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CN112534603A - 具有多个发射层的钙钛矿发光装置 - Google Patents

具有多个发射层的钙钛矿发光装置 Download PDF

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CN112534603A
CN112534603A CN201980050026.8A CN201980050026A CN112534603A CN 112534603 A CN112534603 A CN 112534603A CN 201980050026 A CN201980050026 A CN 201980050026A CN 112534603 A CN112534603 A CN 112534603A
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CN201980050026.8A
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P·莱弗莫尔
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Peroride Ltd
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Peroride Ltd
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Abstract

提供了一种发光装置。所述装置包括第一电极、第二电极和至少两个发射层。所述至少两个发射层中的第一发射层安置在所述第一电极上方。所述至少两个发射层中的第二发射层安置在所述第一发射层上方。所述第一发射层与所述第二发射层接触。所述第二电极安置在所述第二发射层上方。所述至少两个发射层中的至少一个发射层包括钙钛矿发光材料。所述装置包括所述至少两个发射层中的至少一个另外的发射层,其中所述至少一个另外的发射层包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。

Description

具有多个发射层的钙钛矿发光装置
技术领域
本发明涉及发光装置,并且具体地涉及包括一种或多种钙钛矿发光材料以及两个或更多个发射层的发光装置,所述两个或更多个发射层用于在装置,如显示器、照明面板和包含所述显示器和照明面板的其它装置中应用。
背景技术
钙钛矿材料对于在光电子装置中的应用变得越来越有吸引力。用于制造此类装置的许多钙钛矿材料是地球丰富的并且相对便宜,因此钙钛矿光电子装置具有优于替代性有机和无机装置的成本优势的潜力。另外,如可跨可见光、紫外线和红外线易于调谐的光学带隙等固有特性或钙钛矿材料使其非常适于光电子器件应用,如钙钛矿发光二极管(PeLED)、钙钛矿太阳能电池和光电检测器、钙钛矿激光器、钙钛矿晶体管、钙钛矿可见光通信(VLC)装置等。包括钙钛矿发光材料的PeLED可以具有优于分别包括有机发光材料和量子点发光材料的常规有机发光二极管(OLED)和量子点发光二极管(QLED)的性能优势。例如,强大的电致发光特性,包含实现具有更宽色域的显示器的无与伦比的高颜色纯度、出色的电荷输送特性和低非辐射率。
PeLED利用在施加电压时发射光的薄钙钛矿膜。PeLED成为用于在如显示器、照明和标牌等应用中使用的越来越有吸引力的技术。概括而言,几种PeLED材料和配置在Adjokatse等人中进行了描述,其通过引用以其整体包含在本文中。
钙钛矿发光材料的一种潜在应用是显示器。全色显示器的行业标准要求将子像素工程化为发射特定颜色,也被称为“饱和”颜色。这些标准要求饱和的红色、绿色和蓝色子像素,其中可以使用现有技术中众所周知的CIE 1931(x,y)色度坐标来测量颜色。发射红色光的钙钛矿材料的一个实例是甲基铵碘化铅(CH3NH3PbI3)。发射绿色光的钙钛矿材料的一个实例是甲脒溴化铅(CH(NH2)2PbBr3)。发射蓝色光的钙钛矿材料的一个实例是甲基铵氯化铅(CH3NH3PbCl3)。在显示器中,在使用PeLED代替OLED和/或QLED或与OLED和/或QLED组合时,可以实现性能优势,如色域增加。在本发明中,性能优势通过在具有多个发射层的发光装置中包含一种或多种钙钛矿发光材料而展示。所展示的发光装置特别适合于生成白色光发射,以用于在显示器和/或照明面板中应用。
如本文所用,术语“钙钛矿”包含可以在光电子装置中使用的任何钙钛矿材料。可以采用ABX3的三维(3D)结构的任何材料都可以被视为钙钛矿材料,其中A和B为阳离子并且X为阴离子。图3描绘了具有ABX3的3D结构的钙钛矿材料的实例。A阳离子可以大于B阳离子。B阳离子与周围X阴离子的配位可以为6倍。A阴离子与周围X阴离子的配位可以为12倍。
存在许多等级的钙钛矿材料。已经显示出对光电子装置的特殊前景的一个等级的钙钛矿材料为金属卤化物钙钛矿材料。对于金属卤化物钙钛矿材料而言,A组分可以是如甲基铵(CH3NH3 +)或甲脒(CH(NH2)2 +)等单价有机阳离子、如铯(Cs+)等无机原子阳离子或其组合,B组分可以是二价金属阳离子,如铅(Pb+)、锡(Sn+)、铜(Cu+)、铕(Eu+)或其组合,并且X组分可以是卤化物阴离子,如I-、Br-、Cl-或其组合。在A组分为有机阳离子的情况下,钙钛矿材料可以被限定为有机金属卤化物钙钛矿材料。CH3NH3PbBr3和CH(NH2)2PbI3是具有3D结构的金属卤化物钙钛矿材料的非限制性实例。在A组分为无机阳离子的情况下,钙钛矿材料可以被限定为无机金属卤化物钙钛矿材料。CsPbI3、CsPbCl3和CsPbBr3是无机金属卤化物钙钛矿材料的非限制性实例。
如本文所用,术语“钙钛矿”进一步包含可以采用L2(ABX3)n-1BX4(也可以被书写为L2An-1BnX3n+1)的分层结构的任何材料,其中L、A和B是阳离子,X是阴离子,并且n是布置在阳离子L的两个层之间的BX4单层的数量。图4描绘了具有L2(ABX3)n-1BX4(对于n,具有不同的值)的分层结构的钙钛矿材料的实例。对于金属卤化物钙钛矿材料而言,A组分可以是如甲基铵(CH3NH3 +)或甲脒(CH(NH2)2 +)等单价有机阳离子、如铯(Cs+)等原子阳离子或其组合,L组分可以是有机阳离子,如2-苯基乙基铵(C6H5C2H4NH3 +)或1-萘基甲基铵(C10H7CH2NH3 +),B组分可以是二价金属阳离子,如铅(Pb+)、锡(Sn+)、铜(Cu+)、铕(Eu+)或其组合,并且X组分可以是卤化物阴离子,如I-、Br-、Cl-或其组合。(C6H5C2H4NH3)2(CH(NH2)2PbBr3)n-1PbBr4和(C10H7CH2NH3)2(CH3NH3PbI2Br)n-1PbI3Br是具有分层结构的金属卤化物钙钛矿材料的非限制性实例。
在层的数量n为大,例如n大于约10的情况下,具有L2(ABX3)n-1BX4的分层结构的钙钛矿材料采用大约等同于具有ABX3的3D结构的钙钛矿材料的结构。如本文所用,并且如本领域的技术人员通常将理解的,具有大数量的层的钙钛矿材料可以被称为3D钙钛矿材料,但是已经认识到此类钙钛矿材料的维度已经从n=∞降低。在层的数量n=1的情况下,具有L2(ABX3)n-1BX4的分层结构的钙钛矿材料采用L2BX4的二维(2D)结构。具有单层的钙钛矿材料可以被称为2D钙钛矿材料。在n为小,例如n在大约2-10的范围内的情况下,具有L2(ABX3)n- 1BX4的分层结构的钙钛矿材料采用准二维(准2D)结构。具有小数量的层的钙钛矿材料可以被称为准2D钙钛矿材料。由于量子限制效应,对于其中n为最高的分层钙钛矿材料结构而言,能带隙最低。
钙钛矿材料可以具有任何数量的层。钙钛矿可以包括2D钙钛矿材料、准2D钙钛矿材料、3D钙钛矿材料或其组合。例如,钙钛矿可以包括具有不同数量的层的分层钙钛矿材料的集成体。例如,钙钛矿可以包括具有不同数量的层的准2D钙钛矿材料的集成体。
如本文所用,术语“钙钛矿”进一步包含钙钛矿材料的膜。钙钛矿材料的膜可以是结晶的、多晶的或其组合,其具有任何数量的层和任何范围的晶粒或晶体大小。
如本文所用,术语“钙钛矿”进一步包含其结构等同于或类似于ABX3的3D钙钛矿结构或L2(ABX3)n-1BX4的更一般的分层钙钛矿结构的钙钛矿材料的纳米晶体。钙钛矿材料的纳米晶体可以包含钙钛矿纳米颗粒、钙钛矿纳米线、钙钛矿纳米片或其组合。钙钛矿材料的纳米晶体可以具有任何形状或大小,具有任何数量的层以及任何范围的晶粒或晶体大小。图5描绘了具有于L2(ABX3)n-1BX4类似的分层结构的钙钛矿材料的纳米晶体的实例,其中n=5并且L阳离子被布置在钙钛矿纳米晶体的表面处。使用术语“类似”是因为对于钙钛矿材料的纳米晶体而言,L阳离子的分布可以与具有L2(ABX3)n-1BX4的正式分层结构的钙钛矿材料的分布不同。例如,在钙钛矿材料的纳米晶体中,可以存在更大比例的L阳离子沿纳米晶体的侧面布置。
可以对几种类型的钙钛矿材料进行刺激以响应于光学激发或电激发而发射光。也就是说,钙钛矿发光材料可以是光致发光的或电致发光的。如本文所用,术语“钙钛矿发光材料”仅指代通过电激发而发射的电致发光钙钛矿发光材料。无论何时在文中提及“钙钛矿发光材料”,应理解,参考了电致发光钙钛矿发光材料。此术语可以与其它来源所使用的术语略微不同。
通常,PeLED装置可以是光致发光的或电致发光的。如本文所用,术语“PeLED”仅指代包括电致发光钙钛矿发光材料的电致发光装置。当将电流施加到此类PeLED装置时,阳极注入空穴,而阴极将电子注入到一个或多个发射层中。注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴局域化时,可以形成作为具有激发能态的局域化电子空穴对的激子。如果激子通过光发射机制松弛,则会发射光。术语“PeLED”可以用于描述包括电致发光钙钛矿发光材料的单个发射单元电致发光装置。术语“PeLED”可以用于描述包括电致发光钙钛矿发光材料的堆叠式电致发光装置的一个或多个发射单元。此术语可以与其它来源所使用的术语略微不同。
如本文所用,术语“有机”包含聚合物材料以及可以用于制造如OLED等光电子装置的小分子有机材料。如本文所用,术语小分子是指不是聚合物的任何有机材料,并且小分子实际上可能非常大。在某些情况下,小分子可以包含重复单元。例如,使用长链烷基作为取代基不会将分子从小分子等级中去除。也可以将小分子并入到聚合物中,例如作为聚合物主链上的侧基或作为主链的一部分。小分子也可以用作树状物的核部分,所述树状物由建立在核部分上的一系列化学壳组成。树状物的核部分可以是小分子。树状物可以是小分子,并且据信,OLED领域中目前使用的所有树状物都是小分子。
如本文所用,术语“有机发光材料”包含荧光和磷光有机发光材料,以及通过机制发射光的有机材料,如三重态三重态湮灭(TTA)或热活化延迟荧光(TADF)。发射红色光的有机发光材料的一个实例是双(2-(3,5-二甲基苯基)喹啉-C2,N')(乙酰丙酮)合铱(III)Ir(dmpq)2(acac)。发射绿色光的有机发光材料的一个实例是三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。发射蓝色光的有机发光材料的一个实例是双[2-(4,6-二氟苯基)吡啶-C2,N](吡啶甲酰)合铱(III)(FIrpic)。
通常,OLED装置可以是光致发光的或电致发光的。如本文所用,术语“OLED”仅指代包括电致发光有机发光材料的电致发光装置。当将电流施加到此类OLED装置时,阳极注入空穴,而阴极将电子注入到一个或多个发射层中。注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴局域化时,可以形成作为具有激发能态的局域化电子空穴对的激子。如果激子通过光发射机制松弛,则会发射光。术语“OLED”可以用于描述包括电致发光有机发光材料的单个发射单元电致发光装置。术语“OLED”可以用于描述包括电致发光有机发光材料的堆叠式电致发光装置的一个或多个发射单元。此术语可以与其它来源所使用的术语略微不同。
如本文所用,术语“量子点”包含量子点材料、量子棒材料和其它发光纳米晶体材料,但在本文中单独定义的“钙钛矿”材料除外。量子点通常可以被视为表现出介于块状半导体与离散分子之间的特性的半导体纳米颗粒。量子点可以包括:III-V半导体材料,如氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)和砷化铟(InAs);或II-VI半导体材料,如氧化锌(ZnO)、硫化锌(ZnS)、硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)和碲化镉(CdTe)或其组合。通常,由于量子限制效应,量子点的光电子特性可能会随量子点的大小或形状而改变。
可以对几种类型的量子点进行刺激以响应于光学激发或电激发而发射光。也就是说,量子点发光材料可以是光致发光的或电致发光的。如本文所用,术语“量子点发光材料”仅指代通过电激发而发射的电致发光量子点发光材料。无论何时在文中提及“量子点发光材料”,应理解,参考了电致发光量子点发光材料。此术语可以与其它来源所使用的术语略微不同。
如本文所用,术语“量子点”不包含“钙钛矿”材料。几种类型的钙钛矿材料,如钙钛矿纳米晶体、2D钙钛矿材料和准2D钙钛矿材料,是表现出介于块状半导体与离散分子之间的特性的半传导材料,在与量子点类似的方式的情况下,量子约束可能会影响光电子特性。然而,如本文所用,此类材料被称为“钙钛矿”材料而不是“量子点”材料。此术语的第一原因是,如本文所定义的钙钛矿材料和量子点材料通常包括不同的晶体结构。此术语的第二原因是,如本文所定义的钙钛矿材料和量子点材料通常包括其结构内的不同材料类型。此术语的第三原因是,钙钛矿材料的发射通常与钙钛矿材料的结构大小无关,而量子点材料的发射通常取决于量子点材料的结构大小(例如核和壳)。此术语可以与其它来源所使用的术语略微不同。
通常,量子点发光材料包括核。任选地,核可以被一个或多个壳包围。任选地,核和一个或多个壳可以被钝化结构包围。任选地,钝化结构可以包括与一个或多个壳结合的配体。核和一个或多个壳的大小可能影响量子点发光材料的光电子特性。通常,随着核和一个或多个壳的大小减小,量子限制效应变得更强,并且可以在较短波长处激发电致发光发射。对于显示器应用,核和一个或多个壳结构的直径通常在1-10nm的范围内。发射蓝色光的量子点通常是最小的,其核与一个或多个壳的直径在大约1-2.5nm的范围内。发射绿色光的量子点通常略大一些,其核与一个或多个壳的直径在大约2.5-4nm的范围内。发射红色光的量子点通常更大,其核与一个或多个壳的直径在大约5-7nm的范围内。应当理解,这些范围是通过举例的方式提供的并且用于帮助理解,并且不旨在进行限制。
量子点发光材料的实例包含包括CdSe的核的材料。CdSe具有1.73eV的对应于716nm处的发射的块状带隙。然而,通过定制CdSe量子点的大小,可以跨可见光谱调整CdSe的发射光谱。包括CdSe核的量子点发光材料可以进一步包括一个或多个壳,所述一个或多个壳包括CdS、ZnS或其组合。包括CdSe的量子点发光材料可以进一步包括钝化结构,所述钝化结构可以包含与一个或多个壳结合的配体。包括CdSe/CdS或CdSe/ZnS核壳结构的量子点发光材料可以被调谐,以发射红色光、绿色光或蓝色光,以用于在显示器和/或照明面板中应用。
量子点发光材料的实例进一步包含包括InP的核的材料。InP具有1.35eV的对应于918nm处的发射的块状带隙。然而,通过定制InP量子点的大小,可以跨可见光谱调整InP的发射光谱。包括InP核的量子点发光材料可以进一步包括CdS、ZnS或其组合的一个或多个壳。包括InP的量子点发光材料可以进一步包括钝化结构,所述钝化结构可以包含与一个或多个壳结合的配体。包括InP/CdS或InP/ZnS核壳结构的量子点发光材料可以被调谐,以发射红色光、绿色光或蓝色光,以用于在显示器和/或照明面板中应用。
通常,QLED装置可以是光致发光的或电致发光的。如本文所用,术语“QLED”仅指代包括电致发光量子点发光材料的电致发光装置。当将电流施加到此类QLED装置时,阳极注入空穴,而阴极将电子注入到一个或多个发射层中。注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴局域化时,可以形成作为具有激发能态的局域化电子空穴对的激子。如果激子通过光发射机制松弛,则会发射光。术语“QLED”可以用于描述包括电致发光量子点发光材料的单个发射单元电致发光装置。术语“QLED”可以用于描述包括电致发光量子点发光材料的堆叠式电致发光装置的一个或多个发射单元。此术语可以与其它来源所使用的术语略微不同。
如本文所用,“顶部”意指离衬底最远,而“底部”意指离衬底最近。在将第一层描述为“安置”在第二层之上的情况下,将第一层安置为离衬底更远。除非指定了第一层与第二层“接触”,否则在第一层与第二层之间可能还存在其它层。当第一层被描述为与第二层“接触”时,第一层与第二层相邻。也就是说,第一层与第二层直接物理接触,而在第一层与第二层之间未安置另外的层、间隙或空间。
如本文所用,“溶液可处理的”意指能够在溶液或悬浮形式的液体介质中溶解、分散或输送和/或能够从液体介质中沉积。
如本文所用,并且如本领域的技术人员通常将理解的,如果第一能级更接近真空能级,则第一“最高占据分子轨道”(HOMO)或“最低未占分子轨道”(LUMO)能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级。由于电离势(IP)和电子亲和力(EA)被测量为相对于真空级的负能,因此较高的HOMO能级对应于负性较小的IP。类似地,较高LUMO能级对应于负性较小的EA。在常规能级图上,在真空级处于顶部的情况下,材料的LUMO能级高于同一材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级似乎比“较低”HOMO或LUMO能级更接近此图的顶部。
