CN120584211A - 带框架的掩模及有机器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

带框架的掩模包括第1层、第2层和框架。第1层包括从第1面向第2面贯通的至少一个第1开口、和在俯视观察时位于外缘与第1开口之间的外侧区域。第2层包括从第3面向第4面贯通的多个第2开口。框架与第1层的外缘和/或外侧区域连接。在俯视观察时，框架的至少一部分扩展至第1层的外缘的外侧。

Description

带框架的掩模及有机器件的制造方法

技术领域

本公开的实施方式涉及带框架的掩模及有机器件的制造方法。

背景技术

作为用于形成精密的图案的方法，已知有蒸镀法。在蒸镀法中，首先，将形成有开口的掩模与基板组合。接着，经由掩模的开口将蒸镀材料附着于基板。由此，能够以与掩模的开口的图案对应的图案在基板上形成包含蒸镀材料的蒸镀层。蒸镀法例如被用作形成有机EL显示装置的像素的方法。

例如，JP2013-49889A公开了使用具备框架和在被施加了张力的状态下与框架接合的掩模的掩模装置的方式。框架和掩模由包含镍的铁合金构成。

另一方面，例如JP2009-062565A为了抑制掩模因热而变形，提出了由硅基板构成掩模。

使用了硅基板的掩模若将开口形成至其外缘附近，则外缘部容易破损，掩模的处理变得困难。另一方面，要求通过将开口形成至掩模的外缘附近，能够利用一张掩模在基板的更大范围内形成蒸镀层。

本公开的实施方式的目的在于提供一种能够有效地解决这样的课题的掩模。

发明内容

本公开的一个实施方式的掩模是带框架的掩模，可以包括：第1层，其包括第1面、位于所述第1面的相反侧的第2面、从所述第1面向所述第2面贯通的至少一个第1开口、外缘、以及在俯视观察时位于所述外缘与所述第1开口之间的外侧区域；第2层，其包括与所述第2面对置的第3面、位于所述第3面的相反侧的第4面、以及从所述第3面向所述第4面贯通且在俯视观察时与所述第1开口重叠的多个第2开口；和框架，其包括朝向与所述第4面相同的一侧的第5面、以及位于所述第5面的相反侧的第6面，并且与所述第1层的外缘和/或所述第1层的所述外侧区域的所述第1面连接。所述第1层可以包含硅。在俯视观察时，所述框架的至少一部分可以扩展至所述第1层的所述外缘的外侧。所述框架可以包含玻璃或金属。

根据本公开的实施方式，能够抑制在处理包含硅的掩模时掩模破损。

附图说明

图1是示出有机器件的一例的俯视图。

图2是示出具备带框架的掩模的蒸镀装置的一例的图。

图3A是示出从入射面侧观察时的带框架的掩模的一例的俯视图。

图3B是示出从入射面侧观察时的带框架的掩模的一变形例的俯视图。

图3C是示出从入射面侧观察时的带框架的掩模的一变形例的俯视图。

图4是示出从出射面侧观察时的带框架的掩模的一例的俯视图。

图5A是图3A的带框架的掩模的沿着V-V线的截面图。

图5B是将图5A所示的截面的由双点划线包围的部分放大表示的图。

图5C是示出有效区域的一例的截面图。

图6是将图5B所示的截面的由双点划线包围的部分放大表示的图。

图7是示出一实施方式的带框架的掩模的制造方法的一例的截面图。

图8是示出一实施方式的带框架的掩模的制造方法的一例的截面图。

图9是示出一实施方式的带框架的掩模的制造方法的一例的截面图。

图10是示出一实施方式的带框架的掩模的制造方法的一例的截面图。

图11是示出一实施方式的带框架的掩模的制造方法的一例的截面图。

图12是示出一实施方式的带框架的掩模的制造方法的一例的截面图。

图13是示出一实施方式的带框架的掩模的制造方法的一例的截面图。

图14A是用于说明第2开口的形成方法的一变形例的截面图。

图14B是用于说明第2开口的形成方法的一变形例的截面图。

图14C是用于说明第2开口的形成方法的一变形例的截面图。

图15是与图6对应的图，是示出带框架的掩模的一变形例的截面图。

图16是与图6对应的图，是示出带框架的掩模的一变形例的截面图。

图17是示出具备有机器件的装置的一例的图。

具体实施方式

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，“基板”、“片”、“膜”等表示成为某一结构的基础的物质的用语并非仅基于称呼的不同而相互区分。

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于限定形状、几何学条件以及它们的程度的例如“平行”、“正交”等用语或长度、角度的值等，不限于严格的含义，而是包含可期待同样功能的程度的范围来解释。

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在某个部件或某个区域等某一结构处于其他部件或其他区域等其他结构的“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，包括某一结构与其他结构直接接触的情况。此外，还包括在某一结构与其他结构之间包含另外的结构的情况、即间接接触的情况。另外，只要没有特别说明，“上”、“上侧”、“上方”或者“下”、“下侧”、“下方”这样的语句中，上下方向可以翻转。

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，要素A的面与要素B的面“相向”的状态不仅包括要素A的面与要素B的面相接的情况，还包括要素C位于要素A的面与要素B的面之间的情况。即，“相向”这一用语是表示2个面的朝向的用语。

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于同一部分或具有同样功能的部分标注同一符号或类似的符号，有时省略其重复的说明。另外，为了便于说明，有时附图的尺寸比例与实际的比例不同，有时从附图中省略结构的一部分。

在本说明书及本附图中，只要没有特别的说明，本说明书的一实施方式在不产生矛盾的范围内能够与其他的例子组合。另外，其他例子彼此也能够在不产生矛盾的范围内进行组合。

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在关于制造方法等方法公开2个以上的步骤或工艺的情况下，可以在所公开的步骤或工艺之间实施未公开的其他步骤或工艺。另外，所公开的步骤或工艺的顺序在不产生矛盾的范围内是任意的。

在本说明书的一个实施方式中，对掩模用于在制造有机EL显示装置时在基板上形成有机层或电极的例子进行说明。但是，掩模的用途没有特别限定，对于用于各种用途的掩模，都能够应用本实施方式。例如，为了形成如下装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模，其中该装置用于显示或投影用于表现虚拟现实即VR或增强现实即AR的图像或影像。另外，为了形成液晶显示装置的电极等有机EL显示装置以外的显示装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模。另外，为了形成压力传感器的电极等显示装置以外的有机器件的电极，也可以使用本实施方式的掩模。

本公开的第1方式为一种带框架的掩模，其包括：第1层，其包括第1面、位于所述第1面的相反侧的第2面、从所述第1面向所述第2面贯通的至少一个第1开口、外缘、以及在俯视观察时位于所述外缘与所述第1开口之间的外侧区域；第2层，其包括与所述第2面对置的第3面、位于所述第3面的相反侧的第4面、以及从所述第3面向所述第4面贯通且在俯视观察时与所述第1开口重叠的多个第2开口；和框架，其与所述第1层的外缘和/或所述第1层的所述外侧区域的所述第1面连接，

所述第1层包含硅，

在俯视观察时，所述框架的至少一部分扩展至所述第1层的所述外缘的外侧，

所述框架包含玻璃或金属。

在根据上述的第1方式的第2方式的带框架的掩模中，所述框架可以包括：第5面，其朝向与所述第4面相同的一侧；第6面，其位于所述第5面的相反侧；和第3开口，其从所述第5面向所述第6面贯通、且在俯视观察时与所述第1开口重叠。

