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CN112376015A - 一种掩膜版及其制作方法、显示基板及其制作方法 - Google Patents

一种掩膜版及其制作方法、显示基板及其制作方法 Download PDF

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CN112376015A
CN112376015A CN202011243457.7A CN202011243457A CN112376015A CN 112376015 A CN112376015 A CN 112376015A CN 202011243457 A CN202011243457 A CN 202011243457A CN 112376015 A CN112376015 A CN 112376015A
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film
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forming
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李云龙
卢鹏程
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BOE Technology Group Co Ltd
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Abstract

本发明提供了一种掩膜版及其制作方法、显示基板及其制作方法，涉及显示技术领域，该掩膜版能够大幅减轻灰尘造成的影响，从而提升产品良率。一种掩膜版，包括掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部；其中，所述掩膜部包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括开口和围绕所述开口的第一本体；所述周边部中至少部分区域的厚度大于所述掩膜部的厚度，且被配置为与待成膜基板相接触，并支撑所述待成膜基板，使得所述掩膜部与所述待成膜基板之间具有间隙。本发明适用于掩膜版的制作。

Description

一种掩膜版及其制作方法、显示基板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜版及其制作方法、显示基板及其制作方法。
背景技术
采用蒸镀工艺制作Micro LED(Micro-Light Emitting Diode，微型发光二极管)微显示装置中的有机物和阴极时，需要使用蒸镀掩膜版(Open Mask)。在蒸镀时，蒸镀掩膜版本身粘附的灰尘(Particle)以及蒸镀过程中产生的灰尘都将直接影响产品良率。如果灰尘附着在显示装置的显示区时，则会产生显示不良；如果附着在显示装置的非显示区时，则容易造成封装失效。
发明内容
本发明的实施例提供一种掩膜版及其制作方法、显示基板及其制作方法，该掩膜版能够大幅减轻灰尘造成的影响，从而提升产品良率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供了一种掩膜版，包括掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部；
其中，所述掩膜部包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括开口和围绕所述开口的第一本体；
所述周边部中至少部分区域的厚度大于所述掩膜部的厚度，且被配置为与待成膜基板相接触，并支撑所述待成膜基板，使得所述掩膜部与所述待成膜基板之间具有间隙。
可选的，所述周边部包括第二本体和多个支撑件；
其中，所述支撑件设置在所述第二本体靠近所述待成膜基板的一侧；所述第二本体和所述第一本体的厚度相同。
可选的，所述支撑件包括支撑垫片，所述支撑垫片的厚度范围为90-110μm。
可选的，所述掩膜部的边缘与所述周边部形成台阶。
可选的，所述台阶的高度范围为40-100μm。
另一方面，提供了一种显示基板，包括：衬底以及设置在所述衬底之上的膜层图案，所述膜层图案采用上述所述的掩膜版形成。
再一方面，提供了一种掩膜版的制作方法，包括：
