CN111033687A - 支承玻璃基板和使用其的层叠基板 - Google Patents

Abstract

本发明的支承玻璃基板是用于支承加工基板的支承玻璃基板，其特征在于，在支承玻璃基板的表面具备以点作为结构单元的信息识别部，并且从点扩展的裂纹在表面方向的平均长度为350μm以下。

Description

支承玻璃基板和使用其的层叠基板

技术领域

本发明涉及用于支承加工基板的支承玻璃基板及使用其的层叠基板，具体而言涉及在半导体封装体(半导体装置)的制造工序中用于支承加工基板的支承玻璃基板及使用其的层叠基板。

背景技术

对于移动电话、笔记本电脑、PDA(Personal Data Assistance)等便携型电子设备，要求小型化及轻量化。伴随于此，用于这些电子设备的半导体芯片的安装空间也严格受限，半导体芯片的高密度的安装成为课题。因此，在近年来，通过三维安装技术，即通过将半导体芯片彼此层叠并将各半导体芯片间进行布线连接，从而实现半导体封装体的高密度安装。

另外，以往的晶片级封装(WLP)是以晶片的状态而形成凸块后，通过切割而单片化来进行制作。但以往的WLP不易使引脚数增加，并且在半导体芯片的背面露出的状态进行安装，因此有容易产生半导体芯片的缺损这样的问题。

因此，作为新的WLP，提出了扩散(fan out)型的WLP。Fan out型的WLP可使引脚数增加，另外，通过保护半导体芯片的端部，从而可防止半导体芯片的缺损等。

对于fan out型的WLP，有先芯片型与后芯片型的制造方法。在先芯片型中，例如，具有在用树脂的密封材料对多个半导体芯片进行模制，形成加工基板后，布线于加工基板的一个表面的工序；形成焊料凸块的工序等。在后芯片型中，例如，具有在支承基板上设置布线层后，排列多个半导体芯片，用树脂的密封材料来模制而形成加工基板后，形成焊料凸块的工序等。

此外，最近也在研究称为面板级封装(PLP)的半导体封装体。在PLP中，为了使每1片支承基板的获得半导体封装体的获得数增加，并且使制造成本降低，使用了矩形形状而非晶片状的支承基板。

在这些半导体封装体的制造工序中，由于伴随约200℃的热处理，从而有可能密封材料产生变形，加工基板发生翘曲。当加工基板发生翘曲时，对于加工基板的一个表面而言，高密度地布线则变得困难，另外，准确地形成焊料凸块也变得困难。

鉴于这些情况，为了抑制加工基板的翘曲，正在研究为了支承加工基板而使用玻璃基板(参照专利文献1)。

玻璃基板容易将表面平滑化，且具有刚性。因而，当使用玻璃基板作为支承基板时，可将加工基板牢固且准确地进行支承。另外，玻璃基板容易透射紫外光、红外光等光。因而，当使用玻璃基板作为支承基板时，通过设置紫外线固化型粘接剂等粘接层等，从而可容易地固定加工基板。此外，通过设置吸收红外线的剥离层等，从而也可容易地分离加工基板。作为另外的方式而利用紫外线固化型胶带等而设置粘接层等，从而也可容易地固定、分离加工基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-78113号公报

专利文献2：国际公开第2016/136348号

发明内容

发明要解决的课题

然而，在支承玻璃基板的表面形成(标记)二维码的信息识别部(标示)时，可管理、辨识支承玻璃基板的生产信息等(例如，玻璃基板的尺寸、线热膨胀系数、批次、整体板厚偏差、制造者名、销售者名)。该信息识别部一般而言形成于支承玻璃基板的周缘范围，以文字、记号等形式通过人的眼睛等辨识。此外，有支承玻璃基板的信息识别部通过CCD像机等光学元件而自动识别的情况，该情况下对于信息识别部要求即使在自动化工序中也可准确地识别。

作为形成信息识别部的方法，例如已知对支承玻璃基板照射激光，利用其照射前后的热冲击，使裂纹(主要为厚度方向的裂纹)在支承玻璃基板扩展，从而形成信息识别部的方法(参照专利文献2)。

然而，该方法在fan out型的WLP与PLP的制造工序中，在历经为了固化密封材料的树脂而加热层叠基板的工序的情况下，在加热层叠基板后冷却至室温时，由于加工基板与支承玻璃基板的略微的热膨胀系数之差，支承玻璃基板容易产生破损。

本发明是鉴于上述情况而作出的，其技术课题是发明即使在表面形成信息识别部的情况下，在fan out型的WLP与PLP的制造工序中也不易产生破损的支承玻璃基板。

用于解决课题的手段

本发明人反复进行各种实验的结果是，发现通过将从构成信息识别部的点所产生的裂纹的长度限制为规定值以下，可解决上述技术课题，从而作为本发明而提出。即，本发明的支承玻璃基板其特征在于，其是用于支承加工基板的支承玻璃基板，在支承玻璃基板的表面具备以点作为结构单元的信息识别部，并且从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度为350μm以下。在此，“从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度”是在利用光学显微镜观察时，沿着裂纹的形状测量长度而得的长度，而并非连结裂纹的起点与终点并测量两点间距离而得的长度，另外也不是对厚度方向的裂纹测量长度而得的长度。需要说明的是，从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度可通过脉冲激光的照射条件(脉冲宽度、照射直径、照射速度等)控制。

另外，优选本发明的支承玻璃基板从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度为0.1μm以上。

另外，优选本发明的支承玻璃基板的点由环状的沟形成。按照这样，容易通过激光烧蚀(基于脉冲激光照射而导致的玻璃的蒸发)而形成点。其结果是，在照射脉冲激光而形成点时，通过控制照射条件，可形成点而不使过剩的热积蓄于照射区域的玻璃。