在根据上述的第1方式或第2方式的第3方式的带框架的掩模中，在所述框架可以形成有收容所述第1层的所述外缘的台阶部。

在根据上述的第1方式至上述的第3方式中的任一方式的第4方式的带框架的掩模中，带框架的掩模可以在所述框架与所述第1层之间具有连接层。

在根据上述的第1方式至上述的第4方式中的任一方式的第5方式的带框架的掩模中，所述连接层可以包含玻璃材料、无机材料、金属材料或树脂材料。

在根据上述的第5方式的第6方式的带框架的掩模中，所述连接层可以包括间隔件。

在根据上述的第1方式至上述的第6方式中的任一方式的第7方式的带框架的掩模中，在所述框架与所述第1层之间可以配置有间隔件。

在根据上述的第4方式至上述的第6方式中的任一方式的第8方式的带框架的掩模中，所述连接层可以仅配置于所述第1层的所述外缘与所述框架之间。

在根据上述的第1方式至上述的第8方式中的任一方式的第9方式的带框架的掩模中，可以在所述第1层与所述第2层之间包括中间层。

本公开的第10方式为有机器件的制造方法，其具备通过使用上述的第1方式至上述第9方式中任一方式的带框架的掩模的蒸镀法在基板上形成有机层的工序。

参照图1至图13，对一实施方式进行说明。首先，对具备通过使用掩模而形成的有机层的有机器件100进行说明。图1是示出有机器件100的一例的截面图。

有机器件100包含基板110和沿着基板110的面内方向排列的多个元件115。基板110包含第1面111和位于第1面111的相反侧的第2面112。元件115位于第1面111。元件115例如为像素。基板110可以包含两种以上的元件115。例如，基板110可以包含第1元件115A和第2元件115B。虽未图示，但基板110也可以包含第3元件。第1元件115A、第2元件115B和第3元件例如为红色像素、蓝色像素和绿色像素。

元件115可以具有第1电极120、位于第1电极120上的有机层130、和位于有机层130上的第2电极140。

有机器件100可以具备在俯视时位于相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160。绝缘层160例如包含聚酰亚胺。绝缘层160可以与第1电极120的端部重叠。“俯视”是指沿着基板110等板状部件的面的法线方向观察对象。

基板110可以为具有绝缘性的部件。作为基板110的材料，例如能够使用硅、石英玻璃、Pyrex(注册商标)玻璃、合成石英板等没有挠性的刚性材料、或者树脂膜、光学用树脂板、薄玻璃等具有挠性的柔性材料等。基板110可以具有与半导体制造中使用的硅晶片同样的平面形状。该情况下，能够使用实施半导体制造工序的装置来处理基板110。例如，能够使用实施半导体制造工序的装置在基板110形成第1电极120、绝缘层160等。

元件115构成为通过在第1电极120与第2电极140之间施加电压或者通过在第1电极120与第2电极140之间流过电流来实现某些功能。例如，在元件115为有机EL显示装置的像素的情况下，元件115能够放出构成影像的光。

第1电极120包含具有导电性的材料。例如，第1电极120包含金属、具有导电性的金属氧化物、或者其他具有导电性的无机材料等。第1电极120可以包含铟锡氧化物等具有透明性和导电性的金属氧化物。

有机层130包含有机材料。若对有机层130通电，则有机层130能够发挥某些功能。通电是指对有机层130施加电压、或者在有机层130中流过电流。作为有机层130，能够使用通过通电而放出光的发光层、通过通电而使光的透射率、折射率变化的层等。有机层130可以包含有机半导体材料。

如图1所示，有机层130可以包含第1有机层130A和第2有机层130B。第1有机层130A包含在第1元件115A中。第2有机层130B包含在第2元件115B中。虽未图示，但有机层130也可以包括在第3元件中包含的第3有机层。第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层例如为红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层。

当在第1电极120与第2电极140之间施加电压时，位于两者之间的有机层130被驱动。在有机层130为发光层的情况下，从有机层130放出光，光被从第2电极140侧或第1电极120侧向外部取出。

有机层130可以还包含空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。

第2电极140可以包含金属等具有导电性的材料。作为第2电极140的材料，例如能够使用铂、金、银、铜、铁、锡、铬、铝、铟、锂、钠、钾、钙、镁、铬、碳等以及它们的合金。如图1所示，第2电极140也可以以在俯视时横跨相邻的2个有机层130的方式扩展。

接着，对通过蒸镀法在基板110上形成有机层130的方法进行说明。图2是示出蒸镀装置10的图。蒸镀装置10实施向对象物蒸镀蒸镀材料的蒸镀处理。

如图2所示，蒸镀装置10可以在其内部具备蒸镀源6、加热器8和带框架的掩模15。蒸镀装置10可以还具备用于使蒸镀装置10的内部成为真空气氛的排气单元。蒸镀源6例如为坩埚。蒸镀源6容纳有机材料、金属材料等蒸镀材料7。加热器8加热蒸镀源6，在真空气氛下使蒸镀材料7蒸发。

带框架的掩模15包括掩模20和安装于掩模20的框架60。掩模20包括入射面201、出射面202以及第2开口41。出射面202位于入射面201的相反侧。带框架的掩模15被掩模保持架9所支承。带框架的掩模15以入射面201与蒸镀源6对置、出射面202与基板110的第1面111对置的方式配置。从出射面202进入掩模20的蒸镀材料7的一部分通过第2开口41从出射面202出来。从出射面202出来的蒸镀材料7附着于基板110的第1面111。掩模20的出射面202也可以与基板110的第1面111接触。

如图2所示，蒸镀装置10也可以具备配置于基板110的第2面112侧的磁铁5。在掩模20包含金属材料的情况下，磁铁5能够利用磁力将掩模20向基板110吸引。由此，能够减小掩模20与基板110之间的间隙，或者消除间隙。由此，能够抑制在蒸镀工序中产生阴影。本申请中，阴影是指在第2开口41的壁面的附近形成的有机层130的厚度小于在第2开口41的中心形成的有机层130的厚度的现象。阴影是由于蒸镀材料7附着于掩模20的壁面、蒸镀材料7进入掩模20与基板110之间的间隙等而产生的。

接着，对带框架的掩模15进行详细说明。图3A是示出从入射面201侧观察时的带框架的掩模15的一例的俯视图。图4是示出从出射面202侧观察时的带框架的掩模15的一例的俯视图。图5A是图3A的带框架的掩模15的沿着V-V线的截面图。图5B是将图5A的截面的由双点划线包围的部分放大表示的图。

首先，对掩模20进行详细说明。如图5A所示，掩模20具备从入射面201朝向出射面202依次排列的第1层30和第2层40。第1层30包含硅或硅化合物。硅化合物例如为碳化硅(SiC)。第2层40例如包含金属材料。如图5A所示，掩模20可以还具备中间层50。中间层50配置在第1层30与第2层40之间。以下，对各层进行说明。

第1层30包含第1面301、第2面302、第1开口31和第1壁面32。第1面301可以构成入射面201。第2面302位于第1面301的相反侧。

第1开口31对于第1层30从第1面301向第2面302贯通。如图3A所示，第1层30可以包含多个第1开口31。多个第1开口31可以在第1方向D1和第2方向D2上排列。第2方向D2可以与第1方向D1正交。

第1开口31可以与有机EL显示装置的1个画面对应。图3A所示的掩模20能够在基板110同时形成与多个画面对应的有机层的图案。如图3A所示，第1开口31可以在俯视时具有矩形的轮廓。

图3B和图3C分别是示出掩模20的另一例的俯视图。如图3B所示，第1开口31的轮廓的角部可以包含曲线。如图3C所示，第1开口31的轮廓可以为八边形。根据图3B和图3C所示的例子，在对第1开口31的轮廓施加应力的情况下，能够抑制应力集中于角部。因此，能够抑制第1层30破损。

第1壁面32是面向第1开口31的第1层30的面。在图3A所示的例子中，第1壁面32沿着第1面301的法线方向扩展。

如图3A所示，未形成第1开口31的第1层30的区域可以被划分为外侧区域35和内侧区域36。内侧区域36是在俯视时位于相邻的2个第1开口31之间的区域。外侧区域35是在俯视时位于第1层30的外缘303与第1开口31之间的区域。如图3A所示，内侧区域36可以沿第1方向D1和第2方向D2延伸。

如图3A和图4所示，第1层30可以包含对准标记39。对准标记39例如形成于第2面302。对准标记39也可以形成于第1面301。对准标记39例如用于调整基板110相对于掩模20的相对位置。在基板110具有使可见光透过的性质的情况下，能够隔着基板110辨认对准标记39。

如图3A和图4所示，对准标记39可以在俯视时具有圆形的轮廓。虽未图示，但对准标记39也可以具有矩形、十字形等圆形以外的轮廓。对准标记39可以位于外侧区域35，也可以位于内侧区域36。对准标记39可以形成于第1层30以外的层。

如上所述，第1层30包含硅或硅化合物。第1层30例如通过对硅晶片进行加工而制作。如图3A所示，第1层30的外缘303可以包含直线状的部分。直线状的部分也被称为定向平面。虽未图示，但也可以在外缘303形成有切口。切口也被称为凹口。定向平面和凹口表示硅晶片的晶体取向。

