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CN113937203A - 一种led芯片的封装覆膜方法 - Google Patents

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CN113937203A CN202111192201.2A CN202111192201A CN113937203A CN 113937203 A CN113937203 A CN 113937203A CN 202111192201 A CN202111192201 A CN 202111192201A CN 113937203 A CN113937203 A CN 113937203A
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王海丰
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Xiamen Hualian Electronics Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种LED芯片的封装覆膜方法,包括如下步骤:A1,在第一条件下,提供液态的载体,载体与荧光粉混合,得到荧光粉混合液;A2,在第二条件下将荧光粉混合液制成固态膜片;A3,将固态膜片覆盖至在LED芯片的上表面,所述固态膜片的尺寸大于LED芯片的上表面,从而具有向外延伸的延伸部分;A4,在第三条件下对固态膜片的固态载体进行全部汽化或部分汽化,从而使固态膜片上的荧光粉均匀覆盖于LED芯片的上表面和周侧面上。通过本方法进行覆膜,可以实现覆膜均匀度好、出光均匀且节省材料的优势。

Description

一种LED芯片的封装覆膜方法
技术领域
本发明涉及LED芯片的封装领域,具体涉及一种LED芯片的封装覆膜方法。
背景技术
在LED封装工艺中,同时,为了得到想要的出光效果,如出射白光等,通常会在LED芯片表面封装带有荧光粉的胶层。现有技术中常规的做法是在支架碗杯内进行整体灌封荧光胶层,但是,该种方式浪费了荧光胶,且出光均匀性不好。因此,现有技术中,为了提高出光均匀性,大致采用以下二种方式:第一种方式为先制备荧光膜片,再将荧光膜片贴设在LED芯片的上表面上,该种方式的缺陷在于LED芯片的周侧面没有被覆盖到,侧面漏蓝光,导致光效差;第二种方式为通过喷涂的方式对LED支架的底部进行整体喷涂,均匀性虽然有改善,但是整面喷涂的方式也较大的浪费了荧光胶,且喷涂后LED芯片的周侧面的荧光膜厚度也不均,出现底部厚上方薄(甚至未被喷涂到)的现象。因此,还需要进一步改善。
发明内容
为此,本发明提供一种LED芯片的封装覆膜方法,通过本方法进行覆膜,可以实现覆膜均匀度好、出光均匀且节省材料的优势。
为实现上述目的,本发明提供的技术方案如下:
一种LED芯片的封装覆膜方法,包括如下步骤:
A1,在第一条件下,提供液态的载体,载体与荧光粉混合,得到荧光粉混合液;
A2,在第二条件下将荧光粉混合液制成固态膜片;
A3,将固态膜片覆盖至在LED芯片的上表面,所述固态膜片的尺寸大于LED芯片的上表面,从而具有向外延伸的延伸部分;
A4,在第三条件下对固态膜片的固态载体进行全部汽化或部分汽化,从而使固态膜片上的荧光粉均匀覆盖于LED芯片的上表面和周侧面上。
进一步的,所述第一条件为温度条件和压强条件的其中一个或二个的组合条件。
进一步的,所述第二条件为温度条件和压强条件的其中一个或二个的组合条件。
进一步的,所述第三条件为温度条件和压强条件的其中一个或二个的组合条件。
进一步的,所述第一条件、第二条件和第三条件均为温度条件;在步骤A1中,在第一条件为常温的条件下,提供液态的载体,所述载体为醋酸正丁酯:去离子水:硅胶=1:0.1:0.1的混合液;步骤A2中,在第二条件为低温-85℃的条件下,将荧光粉混合液制成固态膜片;步骤A4中,在第三条件为高温130℃的条件下,将固态载体进行部分汽化。
进一步的,在步骤A3中,在固态膜片和LED芯片之间设置一透光的过渡介质层,固态膜片通过过渡介质层贴附在LED芯片上。
进一步的,所述过渡介质层为硅胶层或环氧树脂层。
进一步的,在步骤A3和步骤A4之间,还包括步骤A3-4,将固态膜片的延伸部分进行弯折,使其贴设并覆盖LED芯片的周侧面。
