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CN111312797A - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents

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CN111312797A
CN111312797A CN202010256293.5A CN202010256293A CN111312797A CN 111312797 A CN111312797 A CN 111312797A CN 202010256293 A CN202010256293 A CN 202010256293A CN 111312797 A CN111312797 A CN 111312797A
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CN
China
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organic light
light
transmitting film
display device
sub
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Application number
CN202010256293.5A
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English (en)
Inventor
龚文亮
鲜于文旭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Publication date
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Priority to PCT/CN2020/094581 priority patent/WO2021196400A1/zh
Priority to US16/966,040 priority patent/US11937482B2/en
Priority to EP20870448.6A priority patent/EP4137848A4/en
Publication of CN111312797A publication Critical patent/CN111312797A/zh
Priority to US18/436,845 priority patent/US12284897B2/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制作方法，所述显示面板包括显示器件和设置在所述显示器件上的抗反射层；所述显示器件包括呈阵列分布的多个子像素区；所述抗反射层包括对应所述多个子像素区设置的有机透光薄膜，所述有机透光薄膜掺杂有无机纳米粒子，位于所述有机透光薄膜远离所述显示器件的一侧的所述无机纳米粒子在所述有机透光薄膜的表面凸起形成纳米蛾眼结构。本申请中的抗反射层可以提高显示面板的抗反射能力，且有效的提高显示面板的对比度。

Description

一种显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Display，有机发光二极管)显示技术日趋成熟，相关产品形态已经由刚性的，逐渐过渡到可折叠的，甚至发展到可卷曲的以及可伸缩的显示产品。OLED显示技术使得显示产品的设计变得多样化、立体化，且日益朝着轻薄化、低功耗、高可靠性方向发展。在满足OLED显示性能的前提下，如何最大化程度地降低显示模组的厚度是当前需要攻克的难题。
当前，OLED显示产品在移动显示领域采用顶发射的器件结构设计以获得高开口率、高色纯度的显示效果；同时也使得OLED具有极强的反射率，降低了强光下的使用性。现有OLED显示产品必须通过添加偏光片来提高对比度，但是偏光片透过率低、厚度大、质地脆以及价格高昂等特点，极大地限制了柔性OLED显示技术的开发。现有的另一种OLED显示产品采用POL less(无偏光片)技术来降低反射率，具体是在OLED的薄膜封装上直接制作彩色滤光片替代偏光片的技术路线，通过低温烘烤工艺，借助于OLED对于彩色滤光片极高地穿透特性，这种显示技术能够获得极高的亮度，同时将厚度由～100μm降低至～5μm。然而，相对于偏光片，彩膜技术的表面反射率较高，强光下的对比度较低，不利于室外显示。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制作方法，可以提高显示面板的抗反射能力，从而提高显示面板的对比度。
本申请提供一种显示面板，包括显示器件和设置在所述显示器件上的抗反射层；所述显示器件包括呈阵列分布的多个子像素区；
所述抗反射层包括对应所述多个子像素区设置的有机透光薄膜，所述有机透光薄膜掺杂有无机纳米粒子，位于所述有机透光薄膜远离所述显示器件的一侧的所述无机纳米粒子在所述有机透光薄膜的表面凸起形成纳米蛾眼结构。
在一实施例中，所述抗反射层还包括遮光层；所述遮光层上设有与所述多个子像素区一一对应的多个开口，所述有机透光薄膜设置在所述多个开口中。
在一实施例中，所述多个子像素区包括红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区；
