CN112909120B - 一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法，涉及太阳能电池片生产技术领域，所述方法包括：在硅片表面沉积Al2O3之后，进行红外加热的步骤。本发明通过使用红外加热的瞬间加热功能，可以诱导出大量的Al3+空穴与间隙O2‑，从而Al2O3所带负电荷量增多，同样在Al2O3与硅接触的界面也因为IR的处理，界面态密度变小，提升了钝化效果。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池片生产技术领域，涉及一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法。
背景技术
钝化，一种是化学钝化，chemical passivation。因为大量悬挂键(复合中心) 的存在，裸硅片表面的复合速率很高。化学钝化是通过H、O、N、C等非金属原子与硅表面的悬挂键来配位饱和，达到降低缺陷态密度的目的。另一种是场钝化，field effectpassivation。在电池片表面沉积或生长一层携带电荷的薄膜，形成一个junction(p+/p或n+/n的high-low junction，或p-n junction)，产生方向与硅片表面法线方向平行的电场，使表面的某种载流子得以屏蔽，降低其中一种载流子浓度，电荷相反的另一种载流子由于找不到复合对象而降低了复合速率。
其中，由于Al2O3携带的负电荷密度高，达到～1013C/cm2的量级，故而具有极强的场钝化效果，能有效地屏蔽表面的电子，甚至在电子作为多子时亦能屏蔽。其可以具备如此多的负电荷量，主要是由于其钝化膜中的参数，即间隙 O2-，Al3+空位等主要原因造成，另一部分原因根据文献中一些说法，其在 Al2O3与Si接触的表面会形成SiOx过渡层，有着较好的化学钝化效果。综上原因，Al2O3有着无比优异的钝化效果与发展前景，光伏行业针对Al2O3钝化膜的制备的设备也日趋健全。
CN 107623052A公开了一种一种太阳能电池片钝化用Al2O3镀膜系统和方法，所述方法包括如下步骤：1)装载有待镀膜硅片的载板进入所述上料台完成上料状态；2)在传输系统的作用下将装载有待镀膜硅片的载板输送至红外加热腔进行预热至300～500℃；3)经红外预热的硅片被输送至缓冲腔一并保持硅片恒温在300～500℃，并等待后续载有待镀膜硅片的载板的预热；4)硅片进入工艺腔内，在300～500℃恒温及真空状态下进行等离子体增强化学的气相沉积并在硅片表面形成Al2O3薄膜镀层；5)经等离子体增强化学的气相沉积镀膜后的硅片被输送至所述缓冲腔二，并等待后续载板上硅片的等离子体增强化学的气相沉积镀膜；6)硅片镀膜后的载板进入所述卸载腔并使载板从真空状态过渡到大气状态；7)大气状态的载板进入所述缓存台以保障设备的连续运行，并在所述自动上下料装置短时故障时存放多张载板进行缓存；8)载板进入所述自动上下料装置将镀膜后的硅片放入花篮，然后将新的待镀膜硅片放置于载板上；9) 装置有待镀膜硅片的载板经镀膜系统底部的下传输装置输送至所述上料台实现上料状态并使载板实现循环。该方法成膜速度快、成本低、镀膜质量高，但是此设备连接Al2O3沉积腔室与SiNx沉积腔室之间为保证温度不下降，需持续加热，耗能大，另外，使用此种方式沉积的Al2O3需沉积厚度较大，且在后面 SiNx沉积的同时退火处理，SiNx沉积时间长，才能达到较好的钝化效果。而 Al2O3较厚与SiNx沉积时间长非常不利于一些需要将Al2O3钝化在正面的电池。
针对目前量产化设备，有必要提供提出一种改进方案，以改善Al2O3薄膜的退火方式，以及提高Al2O3薄膜钝化效果的方法。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题，本发明的目的在于提供一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法。
为达上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法，所述方法包括：在硅片表面沉积Al2O3之后，进行红外加热(IR)的步骤。