另外，在本发明的支承玻璃基板中，优选在30～380℃的温度范围的平均线热膨胀系数为30×10^-7/℃以上且165×10^-7/℃以下。按照这样，在加工基板内变更半导体芯片与密封材料的比例的情况下，可容易使加工基板与支承玻璃基板的热膨胀系数严格地进行匹配。并且，当两者的热膨胀系数匹配时，容易抑制在加工处理时加工基板的尺寸变化(特别是，翘曲变形)。其结果是，可抑制支承玻璃基板的翘曲，可使以支承玻璃基板的信息识别部的裂纹作为起点的支承玻璃基板的破损减少。在此，“在30～380℃的温度范围的平均线热膨胀系数”可以利用膨胀仪测定。

另外，本发明的支承玻璃基板优选具有直径100～500mm的晶片形状或大致圆板形状，板厚不足2.0mm，整体板厚偏差为5μm以下。在此，“整体板厚偏差”为支承玻璃基板整体的最大板厚与最小板厚之差，例如，可通过KOBELCO科研公司制的SBW-331ML/d测定。“翘曲量”是指在支承玻璃基板整体的最高位点与最小二乘焦点面之间的最大距离的绝对值、和最低位点与最小二乘焦点面的绝对值的合计，例如可通过KOBELCO科研公司制的Bow/Warp测定装置SBW-331ML/d而测定。

另外，本发明的支承玻璃基板优选具有各边为300mm以上的四边形的形状，板厚不足2.0mm，整体板厚偏差为10μm以下。

另外，本发明的层叠基板优选至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板，并且支承玻璃基板为上述的支承玻璃基板。

另外，本发明的层叠基板中，优选加工基板至少具备用密封材料模制的半导体芯片。

优选本发明的半导体封装体的制造方法具有：准备至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠基板的工序；和对加工基板进行加工处理的工序，并且支承玻璃基板为上述的支承玻璃基板。

另外，本发明的半导体封装体的制造方法中，优选加工处理包括对加工基板的一个表面进行布线的工序。

另外，本发明的半导体封装体的制造方法中，优选加工处理包括在加工基板的一个表面形成焊料凸块的工序。

本发明的玻璃基板其特征在于，在表面具备以点作为结构单元的信息识别部，并且从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度为350μm以下。

以下，参照图1～4对本发明的一个实施方式加以说明。图1是本发明的一个实施方式涉及的支承玻璃基板1的平面图。该支承玻璃基板1可用于支承加工基板。如该图所示，支承玻璃基板1在其表面2形成有信息识别部3。在本实施方式中，支承玻璃基板1呈大致圆板状。另外，对于该支承玻璃基板1的周缘部1a，作为定位部而设置有缺口部4，在该缺口部4的附近形成有信息识别部3。

如图2所示，信息识别部3例如包含多个文字5(在此所称的文字5至少如图2所示那样包含数字等表意文字)的组合。另外，各文字5如放大图2中的A部所示那样，分别由多个点6构成。并且，将缺口部4的圆周方向中央位置C3作为基准的情况下的信息识别部3的圆周方向中央位置C4的相位θ(图2)设定为2°以上且10°以下。

进而，对于各点6加以说明。图4放大显示图3的B部所示的点6，如该图所示，各点6由环状的沟7形成。因此，构成文字5的各点6被辨识为环状(图3及图4)。在本实施方式中，沟7呈圆环状。另外，沟7的外周缘与内周缘同时呈圆形状。因而，该情况下，沟7的宽度尺寸遍布于全周为恒定。

裂纹8从环状的沟7扩展，但该裂纹8在表面方向的最大长度为0.5～10μm。

附图说明

图1是示出本发明的支承玻璃基板的一例的示意俯视图。

图2是图1所示的支承玻璃基板的要部放大图。

图3是图2所示的支承玻璃基板的A部放大图。

图4是图3所示的支承玻璃基板的B部放大图。

图5是示出本发明的层叠基板的一例的示意立体图。

图6是示出fan out型的WLP的先芯片型的制造工序的示意截面图。

图7是实施例涉及的试样No.2的显微镜照片。

图8是比较例涉及的试样No.11的显微镜照片。

具体实施方式

本发明的支承玻璃基板在支承玻璃基板的表面具备以点作为结构单元的信息识别部。

信息识别部具有选自文字、记号、二维码及图形中的1种以上的要素，该要素由多个点构成。优选信息识别部显示选自支承玻璃基板的尺寸、线热膨胀系数、批次、厚度偏差率、制造者名、销售者名及材质码中的至少1个信息。需要说明的是，对于在此所称的“尺寸”规定为包括支承玻璃基板的厚度尺寸、外径尺寸、缺口部的尺寸等。

本发明的支承玻璃基板从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度为350μm以下，优选为300μm以下、250μm以下、0.1～180μm、0.3～100μm、0.3～50μm、0.5～30μm、0.5～20μm、0.8～10μm、特别为1～5μm。当裂纹在表面方向的最大长度过大时，在fan out型的WLP与PLP的制造工序中支承玻璃基板容易产生破损。需要说明的是，若完全消除从点所产生的表面方向的裂纹，虽然在fan out型的WLP与PLP的制造工序中支承玻璃基板更不容易产生破损，但此情况下不易通过激光烧蚀在短时间形成点，信息识别部的形成效率极端地降低。

在本发明的支承玻璃基板中，从点扩展的裂纹在厚度方向的最大长度优选为200μm以下、100μm以下、50μm以下、30μm以下、20μm以下、10μm以下、特别是5μm以下。当裂纹在厚度方向的最大长度过大时，在fan out型的WLP与PLP的制造工序中支承玻璃基板容易产生破损。

