CN120035266B - 背接触光伏电池片、背接触光伏电池组件及制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请关于一种背接触光伏电池片、背接触光伏电池组件及制备方法，涉及光伏电池片技术领域。本申请的制备方法包括：提供基片，基片包括硅基底，硅基底的背光面设置有隧穿氧化钝化接触结构，其中，隧穿氧化钝化接触结构包括掺杂介质层。可以使掺杂介质层的局部被催化掺杂，和/或，也可以使硅基底的受光面被催化掺杂。在催化掺杂之后，形成欧姆接触于掺杂介质层的金属电极。根据本申请制备方法所制备出的背接触光伏电池片可以具备如下优势，背接触光伏电池片所能产生光生电子和光生空穴的数量相对较多，并且背接触光伏电池片所能产生的少子（光生电子或光生空穴）的寿命相对较高，因此所制备出的背接触光伏电池片的光电转换效率相对较大。

Description

背接触光伏电池片、背接触光伏电池组件及制备方法

技术领域

本申请涉及光伏电池片技术领域，尤其涉及一种背接触光伏电池片、背接触光伏电池组件及制备方法。

背景技术

背接触光伏电池片是一种正金属电极与负金属电极均设置于电池片背光侧的电池片，背接触光伏电池片的受光面（别称前表面或正面）的面积相对较大，因此背接触光伏电池片的光电转换效率相对较大。由于背接触光伏电池片的光电转换效率也和少子（电子或空穴）的寿命呈正相关关系，而在相关技术中背接触光伏电池片的少子寿命还有待提高。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种背接触光伏电池片、背接触光伏电池组件及制备方法，可以提高背接触光伏电池片的少子寿命，从而可以提高背接触光伏电池片的光电转换效率。

第一方面，本申请提供一种背接触光伏电池片的制备方法，该制备方法包括：提供基片，基片包括硅基底，硅基底的背光面设置有隧穿氧化钝化接触结构，其中，隧穿氧化钝化接触结构包括掺杂介质层。可以使掺杂介质层的局部被催化掺杂，和/或，也可以使硅基底的受光面被催化掺杂。在催化掺杂之后，形成欧姆接触于掺杂介质层的金属电极。

可选地，掺杂介质层包括N型掺杂介质层，在催化掺杂N型掺杂介质层的局部的过程中利用含磷化氢的气体作为掺杂源。

可选地，在设置有隧穿氧化钝化接触结构之后和在使掺杂介质层的局部被催化掺杂之前，本申请的制备方法还包括去除掺杂介质层的硅玻璃层。

可选地，在使掺杂介质层的局部被催化掺杂之后，本申请的制备方法还包括在掺杂介质层形成掩膜层。

可选地，在使硅基底的受光面被催化掺杂之前，本申请的制备方法还包括利用碱性制绒液在硅基底的受光面制绒。

可选地，在硅基底为N型硅基底的条件下，使硅基底的受光面被催化掺杂的方法包括用含磷化氢的气体作为掺杂源。

可选地，在使掺杂介质层的局部被催化掺杂之后，再使硅基底的受光面被催化掺杂，或者，在使硅基底的受光面被催化掺杂之后，再使掺杂介质层的局部被催化掺杂，还或者，同时使掺杂介质层的局部被催化掺杂以及使硅基底的受光面被催化掺杂。

可选地，催化掺杂的温度在350℃~500℃范围内。

可选地，在催化掺杂之后和在形成金属电极之前，本申请的制备方法还包括利用原子层沉积工艺双面沉积氧化铝钝化层，以及还包括利用等离子体增强化学气相沉积在氧化铝钝化层沉积氮化硅钝化层。

根据上述关于本申请制备方法的内容，所能制备出的背接触光伏电池片可以具备如下有益效果，背接触光伏电池片所能产生光生电子和光生空穴的数量相对较多，并且背接触光伏电池片所能产生的少子（光生少子或光生电子）的寿命相对较高，因此所能制备出的背接触光伏电池片的光电转换效率相对较大。

第二方面，本申请提供一种背接触光伏电池片，背接触光伏电池片由上文所描述的背接触光伏电池片的制备方法制备出。根据上述内容可知，本申请的背接触光伏电池片的光电转换效率相对较大。

第三方面，本申请提供一种背接触光伏电池组件，背接触光伏电池组件包括至少一个电池串，电池串由上文所描述的背接触光伏电池片电连接形成。相应地，本申请的背接触光伏电池组件可以具备较大的光电转换效率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为基片在一种实施例中的局部结构示意图，其中，基片包括硅基底和N型隧穿氧化钝化接触结构；

图2为基片在一种实施例中的局部结构示意图，其中，基片包括硅基底和N型隧穿氧化钝化接触结构，并且N型隧穿氧化钝化接触结构包括N型催化掺杂部；

图3为基片在一种实施例中的局部结构示意图，其中，基片包括硅基底；

图4为基片在一种实施例中的局部结构示意图，其中，基片包括硅基底和顶催化掺杂部；

图5为硅基底在一种实施例中的结构示意图；

图6为硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构、硼硅玻璃层、绕镀层在一种实施例中的结构示意图；

图7为硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构、硼硅玻璃层和绕镀层在一种实施例中的结构示意图，其中，还设置有第一窗口；

图8为硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构、硼硅玻璃层、绕镀层、N型隧穿氧化钝化接触结构和磷硅玻璃层在一种实施例中的结构示意图；

图9为硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构、硼硅玻璃层、绕镀层和N型隧穿氧化钝化接触结构在一种实施例中的结构示意图；

图10为硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构、硼硅玻璃层、绕镀层和N型隧穿氧化钝化接触结构在一种实施例中的结构示意图，其中，N型隧穿氧化钝化接触结构包括N型催化掺杂部；

图11为硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构、硼硅玻璃层、绕镀层、N型隧穿氧化钝化接触结构和掩膜层在一种实施例中的结构示意图；

图12为硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构、硼硅玻璃层、绕镀层、N型隧穿氧化钝化接触结构和掩膜层在一种实施例中的结构示意图，其中，还设置有第二窗口；

