[go: up one dir, main page]

CN111999378A - 一种基于tmr传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法 - Google Patents

一种基于tmr传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111999378A
CN111999378A CN202010829148.1A CN202010829148A CN111999378A CN 111999378 A CN111999378 A CN 111999378A CN 202010829148 A CN202010829148 A CN 202010829148A CN 111999378 A CN111999378 A CN 111999378A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thickness
point
conductivity
grid
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010829148.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111999378B (zh
Inventor
何宇廷
陈涛
丁克勤
樊祥洪
张腾
崔荣洪
安涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Air Force Engineering University of PLA
Original Assignee
Air Force Engineering University of PLA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Air Force Engineering University of PLA filed Critical Air Force Engineering University of PLA
Priority to CN202010829148.1A priority Critical patent/CN111999378B/zh
Publication of CN111999378A publication Critical patent/CN111999378A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111999378B publication Critical patent/CN111999378B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
    • G01B7/10—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using magnetic means, e.g. by measuring change of reluctance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/041—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/20—Investigating the presence of flaws
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/72—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables
    • G01N27/82—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables for investigating the presence of flaws
    • G01N27/90—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables for investigating the presence of flaws using eddy currents
    • G01N27/9046—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables for investigating the presence of flaws using eddy currents by analysing electrical signals
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F17/00—Digital computing or data processing equipment or methods, specially adapted for specific functions
    • G06F17/10—Complex mathematical operations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
    • Y02A90/00—Technologies having an indirect contribution to adaptation to climate change
    • Y02A90/30—Assessment of water resources

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Analysis (AREA)
  • Mathematical Optimization (AREA)
  • Computational Mathematics (AREA)