点的外径尺寸优选为0.05～0.20mm、0.07～0.13mm以下、特别是0.09～0.11mm。当点的外径尺寸过小时，信息识别部的辨识性容易降低。另一方面，当点的外径尺寸过大时，容易确保支承玻璃基板的强度。

相互相邻的点的中心间距优选为0.06～0.25mm。当相互相邻的点的中心间距过小时，容易确保支承玻璃基板的强度。另一方面，当相互相邻的点的中心间距过大时，信息识别部的辨识性容易降低。

信息识别部可以利用各种方法形成，在本发明中，优选照射脉冲激光，烧蚀其照射区域的玻璃而形成信息识别部，换言之通过激光烧蚀而形成信息识别部。按照这样，可使烧蚀产生而不使过剩的热积蓄于照射区域的玻璃。其结果是，不仅可降低厚度方向的裂纹的长度，而且可降低从点扩展的表面方向的裂纹的长度。

利用激光烧蚀形成信息识别部的情况下，激光的照射条件没有特别限制，例如脉冲激光的脉冲宽度设定为皮秒级，优选为飞秒级，具体而言优选为10fs以上且500000fs(500ps)以下。另外，该脉冲激光的波长优选为200nm以上且2500nm以下，其重复频率优选为1Hz以上且1G(千兆)Hz以下。另外，脉冲激光的光束直径优选为1μm以上且100μm以下，其扫描速度优选为1mm/s以上且800mm/s以下。需要说明的是，脉冲激光的脉冲宽度过大时，在激光照射时容易产生热应变。

信息识别部以点作为结构单元，该点的形状优选为环状的沟。按照这样，将点设为环状的沟时，由该环状的沟所围绕的区域(比沟更内侧的区域)未通过激光被除去而残留，因此能够尽可能地防止设置有信息识别部的区域的强度降低。另外，若为环状的沟，只要未改变外径尺寸，则即使缩小沟的宽度尺寸，辨识性也不会有大程度地降低。因而，若未改变沟的外径尺寸而缩小宽度尺寸，则可相应地增大比沟更内侧的区域的体积，由此，可确保辨识性的同时确保所需要的强度。

形成点的沟的深度尺寸优选为2～30μm。当沟的深度尺寸过小时，信息识别部的辨识性容易降低。另一方面，当沟的深度尺寸过大时，容易确保支承玻璃基板的强度。

支承玻璃基板的杨氏模量优选为60GPa以上、65GPa以上、70GPa以上、特别是75～130GPa。在加工基板内半导体芯片的比例少、密封材料的比例多的情况下，层叠基板整体的刚性降低，在加工处理工序中加工基板容易翘曲。因此，当提高支承玻璃基板的杨氏模量时，容易降低加工基板的翘曲，可使支承玻璃基板的信息识别部的以裂纹作为起点的支承玻璃基板的破损减少。

支承玻璃基板的热膨胀系数优选以匹配于加工基板的热膨胀系数的方式加以限制。具体而言，在加工基板内半导体芯片的比例少、密封材料的比例多的情况下，优选提高支承玻璃基板的热膨胀系数，相反地，在加工基板内半导体芯片的比例多、密封材料的比例少的情况下，优选降低支承玻璃基板的热膨胀系数。