对应所述红色子像素区的所述有机透光薄膜为红色色阻；对应所述绿色子像素区的所述有机透光薄膜为绿色色阻；对应所述蓝色子像素区的所述有机透光薄膜为蓝色色阻。
在一实施例中，所述有机透光薄膜包括透明色阻和灰色色阻中的任意一种。
在一实施例中，所述有机透光薄膜还设置在所述遮光层上。
在一实施例中，所述无机纳米粒子的材料包括二氧化硅。
本申请还提供了一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：
形成显示器件，所述显示器件包括呈阵列分布的多个子像素区；
在所述显示器件上形成抗反射层；其中，所述抗反射层包括对应所述多个子像素区设置的有机透光薄膜，所述有机透光薄膜掺杂有无机纳米粒子；
对所述有机透光薄膜远离所述显示器件的一侧进行刻蚀处理，以去除部分所述有机透光薄膜，并裸露出远离所述显示器件一侧的所述无机纳米粒子，形成纳米蛾眼结构。
在一实施例中，所述对所述有机透光薄膜远离所述显示器件的一侧进行刻蚀处理，包括以下步骤：
采用等离子体技术对所述有机透光薄膜远离所述显示器件的一侧进行刻蚀处理。
在一实施例中，所述抗反射层还包括遮光层；所述在所述显示器件上形成抗反射层，包括以下步骤：
在所述显示器件上形成遮光层；所述遮光层上设有与所述多个子像素区一一对应的多个开口；
采用喷墨打印技术在所述多个开口中形成掺杂有无机纳米粒子的有机透光薄膜。
在一实施例中，所述抗反射层还包括遮光层；所述有机透光薄膜包括透明色阻和灰色色阻中的任意一种；
所述在所述显示器件上形成抗反射层，包括以下步骤：
在所述显示器件上形成遮光层；所述遮光层包括与所述多个子像素区一一对应的多个开口；
在所述遮光层和所述多个开口上整面涂布掺杂有无机纳米粒子的有机透光薄膜。
本申请提供的显示面板，抗反射层中的有机透光薄膜的表面有凸起的无机纳米粒子，形成纳米蛾眼结构，使得外界的光入射到显示面板表面时被纳米蛾眼结构大量的漫反射，使得外界的光不会反射进入人眼，从而起到增强抗反射的作用；并且，有机透光薄膜内部掺杂的无机纳米粒子具有聚光作用，有利于增强显示面板内部用于显示的光的透过率，因此，本申请的显示面板内部用于显示的光在抗反射层处的透过率增大了，且外界入射光在抗反射层处的反射率减小了，可以有效的提高显示面板的对比度。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的部分截面结构示意图。
图2为本申请实施例提供的一种有机透光薄膜的部分截面结构示意图。
图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的部分截面结构示意图。
图4为本申请实施例提供的另一种显示面板的部分截面结构示意图。
图5为本申请实施例提供的另一种显示面板的部分截面结构示意图。
图6为本申请实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意框图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
对于OLED显示面板，由于多采用顶发射器件结构，导致显示面板表面的反射率较高，甚至达到50％，在户外强光环境下使用时显示面板的对比度较低，可读性差，严重影响显示面板的显示。通常的解决方式是在显示面板的出光侧贴合圆偏光片，使入射光与反射光发生干涉相消，以提高对比度。但是，圆偏光片技术却存在厚度大、透过率低、质地脆等缺陷，不利于柔性显示。为了解决上述问题，示例性的解决方案是采用厚度较薄的彩色滤光片替代偏光片，即利用显示面板的红绿蓝(RGB)子像素单独发光的特点，在红绿蓝子像素的上方对应覆盖彩色滤光片，由于红绿蓝子像素发出的红绿蓝光与对应的彩色滤光片的透过率匹配，使得显示面板内部的红绿蓝光的透过率均较高，而外界的自然光(白光)入射到彩色滤光片上会被部分吸收，且在不发光的区域覆盖有可以吸收外界入射光的遮光层(例如黑色矩阵，BM)，使得显示面板表面的反射率较低，从而提高了显示面板的对比度。
但是，相对于偏光片技术，彩色滤光片技术的反射率仍然较高，强光下的对比度较低，不利于室外显示。为了进一步提高显示面板的对比度，本申请实施例提供了几种显示面板及其制作方法的实施例。
具体的，如图1和图2所示，本申请实施例公开了一种显示面板1，包括显示器件2和设置在显示器件2上的抗反射层3；显示器件2包括呈阵列分布的多个子像素区4；抗反射层3包括对应多个子像素区4设置的有机透光薄膜5，有机透光薄膜5掺杂有无机纳米粒子6，位于有机透光薄膜5远离显示器件2的一侧的无机纳米粒子6在有机透光薄膜5的表面凸起形成纳米蛾眼结构7。
具体的，抗反射层3还包括遮光层8；遮光层8上设有与多个子像素区4一一对应的多个开口9，有机透光薄膜5设置在多个开口9中；遮光层8可以是黑色矩阵(BM)，当然，此处不做限制。遮光层8可以吸收外界自然光，减小反射率(增强抗反射作用)，有利于提高显示面板1的对比度。
具体的，可以通过光刻或者喷墨打印的方式，将掺杂有无机纳米粒子6的有机透光薄膜5打印在多个开口9中。
具体的，无机纳米粒子6的材料包括二氧化硅；二氧化硅无机纳米粒子6的直径范围为100纳米至400纳米；有机透光薄膜5中的无机纳米粒子6的质量分数范围为5％～15％。