本发明通过在硅片表面沉积Al2O3之后，使用红外加热的瞬间加热功能(例如在3～10秒的时间内温度150～400℃左右)，可以诱导出大量的Al3+空穴与间隙O2-，从而Al2O3所带负电荷量增多，同样在Al2O3与硅接触的界面也因为IR 的处理，界面态密度(Dit)变小，都是朝着钝化J0值变小的方向进行，此种处理方式不是普通电阻丝加热方式可以替代的，具有新创性。
一般沉积Al2O3之后都需要退火处理，具体地，Al2O3沉积结束后，会另对 Al2O3做退火处理再进行SiNx膜沉积，使用IR方式处理Al2O3之后，对于此步同样也会有较大改善。例如可以做到不经过退火而直接沉积SiNx，这样就会大大缩减工艺时间降低工艺成本。
本发明的方法不仅适用于N型片的Al2O3钝化处理，也适用于P型片的 Al2O3钝化处理，例如可以在对片子进行完进行清洗之后进行沉积Al2O3，然后进行红外加热的步骤。
以下作为本发明优选的技术方案，但不作为对本发明提供的技术方案的限制，通过以下优选的技术方案，可以更好的达到和实现本发明的技术目的和有益效果。
优选地，所述红外加热的时间为3～10秒，例如3秒、5秒、6秒、7秒、8 秒或10秒等，红外加热的最大单位面积功率为31～41kW/m2，例如31kW/m2、 33kW/m2、35kW/m2、36kW/m2、38kW/m2、40kW/m2或41kW/m2等。
优选地，红外加热至温度150～400℃，例如150℃，200℃、210℃、 220℃、240℃、260℃、280℃、300℃、320℃、335℃、350℃、370℃、380℃或400℃等。
本发明的方法中，可以在硅片表面沉积在硅片表面沉积Al2O3之后直接进行红外加热处理，还可以在硅片表面沉积Al2O3之后先降温再进行红外加热处理。
优选地，所述红外加热处理开始时，硅片表面沉积的Al2O3层的温度在 30～250℃，例如30℃、50℃、60℃、80℃、100℃、120℃、130℃、150℃、 175℃、185℃、200℃、220℃、235℃或240℃等，优选为100～150℃。在优选范围内可以更好地实现诱导出大量的Al3+空穴与间隙O2-，进而使Al2O3所带负电荷量增多的效果。
作为本发明所述方法的优选技术方案，在硅片表面沉积Al2O3的步骤包括：
硅片依次进入第一腔室进行抽真空、第二腔室进行预热、第三腔室进行 Al2O3沉积，其中，所述第一腔室与第二腔室隔断连通，第二腔室与第三腔室相通，所述隔断连通为：相邻腔室各自独立且能够通过打开隔断实现连通。
优选地，第一腔室抽真空至0.1～1mbar，例如0.1mbar、0.5mbar、 0.6mbar、0.8mbar或1mbar等。
优选地，硅片在第二腔室预热时的真空度为3～10mbar，例如3mbar、 4mbar、5mbar、6mbar、8mbar或10mbar等，硅片在第三腔室进行沉积Al2O3时的真空度为4～6mbar，例如4mbar、5mbar或mbar等。
需要说明的是，虽然第二腔室和第三腔室是相同的，但是由于这两个腔室的真空度并不完全相同。
优选地，硅片进入第三腔室进行Al2O3沉积之前，硅片表面形成厚度 0.3～1nm的SiO2所述厚度例如0.3nm、0.4nm、0.5nm、0.6nm、0.7nm、0.8nm或 1nm等。
优选地，所述SiOx是在空气中自然氧化形成的。
硅片进入第一腔室，进行抽真空，使真空度尽可能接近沉积腔的真空度，同时也是防止空气中的氧气长时间氧化硅片表面，导致形成的SiOx致密性太高，不利于Al2O3的场钝化，通过此抽真空步骤可以使硅片在空气中自然氧化形成较薄的SiOx层，此少量的SiOx是可以促进与Al2O3结合的。
优选地，第二腔室进行预热的温度为150～400℃，例如150℃、200℃、 220℃、230℃、240℃、260℃、280℃、300℃、320℃、335℃、350℃、 370℃、380℃或400℃等。不同的沉积方式对应的沉积温度不同，本领域技术人员可以根据需要就行选择。
本发明对第二腔室进行预热的方式不作限定，可以是电加热，也可以是红外加热，还可以是二者组合的方式加热，优选采用电加热和红外加热组合的方式加热。