将支承玻璃基板在30～380℃的温度范围的平均线热膨胀系数限制为30×10^-7/℃以上且不足50×10^-7/℃的情况下，作为玻璃组成，优选以质量％计含有SiO₂ 55％～75％、Al₂O₃ 15％～30％、Li₂O 0.1％～6％、Na₂O+K₂O(Na₂O与K₂O的总量)0％～8％、MgO+CaO+SrO+BaO(MgO、CaO、SrO及BaO的总量)0％～10％，还优选含有SiO₂ 55％～75％、Al₂O₃ 10％～30％、Li₂O+Na₂O+K₂O(Li₂O、Na₂O及K₂O的总量)0％～0.3％、MgO+CaO+SrO+BaO 5％～20％，还优选含有SiO₂ 55％～68％、Al₂O₃ 12％～25％、B₂O₃ 0％～15％、MgO+CaO+SrO+BaO 5％～30％，还优选以质量％计含有SiO₂ 65％～75％、Al₂O₃ 1％～10％、B₂O₃ 10％～20％、Li₂O0％～3％、Na₂O+K₂O 3％～9％、MgO+CaO+SrO+BaO 0％～5％。将支承玻璃基板在30～380℃的温度范围的平均线热膨胀系数限制为50×10^-7/℃以上且不足70×10^-7/℃的情况下，作为玻璃组成，优选以质量％计含有SiO₂ 55％～75％、Al₂O₃ 3％～15％、B₂O₃ 5％～20％、MgO0％～5％、CaO 0％～10％、SrO 0％～5％、BaO 0％～5％、ZnO 0％～5％、Na₂O 5％～15％、K₂O 0％～10％，更优选含有SiO₂ 64％～71％、Al₂O₃ 5％～10％、B₂O₃ 8％～15％、MgO 0％～5％、CaO 0％～6％、SrO 0％～3％、BaO 0％～3％、ZnO 0％～3％、Na₂O 5％～15％、K₂O0％～5％。将支承玻璃基板在30～380℃的温度范围的平均线热膨胀系数限制为70×10^-7/℃以上且85×10^-7/℃以下的情况下，作为玻璃组成，优选以质量％计含有SiO₂ 60％～75％、Al₂O₃ 5％～15％、B₂O₃ 5％～20％、MgO 0％～5％、CaO 0％～10％、SrO 0％～5％、BaO 0％～5％、ZnO 0％～5％、Na₂O 7％～16％、K₂O 0％～8％，更优选含有SiO₂ 60％～68％、Al₂O₃ 5％～15％、B₂O₃ 5％～20％、MgO 0％～5％、CaO 0％～10％、SrO 0％～3％、BaO 0％～3％、ZnO 0％～3％、Na₂O 8％～16％、K₂O 0％～3％。将支承玻璃基板在30～380℃的温度范围的平均线热膨胀系数限制为70×10^-7/℃以上且85×10^-7/℃以下的情况下，作为玻璃组成，优选以质量％计含有SiO₂ 10％～60％、Al₂O₃ 0％～8％、B₂O₃ 0％～20％、BaO 10％～40％、TiO₂+La₂O₃ 3％～30％。将支承玻璃基板在30～380℃的温度范围的平均线热膨胀系数限制为50×10^-7/℃以上且85×10^-7/℃以下的情况下，作为玻璃组成，优选以质量％计含有SiO₂ 45％～65％、Al₂O₃ 0％～15％、B₂O₃ 0％～20％、MgO 0％～3％、CaO 1％～20％、SrO 0％～20％、BaO 0％～30％、ZnO 0％～5％、ZrO₂ 0％～10％、TiO₂ 0％～20％、Nb₂O₅ 0％～20％、La₂O₃ 0％～30％、Na₂O 0％～5％、K₂O 0％～10％，更优选含有SiO₂ 45％～60％、Al₂O₃ 6％～13％、B₂O₃ 0％～5％、MgO 0％～3％、CaO 1％～5％、SrO 10％～20％、BaO 15％～30％。另外，进一步优选含有SiO₂ 20％～60％、B₂O₃ 0％～20％、CaO 3％～20％、SrO 0％～3％、BaO 5％～20％、ZrO₂ 0％～10％、TiO₂ 0％～20％、Nb₂O₅ 0％～20％、La₂O₃ 0％～30％、Na₂O 0％～5％、K₂O 0％～10％。将支承玻璃基板在30～380℃的温度范围的平均线热膨胀系数限制为超过85×10^-7/℃且为120×10^-7/℃以下的情况下，作为玻璃组成，优选以质量％计含有SiO₂ 55％～70％、Al₂O₃ 3％～13％、B₂O₃ 2％～8％、MgO 0％～5％、CaO 0％～10％、SrO 0％～5％、BaO 0％～5％、ZnO 0％～5％、Na₂O 10％～21％、K₂O0％～5％。将支承玻璃基板在30～380℃的温度范围的平均线热膨胀系数限制为超过120×10^-7/℃且为165×10^-7/℃以下的情况，作为玻璃组成，优选以质量％计含有SiO₂ 53％～65％、Al₂O₃ 3％～13％、B₂O₃ 0％～5％、MgO 0.1％～6％、CaO 0％～10％、SrO 0％～5％、BaO 0％～5％、ZnO 0％～5％、Na₂O+K₂O 2O％～40％、Na₂O 12％～21％、K₂O 7％～21％。按照这样，容易将热膨胀系数限制为管理目标范围内，并且耐失透性提高，因此容易制作整体板厚偏差小的支承玻璃基板。

支承玻璃基板的液相温度优选为不足1150℃，为1120℃以下、1100℃以下、1080℃以下、1050℃以下、1010℃以下、980℃以下、960℃以下、950℃以下、特别是940℃以下。另外，支承玻璃基板的液相粘度优选为10^4.8dPa·s以上、10^5.0dPa·s以上、10^5.2dPa·s以上、10^5.4dPa·s以上、特别是10^5.6dPa·s以上。按照这样，容易利用下拉法，特别是溢出下拉法而成形为板状，因此即使未研磨表面，也可降低整体板厚偏差。或者，通过少量的研磨，可将整体板厚偏差降低至不足2.0μm，特别是不足1.0μm。其结果是，也可使支承玻璃基板的制造成本低廉化。需要说明的是，“液相温度”可以按照以下方式算出：将通过标准筛30目(500μm)且残留于50目(300μm)的玻璃粉末放入至铂舟皿后，在温度梯度炉中保持24小时，测定结晶析出的温度而算出。“液相粘度”可通过以铂球提拉法测定在液相温度的玻璃的粘度而算出。

本发明的支承玻璃基板优选具有以下的形状。

本发明的支承玻璃基板优选为晶片形状或大致圆板形状，其直径优选为100mm以上且500mm以下、特别是150mm以上且450mm以下。按照这样，容易应用于fan out型的WLP的制造工序。另外，本发明的支承玻璃基板优选为四边形的形状(特别是矩形形状)，各边的长度优选为300mm以上且600mm以下、400mm以上且550mm以下、415mm以上且515mm以下、特别是450mm以上且510mm以下。按照这样，容易应用于fan out型的PLP的制造工序。

在本发明的支承玻璃基板中，板厚优选为不足2.0mm，为1.8mm以下、1.6mm以下、1.5mm以下、1.2mm以下、1.1mm以下、1.0mm以下、特别是0.9mm以下。板厚越薄，则层叠基板的质量越轻，因此操作性提高。另一方面，板厚过薄时，支承玻璃基板自身的强度降低，不易实现作为支承基板的功能。因而，板厚优选为0.1mm以上、0.2mm以上、0.3mm以上、0.4mm以上、0.5mm以上、0.6mm以上、特别是超过0.7mm。