具体的，采用等离子体技术对掺杂有无机纳米粒子6的有机透光薄膜5的表面进行刻蚀，形成上述的纳米蛾眼结构。其中，刻蚀使用的是氧气等离子体和氩气等离子体，由于氧气在等离子态下形成活性氧原子，较容易与有机材质的有机透光薄膜5发生反应进而对有机透光薄膜5产生刻蚀，而氩气在等离子体中则对有机透光薄膜5的表面起到物理轰击的作用，两者会对有机透光薄膜5起到刻蚀的作用，而不会刻蚀到无机材质的无机纳米粒子6，使得有机透光薄膜5表面的部分有机透光薄膜5被刻蚀掉而裸露出无机纳米粒子6，从而形成纳米蛾眼结构。
具体的，多个子像素区4包括红色子像素区10、绿色子像素区11和蓝色子像素区12；对应红色子像素区10的有机透光薄膜5为红色色阻13；对应绿色子像素区11的有机透光薄膜5为绿色色阻14；对应蓝色子像素区12的有机透光薄膜5为蓝色色阻15。其中，红色色阻13、绿色色阻14和蓝色色阻15既可以增大显示面板1内部的红绿蓝光的透过率，也能吸收外界入射光增强抗反射作用，从而提高显示面板1的对比度。
具体的，显示器件2包括衬底基板16以及依次设置在衬底基板16上的TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)阵列层17、发光层18和薄膜封装层19，抗反射层3设置在薄膜封装层19远离发光层18的一侧。
当然，如图3所示，显示器件2还可以在薄膜封装层19和抗反射层3之间设置触控功能层20，实现触控功能。
具体的，显示器件2可以是OLED显示器件，也可以是QLED(Quantum Dot Light-Emitting Diode，量子点发光二极管)显示器件，还可以是Micro LED显示器件，此处不做限制。若显示器件2是OLED显示器件，可以是RGB OLED显示，也可以是WOLED加彩色滤光片显示。
本实施例中，抗反射层3中的有机透光薄膜5的表面有凸起的无机纳米粒子6，形成纳米蛾眼结构，使得外界的光入射到显示面板1表面时被纳米蛾眼结构大量的漫反射，使得外界的光不会反射进入人眼，从而起到增强抗反射(即减小反射率)的作用；并且，有机透光薄膜5内部掺杂的无机纳米粒子6具有聚光作用，有利于增强显示面板1内部用于显示的光的透过率；除此之外，抗反射层3中的遮光层8可以吸收外界自然光以减小反射率，且有机透光薄膜5为分别对应红色子像素区10、绿色子像素区11和蓝色子像素区12的红色色阻13、绿色色阻14和蓝色色阻15，既可以增大显示面板1内部的红绿蓝光的透过率，也能吸收外界入射光增强抗反射作用；综上可知，本申请实施例的显示面板1内部用于显示的光在抗反射层3处的透过率增大了，且外界入射光在抗反射层3处的反射率减小了，可以有效的提高显示面板1的对比度。
如图2和图4所示，本申请实施例还提供了一种显示面板，与上述实施例不同的是，有机透光薄膜5包括透明色阻和灰色色阻中的任意一种；也就是说，与每个子像素对应的有机透光薄膜5均为透明色阻或灰色色阻。
具体的，整个抗反射层3中的有机透光薄膜5在制作时可以仅采用一张光罩(Mask)。当然，有机透光薄膜5还可以采用喷墨打印技术形成，此处不做限制。
本实施例中，抗反射层3中的有机透光薄膜5的表面有凸起的无机纳米粒子6，形成纳米蛾眼结构，使得外界的光入射到显示面板1表面时被纳米蛾眼结构大量的漫反射，使得外界的光不会反射进入人眼，从而起到增强抗反射(即减小反射率)的作用；并且，有机透光薄膜5内部掺杂的无机纳米粒子6具有聚光作用，有利于增强显示面板1内部用于显示的光的透过率；另外，抗反射层3中的遮光层8可以吸收外界自然光以减小反射率；综上可知，本申请实施例的显示面板1内部用于显示的光在抗反射层3处的透过率增大了，且外界入射光在抗反射层3处的反射率减小了，可以有效的提高显示面板1的对比度。除此之外，本申请实施例中有机透光薄膜5为透明色阻或者灰色色阻，若采用光刻工艺制备有机透光薄膜5，制程中仅需用一张光罩(Mask)，与红色色阻13、绿色色阻14和蓝色色阻15构成的有机透光薄膜5采用三道光罩工艺制程相比，本申请实施例可以节省两道光罩制程，简化了工艺，节约了成本。
如图2和图5所示，本申请实施例还提供了一种显示面板1，与上述实施例不同的是，有机透光薄膜5还设置在遮光层8上。
具体的，有机透光薄膜5包括透明色阻和灰色色阻中的任意一种，且有机透光薄膜5覆盖在遮光层8和多个开口9上，对应的，纳米蛾眼结构7也对应遮光层8设置，即整个抗反射层3的表面均形成有纳米蛾眼结构7。
具体的，本实施例中的有机透光薄膜5可以直接整面涂布在设有多个开口9的遮光层8上，不需要使用光罩。
本实施例中，整个抗反射层3的表面均形成有纳米蛾眼结构7，可以使入射到显示面板1任意位置的入射光被纳米蛾眼结构大量的漫反射，避免进入人眼，从而全方位的减小反射率，且纳米蛾眼结构下方的遮光层8可以吸收外界的入射光，进一步减小了反射率，有利于进一步提高显示面板1的对比度；并且，本实施例中的有机透光薄膜5可以采用整面涂布的方式制备，避免使用喷墨打印技术或光刻工艺制备，大大降低了工艺难度和制作成本。
如图6所示，本申请实施例还公开了一种显示面板的制作方法，包括步骤S601至步骤S603。
步骤S601：形成显示器件，显示器件包括呈阵列分布的多个子像素区。
具体的，如图1所示，显示器件2包括衬底基板16以及依次设置在衬底基板16上的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列层17、发光层18和薄膜封装层19，抗反射层3设置在薄膜封装层19远离发光层18的一侧。当然，如图3所示，薄膜封装层19和抗反射层3之间还可以设有触控功能层20。