  • Pure & Applied Mathematics (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Algebra (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法，包括以下步骤：建立TMR‑涡流传感器的探头组件；建立精确的电导率‑厚度因素二维网格模型；基于精确的电导率‑厚度因素二维网格模型的逆向求解。本发明的基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法中电导率‑厚度二维网格模型作为实际测厚的物理模型，通过增加电导率‑厚度二维网格模型的密度提高逆向求解的精度，采用电导率‑厚度二维网格进行逆向求解，可以简化求解过程，实现对大厚度金属材料电导率和厚度的无损检测。

Description

一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法
技术领域
本发明属于无损检测技术领域，特别是涉及一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法。
背景技术
金属材料在服役过程中，往往由于自身在制造过程中或使用过程中存在缺陷(如：制造缺陷、腐蚀、疲劳、冲击损伤等)，都会对金属结构的服役造成严重的影响。若不能及时发现结构中存在的损伤，往往会造成灾难性的后果。所以急需采用无损检测技术对金属结构进行无损检测。金属材料的厚度往往是决定金属结构强度的重要因素，若金属因为发生幅值造成厚度变薄，则会导致结构剩余强度不够而发生破坏。同时金属材料的电导率也是衡量金属结构是否存在缺陷的一个关键因素。常用的方法有超声、漏磁、X射线、智能涂层、涡流检测等。
涡流检测技术作为一种传统的无损检测手段具有对结构缺陷识别灵敏度高、抗干扰能力强等特点，广泛应用于工业中各个领域。传统涡流传感器由激励线圈和感应线圈组成，为了获得较大的信号，激励线圈和感应线圈匝数较多，因而传感器的体积较大，不利于传感器的小型化。同时，这些涡流传感器由于激励频率较高，受屈服深度的影响，检测深度受到限制，不利于对大厚度金属结构内部的缺陷进行检测以及对结构件厚度的测量。因此涡流检测技术往往用于对薄膜类金属厚度的测量。
根据传统涡流传感器的不足，本发明通过使用高灵敏度的TMR(隧道磁阻)传感器代替涡流传感器原有的感应线圈，使TMR输出信号的幅值不受激励频率的影响，通过降低激励频率以提高涡流穿透的深度，进而实现对大厚度金属材料电导率和厚度的测量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法，以实现对大厚度金属材料电导率和厚度的测量。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法，包括以下步骤：
S10：建立TMR-涡流传感器的探头组件；
S20：采用TMR-涡流传感器测试以及计算得到不同厚度和电导率的金属试验件在测试点处的磁感应强度的幅值比和相位差，作为电导率-厚度因素二维网格模型每个节点的数值，建立精确的电导率-厚度因素二维网格模型；
S30：基于精确的电导率-厚度因素二维网格模型的逆向求解：
S31，采用TMR-涡流传感器测试以及计算得到待测金属件在测试点处的磁感应强度的幅值比和相位差，作为目标点T；
S32，先对S20建立的精确的电导率-厚度因素二维网格模型进行区域定位查找确定目标点T的初始网格的位置；然后对初始网格的位置进行逐一查证，实现对目标点T的精确定位；
S33，通过插值计算逆向求解得到待测金属件的电导率和厚度，实现待测金属件的无损检测。
进一步地，S10中，建立TMR-涡流传感器的探头组件具体为：TMR2701传感器竖向置于恒流线圈中心轴线正上方，所述恒流线圈正下方置有激励线圈；TMR2701传感器、恒流线圈、激励线圈共同构成TMR-涡流传感器的探头组件。
更进一步地，恒流线圈各线圈半径分别与激励线圈各线圈半径对应且相同：内圈半径为7.5mm，中圈半径8.25mm，外圈半径9mm。
进一步地，S20中，采用TMR-涡流传感器测试以及计算得到不同厚度和电导率的金属试验件在测试点处的磁感应强度的幅值比和相位差，具体为：采用TMR-涡流传感器测试不同厚度和电导率的金属试验件在测试点处的磁感应强度的幅值和相位，得到第一组数据，然后再计算TMR-涡流传感器放置在空气中时测试点处磁感应强度的幅值和相位，得到第二组数据，将第一组数据中的幅值与第二组数据中的幅值依次相除，相位依次相减，得到金属试验件在测试点处的磁感应强度的幅值比和相位差。
进一步地，S20中，建立精确的电导率-厚度因素二维网格模型，具体为：
S21，对每个节点的电导率先按照σi+1＝1.2σi的规律增加，厚度按照hi+1＝1.2hi规律增加，构建一个粗略的电导率-厚度因素二维网格模型；
S22，然后电导率再按照σi+1＝1.1σi的规律增加，厚度按照hi+1＝1.1hi规律增加，细化电导率-厚度因素二维网格模型；
S23，最后电导率按照σi+1＝1.01σi的规律增加，厚度按照hi+1＝1.01hi规律增加，得到精确的电导率-厚度因素二维网格模型。
进一步地，S32中，先对S20建立的精确的电导率-厚度因素二维网格模型进行区域定位查找确定目标点T的初始网格的位置，具体为：
S32-1，初始化：S20建立的精确的电导率-厚度因素二维网格模型中等厚度曲线的数目为m、等电导率曲线的数目为n，从小到大分别对等电导率曲线和等厚度曲线编号；电导率-厚度因素二维网格模型中任意一交点用(p,q)表示，p代表第p条等厚度曲线，q代表第q条等电导率曲线，p＝1,2,3,…,m，q＝1,2,3,…,n；
S32-2，取中心网格将目标网格分成四个区域：p1为目标网格中最小厚度对应的编号，初始状态下p1＝1；p2为目标网格中最大厚度对应的编号，初始状态p2＝m；q1为目标网格中最小电导率对应的编号，初始状态下q1＝1；q2为目标网格中最大电导率对应的编号，初始状态q2＝n；选取中间点A，编号为(p,q)，其中p＝(p1+p2)/2，q＝(q1+q2)/2，有小数均取整数部分；再取点B和点C，编号分别为(p,q-1)和(p+1,q)，形成AB和AC两条直线，将目标网格划分成四个区域；
S32-3，定位目标点T所属区域，将其作为新的目标网格：定义变量
Mijt＝xi(yt-yj)+xj(yi-yt)+xt(yj-yi) (1)
式(1)中，i，j，t为平面中的三个点，其坐标分别为(xi，yi)、(xj，yj)和(xt，yt)；若Mijt＞0，则从i到j到t为顺时针方向；若Mijt＜0，则从i到j到t为逆时针方向；Mijt＝0，表示i，j，t三点共线；通过计算MABT和MACT判断目标点T与图中直线AB和AC的关系，确定目标点T所在区域，若MABT>0，则T在直线AB的右侧区域，则令p1＝p；MABT<0，则T在直线AB左侧区域，则令p2＝p；若MACT>0，则T在直线AC的下侧区域，则令q1＝q；MACT<0，则T在直线AC上侧区域，则令q2＝q；MACT＝0，则T在直线AC上，则令q1＝q2＝q；
