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CN111384123B - 电致发光照明装置 - Google Patents

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CN111384123B
CN111384123B CN201911335286.8A CN201911335286A CN111384123B CN 111384123 B CN111384123 B CN 111384123B CN 201911335286 A CN201911335286 A CN 201911335286A CN 111384123 B CN111384123 B CN 111384123B
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Abstract

本公开提供电致发光照明装置，包括：基板，其包括发光区域和围绕发光区域的非发光区域；在非发光区域处围绕发光区域的布线；设置在发光区域中的辅助线，所述辅助线连接布线并且限定像素区域；设置在像素区域内的反射电极；覆盖布线、辅助线和反射电极的高电阻层；在发光区域上方的高电阻层上的发光层；以及在发光层上的阴极层。

Description

电致发光照明装置
技术领域
本公开涉及电致发光照明装置。特别地，本公开涉及具有有机发光元件并将光提供至基板的顶侧的电致发光照明装置。
背景技术
最近，基于有机发光装置的许多优势和/或优点，积极开展了一系列研究来使用有机发光元件作为照明装置件或显示装置的光源。例如，应用有机发光元件的面光源和/或点光源被应用至用于车辆的照明系统例如内部气氛灯、头灯、雾灯、缩回灯、车灯、数字灯、尾灯、刹车灯、转向指示灯等。
当有机发光元件应用至照明装置时，其需要具有稳固的结构来抵抗能够根据其应用环境从外部渗透的外来材料诸如水分和氧。此外，由于在有机发光元件其本身内发生光量的损失，因此可能降低发光效率。对于照明装置优选的是，有着较低的功耗来提供更多的光量，并且有着较高的发光面积与装置面积的比率而具有优异的效率。为了确保所有的条件，有必要开发完全不同于传统技术的新结构。
发明内容
为了解决上述问题，本公开的目的是提供一种将光提供至装置基板的顶侧的电致发光照明装置。本公开的另一目的是提供一种使装置的发光面积与基板面积的比率最大化的电致发光照明装置。
出于上面提及的目的，本公开提供一种电致发光照明装置，包括：基板，其包括发光区域和围绕发光区域的非发光区域；在非发光区域处围绕发光区域的布线；设置在发光区域中的辅助线，所述辅助线连接布线并且限定像素区域；设置在像素区域内的反射电极；覆盖布线、辅助线和反射电极的高电阻层；在发光区域上方的高电阻层上的发光层；以及在发光层上的阴极层。
在一个实施方案中，辅助线具有在发光区域内以预定间隔排列的多个条状图案；以及像素区域设置在条状图案中的每一个之间。
在一个实施方案中，辅助线具有在发光区域内以预定间隔排列的网格图案；以及像素区域设置在网格图案中的每一个中。
在一个实施方案中，布线、辅助线和反射电极包括不透明金属材料；并且反射电极相对于辅助线以预定间隔分隔开。
在一个实施方案中，通过高电阻层、发光层和阴极层在像素区域内的顺序堆叠结构来构造发光元件。
在一个实施方案中，高电阻层被设置在辅助线与反射电极之间的空间中。
在一个实施方案中，电致发光照明装置还包括：设置在高电阻层下方的钝化层，所述钝化层覆盖辅助层；以及接触孔，所述接触孔穿透钝化层用以将辅助线与高电阻层连接。
在一个实施方案中，钝化层被设置在辅助线与反射电极之间的空间中。
在一个实施方案中，钝化层以接触辅助线的上表面和侧壁表面的方式覆盖辅助线。
在一个实施方案中，高电阻层被设置在接触辅助线的侧壁表面的钝化层的侧壁表面与反射电极之间的空间中。
在一个实施方案中，高电阻层具有在108至109Ω/□范围的薄层电阻。
在一个实施方案中，高电阻层包括1％至10％含量的导电体，80％至90％含量的溶剂，10％至20％含量的粘合剂和1％含量的添加剂。
在一个实施方案中，导电体包括PEDOT：PSS(聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐)作为导电聚合物。
在一个实施方案中，粘合剂包括TEOS(正硅酸乙酯)、SSQ、基于硅的聚硅氧烷和基于丙烯酰基的聚硅氧烷中的任意一种。
在一个实施方案中，导电体包括石墨烯或单壁CNT(SWCNT)或多壁CNT(MWCNT)中的任意一种。
在一个实施方案中，导电体包括铜纳米线(CuNW)、银纳米线(AgNW)和金纳米线(AuNW)中的任意一种。
在一个实施方案中，阴极层包括彼此堆叠的透明导电层和金属层。