具体的，显示器件2可以是OLED显示器件，也可以是QLED(Quantum Dot Light-Emitting Diode，量子点发光二极管)显示器件，还可以是Micro LED显示器件，此处不做限制。若显示器件2是OLED显示器件，可以是RGB OLED显示，也可以是WOLED加彩色滤光片显示。
步骤S602：在显示器件上形成抗反射层；其中，抗反射层包括对应多个子像素区设置的有机透光薄膜，有机透光薄膜掺杂有无机纳米粒子。
具体的，如图1所示，抗反射层3还包括遮光层8，遮光层8可以是黑色矩阵，当然，此处不做限制；步骤S602包括以下步骤：
在显示器件2上形成遮光层8；遮光层8上设有与多个子像素区4一一对应的多个开口9；
采用喷墨打印技术在多个开口9中形成掺杂有无机纳米粒子6的有机透光薄膜5。
具体的，无机纳米粒子6的材料包括二氧化硅；二氧化硅无机纳米粒子6的直径范围为100纳米至400纳米；有机透光薄膜5中的无机纳米粒子6的质量分数范围为5％～15％。
步骤S603：对有机透光薄膜远离显示器件的一侧进行刻蚀处理，以去除部分有机透光薄膜，并裸露出远离显示器件一侧的无机纳米粒子，形成纳米蛾眼结构。
具体的，采用氧气等离子体和氩气等离子体对有机透光薄膜远离显示器件的一侧进行等离子体刻蚀处理。由于氧气在等离子态下形成活性氧原子，较容易与有机材质的有机透光薄膜发生反应进而对有机透光薄膜产生刻蚀，而氩气在等离子体中则对有机透光薄膜的表面起到物理轰击的作用，两者会对有机透光薄膜起到刻蚀的作用，而不会刻蚀到无机材质的无机纳米粒子，使得有机透光薄膜表面的部分有机透光薄膜被刻蚀掉而裸露出无机纳米粒子，从而形成纳米蛾眼结构。在一实施例中，等离子体中的氧气和氩气的体积比范围为5％～50％；等离子体刻蚀的功率范围为90W～400W，刻蚀持续时间范围为60s～180s，等离子体的压强范围为10Pa～100Pa。
本实施例中，制作得到的抗反射层中的有机透光薄膜的表面有凸起的无机纳米粒子，形成纳米蛾眼结构，使得外界的光入射到显示面板表面时被纳米蛾眼结构大量的漫反射，使得外界的光不会反射进入人眼，从而起到增强抗反射(即减小反射率)的作用；并且，有机透光薄膜内部掺杂的无机纳米粒子具有聚光作用，有利于增强显示面板内部用于显示的光的透过率；除此之外，抗反射层中的遮光层可以吸收外界自然光以减小反射率；综上可知，本申请实施例的显示面板内部用于显示的光在抗反射层处的透过率增大了，且外界入射光在抗反射层处的反射率减小了，可以有效的提高显示面板的对比度。
在一实施例中，如图1所示，多个子像素区4包括红色子像素区10、绿色子像素区11和蓝色子像素区12；对应红色子像素区10的有机透光薄膜5为红色色阻13；对应绿色子像素区11的有机透光薄膜5为绿色色阻14；对应蓝色子像素区12的有机透光薄膜5为蓝色色阻15。
本实施例中，红色色阻13、绿色色阻14和蓝色色阻15既可以增大显示面板1内部的红绿蓝光的透过率，也能吸收外界入射光增强抗反射作用，从而提高显示面板1的对比度。
本申请实施例还公开了一种显示面板的制作方法，与上述实施例不同的在于，有机透光薄膜包括透明色阻和灰色色阻中的任意一种；且步骤S602包括以下步骤：
在显示器件上形成遮光层；遮光层包括与多个子像素区一一对应的多个开口；
在遮光层和多个开口上整面涂布掺杂有无机纳米粒子的有机透光薄膜。
本实施例中，整个抗反射层的表面均形成有纳米蛾眼结构，可以使入射到显示面板任意位置的入射光被纳米蛾眼结构大量的漫反射，避免进入人眼，从而全方位的减小反射率，且纳米蛾眼结构下方的遮光层可以吸收外界的入射光，进一步减小了反射率，有利于进一步提高显示面板的对比度；并且，本实施例中的有机透光薄膜采用整面涂布的方式制备，避免使用喷墨打印技术或光刻工艺制备，大大降低了工艺难度和制作成本。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示器件和设置在所述显示器件上的抗反射层；所述显示器件包括呈阵列分布的多个子像素区；
所述抗反射层包括对应所述多个子像素区设置的有机透光薄膜，所述有机透光薄膜掺杂有无机纳米粒子，位于所述有机透光薄膜远离所述显示器件的一侧的所述无机纳米粒子在所述有机透光薄膜的表面凸起形成纳米蛾眼结构。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述抗反射层还包括遮光层；所述遮光层上设有与所述多个子像素区一一对应的多个开口，所述有机透光薄膜设置在所述多个开口中。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述多个子像素区包括红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区；
对应所述红色子像素区的所述有机透光薄膜为红色色阻；对应所述绿色子像素区的所述有机透光薄膜为绿色色阻；对应所述蓝色子像素区的所述有机透光薄膜为蓝色色阻。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述有机透光薄膜包括透明色阻和灰色色阻中的任意一种。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述有机透光薄膜还设置在所述遮光层上。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述无机纳米粒子的材料包括二氧化硅。