形成掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部；其中，所述掩膜部包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括开口和围绕所述开口的第一本体；所述周边部中至少部分区域的厚度大于所述掩膜部的厚度，且被配置为与待成膜基板相接触，并支撑所述待成膜基板，使得所述掩膜部与所述待成膜基板之间具有间隙。
可选的，所述周边部包括第二本体和多个支撑件；
所述形成掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部包括：
形成掩膜部和所述第二本体；
形成多个支撑件。
可选的，在所述形成多个支撑件之后，所述形成掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部还包括：
采用激光点焊工艺将多个所述支撑件固定在所述第二本体上。
可选的，所述形成掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部包括：
形成掩膜版材，其中，所述掩膜版材包括掩膜区和围绕所述掩膜区的周边区；
对所述掩膜区进行刻蚀，得到掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部，其中，所述掩膜部的边缘与所述周边部形成台阶。
又一方面，提供了一种显示基板的制作方法，所述方法包括：
提供待成膜基板；
提供如上述所述的掩膜版；
将所述待成膜基板与所述掩膜版对位，使得所述掩膜版的周边部与所述待成膜基板相接触，以支撑所述待成膜基板；并使得所述掩膜版的掩膜部的开口对应所述待成膜基板的成膜区，所述掩膜版的掩膜部的第一本体和所述掩膜版的周边部对应所述待成膜基板的非成膜区；
通过所述掩膜部的开口向所述待成膜基板的成膜区沉积膜层材料，形成膜层图案。
本发明的实施例提供了一种掩膜版及其制作方法、显示基板及其制作方法，该掩膜版包括掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部；其中，所述掩膜部包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括开口和围绕所述开口的第一本体；所述周边部中至少部分区域的厚度大于所述掩膜部的厚度，且被配置为与待成膜基板相接触，并支撑所述待成膜基板，使得所述掩膜部与所述待成膜基板之间具有间隙。
这样，采用该掩膜版在待成膜基板上形成膜层图案时，掩膜版的周边部与待成膜基板相接触，并支撑待成膜基板，使得掩膜版的掩膜部与待成膜基板之间具有间隙；那么，一方面，掩膜部的第一本体和待成膜基板之间的间隙可以承接制作工艺中产生的灰尘，大幅减少灰尘经掩膜部的开口附着在待成膜基板的成膜区；另一方面，掩膜版的周边部能够支撑待成膜基板，且掩膜版中仅有周边部与待成膜基板相接触，大幅减少掩膜版与待成膜基板的接触面积，从而大幅降低掩膜版上的灰尘转移到待成膜基板上。该掩膜版能够大幅减轻灰尘造成的影响，从而提升产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种采用半刻蚀掩膜版对晶圆蒸镀的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种采用图2所示的掩膜版对待成膜基板蒸镀的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种采用图2所示的掩膜版对待成膜基板蒸镀的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种掩膜版的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种掩膜版的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种采用图6所示的掩膜版对待成膜基板蒸镀的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种微显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的实施例中，采用“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本发明实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