S32-4，判断目标网格是否为单个网格：计算p2-p1和q2-q1是否均等于1，若是，则该目标网格即为初始网格；若否，继续回到S32-2～S32-4，直至p2-p1和q2-q1均等于1，确定初始网格的位置；初始网格的四个顶点分别为D、E、F、G。
更进一步地，S32中，对初始网格位置进行逐一查证，实现对目标点T的精确定位，具体为：通过初步搜索得到的初始网格DEFG，依次连接D、E、F、G、D，形成四条线段，四条线段延长形成的直线将整个网格区域划分为9个区域，当目标点T分别位于9个不同区域时，根据变量MDET、MEFT、MFGT、MGDT的正负判断目标点T位于9个区域中的位置，然后将初始网格DEFG移动到该区域；即完成了目标点T的精确定位。
进一步地，S33中，通过插值计算逆向求解得到待测金属试验件的电导率和厚度，具体为：初始网格DEFG的四条边DE、EF、FG和GD分别代表金属试验件厚度h2、电导率值σ1、金属试验件厚度h1、电导率值σ2，再分别在DE、EF、FG和GD各边选取点1、点2、点3、点4，形成平行四边形D'E'F'G'，再根据D'E'F'G'四条边的几何性质插值计算得到目标点T对应的电导率σT和厚度hT；
其中，点1、点2、点3、点4的坐标为：
Figure BDA0002637270920000041
式(2)中，x1、x2、x3、x4、xD、xE、xF、xG分别为点1、点2、点3、点4、点D、点E、点F、点G在跨阻抗网格图中的横坐标；yD、yE、yF、yG分别是点D、点E、点F、点G在跨阻抗网格图中的纵坐标；d1、d2、d3、d4分别为目标点T分别到DE、EF、FG和GD各边的距离；
插值计算的公式为：
Figure BDA0002637270920000042
式(3)中，a1、a2、b1、b2分别为目标点T到线段D'E'、E'F'、F'G'和G'D'各边的距离；
式(3)中，系数a、b用式(4)计算：
Figure BDA0002637270920000051
进一步地，还包括将实测结果与通过电导率-厚度二维网格仿真模型得到的仿真结果作对比，获得电导率-厚度二维网格仿真模型的准确率的步骤。
本发明的有益效果是：
(1)本发明采用TMR2701磁场传感器代替电涡流传感器探头组件原有的感应线圈，可以避免感应线圈的感应电压大小受激励频率的影响，从而可以降低激励电流的频率，降低激励电流的频率可以提高涡流的穿透深度，进而可以实现大厚度金属厚度和电导率的测量。
(2)本发明的电导率-厚度二维网格模型作为实际测厚的物理模型，通过增加电导率-厚度二维网格模型的密度提高逆向求解的精度，采用电导率-厚度二维网格模型进行逆向求解，可以简化求解过程，实现对大厚度金属材料电导率和厚度的无损检测。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明TMR2701输出特性曲线图。
图2是本发明T-EC传感器模型示意图。
图3是本发明1.2倍增长速率的电导率-厚度二维网格模型示意图。
图4是本发明1.1倍增长速率的电导率-厚度二维网格模型示意图。
图5是本发明1.02倍增长速率的电导率-厚度二维网格模型示意图。
图6是本发明区域定位确定目标点T的初始网格位置的示意图。
图7是本发明目标网格区域划分示意图。
图8是本发明初始网格移动方向示意图。
图9是本发明精确定位算法流程图。
图10是本发明插值算法中的跨阻抗网格图。
图11是本发明平行四边形中目标点T的插值求解示意图。
图12是本发明精确的提离距离-厚度二维网格模型的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明以金属材料厚度和电导率的无损测量为出发点，设计了一种基于TMR磁场传感器的改进型电涡流传感器(T-EC)。用高灵敏度的TMR磁场传感器替代感应线圈，并减少激励线圈匝数，降低激励频率，使得改进型电涡流传感器(T-EC)适用于大厚度金属材料厚度的测量。
步骤1：建立TMR-涡流传感器(T-EC)探头组件模型。
如图2所示，TMR-涡流传感器(T-EC)的探头组件结构原理图。TMR-涡流传感器(T-EC)的探头组件构成包括：TMR2701传感器、恒流线圈、激励线圈；准备两块规格完全相同的具有中空空腔的电木板，中空空腔的半径为6.5mm，每一块电木板的厚度为0.6mm；在一块电木板的上下表面分别对应印制三圈恒流线圈，并在各恒流线圈表面喷涂绝缘油漆；在另一块电木板的上下表面分别对应印制三圈激励线圈，并在各激励线圈表面喷涂绝缘油漆；将印制有恒流线圈的电木板与印制有激励线圈的电木板的中空空腔对齐，用胶水粘合起来；恒流线圈各线圈半径分别与激励线圈各线圈半径对应且相同，内圈半径为7.5mm，中圈半径8.25mm，外圈半径9mm；且两层电木板上各线圈同轴设置，保持恒流线圈在上，激励线圈在下；将TMR2701传感器竖向置于恒流线圈中心轴线正上方；由于TMR2701传感器的敏感轴为x轴，因此，TMR2701传感器x轴设置与激励线圈和感应线圈的中心轴线重合；TMR2701传感器中心与被测金属试验件上表面之间的距离记为提离距离；构成TMR-涡流传感器(T-EC)的探头组件。
其中，在TMR-涡流传感器(T-EC)中设置恒流线圈的原因是：TMR(隧道磁阻)传感器是一种对磁场强度特别敏感的传感器，如图1的TMR传感器的输出响应曲线所示，TMR传感器在0点处存在磁滞效应，磁滞范围是0-0.2Oe(Oersted)，因此为了克服TMR传感器在0点处磁滞效应的影响，在激励线圈上方需要加上恒流线圈，产生偏置磁场，使TMR2701传感器工作在线性区域。
采用具有上述探头组件的TMR-涡流传感器测量被测金属试验件的电导率和厚度，探头组件始终紧压在被测试验金属件上，TMR磁场传感器敏感中心距离被测试验件的提离距离没有发生变化；将获取的多个电导率和相应的厚度数据形成网格数据库，根据网格数据库形成电导率-厚度二维网格仿真模型，将实测结果与仿真结果作对比，得到该电导率-厚度二维网格仿真模型的准确率。
步骤2：金属材料的电导率-厚度因素二维网格模型的建立。
将TMR-涡流传感器(T-EC)的探头组件放置在金属试验件上方进行测试，输出项为测试点处磁感应强度的幅值和相位。