在本发明的支承玻璃基板中，整体板厚偏差优选为10μm以下、5μm以下、4μm以下、3μm以下、2μm以下、1μm以下、特别是0.1μm以上且不足1μm。另外，算术平均粗糙度Ra优选为20nm以下、10nm以下、5nm以下、2nm以下、1nm以下、特别是0.5nm以下。表面精确度越高，越容易提高加工处理的精度。特别是可提高布线精度，因此可进行高密度的布线。另外，支承玻璃基板的强度提高，支承玻璃基板及层叠基板不易破损。进而可增加支承玻璃基板的再利用次数。需要说明的是，“算术平均粗糙度Ra”可通过触针式表面粗糙度计或原子力显微镜(AFM)而测定。

在本发明的支承玻璃基板中，翘曲量优选为60μm以下、55μm以下、50μm以下、1～45μm、特别是5～40μm。翘曲量越小，越容易提高加工处理的精度。特别是可提高布线精度，因此可进行高密度的布线。

在本发明的支承玻璃基板中，圆度优选为1mm以下、0.1mm以下、0.05mm以下、特别是0.03mm以下。圆度越小，越容易应用于fan out型的WLP与PLP的制造工序。需要说明的是，“圆度”是除了缺口部以外，由外形的最大值减去最小值的值。

本发明的支承玻璃基板优选具有缺口部，缺口部的深部更优选俯视观察为大致圆形状或大致V沟形状。由此，使定位销等定位构件抵接于支承玻璃基板的缺口部，容易将支承玻璃基板固定位置。其结果是，容易进行支承玻璃基板与加工基板的对位。特别是，对于加工基板也形成缺口部，使定位构件抵接时，容易进行层叠基板整体的对位。需要说明的是，缺口部抵接定位构件，因此容易产生裂纹，本发明的支承玻璃基板的抗裂纹性高，因此对于具有缺口部的情况特别有效。

在支承玻璃基板的缺口部抵接定位构件时，应力容易集中于缺口部，以缺口部作为起点，支承玻璃基板容易破损。特别是通过外力而弯曲支承玻璃基板时，该倾向变得显著。因而，本发明的支承玻璃基板优选缺口部的表面与端面交叉的端缘区域的全部或一部分被进行倒角。由此，可有效地避免缺口部作为起点的破损。

本发明的支承玻璃基板的缺口部的表面与端面交叉的端缘区域的全部或一部分被进行倒角，优选缺口部的表面与端面交叉的端缘区域的50％以上被进行倒角，更优选缺口部的表面与端面交叉的端缘区域的90％以上被进行倒角，进一步优选缺口部的表面与端面交叉的端缘区域的全部被进行倒角。在缺口部中被进行倒角的区域越大，越可降低缺口部作为起点的破损的概率。

缺口部的表面方向的倒角宽度优选为50～900μm、200～800μm、300～700μm、400～650μm、特别是500～600μm。缺口部的表面方向的倒角宽度过小时，以缺口部作为起点，支承玻璃基板容易破损。另一方面，缺口部的表面方向的倒角宽度过大时，倒角效率降低，支承玻璃基板的制造成本容易高涨。

缺口部的板厚方向的倒角宽度优选为板厚的5％～80％、20％～75％、30％～70％、35％～65％、特别是40％～60％。缺口部的板厚方向的倒角宽度过小时，以缺口部作为起点，支承玻璃基板容易破损。另一方面，缺口部的板厚方向的倒角宽度过大时，外力容易集中于缺口部的端面，以缺口部的端面作为起点，支承玻璃基板容易破损。

本发明的支承玻璃基板优选为配合、混合玻璃原料而制作玻璃配合料，将该玻璃配合料投入至玻璃熔融炉后，将所得到的熔融玻璃进行澄清、搅拌后，供给至成形装置，成形为板状加以制作而成。

本发明的支承玻璃基板优选以下拉法，特别是溢出下拉法成形而成。溢出下拉法是使熔融玻璃从耐热性的流槽状结构物的两侧溢出，一边使溢出的熔融玻璃汇合在流槽状结构物的下顶端，一边延伸成形于下方而成形为板状的方法。在溢出下拉法中，应成为支承玻璃基板的表面的面未接触流槽状耐火物，以自由表面的状态成形。因此，通过少量的研磨，可将整体板厚偏差降低至不足2.0μm，特别是不足1.0μm。其结果是，可使支承玻璃基板的制造成本低廉化。

本发明的支承玻璃基板优选以溢出下拉法而成形后，研磨表面而成。按照这样，容易将整体板厚偏差限制为不足2.0μm，1.5μm以下、1.0μm以下、特别是0.1μm以上且不足1.0μm。

本发明的支承玻璃基板优选未进行离子交换处理，优选在表面不具有压缩应力层。若进行离子交换处理，则不易降低支承玻璃基板的整体板厚偏差，但若不进行离子交换处理，则可消除这种不良状况。需要说明的是，本发明的支承玻璃基板并不是排除进行离子交换处理并在表面形成压缩应力层的方案。当仅着眼于提高机械强度的观点时，优选进行离子交换处理，并在表面形成压缩应力层。

本发明的层叠基板的特征在于，至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板，并且支承玻璃基板为上述的支承玻璃基板。本发明的层叠基板优选在加工基板与支承玻璃基板之间具有粘接层。粘接层优选为树脂，例如优选为热固化性树脂、光固化性树脂(特别是紫外线固化树脂)等。另外，优选具有可耐受在fan out型的WLP与PLP的制造工序中的热处理的耐热性。由此，在fan out型的WLP与PLP的制造工序中粘接层不易熔解，可提高加工处理的精度。需要说明的是，为了容易固定加工基板与支承玻璃基板，也可将紫外线固化型胶带作为粘接层而使用。