在本发明的实施例中，“多个”的含义是两个或两个以上，“至少一个”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
本发明实施例提供了一种掩膜版，参考图1所示，该半刻蚀掩膜版1与晶圆(wafer)2接触的一侧设置半刻蚀孔4以承接灰尘3。但是半刻蚀工艺(Half Etching)制作的半刻蚀孔较小，蒸镀源(source)5通过半刻蚀掩膜版1向显示区蒸镀膜层材料的过程中，仍然存在灰尘3飞溅到晶圆2的显示区(Active Area)的现象。该半刻蚀掩膜版通过晶圆上方的磁条(图1未示出)与晶圆紧紧贴合，大量灰尘将从掩膜版转移到晶圆上，从而对后续封装工艺产生严重影响。
基于此，为了进一步减轻灰尘造成的影响，从而大幅提升产品良率，本发明实施例提供了一种掩膜版，参考图2-4所示，包括掩膜部11和围绕掩膜部的周边部12；其中，掩膜部11包括至少一个掩膜单元12，掩膜单元12包括开口13和围绕开口13的第一本体14；周边部中至少部分区域的厚度大于掩膜部的厚度，且被配置为与待成膜基板相接触，并支撑待成膜基板，使得掩膜部与待成膜基板之间具有间隙。
上述掩膜版中，周边部中至少部分区域的厚度大于掩膜部的厚度是指：周边部中的部分区域的厚度大于掩膜部的厚度，或者周边部中的全部区域的厚度大于掩膜部的厚度。
这里对于掩膜单元的开口的形状不做限定，其沿平行于掩膜版的截面形状可以是如图2所示的长方形，或者，也可以是圆形、正方形等，实际可以根据膜层图案的形状确定。
上述掩膜版属于开口掩膜版(Open Mask)，主要应用于Micro-LED微显示装置或者AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置中有机层或者阴极的制作。该Micro-LED微显示装置可以采用白光发光单元结合滤光层的结构，实现彩色化显示。
上述掩膜版中，开口处的掩膜版材料被去除。采用该掩膜版形成膜层图案时，膜层材料可以通过开口沉积到待成膜基板的成膜区。
这里对于掩膜版材料不做限定，示例的，该掩膜版材料可以包括因瓦合金(Invar)，例如：Invar36，Invar36是一种具有超低膨胀系数的铁镍合金。
采用该掩膜版在待成膜基板上形成膜层图案时，掩膜版的周边部与待成膜基板相接触，并支撑待成膜基板，使得掩膜版的掩膜部与待成膜基板之间具有间隙；那么，一方面，掩膜部的第一本体和待成膜基板之间的间隙可以承接制作工艺中产生的灰尘，大幅减少灰尘经掩膜部的开口附着在待成膜基板的成膜区；另一方面，掩膜版的周边部能够支撑待成膜基板，无需在待成膜基板上方设置磁条，相比图1所示的半刻蚀掩膜版结构，该掩膜版中仅有周边部与待成膜基板相接触，大幅减少掩膜版与待成膜基板的接触面积，从而大幅降低掩膜版上的灰尘转移到待成膜基板上。该掩膜版能够大幅减轻灰尘造成的影响，从而提升产品良率。
下面提供一种掩膜版的具体结构。
参考图2-4所示，周边部11包括第二本体15和多个支撑件16；其中，支撑件16设置在第二本体15靠近待成膜基板7的一侧；第二本体15和第一本体14的厚度相同。此时，周边部中设置有支撑件的区域的厚度大于掩膜部的厚度。
上述多个支撑件的形状、大小、数量、分布方式和材料均不作限定。示例的，支撑件沿平行于掩膜版的截面形状可以是如图2所示的长方形，或者圆形、梯形等。支撑件的数量越多，对于待成膜基板的支撑性越好，但同时会增加与待成膜基板的接触面积，因此支撑件的数量不易过多，以尽可能减少与待成膜基板的接触面积，进一步降低灰尘转移至待成膜基板的几率；同时支撑件的数量不易过少，以保证支撑强度。示例的，参考图2所示，该掩膜版的周边部包括4个条状支撑件，4个条状支撑件分别设置在周边部的四角位置。或者，参考图5所示，该掩膜版的周边部包括8个条状支撑件，8个条状支撑件分别设置在周边部的四角位置、以及四个侧边的中间位置。
上述第一本体和第二本体可以是一体结构，能够采用一次构图工艺形成，以降低制作成本。
需要说明的是，图3中所示掩膜版结构为沿图2中CC’方向的截面图，图4中所示掩膜版结构为沿图2中AA’方向的截面图。