如本文所用,并且如本领域的技术人员通常将理解的,如果第一功函数具有更高的绝对值,则第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。因为功函数通常被测量为相对于真空级的负数,因此这意味着功函数“越高”,负性越大。在常规能级图上,在真空级处于顶部的情况下,“越高”的功函数在向下的方向上被展示为离真空级更远。因此,HOMO和LUMO能级的定义遵循与功函数不同的惯例。
如本文所用,术语“光学地耦接的”是指装置或结构的一个或多个元件,所述装置或结构被布置成使得光可以在所述一个或多个元件之间传递。所述一个或多个元件可以接触,或可以由间隙或允许光在所述一个或多个元件之间传递的任何连接、耦接、链接等分开。例如,一个或多个发光装置可以通过透明或半透明衬底光学地耦合到一个或多个颜色改变层。
如本文所用,并且如本领域的技术人员通常将理解的,如果两个或更多个发射单元被发光装置的层结构内的一个或多个电荷产生层分开,则如PeLED、OLED或QLED等发光装置可以被称为“堆叠式”发光装置。在一些来源中,堆叠式发光装置可以被称为串联发光装置。应当理解,术语“堆叠式”和“串联”可以互换地使用,并且如本文所用,串联发光装置也被视为堆叠式发光装置。此术语可以与其它来源所使用的术语略微不同。
应当理解PeLED、OLED和QLED为发光二极管,并且如本文所用,发光二极管被视为允许沿仅一个方向的显著电流流动的发光装置。PeLED、OLED和QLED因此被视为由直流电(DC)而非交流电(AC)驱动。如本文所用,术语“PeLED”、“OLED”和“QLED”可以用于描述分别包括电致发光钙钛矿、有机或量子点发光材料的单个发射单元电致发光装置。术语“PeLED”、“OLED”和“QLED”可以用于描述分别包括电致发光钙钛矿、有机或量子点发光材料的堆叠式电致发光装置的一个或多个发射单元。因此应当理解,本文所公开的电致发光发光装置允许沿仅一个方向通过其相应PeLED、OLED和/或QLED发射单元的显著电流流动。本文所公开的电致发光发光装置因此被视为由直流电(DC)而非交流电(AC)驱动。此术语可以与其它来源所使用的术语略微不同。
发明内容
提供了一种发光装置。在一个实施例中,所述发光装置包括第一电极、第二电极和至少两个发射层。所述至少两个发射层安置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述至少两个发射层中的第一发射层安置在所述第一电极上方。所述至少两个发射层中的第二发射层安置在所述第一发射层上方。所述第二电极安置在所述第二发射层上方。所述第一发射层与所述第二发射层接触。所述至少两个发射层中的至少一个发射层包括钙钛矿发光材料。所述装置包括所述至少两个发射层中的至少一个另外的发射层,其中所述至少两个发射层中的所述至少一个另外的发射层包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。
在一个实施例中,所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第二发射层包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。在一个实施例中,所述第一发射层包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,并且所述第二发射层包括钙钛矿发光材料。
在一个实施例中,所述至少两个发射层中的所述至少一个另外的发射层包括钙钛矿发光材料或有机发光材料。在一个实施例中,所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第二发射层包括钙钛矿发光材料。在一个实施例中,所述至少两个发射层中的所述至少一个另外的发射层包括有机发光材料。在一个实施例中,所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第二发射层包括有机发光材料。在一个实施例中,所述第一发射层包括有机发光材料,并且所述第二发射层包括钙钛矿发光材料。在一个实施例中,所述至少两个发射层中的所述至少一个另外的发射层包括钙钛矿发光材料或量子点发光材料。在一个实施例中,所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第二发射层包括钙钛矿发光材料。在一个实施例中,所述至少两个发射层中的所述至少一个另外的发射层包括量子点发光材料。在一个实施例中,所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第二发射层包括量子点发光材料。在一个实施例中,所述第一发射层包括量子点发光材料,并且所述第二发射层包括钙钛矿发光材料。
在一个实施例中,所述装置的所述发射层中的一个或多个发射层可以包括有机金属卤化物发光钙钛矿材料。在一个实施例中,所述装置的所述发射层中的一个或多个发射层可以包括无机金属卤化物发光钙钛矿材料。
在一个实施例中,所述至少两个发射层中的至少一个发射层发射黄色光,并且所述至少两个发射层中的至少一个另外的发射层发射蓝色光。在一个实施例中,所述发光装置发射白色光。在一个实施例中,所述发光装置发射颜色渲染指数大于或等于80的白色光。在一个实施例中,所述发光装置发射相关颜色温度为大约6504K的白色光。
在一个实施例中,所述至少两个发射层中的至少一个发射层发射红色光,并且所述至少两个发射层中的至少一个另外的发射层发射绿色光。在一个实施例中,所述发光装置发射黄色光。
在一个实施例中,所述发光装置包括第一电极、第二电极和至少三个发射层。所述至少三个发射层安置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述至少三个发射层中的第一发射层安置在所述第一电极上方。所述至少三个发射层中的第二发射层安置在所述第一发射层上方。所述至少三个发射层中的第三发射层安置在所述第二发射层上方。所述第二电极安置在所述第三发射层上方。所述第一发射层与所述第二发射层接触。所述第二发射层与所述第三发射层接触。所述至少三个发射层中的至少一个发射层包括钙钛矿发光材料。所述装置包括所述至少三个发射层中的至少两个另外的发射层,其中所述至少三个发射层中的所述至少两个另外的发射层各自包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。
在一个实施例中,所述至少三个发射层中的所述至少两个另外的发射层各自包括钙钛矿发光材料或有机发光材料。在一个实施例中,所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,所述第二发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第三发射层包括钙钛矿发光材料。在一个实施例中,所述至少两个另外的发射层中的至少一个发射层包括有机发光材料。
在一个实施例中,所述至少三个发射层中的所述至少两个另外的发射层各自包括钙钛矿发光材料或量子点发射材料。在一个实施例中,所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,所述第二发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第三发射层包括钙钛矿发光材料。在一个实施例中,所述至少两个另外的发射层中的至少一个发射层包括量子点发光材料。
在一个实施例中,所述至少两个另外的发射层中的至少一个发射层包括有机发光材料,并且所述至少两个另外的发射层中的至少一个发射层包括量子点发光材料。
在一个实施例中,所述至少三个发射层中的至少一个发射层发射红色光,所述至少三个发射层中的至少一个另外的发射层发射绿色光,并且所述至少三个发射层中的至少一个另外的发射层发射蓝色光。在一个实施例中,所述发光装置发射白色光。在一个实施例中,所述发光装置发射颜色渲染指数大于或等于80的白色光。在一个实施例中,所述发光装置发射相关颜色温度为大约6504K的白色光。
在一个实施例中,所述发光装置为堆叠式发光装置。在一个实施例中,所述发光装置包括第一电极、第二电极、第一发射单元、第二发射单元、电荷产生层和至少三个发射层。所述至少三个发射层安置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述至少三个发射层中的第一发射层安置在所述第一电极上方。所述至少三个发射层中的第二发射层安置在所述第一发射层上方。所述至少三个发射层中的第三发射层安置在所述第二发射层上方。所述第二电极安置在所述第三发射层上方。所述第一发射单元包括第一发射层和第二发射层。所述第二发射单元包括所述第三发射层。所述电荷产生层安置在所述第二发射层与所述第三发射层之间。所述第一发射层与所述第二发射层接触。所述至少三个发射层中的至少一个发射层包括钙钛矿发光材料。所述装置包括所述至少三个发射层中的至少两个另外的发射层,其中所述至少三个发射层中的所述至少两个另外的发射层各自包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。
在一个实施例中,所述第一发射层和所述第二发射层中的至少一个发射红色光,所述第一发射层和所述第二发射层中的至少一个发射绿色光,并且所述第三发射层发射蓝色光。
在一个实施例中,所述发光装置为堆叠式发光装置。在一个实施例中,所述发光装置包括第一电极、第二电极、第一发射单元、第二发射单元、电荷产生层和至少三个发射层。所述至少三个发射层安置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述至少三个发射层中的第一发射层安置在所述第一电极上方。所述至少三个发射层中的第二发射层安置在所述第一发射层上方。所述至少三个发射层中的第三发射层安置在所述第二发射层上方。所述第二电极安置在所述第三发射层上方。所述第一发射单元包括所述第一发射层。所述第二发射单元包括所述第二发射层和所述第三发射层。所述电荷产生层安置在所述第一发射层与所述第二发射层之间。所述第二发射层与所述第三发射层接触。所述至少三个发射层中的至少一个发射层包括钙钛矿发光材料。所述装置包括所述至少三个发射层中的至少两个另外的发射层,其中所述至少三个发射层中的所述至少两个另外的发射层各自包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。
在一个实施例中,所述第一发射层发射蓝色光,所述第二发射层和所述第三发射层中的至少一个发射红色光,并且所述第二发射层和所述第三发射层中的至少一个发射绿色光。
在一个实施例中,所述发光装置包含微腔结构。在一个实施例中,所述发光装置包含颜色改变层。
在一个实施例中,所述发光装置可以包含在显示器的子像素中。在一个实施例中,所述发光装置可以包含在照明面板中。
附图说明
当结合附图阅读时,将更好理解以上发明内容以及以下说明性实施例的具体描述。出于说明本公开的目的,在附图中示出了本公开的示例性构造。然而,本公开不限于本文所公开的具体方法和工具。此外,本领域的技术人员将理解附图并不是按比例绘制的。
在附图中,带下划线的数字用来表示带下划线的数字所定位的项或与所述带下划线的数字相邻的项。未加下划线的数字涉及通过线所标识的项,所述线将未加下划线的数字与项连接。当数字未加下划线并带有相关联的箭头时,未加下划线的数字将用于标识箭头所指向的常规项。现在将通过举例并且参考以下来描述本公开的实施例:
图1描绘了发光装置。
图2描绘了倒置的发光装置。
图3描绘了具有结构ABX3的3D钙钛矿发光材料。
图4描绘了具有结构L2(ABX3)n-1BX4的分层钙钛矿发光材料,其中n=1、3、5、10和∞。
图5描绘了具有与L2(ABX3)n-1BX4类似的分层结构的钙钛矿材料的纳米晶体的实例,其中n=5。
图6描绘了包括两个发射层的发光装置。
图7描绘了包括三个发射层的发光装置。
图8描绘了CIE 1931(x,y)颜色空间色度图的再现。
图9描绘了CIE 1931(x,y)颜色空间色度图的再现,其还示出了(a)DCI-P3和(b)Rec.2020颜色空间的色域。
图10描绘了CIE 1931(x,y)颜色空间色度图的再现,其还示出了(a)DCI-P3和(b)Rec.2020颜色空间的色域,其中颜色坐标针对示例性红色、绿色和蓝色PeLED、OLED和QLED装置。
图11描绘了CIE 1931(x,y)颜色空间色度图的再现,其还示出了普朗克轨迹(Planckian locus)。
图12描绘了红色、绿色和蓝色PeLED、OLED和QLED的示例性电致发光发射光谱。
图13描绘了包括两个发射层的发光装置的发射层的各种配置。
图14描绘了包括两个发射层的发光装置的发射层的另外的给各自配置。
图15描绘了包括三个发射层的发光装置的发射层的各种配置。
图16描绘了包括三个发射层的发光装置的发射层的另外的各种配置。
图17描绘了包括两个发射单元的堆叠式发光装置。
图18描绘了包括两个发射单元的堆叠式发光装置,其中所述第一发射单元包括两个发射层。
图19描绘了包括三个发射层的堆叠式发光装置的发射层的各种配置。
图20描绘了包括三个发射层的堆叠式发光装置的发射层的另外的各种配置。
图21描绘了包括颜色改变层的堆叠式发光装置的实例。
具体实施方式
PeLED的通用装置架构和操作原理基本上类似于OLED和QLED的架构和操作原理。这些发光装置中的每个发光装置都包括安置在阳极与阴极之间并电连接到阳极和阴极的至少一个发射层。对于PeLED,发射层包括钙钛矿发光材料。对于OLED,发射层包括有机发光材料。对于QLED,发射层包括量子点发光材料。对于这些发光装置中的每个发光装置,当施加电流时,阳极注入空穴,而阴极将电子注入到一个或多个发射层中。注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴局域化时,可以形成作为具有激发能态的局域化电子空穴对的激子。如果激子通过光发射机制松弛,则会发射光。非辐射机制,如热辐射和/或俄歇复合(Auger recombination),也可能发生,但其通常被视为是不希望的。PeLED、OLED和QLED所需的装置架构与工作原理之间的实质相似性促进钙钛矿发光材料、有机发光材料和量子点发光材料在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
图1示出了包括单个发射层的发光装置100。装置100可以包含衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴输送层125、电子阻挡层130、第一发射层135、空穴阻挡层140、电子输送层145、电子注入层150、阴极155、封盖层160和屏障层165。第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。装置100可以通过依次沉积所描述的层来制造。由于装置100具有安置在阴极155下方的阳极115,因此装置100可以被称为“标准”装置架构。对于PeLED,发射层包括钙钛矿发光材料。对于OLED,发射层包括有机发光材料。对于QLED,发射层包括量子点发光材料。
图2示出了包括单个发射层的发光装置200。发光装置200可以是PeLED、OLED和QLED。装置包含衬底210、阴极215、第一发射层220、空穴输送层225和阳极230。第一发射层220可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。装置200可以通过依次沉积所描述的层来制造。由于装置200具有安置在阳极230下方的阴极215,因此装置200可以被称为“倒置的”装置架构。对于PeLED,发射层包括钙钛矿发光材料。对于OLED,发射层包括有机发光材料。对于QLED,发射层包括量子点发光材料。可以在装置200的对应层中使用与关于装置100所描述的那些材料类似的材料。图2提供了如何可以从PeLED、OLED或QLED的结构中省略一些层的一个实例。
图1和2中所展示的简单分层结构通过非限制性实例的方式提供,并且应当理解,本发明的实施例可以结合多种其它结构来使用。所描述的特定材料和结构在本质上是示例性的,并且可以使用其它材料和结构。基于如性能、设计和成本等因素,可以通过以不同方式组合所描述的各个层来实现功能性PeLED、OLED和QLED,或者可以完全省略层。也可以包含未具体描述的其它层。可以使用除了具体描述的材料之外的材料。尽管本文提供的许多实例将各个层描述为包括单一材料,但是应当理解,可以使用材料的组合。而且,层可以具有各个子层。例如,PeLED的发射层可以包括钙钛矿发光材料的一个或多个子层,所述一个或多个子层被安置成与有机或无机材料的一个或多个子层接触。一个或多个子层中的有机或无机材料可以在PeLED装置的发射层内起到电荷注入、电荷输送、电荷阻挡或电荷限制功能。然而,在有机或无机材料的此类子层不通过如前所述的电致发光过程发射光的情况下,此类子层在本文中被视为PeLED发射层的子层并且不被视为单独的有机或无机发射层。
本文给予各个层的名称不旨在严格限制。例如,在装置中,空穴输送层可以输送空穴并将空穴注入到发射层中,并且可以被描述为空穴输送层或空穴注入层。
PeLED、OLED和QLED通常旨在通过电极中的至少一个电极发射光,并且一个或多个透明电极可以用于此类光电子装置中。例如,可以将如氧化铟锡(ITO)的透明电极材料用于底部电极,而可以将如镁和银的共混物(Mg:Ag)的薄金属层等透明电极材料用于顶部电极。对于旨在仅通过底部电极发射光的装置,顶部电极不需要是透明的,并且可以包含不透明和/或反射层,如具有高反射率的金属层。类似地,对于旨在仅通过顶部电极发射光的装置,底部电极可以是不透明的和/或反射性的,如具有高反射率的金属层。在电极不需要是透明的情况下,使用较厚的层可以提供更好的传导性,并且可以减少装置中的电压降和/或焦耳热,并且使用反射电极可以通过朝透明电极向后反射光来增加通过其它电极发射的光的量。也可以制造完全透明的装置,其中两个电极都是透明的。
