CN111007703A - 光刻机对位方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种光刻机对位方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，获取每条扫描路径对应的强度位置相关性图；根据强度位置相关性图，确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度；根据多重相关系数和晶圆对位信号强度，计算出每条扫描路径对应的评估值；将最大评估值对应的扫描路径确定为最佳扫描路径，最佳扫描路径用于定义对位标记的位置；评估值＝多重相关系数*多重相关系数*晶圆对位信号强度；解决了现有方式在选择最佳扫描路径时容易受到异常情况的影响，导致晶圆次品的问题；达到了减少对位信号受损或偏移的影响，提高最佳扫描路径选择的准确度，降低晶圆次品率的效果。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻机对位方法。
背景技术
在集成电路制造过程中，一个完整的芯片一般都要经过很多次光刻，在光刻时需要进行对位。ASML光刻机的对位系统包括ATHENA(Advanced Technology using Highorder Enhancement of Alignment，利用高阶光增强对位技术)系统和SMASH(SmartAlignment Sensor Hybrid，混合型智能对位传感器)系统等。对位过程可以包括预对位、粗对位、精对位。
SMASH系统相较于ATHENA系统，有几点重要改进：对位光源数量增加，在红光、绿光的基础上新增近红外光和远红外光；光斑的尺寸大幅减小，可以达到40um；衍射光接收路径和探测器从分离变为合并。这些改进都增加了SMASH系统进行粗对位的难度，当晶圆上的对位标记受损和/或偏移时，容易错选最佳扫描路径，导致晶圆次品。
发明内容
本申请提供了一种光刻机对位方法，可以解决相关技术中容易错选最佳扫描路径，导致晶圆次品的问题。
一方面，本申请实施例提供了一种光刻机对位方法，该方法包括：
利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，并获取每条扫描路径对应的强度位置相关性图，强度位置相关性图根据对位标记信号强度和对位标记位置确定；
根据强度位置相关性图，确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度；
根据多重相关系数和晶圆对位信号强度，计算出每条扫描路径对应的评估值；
将最大评估值对应的扫描路径确定为最佳扫描路径，最佳扫描路径用于定义对位标记的位置；
其中，评估值按如下公式计算：
评估值＝多重相关系数*多重相关系数*晶圆对位信号强度。
可选的，利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，并获取每条扫描路径对应的强度位置相关性图；
利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记；
在每次扫描时，获取每个对位标记对应的对位标记位置和标记信号强度；
根据每个对位标记对应的对位标记位置和标记信号强度，确定每条扫描路径对应的强度位置相关性图，强度位置相关性图的横坐标为对位标记位置，强度位置相关性图的纵坐标为标记信号强度。
可选的，根据强度位置关系图，确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度，包括：
获取标准强度位置关系图，以及根据标准强度位置关系图和强度位置相关性图的拟合程度，确定每条扫描路径对应的多重相关系数；
根据强度位置相关性图中特征点的标记信号强度，确定每条扫描路径对应的晶圆对位信号强度；特征点左右两侧的点对应的标记信号强度小于特征点的标记信号强度；
其中，标准强度位置关系图包括每个对位标记对应的标准对位标记位置和标准对位信号强度，标准强度位置关系图为锯齿形图形。
可选的，根据标准强度位置关系图和强度位置相关性图的拟合程度，确定每条扫描路径对应的多重相关系数，包括：
将标准位置关系图分段得到若干个标准分段线，每段标准分段线呈线性；
针对每条扫描路径，将扫描路径对应的强度位置相关性图分段，根据每段中的对位标记位置和标记信号强度进行线性拟合，得到若干个拟合分段线，每段拟合分段线呈线性；
将标准分段线与拟合分段线一一对应，计算每段标准分段线与拟合分段线的拟合程度值；
对全部拟合程度值求平均，得到扫描路径对应的多重相关系数。
可选的，根据强度位置相关性图中特征点的标记信号强度，确定每条扫描路径对应的晶圆对位信号强度，包括：
针对每条扫描路径，对强度位置相关性图中的全部特征点的标记信号强度求平均，得到晶圆对位信号强度。
可选的，该方法还包括：
根据最佳扫描路径确定的对位标记位置进行精对位。
可选的，利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，包括：
当对位标记的宽度大于或等于80um时，利用对位光斑扫描对位标记2次；
当对位标记的宽度小于80um时，利用对位光斑扫描对位标记5次。
可选的，扫描路径相互平行。
本申请技术方案，至少包括如下优点：