记录金属试验件在不同厚度和不同电导率条件下，测试点处的磁感应强度的幅值和相位，得到第一组数据(包括不同厚度和电导率条件下金属试验件磁感应强度的幅值和相位)。然后再计算TMR-涡流传感器(T-EC)的探头组件放置在空气中时测试点处磁感应强度的幅值和相位，得到第二组数据(只有一个幅值和相位)。将第一组数据中的幅值与第二组数据中的幅值依次相除，相位依次相减，得到电导率-厚度因素二维网格模型每个节点的数值，通过COMSOL有限元软件构建厚度-电导率二维网格模型。
其中，金属试验件的厚度采用游标卡尺测量，电导率通过材料手册查得。
步骤2.1：电导率-厚度因素二维网格模型的精确过程。
首先进行粗略扫描，分析随着被测金属试验件厚度和电导率的变化，其中电导率按着σi+1＝1.2σi的规律增加，厚度按着hi+1＝1.2hi规律增加，构建一个粗略的电导率-厚度因素二维网格模型，形成模型框架。如图3所示，这时得到的二维网格模型由于网格数据量的厚度和电导率跨度大，网格少，其精度较低。
然后对模型框架进行精度调整，方法是增加网格数据库数量，电导率按着σi+1＝1.1σi的规律增加，厚度按着hi+1＝1.1hi规律增加，使电导率-厚度因素二维网格模型的精度提高。如图4所示，这时得到的二维网格模型由于网格数据量提高，网格得到细化，精度得到提高。
为进一步提高电导率-厚度因素二维网格模型的精度，再次增加网格数据库数量，电导率按着σi+1＝1.01σi的规律增加，厚度按着hi+1＝1.01hi规律增加，得到精密的电导率-厚度因素二维网格模型。如图5所示，这时得到的二维网格模型由于网格数据量的进一步大量提高，网格得到进一步细化，精度得到进一步提高。
步骤3：步骤2建立的电导率-厚度因素二维网格模型的逆向求解应用。
通过TMR-涡流传感器(T-EC)测试计算得到某一难以直接测得厚度的待测金属件的磁感应强度的幅值与相位，将得到的幅值与TMR-涡流传感器(T-EC)的探头组件放置在空气中时测试点处磁感应强度的幅值相比，相位相减。将待测金属件的幅值比与相位差导入至步骤2的电导率-厚度因素二维网格模型中，逆向求解，查找计算出该幅值比与相位差对应的待测金属件的厚度与电导率，实现难以直接测得厚度和电导率的待测金属件的无损检测。
由于步骤2的高精度的电导率-厚度因素二维网格模型的网格数据量较大，将得到的幅值比与相位差输入电导率-厚度因素二维网格模型中，一个一个搜索相应的厚度和电导率的效率较低，需要建立合理的定位方法减少计算量，提高搜索效率。一种定位方法是先对初始点进行逐个网格搜索查证确定初始网格，下一个点在初始网格附近进行搜索，这种方法虽然效率有所提高，但是在对第一个点进行定位时效率不高。
本发明建立了一种新的定位算法，其主要思想为：先进行区域定位查找，找到目标点或附近的初始网格；然后对初始网格及其附近的点进行逐一查证，就可以对目标点进行精确定位。
步骤3-1，网格搜索：
如图5、图6所示，本发明通过区域定位查找确定目标点的初始网格位置的定位算法主要包括以下几个步骤：
3-1.1初始化：设厚度-电导率二维网格模型中的等厚度曲线的数目为m、等电导率曲线的数目n，从小到大分别给等电导率曲线和等厚度曲线编号。网格中任意一交点可以用(p,q)表示，p代表第p条等厚度曲线，q代表第q条等电导率曲线，p＝1,2,3,…,m，q＝1,2,3,…,n。
3-1.2取中心网格将目标网格分成四个区域。定义p1为目标网格中最小厚度对应的编号，初始状态下p1＝1；定义p2为目标网格中最大厚度对应的编号，初始状态p2＝m；定义q1为目标网格中最小电导率对应的编号，初始状态下q1＝1；定义q2为目标网格中最大电导率对应的编号，初始状态q2＝n。选取中间点A，编号为(p,q)，其中p＝(p1+p2)/2，q＝(q1+q2)/2，有小数均取整数部分；再取点B和点C，编号分别为(p,q-1)和(p+1,q)，形成AB和AC两条直线，将目标网格划分成四个区域。
3-1.3定位目标点T所属区域，将其作为新的目标网格。定义变量Mijt如式(1)所示，若Mijt＞0，则从i到j到t为顺时针方向；若Mijt＜0，则从i到j到t为逆时针方向；Mijt＝0，表示i，j，t三点共线。因此，通过计算MABT和MACT可以判断目标点T与图中直线AB和AC的关系，确定目标点T所在区域，若MABT>0，则T在直线AB的右侧区域，则令p1＝p；MABT<0，则T在直线AB左侧区域，则令p2＝p；若MACT>0，则T在直线AC的下侧区域，则令q1＝q；MACT<0，则T在直线AC上侧区域，则令q2＝q；MACT＝0，则T在直线AC上，则令q1＝q2＝q；
Mijt＝xi(yt-yj)+xj(yi-yt)+xt(yj-yi) (1)
式中，i，j，t为平面中的三个点，其坐标分别为(xi，yi)、(xj，yj)和(xt，yt)。
3-1.4判断目标网格是否为单个网格。计算p2-p1和q2-q1是否均等于1，若是，则该目标网格即为初始网格；若否，继续回到3-1.2～3-1.4，直至p2-p1和q2-q1均等于1。根据最终的p1，p2，q1和q2的值即可确定初始网格的位置。
步骤3-2，精细化搜索：
在得到初始网格DEFG(D、E、F、G是通过初步搜索得到的初始网格的四个顶点的坐标)之后，可通过四条线段延长形成的直线将整个网格区域划分为9个区域(从A1到A9)，如图8所示。图8中目标点T在不同区域时变量的正负(正用+表示，负用-表示)的含义如表1所示。
表1目标点T在不同区域时变量的正负的含义
目标点T所在区域 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9
MDET - - - + + + + + +
MEFT + + - - - + + + +
MFGT + + + + - - - + +
MGDT - + + + + + - - +
当目标点T分别位于9个不同区域时，根据变量MDET、MEFT、MFGT、MGDT的正负就可以判断目标点T位于9个区域中的位置，然后将初始网格DEFG移动到该区域。例如，如果MDET、MEFT、MFGT、MGDT正负分别为负、正、正、负，则可以判断目标点T在A1区域，将初始网格DEFG移动到A1区域中与A9网格相邻的网格后再进行判断，直到MDET、MEFT、MFGT、MGDT均为正时(目标点T在DEFG内)，如图9具体流程所示，即完成了目标点T的精确定位。
步骤3-3，电导率与厚度的插值求解：