根据本发明的实施例制造的装置任选地可以包括衬底110。衬底110可以包括提供期望的结构特性和光学特性的任何合适的材料。衬底110可以是刚性的或柔性的。衬底110可以是平坦的或弯曲的。衬底110可以是透明的、半透明的或不透明的。优选的衬底材料为玻璃、塑料和金属箔。可以使用其它衬底,如织物和纸。衬底110的材料和厚度可以选择以获得期望的结构特性和光学特性。PeLED、OLED和QLED所需的衬底性质之间的实质相似性促进钙钛矿发光材料、有机发光材料和量子点发光材料在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
根据本发明的实施例制造的装置任选地可以包括阳极115。阳极115可以包括本领域已知的任何合适的材料或材料的组合,使得阳极115能够传导空穴并将其注入到装置的层中。优选的阳极115材料包含:传导金属氧化物,如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铝锌(AlZnO);金属,如银(Ag)、铝(Al)、铝钕(Al:Nd)、金(Au)以及其合金;或其组合。其它优选的阳极115材料包含石墨烯、碳纳米管、纳米线或纳米颗粒、银纳米线或纳米颗粒、如聚(3,4-亚乙基二氧噻吩):聚磺苯乙烯(PEDOT:PSS)等有机材料以及其衍生物或其组合。在单个层中包括一种或多种阳极材料的复合阳极对于某些装置可以是优选的。在一个或多个层中包括一种或多种阳极材料的多层阳极对于某些装置可以是优选的。多层阳极的一个实例是ITO/Ag/ITO。在用于PeLED、OLED和QLED的标准装置架构中,阳极115可以透明到足以产生其中光通过衬底发射的底部发射装置。标准装置架构中通常使用的透明阳极的一个实例是ITO的层。标准装置架构中通常使用的透明阳极的另一实例是其中Ag厚度小于大约25nm的ITO/Ag/ITO。通过包含厚度小于大约25nm的银层,阳极可以是透明且部分反射的。当此透明且部分反射的阳极与如LiF/Al等反射阴极组合使用时,其优点是可以在装置内产生微腔。微腔可以提供以下优势中的一个或多个:从装置发射的光的总量增加,并且因此效率和亮度更高;沿前向方向发射的光的比例增加,并且因此法向入射时的表观亮度增加;以及发射光谱的光谱变窄,导致光发射的颜色饱和度增加。阳极115可以是不透明的和/或反射性的。在针对PeLED、OLED和QLED的标准装置架构中,反射阳极115对于用于增加从装置的顶部发射的光的量的一些顶部发射装置可以是优选的。标准装置架构中通常使用的反射阳极的一个实例是其中Ag厚度大于大约80nm的ITO/Ag/ITO的多层阳极。当此反射阳极与如Mg:Ag等透明且部分反射的阴极组合使用时,其优点是在装置内产生微腔。阳极115的材料和厚度可以选择以获得期望的传导特性和光学特性。在阳极115透明的情况下,对于特定材料,可以具有一定范围的厚度,所述厚度厚到足以提供期望的传导性,但又薄到足以提供期望的透明度。可以使用其它材料和结构。PeLED、OLED和QLED所需的阳极性质之间的实质相似性促进钙钛矿发光材料、有机发光材料和量子点发光材料在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
根据本发明的实施例制造的装置任选地可以包括空穴输送层125。空穴输送层125可以包含能够输送空穴的任何材料。空穴输送层125可以通过溶液工艺或通过真空沉积工艺沉积。空穴输送层125可以是掺杂的或未掺杂的。可以使用掺杂来增强传导性。
未掺杂的空穴输送层的实例是N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(NPD)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺(TFB)、聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)-联苯胺](聚-TPD)、聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、螺-OMeTAD和氧化钼(MoO3)。掺杂的空穴输送层的一个实例是以50:1的摩尔比掺杂了F4-TCNQ的4,4',4"-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺(m-MTDATA)。溶液处理的空穴输送层的一个实例是PEDOT:PSS。可以使用其它空穴输送层和结构。空穴输送材料的上述实例特别适合应用于PeLED。但是,这些材料也可以在OLED和QLED中有效实施。钙钛矿发光材料、有机发光材料和量子点发光材料所需的空穴输送层性质之间的实质相似性促进这些发光材料在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
根据本发明的实施例制造的装置任选地可以包括一个或多个发射层135。发射层135可以包含当在阳极115与阴极155之间传递电流时能够发射光的任何材料。装置架构和操作原理基本上类似于PeLED、OLED和QLED。然而,这些发光装置可以通过其相应的发射层中的差异来区分。PeLED的发射层可以包括钙钛矿发光材料。OLED的发射层可以包括有机发光材料。QLED的发射层可以包括量子点发光材料。
钙钛矿发光材料的实例包含3D钙钛矿材料,如甲基铵碘化铅(CH3NH3PbI3)、甲基铵溴化铅(CH3NH3PbBr3)、甲基铵氯化铅(CH3NH3PbCl3)、甲脒碘化铅(CH(NH2)2PbI3)、甲脒溴化铅(CH(NH2)2PbBr3)、甲脒氯化铅(CH(NH2)2PbCl3)、铯碘化铅(CsPbI3)、铯溴化铅(CsPbBr3)和铯氯化铅(CsPbCl3)。钙钛矿发光材料的实例进一步包含具有混合的卤化物的3D钙钛矿材料,如CH3NH3PbI3-xClx、CH3NH3PbI3-xBrx、CH3NH3PbCl3-xBrx、CH(NH2)2PbI3-xBrx、CH(NH2)2PbI3- xClx、CH(NH2)2PbCl3-xBrx、CsPbI3-xClx、CsPbI3-xBrx和CsPbCl3-xBrx,其中x在0-3的范围内。钙钛矿发光材料的实例进一步包含2D钙钛矿材料,如(C10H7CH2NH3)2PbI4、(C10H7CH2NH3)2PbBr4、(C10H7CH2NH3)2PbCl4、(C6H5C2H4NH3)2PbI4、(C6H5C2H4NH3)2PbBr4和(C6H5C2H4NH3)2PbCl4;具有混合的卤化物的2D钙钛矿材料,如(C10H7CH2NH3)2PbI3-xClx、(C10H7CH2NH3)2PbI3-xBrx、(C10H7CH2NH3)2PbCl3-xBrx、(C6H5C2H4NH3)2PbI3-xClx、(C6H5C2H4NH3)2PbI3-xBrx和(C6H5C2H4NH3)2PbCl3-xBrx,其中x在0-3的范围内。钙钛矿发光材料的实例进一步包含准2D钙钛矿材料,如(C6H5C2H4NH3)2(CH(NH2)2PbBr3)n-1PbI4、(C6H5C2H4NH3)2(CH(NH2)2PbBr3)n-1PbBr4、(C6H5C2H4NH3)2(CH(NH2)2PbBr3)n-1PbCl4、(C10H7CH2NH3)2(CH3NH3PbI2Br)n-1PbI4、(C10H7CH2NH3)2(CH3NH3PbI2Br)n-1PbBr4和(C10H7CH2NH3)2(CH3NH3PbI2Br)n-1PbCl4,其中n为层的数量,并且任选地,n可以在约2-10的范围内。钙钛矿发光材料的实例进一步包含具有混合的卤化物的准2D钙钛矿材料,如(C6H5C2H4NH3)2(CH(NH2)2PbBr3)n-1PbI3-xClx、(C6H5C2H4NH3)2(CH(NH2)2PbBr3)n-1PbI3-xBrx、(C6H5C2H4NH3)2(CH(NH2)2PbBr3)n-1PbCl3-xBrx、(C10H7CH2NH3)2(CH3NH3PbI2Br)n-1PbI3-xClx、(C10H7CH2NH3)2(CH3NH3PbI2Br)n-1PbI3-xBrx和(C10H7CH2NH3)2(CH3NH3PbI2Br)n-1PbCl3-xBrx,其中n为层的数量,并且任选地,n可以在约2-10的范围内,并且x在0-3的范围内。钙钛矿发光材料的实例进一步包含前述实例中的任何实例,其中二价金属阳离子铅(Pb+)可以用锡(Sn+)、铜(Cu+)或铕(Eu+)代替。钙钛矿发光材料的实例进一步包含具有与准2D钙钛矿材料非常相似的结构的钙钛矿发光纳米晶体。
钙钛矿发光材料可以包括其中材料包括有机阳离子的有机金属卤化物钙钛矿材料,如甲基铵碘化铅(CH3NH3PbI3)、甲基铵溴化铅(CH3NH3PbBr3)、甲基铵氯化铅(CH3NH3PbCl3)。钙钛矿发光材料可以包括其中材料包括无机阳离子的无机金属卤化物钙钛矿材料,如铯碘化铅(CsPbI3)、铯溴化铅(CsPbBr3)和铯氯化铅(CsPbCl3)。此外,钙钛矿发光材料可以包括其中存在有机阳离子与无机阳离子的组合的钙钛矿发光材料。有机阳离子或无机阳离子的选择可以由几个因素决定,所述因素包含期望的发射颜色、电致发光的效率、电致发光的稳定性和易于处理。无机金属卤化物钙钛矿材料可以特别适合于具有纳米晶体结构的钙钛矿发光材料,如图5中所描绘的钙钛矿发光材料,其中无机阳离子可以实现紧凑且稳定的钙钛矿发光纳米晶体结构。
可以以多种方式将钙钛矿发光材料包含在发射层135中。例如,发射层可以包括2D钙钛矿发光材料、准2D钙钛矿发光材料或3D钙钛矿发光材料或其组合。任选地,发射层可以包括钙钛矿发光纳米晶体。任选地,发射层135可以包括准2D钙钛矿发光材料的集成体,其中所述集成体中的准2D钙钛矿发光材料可以包括不同数量的层。准2D钙钛矿发光材料的集成体可以是优选的,因为可能存在从具有较少数量的层以及较大能带隙的准2D钙钛矿发光材料到具有较大数量的层和较低能带隙的准2D钙钛矿发光材料的能量转移。此能量漏斗可以将激子有效地限制在PeLED装置中,并可以提高装置性能。任选地,发射层135可以包括钙钛矿发光纳米晶体材料。钙钛矿发光纳米晶体材料可以是优选的,因为可以使用纳米晶体边界来将激子限制在PeLED装置中,并且可以使用表面阳离子将纳米晶体边界钝化。激子限制和表面钝化可以提高装置性能。可以使用其它发射层材料和结构。
任选地,发光装置可以包括包含钙钛矿发光材料的单个发射层。任选地,发光装置可以进一步包括包含钙钛矿发光材料、有机发光材料和/或量子点发光材料的一个或多个另外的发射层。任选地,发光装置可以包括包含钙钛矿发光材料的至少一个发射层以及包含钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料的至少一个另外的发射层。任选地,发光装置可以包括包含钙钛矿发光材料的至少一个发射层以及各自包含钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料的至少两个另外的发射层。
多发射层装置可以是优选的,例如,以使得能够将来自多个发射层的光组合,以提高效率、寿命和/或调谐装置的发射颜色。例如,来自多个发射层的多发射颜色可以在装置内组合。例如,来自第一发射层的红色光可以与来自第二发射层的绿色光和来自第三发射层的蓝色光组合,以产生来自装置的白色光发射。多发射层装置可以进一步使得能够将来自一种或多种钙钛矿发光材料的光发射与来自一种或多种钙钛矿发光材料、有机发光材料和/或量子点发光材料的光发射组合,其中可以针对每种相应的颜色选择最佳类型的发光材料。
荧光有机发光材料的几个实例在欧洲专利EP 0423283B1中进行了描述。磷光有机发光材料的几个实例在美国专利US 6303238B1和US 7279704B2中进行了描述。通过TADF机制发射的有机发光材料的几个实例在Uoyama等人中进行了描述,量子点发光材料的几个实例在Kathirgamanathan等人(1)中进行了描述。所有这些引文均通过引用以其整体包含在本文中。
根据本发明的实施例制造的装置任选地可以包括电子输送层145。电子输送层145可以包含能够输送电子的任何材料。电子输送层145可以通过溶液工艺或通过真空沉积工艺沉积。电子输送层145可以是掺杂的或未掺杂的。可以使用掺杂来增强传导性。
未掺杂的电子输送层的实例为三(8-羟基喹啉酸并)铝(Alq3)、2,2',2"-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、氧化锌(ZnO)和二氧化钛(TiO3)。掺杂的电子输送层的一个实例为以1:1的摩尔比掺杂了锂(Li)的4,7-二苯基-1,10-邻二氮杂菲(BPhen)。溶液处理的电子输送层的一个实例是[6,6]-苯基C61丁酸甲酯(PCBM)。可以使用其它电子输送层和结构。电子输送材料的上述实例特别适合应用于PeLED。但是,这些材料也可以在OLED和QLED中有效实施。钙钛矿发光材料、有机发光材料和量子点发光材料所需的电子输送层性质之间的实质相似性促进这些发光材料在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
根据本发明的实施例制造的装置任选地可以包括阴极155。阴极155可以包括本领域已知的任何合适的材料或材料的组合,使得阴极155能够传导电子并将其注入到装置的层中。优选的阴极155材料包含:金属氧化物,如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化氟锡(FTO);金属,如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)和镱(Yb)或其组合。其它优选的阴极155材料包含金属,如银(Ag)、铝(Al)、铝钕(Al:Nd)、金(Au)以及其合金或其组合。在单个层中包括一种或多种阴极材料的复合阴极对于某些装置可以是优选的。复合阴极的一个实例为Mg:Ag。在一个或多个层中包括一种或多种阴极材料的多层阴极对于某些装置可以是优选的。多层阴极的一个实例为Ba/Al。在针对PeLED、OLED和QLED的标准装置架构中,阴极155可以透明到足以产生其中从装置的顶部发射光的顶部发射装置。标准装置架构中通常使用的透明阴极的一个实例是Mg:Ag的复合层。通过使用Mg:Ag的化合物,阴极可以是透明的以及部分反射性的。当此透明且部分反射的阴极与如其中Ag厚度大于大约80nm的ITO/Ag/ITO等反射阳极组合使用时,其优点是可以在装置内产生微腔。阴极155可以是不透明的和/或反射性的。在针对PeLED、OLED和QLED的标准装置架构中,反射阴极155对于用于增加通过衬底从装置的底部发射的光的量的一些底部发射装置可以是优选的。标准装置架构中通常使用的反射阴极的一个实例是LiF/Al的多层阴极。当此反射阴极与如其中Ag厚度小于大约25nm的ITO/Ag/ITO等透明且部分反射的阳极组合使用时,其优点是可以在装置内产生微腔。
阴极155的材料和厚度可以选择以获得期望的传导特性和光学特性。在阴极155透明的情况下,对于特定材料,可以具有一定范围的厚度,所述厚度厚到足以提供期望的传导性,但又薄到足以提供期望的透明度。可以使用其它材料和结构。PeLED、OLED和QLED所需的阴极性质之间的实质相似性促进钙钛矿发光材料、有机发光材料和量子点发光材料在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
根据本发明的实施例制造的装置任选地可以包括一个或多个阻挡层。阻挡层可以用于减少退出发射层的电荷载流子(电子或空穴)和/或激子的数量。电子阻挡层130可以安置在发射层135与空穴输送层125之间,以阻挡电子沿空穴输送层125的方向离开发射层135。类似地,空穴阻挡层140可以安置在发射层135与电子输送层145之间,以阻挡空穴沿电子输送层145的方向离开发射层135。阻挡层也可以用于阻挡激子从发射层扩散。如本文所用,并且如本领域的技术人员将理解的,术语“阻挡层”意味着层提供大大地抑制电荷载流子和/或激子的输送的屏障,而不暗示层完全阻挡电荷载流子和/或激子。与缺乏阻挡层的类似装置相比,装置中存在此阻挡层可以产生实质上更高的效率。阻挡层还可以用于将发射限制在装置的期望区域。钙钛矿发光材料、有机发光材料和量子点发光材料所需的阻挡层性质之间的实质相似性促进这些发光材料在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
根据本发明的实施例制造的装置任选地可以包括一个或多个注入层。通常,注入层包含可以改善电荷载流子从一个层(如电极)注入到相邻层的一种或多种材料。注入层还可以执行电荷输送功能。
在装置100中,空穴注入层120可以是改善空穴从阳极115注入到空穴输送层125中的任何层。可以用作空穴注入层的材料的实例是可以气相沉积的酞菁铜(II)(CuPc)和1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲(HATCN)以及如PEDOT:PSS等可以从溶液中沉积的聚合物。可以用作空穴注入层的材料的另一实例是氧化钼(MoO3)。空穴注入材料的上述实例特别适合应用于PeLED。但是,这些材料也可以在OLED和QLED中有效实施。钙钛矿发光材料、有机发光材料和量子点发光材料所需的空穴注入层性质之间的实质相似性促进这些发光材料在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