图13为硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构、硼硅玻璃层、N型隧穿氧化钝化接触结构和掩膜层在一种实施例中的结构示意图，其中，还设置有第二窗口；

图14为带绒面的硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构、硼硅玻璃层、N型隧穿氧化钝化接触结构和掩膜层在一种实施例中的结构示意图，其中，还设置第二窗口；

图15为带绒面的硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构和N型隧穿氧化钝化接触结构在一种实施例中的结构示意图，其中，还设置第二窗口；

图16为顶催化掺杂部、带绒面的硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构和N型隧穿氧化钝化接触结构在一种实施例中的结构示意图，其中，还设置第二窗口；

图17为顶催化掺杂部、带绒面的硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构、N型隧穿氧化钝化接触结构和氧化铝钝化层在一种实施例中的结构示意图；

图18为顶催化掺杂部、带绒面的硅基底、P型隧穿氧化钝化接触结构、N型隧穿氧化钝化接触结构、氧化铝钝化层和氮化硅钝化层在一种实施例中的结构示意图；

图19为本申请所提供的背接触光伏电池片在一种实施例中的结构示意图；

图20为本申请实施例的背接触光伏电池片与相关技术中背接触光伏电池片关于少子寿命对比示意图；

图21为本申请实施例的背接触光伏电池片与相关技术中背接触光伏电池片关于掺杂浓度和掺杂深度的对比示意图。

附图标记：

10-基片、1-硅基底、1a-受光侧、1b-背光侧、11-受光面、111-绒面、112-顶催化掺杂部、12-背光面、2-隧穿氧化钝化接触结构、21-N型隧穿氧化钝化接触结构、211-N区隧穿氧化层、212-N型掺杂介质层、212a-N型初始掺杂部、212b-N型催化掺杂部、21a-磷硅玻璃层、22-P型隧穿氧化钝化接触结构、221-P区隧穿氧化层、222-P型掺杂介质层、22a-硼硅玻璃层、2a-第一窗口、2b-第二窗口、2c-绕镀层、3-掩膜层、4-氧化铝钝化层、5-氮化硅钝化层、6-负金属电极、7-正金属电极。

具体实施方式

为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

本文附图中方向X和方向Y垂直。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，甲和/或乙，可以表示：单独存在甲，同时存在甲和乙，单独存在乙这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

第一方面，本申请提供一些关于背接触光伏电池片的制备方法的实施例，其中，制备方法可以包括如下内容。

提供基片，基片主要是指在制备成能投入使用的背接触光伏电池片之前的结构。基片可以包括硅基底（别称硅衬底），硅基底的表面可以包括在硅基底厚度方向上背向彼此设置的受光面和背光面。受光面是指在后续所要形成的背接触光伏电池片中用于被太阳光直接照射的表面，背光面是指在后续所要形成的背接触光伏电池片中不用于被太阳光直接照射的表面，背光面可以被环境中的反射光照射。

在一些实施例中，请参照图1所示，基片还可以包括N型隧穿氧化钝化接触结构21，N型隧穿氧化钝化接触结构21设置于硅基底1的背光面12。其中，N型隧穿氧化钝化接触结构21可以包括N区隧穿氧化层211和N型掺杂介质层212，N区隧穿氧化层211位于硅基底1和N型掺杂介质层212之间。

其中，N区隧穿氧化层211可以包括氧化硅（SiO_X）、氮化硅（SiN_X）和氮氧化硅（SiON）中的至少一种。N区隧穿氧化层211的厚度尺寸（沿方向Y的尺寸）可以在0.5nm~3nm范围内，厚度尺寸具体可以为0.5nm、1nm、1.5nm、2nm、2.5nm或3nm。N区隧穿氧化层211与硅基底1表面的悬挂键（晶体内某个原子的价键未与其它原子完全结合而形成的未配对电子态）结合，N区隧穿氧化层211可以起到良好的化学钝化作用，有利于降低硅基底1内所能产生的光生电子和光伏空穴在硅基底1和N区隧穿氧化层211之间界面处发生复合的速率。

另外，N型掺杂介质层212内可以掺杂有至少一种N型元素（化学元素周期表中第五主族元素），例如磷元素、砷元素、锑元素等N型元素。N型掺杂介质层212可以包括多晶硅、非晶硅和微晶硅中的至少一种。N型掺杂介质层212在后续的金属化过程中可以与负金属电极（图中未示出）欧姆接触。

关于形成N型掺杂介质层212的方法可以包括：在形成N区隧穿氧化层211之后，可以采用低压化学气相沉积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD）在N区隧穿氧化层211的背离硅基底1的一侧形成本征介质层（含多晶硅、非晶硅和微晶硅中的至少一种）。在形成本征介质层之后，利用热扩散工艺向本征介质层内扩散含N型元素的杂质，以形成N型掺杂介质层212。

在一些实施例中，可以将包括如图1所示结构的基片放置于化学气相沉积腔室（图中未示出）内，向化学气相沉积腔室内通入含磷化氢的气体，利用含磷化氢的气体作为掺杂源。化学气相沉积腔室内还设置有金属丝（图中未示出），在向金属丝通电的条件下，金属丝可以产生热量，产生热量的金属丝对于磷化氢可以起到化学催化作用，该化学催化作用可以使磷化氢被催化分解为一些粒子，这些粒子可以包括磷原子和氢原子，磷原子和氢原子可以掺杂进入或扩散进入N型掺杂介质层212内，以使N型掺杂介质层212的局部被催化掺杂。

请参照图2所示，在N型掺杂介质层212的局部被催化掺杂之后，N型掺杂介质层212可以包括N型初始掺杂部212a和N型催化掺杂部212b，N型初始掺杂部212a位于N区隧穿氧化层211和N型催化掺杂部212b之间。可以理解的是，N型初始掺杂部212a是N型掺杂介质层212中没有被催化掺杂的部位，N型催化掺杂部212b是N型掺杂介质层212中已被催化掺杂的部位，因此N型初始掺杂部212a所包括的N型元素的浓度小于N型催化掺杂部212b所包括的N型元素的浓度，N型初始掺杂部212a相对于N型催化掺杂部212b是轻掺杂区，N型催化掺杂部212b相对于N型初始掺杂部212a是重掺杂区，N型催化掺杂部212b和N型初始掺杂部212a之间可以形成高低结（N⁺/N）。该高低结（N⁺/N）在后续所要制备形成的背接触光伏电池片中可以起到场钝化作用，该场钝化作用可以促进光生电子从N型初始掺杂部212a迁移至N型催化掺杂部212b，从而可以促进光生电子被负金属电极收集。