本发明的层叠基板优选进一步在加工基板与支承玻璃基板之间，更具体而言在加工基板与粘接层之间具有剥离层，或者在支承玻璃基板与粘接层之间具有剥离层。按照这样，对于加工基板进行规定的加工处理后，从支承玻璃基板容易剥离加工基板。对于加工基板的剥离，从生产性的观点出发，优选通过激光等照射光而进行。作为激光光源，可使用YAG激光(波长1064nm)、半导体激光(波长780～1300nm)等红外光激光光源。另外，对于剥离层可使用通过照射红外线激光而分解的树脂。另外，也可将高效地吸收红外线并转变为热的物质添加于树脂。例如，也可将碳黑、石墨粉、微粒金属粉末、染料、颜料等添加于树脂。

剥离层由通过激光等照射光而产生“层内剥离”或“界面剥离”的材料构成。换言之，由以下材料构成：所述材料是当照射一定强度的光时，原子或分子的原子间或分子间的键合力消失或减少，发生烧蚀(ablation)等，发生剥离的材料。需要说明的是，会有通过照射光的照射从而包含于剥离层的成分成为气体而释放以至分离的情况、和剥离层吸收光而成为气体并释放其蒸气以至分离的情况。

在本发明的层叠基板中，优选支承玻璃基板比加工基板大。由此，在对加工基板与支承玻璃基板进行支承时，即使在两者的中心位置稍微偏离的情况下，加工基板的缘部也不易从支承玻璃基板突出。

本发明的半导体封装体的制造方法的特征在于，具有：准备至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠基板的工序；以及对加工基板进行加工处理的工序，并且支承玻璃基板为上述的支承玻璃基板。

本发明的半导体封装体的制造方法优选还具有搬送层叠基板的工序。由此，可提高加工处理的处理效率。需要说明的是，“搬送层叠基板的工序”和“对加工基板进行加工处理的工序”无须另外进行，可以同时进行。

在本发明的半导体封装体的制造方法中，加工处理优选为在加工基板的一个表面进行布线的处理，或者在加工基板的一个表面形成焊料凸块的处理。在本发明的半导体封装体的制造方法中，在这些处理时，加工基板不易产生尺寸变化，因此可适当地进行这些工序。

作为加工处理，除上述以外，也可为下述处理中的任意处理：机械性地研磨加工基板的一个表面(通常，与支承玻璃基板相反侧的表面)的处理，干蚀刻加工基板的一个表面(通常，与支承玻璃基板相反侧的表面)的处理，湿蚀刻加工基板的一个表面(通常，与支承玻璃基板相反侧的表面)的处理。需要说明的是，在本发明的半导体封装体的制造方法中，不易在加工基板中发生翘曲，并且可维持层叠基板的刚性。其结果是，可适当地进行上述加工处理。

对于本发明，参照附图进一步进行说明。图5是示出本发明的层叠基板9的一例的示意立体图。在图5中，层叠基板9具备：支承玻璃基板10和加工基板11。为了防止加工基板11的尺寸变化，支承玻璃基板10贴合于加工基板11。在支承玻璃基板10与加工基板11之间配置有剥离层12和粘接层13。剥离层12与支承玻璃基板10接触，粘接层13与加工基板11接触。

如由图5可知，层叠基板9依次层叠配置有支承玻璃基板10、剥离层12、粘接层13、加工基板11。支承玻璃基板10的形状根据加工基板11来确定，在图1中，支承玻璃基板10及加工基板11的形状均为大致圆板形状。剥离层12例如可使用通过照射激光而分解的树脂。另外，也可将高效率地吸收激光并转变为热的物质添加于树脂。例如，碳黑、石墨粉、微粒金属粉末、染料、颜料等。剥离层12通过等离子体CVD、或基于溶胶-凝胶法的旋涂法等而形成。粘接层13由树脂构成，例如，通过各种印刷法、喷墨法、旋涂法、辊涂法等而涂布形成。另外，也可使用紫外线固化型胶带。支承玻璃基板10通过剥离层12而从加工基板11剥离后，粘接层13通过溶剂等而溶解除去。紫外线固化型胶带在照射紫外线后，可通过剥离用胶带而除去。

图6是示出fan out型的WLP的先芯片型的制造工序的示意截面图。图6(a)示出将粘接层21形成于支承构件20的一个表面上的状态。根据需要，也可在支承构件20与粘接层21之间形成剥离层。接下来，如图6(b)所示，在粘接层21上粘贴多个半导体芯片22。此时，使半导体芯片22的主动侧的面接触粘接层21。接下来，如图6(c)所示，利用树脂的密封材料23对半导体芯片22进行模制。密封材料23使用压缩成形后的尺寸变化、成形布线时的尺寸变化少的材料。接下来，如图6(d)、(e)所示，将模制有半导体芯片22的加工基板24从支承构件20分离后，借助粘接层25而与支承玻璃基板26粘接固定。此时，在加工基板24的表面内，与埋入有半导体芯片22侧的表面相反侧的表面配置于支承玻璃基板26侧。按照这样，可得到层叠基板27。需要说明的是，根据需要，也可在粘接层25与支承玻璃基板26之间形成剥离层。进而，在搬送所得到的层叠基板27后，如图6(f)所示，在加工基板24的埋入有半导体芯片22侧的表面形成布线28后，形成多个焊料凸块29。最后，从支承玻璃基板26分离加工基板24后，将加工基板24切割为各半导体芯片22，再供给至后续的封装工序(图6(g))。

本发明的玻璃基板的特征在于，在表面具备以点作为结构单元的信息识别部，并且从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度为350μm以下。需要说明的是，对于本发明的玻璃基板的技术特征，在本发明的支承玻璃基板的说明项中已完成记载，在此省略详细的说明。