俯视观察时的第1层30的最大尺寸S1例如可以为100mm以上，可以为150mm以上，也可以为200mm以上。尺寸S1例如可以为300mm以下，可以为400mm以下，也可以为500mm以下。尺寸S1的范围也可以通过由100mm、150mm以及200mm构成的第1组和/或由300mm、400mm以及500mm构成的第2组来确定。尺寸S1的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。尺寸S1的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。尺寸S1的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。尺寸S1例如可以为100mm以上且500mm以下，可以为100mm以上且400mm以下，可以为100mm以上且300mm以下，可以为100mm以上且200mm以下，可以为100mm以上且150mm以下，可以为150mm以上且500mm以下，可以为150mm以上且400mm以下，可以为150mm以上且300mm以下，可以为150mm以上且200mm以下，可以为200mm以上且500mm以下，可以为200mm以上且400mm以下，可以为200mm以上且300mm以下，可以为300mm以上且500mm以下，可以为300mm以上且400mm以下，可以为400mm以上且500mm以下。

第1开口31排列的方向上的第1开口31的尺寸S2例如可以为3mm以上，可以为10mm以上，也可以为20mm以上。尺寸S2例如可以为30mm以下，可以为50mm以下，也可以为100mm以下。尺寸S2的范围也可以通过由3mm、10mm以及20mm构成的第1组和/或由30mm、50mm以及100mm构成的第2组来确定。尺寸S2的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。尺寸S2的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。尺寸S2的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。尺寸S2例如可以为3mm以上且100mm以下，可以为3mm以上且50mm以下，可以为3mm以上且30mm以下，可以为3mm以上且20mm以下，可以为3mm以上且10mm以下，可以为10mm以上且100mm以下，可以为10mm以上且50mm以下，可以为10mm以上且30mm以下，可以为10mm以上且20mm以下，可以为20mm以上且100mm以下，可以为20mm以上且50mm以下，可以为20mm以上且30mm以下，可以为30mm以上且100mm以下，可以为30mm以上且50mm以下，可以为50mm以上且100mm以下。

第1开口31排列的方向上的两个第1开口31之间的间隔S3例如可以为0.1mm以上，可以为0.5mm以上，也可以为1.0mm以上。间隔S3例如可以为10mm以下，可以为15mm以下，也可以为20mm以下。间隔S3的范围也可以通过由0.1mm、0.5mm以及1.0mm构成的第1组和/或由10mm、15mm以及20mm构成的第2组来确定。间隔S3的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。间隔S3的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。间隔S3的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。间隔S3例如可以为0.1mm以上且20mm以下，可以为0.1mm以上且15mm以下，可以为0.1mm以上且10mm以下，可以为0.1mm以上且1.0mm以下，可以为0.1mm以上且0.5mm以下，可以为0.5mm以上且20mm以下，可以为0.5mm以上且15mm以下，可以为0.5mm以上且10mm以下，可以为0.5mm以上且1.0mm以下，可以为1.0mm以上且20mm以下，可以为1.0mm以上且15mm以下，可以为1.0mm以上且10mm以下，可以为10mm以上且20mm以下，可以为10mm以上且15mm以下，可以为15mm以上且20mm以下。

第1层30的厚度被定义为外侧区域35的最大厚度T1。厚度T1例如可以为50μm以上，可以为100μm以上，也可以为200μm以上。厚度T1例如可以为600μm以下，可以为800μm以下，可以为1000μm以下。厚度T1的范围可以通过由50μm、100μm和200μm构成的第1组和/或由600μm、800μm和1000μm构成的第2组来确定。厚度T1的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。厚度T1的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。厚度T1的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。厚度T1例如可以为50μm以上且1000μm以下，可以为50μm以上且800μm以下，可以为50μm以上且600μm以下，可以为50μm以上且200μm以下，可以为50μm以上且100μm以下，可以为100μm以上且1000μm以下，可以为100μm以上且800μm以下，可以为100μm以上且600μm以下，可以为100μm以上且200μm以下，可以为200μm以上且1000μm以下，可以为200μm以上且800μm以下，可以为200μm以上且600μm以下，可以为600μm以上且1000μm以下，可以为600μm以上且800μm以下，可以为800μm以上且1000μm以下。

接着，对第2层40进行说明。第2层40包括第3面401、第4面402以及多个第2开口41。第3面401与第1层30的第2面302对置。第4面402位于第3面401的相反侧。

第2开口41对于第2层40从第3面401向第4面402贯通。1个第2开口41对应于1个有机层130。规则排列的多个第2开口41的一组与有机EL显示装置的1个画面对应。如图3A和图4所示，规则排列的多个第2开口41的一组可以在俯视时与1个第1开口31重叠。第2开口41的多个组被通过对硅晶片等1片部件进行加工而形成的第1层30支承。

第2层40可以被划分为周缘区域43和有效区域44。周缘区域43是在俯视观察时与第1层30重叠的区域。有效区域44是规则地排列的多个第2开口41的一组分布的区域。

图5C是示出有效区域44的一例的截面图。第2层40包括面向第2开口41的第2壁面42。如图5C所示，第2壁面42可以包括以随着朝向第3面401而远离第2开口41的中心的方式扩展的锥面42a。通过第2壁面42包括锥面42a，能够抑制在第2壁面42的附近产生阴影。

在图5C中，符号S8表示第2开口41排列的方向上的锥面42a的宽度。宽度S8例如可以为0.1μm以上，可以为0.5μm以上，也可以为1.0μm以上。宽度S8例如可以为10μm以下，可以为20μm以下，也可以为25μm以下。宽度S8的范围可以通过由0.1μm、0.5μm和1.0μm构成的第1组和/或由10μm、20μm和25μm构成的第2组来确定。宽度S8的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。宽度S8的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。宽度S8的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。宽度S8例如可以为0.1μm以上且25μm以下，可以为0.1μm以上且20μm以下，可以为0.1μm以上且10μm以下，可以为0.1μm以上且1.0μm以下，可以为0.1μm以上且0.5μm以下，可以为0.5μm以上且25μm以下，可以为0.5μm以上且20μm以下，可以为0.5μm以上且10μm以下，可以为0.5μm以上且1.0μm以下，可以为1.0μm以上且25μm以下，可以为1.0μm以上且20μm以下，可以为1.0μm以上且10μm以下，可以为10μm以上且25μm以下，可以为10μm以上且20μm以下，可以为20μm以上且25μm以下。

在图5C中，符号θ1表示第2壁面42与第4面402所成的角度。角度θ1例如可以为50°以上，可以为55°以上，也可以为60°以上。角度θ1例如可以为80°以下，可以为85°以下，也可以小于90°。角度θ1的范围也可以通过由50°、55°以及60°构成的第1组和/或由80°、85°以及90°构成的第2组来确定。角度θ1的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。角度θ1的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。角度θ1的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。角度θ1例如可以为50°以上且小于90°，可以为50°以上且85°以下，可以为50°以上且80°以下，可以为50°以上且60°以下，可以为50°以上且55°以下，可以为55°以上且小于90°，可以为55°以上且85°以下，可以为55°以上且80°以下，可以为55°以上且60°以下，可以为60°以上且小于90°，可以为60°以上且85°以下，可以为60°以上且80°以下，可以为80°以上且小于90°，可以为80°以上且85°以下，可以为85°以上且小于90°。

第2层40可以包含金属材料。在第2层40包含金属材料的情况下，通过使用磁铁5，能够使掩模20密合于基板110。在该情况下，能够通过磁力将掩模20向磁铁5侧吸引，能够提高掩模20与基板110的密合性。因此，能够提高有机器件100的有机层130A、130B、130C的精细度。

第2层40所包含的金属材料也可以是磁性金属材料。作为构成第2层40的材料，例如也可以使用包含镍的铁合金。铁合金除了镍以外还可以包含钴。例如，作为第2层40的材料，可以使用镍和钴的含量合计为30质量％以上且54质量％以下、并且钴的含量为0质量％以上且6质量％以下的铁合金。包含镍的铁合金可以使用包含34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材、包含38质量％以上且54质量％以下的镍的低热膨胀Fe-Ni系镀覆合金等。在包含镍和钴的铁合金中，可以使用除了30质量％以上且34质量％以下的镍以外还包含钴的超因瓦合金材等。通过使用这样的铁合金，能够降低第2层40的热膨胀系数。例如，在使用玻璃基板作为基板110的情况下，能够将第2层40的热膨胀系数调整为与玻璃基板相等的值或接近的值。由此，能够抑制精度降低。