优选地，以电加热的方式进行加热，然后启动红外加热，在3～10秒(例如 3秒、4秒、5秒、6秒、8秒或10秒等)的时间内升高温度100～200℃(例如 100℃、120℃、135℃、150℃、165℃、180℃或200℃等)，使第二腔室达到预热温度150～400℃(例如100℃、120℃、135℃、150℃、165℃、180℃℃、 200℃、230℃、360℃、280℃、300℃、335℃、360℃、380℃或400℃等)。这种混合加热的方式避免了单一电加热方式升温过慢，单一红外加热方式损耗红外加热装置降低其使用寿命的问题。
本发明对第三腔室进行Al2O3沉积的方式不作限定，例如可以是原子层沉积(atomlayer deposition，ALD)方式或等离子体增强化学的气相沉积(plasma enhance chemicalvapor deposition，PECVD)方式。
优选地，沉积得到的Al2O3层的厚度为3～20nm，例如3nm、5nm、6nm、 8nm、9nm、10nm、12nm、14nm、15nm、17nm或20nm等。
不同的沉积方式条件下，沉积的Al2O3层在不同厚度范围内可实现较好的钝化效果。示例性地：
优选地，以ALD方式沉积生长得到的Al2O3层的厚度为3～10nm，可在抛光片上做到3～5fA/cm2的J0值。
优选地，以PECVD方式沉积生长得到的Al2O3层的厚度为10～20nm，可在抛光片上做到3～5fA/cm2的J0值。
优选地，所述硅片在第三腔室沉积结束后不进行冷却而直接转入另一腔室进行红外加热。
或者，所述硅片离开第三腔室进入第四腔室进行出料和冷却，然后再转入第五腔室进行红外加热，第三腔室和第四腔室隔断连通，第四腔室和第五腔室隔断连通，所述隔断连通为：相邻腔室各自独立且能够通过打开隔断实现连通。也即依次进入第一腔室、第二腔室、第三腔室、第四腔室和第五腔室，第一腔室也称为进料腔室，主要是进行预处理，第二腔室也称为预热腔室，主要是进行预热，第三腔室也称为沉积腔室，第四腔室也称为出料腔室，第五腔室也称为红外加热腔。(腔室连接图参见图2)。
现有技术中，硅片沉积Al2O3之后，出第三腔室，进入下一个环节，若是只做Al2O3钝化，直接在第四腔冷却然后出料即可，若是与SiNx镀膜相关联，即是经过第四腔进入下个沉积SiNx的沉积腔，中间都无快速红外加热的步骤，也即依次进入第一腔室、第二腔室、第三腔室和第四腔室，第一腔室也称为进料腔室，主要是进行预处理，第二腔室也称为预热腔室，主要是进行预热，第三腔室也称为沉积腔室，第四腔室也称为出料腔室。(腔室连接图参见图1)。
优选地，所述方法还包括在对Al2O3层进行红外加热之后，沉积SiNx镀膜。
作为本发明所述方法的进一步优选技术方案，所述方法包括以下步骤：
(1)硅片依次进入第一腔室进行抽真空，抽真空至0.1～1mbar；
(2)第一腔室与第二腔室之间的门打开，硅片进入第二腔室进行预热，预热温度为150～400℃；
(3)硅片进入第三腔室进行Al2O3沉积；
以ALD方式沉积生长得到厚度为3～10nm的Al2O3层的，或者以PECVD 方式沉积生长得到厚度为10～20nm的Al2O3层；
(4)第三腔室和第四腔室之间的门打开，硅片进入第四腔室，出料，出料过程中硅片逐渐冷却；
(5)第四腔室和第五腔室之间的门打开，硅片进入第五腔室，红外加热， 3～10秒的时间内升温至150～400℃；
(6)硅片的Al2O3层上沉积SiNx镀膜；
所述第一腔室与第二腔室隔断连通，第二腔室与第三腔室相通，第三腔室和第四腔室隔断连通，第四腔室和第五腔室隔断连通，所述隔断连通为：相邻腔室各自独立且能够通过打开隔断实现连通。
与已有技术相比，本发明具有如下有益效果：
(1)本发明通过在硅片表面沉积Al2O3之后，使用红外加热的瞬间加热功能(例如在3～10秒的时间内温度150～400℃左右)，可以诱导出大量的Al3+空穴与间隙O2-，从而Al2O3所带负电荷量增多，同样在Al2O3与硅接触的界面也因为IR的处理，界面态密度(Dit)变小，都是朝着钝化J0值变小的方向进行，此种处理方式不是普通电阻丝加热方式可以替代的。
(2)对于抛光片，采用本发明的方法可以使J0值从3～5fA/cm2，降低至 1～3fA/cm2；对于钝化绒面其优势体现地更明显，J0值由10～20fA/cm2，可以降到10fA/cm2以下的水平。
(3)本发明的方法可行性高，在实际操作中仅需要增加一个IR加热，总体来说，成本低，工艺非常可控，而且，若Al2O3需要退火处理的工序，完全可以省略此步，减少工艺时间，从而增加产能。
