理解的是，本实施例确定光刻工艺窗口的方法不仅包括上述步骤，在上述步骤之前、之中或之后还可包括其他需要的步骤，其都包括在本实施例的布局方法的范围内。

综上所述，本发明实施例提供的确定光刻工艺窗口的方法，通过光学模型对多个候选图形进行仿真，找出工艺热点图形，并基于工艺热点图形与常规的标准监测图形一同进行线上量测，一方面通过光学模型仿真能够大大减少线上实际量测的工作量，提高量测机台的利用效率，增加用于验证的图形数量；另一方面综合考虑工艺热点图形来确定共同工艺窗口能够提高工艺窗口的准确性，避免出现图形监测不充分而影响线上工艺的问题。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (10)

1.一种确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述方法包括：

获取光刻版图和光刻工艺信息，基于所述光刻版图和所述光刻工艺信息建立光学模型；

基于所述光学模型对所述光刻版图中预设的标准监测图形进行仿真，以得到最佳曝光参数；

基于所述最佳曝光参数和所述光学模型，对所述光刻版图中的多个候选图形进行仿真，得到所述多个候选图形的仿真工艺窗口；

基于所述仿真工艺窗口，在所述多个候选图形中筛选出工艺热点图形；

基于所述标准监测图形和所述工艺热点图形进行线上量测，以得到所述标准监测图形和所述工艺热点图形的共同工艺窗口。

2.如权利要求1所述的确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述基于所述仿真工艺窗口，在所述多个候选图形中筛选出工艺热点图形，包括：

将所述仿真工艺窗口小于预设要求的候选图形确定为所述工艺热点图形。

3.如权利要求1所述的确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述基于所述仿真工艺窗口，在所述多个候选图形中筛选出工艺热点图形，包括：

将所述仿真工艺窗口最小的至少一个候选图形确定为所述工艺热点图形。

4.如权利要求1所述的确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述基于所述仿真工艺窗口，在所述多个候选图形中筛选出工艺热点图形，包括：

将导致所述共同工艺窗口的缩减比例大于预设缩减比例的候选图形确定为所述工艺热点图形。

5.如权利要求1所述的确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述标准监测图形包括密集图形和/或孤立图形。

6.如权利要求5所述的确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述基于所述光刻版图和所述光刻工艺信息建立光学模型，包括：

基于所述光刻版图中的锚点和所述光刻工艺信息建立所述光学模型，所述锚点至少包括密集图形。

7.如权利要求1所述的确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述最佳曝光参数包括最佳曝光焦距和最佳曝光能量。

8.如权利要求7所述的确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述基于所述最佳曝光参数和所述光学模型，对所述光刻版图中的多个候选图形进行仿真，得到所述多个候选图形的仿真工艺窗口，包括：

以所述最佳曝光焦距为中心，基于第一预设偏移量和第一预设偏移步长确定曝光焦距范围，以及以所述最佳曝光能量为中心，基于第二预设偏移量和第二预设偏移步长确定曝光能量范围；

基于所述曝光焦距范围和所述曝光能量范围对所述多个候选图形进行仿真，得到每个候选图形在不同曝光焦距和不同曝光能量下的仿真关键尺寸；

若所述仿真关键尺寸小于预设关键尺寸，则将该仿真关键尺寸所对应的曝光焦距和曝光能量确定为合格工艺参数；

基于所述合格工艺参数确定所述仿真工艺窗口。

9.如权利要求1所述的确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述候选图形包括一维图形和/或二维图形。

10.如权利要求1所述的确定光刻工艺窗口的方法，其特征在于，在确定所述共同工艺窗口之后，所述方法还包括：

判断所述共同工艺窗口是否满足工艺要求；

若所述共同工艺窗口满足所述工艺要求，则基于所述共同工艺窗口执行光刻工艺；

若所述共同工艺窗口不满足所述工艺要求，则优化所述光刻版图和/或所述光刻工艺信息。