通过定位算法得到了目标点T所在初始网格DEFG的位置，根据几何关系，插值求得电导率和厚度。如图10所示，初始网格DEFG的四条边DE、EF、FG和GD分别代表被测试验件厚度h2、电导率值σ1、被测试验件厚度h1、电导率值σ2，插值的目的就是根据点T和各边的几何关系，估算出点T对应的电导率值和被测试验件厚度。通过模型计算中得到的网格一般是四边形，本发明插值的方法是在初始网格DEFG各边上选取点1、2、3、4，形成平行四边形D'E'F'G'，再根据平行四边形的几何性质插值得到点T对应的电导率值和厚度。
图10的跨阻抗网格图中，点1、2、3、4为初始网格DEFG各边上的点，其坐标由式(2)确定：
Figure BDA0002637270920000101
式(2)中，x1、x2、x3、x4、xD、xE、xF、xG分别为点1、点2、点3、点4、点D、点E、点F、点G在跨阻抗网格图中的横坐标；yD、yE、yF、yG分别是点D、点E、点F、点G在跨阻抗网格图中的纵坐标；d1、d2、d3、d4分别为目标点T分别到DE、EF、FG和GD各边的距离；
如图11所示，根据平行四边形的性质，可采用式(3)进行线性插值得到点T对应的电导率σT和厚度hT：
Figure BDA0002637270920000102
式(3)中，a1、a2、b1、b2分别为目标点T到线段D'E'、E'F'、F'G'和G'D'各边的距离；
式(3)中，系数a、b用式(4)计算：
Figure BDA0002637270920000111
其中，关于提离距离的确定：
测试点处的磁感应强度不仅受激励频率、被测试验件电导率和厚度的影响，而且还受提离距离的影响。在进行本实验时，激励线圈中心处的TMR探头始终紧压在被测试验件上，所以TMR磁场传感器敏感中心距离被测试验件的具体没有发生变化，只有激励线圈和被测试验件之间的提离距离会发生变化。因此，在进行逆向求解时，只有在提离距离一定的条件下，才能保证逆向求解的结果的正确性。本实施例以不同厚度的AL6061铝合金为标准，对激励线圈的提离距离进行确定。通过仿真计算在不同提离距离和被测试验件厚度下测试点处的磁感应强度，作出随着提离距离和被测试验件厚度变化的提离距离-厚度二维网格模型，将激励频率为500Hz时，不同厚度的AL6061铝合金的实验数据带入二维网格模型，如图12所示。
由于提离距离的范围为0.03mm～0.15mm，将实验结果带入网格中可以看出，试验点集中在L8附近，则通过网格可以判断，在本发明实验中，激励线圈的提离距离为0.1mm。所以在进行逆向求解时，需要将提离距离设置为0.1mm。
经过信号处理，得到处理后的数据，将该值带入二维网格模型进行逆向求解，得到被测试验件的电导率和厚度。
对于AL2024铝合金材料，在不同激励频率下，逆向求解结果如表格2-表格5所示。
表格2 AL2024铝合金在激励频率f＝500Hz的实验结果
Figure BDA0002637270920000121
表格3 AL2024铝合金在激励频率f＝1000Hz的实验结果
Figure BDA0002637270920000122
表格4 AL2024铝合金在激励频率f＝5KHz的实验结果
Figure BDA0002637270920000123
表格5 AL2024铝合金在激励频率f＝10KHz的实验结果
Figure BDA0002637270920000124
(/表示由于网格畸变无法逆向求解)
对于AL6061铝合金材料，在不同激励频率下，逆向求解结果如表格6-表格9所示。
表格6 AL6061铝合金在激励频率f＝500Hz的实验结果
Figure BDA0002637270920000131
表格7 AL6061铝合金在激励频率f＝1000Hz的实验结果
Figure BDA0002637270920000132
表格8 AL6061铝合金在激励频率f＝5KHz的实验结果
Figure BDA0002637270920000133
表格9 AL6061铝合金在激励频率f＝10KHz的实验结果
Figure BDA0002637270920000134
(/表示由于网格畸变无法逆向求解)
精确逆向求解：
根据逆向求解的实验结果可知，对于电导率和厚度的逆向求解精度较低，本实施例通过采用提高网格密度的方法来提高逆向求解的精度，本发明以AL2024铝合金为研究对象，同时根据步骤2中电导率-厚度二维网格模型，在激励频率为1000Hz下网格的正交性较好，因此选择激励频率为1KHz。电导率从1E+7S/m按照增加到2.03E+7S/m，厚度从1.8mm按照规律增加到6.14mm，通过仿真计算处电导率-厚度二维网格模型，如图9所示。然后将实验结果带入二维网格模型，进行逆向求解，得出结果，如表格10所示。
表格10 AL2024铝合金的精确逆向求解结果
Figure BDA0002637270920000141
结果分析：
当激励电流频率为500Hz和1000Hz时，通过厚度-电导率二维网格模型进行逆向求解精度较高，均小于10％。当激励电流频率为5KHz时，当两种铝合金的厚度不超过3mm时，逆向求解精度较高。当被测试验件厚度超过3mm时，逆向求解误差增大。当激励频率为10KHz，对于AL2024铝合金，在试验件厚度为2mm时，逆向求解精度较高。当被测试验件厚度大于2mm时，逆向求解无解。对于AL6061铝合金，由于电导率比AL2024大，在被测试验件厚度为2mm时无法进行逆向求解。通过增加网格密度，进行精细化逆向求解可知，通过增加网格的密度，可以提高逆向求解的精度。
本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10：建立TMR-涡流传感器的探头组件；
S20：采用TMR-涡流传感器测试以及计算得到不同厚度和电导率的金属试验件在测试点处的磁感应强度的幅值比和相位差，作为电导率-厚度因素二维网格模型每个节点的数值，建立精确的电导率-厚度因素二维网格模型；
S30：基于精确的电导率-厚度因素二维网格模型的逆向求解：
S31，采用TMR-涡流传感器测试以及计算得到待测金属件在测试点处的磁感应强度的幅值比和相位差，作为目标点T；
S32，先对S20建立的精确的电导率-厚度因素二维网格模型进行区域定位查找确定目标点T的初始网格的位置；然后对初始网格的位置进行逐一查证，实现对目标点T的精确定位；
S33，通过插值计算逆向求解得到待测金属件的电导率和厚度，实现待测金属件的无损检测。
2.根据权利要求1所述的一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法，其特征在于，S10中，所述建立TMR-涡流传感器的探头组件具体为：TMR2701传感器竖向置于恒流线圈中心轴线正上方，所述恒流线圈正下方置有激励线圈；TMR2701传感器、恒流线圈、激励线圈共同构成TMR-涡流传感器的探头组件。