作为构成第2层40的材料，例如可以使用镍来代替上述的包含镍的铁合金，或者也可以使用包含钴的镍合金。在使用包含钴的镍合金的情况下，作为第2层40的材料，也可以使用钴的含量为8质量％以上且10质量％以下的镍合金。在使用这样的镍或镍合金的情况下，能够抑制在后述的第2层形成工序中使用的镀液发生成分分解，能够提高镀液的稳定性。

第2层40可以由单一的金属层构成，也可以包含多个金属层。在掩模20包含中间层50的情况下，第2金属层40由对蚀刻中间层50的蚀刻剂具有耐性的材料构成。

第2层40的厚度小于第1层30的厚度T1。第2层40的厚度例如可以为0.5μm以上，可以为1.0μm以上，也可以为2.0μm以上。第2层40的厚度例如可以为5μm以下，可以为10μm以下，也可以为25μm以下。第2层40的厚度的范围可以通过由0.5μm、1.0μm和2.0μm构成的第1组和/或由5μm、10μm和25μm构成的第2组来确定。第2层40的厚度的范围也可以由上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来决定。第2层40的厚度的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。第2层40的厚度的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。第2层40的厚度例如可以为0.5μm以上且25μm以下，可以为0.5μm以上且10μm以下，可以为0.5μm以上且5μm以下，可以为0.5μm以上且2.0μm以下，可以为0.5μm以上且1.0μm以下，可以为1.0μm以上且25μm以下，可以为1.0μm以上且10μm以下，可以为1.0μm以上且5μm以下，可以为1.0μm以上且2.0μm以下，可以为2.0μm以上且25μm以下，可以为2.0μm以上且10μm以下，可以为2.0μm以上且5μm以下，可以为5μm以上且25μm以下，可以为5μm以上且10μm以下，可以为10μm以上且25μm以下。通过使第2层40的厚度为25μm以下，能够抑制阴影的产生。通过使第2层40的厚度为0.5μm以上，能够抑制在第2层40产生针孔等缺陷、变形等。

俯视观察时的第2开口41的尺寸S4例如可以为1μm以上，也可以为2μm以上，还可以为3μm以上。尺寸S4例如可以为5μm以下，可以为10μm以下，也可以为25μm以下。尺寸S4的范围可以通过由1μm、2μm以及3μm构成的第1组和/或由5μm、10μm以及25μm构成的第2组来确定。尺寸S4的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。尺寸S4的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。尺寸S4的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。尺寸S4例如可以为1μm以上且25μm以下，可以为1μm以上且10μm以下，可以为1μm以上且5μm以下，可以为1μm以上且3μm以下，可以为1μm以上且2μm以下，可以为2μm以上且25μm以下，可以为2μm以上且10μm以下，可以为2μm以上且5μm以下，可以为2μm以上且3μm以下，可以为3μm以上且25μm以下，可以为3μm以上且10μm以下，可以为3μm以上且5μm以下，可以为5μm以上且25μm以下，可以为5μm以上且10μm以下，可以为10μm以上且25μm以下。

第2开口41排列的方向上的两个第2开口41之间的间隔S5例如可以为1μm以上，也可以为2μm以上，还可以为3μm以上。间隔S5例如可以为5μm以下，可以为10μm以下，也可以为25μm以下。间隔S5的范围可以通过由1μm、2μm和3μm构成的第1组和/或由5μm、10μm和25μm构成的第2组来确定。间隔S5的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。间隔S5的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。间隔S5的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。间隔S5例如可以为1μm以上且25μm以下，可以为1μm以上且10μm以下，可以为1μm以上且5μm以下，可以为1μm以上且3μm以下，可以为1μm以上且2μm以下，可以为2μm以上且25μm以下，可以为2μm以上且10μm以下，可以为2μm以上且5μm以下，可以为2μm以上且3μm以下，可以为3μm以上且25μm以下，可以为3μm以上且10μm以下，可以为3μm以上且5μm以下，可以为5μm以上且25μm以下，可以为5μm以上且10μm以下，可以为10μm以上且25μm以下。

俯视观察时的第1壁面32与第2开口41之间的间隔S6可以大于间隔S5。由此，能够抑制在接近第1壁面32的第2开口41产生阴影。

第2层40可以包含对准标记。第2层40的对准标记可以与第1层30的对准标记39分开形成，也可以代替第1层30的对准标记39而形成。

接着，对中间层50进行说明。中间层50包含对第1层30或第2层40发挥某些功能的层。例如，中间层50包含第1中间层51。在图5B所示的例子中，第1中间层51位于第1层30与第2层40之间。

第1中间层51可以在通过蚀刻对第1层30进行加工的工序中，作为使蚀刻终止的终止层发挥功能。具体而言，第1中间层51对蚀刻第1层30的蚀刻剂具有耐性。第1中间层51可以包含铝、铝合金、钛或钛合金。第1中间层51也可以包含氧化硅等无机化合物。

在第1中间层51为终止层的情况下，第1中间层51的厚度只要在加工第1层30的工序中能够抑制第2层40被蚀刻，就没有特别限定。例如，第1中间层51的厚度可以小于第2层40的厚度，也可以为第2层40的厚度以上。第1中间层51的厚度例如可以为5nm以上，可以为50nm以上，也可以为75nm以上。第1中间层51的厚度例如可以为1μm以下，可以为10μm以下，也可以为100μm以下。第1中间层51的厚度的范围可以通过由5nm、50nm和75nm构成的第1组和/或由1μm、10μm和100μm构成的第2组来确定。第1中间层51的厚度的范围也可以由上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。第1中间层51的厚度的范围也可以由上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。第1中间层51的厚度的范围也可以由上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。第1中间层51的厚度例如可以为5nm以上且100μm以下，可以为5nm以上且10μm以下，可以为5nm以上且1μm以下，可以为5nm以上且75nm以下，可以为5nm以上且50nm以下，可以为50nm以上且100μm以下，可以为50nm以上且10μm以下，可以为50nm以上且1μm以下，可以为50nm以上且75nm以下，可以为75nm以上且100μm以下，可以为75nm以上且10μm以下，可以为75nm以上且1μm以下，可以为1μm以上且100μm以下，可以为1μm以上且10μm以下，可以为10μm以上且100μm以下。第1中间层51对第1层30用的蚀刻剂的耐性越高，越能够减小第1中间层51的厚度。第1中间层51的厚度特别优选为1μm以下。

中间层50可以包含发挥将第1层30与第2层40接合的功能的层。例如，第1中间层51也可以是包含粘接剂的接合层。接合层的厚度例如可以为0.1μm以上，可以为0.2μm以上，也可以为0.5μm以上。接合层的厚度例如可以为1μm以下，可以为2μm以下，也可以为3μm以下。接合层的厚度的范围可以通过由0.1μm、0.2μm和0.5μm构成的第1组和/或由1μm、2μm和3μm构成的第2组来确定。接合层的厚度的范围也可以由上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。接合层的厚度的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。接合层的厚度的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。接合层的厚度例如可以为0.1μm以上且3μm以下，可以为0.1μm以上且2μm以下，可以为0.1μm以上且1μm以下，可以为0.1μm以上且0.5μm以下，可以为0.1μm以上且0.2μm以下，可以为0.2μm以上且3μm以下，可以为0.2μm以上且2μm以下，可以为0.2μm以上且1μm以下，可以为0.2μm以上且0.5μm以下，可以为0.5μm以上且3μm以下，可以为0.5μm以上且2μm以下，可以为0.5μm以上且1μm以下，可以为1μm以上且3μm以下，可以为1μm以上且2μm以下，可以为2μm以上且3μm以下。