通过利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，并获取每条对位标记对应的强度位置相关性图，根据强度位置相关性图确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度，根据多重相关系数和晶圆对位信号强度计算出每条扫描路径对应的评估值，将最大评估值对应的扫描路径确定为最佳扫描路径，解决了现有方式在选择最佳扫描路径时容易受到异常情况的影响，导致晶圆次品的问题；达到了减少对位信号受损或偏移的影响，提高最佳扫描路径选择的准确度，降低晶圆次品率的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种光刻机对位方法的流程图；
图2是本申请实施例提供的另一种光刻机对位方法的流程图；
图3是本申请实施例提供的一种对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记的示意图；
图4是本申请实施例提供的一种扫描路径对应的强度位置相关性图的局部示意图；
图5是本申请实施例提供的一种标准强度位置关系图的局部示意图；
图6是本申请实施例提供的另一种对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
请参考图1，本申请实施例提供了一种光刻机对位方法，该方法适用于ASML光刻机的SMASH(Smart Alignment Sensor Hybrid，混合型智能对位传感器)对位系统，该方法至少包括如下步骤：
步骤101，利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，并获取每条扫描路径对应的强度位置相关性图。
强度位置相关性图根据对位标记信号强度和对位标记位置确定。
利用对位光斑扫描晶圆上的对位标记，为了降低粗对位的难度，SMASH对位系统采用周期性扫描的方法扫描，每次扫描晶圆上的对位标记的轨迹记为一条扫描路径。每次扫描对应的扫描路径相互平行，且不重合。
步骤102，根据强度位置相关性图，确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度。
可选的，每得到一条扫描路径就确定该条扫描路径对应的多重相关系数(Multiple Correlation Coefficient，MCC)和晶圆对位信号强度(Wafer Quality，WQ)，或，得到全部的扫描路径后，确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度。
步骤103，根据多重相关系数和晶圆对位信号强度，计算出每条扫描路径对应的评估值。
评估值＝多重相关系数*多重相关系数*晶圆对位信号强度
可选的，每得到一条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度，就计算出该条扫描路径对应的评估值，或，得到所有扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度后，计算每条扫描路径对应的评估值。
步骤104，将最大评估值对应的扫描路径确定为最佳扫描路径。
最佳扫描路径用于定义对位标记的位置。
对全部评估值按从大到小或从小到大的顺序排序，得到最大评估值。
由于晶圆上的对位标记的尺寸大于对位光斑的尺寸，每次对位光斑扫描后得到的对位标记位置存在差异，为了方便后续更加准确地进行精对位，需要选择出最佳扫描路径来定义用于精对位的对位标记位置。
综上所述，本申请实施例通过利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，并获取每条对位标记对应的强度位置相关性图，根据强度位置相关性图确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度，根据多重相关系数和晶圆对位信号强度计算出每条扫描路径对应的评估值，将最大评估值对应的扫描路径确定为最佳扫描路径，解决了现有方式在选择最佳扫描路径时容易受到异常情况的影响，导致晶圆次品的问题；达到了减少对位信号受损或偏移的影响，提高最佳扫描路径选择的准确度，降低晶圆次品率的效果。
请参考图2，本申请实施例提供了另一种光刻机对位方法，该方法适用于ASML光刻机的SMASH对位系统，该方法至少包括如下步骤：
步骤201，利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记。
由于晶圆上的对位标记的尺寸大于对位光斑的尺寸，对位光斑无法覆盖对位标记，故利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记。
每次扫描对应的扫描路径相互平行且不重合，每次扫描时对位光斑的移动方向相同，比如：每次扫描时对位光斑都是从左向右移动。
如图3所示，利用对位光斑31周期性扫描晶圆上的对位标记32，每次扫描对应的扫描路径33平行且不重合。
步骤202，在每次扫描时，获取每个对位标记对应的对位标记位置和标记信号强度。
当对位光斑扫描晶圆上的对位标记时会产生衍射光，衍射光接收装置接收产生的衍射光，并反馈对位标记位置和标记信号强度。
步骤203，根据每个对位标记对应的对位标记位置和标记信号强度，确定每条扫描路径对应的强度位置相关性图。
强度位置相关性图的横坐标为对位标记位置，强度位置相关性图的纵坐标为标记信号强度。
每次扫描时，根据扫描的各个对位标记对应的对位标记位置和标记信号强度，得到扫描路径对应的强度位置相关性图。
图4示例性地示出了一条扫描路径对应的强度位置相关性图的局部示意图，在图4中，一个对位标记位置和该对位标记位置对应的标记信号强度构成强度位置相关性图中的一个点，即每个点40对应一个对位标记，每个点的横坐标为该对位标记的对位标记位置，每个点的纵坐标为该对位标记的标记信号强度。