在一个实施方案中，阴极层还包括：在金属层下方的第一透明导电层和在金属层上的第二透明导电层。
根据本公开的电致发光照明装置是一种将照射光提供至基板的顶侧的顶部发光型照明装置。因此，无论照明装置的下部结构，都可以使发光面积与总基板面积的比率最大化。此外，将超薄半透明金属层应用至透明阴极层，对特定波长的透光率可以最大化，使得可以提高光效率。
附图说明
本申请包括附图以提供对本公开的进一步理解，附图被并入本申请中并构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施方案并且与说明书一起用于说明本公开的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开的第一实施方案的电致发光照明装置的平面图。
图2是沿图1中的剖切线I-I’截取的示出根据本公开的第一实施方案的电致发光照明装置的结构的截面图。
图3是示出根据本公开的第二实施方案的电致发光照明装置的平面图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的示例性实施方案，所述实施方案的实施例在附图中示出。尽可能地，贯穿附图将使用相同的附图标记来指代相同或相似部分。在说明书中，应该注意的是，针对元件尽可能地使用在其他附图中已经用于表示相似元件的相似附图标记。在下面的描述中，当本领域技术人员已知的功能和配置与本公开的必要配置无关时，将省略其详细描述。说明书中描述的术语应该理解如下。本公开的优点和特点及其实现方法将通过参照附图描述的下面的实施方案来阐明。然而，本公开可以以不同的形式实施，且不应被解释为限于本文中陈述的实施方案。相反，提供这些实施方案以便本公开将是透彻和完整的，并将本公开的范围充分传达至本领域技术人员。此外，本公开仅由权利要求书的范围界定。
附图中公开的用于描述本公开的实施方案的形状、尺寸、比例、角度和数字仅是实施例，因此本公开不限于所描述的细节。贯穿全文，相似附图标记指的是相似元件。在下面的描述中，当有关已知功能或配置的详细描述被确定为会不必要地模糊本公开的重点时，将省略该详细描述。
在使用本说明书中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，也可能存在另一部分，除非使用“仅”。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在对元件进行解释时，尽管没有明确的描述，但是该元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当位置顺序被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“靠近”时，可以包括其之间未接触的情况，除非使用“刚好”或“紧接”。如果提到第一元件被放置在第二元件“上”，这并不意味着图中第一元件必要地放置在第二元件上方。有关对象的上部和下部可以根据对象的方位而改变。因此，第一元件放置在第二元件“上”的情况包括在图中或在实际配置中第一元件放置在第二元件“下方”的情况以及第一元件放置在第二元件“上方”的情况。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可以包括非连续的情况，除非使用“刚好”或“紧接”。
将理解，虽然在本文中可以使用“第一”、“第二”等术语来描述各种各样元件，但是这些元件不应该被这些术语限定。这些术语只用来区别一个元件与另一个。例如，在不偏离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，以及类似地，第二元件可以被称为第一元件。
应该理解，术语“至少一个”包括与任意一个术语有关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件之中的至少一个”可以包括选自第一元件、第二元件和第三元件的两个或更多个元件的所有组合以及第一元件、第二元件和第三元件中的每个元件。
本公开的各种各样的实施方案的特征可以部分地或全部地彼此耦合或组合，以及可以彼此各种各样的相互操作并技术地驱动，如本领域技术人员可以充分理解的。本公开的实施方案可以彼此独立地执行，或者可以以相互依存的关系一起执行。
<第一实施方案>
在下文中，参照图1和图2，说明根据本公开的第一实施方案的电致发光照明装置。图1是示出根据本公开的第一实施方案的电致发光照明装置的平面图。图2是沿图1中的剖切线I-I’截取的示出根据本公开的第一实施方案的电致发光照明装置的结构的截面图。在本实施方案中，照明装置是有机发光照明装置，但其不限于此。
参照图1和图2，根据本公开的第一实施方案的电致发光照明装置包括基板SUB、布线RL、辅助线AL、反射电极RE、高电阻层HL、发光层EL、阴极层CAT、发光元件ED、第一焊盘AP、第二焊盘CP、封装层EN和封装玻璃CG。