优选的是，中间层50位于在俯视观察时不与第2开口41重叠的位置。由此，能够抑制因中间层50而产生阴影。

第1中间层51可以包含对准标记。第1中间层51的对准标记可以与第1层30或第2层40的对准标记分开形成，也可以代替第1层30或第2层40的对准标记而形成。

接着，对框架60进行详细说明。框架60以在处理掩模20时、例如在使掩模20移动时被把持为目的而安装于掩模20。如图3A等所示，在掩模20上，直至其外缘附近形成有第2开口41，从而直至其外缘附近形成有第1开口31。在处理掩模20时，例如在使掩模20移动时，为了防止第2层40的第2开口41的变形等，期望把持比形成有第2开口41的区域靠外侧的区域，但由于第1开口31形成至第1层30的外缘303的附近，因此外侧区域35的宽度不足以把持掩模20。另外，由于第1开口31形成至第1层30的外缘303的附近，因此外侧区域35较窄。在第1层30包含硅的情况下，宽度窄的外侧区域35特别容易破损。通过在这样的掩模20安装框架60，在处理掩模20时，能够把持框架60，也降低了第1层30破损的可能性。其结果，掩模20的处理变得容易。

从图3A至图5B可以理解，框架60包括第5表面601和第6表面602。第5面601朝向与第4面402相同的一侧。第6面602位于第5面601的相反侧。在图示的例子中，第5面601与第1面301对置。需要说明的是，在由蒸镀装置10的掩模保持架9支承带框架的掩模15的状态下，框架60与第2层40平行，以使第2层40成为水平。

如图5A和图5B所示，框架60与外侧区域35的第1面301连接。在图示的例子中，在外侧区域35的第1面301与框架60的第5面601之间配置有连接层70。框架60经由连接层70与第1层30连接。在俯视观察时，框架60不与第1开口31重叠。另外，在俯视观察时，框架60的至少一部分扩展至第1层30的外缘303的外侧。由此，通过框架60来扩展在处理掩模20时用于把持的区域。

框架60包含玻璃材料或金属材料。玻璃材料为石英玻璃、硼硅酸玻璃、无碱玻璃、钠玻璃等。另外，金属材料为因瓦合金材或SUS430、SUS304等不锈钢。通过框架60包含这些材料，能够使框架60的刚性比第1层30高。框架60的材料可以考虑处理带框架的掩模15的作业者或机械手的把持力，以框架60具有必要的刚性的方式决定。

另外，框架60的线性热膨胀系数优选与第1层30的线性热膨胀系数为相同程度。由此，能够使带框架的掩模15被加热时的框架60及第1层30的伸长率为相同程度。其结果是，抑制第1层30破损的可能性。具体而言，框架60的线性热膨胀系数与第1层30的线性热膨胀系数之差的绝对值为15ppm/℃以下，可以为10ppm/℃以下，也可以为5.0ppm/℃以下。

在图示的例子中，框架60形成为环状。框架60具有在俯视观察时在第1层30的外缘303的外侧呈周状延伸的区域。由此，能够有效地抑制在处理掩模20时第1层30的外侧区域35破损的可能性。更具体而言，在框架60的中央形成有从第5面601向第6面602贯通的第3开口61。在图示的例子中，第3开口61是与第1层30的外缘303相似的形状。第3开口61的最大尺寸S9比第1层30的外缘303的最大尺寸S1小。在俯视观察时，第3开口61与第1开口31重叠。在图示的例子中，在俯视观察时，第3开口61也与第1层30的内侧区域36重叠。换言之，在俯视观察时，第3开口61与所有的第1开口31重叠。

框架60的外缘603的形状和尺寸没有特别限定。框架60的外缘603的形状及尺寸S10可以基于处理带框架的掩模15的作业者的手或机械手的尺寸或形状、蒸镀装置10的掩模保持架9的尺寸或形状来决定。框架60的外缘603可以是四边形，也可以是其他多边形。框架60的外缘603的尺寸S10例如可以为100mm以上，可以为150mm以上，也可以为200mm以上。尺寸S10例如可以为300mm以下，可以为400mm以下，也可以为500mm以下。尺寸S10的范围也可以通过由100mm、150mm以及200mm构成的第1组和/或由300mm、400mm以及500mm构成的第2组来确定。尺寸S10的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。尺寸S10的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。尺寸S10的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。尺寸S10例如可以为100mm以上且500mm以下，可以为100mm以上且400mm以下，可以为100mm以上且300mm以下，可以为100mm以上且200mm以下，可以为100mm以上且150mm以下，可以为150mm以上且500mm以下，可以为150mm以上且400mm以下，可以为150mm以上且300mm以下，可以为150mm以上且200mm以下，可以为200mm以上且500mm以下，可以为200mm以上且400mm以下，可以为200mm以上且300mm以下，可以为300mm以上且500mm以下，可以为300mm以上且400mm以下，可以为400mm以上且500mm以下。

框架60的外缘603与第1层30的外缘303的距离S11也可以基于处理带框架的掩模15的作业者的手或机械手的尺寸或形状、蒸镀装置10的掩模保持架9的尺寸或形状来决定。距离S11例如可以为5mm以上，可以为10mm以上，也可以为15mm以上。距离S11例如可以为30mm以下，可以为60mm以下，也可以为100mm以下。距离S11的范围可以通过由5mm、10mm以及15mm构成的第1组和/或由30mm、60mm以及100mm构成的第2组来确定。距离S11的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。距离S11的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。距离S11的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。距离S11例如可以为5mm以上且100mm以下，可以为5mm以上且60mm以下，可以为5mm以上且30mm以下，可以为5mm以上且15mm以下，可以为5mm以上且10mm以下，可以为10mm以上且100mm以下，可以为10mm以上且60mm以下，可以为10mm以上且30mm以下，可以为10mm以上且15mm以下，可以为15mm以上且100mm以下，可以为15mm以上且60mm以下，可以为15mm以上且30mm以下，可以为30mm以上且100mm以下，可以为30mm以上且60mm以下，可以为60mm以上且100mm以下。

框架60的厚度T2也没有特别限定。厚度T2也可以基于处理带框架的掩模15的作业者的手或机械手的尺寸或形状、蒸镀装置10的掩模保持架9的尺寸或形状来决定。厚度T2例如可以为500μm以上，可以为2mm以上，也可以为5mm以上。厚度T2例如可以为10mm以下，可以为20mm以下，也可以为30mm以下。厚度T2的范围可以通过由500μm、2mm及5mm构成的第1组和/或由10mm、20mm及30mm构成的第2组来确定。厚度T2的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。厚度T2的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。厚度T2的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。厚度T2例如可以为500μm以上且30mm以下，可以为500μm以上且20mm以下，可以为500μm以上且10mm以下，可以为500μm以上且5mm以下，可以为500μm以上且2mm以下，可以为2mm以上且30mm以下，可以为2mm以上且20mm以下，可以为2mm以上且10mm以下，可以为2mm以上且5mm以下，可以为5mm以上且30mm以下，可以为5mm以上且20mm以下，可以为5mm以上且10mm以下，可以为10mm以上且30mm以下，可以为10mm以上且20mm以下，可以为20mm以上且30mm以下。

通过基于处理带框架的掩模15的机械手的尺寸和形状、蒸镀装置10的掩模保持架9的尺寸和形状来决定框架60的外缘603的形状和尺寸以及框架60的厚度T2，能够使带框架的掩模15的形状和尺寸成为适合于现有的机械手或现有的蒸镀装置10的形状和尺寸。换言之，不需要使掩模20的形状和尺寸成为适合于现有的机械手或现有的蒸镀装置10的形状和尺寸，掩模20的设计自由度提高。

在图示的例子中，框架60的第5面601位于比第2层40的第4面402靠第1层30的第1面301侧的位置。换言之，第2层40从框架60的第5面601突出。由此，在基板110或基板110上的构成要素上通过掩模20形成蒸镀层时，能够使第2层40与基板110或基板110上的构成要素接触。

框架60也可以包含对准标记。由此，在将框架60安装于掩模20时，容易将掩模20相对于框架60定位。另外，形成于框架60的对准标记也能够用于调整基板110相对于掩模20的相对位置。例如，即使在第1层30形成对准标记39，在将第2层40形成至第1层30的外缘303的情况下，对准标记39也被第2层40覆盖，因此难以一边观察对准标记39一边调整基板110相对于掩模20的位置。在该情况下，通过在框架60形成对准标记掩模，能够调整基板110相对于带框架的掩模15的位置，从而调整基板110相对于掩模20的位置。

在图5A以及图5B所示的例子中，框架60经由连接层70与第1层30连接。另外，在图6所示的例子中，在框架60与第1层30之间配置有间隔件75。图6是将图5B的截面图的由双点划线包围的部分放大表示的图。在图6所示的例子中，连接层70及间隔件75配置在框架60的第5面601与第1层30的第1面301之间。