步骤204，获取标准强度位置关系图，以及根据标准强度位置关系图和强度位置相关性图的拟合程度，确定每条扫描路径对应的多重相关系数。
标准强度位置关系图包括每个对位标记对应的标准对位标记位置和标准对位信号强度。标准强度位置关系图为锯齿形图形，标准强度位置关系图中横坐标为对位标记位置，纵坐标为对位信号强度。
可选的，SMASH对位系统中存储有标准晶圆上每个对位标记对应的标准对位标记位置和标准对位信号强度。
图5示出了一种标准强度位置关系图的局部示意图，图5中横坐标为对位标记位置，纵坐标为对位信号强度。
当利用对位光斑扫描晶圆上的对位标记时，采样到的数据点可能会偏离标准数据点，因此，每条扫描路径对应的强度位置相关性图与标准强度位置关系图不能完全重合。
根据标准强度位置关系图和强度位置相关性图的拟合程度，确定每条扫描路径对应的多重相关系数，可以由如下步骤实现：
b1、将标准位置关系图分段得到若干个标准分段线，每段标准分段线呈线性。
在一个例子中，如图5所示，标准位置关系图分段后得到5个标准分段线，标准分段线51、标准分段线52、标准分段线53、标准分段线54、标准分段线55均呈线性。
针对每条扫描路径，通过执行下述步骤b2-b4，得到每条扫描路径对应的多重相关系数。
b2、将强度位置相关性图分段，根据每段中的对位标记位置和标记信号强度进行线性拟合，得到若干个拟合分段线，每段拟合分段线呈线性。
在一个例子中，如图4所示，强度位置相关性图被分为5段，每段中各个点的横坐标为对位标记位置，每个点的纵坐标为标记信号强度，对s1段中的点进行线性拟合得到拟合分段线41，对s2段中的点进行线性拟合得到拟合分段线42，对s3段中的点进行线性拟合得到拟合分段线43，对s4段中的点进行线性拟合得到拟合分段线44，对s5段中的点进行线性拟合得到拟合分段线45，拟合分段线41、拟合分段线42、拟合分段线43、拟合分段线44、拟合分段线45均呈线性。拟合分段线的线性方程如下：
拟合分段线41：y＝-1.56x+0.489；
拟合分段线42：y＝1.55x+0.499；
拟合分段线43：y＝-1.56+0.497；
拟合分段线44：y＝1.55x+0.487；
拟合分段线45：y＝-1.55x+0.495。
对于每条扫描路径，将扫描路径对应的强度位置相关性图分段，根据每段中的对位标记位置和标记信号强度进行线性拟合，得到该条扫描路径对应的若干个拟合分段线，每段拟合分段线呈线性。
b3、将标准分段线与拟合分段线一一对应，计算每段标准分段线与拟合分段线的拟合程度值。
针对每条扫描路径，按分段顺序，将标准分段线与拟合分段线一一对应，并计算每段标准分段线与拟合分段线的拟合程度值，得到扫描路径对应的若干个拟合程度值。
在一个例子中，标准位置关系图如图5所示，一条扫描路径对应的强度位置相关性图如图4所示，将标准分段线51与拟合分段线41对应，计算得到拟合程度值R＝0.956；将标准分段线52与拟合分段线42对应，计算得到拟合程度值R＝0.973；将标准分段线53与拟合分段线43对应，计算得到拟合程度值R＝0.976；将标准分段线54与拟合分段线44对应，计算得到拟合程度值R＝0.978；将标准分段线55与拟合分段线45对应，计算得到拟合程度值R＝0.971。
b4、对全部拟合程度值求平均，得到扫描路径对应的多重相关系数。
针对每条扫描路径，对扫描路径对应的全部拟合程度值求平均，得到扫描路径对应的多重相关系数。
在一个例子中，标准位置关系图如图5所示，一条扫描路径对应的强度位置相关性图如图4所示，该条扫描路径对应的多重相关系数为0.9708(即(0.956+0.973+0.976+0.978+0.971)/5＝0.9708)。
步骤205，根据强度位置相关性图中特征点的标记信号强度，确定每条扫描路径对应的晶圆对位信号强度。
特征点左右两侧的对位标记位置对应的标记信号强度小于特征点的标记信号强度。
针对每条扫描路径，对扫描路径对应的强度位置相关性图中的全部特征点的标记信号强度求平均，得到扫描路径对应的晶圆对位信号强度。
在一个例子中，一条扫描路径对应的强度位置相关性图如图4所示，强度位置相关性图中的特征点为点46和点47，点46左右两侧的点对应的标记信号强度小于点46的标记信号强度，点47左右两侧的点对应的标记信号强度小于点47的标记信号强度，故点46和点47为特征点，对点46对应的标记信号强度和点47对应的标记信号强度求平均，得到该条扫描路径对应的晶圆对位信号强度。
需要说明的是，步骤204可以在步骤205之后执行，或者，步骤204和步骤305同时执行，或者，步骤204在步骤205之前执行，本申请实施例对此不作限定。
步骤206，根据多重相关系数和晶圆对位信号强度，计算出每条扫描路径对应的评估值。
评估值＝多重相关系数*多重相关系数*晶圆对位信号强度
可选的，每得到一条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度，就计算出该条扫描路径对应的评估值，或，得到所有扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度后，计算每条扫描路径对应的评估值。
步骤207，将最大评估值对应的扫描路径确定为最佳扫描路径。
最佳扫描路径用于定义对位标记的位置。
对全部评估值按从大到小或从小到大的顺序排序，得到最大评估值，将最大评估值对应的扫描路径确定为最佳扫描路径。
步骤208，根据最佳扫描路径确定的对位标记位置进行精对位。
利用最佳扫描路径对应的对位标记位置进行精对位。