通过本发明提供的技术方案,具有如下有益效果:
通过荧光粉的载体在不同条件下形态的变化,实现在LED芯片的表面和侧面均覆盖一层厚度均匀的荧光粉,既保证成品LED在各个方向上的出光均匀,使其没有蓝光泄露;又可以有效的节省了荧光粉材料,提高了荧光粉的利用率;还具有工艺实现简单、合格率高的特点。
附图说明
图1所示为实施例中LED芯片的封装覆膜方法的流程框图;
图2所示为实施例一中步骤A3的产品俯视图;
图3所示为实施例一中步骤A3的产品侧视图;
图4所示为实施例四中步骤A3-4的产品剖视图。
具体实施方式
为进一步说明各实施例,本发明提供有附图。这些附图为本发明揭露内容的一部分,其主要用以说明实施例,并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容,本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本发明的优点。图中的组件并未按比例绘制,而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。
参照图1所示,本方案提供一种LED芯片的封装覆膜方法,包括如下步骤:
A1,在第一条件下,提供液态的载体,载体与荧光粉混合,得到荧光粉混合液;
A2,在第二条件下将荧光粉混合液制成固态膜片;
A3,将固态膜片覆盖至在LED芯片的上表面,所述固态膜片的尺寸大于LED芯片的上表面,从而具有向外延伸的延伸部分;
A4,在第三条件下对固态膜片的固态载体进行全部汽化或部分汽化,从而使固态膜片上的荧光粉均匀覆盖于LED芯片的上表面和周侧面上。
本方案中,通过荧光粉的载体在不同条件下形态的变化,实现在LED芯片的表面和侧面均覆盖一层厚度均匀的荧光粉,既保证成品LED在各个方向上的出光均匀,使其没有蓝光泄露;又可以有效的节省了荧光粉材料,提高了荧光粉的利用率;还具有工艺实现简单、合格率高的特点。
下面公开如下具体实施例进行介绍本方案的方法。
实施例一
本实施例一提供一种LED芯片的封装覆膜方法,包括如下步骤:
A1,在第一条件下,提供液态的载体,载体与荧光粉混合,得到荧光粉混合液。
具体的,该第一条件为温度条件,具体为在室温的条件下,提供液态的载体,所述载体为醋酸正丁酯:去离子水:硅胶=1:0.1:0.1的混合液;将该载体与荧光粉混合,得到荧光粉混合液。
A2,在第二条件下将荧光粉混合液制成固态膜片;具体的,该第二条件为低温-85℃的条件,将荧光粉混合液制成固态膜片,即冷凝形成如图2、图3中的固态膜片10。
具体的,在该第二条件下,可以通过喷涂、旋涂、印刷或注入模具等方式制备形成固态膜片10,可以较好的掌控固态膜片10的厚度。
再具体的,还包括将整片固态膜片10切割成适合大小的尺寸,如方形结构,该尺寸需满足能够完全包覆住LED芯片1的上表面和周侧面。
A3,如图2、图3所示,将固态膜片10覆盖至在LED芯片1的上表面,所述固态膜片10的尺寸大于LED芯片1的上表面,从而具有向外延伸的延伸部分L1。
具体的,该延伸部分L1的尺寸应不小于LED芯片1的高度。
具体的,本步骤中,在固态膜片10和LED芯片1之间设置一透光的过渡介质层(未示出),固态膜片10通过过渡介质层贴附在LED芯片1上。固态膜片10和LED芯片1的贴合更为牢固。再具体的,为便于操作,在实际操作中,先将过渡介质层涂覆在LED芯片1的表面,至少涂覆在上表面,本实施例中,在LED芯片1的上表面和周侧面均涂覆过渡介质层;之后将固态膜片10贴附在LED芯片1的上表面。
再具体的,所述过渡介质层优选采用硅胶层或环氧树脂层,硅胶层和环氧树脂层均透光且为LED封装领域常用的材料,实现就地取材。
当然的,在其它实施例中,也可以不采用过渡介质层的结构。
A4,在第三条件下对固态膜片10的固态载体进行全部汽化或部分汽化,具体的,本实施例中为部分汽化;即在醋酸正丁酯:去离子水:硅胶=1:0.1:0.1所制成的固态膜片10中,第三条件采用高温130℃的条件,在该条件下,固态膜片中的醋酸正丁酯和去离子水能够被汽化挥发,而会保留硅胶部分;且在汽化过程中,延伸部分会逐步萎缩,自然的下摆从而贴设在LED芯片1的周侧面上。从而使固态膜片10上的荧光粉均匀覆盖于LED芯片1的上表面和周侧面上。部分汽化留下的硅胶能够使荧光粉依然附着在剩余的硅胶薄层中而不易分散,能够更稳定的附着在LED芯片1的表面。