连接层70通过粘接、粘着或焊接将框架60固定于第1层30。连接层70可以包含玻璃材料、无机材料、金属材料或树脂材料。连接层70可以由玻璃料、玻璃膏、焊膏、导电性膏、环氧树脂、聚酰亚胺、丙烯酸系树脂等形成。出于抑制在蒸镀装置10内在蒸镀处理中产生来自连接层70的排气的目的，例如，能够采用Aremco Product公司制的高耐热性环氧粘接剂“AREMCOBOND526N”、协立化学产业株式会社制的UV固化型粘接剂“WORLDROCK(注册商标)5910(产品编号)”或“WORLDROCK(注册商标)8723K9B(产品编号)”作为形成连接层70的材料。此外，通过使用耐溶剂性高的材料作为形成连接层70的材料，在将蒸镀处理中使用的带框架的掩模15清洗而将蒸镀材料除去时，能够抑制与清洗液接触的连接层70变形而使框架60从掩模20分离的可能性。在该情况下，例如，能够采用ThreeBond公司制的紫外线固化型粘接剂“ThreeBond(注册商标)3026E(产品名)”作为形成连接层70的材料。另外，通过使用能够从框架60、掩模20剥离的材料作为连接层70，能够再利用框架60、掩模20。在该情况下，作为形成连接层70的材料，例如能够采用Cemedine株式会社制的双面剥离型粘接剂“BBX100(产品名)”、积水富乐株式会社制的可见光固化型粘接剂“Clearpresto(注册商标)CP4374(产品名)”或“Clearpresto(注册商标)K40(产品名)”、日化精工株式会社制的氰基丙烯酸酯系瞬间粘接剂“Skylock(注册商标)R-4”。

连接层70的厚度例如可以为0.05μm以上，可以为5μm以上，也可以为10μm以上。连接层70的厚度例如可以为20μm以下，可以为50μm以下，也可以为100μm以下。连接层70的厚度范围可以由0.05μm、5μm和10μm组成的第1组和/或20μm、50μm和100μm组成的第2组确定。连接层70的厚度的范围也可以由上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。连接层70的厚度的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。连接层70的厚度的范围也可以由上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。连接层70的厚度例如可以为0.05μm以上且100μm以下，可以为0.05μm以上且50μm以下，可以为0.05μm以上且20μm以下，可以为0.05μm以上且10μm以下，可以为0.05μm以上且5μm以下，可以为5μm以上且100μm以下，可以为5μm以上且50μm以下，可以为5μm以上且20μm以下，可以为5μm以上且10μm以下，可以为10μm以上且100μm以下，可以为10μm以上且50μm以下，可以为10μm以上且20μm以下，可以为20μm以上且100μm以下，可以为20μm以上且50μm以下，可以为50μm以上且100μm以下。

为了使框架60与第1层30的间隔均匀，间隔件75配置在框架60与第1层30之间。特别是，在框架60的第5面601与第1层30的第1面301之间配置连接层70和间隔件75的情况下，仅通过将框架60按压于第1层30，就能够使连接层70的厚度成为与间隔件75的尺寸相应的均匀的厚度。通过使框架60与第1层30的间隔均匀，能够容易地使框架60与第2层40平行。

间隔件75例如是球形的珠。间隔件75的直径例如可以为1μm以上，可以为5μm以上，也可以为10μm以上。间隔件75的直径例如可以为20μm以下，可以为50μm以下，也可以为100μm以下。间隔件75的直径的范围可以通过由1μm、5μm及10μm构成的第1组和/或由20μm、50μm及100μm构成的第2组来确定。间隔件75的直径的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意一个与上述的第2组所包含的值中的任意一个的组合来确定。间隔件75的直径的范围也可以通过上述的第1组所包含的值中的任意两个的组合来确定。间隔件75的直径的范围也可以通过上述的第2组所包含的值中的任意两个的组合来确定。间隔件75的直径例如可以为1μm以上且100μm以下，可以为1μm以上且50μm以下，可以为1μm以上且20μm以下，可以为1μm以上且10μm以下，可以为1μm以上且5μm以下，可以为5μm以上且100μm以下，可以为5μm以上且50μm以下，可以为5μm以上且20μm以下，可以为5μm以上且10μm以下，可以为10μm以上且100μm以下，可以为10μm以上且50μm以下，可以为10μm以上且20μm以下，可以为20μm以上且100μm以下，可以为20μm以上且50μm以下，可以为50μm以上且100μm以下。

形成间隔件75的材料没有特别限定。间隔件75可以包含例如玻璃、亚克力、聚氨酯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯(PTFE)等树脂。

间隔件75可以包含于连接层70。换言之，连接层70可以由包含间隔件75的材料形成。由此，能够在形成连接层70的同时配置间隔件75。

各层的厚度、各构成要素的尺寸、间隔等可以通过使用扫描型电子显微镜观察掩模20的截面的图像来测定。

(带框架的掩模的制造方法)

接着，参照图7至图13对本实施方式的带框架的掩模的制造方法进行说明。首先，对掩模20的制造方法进行说明。首先，准备第1层30。作为第1层30，也可以使用硅晶片。第1层30的第1面301和第2面302也可以被研磨成镜面状。第1面301和第2面302的算术平均粗糙度Ra可以为1.5nm以下，也可以为1.0nm以下。第1面301以及第2面302的面取向可以为(100)、(110)等。

接着，如图7所示，实施在第1层30的第2面302上形成中间层50的中间层形成工序。中间层50例如包含第1中间层51。中间层50可以形成于第2面302的整体。中间层50例如可以通过溅射法等真空成膜法形成。

接着，如图8所示，实施在中间层50上形成第2层40的第2层形成工序。由此，能够得到具备第1层30、中间层50和第2层40的层叠体22。第2层40可以形成于中间层50的整体。

第2层40例如可以通过镀覆处理而形成。此处，将中间层50作为供电电极，通过电镀处理形成第2层40。更具体而言，向中间层50的与第1层30侧相反侧的面供给镀液。例如，中间层50与第1层30一起浸入填充有镀液的电镀槽中。在中间层50的与第1层30侧相反的一侧的面析出镀液的成分而形成第2层40。如此，第2层40附着于中间层50。

所使用的镀液的成分根据第2层40所要求的特性而适当确定。例如在第2层40由包含镍的铁合金构成的情况下，作为镀液，可以使用包含镍化合物的溶液与包含铁化合物的溶液的混合溶液。例如，可以使用包含氨基磺酸镍、溴化镍的溶液与含有氨基磺酸亚铁的溶液的混合溶液。另外，例如在第2层40由镍构成的情况下，作为镀液，可以使用包含镍化合物的溶液。例如，可以使用氨基磺酸镍溶液。另外，在第2层40由包含钴的镍合金构成的情况下，作为镀液，可以使用包含镍化合物的溶液与包含钴化合物的溶液的混合溶液。例如，可以使用氨基磺酸钴溶液。需要说明的是，上述各镀液中可以包含各种添加剂。作为添加剂，例如可以包含硼酸等pH缓冲材、丙二酸、糖精等添加剂。

在形成第2层40之后，可以对第2层40进行退火处理(烧成处理)。由此，能够使通过镀覆处理形成的第2层40重结晶，能够降低第2层40的热膨胀系数。即，一般而言，即使通过轧制处理制作的轧制材和通过镀覆处理制作的镀覆材具有彼此相同的材料成分，镀覆材的热膨胀系数也有高于轧制材的热膨胀系数的倾向。因此，可以使第2层40重结晶，减小第2层40的热膨胀系数。在这样的退火处理时，例如可以在600℃的温度下将第2层40加热5分钟。

需要说明的是，在第2层形成工序中，只要能够形成第2层40，则镀覆处理的具体方法没有特别限定。例如，也可以进行非电解镀覆处理来代替电镀处理。在进行非电解镀覆处理的情况下，由于不存在电镀处理时那样的电极，因此能够使通过非电解镀覆处理形成的第2层40的厚度均等。需要说明的是，在进行非电解镀覆处理的情况下，可以在中间层50的与第1层30侧相反侧的面设置催化剂层(未图示)。即使在进行电镀处理的情况下，也可以在中间层50上设置同样的催化剂层。

虽未图示，但也可以实施按压第2层40的按压工序。例如，可以将与第1层30不同的硅晶片、玻璃晶片等基板的面按压于第2层40。在基板的面比第2层40的第4面402平坦的情况下，能够通过按压工序提高第4面402的平坦性。在基板的面可以包含凹凸图案的情况下，能够通过按压工序对第4面402赋予凹凸图案。按压工序可以在对第2层40进行退火处理的工序之前实施。

虽未图示，但层叠体22可以具备位于第2层40的第4面402上的保护层。保护层例如包含与第1中间层51的材料相同的材料。通过在第4面402形成保护层，能够抑制在后述的第1加工工序中第4面402被蚀刻。保护层可以与第1中间层51同时被除去。

接着，如图9所示，实施在第1层30的第1表面301上局部形成抗蚀剂层38的抗蚀剂形成工序。在抗蚀剂层38形成有与第1开口31对置的抗蚀剂开口381。

抗蚀剂层38可以是光致抗蚀剂。在该情况下，首先，通过在第1面301上涂布液态的抗蚀剂材料，从而在第1面301上形成抗蚀剂层38。在涂布之后，可以实施加热抗蚀剂层38的工序。接着，实施对抗蚀剂层38进行曝光及显影的光刻处理。由此，能够在抗蚀剂层38形成抗蚀剂开口381。

虽未图示，但抗蚀剂层38可以是局部形成于第1面301的硅氧化膜。硅氧化膜例如通过对第1面301局部地实施热氧化处理等而形成。硅氧化膜可以在将中间层50和第2层40层叠于第1层30之前形成于第1层30。

接着，如图10所示，实施第1加工工序，其中，从第1面301侧对第1层30进行蚀刻，由此在第1层30形成第1开口31。第1加工序中的蚀刻可以为使用蚀刻气体的干式蚀刻。蚀刻气体是上述蚀刻剂的一例。由于中间层50对蚀刻剂具有耐性，因此如图10所示，能够抑制蚀刻进行至第2层40。

在蚀刻工序为深层反应性离子蚀刻的情况下，例如如下实施蚀刻工序。即，向腔室内导入蚀刻气体。另外，通过对腔室内的空间施加电压，使蚀刻气体等离子体化。等离子体中的自由基、离子等通过抗蚀剂开口381与第1面301碰撞，由此如图10所示，能够在第1层30形成第1开口31。蚀刻气体例如是SF₆气体。

在孔到达中间层50之后，可以实施去除抗蚀剂层38的抗蚀剂去除工序。例如，向第1面301供给抗蚀剂处理液。

在抗蚀剂层38为光致抗蚀剂的情况下，抗蚀剂处理液例如包含N-甲基--2-吡咯烷酮。可以通过用氧等离子体照射抗蚀剂层38来去除抗蚀剂层38。

在抗蚀剂层38为硅氧化膜的情况下，抗蚀剂处理液例如包含氢氟酸。也可以通过使用CF₄气体等的干式蚀刻来去除抗蚀剂层38。

在第1加工工序之后，可以实施去除中间层50的中间层去除工序。例如，向第1开口31供给中间层50用的蚀刻剂。由此，如图11所示，能够去除俯视观察时与第1开口31重叠的中间层50。中间层50的蚀刻可以是使用氟系气体等的干式蚀刻，也可以是使用酸性的蚀刻液的湿式蚀刻。

抗蚀剂去除工序和中间层去除工序的顺序没有特别限定。抗蚀剂去除工序和中间层去除工序可以同时实施。

接着，实施在第2层40形成多个第2开口41的第2加工工序。例如，如图12所示，向第2层40的第3面401照射激光L。由此，能够在第2层40形成第2开口41。作为激光L，能够使用波长248nm的KrF的准分子激光、波长355nm的YAG激光等。

第2加工工序可以在第2层40的第4面402形成有保护薄膜或保护膜的状态下实施。

保护薄膜是粘贴于第4面402的部件。保护薄膜例如包括树脂薄膜及粘接层。以粘接层与第4面402接触的方式将保护薄膜粘贴于第4面402。粘接层可以为粘合层，也可以为吸附层。

保护膜通过将包含树脂的液体涂布在第4面402上而形成。涂布方法例如为棒涂法、旋涂法、喷涂法等。

保护薄膜或保护膜可以在第2加工工序结束后被去除。

优选的是，保护薄膜或保护膜对激光的反应性比第2层40对激光的反应性低。反应性是指通过激光加工保护薄膜或保护膜或第2层40的速度。

在第2加工工序中，首先，以第4面402与载物台面对置的方式将层叠体22载置于载物台。接着，调整照射头相对于层叠体22的位置。在调整位置的工序中，可以使照射头移动，也可以使载物台移动。通过反复实施激光的照射以及位置的调整，能够在第2层40形成多个第2开口41。如此，能够得到掩模20。

或者，也可以使用与多个第2开口41的图案对应的激光用掩模。在该情况下，可以在激光用掩模与第2层40之间设置聚光透镜。通过使用缩小投影光学系统的激光加工法，能够形成多个第2开口41。

1个第2开口41可以通过1次激光发射而形成。

1个第2开口41也可以通过2次以上的激光发射而形成。在该情况下，通过1次激光发射而形成于第2层40的凹部的深度小于第2层40的厚度。

可以按照第2开口41的第2壁面42包含锥面42a来调整激光。

例如，可以在每次发射时变更与第2开口41对应的激光的照射面积。例如，第2加工工序可以包括：将具有第1照射面积的激光照射至第3面401的第1发射工序；和将具有大于第1照射面积的第2照射面积的激光照射至第3面401的第2发射工序。第1照射面积可以对应于第4面402中的第2开口41的面积。第2照射面积可以对应于第3面401中的第2开口41的面积。第2加工工序可以包含3个以上的发射工序。各发射工序中的激光的照射面积和强度被设定为第2壁面42包含锥面42a。

例如，激光用掩模的1个透射部可以包含具有第1透射率的第1透射区域、和具有低于第1透射率的第2透射率的第2透射区域。第1透射区域的轮廓可以对应于第4面402中的第2开口41的轮廓。第2透射区域可以在俯视时包围第1透射区域。第2透射区域的轮廓可以对应于第3面401中的第2开口41的轮廓。1个透射部可以包含3个以上的透射区域。各透射区域的形状和透射率被设定为第2壁面42包含锥面42a。

需要说明的是，如上所述，本实施方式的第2层40通过镀覆处理而形成。在该情况下，在第2层40残留有在俯视观察时在收缩的方向上作用的应力。由此，即使在例如蒸镀时那样第2层40的温度上升而第2层40热膨胀的情况下，只要残留有上述应力，就能够维持第2开口41的位置精度。

接着，对框架60的制造方法进行说明。首先，准备包含上述的玻璃材料或金属材料的板状部件，对其进行切削加工而制作具有第3开口61的框架60。作为用于对板状部件进行切削加工的切削工具，能够利用钻头、车刀、铣刀、立铣刀等。

在制作掩模20和框架60之后，实施将框架60安装于掩模20的安装工序。具体而言，如图13所示，在框架60的第6面601上，沿着第3开口61的边缘周状地形成连接层70。连接层70可以包括间隔件75。连接层70在将掩模20与框架60连接之前，通过加热等而软化。

接着，使用支承单元80从第1层30侧支承掩模20。支承单元80从第1面301侧支承第1层30的内侧区域36。然后，使框架60的第5面601与第1层30的第1面301相对，使支承单元80移动，使掩模20接近框架60上的连接层70。此时，使用框架60的对准标记和掩模20的对准标记，进行掩模20相对于框架60的定位。在掩模20存在翘曲的情况下，使用与支承单元80对置的按压单元，一边矫正翘曲一边使掩模20接近连接层70。

接着，实施将掩模20和框架60相互按压的按压工序。由此，连接层70被压扁，连接层70的厚度变得均匀。具体而言，连接层70的厚度成为与间隔件75的尺寸相应的均匀的厚度。由此，第2层40与框架60平行。

接着，通过冷却等使连接层70硬化，将掩模20和框架60相互固定。如此，能够得到带框架的掩模15。

接着，对使用带框架的掩模15制造有机器件100的方法的一例进行说明。

首先，准备形成有第1电极120的基板110。基板110可以为硅晶片。第1电极120例如可以通过在利用真空成膜法等在基板110形成构成第1电极120的导电层后，利用光刻法等对导电层进行图案化而形成。导电层的图案化可以使用实施半导体制造工序的装置来实施。位于相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160也可以形成于基板110。