在N型掺杂介质层212的局部被催化掺杂过程中，化学气相沉积腔室内的温度相对较低，也可以说，在催化掺杂过程中基片的温度小于在利用热扩散工艺形成掺杂介质层过程中基片的温度。因此，在催化掺杂过程中，之前已经通过热扩散工艺掺杂于N型掺杂介质层212内的N型元素不容易沿N区隧穿氧化层211指向硅基底1的方向（例如方向Y）继续扩散，也可以说，N型初始掺杂部212a内的N型元素不容易扩散至N区隧穿氧化层211和硅基底1之间的界面，不容易在N区隧穿氧化层211和硅基底1之间界面产生较多的新的悬挂键及新的复合中心（通过提供中间能级或缺陷能级以促进电子与空穴发生复合的缺陷），从而使N区隧穿氧化层211仍可以良好地化学钝化硅基底1的表面。

在一些实施例中，在N型掺杂介质层212的局部被催化掺杂过程中，所使用的化学气相沉积腔室内的温度可以在350℃~500℃范围内，具体可以为350℃、375℃、380℃、385℃、390℃、395℃、400℃、405℃、410℃、415℃、420℃、425℃、450℃、475℃或500℃。

相关技术中，在利用热扩散工艺形成N型掺杂介质层之后，为了在N型掺杂介质层内形成高低结（N⁺/N），还需要利用热扩散工艺（别称后扩散工艺）或其它利用高温（例如大于700℃）促进扩散的工艺，使得N型掺杂介质层内的N型元素容易扩散至N区隧穿氧化层和硅基底之间界面，从而使N区隧穿氧化层不能良好地化学钝化硅基底的表面。

由此可见，本申请所提供的关于制备方法的实施例可以具备如下优势，在保证N区隧穿氧化层211仍能良好地化学钝化硅基底1的表面的基础上，在N型掺杂介质层212内形成所需要的高低结（N⁺/N）。

在N型掺杂介质层212的局部被催化掺杂过程中，由于基片所处环境的温度（例如在350℃~500℃范围内）相对较低，基片内部的温度也相对较低，使得N型掺杂介质层212内不容易再结晶而产生较多的晶格缺陷，即N型掺杂介质层212内不容易产生较多的新的悬挂键及新的复合中心，使得后续所要制备出的背接触光伏电池片所能产生的光生电子不容易在N型掺杂介质层212内被复合。

相关技术中，在利用热扩散工艺形成N型掺杂介质层之后，为了在N型掺杂介质层内形成高低结（N⁺/N），需要再利用热扩散工艺（别称后扩散工艺）或其它利用高温（例如大于700℃）促进扩散的工艺，N型掺杂介质层内容易再结晶并产生较多的新的晶格缺陷，相应地，N型掺杂介质层内容易产生较多的新的悬挂键及新的复合中心，使得所能制备出的背接触光伏电池片所能产生的光生电子容易在N型掺杂介质层内被复合。

由此可见，本申请所提供的关于制备方法的实施例可以具备如下优势，即在保证N型掺杂介质层212内不产生较多的新的悬挂键及复合中心的基础上，在N型掺杂介质层212内形成所需要的高低结（N⁺/N）。

在N型掺杂介质层212的局部被催化掺杂过程中，磷原子和氢原子会同步地在N型掺杂介质层212内扩散，但氢原子会优先占据晶格空位，以降低磷原子的迁移势垒，以促进磷原子向N型掺杂介质层212内更深处扩散，以使所能形成的N型催化掺杂部212b的厚度尺寸（沿方向Y的尺寸）相对较大，即N型掺杂介质层212的表面及附近不容易堆积过多的磷原子，N型掺杂介质层212的表面及附近不容易产生较多的新的晶格缺陷，所能产生的新的悬挂键的数量较少，可以减弱俄歇复合的不良影响。俄歇复合是指电子与空穴复合时，把能量或者动量，通过碰撞转移给另一个电子或者另一个空穴，造成该电子或者空穴跃迁的复合过程叫俄歇复合。虽然磷原子在N型掺杂介质层212内扩散以形成N型催化掺杂部212b时，还是会不可避免地在N型催化掺杂部212b内产生一些新的晶格缺陷，从而产生一些新的悬挂键。但是磷原子和氢原子可以同步地扩散进入N型掺杂介质层212内，使得氢原子能同步地迁移至所产生的新的晶格缺陷处并且与新的悬挂键结合，即可以进一步减弱俄歇复合的不良影响。

相关技术中，在利用热扩散工艺形成N型掺杂介质层之后，为了在N型掺杂介质层内形成高低结（N⁺/N），需要再利用热扩散工艺（别称后扩散工艺）或其它利用高温促进扩散的工艺。在N型掺杂介质层内所能形成的重掺杂区的厚度相对较小，即重掺杂区主要在N型掺杂介质层表面，使得N型掺杂介质层的表面的晶格缺陷数量相对较多，相应地，俄歇复合的不良影响较为明显，而且所能形成的高低结（N⁺/N）所能起到的场钝化作用相对较弱。

由此可见，本申请所提供的关于制备方法的实施例可以具备如下优势，在N型掺杂介质层212内形成高低结（N⁺/N）的过程中，可以促进磷原子向N型掺杂介质层212内更深处迁移，以减弱俄歇复合的不良影响。即使不可避免地产生新的晶格缺陷，与磷原子同步掺杂至N型掺杂介质层212内的氢原子也会及时地与新的悬挂键结合，以进一步减弱俄歇复合的不良影响。