基板SUB作为基础的基板(或基层)包括塑料材料或玻璃材料。例如，基板SUB可以包括不透明或有色聚酰亚胺材料。基板SUB可以包括柔性基板或刚性基板。例如，柔性基板SUB可以由玻璃材料制成，该柔性基板SUB可以是具有100微米或更小的厚度的薄玻璃基板，或者可以是具有100微米或更小的厚度的蚀刻玻璃基板。
照明装置可以具有适合于功能目的的各种各样的形状和特性。因此，优选的是，基板SUB具有适合于其功能和目的的特征。例如，基板SUB可以由不透明材料形成以在基板SUB的仅一个方向上提供光，或者可以由透明材料形成以在基板SUB的两个方向上提供光。在一个实施例中，在平面图中，基板SUB可以具有：矩形形状；圆化矩形形状，其中每个角被圆化成有一定曲率的半径；具有至少5条边的非方形形状；圆形形状或椭圆形状。当确定照明装置的形状和尺寸时，基板SUB可以具有诸如长形矩形、规则矩形、菱形和多边形的各种各样形状。
基板SUB可以包括发光区域AA和非发光区域IA。发光区域AA设置在基板SUB的最中间部分，发光区域AA可以限定为用于发射光的区域。在一个实施例中，在平面图中，发光区域AA可以具有矩形形状、圆化的矩形形状和具有至少5条边的非矩形形状。发光区域AA可以具有与基板SUB相同的形状，但不一定。出于制造目的和/或功能要求，发光区域AA的形状可以具有与基板SUB不同的形状。
在基板SUB的外周区域内设置非发光区域IA以围绕发光区域AA，非发光区域IA可以定义为不从此处提供光的区域。在一个实施例中，非发光区域IA可以包括设置在基板SUB的第一侧处的第一非发光区域IA1、设置在第二侧处的平行于第一非发光区域IA1的第二非发光区域IA2、设置在第三侧处的垂直于第一非发光区域IA1的第三非发光区域IA3以及设置在第四侧处的平行于第三非发光区域IA3的第四非发光区域IA4。详细地，第一非发光区域IA1可以设置在基板SUB的上侧(或下侧)，第二非发光区域IA2可以设置在基板SUB的下侧(或上侧)，第三非发光区域IA3可以设置在基板SUB的左侧(或右侧)，并且第四非发光区域IA4可以设置在基板SUB的右侧(或左侧)。但其不限于此。
缓冲层(未示出)可以沉积在基板SUB的整个表面上。在使用玻璃或金属材料用于基板SUB的情况下，可以省略缓冲层。对于柔性照明装置的情况，优选的是，首先在塑料基板SUB上沉积缓冲层。
缓冲层是用于防止诸如水分或氧的外来材料侵入发光元件ED的元件。例如，缓冲层可以包括多个无机层，其中不同的无机材料彼此交替堆叠。在一个实施例中，缓冲层可以包括多个层，其中硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氧氮化物层(SiON)中的任意一个的两个或更多个无机层。缓冲层可以具有彼此交替堆叠的有机层和无机层中的至少两个。
布线RL布置在缓冲层(未示出)或基板SUB上的非发光区域IA处。例如，布线RL可以设置为矩形带状，该矩形带状沿从第一非发光区域IA1、第二非发光区域IA2、第三非发光区域IA3至第四非发射区IA4的路径连续地链接以围绕发光区域AA。还可以包括第一焊盘AP的第一层M1以从布线RL延伸至第一非发光区域IA1和/或第二非发光区域IA2。
此外，还包括第二焊盘CP的第一层M1。优选的是，第二焊盘CP的第一层M1设置在非发光区域IA处。特别地，优选的是，第二焊盘CP的第一层M1相对于第一焊盘AP的第一层M1物理地且电地分隔开。例如，第一焊盘AP的第一层M1可以分成两部分，其中它们中的每一个分别设置在第一非发光区域IA1的两侧处，以及第二焊盘CP的第一层M1可以设置在第一非发光区域IA1的中间处。对于另一实施例，第一焊盘AP的第一层M1和第二焊盘CP的第一层M1还可以设置在第二非发光区域IA2处，作为对称结构。
辅助线AL形成在基板SUB或缓冲层上。特别地，辅助线AL可以布置为网格/栅格图案。如图1所示，辅助线AL被图案化为具有多个网格，该网格具有预定方形区域，但不限于此。通过辅助线AL的网格结构，单元像素区域P可以限定为对应于网格形状。辅助线AL可以均匀地分布在发光区域AA内，以保持均匀的电力电压。
反射电极RE设置在由辅助线AL限定的像素P区域内。反射电极RE可以具有相对于辅助线AL以预定间隔分隔开的岛状。
优选的是，布线RL、辅助线AL和反射电极RE由相同的材料制成。例如，在基板SUB或缓冲层上沉积不透明的金属材料，并且对该金属材料进行图案化以形成布线RL、辅助线AL和反射电极RE。布线RL、第一焊盘AP的第一层M1和辅助线AL可以彼此链接，但反射电极RE可以具有相对于它们分隔开的岛状。此外，优选的是，第二焊盘CP的第一层M1具有相对于布线RL和第一焊盘AP的第一层M1分隔开的结构。