空穴注入层(HIL)120可以包括电荷承载组分,所述电荷承载组分具有如由其本文所描述的相对IP能级所定义的与HIL的一侧上的相邻阳极层以及HIL的相反侧上的空穴输送层有利地匹配的HOMO能级。“电荷承载组分”是负责实际输送空穴的HOMO能级的材料。此材料可以是HIL的基底材料,或者其可以是掺杂剂。使用掺杂的HIL允许针对其电特性选择掺杂剂,并且针对如易于沉积、润湿、柔性、韧性等形态学特性选择主体。HIL材料的优选特性使得可以将空穴从阳极有效注入到HIL材料中。HIL 120的电荷承载组分优选地具有不大于阳极材料的IP的约0.5eV的IP。类似条件适用于空穴所注入的任何层。HIL材料与通常用于PeLED、OLED或QLED的空穴输送层的常规空穴输送材料的另外的区别在于,此HIL材料的空穴传导率基本上小于常规空穴输送材料的空穴传导率。本发明的HIL 120的厚度可以厚到足以使阳极平坦化并且实现有效的空穴注入,但又薄到足以不阻碍空穴的输送。例如,低到10nm的HIL厚度是可接受的。但是,对于某些装置,至多50nm的HIL厚度可以是优选的。
在装置100中,电子注入层150可以是改善电子从阴极155注入到电子输送层145中的任何层。可以用作电子注入层的材料的实例是无机盐,如氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化钡(BaF)、氟化铯(CsF)和碳酸铯(CsCO3)。可以用作电子注入层的材料的其它实例是金属氧化物,如氧化锌(ZnO)和二氧化钛(TiO2)以及金属,如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)和镱(Yb)。其它材料或材料的组合可以用于注入层。根据特定装置的配置,注入层可以安置在与装置100中示出的位置不同的位置处。电子注入材料的上述实例均特别适合应用于PeLED。但是,这些材料也可以在OLED和QLED中有效实施。钙钛矿发光材料、有机发光材料和量子点发光材料所需的电子注入层性质之间的实质相似性促进这些发光材料在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
根据本发明的实施例制造的装置任选地可以包括封盖层160。封盖层160可以包含能够增强从装置提取光的任何材料。优选地,在顶部发射装置架构中,封盖层160安置在顶部电极上方。优选地,封盖层160具有至少1.7的折射率,并且被配置成增强光从发射层135传递通过顶部电极并离开装置,从而增强装置效率。可以用于封盖层160的材料的实例是4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、Alq3以及更通常地三胺和亚芳基二胺。封盖层160可以包括单个层或多个层。可以使用其它封盖层材料和结构。钙钛矿发光材料、有机发光材料和量子点发光材料所需的封盖层性质之间的实质相似性促进这些发光装置在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
根据本发明的实施例制造的装置任选地可以包括屏障层165。屏障层165的一个目的是保护装置层免于破坏环境中的物种,所述物种包含水分、蒸气和/或气体。任选地,屏障层165可以沉积在衬底、电极或装置的包含边缘的任何其它部分上方、下方或旁边。任选地,屏障层165可以是如玻璃或金属等块状材料,并且所述块状材料可以固定在衬底、电极或装置的任何其它部分上方、下方或旁边。任选地,屏障层165可以沉积在膜上,并且所述膜可以固定在衬底、电极或装置的任何其它部分上方、下方或旁边。在将屏障层165沉积在膜上的情况下,优选的膜材料包括玻璃、塑料,如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)以及金属箔。在屏障层165是块状材料或沉积在膜上的情况下,用于将膜或块状材料固定到装置上的优选材料包含热粘合剂或可UV固化粘合剂、热熔粘合剂和压敏粘合剂。
屏障层165可以是块状材料,或者可以通过各种已知的沉积技术形成,所述沉积技术包含溅射、真空热蒸发、电子束沉积和化学气相沉积(CVD)技术,如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和原子层沉积(ALD)。屏障层165可以包含具有单相的组合物以及具有多相的组合物。任何合适的材料或材料的组合可以用于屏障层165。屏障层165可以并入有机化合物或无机化合物或两者。优选的无机屏障层材料包含:氧化铝,如Al2O3;氧化硅,如SiO2;氮化硅,如SiNx;以及块状材料,如玻璃和金属。优选的有机屏障层材料包含聚合物。屏障层165可以包括单个层或多个层。在一个或多个层中包括一种或多种屏障材料的多层屏障对于某些装置可以是优选的。如在多层屏障SiNx/聚合物/SiNx中,多层屏障的一个优选实例是包括SiNx和聚合物的交替层的屏障。钙钛矿发光材料、有机发光材料和量子点发光材料所需的屏障层性质之间的实质相似性促进这些发光材料在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
图6示出了具有两个发射层的发光装置300。发光装置300可以包括一个或多个PeLED、OLED或QLED发射层。装置300可以包含衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴输送层125、电子阻挡层130、第一发射层135、第二发射层170、空穴阻挡层140、电子输送层145、电子注入层150和阴极155。装置300可以通过依次沉积所描述的层来制造。对于PeLED发射层,发射层包括钙钛矿发光材料。对于OLED发射层,发射层包括有机发光材料。对于QLED发射层,发射层包括量子点发光材料。
图7示出了具有三个发射层的发光装置400。发光装置400可以包括一个或多个PeLED、OLED或QLED发射层。装置400可以包含衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴输送层125、电子阻挡层130、第一发射层135、第二发射层170、第三发射层175、空穴阻挡层140、电子输送层145、电子注入层150和阴极155。装置400可以通过依次沉积所描述的层来制造。对于PeLED发射层,发射层包括钙钛矿发光材料。对于OLED发射层,发射层包括有机发光材料。对于QLED发射层,发射层包括量子点发光材料。
图6和7中所展示的简单分层结构通过非限制性实例的方式提供,并且应当理解,本发明的实施例可以结合多种其它结构来使用。所描述的特定材料和结构在本质上是示例性的,并且可以使用其它材料和结构。基于如性能、设计和成本等因素,可以通过以不同方式组合所描述的各个层来实现功能性发光装置,或者可以完全省略层。也可以包含未具体描述的其它层。可以使用除了具体描述的材料之外的材料。尽管本文提供的许多实例将各个层描述为包括单一材料,但是应当理解,可以使用材料的组合。而且,层可以具有各个子层。本文给予各个层的名称不旨在严格限制。例如,在装置中,电子输送层可以将电子输送到发射层中,并且还阻挡空穴退出发射层,并且可以被描述为电子输送层或空穴阻挡层。
如图6和7中所描绘的具有多个发射层的发光装置架构可以提供一个或多个优点。来自多个发射层的光可以组合以提高效率、寿命和/或调谐装置的发射颜色。例如,来自多个发射层的多发射颜色可以在所述装置内组合。例如,来自第一发射层的红色光可以与来自第二发射层的绿色光和来自第三发射层的蓝色光组合,以产生来自装置的白色光发射。多发射层装置可以进一步使得能够将来自一种或多种钙钛矿发光材料的光发射与来自一种或多种钙钛矿发光材料、有机发光材料和/或量子点发光材料的光发射组合。
任选地,根据本发明的实施例制造的装置可以包括两个发射层。任选地,根据本发明的实施例制造的装置可以包括三个发射层。任选地,根据本发明的实施例制造的装置可以包括四个或更多个发射层。
根据本发明的实施例制造的装置任选地可以包括一个或多个电荷产生层。任选地,电荷产生层可以用于将堆叠式发光装置内的两个或更多个发射单元分开。图17中描绘的堆叠式发光装置900包括第一电荷产生层940,所述第一电荷产生层将第一发射单元930与第二发射单元950分开。
图18示出了包括第一发射单元1090和第二发射单元1095的堆叠式发光装置1000。堆叠式发光装置1000可以包括一个或多个PeLED、OLED或QLED发射层。装置1000可以包含衬底1010、阳极1015、第一空穴注入层1020、第一空穴输送层1025、第一发射层1030、第二发射层1060、第一空穴阻挡层1035、第一电子输送层1040、第一电荷产生层1045、第二空穴注入层1050、第二空穴输送层1055、第三发射层1065、第二空穴阻挡层1070、第二电子输送层1075、第一电子注入层1080和阴极1085。第一发射单元1090包括第一发射层1030和第二发射层1060。第二发射单元1095包括第三发射层1065。第一发射层1030与第二发射层1060接触。装置1000可以通过依次沉积所描述的层来制造。对于PeLED发射层,发射层包括钙钛矿发光材料。对于OLED发射层,发射层包括有机发光材料。对于QLED发射层,发射层包括量子点发光材料。
电荷产生层940或1045可以包括单层或多层。任选地,电荷产生层940或1045可以包括用于电子的注入的n掺杂的层和用于空穴的注入的p掺杂的层。任选地,电荷产生层940或1045可以包含空穴注入层(HIL)。任选地,电荷产生层940的p掺杂的层可以充当空穴注入层(HIL)。图18描绘了具有两个发射单元的堆叠式发光装置1000,其中第一电荷产生层1045与第二空穴注入层1050相邻并接触。任选地,电荷产生层940或1045可以包含空穴注入层。
任选地,电荷产生层940或1045可以包含电子注入层(EIL)。任选地,电荷产生层940或1045的n掺杂的层可以充当电子注入层(EIL)。图18描绘了具有两个发射单元的堆叠式发光装置1000,其中第一电荷产生层1045包含电子注入层。任选地,电荷产生层940或1045可以被定位成与单独的电子注入层相邻并接触。
电荷产生层940或1045可以通过溶液工艺或通过真空沉积工艺沉积。电荷产生层940或1045可以由实现电子和空穴的注入的任何适用的材料构成。电荷产生层940或1045可以是掺杂的或未掺杂的。可以使用掺杂来增强传导性。
蒸气过程电荷产生层的一个实例为由以下组成的双层结构:作为用于电子注入的n掺杂的层的锂掺杂的BPhen(Li-BPhen),与作为用于空穴注入的p掺杂的层的1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲(HATCN)的组合。溶液过程电荷产生层的一个实例为由以下组成的双层结构:作为用于电子注入的n掺杂的层的聚乙烯亚胺(PEI)表面改性的氧化锌(ZnO),与作为用于空穴注入的p掺杂的层的氧化钼(MoO3)或三氧化钨(WO3)的组合。其它材料或材料的组合可以用于电荷产生层。根据特定装置的配置,电荷产生层可以安置在与装置900和装置1000中示出的位置不同的位置处。电荷产生层材料的上述实例均特别适合应用于PeLED。但是,这些材料也可以在OLED和QLED中有效实施。钙钛矿发光材料、有机发光材料和量子点发光材料所需的电荷产生层性质之间的实质相似性促进这些发光材料在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
任选地,堆叠式发光装置内的一个或多个电荷产生层可以或可以不直接连接到一个或多个外部电源,并且因此可以是或可以不是可单独寻址的。将一个或多个电荷产生层连接到一个或多个外部来源的优点可以在于,可以单独控制来自单独发射单元的光发射,从而允许根据应用的需要调谐具有多个发射单元的堆叠式发光装置的亮度和/或颜色。
任选地,根据本发明的实施例制造的装置可以是堆式发光装置。任选地,根据本发明的实施例制造的装置可以包括由一个或多个电荷产生层分开的两个或更多个发射单元。任选地,两个或更多个发射单元以及一个或多个电荷产生层可以竖直地堆叠在装置内。
可以如何使用包括多个发射单元和多个发射层的堆叠式发光装置的一个实例在发射白色光的装置中用于在显示器或照明面板中应用。参照图18中的装置1000,在一个实施例中,第一发射单元1090可以包括第一发射层1030和第二发射层1060,其中第一发射层1030和第二发射层1060接触。第二发射单元1095可以包括第三发射层1065。第一发射层1030可以发射红色光。第二发射层1060可以发射绿色光。第三发射层1065可以发射蓝色光。来自多个发射层的光可以组合以产生来自装置的白色光发射。钙钛矿发光材料可以用于发射红色光和绿色光的发射层中。有机发光材料可以用于发射蓝色光的发射层中。本文参考图18描述的简单实例通过非限制性实例的方式提供,并且应当理解,本发明的实施例可以结合多种其它结构来使用。具体发射颜色和发射层的组合在本质上是示例性的,并且可以使用其它发射颜色和发射层组合。
除非另有说明,否则可以通过任何合适的方法来沉积各个实施例的层中的任何层。方法包含真空热蒸发、溅射、电子束物理气相沉积、有机气相沉积和有机气相喷射印刷。其它合适的方法包含旋涂和其它基于溶液的工艺。可以使用基本上类似的工艺来沉积用于PeLED、OLED和QLED装置的材料,这促进这些材料在单个装置,如具有多个发射层的发光装置中的组合。
根据本发明的实施例制造的装置可以并入到各种范围的消费者产品中。任选地,装置可以用于电视、计算机监测器、平板电脑、膝上型计算机、智能电话、手机、数码相机、视频记录器、智能手表、健身跟踪器、个人数字助理、车辆显示器和其它电子装置的显示器。任选地,装置可以用于微型显示器或抬头式显示器。任选地,装置可以在用于智能包装或广告牌中的内部或外部照明和/或信号传导的照明面板中使用。
任选地,可以使用各种控制机制来控制根据本发明制造的发光装置,所述控制机制包含无源矩阵和有源矩阵寻址方案。
本文描述的材料和结构可以应用于除了发光装置之外的装置中。例如,如太阳能电池、光电检测器、晶体管或激光器等其它光电子装置可以采用所述材料和结构。
层、材料、区域、单元和装置在本文中可以参考其发射的光的颜色来描述。如本文所用,“红色”层、材料、区域、单元或装置是指发射具有峰波长在约580-780nm的范围内的发射光谱的光的层、材料、区域、单元或装置;“绿色”层、材料、区域、单元或装置是指发射具有峰波长在约500-580nm的范围内的发射光谱的光的层、材料、区域、单元或装置;“蓝色”层、材料、区域、单元或装置是指发射具有峰波长在约380-500nm的范围内的发射光谱的光的层、材料、区域、单元或装置。优选范围包含在以下范围内的峰波长:约600-640nm(对于红色)、约510-550nm(对于绿色)以及约440-465nm(对于蓝色)。如本文所用,“黄色”发射层、材料、区域、单元或装置是指发射在发射光谱中具有相当大比例的红色光和绿色光两者的光的发射层、材料、区域、单元或装置。如本文所用,“青色”发射层、材料、区域、单元或装置是指发射在发射光谱中具有相当大比例的绿色光和蓝色光两者的光的发射层、材料、区域、单元或装置。如本文所用,“品红色”发射层、材料、区域、单元或装置是指发射在发射光谱中具有相当大比例的红色光和蓝色光两者的光的发射层、材料、区域、单元或装置。
类似地,对颜色改变层的任何引用是指将另一种颜色的光转化或修改成具有如针对所述颜色所指定的波长的光的层。例如,“红色”颜色滤波器是指产生具有峰波长在约580-780nm范围内的发射光谱的光的滤波器。通常,存在两个等级的颜色改变层:通过去除不希望的光波长来修改光谱的颜色滤波器,以及将较高能量的光子转化成较低能量的光子的颜色更改层。
显示器技术正在迅速发展,其中最近的创新技术实现了具有更高分辨率、改进的帧速率和增强的对比度的更薄且更轻的显示器。然而,仍然需要显著改进的一个领域是色域。数字显示器目前不能够产生普通人在日常生活中体验到的许多颜色。为了统一行业并引导行业朝改进色域发展,已经定义了两个行业标准:DCI-P3和Rec.2020,其中DCI-P3通常被视为迈向Rec.2020的垫脚石。
DCI-P3由数字电影倡议组织(Digital Cinema Initiatives)(DCI)定义,并且由电影电视工程师协会(Society of Motion Picture and Television Engineers)(SMPTE)发布。Rec.2020(更正式地被称为ITU-R建议书BT.2020)由国际电信联盟(InternationalTelecommunication Union)制定,旨在设定超高清电视的各个方面的目标,包含改进色域。
CIE 1931(x,y)色度图是由国际照明委员会(Commission Internationale de
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)(CIE)于1931年创建的,用于定义普通人可以体验到的所有颜色感觉。数学关系描述了每种颜色在色度图中的位置。CIE 1931(x,y)色度图可以用于量化显示器的色域。白点(D65)位于中心,而颜色朝图的极限变得越加饱和(更深)。图8示出了CIE 1931(x,y)色度图,其中向图上的不同位置添加了标签,以实现对颜色空间内的颜色分布的一般理解。图9示出了叠加在CIE 1931(x,y)色度图上的(a)DCI-P3和(b)Rec.2020颜色空间。三角形的尖端分别是DCI-P3和Rec.2020的原色,而封闭在三角形内的颜色均为可以通过组合这些原色而再现的颜色。对于满足DCI-P3色域规范的显示器,显示器的红色、绿色和蓝色子像素必须发射至少与DCI-P3原色一样深的颜色的光。对于满足Rec.2020色域规范的显示器,显示器的红色、绿色和蓝色子像素必须发射与Rec.2020原色在颜色上至少一样深的光。Rec.2020的原色显著比DCI-P3更深,并且因此实现针对色域的Rec.2020标准被视为相比于实现DCI-P3标准的技术更大的挑战性。