7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成显示器件，所述显示器件包括呈阵列分布的多个子像素区；
在所述显示器件上形成抗反射层；其中，所述抗反射层包括对应所述多个子像素区设置的有机透光薄膜，所述有机透光薄膜掺杂有无机纳米粒子；
对所述有机透光薄膜远离所述显示器件的一侧进行刻蚀处理，以去除部分所述有机透光薄膜，并裸露出远离所述显示器件一侧的所述无机纳米粒子，形成纳米蛾眼结构。
8.如权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述对所述有机透光薄膜远离所述显示器件的一侧进行刻蚀处理，包括以下步骤：
采用等离子体技术对所述有机透光薄膜远离所述显示器件的一侧进行刻蚀处理。
9.如权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述抗反射层还包括遮光层；所述在所述显示器件上形成抗反射层，包括以下步骤：
在所述显示器件上形成遮光层；所述遮光层上设有与所述多个子像素区一一对应的多个开口；
采用喷墨打印技术在所述多个开口中形成掺杂有无机纳米粒子的有机透光薄膜。
10.如权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述抗反射层还包括遮光层；所述有机透光薄膜包括透明色阻和灰色色阻中的任意一种；
所述在所述显示器件上形成抗反射层，包括以下步骤：
在所述显示器件上形成遮光层；所述遮光层包括与所述多个子像素区一一对应的多个开口；
在所述遮光层和所述多个开口上整面涂布掺杂有无机纳米粒子的有机透光薄膜。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111949165A (zh) * 2020-09-14 2020-11-17 深圳市志凌伟业光电有限公司 触摸屏和电子设备
CN112117313A (zh) * 2020-09-10 2020-12-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示屏及电子设备
CN112786810A (zh) * 2021-01-12 2021-05-11 纳晶科技股份有限公司 显示面板
CN113471269A (zh) * 2021-06-30 2021-10-01 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
CN113629206A (zh) * 2021-07-20 2021-11-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN113703075A (zh) * 2021-09-17 2021-11-26 上海天马微电子有限公司 显示模组以及显示装置
CN116018004A (zh) * 2022-12-27 2023-04-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 盖板及盖板的制备方法、显示面板
CN116249384A (zh) * 2023-03-29 2023-06-09 昆山国显光电有限公司 显示面板和显示装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101349845A (zh) * 2008-09-05 2009-01-21 上海广电光电子有限公司 红绿蓝白型薄膜晶体管液晶显示装置
JP2009139796A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Toyota Central R&D Labs Inc 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、反射防止膜用鋳型、反射防止膜用鋳型を用いて得られた反射防止膜及びレプリカ膜を用いて得られた反射防止膜
CN103378124A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 三星显示有限公司 有机发光显示装置、平板显示装置及其制造方法
CN104933421A (zh) * 2015-07-06 2015-09-23 上海箩箕技术有限公司 光学式指纹成像系统
CN106164713A (zh) * 2014-03-31 2016-11-23 富士胶片株式会社 防反射膜、偏振片、护罩玻璃、图像显示装置及防反射膜的制造方法
CN109119453A (zh) * 2018-09-25 2019-01-01 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN109494309A (zh) * 2017-09-13 2019-03-19 创王光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN109494239A (zh) * 2017-09-13 2019-03-19 创王光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN109642963A (zh) * 2016-08-15 2019-04-16 富士胶片株式会社 防反射膜、防反射物品、偏振片、图像显示装置、模块、带触摸面板的液晶显示装置及防反射膜的制造方法