辅助线AL被钝化层PAS覆盖。优选的是，钝化层PAS覆盖辅助线AL的上表面和侧壁表面。辅助线AL连接至第一焊盘AP的第一层M1，使得可以从第一焊盘AP向辅助线AL提供驱动电力电压。优选的是，辅助线AL由具有相对低的线电阻的金属材料制成，以在发光区域AA的整个表面上方均匀地提供驱动电力电压。也就是说，当辅助线AL的线电阻高时，可能发生电压下降，其中因为电阻可能随着远离第一焊盘AP而增加，所以驱动电压可能降低。
辅助线AL是用于将驱动电压提供至高电阻层HL的电路链接线，高电阻层HL可以是堆叠在辅助线AL上的发光元件ED的第一电极AE。因此，在覆盖辅助线AL的钝化层PAS处形成接触孔CH，辅助线AL可以与堆叠在其上的高电阻层HL接触。
高电阻层HL沉积在具有由不透明金属材料制成的布线RL、辅助线AL、反射电极RE和第一层M1的基板SUB上。此处，覆盖布线RL、辅助线AL、反射电极RE和第一焊盘AP的第一层M1的高电阻层HL可以形成为一个片体。然而，优选的是覆盖第二焊盘CP的第一层M1的高电阻层HL形成为具有与其他部分分隔开的岛状。第一焊盘AP可以是用于供应用于驱动发光元件ED的电力电压的电端子焊盘，以及第二焊盘CP可以是用于供应公共电压的电端子焊盘。因此，第一焊盘AP和第二焊盘CP不应该直接彼此连接。在另一种情况下，高电阻层HL可以不覆盖第一焊盘AP和第二焊盘CP的第一层M1。
优选的是，高电阻层HL包括具有相对高电阻特性的透明导电材料。根据本公开的电致发光照明装置可以具有顶发光结构。换句话说，可以将所照射的光提供至基板SUB的顶侧。因此，反射电极RE可以设置在基板SUB上，发光元件ED可以设置在反射电极RE上。
当发光元件ED的阳极电极由与基板SUB上的反射电极RE相同的反射材料制成时，发光元件ED的发光层EL可能由于电流集中至阳极电极而容易劣化。因此，优选的是，阳极电极具有相对高的电阻特性。在本公开的第一实施方案中，发光元件ED的阳极电极可以通过在反射电极RE上沉积高电阻层HL形成。
例如，优选的是，用于高电阻层HL的材料的薄层电阻为比诸如铟锡氧化物或铟锌氧化物的透明导电材料更高的108至109Ω/□。在一个实施例中，高电阻层HL可以包括诸如导电聚合物材料、碳材料或纳米线材料的透明导电材料。
对于导电聚合物材料，可以包括溶剂、粘合剂和添加剂以及导电体。此处，在导电聚合物中1％至10％含量的导电体可以包括PEDOT：PSS(聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐)。在导电聚合物材料中80％至90％含量的溶剂可以包括纯水或醇。在导电聚合物材料中10％至20％含量的粘合剂可以包括TEOS(正硅酸乙酯)、SSQ、基于硅的聚硅氧烷或基于丙烯酰基的聚硅氧烷。在导电聚合物材料中约1％含量的添加剂可以包括均化剂或表面活性剂。
对于碳材料，导电体可以包括石墨烯或单壁CNT(SWCNT)或多壁CNT(MWCNT)。
对于纳米线材料，导电体可以包括铜纳米线(CuNW)、银纳米线(AgNW)或金纳米线(AuNW)。
根据本公开的高电阻层HL可以包括使用TEOS的硅基材料以及诸如导电聚合物、碳材料或纳米线材料的导电芯。
覆盖布线RL、辅助线AL和反射电极RE的高电阻层HL可以是发光元件ED的阳极层。特别地，高电阻层HL的覆盖辅助线AL的部分可以是将电力供应至像素P的电力线PL。高电阻层HL的覆盖反射电极RE的部分可以是发光元件ED的第一电极AE。覆盖布线RL的高电阻层HL可以起到用于防止布线RL的金属材料由于暴露于外部环境而被氧化或损毁的作用。
此外，可以通过从覆盖布线RL的部分延伸来将高电阻层HL进一步形成为覆盖第一焊盘AP的第一层M1的第二层M2。同时，第二层M2还可以形成为覆盖第二焊盘CP的第一层M1，并且相对于布线RL物理地分隔开。
发光层EL可以沉积在发光区域AA内的高电阻层HL上。优选的是，发光层EL形成为具有覆盖发光区域AA的整个表面的一个薄层体。对于一个实施例，发光层EL可以包括至少两个竖直堆叠的用于辐射白色光的发光部分。对于另一实施例，发光层EL可以包括第一发光部分和第二发光部分以便通过混合第一色光和第二色光来辐射白光。此处，第一发光部分可以包括蓝色发光部分、绿色发光部分、红色发光部分、黄色发光部分和黄绿色发光部分中的任意一个以发射第一色光。同时，第二发光部分可以包括在蓝色发光部分、绿色发光部分、红色发光部分、黄色发光部分和黄绿色发光部分中的任意一个以发射与第一色光具有互补关系的第二色光。
阴极层CAT可以沉积在基板SUB上覆盖发光区域AA。阴极层CAT可以沉积在一些非发光区域IA以及发光区域AA上。阴极层CAT可以形成为具有与发光区域AA相同的区域或比发光区域AA略大的区域。例如，第三层M3可以形成为延伸至第一非发光区域IA1的两侧以与第一焊盘AP的第二层M2接触。此外，第三层M3还可以形成为与具有在第一非发光区域IA1的中间处的岛状的第二焊盘CP的第二层M2接触。