附图说明
图1是本发明制备氧化铝钝化层使用的腔室连接图；
图2是现有技术制备氧化铝钝化层使用的腔室连接图；
其中，01-第一腔室、02-第二腔室、03-第三腔室、04-第四腔室、05-第五腔室。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
实施例1
本实施例提供一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法(其采用的装置的腔室连接图如图1所示)，包括以下步骤：
1)清洁干净的硅片(抛光片)，通过上料自动化将硅片吸取出，再放入石墨载盘中，镀膜面朝上；
2)第一腔室连接大气的门打开，放入盛有硅片的石墨载盘，通过此门进入第一腔室，硅片在第一腔室里抽真空至0.1mbar，并稳定2s；
3)打开第一腔室和第二腔室连接的门，石墨载盘进入第二腔室(第二腔室里的加热板是一直打开的，温度设置在180℃)，石墨载盘在第二腔室里停稳之后，红外灯打开，在5秒的时间内两种加热方式同时作用使硅片温度升至工艺温度240℃；
4)第二腔室和第三腔室相通，硅片温度达到240℃时，石墨载盘进入第三腔室，此腔室下加热板保持设置温度240℃的加热工艺温度，通过ALD的方式沉积Al2O3于硅片正面；
5)Al2O3沉积5nm，沉积好之后，打开第三腔室腔室与第四腔室的隔断门，第四腔室无加热，相当于在这里降温，当降温至120℃时，进行下一步；
6)打开第四腔室与第五腔室的隔断门，石墨载盘进入第五腔室，停稳之后打开红外，红外加热的最大单位面积功率为36kW/m2，处理5秒之后，关闭红外灯，然后第五腔室破真空，石墨载盘出设备，回到上料点，进行下料准备。
实施例2
本实施例提供一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法(其采用的装置的腔室连接图如图1所示)，包括以下步骤：
1)清洁干净的硅片(抛光片)，通过上料自动化将硅片吸取出，再放入石墨载盘中，镀膜面朝上；
2)第一腔室连接大气的门打开，放入盛有硅片的石墨载盘，通过此门进入第一腔室，硅片在第一腔室里抽真空至0.5mbar，并稳定3s；
3)打开第一腔室和第二腔室连接的门，石墨载盘进入第二腔室(第二腔室里的加热板是一直打开的，温度设置在200℃)，石墨载盘在第二腔室里停稳之后，红外灯打开，在7秒的时间内两种加热方式同时作用使硅片温度升至工艺温度350℃；
4)第二腔室和第三腔室相通，硅片温度达到350℃时，石墨载盘进入第三腔室，此腔室下加热板保持设置温度350℃的加热工艺温度，通过ALD的方式沉积Al2O3于硅片正面；
5)Al2O3沉积8nm，沉积好之后，打开第三腔室与第四腔室的隔断门，第四腔室无加热，相当于在这里降温，当降温至80℃时，进行下一步；
6)打开第四腔室与第五腔室的隔断门，石墨载盘进入第五腔室，停稳之后打开红外，红外加热的最大单位面积功率为33kW/m2，处理8秒之后，关闭红外灯，然后第五腔室破真空，石墨载盘出设备，回到上料点，进行下料准备。
实施例3
本实施例提供一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法(其采用的装置的腔室连接图如图1所示)，包括以下步骤：
1)清洁干净的硅片(绒面片)，通过上料自动化将硅片吸取出，再放入石墨载盘中，镀膜面朝上；
2)第一腔室连接大气的门打开，放入盛有硅片的石墨载盘，通过此门进入第一腔室，硅片在第一腔室里抽真空至0.8mbar，并可以稳定2s；
3)打开第一腔室和第二腔室连接的门，石墨载盘进入第二腔室，第二腔室里的加热板是一直打开的，温度设置在150℃，使硅片温度升至工艺温度 150℃；
4)第二腔室和第三腔室相通，硅片温度达到150℃时，石墨载盘进入第三腔室，此腔室下加热板保持设置温度150℃的加热工艺温度，通过PECVD的方式沉积Al2O3于硅片正面；
5)Al2O3沉积15nm，沉积好之后，打开第三腔室腔室与第四腔室的隔断门，第四腔室无加热，相当于在这里降温，当降温至30℃时，进行下一步；
6)打开第四腔室与第五腔室的隔断门，石墨载盘进入第五腔室，停稳之后打开红外，红外加热的最大单位面积功率为40kW/m2，处理3秒之后，关闭红外灯，然后第五腔室破真空，石墨载盘出设备，回到上料点，进行下料准备。