在一些实施例中，N型掺杂介质层212中的N型初始掺杂部212a和N型催化掺杂部212b在后续的金属化过程中均会与负金属电极欧姆接触。N型掺杂介质层212与负金属电极之间的接触电阻的大小与N型掺杂介质层212的掺杂浓度的大小之间存在负相关关系，由于N型催化掺杂部212b的掺杂浓度大于N型初始掺杂部212a的掺杂浓度，因此N型催化掺杂部212b与负金属电极之间的接触电阻会相对较小。再根据上文可知，磷原子和氢原子在N型掺杂介质层212内协同扩散的机制可以促进磷原子向N型掺杂介质层212内更深处扩散，以使所能形成的N型催化掺杂部212b的厚度尺寸相对较大。在实施后续的金属化过程之后，厚度尺寸相对较大的N型催化掺杂部212b与负金属电极之间的接触面积相对较大。由此可知，厚度尺寸相对较大的N型催化掺杂部212b与负金属电极之间的接触电阻相对更低，使得N型催化掺杂部212b内所能收集的光生电子更容易迁移至负金属电极。

相关技术中，为了在N型掺杂介质层内形成厚度尺寸相对较大的重掺杂区，以降低接触电阻，而不得不增加掺杂源浓度或扩散源浓度，不仅会进一步加剧俄歇复合的不良影响，所能增加的重掺杂区的厚度尺寸的幅度相对较小，即所能降低的接触电阻的幅度相对较小。

由此可见，本申请所提供的关于制备方法的实施例可以具备如下优势，在不会进一步加剧俄歇复合的不良影响的基础上，较大幅度地降低N型催化掺杂部212b与负金属电极之间的接触电阻。

根据上文可知，根据本申请所提供的关于制备方法的一些实施例所制备出的背接触光伏电池片可以兼顾如下优势，N型掺杂介质层212内所具备的高低结（N⁺/N）所能起到的场钝化作用相对较强，N区隧穿氧化层211仍可以起到良好的化学钝化作用，N型掺杂介质层212内的俄歇复合的不良影响相对较弱，N型掺杂介质层212与负金属电极之间的接触电阻相对较小，这些优势综合使得背接触光伏电池片的光电转换效率相对较大。

在其它一些实施例中，在N型掺杂介质层212的局部被催化掺杂过程中，不限于利用含有磷化氢（PH₃）的气体作为掺杂源，还可以利用含有‌砷化氢（AsH₃）和/或锑化氢（SbH₃）的气体作为掺杂源。

在一些实施例中，在形成如图1所示的包括N区隧穿氧化层211和N型掺杂介质层212的N型隧穿氧化钝化接触结构21之后，以及在催化掺杂N型掺杂介质层212的局部之前，去除N型掺杂介质层212的硅玻璃层（图中未示出），硅玻璃层位于N型掺杂介质层212的背离N区隧穿氧化层211的一侧，以便于后续在催化掺杂N型掺杂介质层212的局部的过程中，使得磷原子和氢原子更容易向N型掺杂介质层212内扩散。

其中，硅玻璃层可以主要是磷硅玻璃（Phosphorosilicate Glass，PSG）。

另外，去除硅玻璃层的方法可以包括利用激光去除，或者，去除硅玻璃层的方法可以包括利用酸液（包括氢氟酸和/或盐酸）去除，还或者，去除硅玻璃层的方法可以包括先利用激光改性硅玻璃层再利用酸液去除硅玻璃层。

在一些实施例中，在催化掺杂N型掺杂介质层212的局部之后，可以在N型掺杂介质层212形成掩膜层，也可以说，在N型催化掺杂部212b形成掩膜层。在后续湿法处理该基片的过程中，掩膜层可以用于保护已被催化掺杂的N型掺杂介质层212，降低已被催化掺杂的N型掺杂介质层212被腐蚀损坏的可能性程度。

其中，形成掩膜层的方法可以包括：采用等离子体增强化学气相沉积（PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）在N型催化掺杂部212b的背离N型初始掺杂部212a的一侧形成掩膜层，该掩膜层可以包括氧化硅（SiO_X）、氮化硅（SiN_X）和氮氧化硅（SiON）中的至少一种。形成掩膜层的方法也可以包括：利用氧气或臭氧氧化处理N型催化掺杂部212b，以在N型催化掺杂部212b的表面向内局部地形成氧化硅（SiO_X），该氧化硅（SiO_X）可以作为掩膜层。形成掩膜层的方法也可以包括：在N型催化掺杂部212b的表面涂敷光刻胶，光刻胶被曝光处理后形成掩膜层。

在其它一些实施例中（图中未示出），基片还可以包括P型隧穿氧化钝化接触结构，P型隧穿氧化钝化接触结构设置于硅基底的背光面。其中，P型隧穿氧化钝化接触结构可以包括P区隧穿氧化层和P型掺杂介质层，P区隧穿氧化层位于硅基底和P型掺杂介质层之间。掺杂介质层内可以掺杂有至少一种P型元素（化学元素周期表中第三主族元素），例如硼元素、铝元素、镓元素等P型元素。P型掺杂介质层可以包括多晶硅、非晶硅和微晶硅中的至少一种。P型掺杂介质层在后续的金属化过程中与正金属电极欧姆接触。相应地，形成该P型掺杂介质层的方法可以采用LPCVD在P区隧穿氧化层的背离硅基底的一侧形成本征介质层（含多晶硅、非晶硅和微晶硅中的至少一种），在形成本征介质层之后，利用热扩散工艺向本征介质层扩散含P型元素的杂质，以形成P型掺杂介质层。可以将包括P型掺杂介质层的基片放置于化学气相沉积腔室内，向化学气相沉积腔室内通入含硼化氢的气体，利用含硼化氢的气体作为掺杂源。化学气相沉积腔室内还设置有金属丝，在向金属丝通电的条件下，金属丝可以产生热量，产生热量的金属丝对于硼化氢可以起到化学催化作用，该化学催化作用可以使硼化氢被催化分解为一些粒子，这些粒子可以包括硼原子和氢原子，硼原子和氢原子可以掺杂进入或扩散进入P型掺杂介质层内，以使P型掺杂介质层的局部被催化掺杂。根据该实施例的制备方法所制备出的背接触光伏电池片也可以兼顾如下优势，P型掺杂介质层内所具备的高低结（P⁺/P）所能起到的场钝化作用相对较强，P区隧穿氧化层仍可以起到良好的化学钝化作用，P型掺杂介质层内的俄歇复合的不良影响相对较弱，P型掺杂介质层与正金属电极之间的接触电阻相对较小，这些优势综合使得背接触光伏电池片的光电转换效率相对较大。