根据本公开的电致发光照明装置具有顶部发光结构，在该顶部发光结构中所照射的光被提供至基板SUB的顶侧。因此，优选的是，阴极层CAT包括透明导电材料。例如，阴极层CAT可以包括诸如铟锡氧化物或铟锌氧化物的透明导电材料。
阴极层CAT作为提供公共电压的电极可以具有覆盖发光区域AA整个表面的一个片体结构，发光区域AA在照明装置的基板SUB上提供光。因此，阴极层CAT可以具有相对大的区域。当阴极层CAT由具有比金属材料相对高的薄层电阻的透明导电材料制成时，随着发光区域AA的变大，电压下降可能更严重。为了解决由于电压下降引起的问题，优选的是，设置任意的结构用来降低阴极层CAT的薄层电阻。
根据本公开的阴极层CAT可以具有透明导电层与超薄金属层堆叠的结构。例如，如图2中放大的圆形部分所示，阴极层CAT可以包括下透明层ITD、超薄金属层TML和上透明层ITU。然而，阴极层CAT不限于此，而是可以具有双层结构，其中一层透明层和一层超薄金属层堆叠。
超薄金属层TML可以包括具有在具有相对低的薄层电阻特性的银(Ag)、APC合金(Ag/Pd/Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钙(Ca)或钡(Ba)之中的的任意一种材料或者两种或更多种材料的合金材料的单层结构或双层结构。
因此，阴极层CAT可以包括多层结构，例如，铝和ITO(铟锡氧化物)(即ITO/A1/ITO)的堆叠结构以及APC合金和ITO(即ITO/APC/ITO)的堆叠结构。
阴极层CAT直接与发光层EL面对面(in face)接触。因此，在由辅助线AL限定的像素P区域内，由高电阻层HL制成的第一电极AE、发光层EL和阴极层CAT面对面依次堆叠。阴极层CAT的对应于像素P的部分可以限定为第二电极CE。由于覆盖基板SUB的发光区域AA的整个表面，第二电极CE为阴极层CAT的堆叠在发光层EL上的一些部分，其对应于一个像素P区域。
因此，除了在发光区域AA内由覆盖辅助线AL的钝化层PAS占据的区域之外，全部区域的大部分可以提供照射光。因此，根据本公开的第一实施方案的电致发光照明装置可以在发光区域AA内确保最大化的发光面积。
封装层EN可以堆叠在阴极层CAT上。封装层EN用于保护在发光区域AA内形成的发光元件ED。封装层EN可以包括单层材料或多层材料。在一个实施例中，封装层EN可以包括第一无机层、在第一无机层上的有机层以及在有机层上的第二无机层。
无机层用于防止诸如水分和氧的外来材料进入到发光元件ED内。在一个实施例中，无机层可以包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物等中的至少任意一种。无机层可以由化学气相沉积法或原子层沉积法形成。
在一个实施例中，有机层可以由诸如硅氧碳化物(SiOC)、丙烯酸或环氧树脂的有机树脂材料形成。有机层可以通过诸如喷墨法或狭缝涂覆法的涂覆法形成。
封装层EN可以覆盖全部发光区域AA和一些非发光区域IA。然而，优选的是封装层EN不覆盖第一焊盘AP和第二焊盘CP以使它们露出。
在封装层EN上，可以附接封装玻璃CG。根据本公开的电致发光照明装置从基板SUB提供照明光至顶侧即至封装玻璃CG。因此，优选的是，封装玻璃CG由透明玻璃材料制成。为了将封装玻璃CG附接至封装层EN，可以在它们之间应用光学粘结剂OA。优选的是，附接的封装玻璃CG不覆盖第一焊盘AP和第二焊盘CP而使它们露出。
<第二实施方案>
在下文中，参照图3和图2，将说明根据本公开的第二实施方案的电致发光照明装置。图3是示出根据本公开的第二实施方案的电致发光照明装置的平面图。根据第二实施方案的电致发光照明装置的基本结构与第一实施方案基本非常相似。不同之处在于辅助线AL的设置结构。
参照图2和图3，根据本公开的第二实施方案的电致发光照明装置包括基板SUB、布线RL、辅助线AL、反射电极RE和高电阻层HL。此外，电致发光照明装置还包括发光层EL、阴极层CAT、发光元件ED、第一焊盘AP、第二焊盘CP、封装层EN和封装玻璃CG，其与第一实施方案相同，因此将不重复对于这些元件相同的说明。
基板SUB作为基本的基板(或基层)包括塑料材料或玻璃材料。例如，基板SUB可以包括不透明或有色聚酰亚胺材料。基板SUB可以包括柔性基板或刚性基板。此外，基板SUB可以由不透明材料形成以在基板SUB的仅一个方向上提供光，或者可以由透明材料形成以在基板SUB的两个方向上提供光。
基板SUB可以包括发光区域AA和非发光区域IA。发光区域AA设置在基板SUB的最中间部分，发光区域AA可以定义为用于发射光的区域。