OLED显示器可以成功渲染DCI-P3色域。例如,带有OLED显示器的智能手机,如iPhone X(Apple)、Galaxy S9(三星)和OnePlus 5(OnePlus)都可以渲染DCI-P3色域。商用液晶显示器(LCD)也可以成功渲染DCI-P3色域。例如,Surface Studio(微软)、Mac BookPro和iMac Pro(均为Apple)中的LCD都可以渲染DCI-P3色域。另外,电致发光和光致发光量子点技术也已经用于展示具有宽色域的电致发光和光致发光QLED显示器。然而,直到现在,尚无显示器展示出可以渲染Rec.2020色域。
在此,公开了一种新颖的发光装置架构,其包含一种或多种钙钛矿发光材料以及两个或更多个发射层。在各个实施例中,当在显示器的子像素中实施时,发光装置架构可以使子像素能够渲染DCI-P3色域的原色。在各个实施例中,当在显示器的子像素中实施时,发光装置架构可以使子像素能够渲染Rec.2020色域的原色。在各个实施例中,发光装置架构可以进一步包含用于进一步增强装置的颜色饱和度的微腔结构。在各个实施例中,发光装置架构可以进一步包含用于进一步增强装置的颜色饱和度的颜色改变层。
层、材料、区域、单元和装置在本文中可以参考其发射的光的颜色来描述。如本文中所用,“白色”层、材料、区域、单元或装置是指发射色度坐标大约位于普朗克轨迹上的光的层、材料、区域、单元或装置。普朗克轨迹是白炽黑体的颜色在特定色度空间中随着黑体温度变化而采取的路径或轨迹。图11描绘了CIE 1931(x,y)颜色空间色度图的再现,其还示出了普朗克轨迹。光的色度如何紧密匹配普朗克轨迹可以依据Duv=√(Δu'2+Δv'2)来量化,所述Duv为在来自普朗克轨迹的发光装置色度的CIE 1976(u',v')颜色空间中的距离。CIE 1976(u',v')颜色空间优先于CIE 1931(x,y)颜色空间使用,因为在CIE 1976(u',v')颜色空间中,距离与感知到的颜色的差异大约成比例。转化非常简单:u'=4x/(-2x+12y+3)并且v'=9y/(-2x+12y+3)。如本文中所用,“白色”层、材料、区域、单元或装置是指发射CIE1976(u',v')色度坐标的Duv小于或等于0.010的光的层、材料、区域、单元或装置。
可以用于量化“白色”光的另外的指标包含相关颜色温度(CCT),所述相关颜色温度为辐射的颜色的光与光源的光相当的理想黑体辐射器的温度。优选地,用于照明应用的“白色”光源的CCT应在大约2700K到6500K的范围内。更优选地,“白色”光源的CCT应在大约3000K到5000K的范围内。优选地,用于显示应用的“白色”光源的CCT应为大约6504K。
可以用于量化“白色”光的另外的指标包含颜色渲染指数(CRI),所述颜色渲染指数为与理想光源或自然光源相比光源准确渲染各种对象的颜色的能力的定量度量。较高的CRI值通常对应于能够更准确地渲染颜色的光源,其中100为CRI的理论最大值。优选地,“白色”光源的CRI应大于或等于80。更优选地,“白色”光源的CRI应大于或等于90。
具有多个发射层的有机发光装置的优点在本领域中是众所周知的。具有多个发射层的有机发光装置的实例在Andrade等人的美国专利US 8564001B2中进行了描述。所有这些引文均通过引用以其整体包含在此。美国专利US 8654001B2描述了用于在照明面板中使用的有机发光装置架构,其中装置发射白色光并且包括具有两个发射层的单个发射单元。Andrade等人描述了用于在照明面板中使用的各种有机发光装置架构,所述有机发光装置架构包含发射白色光的装置并且包括具有三个发射层的单个发射单元。Adamovich等人描述了用于在显示器或照明面板中使用的堆叠式有机发光装置架构,其中所述堆叠式装置发射白色光并且包括两个发射单元,其中每个发射单元包括两个发射层。
尽管具有多个发射层的发光装置的性能优势已知与有机发光材料有关,但是直到现在,尚无具有多个发射层的发射装置展示出包括钙钛矿发光材料。展示了,通过将至少一种钙钛矿发光材料包含在具有多个发射层的发光装置的一个或多个发射层中,可以实现各种另外的性能优点。
将至少一种钙钛矿发光材料包含在具有多个发射层的发光装置的至少一个发射层中的一个或多个优点可以使用表1和图10中所示的数据来证明。表1和图10中的数据还可以用于展示在具有多个发射层的发光装置中将包含钙钛矿发光材料的一个或多个发射层与包含有机发光材料和/或量子点发光材料的一个或多个发射层组合的一个或多个优点。
表1示出了针对单个发射层红色、绿色和蓝色PeLED、OLED和QLED装置的CIE 1931(x,y)颜色坐标。表1中还包含针对DCI-P3和Rec.2020色域标准的CIE 1931(x,y)颜色坐标。通常,对于红色光,较高的CIE x值对应于较深的发射颜色,对于绿色光,较高的CIE y值对应于较深的发射颜色,并且对于蓝色光,较低的CIE y值对应于较深的发射颜色。这可以参照图10进行理解,所述图包含针对表1中的红色、绿色和蓝色R&D PeLED(圆圈)、蓝色R&DOLED(五边形)、红色R&D QLED(三角形)和商用OLED(正方形)装置数据的标记,以及针对图10a中的DCI-P3色域和针对图10b中的Rec.2020色域的原色的标记。
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表1:针对示例性单个发射层PeLED、OLED和QLED装置的CIE 1931(x,y)颜色坐标。还包含针对DCI-P3和Rec.2020色域标准的颜色坐标。
图12描绘了单个发射层红色、绿色和蓝色PeLED、OLED和QLED的示例性电致发光发射光谱。使用虚线描绘的红色、绿色和蓝色光谱对应于商用OLED装置(如Apple iPhone X中的装置)的光谱,所述光谱可以用于渲染DCI-P3色域。使用实线描绘的红色光谱对应于具有单个发射层的红色发光R&D PeLED装置的光谱。使用实线描绘的绿色光谱对应于具有单个发射层的绿色发光R&D PeLED装置的光谱。使用实线描绘的蓝色光谱对应于具有单个发射层的蓝色发光R&D OLED装置的光谱。从图12可以看出,随着发射光谱变窄,发射颜色变得更加饱和。图12中使用实线描绘的电致发光光谱对应于可以用于渲染Rec.2020色域的发光装置。
表1中所报告的针对单个发射层红色、绿色和蓝色PeLED、OLED和QLED装置的CIE1931(x,y)颜色坐标数据是示例性的。商用OLED数据是从完全支持DCI-P3色域的AppleiPhone X提取的。此数据集可从DisplayMate技术公司(DisplayMate TechnologiesCorporation)(Soneira等人)的Raymond Soneira获得。针对R&D PeLED、R&D OLED和R&DQLED装置的数据是从同行评审的科学期刊提取的:红色R&D PeLED数据是从Wang等人提取的。红色R&D QLED数据是从Kathirgamanathan等人提取的(2)。绿色R&D PeLED数据是从Hirose等人提取的。蓝色R&D PeLED数据是从Kumar等人提取的。蓝色R&D OLED数据是从Takita等人提取的。来自这些来源的数据仅通过举例的方式使用,并且应被视为非限制性的。来自其它同行评审的科学期刊的数据、从实验室装置收集的模拟数据和/或实验数据也可以用于展示所要求保护的具有多个发射层的发光装置的上述优点。
如从表1和图10a可以看到的,现有有机发光材料和装置已经可以用于展示如Apple iPhone X所例示的可以渲染DCI-P3色域的商用显示器。然而,如从图10b可以看到的,现有有机发光材料和装置单独不能用于展示可以渲染Rec.2020色域的显示器。表1和图10b示出了展示可以渲染Rec.2020色域的显示器的一个途径是在一个或多个装置中,将一种或多种钙钛矿发射层包含在显示器的一个或多个子像素中。
任选地,通过将一种或多种钙钛矿发光材料包含在具有多个发射层的发光装置中,装置的一个或多个发射层可以发射CIE 1931(x,y)=(0.720,0.280)的红色光,所述红色光如从图10b中可以看到的,比Rec.2020标准的CIE 1931(x,y)=(0.708,0.292)的红色原色更加饱和。
任选地,通过将一种或多种钙钛矿发光材料包含在具有多个发射层的发光装置中,一个或多个发射层可以发射CIE 1931(x,y)=(0.100,0.810)的绿色光,所述绿色光如从图10b中可以看到的,比Rec.2020标准的CIE 1931(x,y)=(0.170,0.797)的绿色原色更加饱和。
此外,在本发明中,提出了在某些情况下可能有利的是,将包括钙钛矿发光材料的一个或多个发射层与包括量子点发光材料的一个或多个发射层组合。任选地,通过将一种或多种量子点发光材料包含在发光装置中,装置的一个或多个发射层可以发射CIE 1931(x,y)=(0.712,0.288)的红色光,所述红色光如从图10b中可以看到的,比Rec.2020标准的CIE 1931(x,y)=(0.708,0.292)的红色原色更加饱和。
此外,在本发明中,提出了在某些情况下可能有利的是,将包括钙钛矿发光材料的一个或多个发射层与包括有机发光材料的一个或多个发射层组合。任选地,通过将一种或多种有机发光材料包含在发光装置中,装置的一个或多个发射层可以发射CIE 1931(x,y)=(0.146,0.045)的蓝色光,所述蓝色光如从图10b中可以看到的,比Rec.2020标准的CIE1931(x,y)=(0.131,0.046)的蓝色原色更加饱和。
如本文所述,来自包括钙钛矿蓝色发光材料的示例性发射层的蓝色光发射的颜色饱和度可以稍小于来自包括有机蓝色发光材料的示例性发射层的蓝色光发射的颜色饱和度。例如,如表1中示出的,钙钛矿蓝色发光材料可以发射CIE 1931(x,y)=(0.166,0.079)的光,所述光如从图10b中可以看到的,比Rec.2020标准的CIE 1931(x,y)=(0.131,0.046)的蓝色原色更加饱和。然而,在某些情况下,包含钙钛矿蓝色发光材料可以为装置提供一个或多个优点,如效率提高、亮度更高、操作寿命提高、电压更低和/或成本降低,并且因此以是优选的。
任选地,通过将一种或多种钙钛矿发光材料包含在具有多个发射层的发光装置中,装置可以发射白色光。任选地,白色光发射可以使用包括第一发射层和第二发射层的发光装置展示,其中至少一个发射层包括黄色发光材料,并且至少一个发射层包括蓝色发光材料。白色光发射可以通过组合来自相应发射层的黄色和蓝色光发射展示。
任选地,黄色发光材料可以是钙钛矿发光材料,并且蓝色发光材料可以是钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。任选地,黄色发光材料可以是钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,并且蓝色发光材料可以是钙钛矿发光材料。任选地,黄色发光材料可以是钙钛矿发光材料,并且蓝色发光材料可以是钙钛矿发光材料。任选地,黄色发光材料可以是钙钛矿发光材料,并且蓝色发光材料可以是有机发光材料。包含有机蓝色发光材料可以是优选的,因为此材料可以使装置能够展示更长的操作寿命和更深的颜色饱和度。
任选地,白色光发射可以使用包括第一发射层、第二发射层和第三发射层的发光装置展示,其中至少一个发射层包括红色发光材料,至少一个发射层包括绿色发光材料,并且至少一个发射层包括蓝色发光材料。白色光发射可以通过组合来自相应发射层的红色、绿色和蓝色光发射展示。
任选地,红色发光材料可以是钙钛矿发光材料,绿色发光材料可以是钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,并且蓝色发光材料可以是钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。任选地,红色发光材料可以是钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,绿色发光材料可以是钙钛矿发光材料,并且蓝色发光材料可以是钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。任选地,红色发光材料可以是钙钛矿发光材料,有机发光材料或量子点发光材料,绿色发光材料可以是钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,并且蓝色发光材料可以是钙钛矿发光材料。任选地,红色发光材料可以是钙钛矿发光材料,绿色发光材料可以是钙钛矿发光材料,并且蓝色发光材料可以是钙钛矿发光材料。任选地,红色发光材料可以是钙钛矿发光材料,绿色发光材料可以是钙钛矿发光材料,并且蓝色发光材料可以是有机发光材料。包含有机蓝色发光材料可以是优选的,因为此材料可以使装置能够展示更长的操作寿命和更深的颜色饱和度。
包括一种或多种钙钛矿发光材料的此类白色发光装置可以是有利的,因为更高颜色饱和度可以实现与包括仅有机发光材料或量子点发光材料的等效装置相比,具有更高颜色渲染指数(CRI)的白色光发射。例如,装置可能能够以改进的保真度渲染饱和的颜色。这对于在照明面板中的应用可能是有利的。例如,此发光装置可以实现CRI大于或等于80并且任选地大于或等于90的白色光发射。
包括一种或多种钙钛矿发光材料的此类白色发光装置可以是有利的,因为钙钛矿发光材料的,如图12所示的钙钛矿发光材料的更高颜色饱和度和更窄发射光谱可以使装置能够相比于包括仅有机发光材料和或量子点发光材料的等效装置,更有效地任选地耦接到一个或多个颜色改变层。这对于在显示器中的应用可能是有利的。在图21中描绘了针对以下的示例实施例:包括衬底1010的底部发射堆叠式发光装置1300、包括红色钙钛矿发光材料的第一发射层1030、包括绿色钙钛矿发光材料的第二发射层1060和包括蓝色有机发光材料的第三发射层1065。第一发射层1030与第二发射层1060接触。第一电荷产生层1045安置在第二发射层1060与第三发射层1065之间。在不应用任何任选颜色改变层的情况下,堆叠式发光装置1300将发射白色光。
任选地,通过将红色颜色改变层1305光学地耦合到白色发光装置1300,发光装置1300可以发射可以渲染DCI-P3色域的红色原色的红色光。在一个实施例中,发光装置1300可以发射CIE 1931x坐标大于或等于0.680的红色光。任选地,发光装置1300可以发射可以渲染Rec.2020色域的红色原色的红色光。在一个实施例中,发光装置1300可以发射CIE1931x坐标大于或等于0.708的红色光。任选地,红色颜色改变层可以是红色颜色滤波器。
任选地,通过将绿色颜色改变层1310光学地耦合到白色发光装置1300,发光装置1300可以发射可以渲染DCI-P3色域的绿色原色的绿色光。在一个实施例中,发光装置1300可以发射CIE 1931y坐标大于或等于0.690的绿色光。任选地,发光装置1300可以发射可以渲染Rec.2020色域的绿色原色的绿色光。在一个实施例中,发光装置1300可以发射CIE1931y坐标大于或等于0.797的绿色光。任选地,绿色颜色改变层可以是绿色颜色滤波器。
任选地,通过将蓝色颜色改变层1315光学地耦合到白色发光装置1300,发光装置1300可以发射可以渲染DCI-P3色域的蓝色原色的蓝色光。在一个实施例中,发光装置1300可以发射CIE 1931y坐标小于或等于0.060的蓝色光。任选地,发光装置1300可以发射可以渲染Rec.2020色域的蓝色原色的蓝色光。在一个实施例中,发光装置1300可以发射CIE1931y坐标小于或等于0.046的蓝色光。任选地,蓝色颜色改变层可以是蓝色颜色滤波器。
通过将此类红色、绿色和蓝色颜色改变层1305、1310和1315光学地耦合到此类白色发光装置1300,可以展示可以实现DCI-P3显示标准以及任选地Rec.2020色域的色域要求的显示器。这可以使显示器能够渲染日常生活中体验到的更宽范围的颜色,从而提高功能性和用户体验。
图13和14描绘了具有两个发射层的发光装置的发射层的各种配置。在每种配置中,发光装置包括衬底110、第一发射层135和第二发射层170。第一发射层135安置在第一电极(未示出)上方。第二发射层170安置在第一发射层135上方。第二电极(未示出)安置在第二发射层170上方。第一发射层135与第二发射层170接触。可以在第一电极与第一发射层135之间安置各种另外的层。可以在第二发射层170与第二电极之间安置各种另外的层。在每种配置中,发光装置包括包含钙钛矿发光材料的至少一个发射层。在每种配置中,发光装置进一步包括包含钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料的至少一个另外的发射层。此类发光装置架构可以是有利的,因为不同发光材料的组合可以使得能够为每个发射层选择最佳类型的发光材料,从而将性能增强到超出包括仅单一类型的发光材料,如仅钙钛矿发光材料、仅有机发光材料或仅量子点发光材料的发光装置可以实现的性能。例如,可以实现更宽范围的发射颜色,并且可以增强装置的色域、电致发光效率和/或电致发光稳定性。