在其它一些实施例中，在P型掺杂介质层的局部被催化掺杂过程中，不限于利用含有硼化氢（B₂H₆或BH₃）的气体作为掺杂源，还可以利用含有‌铝烷（AlH₃）、甲镓烷（GaH₃）和铟烷（InH₃）中至少一者的气体作为掺杂源。

在一些实施例中，在催化掺杂P型掺杂介质层的局部之前，可以去除P型掺杂介质层的硅玻璃层，硅玻璃层位于P型掺杂介质层的背离P区隧穿氧化层的一侧，以便于后续在催化掺杂P型掺杂介质层的局部的过程中，使得硼原子和氢原子更容易向P型掺杂介质层内扩散。

其中，硅玻璃层可以主要是硼硅玻璃（Borosilicate Glass‌，PSG）。

另外，去除硅玻璃层的方法可以包括利用激光去除，或者，去除硅玻璃层的方法可以包括利用酸液（包括氢氟酸和/或盐酸）去除，还或者，去除硅玻璃层的方法可以包括先利用激光改性硅玻璃层再利用酸液去除硅玻璃层。

在一些实施例中，在催化掺杂P型掺杂介质层的局部之后，可以在P型掺杂介质层形成掩膜层，也可以说，在P型催化掺杂部形成掩膜层。在后续湿法处理该基片的过程中，掩膜层可以用于保护已被催化掺杂的P型掺杂介质层，降低已被催化掺杂的P型掺杂介质层被腐蚀损坏的可能性程度。

其中，形成用于保护P型掺杂介质层的掩膜层的方法可以参照上文所描述的采用PECVD、氧化处理或光刻胶，此处不再赘述。

在一些实施例中，请参照图3所示，还可以使硅基底1的受光面11被催化掺杂，以形成如图4所示的顶催化掺杂部112。

在一些实施例中，在硅基底1为N型硅基底的条件下，即在硅基底1也掺杂有N型元素的条件下，可以将包括如图3所示结构的基片放置于化学气相沉积腔室（图中未示出）内，向化学气相沉积腔室内通入含磷化氢的气体，利用含磷化氢的气体作为掺杂源。化学气相沉积腔室内还设置有金属丝（图中未示出），在向金属丝通电的条件下，金属丝可以产生热量，产生热量的金属丝对于磷化氢可以起到化学催化作用，该化学催化作用可以使磷化氢被催化分解为一些粒子，这些粒子可以包括磷原子和氢原子，磷原子和氢原子可以经过受光面11掺杂进入或扩散进入硅基底1内，以形成位于硅基底1顶部的顶催化掺杂部112。顶催化掺杂部112的掺杂浓度大于硅基底1的掺杂浓度，顶催化掺杂部112相对于硅基底1是重掺杂区，硅基底1相对于顶催化掺杂部112是轻掺杂区。顶催化掺杂部112和硅基底1之间可以形成高低结（N⁺/N），该高低结（N⁺/N）可以在后续所要制备形成的背接触光伏电池片中可以起到场钝化作用，该场钝化作用可以阻碍硅基底1内所产生的光生空穴向硅基底1的受光面11迁移的趋势或者向顶催化掺杂部112迁移的趋势，降低光生空穴在硅基底1和顶催化掺杂部112之间界面处被复合的速率，从而促进较多的光生空穴向正金属电极迁移。

在硅基底1的受光面11及附近被催化掺杂过程中，由于化学气相沉积腔室内的温度（例如在350℃~500℃范围内）相对较低，硅基底1的受光面11及附近的温度也相对较低，使得硅基底1的受光面11及附近所产生的晶格缺陷数量相对较少，使得硅基底1的受光面11及附近所产生的新的悬挂键数量及新的复合中心数量相对较少，使得后续所要制备形成的背接触光伏电池片所能产生的光生空穴不容易在硅基底1和顶催化掺杂部112之间界面处及附近被复合，从而使有利于相对较多的光生空穴可以向正金属电极迁移。

在硅基底1的受光面11及附近被催化掺杂过程中，磷原子和氢原子会同步地从受光面11向硅基底1内扩散，氢原子能同步地与悬挂键结合，所能产生的俄歇复合的不良影响相对较弱，相关具体原理已在上文中描述，此处不再赘述。因此，使得后续所要制备形成的背接触光伏电池片所能产生的光生空穴不容易在硅基底1和顶催化掺杂部112之间界面处及附近被复合，从而使相对较多的光生空穴可以向正金属电极迁移。

在硅基底1的受光面11及附近被催化掺杂过程中，磷原子和氢原子协同扩散的机制可以促进磷原子从受光面11向硅基底1内更深处扩散，使得所形成的顶催化掺杂部112所产生的晶格缺陷数量相对较少，相应地，顶催化掺杂部112的光反射率和光散射率均相对较小。当后续所要制备形成的背接触光伏电池片被太阳光照射时，在单位时间内相对较多的光可以经过顶催化掺杂部112入射至硅基底1内更深处，在单位时间内硅基底1所能产生的光生电子和光生空穴的数量相对较多。

根据上文可知，根据本申请所提供的关于制备方法的一些实施例所制备出的背接触光伏电池片可以兼顾如下优势，背接触光伏电池片所能产生光生电子和光生空穴的数量相对较多，并且背接触光伏电池片所能产生的光生空穴（少子）的寿命相对较高，因此所制备出的背接触光伏电池片的光电转换效率相对较大。

在其它一些实施例中，在硅基底1的受光面11及附近被催化掺杂过程中，不限于利用含有磷化氢的气体作为掺杂源，还可以利用含有砷化氢和/或锑化氢的气体作为掺杂源。

在其它一些实施例中（图中未示出），在硅基底为N型硅基底的条件下，即在硅基底掺杂有N型元素的条件下，可以将基片放置于化学气相沉积腔室内，向化学气相沉积腔室内通入含硼化氢、甲镓烷和铟烷中至少一者的气体，利用含硼化氢、甲镓烷和铟烷中至少一者的气体作为掺杂源，催化掺杂硅基底的受光面，以形成位于硅基底顶部的顶催化掺杂部。

