[go: up one dir, main page]

CN111063675A - Mini LED显示模组制备方法 - Google Patents

Mini LED显示模组制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111063675A
CN111063675A CN201911183648.6A CN201911183648A CN111063675A CN 111063675 A CN111063675 A CN 111063675A CN 201911183648 A CN201911183648 A CN 201911183648A CN 111063675 A CN111063675 A CN 111063675A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light chip
chip
blue light
wafer
green light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911183648.6A
Other languages
English (en)
Inventor
肖伟民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lattice Power Jiangxi Corp
Original Assignee
Lattice Power Jiangxi Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lattice Power Jiangxi Corp filed Critical Lattice Power Jiangxi Corp
Priority to CN201911183648.6A priority Critical patent/CN111063675A/zh
Publication of CN111063675A publication Critical patent/CN111063675A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/8506Containers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/036Manufacture or treatment of packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种Mini LED显示模组制备方法,包括:制备垂直结构的红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片,红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧为凸台结构;于一支撑膜表面制备一聚酯薄膜,并于聚酯薄膜中制备分别与红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧凸台结构匹配的凹槽;依次将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入聚酯薄膜的凹槽内;通过N电极一侧将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片转移至透明导电基底表面,并去除支撑膜及聚酯薄膜;于红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片之间填充环氧树脂胶;通过P电极一侧将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片与带线路基板焊接,完成Mini LED显示模组的制备。简单方便的实现晶片的巨量转移,且制备得到的Mini LED显示模组机械强度高,可靠性好。