图13描绘了具有两个发射层的发光装置的发射不同颜色的光的发射层的各种配置。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括红色发光材料,并且第二发射层170可以包括绿色发光材料。此实施例由图13a中的发光装置500描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括绿色发光材料,并且第二发射层170可以包括红色发光材料。此实施例由图13b中的发光装置505描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括红色发光材料,并且第二发射层170可以包括蓝色发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括蓝色发光材料,并且第二发射层170可以包括红色发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括绿色发光材料,并且第二发射层170可以包括蓝色发光材料。此实施例由图13c中的发光装置510描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括蓝色发光材料,并且第二发射层170可以包括绿色发光材料。此实施例由图13d中的发光装置515描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括黄色发光材料,并且第二发射层170可以包括蓝色发光材料。此实施例由图13e中的发光装置520描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括蓝色发光材料,并且第二发射层170可以包括黄色发光材料。此实施例由图13f中的发光装置525描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括绿色发光材料,并且第二发射层170可以包括黄色发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括黄色发光材料,并且第二发射层170可以包括绿色发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括红色发光材料,并且第二发射层170可以包括黄色发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括黄色发光材料,并且第二发射层170可以包括红色发光材料。
图14描绘了具有两个发射层的发光装置的包括各种不同类型的发光材料的发射层的各种配置。为了简单起见,在图14中,包括钙钛矿发光材料的发射层被标记为“PELED”,包括有机发光材料的发射层被标记为“OLED”,并且包括量子点发光材料的发射层被标记为“QLED”。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,并且第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,并且第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料。
在一个实施例中,至少一个另外的发射层可以包括钙钛矿发光材料或有机发光材料。此实施例由图14a中的发光装置600、图14b中的605和图14d中的615描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,并且第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料。此实施例由图14a中的发光装置600描绘。此装置架构可以是有利的,因为可以针对包括仅PeLED发射层的发光装置简化制造过程。
在一个实施例中,至少一个另外的发射层可以包括有机发光材料。此实施例由图14b中的发光装置605和图14d中的615描绘。此装置架构可以是有利的,因为钙钛矿发光材料对于发光装置的至少一个发射层可以是优选的,但是如果对装置的另外的发射层使用了有机发光材料,则可以增强装置的性能。例如,可以实现更宽范围的发射颜色,并且可以增强装置的色域、电致发光效率和/或电致发光稳定性。PeLED发射层与OLED发射层在发光装置内的组合可以是特别有利的,因为具有商业性能的有机发光材料可以由钙钛矿发光材料的性能补充和增强。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层170可以包括有机发光材料。此实施例由图14b中的发光装置605描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括有机发光材料,并且第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料。此实施例由图14d中的发光装置615描绘。
在一个实施例中,至少一个另外的发射层可以包括钙钛矿发光材料或量子点发光材料。此实施例由图14a中的发光装置600、图14c中的610和图14e中的620描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,并且第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料。此实施例由图14a中的发光装置600描绘。此装置架构可以是有利的,因为可以针对包括仅PeLED发射层的发光装置简化制造过程。
在一个实施例中,至少一个另外的发射层可以包括量子点发光材料。此实施例由图14c中的示例性发光装置610和图14e中的620描绘。此装置架构可以是有利的,因为钙钛矿发光材料对于发光装置的至少一个发射层可以是优选的,但是如果对装置的另外的发射层使用了量子点发光材料,则可以增强装置的性能。例如,可以实现更宽范围的发射颜色,并且可以增强装置的色域、电致发光效率和/或电致发光稳定性。PeLED发射层与QLED发射层在发光装置内的组合可以是特别有利的,因为钙钛矿发光材料和量子点发光材料的结构相似性可以允许这些发射层在很小复杂度或无增加的复杂度的情况下一起制造。例如,在溶液处理制造的情况下,可以使用普通溶剂来处理钙钛矿发光材料和量子点发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,并且第二发射层170可以包括量子点发光材料。此实施例由图14c中的发光装置610描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括量子点发光材料,并且第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料。此实施例由图14e中的发光装置620描绘。
在一个实施例中,参照图13和14描述的发光装置可以发射白色光。在一个实施例中,发光装置可以发射Duv小于或等于0.010的白色光。在一个实施例中,发光装置可以发射Duv小于或等于0.005的白色光。具有较小Duv值可以是有利的,因为发光装置可以非常类似于黑体辐射器。
在一个实施例中,发光装置可以并入到显示器中。在一个实施例中,发光装置可以发射CCT为大约6504K的白色光。CCT为大约6504K可以是有利的,因为可以将显示器容易地校准到光源D65白点,所述光源D65白点为用于DCI-P3和Rec.2020标准两者的白点。
在一个实施例中,发光装置可以并入到照明面板中。在一个实施例中,发光装置可以发射CCT在大约2700K到6500K的范围内的白色光。在一个实施例中,发光装置可以发射CCT在大约3000K到5000K的范围内的光。CCT处于此范围内可以是有利的,因为发光装置可以显现更自然的颜色,并且可以满足针对固态照明的能源之星认证的美国能源部(UnitedStates Department of Energy)标准。在一个实施例中,发光装置可以发射使得发光装置的CRI大于或等于80的白色光。在一个实施例中,发光装置可以发射使得发光装置的CRI大于或等于90的白色光。具有高CRI可以是有利的,因为发光装置可以能够更准确地渲染颜色。
在一个优选实施例中,发光装置可以发射白色光并且可以包括包含钙钛矿发光材料的黄色钙钛矿发射层和包含有机发光材料的蓝色有机发射层。在此实施例中,装置可以受益于黄色钙钛矿发光材料和蓝色有机发光材料的深颜色饱和度,从而使得显示器能够具有增强的颜色饱和度和/或照明面板具有增强的颜色渲染性能。
在一个实施例中,发光装置可以发射黄色光。在一个实施例中,发光装置可以发射黄色光,并且可以包括至少一个红色发射层和至少一个绿色发射层。在一个实施例中,发光装置可以发射品红色光。在一个实施例中,发光装置可以发射品红色光,并且可以包括至少一个红色发射层和至少一个蓝色发射层。在一个实施例中,发光装置可以发射青色光,并且可以包括至少一个绿色发射层和至少一个蓝色发射层。
图15和16描绘了具有三个发射层的发光装置的发射层的各种配置。在每种配置中,发光装置包括衬底110、第一发射层135、第二发射层170和第三发射层175。第一发射层135安置在第一电极(未示出)上方。第二发射层170安置在第一发射层135上方。第三发射层175安置在第二发射层170上方。第二电极(未示出)安置在第三发射层175上方。第一发射层135与第二发射层170接触。第二发射层170与第三发射层175接触。可以在第一电极与第一发射层135之间安置各种另外的层。可以在第三发射层175与第二电极之间安置各种另外的层。在每种配置中,发光装置包括包含钙钛矿发光材料的至少一个发射层。在每种配置中,发光装置进一步包括各自包含钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料的至少两个另外的发射层。此类发光装置架构可以是有利的,因为不同发光材料的组合可以使得能够为每个发射层选择最佳类型的发光材料,从而将性能增强到超出包括仅单一类型的发光材料,如仅钙钛矿发光材料、仅有机发光材料或仅量子点发光材料的发光装置可以实现的性能。例如,可以实现更宽范围的发射颜色,并且可以增强装置的色域、电致发光效率和/或电致发光稳定性。
图15描绘了具有三个发射层的发光装置的发射不同颜色的光的发射层的各种配置。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括红色发光材料,第二发射层170可以包括绿色发光材料,并且第三发射层175可以包括蓝色发光材料。此实施例由图15a中的发光装置700描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括红色发光材料,第二发射层170可以包括蓝色发光材料,并且第三发射层175可以包括绿色发光材料。此实施例由图15b中的发光装置705描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括绿色发光材料,第二发射层170可以包括红色发光材料,并且第三发射层175可以包括蓝色发光材料。此实施例由图15c中的发光装置710描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括绿色发光材料,第二发射层170可以包括蓝色发光材料,并且第三发射层175可以包括红色发光材料。此实施例由图15d中的发光装置715描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括蓝色发光材料,第二发射层170可以包括红色发光材料,并且第三发射层175可以包括绿色发光材料。此实施例由图15e中的发光装置720描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括蓝色发光材料,第二发射层170可以包括绿色发光材料,并且第三发射层175可以包括红色发光材料。此实施例由图15f中的发光装置725描绘。
图16描绘了具有三个发射层的发光装置的包括各种不同类型的发光材料的发射层的各种配置。为了简单起见,在图16中,包括钙钛矿发光材料的发射层被标记为“PELED”,包括有机发光材料的发射层被标记为“OLED”,并且包括量子点发光材料的发射层被标记为“QLED”。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,并且第三发射层175可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层175可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,并且第三发射层175可以包括钙钛矿发光材料。
在一个实施例中,所述至少三个发射层中的所述至少两个另外的发射层可以各自包括钙钛矿发光材料或有机发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层175可以包括钙钛矿发光材料。此实施例由图16a中的发光装置800描绘。此装置架构可以是有利的,因为可以针对包括仅PeLED发射层的发光装置简化制造过程。
在一个实施例中,至少三个发射层中的至少两个另外的发射层各自包括钙钛矿发光材料或有机发光材料,其中至少两个另外的发射层中的至少一个另外的发射层包括有机发光材料。此装置架构可以是有利的,因为钙钛矿发光材料对于发光装置的至少一个发射层可以是优选的,但是如果对装置的至少一个另外的发射层使用了有机发光材料,则可以增强装置的性能。例如,可以实现更宽范围的发射颜色,并且可以增强装置的色域、电致发光效率和/或电致发光稳定性。PeLED发射层与OLED发射层在发光装置内的组合可以是特别有利的,因为具有商业性能的有机发光材料可以由钙钛矿发光材料的性能补充和增强。
在一个实施例中,所述至少三个发射层中的所述至少两个另外的发射层各自包括钙钛矿发光材料或量子点发光材料。
在一个实施例中,至少三个发射层中的至少两个另外的发射层各自包括钙钛矿发光材料或量子点发光材料,其中至少两个另外的发射层中的至少一个另外的发射层包括量子点发光材料。此装置架构可以是有利的,因为钙钛矿发光材料对于发光装置的至少一个发射层可以是优选的,但是如果对装置的至少一个另外的发射层使用了量子点发光材料,则可以增强装置的性能。例如,可以实现更宽范围的发射颜色,并且可以增强装置的色域、电致发光效率和/或电致发光稳定性。PeLED发射层与QLED发射层在发光装置内的组合可以是特别有利的,因为钙钛矿发光材料和量子点发光材料的结构相似性可以允许这些发射层在很小复杂度或无增加的复杂度的情况下一起制造。例如,在溶液处理制造的情况下,可以使用普通溶剂来处理钙钛矿发光材料和量子点发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层175可以包括有机发光材料。此实施例由图16b中的发光装置805描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层175可以包括量子点发光材料。此实施例由图16c中的发光装置810描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层170可以包括有机发光材料,并且第三发射层175可以包括钙钛矿发光材料。此实施例由图16d中的发光装置815描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层170可以包括量子点发光材料,并且第三发射层175可以包括钙钛矿发光材料。此实施例由图16e中的发光装置820描绘。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括有机发光材料,第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层175可以包括钙钛矿发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括量子点发光材料,第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层175可以包括钙钛矿发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层170可以包括有机发光材料,并且第三发射层175可以包括有机发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层170可以包括有机发光材料,并且第三发射层175可以包括量子点发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层170可以包括量子点发光材料,并且第三发射层175可以包括有机发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层170可以包括量子点发光材料,并且第三发射层175可以包括量子点发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括有机发光材料,第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层175可以包括有机发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括有机发光材料,第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层175可以包括量子点发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括量子点发光材料,第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层175可以包括有机发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括量子点发光材料,第二发射层170可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层175可以包括量子点发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括有机发光材料,第二发射层170可以包括有机发光材料,并且第三发射层175可以包括钙钛矿发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括有机发光材料,第二发射层170可以包括量子点发光材料,并且第三发射层175可以包括钙钛矿发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括量子点发光材料,第二发射层170可以包括有机发光材料,并且第三发射层175可以包括钙钛矿发光材料。
在一个实施例中,第一发射层135可以包括量子点发光材料,第二发射层170可以包括量子点发光材料,并且第三发射层175可以包括钙钛矿发光材料。