3.根据权利要求2所述的一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法，其特征在于，所述恒流线圈各线圈半径分别与激励线圈各线圈半径对应且相同：内圈半径为7.5mm，中圈半径8.25mm，外圈半径9mm。
4.根据权利要求1所述的一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法，其特征在于，S20中，所述采用TMR-涡流传感器测试以及计算得到不同厚度和电导率的金属试验件在测试点处的磁感应强度的幅值比和相位差，具体为：采用TMR-涡流传感器测试不同厚度和电导率的金属试验件在测试点处的磁感应强度的幅值和相位，得到第一组数据，然后再计算TMR-涡流传感器放置在空气中时测试点处磁感应强度的幅值和相位，得到第二组数据，将第一组数据中的幅值与第二组数据中的幅值依次相除，相位依次相减，得到金属试验件在测试点处的磁感应强度的幅值比和相位差。
5.根据权利要求1所述的一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法，其特征在于，S20中，所述建立精确的电导率-厚度因素二维网格模型，具体为：
S21，对每个节点的电导率先按照σi+1＝1.2σi的规律增加，厚度按照hi+1＝1.2hi规律增加，构建一个粗略的电导率-厚度因素二维网格模型；
S22，然后电导率再按照σi+1＝1.1σi的规律增加，厚度按照hi+1＝1.1hi规律增加，细化电导率-厚度因素二维网格模型；
S23，最后电导率按照σi+1＝1.01σi的规律增加，厚度按照hi+1＝1.01hi规律增加，得到精确的电导率-厚度因素二维网格模型。
6.根据权利要求1所述的一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法，其特征在于，S32中，所述先对S20建立的精确的电导率-厚度因素二维网格模型进行区域定位查找确定目标点T的初始网格的位置，具体为：
S32-1，初始化：S20建立的精确的电导率-厚度因素二维网格模型中等厚度曲线的数目为m、等电导率曲线的数目为n，从小到大分别对等电导率曲线和等厚度曲线编号；电导率-厚度因素二维网格模型中任意一交点用(p,q)表示，p代表第p条等厚度曲线，q代表第q条等电导率曲线，p＝1,2,3,…,m，q＝1,2,3,…,n；
S32-2，取中心网格将目标网格分成四个区域：p1为目标网格中最小厚度对应的编号，初始状态下p1＝1；p2为目标网格中最大厚度对应的编号，初始状态p2＝m；q1为目标网格中最小电导率对应的编号，初始状态下q1＝1；q2为目标网格中最大电导率对应的编号，初始状态q2＝n；选取中间点A，编号为(p,q)，其中p＝(p1+p2)/2，q＝(q1+q2)/2，有小数均取整数部分；再取点B和点C，编号分别为(p,q-1)和(p+1,q)，形成AB和AC两条直线，将目标网格划分成四个区域；
S32-3，定位目标点T所属区域，将其作为新的目标网格：定义变量
Mijt＝xi(yt-yj)+xj(yi-yt)+xt(yj-yi) (1)
式(1)中，i，j，t为平面中的三个点，其坐标分别为(xi，yi)、(xj，yj)和(xt，yt)；若Mijt＞0，则从i到j到t为顺时针方向；若Mijt＜0，则从i到j到t为逆时针方向；Mijt＝0，表示i，j，t三点共线；通过计算MABT和MACT判断目标点T与图中直线AB和AC的关系，确定目标点T所在区域，若MABT>0，则T在直线AB的右侧区域，则令p1＝p；MABT<0，则T在直线AB左侧区域，则令p2＝p；若MACT>0，则T在直线AC的下侧区域，则令q1＝q；MACT<0，则T在直线AC上侧区域，则令q2＝q；MACT＝0，则T在直线AC上，则令q1＝q2＝q；
S32-4，判断目标网格是否为单个网格：计算p2-p1和q2-q1是否均等于1，若是，则该目标网格即为初始网格；若否，继续回到S32-2～S32-4，直至p2-p1和q2-q1均等于1，确定初始网格的位置；初始网格的四个顶点分别为D、E、F、G。
7.根据权利要求1所述的一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法，其特征在于，S32中，所述对初始网格位置进行逐一查证，实现对目标点T的精确定位，具体为：通过初步搜索得到的初始网格DEFG，依次连接D、E、F、G、D，形成四条线段，四条线段延长形成的直线将整个网格区域划分为9个区域，当目标点T分别位于9个不同区域时，根据变量MDET、MEFT、MFGT、MGDT的正负判断目标点T位于9个区域中的位置，然后将初始网格DEFG移动到该区域；即完成了目标点T的精确定位。
8.根据权利要求1所述的一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法，其特征在于，S33中，所述通过插值计算逆向求解得到待测金属件的电导率和厚度，具体为：初始网格DEFG的四条边DE、EF、FG和GD分别代表金属试验件厚度h2、电导率值σ1、金属试验件厚度h1、电导率值σ2，再分别在DE、EF、FG和GD各边选取点1、点2、点3、点4，形成平行四边形D'E'F'G'，再根据D'E'F'G'四条边的几何性质插值计算得到目标点T对应的电导率σT和厚度hT；
其中，所述点1、点2、点3、点4的坐标为：
Figure FDA0002637270910000031
式(2)中，x1、x2、x3、x4、xD、xE、xF、xG分别为点1、点2、点3、点4、点D、点E、点F、点G在跨阻抗网格图中的横坐标；yD、yE、yF、yG分别是点D、点E、点F、点G在跨阻抗网格图中的纵坐标；d1、d2、d3、d4分别为目标点T分别到DE、EF、FG和GD各边的距离；
所述插值计算的公式为：
Figure FDA0002637270910000041
式(3)中，a1、a2、b1、b2分别为目标点T到线段D'E'、E'F'、F'G'和G'D'各边的距离；
式(3)中，系数a、b用式(4)计算：
Figure FDA0002637270910000042
9.根据权利要求1所述的一种基于TMR传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法，其特征在于，还包括将实测结果与通过电导率-厚度二维网格仿真模型得到的仿真结果作对比，获得电导率-厚度二维网格仿真模型的准确率的步骤。