综上所述，本申请实施例通过利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，并获取每条对位标记对应的强度位置相关性图，根据强度位置相关性图确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度，根据多重相关系数和晶圆对位信号强度计算出每条扫描路径对应的评估值，将最大评估值对应的扫描路径确定为最佳扫描路径，解决了现有方式在选择最佳扫描路径时容易受到异常情况的影响，导致晶圆次品的问题；达到了减少对位信号受损或偏移的影响，提高最佳扫描路径选择的准确度，降低晶圆次品率的效果。
在基于图2所示实施例的可选实施例中，当对位标记的宽度大于或等于80um时，利用对位光斑扫描晶圆上的对位标记2次；当对位标记的宽度小于80um时，利用对位光斑扫描晶圆上的对位标记5次。
在一个例子中，如图6所示，晶圆上的对位标记的宽度为38um，区域60内的对位标记受损，利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记5次，得到5条扫描路径：t1、t2、t3、t4、t5，扫描路径t3上的对位标记受损。
利用现有技术选择最佳扫描路径时，由于扫描路径t3上对位标记受损，会将扫描路径t2误认为最佳扫描路径，若将扫描路径t2作为最佳扫描路径进行精对位，会因抓错对位标记位置导致晶圆次品。
利用本申请实施例提供的光刻机对位方法计算每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度，根据每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度计算出每条扫描路径对应的评价值，如下表：
最大评估值对应的扫描路径为t3，将扫描路径t3确定为最佳扫描路径，没有选错最佳扫描路径，未受到晶圆上对位标记受损的影响，避免出晶圆次品。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。
Claims (8)
1.一种光刻机对位方法，其特征在于，所述方法包括：
利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，并获取每条扫描路径对应的强度位置相关性图，所述强度位置相关性图根据对位标记信号强度和对位标记位置确定；
根据所述强度位置相关性图，确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度；
根据所述多重相关系数和所述晶圆对位信号强度，计算出每条扫描路径对应的评估值；
将最大评估值对应的扫描路径确定为最佳扫描路径，所述最佳扫描路径用于定义对位标记的位置；
其中，所述评估值按如下公式计算：
评估值＝多重相关系数*多重相关系数*晶圆对位信号强度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，并获取每条扫描路径对应的强度位置相关性图；
利用所述对位光斑周期性扫描所述晶圆上的对位标记；
在每次扫描时，获取每个对位标记对应的对位标记位置和标记信号强度；
根据所述每个对位标记对应的对位标记位置和标记信号强度，确定每条扫描路径对应的强度位置相关性图，所述强度位置相关性图的横坐标为对位标记位置，所述强度位置相关性图的纵坐标为标记信号强度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述强度位置关系图，确定每条扫描路径对应的多重相关系数和晶圆对位信号强度，包括：
获取标准强度位置关系图，以及根据所述标准强度位置关系图和所述强度位置相关性图的拟合程度，确定所述每条扫描路径对应的多重相关系数；
根据所述强度位置相关性图中特征点的标记信号强度，确定所述每条扫描路径对应的晶圆对位信号强度；所述特征点左右两侧的点对应的标记信号强度小于所述特征点的标记信号强度；
其中，所述标准强度位置关系图包括每个对位标记对应的标准对位标记位置和标准对位信号强度，所述标准强度位置关系图为锯齿形图形。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述标准强度位置关系图和所述强度位置相关性图的拟合程度，确定所述每条扫描路径对应的多重相关系数，包括：
将所述标准位置关系图分段得到若干个标准分段线，每段标准分段线呈线性；
针对每条扫描路径，将所述扫描路径对应的强度位置相关性图分段，根据每段中的对位标记位置和标记信号强度进行线性拟合，得到若干个拟合分段线，每段拟合分段线呈线性；
将所述标准分段线与所述拟合分段线一一对应，计算每段所述标准分段线与所述拟合分段线的拟合程度值；
对全部拟合程度值求平均，得到所述扫描路径对应的多重相关系数。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述强度位置相关性图中特征点的标记信号强度，确定所述每条扫描路径对应的晶圆对位信号强度，包括：
针对每条扫描路径，对所述强度位置相关性图中的全部特征点的标记信号强度求平均，得到所述晶圆对位信号强度。
6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
根据所述最佳扫描路径确定的对位标记位置进行精对位。
7.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述利用对位光斑周期性扫描晶圆上的对位标记，包括：
当所述对位标记的宽度大于或等于80um时，利用所述对位光斑扫描所述对位标记2次；
当所述对位标记的宽度小于80um时，利用所述对位光斑扫描所述对位标记5次。