在一个实施例中,所述至少两个另外的发射层中的至少一个发射层包括有机发光材料,并且所述至少两个另外的发射层中的至少一个发射层包括量子点发光材料。此类发光装置架构可以是有利的,因为不同发光材料的组合可以使得能够为每个发射层选择最佳类型的发光材料,从而将性能增强到超出包括仅单一类型的发光材料或仅两种类型的发光材料的发光装置可以实现的性能。例如,可以实现更宽范围的发射颜色,并且可以增强装置的色域、电致发光效率和/或电致发光稳定性。
在一个实施例中,参照图15和16描述的发光装置可以发射白色光。在一个实施例中,发光装置可以发射Duv小于或等于0.010的白色光。在一个实施例中,发光装置可以发射Duv小于或等于0.005的白色光。具有较小Duv值可以是有利的,因为发光装置可以非常类似于黑体辐射器。
在一个实施例中,发光装置可以并入到显示器中。在一个实施例中,发光装置可以发射CCT为大约6504K的白色光。CCT为大约6504K可以是有利的,因为可以将显示器容易地校准到光源D65白点,所述光源D65白点为用于DCI-P3和Rec.2020标准两者的白点。
在一个实施例中,发光装置可以并入到照明面板中。在一个实施例中,发光装置可以发射CCT在大约2700K到6500K的范围内的白色光。在一个实施例中,发光装置可以发射CCT在大约3000K到5000K的范围内的光。CCT处于此范围内可以是有利的,因为发光装置可以显现更自然的颜色,并且可以满足针对固态照明的能源之星认证的美国能源部(UnitedStates Department of Energy)标准。在一个实施例中,发光装置可以发射使得发光装置的CRI大于或等于80的白色光。在一个实施例中,发光装置可以发射使得发光装置的CRI大于或等于90的白色光。具有高CRI可以是有利的,因为发光装置可以能够更准确地渲染颜色。
在一个优选实施例中,发光装置可以发射白色光并且可以包括包含钙钛矿发光材料的红色钙钛矿发射层、包含钙钛矿发光材料的绿色钙钛矿发射层和包含有机发光材料的蓝色有机发射层。在此实施例中,装置可以受益于红色和绿色钙钛矿发光材料的深颜色饱和度与蓝色有机发光材料的深颜色饱和度的组合,从而使得显示器能够具有增强的颜色饱和度和/或照明面板具有增强的颜色渲染性能。
在一个实施例中,发光装置可以为堆叠式发光装置。在一个实施例中,发光装置可以为具有被一个或多个电荷产生层分开的两个或更多个发射单元的堆叠式发光装置。在一个实施例中,发光装置可以为具有被两个或更多个电荷产生层分开的三个或更多个发射单元的堆叠式发光装置。在一个实施例中,堆叠式发光装置的至少一个发射单元可以包含多个发射层。
堆叠式发光装置架构可提供以下优点中的一个或多个优点:来自多个发射单元的光可在装置的相同表区域内组合,从而增加装置的亮度;多个发射单元可以串联电连接,其中基本上相同的电流传递通过每个发射单元,从而允许装置在亮度增加而电流密度不会显著增加的情况下操作,由此延长装置的操作寿命;从单独发射单元发射的光的量可以单独控制,从而允许根据应用的需要调谐装置的亮度和/或颜色。发射单元串联的连接进一步允许直流电(DC)流动通过堆叠式发光装置内的每个发射单元。这使得堆叠式发光装置能够具有可与标准薄膜晶体管(TFT)背板设计,如用于驱动电子显示器的无源矩阵背板和有源矩阵背板兼容的简单两电子端子设计。
任选地,堆叠式发光装置内的一个或多个电荷产生层可以或可以不直接连接到一个或多个外部电源,并且因此可以是或可以不是可单独寻址的。将一个或多个电荷产生层连接到一个或多个外部来源的优点可以在于,可以单独控制来自单独发射单元的光发射,从而允许根据应用的需要调谐具有多个发射单元的堆叠式发光装置的亮度和/或颜色。不将电荷产生层中的一个或多个电荷产生层连接到一个或多个外部来源的优点可以在于,堆叠式发光装置然后可以是可与标准薄膜晶体管(TFT)背板设计,如用于驱动电子显示器的无源矩阵背板和有源矩阵背板兼容的两端子电子装置。
图19和20描绘了具有三个发射层的堆叠式发光装置的发射层的各种配置。在每种配置中,堆叠式发光装置包括衬底1010、第一发射层1030、第二发射层1060、第三发射层1065和第一电荷产生层1045。第一发射层1030安置在第一电极(未示出)上方。第二发射层1060安置在第一发射层1030上方。第三发射层1065安置在第二发射层1060上方。第二电极(未示出)安置在第三发射层1065上方。至少三个发射层中的至少两个发射层彼此接触。第一电荷产生层1045安置在第一发射层1030与第三发射层1066之间。可以在第一电极与第一发射层1030之间安置各种另外的层。可以在第三发射层1065与第二电极之间安置各种另外的层。可以在装置中包含各种另外的层。在每种配置中,发光装置包括包含钙钛矿发光材料的至少一个发射层。在每种配置中,发光装置进一步包括各自包含钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料的至少两个另外的发射层。
图19描绘了具有三个发射层的堆叠式发光装置的发射不同颜色的光的发射层的各种配置。
在一个实施例中,第一发射层1030可以包括红色发光材料,第二发射层1060可以包括绿色发光材料,并且第三发射层1065可以包括蓝色发光材料。第一发射层1030可以与第二发射层1060接触。第一电荷产生层1045可以安置在第二发射层1060与第三发射层1065之间。此实施例由图19a中的发光装置1100描绘。
在一个实施例中,第一发射层1030可以包括绿色发光材料,第二发射层1060可以包括红色发光材料,并且第三发射层1065可以包括蓝色发光材料。第一发射层1030可以与第二发射层1060接触。第一电荷产生层1045可以安置在第二发射层1060与第三发射层1065之间。此实施例由图19b中的发光装置1105描绘。
在一个实施例中,第一发射层1030可以包括蓝色发光材料,第二发射层1060可以包括红色发光材料,并且第三发射层1065可以包括绿色发光材料。第一电荷产生层1045可以安置在第一发射层1030与第二发射层1060之间。第二发射层1060可以与第三发射层1065接触。此实施例由图19c中的发光装置1110描绘。
在一个实施例中,第一发射层1030可以包括蓝色发光材料,第二发射层1060可以包括绿色发光材料,并且第三发射层1065可以包括红色发光材料。第一电荷产生层1045可以安置在第一发射层1030与第二发射层1060之间。第二发射层1060可以与第三发射层1065接触。此实施例由图19d中的发光装置1115描绘。
图19中示出的并且本文中详细描述的实例是通过举例的方式示出的并且是非限制性的。设想了颜色和发射层的其它组合,并且其它组合包含在本专利申请中。
图20描绘了具有三个发射层的堆叠式发光装置的包括各种不同类型的发光材料的发射层的各种配置。为了简单起见,在图20中,包括钙钛矿发光材料的发射层被标记为“PELED”,包括有机发光材料的发射层被标记为“OLED”,并且包括量子点发光材料的发射层被标记为“QLED”。
在一个实施例中,第一发射层1030可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层1060可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,并且第三发射层1065可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。任选地,第一发射层1030可以与第二发射层1060接触。任选地,第一电荷产生层1045可以安置在第二发射层1060与第三发射层1065之间。任选地,第二发射层1060可以与第三发射层1065接触。任选地,第一电荷产生层1045可以安置在第一发射层1030与第二发射层1060之间。
在一个实施例中,第一发射层1030可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,第二发射层1060可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层1065可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。任选地,第一发射层1030可以与第二发射层1060接触。任选地,第一电荷产生层1045可以安置在第二发射层1060与第三发射层1065之间。任选地,第二发射层1060可以与第三发射层1065接触。任选地,第一电荷产生层1045可以安置在第一发射层1030与第二发射层1060之间。
在一个实施例中,第一发射层1030可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,第二发射层1060可以包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,并且第三发射层1065可以包括钙钛矿发光材料。任选地,第一发射层1030可以与第二发射层1060接触。任选地,第一电荷产生层1045可以安置在第二发射层1060与第三发射层1065之间。任选地,第二发射层1060可以与第三发射层1065接触。任选地,第一电荷产生层1045可以安置在第一发射层1030与第二发射层1060之间。
在一个实施例中,第一发射层1030可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层1060可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层1065可以包括钙钛矿发光材料。第一发射层1030可以与第二发射层1060接触。第一电荷产生层1045可以安置在第二发射层1060与第三发射层1065之间。此实施例由图20a中的发光装置1200描绘。
在一个实施例中,第一发射层1030可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层1060可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层1065可以包括有机发光材料。第一发射层1030可以与第二发射层1060接触。第一电荷产生层1045可以安置在第二发射层1060与第三发射层1065之间。此实施例由图20b中的发光装置1205描绘。
在一个实施例中,第一发射层1030可以包括有机发光材料,第二发射层1060可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层1065可以包括钙钛矿发光材料。第一电荷产生层1045可以安置在第一发射层1030与第二发射层1060之间。第二发射层1060可以与第三发射层1065接触。此实施例由图20c中的发光装置1210描绘。
在一个实施例中,第一发射层1030可以包括钙钛矿发光材料,第二发射层1060可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层1065可以包括量子点发光材料。第一发射层1030可以与第二发射层1060接触。第一电荷产生层1045可以安置在第二发射层1060与第三发射层1065之间。此实施例由图20d中的发光装置1215描绘。
在一个实施例中,第一发射层1030可以包括量子点发光材料,第二发射层1060可以包括钙钛矿发光材料,并且第三发射层1065可以包括钙钛矿发光材料。第一电荷产生层1045可以安置在第一发射层1030与第二发射层1060之间。第二发射层1060可以与第三发射层1065接触。此实施例由图20e中的发光装置1220描绘。
图20中示出的并且本文中详细描述的实例是通过举例的方式示出的并且是非限制性的。设想了发光材料配型和发射层的其它组合,并且所述其它组合包含在本专利申请中。
在一个实施例中,参照图19和20描述的堆叠式发光装置可以发射白色光。在一个实施例中,堆叠式发光装置可以发射Duv小于或等于0.010的白色光。在一个实施例中,堆叠式发光装置可以发射Duv小于或等于0.005的白色光。具有较小Duv值可以是有利的,因为发光装置可以非常类似于黑体辐射器。
在一个实施例中,堆叠式发光装置可以并入到显示器中。在一个实施例中,发光装置可以发射CCT为大约6504K的白色光。CCT为大约6504K可以是有利的,因为可以将显示器容易地校准到光源D65白点,所述光源D65白点为用于DCI-P3和Rec.2020标准两者的白点。
在一个实施例中,堆叠式发光装置可以并入到照明面板中。在一个实施例中,堆叠式发光装置可以发射CCT在大约2700K到6500K的范围内的白色光。在一个实施例中,堆叠式发光装置可以发射CCT在大约3000K到5000K的范围内的光。CCT处于此范围内可以是有利的,因为发光装置可以显现更自然的颜色,并且可以满足针对固态照明的能源之星认证的美国能源部(United States Department of Energy)标准。在一个实施例中,堆叠式发光装置可以发射使得发光装置的CRI大于或等于80的白色光。在一个实施例中,堆叠式发光装置可以发射使得发光装置的CRI大于或等于90的白色光。具有高CRI可以是有利的,因为发光装置可以能够更准确地渲染颜色。
在一个优选实施例中,堆叠式发光装置可以发射白色光并且可以包括:包含红色钙钛矿发射层的至少一个发射单元,所述红色钙钛矿发射层包括钙钛矿发光材料,与包括钙钛矿发光材料的绿色钙钛矿发射层接触;以及包含蓝色有机发射层的至少一个另外的发射单元,所述蓝色有机发射层包括有机发光材料。在此实施例中,装置可以受益于红色和绿色钙钛矿发光材料的深颜色饱和度与蓝色有机发光材料的深颜色饱和度的组合,从而使得显示器能够具有增强的颜色饱和度和/或照明面板具有增强的颜色渲染性能。
在一个实施例中,参照图13、14、15、16、19和20描述的发光装置可以并入到显示器的子像素中。在一个实施例中,显示器的子像素可以发射CCT为大约6504K的白色光。CCT为大约6504K可以是有利的,因为可以将显示器容易地校准到光源D65白点,所述光源D65白点为用于DCI-P3和Rec.2020标准两者的白点。任选地,显示器可以并入到宽范围的消费者产品中。任选地,显示器可以用于电视、计算机监测器、平板电脑、膝上型计算机、智能电话、手机、数码相机、视频记录器、智能手表、健身跟踪器、个人数字助理、车辆显示器和其它电子装置。任选地,显示器可以用于微型显示器或抬头式显示器。任选地,显示器可以用于内部或外部照明和/或信号传导的光源,用于智能包装或广告牌。
在一个实施例中,参照图13、14、15、16、19和20描述的发光装置可以包含在照明面板中。任选地,照明面板可以包含在宽范围的消费者产品中。任选地,照明面板可以在智能包装或广告牌中用于外部照明和/或信号传导。
在一个实施例中,参照图13、14、15、16、19和20描述的发光装置可以包含微腔结构。任选地,如本文所述,微腔结构可以在使用透明且部分反射的电极与相反的反射电极的组合时创建。任选地,在标准装置架构中,底部发射微腔结构可以使用如其中Ag厚度小于大约25nm的ITO/Ag/ITO等透明且部分反射的多层阳极与如LiF/Al等反射多层阴极的组合来创建。在此架构中,光发射是通过阳极。任选地,在标准装置架构中,顶部发射微腔结构可以使用如Mg:Ag等透明且部分反射的复合阴极与如其中Ag厚度大于大约80nm的ITO/Ag/ITO等反射多层阳极的组合来创建。在此架构中,光发射是通过阴极。
此装置的优点可以在于,此微腔结构可以增加从装置发射的光的总量,从而增加装置的效率和亮度。此装置的另外的优点可以在于,此微腔结构可以增加沿正向方向从装置发射的光的比例,从而增加用户的以法向入射定位的装置的表观亮度。此装置的另外的优点可以在于,此微腔结构可以缩窄来自装置的所发射的光的光谱,从而增加所发射的光的颜色饱和度。此微腔结构对装置的应用由此可以使装置能够渲染DCI-P3色域的原色。此微腔结构对装置的应用由此可以使装置能够渲染Rec.2020色域的原色。例如,这可以通过将此微腔结构应用于如本文所公开的分别包括黄色和蓝色或红色、绿色和蓝色发射层的发光装置来实现。
在一个实施例中,参照图13、14、15、16、19和20描述的发光装置可以包含一个或多个颜色改变层。如本文所述,通常,存在两个等级的颜色改变层:通过去除不希望的光波长来修改光谱的颜色滤波器;以及将较高能量的光子转化成较低能量的光子的颜色更改层。任选地,一个或多个颜色改变层可以包括一个或多个颜色滤波器。任选地,一个或多个颜色改变层可以包括一个或多个颜色更改层。
此装置的优点可以在于,包含一个或多个颜色改变层可以改变来自其所施加的一个或多个子像素的发射的光的光谱,从而增加发射的光的颜色饱和度以及任选地可以并入到装置中的显示器的色域。任选地,一个或多个颜色改变层的应用从而可以使显示器能够渲染DCI-P3色域。任选地,一个或多个颜色改变层的应用从而可以使显示器能够渲染Rec.2020色域。例如,这可以通过将一个或多个颜色改变层应用于如本文所公开的分别包括黄色和蓝色或红色、绿色和蓝色发射层的发光装置来实现。
本领域的技术人员将理解,描述了仅几个使用实例,但是其绝不是限制性的。
在不脱离如所附权利要求所限定的本发明的范围的情况下,可以对之前描述的本发明的实施例进行修改。用于描述本发明并且要求保护本发明的表达,如“包含(including)”、“包括(comprising)”、“并入(incorporating)”、“由...组成(consistingof)”、“具有(have)”、“是(is)”旨在以非排他性的方式进行解释,即允许也存在未明确描述的项、组分或元件。提及单数也应被解释为涉及复数。所附权利要求中包含在括号内的任何数字旨在帮助理解权利要求,并且不应以任何方式被解释为限制这些权利要求所要求保护的主题。
专利文献
EP 0423283 B1,Friend等人,“电致发光装置(Electroluminescent Devices)”
US 6303238 B1,Thompson等人,“掺杂有磷光化合物的OLED(OLEDs Doped withPhosphorescent Compounds)”