Description

Mini LED显示模组制备方法
技术领域
本发明涉及LED技术领域,尤其是一种紫Mini LED显示模组制备方法。
背景技术
传统背光LED已发展多年,在技术上已达瓶颈,利润也相对不高,加上具备轻薄、可挠曲等高功能性的OLED显示器对背光显示市场的不断侵蚀,使得在OLED显示器上布局的厂商积极投入Mini LED的开发,提高产品的竞争优势。
Mini LED的直下式背光具有区域调光(Local Dimming)的特性,可比拟OLED自发光的高对比效果,加上Mini LED直下式背光更易于制作出高曲面的显示器供应不同需求,性能上与OLED显示器能够相抗衡的同时成本更低。以电视的产品为例,采用Mini LED直下式背光的成本将低于OLED的20~30%,将有助于厂商的获利表现。
巨量转移(Mass Transfer)是目前Mini LED产业化过程中面临的核心技术难题。常规的Mini LED显示模组采用极小尺寸的垂直结构芯片(R/G/B三基色晶片)通过固晶、焊线作业制备得到,但是固晶过程中的效率不高,且焊线容易发生焊接不良和断线风险。
发明内容
为了克服以上不足,本发明提供了一种Mini LED显示模组制备方法,有效解决现有Mini LED显示模组固晶过程中的效率不高、焊线容易发生焊接不良和断线风险等技术问题。
本发明提供的技术方案为:
一种Mini LED显示模组制备方法,包括:
制备垂直结构的红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片,所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧为凸台结构;
于一支撑膜表面制备一聚酯薄膜,并于所述聚酯薄膜中制备分别与所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧凸台结构匹配的凹槽;
依次将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入所述聚酯薄膜的凹槽内;
通过N电极一侧将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片转移至透明导电基底表面,并去除所述支撑膜及聚酯薄膜;
于所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片之间填充环氧树脂胶;
通过P电极一侧将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片与带线路基板焊接,完成Mini LED显示模组的制备。
在本发明提供的Mini LED显示模组制备方法中,通过红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧的凸台结构将其嵌入聚酯薄膜的凹槽,便于贴合透明导电基底及导电基板,简单方便的实现晶片的巨量转移,且制备得到的Mini LED显示模组机械强度高,可靠性好。
附图说明
图1~8为本发明中Mini LED显示模组制备流程图。
附图标记:
1-红光晶片,2-绿光晶片,3-蓝光晶片,11-红光晶片对应凸台结构,21-绿光晶片对应凸台结构,31-蓝光晶片对应凸台结构,4-聚酯薄膜,5-支撑膜,6-锡膏,7-透明导电基底,8-环氧树脂胶,9-带线路基板。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施案例或现有技术中的技术方案,下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图,并获得其他的实施方式。
本发明提供了一种Mini LED显示模组制备方法,包括:
S1制备垂直结构的红光晶片1、绿光晶片2及蓝光晶片3,红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧为凸台结构,如图1所示,其中,红光晶片1对应凸台结构11,绿光晶片2对应凸台结构21,蓝光晶片3对应凸台结构31,于侧边形成“T”字型结构。具体,在制备好了常规的红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片之后,使用金刚石砂轮刀片(由金刚石用树脂结合剂或者陶瓷结合剂制备并烧制成型)对红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片的P电极一侧开槽得到凸台结构,且金刚石砂轮刀片的刀刃宽度为20~100μm。对于红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片的凸台结构的尺寸、形状、凸起的高度均可根据实际情况进行设定,为了便于后续制备,对不同颜色的晶片进行区分,尺寸各不相同。如,一实例中,红光晶片背面方形凸台结构的边长为80μm,绿光晶片背面方形凸台结构的边长为60μm,蓝光晶片背面方形凸台结构的边长为40μm,凸起的高度为30~100μm。
S2于一支撑膜5表面制备一聚酯薄膜4,并于聚酯薄膜4中制备分别与红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧凸台结构匹配的凹槽。为了便于去除,支撑膜5为高温膜,在高温环境(如150℃)下粘性低,在低温环境下粘性高,足以黏住聚酯薄膜4。聚酯薄膜4为PET膜,使用激光在PET材料上刻蚀出与凸台结构匹配的凹槽,在制备好聚酯薄膜4后,将其贴装于高温膜表面。为了便于后续红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内,开的槽相对于凸台结构略大5-10μm。如,一实例中,红光晶片背面方形凸台结构的边长为80μm,绿光晶片背面方形凸台结构的边长为60μm,蓝光晶片背面方形凸台结构的边长为40μm,则聚酯薄膜4中对应的凹槽的边长为85-90μm、65-70μm、45-50μm。
S3依次将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内,如图2所示。具体,通过振动或悬浮液带动的方式依次将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内,如先将红光晶片嵌入,之后依次嵌入绿光晶片及蓝光晶片。在通过悬浮液带动晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内中,具体为,在悬浮液中,利用刷桶在支撑膜5上滚动,使得LED置于液体悬浮液中,通过流体,让晶片落入支撑膜5上聚酯薄膜4的凹槽内。如图3所示,通过悬浮液带动的方式将红光晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内;如图4所示,通过悬浮液带动的方式将绿光晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内;如图5所示,通过悬浮液带动的方式将蓝光晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内。
S4通过N电极一侧将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片转移至透明导电基底7表面,并去除支撑膜5及聚酯薄膜4,如图6所示。具体,将在红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片上印刷锡膏6,与透明导电基底7贴合,并通过回流焊固定晶片。这里对透明导电基底7的材料不做具体限定,只要能够导电且透明即可,如ITO等。
S5于红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片之间填充环氧树脂胶8,如图7所示。
S6通过P电极一侧将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片与带线路基板9焊接,完成Mini LED显示模组的制备,如图8所示。具体,在晶片的背面印刷锡膏,与带线路基板9贴合,并经过高温回流焊,制作得到R/G/B显示模组。
应当说明的是,上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种Mini LED显示模组制备方法,其特征在于,包括:
制备垂直结构的红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片,所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧为凸台结构;
于一支撑膜表面制备一聚酯薄膜,并于所述聚酯薄膜中制备分别与所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧凸台结构匹配的凹槽;
依次将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入所述聚酯薄膜的凹槽内;
通过N电极一侧将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片转移至透明导电基底表面,并去除所述支撑膜及聚酯薄膜;
于所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片之间填充环氧树脂胶;
通过P电极一侧将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片与带线路基板焊接,完成MiniLED显示模组的制备。
2.如权利要求1所述的Mini LED显示模组制备方法,其特征在于,在制备垂直结构的红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片中,包括:
使用金刚石砂轮刀片对红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片的P电极一侧开槽得到凸台结构,所述金刚石砂轮刀片的刀刃宽度为20~100μm。
3.如权利要求1或2所述的Mini LED显示模组制备方法,其特征在于,所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧凸台结构的尺寸各不相同。
4.如权利要求1或2所述的Mini LED显示模组制备方法,其特征在于,在依次将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入所述聚酯薄膜的凹槽内中,包括:
通过振动或悬浮液带动的方式依次将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入所述聚酯薄膜的凹槽内。
CN201911183648.6A 2019-11-27 2019-11-27 Mini LED显示模组制备方法 Pending CN111063675A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911183648.6A CN111063675A (zh) 2019-11-27 2019-11-27 Mini LED显示模组制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911183648.6A CN111063675A (zh) 2019-11-27 2019-11-27 Mini LED显示模组制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111063675A true CN111063675A (zh) 2020-04-24

Family

ID=70299010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911183648.6A Pending CN111063675A (zh) 2019-11-27 2019-11-27 Mini LED显示模组制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111063675A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111933774A (zh) * 2020-07-06 2020-11-13 深圳市隆利科技股份有限公司 流体制备led显示器的方法和系统
WO2021237823A1 (zh) * 2020-05-27 2021-12-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 迷你发光二极管背光模组及其制作方法

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060220988A1 (en) * 2005-04-04 2006-10-05 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Self assembling display with substrate
US20170025399A1 (en) * 2015-07-23 2017-01-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
CN206134683U (zh) * 2014-11-27 2017-04-26 广州硅芯电子科技有限公司 微型led显示器
US20170358624A1 (en) * 2016-06-13 2017-12-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
CN107910413A (zh) * 2017-11-21 2018-04-13 福州大学 一种MicroLED的巨量转移装置及转移方法
CN107978665A (zh) * 2017-11-16 2018-05-01 歌尔股份有限公司 Micro LED制备方法
US20180219138A1 (en) * 2014-10-31 2018-08-02 eLux Inc. Method for the Fluidic Assembly of Emissive Displays
CN207705223U (zh) * 2017-12-11 2018-08-07 上海九山电子科技有限公司 一种微型led芯片及其转移设备
CN109065677A (zh) * 2018-08-17 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 Micro-LED巨量转移方法及Micro-LED基板
CN109585342A (zh) * 2018-11-30 2019-04-05 天马微电子股份有限公司 一种微发光二极管的转移方法及显示面板
CN109661163A (zh) * 2018-12-20 2019-04-19 广东工业大学 一种温控粘附式Micro-LED巨量转移方法
US20190157523A1 (en) * 2017-11-20 2019-05-23 Kaistar Lighting (Xiamen) Co., Ltd. Micro led display device and method for manufacturing same
CN109950182A (zh) * 2019-03-29 2019-06-28 合肥鑫晟光电科技有限公司 Micro LED的巨量转移方法和巨量转移装置
CN109994579A (zh) * 2019-04-30 2019-07-09 云谷(固安)科技有限公司 微型led显示面板的制备方法和微型led显示面板
CN110047785A (zh) * 2019-04-24 2019-07-23 京东方科技集团股份有限公司 Micro LED巨量转移方法及其封装结构、显示装置
US20190319015A1 (en) * 2014-10-31 2019-10-17 eLux Inc. Emissive Display Substrate for Surface Mount Micro-LED Fluidic Assembly

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060220988A1 (en) * 2005-04-04 2006-10-05 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Self assembling display with substrate
US20180219138A1 (en) * 2014-10-31 2018-08-02 eLux Inc. Method for the Fluidic Assembly of Emissive Displays
US20190319015A1 (en) * 2014-10-31 2019-10-17 eLux Inc. Emissive Display Substrate for Surface Mount Micro-LED Fluidic Assembly
CN206134683U (zh) * 2014-11-27 2017-04-26 广州硅芯电子科技有限公司 微型led显示器
US20170025399A1 (en) * 2015-07-23 2017-01-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
US20170358624A1 (en) * 2016-06-13 2017-12-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
CN107978665A (zh) * 2017-11-16 2018-05-01 歌尔股份有限公司 Micro LED制备方法
US20190157523A1 (en) * 2017-11-20 2019-05-23 Kaistar Lighting (Xiamen) Co., Ltd. Micro led display device and method for manufacturing same
CN107910413A (zh) * 2017-11-21 2018-04-13 福州大学 一种MicroLED的巨量转移装置及转移方法
CN207705223U (zh) * 2017-12-11 2018-08-07 上海九山电子科技有限公司 一种微型led芯片及其转移设备
CN109065677A (zh) * 2018-08-17 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 Micro-LED巨量转移方法及Micro-LED基板
CN109585342A (zh) * 2018-11-30 2019-04-05 天马微电子股份有限公司 一种微发光二极管的转移方法及显示面板
CN109661163A (zh) * 2018-12-20 2019-04-19 广东工业大学 一种温控粘附式Micro-LED巨量转移方法
CN109950182A (zh) * 2019-03-29 2019-06-28 合肥鑫晟光电科技有限公司 Micro LED的巨量转移方法和巨量转移装置
CN110047785A (zh) * 2019-04-24 2019-07-23 京东方科技集团股份有限公司 Micro LED巨量转移方法及其封装结构、显示装置
CN109994579A (zh) * 2019-04-30 2019-07-09 云谷(固安)科技有限公司 微型led显示面板的制备方法和微型led显示面板

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021237823A1 (zh) * 2020-05-27 2021-12-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 迷你发光二极管背光模组及其制作方法
CN111933774A (zh) * 2020-07-06 2020-11-13 深圳市隆利科技股份有限公司 流体制备led显示器的方法和系统
CN111933774B (zh) * 2020-07-06 2022-09-23 深圳市隆利科技股份有限公司 流体制备led显示器的方法和系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107731864B (zh) 微发光二极管显示器和制作方法
CN206134683U (zh) 微型led显示器
CN111933771B (zh) 微发光二极管及其显示装置
CN104037314B (zh) 舞台灯覆晶cob光源及其生产工艺
CN112531092B (zh) 微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备
CN102723423B (zh) 大功率白光led器件无金线双面出光的封装方法及封装结构
CN107240356A (zh) 全彩led显示单元及其制备方法
CN108682670A (zh) 一种显示屏用表面贴装发光二极管模组及其制作方法
CN111063675A (zh) Mini LED显示模组制备方法
WO2023087394A1 (zh) 发光二极管的转移方法及发光基板
CN102237348B (zh) Led微阵列封装结构及其制造方法
TWI426480B (zh) 顯示裝置及其製造方法
CN114220828B (zh) Micro-LED芯片的巨量转移方法和用于该方法的转移载体
CN109065689B (zh) 一种Micro LED封装结构及其制备方法
US8227271B1 (en) Packaging method of wafer level chips
CN109037262A (zh) 微发光二极管显示模块的制造方法
TWI824948B (zh) 晶圓級發光二極體晶粒的無載板封裝方法
TW201917912A (zh) 微晶粒模組轉移方法
CN112736071A (zh) 一种高功率芯片嵌入式封装散热结构及其制备方法
CN104282671A (zh) 发光二极管组件及制作方法
CN202259429U (zh) 陶瓷1w大功率led封装结构
CN114975712A (zh) 一种微型led芯片质量检测结构及其检测方法
CN106129222A (zh) 单晶片封装的高功率白光led器件
CN120322081B (zh) 一种微led芯片封装结构及制备方法
CN110335932A (zh) 发光二极管组件及制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 330096 No. 699, Aixi Hubei Road, Nanchang High-tech Development Zone, Jiangxi Province

Applicant after: Jingneng optoelectronics Co.,Ltd.

Address before: 330096 No. 699, Aixi Hubei Road, Nanchang High-tech Development Zone, Jiangxi Province

Applicant before: LATTICE POWER (JIANGXI) Corp.

CB02 Change of applicant information
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200424

RJ01 Rejection of invention patent application after publication