在基板SUB的外周区域中设置非发光区域IA以围绕发光区域AA，非发光区域IA可以定义为从此处不提供光的区域。在一个实施例中，非发光区域IA可以包括设置在基板SUB的第一侧处的第一非发光区域IA1、设置在第二侧处的平行于第一非发光区域IA1的第二非发光区域IA2、设置第三侧处的垂直于第一非发光区域IA1的第三非发光区域IA3和设置在第四侧处的平行于第三非发光区域IA3的第四非发光区域IA4。
缓冲层(未示出)可以沉积在基板SUB的整个表面上。在使用玻璃或金属材料用于基板SUB的情况下，可以省略缓冲层。对于柔性照明装置的情况，优选的是，首先在塑料基板SUB上沉积缓冲层。
布线RL布置在缓冲层(未示出)或基板SUB上的非发光区域IA处。例如，布线RL可以设置为矩形带状，该矩形带状沿从第一非发光区域IA1、第二非发光区域IA2、第三非发光区域IA3至第四非发光区域IA4路径连续地链接以围绕发光区域AA。还可以包括第一焊盘AP的第一层M1以从布线RL延伸至第一非发光区域IA1和/或第二非发光区域IA2。此外，还包括第二焊盘CP的第一层M1。优选的是，第二焊盘CP的第一层M1相当于第一焊盘AP的第一层M1物理地且电地分隔开。例如，第一焊盘AP的第一层M1可以分成两部分，其中它们中的每一个分别设置在第一非发光区域IA1的两侧处，以及第二焊盘CP的第一层M1可以设置在第一非发光区域IA1的中间处。
辅助线AL形成在基板SUB或缓冲层上。特别地，辅助线AL可以布置为带状图案。如图3所示，辅助线AL被图案化为具有沿竖直方向的薄线，但不限于此。通过辅助线AL的带状结构，像素区域P可以限定为沿竖直方向的长狭缝状。辅助线AL可以均匀地分布在发光区域AA内，以保持均匀的电力电压。
在另一实施例中，辅助线AL可以具有在发光区域AA内沿竖直方向排列的多条水平线的结构。在这种情况下，由带形辅助线AL限定的像素P的形状可以具有在水平方向的长狭缝状。
反射电极RE设置在由辅助线AL限定的像素P区域内。反射电极RE可以具有相对于辅助线AL以预定间隔分隔开的岛状。在如图3所示的结构中，与第一实施方案不同，反射电极RE可以具有沿竖直方向的长形矩形形状。
优选的是，布线RL、辅助线AL和反射电极RE由相同的材料制成。例如，在基板SUB或缓冲层上沉积不透明的金属材料，并且对该金属材料进行图案化以形成布线RL、辅助线AL和反射电极RE。布线RL、第一焊盘AP的第一层M1和辅助线AL可以彼此链接，但反射电极RE可以具有与它们分隔开的岛状。此外，优选的是，第二焊盘CP的第一层M1具有与布线RL和第一焊盘AP的第一层M1分隔开的结构。
辅助线AL被钝化层PAS覆盖。优选的是，钝化层PAS覆盖辅助线AL的上表面和侧壁表面。辅助线AL可以是用于将驱动电压提供至高电阻层HL的电线。因此，可以在覆盖辅助线AL的钝化层PAS处形成接触孔CH以使辅助线AL与沉积在钝化层PAS上的高电阻层HL接触。
在第二实施方案中，辅助线AL具有竖直长形的带状。因此，接触孔CH可以具有与辅助线AL的形状的对应的竖直长形的矩形形状，并且在辅助线AL上以预定间隔设置多个接触孔。
高电阻层HL沉积在具有由不透明金属材料制成的布线RL、辅助线AL、反射电极RE和第一层M1的基板SUB上。此处，覆盖布线RL、辅助线AL、反射电极RE和第一焊盘AP的第一层M1的高电阻层HL可以形成为一个片体。然而，优选的是，覆盖第二焊盘CP的第一层M1的高电阻层HL形成为具有相对于其他部分分隔开的岛状。第一焊盘AP可以是用于供应用于驱动发光元件ED的电力电压的电端子焊盘，第二焊盘CP可以是用于提供公共电压的电端子焊盘。因此，第一焊盘AP和第二焊盘CP不应该直接彼此连接。在另一种情况下，高电阻层HL可以不覆盖第一焊盘AP和第二焊盘CP的第一层M1。
优选的是，高电阻层HL包括具有相对高电阻特性的透明导电材料。根据本公开的电致发光照明装置可以具有顶部发光结构。因此，将光反射至顶侧的反射电极RE可以设置在基板SUB上，发光元件ED可以设置在反射电极RE上。
在本公开的第二实施方案中，发光元件ED的阳极电极可以通过在反射电极RE上沉积高电阻层HL来形成。例如，优选的是，用于高电阻层HL的材料具有108～109Ω/□的薄层电阻。此外，高电阻层HL可以包括诸如导电聚合物材料、碳材料或纳米线材料的透明导电材料。
对于导电聚合物材料，可以包括溶剂、粘合剂和添加剂以及导电体。此处，在导电聚合物中1％至10％含量的导电体可以包括PEDOT：PSS(聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐)。在导电聚合物材料中80％至90％含量的溶剂可以包括纯水或醇。在导电聚合物材料中10％至20％含量的粘合剂可以包括TEOS(正硅酸乙酯)、SSQ、基于硅的聚硅氧烷或基于丙烯酰基的聚硅氧烷。在导电聚合物材料中约1％含量的添加剂可以包括流平剂(levelingagent)或表面活性剂。