结合图3和图4所示，采用该掩膜版在待成膜基板上形成膜层图案时，掩膜版的周边部的支撑件16与待成膜基板7相接触，并支撑待成膜基板7，使得掩膜版的掩膜部11与待成膜基板7之间具有间隙；那么，一方面，掩膜部的第一本体14和待成膜基板7之间的间隙可以承接制作工艺中产生的灰尘，大幅减少灰尘经掩膜部的开口13附着在待成膜基板7的成膜区(即图3所示的显示区)；另一方面，掩膜版的周边部的支撑件16能够支撑待成膜基板7，无需在待成膜基板上方设置磁条，相比图1所示的半刻蚀掩膜版结构，该掩膜版中仅有周边部的支撑件16与待成膜基板7相接触，大幅减少掩膜版与待成膜基板的接触面积，从而大幅降低掩膜版上的灰尘转移到待成膜基板上。该掩膜版能够大幅减轻灰尘造成的影响，从而提升产品良率。图3和图4中，以蒸镀源5通过掩膜部的开口13向待成膜基板7的成膜区(即显示区)沉积膜层材料为例进行绘示。
为了降低制作难度，可选的，支撑件包括支撑垫片，支撑垫片的厚度范围为90-110μm，示例的，该支撑垫片的厚度可以是90μm、95μm、100μm、105μm、110μm等。该支撑垫片的制作尺寸可以为5mm*10mm，当然也可以为其它尺寸，这里不作限定。
上述支撑垫片的厚度一方面保证掩膜部与待成膜基板之间具有足够的间隙，用于容纳灰尘。另一方面，保证采用蒸镀工艺形成膜层图案时，产生的蒸镀阴影在可接受的范围内。经过实际测试，采用该掩膜版蒸镀形成膜层图案时，会产生100μm左右的蒸镀阴影，可以满足白光Micro-LED微显示装置的要求。另外，还可以通过减小掩膜版的开口尺寸以进一步减少蒸镀扩散。
下面提供另一种掩膜版的具体结构。
结合图6和图7所示，掩膜部的边缘与周边部形成台阶，此时，周边部的全部区域的高度大于掩膜部的高度。采用该掩膜版在待成膜基板上形成膜层图案时，掩膜版的周边部12与待成膜基板7相接触，并支撑待成膜基板7，使得掩膜版的掩膜部11与待成膜基板7之间具有间隙。
这里对于形成台阶的方式不做限定，示例的，可以采用全面刻蚀工艺对掩膜版材进行刻蚀，以得到该掩膜版。
需要说明的是，图7中所示掩膜版结构为沿图6中BB’方向的截面图。图7中，以蒸镀源5通过掩膜部的开口向待成膜基板7的成膜区沉积膜层材料为例进行绘示。
可选的，台阶的高度范围为40-100μm。示例的，台阶的高度可以是40μm、60μm、80μm、100μm等等。在该高度范围内，可以保证掩膜部与待成膜基板之间具有足够的间隙，用于容纳灰尘；同时，保证采用蒸镀工艺形成膜层图案时，产生的蒸镀阴影在可接受的范围内。另外，一般掩膜版材的厚度有0.1mm、0.15mm和0.2mm三种规格。若采用0.2mm规格的掩膜版材制作上述掩膜版，台阶的高度越高，则掩膜部的厚度越薄。而掩膜版在使用后会进行清洗，掩膜部的厚度太薄，在清洗时容易损坏，使用寿命短。因此，台阶的高度需要控制在上述范围内，以满足多方面要求。
需要说明的是，图3、图4和图7中，以待成膜基板包括晶圆为例进行绘示，示例的，该晶圆为8英寸(inch)晶圆，其直径为200mm，包括有效区和围绕有效区的非有效区；其中，有效区沿垂直于晶圆的截面尺寸为194mm，且包括多个基板单元，各基板单元包括显示区和非显示区。将晶圆的多个基板单元切割后可得到多个显示基板。若该晶圆用于形成多个微显示装置，则在该晶圆上形成有机层或者阴极时，可以将掩膜版的多个开口分别对应晶圆的多个显示区(即成膜区)，掩膜版的第一本体对应非显示区，掩膜版的周边部对应非有效区；此时，晶圆的非成膜区包括非显示区和非有效区。
另外，参考图4和图7所示，若通过蒸镀工艺在待成膜基板上形成膜层图案，则该掩膜版的周边部还可以延伸至固定单元6的下方，以便于固定单元固定该掩膜版。这里对于固定单元的形状不做限定。图4和图7中，该固定单元靠近掩膜版的一侧设置为斜面，以利于操作。
本发明实施例还提供了一种显示基板，包括：衬底以及设置在衬底之上的膜层图案，膜层图案采用上述的掩膜版形成。
该显示基板可以是硅基，或者，还可以是玻璃基，这里不做限定。该显示基板可用于形成Micro-LED微显示装置或者OLED(Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置，或者还可以用于形成包括该Micro-LED微显示装置或者OLED显示装置的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