实施例二
本实施例提供的一种LED芯片的封装覆膜方法,与实施例一提供的一种LED芯片的封装覆膜方法大致相同,不同的是:在实施例一中,所述第一条件、第二条件和第三条件均为单纯的温度条件。而本实施例二中,在改变温度条件的同时,第一条件、第二条件和第三条件均可以搭配改变压强来更快的进行冷凝和汽化;如在步骤A2中,在第二条件下,通过降低温度和减少压强的双重作用下使荧光粉混合液更快的冷凝。在步骤A4中,在第三条件下,通过提升温度以及减少压强的双重作用下使固态膜片10中的部分载体更快的汽化挥发等;当然,还可以再增加其它的条件。
实施例三
本实施例提供的一种LED芯片的封装覆膜方法,与实施例一提供的一种LED芯片的封装覆膜方法大致相同,不同的是:本实施例中,将载体替换成在第三条件下能够全部挥发的材质,如只有醋酸正丁酯和去离子水的混合材质。又或者直接采用水来替代等。
实施例四
本实施例提供的一种LED芯片的封装覆膜方法,与实施例一提供的一种LED芯片的封装覆膜方法大致相同,不同的是:本实施例中,在步骤A3和步骤A4之间,还包括步骤A3-4,将固态膜片10的延伸部分L1进行弯折,使其贴设并覆盖LED芯片1的周侧面,如图4所示。如此,在步骤A4对载体进行汽化时,荧光粉可以直接贴附在LED芯片1的周侧面;均匀性更好。
具体的,在步骤A3-4中,可以在不同于第二条件的第四条件下进行操作,如在温度为100℃的条件,在该条件下,可以让水先行汽化,使固态膜片10软化,之后再通过冲压等方式进行弯折;又或者通过延伸部自身的重力实现自然下垂直至贴附在LED芯片1的周侧面。之后进入步骤A4将固态膜片10中的醋酸正丁酯汽化。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明,但所属领域的技术人员应该明白,在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内,在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化,均为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种LED芯片的封装覆膜方法,其特征在于,包括如下步骤:
A1,在第一条件下,提供液态的载体,载体与荧光粉混合,得到荧光粉混合液;
A2,在第二条件下将荧光粉混合液制成固态膜片;
A3,将固态膜片覆盖至在LED芯片的上表面,所述固态膜片的尺寸大于LED芯片的上表面,从而具有向外延伸的延伸部分;
A4,在第三条件下对固态膜片的固态载体进行全部汽化或部分汽化,从而使固态膜片上的荧光粉均匀覆盖于LED芯片的上表面和周侧面上。
2.根据权利要求1所述的LED芯片的封装覆膜方法,其特征在于:所述第一条件为温度条件和压强条件的其中一个或二个的组合条件。
3.根据权利要求1所述的LED芯片的封装覆膜方法,其特征在于:所述第二条件为温度条件和压强条件的其中一个或二个的组合条件。
4.根据权利要求1所述的LED芯片的封装覆膜方法,其特征在于:所述第三条件为温度条件和压强条件的其中一个或二个的组合条件。
5.根据权利要求1所述的LED芯片的封装覆膜方法,其特征在于:所述第一条件、第二条件和第三条件均为温度条件;
在步骤A1中,在第一条件为常温的条件下,提供液态的载体,所述载体为醋酸正丁酯:去离子水:硅胶=1:0.1:0.1的混合液;
步骤A2中,在第二条件为低温-85℃的条件下,将荧光粉混合液制成固态膜片;
步骤A4中,在第三条件为高温130℃的条件下,将固态载体进行部分汽化。
6.根据权利要求1所述的LED芯片的封装覆膜方法,其特征在于:在步骤A3中,在固态膜片和LED芯片之间设置一透光的过渡介质层,固态膜片通过过渡介质层贴附在LED芯片上。
7.根据权利要求6所述的LED芯片的封装覆膜方法,其特征在于:所述过渡介质层为硅胶层或环氧树脂层。
8.根据权利要求1所述的LED芯片的封装覆膜方法,其特征在于:在步骤A3和步骤A4之间,还包括步骤A3-4,将固态膜片的延伸部分进行弯折,使其贴设并覆盖LED芯片的周侧面。
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