实施例

以下，基于实施例而说明本发明。需要说明的是，以下的实施例仅为例示。本发明不限于以下的实施例。

表1示出本发明的实施例(试样No.1～10)和比较例(试样No.11)。

[表1]

	No.1	No.2	No.3	No.4	No.5	No.6	No.7	No.8	No.9	No.10	No.11
												线热膨胀系数(×10<sup>-1</sup>/℃)	35	58	75	91	70	48	95	102	112	102	102
裂纹最大长度(μm)	4	9	8	196	L	5	35	97	45	85	352
												工序破损	○	○	○	○	○	○	○	○	○	○	×

按照以下那样，制作试样No.1的玻璃基板。首先，按照作为玻璃组成，以质量％计含有SiO₂ 59.7％、Al₂O₃ 16.5％、B₂O₃ 10.3％、MgO 0.3％、CaO 8.0％、SrO 4.5％、BaO0.5％、SnO₂ 0.2％的方式配合、混合玻璃原料，得到玻璃配合料后，供给至玻璃熔融炉，以1550℃进行熔融，接下来将所得到的熔融玻璃进行澄清、搅拌后，供给至溢出下拉法的成形装置，以板厚成为1.05mm的方式成形。然后，将所得到的玻璃基板切割成矩形形状。

按照以下那样，制作试样No.2的玻璃基板。首先，按照作为玻璃组成，以质量％计含有SiO₂ 66.1％、Al₂O₃ 8.5％、B₂O₃ 12.4％、Na₂O 8.4％、CaO 3.3％、ZnO 0.9％、SnO₂0.4％的方式配合、混合玻璃原料，得到玻璃配合料后，供给至玻璃熔融炉，以1500℃进行熔融，接下来将所得到的熔融玻璃进行澄清、搅拌后，供给至溢出下拉法的成形装置，以板厚成为1.05mm的方式成形。然后，将所得到的玻璃基板切割成矩形形状。

按照以下那样，制作试样No.3的玻璃基板。首先，按照作为玻璃组成，以质量％计含有SiO₂ 65.8％、Al₂O₃ 8.0％、B₂O₃ 8.9％、Na₂O 12.8％、CaO 3.2％、ZnO 0.9％、SnO₂0.4％的方式配合、混合玻璃原料，得到玻璃配合料后，供给至玻璃熔融炉，以1500℃进行熔融，接下来将所得到的熔融玻璃进行澄清、搅拌后，供给至溢出下拉法的成形装置，以板厚成为1.05mm的方式成形。然后，将所得到的玻璃基板切割成矩形形状。

按照以下那样，制作试样No.4的玻璃基板。首先，按照作为玻璃组成，以质量％计含有SiO₂ 61.6％、Al₂O₃ 18.0％、B₂O₃ 0.5％、Na₂ O 14.5％、K₂ O 2.0％、MgO 3.0％、SnO₂0.4％的方式配合、混合玻璃原料，得到玻璃配合料后，供给至玻璃熔融炉，以1650℃进行熔融，接下来将所得到的熔融玻璃进行澄清、搅拌后，供给至溢出下拉法的成形装置，以板厚成为1.05mm的方式成形。然后，将所得到的玻璃基板切割成矩形形状。

按照以下那样，制作试样No.5的玻璃基板。首先，按照作为玻璃组成，以质量％计含有SiO₂ 40.92％、Al₂O₃ 5.0％、B₂O₃ 5.0％、CaO 3.0％、SrO 11.2％、BaO 25.2％、ZnO3.0％、TiO₂ 4.6％、ZrO₂ 2.0％、Sb₂O₃ 0.08％的方式配合、混合玻璃原料，得到玻璃配合料后，供给至玻璃熔融炉，以1250℃进行熔融，接下来将所得到的熔融玻璃进行澄清、搅拌后，供给至溢出下拉法的成形装置，以板厚成为1.05mm的方式成形。然后，将所得到的玻璃基板切割成矩形形状。

按照以下那样，制作试样No.6的玻璃基板。首先，按照作为玻璃组成，以质量％计含有SiO₂ 72.75％、Al₂O₃ 4.3％、B₂ O₃ 15.1％、Na₂O 5.7％、K₂O 1.8％、CaO 0.2％、SnO₂0.15％的方式配合、混合玻璃原料，得到玻璃配合料后，供给至玻璃熔融炉，以1600℃进行熔融，接下来将所得到的熔融玻璃进行澄清、搅拌后，供给至溢出下拉法的成形装置，以板厚成为1.05mm的方式成形。然后，将所得到的玻璃基板切割成矩形形状。

按照以下那样，制作试样No.7的玻璃基板。首先，按照作为玻璃组成，以质量％计含有SiO₂ 65.8％、Al₂O₃ 8.0％、B₂O₃ 3.7％、Na₂O 18.1％、CaO 3.2％、ZnO 0.9％、SnO₂0.3％的方式配合、混合玻璃原料，得到玻璃配合料后，供给至玻璃熔融炉，以1300℃进行熔融，接下来将所得到的熔融玻璃进行澄清、搅拌后，供给至溢出下拉法的成形装置，以板厚成为1.05mm的方式成形。然后，将所得到的玻璃基板切割成矩形形状。

按照以下那样，制作试样No.8的玻璃基板。首先，按照作为玻璃组成，以质量％计含有SiO₂ 65.7％、Al₂O₃ 8.0％、B₂O₃ 2.1％、Na₂O 19.8％、CaO 3.2％、ZnO 0.9％、SnO₂0.3％的方式配合、混合玻璃原料，得到玻璃配合料后，供给至玻璃熔融炉，以1300℃进行熔融，接下来将所得到的熔融玻璃进行澄清、搅拌后，供给至溢出下拉法的成形装置，以板厚成为1.05mm的方式成形。然后，将所得到的玻璃基板切割成矩形形状。