在其它一些实施例中（图中未示出），在硅基底为P型硅基底的条件下，即在硅基底掺杂有P型元素的条件下，可以将基片放置于化学气相沉积腔室内，向化学气相沉积腔室内通入含硼化氢、甲镓烷和铟烷中至少一者的气体，利用含硼化氢、甲镓烷和铟烷中至少一者的气体作为掺杂源，催化掺杂硅基底的受光面，以形成位于硅基底顶部的顶催化掺杂部。

在其它一些实施例中（图中未示出），在硅基底为P型硅基底的条件下，即在硅基底掺杂有P型元素的条件下，可以将基片放置于化学气相沉积腔室内，向化学气相沉积腔室内通入含磷化氢、砷化氢和锑化氢中至少一者的气体，利用含磷化氢、砷化氢和锑化氢中至少一者的气体作为掺杂源，催化掺杂硅基底的受光面，以形成位于硅基底顶部的顶催化掺杂部。

在一些实施例中（图中未示出），在硅基底的受光面及附近被催化掺杂之前，可以利用碱性制绒液在硅基底的受光面制绒，以在硅基底的受光面上形成绒面（具备多个微米级尺寸的沟壑或金字塔结构），绒面的表面积相对于抛光面的表面积较大。在催化掺杂过程中，单位时间内能经过面积相对较大的绒面进入硅基底内的磷原子的数量相对较多，能够快速地形成所需要的掺杂浓度相对较大的顶催化掺杂部。在催化掺杂过程中，单位时间内能经过面积相对较大的绒面进入硅基底内的氢原子的数量也相对较多，较多的氢原子能够及时地降低磷原子的迁移势垒，从而促进磷原子快速地向硅基底内更深处扩散，较多的氢原子还能充分地与一些新产生的悬挂键结合，从而明显地减弱俄歇复合的不良影响。

其中，碱性制绒液可以包括氢氧化钾（KOH）和/或氢氧化钠（NaOH）。

在一些实施例中，可以在催化掺杂N型掺杂介质层的局部之后，再催化掺杂硅基底的受光面。由于催化掺杂所需要的化学气相沉积腔室内的温度（例如在350℃~500℃范围内）相对较低，也可以说，在催化掺杂过程中基片的温度小于在利用热扩散工艺形成掺杂介质层过程中基片的温度。因此，在催化掺杂硅基底的受光面的过程中，之前已经通过热扩散工艺掺杂于N型掺杂介质层内的N型元素不容易扩散至N区隧穿氧化层和硅基底之间的界面，不容易在N区隧穿氧化层和硅基底之间界面产生较多的新的悬挂键及新的复合中心，从而使N区隧穿氧化层仍可以良好地化学钝化硅基底的表面。

在其它一些实施例中，可以在催化掺杂硅基底的受光面之后，再催化掺杂N型掺杂介质层的局部。其中，可以在硅基底的受光面形成顶催化掺杂部之后，然后在硅基底的背光面形成N型隧穿氧化钝化接触结构，接着催化掺杂N型掺杂介质层的局部。在形成N型掺杂介质层过程中，需要利用热扩散工艺，热扩散工艺的温度（例如大于700℃）相对较大，高温可以促进已形成的顶催化掺杂部内的N型元素（例如磷原子）向硅基底内继续扩散，以进一步减少顶催化掺杂部的表面的晶格缺陷数量，相应地，以进一步降低顶催化掺杂部的表面的光反射率和光散射率。高温可以还可以促进顶催化掺杂部内的还未与悬挂键结合的氢原子继续扩散，以使继续扩散的氢原子能与剩余的悬挂键结合，从而进一步降低俄歇复合的不良影响。

在其它一些实施例中，可以同时地催化掺杂N型掺杂介质层的局部以及催化掺杂硅基底的受光面，该实施例的制备方法的制备效率相对较高。

在一些实施例中，在催化掺杂过程中，通入化学气相沉积腔室的掺杂源的流量可以在30标准立方厘米每分钟（sccm）~100标准立方厘米每分钟（sccm）范围内。其中，掺杂源的流量具体可以为30sccm、35sccm、40sccm、45sccm、50sccm、55sccm、60sccm、65sccm、70sccm、75sccm、80sccm、85sccm、90sccm、95sccm或100sccm。

在一些实施例中，在催化掺杂过程中，掺杂源还包括氢气或氩气，氢气或氩气作为载气。

在一些实施例中，在催化掺杂过程中，化学气相沉积腔室内部压力可以在10毫托（mTorr）~15毫托（mTorr）范围内。其中，化学气相沉积腔室内部压力具体可以为10mTorr、11mTorr、12mTorr、13mTorr、14mTorr或15mTorr。

在一些实施例中，在催化掺杂过程中，设置于化学气相沉积腔室内部的金属丝的工作功率可以在3千瓦（kW）~8千瓦（kW）范围内，金属丝的工作功率具体可以为3kW、3.5kW、4kW、4.5kW、5kW、5.5kW、6kW、6.5kW、7kW、7.5kW或8kW。

在一些实施例中，设置于化学气相沉积腔室内部的金属丝具体可以为钨金属丝或者钽金属丝。

在一些实施例中，实施催化掺杂的时间可以在10分钟（min）~30分钟（min）范围内，实施催化掺杂的时间具体可以为10min、11min、12min、13min、14min、15min、16min、17min、18min、19min、20min、21min、22min、23min、24min、25min、26min、27min、28min、29min或30min。

在一些实施例中，利用化学气相沉积腔室内金属丝的催化作用以对基片实施催化掺杂的工艺也可以被称为催化化学气相沉积（Catalytic Chemical Vapor Deposition，CAT-CVD）、热丝化学气相沉积（Hot Wire Chemical Vapor Deposition，HWCVD）。