8.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述扫描路径相互平行。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2025038686A1 (en) * | 2023-08-14 | 2025-02-20 | Kla Corporation | System and method for duration-based sample path adjustment |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1400854A2 (en) * | 2002-09-20 | 2004-03-24 | ASML Netherlands B.V. | Alignment systems and methods for lithographic systems |
| CN101241313A (zh) * | 2008-03-11 | 2008-08-13 | 上海微电子装备有限公司 | 基于机器视觉的光刻装置对准系统与对准方法 |
| CN101566800A (zh) * | 2009-02-27 | 2009-10-28 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻设备的对准系统和对准方法 |
| CN101943865A (zh) * | 2009-07-09 | 2011-01-12 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻设备的对准标记和对准方法 |
| CN108899288A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-11-27 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法 |
| WO2019141481A1 (en) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | Asml Netherlands B.V. | Scan signal characterization diagnostics |
-
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1400854A2 (en) * | 2002-09-20 | 2004-03-24 | ASML Netherlands B.V. | Alignment systems and methods for lithographic systems |
| CN101241313A (zh) * | 2008-03-11 | 2008-08-13 | 上海微电子装备有限公司 | 基于机器视觉的光刻装置对准系统与对准方法 |
| CN101566800A (zh) * | 2009-02-27 | 2009-10-28 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻设备的对准系统和对准方法 |
| CN101943865A (zh) * | 2009-07-09 | 2011-01-12 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻设备的对准标记和对准方法 |
| WO2019141481A1 (en) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | Asml Netherlands B.V. | Scan signal characterization diagnostics |
| CN108899288A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-11-27 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022052598A1 (zh) * | 2020-09-11 | 2022-03-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 对准标记评估方法及对准标记评估系统 |
| US11586118B2 (en) | 2020-09-11 | 2023-02-21 | Ghangxin Memory Technologies, Inc. | Alignment mark evaluation method and alignment mark evaluation system |
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| CN112631091B (zh) * | 2020-12-14 | 2022-07-05 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 光刻工艺中晶圆对位方法 |
| CN115373233A (zh) * | 2022-08-05 | 2022-11-22 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 晶片对准标记选取方法 |
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