参考图8所示，硅基Micro-LED微显示装置可以包括晶圆(Wafer)基板100、以及设置在晶圆基板100上且位于显示区的阳极阵列层(包括多个阳极101)、有机层102、阴极103、透光层(CPL层)104等膜层结构；当然，该硅基Micro-LED微显示装置还还包括位于非显示区的阴极连接单元105，阴极103延伸至非显示区，与阴极连接单元105电连接。晶圆基板100包括位于显示区的多个第一驱动单元106和位于非显示区的多个第二驱动单元107；其中，多个第一驱动单元106通过多个过孔(图8未标记)分别电连接阳极阵列层的多个阳极101，以驱动多个阳极101；多个第二驱动单元107通过过孔(图8未标记)分别电连接阴极连接单元105，以驱动阴极103。在采用蒸镀工艺制作上述有机层时，需要完全覆盖阳极阵列层所在区域；同时，为了减少阴极接触阻抗，有机物不能蒸镀到阴极连接单元所在区域；因此，需要在阴极连接单元和阳极阵列层之间预留一定间距L(例如：0.5mm)，作为预留蒸镀阴影的区域(Margin)。阴极可以覆盖阴极连接单元，并包覆其侧边；透光层可以覆盖阴极、并包覆其侧边。
本发明实施例又提供了一种如上述掩膜版的制作方法，包括：
S01、形成掩膜部和围绕掩膜部的周边部；其中，掩膜部包括至少一个掩膜单元，掩膜单元包括开口和围绕开口的第一本体；周边部中至少部分区域的厚度大于掩膜部的厚度，且被配置为与待成膜基板相接触，并支撑待成膜基板，使得掩膜部与待成膜基板之间具有间隙。
下面提供一种如图2所示的掩膜版的制作方法。
可选的，周边部包括第二本体和多个支撑件；则S01、形成掩膜部和围绕掩膜部的周边部包括：
S11、形成掩膜部和第二本体。
示例的，可以采用一次构图工艺形成掩膜部和第二本体。
S12、形成多个支撑件。
这里对于支撑件的形状、大小、数量、分布方式和材料均不作限定。支撑件的数量越多，对于待成膜基板的支撑性越好，但同时会增加与待成膜基板的接触面积，因此支撑件的数量不易过多，以尽可能减少与待成膜基板的接触面积，进一步降低灰尘转移至待成膜基板的几率；同时支撑件的数量不易过少，以保证支撑强度。图2中以4个条状支撑件为例进行绘示。
上述支撑件可以包括支撑垫片，该支撑垫片的厚度可以100μm，制作精度控制在±10μm。该支撑垫片的制作尺寸可以为5mm*10mm，当然也可以为其它尺寸，这里不作限定。
可选的，为了固定上述支撑件，更好地起到支撑作用，在S12、形成多个支撑件之后，S11、形成掩膜部和围绕掩膜部的周边部还包括：
S13、采用激光点焊工艺将多个支撑件固定在第二本体上。
为了保证焊点不会影响制作精度，可以在蒸镀面进行点焊。这里蒸镀面即掩膜版靠近待成膜基板的一侧表面。
下面提供一种如图6所示的掩膜版的制作方法。参考图7所示，掩膜部的边缘与周边部形成台阶。
S01、形成掩膜部和围绕掩膜部的周边部包括：
S21、形成掩膜版材，其中，掩膜版材包括掩膜区和围绕掩膜区的周边区。
该掩膜版材的材料可以包括因瓦合金(Invar)，例如：Invar36。该掩膜版材的厚度可以为0.2mm。
S22、对掩膜区进行刻蚀，得到掩膜部和围绕掩膜部的周边部，其中，掩膜部的边缘与周边部形成台阶。
示例的，采用全面刻蚀工艺对掩膜区进行刻蚀，将掩膜区的整体厚度减薄，使得掩膜部的边缘与周边部形成台阶；接着对掩膜区进行图案化，以形成包括至少一个开口的掩膜部。
上述刻蚀深度范围为40-100μm，以形成高度范围为40-100μm的台阶。
上述掩膜版的制作方法简单易实现，可操作性强。采用上述方法形成的掩膜版已经用于量产，且经过实际验证，该掩膜版对于减少灰尘、增强显示装置的封装效果均有明显提高。
本发明实施例另提供了一种显示基板的制作方法，方法包括：
S101、提供待成膜基板。
需要说明的是，该待成膜基板可以是晶圆，晶圆包括有效区和围绕有效区的非有效区；其中，有效区包括多个基板单元，各基板单元包括显示区和非显示区。将晶圆的多个基板单元切割后可得到多个显示基板。当然，该待成膜基板还可以是其它需要形成膜层图案的基板。
S102、提供上述掩膜版。
S103、将待成膜基板与掩膜版对位，使得掩膜版的周边部与待成膜基板相接触，以支撑待成膜基板；并使得掩膜版的掩膜部的开口对应待成膜基板的成膜区，掩膜版的掩膜部的第一本体和掩膜版的周边部对应待成膜基板的非成膜区。
示例的，若该待成膜基板为8英寸(inch)晶圆，结合图3、图4和图7所示，其直径为200mm，包括有效区和围绕有效区的非有效区；其中，有效区沿垂直于晶圆的截面尺寸为194mm，且包括多个基板单元，各基板单元包括显示区和非显示区。若该晶圆用于形成多个微显示装置，则在该晶圆上形成有机层或者阴极时，可以将掩膜版的多个开口分别对应晶圆的多个显示区(即成膜区)，掩膜版的第一本体对应非显示区，掩膜版的周边部对应非有效区；此时，晶圆的非成膜区包括非显示区和非有效区。
S104、通过掩膜部的开口向待成膜基板的成膜区沉积膜层材料，形成膜层图案。