CN202010829148.1A 2020-08-18 2020-08-18 一种基于tmr传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法 Active CN111999378B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010829148.1A CN111999378B (zh) 2020-08-18 2020-08-18 一种基于tmr传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010829148.1A CN111999378B (zh) 2020-08-18 2020-08-18 一种基于tmr传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111999378A true CN111999378A (zh) 2020-11-27
CN111999378B CN111999378B (zh) 2023-08-29

Family

ID=73472496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010829148.1A Active CN111999378B (zh) 2020-08-18 2020-08-18 一种基于tmr传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111999378B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112834575A (zh) * 2021-01-04 2021-05-25 华东理工大学 一种纤维增强型压力容器及基于其的损伤监测方法
CN113607214A (zh) * 2021-08-03 2021-11-05 北京理工大学 一种金属管道参数确定方法及系统
CN115598708A (zh) * 2021-07-09 2023-01-13 哈尔滨工程大学（Cn） 一种基于网格搜索法的物料传送带金属异物定位装置及其定位方法
CN116299119A (zh) * 2023-02-15 2023-06-23 中车工业研究院有限公司 一种电导率及其修正系数测定方法
CN116660364A (zh) * 2023-05-26 2023-08-29 合肥工业大学 一种基于双传感器漏磁检测的管道缺陷量化方法
CN118731158A (zh) * 2024-09-04 2024-10-01 湖南省湘电试验研究院有限公司 基于多频涡流检测信号的变提离下铜铝材质分选方法及系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5453689A (en) * 1991-12-06 1995-09-26 Massachusetts Institute Of Technology Magnetometer having periodic winding structure and material property estimator
US6188218B1 (en) * 1997-10-29 2001-02-13 Jentek Sensors, Inc. Absolute property measurement with air calibration
US6377039B1 (en) * 1997-11-14 2002-04-23 Jentek Sensors, Incorporated Method for characterizing coating and substrates
US20020158626A1 (en) * 2000-11-08 2002-10-31 Jentek Sensors, Inc. Deep penetration magnetoquasistatic arrays
US20040021461A1 (en) * 2002-06-04 2004-02-05 Jentek Sensors, Inc. High resolution inductive sensor arrays for UXO
CN106940343A (zh) * 2017-03-28 2017-07-11 中国人民解放军国防科学技术大学 一种基于阵列电磁传感器的材料微损伤检测方法及系统
CN109668506A (zh) * 2019-02-21 2019-04-23 电子科技大学 一种基于涡流稳态特性的磁性金属材料厚度检测方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5453689A (en) * 1991-12-06 1995-09-26 Massachusetts Institute Of Technology Magnetometer having periodic winding structure and material property estimator
US6188218B1 (en) * 1997-10-29 2001-02-13 Jentek Sensors, Inc. Absolute property measurement with air calibration
US6377039B1 (en) * 1997-11-14 2002-04-23 Jentek Sensors, Incorporated Method for characterizing coating and substrates
US20020158626A1 (en) * 2000-11-08 2002-10-31 Jentek Sensors, Inc. Deep penetration magnetoquasistatic arrays
US20040021461A1 (en) * 2002-06-04 2004-02-05 Jentek Sensors, Inc. High resolution inductive sensor arrays for UXO