CN110002768A (zh) * 2019-02-01 2019-07-12 华东师范大学 紧密排布的复合二氧化硅纳米球阵列结构及仿蛾眼减反结构和制备方法
CN110112227A (zh) * 2019-04-15 2019-08-09 陈君 一种用于硅太阳能电池的双层减反射膜的制备方法
CN110350003A (zh) * 2019-06-21 2019-10-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6969635B2 (en) * 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
JP3994994B2 (ja) * 2003-10-23 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
TW200834962A (en) * 2007-02-08 2008-08-16 Touch Micro System Tech LED array package structure having Si-substrate and method of making the same
KR101598235B1 (ko) * 2008-03-14 2016-02-26 나노-씨, 인크. 투명한 전도성 용도를 위한, 탄소 나노튜브-투명한 전도성 무기 나노입자 하이브리드 박막
US9540235B2 (en) * 2011-03-18 2017-01-10 Syracuse University Nanoparticle array comprising distributed nanoparticles
TWI566353B (zh) * 2013-08-21 2017-01-11 精材科技股份有限公司 半導體結構及其製造方法
US20160303838A1 (en) * 2013-12-09 2016-10-20 3M Innovative Properties Company Transparent conductive multilayer assembly
KR101624717B1 (ko) * 2014-12-24 2016-05-26 주식회사 토비스 지연식각부재 및 이를 이용한 디스플레이패널의 식각방법
CN107531560A (zh) * 2015-03-24 2018-01-02 马克斯-普朗克科学促进学会 使用中间层在有机和无机基材中和有机或无机基材上制造纳米结构
TWI564762B (zh) * 2015-04-22 2017-01-01 恆顥科技股份有限公司 觸控薄膜疊層卷的製作方法與所製得之觸控薄膜疊層片
EP3130559A1 (en) * 2015-08-14 2017-02-15 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Fabrication of nanostructured substrated comprising a plurality of nanostructure gradients on a single substrate
WO2017043242A1 (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、照明装置および表示装置
US10014271B2 (en) * 2015-11-20 2018-07-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and method of manufacturing the same
KR102366571B1 (ko) * 2016-01-05 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102406305B1 (ko) * 2017-05-15 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR102393319B1 (ko) * 2017-07-04 2022-05-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10672957B2 (en) * 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
KR102514938B1 (ko) * 2018-06-28 2023-03-27 엘지디스플레이 주식회사 표시장치

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009139796A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Toyota Central R&D Labs Inc 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、反射防止膜用鋳型、反射防止膜用鋳型を用いて得られた反射防止膜及びレプリカ膜を用いて得られた反射防止膜
CN101349845A (zh) * 2008-09-05 2009-01-21 上海广电光电子有限公司 红绿蓝白型薄膜晶体管液晶显示装置