实施例4
本实施例提供一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法(其采用的装置的腔室连接图如图1所示)，包括以下步骤：
1)清洁干净的硅片(绒面片)，通过上料自动化将硅片吸取出，再放入石墨载盘中，镀膜面朝上；
2)第一腔室连接大气的门打开，放入盛有硅片的石墨载盘，通过此门进入第一腔室，硅片在第一腔室里抽真空至1mbar，并可以稳定3s；
3)打开第一腔室和第二腔室连接的门，石墨载盘进入第二腔室(第二腔室里的加热板是一直打开的，温度设置在150℃)，石墨载盘在第二腔室里停稳之后，红外灯打开，在10秒的时间内两种加热方式同时作用使硅片温度升至工艺温度400℃；
4)第二腔室和第三腔室相通，硅片温度达到400℃时，石墨载盘进入第三腔室，此腔室下加热板保持设置温度400℃的加热工艺温度，通过PECVD的方式沉积Al2O3于硅片正面；
5)Al2O3沉积20nm，沉积好之后，打开第三腔室腔室与第四腔室的隔断门，第四腔室无加热，相当于在这里降温，当降温至200℃时，进行下一步；
6)打开第四腔室与第五腔室的隔断门，石墨载盘进入第五腔室，停稳之后打开红外，红外加热的最大单位面积功率为36kW/m2，处理4秒之后，关闭红外灯，然后第五腔室破真空，石墨载盘出设备，回到上料点，进行下料准备。
实施例5
本实施例与实施例1的区别在于：
在步骤6)之后进行步骤7)：进入下一腔室进行SiNx膜沉积。
对比例1
除不进行步骤6)而直接在步骤5)降温并出料外，其他方法和条件与实施例1相同。
对比例2
除不进行步骤6)而直接在步骤5)降温并出料外，其他方法和条件与实施例3相同。
采用WCT120(silicon wafer lifetime tester，Sinton Instruments)测试硅片J0 值表现，结果如表1所示。
表1
| 实例 | 使用的硅片类型 | J0值(fA/cm<sup>2</sup>) |
| 实施例1 | 抛光片 | 1<J0<2 |
| 实施例2 | 抛光片 | 2<J0<3 |
| 实施例3 | 绒面片 | 8<J0<10 |
| 实施例4 | 绒面片 | 5<J0<7 |
| 对比例1 | 抛光片 | 3～5 |
| 对比例2 | 绒面片 | 10～20 |
由上可知，对于抛光片，采用本发明的方法可以使J0值从3～5fA/cm2，降低至1～3fA/cm2；对于钝化绒面其优势体现地更明显，J0值由10～20fA/cm2，可以降到10fA/cm2以下的水平。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (16)
1.一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法，其特征在于，所述方法包括：在硅片表面沉积Al2O3之后，直接进行红外加热处理，或者，在硅片表面沉积Al2O3之后先降温再进行红外加热处理；
所述红外加热的时间为3～10秒，红外加热的最大单位面积功率为31～41kW/m2，红外加热至温度大于150℃小于等于400℃；
所述红外加热处理开始时，硅片表面沉积的Al2O3层的温度为100～150℃；
所述方法还包括在对Al2O3层进行红外加热之后，沉积SiNx镀膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在硅片表面沉积Al2O3的步骤包括：
硅片依次进入第一腔室进行抽真空、第二腔室进行预热、第三腔室进行Al2O3沉积；
其中，所述第一腔室与第二腔室隔断连通，第二腔室与第三腔室相通，所述隔断连通为：相邻腔室各自独立且能够通过打开隔断实现连通。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第一腔室抽真空至0.1～1mbar。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，硅片在第二腔室预热时的真空度为3～10mbar，硅片在第三腔室进行沉积Al2O3时的真空度为4～6mbar。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，硅片进入第三腔室进行Al2O3沉积之前，硅片表面形成厚度0.3～1nm的SiOx。