US 7279704 B2,Walters等人,“具有三齿配体的复合物(Complexes withTridentate Ligands)”
US 8654001 B2,Hack等人,“有机发光装置照明面板(Organic Light EmittingDevice Lighting Panel)”
其它文献
Adamovich等人,“用于固态照明的全磷光白色堆叠式有机LED(All-phosphorescent white stacked organic LEDs for solid-state lighting)”《SPIE新闻编辑部(SPIE Newsroom)》10.1117/2.1201110.003846(2011)。
Adjokatse等人,“用于固态发光应用的广泛可调谐金属卤化物钙钛矿(Broadlytunable metal halide perovskites for solid-state light-emissionapplications)”,《当代材料(Material Today)》,第20卷,第8期,第413-424页(2017)。
Andrade等人,“用于固态照明的白色有机发光装置(White Organic Light-Emitting Devices for Solid-State Lighting)”,《高级材料(Advanced Materials)》,第16卷,第1585-1595页(2004)。
Hirose等人,“实现BT.2020绿色色度的高效钙钛矿QLED(High-efficiencyPerovskite QLED Achieving BT.2020Green Chromaticity)”,《SID技术论文摘要大会2017》,第48卷,第284-287页(2017)。
Kathirgamanathan等人(1),“电致发光有机及量子点LED:现有技术(Electroluminescent Organic and Quantum Dot LEDs:The State of the Art)”,《显示器技术期刊(Journal of Display Technology)》,第11卷,第5期,第480-493页(2015)。
Kathirgamanathan等人(2),“量子点电致发光:迈向实现REC 2020颜色坐标(Quantum Dot Electroluminescence:Towards Achieving the REC 2020Colour Co-ordinates)”,《SID技术论文摘要大会2015(SID Symposium Digest of Technical Papers2015)》,第47卷,第652-656页(2016)。
Kumar等人,“使用量子限制的二维钙钛矿的高效蓝色电致发光(Efficient BlueElectroluminescence Using Quantum-Confined Two-Dimensional Perovskites)”,《ACS纳米(ACS Nano)》,第10卷,第9720-9729页(2016)。
Soneira等人,“iPhone X OLED显示器技术大战(iPhone X OLED DisplayTechnology Shoot-Out)”,http://www.displaymate.com/iPhoneX_ShootOut_1a.htm[2018年5月20日访问]。
Takita等人,“用于实现满足BT.2020色度的低功率OLED显示器的高效深蓝色荧光掺杂剂(Highly efficient deep-blue fluorescent dopant for achieving low-powerOLED display satisfying BT.2020chromaticity)”,《SID期刊2018(Journal of the SID2018)》(2018)。
Uoyama等人,“来自延迟荧光的高效有机发光二极管(Highly efficient organiclight-emitting diodes from delayed fluorescence)”,《自然(Nature)》,第492卷,第234-238页(2012)。
Wang等人,“基于溶液处理的、自组织的多量子阱的钙钛矿发光二极管(Perovskite light-emitting diodes based on solution-processed,self-organisedmultiple quantum wells)”,《自然光子学(Nature Photonics)》,第10卷,第699-704页(2016)。

Claims (45)

1.一种发光装置,其包括:
第一电极;
第二电极;以及
至少两个发射层;
其中所述至少两个发射层中的第一发射层安置在所述第一电极上方;
其中所述至少两个发射层中的第二发射层安置在所述第一发射层上方;
其中所述第二电极安置在所述第二发射层上方;
其中所述第一发射层与所述第二发射层接触;
其中所述至少两个发射层中的至少一个发射层包括钙钛矿发光材料;
其中所述装置包括所述至少两个发射层中的至少一个另外的发射层;并且
其中所述至少一个另外的发射层包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第二发射层包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一发射层包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料,并且所述第二发射层包括钙钛矿发光材料。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的装置,其中所述至少两个发射层中的所述至少一个另外的发射层包括钙钛矿发光材料或有机发光材料。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第二发射层包括钙钛矿发光材料。
6.根据权利要求4所述的装置,其中所述至少两个发射层中的所述至少一个另外的发射层包括有机发光材料。
7.根据权利要求6所述的装置,其中所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第二发射层包括有机发光材料。
8.根据权利要求6所述的装置,其中所述第一发射层包括有机发光材料,并且所述第二发射层包括钙钛矿发光材料。
9.根据权利要求1到3中任一项所述的装置,其中所述至少两个发射层中的所述至少一个另外的发射层包括钙钛矿发光材料或量子点发光材料。
10.根据权利要求9所述的装置,其中所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第二发射层包括钙钛矿发光材料。
11.根据权利要求9所述的装置,其中所述至少两个发射层中的所述至少一个另外的发射层包括量子点发光材料。
12.根据权利要求11所述的装置,其中所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第二发射层包括量子点发光材料。
13.根据权利要求11所述的装置,其中所述第一发射层包括量子点发光材料,并且所述第二发射层包括钙钛矿发光材料。
14.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述发射层中的一个或多个发射层包括有机金属卤化物发光钙钛矿材料。
15.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述发射层中的一个或多个发射层包括无机金属卤化物发光钙钛矿材料。
16.根据权利要求1到15中任一项所述的装置,其中所述至少两个发射层中的至少一个发射层发射黄色光,并且所述至少两个发射层中的至少一个另外的发射层发射蓝色光。
17.根据权利要求16所述的装置,其中所述装置发射白色光。
18.根据权利要求17所述的装置,其中所述装置发射颜色渲染指数大于或等于80的白色光。
19.根据权利要求17所述的装置,其中所述装置发射相关颜色温度为大约6504K的白色光。
20.根据权利要求1到15中任一项所述的装置,其中所述至少两个发射层中的至少一个发射层发射红色光,并且所述至少两个发射层中的至少一个另外的发射层发射绿色光。
21.根据权利要求20所述的装置,其中所述装置发射黄色光。
22.一种发光装置,其包括:
第一电极;
第二电极;以及
至少三个发射层;
其中所述至少三个发射层中的第一发射层安置在所述第一电极上方;
其中所述至少三个发射层中的第二发射层安置在所述第一发射层上方;
其中所述至少三个发射层中的第三发射层安置在所述第二发射层上方;
其中所述第二电极安置在所述第三发射层上方;
其中所述第一发射层与所述第二发射层接触;
其中所述第二发射层与所述第三发射层接触;
其中所述至少三个发射层中的至少一个发射层包括钙钛矿发光材料;并且
其中所述装置包括所述至少三个发射层中的至少两个另外的发射层;并且
其中所述至少两个另外的发射层中的每个发射层包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。
23.根据权利要求22所述的装置,其中所述至少三个发射层中的所述至少两个另外的发射层各自包括钙钛矿发光材料或有机发光材料。
24.根据权利要求23所述的装置,其中所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,所述第二发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第三发射层包括钙钛矿发光材料。
25.根据权利要求23所述的装置,其中所述至少两个另外的发射层中的至少一个发射层包括有机发光材料。
26.根据权利要求22所述的装置,其中所述至少三个发射层中的所述至少两个另外的发射层各自包括钙钛矿发光材料或量子点发射材料。
27.根据权利要求26所述的装置,其中所述第一发射层包括钙钛矿发光材料,所述第二发射层包括钙钛矿发光材料,并且所述第三发射层包括钙钛矿发光材料。
28.根据权利要求26所述的装置,其中所述至少两个另外的发射层中的至少一个发射层包括量子点发光材料。
29.根据权利要求22所述的装置,其中所述至少两个另外的发射层中的至少一个发射层包括有机发光材料,并且所述至少两个另外的发射层中的至少一个发射层包括量子点发光材料。
30.根据权利要求22到29中任一项所述的装置,其中所述至少三个发射层中的至少一个发射层发射红色光,所述至少三个发射层中的至少一个另外的发射层发射绿色光,并且所述至少三个发射层中的至少一个另外的发射层发射蓝色光。
31.根据权利要求30所述的装置,其中所述装置发射白色光。
32.根据权利要求31所述的装置,其中所述装置发射颜色渲染指数大于或等于80的白色光。
33.根据权利要求31所述的装置,其中所述装置发射相关颜色温度为大约6504K的白色光。
34.根据权利要求1到33中任一项所述的装置,其中所述装置为堆叠式发光装置。
35.一种堆叠式发光装置,其包括:
第一电极;
第二电极;
第一发射单元;
第二发射单元;
电荷产生层;以及
至少三个发射层;
其中所述至少三个发射层中的第一发射层安置在所述第一电极上方;
其中所述至少三个发射层中的第二发射层安置在所述第一发射层上方;
其中所述至少三个发射层中的第三发射层安置在所述第二发射层上方;
其中所述第二电极安置在所述第三发射层上方;
其中所述第一发射单元包括所述第一发射层和所述第二发射层;
其中所述第二发射单元包括所述第三发射层;
其中所述电荷产生层安置在所述第二发射层与所述第三发射层之间;
其中所述第一发射层与所述第二发射层接触;
其中所述至少三个发射层中的至少一个发射层包括钙钛矿发光材料;并且
其中所述装置包括所述至少三个发射层中的至少两个另外的发射层;并且
其中所述至少两个另外的发射层中的每个发射层包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。
36.根据权利要求35所述的装置,其中所述第一发射层和所述第二发射层中的至少一个发射红色光,所述第一发射层和所述第二发射层中的至少一个发射绿色光,并且所述第三发射层发射蓝色光。
37.一种堆叠式发光装置,其包括:
第一电极;
第二电极;
第一发射单元;
第二发射单元;
电荷产生层;以及
至少三个发射层;
其中所述至少三个发射层中的第一发射层安置在所述第一电极上方;
其中所述至少三个发射层中的第二发射层安置在所述第一发射层上方;
其中所述至少三个发射层中的第三发射层安置在所述第二发射层上方;
其中所述第二电极安置在所述第三发射层上方;
其中所述第一发射单元包括所述第一发射层;
其中所述第二发射单元包括所述第二发射层和所述第三发射层;
其中所述电荷产生层安置在所述第一发射层与所述第二发射层之间;
其中所述第二发射层与所述第三发射层接触;
其中所述至少三个发射层中的至少一个发射层包括钙钛矿发光材料;并且
其中所述装置包括所述至少三个发射层中的至少两个另外的发射层;并且
其中所述至少两个另外的发射层中的每个发射层包括钙钛矿发光材料、有机发光材料或量子点发光材料。
38.根据权利要求37所述的装置,其中所述第一发射层发射蓝色光,所述第二发射层和所述第三发射层中的至少一个发射红色光,并且所述第二发射层和所述第三发射层中的至少一个发射绿色光。
39.根据权利要求35到38中任一项所述的装置,其中所述装置发射白色光。
40.根据权利要求39所述的装置,其中所述装置发射颜色渲染指数大于或等于80的白色光。
41.根据权利要求39所述的装置,其中所述装置发射相关颜色温度为大约6504K的白色光。
42.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述装置进一步包含微腔结构。
43.根据前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述装置进一步包含颜色改变层。
44.一种显示器的子像素,所述子像素包括根据权利要求1到43中任一项所述的装置。
45.一种照明面板,其包括根据权利要求1到43中任一项所述的装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114016138A (zh) * 2021-10-29 2022-02-08 华中科技大学 一种高质量二维或准二维层状钙钛矿单晶材料及其制备
CN114824118A (zh) * 2022-05-11 2022-07-29 陕西科技大学 一种基于钙钛矿量子点的白光oled器件

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12075643B2 (en) * 2019-02-26 2024-08-27 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting element and light-emitting device
CN110137364A (zh) * 2019-05-23 2019-08-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种发光器件及其驱动方法、显示面板
US20230091777A1 (en) * 2021-09-13 2023-03-23 Universal Display Corporation Long Operational Lifetime OLED Display
WO2025155104A1 (ko) * 2024-01-15 2025-07-24 서울대학교 산학협력단 탠덤형 발광 소자 및 이의 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
EP2237055A1 (en) 2009-03-31 2010-10-06 Eurocopter Deutschland GmbH Wide-band electromagnetic field detector and analysis system for aircraft
US8564001B2 (en) 2010-05-21 2013-10-22 Universal Display Corporation Organic light emitting device lighting panel
US9711760B2 (en) * 2015-06-30 2017-07-18 Nanyang Technological University Light-emitting device, method of forming and operating the same
US10522776B2 (en) * 2016-05-23 2019-12-31 Universal Display Corporation OLED device structures
KR101891168B1 (ko) * 2016-10-31 2018-08-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치
CN106953023B (zh) * 2017-04-27 2019-07-02 武汉华星光电技术有限公司 电荷产生层、叠层oled器件及显示屏

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114016138A (zh) * 2021-10-29 2022-02-08 华中科技大学 一种高质量二维或准二维层状钙钛矿单晶材料及其制备
CN114824118A (zh) * 2022-05-11 2022-07-29 陕西科技大学 一种基于钙钛矿量子点的白光oled器件

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