对于碳材料，导电体可以包括石墨烯或单壁CNT(SWCNT)或多壁CNT(MWCNT)。
对于纳米线材料，导电体可以包括铜纳米线(CuNW)、银纳米线(AgNW)或金纳米线(AuNW)。
根据本公开的高电阻层HL可以包括使用TEOS的硅基材料以及诸如导电聚合物、碳材料或纳米线材料的导电芯。
覆盖布线RL、辅助线AL和反射电极RE的高电阻层HL可以是发光元件ED的阳极层。特别地，高电阻层HL的覆盖辅助线AL的部分可以是将电力供应至像素P的电力线PL。高电阻层HL的覆盖反射电极RE的部分可以是发光元件ED的第一电极AE。覆盖布线RL的高电阻层HL可以起到用于防止布线RL的金属材料由于暴露于外部环境而被氧化或损毁的作用。
此外，可以通过从覆盖布线RL的部分延伸来将高电阻层HL进一步形成为覆盖第一焊盘AP的第一层M1的第二层M2。同时，第二层M2还可以形成作为覆盖第二焊盘CP的第一层M1，并且与布线RL物理地分隔开。
对于其他元件，由于它们与第一实施方案中的元件相似，将省略重复的说明。
通过上面两种实施方案说明的电致发光照明装置具有如下特性，其中发光元件ED的第一电极AE由高电阻层HL形成。特别地，设置高电阻层HL以覆盖发光区域AA的整个表面，以及可以通过在高电阻层HL上顺序堆叠的发光层EL和阴极层CAT来形成发光元件ED。此外，由于照明光不被提供至设置有辅助线AL的底侧，所以不会由于辅助线AL而降低开口率。在辅助线AL上，堆叠高电阻层HL、发光层EL和阴极层CAT，使得也形成发光元件ED。因此，发光区域AA的整个表面被构造成用于提供照明光的发光元件ED，如尽可能地使开口率具有最大值。
高电阻层HL具有比诸如铟锡氧化物或铟锌氧化物的透明导电材料相对高的电阻，高电阻层HL是用于根据本公开的电致发光照明装置的发光元件ED的阳极电极。因此，虽然在由辅助线AL限定的像素P区域之间没有用于防止短路电路问题的熔丝图案，但是仍可以有效地防止短路电路问题。
可以由辅助线AL向高电阻层HL提供驱动电压。为此，优选的是，辅助线AL与高电阻层HL物理地且电地连接。因此，优选的是，覆盖辅助线AL的钝化层PAS具有接触孔CH。接触孔CH使在辅助线AL与高电阻层HL之间产生电连接，使得驱动电压可以提供至工作为阳极电极的高电阻层HL。然而，辅助线AL的其他部分不与高电阻层HL接触。
例如，当辅助线AL不被钝化层PAS覆盖时，可以使辅助线AL的全部露出，以便辅助线AL的全部可以与高电阻层HL直接接触。在这种情况下，电流会集中在与辅助线AL直接连接的高电阻层HL周围，使得高电阻层HL不能起到用于防止短路电路问题的作用。也就是说，在这种情况下，当任意一个像素P具有短路电路问题时，该缺陷可能会扩散至整个发光区域AA，这导致照明装置的故障。
此外，在上述情况中，由于发光层EL和阴极层CAT堆叠在辅助线AL上以形成发光元件ED，所以在辅助线AL周围的亮度可能显著地增加。在这种情况下持续长时段，辅助线AL可能由于过热而劣化或故障，在辅助线AL上的发光层EL可能损毁，这也造成短路电路问题。为了防止这些问题，优选的是，通过钝化层PAS覆盖辅助线AL，以及通过具有适当尺寸适合于将驱动电压提供至高电阻层HL的接触孔CH将辅助线AL连接至高电阻层HL。
在电致发光照明装置中，优选的是，钝化层PAS具有通过直接接触辅助线AL的除了接触孔CH之外的上表面和侧壁表面来覆盖辅助线AL的结构。特别地，优选的是，钝化层PAS设置在辅助线AL的侧壁与反射电极RE侧之间的分隔空间，以保持辅助线AL不通过高电阻层HL与反射电极RE直接接触。覆盖辅助线AL的侧处的钝化层可以具有用于防止设置在像素P区域内的反射电极RE和包括高电阻层HL的第一电极AE与辅助线AL直接接触的结构和功能。
反射电极RE相对于辅助线AL分隔开，并且它们由于覆盖辅助线AL的钝化层PAS而不电接触。因此，即使反射电极RE与高电阻层HL正面接触，仍可以通过高电阻层HL的电阻限制电流量，使得电流不集中至反射电极RE。
根据照明装置的情况和要求，在钝化层PAS处形成的用于使辅助线AL与高电阻层HL接触的接触孔CH可以形成为具有各种各样的尺寸和形状。对于一个实施例，在辅助线AL具有如图1所示的网格形状的情况下，接触孔CH可以设置在网格的交叉区域中的每一处。对于另一实施例，还有接触孔可以设置在网格的交叉区域之间。考虑到开口率，优选的是，接触孔CH的尺寸小于辅助线AL的宽度。
对于另一实施例，在辅助线AL具有如图3所示的带状的情况下，具有方形形状的多个接触孔CH可以形成为分布在辅助线AL上。另外，接触孔CH可以形成为具有沿辅助线AL的长度的长形矩形形状。