CN103378124A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 三星显示有限公司 有机发光显示装置、平板显示装置及其制造方法
CN106164713A (zh) * 2014-03-31 2016-11-23 富士胶片株式会社 防反射膜、偏振片、护罩玻璃、图像显示装置及防反射膜的制造方法
CN104933421A (zh) * 2015-07-06 2015-09-23 上海箩箕技术有限公司 光学式指纹成像系统
CN109642963A (zh) * 2016-08-15 2019-04-16 富士胶片株式会社 防反射膜、防反射物品、偏振片、图像显示装置、模块、带触摸面板的液晶显示装置及防反射膜的制造方法
CN109494309A (zh) * 2017-09-13 2019-03-19 创王光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN109494239A (zh) * 2017-09-13 2019-03-19 创王光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN109119453A (zh) * 2018-09-25 2019-01-01 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN110002768A (zh) * 2019-02-01 2019-07-12 华东师范大学 紧密排布的复合二氧化硅纳米球阵列结构及仿蛾眼减反结构和制备方法
CN110112227A (zh) * 2019-04-15 2019-08-09 陈君 一种用于硅太阳能电池的双层减反射膜的制备方法
CN110350003A (zh) * 2019-06-21 2019-10-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制造方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112117313A (zh) * 2020-09-10 2020-12-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示屏及电子设备
CN112117313B (zh) * 2020-09-10 2024-01-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示屏及电子设备
CN111949165A (zh) * 2020-09-14 2020-11-17 深圳市志凌伟业光电有限公司 触摸屏和电子设备
CN112786810B (zh) * 2021-01-12 2023-06-02 纳晶科技股份有限公司 显示面板
CN112786810A (zh) * 2021-01-12 2021-05-11 纳晶科技股份有限公司 显示面板
CN113471269A (zh) * 2021-06-30 2021-10-01 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
CN113471269B (zh) * 2021-06-30 2023-09-15 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
WO2023000387A1 (zh) * 2021-07-20 2023-01-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN113629206A (zh) * 2021-07-20 2021-11-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
EP4376573A4 (en) * 2021-07-20 2025-08-06 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Tech Co Ltd DISPLAY SCREEN AND DISPLAY APPARATUS
CN113703075B (zh) * 2021-09-17 2022-08-26 上海天马微电子有限公司 显示模组以及显示装置
CN113703075A (zh) * 2021-09-17 2021-11-26 上海天马微电子有限公司 显示模组以及显示装置
CN116018004A (zh) * 2022-12-27 2023-04-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 盖板及盖板的制备方法、显示面板
CN116018004B (zh) * 2022-12-27 2025-07-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 盖板及盖板的制备方法、显示面板
CN116249384A (zh) * 2023-03-29 2023-06-09 昆山国显光电有限公司 显示面板和显示装置

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