按照以下那样，制作试样No.9的玻璃基板。首先，按照作为玻璃组成，以质量％计含有SiO₂ 65.3％、Al₂O₃ 8.0％、Na₂ O 22.3％、CaO 3.2％、ZnO 0.9％、SnO₂ 0.3％的方式配合、混合玻璃原料，得到玻璃配合料后，供给至玻璃熔融炉，以1300℃进行熔融，接下来将所得到的熔融玻璃进行澄清、搅拌后，供给至溢出下拉法的成形装置，以板厚成为1.05mm的方式成形。然后，将所得到的玻璃基板切割成矩形形状。

按照以下那样，制作试样No.10、11的玻璃基板。首先，按照作为玻璃组成，以质量％计含有SiO₂ 65.7％、Al₂O₃ 8.0％、B₂O₃ 2.1％、Na₂O 19.8％、CaO 3.2％、ZnO 0.9％、SnO₂ 0.3％的方式配合、混合玻璃原料，得到玻璃配合料后，供给至玻璃熔融炉，以1650℃进行熔融，接下来将所得到的熔融玻璃进行澄清、搅拌后，供给至溢出下拉法的成形装置，以板厚成为1.05mm的方式成形。然后，将所得到的玻璃基板切割成矩形形状。

接下来，将切割后的玻璃基板(试样No.1～11：整体板厚偏差约4.0μm)，挖出为φ300mm后，利用研磨装置来研磨处理玻璃基板的两表面。具体而言，以外径不同的一对研磨垫夹入玻璃基板的两表面，一边使玻璃基板与一对研磨垫共同旋转，一边研磨处理玻璃基板的两表面。研磨处理时，偶尔以玻璃基板的一部分从研磨垫突出的方式进行控制。需要说明的是，研磨垫设为聚氨酯制，在研磨处理时使用的研磨浆料的平均粒径设为2.5μm、研磨速度设为15m/分钟。对于所得到的各研磨处理完成的玻璃基板，通过KOBELCO科研公司制的Bow/Warp测定装置SBW-331ML/d来测定整体板厚偏差和翘曲量。其结果，整体板厚偏差分别为不足1.0μm，翘曲量分别为35μm以下。对于所得到的各研磨处理完成的玻璃基板，通过膨胀仪测定在30～380℃的温度范围的平均线热膨胀系数。将其结果示于表1。

对于研磨后的玻璃基板而言，使用脉冲型飞秒激光，设置将由环状的沟构成的多个点作为结构单元的信息识别部。在此，对于试样No.1～11，通过调整脉冲型飞秒激光的脉冲宽度，从而控制从点扩展的裂纹的最大长度。接下来，使用数字显微镜VHX-600(KEYENCE公司制)，测定从点产生的裂纹的最大长度。将其结果示于表1、图7、图8。图7是试样No.2的显微镜照片。图8是试样No.11的显微镜照片。需要说明的是，裂纹的最大长度以长度测长软件来描绘裂纹，测量其长度而得的。

对于形成有信息识别部后的玻璃基板而言，进行模拟fan out型的WLP与PLP的制造工序的热处理，将玻璃基板未破损的情况作为“○”、将因从点产生的裂纹引起玻璃基板破损的情况作为“×”而进行评价。

由表1可知，试样No.1～10从点产生的裂纹在表面方向的最大长度小，因此可认为在fan out型的WLP与PLP的制造工序中不易产生破损。另一方面，试样No.11从点产生的裂纹在表面方向的最大长度大，因此可认为在fan out型的WLP与PLP的制造工序中容易产生破损。

附图标记说明

1、10、26 支承玻璃基板

1a 周缘部

2 表面

2a，2b 划分区域

3 信息识别部

4 缺口部

5 文字

6 点

7 环状的沟

8 裂纹

9、27 层叠体

11、24 加工基板

12 剥离层

13、21、25 粘接层

20 支承构件

22 半导体芯片

23 密封材料

28 布线

29 焊料凸块

Claims (12)

1.一种支承玻璃基板，其是用于支承加工基板的支承玻璃基板，其特征在于，在支承玻璃基板的表面具备以点作为结构单元的信息识别部，并且从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度为350μm以下。

2.根据权利要求1所述的支承玻璃基板，其特征在于，从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度为0.1μm以上。

3.根据权利要求1或2所述的支承玻璃基板，其特征在于，点由环状的沟形成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，在30℃～380℃的温度范围内的平均线热膨胀系数为30×10^-7/℃以上且165×10^-7/℃以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，其具有直径100mm～500mm的晶片形状或大致圆板形状，板厚不足2.0mm，整体板厚偏差为5μm以下。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，其具有各边为300mm以上的四边形的形状，板厚不足2.0mm，整体板厚偏差为10μm以下。

7.一种层叠基板，其至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板，其特征在于，支承玻璃基板为权利要求1～6中任一项所述的支承玻璃基板。

8.根据权利要求7所述的层叠基板，其特征在于，加工基板至少具备用密封材料模制的半导体芯片。

9.一种半导体封装体的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

准备至少具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠基板的工序；和

对加工基板进行加工处理的工序，

并且，支承玻璃基板为权利要求1～6中任一项所述的支承玻璃基板。

10.根据权利要求9所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，加工处理包括对加工基板的一个表面进行布线的工序。

11.根据权利要求9所述的半导体封装体的制造方法，其特征在于，加工处理包括在加工基板的一个表面形成焊料凸块的工序。

12.一种玻璃基板，其特征在于，在表面具备以点作为结构单元的信息识别部，并且从点扩展的裂纹在表面方向的最大长度为350μm以下。

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