本文后续内容提供一种关于背接触光伏电池片的制备方法的具体实施例，内容如下。

提供如图5所示的基片10，基片10包括硅基底1，硅基底1可以为N型硅基底，硅基底1具备受光面11和背光面12，硅基底1的上方为受光侧1a，硅基底1的下方为背光侧1b。在制备成所需的背接触光伏电池片之后，太阳光可以从受光侧1a直接照射于受光面11，环境的反射光可以从背光侧1b照射于背光面12。

其中，方向Y可以代表硅基底1的背光侧1b指向受光侧1a的方向，或者，方向Y可以代表硅基底1的背光面12指向受光面11的方向。

利用碱性抛光液抛光如图5所示的硅基底1的受光面11和背光面12。

利用LPCVD依次在硅基底1的背光侧1b依次沉积形成如图6所示的P区隧穿氧化层221和本征介质层（图中未示出），利用热扩散工艺向本征介质层扩散硼，以形成P型掺杂介质层222，即形成如图6所示的P型隧穿氧化钝化接触结构22。相应地，可以氧化处理P型掺杂介质层222的表面，以形成硼硅玻璃层22a。硼硅玻璃层22a对于P型掺杂介质层222可以起到掩膜作用，在后续湿法处理基片10时，P型掺杂介质层222被硼硅玻璃层22a保护，P型掺杂介质层222不容易被腐蚀损坏。

请参照图7所示，利用激光去除硼硅玻璃层22a的局部结构和P型隧穿氧化钝化接触结构22的局部结构，以形成第一窗口2a，第一窗口2a在方向Y上贯穿硼硅玻璃层22a和P型隧穿氧化钝化接触结构22，硅基底1的背光面12的局部被第一窗口2a暴露。

利用碱性抛光液抛光背光面12中被第一窗口2a暴露的部分。

请参照图8所示，利用LPCVD在硅基底1的背光侧依次沉积形成如图8所示的N区隧穿氧化层211和本征介质层（图中未示出），利用热扩散工艺向本征介质层扩散磷，以形成N型掺杂介质层212，即形成如图8所示的N型隧穿氧化钝化接触结构21。相应地，N型掺杂介质层212的表面会存在磷硅玻璃层21a。

去除磷硅玻璃层21a，以形成如图9所示的结构。

在如图9所示结构的基础上，利用含磷化氢的气体作为掺杂源，催化掺杂N型掺杂介质层212，以使N型掺杂介质层212内包括如图10所示的初始掺杂部212a和催化掺杂部212b。

在催化掺杂部212b形成如图11所示的掩膜层3（例如氧化硅），掩膜层3对于催化掺杂部212b可以起到掩膜作用，在后续湿法处理基片10时，催化掺杂部212b被掩膜层3保护，催化掺杂部212b不容易被腐蚀损坏。

在如图11所示结构的基础上，激光去除N型隧穿氧化钝化接触结构21的局部结构、掩膜层3的局部结构、P型隧穿氧化钝化接触结构22的局部结构和硼硅玻璃层22a的局部结构，以形成如图12所示的结构，N型隧穿氧化钝化接触结构21和P型隧穿氧化钝化接触结构22在方向X上交替设置并且间隔设置，N型隧穿氧化钝化接触结构21和P型隧穿氧化钝化接触结构22之间设置有第二窗口2b，硅基底1的背光面12的局部被第二窗口2b暴露。

链式刻蚀位于硅基底1的受光侧的绕镀层2c（在利用LPCVD形成隧穿氧化层和本征介质层的过程中所形成的附加结构），以形成如图13所示的结构。其中，链式刻蚀可以利用含硝酸的酸液去除绕镀层2c。

利用碱性制绒液在如图13所示的受光面11上制绒，以形成如图14所示的绒面111。

酸洗去除掩膜层3和硼硅玻璃层22a，以形成如图15所示的结构。

利用含磷化氢气体作为掺杂源，催化掺杂位于受光面的绒面111，以形成如图16所示的顶催化掺杂部112。相应地，顶催化掺杂部112也包括绒面111。

在如图16所示结构的基础上，利用原子层沉积工艺（Atomic Layer Deposition，ALD）双面沉积，以形成如图17所示的氧化铝钝化层4。位于硅基底1的背光侧的氧化铝钝化层4和N型催化掺杂部212b之间可以形成铝-氧-硅化学键（Al-O-Si），即氧化铝钝化层4可以起到良好的化学钝化作用。同理，位于硅基底1的受光侧的氧化铝钝化层4和顶催化掺杂部112之间可以形成铝-氧-硅化学键（Al-O-Si），即氧化铝钝化层4可以起到良好的化学钝化作用。

其中，氧化铝钝化层4的厚度尺寸（沿方向Y的尺寸）可以在1nm~10nm范围内，厚度尺寸具体可以为1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、9nm或10nm。

在如图17所示结构的基础上，利用PECVD双面沉积，以形成如图18所示的氮化硅钝化层5。氮化硅钝化层5可以起到良好的减反射作用，以使较多的光可以入设置硅基底1内。

其中，氮化硅钝化层5的厚度尺寸（沿方向Y的尺寸）可以在40nm~100nm范围内，厚度尺寸具体可以为40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、80nm、85nm、90nm、95nm或100nm。

在如图18所示结构的基础上，利用金属化工艺（包括丝网印刷和烧结），以形成如图19所示的欧姆接触于N型掺杂介质层212的负金属电极6，并且形成如图19所示的形成欧姆接触于P型掺杂介质层222的正金属电极7。

其中，请参照图19所示，N型掺杂介质层212的N型初始掺杂部212a和N型催化掺杂部212b均与负金属电极6欧姆接触。

第二方面，本申请提供一些关于背接触光伏电池片（Back Contact Solar Cell，BC Solar Cell）的实施例，背接触光伏电池片可以由上文所描述的背接触光伏电池片的制备方法制备出，所制备出的背接触光伏电池片的结构可以如图19所示。背接触光伏电池片包括硅基底1、隧穿氧化钝化接触结构2、顶催化掺杂部112、氧化铝钝化层4、氮化硅钝化层5、负金属电极6和正金属电极7。隧穿氧化钝化接触结构2包括N型隧穿氧化钝化接触结构21和P型隧穿氧化钝化接触结构22，N型隧穿氧化钝化接触结构21包括N区隧穿氧化层211和N型掺杂介质层212，P型隧穿氧化钝化接触结构22包括P区隧穿氧化层221和P型掺杂介质层222。N型掺杂介质层212包括N型初始掺杂部212a和N型催化掺杂部212b。相应地，图19所示的背接触光伏电池片的光电转换效率相对较大，相关具体技术效果已在上文中描述，此处不再赘述。