CN106940343A (zh) * 2017-03-28 2017-07-11 中国人民解放军国防科学技术大学 一种基于阵列电磁传感器的材料微损伤检测方法及系统
CN109668506A (zh) * 2019-02-21 2019-04-23 电子科技大学 一种基于涡流稳态特性的磁性金属材料厚度检测方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
QIXU CHEN, ET AL.: "Analysis of Winding MMF and Loss for Axial Flux PMSM With FSCW Layout and YASA Topology", 《IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY APPLICATIONS》, vol. 56, no. 3, pages 2622 - 2635, XP011785492, DOI: 10.1109/TIA.2020.2981445 *
丁华;何宇廷;焦胜博;侯波;: "ω-λ型涡流阵列传感器跨阻抗响应特性分析", vol. 27, no. 2, pages 178 - 184 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112834575A (zh) * 2021-01-04 2021-05-25 华东理工大学 一种纤维增强型压力容器及基于其的损伤监测方法
CN115598708A (zh) * 2021-07-09 2023-01-13 哈尔滨工程大学（Cn） 一种基于网格搜索法的物料传送带金属异物定位装置及其定位方法
CN113607214A (zh) * 2021-08-03 2021-11-05 北京理工大学 一种金属管道参数确定方法及系统
CN116299119A (zh) * 2023-02-15 2023-06-23 中车工业研究院有限公司 一种电导率及其修正系数测定方法
CN116660364A (zh) * 2023-05-26 2023-08-29 合肥工业大学 一种基于双传感器漏磁检测的管道缺陷量化方法
CN118731158A (zh) * 2024-09-04 2024-10-01 湖南省湘电试验研究院有限公司 基于多频涡流检测信号的变提离下铜铝材质分选方法及系统
CN118731158B (zh) * 2024-09-04 2025-01-28 湖南省湘电试验研究院有限公司 基于多频涡流检测信号的变提离下铜铝材质分选方法及系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN111999378B (zh) 2023-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111999378B (zh) 一种基于tmr传感器的金属材料电导率和厚度的测量方法
CN103336049B (zh) 一种消除提离效应的脉冲涡流检测方法及装置
Amineh et al. Characterization of surface-breaking cracks using one tangential component of magnetic leakage field measurements
CN106500581B (zh) 一种非铁磁性金属上非铁磁性金属涂镀层厚度的测量方法
CN109668506B (zh) 一种基于涡流稳态特性的磁性金属材料厚度检测方法
CN101460808A (zh) 确定在导电基底上导电涂层的层厚的方法
Li et al. Thickness measurement of thermal barrier coating based on mutual inductance of eddy current system
CN103399083B (zh) 一种脉冲涡流检测提离效应的抑制方法
CN101131314B (zh) 一种铁基体上镍镀层的无损测厚方法
CN106940343A (zh) 一种基于阵列电磁传感器的材料微损伤检测方法及系统
UA80755C2 (en) Method of noncontact measurement of resistance by eddy-current sensors and a device for the realization of the method
CN109540053B (zh) 一种基于单线圈的金属母材及表面非金属涂层快速测厚方法
CN111309705A (zh) 基于单对电极电容成像检测技术的开口缺陷多提离数据库量化方法
Malikov et al. Subminiature eddy-current transducers for conductive materials research
CN111999377A (zh) 漏磁检测表征缺陷宽度的方法
Martinos et al. A benchmark problem for eddy current nondestructive evaluation
CN118311097A (zh) 一种基于等效涡流厚度的金属薄膜电导率检测方法
Bui et al. Liftoff-insensitive conductivity mapping using a self-resonant eddy-current probe
CN111044604B (zh) 一种acfm单轴磁信号评估方法
CN108426944A (zh) 一种基于涡流无损金属探伤在线检定方法及系统
CN115371536A (zh) 一种金属管道裂纹测量方法及系统
CN119044306B (zh) 间隔可调式堆叠涡流探头及探头多特征参数定量评价方法
Svenman Modeling of inductive coil geometry for gap position measurement
Huang et al. An electromagnetic decoupling method in eddy current testing
Kolyshkin et al. Determination of electrical conductivity of metal plates using planar spiral coils

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant