CN111063675A - Mini LED显示模组制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种Mini LED显示模组制备方法,包括:制备垂直结构的红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片,红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧为凸台结构;于一支撑膜表面制备一聚酯薄膜,并于聚酯薄膜中制备分别与红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧凸台结构匹配的凹槽;依次将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入聚酯薄膜的凹槽内;通过N电极一侧将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片转移至透明导电基底表面,并去除支撑膜及聚酯薄膜;于红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片之间填充环氧树脂胶;通过P电极一侧将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片与带线路基板焊接,完成Mini LED显示模组的制备。简单方便的实现晶片的巨量转移,且制备得到的Mini LED显示模组机械强度高,可靠性好。
Description
技术领域
本发明涉及LED技术领域,尤其是一种紫Mini LED显示模组制备方法。
背景技术
传统背光LED已发展多年,在技术上已达瓶颈,利润也相对不高,加上具备轻薄、可挠曲等高功能性的OLED显示器对背光显示市场的不断侵蚀,使得在OLED显示器上布局的厂商积极投入Mini LED的开发,提高产品的竞争优势。
Mini LED的直下式背光具有区域调光(Local Dimming)的特性,可比拟OLED自发光的高对比效果,加上Mini LED直下式背光更易于制作出高曲面的显示器供应不同需求,性能上与OLED显示器能够相抗衡的同时成本更低。以电视的产品为例,采用Mini LED直下式背光的成本将低于OLED的20~30%,将有助于厂商的获利表现。
巨量转移(Mass Transfer)是目前Mini LED产业化过程中面临的核心技术难题。常规的Mini LED显示模组采用极小尺寸的垂直结构芯片(R/G/B三基色晶片)通过固晶、焊线作业制备得到,但是固晶过程中的效率不高,且焊线容易发生焊接不良和断线风险。
发明内容
为了克服以上不足,本发明提供了一种Mini LED显示模组制备方法,有效解决现有Mini LED显示模组固晶过程中的效率不高、焊线容易发生焊接不良和断线风险等技术问题。
本发明提供的技术方案为:
一种Mini LED显示模组制备方法,包括:
制备垂直结构的红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片,所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧为凸台结构;
于一支撑膜表面制备一聚酯薄膜,并于所述聚酯薄膜中制备分别与所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧凸台结构匹配的凹槽;
依次将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入所述聚酯薄膜的凹槽内;
通过N电极一侧将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片转移至透明导电基底表面,并去除所述支撑膜及聚酯薄膜;
于所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片之间填充环氧树脂胶;
通过P电极一侧将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片与带线路基板焊接,完成Mini LED显示模组的制备。
在本发明提供的Mini LED显示模组制备方法中,通过红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧的凸台结构将其嵌入聚酯薄膜的凹槽,便于贴合透明导电基底及导电基板,简单方便的实现晶片的巨量转移,且制备得到的Mini LED显示模组机械强度高,可靠性好。
附图说明
图1~8为本发明中Mini LED显示模组制备流程图。
附图标记:
1-红光晶片,2-绿光晶片,3-蓝光晶片,11-红光晶片对应凸台结构,21-绿光晶片对应凸台结构,31-蓝光晶片对应凸台结构,4-聚酯薄膜,5-支撑膜,6-锡膏,7-透明导电基底,8-环氧树脂胶,9-带线路基板。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施案例或现有技术中的技术方案,下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图,并获得其他的实施方式。
本发明提供了一种Mini LED显示模组制备方法,包括:
S1制备垂直结构的红光晶片1、绿光晶片2及蓝光晶片3,红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧为凸台结构,如图1所示,其中,红光晶片1对应凸台结构11,绿光晶片2对应凸台结构21,蓝光晶片3对应凸台结构31,于侧边形成“T”字型结构。具体,在制备好了常规的红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片之后,使用金刚石砂轮刀片(由金刚石用树脂结合剂或者陶瓷结合剂制备并烧制成型)对红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片的P电极一侧开槽得到凸台结构,且金刚石砂轮刀片的刀刃宽度为20~100μm。对于红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片的凸台结构的尺寸、形状、凸起的高度均可根据实际情况进行设定,为了便于后续制备,对不同颜色的晶片进行区分,尺寸各不相同。如,一实例中,红光晶片背面方形凸台结构的边长为80μm,绿光晶片背面方形凸台结构的边长为60μm,蓝光晶片背面方形凸台结构的边长为40μm,凸起的高度为30~100μm。
S2于一支撑膜5表面制备一聚酯薄膜4,并于聚酯薄膜4中制备分别与红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧凸台结构匹配的凹槽。为了便于去除,支撑膜5为高温膜,在高温环境(如150℃)下粘性低,在低温环境下粘性高,足以黏住聚酯薄膜4。聚酯薄膜4为PET膜,使用激光在PET材料上刻蚀出与凸台结构匹配的凹槽,在制备好聚酯薄膜4后,将其贴装于高温膜表面。为了便于后续红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内,开的槽相对于凸台结构略大5-10μm。如,一实例中,红光晶片背面方形凸台结构的边长为80μm,绿光晶片背面方形凸台结构的边长为60μm,蓝光晶片背面方形凸台结构的边长为40μm,则聚酯薄膜4中对应的凹槽的边长为85-90μm、65-70μm、45-50μm。
S3依次将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内,如图2所示。具体,通过振动或悬浮液带动的方式依次将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内,如先将红光晶片嵌入,之后依次嵌入绿光晶片及蓝光晶片。在通过悬浮液带动晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内中,具体为,在悬浮液中,利用刷桶在支撑膜5上滚动,使得LED置于液体悬浮液中,通过流体,让晶片落入支撑膜5上聚酯薄膜4的凹槽内。如图3所示,通过悬浮液带动的方式将红光晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内;如图4所示,通过悬浮液带动的方式将绿光晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内;如图5所示,通过悬浮液带动的方式将蓝光晶片嵌入聚酯薄膜4的凹槽内。
S4通过N电极一侧将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片转移至透明导电基底7表面,并去除支撑膜5及聚酯薄膜4,如图6所示。具体,将在红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片上印刷锡膏6,与透明导电基底7贴合,并通过回流焊固定晶片。这里对透明导电基底7的材料不做具体限定,只要能够导电且透明即可,如ITO等。
S5于红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片之间填充环氧树脂胶8,如图7所示。
S6通过P电极一侧将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片与带线路基板9焊接,完成Mini LED显示模组的制备,如图8所示。具体,在晶片的背面印刷锡膏,与带线路基板9贴合,并经过高温回流焊,制作得到R/G/B显示模组。
应当说明的是,上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种Mini LED显示模组制备方法,其特征在于,包括:
制备垂直结构的红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片,所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧为凸台结构;
于一支撑膜表面制备一聚酯薄膜,并于所述聚酯薄膜中制备分别与所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧凸台结构匹配的凹槽;
依次将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入所述聚酯薄膜的凹槽内;
通过N电极一侧将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片转移至透明导电基底表面,并去除所述支撑膜及聚酯薄膜;
于所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片之间填充环氧树脂胶;
通过P电极一侧将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片与带线路基板焊接,完成MiniLED显示模组的制备。
2.如权利要求1所述的Mini LED显示模组制备方法,其特征在于,在制备垂直结构的红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片中,包括:
使用金刚石砂轮刀片对红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片的P电极一侧开槽得到凸台结构,所述金刚石砂轮刀片的刀刃宽度为20~100μm。
3.如权利要求1或2所述的Mini LED显示模组制备方法,其特征在于,所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧凸台结构的尺寸各不相同。
4.如权利要求1或2所述的Mini LED显示模组制备方法,其特征在于,在依次将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入所述聚酯薄膜的凹槽内中,包括:
通过振动或悬浮液带动的方式依次将所述红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入所述聚酯薄膜的凹槽内。
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| CN201911183648.6A Pending CN111063675A (zh) | 2019-11-27 | 2019-11-27 | Mini LED显示模组制备方法 |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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Application publication date: 20200424 |
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