图19所示的背接触光伏电池片也可以被称作TBC光伏电池片，全称可以是隧穿氧化钝化接触结构（‌Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon）与背接触结构（BC）结合形成的光伏电池片。

其中，若图19所示的背接触光伏电池片的硅基底1为N型硅基底，硅基底1所能产生的光生空穴为少子，少子寿命和光电转换效率呈正相关关系。通过对比测试图19所示的背接触光伏电池片（已催化掺杂）的少子寿命与相关技术的背接触光伏电池片（未催化掺杂）的少子寿命，如图20所示，图19所示的背接触光伏电池片的少子寿命范围可以在700微秒（μs）~2700微秒（μs）范围内，具体可以为700μs、800μs、900μs、1000μs、1100μs、1200μs、1300μs、1400μs、1500μs、1600μs、1700μs、1800μs、1900μs、2000μs、2100μs、2200μs、2300μs、2400μs、2500μs、2600μs、2700μs、2800μs、2900μs、3000μs、3100μs或3200μs。相关技术的背接触光伏电池片（未催化掺杂）的少子寿命在380μs~600μs范围内。因此，相比相关技术，本申请实施例的背接触光伏电池片的少子寿命相对较大，背接触光伏电池片的光电转换效率相对较大。

通过对比测试图19所示的背接触光伏电池片的N型催化掺杂部212b（已催化掺杂）与相关技术中的背接触光伏电池片的重掺杂区（未催化掺杂），二者关于掺杂浓度和掺杂深度的差异如图21所示，相比相关技术，本申请实施例的背接触光伏电池片的N型催化掺杂部的掺杂浓度相对较大并且掺杂深度相对较大。详细地说，本申请实施例的背接触光伏电池片的N型催化掺杂部的掺杂浓度大于3E+19cm^-3，并且本申请实施例的背接触光伏电池片的N型催化掺杂部的深度可达0.4微米。因此，本申请实施例的背接触光伏电池片的N型催化掺杂部能起到良好的场钝化作用并且所能产生的俄歇复合的不良影响相对较弱。

在其它一些实施例中（图中未示出），硅基底可以为P型硅基底。

第三方面，本申请提供一些关于背接触光伏电池组件的实施例，该背接触光伏电池组件可以包括层压件和边框，边框安装于层压件的边缘。层压件可以包括层叠设置的光伏玻璃、第一封装胶膜、电池串、第二封装胶膜和背板。或者，层压件可以包括层叠设置的第一光伏玻璃、第一封装胶膜、电池串、第二封装胶膜和第二光伏玻璃。其中，电池串可以由多个上述内容所描述的背接触光伏电池片电连接形成，电池串的数量可以为一个、两个及以上。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种背接触光伏电池片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供基片，所述基片包括硅基底、N区隧穿氧化层和本征介质层，所述N区隧穿氧化层位于所述硅基底的背光面和所述本征介质层之间；

利用热扩散工艺向所述本征介质层扩散至少一种N型元素，以形成N型掺杂介质层；

利用含磷化氢的气体作为掺杂源，催化掺杂所述N型掺杂介质层的局部，以在所述N型掺杂介质层内形成N型初始掺杂部和N型催化掺杂部，并且使所述N型初始掺杂部位于所述N区隧穿氧化层和所述N型催化掺杂部之间；

控制在所述催化掺杂过程中的所述基片的温度小于在所述热扩散过程中的所述基片的温度；

形成欧姆接触于所述N型掺杂介质层的负金属电极。

2.根据权利要求1所述的背接触光伏电池片的制备方法，其特征在于，在形成所述N型掺杂介质层之后和在催化掺杂所述N型掺杂介质层的局部之前，所述制备方法还包括：

去除所述N型掺杂介质层表面的磷硅玻璃层。

3.根据权利要求2所述的背接触光伏电池片的制备方法，其特征在于，在所述催化掺杂所述N型掺杂介质层的局部之后，所述制备方法还包括：

在所述N型催化掺杂部形成掩膜层。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的背接触光伏电池片的制备方法，其特征在于，利用碱性制绒液在所述硅基底的受光面制绒，催化掺杂所述硅基底的受光面。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的背接触光伏电池片的制备方法，其特征在于，在所述硅基底为N型硅基底的条件下，利用含磷化氢的气体作为掺杂源，催化掺杂所述硅基底的受光面。

6.根据权利要求1~3中任一项所述的背接触光伏电池片的制备方法，其特征在于，在实施所述催化掺杂所述N型掺杂介质层的局部之后，再催化掺杂所述硅基底的受光面，或者，在催化掺杂所述硅基底的受光面之后，再实施所述催化掺杂所述N型掺杂介质层的局部，还或者，同时实施所述催化掺杂所述N型掺杂介质层的局部以及催化掺杂所述硅基底的受光面。

7.根据权利要求1~3中任一项所述的背接触光伏电池片的制备方法，其特征在于，在所述催化掺杂过程中，控制所述基片的温度在350℃~500℃范围内。

8.根据权利要求1~3中任一项所述的背接触光伏电池片的制备方法，其特征在于，在所述催化掺杂之后和在形成所述负金属电极之前，所述制备方法还包括：

利用原子层沉积工艺双面沉积氧化铝钝化层；

利用等离子体增强化学气相沉积在所述氧化铝钝化层沉积氮化硅钝化层。

9.一种背接触光伏电池片，其特征在于，所述背接触光伏电池片由权利要求1~8中任一项所述的背接触光伏电池片的制备方法制备出。

10.一种背接触光伏电池组件，其特征在于，所述背接触光伏电池组件包括至少一个电池串，所述电池串由所述权利要求9所述的背接触光伏电池片电连接形成。