在根据本公开的电致发光照明装置中，阴极层CAT包括透明导电材料或半透明导电材料。对于一个实施例，利用仅透明导电材料，可以建立顶部发光型。对于另一实施例，通过堆叠透明导电层ITU或ITD与超薄金属层TML，阴极层CAT可以形成为半透明导电层。在这种情况下，从发光层EL辐射的一些光可以直接穿过阴极层CAT以成为照射光，并且其它光可以通过超薄金属层TML反射至反射电极RE。这种通过阴极层CAT的反射光可以再次通过反射电极RE反射并穿过阴极层CAT以成为照明光。
阴极层CAT与反射电极RE之间的反射可以重复数次。通过控制包括在阴极层CAT中的超薄金属层TML的种类和厚度来利用折射指数，可以使特定波长的透过率最大化。也就是说，利用微腔效应，能够使发光层EL的光发射效率最大化或提高。
对于本领域技术人员而言明显的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开进行各种各样的修改和变化。因此，本公开旨在涵盖本公开的修改和变化，只要这些修改和变化落入所附权利要求书及其等同内容的范围内即可。根据上述详细描述，可以对实施方案进行这些和其他改变。一般而言，在所附权利要求书中，使用的术语不应解释为将权利要求限制于本说明书和权利要求书中公开的具体实施方案，而应解释为包括所有可能的实施方案以及这种权利要求书具有的全部等同范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims (18)

1.一种电致发光照明装置，包括：
基板，所述基板包括发光区域和围绕所述发光区域的非发光区域；
在所述非发光区域处围绕所述发光区域的布线；
设置在所述发光区域中的辅助线，所述辅助线连接所述布线并且限定像素区域；
设置在所述像素区域内的反射电极；
覆盖所述布线、所述辅助线和所述反射电极的高电阻层，所述高电阻层具有在所述基板上的一个片体；
在所述发光区域上方的所述高电阻层上的发光层；以及
在所述发光层上的阴极层。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述辅助线具有在所述发光区域内以预定间隔排列的多个条状图案；以及
其中所述像素区域被设置在所述条状图案中的每一个之间。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述辅助线具有在所述发光区域内以预定间隔排列的网格图案；以及
其中所述像素区域被设置在所述网格图案中的每一个中。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述布线、所述辅助线和所述反射电极包括不透明金属材料；以及
其中所述反射电极相对于所述辅助线以预定间隔分隔开。
5.根据权利要求1所述的装置，其中通过所述高电阻层、所述发光层和所述阴极层在所述像素区域内的顺序堆叠结构来构造发光元件。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述高电阻层还设置在所述辅助线与所述反射电极之间的空间中。
7.根据权利要求1所述的装置，还包括：
设置在所述高电阻层下方的钝化层，所述钝化层覆盖所述辅助线；以及
接触孔，所述接触孔穿透所述钝化层用以将所述辅助线与所述高电阻层连接。
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述钝化层还设置在所述辅助线与所述反射电极之间的空间中。
9.根据权利要求7所述的装置，其中所述钝化层以接触所述辅助线的上表面和侧壁表面的方式覆盖所述辅助线。
10.根据权利要求9所述的装置，其中所述高电阻层还设置在接触所述辅助线的所述侧壁表面的所述钝化层的侧壁表面与所述反射电极之间的空间中。
11.根据权利要求1所述的装置，其中所述高电阻层具有108至109Ω/□范围的薄层电阻。
12.根据权利要求1所述的装置，其中所述高电阻层包括导电体、溶剂、粘合剂和添加剂。
13.根据权利要求12所述的装置，其中所述导电体包括PEDOT:PSS(聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐)作为导电聚合物。
14.根据权利要求12所述的装置，其中所述粘合剂包括TEOS(正硅酸乙酯)、SSQ、基于硅的聚硅氧烷和基于丙烯酰基的聚硅氧烷中的任意一种。
15.根据权利要求12所述的装置，其中所述导电体包括石墨烯或单壁CNT(SWCNT)或多壁CNT(MWCNT)中的任意一种。
16.根据权利要求12所述的装置，其中所述导电体包括铜纳米线(CuNW)、银纳米线(AgNW)和金纳米线(AuNW)中的任意一种。
17.根据权利要求1所述的装置，其中所述阴极层包括彼此堆叠的透明导电层和金属层。
18.根据权利要求17所述的装置，其中所述阴极层还包括：
在所述金属层下方的第一透明导电层；以及
在所述金属层上的第二透明导电层。
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