接着，在第1电极120上形成包括第1有机层130A、第2有机层130B等的有机层130。例如，首先，将包含第1掩模20的带框架的掩模15设置在蒸镀装置10内，通过使用第1掩模20的蒸镀法形成第1有机层130A。第1掩模20具备与第1有机层130A对应的第2开口41。接着，将包括第2掩模20的带框架的掩模15设置在蒸镀装置10内，通过使用第2掩模20的蒸镀法形成第2有机层130B。第2掩模20具备与第2有机层130B对应的第2开口41。接着，将包括第3掩模20的带框架的掩模15设置在蒸镀装置10内，通过使用第3掩模20的蒸镀法形成第3有机层。第3掩模20具备与第3有机层对应的第2开口41。在将带框架的掩模15设置于蒸镀装置10内时以及从蒸镀装置10取出时，把持框架60。由此，抑制第1层30破损或第2层40变形的可能性。另外，在蒸镀装置10内，框架60由掩模保持架9支承。由此，抑制掩模保持架9与第1层30的第1开口31、第2层40的第2开口41干涉的可能性。换言之，能够抑制蒸镀材料向基板110的附着被掩模保持架9妨碍的可能性。

接着，在有机层130上形成第2电极140。例如，如图1所示，可以通过真空成膜法等而在第1面111的整体形成第2电极140。或者，虽未图示，但也可以与有机层130同样地通过使用掩模20的蒸镀法形成第2电极140。之后，可以在第2电极140上形成未图示的密封层等。这样，能够得到有机器件100。

可以在1个基板110形成有多个有机器件100。1个有机器件100可以与掩模20的1个第1开口31对应。该情况下，可以实施裁断基板110的工序。例如，沿着与掩模20的内侧区域36对应的基板110的区域裁断基板110。由此，能够得到多个有机器件100。

对通过使用掩模20的蒸镀法形成有机层130、第2电极140等时的掩模20的效果进行说明。

掩模20具备包含硅或硅化合物的第1层30。因此，在基板110包含硅的情况下，能够抑制在基板110产生的热膨胀与在掩模20产生的热膨胀之间产生差异。由此，能够抑制因掩模20的热膨胀而使有机层130、第2电极140等蒸镀层的位置、形状等的精度下降。因此，能够提供具有高元件密度的有机器件100。

掩模20具备包含多个第2开口41的第2层40。通过与第1层30分开地设置第2层40，能够减小第2层40的厚度，因此能够抑制在蒸镀工序中产生阴影。另外，通过适当地确保俯视观察时的第1壁面32与第2开口41之间的间隔S6，能够在抑制阴影的同时适当地确保第1层30的厚度。

能够对上述一个实施方式施加各种变更。以下，根据需要参照附图对变形例进行说明。在以下的说明和以下的说明中使用的附图中，对于能够与上述一个实施方式同样构成的部分，使用与对上述一个实施方式中的对应部分所用的附图标记相同的附图标记。省略重复的说明。另外，在明确在上述一个实施方式中得到的作用效果在变形例中也能得到的情况下，有时也省略其说明。

例如，掩模20也可以在第1层30与第2层40之间不包含中间层50。在该情况下，第1层30的第2面302与第2层40的第3面401可以直接连接。

另外，第2开口41也可以在第2层形成工序中形成。例如，如图14A所示，在中间层形成工序之后且第2层形成工序之前，在中间层50上形成绝缘层55。绝缘层55可以通过使用硅酸四乙酯Si(OC₂H₅)₄作为原料的化学气相沉积法来形成。接着，通过干式蚀刻等将绝缘层55局部去除，在中间层50上以与第2开口41对应的图案形成多个绝缘凸部56。绝缘凸部56形成于在俯视观察时与中间层50上的第2开口41重叠的位置。接着，如图14C所示，在形成有绝缘凸部56的中间层50上实施镀覆处理。由此，能够在形成第2层40的同时在第2层40形成第2开口41。

另外，如图15所示，可以在框架60的内周部设置有台阶部65。台阶部65向从第5面601朝向第6面602的方向凹陷。台阶部65由从框架60的内缘604朝向外缘603扩展的面651、和将面651与第5面601连接的面652形成。面651与第6面602的距离小于第5面601与第6面602的距离。在该情况下，第1层30的第1面301侧的外缘303可以被收容于台阶部65，更具体而言被收容于由面651和面652划分出的空间。在该情况下，第1层30的外缘303被框架60包围。其结果，能够更有效地抑制第1层30的外侧区域35破损的可能性。

在框架60设置有台阶部65的情况下，如图15所示，连接层70不仅配置于框架60与第1面301之间，也可以配置于框架60与外缘303之间。由此，能够更牢固地连接框架60和第1层30。

或者，在框架60设置有台阶部65的情况下，如图16所示，连接层70也可以不配置于框架60与第1面301之间，而仅配置于框架60与外缘303之间。在该情况下，由于在框架60与第1面301之间未配置连接层70，因此不需要为了使框架60与第2层40平行而调整连接层70的厚度。

另外，在框架60设置有台阶部65的情况下，框架60的第5面601可以与第4面402为齐平面。在该情况下，在基板110或基板110上的构成要素上通过掩模20形成蒸镀层时，也能够使第2层40与基板110或基板110上的构成要素接触。

图17是示出具备有机器件100的装置200的一例的图。装置200包括基板110和有机层130。有机层130是通过使用掩模20的蒸镀法形成的层。装置200例如是智能手机。装置200可以是平板终端、可穿戴终端等。可穿戴终端为智能眼镜、头戴式显示器等。

也可以根据需要适当组合上述实施方式和变形例所公开的多个构成要素。或者，也可以从上述实施方式和变形例所示的全部构成要素中删除几个构成要素。

符号说明

10：蒸镀装置、15：带框架的掩模、20：掩模、201：入射面、202：出射面、30：第1层、301：第1面、302：第2面、31：第1开口、32：第1壁面、40：第2层、401：第3面、402：第4面、41：第2开口、43：周缘区域、44：有效区域、50：中间层、51：第1中间层、60：框架、601：第5面、602：第6面、61：第3开口、65：台阶部、70：连接层、75：间隔件、100：有机器件

Claims (10)

1.一种带框架的掩模，其包括：

第1层，其包括第1面、位于所述第1面的相反侧的第2面、从所述第1面向所述第2面贯通的至少一个第1开口、外缘、以及在俯视观察时位于所述外缘与所述第1开口之间的外侧区域；

第2层，其包括与所述第2面对置的第3面、位于所述第3面的相反侧的第4面、以及从所述第3面向所述第4面贯通且在俯视观察时与所述第1开口重叠的多个第2开口；和

框架，其与所述第1层的外缘和/或所述第1层的所述外侧区域的所述第1面连接，

所述第1层包含硅，

在俯视观察时，所述框架的至少一部分扩展至所述第1层的所述外缘的外侧，

所述框架包含玻璃或金属。

2.根据权利要求1所述的带框架的掩模，其中，所述框架包括：第5面，其朝向与所述第4面相同的一侧；第6面，其位于所述第5面的相反侧；和第3开口，其从所述第5面向所述第6面贯通、且在俯视观察时与所述第1开口重叠。

3.根据权利要求1所述的带框架的掩模，其中，在所述框架形成有收容所述第1层的所述外缘的台阶部。

4.根据权利要求1所述的带框架的掩模，其中，在所述框架与所述第1层之间具有连接层。

5.根据权利要求4所述的带框架的掩模，其中，所述连接层包含玻璃材料、无机材料、金属材料或树脂材料。

6.根据权利要求4所述的带框架的掩模，其中，所述连接层包括间隔件。

7.根据权利要求1所述的带框架的掩模，其中，在所述框架与所述第1层之间配置有间隔件。

8.根据权利要求4所述的带框架的掩模，其中，所述连接层仅配置在所述第1层的所述外缘与所述框架之间。

9.根据权利要求1所述的带框架的掩模，其中，在所述第1层与所述第2层之间包括中间层。

10.一种有机器件的制造方法，具备通过使用权利要求1至9中任一项所述的带框架的掩模的蒸镀法在基板上形成有机层的工序。