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述SiOx是在空气中自然氧化形成的。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第二腔室进行预热的温度为150～400℃。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第二腔室进行预热的方式为电加热、红外加热、或二者组合的方式加热。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，第二腔室进行预热采用电加热和红外加热组合的方式加热。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，以电加热的方式进行加热，然后启动红外加热，在3～10秒的时间内升高温度100～200℃，使第二腔室达到预热温度150～400℃。
11.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第三腔室进行Al2O3沉积的方式包括原子层沉积方式或等离子体增强化学的气相沉积方式。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，沉积得到的Al2O3层的厚度为3～20nm。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，以原子层沉积方式沉积生长得到的Al2O3层的厚度为3～10nm。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，以等离子体增强化学的气相沉积方式沉积生长得到的Al2O3层的厚度为10～20nm。
15.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅片在第三腔室沉积结束后不进行冷却而直接转入另一腔室进行红外加热；
或者，所述硅片离开第三腔室进入第四腔室进行出料和冷却，然后再转入第五腔室进行红外加热；
第三腔室和第四腔室隔断连通，第四腔室和第五腔室隔断连通，所述隔断连通为：相邻腔室各自独立且能够通过打开隔断实现连通。
16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)硅片依次进入第一腔室进行抽真空，抽真空至0.1～1mbar；
(2)第一腔室与第二腔室之间的门打开，硅片进入第二腔室进行预热，预热温度为200～400℃；
(3)硅片进入第三腔室进行Al2O3沉积；
以原子层沉积方式沉积生长得到厚度为3～10nm的Al2O3层的，或者以等离子体增强化学的气相沉积方式沉积生长得到厚度为10～20nm的Al2O3层；
(4)第三腔室和第四腔室之间的门打开，硅片进入第四腔室，出料，出料过程中硅片逐渐冷却至100～150℃；
(5)第四腔室和第五腔室之间的门打开，硅片进入第五腔室进行红外加热，3～10秒的时间内升温至大于150℃小于等于400℃；
(6)在硅片的Al2O3层上沉积SiNx镀膜；
所述第一腔室与第二腔室隔断连通，第二腔室与第三腔室相通，第三腔室和第四腔室隔断连通，第四腔室和第五腔室隔断连通，所述隔断连通为：相邻腔室各自独立且能够通过打开隔断实现连通。
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| CN201911144238.0A CN112909120B (zh) | 2019-11-20 | 2019-11-20 | 一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法 |
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| CN107623052A (zh) * | 2017-09-01 | 2018-01-23 | 常州比太科技有限公司 | 一种太阳能电池片钝化用Al2O3镀膜系统和方法 |
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