示例的，可以采用蒸镀或者溅射工艺通过掩膜部的开口向待成膜基板的成膜区沉积膜层材料，形成膜层图案。优选蒸镀工艺沉积膜层材料，以减轻对于掩膜版的不良影响。
上述膜层图案需要根据实际情况确定，该膜层图案可以是有机层或者阴极，这里不做限定。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种掩膜版，其特征在于，包括掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部；
其中，所述掩膜部包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括开口和围绕所述开口的第一本体；
所述周边部中至少部分区域的厚度大于所述掩膜部的厚度，且被配置为与待成膜基板相接触，并支撑所述待成膜基板，使得所述掩膜部与所述待成膜基板之间具有间隙。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述周边部包括第二本体和多个支撑件；
其中，所述支撑件设置在所述第二本体靠近所述待成膜基板的一侧；所述第二本体和所述第一本体的厚度相同。
3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述支撑件包括支撑垫片，所述支撑垫片的厚度范围为90-110μm。
4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜部的边缘与所述周边部形成台阶。
5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述台阶的高度范围为40-100μm。
6.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底以及设置在所述衬底之上的膜层图案，所述膜层图案采用权利要求1-5任一项所述的掩膜版形成。
7.一种如权利要求1-5任一项所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：
形成掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部；其中，所述掩膜部包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括开口和围绕所述开口的第一本体；所述周边部中至少部分区域的厚度大于所述掩膜部的厚度，且被配置为与待成膜基板相接触，并支撑所述待成膜基板，使得所述掩膜部与所述待成膜基板之间具有间隙。
8.根据权利要求7所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述周边部包括第二本体和多个支撑件；
所述形成掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部包括：
形成掩膜部和所述第二本体；
形成多个支撑件。
9.根据权利要求8所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，在所述形成多个支撑件之后，所述形成掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部还包括：
采用激光点焊工艺将多个所述支撑件固定在所述第二本体上。
10.根据权利要求7所述的掩膜版的制作方法，其特征在于，所述形成掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部包括：
形成掩膜版材，其中，所述掩膜版材包括掩膜区和围绕所述掩膜区的周边区；
对所述掩膜区进行刻蚀，得到掩膜部和围绕所述掩膜部的周边部，其中，所述掩膜部的边缘与所述周边部形成台阶。
11.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供待成膜基板；
提供如权利要求1-5任一项所述的掩膜版；
将所述待成膜基板与所述掩膜版对位，使得所述掩膜版的周边部与所述待成膜基板相接触，以支撑所述待成膜基板；并使得所述掩膜版的掩膜部的开口对应所述待成膜基板的成膜区，所述掩膜版的掩膜部的第一本体和所述掩膜版的周边部对应所述待成膜基板的非成膜区；
通过所述掩膜部的开口向所述待成膜基板的成膜区沉积膜层材料，形成膜层图案。
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